KR20000023452A

KR20000023452A - 액정 표시 장치의 제조 방법

Info

Publication number: KR20000023452A
Application number: KR1019990041255A
Authority: KR
Inventors: 쯔다가즈히꼬; 이시즈까가즈히로; 오가미히로유끼
Original assignee: 마찌다 가쯔히꼬; 샤프 가부시키가이샤
Priority date: 1998-09-28
Filing date: 1999-09-27
Publication date: 2000-04-25
Also published as: KR100306546B1; US7106400B1

Abstract

본 발명의 목적은 우수한 반사 특성을 갖는 반사판을 재현성 좋게 용이하게 제조할 수 있는 표시 품질이 좋은 액정 표시 장치를 제조하는 방법을 제공하는 것이다. 네가티브 또는 포지티브 감광성 수지를 기판에 도포하고, 도포된 감광성 수지의 제1 영역에 그 제1영역의 감광성 수지가 다른 막 두께로 남도록 여러 가지 노출량으로 제1영역을 노출시키는 것에 의해 요철을 형성하고, 도포된 감광성 수지의 제2영역에 그 제2영역의 감광성 수지가 제1 영역보다 적은 두께로 남도록 제1 영역과는 다른 노출량으로 제2영역을 노출시키는 것에 의해 오목부를 형성한다.

Description

액정 표시 장치의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS}

본 발명은 외부 입사광(externally incident light)을 반사하는 것에 의해 표시를 실행하는 액정 표시 장치(liquid crystal display apparatus)를 제조하는 방법에 관한 것이다.

근년, 워드 프로세서, 랩톱 퍼스널 컴퓨터, 포킷 텔레비전 등에 이르는 액정 표시 장치의 응용분야는 급속히 진전되고 있다. 액정 표시 장치 중에서, 외부 입사광을 반사하는 것에 의해 표시를 실행하는 반사형 액정 표시 장치가 관심을 끌고 있는 데, 그 이유는 반사형 액정 표시 장치는 백라이트가 필요없으므로 전력 소비가 낮고, 박형이며, 또한 무게를 줄일 수 있기 때문이다,

그러나, 종래 반사형 액정 표시 장치에서는 표시의 밝기 및 콘트라스트가 주위 밝기 또는 사용 상태 등의 사용 환경에 좌우된다. 따라서, 현재로선 우수한 반사 특성을 갖고, 재현성 좋게 용이하게 제조가 가능하며, 표시 품질이 높은 반사형 액정 표시 장치의 실현에 기대가 모아지고 있다.

일본 미심사 특허공보 JP-A 6-75238(1994)는 반사형 액정 표시 장치의 표시 품질을 향상시키기 위해 반사 전극에 랜덤한 고밀도의 요철(asperities)을 형성하는 기술을 기재하고 있다.

이것에 따르면, 반사 전극에 미세 요철을 추가하기 위한 수지층은 랜덤한 요철로 패터닝된 제1감광성 수지층 및 더 완만한 요철을 만들기 위한 제2감광성 수지층을 포함하고, 제1감광성 수지층을 패터닝하기 위한 마스크에는 원형의 차광부(light intercepting portions)가 랜덤하게 배치되며, 차광부의 전체 면적은 반사판 면적의 40 %이상이다.

상술한 바와 같이 래덤성(randomness)을 높이는 것에 의해, 반복 패턴에 의한 간섭이 방지되고, 반사광이 착색되는 것이 방지되며, 요철의 밀도를 높이는 것에 의해, 평탄부의 면적이 줄어듦으로써, 규칙적 반사 성분이 줄어들게 된다.

또한, 일본 미심사 특허공보 JP-A 9-90426(1997)는 반사형 액정 표시 장치의 제조 공정을 줄이기 위해 포지티브 감광성 수지의 한 층만을 사용하여 요철 형성 패턴과 콘택트 홀을 동시에 노출시키는 기술을 기재하고 있다.

이 특허 공보에 기재된 반사형 액정 표시 장치를 제조하는 방법을 이하 개략적으로 설명한다.

도 22는 상술한 특허 공보에 기재된 제조 방법에 의해 형성된 반사형 액정 표시 장치의 구조를 도시한 단면도이다. 도 23a 내지 도 23e는 그 제조 공정의 흐름을 설명하는 단면도이다.

도 22에 도시한 바와 같이, 상술한 특허 공보에 기재된 반사형 액정 표시 장치에 있어서, 액정 구동 장치(124)가 형성되어 있는 기판은 반사 기판(123)으로서 사용되고, 반사 기판(123) 상에 배치된 알루미늄 화소 전극(110), 그것에 대향하는 투명 전극(112), 이 투명 전극(112)를 지지하는 색 필터 기판(125), 그들사이에 끼워져 있는 액정(111), (액정에 대향하지 않는 기판쪽) 색 필터 기판(125) 상에 배치된 위상차판(115), 및 위상차판(115) 상에 배치된 분광판(116)이 마련되어 있다.

반사 기판(123)에는 액정 구동 장치(124)로서 글라스 기판(101)에 비정질 실리콘 트랜지스터가 형성되어 있다. 도 22에 도시한 바와 같이, 액정 구동 장치(124)는 글라스 기판(101)상에 게이트 전극(102)로서 Ta, 게이트 절연층(103)으로서 SiNx, 반도체층(104)으로서 a-Si, n형 반도체층(105)로서 n형 a-Si, 소스 전극(107)으로서Ti, 드레인 전극(108)로서 Ti를 포함한다. 색 필터 기판(125)에는 글라스 기판(114)상에 색 필터(113)가 형성되어 있다.

이하, 상술한 특허 공보에 기재되어 있는 반사형 액정 표시 장치의 반사 기판(123)을 제조하는 방법을 도 23a 내지 도 23e를 참조하여 설명한다.

먼저, 도 23a에 도시한 바와 같이, 포지티브 감광성 수지(109)를 기판(101)에 도포한다.

그후, 도 23b에 도시한 바와 같이, 투광부로서 콘택트홀부(130)를 갖고 또한 그것에 덧붙여서 도 24에 도시한 바와 같이 요철 형성부에 투광부(118)를 갖는 포토마스크(121)를 사용하여 높은 조도로 노출을 실행한다. 포토마스크(121)의 투광부(118)를 제외한 모든 영역은 차광부(117)이다. 광(112)이 포토마스크(121)을 거쳐 감광성 수지(109)에 인가되는 경우, 광은 투광부(118) 만을 통과한다. 도 24의 평면도에서, 차광부(117)는 빗금이 쳐져 있다.

그후, 도 23c에 도시한 바와 같이, 현상액으로 현상하는 것에 의해, 상술한 노출부에 있는 수지가 완전히 제거되고, 마스크 패턴에 대하여 포지티브인 수지 구성이 형성된다.

그후, 도 23d에 도시한 바와 같이, 열처리에 의해, 노출된 영역의 수지가 완만한 요철로 변형된다. 그러나, 이때 상술한 현상 단계에 의해 수지가 완전히 제거되어 있으므로 노출된 영역은 평탄하다.

그후, 도 23e에 도시한 바와 같이, 반사 전극(110)으로서 Al 박막을 형성하고, 하나의 반사 전극(110)이 하나의 트랜지스터에 대응하도록 패터닝을 실행한다.

상술한 특허 공보에 기재되어 있는 반사형 액정 표시 장치의 반사 전극(110)은 상술한 프로세스에 의해 형성된다. 그러한 반사 기판(123)에 있어서, 완전히 제거되어 있는 노출부에 포지티브 감광성 수지로 요철이 형성되므로, 평탄부의 면적이 크다. 평탄부의 면적이 큰 그러한 반사판에 있어서, 그 평탄 영역에 광원이 투영되므로, 규칙적 반사 성분이 크다. 광원이 투영될 때 표시를 확립하는 것이 어려우므로, 반사형 표시 장치의 경우에 일반적으로 규칙적 반사 성분은 회피된다.

따라서, 상술한 특허 공보에 기재되어 있는 반사형 액정 표시 장치에서 반사판의 규칙적 반사 성분은 밝기에 기여하지 않으므로, 그 결과 어두운 표시로 된다.

JP-A 9-90426에 기재된 반사형 액정 표시 장치에 비하여, 상술한 JP-A 6-75238은 반사판의 요철 밀도를 향상시키기는 것에 의해 이상적 산란 상태를 만들기 위해 복잡한 요철 형성 공정을 채용하는 반사형 액정 표시 장치를 기재하고 있다. 이 장치에 따르면, 제1포지티브 감광성 수지의 도포 후, 충분한 강도의 제1노출 현상이 실행된다. 그후, 요철의 패턴닝이 완전히 실행되고 나서, 그 요철의 클리어런스가 완전히 채워져서 요철이 완만하게 된다. 그후, 평탄부의 면적이 줄도록 제2포지티브 감광성 수지를 도포하고 나서 제2노출 현상을 실행하는 것에 의해 콘택트홀부의 패터닝만이 다시 실행된다.

그러나, 이 공정에서는 감광성 수지가 두 층에 도포되므로, 감광성 수지의 광처리(photoprocess)(도포-노출-현상-열처리)가 두 번 필요하므로, 코스트가 물론 증가한다.

또한, JP-A 9-90426에 기재된 반사형 액정 표시 장치에서는 포지티브 감광성 수지 한층이 사용되므로, 감광성 수지의 광처리를 오로지 한번만 실행할 필요가 있으므로, 공정이 단순화되고 코스트 저감을 달성할 수 있다. 그러나, 콘택트홀부에서 감광성 수지의 제거를 보장할 필요가 있으므로, 요철 형성 패턴부의 노출 영역내 포지티브 감광성 수지도 제거하는 것이 필수이다. 따라서, 노출 영역이 평탄하므로, 반사판에서, 요철의 밀도가 낮고 규칙적 반상 성분이 크다.

감광성 수지를 제거하기 위해 노출될 영역에 먼지 등이 존재할 때, 노출되지 않고 남은 부분의 수지는 현상에 의해 제거될 수 없다. 그 결과, 콘택트홀 및 신호 입력 단자부에서 불완전한 전기적 연속성이 발생하게 된다.

본 발명은 반사형 액정 표시 장치의 상술한 문제를 해소하기 위해 이루어진 것으로, 그의 목적은 불완전한 전기적 연속성이 발생하기 어렵고 양호한 반사 특성을 갖는 액정 표시 장치를 재현성 좋게 용이하게 제조할 수 있고 또한 표시 품질을 향상시키는 반사형 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.

도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 반사형 액정 표시 장치에 사용되는 반사 기판(23)의 평면도.

도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 반사형 액정 표시 장치에 사용되는 반사 기판(23)의 단면도.

도 3a 내지 도 3k는 본 발명의 실시예 1에 따른 반사형 액정 표시 장치에 사용되는 반사 기판(23)의 제조 공정을 도시한 단면도.

도 4는 본 발명의 실시예 1에 따른 제1포토마스크(19)의 투광부(17a) 및 차광부(18a)의 패턴을 도시한 개략적 단면도.

도 5는 본 발명의 실시예 1에 따른 제2포토마스크(20)의 투광부(17b) 및 차광부(18b)의 패턴을 도시한 개략적 단면도.

도 6a 내지 도 6j는 본 발명의 실시예 2에 따른 반사형 액정 표시 장치에 사용되는 반사 기판(23)의 제조 공정을 도시한 단면도.

도 7은 본 발명의 실시예 2에 따른 포토마스크(35)의 패턴을 도시한 개략적 단면도.

도 8a 내지 도 8k는 본 발명의 실시예 3에 따른 반사형 액정 표시 장치에 사용되는 반사 기판(23)의 제조 공정을 도시한 단면도.

도 9a 내지 도 9k는 본 발명의 실시예 4에 따른 반사형 액정 표시 장치에 사용되는 반사 기판(23)의 제조 공정을 도시한 단면도.

도 10은 본 발명의 실시예 4에 따른 제1포토마스크(43)의 투광부(41a) 및 차광부(42a)의 패턴을 도시한 개략적 단면도.

도 11은 본 발명의 실시예 4에 따른 제2포토마스크(44)의 투광부(41b) 및 차광부(42b)의 패턴을 도시한 개략적 평면도.

도 12a 내지 도 12j는 본 발명의 실시예 5에 따른 반사형 액정 표시 장치에 사용되는 반사 기판(23)의 제조 공정을 도시한 단면도.

도 13은 본 발명의 실시예 5에 따른 포토마스크(47)의 패턴을 도시한 개략적 평면도.

도 14a 내지 도 14l은 본 발명의 실시예 6에 따른 반사형 액정 표시 장치에 사용되는 반사 기판(23)의 제조 공정을 도시한 단면도.

도 15는 본 발명의 실시예 7에 따른 투과/반사형 액정 표시 장치에 사용되는 반사 기판(49)의 평면도.

도 16은 본 발명의 실시예 7에 따른 투과/반사형 액정 표시 장치에 사용되는 반사 기판(49)의 단면도.

도 17a 내지 도 17f는 본 발명의 실시예 7에 따른 투과/반사형 액정 표시 장치에 사용되는 반사 기판(49)의 제조 공정을 도시한 단면도.

도 18은 본 발명의 실시예 7에 따른 제1포토마스크(51)의 투광부(52a) 및 차광부(53a, 53b)의 패턴을 도시한 개략적 평면도.

도 19는 본 발명의 실시예 7에 따른 제2포토마스크(54)의 투광부(52c) 및 차광부(53c)의 패턴을 도시한 개략적 평면도.

도 20a 내지 도 20f 는 본 발명의 실시예 8에 따른 투과/반사형 액정 표시 장치에 사용되는 반사 기판(49)의 제조 공정을 도시한 단면도.

도 21은 본 발명의 실시예 8에 따른 제2포토마스크(55)의 투광부(52d, 52e) 및 차광부(53d)의 패턴을 도시한 개략적 평면도.

도 22는 종래 제조 방법에 의해 형성된 반사형 액정 표시 장치를 도시한 단면도.

도 23a 내지 도 23e는 종래 반사형 액정 표시 장치에 사용되는 반사 기판(123)의 제조 공정을 도시한 단면도.

도 24는 종래 포토마스크(121)의 투광부(118) 및 차광부(117)의 패턴을 도시한 개략적 평면도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 글라스 기판

2 : 게이트 전극

3 : 게이트 절연층

4 : 반도체층

5 : n형 반도체층

7 : 소스 전극

8 : 드레인 전극

9 : 수지

10 : 반사 전극

17a, 17b : 투광부

18a, 18b : 차광부

19 : 제1포토마스크

20 : 제2포토마스크

23 : 반사 기판

24 : 액정 구동 장치

27 : 신호 입력 단자부

28 : 포토레지스트

30 : 콘택트홀부

본 발명은 한쌍의 기판 사이에 액정층과 대향하도록 배치된 상기 한쌍의 기판중 하나에, 다른 기판으로 부터의 입사광을 반사하는 반사 수단을 갖는 액정 표시 장치를 제조하는 방법에 있어서, 상기 기판중 하나에 감광성 수지를 도포하는 단계, 상기 도포된 감광성 수지막의 제1영역에 상기 제1영역의 감광성 수지가 다른 막두께로 남도록 여러 가지 노출량으로 상기 제1영역을 노출시키는 것에 의해 요철을 형성하고, 상기 도포된 감광성 수지막의 제2영역에 상기 제2영역의 감광성 수지가 상기 제1영역보다 적은 두께로 남도록 상기 제1영역과 다른 노출량으로 상기 제2영역을 노출시키는 것에 의해 오목부를 형성하는 단계, 상기 노출된 감광성 수지를 현상하는 단계, 상기 현상된 감광성 수지를 열처리하는 단계, 및 상기 열처리된 감광성 수지에 반사막을 형성하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.

본 발명에 따르면, 면적으로 봐서 다른 노출량으로 기판에 도포된 감광성 수지의 다른 패턴 영역을 노출시키는 것에 의해, 고밀도의 요철을 갖는 완만한 영역 및 고밀도의 요철을 갖지 않는 다른 영역을 공정수를 줄여서 형성할 수 있다.

즉, 감광성 수지가 완전히 제거된 부분이 없는 상태에서 열처리에 의해 요철이 형성된 영역을 곡면(curved surface)으로 형성할 수 있으므로, 요철이 형성된 영역에 평탄부가 거의 없다. 따라서, 규칙적 반사 성분이 적은 우수한 반사 특성을 실현할 수있다.

노출 공정에서, 포토마스크에 의해 광이 차단된 부분(차광 영역)의 네가티브 감광성 수지는 현상액에 용이하게 녹아들 수 있으므로, 원형 또는 다각형 필러(pillars) 또는 홀이 형성되고, 포토마스크에 의해 광이 차단되지 않은 부분(투광 영역)의 네가티브 감광성 수지는 현상액에 용이하게 녹아들 수 없으므로, 노출후 현상액으로 감광성 수지를 현상하는 것에 의해 포토마스크의 투광 영역 및 차광 영역에 대응하여 요철을 갖는 감광성 수지막이 기판에 형성된다.

또한, 노출 공정에서, 포토마스크에 의해 광이 차단된 부분(차광 영역)의 포지티브 감광성 수지는 현상액에 잘 용해되지 않으므로, 원형 또는 다각형 필러 또는 홀이 형성되고, 포토마스크에 의해 광이 차단되지 않은 부분(투광 영역)의 포지티브 감광성 수지는 현상액에 잘 용해되므로, 노출후 현상액으로 포지티브 수지막을 현상하는 것에 의해, 포토마스크의 투광 영역 및 차광 영역에 대응하여 요철을 갖는 감광성 수지막이 기판에 형성된다.

또한, 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 반사막을 포함하는 반사 전극이 상기 감광성 수지막의 제1영역에 형성되고, 상기 반사 전극이 상기 감광성 수지막의 제2영역에 있어서 상기 반사 전극의 하층에 형성된 배선에 접속되는 것이 바람직하다.

본 발명에 따르면, 층간 절연막으로서 감광성 수지를 사용하기 때문에, 반사 전극을 최소 공정수로 제조할 수 있다. 감광성 수지막의 제1영역에 반사 전극을 형성하고 그 반사 전극을 감광성 수지막의 제2영역에 있어서 반사 전극 하층에 형성된 배선에 접속하는 것에 의해, 즉 반사 전극과 액정 구동 장치를 접속하기 위한 콘택트홀에 대응하는 영역의 수지를 제거하는 것에 의해, 콘택트홀을 제외한 전체 표시 화소 영역에 걸쳐 감광성 수지가 남으므로, 평탄부의 면적이 적고 전체 화소 영역에 걸쳐 완만한 요철을 형성할 수 있다. 그 결과, 규칙적 반사를 줄여서 밝은 반사광을 얻을 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 기판중 하나의 외부 표시 영역에는 단자부가 형성되고, 상기 감광성 수지의 제2영역은 상기 단자부에 형성되는 것이 바람직하다.

본 발명에 따르면, 층간 절연막으로서 감광성 수지를 사용하고 감광성 수지의 제2 영역에서 외부 신호를 입력하기 위한 단자부에 대응하는 투광 영역의 형성 때문에, 단자부를 최소한의 공정수로 제조할 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 감광성 수지는 네가티브이고, 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계는 투광부, 차광부 및 반투광부를 갖는 포토마스크를 사용하여 상기 포토마스크의 상기 투광부 및 반투광부에 대응하는 영역에 제1영역이, 상기 포토마스크의 상기 차광부에 대응하는 영역에 제2영역이 형성되도록 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계를 구비하는 것이 바람직하다.

본 발명에 따르면, 감광성 수지를 노출시키는 단계는 투광부, 차광부 및 반투광부를 갖는 포토마스크를 사용하여 상기 포토마스크의 상기 투광부 및 반투광부에 대응하는 영역에 제1영역이, 상기 포토마스크의 상기 차광부에 대응하는 영역에 제2영역이 형성되도록 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계를 구비하므로, 노출 횟수를 한번으로 줄일 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 감광성 수지는 포지티브이고, 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계는 투광부, 차광부 및 반투광부를 갖는 포토마스크를 사용하여 상기 포토마스크의 상기 차광부 및 반투광부에 대응하는 영역에 제1 영역이, 상기 포토마스크의 투광부에 대응하는 영역에 제2영역이 형성되도록 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계를 구비하는 것이 바람직하다.

본 발명에 따르면, 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계는 투광부, 차광부 및 반투광부를 갖는 포토마스크를 사용하여 상기 포토마스크의 상기 차광부 및 반투광부에 대응하는 영역에 제1 영역이, 상기 포토마스크의 투광부에 대응하는 영역에 제2영역이 형성되도록 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계를 구비하므로, 노출의 횟수를 한번으로 줄일 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계는 각각 제1 및 제2포토마스크에 의해 제1영역 및 제2영역이 형성되도록 상기 제1포토마스크를 사용하여 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계 및 상기 제2포토마스크를 사용하여 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계를 구비하는 것이 바람직하다.

본 발명에 따르면, 감광성 수지를 노출시키는 단계는 제1 및 제2포토마스크에 의해 제1 및 제2영역이 형성되도록, 제1포토마스크를 사용하여 감광성 수지를 노출시키는 단계 및 제2포토마스크를 사용하여 감광성 수지를 노출시키는 단계를 구비하므로, 투광부 및 차광부 만으로 구성된 포토마스크를 사용하는 것이 가능하게 되고, 그 결과, 포토마스크의 설계 및 제조가 용이하고 노출 공정수를 줄일 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 제1포토마스크를 사용하여 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계의 노출량과 상기 제2포토마스크를 사용하여 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계의 노출량은 같은 것이 바람직하다.

본 발명에 따르면, 제1포토마스크에 의한 노출과 제2포토마스크에 의한 노출이 동일한 노출량으로 실행되므로, 광량 조정이 용이하고, 그 결과, 노출 공정의 스루풋을 향상시킬 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 제1포토마스크를 사용하여 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계에서는 균일한 낮은 조도의 노출을 실행하고, 상기 제2포토마스크를 사용하여 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계에서는 균일한 높은 조도의 노출을 실행하는 것이 바람직하다.

본 발명에 따르면, 네가티브 감광성 수지를 사용하는 경우에, 균일한 저조도의 노출은 제1포토마스크를 사용하여 감광성 수지를 노출시키는 단계에서 실행되고, 균일한 높은 조도의 노출은 제2포토마스크를 사용하여 감광성 수지를 노출시키는 단계에서 실행되므로, 높은 조도로 제1영역에 있어서 볼록하게 형성된 영역만을 노출시키는 것에 가능하게 되어, 더욱 신뢰성있게 제1영역에 감광성 수지를 완전히 남기는 것이 가능하다. 여기서, 높은 조도의 노출은 네가티브 감광성 수지에서 수지의 교차결합이 충분히 진행하여 현상후 남은 막의 양이 현상전 막 두께의 대략 50 %보다 큰 정도의 노출량의 노출을 나타내고, 낮은 조도의 노출은 네가티브 감광성 수지에서 수지의 교차결합이 충분히 진행하지 않아 현상후 남은 막의 양이 현상전 막두께의 0 %이상 50 %이하, 바람직하게는 10 %이상 50%이하인 정도의 노출량의 노출을 나타낸다.

구체적으로, 기판에 형성된 네가티브 감광성 수지에 있어서, 제1포토마스크에 의한 낮은 조도의 노출 때문에, 제1포토마스크에 의한 낮은 조도의 노출이 가해진 부분에서 감광성 수지의 교차결합은 충분히 진행하지 않으므로, 낮은 조도의 노출이 가해진 부분에서 감광성 수지의 막은 노출후 현상액에 의한 현상으로 두께가 균일하게 줄어든다.

또한, 기판에 형성된 네가티브 감광성 수지에 있어서, 제2포토마스크를 사용하는 높은 조도의 노출을 실행하는 것에 의해, 재2포토마스크를 사용하여 높은 조도로 노출된 부분에서 감광성 수지의 교차결합이 충분히 진행하므로, 제2포토마스크에 의한 미노출부보다 한단계 더 높은 볼록부가 노출후 현상액에 의한 현상으로 형성되고, 이어지는 열처리시 변형되는 수지에 의해 완만한 요철을 형성하는 것이 가능하다.

상술한 바와 같이, 네가티브 감광성 수지의 한층에 대하여 높은 조도의 노출, 낮은 조도의 노출 및 현상을 실행하고 나서, 감광성 수지를 열처리하는 것에 의해, 기판에 형성된 감광성 수지의 요철을 변형하므로, 어떠한 평탄부없이 연속적인 고밀도의 완만한 요철이 기판에 형성된다.

포지티브 감광성 수지를 사용하는 경우에, 제1포토마스크를 사용하여 감광성 수지를 노출시키는 단계에서 균일한 낮은 조도의 노출을 실행하고 제2포토마스크를 사용하여 감광성 수지를 노출시키는 단계에서 균일한 높은 조도의 노출을 실행하는 것에 의해, 제1영역 대한 최적의 노출 상태와 별개로 제2영역만을 높은 조도로 노출시킬 수 있으므로, 제1영역에서 더욱 신뢰성있게 감광성 수지를 완전히 제거하는 것이 가능하다. 여기서, 높은 조도의 노출은 현상액에서 수지의 용해를 억제하는 감광제(sensitizer)가 포지티브 감광성 수지에서 충분히 용해되어 현상후 남은 막의 양이 대락 0 %인 노출량으로 노출을 실행하는 것을 나타내고, 낮은 조도의 노출은 현상액에서 수지의 용해를 억제하는 감광제의 용해가 포지티브 감광성 수지에서 충분히 실행되지 않아 현상후 남은 막의 양이 현상전 막두께의 0 %이상 50%이하, 바람직하게는 10 %에서 50 %범위내인 노출량으로 실행된 노출을 나타낸다.

구체적으로, 기판에 형성된 포지티브 감광성 수지에 있어서, 제1포토마스크에 의한 낮은 조도의 노출 때문에, 제1포토마스크에 의한 낮은 조도의 노출이 가해진 부분의 감광제는 충분히 용해되기 않으므로, 낮은 조도의 노출이 가해진 부분의 막은 노출후 현상액에 의한 현상으로 두께가 균일하게 줄어든다.

또한, 기판에 형성된 포지티브 감광성 수지에 있어서, 제2포토마스크에 의한 높은 조도의 노출 때문에, 제2포토마스크를 사용하여 높은 조도의 노출이 가해진 부분의 감광제는 충분히 용해되므로, 기판의 감광성 수지는 노출후 현상액에 의한 현상으로 완전히 제거된다. 이것에 의해, 이어지는 공정에서 형성되는 반사 전극과 TFT 드레인 전극 사이의 접속이 가능하게 된다.

상술한 바와 같이, 높은 조도의 노출, 포지티브 감광성 수지 한층에 대한 낮은 조도의 노출 및 현상과 감광성 수지의 열처리에 의해, 기판에 형성된 감광성 수지의 요철이 열에 의해 변형되고, 그결과 어떠한 평탄부도 없이 연속적인 고밀도의 완만한 요철이 기판에 형성된다.

또한, 완만한 요철을 갖고 열처리된 감광성 수지에 반사 전극을 형성하는 것에 의해, 규칙적 반사 성분이 적은 우수한 반사 수단을 형성할 수 있다.

본 발명에서, 낮은 조도 노출과 높은 조도 노출의 순서, 즉 제1노출공정과 제2노출 공정의 순서는 상술한 순서의 반대라도 좋다.

노출 공정에서 현상 공정까지의 처리로서, 다음의 두가지, 즉 노출(낮은 조도의 노출 및 높은 조도의 노출)에서 현상까지의 처리, 그리고 노출(낮은 조도의 노출 또는 높은 조도의 노출)에서 현상 및 노출(높은 조도의 노출 또는 낮은 조도의 노출)을 거쳐 현상까지의 처리가 고려된다. 본 발명에서는 두가지 처리중 어느것이라도 사용할 수 있다. 그러나, 전자의 처리가 처리의 단순화 관점에서 바람직하다.

또한, 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에서는 원형 또는 다각형 영역을 제1 또는 제2포토마스크에 불규칙적으로 배치하고, 원형 또는 다각형 영역의 면적은 포토마스크 총 면적의 20 %에서 40 % 범위내인 것이 바람직하다.

본 발명에 따르면, 제1 또는 제2포토마스크에는 원형 또는 다각형 영역이 불규칙적으로 배치되어 있고, 상기 원형 또는 다각형 영역의 총 면적은 상기 포토마스크의 총면적의 20 %에서 40% 범위내이고, 원형 또는 다각형 영역이 불규칙적으로 배치되어 있으므로, 기판에 형성된 감광성 수지의 요철 패턴의 주기성이 제거됨으로써, 광 간섭 현상을 방지할 수 있다. 그 결과, 어떠한 칼라없이 백색 산란광을 얻을 수 있다. 또한, 요철로 부터의 산란광이 특정 방향으로 휘지 않으므로, 균일한 산란광을 얻을 수 있다.

제1 또는 제2포토마스크의 원형 또는 다각형 영역의 총 면적이 포토마스크의 20 % 내지 40 % 범위내이므로, 기판에 형성된 감광성 수지의 요철의 경사각을 조정할 수 있어 광을 효과적으로 사용할 수 있다.

여기서, 포토마스크의 총 면적은 구체적으로 반사 전극의 총 면적을 의미한다. 제1 또는 제2포토마스크의 원형 또는 다각형 영역의 면적이 40 % 이상인 경우에, 원형 또는 다각형 영역이 랜덤하게 배치될 때, 인접하는 원형 또는 다각형 영역이 서로 큰 패턴으로 겹치므로, 패턴 밀도가 대체로 줄어들고 평탄부 면적의 비율이 증가한다. 그 결과, 규칙적 반사 성분이 큰 반사판이 형성된다. 제1 또는 제2포토마스크의 원형 또는 다각형 영역의 면적이 20 % 미만인 경우에, 그 원형 또는 다각형 영역이 랜덤하게 배치될 때, 인접하는 원형 또는 다각형 영역사이의 거리가 너무 길게 되므로, 현상에 의해 형성된 감광성 수지 구성의 볼록부와 볼록부 또는 오목부와 오목부 사이의 거리가 너무 길게 되어, 수지가 가열에 의해 변형될 때 볼록부 또는 오목부 사이에 평탄부가 남게 된다. 그 결과, 규칙적 반사 성분이 큰 반사판이 형성된다. 이들로부터, 본 발명에서는 제1 또는 제2포토마스크의 원형 영역의 총 면적이 포토마스크 총면적의 20 % 내지 40 % 범위내이다.

상술한 특징을 갖는 포토마스크를 네가티브 감광성 수지를 사용할 때는 제2포토마스크로서 선택하고, 포지티브 감광성 수지를 사용할 때는 제1포토마스크로서 선택한다.

또한, 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 제1 또는 제2포토마스크에 배치된 원형 또는 다각형 영역은 인접 영역사이의 중심간 거리가 5 ㎛ 내지 50 ㎛ 범위내로 되도록 불규칙적으로 배치되어 있는 것이 바람직하다.

본 발명에 따르면, 인접하는 영역의 중심간 거리가 5 ㎛ 내지 50 ㎛ 범위내로 되도록 제1 또는 제2포토마스크에 배치된 원형 또는 다각형 영역을 불규칙적으로 배치하는 것에 의해, 액정 표시 장치의 화소마다 충분한 수의 요철 패턴을 배치할 수 있으므로, 화소 사이에 특징 차이가 없는 산란광을 얻을 수 있다.

인접하는 원형 또는 다각형 영역이 서로 겹치지 않도록 배치된 경우에, 중심간 거리가 5 ㎛ 이하인 패턴은 용해하지 않지만, 스텝퍼의 해상도 한계 때문에 평탄하게 되므로, 규칙적 반사 성분이 큰 반사판이 형성된다. 일반적으로, 액정 표시 장치에서는 하나의 화소 크기가 약 100 ㎛ × 300 ㎛이하이므로, 균일한 산란 특성을 얻기 위해 화소마다 대략 10개이상의 오목부 또는 볼로부가 형성되므로, 중심간 거리는 대락 50 ㎛ 이하일 필요가 있다. 중심간 거리가 50 ㎛보다 클 때, 원형 영역 사이의 거리가 길고, 평탄부의 면적비가 증가하게 되므로, 규칙적 반사 성분이 큰반사판이 형성된다. 이들로부터, 본 발명에서는 인접하는 원형 또는 다각형 영역 사이의 중심간 거리가 5 ㎛ 내지 50 ㎛ 범위내로 되도록 제1 또는 제2포토마스크에 배치된 원형 또는 다각형 영역이 불규칙적으로 배치되어 있다.

본 발명에 따르면, 면적으로 봐서 다른 노출량으로 기판에 도포된 감광성 수지의 한층을 노출시키는 것에 의해, 완만한 고밀도의 요철을 형성할 수 있으므로, 평탄부의 면적이 줄어들고 규칙적 반사 성분이 적은 이상적 반사 수단을 형성할 수 있다. 따라서, 감광성 수지의 광처리 횟수를 줄일 수 있는 것에 의해, 제조에 필요한 비용을 줄일 수 있다.

본 발명에서는 네가티브 감광성 수지를 사용함으로써, 먼지 등으로 인해 노출되지 않은 부분의 수지를 현상에 의해 제거할 수 있으므로, 콘택트홀부 및 신호 입력 단자부에 먼지 등이 붙을때에도 전기적 연속성이 보장된다.

본 발명에서는 포지티브 감광성 수지를 사용하므로, 포토마스크로 낮은 조도의 노출을 실행할 때, 반응이 감광성 수지의 표면에서부터 진행하므로, 현상에 의해 반응부가 용해될 때 용해가 표면에서부터 신속히 진행하게 되고, 본 발명에서와 같이 막줄임량을 제어할 필요가 있는 경우에, 기판에 대한 응착력(adhesion)을 유지하면서 제어를 용이하게 실행할 수 있다.

본 발명의 상기 및 그밖의 목적과 새로운 특징은 본 명세서의 기술 및 첨부 도면에 의해 더욱 명확하게 될 것이다.

이하, 도면을 첨조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.

(실시예 1)

도 1은 실시예 1에 따른 반사형 액정 표시 장치의 반사 기판(23)을 도시한 평면도이다. 도 2는 도 1에 도시한 반가 기판(23)의 단면도이다. 도 3a 내지 도 3k는 기판(23)의 제조 공정의 흐름을 도시한 단면도이다.

도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 이 실시예에 따른 반사형 액정 표시 장치에 사용되는 반사 기판(23)상에는 반사 전극(10)이 형성되고, 그의 표면은 원형의 오목 또는 볼록부(33)를 포함하는 완만한 요철을 갖는다. 글라스 기판(1)상에는 액정 구동 장치(24)로서 비정질 실리콘 트랜지스터가 형성되어 있다. 액정 구동 장치(24)는 글라스 기판(1) 상에 게이트 전극(2)으로서 Ta, 게이트 절연층(3)으로서 SiNx, 반도체층(4)로서 a-Si, n형 반도체층(5)로서 n형 a-Si, 소스 전극(7)으로서 Ti, 및 드레인 전극(8)로서 Ti를 포함한다.

게이트 버스선 및 소스 버스선에 신호를 입력하기 위한 신호 입력 단자부(27)는 게이트 버스선 및 게이트 전극을 동시에 패터닝하는 것에 의해 형성된 Ta의 단자부 전극(2) 및 ITO의 단자 접속 전극(26)을 포함한다.

이하, 이 실시예에 따른 반사형 액정 표시 장치의 반사 기판(23)의 제조 공정을 도 3a 내지 도 3k를 참조하여 설명한다. 이 들 도면에 있어서, 화소 영역은 왼쪽에 나타내고, 신호 입력 단자부 영역은 오른쪽에 나타낸다.

먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이, 네가티브 감광성 수지(9)(제품명 : Fuji Film Olin제 FE301N)을 1 내지 5 ㎛의 두께로 글라스 기판(1)에 도포한다. 이 실시예에서는 수지(9)를 3 ㎛의 두께로 도포하였다.

그후, 콘택트홀부(30)에 대응하는 차광부(18a)가 도 4에 도시한 바와 같이 배치되어 있는 제1포토마스크(19)를 사용하는 것에 의해, 콘택트홀부 이외의 영역을 도 3b에 도시한 바와 같이 낮은 조도로 균일하게 노출시켰다. 제1포토마스크(19)에서, 차광부(18a)이외의 영역은 투광부(17a)이다. 이때의 노출량은 20 mj 내지 100 mj이 바람직하다. 이 실시예에서는 40 mj의 노출량으로 노출을 실행하였다. 도 4의 평면도에서, 차광부(18a)는 빗금이 쳐져 있다.

그후, 투광부(17b)의 면적이 도 5에 도시한 바와 같이 콘택트홀부(30)이외의 영역에서 원형 영역으로서 20 % 내지 40% 범위내인 제2포토마스크(20)를 사용하는 것에 의해, 콘택트홀부(30)이외의 영역을 도 3c에 도시한 바와 같이 높은 조도로 균일하게 노출시켰다. 제2포토마스크(20)에서, 투광부(17b)이외의 영역은 차광부(18b)이다. 이때의 노출량은 160 mj 내지 500 mj이 바람직하다. 이 실시예에서는 240 mj의 노출량으로 노출을 실행하였다. 이때, 제2포토마스크(20)의 원형 또는 다각형 투광부(17b)는 인접 투광부(17b) 사이의 중심간 거리가 5 ㎛ 내지 50 ㎛, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 20 ㎛의 범위내로 되도록 랜덤하게 배치되어 있다. 도 5의 평면도에서, 차광부(18b)는 빗금이 쳐져 있다.

이때, 제1포토마스크(19) 및 제2포토마스크(20)는 콘택트홀뿐만 아니라 신호 입력 단자부(27)에 빛이 들어가지 않도록 구성되어 있다.

그후, 도 3d에 도시한 바와 같이, Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd가 제조한 현상액 TMAH(tetramethylammoniumhydrooxide)로 현상을 실행하는 것에 의해, 미노출부(콘택트홀부 및 신호 입력 단자부)의 수지를 완전히 제거하여, 낮은 조도로 노출된 부분의 수지는 처음 막두께에 대하여 약 40 %가 남고, 높은 조도로 노출된 부분의 수지는 처음 막 두께에 대하여 약 80 %가 남았다.

그후, 도 3e에 도시한 바와 같이, 200 ℃에서 60분간 열처리를 실행하는 것에 의해, 상술한 상태의 수지를 완만한 요철로 변형하였다.

그후, 도 3f에 도시한 바와 같이, 기판상에 반사 전극(10)으로서 스퍼터링에 의해 2000 Å의 두께로 Al 박막을 형성하고, 도 3g 내지 도 3k에 도시한 바와 같이, 하나의 반사 전극(10)이 하나의 트랜지스터에 대응하도록 패터닝을 실행하였다.

특히, 반사 전극(10)으로서 기능하는 Al 전극의 패터닝은 포토레지스트(28)를 도 3g에 도시한 바와 같이 도포하고, 각 화소 전극과 신호 입력 단자부(27)의 분리를 위해 제거될 부분을 도 3h에 도시한 바와 같이 노출시키고, 도 3i 내지 도 3k에 도시한 바와 같이 현상, 에칭 및 박리(exfoliation)을 실행하는 방식으로 이루어진다.

상술한 처리에 의해, 완만한 고밀도의 요철을 갖는 반사 전극(10)을 형성 형성하였다. 그러한 반사 기판(23)에서는 평탄부의 면적이 줄어들므로, 규칙적 반사 성분을 갖는 이상적 반사 특성을 실현할 수 있다. 또한, 감광성 수지의 광처리 회수를 줄일 수 있으므로, 반사판의 제조에 필요한 비용을 줄일 수 있다.

마지막으로, 반사 기판(23) 및 투명 전극을 지지하는 색 필터 기판을 종래와 마찬가지 방식으로 그들사이의 스페이서와 함께 접착시키고, 액정을 충전하고, 그 색 필터 기판에 위상차판 및 분광판을 접착하여, 이 실시예에 따른 반사형 액정 표시 장치를 완성한다.

(실시예 2)

이하, 본 발명의 실시예 2에 따른 반사형 액정 표시 장치를 도면을 참조하여 설명한다. 이 실시예에 따른 반사형 액정 표시 장치의 반사 기판(23)은 도 1에 도시한 반사 기판(23)과 동일하지만, 다른 제조 방법에 의해 형성된다. 이하, 제조 방법을 도 6a 내지 도 6j에 도시한 단면도를 참조하여 설명한다.

도 6a 내지 도 6j는 실시예 2에 따른 반사형 액정 표시 장치에 사용되는 반사 기판(23)의 제조 공정을 도시한 단면도이다. 이들 도면에 있어서, 화소 영역은 왼쪽에 나타내어져 있고, 신호 입력 단자부 영역은 오른쪽에 도시되어 있다.

먼저, 도 6a에 도시한 바와 같이, 네가티브 감광성 수지(9)(제품명 : Fuji Film Olin제 FE301N)을 1 내지 5 ㎛의 두께로 글라스 기판(1)에 도포한다. 이 실시예에서는 수지(9)를 3 ㎛의 두께로 도포하였다.

그후, 부분(17c) 및 (18c)이외의 투광부(17c), 차광부(18c) 및 반투광부(29)가 혼합되어 있고 투광부(17c)의 면적이 도 7에 도시한 바와 같이 원형 영역으로서 20 % 내지 40 % 범위내인 포토마스크(35)를 사용하는 것에 의해, 도 6b에 도시한 바와 같이 높은 조도로 노출을 균일하게 실행하였다. 이때의 노출량은 160 mj 내지 500 mj이 바람직하다. 이 실시예에서는 240 mj의 노출량으로 노출을 실행하였다. 이때, 포토마스크(35)의 원형 또는 다각형 투광부(17c)의 면적은 30 %이고, 투광부(17c)는 인접 투광부(17c) 사이의 중심간 거리가 5 ㎛ 내지 50 ㎛, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 20 ㎛ 범위내로 되도록 랜덤하게 배치되고, 차광부(18c)는 콘택트홀(30)에 대응하는 영역에 배치되고, 그의 광 투과율이 투광부(17c)의 17%인 반투광부(29)는 부분(17c) 및 (18c)이외의 영역에 배치된다. 도시하지 않았지만, 표시 영역이외의 영역은 차광 영역이다. 도 7의 평면도에서, 반투광부(29) 및 차광부(18c)는 빗금이 쳐져 있다.

이어지는 처리는 상술한 실시예 1과 마찬가지이다. 도 6c에 도시한 바와 같이 현상을 실행하고, 도 6d에 도시한 바와 같이 열처리를 실행하여, 변형하는 수지에 의해 완만한 요철을 형성하였다.

그후, 하나의 반사 전극(10)이 하나의 트랜지스터에 대응하도록, 도 6e에 도시한 바와 같이, 기판(1)상에 반사 전극(10)으로서 Al 박막을 형성하고, 도 6f 내지 도 6j에 도시한 바와 같이, 패터닝을 실행하였다.

상술한 처리에 의해, 완만한 고밀도의 요철을 갖는 반사 전극(10)을 형성하였다. 그러한 반사 기판(23)에서는 평탄부의 면적이 줄어들므로, 규칙적 반사 성분이 적은 이상적인 반사 특성을 실현할 수 있다. 또한, 감광성 수지의 광처리 횟수를 줄일 수 있으므로, 반사판의 제조에 필요한 비용을 줄일 수 있다.

마지막으로, 반사 기판(23) 및 투명 전극을 지지하는 색 필터 기판을 종래와 마찬가지 방식으로 그들사이의 스페이서와 함께 접착하고, 액정을 충전하고, 위상차판 및 분광판을 색 필터 기판에 접착하여, 이 실시예에 따른 반사형 액정 표시 장치를 완성하였다.

이 실시예에 따른 반사형 액정 표시 장치에서, 완만한 고밀도 반사 요철을 갖는 반사 전극은 상술한 실시예 1과 같이 형성되지만, 감광성 수지의 광처리시 반투광부를 갖는 포토마스크를 사용하는 것에 노출의 회수를 더욱 줄일 수 있으므로, 반사 기판(23)의 제조에 필요한 비용을 줄일 수 있다.

(실시예 3)

이하, 본 발명의 실시예 3에 따른 반사형 액정 표시 장치를 도면을 참조하여 설명한다. 이 실시예에 따른 반사형 액정 표시 장치의 반사 기판(23)은 도 1에 도시한 반사 기판(23)과 동일하지만, 다른 제조 방법에 의해 형성된다. 이하, 그 제조 방법을 도 8a 내지 도 8k에 도시한 단면도를 참조하여 설명한다.

도 8a 내지 도 8k는 실시예 3에 따른 반사형 액정 표시 장치에 사용되는 반사 기판(23)의 제조 공정을 설명하는 단면도이다. 이들 도면에서, 화소 영역은 왼쪽에 도시되어 있고, 신호 입력 단자부 영역은 오른쪽에 도시되어 있다.

먼저, 도 8a에 도시한 바와 같이, 네가티브 감광성 수지(9)(제품명 : Fuji Film Olin제 FE301N)을 1 내지 5 ㎛의 두께로 글라스 기판(1)에 도포한다. 이 실시예에서는 수지(9)를 3 ㎛의 두께로 도포하였다.

그후, 투광부(17b)의 면적이 도 5에 도시한 바와 같이 콘택트홀부(30)이외의 영역에서 원형 영역으로서 20 % 내지 40% 범위내인 제2포토마스크(20)를 사용하는 것에 의해, 콘택트홀부(30)이외의 영역을 도 8b에 도시한 바와 같이 낮은 조도로 균일하게 노출시켰다. 이때의 노출량은 20 mj 내지 100 mj이 바람직하다. 이 실시예에서는 40 mj의 노출량으로 노출을 실행하였다. 이 때, 제2포토마스크(20)의 원형 또는 다각형 투광부(17b)는 인접 투광부(17b) 사이의 중심간 거리가 5 ㎛ 내지 50 ㎛, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 20 ㎛의 범위내로 되도록 랜덤하게 배치되어 있다.

그후, 도 4에 도시한 바와 같이 콘택트홀부(30)에 대응하는 차광부(18a)가 배치되어 있는 제1포토마스크(19)를 사용하는 것에 의해, 콘택트홀부(30)이외의 영역을 도 8c에 도시한 바와 같은 상술한 제1노출 처리와 동일한 40 mj의 노출량으로 균일하게 노출시켰다. 제1 및 제2포토마스크(19, 20)는 콘택트홀뿐만아니라 신호 입력 단자부(27)에 빛이 들어가지 ??도록 구성되어 있다.

그후, 도 8d에 도시한 바와 같이, Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd가 제조한 현상액 TMAH(tetramethylammoniumhydrooxide)로 현상을 실행하는 것에 의해, 미노출부(콘택트홀부 및 신호 입력 단자부)의 수지를 완전히 제거하여, 한번 노출된 부분가 수직의 처음 막 두께에 대하여 대략 30 % 남고, 두 번 노출된 부분의 수지가 처음 막두께에 대하여 대략 70 % 남았다.

그후, 도 8e에 도시한 바와 같이, 200 ℃에서 60분간 열처리를 실행하는 것에 의해, 상술한 상태의 수지를 완만한 요철로 변형하였다.

이어지는 처리는 상술한 실시예 1 및 실시예 2와 마찬가지이다. 도 8f에 도시한 바와 같이, 기판(1)상에 반사 전극(10)으로서 Al 박막을 형성하고, 도 8j 내지 도 8k에 도시한 바와 같이, 하나의 반사 전극(10)이 하나의 트랜지스터에 대응하도록 패터닝을 실행하였다.

이 실시예에 따른 반사형 액정 표시 장치에 있어서, 완반한 고밀도의 반사 요철을 갖는 반사 전극은 상술한 실시예 1과 마찬가지로 형성되지만, 감광성 수지의 광처리시 동일한 노출량으로 제1 및 제2노출을 실행하는 것에 의해 장치의 스루풋이 향상하며, 반사 기판(23)의 제조에 필요한 비용을 줄일 수 있다.

(실시예 4)

이하, 본 발명의 실시예 4에 따른 반사형 액정 표시 장치를 도면을 참조하여 설명한다. 이 실시예에 따른 반사형 액정 표시 장치의 반사 기판(23)은 도 1에 도시한 반사 기판(23)과 동일하지만, 다른 제조 방법에 의해 형성된다. 이하, 그 제조 방법을 도 9a 내지 도 9k에 도시한 단면도를 참조하여 설명한다.

도 9a 내지 도 9k는 실시예 4에 따른 반사형 액정 표시 장치에 사용되는 반사 기판(23)의 제조 공정을 설명하는 단면도이다. 이들 도면에서, 화소 영역은 왼쪽에 도시되어 있고, 신호 입력 단자부 영역은 오른쪽에 도시되어 있다.

먼저, 도 9a에 도시한 바와 같이, 포지티브 감광성 수지(9)(제품명 : Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd제 OFPR-800)을 1 내지 5 ㎛의 두께로 글라스 기판(1)에 도포한다. 이 실시예에서는 수지(9)를 3 ㎛의 두께로 도포하였다.

그후, 차광부(42a)의 면적이 도 10에 도시한 바와 같이 원형 영역으로서 20 % 내지 40% 범위내인 제1포토마스크(43)를 사용하는 것에 의해, 도 9b에 도시한 바와 같이 낮은 조도로 균일하게 노출을 실행하였다. 제1포토마스크(43)에서, 차광부(42a)이외의 영역은 투광부(41a)이다. 이때의 노출량은 20 mj 내지 100 mj이 바람직하다. 이 실시예에서는 40 mj의 노출량으로 노출을 실행하였다. 이 때, 제1포토마스크(43)의 원형 또는 다각형 차광부(42a)는 인접 차광부(42a) 사이의 중심간 거리가 5 ㎛ 내지 50 ㎛, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 20 ㎛의 범위내로 되도록 랜덤하게 배치되어 있다. 도 10의 평면도에서, 차광부(42a)는 빗금이 쳐져 있다.

그후, 도 11에 도시한 바와 같이 콘택트홀부(30)에 대응하는 투광부(41b)가 오픈되어 있는 제2포토마스크(44)를 사용하는 것에 의해, 콘택트홀부를 도 9c에 도시한 바와 같이 높은 조도로 균일하게 노출시켰다. 제2포토마스크(44)에서, 투광부(41b)이외의 영역은 차광부(42b)이다. 이때, 제2포토마스크(44)는 신호 입력 단자부(27)에 대하여 투광부로서도 기능하고, 단자부(27)은 콘택트홀의 노출과 동시에 높은 조도로 노출시켰다. 이때, 노출량은 160 mj 내지 500 mj이 바람직하다. 이 실시예에서는 240 mj의 노출량으로 노출을 실행하였다. 도 11의 평면도에서, 차광부(42b)는 빗금이 쳐져 있다.

그후, 도 9d에 도시한 바와 같이, Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd가 제조한 현상액 TMAH(tetramethylammoniumhydrooxide)로 현상을 실행하는 것에 의해, 높은 조도로 노출된 부분(콘택트홀부 및 신호 입력 단자부)의 수지를 완전히 제거하고, 낮은 조도로 노출된 부분의 수지가 처음 막두께에 대하여 약 40% 남고, 미노출부의 수지가 처음 막 두께에 대하여 약 80% 남았다.

그후, 도 9e에 도시한 바와 같이, 200 ℃에서 60분간 열처리를 실행하는 것에 의해, 상술한 상태의 수지를 완만한 요철로 변형하였다.

그후, 도 9f에 도시한 바와 같이, 기판 상에 2000 Å의 두께로 스퍼터링에 의해 반사 전극(10)으로서 Al 박막을 형성하고, 도 9g 내지 도 9k에 도시한 바와 같이, 하나의 반사 전극(10)이 하나의 트랜지스터에 대응하도록 패터닝을 실행하였다.

특히, 포토레지스트(28)를 도 9g에 도시한 바와 같이 도포하였고, 각 화소 전극과 신호 입력 단자부(27)의 분리를 위해 제거될 부분을 도 9h에 도시한 바와 같이 노출시키고, 도 9i 내지 도 9k에 도시한 바와 같이 현상, 에칭 및 박리를 실행하는 것에의해, 반사 전극(10)으로서 기능하는 Al 박막의 패터닝을 실행하였다.

(실시예 5)

이하, 본 발명의 실시예 5에 따른 반사형 액정 표시 장치를 도면을 참조하여 설명한다. 이 실시예에 따른 반사형 액정 표시 장치의 반사 기판(23)은 도 1에 도시한 반사 기판(23)과 동일하지만, 다른 제조 방법에 의해 형성된다. 이하, 그 제조 방법을 도 12a 내지 도 12j에 도시한 단면도를 참조하여 설명한다.

도 12a 내지 도 12j는 실시예 5에 따른 반사형 액정 표시 장치에 사용되는 반사 기판(23)의 제조 공정을 설명하는 단면도이다. 이들 도면에서, 화소 영역은 왼쪽에 도시되어 있고, 신호 입력 단자부 영역은 오른쪽에 도시되어 있다.

먼저, 도 12a에 도시한 바와 같이, 포지티브 감광성 수지(9)(제품명 : Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd제 OFPR-800)을 1 내지 5 ㎛의 두께로 글라스 기판(1)에 도포한다. 이 실시예에서는 수지(9)를 3 ㎛의 두께로 도포하였다.

그후, 차광부(42c), 투광부(41c) 및 반투광부(46)가 공존하고 차광부(42c)의 면적이 도 13에 도시한 바와 같이 원형 영역으로서 20 % 내지 40% 범위내인 포토마스크(47)를 사용하는 것에 의해, 도 12b에 도시한 바와 같이 높은 조도로 균일하게 노출을 실행하였다. 이때의 노출량은 160 mj 내지 500 mj이 바람직하다. 이 실시예에서는 240 mj의 노출량으로 노출을 실행하였다. 이 때, 포토마스크(47)의 원형 또는 다각형 차광부(42c)의 면적은 30 %이고, 차광부(42c)는 인접 차광부(42c) 사이의 중심간 거리가 5 ㎛ 내지 50 ㎛, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 20 ㎛의 범위내로 되도록 랜덤하게 배치되어 있고, 투광부(41c)는 콘택트홀(30)에 대응하는 영역에 배치되어 있으며, 그의 광 투과율이 투광부의 17 %인 반투광부(46)는 부분(41c) 및 (42c)이외의 영역에 배치되어 있다. 도시하지 않지만, 표시 영역이외의 영역은 투광 영역이다. 도 13의 평면도에서, 반투광부(46) 및 차광부(42c)는 빗금이 쳐져 있다.

이어지는 처리는 상술한 실시예 4와 마찬가지이다. 도 12c에 도시한 바와 같이 현상을 실행하고, 도 12d에 도시한 바와 같이 열처리를 실행하여, 완만한 요철을 변형된 수지에 의해 형성하였다.

그후, 도 12e에 도시한 바와 같이, 기판(1) 상에 반사 전극(10)으로서 Al 박막을 형성하고, 도 12f 내지 도 12j에 도시한 바와 같이, 하나의 반사 전극(10)이 하나의 트랜지스터에 대응하도록 패터닝을 실행하였다.

이 실시예에 따른 반사형 액정 표시 장치에 있어서, 완만한 고밀도 요철을 갖는 반사 전극은 상술한 실시예 1과 마찬가지로 형성되지만, 감광성 수지의 광처리시 반투광부를 갖는 포토마스크를 사용하는 것에 노출의 횟수를 더욱 줄일 수 있고, 반사 기판(23)의 제조에 필요한 비용을 줄일 수 있다.

(실시예 6)

이하, 본 발명의 실시예 6에 따른 반사형 액정 표시 장치를 도면을 참조하여 설명한다. 이 실시예에 따른 반사형 액정 표시 장치의 반사 기판(23)은 도 1에 도시한 반사 기판(23)과 동일하지만, 다른 제조 방법에 의해 형성된다. 이하, 그 제조 방법을 도 14a 내지 도 14l에 도시한 단면도를 참조하여 설명한다.

도 14a 내지 도 14l은 실시예 6에 따른 반사형 액정 표시 장치에 사용되는 반사 기판(23)의 제조 공정을 설명하는 단면도이다. 이들 도면에서, 화소 영역은 왼쪽에 도시되어 있고, 신호 입력 단자부 영역은 오른쪽에 도시되어 있다.

먼저, 도 14a에 도시한 바와 같이, 포지티브 감광성 수지(9)(제품명 : Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd제 OFPR-800)을 1 내지 5 ㎛의 두께로 글라스 기판(1)에 도포한다. 이 실시예에서는 수지(9)를 3 ㎛의 두께로 도포하였다.

그후, 차광부(42a)의 면적이 도 10에 도시한 바와 같이 원형 영역으로서 20 % 내지 40% 범위내인 제1포토마스크(43)를 사용하는 것에 의해, 도 14b에 도시한 바와 같이 낮은 조도로 균일하게 노출을 실행하였다. 이때의 노출량은 20 mj 내지 100 mj이 바람직하다. 이 실시예에서는 40 mj의 노출량으로 노출을 실행하였다. 이 때, 제1포토마스크(47)의 원형 또는 다각형 차광부(42a)는 인접 차광부(42a) 사이의 중심간 거리가 5 ㎛ 내지 50 ㎛, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 20 ㎛의 범위내로 되도록 랜덤하게 배치된다.

그후, 도 11에 도시한 바와 같이 콘택트홀부(30)에 대응하는 투광부(41b)가 오픈되어 있는 제2포토마스크(44)를 사용하는 것에 의해, 콘택트홀부를 도 14c에 도시한 바와 같은 상술한 제1노출 처리와 같은 40 mj의 노출량으로 균일하게 노출시켰다.

그후, 도 14d에 도시한 바와 같이, Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd가 제조한 현상액 TMAH(tetramethylammoniumhydrooxide)로 현상을 실행하는 것에 의해, 두 번 노출된 부분(콘택트홀부 및 신호 입력 단자부) 수지가 약 2 %(0. 06 ㎛) 남고, 한번 노출된 부분의 수지가 처음 막 두께에 대하여 약 40 % 남고, 미노출부의 수지가 처음 막 두께에 대하여 약 80 % 남았다.

그후, 도 14e에 도시한 바와 같이, 200 ℃에서 60분간 열처리를 실행하는 것에 의해, 상술한 상태의 수지를 완만한 요철로 변형하였다.

그후, 도 14f에 도시한 바와 같이, 드라이 에칭 장치에서 5분간 산소 플라즈마 분위기에 기판을 노출시키는 것에 의해, 감광성 수지의 최외측 표면을 전체적으로 두께가 0.1 ㎛만큼 줄어들도록 에칭함으로써, 콘택트홀부 및 신호 입력 단자부의 수지를 완전히 제거하였다. 이 처리는 감광성 수지의 약 2 %가 콘택트홀부에 남기 때문에 실행하였다. 그러나, 이 처리는 수지가 현상후 완전히 제거될때는 불필요하다.

이어지는 처리는 상술한 실시예 1 내지 실시예 5와 마찬가지이다. 도 14g에 도시한 바와 같이, 기판(1)상에 반사 전극(10)으로서 Al 박막을 형성하고, 도 14h 내지 도 14l에 도시한 바와 같이, 하나의 반사 전극(10)이 하나의 트랜지스터에 대응하도록 패터닝을 실행하였다.

이 실시예에 따른 반사형 액정 표시 장치에 있어서, 완만한 고밀도 요철을 갖는 반사 전극은 상술한 실시예 1과 마찬가지로 형성되지만, 감광성 수지의 광처리시 동일한 노출량으로 제1 및 제2노출을 실행하는 것에 의해 장치의 스루폿을 향상시킬 수 있으며, 반사 기판(23)의 제조에 필요한 비용을 줄일 수 있다.

(실시예 7)

이하, 본 발명의 실시예 7에 따른 투과/반사형 액정 표시 장치를 도면을 참조하여 설명한다. 도 15는 이 실시예에 따른 투과/반사형 액정 표시 장치의 기판(49)을 도시한 평면도이다. 도 16은 도 15에 도시한 기판(49)의 단면도이다. 도 17a 내지 도 17f는 기판(49)의 제조 공정의 흐름을 설명하는 단면도이다.

도 15 및 도 16에 도시한 바와 같이, 이 실시예에 따른 투과/반사형 액정 표시 장치에 사용되는 기판(49)에서는 기판(49) 상에 형성된 하나의 화소 전극이 반사 전극(10)이 형성되어 있는 반사 영역과 투명 전극(37)이 형성되어 있는 투과 영역(31)으로 분할되어 있다. 반사 전극(10)은 실시예 1 내지 실시예 6과 같은 원형의 오목 또는 볼록부(33)를 포함하는 완만한 고밀도의 요철을 그의 표면에 갖는다.

이 구조의 의하면, 이 실시예에 따른 투과/반사형 액정 표시 장치는 투과 액정 표시 장치에서는 표시가 흐려지는 주위광이 너무 강할 때 반사형 액정 표시 장치로서 사용될 수 있고, 어두운 환경으로 인해 반사형 액정 표시 장치에서 표시를 명확히 보여줄 수 없을 때 백라이트를 켜는 것에 의해 투과 액정 표시 장치로서 사용될 수 있다.

이 실시예에 따른 투과/반사형 액정 표시 장치에서는 도 15 및 도 16에 도시한 바와 같이, 액정 구동 장치(24)로서 비정질 실리콘 트랜지스터를 글라스 기판(1)에 형성한다. 액정 구동 장치(24)는 글라스 기판(1) 상에 게이트 전극(2)으로서 Ta, 게이트 절연층(3)으로서SiNx, 반도체층(4)으로서 a-Si, n형 반도체층(5)으로서 n형 a-Si, ITO로 이루어진 소스 전극(7) 및 드레인 전극(8), 그리고 전극(7) 및 (8)상에 형성된 Ta층(32)을 포함한다. 드레인 전극(8)의 ITO는 화소 영역으로 연장하여 투과 영역에 형성된 투명 전극(37)을 형성하게 된다.

이 실시예에는 도시하지 않지만, 게이트 버스선 및 소스 버스선에 신호를 입력하기 위한 신호 입력 단자부(27)는 상술한 실시예 1 내지 실시예 6과 마찬가지이다.

이하, 이 실시예에 따른 투과/반사형 액정 표시 장치의 기판(49)의 제조 공정을 도 17a 내지 도 17f를 참조하여 설명한다. 도 17a 내지 도 17f에서, 투과 영역(31)에 존재하는 ITO는 생략되어 있다.

먼저, 도 17a에 도시한 바와 같이, 네가티브 감광성 수지(9)(제품명 : Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd제 OFPR-800)을 1 내지 5 ㎛의 두께로 글라스 기판(1)에 도포한다. 이 실시예에서는 수지(9)를 3 ㎛의 두께로 도포하였다.

그후, 투과 영역(31) 및 콘택트홀부(30)에 대응하는 차광부(53a, 53b)가 도 18에 도시한 바와같이 같이 배치되어 있는 제1포토마스크(51)를 사용하는 것에 의해, 콘택트홀부(30) 및 투과 영역(31)을 도 17b에 도시한 바와 같이 낮은 조도로 균일하게 노출시켰다. 제1포토마스크(51)에서, 차광부(53a, 53b)이외의 영역은 투광부(52a)이다. 이때의 노출량은 20 mj 내지 100 mj이 바람직하다. 이 실시예에서는 40 mj의 노출량으로 노출을 실행하였다. 도 18의 평면도에서는 차광부(53a, 53b)에 빗금이 쳐져 있다.

그후, 투광부(52c)가 도 19에 도시한 바와 같이 원형 영역으로서 콘택트홀부(30) 및 투과영역(31)에 존재하지 않도록 배치되어 있는 제2포토마스크(54)를 사용하는 것에 의해, 도 17c에 도시한 바와 같이 높은 조도로 노출을 균일하게 실행하였다. 제2포토마스크(54)에서, 투광부(52c) 이외의 영역은 차광부(53c)이다. 이때의 노출량은 160 mj 내지 500 mj이 바람직하다. 이 실시예에는 투광부(52c)의 면적인 30 %인 제2포토마스크(54)를 사용하여 240 mj의 노출량으로 노출을 실행하였다. 이때, 제2포토마스크(54)의 원형 또는 다각형 투광부(52c)의 면적은 반사 전극 면적의 30 %이고, 투광부(52c)는 인접 투광부(52c)사이의 중심간 거리가 5 ㎛ 내지 50 ㎛, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 20 ㎛범위내로 되도록 랜접하게 배치되어 있다. 또한, 이때, 제1 및 제2포토마스크(51) 및 (54)는 콘택트홀부뿐만 아니라 신호 입력 단자부(27)에 빛이 들어가지 않도록 구성되어 있다. 도 19의 평면도에서, 차광부(53c)에는 빗금이 쳐져 있다.

그후, 도 17d에 도시한 바와 같이, Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd가 제조한 현상액 TMAH(tetramethylammoniumhydrooxide)로 현상을 실행하는 것에 의해, 노출된 부분(콘택트홀부, 투과 영역 및 신호입력 단자부)의 수지를 완전히 제거하고, 낮은 조도로 노출된 부분의 수지를 처음 막 두께에 대하여 약 40 % 남기고, 미노출부의 수지를 처음 막 두께에 대하여 약 80 % 남겼다.

그후, 도 17e에 도시한 바와 같이, 200 ℃에서 60분간 열처리를 실행하는 것에 의해, 상술한 상태의 수지를 완만한 요철로 변형하였다.

이어지는 처리는 상술한 실시예 1 내지 실시예 6과 마찬가지이다. 도 17f에 도시한 바와 같이, 기판(1) 상에 반사 전극(10)으로서 Al 박막을 형성하고, 하나의 반사 전극(10)이 하나의 트랜지스터에 대응하도록 패터닝을 실행하였다.

상술한 처리에 의해, 완만한 고밀도의 요철을 갖는 반사 전극(10)을 포함하는 반사 영역 및 투명 전극(37)을 포함하는 투과 영역(31)을 갖는 기판(49)을 형성하였다. 기판(49) 상의 반사 전극에서는 평탄부의 면적이 줄어들므로, 규칙적 반사 성분이 적은 이상적인 반사 특성을 실현할 수 있다. 또한, 감광성 수지의 광처리 횟수를 줄일 수 있으므로, 반사판의 제조에 필요한 비용을 줄일 수 있다.

마지막으로, 기판(49) 및 투명 전극을 지지하는 색 필터 기판을 종래와 마찬가지 방식으로 그들사이의 스페이서와 함께 접착시키고, 액정을 충전하고, 그 색 필터 기판에 위상차판 및 분광판을 접착하고, 기판(49)의 뒷면에 백라이트를 설정하여 이 실시예에 따른 투과/반사형 액정 표시 장치를 완성한다.

(실시예 8)

이하, 본 발명의 실시예 8에 따른 투과/반사형 액정 표시 장치의 기판(49)의 제조 공정을 도 20a 내지 도 20f를 참조하여 설명한다.

이 실시예에 따른 투과/반사형 액정 표시 장치의 기판은 도 15에 도시한 기판(49)와 같지만, 다른 제조 방법에 의해 형성된다. 이하, 그 제조 방법을 도 20a 내지 도 20f에 도시한 단면도를 참조하여 설명한다.

먼저, 도 20a에 도시한 바와 같이, 포지티브 감광성 수지(9)(제품명 : Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd제 OFPR-800)을 1 내지 5 ㎛의 두께로 글라스 기판(1)에 도포한다. 이 실시예에서는 수지(9)를 3 ㎛의 두께로 도포하였다.

그후, 차광부(42a)의 면적이 도 10에 도시한 바와 같이 원형 영역으로서 20 % 내지 40 %범위내인 제1포토마스크(43)를 사용하는 것에의해, 도 20b에 도시한 바와 같이 낮은 조도로 노출을 균일하게 실행하였다. 이때의 노출량은 20 mj 내지 100 mj이 바람직하다. 이 실시예에서는 차광부(42a)의 면적이 30 %인 제1포토마스크(43)를 사용하여 40 mj의 노출량으로 노출을 실행하였다. 이때, 제1포토마스크(43)의 원형 또는 다각형 차광부(42a)는 인접 차광부(42a) 사이의 중심간 거리가 5 ㎛ 내지 50 ㎛, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 20 ㎛범위내로 되도록 랜덤하게 배치되어 있다.

그후, 콘택트홀부(30) 및 투과 영역(31)에 대응하는 투광부(52d, 52e)가 도 21에 도시한 바와 같이 오픈되어 있는 제2포토마스크(55)를 사용하는 것에 의해, 콘택트홀부(30) 및 투과 영역(31)을 도 20c에 도시한 바와 같이 높은 조도로 균일하게 노출시켰다. 제2포토마스크(55)에서는 투광부(52d, 52e) 이외의 영역이 차광부(53d)이다. 이때, 제2포토마스크(55)는 신호 입력 단자부(27)에 대하여 투광부를 갖고, 단자부(27)는 콘택트홀 및 투과부의 노출과 동시에 높은 조도로 노출시킨다. 이때 노출량은 160 mj 내지 500 mj이 바람직하다. 이 실시예에서는 240 mj의 노출량으로 노출을 실행하였다. 도 21의 평면도에서는 차광부(53)에 빗금이 쳐져 있다.

그후, 도 20d에 도시한 바와 같이, Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd가 제조한 현상액 TMAH(tetramethylammoniumhydrooxide)로 현상을 실행하는 것에 의해, 노출된 부분(콘택트홀부, 투과 영역 및 신호입력 단자부)의 수지를 완전히 제거하고, 낮은 조도로 노출된 부분의 수지를 처음 막 두께에 대하여 약 40% 남기고, 미노출부의 수지를 처음 막 두께에 대하여 약 80 % 남겼다.

그후, 도 20e에 도시한 바와 같이, 200 ℃에서 60분간 열처리를 실행하는 것에 의해, 상술한 상태의 수지를 완만한 요철로 변형하였다.

이어지는 처리는 상술한 실시예 1 내지 실시예 7과 마찬가지이다. 도 20f에 도시한 바와 같이, 기판(1) 상에 반사 전극(10)으로서 Al 박막을 형성하고, 하나의 반사 전극(10)이 하나의 트랜지스터에 대응하도록 패터닝을 실행하였다.

마지막으로, 기판(49) 및 투명 전극을 지지하는 색 필터 기판을 종래와 마찬가지 방식으로 그들사이의 스페이서와 함께 접착시키고, 액정을 충전하고, 그 색 필터 기판에 위상차판 및 분광판을 접착하여 이 실시예에 따른 투과/반사형 액정 표시 장치를 완성한다.

본 발명에 의하면, 불완전한 전기적 연속성이 발생하기 어렵고 양호한 반사 특성을 갖는 액정 표시 장치를 재현성 좋게 용이하게 제조할 수 있고 또한 표시 품질을 향상시킬 수 있는 반사형 액정 표시 장치의 제조 방법이 제공된다.

이상 본 발명자에 의해 이루어진 발명을 상기 실시예에 따라 구체적으로 설명하였지만 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고 그 요지를 이탈하지 않는 범위내에서 여러 가지로 변경가능한 것은 물론이다.

Claims

한쌍의 기판 사이에 액정층과 대향하도록 배치된 상기 한쌍의 기판중 하나에, 다른 기판으로 부터의 입사광을 반사하는 반사 수단을 갖는 액정 표시 장치를 제조하는 방법에 있어서,

상기 기판중 하나에 감광성 수지를 도포하는 단계:

상기 도포된 감광성 수지막의 제1영역에 상기 제1영역의 감광성 수지가 다른 막두께로 남도록 여러 가지 노출량으로 상기 제1영역을 노출시키는 것에 의해 요철을 형성하고, 상기 도포된 감광성 수지막의 제2영역에 상기 제2영역의 감광성 수지가 상기 제1영역보다 적은 두께로 남도록 상기 제1영역과 다른 노출량으로 상기 제2영역을 노출시키는 것에 의해 오목부를 형성하는 단계;

상기 노출된 감광성 수지를 현상하는 단계;

상기 현상된 감광성 수지를 열처리하는 단계; 및

상기 열처리된 감광성 수지에 반사막을 형성하는 단계

를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 반사막을 포함하는 반사 전극은 상기 감광성 수지의 제1영역에 형성되고, 상기 반사 전극은 상기 감광성 수지의 제2영역에 있어서 상기 반사 전극의 하층에 형성된 배선에 접속되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 기판중 하나의 외부 표시 영역에는 단자부가 형성되고, 상기 감광성 수지의 제2영역은 상기 단자부에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 감광성 수지는 네가티브이고, 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계는 투광부, 차광부 및 반투광부를 갖는 포토마스크를 사용하여 상기 포토마스크의 상기 투광부 및 반투광부에 대응하는 영역에 제1영역이, 상기 포토마스크의 상기 차광부에 대응하는 영역에 제2영역이 형성되도록 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 감광성 수지는 포지티브이고, 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계는 투광부, 차광부 및 반투광부를 갖는 포토마스크를 사용하여 상기 포토마스크의 상기 차광부 및 반투광부에 대응하는 영역에 제1 영역이, 상기 포토마스크의 투광부에 대응하는 영역에 제2영역이 형성되도록 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 감광성 수지를 노출시키는 단계는 각각 제1 및 제2포토마스크에 의해 제1영역 및 제2영역이 형성되도록 상기 제1포토마스크를 사용하여 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계 및 상기 제2포토마스크를 사용하여 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
제 6 항에 있어서,

상기 제1포토마스크를 사용하여 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계의 노출량과 상기 제2포토마스크를 사용하여 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계의 노출량은 같은 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
제 6 항에 있어서,

상기 제1포토마스크를 사용하여 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계에서는 균일한 낮은 조도의 노출을 실행하고, 상기 제2포토마스크를 사용하여 상기 감광성 수지를 노출시키는 단계에서는 균일한 높은 조도의 노출을 실행하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
제 8 항에 있어서,

상기 제1 또는 제2포토마스크에는 원형 또는 다각형 영역이 불규칙적으로 배치되어 있고, 상기 원형 또는 다각형 영역의 총 면적은 상기 포토마스크의 총면적의 20 %에서 40% 범위내인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
제 9 항에 있어서,

상기 제1 또는 제2포토마스크에 배치된 원형 또는 다각형 영역은 인접 영역사이의 중심간 거리가 5 ㎛ 내지 50 ㎛범위내로 되도록 불규칙적으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.