KR20000023107A - 포토레지스트용 바닥반사방지막 재료 조성물 및 이것을이용한 레지스트 패턴형성방법 - Google Patents
포토레지스트용 바닥반사방지막 재료 조성물 및 이것을이용한 레지스트 패턴형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20000023107A KR20000023107A KR1019990038978A KR19990038978A KR20000023107A KR 20000023107 A KR20000023107 A KR 20000023107A KR 1019990038978 A KR1019990038978 A KR 1019990038978A KR 19990038978 A KR19990038978 A KR 19990038978A KR 20000023107 A KR20000023107 A KR 20000023107A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- polymer
- material composition
- coating material
- reflective coating
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
Description
실시예 또는비교예 | 실시예와 비교예에서 사용되는 화합물 | ||
폴리머 흡광제(a) | 열가교제(b) | 열역학적 산발생제 | |
실시예 1 | 합성예 1 | 헥사메톡시메틸멜라민 | TAG 14 |
실시예 2 | 합성예 2 | 헥사메톡시메틸멜라민 | TAG 10 |
실시예 3 | 합성예 3 | 헥사메톡시메틸멜라민 | TAG 18 |
실시예 4 | 합성예 4 | 헥사메톡시메틸멜라민 | TAG 17 |
실시예 5 | 합성예 5 | 헥사메톡시메틸멜라민 | TAG 18 |
실시예 6 | 합성예 6 | 헥사메톡시메틸멜라민 | TAG 21 |
실시예 7 | 합성예 7 | 헥사메톡시메틸멜라민 | TAG 21 |
실시예 8 | 합성예 8 | 헥사메톡시메틸멜라민 | TAG 21 |
비교예 1 | 합성예 1 | 헥사메톡시메틸멜라민 | 트리페닐술포늄토실레이트 |
비교예 2 | 합성예 2 | 헥사메톡시메틸멜라민 | 트리페닐술포늄토실레이트 |
비교예 3 | 합성예 3 | 헥사메톡시메틸멜라민 | 트리페닐술포늄토실레이트 |
비교예 4 | 합성예 4 | 헥사메톡시메틸멜라민 | 사이클로헥실토실레이트 |
비교예 5 | 합성예 5 | 헥사메톡시메틸멜라민 | 사이클로헥실토실레이트 |
비교예 6 | 합성예 6 | 헥사메톡시메틸멜라민 | 사이클로헥실토실레이트 |
실시예 또는비교예 | 248nm에서의막흡수(/㎛) | 임계 해상도(㎛) | 필름두께의존성 | 레지스트프로파일 |
실시예 1 | 8.311 | 0.20 | 0.98 | 우수함(직사각형) |
실시예 2 | 8.373 | 0.20 | 0.98 | 우수함(직사각형) |
실시예 3 | 7.843 | 0.20 | 0.98 | 우수함(직사각형) |
실시예 4 | 7.668 | 0.20 | 0.98 | 우수함(직사각형) |
실시예 5 | 8.041 | 0.20 | 0.98 | 우수함(직사각형) |
실시예 6 | 8.618 | 0.20 | 0.98 | 우수함(직사각형) |
실시예 7 | 7.739 | 0.20 | 0.97 | 약간의 언더컷 |
실시예 8 | 7.993 | 0.20 | 0.97 | 약간의 푸팅 |
비교예 1 | 7.637 | 0.23 | 0.97 | 푸팅 |
비교예 2 | 7.711 | 0.22 | 0.97 | 푸팅 |
비교예 3 | 7.316 | 0.21 | 0.97 | 푸팅 |
비교예 4 | 7.816 | 0.21 | 0.97 | 언더컷 |
비교예 5 | 8.153 | 0.22 | 0.97 | 언더컷 |
비교예 6 | 8.127 | 0.21 | 0.97 | 언더컷 |
Claims (18)
- 포토레지스트 노광용에 사용되는 파장을 포함하는 빛에 1.0×104이상의 몰흡광계수를 보유한 염료구조를 포함하는 폴리머(a)와;산에 의해 활성화되어 상기한 성분(a)과 반응함으로써, 교차결합구조를 형성하는 열가교제(b)와;150 내지 200℃ 사이의 온도로 가열하여 분해되어 산을 발생시키는 술폰산 에스테르 화합물 또는 디아릴요오드늄염 (c)와;상기한 성분 (a) 내지 (c)를 용해시킬 수 있는 유기용매(d)를 포함하는 포토레지스트용 바닥반사방지막 재료조성물.
- 제1항에 있어서, 성분(a)의 폴리머가 80 내지 180℃의 유리전이온도를 보유하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 바닥반사방지막 재료 조성물.
- 제1항에 있어서, 성분(a)의 폴리머가 염료구조를 보유하는 반복단위를 10중량% 이상으로 함유하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 바닥반사방지막 재료 조성물.
- 제1항에 있어서, 성분(a)의 폴리머에서의 염료구조가 다음의 화학식 (Ⅰ) 또는 (Ⅱ)으로 나타내는 구조인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 바닥반사방지막 재료 조성물:(여기에서, W는 폴리머 주사슬에 대한 연결기를 나타내고; Y는 산소원자, 황원자 또는 =N-V를 나타낸다; Z1과 Z2는 동일 또는 다른 것이어도 좋고, 각각은 전자공여기를 나타낸다; m과 n은 각각 0 내지 2와 0 내지 3의 정수이고, m과 n이 각각 2 또는 3일 경우, Z1기 또는 Z2기는 동일 또는 다른 것이어도 좋다; V는 하이드록시기, 아미노기, 치환체를 보유할 수 있는 1 내지 20의 탄소원자를 보유한 직쇄형, 측쇄형 또는 고리형 알킬기, 치환체를 보유할 수 있는 5 내지 14의 탄소원자를 보유한 방향족 또는 이형방향족 고리기 또는 1 내지 20의 탄소원자를 보유한 알콕시기를 나타낸다.).
- 제1항에 있어서, 성분(a)의 폴리머가 하기의 화학식 (IA) 또는 (ⅡA)로 나타내는 반복단위를 보유하는 폴리머인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 바닥반사방지막 재료 조성물:(여기에서, R1은 수소원자, 메틸기, 염소원자, 브롬원자 또는 시아노기를 나타내고; X는 2가의 연결기를 나타낸다; Y는 산소원자, 황원자 또는 =N-V를 나타낸다; Z1과 Z2는 동일 또는 다른 것이어도 좋고, 각각은 전자공여기를 나타낸다; m과 n은 각각 0 내지 2와 0 내지 3의 정수이고, m과 n이 각각 2 또는 3일 경우, Z1기 또는 Z2기는 동일 또는 다른 것이어도 좋다; V는 하이드록시기, 아미노기, 치환체를 보유할 수 있는 1 내지 20의 탄소원자를 보유한 직쇄형, 측쇄형 또는 고리형 알킬기, 치환체를 보유할 수 있는 5 내지 14의 탄소원자를 보유한 방향족 또는 이형방향족 고리기 또는 1 내지 20의 탄소원자를 보유한 알콕시기를 나타낸다.).
- 제5항에 있어서, 화학식 (IA) 또는 (ⅡA)에서 Z1과 Z2는 동일 또는 다른 것이어도 좋고, 각각이 하이드록시기, -OR4(여기에서, R4는 1 내지 20의 탄소원자를 보유한 탄화수소기를 나타낸다), -SR 또는 -NR5R6(여기에서, R5와 R6는 동일 또는 다른 것이어도 좋고, 각각은 수소원자 또는 1 내지 20의 탄소원자를 보유한 탄화수소기를 나타낸다)를 나타내는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 바닥반사방지막 재료 조성물.
- 제1항에 있어서, 성분(b)의 열가교제가, 메틸올기, 알콕시메틸기, 아실옥시메틸기로부터 선택되는 적어도 하나의 치환체로 치환되는 멜라민, 벤조구아나민, 글리콜우릴 또는 우레아 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 바닥반사방지막 재료 조성물.
- 제7항에 있어서, 성분(b)의 열가교제가, 헥사메톡시메틸멜라민, 테트라메톡시메틸벤조구아나민, 테트라메톡시메틸글리콜우릴로부터 선택되는 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 바닥반사방지막 재료 조성물.
- 제1항에 있어서, 성분(c)의 화합물이, 디아릴요오드늄 양이온염, 유기술폰산 음이온염, 또는 3 내지 20의 탄소원자를 보유한 유기술폰산 에스테르인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 바닥반사방지막 재료 조성물.
- 150 내지 200℃의 온도로 가열하여 분해되어 산을 발생시키는, 포토레지스트 노광용에 사용되는 파장을 포함하는 빛에 대해 1.0×104이상의 몰흡광계수를 보유한 염료구조를 포함하는 반복단위와, 술폰산 에스테르 구조 또는 디아릴요오드늄 구조를 포함하는 반복단위를 보유하는 폴리머(a')와;산에 의해 활성화되어 상기한 성분(a')과 반응함으로써 교차결합구조를 형성하는 열가교제(b)와;상기한 성분 (a')와 (b)를 용해시킬 수 있는 유기용매(d)로 이루어진 포토레지스트용 바닥반사방지막 재료 조성물.
- 제1항에 기재된 포토레지스트용 바닥반사방지막 재료 조성물을 사용하는 것을 포함하는 레지스트 패턴형성방법.
- 제4항에 있어서, 화학식(Ⅰ)에서 Y가 산소원자인 포토레지스트용 바닥반사방지막 재료 조성물.
- 제5항에 있어서, 성분(a)의 폴리머가 비흡광성 모노머의 반복단위를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 바닥반사방지막 재료 조성물.
- 제13항에 있어서, 비흡광성 모노머가 아크릴산 에스테르, 메타아크릴산 에스테르, 아크릴아미드, 메타아크릴아미드, 아릴 화합물, 비닐에테르, 비닐에스테르, 스티렌, 크로토닉 에스테르로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 바닥반사방지막 재료 조성물.
- 제13항에 있어서, 비흡광성 모노머가 하이드록시기를 보유하는 모노머인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 바닥반사방지막 재료 조성물.
- 제13항에 있어서, 비흡광성 모노머가 1 내지 10의 탄소원자를 보유한 알킬기를 함유하는 알킬(메타)아크릴레이트 모노머인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 바닥반사방지막 재료 조성물.
- 제5항에 있어서, 성분(a)의 폴리머가 교차결합기를 보유한 반복단위를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 바닥반사방지막 재료 조성물.
- 제17항에 있어서, 교차결합기를 보유한 반복단위가 하기의 화학식 (A),(B) 또는 (C)로 나타내는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 바닥반사방지막 재료 조성물:(R2는 수소원자, 메틸기, 염소원자, 브롬원자 또는 시아노기를 나타내고, A는 -CH2OH, -CH2OR14또는 -CH2OCOCH3말단기를 보유한 작용기를 나타낸다(여기에서, R14는 1 내지 20의 탄소원자를 보유한 탄화수소기를 나타낸다); B는 -CO2H 말단기를 보유하는 작용기를 나타낸다; D는 에폭시 말단기를 보유하는 작용기를 나타낸다).
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP98-270042 | 1998-09-24 | ||
JP27004298A JP3852889B2 (ja) | 1998-09-24 | 1998-09-24 | フォトレジスト用反射防止膜材料組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20000023107A true KR20000023107A (ko) | 2000-04-25 |
KR100624044B1 KR100624044B1 (ko) | 2006-09-19 |
Family
ID=17480729
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019990038978A KR100624044B1 (ko) | 1998-09-24 | 1999-09-13 | 포토레지스트용 바닥반사방지막 재료 조성물 및 이것을 이용한 레지스트 패턴형성방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6399269B2 (ko) |
EP (1) | EP0989463B1 (ko) |
JP (1) | JP3852889B2 (ko) |
KR (1) | KR100624044B1 (ko) |
DE (1) | DE69906901T2 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100470938B1 (ko) * | 2002-05-17 | 2005-02-22 | (주)모레이 | 유기 난반사 방지막 형성용 광흡수성 고분자, 이를포함하는 조성물, 및 이를 이용한 반도체 소자 패턴의형성 방법 |
KR20160055134A (ko) * | 2013-09-09 | 2016-05-17 | 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤 | 광학 부재의 제조 방법 및 그것에 이용하는 자외선 경화형 수지 조성물 |
KR20180050979A (ko) * | 2016-11-07 | 2018-05-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 감광성 수지 및 반사방지막의 도포성 향상 및 제거용 신너 조성물 |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1129390A1 (en) * | 1998-11-12 | 2001-09-05 | Andrew Michael Thompson | Priming composition for bonding photoresists on substrates |
US6316165B1 (en) * | 1999-03-08 | 2001-11-13 | Shipley Company, L.L.C. | Planarizing antireflective coating compositions |
JP4220248B2 (ja) | 2001-04-17 | 2009-02-04 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | 改善されたスピンボウル適合性を有する反射防止コーティング組成物 |
TW591341B (en) * | 2001-09-26 | 2004-06-11 | Shipley Co Llc | Coating compositions for use with an overcoated photoresist |
EP1472574A4 (en) | 2001-11-15 | 2005-06-08 | Honeywell Int Inc | ANTI-REFLECTIVE COATINGS DESIGNED TO BE INSTALLED BY ROTATION FOR PHOTOLITHOGRAPHY |
US6846612B2 (en) | 2002-02-01 | 2005-01-25 | Brewer Science Inc. | Organic anti-reflective coating compositions for advanced microlithography |
KR100478982B1 (ko) * | 2002-05-02 | 2005-03-25 | 금호석유화학 주식회사 | 신규 산발생제 및 이를 함유한 박막 조성물 |
JP3850772B2 (ja) * | 2002-08-21 | 2006-11-29 | 富士通株式会社 | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
US7323289B2 (en) * | 2002-10-08 | 2008-01-29 | Brewer Science Inc. | Bottom anti-reflective coatings derived from small core molecules with multiple epoxy moieties |
EP1617289A4 (en) * | 2003-04-02 | 2009-12-16 | Nissan Chemical Ind Ltd | COMPOSITION FOR FORMING A LAYERING FILM FOR LITHOGRAPHY WITH EPOXY COMPOSITION AND CARBOXYLIC ACID COMPOSITION |
US7361447B2 (en) * | 2003-07-30 | 2008-04-22 | Hynix Semiconductor Inc. | Photoresist polymer and photoresist composition containing the same |
WO2005041255A2 (en) * | 2003-08-04 | 2005-05-06 | Honeywell International, Inc. | Coating composition optimization for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof |
KR100570206B1 (ko) * | 2003-10-15 | 2006-04-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사방지막용 광 흡수제 중합체 및 이의 제조 방법과상기 중합체를 포함하는 유기 반사 방지막 조성물 |
KR100570208B1 (ko) * | 2003-10-15 | 2006-04-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사방지막용 광 흡수제 중합체 및 이의 제조 방법과상기 중합체를 포함하는 유기 반사 방지막 조성물 |
KR100570209B1 (ko) * | 2003-10-15 | 2006-04-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사방지막용 광 흡수제 중합체 및 이의 제조 방법과상기 중합체를 포함하는 유기 반사 방지막 조성물 |
KR100570207B1 (ko) * | 2003-10-15 | 2006-04-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사방지막용 광 흡수제 중합체 및 이의 제조 방법과상기 중합체를 포함하는 유기 반사 방지막 조성물 |
KR100611391B1 (ko) * | 2003-11-06 | 2006-08-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 난반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
US8053159B2 (en) * | 2003-11-18 | 2011-11-08 | Honeywell International Inc. | Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof |
US7534555B2 (en) * | 2003-12-10 | 2009-05-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Plating using copolymer |
WO2005089150A2 (en) * | 2004-03-12 | 2005-09-29 | Fujifilm Electronic Materials Usa Inc. | Thermally cured undercoat for lithographic application |
KR100574490B1 (ko) * | 2004-04-27 | 2006-04-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상부 반사방지막 중합체, 이의 제조방법 및 이를 함유하는상부 반사방지막 조성물 |
US20050255410A1 (en) * | 2004-04-29 | 2005-11-17 | Guerrero Douglas J | Anti-reflective coatings using vinyl ether crosslinkers |
US7241697B2 (en) * | 2005-07-07 | 2007-07-10 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | Method for sensor edge control and track width definition for narrow track width devices |
EP1906249A3 (en) * | 2006-09-26 | 2008-12-24 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Antireflective coating compositions for photolithography |
US8642246B2 (en) | 2007-02-26 | 2014-02-04 | Honeywell International Inc. | Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof |
KR100886314B1 (ko) * | 2007-06-25 | 2009-03-04 | 금호석유화학 주식회사 | 유기반사방지막용 공중합체 및 이를 포함하는유기반사방지막 조성물 |
WO2009059031A2 (en) * | 2007-10-30 | 2009-05-07 | Brewer Science Inc. | Photoimageable branched polymer |
KR101585992B1 (ko) | 2007-12-20 | 2016-01-19 | 삼성전자주식회사 | 반사방지 코팅용 고분자, 반사방지 코팅용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 패턴 형성 방법 |
US8557877B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-10-15 | Honeywell International Inc. | Anti-reflective coatings for optically transparent substrates |
US8883407B2 (en) * | 2009-06-12 | 2014-11-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Coating compositions suitable for use with an overcoated photoresist |
US8864898B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-10-21 | Honeywell International Inc. | Coating formulations for optical elements |
KR101922280B1 (ko) | 2011-10-12 | 2018-11-26 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 패턴 형성 방법 및 레지스트 하층막 형성용 조성물 |
WO2013163100A1 (en) | 2012-04-23 | 2013-10-31 | Brewer Science Inc. | Photosensitive, developer-soluble bottom anti-reflective coating material |
CN103645609B (zh) * | 2013-11-08 | 2015-09-30 | 上海华力微电子有限公司 | 一种改善光刻胶形貌的方法 |
EP3194502A4 (en) | 2015-04-13 | 2018-05-16 | Honeywell International Inc. | Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications |
TWI662370B (zh) * | 2015-11-30 | 2019-06-11 | 南韓商羅門哈斯電子材料韓國公司 | 與外塗佈光致抗蝕劑一起使用之塗料組合物 |
CN109206966A (zh) * | 2018-09-08 | 2019-01-15 | 佛山市禅城区诺高环保科技有限公司 | 一种耐候性高透明消光粉的制备方法 |
KR20230042945A (ko) * | 2021-09-23 | 2023-03-30 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 제조방법 및 이에 이용되는 레지스트 적층체 |
CN113913075B (zh) * | 2021-10-25 | 2022-09-20 | 嘉庚创新实验室 | 一种抗反射涂层组合物及可交联聚合物 |
CN115403976B (zh) * | 2022-08-19 | 2023-04-18 | 嘉庚创新实验室 | 一种抗反射涂层组合物 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6165697A (en) | 1991-11-15 | 2000-12-26 | Shipley Company, L.L.C. | Antihalation compositions |
US5886102A (en) | 1996-06-11 | 1999-03-23 | Shipley Company, L.L.C. | Antireflective coating compositions |
US5652317A (en) | 1996-08-16 | 1997-07-29 | Hoechst Celanese Corporation | Antireflective coatings for photoresist compositions |
US5733714A (en) * | 1996-09-30 | 1998-03-31 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Antireflective coating for photoresist compositions |
EP0851300B1 (en) * | 1996-12-24 | 2001-10-24 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Bottom anti-reflective coating material composition and method of forming resist pattern using the same |
US5919599A (en) | 1997-09-30 | 1999-07-06 | Brewer Science, Inc. | Thermosetting anti-reflective coatings at deep ultraviolet |
US5935760A (en) | 1997-10-20 | 1999-08-10 | Brewer Science Inc. | Thermosetting polyester anti-reflective coatings for multilayer photoresist processes |
US6143480A (en) * | 1998-09-03 | 2000-11-07 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Leuco dye and image recording medium containing the same |
US6117967A (en) * | 1999-06-04 | 2000-09-12 | Xerox Corporation | Arylene ether alcohol polymers |
-
1998
- 1998-09-24 JP JP27004298A patent/JP3852889B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-09-13 KR KR1019990038978A patent/KR100624044B1/ko active IP Right Grant
- 1999-09-16 US US09/397,117 patent/US6399269B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-22 EP EP99118047A patent/EP0989463B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-22 DE DE69906901T patent/DE69906901T2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100470938B1 (ko) * | 2002-05-17 | 2005-02-22 | (주)모레이 | 유기 난반사 방지막 형성용 광흡수성 고분자, 이를포함하는 조성물, 및 이를 이용한 반도체 소자 패턴의형성 방법 |
KR20160055134A (ko) * | 2013-09-09 | 2016-05-17 | 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤 | 광학 부재의 제조 방법 및 그것에 이용하는 자외선 경화형 수지 조성물 |
KR20180050979A (ko) * | 2016-11-07 | 2018-05-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 감광성 수지 및 반사방지막의 도포성 향상 및 제거용 신너 조성물 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0989463A3 (en) | 2000-09-13 |
DE69906901D1 (de) | 2003-05-22 |
DE69906901T2 (de) | 2003-11-27 |
US6399269B2 (en) | 2002-06-04 |
JP3852889B2 (ja) | 2006-12-06 |
JP2000098595A (ja) | 2000-04-07 |
KR100624044B1 (ko) | 2006-09-19 |
EP0989463B1 (en) | 2003-04-16 |
US20020015909A1 (en) | 2002-02-07 |
EP0989463A2 (en) | 2000-03-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100624044B1 (ko) | 포토레지스트용 바닥반사방지막 재료 조성물 및 이것을 이용한 레지스트 패턴형성방법 | |
EP0851300B1 (en) | Bottom anti-reflective coating material composition and method of forming resist pattern using the same | |
EP0823661B1 (en) | Composition for anti-reflective coating material | |
US6187506B1 (en) | Antireflective coating for photoresist compositions | |
KR19980071125A (ko) | 광산 발생제를 포함하는 반사 방지 피복 조성물 | |
JP4687910B2 (ja) | 硫黄原子を含むリソグラフィー用反射防止膜形成組成物 | |
KR101137812B1 (ko) | 유기 반사방지막 형성용 유기 중합체 및 이를 포함하는유기 조성물 | |
JP3852868B2 (ja) | 反射防止膜材料組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法 | |
WO2010104074A1 (ja) | 側鎖にアセタール構造を有するポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物及びレジストパターンの形成方法 | |
US6808869B1 (en) | Bottom anti-reflective coating material composition and method for forming resist pattern using the same | |
JP3851414B2 (ja) | 反射防止膜材料組成物及びこれを用いたレジストパターン形成方法 | |
JP3632875B2 (ja) | 反射防止膜材料用組成物 | |
JP3617878B2 (ja) | 反射防止膜材料用組成物 | |
JP3707632B2 (ja) | 反射防止膜用組成物 | |
JPH1090908A (ja) | 反射防止膜材料用組成物 | |
JP2004205900A (ja) | リン系有機基含有高分子を含む反射防止膜形成組成物 | |
JP3638058B2 (ja) | 反射防止膜材料用組成物 | |
JPH0594018A (ja) | 感放射線性組成物 | |
JPH10120940A (ja) | 反射防止膜用組成物 | |
JP3851402B2 (ja) | 反射防止膜材料組成物及びそれを利用したレジストパターン形成方法 | |
JP3676510B2 (ja) | 反射防止膜材料用組成物 | |
JPH08227155A (ja) | ポリマー | |
JPH04246651A (ja) | 感放射線性組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120821 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130822 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150819 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160818 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170823 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180816 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190819 Year of fee payment: 14 |