KR20010030217A - 공지의 양호한 다이 번인에 대한 멀티칩 모듈 패키징프로세스 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (38)
- 집적 회로 다이를 패키징하고 테스트하는 방법에 있어서,제1 집적 회로 다이를 기판에 결합시키는 단계;상기 제1 집적 회로 다이를 캡슐화하는 단계;상기 제1 집적 회로 다이를 테스트하는 단계; 및상기 제1 집적 회로 다이의 상기 테스트가 성공한 경우에 제2 집적 회로 다이를 상기 기판에 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 집적 회로 다이를 캡슐화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 집적 회로 다이를 테스트하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 집적 회로 다이는 그래픽 가속 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 집적 회로 다이의 상기 테스트는 다이나믹 번인 테스트를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 집적 회로 다이는 DRAM 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 집적 회로 다이는 상기 제1 집적 회로 다이보다 더 높은 가치를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항의 방법에 따라 제조된 멀티칩 모듈.
- 제2항의 방법에 따라 제조된 멀티칩 모듈.
- 제2 기판에 의해 제공된 제2 접속 어레이에 결합시키기에 적합한 제1 접속 어레이를 구비한 기판을 갖는 집적 회로 다이를 집적하는 방법에 있어서,제1 집적 회로 다이를 상기 기판에 결합시키는 단계;상기 제1 집적 회로 다이를 캡슐화하는 단계;상기 제1 집적 회로 다이를 캡슐화하는 단계 후에 상기 제1 집적 회로 다이를 테스트하는 단계; 및상기 제1 집적 회로 다이의 상기 테스트가 성공한 경우에 제2 집적 회로 다이를 상기 기판에 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 제2 집적 회로 다이를 캡슐화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 제2 집적 회로 다이를 테스트하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제10항의 방법에 따라 제조된 멀티칩 모듈.
- 제11항의 방법에 따라 제조된 멀티칩 모듈.
- 적어도 2개의 집적 회로 다이를 갖는 멀티칩 모듈을 형성하는 방법에 있어서,제1 집적 회로 다이를 접속 어레이를 갖는 제1 기판에 결합시키는 단계;상기 제1 집적 회로 다이를 캡슐화하는 단계;상기 제1 집적 회로 다이를 캡슐화한 후에 상기 제1 집적 회로 다이를 테스트하는 단계; 및상기 제1 집적 회로 다이의 상기 테스트가 성공한 경우에 제2 집적 회로 다이를 상기 제1 기판에 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 제2 집적 회로 다이를 캡슐화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 제2 집적 회로 다이를 테스트하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 제1 집적 회로 다이의 상기 테스트는 다이나믹 번인 테스트를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제18항에 있어서, 상기 다이나믹 번인 테스트는 전압 범위 테스트를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제18항에 있어서, 상기 다이나믹 번인 테스트는 온도 범위 테스트를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 접속 어레이는 볼 그리드 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 접속 어레이는 핀 그리드 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제15항의 방법에 따라 제조된 멀티칩 모듈.
- 제16항의 방법에 따라 제조된 멀티칩 모듈.
- 적어도 제1 기판과 제2 기판을 갖는 기판 스트립 내로 적어도 하나의 공지된 물품 다이를 패키징하는 방법에 있어서,제1 집적 회로 다이를 상기 제1 기판에 결합시키는 단계;상기 제1 집적 회로 다이와 상기 제1 집적 회로 다이와 관련된 상기 제1 기판의 일부를 캡슐화하는 단계;상기 캡슐화 후에 상기 제1 집적 회로 다이를 테스트하는 단계; 및상기 제1 집적 회로 다이의 상기 테스트가 성공한 경우에 제2 집적 회로 다이를 상기 제1 기판에 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제25항의 방법에 따라 제조된 멀티칩 모듈.
- 제25항에 있어서, 상기 제1 집적 회로 다이의 상기 테스트가 성공하지 못한 경우에 상기 제1 기판에 사용불능 표시를 하여 상기 제2 집적 회로 다이의 상기 제1 기판에의 상기 결합을 배제하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제27항에 있어서,제3 집적 회로 다이를 상기 제2 기판에 결합시키는 단계; 및상기 제3 집적 회로 다이와 상기 제3 집적 회로 다이와 관련된 상기 제2 기판의 일부를 캡슐화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제28항의 방법에 따라 제조된 멀티칩 모듈.
- 제28항에 있어서, 캡슐화 후에 상기 제3 집적 회로 다이를 테스트하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제30항에 있어서, 상기 제3 집적 회로 다이의 상기 테스트가 성공한 경우에 제4 집적 회로 다이를 상기 제2 기판에 결합시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제31항의 방법에 따라 제조된 멀티칩 모듈.
- 제25항에 있어서, 상기 제2 집적 회로 다이는 그래픽 가속 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제25항에 있어서, 상기 제1 집적 회로 다이의 상기 테스트는 다이나믹 번인 테스트를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제25항에 있어서, 상기 제1 집적 회로 다이는 DRAM 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 집적 회로 다이를 패키징하고 테스트하는 방법에 있어서,제1 세트의 집적 회로 다이를 기판에 결합시키는 단계;상기 제1 세트의 집적 회로 다이를 캡슐화하는 단계;상기 제1 세트의 집적 회로 다이를 테스트하는 단계; 및상기 제1 세트의 집적 회로 다이의 상기 테스트가 성공한 경우에 적어도 하나의 추가 집적 회로 다이를 상기 기판에 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제36항에 있어서, 상기 적어도 하나의 추가 집적 회로 다이는 상기 제1 집적 회로 다이보다 더 높은 가치를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제36항의 방법에 따라 제조된 멀티칩 모듈.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/388,997 | 1999-09-01 | ||
US09/388,997 US6251695B1 (en) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | Multichip module packaging process for known good die burn-in |
US9/388,997 | 1999-09-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010030217A true KR20010030217A (ko) | 2001-04-16 |
KR100687687B1 KR100687687B1 (ko) | 2007-02-28 |
Family
ID=23536417
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020000051513A KR100687687B1 (ko) | 1999-09-01 | 2000-09-01 | 멀티칩 모듈 패키징 방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6251695B1 (ko) |
EP (1) | EP1081757B8 (ko) |
JP (1) | JP4616974B2 (ko) |
KR (1) | KR100687687B1 (ko) |
TW (1) | TW490780B (ko) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR100480437B1 (ko) | 2002-10-24 | 2005-04-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 칩 패키지 적층 모듈 |
KR100639702B1 (ko) | 2004-11-26 | 2006-10-30 | 삼성전자주식회사 | 패키지된 반도체 다이 및 그 제조방법 |
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US7993939B2 (en) | 2006-07-21 | 2011-08-09 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with laminate base |
KR101097247B1 (ko) | 2009-10-26 | 2011-12-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 회로 모듈 및 그 제조 방법 |
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---|---|---|---|---|
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JP2827565B2 (ja) | 1991-04-23 | 1998-11-25 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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-
1999
- 1999-09-01 US US09/388,997 patent/US6251695B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-08-31 EP EP00118199.9A patent/EP1081757B8/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-01 KR KR1020000051513A patent/KR100687687B1/ko active IP Right Grant
- 2000-09-01 JP JP2000264897A patent/JP4616974B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-01 TW TW089117918A patent/TW490780B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1081757A1 (en) | 2001-03-07 |
JP2001118983A (ja) | 2001-04-27 |
EP1081757B8 (en) | 2017-06-07 |
EP1081757B1 (en) | 2016-12-07 |
JP4616974B2 (ja) | 2011-01-19 |
TW490780B (en) | 2002-06-11 |
US6251695B1 (en) | 2001-06-26 |
KR100687687B1 (ko) | 2007-02-28 |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
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