KR20000068216A - 전자 제어 장치 - Google Patents

전자 제어 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20000068216A
KR20000068216A KR1019997001341A KR19997001341A KR20000068216A KR 20000068216 A KR20000068216 A KR 20000068216A KR 1019997001341 A KR1019997001341 A KR 1019997001341A KR 19997001341 A KR19997001341 A KR 19997001341A KR 20000068216 A KR20000068216 A KR 20000068216A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
plug
connector
housing
conductor track
Prior art date
Application number
KR1019997001341A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100525936B1 (ko
Inventor
헤르족악힘
스파흐만유르겐
바그너토마스
라이카토마스
Original Assignee
클라우스 포스, 게오르그 뮐러
로베르트 보쉬 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 클라우스 포스, 게오르그 뮐러, 로베르트 보쉬 게엠베하 filed Critical 클라우스 포스, 게오르그 뮐러
Publication of KR20000068216A publication Critical patent/KR20000068216A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100525936B1 publication Critical patent/KR100525936B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/162—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits the devices being mounted on two or more different substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061—Disposition
    • H01L2224/0612—Layout
    • H01L2224/06179—Corner adaptations, i.e. disposition of the bonding areas at the corners of the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48237—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/494—Connecting portions
    • H01L2224/4943—Connecting portions the connecting portions being staggered
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S174/00—Electricity: conductors and insulators
    • Y10S174/34—PCB in box or housing

Abstract

하우징과, 하우징 내에 배치되고 전자 제어 회로를 가진 기판 특히 하이브리드 기판과, 하우징 내에 고정되어 있고 기판의 제어 회로와 전도적으로 연결된 접점 소자를 가진 적어도 하나의 플러그인 커넥터를 구비한 전자 제어 장치에 있어서, 제 1 기판으로부터 물리적으로 분리되어 하우징 내에 제 2 기판이 배치할 것이 추천되어 있고, 그 기판 위에는 제 1 기판의 제어 회로와 전기적으로 연결된 적어도 하나의 파워부품 및 그 파워부품과 전도적으로 연결된 접속 전도체 트랙이 배치되어 있으며, 그 트랙은 전력 전류를 전송하는 플러그인 커넥터의 접점 소자와 전도적으로 연결되어 있게 한다. 이런 배치에 의해 플러그인 커넥터의 접점 소자의 수가 다수인 경우에도 접점 소자들을 기판에 용이하게 전기적으로 연결할 수 있다. 또한 전도체 트랙 레이아웃도 간단해 지고, 전자기 호환성 보호 개선도 달성되고 파워부품에서 발생된 열의 소산도 개선된다.

Description

전자 제어 장치{Electronic control apparatus}
독일 특허 DE 36 24 845 C2로부터 전자 점화 시설을 위한 제어 장치가 알려져 있는데, 이 장치는 제어 장치의 하우징에 고정된 플러그인 커넥터를 갖고 있고, 그 플러그에는 다수의 접점 소자가 배치되어 있다. 하우징에 의해 절연적으로 안내되는 플러그인 커넥터의 접점 소자들은 하우징 내에서 하이브리드 기판 위에 배치된 제어 회로와 본딩 와이어를 통해 연결되어 있고 하우징 외부에서는 플러그 판의 형태로 형성되어 있고 이것은 대응적으로 형성된 케이블 축 플러그의 상대 접점 소자와 결합될 수 있다. 상기 제어 장치는 보통 자동차의 엔진실 내에 설치된다. 케이블 축 플러그를 통해 예컨대 점화 코일, 엔진에 배치된 센서나 조절 소자와 같은 엔진 부품들에 전기적 연결이 형성되거나 또는 자동차의 다른 위치에 배치된 부품들에의 연결이 형성된다.
선행 기술에서의 결점은, 제어 장치의 여러 기능에 필요한 모든 부품들 및 거기에 속하는 접속 선로(접속 도체 트랙)가 제어 장치에 배치되어 있는 하이브리드 기판에 배치된다는 점이다. 이들 부품(부품)들 중의 일부, 특히 파워부품 또는 콘덴서는 비교적 크기가 크기 때문에, 이들은 하이브리드 기판의 표면 상에서 많은 자리를 차지한다. 더욱이 예컨대 전력 종단부(단자)에서는 낮은 옴의 접속 도체가 요구되기 때문에, 전도체 트랙들은 부분적으로는 복잡하게 이들 대형 부품에 집중되며, 이것은 전자기적 성질을 손상시키고 선로 배치를 어렵게 하고 또한 하이브리드 기판을 소망스럽지 않게 확대되게 한다. 예컨대 점화 트랜지스터와 같은 부품들은 지지 부재에 납땜되고 이 부재는 다시 기판에 장착되어 접촉되며 그리하여 요구되는 공간이 커진다. 그래서 엔진실 내에서 자리를 작게 차지하는 작은 크기의 제어 장치에 대한 요구가 날로 증가하고 있다. 또한 곤란하게도 제어 장치의 플러그인 커넥터에는 하이브리드 기판에 있는 회로의 접속부와 접촉되어야 하는 접점 소자들이 점차 더 많이 장착되어야할 필요가 있고, 따라서 하이브리드 기판을 축소하는 경우에는 모든 접속부들을 제어 장치에 바로 인접하여 하이브리드 기판에 배치하기는 어렵다. 그런데 특히 불리한 것으로 파워부품의 접속 선로가 신호 전류보다 큰 전력 전류의 운반을 위해 배치될 필요가 있고 그래서 큰 단면을 갖게되며 따라서 하이브리드 기판에서의 소요 장소는 파워부품용 접속 선로의 수와 더불어 자꾸만 증가한다.
더욱이 파워부품들에 의해 발생된 열을 과열을 방지하기 위해 제어 장치의 하우징에 배출되어야 한다. 예컨대 LTCC 기판과 같은 세라믹 다층 기판은 전열성이 불량하기 때문에, 이것은 통상적으로 기판 내에 열 관통 접촉부, 소위 비어(via)가 배치되게 함으로써 달성된다. 그러나 비어의 수가 증가하는 것과 아울러 다층 기판의 배치 선로들의 분리(절연)에 점증적으로 비용이 많이 든다.
본 발명은 청구항 1의 상위개념에 표시된 특징을 가진 전자 제어 장치에 관한 것이다.
도 1은 하이브리드 기판과 DBC 기판 및 장치 하우징에 고정된 두 플러그인 커넥터를 가진 제어 장치의 내부 부품들의 개략적인 외면도를 보여준다.
청구항 1의 특징을 가진 본 발명에 의한 제어 장치는 상기한 결점들을 만족할 수준으로 회피할 수 있다. 파워부품들이 접속 선로와 함께 배치되어 있는, 제어 장치 하우징에 배치된 제 2 기판에 의해, 유리하게도, 많은 수의 접점 소자를 가진 다극 플러그인 커넥터의 경우 접점 소자들은 플렉시블한 전도체 트랙에 의해 전자 회로에 연결될 수 있다. 예컨대 탄탈 콘덴서, 점화 트랜지스터와 같은 파워부품 등의 크기가 큰 부품들은 추가의 지지 부재 없이 직접 제 2 기판에 설치될 수 있다. 따라서 제 1 기판은 보다 작게 형성될 수 있고, 이것은 특히 고가의 LTCC 기판(Low Temperature Cofired Ceramic)의 경우 소망스럽다. 제 2 기판을 제 1 기판과 다른 금속으로 제조할 수 있다는 것은 특히 유리한 점이다. 그래서 예컨대 제 1 기판으로서 하이브리드 회로가 있는 LTCC 기판이 또한 제 2 기판으로서는 저렴한 DBC 기판(Direct Bonded Copper)이 사용될 수 있다. 대 표면 금속 전도체 트랙을 DBC 기판 위에 제조하는 것에 아무 곤란이 없기 때문에, 전력 전류는 유리하게도 DBC 기판의 저 옴(저 저항) 접속 선로를 통하여 거기에 설치된 파워부품과 연결될 수 있다. 이에 의해 선로 레이아웃이 간단해 질뿐 아니라 전자기적 성질의 개선(전자파 방지)도 달성된다. 그 위에 제 2 기판을 예컨대 AlO2와 같은 양호한 전열성 재료로 제조할 수 있고 그래서 파워부품에 의해 발생된 열을 열 비어를 설치하지 않고도 양호하게 배출시킬 수 있다.
본 발명의 추가의 유리한 양태 및 변형은 종속항에 표시된 특징에 의해 달성된다.
그래서 점점 소자들 중의 일부는 전력 전류의 전송을 위해 배치되어 있고 부품들의 중간 설치 없이 제어 장치를 통해 관통되어야 하는 접점 소자들을 구비한 두 개의 플러그인 커넥터가 배치되어 있는 전자 제어 장치에서, 제 2 기판 위에, 두 플러그의 접점 소자들을 직접 서로 연결시키는 추가의 관통 선로를 설치하는 것이 특히 유리하다. 이에 의해 제어 장치를 통해 전력 전류를 전송하기 위한 전류 선로나 또는 접속시키는데 비용이 드는 케이블 연결부가 유리하게도 불필요해 진다.
제 2 기판은 공간적으로 제 1 기판과 분리되어 제어 장치 하우징 내에 배치되고 적어도 하나의 플러그인 커넥터의 접점 소자는 두 기판과 연결되어야 하기 때문에, 두 기판의 접속 선로 및 인입 선로를 본딩 와이어에 의해 접점 소자에 연결하는 것은 좁은 간격을 가교시키기에 유리하다. 이를 위해 제 2 기판은 전력 전류를 전송하는 적어도 하나의 플러그인 커넥터의 고 전류 접점 소자의 인근에 배치된다.
추가적으로 전력 전류를 전송하는 도체들도 제 2 기판에 배치하는 것이 유리할 수 있는데, 그 도체들은 예컨대 본딩 와이어에 의해 제 1 기판 위의 접점면과 연결되고 그 접점면은 다시 짧은 경로로 제 1 기판 위의 파워부품과 전도적으로 연결된다.
더욱이 전력 전류를 전송하는 전도체 트랙 외에 신호 전류를 전송하는 수개의 선로도 제 2 기판 위에 배치하는 것은 제 1 기판 위에서의 선로 배치를 간단히 하는데 유리하다. 이에 의해 예컨대 신호 전류는 플러그인 커넥터의 접점 소자로부터 제 2 기판을 통해 간단한 방법으로 제 1 기판의 원격한 결선 위치에 전달될 수 있다.
더욱이 유리하게도 탄탈 콘덴서와 같은 대형 부품이 직접 제 2 기판에 설치되고 거기서 선로의 단부와 연결될 수 있는데, 그 이유는 그런 부품들은 제 1 기판 위에서는 너무 많은 장소를 요구하기 때문이다.
또한 저렴하고 간단히 제조되고 양호한 전열성을 가진 DBC 기판을 제 2 기판으로 설치하는 것이 유리하다. 그런 기판은 극도로 높은 부하시의 열의 방산에 특히 적합하다. 개별 부품들은, 예컨대 칩 다이오드는 선택적으로 배면이나 전면을 양극으로 하여 결합 방법을 선택 사용함으로써 DBC 기판 위에 배치될 수 있어 융통적으로 사용 가능하다.
본 발명의 실시예는 도면에 도시되어 있고 이하의 기재에서 상세히 설명될 것이다.
도 1은 제어 장치의 하우징(1)의 내부 부품의 약시도로서, 그 내부 부품은 예컨대 자동차에서 내연 기관의 점화를 전자적으로 제어하는데 사용된다. 하우징(1)은 표시되지 않은 환형의 측벽과 기판(2)이 그 위에 접착되어 있는 바닥부를 포함하고 있다. 하우징(1)은 표시되지않은 덮개로 폐쇄 가능하고 그래서 기판(2)은 하우징 내에 보호적으로 배치된다. 바람직하게 기판(2)은 미세 혼성 회로가 있는 LTCC 기판이다. 그러나 다른 세라믹 기판 또는 전도판-기판도 사용될 수도 있다. LTCC 기판 위에는 예컨대 저항, 콘덴서, IC 또는 마이크로프로세서와 같은 부품(17) 그리고 이것들을 연결하는 도 1에 표시되지 않은 선로(도체 트랙)를 가진 전자 회로가 배치되고 그 선로는 공지의 방법으로 전기 전도 페이스트로 LTCC 기판 위 또는 내에 형성된다. 기판(2)의 상면 위에는 접속면(12,13)이 회로를 두 플러그인 커넥터(4,5)에 전기적으로 접속시키기 위해 배치되어 있다. 플러그인 커넥터(4,5)는 기판(2)의 대향하는 측에서 하우징(1)의 바닥부의 각 개구 내에 삽입 설치되어 있고 플러그 핀으로 구성된 다수의 접점 소자(10)를 갖고 있다. 접점 소자(10)는 기판 반대 쪽 하우징(1) 위에서 이 기판으로부터 돌출해 있고 거기서 대응 형성된 상대 플러그의 접점 소자와 결합 가능하다. 예컨대 자동차의 점화 코일과 연결된 케이블 축이 플러그인 커넥터(4)의 상대 플러그, 소위 엔진 플러그와 연결된다. 배터리, 센서, 온도 감지기 및 자동차 내부에 있는 추가의 부품들과 연결된 추가 케이블 축이 제 2 플러그인 커넥터의 상대 플러그인 소위 차량 플러그와 연결되어 있다.
신호 전류의 전송을 위해 배치된 플러그인 커넥터(4,5)의 접점 소자들(10)은 도 1에서 세선으로 표시된 금으로 된 가는 본딩 와이어(30)를 통해 기판(2) 위의 접속면(12)과 연결되어 있다. 플러그인 커넥터의 접점 소자들(10) 중 몇 개의 접점 소자(11)는 전력 전류의 전달을 위해 배치되어 있는데, 이들 접점에는 알루미늄으로 된 두꺼운 본딩 와이어(40,41,42)가 본딩되어 있다. 도 1에서는, 전력 전류를 전달하는 플러그인 커넥터(4)의 대부분의 접점 소자들(11)은 본딩 와이어(42)를 통해 제 2 기판(3) 위의 접속 선로(21)와 연결되어 있는 것을 알 수 있다. 제 2 기판(3)은 DBC 기판 또는 AlO2기판으로 제조되어 있고 하우징(1) 내에 있어 제 1 기판(2) 옆에 두 플러그인 커넥터(4,5) 사이에 배치되어 있다. 제 2 기판(3) 위의 선로(20,21,23)는 동이나 은으로 된 큰 표면의 금속 선로로 제조되어 있다. 또한 도 1에서는, 본딩 와이어(42)로부터 먼 쪽의 접속 선로(21)의 단부들은 대 표면의 접속면(21')으로 형성되어 있는 것을 알 수 있다. 각 접속면(21') 위에는 파워부품으로서 점화 트랜지스터(60)가 직접 장착되어 있는데, 트랜지스터의 하면에 있는 콜렉터는 소속된 접속 선로(21)와 접촉한다. 각 트랜지스터(60)의 에미터(62)는 본딩 와이어(43)를 통해 물체와 연결되어 있다. 트랜지스터(60)의 베이스(61)는 본딩 와이어(45)를 통해서 제 1 기판(2)의 회로에 연결되어 있다. 바람직하게는 전력 전류는 파워부품(60)으로부터 금속 접속 선로(21)를 지나 직접 본딩 와이어(42) 및 플러그인 커넥터(4)의 접점 소자(11)에 또한 거기서부터 엔진측 케이블 축을 지나 점화 코일에 이른다.
또한 도 1에서 알 수 있듯이, 전력 전류를 도통시키는 접접 소자들(11) 중의 일부는 추가로 역시 통상적 방법으로 본딩 와이어(40)를 통해서 하이브리드 기판(2)에 있는 접점면(13)과 또는 본딩 와이어(46)를 통해 하우징(1)과 연결되어 있다.
또한 도 1에는 인입 선로(20)가 DBC 기판(3) 위에 배치되어 있다. 인입 선로(20)의 플러그인 커넥터(5) 쪽 단부(20')는 본딩 와이어(41)를 통해 플러그인 커넥터의 적어도 하나의 고 전류 접점 소자(11)와 연결되어 있다. 인입 선로(20)의 반대쪽 단부 영역(20")은 추가 부품의 중간 설치 없이 본딩 와이어(42)를 통하여 접점 소자(11)와 전도적으로 연결되어 있다. 여기서 결정적으로 중요한 것은, 인입 선로(20)를 통해서 높은 전력 전류가 중간 연결 부품없이 직접 제어 장치를 관통해 흐른다는 또는 "뚫고 지난다"는 것이다.
또한 선로(23)에 있어서 있어서, 그것의 한 단부 영역(23')은 다수의 본딩 와이어(41)를 통해 전력 전류를 운반하는 제 2 플러그인 커넥터(5)의 접점 소자들(11)과 연결되어 있고, 그 트랙의 다른 단부 영역(23")은 본딩 와이어(44)를 통해 제 1 기판(2)의 접속면(14)과 연결되어 있고 그 접속면은 다시 제 1 기판에 있는 비 도시의 파워부품과 전도적으로 연결되어 있다. 면 부재(14)는 하이브리드 기판(2)의 단부 영역(23') 대향 쪽 단부에 있기 때문에, 전력 전류는 사실상 선로(23)를 통해 면 부재(14)와 연결된 제 1 기판(2)의 파워부품에 도달할 수 있다. 접속면(14)과 연결된 선로(23)의 단부 영역(23")은 또한 DBC 기판의 단부 영역에 설치된 콘덴서(50)와 연결되어 있고, 그것을 통해 방해 전류는 면 부재(25)에 또한 거기서 본딩 와이어를 통해서 하우징(1)에 전달 소산될 수 있다.
더욱이 제 2 가판(3) 위에, 그의 일단은 플러그인 커넥터(4,5)의 접점 소자(10)와 연결되고 그의 타단은 제 1 기판(2) 위의 회로 접속단과 전도적으로 연결된, 신호 전류를 전송하는 추가의 선로(도 1에는 도시되자 않음)를 설치하는 것도 가능하다. 그리하여 제 1 기판(2) 위에서의 도체 레이아웃이 더욱 간단화 될 수 있다.
더욱이 전압 피크를 제한하는 칩 다이오드 부품(70)이 배치된다. 도 1에 도시된 바와 같이 칩 다이오드 부품(70)은 그 양극을 DBC 기판(3)의 선로(22)의 상면 또는 하면에 두고 설치될 수 있다. 다이오드의 양극은 본딩 와이어(47 및 48)를 통해 선로(23)와 하우징 바닥(1)과 연결된다. 다이오드의 극을 바꿀 때에는 본딩 와이어(47)를 통해서는 하우징(1)과 또한 본딩 와이어(48)를 통해서는 선로(23)와 연결되게 한다.

Claims (9)

  1. 하우징(1)과, 하우징 내에 배치되고 전자 제어 회로를 가진 기판(2), 특히 하이브리드 기판과, 하우징(1) 내에 고정되어 있고 기판(2)의 제어 회로와 전도적으로 연결된 접점 소자(10)를 가진 하나이상의 플러그인 커넥터(4)를 구비한 전자 제어 장치에 있어서,
    제 1 기판(2)으로부터 공간적으로 떨어져 하우징(1) 내에 제 2 기판(3)이 배치되어 있고, 그 기판 위에는 제 1 기판(2)의 제어 회로와 전기적으로 연결된 하나이상의 파워부품(60) 및 상기 파워부품(60)과 전도적으로 연결된 접속 전도체 트랙(21)이 배치되어 있으며, 상기 트랙은 전력 전류를 전송하는 플러그인 커넥터(4)의 접점 소자(11)와 전도적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 제어 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 플러그 소자(10)를 가진 제 2 플러그인 커넥터(5)가 하우징(1)에 배치되어 있으며, 상기 제 2 기판(3) 위에는 제 1 플러그인 커넥터(4)와 제 2 플러그인 커넥터(5) 사이에서 연장되는 하나이상의 인입 전도체 트랙(20)이 배치되어 있고, 상기 트랙은 부품의 중간 연결 없이 전력 전류를 전송하는 플러그인 커넥터(4,5)의 접점 소자(11)와 전도적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 제어 장치.
  3. 제 1 항 또는 2 항에 있어서, 상기 제 2 기판(3)의 접속 전도체 트랙(21) 및 인입 전도체 트랙(20)과 하나이상의 플러그인 커넥터(4,5)의 접점 소자(11)와의 전기 전도적 연결, 그리고 하나이상의 파워부품(60)의 제 1 기판(2) 위의 제어 회로와의 전기적 연결이 본딩 와이어(41,42,45)를 통해 행해지는 것을 특징으로 하는 전자 제어 장치.
  4. 제 1 항 또는 2 항에 있어서, 상기 제 2 기판(3) 위에는 추가적으로 전력 전류를 전송하는 전도체 트랙(23)이 있고, 상기 트랙의 일단(23')은 플러그인 커넥터(4,5)의 고 전류 접점 소자(11)와 또한 그 트랙의 타단(23")은 제 1 기판(2) 위의 접점면(14)과 전도적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 제어 장치.
  5. 제 1 항 또는 2 항에 있어서, 상기 제 2 기판(3) 위에는 추가적으로 신호 전류를 전송하는 전도체 트랙이 있고, 상기 트랙의 일단은 플러그인 커넥터(4,5)의 접점 소자(10)와, 또한 상기 트랙의 타단은 제 1 기판(2) 위의 회로 접속단과 전도적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 제어 장치.
  6. 제 2 항 또는 4 항에 있어서, 상기 제 2 기판(3)의 인입 전도체 트랙(20) 또는 추가의 전도체 트랙(23)에는 그의 단부 영역(20',23")에 하나의 콘덴서(50)가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 제어 장치.
  7. 제 1항 내지 제 6항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 기판(3)은 양호한 전열성 세라믹 지지판으로 구성되는 DBC 기판(Direct-bonded-copper-substrate)이며 , 상기 판의 상면에는 바람직하게는 동으로 구성된 금속성 전도체 트랙 구조물이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 제어 장치.
  8. 제 1항 내지 7항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 기판(3)은 은으로 구성된 전도체 트랙 구조물을 가진 AlO2세라믹 기판인 것을 특징으로 하는 전자 제어 장치.
  9. 제 7 항 또는 8 항에 있어서, 상기 제 2 기판(3) 위에는 인입 전도체 트랙(20)과 접속 전도체 트랙(21)으로부터 절연된 칩 다이오드 부품(70)이 배치되어 있고, 다이오드 부품에는 다이오드 부품의 제 2 기판 쪽 하면에 선택적으로 양극 또는 음극이 위치해 있는 것을 특징으로 하는 전자 제어 장치.
KR10-1999-7001341A 1997-06-28 1998-03-04 전자 제어 장치 KR100525936B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1997127548 DE19727548A1 (de) 1997-06-28 1997-06-28 Elektronisches Steuergerät
DE19727548.6 1997-06-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000068216A true KR20000068216A (ko) 2000-11-25
KR100525936B1 KR100525936B1 (ko) 2005-11-08

Family

ID=7833948

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-1999-7001341A KR100525936B1 (ko) 1997-06-28 1998-03-04 전자 제어 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6205031B1 (ko)
EP (1) EP0935818B1 (ko)
JP (1) JP4074347B2 (ko)
KR (1) KR100525936B1 (ko)
CN (1) CN100350609C (ko)
DE (2) DE19727548A1 (ko)
WO (1) WO1999000845A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100737135B1 (ko) * 2001-07-30 2007-07-06 주식회사 현대오토넷 차량의 모터 구동 전자제어유닛

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6392148B1 (en) * 1999-05-10 2002-05-21 Furukawa Electric Co., Ltd. Wire harness joint
DE19943258A1 (de) * 1999-09-10 2001-03-15 Hella Kg Hueck & Co Elektronisches Gerät für ein Kraftfahrzeug
US6462955B1 (en) * 1999-09-13 2002-10-08 Miraco, Inc. Component alignment casing system
TW523658B (en) * 2000-04-29 2003-03-11 Samsung Electronics Co Ltd Memory modules having conductors at edges thereof and configured to conduct signals to and from the memory modules via the respective edges
DE20012450U1 (de) * 2000-07-18 2000-11-23 Rosenberger Hochfrequenztech Gehäuse für eine integrierte Schaltung
DE10109329C1 (de) * 2001-02-27 2002-05-02 Siemens Ag Schaltungsanordnung
DE50308419D1 (de) * 2002-05-31 2007-11-29 Jungheinrich Moosburg Gmbh Schaltungsanordnung zur steuerung elektromotorischer antriebsmittel eines fahrbaren arbeitsgerätes, insbesondere eines flurförderzeugs
JP2004064912A (ja) * 2002-07-30 2004-02-26 Hitachi Ltd 自動車制御装置
US20050061555A1 (en) * 2003-02-04 2005-03-24 Charder Electronic Co., Ltd. Digital pointer indicator
US7251553B2 (en) * 2003-04-30 2007-07-31 Robert Bosch Corporation Thermal optimization of EMI countermeasures
US20050227417A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-13 Honeywell International Inc. Packaging assembly utilizing flip chip and conductive plastic traces
DE102006021412B3 (de) * 2006-05-09 2007-11-15 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul
DE102007032142A1 (de) * 2007-06-30 2009-01-02 Robert Bosch Gmbh Elektronikmodul und Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls
DE102008000825A1 (de) 2008-03-26 2009-10-01 Robert Bosch Gmbh Keramik-Metall-Verbundsubstrat
CA2742011C (en) 2011-06-02 2012-07-17 Saskatchewan Research Council Method and system for powering an otto cycle engine using gasoline and compressed natural gas
DE102011081738A1 (de) 2011-08-29 2013-02-28 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Belegung eines Steckers für ein Kombiinstrument eines Fahrzeugs und Steckersystem
EP2840607A1 (en) * 2013-08-22 2015-02-25 ABB Technology AG Semiconductor module
EP4283642A1 (en) 2021-01-19 2023-11-29 TDK Corporation Circuit board

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4074342A (en) * 1974-12-20 1978-02-14 International Business Machines Corporation Electrical package for lsi devices and assembly process therefor
DE2753145A1 (de) * 1977-11-29 1979-06-07 Bosch Gmbh Robert Elektronisches steuergeraet, insbesondere fuer den anbau am motorblock von kraftfahrzeugen
US4518211A (en) * 1983-09-26 1985-05-21 Gte Automatic Electric Inc. Device for mounting, interconnecting and terminating printed circuits
DE3624845A1 (de) 1986-07-23 1988-01-28 Bosch Gmbh Robert Schaltgeraet
US4816984A (en) * 1987-02-06 1989-03-28 Siemens Aktiengesellschaft Bridge arm with transistors and recovery diodes
DE3717489A1 (de) * 1987-05-23 1988-12-01 Asea Brown Boveri Leistungshalbleitermodul und verfahren zur herstellung des moduls
DE3837975A1 (de) * 1988-11-09 1990-05-10 Telefunken Electronic Gmbh Elektronisches steuergeraet
DE3933084A1 (de) * 1989-10-04 1991-04-11 Bosch Gmbh Robert Gehaeuse fuer eine elektronische schaltung
JP2609757B2 (ja) * 1990-10-31 1997-05-14 株式会社日立製作所 内燃機関用点火装置及び半導体装置の製造方法
DE4035526A1 (de) * 1990-11-08 1992-05-14 Bosch Gmbh Robert Elektrisches geraet, insbesondere schalt- und steuergeraet fuer kraftfahrzeuge, und verfahren zur herstellung
JP2543452Y2 (ja) * 1990-12-21 1997-08-06 富士通テン株式会社 半導体装置
DE4108154A1 (de) * 1991-03-14 1992-09-17 Telefunken Electronic Gmbh Elektronische baugruppe und verfahren zur herstellung von elektronischen baugruppen
JP2768056B2 (ja) * 1991-05-31 1998-06-25 株式会社デンソー 電子装置
EP0516149B1 (en) 1991-05-31 1998-09-23 Denso Corporation Electronic device
JPH05226577A (ja) * 1992-02-13 1993-09-03 Hitachi Ltd 内燃機関用大電流点火装置
FR2690601B1 (fr) * 1992-04-22 2002-02-01 Valeo Electronique Platine de servitude pour la commande et/ou l'alimentation d'organes électriques de véhicules.
JP2725952B2 (ja) * 1992-06-30 1998-03-11 三菱電機株式会社 半導体パワーモジュール
JP3157362B2 (ja) * 1993-09-03 2001-04-16 株式会社東芝 半導体装置
US5610371A (en) * 1994-03-15 1997-03-11 Fujitsu Limited Electrical connecting device and method for making same
JPH0855956A (ja) * 1994-08-10 1996-02-27 Fuji Electric Co Ltd 駆動回路装置モジュール
JP3508292B2 (ja) * 1995-05-15 2004-03-22 株式会社デンソー 内燃機関用点火装置
US5642253A (en) * 1995-07-31 1997-06-24 Delco Electronics Corporation Multi-channel ignition coil driver module
JP3396566B2 (ja) * 1995-10-25 2003-04-14 三菱電機株式会社 半導体装置
US5703757A (en) * 1996-01-31 1997-12-30 Alcoa Fujikura Limited Electronic vehicular junction box having reduced size and weight
JPH09312376A (ja) * 1996-05-21 1997-12-02 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100737135B1 (ko) * 2001-07-30 2007-07-06 주식회사 현대오토넷 차량의 모터 구동 전자제어유닛

Also Published As

Publication number Publication date
WO1999000845A1 (de) 1999-01-07
DE19727548A1 (de) 1999-01-07
EP0935818A1 (de) 1999-08-18
US6205031B1 (en) 2001-03-20
KR100525936B1 (ko) 2005-11-08
CN100350609C (zh) 2007-11-21
WO1999000845A8 (de) 1999-06-10
DE59814138D1 (de) 2008-01-24
EP0935818B1 (de) 2007-12-12
JP2001507522A (ja) 2001-06-05
JP4074347B2 (ja) 2008-04-09
CN1234910A (zh) 1999-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20000068216A (ko) 전자 제어 장치
US6958534B2 (en) Power semiconductor module
US6313991B1 (en) Power electronics system with fully-integrated cooling
US6404628B1 (en) Integrated power electronics cooling housing
US6116916A (en) Electrical connection box
US5610799A (en) Power module device
US5237204A (en) Electric potential distribution device and an electronic component case incorporating such a device
US6570774B1 (en) Capacitor module for use in inverter, inverter, and capacitor module
CN101577262A (zh) 功率半导体模块系统
US5053923A (en) Electronic control unit with common ground connection to a heat sink
US20010034144A1 (en) Electrical conductor
KR19990063681A (ko) 다중칩 모듈
EP1675249A3 (de) Elektromotor und Baureihe von Elektromotoren
CN104517952B (zh) 功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法
CN210113743U (zh) 用于控制功率半导体装置的电路配置和具有该配置的构置
EP3506725A1 (en) Electronic assembly with enhanced high power density
CN1921110B (zh) 具有功率半导体模块和连接器的组件
US6905361B2 (en) Electrical device
EP3340443B1 (en) Brush-holder for an electric machine
RU2302686C2 (ru) Силовой полупроводниковый модуль
KR20010024914A (ko) 전자 제어 장치
US6474438B1 (en) Power steering
KR100482897B1 (ko) 자동차용전기장치,특히개폐및제어장치
US20230253278A1 (en) Semiconductor module with integrated current sensor
US11695311B2 (en) Interference suppression module for an electrically commutated electric motor, method for producing an interference suppression module, and vehicle comprising such an interference suppression module

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121017

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131018

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141021

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee