KR20000029327A

KR20000029327A - 가공성과 자기특성이 양호한 전자강판 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR20000029327A
Application number: KR1019990046639A
Authority: KR
Inventors: 하야까와야스유끼; 구로사와미쓰마사; 고마쓰바라미찌로
Original assignee: 에모또 간지; 가와사끼 세이데쓰 가부시키가이샤
Priority date: 1998-10-27
Filing date: 1999-10-26
Publication date: 2000-05-25
Also published as: CN1103825C; US20020059966A1; US6432227B1; EP0997540B1; DE69916743T2; KR100658408B1; CN1254765A; CA2287658C; DE69916743D1; CA2287658A1; US6322635B1; EP0997540A1

Abstract

본 발명은, 주로 전력용 변압기 또는 회전기의 철심재료에 사용되는 전자강판에 관한 것으로, 인히비터 및 표면에너지를 사용하지 않는, 연속소둔공정에 의한 제조방법을 제안하는 것이다.

발명자들은, 소재의 고순도화 중에 특히 Se, S, N, O 를 저감함으로써, 재결정후에 고도로 {110}＜1＞ 조직이 발달하는 것을 새롭게 발견하고, 본 발명을 완성시켰다. 즉, 본 발명은, 강슬래브가 Si:2.0 ∼ 8.0 wt%, Mn:0.005 ∼ 3.0wt%, Al:0.0010 ∼ 0.012wt% 를 함유하고, 또한 Se, S, N, O 의 함유량을 각각 30 ppm 이하로 저감시켜, 재결정소둔을 연속소둔으로 하는 것을 특징으로 하는 가공성과 자기특성이 양호한 전자강판의 제조방법이다.

Description

가공성과 자기특성이 양호한 전자강판 및 그 제조방법 {AN ELECTROMAGNETIC STEEL SHEET HAVING SUPERIOR FORMABILITY AND MAGNETIC PROPERTIES AND A PROCESS FOR THE PRODUCTION OF THE SAME}

본 발명은 주로 전력용 변압기 또는 회전기의 철심재료에 사용되는 전자강판에 관한 것이다.

현재에는, 탄산가스배출에 의한 온실효과 등의 새로운 환경문제대책으로서, 전기자동차 등의 도입이 요구되고 있다. 또, 휴대전화나 인터넷 등의 보급에 따라, 의료기관 등에서, 전자파 실드가 요청되고 있다. 다시말하면, 소형전기기기용 철심이나 자기실드용의 재료로서, 자기특성 및 제조비용 면에서, 방향성 전자강판과 무방향성 전자강판의 중간그레이드의 전자강판의 수요가 증가하고 있다.

전력용 변압기 또는 회전기의 철심재료에 사용되는 강판은 그 용도로부터 전자강판이라 불려, 방향성 전자강판 및 무방향성 전자강판이 자주 사용되고 있다.

방향성 전자강판은, 결정방위가 (110)[001] 방위나 (100)[001] 방위에 압연방향을 따라 배향하고 있는 규소함유강판이다. 방향성 전자강판은 일반적으로는, 최종 마무리 소둔에서, 2 차 재결정이라 호칭되는 현상을 이용하여, 상기의 결정방위를 얻는다. 지금까지, 2 차 재결정에는, 강중에 인히비터라 불리는 성분을 함유시키고, 강슬래브를 고온에서 가열하여, 상기 인히비터를 고온에서 고용시킨 후, 열간압연을 실시하여 미세하게 인히비터를 석출시키는 것이 필요시되어 왔다.

예를 들면, 특공소 40-15644 호 공보에 기재된 AlN 이나 MnS 를 사용하는 방법, 특공소 51-13469 호 공보에 기재된 MnS 나 MnSe 를 사용하는 방법 등이 개시되어 공업적으로 실용화되고 있다. 또한, CuSe 나 BN 을 첨가하는 기술이 특공소 58-42244 호 공보에, Ti, Zr, V 의 질화물을 사용하는 방법이 특공소 46-40855 호 공보에 각각 기재되어 있다.

이들의 인히비터를 사용하는 방법은, 안정적으로 2 차 재결정립을 발달시키는데 유용하다. 그러나, 열간압연전의 슬래브가열을 1300 ℃ 이상의 고온에서 실시하여, 석출물을 미세하게 분산시킬 필요가 있다. 이 고온 슬래브가열의 실현에 걸리는 설비비용은 크다. 또한, 열간압연시에 생성되는 스케일의 양도 대단히 많기 때문에, 수율이 저하될 뿐만아니라, 설비의 보수 등의 문제도 많아진다.

또, 인히비터를 이용하는 방향성 전자강판의 제조에 있어서, 통상적으로는 배치소둔 (batch annealing) 에 의해 고온이면서 장시간의 최종 마무리소둔을 실시한다. 이 최종 마무리소둔후에, 인히비터 성분이 잔존하면, 자기특성을 열화시킨다는 문제가 발생한다. 따라서, 인히비터 성분, 예를 들면 Al, N, Se, S 등을 강중에서 제거하기 위해, 2 차 재결정에 계속해서, 1100℃ 이상의 수소분위기 중에서 수시간에 걸친 순화소둔을 필요로 한다. 그러나, 고온의 순화소둔은, 강판의 기계강도를 저하시켜, 코일하부에 좌굴이 발생하기 쉬워진다. 이 때문에, 제품수율이 현저하게 저하되는 불리함이 발생한다.

이와 같은 배치소둔에 의한 폐해를 방지하고, 제조공정을 간략화하는 것을 목적으로, 배치소둔을 연속소둔으로 하는 시도가 지금까지도 이루어지고 있다. 연속소둔에 의한 방향성 전자강판의 제조기술로서는, 특공소 48-3929 호 공보, 특공소 62-31050 호 공보 및 특개평 5-70833 호 공보에 개시되어 있는데, AlN, MnS, MnSe 등의 인히비터를 사용하여 단시간에 2 차 재결정시키는 기술이다. 그러나, 연속소둔에 의한 단시간 소둔에서는, 인히비터 성분을 제거할 수 없고, 제품판에 잔류되기 쉽다. 인히비터 성분, 특히 Se 나 S 가 강에 잔류되어 있으면, 자벽의 이동을 방해하기 때문에 철손특성에 악영향을 미친다. 또한 이들의 인히비터 성분은 취화원소 (brittle elements) 이기도 하기 때문에, 제품의 2 차 가공성도 저하되게 된다. 따라서, 인히비터를 이용하는 한, 연속소둔에 의해 양호한 자기특성과 가공성을 얻을 수 없었다.

또, 인히비터를 사용하지 않고, 결정입경이 미세한 방향성 전자강판을 제조하는 방법이, 특개소 64-55339 호, 특개평 2-57635 호, 특개평 7-76732 호, 특개평 7-197126 호 각 공보에 개시되어 있다. 이들의 기술에 공통되어 있는 것은, 표면에너지를 구동력으로서 {110} 면을 우선적으로 성장시키는 3차 재결정을 이용하고 있는 것이다.

그러나, 이와 같은 기술의 포인트인 표면에너지차를 유효하게 이용하기 위해서는, 판두께를 얇게 하여 표면의 기여를 크게하는 것이 필연적으로 요구된다. 예를 들면, 특개소 64-55339 호 공보에 개시된 기술에서는 판두께가 0.2 ㎜ 이하, 특개평 2-57635 호 공보에 개시된 기술에서는 판두께가 0.15 ㎜ 이하로 제한되어 있다. 또, 특개평 7-76732 호 공보에 개시된 기술에서는 판두께는 제한되어 있지 않지만, 실시예 1 에 의하면 판두께 : 0.3 ㎜ 인 경우에는, 표면에너지의 기여분이 작아지기 때문에 필연적으로 방위집적도가 열화되고, 자속밀도는 B₈에서 1.70T 이하로 매우 낮다. 실시예 중에서 양호한 자속밀도를 얻고 있는 판두께는 0.10 ㎜ 로 한정되어 있다. 또한, 특개평 7-197126 호 공보에서도 판두께는 제한되어 있지 않지만, 50 ∼ 75% 의 3 차 냉간압연을 실시하는 기술이기 때문에, 필연적으로 판두께는 얇아지고, 실시예에서는 0.10 ㎜ 두께이다.

다시말하면, 표면에너지를 이용하는 방법에서는, 양호한 자기특성을 얻으려고 하면, 필연적으로 제품 판두께는 얇아진다. 따라서, 펀칭 가공성이 열화된다는 치명적인 결점은 해소되지 않는다. 즉, 통상의 철심소재로서는 사용이 곤란하였다.

한편, 무방향성 전자강판은, 연속소둔에 의해, 1 차 재결정입경 및 결정방위를 제어한, 규소함유강판이다. 압연방향에 한정하지 않고, 전자특성이 양호한 것이 특징이다. 단, 압연방향의 자기특성은 방향성 전자강판보다 현저하게 떨어진다.

본 발명은, 특히 소형 전기기기의 철심 또는 자기실드용의 재료로 사용한 경우이더라도 전혀 문제가 발생하지 않는, 가공성과 자기특성이 우수한 전자강판을 제안하는 것을 목적으로 한다. 또한, 인히비터 및 표면에너지를 이용하지 않는, 연속소둔공정에 의한 제조방법을 제안한다.

도 1 은 제품판 압연방향의 자속밀도 (B₈) 에 미치는 강중의 각 불순물원소량 (Se, S, N, O) 의 영향을 나타내는 도면이다.

도 2 는 제품판 압연방향의 자속밀도 (B₈) 에 미치는 강중의 각 불순물원소량 (Se, S, N, O) 의 영향 (총량규제 있음) 을 나타내는 도면이다.

도 3 은 재결정소둔후의 집합조직을 나타내는 도면이다.

도 4 는 제품판의 자속밀도에 미치는 Ni 의 첨가량의 영향을 나타내는 도면이다.

도 5 는 제품판의 자속밀도에 미치는 최종 냉간압연 압하율 및 최종 냉간압연의 평균입경의 영향을 나타내는 도면이다.

도 6 은 제품판의 가공성에 미치는 그 평균결정입경의 영향을 나타낸 도면이다.

도 7 은 응력제거소둔 전후에서의 철손의 변화량에 미치는 제품판의 평균결정입경을 나타낸 도면이다.

도 8 은 방향성 전자강판의 1 차 재결정조직에서의 방위차각이 20 ∼ 45° 인 입계의 각 방위립에 대한 존재빈도 (%) 를 나타낸 도면이다.

따라서, 본 발명자들은, 인히비터 성분을 함유하지 않은 고순도 소재를 이용하여, 재결정조직의 형성에 관하여 연구를 실시하였다.

그 결과, 소재의 고순도화 중에 특히 Se, S, N, O 를 저감함과 동시에, 어느 특정의 조건으로 제조함으로써, 재결정후에 고도로 {110}＜1＞ 조직이 발달하는 것을 새롭게 발견하고, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.

즉, 본 발명은, 강슬래브를, 열간압연하고, 필요에 따라 열연판소둔을 실시한 후, 1 회 또는 중간소둔을 사이에 두는 2 회 이상의 냉간압연을 실시하여 최종판두께로 하고, 이어서, 재결정소둔을 실시하고, 필요에 따라 절연코팅을 실시하는 일련의 공정으로 이루어지는 전자강판의 제조방법에 있어서, 상기 강슬래브가 Si:2.0 ∼ 8.0 wt%, Mn:0.005 ∼ 3.0wt%, Al:0.0010 ∼ 0.012 wt% 를 함유하고, 또한 Se, S, N, O 의 함유량을 각각 30 ppm 이하로 저감하여, 재결정소둔을 연속소둔으로 하는 것을 특징으로 하는 가공성과 자기특성이 양호한 전자강판의 제조방법이다. 또한, 최종 냉간압연전의 평균결정입경을 0.03 ∼ 0.20 ㎜ 로 하고, 최종 냉간압연을 압하율 : 55 ∼ 75% 의 범위에서 실시하며, 또한, 재결정소둔을 950 ∼ 1175 ℃ 의 온도영역에서 실시하는 것, 열연판소둔 및 중간소둔의 소둔온도를 800 ∼ 1050 ℃ 로 하는 것, 강슬래브의 Se, S, N 및 O 의 함유량의 총합을 65 ppm 이하로 하는 것, 강슬래브가 추가로 Ni:0.01 ∼ 1.50 wt% 를 함유하는 것, 강슬래브가 추가로 Sn:0.01 ∼ 0.50 wt%, Sb:0.005 ∼ 0.50wt%, Cu:0.01 ∼ 0.50 wt%, Mo:0.005 ∼ 0.50 wt% 및 Cr:0.01 ∼ 0.50 wt% 의 적어도 1 종류를 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 강슬래브를 가열하지 않고 열간압연에 제공하는 것, 용강으로부터의 직접주조법으로 얻어진 두께 : 100 ㎜ 이하의 박주편을 소재로 열간압연하는 것, 또는 이 박주편을 그대로 열연판 대신에 사용하는 것도 가능하다.

또, 연속소둔에 의한 재결정소둔을 실시하여 얻은 전자강판으로서, Si:2.0 ∼ 8.0 wt% 를 함유하고, 판두께가 0.15 ㎜ 이상, 평균입경이 0.15 ∼ 2.0 ㎜ 이며, 압연방향의 자속밀도가 B₈〉1.70T 인 가공성과 자기특성이 양호한 전자강판이다. 또한, Mn:0.005 ∼ 3.0 wt%, Al:0.0010 ∼ 0.012 wt% 를 함유하고, 또한 Se, S, N, O 가 30 ppm 이하인 것, Se, S, N, O 의 총량이 65 ppm 이하인 것, 및 Sn:0.01 ∼ 0.50 wt%, Sb:0.005∼0.50wt%, Cu:0.01 ∼ 0.50wt%, Mo:0.005 ∼ 0.50wt% 및 Cr:0.01 ∼ 0.50wt%의 적어도 1 종류를 함유하는 것이 바람직하다.

(바람직한 실시형태)

이하, 본 발명이 유래하기에 이른 실험결과에 대하여 설명한다.

(실험 1)

기본성분으로서, C:33 ppm, Mn:0.15 wt%, Si:3.3 wt%, Al:0.0050wt% 로 고정하고, 불순물에 대해서는 Se, S, N, O 양을 여러가지로 변화시킨 강괴를 다수 용제하였다. 또한, 변화시킨 불순물 이외의 불순물은 30 ppm 을 초과하지 않도록 하였다. 이들의 강괴를, 1100 ℃ 로 가열한 후, 열간압연에 의해 2.2 ㎜ 두께의 열연판으로 마무리하였다. 그 후, 냉간압연으로 0.85 ㎜ 의 중간두께로 마무리하여, 900 ℃, 60 초간의 중간소둔후, 2 회째의 냉간압연을 실시하여 0.35 ㎜ 의 최종판두께로 마무리하였다. 이어서, 연속소둔에 의해, 1000 ℃, 3 분간의 재결정소둔을 실시하였다.

소둔후의 재결정입경의 평균값은 각 강괴모두 약 0.25 ㎜ 이었다. 또, 강중에서의 각 불순물 원소량과 제품판 압연방향의 자속밀도 (B₈) 와의 관계에 대하여 조사한 결과를 도 1 에 나타냈다. 도 1 에 나타낸 바와 같이, Se, S, N, O 양이 각각 30 ppm 이하인 경우에 자속밀도는 1.70T 이상이 되었다.

(실험 2)

다음으로, 불순물 총량에 대하여 검토하였다. 실험 1 과 대략 동일한 조건에서, 변화시킨 불순물 이외의 불순물 총량이 35 ppm 을 초과하지 않도록 조정한 강괴를 사용하여 실험을 실시하였다.

얻어진 강판에 대하여, 재결정소둔후의 압연방향의 자속밀도를 측정하였다. 그 결과를 도 2 에 나타낸다. Se, S, N, O 의 함유량이 각각 30 ppm 이하가 되면, 자속밀도 (B₈) 는 1.75T 이상이 되었다. 또한, 중간소둔후의 평균재결정입경은, 각 강괴모두 약 0.10 ㎜ 이었다.

또한, 압연방향의 자속밀도 (B₈) 가 1.81T 인 제품에 대하여, 그 집합조직을 X 선으로 조사하였다. 그 조사결과를 도 3 에 나타낸 바와 같이, {110}＜1＞ 방위의 조직이 고도로 집적되어, 다른 방위성분이 전혀 존재하지 않는 것을 알 수 있다.

실험 1, 2 의 결과로부터, 소재를 고순도화함으로써, 단시간의 재결정소둔에 의해서도 {110}＜1＞ 방위의 조직을 발달시켜 압연방향의 자화특성을 향상시킬 수 있는 것이 판명되었다.

(실험 3)

또한, 발명자들은, 소재의 첨가원소에 대하여 검토를 실시하였는데, Ni 를 첨가함으로써, 제품의 자속밀도가 향상되는 것을 발견하였다.

C:22wtppm, Mn:0.12 wt%, Si:3.3wt% 및 Al:0.0040wt% 를 함유하는 강성분을 기본으로, 이 기본성분에 대하여 Ni 량을 여러가지로 변화시킨 강괴 (Se:5 ppm 이하, S:10ppm, N:9 ppm, O:11ppm) 를 용제하였다. 이들의 강괴를 1140 ℃ 로 가열하고, 열간압연하여 2.5 ㎜ 두께로 마무리한 후, 0.80 ㎜ 두께까지 냉간압연하여, 800 ℃ 에서 120 초간의 중간소둔을 실시하였다. 그 후, 냉간압연으로 0.26 ㎜ 두께로 마무리한 후, 1050 ℃ 에서 5 분간의 재결정소둔을 실시하였다. 최종 냉간압연전의 재결정 평균입경은 0.085 ∼ 0.095 ㎜ 이었다.

이렇게 하여 얻어진 강판에 대하여, 압연방향의 자속밀도를 측정하고, 결과를 도 4 에 나타냈다. Ni 를 적량 첨가함으로써 자속밀도를 향상시켰다.

여기에서, 자속밀도가 향상된 이유는 명확하지는 않지만, Ni 가 강자성체 원소인 것이 어떠한 형태로 자속밀도의 향상에 기여하고 있는 것으로 추정된다.

또한, Sn, Sb, Cu, Mo 및 Cr 의 어느 하나의 1 종 또는 2 종 이상의 첨가에 의해, 철손을 개선하는 경향도 보였다. 아마, 전기저항을 증가시킴으로써 철손이 저감된 것으로 추정된다.

(실험 4)

또, 본 발명자들은, 제품자기특성에 미치는 최종 냉간압연전의 입경과 최종냉간압연의 압하율의 영향에 대하여 검토하였다.

실험 3 과 동일한 소재 (Se:5ppm 이하, S:13ppm, N:12ppm, O:15ppm) 를 사용하여, 중간판두께와 중간소둔온도를 변경하여 최종냉간압연전의 결정입경을 변화시켰다. 최종 냉간압연으로 0.29 ㎜ 두께로 마무리한 후, 1100 ℃ 에서 5 분간의 재결정소둔을 실시하여, 제품의 자속밀도를 측정하였다. 결과를 도 5 에 나타냈다. 최종 냉간압연전의 입경이 0.03 ∼ 0.20 ㎜ 또한 최종 냉간압연의 압하율이 55 ∼ 75% 의 범위에서, B₈〉1.75T 의 양호한 자속밀도가 얻어졌다. 즉, 최종냉간압연전의 입경과 최종 냉간압연의 압하율이 제품의 자속밀도에 크게 영향을 주는 것을 알 수 있었다.

(실험 5)

또, 본 발명자들은, 가공성에 미치는 제품판의 평균결정입경의 영향에 대하여 검토하였다.

실험 1 과 동일한 공정으로 냉간압연까지 실시하여, 판두께 : 0.23 ㎜ 로 마무리하여, 냉간압연후의 재결정소둔조건을 변경함으로써, 제품 결정입경을 여러가지로 변화시켜, 가공성에 대하여 조사하였다. 또한, 가공성은, 직경:5 ㎜ 의 펀치에 의한 펀칭을 100 포인트 실시하여, 구멍주위의 균열, 주름의 발생율로 평가하였다. 얻어진 결과를 도 6 에 나타냈다.

도 6 에 나타낸 바와 같이, 평균입경이 약 2 ㎜ 이하의 범위에서 균열이나 주름의 발생율이 저하되는 것이 보였다.

그러나, 전자강판을 가공후에 사용하는 경우에는, 응력제거소둔을 실시하여 가공에 의한 변형을 제거하여 자기특성을 회복시키는 경우가 있다. 따라서, 가공성을 중시하는 용도에서도, 응력제거소둔후의 자기특성의 변화에 주의를 할 필요가 있다.

따라서, 이 실험에서 얻어진 결정입경이 여러가지로 다른 시료를 전단가공하여, 800℃ 에서 2 시간의 응력제거소둔을 실시한 후의 철손의 변화에 대하여 조사하였다. 결과를 도 7 에 나타냈다. 응력제거소둔 전후에서의 철손의 변화량에 미치는 제품판의 평균결정입경의 영향으로 나타내고 있다.

도 7 에서 명확한 바와 같이, 결정입경이 큰 경우에는, 소둔에 의해 전단변형이 제거되어 철손이 향상되어 있다. 그러나, 결정입경이 0.15 ㎜ 미만인 경우에는 철손이 급격하게 열화되었다. 결정입경이 0.15 ㎜ 미만인 경우에는, 자속밀도에 대해서도 동일하게 소둔전보다 저하되었다.

또, 철손이 열화된 경우의 결정조직을 조사한 바, 전단가공부에서 입자성장이 일어나 거칠게 성장되었다.

그 이유는, 아마 결정입경이 작은 경우에는, 입자성장의 구동력이 남아 있기 때문에, 가공부로부터 방위가 나쁜 결정입자가 거칠게 성장한 것으로 추정된다.

이와 같이, 제품판의 입경은 0.15 ㎜ 이상이 아니면, 응력제거소둔후에 자기특성의 열화가 발생한다는 것을 알 수 있었다.

본 발명에 의한 전자강판의 평균결정입경은 0.15 ∼ 2.0 ㎜ 정도로, 종래의 인히비터를 사용하여 2차 재결정시켜 제조하는 방향성 전자강판의 입경, 3.0 ∼ 30 ㎜ 정도와 비교하여 미세하다. 이 입경이 미세한 것은, 펀칭이나 천공 등의 가공성을 개선하는데 유리하다. 즉, 본 발명에 따라 연속소둔으로 {110}＜1＞ 방위조직을 발달시키면, 종래의 인히비터를 사용하여 2 차 재결정시켜 제조하는 기술에 비하여, 가공성이 우수한 제품이 제조된다.

이상의 실험결과에 근거하여, 인히비터를 함유하지 않은 소재를 사용하여 연속소둔에 의해, {110}＜1＞ 방위의 조직이 고도로 발달하여, 미세결정입자를 갖는, 가공성이 양호한 전자강판을 제조하는 방법이 완성된 것이다.

또한, 본 기술에서는, 단시간의 연속소둔에 의해 {110}＜1＞ 조직을 발달시켜 얻으므로, 종래의 방향성 전자강판과는 다르게, 포스테라이트 피막이 없는 청정한 표면을 갖고 있다. 따라서, 금형에 의한 펀칭가공이 용이하다는 이점이 있다.

이상의 실험결과에 근거하여, {110}＜1＞ 조직이 고도로 발달된, 평균입경이 0.15 ∼ 2.0 ㎜ 인 미세결정조직을 갖고, 또한 압연방향의 자속밀도가 B₈〉1.70T 를 만족하는 가공성 및 자기특성이 양호한 전자강판을 개발한 것이다.

본 발명에 따라, 인히비터를 사용하지 않은 고순도 성분계의 소재를 사용하여, 어느 특정한 조건으로 제조함으로써, 재결정후에 고도로 {110}＜1＞ 이 발달하는 조직이 얻어지는 이유에 대한 발명자들의 생각을, 인히비터를 사용하는 종래의 경우와 비교하여 이하에 서술한다.

본 발명자들은, 재결정시에 있어서의 {110}＜1＞ 조직의 발달과정을 상세하게 조사한 바, 재결정완료시에는 {110}＜1＞ 조직은 충분히 발달되어 있지 않고, 재결정완료후의 입자성장단계에서 {110}＜1＞ 이 우선적으로 성장하는 것을 발견하였다.

이와 같은 {110}＜1＞ 입자의 우선성장에 대해서는, 인히비터의 존재하에서의 2 차 재결정에 유사한 입자성장이 일어나고 있는 것으로 생각된다.

본 발명자들은, 지금까지, 인히비터의 존재하에 있어서 {110}＜1＞ 입자가 2차 재결정하는 원인에 대하여 연구를 거듭해 왔다. 그 결과, 1차 재결정조직에서의 방위차각이 20 ∼ 45 °인 입계가 중요한 역할을 하고 있는 것을 발견하고, 보고하였다 (Acta Material vol.45(1997),P85). 방향성 전자강판의 2차 재결정직전의 상태인 1차 재결정조직을 해석하여, 여러가지의 결정방위를 갖는 각각의 결정입자 주위의 입계에 대하여, 입계방위차각이 20 ∼ 45도인 입계의 전체에 대한 비율 (%) 을 조사한 결과를 도 8 에 나타냈다. 도 8 에서, 결정방위공간은 오일러각 (φ₁, φ, φ₂) 의 φ₂= 45°단면을 사용하여 표시하고 있고, 고스방위 등 주된 방위를 모식적으로 표시하고 있다. 도 8 에 의하면 고스방위입자 주위에 있어서, 방위차각이 20 ∼ 45° 인 입계의 존재빈도가 가장 높은 (약 80%) 것을 알 수 있다.

C.G. Dunn 등에 의한 실험데이터 (AIME Transaction vol.188(1949),P368) 에 의하면, 방위차각이 20 ∼ 45° 의 입계는 고에너지입계이다. 이 고에너지입계는 입계내의 자유공간이 크게 난잡한 구조를 갖고 있기 때문에, 원자는 이동하기 쉽다. 다시말하면, 고에너지 입계의 것이, 입계를 통하여 원자가 이동하는 과정인 입계확산은 빠르다.

그러나, 2차 재결정은, 인히비터라 불리는 석출물의 확산율속에 의한 성장에 따라 발현하는 것이 알려져 있다. 그리고, 고에너지 입계상의 석출물은, 마무리소둔중에 우선적으로 조대화가 진행된다. 또한, 입계이동을 억제하는 힘, 소위 "핀 고정력 (pinning force) " 은 석출물 입경에 반비례한다. 이 때문에, 고에너지 입계가 우선적으로 입계이동을 개시하여, 고스입자가 성장하는 것이다.

AlN, MnSe, MnS, CuS 등의 인히비터를 사용하여 2 차 재결정시키기 위해서는, Al, B, Se, S 및 이들과 결합하는 N, Mn, Cu 를 적정량 함유시키고, 또한 인히비터를 미세하게 분산시킬 필요가 있다. 이를 위해서는, 공정조건, 특히 열연공정에 세심한 주의를 할 필요가 있다. 공정조건이 충족되지않은 경우에는, 2차 재결정입자가 일어나지 않고, 정상 입자성장이 발생하지만, 그 때에는, {110}＜1＞ 조직이 발달하지 않는 것이 잘 알려져 있다.

강중에 존재하는 Al, Se 등은, 입계, 특히 구조가 난잡한 에너지가 높은 입계에 편석되기 쉽다. Al, Si, S 및 이들과 결합하는 N, Mn, Cu 가 동시에 적정량 함유되어 있지 않은 경우, 또는 미세하게 석출물이 분산되어 있지 않은 경우에는, Se, S, N 의 편석효과의 것이 석출물에 의한 방위선택기구보다도 영향이 커진다. 그 결과, 고에너지 입계와 다른 입계의 이동속도에 차이가 없어진다고 생각된다.

소재의 고순도화에 의해, 이와 같은 불순물원소, 특히 Se, S, N, O 의 영향을 배제해주면, 고에너지입계의 구조에 의존하는 본래적인 이동속도차가 현재화하고, 또, 입계 이동속도도 소재의 고순도화에 의해 증대된다. 따라서, 인히비터성분을 함유하지 않은 고순도 성분계에서도, 재결정완료후의 입자성장 과정에서 {110}＜1＞ 입자가 우선적으로 성장하는 것으로 추정된다.

또, 본 발명에서는, Al 을 적량 함유시킴으로써, 재결정완료후의 입자성장 과정에서 양호하게 {110}＜1＞ 입자가 발달하여, 자기특성이 향상된다. 또한, 본 발명에서는, N 을 가능한한 저감시키므로, AlN 을 인히비터로 사용하여 2차 재결정을 이용하는 종래법과는 기술내용이 근본적으로 다르다.

이와 같은 Al 에 의한 자기특성향상의 이유는 명확하지는 않지만, 미량 Al 이 강중에 미량으로 잔류하는 O 를 고정하여 매트릭스를 청정하게 하는 작용, 또는 표층에 치밀한 산화층을 형성하여 재결정소둔시에 질화를 억제하는 작용이 유효하게 작용하는 것으로 추정된다.

또, 본 발명은, 연속소둔으로 전자강판을 제조하는 기술인데, 이 제조방법은, 종래의 연속소둔에 의한 방향성 전자강판의 제조방법과는, 그 내용이 크게 다르다.

즉, 종래의 연속소둔에 의한 방향성 전자강판의 제조기술은, 특공소 48-3929 호 공보, 특공소 62-31050 호 공보, 및 특개평 5-70833 호 공보에 개시되어 있는 바와 같이, AlN, MnS, MnSe 등의 인히비터를 사용하여 단시간에 2차 재결정시키는 기술이다.

그러나, 인히비터 성분은 연속소둔에 의한 단시간 소둔으로는 제거할 수 없으므로, 제품판중에 잔류한다. 인히비터 성분, 특히 Se, S 가 강중에 잔류하고 있으면, 자벽의 이동을 방해하므로, 철손특성에 악영향을 미친다. 특히 이들의 원소는 취화원소이기도 하므로, 제품의 2차 가공성도 저하시킨다. 따라서, 인히비터를 사용하는 한, 연속소둔으로는 양호한 자기특성과 가공성은 얻을 수 없다.

이에 대하여, 본 발명에서는, 인히비터 성분의 함유를 매우 저감시키고 있으므로, 연속소둔에 의해서도 자기특성 및 가공성이 우수한 전자강판을 얻을 수 있다.

다음으로, 본 발명의 전자강판의 제조방법에 있어서, 용강의 성분조성 및 제조조건을 상기의 범위로 한정한 이유에 대하여 설명한다.

Si : 2.0 ∼ 8.0 wt%

Si 가 2.0wt% 미만이면 γ변태를 발생시켜, 열연조직이 크게 변화한다. 또, 최종냉간압연후의 재결정소둔에 있어서, 고온에서 통판(通板)할 수 없으므로, 양호한 자기특성을 얻을 수 없다. 또한, 8 wt% 를 초과하면 제품의 2차 가공성이 악화되고, 또한 포화 자속밀도도 저하된다. 따라서, Si 량은 2.0 ∼ 8.0 wt% 의 범위로 한다.

Mn : 0.005 ∼ 3.0 wt%

Mn 은 열간가공성을 양호하게 하기 위해 필요한 원소이다. 함유량이 0.005wt% 미만에서는 그 첨가효과가 부족하다. 또한 3.0 wt% 를 초과하면 냉간가공이 곤란해진다. 따라서, Mn 량은 0.005 ∼ 3.0 wt% 의 범위로 한다.

Al : 0.0010 ∼ 0.012 wt%

Al 을 적량 함유시키면, 재결정 완료후의 입자성장 과정에 있어서 {110}＜1＞ 입자가 양호하게 발달한다. 함유량이 0.0010 wt% 미만이면 {110}＜1＞ 방위의 강도가 저하되어 자속밀도가 저하된다. 또한 Al 이 0.012 wt% 를 초과하면, 재결정시의 입자성장이 억제되어 철손이 열화된다. 따라서, Al 량은 0.0010 ∼ 0.012 wt% 의 범위로 하였다.

Se, S, N, O : 30 ppm 이하,

Se, S, N, O 는 모두 {110}＜1＞ 입자의 우선성장에 대하여 유해할 뿐만아니라, 지철중에 잔존하여 철손을 열화시키므로, 모두 30 ppm 이하로 저감하는 것이 중요하다. 또한, 자속밀도 향상을 위해서는, 총량 65 ppm 이하로 하는 것이 바람직하다.

또한, C 는 제품이 자기시효를 일으키지 않도록, 50 ppm 이하까지 저감하는 것이 바람직하다.

또한, 자속밀도를 향상시키기 위해서는, Ni 를 첨가할 수 있다. 첨가량이 0.01 wt% 미만이면 자기특성의 향상량이 작다. 또한 1.50 wt% 를 초과하면 {110}＜1＞ 조직의 발달이 불충분하여 자기특성이 열화된다. 따라서, 0.01 ∼ 1.50 wt% 의 첨가가 바람직하다.

또, 철손을 향상시키기 위해, Sn:0.01 ∼ 0.50 wt%, Sb:0.005 ∼ 0.50wt%, Cu:0.01 ∼ 0.50wt%, Mo:0.005 ∼ 0.50wt%, Cr:0.01 ∼ 0.50wt% 를 첨가하는 것이 유효하다. 이 범위보다 첨가량이 적은 경우에는, 철손개선효과가 없다. 이 범위보다 첨가량이 많은 경우에는, {110}＜1＞ 조직이 발달하지 않게 되어, 철손이 열화된다.

적합한 성분으로 조정한 용강을, 통상의 조괴법 또는 연속주조법으로 슬래브로 한다. 그 외, 100 ㎜ 이하의 두께의 박주편을 직접주조법으로 제조하여도 된다.

이와 같은 슬래브는, 통상, 슬래브가열후, 열간압연에 제공하지만, 주조후 가열을 하지 않고 바로 열간압연에 제공하여도 된다. 또, 특히 박주편의 경우에는, 열간압연하여도 되고, 열간압연을 생략하여 그대로 이후의 공정으로 진행하여도 된다.

슬래브 가열온도에 대해서는, 소재중에 인히비터 성분을 함유하지 않으므로, 열간압연이 가능한 최저한의 온도인 1100℃ 정도로 충분하다.

열간압연후, 필요에 따라 열연판소둔을 실시한 후, 1 회 또는 중간소둔을 사이에 두는 2 회 이상의 냉간압연을 실시하여, 최종 판두께의 냉연판으로 한다. 이 냉연판에, 연속소둔에 의한 재결정소둔을 실시하여, 그후 필요에 따라, 무기, 반유기 또는 유기계 코팅을 실시하여 제품으로 한다.

열연판소둔이나 중간소둔은, 자기특성의 향상 및 안정화를 도모하는데 유용한 처리이지만, 어느 것이나 생산비용을 상승시키게 되므로, 경제적 관점으로부터 취사선택이 결정된다.

여기에, 열연판소둔 및 중간소둔의 소둔온도는, 800 ∼ 1050 ℃ 로 할 필요가 있다. 그것은, 소둔온도가 800 ℃ 미만이면 소둔시에 재결정이 충분히 진행되지 않기 때문이다. 또한 1050℃ 를 초과하면 {110}＜1＞ 조직의 발달이 저해된다.

본 발명에서는, 최종 냉간압연전의 평균결정입경을 0.03 ∼ 0.20 ㎜ 로 하는 것이 중요하다. 이 범위를 벗어난 입경의 경우, 재결정소둔후의 {110}＜1＞ 조직의 발달이 불충분해진다.

여기에서, 최종 냉간압연전의 평균결정입경을 0.03 ∼ 0.20 ㎜ 로 하기 위해서는, 최종냉연전에서의 소둔온도와 소둔시간을 제어하는 것 등의 수단이 유리하게 적합하다. 또한, 열간압연후의 입경은, 열연전의가열온도, 마무리 압연온도 및 압하율을 변경함으로써 제어할 수 있다.

또, 최종 냉연에서의 압하율은 55 ∼ 75% 로 할 필요가 있다. 그것은, 압하율이 이 범위외에서는 {110}＜1＞ 조직의 발달이 불충분해져, 만족할만한 자기특성의 향상을 기대할 수 없기 때문이다.

또한, 최종 냉간압연후의 연속소둔에 의한 재결정소둔을 950 ∼ 1175 ℃ 에서 실시한다. 연속소둔에 의한 재결정 소둔온도가 950 ℃ 미만이면, 재결정소둔후의 {110}＜1＞ 조직의 발달이 불충분해져 자기특성이 열화된다. 또한, 1175 ℃ 를 초과하면 강판의 기계강도가 저하되어, 소둔시에 크리프 변형을 일으켜 통판이 곤란해진다. 따라서, 재결정소둔은 950 ∼ 1175 ℃ 에서 실시한다. 소둔시간은 30 ∼ 300 초 정도로 하는 것이 적합하다. 또한, 연속소둔에서는, 재료의 결정입경을 임의로 변경할 수 있는 이점이 있을 뿐만아니라, 강판표면에 포스테라이트 피막이 형성되지 않으므로, 펀칭 가공성의 점에서도 유리하다.

또한, 최종냉간압연후, 또는 재결정소둔후에, 침규법으로 강판표면의 Si 량을 증가시키는 기술을 병용하여도 된다.

또, 강판을 적층하여 사용하는 경우에는, 철손을 개선하기 위해, 강판표면에 절연 코팅을 실시하는 것이 유효하다. 이 목적을 위해서는 2 종류 이상의 피막으로 이루어지는 다층막이어도 된다. 또, 용도에 따라서는, 수지 등을 혼합시킨 코팅을 사용하여도 된다.

다음으로, 전자강판의 두께에 대해서는, 판두께가 0.15 ㎜ 미만이면 핸들링이 곤란할 뿐만아니라, 소재의 강성이 저하되어 펀칭가공성이 열화되므로, 가공성을 양호하게 유지하기 위해서는 0.15 ㎜ 이상의 판두께로 하는 것이 필요하다.

또, 전자강판의 평균입경이 0.15 ㎜ 미만이면, 도 7 에 나타낸 바와 같이, 가공후의 응력제거소둔시에 자기특성이 열화된다. 또한, 2.0 ㎜ 를 초과하면, 도 6 에 나타낸 바와 같이, 양호한 가공성을 얻을 수 없으므로, 평균입경은 0.15 ∼ 2.0 ㎜ 의 범위로 제한된다.

또한, 압연방향의 자속밀도는, 이 전자강판이 트랜스재 또는 자기실드재로 사용되는 경우에는, B₈〉1.70T인 것이 요청되고 있기 때문에, 이 범위에 한정된다. 또한, 사용되는 전기기기의 동작효율의 면에서는, B₈〉1.75T 인 것이 더욱 바람직하다.

실시예 1

C:30ppm, Si:3.20 중량%, Mn:0.10 중량% 및 Al:0.0034 중량% 를 함유하고, Se〈 5ppm, S:20ppm, N:6ppm 및 O:10ppm 으로 억제하고, 잔부는 실질적으로 Fe 의 조성으로 이루어지는 슬래브를 연속주조로 제조하였다. 다음으로, 이 슬래브를 1150 ℃ 에서 20 분간 가열한 후, 열간압연으로 2.0 ㎜ 두께로 마무리하였다. 그 후, 열연판소둔을 1000℃ 에서 60초의 조건으로 실시한 후, 표 1 에 나타낸 조건으로, 냉간압연, 중간소둔, 또한 냉간압연을 실시하여 0.35 ㎜ 의 최종판두께로 마무리하였다. 중간소둔후의 최종냉간압연전의 평균입경을 측정한 결과를 표 1 에 나타낸다.

이어서, 수소분위기에서 표 1 에 나타낸 조건으로 재결정소둔을 실시한 후, 중크롬산 알루미늄, 에멀젼수지, 에틸렌글리콜을 혼합한 코팅액을 도포하여 300℃ 로 베이킹하여 제품으로 하였다. 이렇게 하여 얻어진 제품판의 자기특성 및 가공성에 대하여 조사한 결과를 표 1 에 병기한다. 또한, 가공성은 직경 5 ㎜ 의 드릴에 의한 천공을 100 포인트 실시하여, 구멍 주위의 주름, 균열의 발생율을 조사함으로써 평가하였다.

표 1 로부터, 최종 냉간압연전의 평균결정입경을 0.03 ∼ 0.20 ㎜ 또한 최종 냉간압연의 압하율을 55 ∼ 75% 의 범위로 제조한 제품판은, 연속소둔에 의해 양호한 자속밀도가 얻어지고, 또 양호한 가공성도 얻을 수 있음을 알 수 있다.

실시예 2

표 2 에 나타낸 성분조성의 슬래브를 연속주조로 제조하였다. 그리고, 이 슬래브를 가열하지 않고, 연속주조후에 바로 열간압연을 실시하여 4.0 ㎜ 두께로 마무리한 후, 1170℃ 에서 20분간 가열한 후, 열간압연으로 2.6 ㎜ 두께로 마무리하였다. 이어서, 열연판소둔을 900℃ 에서 30 초의 조건으로 실시한 후, 냉간압연으로 0.60 ㎜ 의 중간판두께로 마무리하였다. 그 후, 850℃ 에서 30 초의 중간소둔을 실시한 후 냉간압연으로 0.23 ㎜ 의 최종판두께로 마무리하였다. 계속해서, 질소분위기에서 1000 ℃ 에서 180 초간의 재결정소둔을 실시한 후, 인산알루미늄, 중크롬산칼륨, 붕산을 혼합한 코팅액을 도포하여 300 ℃ 로 베이킹하여 제품으로 하였다.

이렇게 하여 얻어진 제품판의 자기특성 및 가공성에 대해서 조사한 결과를 표 2 에 병기한다.

표 2 로부터, Se, S, N, O 의 함유량을 각 30 ppm 이하로 저감한 용강을 사용함으로써, 연속소둔에 의해 자속밀도 B₈〉1.75T 의 제품이 얻어지는 것을 알 수 있다.

실시예 3

C:20ppm, Si:3.25 중량%, Mn:0.14 중량% 및 Al:0.005 중량% 를 함유하고, Se〈 5ppm, S:10ppm, N:10ppm 및 O:15ppm 으로 억제하고, 잔부가 실질적으로 Fe 의 조성이 되는, 판두께 4.5 ㎜ 의 박주편을 연속주조로 직접 제조하였다. 이 주편에 열연판소둔을 표 3 에 나타낸 조건으로 실시하여, 평균결정입경을 측정한 후, 냉간압연으로 1.2 ㎜ 의 최종판두께로 마무리하였다. 이 때의 최종냉연 압하율은 73.3% 이다. 이어서, Ar 분위기에서 1000 ℃ 로 5 분간의 재결정소둔을 실시하여 제품으로 하였다. 이렇게 하여 얻어진 제품판의 자기특성에 대하여 조사한 결과를 표 3 에 병기한다.

표 3 으로부터, 최종 냉간압연전의 평균결정입경이 0.03 ∼ 0.20 ㎜ 의 범위에서 투자율이 높은 제품이 연속소둔으로 얻어지는 것을 알 수 있다.

실시예 4

C:30ppm, Si:3.20 wt%, Mn:0.05 wt% 및 Al:0.0030 wt% 를 함유하고, 잔부는 실질적으로 Fe 의 조성이 되는 슬래브를 연속주조로 제조하였다. 이어서, 이 슬래브를 1150 ℃ 에서 20 분간 가열한 후, 열간압연으로 2.0 ㎜ 두께의 열연판으로 마무리하였다. 이어서, 1000℃, 60초의 열연판소둔후, 냉간압연으로 0.90 ㎜ 의 중간판두께로 마무리한 후, 850℃, 60 초의 중간소둔을 실시하여, 그 후 2 회째의 냉간압연으로 0.35 ㎜ 의 최종 판두께로 마무리하였다 (최종냉연에서의 압하율 : 61.1%).

이어서, 수소분위기에서 표 4 에 나타낸 조건하에서 재결정소둔을 실시한 후, 중크롬산 알루미늄, 에멀젼수지, 에틸렌글리콜을 혼합한 코팅액을 도포하여 300℃ 로 베이킹하여 제품으로 하였다.

이렇게 하여 얻어진 제품판의 평균입경, 자속밀도, 철손 및 가공성에 대하여 조사한 결과를 표 4 에 병기한다.

또한, 가공성은 직경:5 ㎜ 의 펀치에 의한 펀칭을 100 포인트 실시하여, 구멍 주위의 주름, 균열의 발생율로 평가하였다.

동표에 나타낸 바와 같이, 평균입경이 0.15 ∼ 2.0 ㎜ 의 범위에서, 양호한 가공성과 함께, 압연방향의 자속밀도가 B₈〉1.70T 를 만족하는 양호한 자기특성이 얻어지고 있다.

실시예 5

표 5 에 나타내는 성분조성이 되는 강슬래브를 연속주조로 제조하여, 그대로 가열하지 않고, 열간압연으로 2.0 ㎜ 두께로 마무리하였다. 이어서, 900℃, 30 초간의 열연판소둔후, 냉간압연으로 0.60 ㎜ 의 중간판두께로 마무리한 후, 900 ℃, 30 초의 중간소둔을 실시한 후, 2 회째의 냉간압연으로 0.20 ㎜ 의 최종판두께로 마무리하였다 (최종 냉연에서의 압하율 : 66.6%).

이어서, 질소분위기에서 1000 ℃, 180 초간의 재결정소둔을 실시한 후, 인산알루미늄, 중크롬산칼륨, 붕산을 혼합한 코팅액을 도포하고, 300 ℃ 에서 베이킹하여 제품으로 하였다.

이렇게 하여 얻어진 제품판의 평균입경, 자속밀도, 철손 및 가공성에 대하여 조사한 결과를 표 5 에 병기한다.

또한, 가공성의 평가방법은 실시예 4 와 동일하다.

동표에 나타낸 바와 같이, Se, S, N, O 의 함유량을 각각 30 ppm 이하로 저감함으로써, 평균입경이 0.15 ∼ 2.0 ㎜ 의 범위에서, 양호한 가공성 및 자기특성을 갖는 제품이 얻어지고 있다.

실시예 6

C:30ppm, Si:3.20 wt%, Mn:0.07 wt% 및 Al:0.0050 wt% 를 함유하고, 잔부는 실질적으로 Fe 의 조성이 되는 8 ㎜ 두께의 박주편으로 제조하여, 그대로 가열하지 않고 열간압연으로 2.0 ㎜ 로 마무리하였다. 이어서, 1000 ℃, 60 초의 열연판소둔후, 냉간압연으로 0.90 ㎜ 의 최종판두께로 마무리하였다 (최종냉연에서의 압하율 : 55.0%). 이어서, Ar 분위기에서 표 6 에 나타낸 조건하에서 재결정소둔을 실시한 후, 제품으로 하였다.

이렇게 하여 얻어진 제품판의 평균입경, 자속밀도, 철손 및 가공성에 대하여 조사한 결과를 표 6 에 병기한다.

또한, 가공성은, 직경 : 5 ㎜ 의 드릴에 의한 천공을 100 포인트 실시하여, 구멍주위의 균열, 주름의 발생율로 평가하였다.

동표로부터 명확한 바와 같이, 본 발명의 요건을 만족하는 경우에는, 양호한 가공성 및 자기특성이 얻어지고 있다.

이렇게 하여, 본 발명에 의하면, 인히비터를 함유하지 않은 고순도재를 소재로 하여, 소정의 조건으로 냉연판으로 한 후, 연속소둔에 의한 재결정소둔을 실시함으로써, {110}＜1＞ 조직을 효과적으로 발달시킬 수 있다. 그 결과, 평균입경이 0.15 ∼ 2.0 ㎜ 로, 또한, 압연방향의 자속밀도가 B₈〉1.70T 를 만족하는 가공성과 자기특성이 우수한 전자강판을 안정적으로 얻을 수 있었다.

Claims

강슬래브를 열간압연하고, 필요에 따라 열연판소둔을 실시한 후, 1 회 또는 중간소둔을 사이에 두는 2 회 이상의 냉간압연을 실시하여 최종판두께로 하고, 이어서 재결정소둔을 실시하고, 필요에 따라 절연코팅을 실시하는 일련의 공정으로 이루어지는 전자강판의 제조방법에 있어서, 상기 강슬래브가 Si : 2.0 ∼ 8.0 wt%, Mn : 0.005 ∼ 3.0 wt%, Al : 0.0010 ∼ 0.012 wt% 를 함유하고, 또한 Se, S, N, O 의 함유량을 각각 30 ppm 이하로 저감하여, 재결정소둔을 연속소둔으로 하는 것을 특징으로 하는 가공성과 자기특성이 양호한 전자강판의 제조방법.
제 1 항에 있어서, 최종 냉간압연전의 평균결정입경을 0.03 ∼ 0.20 ㎜ 로 하고, 최종 냉간압연을 압하율 : 55 ∼ 75% 의 범위에서 실시하고, 또한, 재결정소둔을 950 ∼ 1175 ℃ 의 온도영역에서 실시하는 것을 특징으로 하는 가공성과 자기특성이 양호한 전자강판의 제조방법.
제 1 항에 있어서, 열연판소둔 및 중간소둔의 소둔온도를 800 ∼ 1050 ℃ 로 하는 것을 특징으로 하는 가공성과 자기특성이 양호한 전자강판의 제조방법.
제 1 항에 있어서, 강슬래브의 Se, S, N 및 O 의 함유량의 총합을 65 ppm 이하로 하는 것을 특징으로 하는 가공성과 자기특성이 양호한 전자강판의 제조방법.
제 1 항에 있어서, 강슬래브가 추가로 Ni : 0.01 ∼ 1.50 wt% 를 함유하는 것을 특징으로 하는 가공성과 자기특성이 양호한 전자강판의 제조방법.
제 1 항에 있어서, 강슬래브가 추가로 Sn : 0.01 ∼ 0.50 wt%, Sb : 0.005 ∼ 0.50 wt%, Cu : 0.01 ∼ 0.50 wt%, Mo : 0.005 ∼ 0.50 wt% 및 Cr : 0.01 ∼ 0.50 wt% 의 적어도 1 종류를 함유하는 것을 특징으로 하는 가공성과 자기특성이 양호한 전자강판의 제조방법.
제 1 항에 있어서, 강슬래브를 가열하지 않고 열간압연에 제공하는 것을 특징으로 하는 가공성과 자기특성이 양호한 전자강판의 제조방법.
제 1 항에 있어서, 용강으로부터의 직접주조법으로 얻어진 두께 : 100 ㎜ 이하의 박주편을 소재로 열간압연하는 것, 또는 이 박주편을 그대로 열연판 대신에 사용하는 것을 특징으로 하는 가공성과 자기특성이 양호한 전자강판의 제조방법.
연속소둔에 의한 재결정소둔을 실시하여 얻은 전자강판으로서, Si : 2.0 ∼ 8.0 wt% 를 함유하고, 판두께가 0.15 ㎜ 이상, 평균입경이 0.15 ∼ 2.0 ㎜ 이며, 압연방향의 자속밀도가 B₈〉1.70T 인 가공성과 자기특성이 양호한 전자강판.
제 9 항에 있어서, 추가로 Mn : 0.005 ∼ 3.0 wt%, Al : 0.0010 ∼ 0.012 wt% 를 함유하고, 또한 Se, S, N, O 가 30 ppm 이하인 가공성과 자기특성이 양호한 전자강판.
제 10 항에 있어서, Se, S, N, O 의 총량이 65 ppm 이하이고, 압연방향의 자속밀도가 B₈〉1.75T 인 가공성과 자기특성이 양호한 전자강판.
제 9 항에 있어서, 추가로 Ni : 0.01 ∼ 1.50 wt% 를 함유하는 가공성과 자기특성이 양호한 전자강판.
제 9 항에 있어서, 추가로 Sn : 0.01 ∼ 0.50 wt%, Sb : 0.005 ∼ 0.50 wt%, Cu : 0.01 ∼ 0.50 wt%, Mo : 0.005 ∼ 0.50 wt% 및 Cr : 0.01 ∼ 0.50 wt% 의 적어도 1 종류를 함유하는 가공성과 자기특성이 양호한 전자강판.