KR20010026351A - 요홈이 구비된 히트 플레이트 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼가 놓여지는 히트 플레이트에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 로딩 암(Loading arm)을 통해 반응실(Reaction chamber) 내로 로딩되는 웨이퍼가 히트 플레이트의 지지핀을 통해 로딩됨에 따라 히트 플레이트에서 웨이퍼로 열전달이 늦어지는 것을 방지하기 위한 히트 플레이트의 구조에 관한 것이며, 이를 위하여 로딩 암이 슬라이딩 되는 방향을 따라 몸체의 일측에서 몸체의 중심까지 일정한 폭과 깊이로 요홈이 형성된 것을 특징으로 하는 히트 플레이트의 구조를 개시하고, 이러한 구조를 통하여 웨이퍼가 로딩 암에서 직접 히트 플레이트의 상면 위로 놓여지기 때문에 웨이퍼의 정렬이 용이하게 진행될 수 있으며, 로딩 암이 철수한 후 지지핀이 하강하는 동작이 생략되어 지지핀의 하강 시간에 따른 웨이퍼로의 열전달이 늦어지는 것을 방지할 수 있다. 이와 함께, 지지핀을 상승/하강 시키기 위한 구동모터와 같은 부속 장치들을 필요로 하지 않기 때문에 그와 같은 부속 장치들의 마모 및 손상 등으로 인한 불량을 방지할 수 있으며 결국 웨이퍼 로딩 공정의 효율을 향상할 수 있다.

Description

요홈이 구비된 히트 플레이트 { Heat plate with slit }
본 발명은 웨이퍼(Wafer)가 놓여지는 히트 플레이트(Heat plate)에 관한 것이며, 더욱 구체적으로는 로딩 암(Loading arm)을 통해 반응실(Reaction chamber) 내로 로딩되는 웨이퍼가 지지핀(Support pin)을 통해 로딩됨에 따라 히트 플레이트에서 웨이퍼로 열전달이 늦어지는 것을 방지하기 위한 히트 플레이트의 구조에 관한 것이다.
웨이퍼는 확산(Diffusion), 사진(Photo), 식각(Etch), 박막(Thin film) 등의 공정을 통하여 임의의 집적회로가 형성되며, 이러한 공정 중에 웨이퍼 위로 형성된 감광막(PR ; Photo Resist)을 제거하는 등의 에싱(Ashing) 공정이 진행된다.
에싱 공정은 건식 식각(Dry etch)이나 이온 주입(Ion implanation) 등에 의해 굳어진 감광막을 건식 제거(Dry strip)하는 공정이며, 감광막이 형성된 웨이퍼를 로딩 암을 통해 반응실 내의 히트 플레이트 위로 로딩한 후, 밀폐된 반응실 내에서 적절한 공정조건 - 공정가스(Processing gas), 낮은 압력(Low pressure), 높은 온도(High temperature) 및 고주파 전원(RF power) 등 - 하에서 반응시킴으로서 웨이퍼 표면의 감광막을 제거하는 것이다.
본 발명은 위와 같은 에싱 공정에서 반응실 내에서 웨이퍼가 놓여지는 히트 플레이트의 구조에 관한 것이며, 특히 로딩 암에 의해 웨이퍼가 로딩되는 공정에 관하여 설명한다.
도 1은 종래의 히트 플레이트(50)의 구조를 간략히 도시한 사시도이며, 도 2는 도 1의 히트 플레이트 위로 웨이퍼가 로딩되는 과정을 순차적으로 도시한 순서도이다.
종래의 히트 플레이트(50)는 소정의 두께로 형성되고 웨이퍼(도시되지 않음)가 놓여지는 상면(12)을 갖는 원판 형상의 몸체(10)로 구성되어 있다. 또한 웨이퍼가 놓여지는 영역의 경계를 따라 가이드핀들(14)이 돌출되어 있으며, 수직으로 구동되는 세 개의 지지핀들(20 ; Support pin)이 몸체의 중앙부에 형성되어 있다.
지지핀들(20)은 히트 플레이트(50)를 관통하여 히트 플레이트의 하부에 형성된 구동모터(도시되지 않음)에 연결되어 있으며, 구동모터의 구동에 따라 상승/하강할 수 있다.
이러한 구조의 히트 플레이트 위로 웨이퍼를 로딩하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 히트 플레이트의 상면 위로 지지핀들이 상승한다(60). 웨이퍼의 저면을 받치는 로딩 암이 웨이퍼를 지지핀 위쪽으로 이송한 후(62), 로딩 암이 다운되면서 웨이퍼가 지지핀에 의해 받쳐진다(64). 웨이퍼를 지지핀에 인계한 로딩 암은 슬라이딩되어 철수하며(66), 마지막으로 지지핀들이 히트 플레이트의 몸체 내부로 하강하면서, 웨이퍼가 히트 플레이트의 상면 위에 놓여져 로딩된다(68).
위와 같은 방법에 의한 경우에는, 지지핀이 하강하는 속도에 따라 웨이퍼가 히트 플레이트 위로 로딩되는 데 시간이 걸릴 수 있으며, 이와 같이 지체된 시간으로 인해 히트 플레이트를 통한 웨이퍼로의 열전달이 늦게 진행되어 반응실 내에서의 에싱 비율(Ashing rate)이 낮아질 수 있다.
이를 방지하기 위하여 지지핀의 하강 속도를 빠르게 조절할 경우에는 각 지지핀의 하강에 따른 웨이퍼의 평형을 유지하기 힘들게 되어 웨이퍼가 미끄러지는 등의 불량을 가져올 수 있다.
본 발명의 목적은 반응실 내에서 지지핀을 사용하여 웨이퍼를 로딩할 때 에싱 비율이 낮아지는 것을 방지할 수 있는 히트 플레이트의 구조를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 지지핀이 없이 로딩 암을 통해 웨이퍼가 로딩될 수 있는 구조의 히트 플레이트를 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 히트 플레이트를 도시한 사시도,
도 2는 도 1의 히트 플레이트를 이용한 웨이퍼 로딩 방법을 도시한 순서도,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 히트 플레이트를 도시한 사시도,
도 4는 도 3의 히트 플레이트를 이용한 웨이퍼 로딩 방법을 도시한 순서도,
도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 웨이퍼 로딩 방법을 순서대로 도시한 공정도이다.
＜도면의 주요 부분에 대한 설명＞
10, 110 : 몸체 12, 112 : 상면
14, 114 : 가이드핀(Guide pin) 20 : 지지핀(Support pin)
50, 150 : 히트 플레이트(Heat plate)
130 : 요홈(Slit) 140 : 웨이퍼
142 : 로딩 암(Loading arm) 144 : 진공수단
A, B, C : 로딩 암의 구동방향
D : 요홈의 깊이
W : 요홈의 폭
이러한 목적들을 달성하기 위하여 본 발명은 로딩 암을 통해 웨이퍼가 이송되는 반응실 내에 형성되며, 소정의 두께로 형성되고, 이송된 웨이퍼가 놓여지는 상면을 갖는 원판 형상의 몸체; 및 몸체의 상면에서 웨이퍼가 놓여지는 영역의 경계를 따라 돌출되어 배열된 가이드핀들;을 포함하는 히트 플레이트에 있어서, 몸체의 일측에서 몸체의 중심까지 일정한 폭과 깊이로 요홈이 형성된 것을 특징으로 하는 요홈이 구비된 히트 플레이트를 제공한다.
또한 본 발명에 따른 히트 플레이트의 구조에서, 요홈의 일정한 폭과 깊이는 로딩 암의 폭보다 크고 로딩 암의 두께보다 깊은 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 히트 플레이트(150)를 도시한 사시도이며, 도 3을 참조하여 본 발명에 따른 히트 플레이트(150)의 구조를 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 히트 플레이트(150)는 소정의 두께로 형성되고 웨이퍼가 놓여지는 상면(112)을 갖는 원판 형상의 몸체(110)로 구성되어 있으며, 웨이퍼가 놓여지는 영역의 경계를 따라 가이드핀들(114)이 돌출되어 있다.
본 발명에 따른 히트 플레이트(150)는 종래와는 달리 지지핀들(도 1의 20)이 구성되지 않고, 몸체(110)의 일측에서 중심까지 일정한 폭(W)과 깊이(D)로 요홈(130)이 형성된 것을 특징으로 한다.
이때 요홈(130)의 일정한 폭(W)과 깊이(D)는 각각 로딩 암의 폭보다 크고, 로딩 암의 두께보다 깊도록 형성되어야 하며, 요홈(130)이 형성된 방향은 로딩 암이 슬라이딩 되는 방향과 일치되어야 한다.
도 4는 도 3의 히트 플레이트(150)를 이용한 웨이퍼 로딩 방법을 도시한 순서도이고, 도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 웨이퍼 로딩 방법을 순서대로 도시한 공정도이다.
도 4 내지 도 5d를 참조하여 도 3의 히트 플레이트를 이용하여 웨이퍼를 로딩하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
간략히 설명하면, 웨이퍼의 저면을 받치는 로딩 암이 웨이퍼를 히트 플레이트의 위쪽으로 이송한 후(160), 로딩 암이 요홈으로 다운되면서 웨이퍼가 히트 플레이트의 상면 위로 로딩되고(162), 웨이퍼를 히트 플레이트에 인계한 로딩 암은 슬라이딩되어 철수한다(164).
좀 더 상세히 설명하면 다음과 같다.
요홈(130)이 구비된 히트 플레이트(150)의 상면(112) 위로 로딩 암(142)이 웨이퍼(140)를 이송한다. 이때, 웨이퍼(140)의 중심에 대응되는 로딩 암(142)의 끝단부에 진공수단(144)이 구비되어 있으며, 로딩 암(142)은 진공수단(144)으로 웨이퍼(140)를 흡착한 상태에서 히트 플레이트 방향으로 슬라이딩(A) 되면서 웨이퍼를 반응실(도시되지 않음) 내의 히트 플레이트 위로 이송한다(도 5a).
다음으로, 히트 플레이트(150) 위에서 로딩 암(142)이 요홈(130) 내로 다운되면서(B) 웨이퍼(140)를 히트 플레이트의 상면(112) 위로 로딩한다. 이때, 웨이퍼(140)는 히트 플레이트의 상면에 돌출된 가이드핀들(114)에 의해 히트 플레이트의 중앙부에 정렬되며, 로딩 암(142)이 요홈(130) 내로 다운되면서 진공수단(144)에 의한 흡착을 중단한다(도 5b).
마지막으로, 웨이퍼(140)가 히트 플레이트의 상면(112) 위로 로딩된 상태에서 로딩 암(142)이 요홈(130)을 통하여 슬라이딩(C) 되면서 철수한다. 이때, 요홈의 깊이는 로딩 암의 두께보다 깊게 형성되어 있기 때문에 로딩 암이 슬라이딩 되면서 철수하더라도 웨이퍼에는 영향을 주지 않는다(도 5c).
도 5d에는 요홈(130)을 통하여 로딩 암이 철수한 후 히트 플레이트의 상면(112) 위로 웨이퍼(140)가 놓여진 모습이 평면도로 도시되어 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 히트 플레이트는 로딩 암이 슬라이딩 되는 방향을 따라 몸체의 일측에서 중심으로 요홈이 형성된 것을 구조적 특징으로 하며, 이를 통하여 웨이퍼가 로딩될 수 있다.
종래의 지지핀을 사용하지 않기 때문에, 지지핀이 하강하는 동안의 로딩 시간이 지연됨을 방지할 수 있으며, 이를 통해 히트 플레이트를 통한 웨이퍼로의 열전달이 늦어짐을 방지할 수 있어, 결국 반응실 내에서의 에싱 비율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 지지핀을 상승/하강 시키기 위하여 필요로 하는 구동 모터와 그에 따르는 부속 장치들이 사용되지 않게 되고, 각 부속 장치들의 마모 및 손상으로 인한 불량이 발생하는 빈도를 줄일 수 있게 되어 공정의 효율을 향상할 수 있다.
본 발명에서는 에싱 장비의 반응실을 중심으로 히트 플레이트의 구조를 설명하였지만, 로딩 암의 슬라이딩을 통해 웨이퍼가 로딩되는 기타 유사한 공정 장비에서도 본 발명의 기술적 사상의 변화 없이 적용될 수 있음은 자명하다.
본 발명에 따른 히트 플레이트는 웨이퍼를 이송하는 로딩 암이 슬라이딩 되는 방향을 따라 몸체의 일측에서 중심으로 요홈이 형성된 것을 구조적 특징으로 하며, 특히 종래와 달리 히트 플레이트의 위에서 웨이퍼를 전달 받아 상면으로 로딩하는 지지핀이 없는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 구조의 히트 플레이트를 이용하여 웨이퍼를 로딩함에 있어서, 웨이퍼가 로딩 암에서 직접 히트 플레이트의 상면 위로 놓여지기 때문에 웨이퍼의 정렬이 용이하게 진행될 수 있으며, 로딩 암이 철수한 후 지지핀이 하강하는 동작이 생략되어 지지핀의 하강 시간에 따른 웨이퍼로의 열전달이 늦어지는 것을 방지할 수 있다. 이와 함께, 지지핀을 상승/하강 시키기 위한 구동모터와 같은 부속 장치들을 필요로 하지 않기 때문에 그와 같은 부속 장치들의 마모 및 손상 등으로 인한 불량을 방지할 수 있으며 결국 웨이퍼 로딩 공정의 효율을 향상할 수 있다.

Claims (3)

  1. 로딩 암을 통해 웨이퍼가 이송되는 반응실 내에 형성되며,
    소정의 두께로 형성되고, 상기 이송된 웨이퍼가 놓여지는 상면을 갖는 원판 형상의 몸체; 및
    상기 몸체의 상면에서 상기 웨이퍼가 놓여지는 영역의 경계를 따라 돌출되어 배열된 가이드핀들;
    을 포함하는 히트 플레이트에 있어서,
    상기 몸체의 일측에서 상기 몸체의 중심까지 일정한 폭과 깊이로 요홈이 형성된 것을 특징으로 하는 요홈이 구비된 히트 플레이트.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 요홈의 일정한 폭과 깊이는 상기 로딩 암의 폭보다 크고 상기 로딩 암의 두께보다 깊은 것을 특징으로 하는 요홈이 구비된 히트 플레이트.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 로딩 암에는 진공수단이 구비되어 있으며, 상기 진공수단을 이용하여 상기 웨이퍼를 흡착하여 이송하는 것을 특징으로 하는 요홈이 구비된 히트 플레이트.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100689697B1 (ko) * 2001-03-09 2007-03-08 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼의 평탄화 장치용 이송 로봇의 위치교정지그와 교정방법
KR100765144B1 (ko) * 2001-09-22 2007-10-15 삼성전자주식회사 배향홈 형성용 러빙 설비

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100689697B1 (ko) * 2001-03-09 2007-03-08 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼의 평탄화 장치용 이송 로봇의 위치교정지그와 교정방법
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