KR20010040053A - 촬상디바이스 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
촬상(撮像)디바이스의 박형화를 도모한다. 접합부를 가지는 소정의 회로패턴이 형성되고 투과공을 가지는 회로기판과, 수광부와 피접합부를 가지고 이 피접합부가 회로패턴의 접합부에 접합되어 회로기판의 한쪽 면에 고정된 촬상소자와, 입사되는 광을 회로기판의 투과공을 통해 촬상소자의 수광부로 인도하는 렌즈부를 가지고 회로기판의 상기 한쪽 면과 반대측 면에 투과공을 피복하도록 하여 고정된 커버체를 배치했다.
Description
본 발명은 촬상디바이스 및 그 제조방법에 대한 기술분야에 관한 것이다. 상세하게는, 렌즈부에 입사된 광을 수광부로 인도하여 광전(光電) 변환하는 촬상(撮像)디바이스 및 그 제조방법에 관한 기술분야에 관한 것이다.
비디오 카메라 등의 촬상장치에는, 보통 수광부(受光部)로서 CCD(charge coupled device) 영상감지소자나 CMOS(complimentary metal oxide semiconductor) 등을 가지는 촬상디바이스가 설치되어 있다.
도 1은 이와 같은 종래의 촬상디바이스의 일예를 나타낸 것이다.
촬상디바이스("a")는 커버체(b)가 부착된 본체부(c)가 회로기판(d)에 장착되어 이루어진다.
커버체(體)(d)는 대략 원통형을 이루고, 커버체(b)의 일단부에는 렌즈(e)가 지지되어 있다.
본체부(c)는, 예를 들면, 수지재료에 의해 형성된 성형체(f)에 소요되는 각 부재가 배치되어 이루어진다. 성형체(f)에는 한쪽 면에 개구된 부착오목부(g)가 형성되고, 이 부착오목부(g)의 저면부 중앙부에 투과공(h)이 형성되어 있다. 그리고, 성형체(f)의 투과공(h) 저면부의 중앙부에 오목부형의 본딩부(i)가 형성되어 있다.
성형체(f)에는 인서트(insert)성형에 의해 리드(lead)프레임(j)이 형성되고, 이 리드프레임(j)은 일부가 성형체(f)에 매설(埋設)되고, 다른 일부가 성형체(f)의 외측에 위치되어 있다.
성형체(f)의 본딩부(i)에는 접착제(k)에 의해 고정된 수광부로서의 CCD 영상감지소자(1)가 배치되고, 이 CCD 영상감지소자(1)가 리드프레임(j)의 일단부에 와이어(m, m, …)를 통해 접속되어 있다.
성형체(f)의 부착오목부(g)에는, 접착제(n)에 의해 투명한 덮개체(o)가 부착되고, 이에 따라 성형체(f)에 형성된 공간(p)의 기밀성(氣密性)이 유지되고 있다.
성형체(f)에 덮개체(o)가 부착된 상태에서, 덮개체(o)를 피복하도록 하여 커버체(b)가 부착된다. 그리고, 본체부(c)는 리드프레임(j)의 타단부가 회로기판(d)의 접합부(q, q, …)에 접합된다.
그런데, 상기한 종래의 촬상디바이스(a)에 있어서는, 성형체(f)를 설치하고 이 성형체(f)에 오목부형의 본딩부(i)를 형성하여 CCD 영상감지소자(1)를 배치하고 있기 때문에, 전체로 두께가 커 박형화에 지장을 초래하고 있다고 하는 문제가 있다.
일본국 특개평 8(1996)-84278호 공보는 고체촬상소자가 플립칩(flip-chip)법을 사용하여 기판에 투과공과 함께 대면관계로 접합되어 있는 고체픽업장치가 개시되어 있다.
그러나, 회로기판 및 촬상소자의 수지 밀봉 중 밀봉수지가 투과공으로 유입되는 것을 방지하는 아무 방법도 제시하지 않고 있다.
본 발명의 제1 목적은 상기한 문제점을 극복하여, 당해 촬상디바이스의 박형화를 도모하는 것을 과제로 한다.
본 발명의 다른 목적은 회로기판 및 촬상소자의 수지 밀봉 중 밀봉수지가 투과공으로 유입되는 것을 방지하는 촬상디바이스를 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 촬상디바이스를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태의 기판(양면 동피복(銅被覆) 적층판)을 나타낸 단면도이다.
도 3은 투과공을 형성한 상태를 나타낸 단면도이다.
도 4는 투과공의 내주면에 도금을 실시한 상태를 나타낸 단면도이다.
도 5는 레지스트재(材)를 입힌 상태를 나타낸 단면도이다.
도 6은 에칭을 행한 상태를 나타낸 단면도이다.
도 7은 레지스트재를 박리하여 회로패턴을 형성한 상태를 나타낸 단면도이다.
도 8은 회로기판에 촬상디바이스를 장착하기 전의 상태를 나타낸 단면도이다.
도 9는 패드에 범프를 접합하여 회로기판에 촬상디바이스를 장착한 상태를 나타낸 단면도이다.
도 10은 밀봉수지에 의해 회로기판과 촬상소자와의 간극을 밀봉한 상태를 나타낸 단면도이다.
도 11은 회로기판에 커버체를 장착하여 촬상디바이스를 제조한 상태를 나타낸 단면도이다.
도 12는 다른 형상을 가지는 투과공을 형성한 상태를 나타낸 단면도이다.
도 13은 촬상디바이스 제조의 작업순서를 나타낸 도면이다.
상기한 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 실시형태에 의한 촬상디바이스는 접합부를 가지는 소정의 회로패턴이 형성되고 투과공을 가지는 회로기판, 수광부와 피접합부를 가지고 상기 피접합부가 회로패턴의 접합부에 접합되어 회로기판의 한쪽 면에 고정된 촬상소자 및 입사되는 광을 회로기판의 투과공을 통해 촬상소자의 수광부로 인도하는 렌즈부를 가지고 회로기판의 상기 한쪽 면과 반대측 면에 투과공을 피복하도록 하여 고정된 커버체를 구비하고, 상기 회로기판의 투과공의 주위면에 도금을 실시하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 촬상디바이스의 제조방법은 접합부를 가지는 소정의 회로패턴과 투과공을 기판에 형성하여 회로기판을 형성하는 공정, 수광부와 피접합부를 가지는 촬상소자의 피접합부를 회로기판의 접합부에 접합하여 촬상소자를 회로기판의 한쪽 면에 고정하는 공정, 입사되는 광을 회로기판의 투과공을 통해 촬상소자의 수광부로 인도하는 렌즈부를 가지는 커버체를, 투과공을 피복하도록 하여 회로기판의 전술한 한쪽 면과 반대측 면에 고정하는 공정 및 회로기판의 투과공의 내주면을 도금하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명의 촬상디바이스 및 그 제조방법에 있어서는, 수광부를 배치하기 위한 오목부를 가지는 성형체를 사용할 필요가 없기 때문에 박형화를 달성하고, 밀봉수지의 유입을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명의 촬상디바이스 및 그 제조방법이 실시형태를 첨부도면을 참조하여 설명한다.
그리고, 이하에 나타낸 실시형태는 본 발명을 수광부로서 CCD 영상감지소자가 설치된 촬상디바이스 및 그 제조방법에 적용한 것이다.
먼저, 촬상디바이스의 구성에 대하여 설명한다(도 11 참조). 촬상디바이스는, 예를 들면, 비디오 카메라 등의 촬상장치에 설치되어 있다.
촬상디바이스(1)는 회로기판(2)과 이 회로기판(2)의 한쪽 면(제1 면)(2a)에 접합된 촬상소자(3)와 회로기판(2)의 한쪽 면과 반대측 면(제2 면)(2b)에 부착된 커버체(4)를 구비하고 있다.
회로기판(2)에는 소정의 회로패턴이 형성되고, 이 회로패턴의 일부에 접합부로서의 패드(5, 5, …)가 형성되어 있다. 그리고, 회로기판(2)의 중앙부에는 투과공(6)이 형성되어 있다.
투과공(6)의 주위면과 제1 면(2a)의 개구에지와 제2 면(2b)측의 개구에지에는 각각 도금(7, 8, 9)이 실시되고, 이 도금(7, 8, 9)이 연속하여 형성되어 있다. 따라서, 도금(7, 8, 9)은 전체로서 종단면(縱斷面) 형상으로 ㄷ자형으로 형성되어 있다.
촬상소자(3)는 베이스판(10) 상에 CCD 영상감지소자(11)와 범프(12, 12, …)가 배치되어 이루어진다. CCD 영상감지소자(11)는 베이스판(10)의 중앙부에 배치되어, 수광부로서 기능하는 것이다. 범프(12, 12, …)는 베이스판(10)의 외단부에 배치되어, CCD 영상감지소자(11)와 전기적인 접속이 도모되고 있다. 그리고, 범프(12, 12, …)는 각각 회로기판(2)의 패드(5, 5, …)에 접합되는 피접합부로서 기능한다.
촬상소자(3)는 범프(12, 12, …)가 패드(5, 5, …)에 접합되어 회로기판(2)에 고정된다. 이와 같이 촬상소자(3)가 회로기판(2)에 고정된 상태에서, CCD 영상감지소자(11)가 회로기판(2)의 투과공(6)에 대응하는 위치에 배치된다. 그리고, 촬상소자(3)가 회로기판(2)에 고정된 상태에서, 회로기판(2)과 촬상소자(3) 사이의 간극이 밀봉수지(13)에 의해 밀봉된다. 밀봉수지(13)는, 예를 들면, 열경화형(熱硬化型)의 수지이며, 촬상소자(3)를 완전히 피복하도록 하여 회로기판(2)과 촬상소자(3) 사이의 간극을 밀봉한다.
밀봉수지(13)를 사용함으로써, 회로기판(2)과 촬상소자(3) 사이의 간극으로부터의 먼지의 침입 방지, 회로기판(2)과 촬상소자(3) 사이의 간극으로부터의 불필요한 광의 입사 방지 및 회로기판(2)과 촬상소자(3)와의 접합의 신뢰성 향상을 도모할 수 있다.
커버체(4)는 대략 원통형을 이루고, 일단부에 렌즈부로서의 렌즈(4a)가 지지되어 있다. 그리고, 커버체(4)는 타단부가 회로기판(2)의 제2 면(2b)에 투과공(6)을 피복하도록 하여, 예를 들면, 접착에 의해 고정되어 있다.
그리고, 렌즈(4a)에 광이 입사되면, 그 광은 회로기판(2)의 투과공(6)을 통해 촬상소자(3)의 CCD 영상감지소자(11)로 인도되고, CCD 영상감지소자(11)의 광전 변환, 전하의 축적, 전하의 전송(轉送) 등의 기능이 발휘되어 인도된 광이 전기신호로 변환되고, 변환된 전기신호에 따른 화상이, 예를 들면, 비디오 카메라의 표시부에 표시된다.
다음에, 촬상디바이스(1)의 제조방법에 대하여, 도 13에 나타낸 작업순서를 나타낸 도면 및 도 2 내지 도 12에 나타낸 각 공정도를 참조하여 설명한다.
그리고, 이하에 나타낸 제조방법은 회로기판(2)을 서브트랙티브법(subtractive method)에 의해 형성한 경우를 나타낸 것이다.
(1) 기판(2')으로서, 예를 들면, 양면에 동(銅)도금(2c, 2d)이 실시된 양면 동피복 적층판을 준비하여, 소정의 형상으로 절단한다(도 2 참조).
(2) 기판(2')의 소정 위치에 투과공(6)을 형성한다(도 3 참조). 투과공(6)은, 예를 들면, NC 드릴이나 루터(rooter)에 의해 형성하고, 형성된 투과공(6)의 주위면을 도금을 실시하기 위해 적당한 정도의 거칠음을 가지고 있는 것이 바람직하다. 이 때, 필요한 스루홀도 형성한다. 그리고, 투과공(6)은 도 3에 나타낸 바와 같이, 회로기판(2)의 주면(主面)에 대하여 수직으로 형성되어도 되며, 또, 도 12에 나타낸 바와 같이, 예를 들면, 제1 면(2a)에 근접하는 데 따라 직경이 커지는 투과공(6A)에 형성해도 된다.
(3) 투과공(6)의 주위면에 도금(7)을 실시한다(도 4 참조). 이 도금(7)은 동도금(2c, 2d)에 연속되도록 형성한다. 동시에, 형성된 스루홀에도 전기용접용의 도금을 실시한다.
(4) 동도금(2c, 2d)의 표면을 연마한다. 레지스트재를 입히기 위한 전처리공정이다.
(5) 레지스트재(14, 14, …)를 동도금(2c, 2d)의 회로패턴을 형성하는 소정의 위치에 입힌다(도 5 참조). 이 때, 동도금(2c, 2d) 중 투과공(6)의 개구에지에 위치하는 부분에 레지스트재(14, 14)를 입힌다.
(6) 에칭을 행하여 회로패턴의 형성을 위해 불필요한 동도금(2c, 2d)을 제거한다(도 6 참조).
(7) 레지스트재를 박리하여, 회로패턴을 형성한다(도 7 참조). 이와 같이 회로패턴을 형성함으로써, 투과공(6)의 주위면과 상하 양측의 개구에지에 도금(7, 8, 9)이 실시되고, 또, 패드(5, 5, …)가 형성된다.
(8) 솔더(solder) 레지스트의 인쇄 및 심벌 마크의 인쇄를 행한다.
(9) 외형 가공 및 후공(後孔)(post-drilling) 가공을 행한다.
(10) 솔더 코팅, 프리플럭스(preflux), 니켈 ·금도금 등의 표면처리를 행하여, 회로기판(2)의 성형공정을 종료한다.
(11) 형성된 회로기판(2)의 검사를 행한다.
(12) 베이스판(10) 상에 CCD 영상감지소자(11)와 범프(12, 12, …)가 배치되어 이루어지는 촬상소자(3)를 준비하고, 패드(5, 5, …)가 상방을 향하도록 회로기판(2)을 위치시키고, 범프(12, 12, …)를 패드(5, 5, …)에 대응하여 위치시킨다(도 8 참조).
(13) 패드(5, 5, …)를, 예를 들면, 초음파 접속에 의해 범프(12, 12, …)에 접합하고, 플립칩(flip-chip) 장착에 의해 촬상소자(3)를 회로기판(2)에 상방측으로부터 장착한다(도 9 참조). 촬상소자(3)를 회로기판(2)에 장착함으로써, 촬상소자(3)의 CCD 영상감지소자(11)가 투과공(6)에 대응하여 위치된다. 그리고, 이 때의 플립칩 장착에 있어서는, C4(controlled collapse chip connection) 공법, ACF(anisotropic conductive film) 공법, SBB(stad bump bonding) 공법 등의 적당한 공법을 사용할 수 있다.
(14) 밀봉수지(13)에 의해 회로기판(2)과 촬상소자(3) 사이의 간극을 밀봉한다(도 10 참조). 이 때, 밀봉수지(13)에 의해 촬상소자(3)를 완전히 피복하도록 하여 회로기판(2)과 촬상소자(3) 사이의 간극을 밀봉한다. 밀봉수지(13)는, 예를 들면, 열경화형의 수지이며, 경화되기 전의 상태에서는 유동성을 가지기 때문에, 회로기판(2)과 촬상소자(3)의 간극으로부터 투과공(6)으로 향해 흘러들어가려고 하나, 도금(8)의 외주면(8a)에 의해 흘러들어가려고 하는 밀봉수지(13)가 막힌다. 따라서, 도금(8)이 흘러들어가려고 하는 밀봉수지(13)를 막기 위한 댐으로서 기능하여, 투과공(6)에의 밀봉수지(13)의 유입을 방지할 수 있다. 그리고, 도금(8)은 밀봉수지(13)의 점성(粘性), 양, 경화조건 등에 의해 필요에 따른 두께로 한다.
(15) 회로기판(2)에 렌즈(4a)를 지지한 커버체(4)를 장착한다(도 11 참조). 커버체(4)의 장착은 회로기판(2)을 반전하여 촬상소자(3)가 하방에 위치되도록 하고, 회로기판(2)의 촬상소자(3)가 장착된 면과 반대측의 면에 행한다. 이 때, 도금(9)의 외경을 커버체(4)의 내경과 동일하게 형성해 둠으로써, 도금(9)의 외주면(9a)을 커버체(4)를 회로기판(2)에 장착할 때의 위치결정수단으로서 이용할 수 있어, 따로 회로기판(2)에 위치결정용의 수단을 설치할 필요가 없는 동시에 커버체(4)를 회로기판(2)의 적정한 위치에 용이하게 장착할 수 있다. 그리고, 커버체(4)는, 예를 들면, 접착에 의해 회로기판(2)에 고정된다.
(16) 상기와 같이, 회로기판(2)에 촬상소자(3) 및 커버체(4)를 장착함으로써, 촬상디바이스(1)가 완성된다.
이상 기재한 바와 같이, 촬상디바이스(1)에 있어서는, 회로기판(2)을 사이에 두고 반대측에 촬상소자(3)와 커버체(4)를 배치한 구성으로 되어 있기 때문에, 종래의 촬상디바이스("a")와 같이, 성형체(f)를 설치하고 이 성형체(f)에 오목부형의 본딩부(i)를 형성하여 수광부로서의 CCD 영상감지소자를 배치할 필요가 없다. 따라서, 촬상디바이스(1)의 박형화를 도모할 수 있다.
또, 촬상디바이스(1)에 있어서는, 투과공(6)의 주위면에 도금(7)이 실시되어00 있기 때문에, 투과공(6)의 주위면으로부터 유리섬유 등의 파티클이 낙하하여 CCD 영상감지소자(11)나 렌즈(4) 등에 부착되지 않고, 화질의 저하 등을 초래하지 않아, 촬상디바이스(1)의 양호한 기능을 확보할 수 있다.
또한, CCD 영상감지소자(11)나 렌즈(4) 등에의 파티클의 부착을 방지할 수 있기 때문에, 회로기판(2)으로서, 일반적으로 염가의 재료인 유리 에폭시성의 기판을 사용할 수 있어, 촬상디바이스(1) 제조 코스트의 저감을 도모할 수 있다.
나아가, 도금(7, 8, 9)은 회로기판(2)의 제조공정에서 용이하게 실시할 수 있기 때문에, 도금(7, 8, 9)을 실시함으로써 제조 효율의 저하를 초래하지 않는다.
그리고, 상기한 도금(7, 8, 9)은 동도금에 한정되지 않고, 또, 도금 두께는 촬상디바이스(1)의 각 재료나 공법 등의 종류, 용도, 밀봉수지의 종류 등에 따라, 적당히 변경하는 것이 가능하다. 또, 도금(7, 8, 9)을 전기적인 접속부, 예를 들면, 클래드용의 접속부, 전원용의 접속부, 신호 수수용(授受用)의 접속부 등에 사용할 수도 있다.
또, 상기 설명은 회로기판으로서 단층의 기판을 사용한 경우를 나타냈지만, 회로기판(2)으로서 다층기판을 사용할 수도 있다.
또한, 상기한 제조공정의 (2)에 있어서, 제1 면(2a)에 근접하는 데에 따라 직경이 커지는 투과공(6A)을 형성한 경우에는, CCD 영상감지소자(11)에의 미광(迷光)(stray light)의 입사를 효율적으로 방지할 수 있다. 특히, 도금(7)을 반사하기 쉬운 광택이 있는 재료에 의해 형성한 경우에 그 효과가 크다.
그리고, 상기한 실시형태에서 나타낸 각부의 구체적인 형상 및 구조는, 모두 본 발명의 실시를 행하는 데 있어서의 구체화의 그저 일예를 나타낸 것에 불과하고, 이에 따라 본 발명의 기술적 범위가 한정적으로 해석되는 일이 있어서는 안되는 것이다.
이상 기재한 바에서 명백한 것 같이, 본 발명의 촬상디바이스는 접합부를 가지는 소정의 회로패턴이 형성되고 투과공을 가지는 회로기판, 수광부와 피접합부를 가지고 이 피접합부가 회로패턴의 접합부에 접합되어 회로기판의 한쪽 면에 고정된 촬상소자, 입사되는 광을 회로기판의 투과공을 통해 촬상소자의 수광부로 인도하는 렌즈부를 가지고 회로기판의 상기 한쪽 면과 반대측 면에 투과공을 피복하도록 하여 고정된 커버체를 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 종래의 촬상디바이스와 같이, 성형체를 설치하고 이 성형체에 오목부형의 본딩부를 형성하여 수광부를 배치할 필요가 없기 때문에, 촬상디바이스의 박형화를 도모할 수 있다.
본 발명의 제2 양태에 의하면, 회로기판의 투과공 주위면에 도금을 실시했으므로, 투과공의 주위면으로부터 파티클이 수광부나 렌즈부 등에 낙하하여 부착되지 않고, 화질의 저하 등을 초래하지 않아, 촬상디바이스의 양호한 기능을 확보할 수 있다.
또, 수광부나 렌즈부 등에의 파티클의 부착을 방지할 수 있기 때문에, 회로기판으로서, 일반적으로, 염가의 재료인 유리 에폭시성의 기판을 사용할 수 있어, 촬상디바이스 제조 코스트의 저감을 도모할 수 있다.
또한, 도금은 회로기판의 제조공정에서 용이하게 실시할 수 있기 때문에, 도금을 실시함으로써 제조 효율의 저하를 초래하지 않는다.
본 발명의 제3 양태에 의하면, 회로기판의 투과공의 커버체가 고정되는 측의 개구에지에 도금을 실시했기 때문에, 당해 도금을 커버체의 회로기판에의 장착에 있어서의 위치결정수단으로서 이용할 수 있어, 따로 회로기판에 위치결정용의 수단을 설치할 필요가 없는 동시에 커버체를 회로기판의 적정한 위치에 용이하게 장착할 수 있다.
본 발명의 제4 및 제5 양태에 의하면, 회로기판과 촬상소자 사이의 간극을 밀봉수지에 의해 밀봉하고, 회로기판의 투과공의 촬상소자가 고정되는 측의 개구에지에 도금을 실시했으므로, 도금을 밀봉수지의 흐름을 막기 위한 댐으로서 기능시킬 수 있어, 투과공에의 밀봉수지의 유입을 방지할 수 있다.
또, 본 발명의 촬상디바이스의 제조방법은 기판에 접합부를 가지는 소정의 회로패턴과 투과공을 형성하여 회로기판을 형성하는 공정, 수광부와 피접합부를 가지는 촬상소자의 피접합부를 회로기판의 접합부에 접합하여 촬상소자를 회로기판의 한쪽 면에 고정하는 공정 및 입사되는 광을 회로기판의 투과공을 통해 촬상소자의 수광부로 인도하는 렌즈부를 가지는 커버체를, 투과공을 피복하도록 하여 회로기판의 상기 한쪽 면과 반대측 면에 고정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 종래의 촬상디바이스와 같이, 성형체를 설치하고 이 성형체에 오목부형의 본딩부를 형성하여 수광부를 배치할 필요가 없기 때문에, 촬상디바이스의 박형화를 도모할 수 있다.
Claims (5)
- 접합부를 가지는 소정의 회로패턴이 형성되고 투과공을 가지는 회로기판;수광부와 피접합부를 가지고 상기 피접합부가 회로패턴의 접합부에 접합되어 회로기판의 한쪽 면에 고정된 촬상소자; 및입사되는 광을 회로기판의 투과공을 통해 촬상소자의 수광부로 인도하는 렌즈부를 가지고 회로기판의 상기 한쪽 면과 반대측 면에 투과공을 피복하도록 하여 고정된 커버체(體)를 구비하고,상기 회로기판의 투과공의 주위면에 도금을 실시하는 촬상디바이스.
- 제1항에 있어서,상기 회로기판의 투과공의 커버체가 고정되는 측의 개구에지에 도금을 실시하는 촬상디바이스.
- 제1항에 있어서,상기 회로기판과 촬상소자 사이의 간극을 밀봉수지에 의해 밀봉하고, 상기 회로기판의 투과공의 촬상소자가 고정되는 측의 개구에지에 도금을 실시하는 촬상디바이스.
- 제2항에 있어서,상기 회로기판과 촬상소자 사이의 간극을 밀봉수지에 의해 밀봉하고, 상기 회로기판의 투과공의 촬상소자가 고정되는 측의 개구에지에 도금을 실시하는 촬상디바이스.
- 접합부를 가지는 소정의 회로패턴과 투과공을 기판에 형성하여 회로기판을 형성하는 공정;상기 투과공의 주위면에 도금을 실시하는 공정;수광부와 피접합부를 가지는 촬상소자의 피접합부를 회로기판의 접합부에 접합하여 촬상소자를 회로기판의 한쪽 면에 고정하는 공정; 및입사되는 광을 회로기판의 투과공을 통해 촬상소자의 수광부로 인도하는 렌즈부를 가지는 커버체를, 투과공을 피복하도록 하여 회로기판의 상기 한쪽 면과 반대측 면에 고정하는 공정을 포함하는 촬상디바이스의 제조방법.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100499317B1 (ko) * | 2001-03-21 | 2005-07-04 | 캐논 가부시끼가이샤 | 반도체장치 |
US11211300B2 (en) | 2017-01-31 | 2021-12-28 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Electronic component and camera module |
Families Citing this family (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6483030B1 (en) * | 1999-12-08 | 2002-11-19 | Amkor Technology, Inc. | Snap lid image sensor package |
US6483101B1 (en) * | 1999-12-08 | 2002-11-19 | Amkor Technology, Inc. | Molded image sensor package having lens holder |
US7088397B1 (en) * | 2000-11-16 | 2006-08-08 | Avago Technologies General Ip Pte. Ltd | Image sensor packaging with imaging optics |
JP2002164465A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Kyocera Corp | 配線基板、配線ボード、それらの実装構造、ならびにマルチチップモジュール |
US7059040B1 (en) | 2001-01-16 | 2006-06-13 | Amkor Technology, Inc. | Optical module with lens integral holder fabrication method |
JP3540281B2 (ja) * | 2001-02-02 | 2004-07-07 | シャープ株式会社 | 撮像装置 |
KR100401020B1 (ko) * | 2001-03-09 | 2003-10-08 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체칩의 스택킹 구조 및 이를 이용한 반도체패키지 |
JP3490694B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2004-01-26 | 三菱電機株式会社 | 撮像装置及びその製造方法 |
US6734419B1 (en) * | 2001-06-28 | 2004-05-11 | Amkor Technology, Inc. | Method for forming an image sensor package with vision die in lens housing |
EP1399976A1 (de) * | 2001-06-29 | 2004-03-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Bilderzeugungsvorrichtung und verfahren zur herstellung einer bilderzeugungsvorrichtung |
JP2003101723A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-04-04 | Ricoh Co Ltd | 固体撮像素子 |
JP3646933B2 (ja) * | 2001-11-22 | 2005-05-11 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP3773177B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2006-05-10 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
KR100718421B1 (ko) | 2002-06-28 | 2007-05-14 | 교세라 가부시키가이샤 | 소형 모듈 카메라, 카메라 모듈, 카메라 모듈 제조 방법 및 촬상 소자의 패키징 방법 |
US7146106B2 (en) * | 2002-08-23 | 2006-12-05 | Amkor Technology, Inc. | Optic semiconductor module and manufacturing method |
KR20070096020A (ko) * | 2002-09-17 | 2007-10-01 | 앤터온 비.브이. | 카메라 디바이스, 카메라 디바이스 제조 방법, 웨이퍼스케일 패키지 및 광학 어셈블리 |
US6815729B1 (en) | 2002-10-09 | 2004-11-09 | Cypress Semiconductor Corp. | Electro-optical apparatus |
US7129722B1 (en) | 2002-10-09 | 2006-10-31 | Cypress Semiconductor Corp. | Methods of improving reliability of an electro-optical module |
US6890107B1 (en) * | 2002-10-09 | 2005-05-10 | Cypress Semiconductor Corp. | Electro-optical apparatus |
US6892449B1 (en) | 2002-10-09 | 2005-05-17 | Cypress Semiconductor Corp. | Method of manufacturing electro-optical devices |
US6984866B1 (en) * | 2003-03-17 | 2006-01-10 | National Semiconductor Corporation | Flip chip optical semiconductor on a PCB |
EP1463342A1 (en) * | 2003-03-27 | 2004-09-29 | Dialog Semiconductor GmbH | Test system for camera modules |
JP4828592B2 (ja) * | 2003-05-19 | 2011-11-30 | 富士フイルム株式会社 | 多層配線基板、及び、撮像装置 |
TWI237358B (en) * | 2003-06-27 | 2005-08-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Packaging structure of imaging sensor |
JP4343614B2 (ja) * | 2003-07-29 | 2009-10-14 | Hoya株式会社 | デジタルカメラ |
US20060261458A1 (en) * | 2003-11-12 | 2006-11-23 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package and manufacturing method thereof |
JP4497919B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-07-07 | イビデン株式会社 | エリアイメージセンサモジュール用パッケージ |
US7061106B2 (en) * | 2004-04-28 | 2006-06-13 | Advanced Chip Engineering Technology Inc. | Structure of image sensor module and a method for manufacturing of wafer level package |
JP2005327842A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Citizen Electronics Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
KR101012705B1 (ko) * | 2004-05-14 | 2011-02-09 | 삼성테크윈 주식회사 | 용이하게 제조되는 카메라 모듈 |
US7294827B2 (en) * | 2004-09-21 | 2007-11-13 | Delphi Technologies, Inc. | Electronic module with light-blocking features |
US7359579B1 (en) | 2004-10-08 | 2008-04-15 | Amkor Technology, Inc. | Image sensor package and its manufacturing method |
EP1648181A1 (en) * | 2004-10-12 | 2006-04-19 | Dialog Semiconductor GmbH | A multiple frame grabber |
US7474351B2 (en) * | 2004-10-15 | 2009-01-06 | Northrop Grumman Corporation | Solder reflux method for holding cryogenically aligned parts |
KR100643017B1 (ko) * | 2005-01-07 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 보호판이 부착된 웨이퍼와 이미지 센서 칩, 그리고 그의제조 방법 |
US20070210246A1 (en) * | 2005-04-14 | 2007-09-13 | Amkor Technology, Inc. | Stacked image sensor optical module and fabrication method |
US7227236B1 (en) | 2005-04-26 | 2007-06-05 | Amkor Technology, Inc. | Image sensor package and its manufacturing method |
US20070272827A1 (en) * | 2005-04-27 | 2007-11-29 | Amkor Technology, Inc. | Image sensor package having mount holder attached to image sensor die |
US7495325B2 (en) * | 2005-05-05 | 2009-02-24 | Stats Chippac, Ltd. | Optical die-down quad flat non-leaded package |
US7329942B2 (en) * | 2005-05-18 | 2008-02-12 | Ching-Fu Tsou | Array-type modularized light-emitting diode structure and a method for packaging the structure |
US7576401B1 (en) | 2005-07-07 | 2009-08-18 | Amkor Technology, Inc. | Direct glass attached on die optical module |
CN100531308C (zh) * | 2005-12-02 | 2009-08-19 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 数码相机模组 |
US20080237824A1 (en) * | 2006-02-17 | 2008-10-02 | Amkor Technology, Inc. | Stacked electronic component package having single-sided film spacer |
US7675180B1 (en) | 2006-02-17 | 2010-03-09 | Amkor Technology, Inc. | Stacked electronic component package having film-on-wire spacer |
KR100770684B1 (ko) | 2006-05-18 | 2007-10-29 | 삼성전기주식회사 | 카메라 모듈 패키지 |
US7633144B1 (en) | 2006-05-24 | 2009-12-15 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package |
US20080218988A1 (en) * | 2007-03-08 | 2008-09-11 | Burns Jeffrey H | Interconnect for an electrical circuit substrate |
CN101271885B (zh) * | 2007-03-21 | 2010-06-09 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 影像感测器封装及其应用的影像摄取装置 |
CN100546026C (zh) * | 2007-04-29 | 2009-09-30 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 影像摄取装置 |
JP2009201000A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Nidec Copal Corp | カメラモジュール及びその製造方法 |
JP5332834B2 (ja) * | 2009-04-06 | 2013-11-06 | 大日本印刷株式会社 | 撮像素子モジュール |
JP2011097026A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-05-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 素子搭載用基板、半導体モジュール、光学モジュールおよびカメラモジュール |
JP2013232694A (ja) * | 2010-08-31 | 2013-11-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 素子搭載用基板および光学モジュール |
KR101232886B1 (ko) * | 2011-07-20 | 2013-02-13 | (주) 이피웍스 | 재배선용 기판을 이용한 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
JP5893387B2 (ja) * | 2011-12-22 | 2016-03-23 | 新光電気工業株式会社 | 電子装置及びその製造方法 |
CN104769710B (zh) * | 2013-01-22 | 2018-01-12 | 京瓷株式会社 | 电子元件搭载用封装件、电子装置以及摄像模块 |
CN109545099B (zh) * | 2018-11-22 | 2020-06-16 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板及其终端装置 |
US10845664B2 (en) | 2018-11-22 | 2020-11-24 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Liquid crystal display panel and terminal device |
KR20220018698A (ko) * | 2020-08-07 | 2022-02-15 | 삼성전자주식회사 | 언더필이 구비된 이미지 센서 패키지 및 이를 포함하는 이미지 센서 모듈 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4560273A (en) * | 1982-11-30 | 1985-12-24 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for inspecting plated through holes in printed circuit boards |
US5400072A (en) * | 1988-12-23 | 1995-03-21 | Hitachi, Ltd. | Video camera unit having an airtight mounting arrangement for an image sensor chip |
JP2605174B2 (ja) * | 1989-11-30 | 1997-04-30 | 富士写真フイルム株式会社 | 固体撮像装置の取付構造 |
US5609561A (en) * | 1992-06-09 | 1997-03-11 | Olympus Optical Co., Ltd | Electronic type endoscope in which image pickup unit is dismounted to execute disinfection/sterilization processing |
US6025873A (en) * | 1994-04-07 | 2000-02-15 | Olympus Optical Co., Ltd. | Endoscope system provided with low-pass filter for moire removal |
EP0769799B1 (en) * | 1995-10-19 | 2010-02-17 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
US6335784B2 (en) * | 1996-01-16 | 2002-01-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Scan type projection exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
JP3176303B2 (ja) * | 1996-02-09 | 2001-06-18 | キヤノン株式会社 | 信号処理装置 |
US5699073A (en) * | 1996-03-04 | 1997-12-16 | Motorola | Integrated electro-optical package with carrier ring and method of fabrication |
JP3169923B2 (ja) * | 1998-03-09 | 2001-05-28 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | プリント装置のヘッド装置、これを有するプリント装置、及び画像処理システム |
US6753922B1 (en) * | 1998-10-13 | 2004-06-22 | Intel Corporation | Image sensor mounted by mass reflow |
-
1999
- 1999-10-19 JP JP29649699A patent/JP2001119006A/ja active Pending
-
2000
- 2000-10-11 KR KR1020000059693A patent/KR100671877B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-10-13 US US09/689,753 patent/US6518656B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100499317B1 (ko) * | 2001-03-21 | 2005-07-04 | 캐논 가부시끼가이샤 | 반도체장치 |
US11211300B2 (en) | 2017-01-31 | 2021-12-28 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Electronic component and camera module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US6518656B1 (en) | 2003-02-11 |
KR100671877B1 (ko) | 2007-01-19 |
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