DE10109329C1 - Schaltungsanordnung - Google Patents
SchaltungsanordnungInfo
- Publication number
- DE10109329C1 DE10109329C1 DE10109329A DE10109329A DE10109329C1 DE 10109329 C1 DE10109329 C1 DE 10109329C1 DE 10109329 A DE10109329 A DE 10109329A DE 10109329 A DE10109329 A DE 10109329A DE 10109329 C1 DE10109329 C1 DE 10109329C1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- plate
- heat
- inner region
- chips
- circuit arrangement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/162—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits the devices being mounted on two or more different substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/4824—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0101—Neon [Ne]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01031—Gallium [Ga]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01052—Tellurium [Te]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01065—Terbium [Tb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
Die Schaltungsanordnung weist ein Leistungsteil (LE) auf, das wärmeerzeugende Bauelemente und mindestens ein weniger wärmeerzeugendes Bauelement umfasst. Das weniger wärmeerzeugende Bauelement ist in einem inneren Bereich der Schaltungsanordnung angeordnet. Die wärmeerzeugenden Bauelemente sind um den inneren Bereich herum angeordnet und an mindestens einem als elektrische Leitung wirkenden metallischen Körper (K1) befestigt, mit dem sie elektrisch verbunden sind. Zur Kühlung der wärmeerzeugenden Bauelemente ist der Körper (K1) elektrisch isoliert zumindest im Bereich der wärmeerzeugenden Bauelemente auf einem Kühlkörper (KK) angeordnet. Der Kühlkörper (KK) ist um den inneren Bereich umlaufend ausgestaltet.
Description
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung, d. h. eine
Anordnung aus miteinander verschalteten Bauelementen. Genauer
gesagt betrifft die Erfindung eine Schaltungsanordnung mit
einem Leistungsteil. Die Schaltungsanordnung soll also für
hohe Ströme geeignet sein.
Es ist bekannt, Schaltungsanordnungen in Hybridtechnologie
herzustellen. Dazu sind Chips mit Halbleiterbauelementen ohne
Chipgehäuse an einem Keramikträger, in dem Leiterbahnen ange
ordnet sind, befestigt. Die Befestigung ist derart, daß ein
direkter elektrischer Kontakt zwischen den Leiterbahnen und
den Chips gebildet wird. Weitere elektrische Leitungen für
die Chips werden durch Drahtverbindungen realisiert.
Eine solche Schaltungsanordnung hat den Vorteil, dass sie
aufgrund der gehäuselosen Chips nur einen geringen Platzbe
darf erfordert. Nachteilig an einer solchen Schaltungsanord
nung ist jedoch, dass sie als Leistungsmodul für sehr hohe
Ströme, wie z. B. 300 Ampere Dauerstrom, nicht geeignet ist,
da in einem Keramikträger angeordnete Leiterbahnen in der Re
gel solche hohen Ströme nicht leiten können.
Ein weiterer Nachteil besteht darin, dass sich Wärme aus ei
ner Schaltungsanordnung mit Keramikträger nur schlecht abfüh
ren lässt. Eine gute Wärmeabfuhr ist jedoch für Hochstroman
wendungen erforderlich, da in diesem Fall die Bauelemente in
der Regel viel Verlustwärme erzeugen, die zu einer Zerstörung
der Bauelemente führen könnte.
Aus DE 295 10 335 U1 ist ein kombiniertes elektronisches Lo
gik-Leistungsmodul bekannt, welches wärmeerzeugende und weni
ger wärmeerzeugende Bauelemente umfasst, wobei letztere in
getrennten Bereichen eines gemeinsamen Substrats angeordnet
sind und nur unter dem Bereich mit den wärmeerzeugenden Bau
elementen ein Kühlkörper angeordnet ist.
In DE 199 24 994 A1 ist ein Leistungsmodul beschrieben, bei
welchem wärmeerzeugende Bauelemente auf einem
Leistungssubstrat im inneren Teil der
Schaltungsanordnung und weniger wärmeerzeugende Bauelemente
auf einer den inneren Teil umgebenden Leiterplatte angeordnet
sind, wobei unter dem Leistungssubstrat und Teilen der Leiterplatte eine Kühlplatte ange
ordnet ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsan
ordnung anzugeben, die einen geringen Platzbedarf aufweist
und zugleich für hohe Ströme geeignet ist.
Die Aufgabe wird gelöst durch eine Schaltungsanordnung mit
folgenden Merkmalen: Die Schaltungsanordnung weist ein Leis
tungsteil auf, das wärmeerzeugende Bauelemente und mindestens
ein weniger wärmeerzeugendes Bauelement umfasst. Das weniger
wärmeerzeugende Bauelement ist in einem inneren Bereich der
Schaltungsanordnung angeordnet. Die wärmeerzeugenden Bauele
mente sind um den inneren Bereich herum angeordnet und an
mindestens einem als elektrische Leitung wirkenden metalli
schen Körper befestigt, mit dem sie elektrisch verbunden
sind. Zur Kühlung der wärmeerzeugenden Bauelemente ist der
Körper elektrisch isoliert zumindest im Bereich der wärmeer
zeugenden Bauelemente auf einem Kühlkörper angeordnet. Der
Kühlkörper ist um den inneren Bereich umlaufend ausgestaltet.
Die wärmeerzeugenden Bauelemente sind direkt am Körper befes
tigt, der zugleich als Träger der wärmeerzeugenden Bauelemen
te und als elektrische Leitung dient. Es sind keine weiteren
Leitungen und Drähte zwischen den wärmeerzeugenden Bauelemen
ten und dem Körper erforderlich, die den elektrischen Wider
stand erhöhen würden. Der elektrische Widerstand des Körpers
ist sehr klein im Vergleich zu in einem isolierenden Träger
angeordneten Leiterbahnen. Die Schaltungsanordnung ist folg
lich für hohe Ströme geeignet.
Darüber hinaus kann in den wärmeerzeugenden Bauelementen er
zeugte Wärme sehr schnell abgeführt werden, da zwischen den
wärmeerzeugenden Bauelementen und dem Kühlkörper im wesentli
chen nur der metallische Körper angeordnet ist, der eine bes
sere Wärmeleitfähigkeit aufweist, als ein Träger aus Keramik.
Die Schaltungsanordnung ist sehr platzsparend ausgeführt, da
der Kühlkörper nur unter den Bauelementen angeordnet ist, die
hohe Verlustwärme erzeugen.
Die Schaltungsanordnung ist auch aus dem Grund sehr kompakt,
weil die wärmeerzeugenden Bauelemente um das weniger wärmeerzeugende
Bauelement herum angeordnet sind, so dass Verbindun
gen zwischen den Bauelementen sehr kurz sein können.
Die Dimensionierung des Körpers ist abhängig von der Strom
stärke und der zu erreichenden thermischen Leitfähigkeit. Der
Körper ist vorzugsweise zwischen ca. 2 mm und 4 mm dick und
besteht im Wesentlichen aus Kupfer. Es sind jedoch auch ande
re Materialien für den Körper geeignet, wie z. B. Aluminium.
Die wärmeerzeugenden Bauelemente können Chips sein, die z. B.
(Leistungs)Transistoren, Dioden oder IGBT's enthalten. Das
weniger wärmeerzeugende Bauelement kann z. B. ein Kondensator
sein.
Um den Platzbedarf der Schaltungsanordnung zu reduzieren und
um die Wärmeabfuhr zu verbessern, ist es vorteilhaft, wenn
die Chips keine Gehäuse aufweisen.
Die Schaltungsanordnung weist vorzugsweise neben dem Leis
tungsteil ein Logikteil auf, über den das Leistungsteil ge
steuert werden kann.
Zur Reduktion des Platzbedarfs der Schaltungsanordnung ist es
vorteilhaft, wenn das Logikteil über dem inneren Bereich an
geordnet ist. Dies hat auch den Vorteil, dass elektrische
Verbindungen zwischen dem Logikteil und dem Leistungsteil
sehr kurz sein können. Die Verbindungen können z. B. durch
Drahtverbindungen (Bondungen) realisiert werden. Zusätzliche
Verbindungsleitungen und störempfindliche und kostenintensive
Steckverbindungen können entfallen.
Die Schaltungsanordnung kann eine Platte aufweisen, die den
inneren Bereich bedeckt und über dem weniger wärmeerzeugenden
Bauelement angeordnet ist. Die Platte weist zumindest eine
Öffnung über dem inneren Bereich auf. Das weniger wärmeerzeu
gende Bauelement ist über eine erste drahtförmige Verbindung,
die durch die Öffnung geführt ist, mit der Platte elektrisch
verbunden.
Aufgrund der ersten drahtförmigen Verbindung weist die Platte
Unebenheiten auf. Damit das Logikteil auf eine ebene Fläche
aufgebracht werden kann, ist es vorteilhaft, einen Träger
vorzusehen, der über dem inneren Bereich und über der Platte
angeordnet ist. Der Träger kann von der Platte durch eine i
solierende Schicht elektrisch isoliert sein. Die der Platte
zugewandte Fläche des Trägers weist im Bereich der ersten
drahtförmigen Verbindung eine Einbuchtung auf, um der ersten
drahtförmige Verbindung Raum zu geben. Die der Platte abge
wandte Fläche des Trägers ist dagegen eben. Das Logikteil ist
elektrisch isoliert auf der der Platte abgewandten Fläche des
Trägers angeordnet. Der Träger dient der mechanischen Adapti
on zwischen der Platte und dem Logikteil.
Stellt sich das Logikteil als fehlerhaft heraus, so kann das
Logikteil einfach von dem Träger entfernt werden und unabhän
gig vom Leistungsteil repariert bzw. ausgetauscht werden.
Es können mehrere weniger wärmeerzeugende Bauelemente vorge
sehen sein, die im inneren Bereich der Schaltungsanordnung
angeordnet sind und über erste drahtförmige Verbindungen mit
der Platte elektrisch verbunden sind. Entsprechend weist der
Träger mehrere Einbuchtungen auf.
Vorzugsweise besteht der Träger im wesentlichen aus einem Ma
terial mit hoher Wärmeleitfähigkeit, damit im Logikteil er
zeugte Wärme über den Träger und über die Platte in den Kühl
körper abgeführt werden kann. Der Träger besteht beispiels
weise im Wesentlichen aus Aluminium und ist zwischen 1 und 10 mm
dick.
Besonders geeignet ist die Schaltungsanordnung für eine Pa
rallelschaltung von Halbbrücken. Dazu sind die wärmeerzeugen
den Bauelemente als gehäuselose erste Chips und zweite Chips
ausgestaltet, die jeweils einen Transistor enthalten, wobei
die ersten Chips an mindestens einem ersten metallischen Kör
per und die zweiten Chips an einem zweiten metallischen Kör
per befestigt sind. Der erste Körper ist als Schiene ausges
taltet, die sich entlang des äußeren Randes des Kühlkörpers
erstreckt. Der zweite Körper ist plattenförmig ausgestaltet
und bedeckt den inneren Bereich und den inneren Rand des
Kühlkörpers. Die Platte ist elektrisch isoliert auf dem zwei
ten Körper angeordnet. Der zweite Körper weist eine erste
Öffnung über dem inneren Bereich auf, die unterhalb der Öff
nung der Platte angeordnet ist und durch die die erste draht
förmige Verbindung geführt ist. Der zweite Körper weist min
destens eine zweite Öffnung über dem inneren Bereich auf. Das
weniger wärmeerzeugende Bauelement ist als Kondensator aus
gestaltet und über eine zweite drahtförmige Verbindung, die
durch die zweite Öffnung geführt ist, mit dem zweiten Körper
elektrisch verbunden. Die erste drahtförmige Verbindung und
die zweite drahtförmige Verbindung sind in diesem Fall Kon
densatoranschlüsse. Die ersten Chips sind über Drahtverbin
dungen mit der Platte elektrisch verbunden. Die zweiten Chips
sind über Drahtverbindungen mit dem ersten Körper elektrisch
verbunden.
Der zweite Körper und die Platte bilden zwei voneinander e
lektrisch isolierte Metallplatten, welche unterschiedliche
Potentiale führen. Zwischen den unterschiedlichen Potentialen
wird der Kondensator eingebracht.
Die ersten Chips sind parallel und zwischen dem ersten Körper
und der Platte geschaltet. Die zweiten Chips sind parallel
und zwischen dem ersten Körper und dem zweiten Körper ge
schaltet. Je ein erster Chip und ein zweiter Chip bilden eine
Halbbrücke. Die Halbbrücken sind parallel zueinander und zwi
schen der Platte und dem zweiten Körper geschaltet.
Die umlaufende Anordnung des Kühlkörpers ermöglicht eine be
sonders kompakte Anordnung einer Vielzahl von Halbbrücken.
Die zweiten Chips sind dabei durch den plattenförmigen zwei
ten Körper untereinander verbunden.
Es können mehrere erste Schienen vorgesehen sein, die sich
z. B. jeweils entlang einer Kante des Kühlkörpers erstrecken.
Die ersten Körper sind vorzugsweise elektrisch nicht mitein
ander verbunden, damit sie unterschiedliche Phasen führen
können.
Der erste Körper, der zweite Körper und die Platte bestehen
beispielsweise aus Kupfer. Es sind jedoch auch andere Materi
alien, wie z. B. Aluminium, geeignet.
Im Folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung an
hand der Figuren näher erläutert.
Fig. 1 zeigt einen Teil eines Schaltbildes einer Schal
tungsanordnung mit ersten Chips, zweiten Chips,
Kondensatoren, einem Ausgangsanschluss, einem
Groundanschluss und einem Spannungsanschluss.
Fig. 2 zeigt eine dreidimensionale Darstellung der Schal
tungsanordnung, in der die ersten Chips, die zwei
ten Chips, ein erster Körper, ein zweiter Körper,
eine Platte, ein Träger, ein Logikteil, ein Kühl
körper und Bondverbindungen dar
gestellt sind.
Fig. 3 zeigt einen Querschnitt durch einen inneren Bereich
der Schaltungsanordnung, in dem Kondensatoren, ers
te drahtförmige Verbindungen, zweite drahtförmige
Verbindungen, Öffnungen, erste Öffnungen, zweite
Öffnungen, isolierende Schichten, der zweite Kör
per, die Platte, der Träger und das Logikteil dar
gestellt sind.
Im Ausführungsbeispiel ist eine Schaltungsanordnung vorgese
hen, die ein Leistungsteil LE und ein Logikteil LO aufweist.
Das Leistungsteil LE besteht aus einer Parallelschaltung aus
Halbbrücken sowie aus parallel geschalteten Kondensatoren K.
Die Kondensatoren K bilden weniger wärmeerzeugende Bauelemen
te der Schaltungsanordnung.
Das Leistungsteil LE weist als wärmeerzeugende Bauelemente
erste Chips C1 auf, die ohne Gehäuse direkt an mehreren ers
ten metallischen Körpern K1, die als Schiene ausgestaltet
sind und im Wesentlichen aus Kupfer bestehen, befestigt sind
(siehe Fig. 2). Die ersten Körper K1 sind entlang äußerer
Kanten eines um einen inneren Bereich IB der Schaltungsanord
nung umlaufenden Kühlkörper KK angeordnet. Die ersten Chips
C1 weisen jeweils einen Transistor auf. Die ersten Chips C1
sind derart auf den ersten Körpern K1 angeordnet, dass erste
Source/Drain-Gebiete der ersten Chips C1 mit den ersten Kör
pern K1 elektrisch verbunden sind.
Die ersten Körper K1 weisen eine Dicke von ca. 4 mm, eine
Breite von ca. 10 mm und eine Länge von ca. 12 cm bzw. 18 cm
auf. Die ersten Körper K1 sind elektrisch voneinander ge
trennt und führen verschiedene Phasen.
Das Leistungsteil LE weist als wärmeerzeugende Bauelemente
zweite Chips C2 auf, die wie die ersten Chips C1 ausgestaltet
sind und ohne Gehäuse derart direkt an einem zweiten metalli
schen Körper K2 befestigt sind, dass erste Source/Drain-
Gebiete der Transistoren der zweiten Chips C2 mit dem zweiten
Körper K2 elektrisch verbunden sind. Der zweite Körper K2 ist
plattenförmig ausgestaltet, besteht im Wesentlichen aus Kup
fer und bedeckt den inneren Bereich sowie innere Kanten des
Kühlkörpers KK (siehe Fig. 2). Unter dem zweiten Körper K2
sind im inneren Bereich IB die Kondensatoren K angeordnet
(siehe Fig. 3).
Zweite Source/Drain-Gebiete der zweiten Chips C2 sind über
Bondverbindungen B mit den ersten Körpern K1 verbunden.
Eine metallische Platte P, die im wesentlichen aus Kupfer be
steht, ist durch eine erste isolierende Schicht I1 elektrisch
isoliert auf dem zweiten Körper K2 angeordnet (siehe Fig.
2 und 3). Die Platte P weist zackenartige Vorsprünge V auf,
die zwischen zueinander benachbarten zweiten Chips C2 ange
ordnet sind. Zweite Source/Drain-Gebiete der Transistoren der
ersten Chips C1 sind über Bondverbindungen B mit den Vor
sprüngen V der Platte P verbunden.
Der zweite Körper K2 weist über dem inneren Bereich erste
Öffnungen O1 und zweite Öffnungen O2 auf. Die Platte P weist
über den ersten Öffnungen O1 und den zweiten Öffnungen O2 des
zweiten Körpers K2 Öffnungen O auf. Die Kondensatoren K sind
über erste drahtförmige Verbindungen B1, die durch die ersten
Öffnungen O1 des zweiten Körpers K2 und durch die darüber an
geordneten Öffnungen O der Platte P hindurch geführt sind,
mit der Platte P elektrisch verbunden. Die Kondensatoren K
sind über zweite drahtförmige Verbindungen B2, die durch die
zweiten Öffnungen O2 geführt sind, mit dem zweiten Körper K2
elektrisch verbunden. Die Öffnungen O der Platte P, die über
den zweiten Öffnungen des zweiten Körpers K2 angeordnet sind,
geben den zweiten drahtförmigen Verbindungen B2 Raum. Die
ersten drahtförmigen Verbindungen B1 und die zweiten draht
förmigen Verbindungen B2 bilden Kondensatoranschlüsse der
Kondensatoren K.
Zur Vermeidung von Kurzschlüssen zwischen den ersten draht
förmigen Verbindungen B1 und dem zweiten Körper K2 bzw. zwi
schen den zweiten drahtförmigen Verbindungen B2 und der Plat
te P sind die Flächen der Öffnungen O, der ersten Öffnungen
O1 und der zweiten Öffnungen O2 mit zweiten isolierenden
Schichten I2 versehen.
Über der Platte P ist ein Träger T aus Aluminium angeordnet
(siehe Fig. 2). Der Träger T ist ca. 5 mm dick. Die der
Platte P zugewandte Fläche des Trägers T weist im Bereich der
ersten drahtförmigen Verbindungen B1 Einbuchtungen E auf, um
den ersten drahtförmigen Verbindungen B1 Raum zu geben. Die
der Platte P abgewandte Fläche des Trägers T ist eben.
Das Logikteil LO ist durch eine dritte isolierende Schicht I3
elektrisch isoliert auf der der Platte P abgewandten Fläche
des Trägers T angeordnet und über Bondverbindungen B mit dem
Leistungsteil LE verbunden.
Die ersten Körper K1 sind mit Ausgangsanschlüssen AA verbun
den (siehe Fig. 1). Der zweite Körper K2 ist mit einem Span
nungsanschluss SP verbunden, der mit ca. 36 Volt beaufschlagt
ist. Die Platte P ist mit einem Groundanschluss GA verbunden,
der mit Null Volt beaufschlagt ist.
Die Kondenstoren K sind parallel zueinander und zwischen dem
Groundanschluß GA und dem Spannungsanschluß SP geschaltet.
Die ersten Chips C1 sind parallel und zwischen dem Ausgang
sanschluß AA und dem Groundanschluß GA geschaltet. Die zwei
ten Chips C2 sind parallel und zwischen dem Ausgangsanschluß
AA und dem Spannungsanschluß SP geschaltet. Die ersten Chips
C1 bilden einen Lowside-Drive. Die zweiten Chips C2 bilden
ein en Highside-Drive. Je eine erster Chip C1 und ein zweiter
Chip C2 bilden eine Halbbrücke. Die Halbbrücken sind parallel
und zwischen dem Groundanschluß GA und dem Spannungsanschluß.
SP geschaltet.
Claims (6)
1. Schaltungsanordnung
mit einem Leistungsteil (LE), das wärmeerzeugende Bauele mente und mindestens ein weniger wärmeerzeugendes Bauele ment umfasst,
bei der das weniger wärmeerzeugende Bauelement in einem in neren Bereich (IB) der Schaltungsanordnung angeordnet ist,
bei der die wärmeerzeugenden Bauelemente um den inneren Be reich (IB) herum angeordnet sind und an mindestens einem als elektrische Leitung wirkenden metallischen Körper (K1) befestigt sind, mit dem sie elektrisch verbunden sind,
bei der zur Kühlung der wärmeerzeugenden Bauelemente der Körper (K1) elektrisch isoliert zumindest im Bereich der wärmeerzeugenden Bauelemente auf einem Kühlkörper (KK) an geordnet ist,
bei der der Kühlkörper (KK) um den inneren Bereich (IB) um laufend ausgestaltet ist.
mit einem Leistungsteil (LE), das wärmeerzeugende Bauele mente und mindestens ein weniger wärmeerzeugendes Bauele ment umfasst,
bei der das weniger wärmeerzeugende Bauelement in einem in neren Bereich (IB) der Schaltungsanordnung angeordnet ist,
bei der die wärmeerzeugenden Bauelemente um den inneren Be reich (IB) herum angeordnet sind und an mindestens einem als elektrische Leitung wirkenden metallischen Körper (K1) befestigt sind, mit dem sie elektrisch verbunden sind,
bei der zur Kühlung der wärmeerzeugenden Bauelemente der Körper (K1) elektrisch isoliert zumindest im Bereich der wärmeerzeugenden Bauelemente auf einem Kühlkörper (KK) an geordnet ist,
bei der der Kühlkörper (KK) um den inneren Bereich (IB) um laufend ausgestaltet ist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1,
mit einem Logikteil (LO) das über dem inneren Bereich (TB) angeordnet ist,
bei der das Logikteil (LO) mit dem Leistungsteil (LE) über Bondverbindungen (B) elektrisch miteinander verbunden ist.
mit einem Logikteil (LO) das über dem inneren Bereich (TB) angeordnet ist,
bei der das Logikteil (LO) mit dem Leistungsteil (LE) über Bondverbindungen (B) elektrisch miteinander verbunden ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2,
mit einer metallischen Platte (P), die den inneren Bereich (IB) bedeckt und über dem weniger wärmeerzeugenden Bauele ment angeordnet ist,
bei der die Platte (P) zumindest eine Öffnung (O) über dem inneren Bereich (IB) aufweist,
bei der das weniger wärmeerzeugende Bauelement über eine erste drahtförmige Verbindung (B1), die durch die Öffnung (O) geführt ist, mit der Platte (P) elektrisch verbunden ist,
mit einem Träger (T), der elektrisch isoliert über dem in neren Bereich (IB) und über der Platte (P) angeordnet ist,
bei der die der Platte (P) zugewandte Fläche des Trägers (T) im Bereich der ersten drahtförmigen Verbindung (B1) ei ne Einbuchtung (E) aufweist, um der ersten drahtförmigen Verbindung (B1) Raum zu geben,
bei der die der Platte (P) abgewandte Fläche des Trägers (T) im wesentlichen eben ist,
bei der das Logikteil (LO) elektrisch isoliert auf der der Platte (P) abgewandten Fläche des Trägers (T) angeordnet ist.
mit einer metallischen Platte (P), die den inneren Bereich (IB) bedeckt und über dem weniger wärmeerzeugenden Bauele ment angeordnet ist,
bei der die Platte (P) zumindest eine Öffnung (O) über dem inneren Bereich (IB) aufweist,
bei der das weniger wärmeerzeugende Bauelement über eine erste drahtförmige Verbindung (B1), die durch die Öffnung (O) geführt ist, mit der Platte (P) elektrisch verbunden ist,
mit einem Träger (T), der elektrisch isoliert über dem in neren Bereich (IB) und über der Platte (P) angeordnet ist,
bei der die der Platte (P) zugewandte Fläche des Trägers (T) im Bereich der ersten drahtförmigen Verbindung (B1) ei ne Einbuchtung (E) aufweist, um der ersten drahtförmigen Verbindung (B1) Raum zu geben,
bei der die der Platte (P) abgewandte Fläche des Trägers (T) im wesentlichen eben ist,
bei der das Logikteil (LO) elektrisch isoliert auf der der Platte (P) abgewandten Fläche des Trägers (T) angeordnet ist.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3,
bei der der Träger (T) im wesentlichen aus Aluminium be
steht.
5. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
mit einer metallischen Platte (P), die den inneren Bereich (IB) bedeckt und über dem weniger wärmeerzeugenden Bauele ment angeordnet ist,
bei der die Platte (P) zumindest eine Öffnung (O) über dem inneren Bereich (IB) aufweist,
bei der das weniger wärmeerzeugende Bauelement als Konden sator (K) ausgestaltet ist und über eine erste drahtförmige Verbindung (B1), die durch die Öffnung (O) geführt ist, mit der Platte (P) elektrisch verbunden ist,
bei der die wärmeerzeugenden Bauelemente als gehäuselose erste Chips (C1) und zweite Chips (C2) ausgestaltet sind, die jeweils einen Transistor enthalten, wobei die ersten Chips (C1) an mindestens einem ersten metallischen Körper (K1) und die zweiten Chips (C2) an einem zweiten metalli schen Körper (K2) befestigt sind,
bei der der erste Körper (K1) als Schiene ausgestaltet ist, die sich entlang des äußeren Randes des Kühlkörpers (KK) erstreckt,
bei der der zweite Körper (K2) als Platte (P) ausgestaltet ist, die den inneren Bereich (IB) und den inneren Rand des Kühlkörpers (KK) bedeckt,
bei der die Platte (P) elektrisch isoliert auf dem zweiten Körper (K2) angeordnet ist,
bei der der zweite Körper (K2) eine erste Öffnung (O1) über dem inneren Bereich (IB) aufweist, die unterhalb der Öff nung (O) der Platte (P) angeordnet ist und durch die die erste drahtförmige Verbindung (B1) geführt ist,
bei der der zweite Körper (K2) mindestens eine zweite Öff nung (O2) über dem inneren Bereich (IB) aufweist,
bei der das weniger wärmeerzeugende Bauelement über eine zweite drahtförmige Verbindung (B2), die durch die zweite Öffnung (O2) geführt ist, mit dem zweiten Körper (K2) elektrisch verbunden ist,
bei der die ersten Chips (C1) über Bondverbindungen (B) mit der Platte (P) elektrisch verbunden sind,
bei der die zweiten Chips (C2) über Bondverbindungen (B) mit dem ersten Körper (K1) elektrisch verbunden sind.
mit einer metallischen Platte (P), die den inneren Bereich (IB) bedeckt und über dem weniger wärmeerzeugenden Bauele ment angeordnet ist,
bei der die Platte (P) zumindest eine Öffnung (O) über dem inneren Bereich (IB) aufweist,
bei der das weniger wärmeerzeugende Bauelement als Konden sator (K) ausgestaltet ist und über eine erste drahtförmige Verbindung (B1), die durch die Öffnung (O) geführt ist, mit der Platte (P) elektrisch verbunden ist,
bei der die wärmeerzeugenden Bauelemente als gehäuselose erste Chips (C1) und zweite Chips (C2) ausgestaltet sind, die jeweils einen Transistor enthalten, wobei die ersten Chips (C1) an mindestens einem ersten metallischen Körper (K1) und die zweiten Chips (C2) an einem zweiten metalli schen Körper (K2) befestigt sind,
bei der der erste Körper (K1) als Schiene ausgestaltet ist, die sich entlang des äußeren Randes des Kühlkörpers (KK) erstreckt,
bei der der zweite Körper (K2) als Platte (P) ausgestaltet ist, die den inneren Bereich (IB) und den inneren Rand des Kühlkörpers (KK) bedeckt,
bei der die Platte (P) elektrisch isoliert auf dem zweiten Körper (K2) angeordnet ist,
bei der der zweite Körper (K2) eine erste Öffnung (O1) über dem inneren Bereich (IB) aufweist, die unterhalb der Öff nung (O) der Platte (P) angeordnet ist und durch die die erste drahtförmige Verbindung (B1) geführt ist,
bei der der zweite Körper (K2) mindestens eine zweite Öff nung (O2) über dem inneren Bereich (IB) aufweist,
bei der das weniger wärmeerzeugende Bauelement über eine zweite drahtförmige Verbindung (B2), die durch die zweite Öffnung (O2) geführt ist, mit dem zweiten Körper (K2) elektrisch verbunden ist,
bei der die ersten Chips (C1) über Bondverbindungen (B) mit der Platte (P) elektrisch verbunden sind,
bei der die zweiten Chips (C2) über Bondverbindungen (B) mit dem ersten Körper (K1) elektrisch verbunden sind.
6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5,
bei der der erste Körper (K1), der zweite Körper (K2) und
die Platte (P) im wesentlichen aus Kupfer bestehen.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10109329A DE10109329C1 (de) | 2001-02-27 | 2001-02-27 | Schaltungsanordnung |
EP02712790A EP1364406A2 (de) | 2001-02-27 | 2002-02-20 | Schaltungsanordnung |
PCT/DE2002/000601 WO2002069404A2 (de) | 2001-02-27 | 2002-02-20 | Schaltungsanordnung |
US10/649,839 US6930373B2 (en) | 2001-02-27 | 2003-08-27 | Circuit arrangement |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10109329A DE10109329C1 (de) | 2001-02-27 | 2001-02-27 | Schaltungsanordnung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10109329C1 true DE10109329C1 (de) | 2002-05-02 |
Family
ID=7675601
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10109329A Expired - Fee Related DE10109329C1 (de) | 2001-02-27 | 2001-02-27 | Schaltungsanordnung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6930373B2 (de) |
EP (1) | EP1364406A2 (de) |
DE (1) | DE10109329C1 (de) |
WO (1) | WO2002069404A2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112006002302B4 (de) | 2005-09-02 | 2022-05-25 | GM Global Technology Operations LLC (n. d. Ges. d. Staates Delaware) | Elektrisches system umfassend eine leistungstransistoranordnung, eine stromschiene und eine leiterplattenbaugruppe |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007069150A1 (en) * | 2005-12-13 | 2007-06-21 | Nxp B.V. | Device for and method of processing an audio data stream |
US9559590B2 (en) * | 2008-03-06 | 2017-01-31 | Infineon Technologies Austria Ag | Methods and apparatus for a power supply |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE29510335U1 (de) * | 1995-06-26 | 1995-08-24 | Siemens AG, 80333 München | Elektronisches kombiniertes Logik-Leistungsmodul |
DE19924994A1 (de) * | 1999-05-31 | 2000-12-21 | Tyco Electronics Logistics Ag | Intelligentes Leistungsmodul |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3420535C2 (de) * | 1984-06-01 | 1986-04-30 | Anton Piller GmbH & Co KG, 3360 Osterode | Halbleiter-Modul für eine schnelle Schaltanordnung |
JP2692765B2 (ja) * | 1989-12-22 | 1997-12-17 | 株式会社日立製作所 | ダイオード及びigbtとの並列回路とそのモジュール及びそれを用いた電力変換装置 |
US6002183A (en) * | 1995-05-04 | 1999-12-14 | Iversen; Arthur H. | Power semiconductor packaging |
JP3124513B2 (ja) * | 1997-06-18 | 2001-01-15 | 三菱電機株式会社 | 電力半導体スイッチ装置 |
DE19727548A1 (de) * | 1997-06-28 | 1999-01-07 | Bosch Gmbh Robert | Elektronisches Steuergerät |
US6201701B1 (en) * | 1998-03-11 | 2001-03-13 | Kimball International, Inc. | Integrated substrate with enhanced thermal characteristics |
JPH11346480A (ja) * | 1998-06-02 | 1999-12-14 | Hitachi Ltd | インバータ装置 |
-
2001
- 2001-02-27 DE DE10109329A patent/DE10109329C1/de not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-02-20 EP EP02712790A patent/EP1364406A2/de not_active Withdrawn
- 2002-02-20 WO PCT/DE2002/000601 patent/WO2002069404A2/de active Application Filing
-
2003
- 2003-08-27 US US10/649,839 patent/US6930373B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE29510335U1 (de) * | 1995-06-26 | 1995-08-24 | Siemens AG, 80333 München | Elektronisches kombiniertes Logik-Leistungsmodul |
DE19924994A1 (de) * | 1999-05-31 | 2000-12-21 | Tyco Electronics Logistics Ag | Intelligentes Leistungsmodul |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112006002302B4 (de) | 2005-09-02 | 2022-05-25 | GM Global Technology Operations LLC (n. d. Ges. d. Staates Delaware) | Elektrisches system umfassend eine leistungstransistoranordnung, eine stromschiene und eine leiterplattenbaugruppe |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1364406A2 (de) | 2003-11-26 |
US20040169268A1 (en) | 2004-09-02 |
WO2002069404A3 (de) | 2003-05-22 |
US6930373B2 (en) | 2005-08-16 |
WO2002069404A2 (de) | 2002-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE112014001487B4 (de) | Halbleitermodul | |
DE102005036116B4 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
DE102012218868B3 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
DE102015110653A1 (de) | Doppelseitiges Kühl-Chipgehäuse und Verfahren zum Herstellen desselben | |
DE102013219571B4 (de) | Leistungshalbleitermodul mit vertikalem Shunt-Widerstand | |
DE102019112935B4 (de) | Halbleitermodul | |
EP1775769B1 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
DE102017120747A1 (de) | SMD-Gehäuse mit Oberseitenkühlung | |
DE10109329C1 (de) | Schaltungsanordnung | |
DE102011075731A1 (de) | Elektronisches Leistungsteil | |
EP3949103A1 (de) | Elektronische schaltungseinheit | |
DE102022109792B4 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
AT515440B1 (de) | Elektrische Bauteilanordnung | |
EP2091081B1 (de) | Schaltungsanordnung mit Bondverbindung | |
DE102019218953A1 (de) | Elektronische Schaltungseinheit | |
EP2704194B1 (de) | Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls | |
EP1455391B1 (de) | Leistungshalbleitermodul mit Sensorikbauteil | |
DE102015216047A1 (de) | Schaltungsträger, Leistungselektronikanordnung mit einem Schaltungsträger | |
DE19902462A1 (de) | Halbleiterbauelement mit Chip-on-Chip-Aufbau | |
DE10143932B4 (de) | Shunt-Widerstandanordnung | |
DE102014104013A1 (de) | Leistungshalbleiterbauteil | |
DE10109548A1 (de) | Schaltungsaufbau für eine Schaltung zum Schalten von Strömen | |
DE102023202399B3 (de) | Leiterplattenanordnung einer Leistungshalbleiterschaltung eines Inverters, Leistungselektronikmodul, elektrischer Antrieb und Kraftfahrzeug | |
DE102022211474B4 (de) | Leistungselektronische Schaltungsanordnung sowie Verfahren zum Anordnen eines Strommesswiderstands in einer solchen Schaltungsanordnung | |
EP1352427B1 (de) | Schaltungsanordnung mit in chips angeordneten halbleiterbauelementen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8100 | Publication of patent without earlier publication of application | ||
D1 | Grant (no unexamined application published) patent law 81 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: CONTINENTAL AUTOMOTIVE GMBH, 30165 HANNOVER, DE |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |