KR20000009387U - 반도체 제조공정중 기포 제거장치 - Google Patents
반도체 제조공정중 기포 제거장치 Download PDFInfo
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Abstract
본 고안은 반도체 제조공정중 기포 제거장치에 관한 것으로 도체 제조공정에서 케미컬 내에 포함된 기포를 제거하는 기포 제거장치를 구비하여 상기 기포 제거장치에 의해 웨이퍼로 분사되는 케미컬 내의 기포를 제거하므로 상기 웨이퍼의 불량을 줄이도록 한 것이다.
이를 위해, 본 고안은 케미컬이 담겨져 있는 케미컬 탱크(1)와, 상기 케미컬 탱크(1) 내로 가압력을 이용하여 질소(N2)를 넣어주는 질소 가압부(2)와, 상기 케미컬 탱크(1)에서 토출되는 케미컬에 포함된 기포를 제거하는 필터(3)와, 상기 필터(3)를 통과하면서 기포가 제거된 케미컬을 웨이퍼(5)로 분사하는 분사노즐(4)로 구성된 것에 있어서, 상기 필터(3)와 분사노즐(4) 사이에는 필터(3)를 통과한 케미컬에 포함된 기포를 제거하도록 하는 기포 제거수단이 설치된 것이다.
Description
본 고안은 반도체 제조공정에 관한 것으로써, 좀 더 구체적으로는 반도체 제조공정중 기포 제거장치에 관한 것이다.
종래 반도체 제조공정중 기포 제거장치는 도 1에서 도시한 바와 같이, 케미컬(chemical)이 담겨져 있는 케미컬 탱크(1)와, 상기 케미컬 탱크(1)의 외측에 설치되어 케미컬 탱크(1) 내로 가압력을 이용하여 질소(N2)를 넣어주는 질소 가압부(2)와, 상기 케미컬 탱크(1)의 외측에 설치되어 질소 가압부(2)에서 케미컬 탱크(1) 내로 가압되는 질소에 의해 케미컬 탱크(1)에서 토출되는 케미컬에 포함된 기포를 제거하는 필터(3)와, 상기 필터(3)를 통과하면서 기포가 제거된 케미컬을 웨이퍼(5)로 분사하는 분사노즐(4)과, 상기 케미컬 탱크(1)와 필터(3) 그리고, 필터(3)와 분사노즐(4) 사이에 설치되어 케미컬이 유동하는 유로관(6)으로 구성되어 있다.
이러한 구조의 반도체 공정중 기포 제거장치는 케미컬이 담겨져 있는 케미컬 탱크(1) 내로 질소 가압부(2)의 가압력에 의해 질소(N2)가 유입되고, 상기 케미컬 탱크(1) 내로 유입된 질소에 의해 상기 케미컬이 케미컬 탱크(1)의 외부로 토출된다.
상기 케미컬 탱크(1)의 외부로 토출된 케미컬은 케미컬 탱크(1)와 연결된 유로관(6) 내를 유동하면서 필터(3)를 통과하게 되는데, 즉 케미컬이 필터(3)를 통과할 때 상기 케미컬에 포함된 기포는 필터(3)에 의해 걸러지면서 제거되고, 상기 기포가 제거된 케미컬은 필터(3)와 연결됨과 함께 분사노즐(4)과 연결된 유로관(6) 내를 유동하면서 상기 분사노즐(4)로 보내진다.
이와 같이, 분사노즐(4)로 보내진 케미컬은 상기 분사노즐(4)를 통해 웨이퍼(5)로 분사되므로 전체가 감광액으로 도포된 웨이퍼(5)의 주변부 감광액을 제거하게 된다.
여기서, 장치의 이상으로 인하여 필터(3)를 통과하는 케미컬에 기포가 발생되면 상기 필터(3) 측에 형성되어 있는 드레인 밸브(미도시)를 열어 필터(3)를 통과한 케미컬을 분사노즐(4)로 보내지 않고 필터(3)의 외부로 배출하거나 또는 상기 필터(3)를 교체하여 케미컬 내의 기포를 제거한다.
그러나, 이러한 종래 반도체 공정중 기포 제거장치는 케미컬 탱크(1)에서 분사노즐(4)로 보내지는 케미컬 내에 포함된 기포는 필터(3)에 의해 제거되는데, 이 때 필터(3)를 통과한 케미컬에 기포가 제거되지 않은 상태에서 분사노즐(4)을 통해 웨이퍼(5)로 분사되면 상기 감광액이 도포된 웨이퍼(5)의 주변부 즉, 감광액을 제거하기 위한 제거 경계부에서 케미컬이 튀게 된다.
그러므로, 감광액을 제거하고자 하는 제거 경계부에서 상기 감광액이 덩어리짐에 따라 후속 공정에서 감광액이 제거되지 않은 상태로 진행되므로 상기 웨이퍼(5)의 불량이 발생될 뿐만 아니라 상기 케미컬이 튄 부분에서 웨이퍼(5)의 패턴이 미형성됨과 함께 상기 웨이퍼(5)의 감광액 제거 경계부가 매끄럽지 못하고 파티컬(particle)로 작용되므로 인하여 상기 웨이퍼(5)의 불량이 발생되는 문제점이 있었다.
또한, 장치 이상시 필터(3)를 통과하는 케미컬에 기포가 포함되어 있더라도 상기 기포를 감지하지 못하게 되면 공정불량이 발생되는 문제점도 있었다.
본 고안은 상기의 제반 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 반도체 제조공정에서 케미컬 내에 포함된 기포를 제거하는 기포 제거장치를 구비하여 상기 기포 제거장치에 의해 웨이퍼로 분사되는 케미컬 내의 기포를 제거하므로 상기 웨이퍼의 불량을 줄이도록 하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위해, 본 고안은 케미컬이 담겨져 있는 케미컬 탱크와, 상기 케미컬 탱크 내로 가압력을 이용하여 질소(N2)를 넣어주는 질소 가압부와, 상기 케미컬 탱크에서 토출되는 케미컬에 포함된 기포를 제거하는 필터와, 상기 필터를 통과하면서 기포가 제거된 케미컬을 웨이퍼로 분사하는 분사노즐로 구성된 것에 있어서, 상기 필터와 분사노즐 사이에는 필터를 통과한 케미컬에 포함된 기포를 제거하도록 하는 기포 제거수단이 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정중 기포 제거장치가 제공된다.
도 1은 종래 반도체 제조공정중 기포 제거장치를 나타낸 구조도.
도 2는 본 고안 반도체 제조공정중 기포 제거장치를 나타낸 구조도.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
101: 케미컬 버퍼 102: 다공질 막
103: 진공(vacuum)부 104: 에어 벤트
105: 레벨 센서
이하, 본 고안의 일 실시예를 첨부도면 도 2를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
반도체 제조공정은 종래의 구성에서 언급한 바 있으므로 중복되는 부분은 그 설명을 생략하고, 동일한 구조에 한해서는 종래와 동일한 부호를 부여키로 한다.
도 2는 본 고안 반도체 제조공정중 기포 제거장치를 나타낸 구조도로써, 본 고안은 케미컬(chemical)이 담겨져 있는 케미컬 탱크(1)가 설치되어 있고, 상기 케미컬 탱크(1)의 외측에는 케미컬 탱크(1) 내로 가압력을 이용하여 질소(N2)를 넣어주는 질소 가압부(2)가 설치되어 있으며, 상기 케미컬 탱크(1)의 외측에는 질소 가압부(2)에서 케미컬 탱크(1) 내로 가압되는 질소에 의해 케미컬 탱크(1)에서 토출되는 케미컬에 포함된 기포를 제거하는 필터(3)가 설치되어 있고, 상기 필터(3)의 외측에는 필터(3)를 통과하면서 기포가 제거된 케미컬을 웨이퍼(5)로 분사하는 분사노즐(4)이 설치되어 있다.
상기 필터(3)와 분사노즐(4) 사이에는 필터(3)를 통과하면서 기포가 제거되어 분사노즐(4)로 보내지는 케미컬에 포함된 기포를 한번 더 제거하도록 하는 기포 제거수단이 설치되어 있다.
상기 기포 제거수단은 필터(3)를 통과한 케미컬이 유입됨과 함께 상기 유입된 케미컬에 포함된 기포를 상부로 모이게 하는 케미컬 버퍼(101)가 설치되어 있고, 상기 케미컬 버퍼(101)의 상부에는 케미컬 버퍼(101) 내의 상부에 모인 기포만을 투과시키는 섬유질 막인 다공질 막(102)이 설치되어 있으며, 상기 케미컬 버퍼(101)의 상단부에는 다공질 막(102)을 통해 케미컬 버퍼(101) 내의 케미컬에 포함된 기포를 흡입하는 진공(vacuum)부(103)가 설치되어 있다.
상기 케미컬 버퍼(101)의 상단부에는 케미컬 버퍼(101) 내의 케미컬에 많은 기포 발생시 상기 기포를 케미컬 버퍼(101)의 외부로 토출시켜 케미컬 버퍼(101) 내에 기포를 제거하도록 하는 에어 벤트(104)가 설치되어 있고, 상기 케미컬 버퍼(101) 내에는 케미컬 버퍼(101) 내의 케미컬에 포함된 기포의 량을 감지함과 동시에 상기 기포의 량에 따라 발생되는 감지신호에 의해 에어 벤트(104)의 작동을 조절하도록 하는 레벨 센서(105)가 설치되어 있다.
이와 같이 구성된 본 고안의 작용은 다음과 같다.
먼저, 케미컬이 담겨져 있는 케미컬 탱크(1) 내로 질소 가압부(2)의 가압력에 의해 질소(N2)가 유입되고, 상기 케미컬 탱크(1) 내로 유입된 질소에 의해 상기 케미컬이 케미컬 탱크(1)의 외부로 토출된다.
상기 케미컬 탱크(1)의 외부로 토출된 케미컬은 케미컬 탱크(1)와 연결된 유로관(6) 내를 유동하여 필터(3)를 통과하면서 케미컬에 포함된 기포는 필터(3)에 의해 걸러지면서 제거되고, 상기 기포가 제거된 케미컬은 필터(3)에 연결된 유로관(6) 내를 유동하면서 케미컬 버퍼(101) 내로 유입됨에 따라 상기 케미컬 버퍼(101)에서 필터(3)를 통과하면서 제거되지 않은 기포는 완전히 제거된다.
즉, 상기 필터(3)를 통과하여 케미컬 버퍼(101) 내로 유입된 케미컬에 포함된 기포는 케미컬 버퍼(101) 내의 상부에 모이게 되고, 상기 상부에 모인 기포는 케미컬 버퍼(101)의 상부에 설치된 다공질 막(102)을 통해 상기 케미컬 버퍼(101)의 상단부에 설치된 진공부(103)의 작동에 따라 진공부(103)로 흡입되어 제거된다.
상기 진공부(103)는 반도체 제조공정이 진행되는 동안 항상 구동되므로 상기 진공부(103)에 의해 액체는 통과시키지 않고 기포만 통과시키는 다공질 막(102)을 통해 케미컬 버퍼(101) 내의 상부에 모이거나 또는 상부에 모이지 않은 케미컬에 포함된 기포 즉, 미세한 기포들도 흡입하여 상기 케미컬 버퍼(101) 내의 케미컬에 포함된 기포를 완전히 제거하게 된다.
한편, 장치의 이상으로 인하여 필터(3)를 통과하는 케미컬에 많은 량의 기포가 함유된 상태로 케미컬 버퍼(101) 내로 케미컬이 유입되면 상기 케미컬 버퍼(101) 내에 설치된 레벨 센서(105)에서 이를 감지하여 상기 감지된 기포의 량이 일정량을 넘어서게 되면 상기 레벨 센서(105)에서 감지신호를 에어 벤트(104)로 보내 상기 에어 벤트(104)를 작동시킨다.
상기 작동되는 에어 벤트(104)에 의해 케미컬 버퍼(101) 내로 유입된 케미컬에 포함된 기포는 에어 벤트(104) 내로 흡입되어 상기 에어 벤트(104)를 통해 케미컬 버퍼(101)의 외부로 배출됨에 따라 상기 케미컬 버퍼(101) 내의 케미컬에는 기포가 완전히 제거된다.
이와 같은 작동에 따라, 상기 케미컬 버퍼(101) 내의 케미컬에는 기포가 완전히 제거되고, 상기 기포가 제거된 상태로 케미컬 버퍼(101)의 외부로 케미컬이 토출되어 분사노즐(4)로 보내지며, 상기 분사노즐(4)로 보내진 케미컬은 분사노즐(4)를 통해 웨이퍼(5)로 분사되므로 상기 웨이퍼(5)의 주변부에 도포되어 있는 감광액을 제거하게 된다.
이상에서와 같이, 본 고안은 반도체 제조공정중 케미컬 탱크에서 보내져 분사노즐을 통해 웨이퍼로 분사되는 케미컬에 포함된 기포를 제거하도록 필터와 분사노즐 사이에 기포 제거수단을 구비함으로써, 상기 기포 제거수단에 의해 케미컬에 포함된 기포는 완전히 제거된 상태로 웨이퍼로 분사됨에 따라 상기 웨이퍼에서 케미컬의 튐현상이 방지되며 이에 따라, 상기 감광액이 도포된 웨이퍼의 주변부 즉, 감광액을 제거하기 위한 제거 경계부에서 감광액이 명확하게 제거되므로 인하여 상기 웨이퍼의 패턴이 원활하게 형성될 뿐만 아니라 상기 감광액의 덩어리짐을 방지함과 함께 감광액 제거 경계부가 매끄럽게 형성되므로 상기 웨이퍼의 불량을 방지하는 효과가 있다.
또한, 장치의 이상으로 필터를 통과한 케미컬에 많은 량의 기포가 함유된 상태로 케미컬 버퍼 내로 유입되면 상기 케미컬 버퍼에 설치된 레벨 센서가 이를 감지한 후 상기 감지된 신호에 따라 에어 벤트를 작동시킴에 따라 상기 기포는 에어 벤트를 통해 케미컬 버퍼의 외부로 배출되어 상기 케미컬에 기포가 완전히 제거되므로 웨이퍼의 불량이 방지됨과 함께 장치의 가동률이 향상되는 효과도 있다.
Claims (3)
- 케미컬이 담겨져 있는 케미컬 탱크와, 상기 케미컬 탱크 내로 가압력을 이용하여 질소(N2)를 넣어주는 질소 가압부와, 상기 케미컬 탱크에서 토출되는 케미컬에 포함된 기포를 제거하는 필터와, 상기 필터를 통과하면서 기포가 제거된 케미컬을 웨이퍼로 분사하는 분사노즐로 구성된 것에 있어서,상기 필터와 분사노즐 사이에는 필터를 통과한 케미컬에 포함된 기포를 제거하도록 하는 기포 제거수단이 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정중 기포 제거장치.
- 제 1 항에 있어서,기포 제거수단은 필터를 통과한 케미컬이 유입됨과 함께 유입된 케미컬에 포함된 기포를 상부로 모이게 하는 케미컬 버퍼와,상기 케미컬 버퍼의 상부에 설치되어 케미컬 버퍼 내의 상부에 모인 기포만을 투과시키는 다공질 막과,상기 케미컬 버퍼의 상단부에 설치되어 다공질 막을 통해 케미컬 버퍼 내의 기포를 흡입하는 진공부로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정중 기포 제거장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,케미컬 버퍼의 상단부에는 상기 케미컬 버퍼 내의 기포를 외부로 토출하는 에어 벤트를 설치하고, 상기 케미컬 버퍼 내에는 케미컬 버퍼 내의 케미컬에 포함된 기포의 량을 감지함과 동시에 상기 감지된 기포의 량에 따라 에어 벤트의 작동을 조절하는 레벨 센서가 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정중 기포 제거장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019980021301U KR20000009387U (ko) | 1998-11-03 | 1998-11-03 | 반도체 제조공정중 기포 제거장치 |
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|---|---|---|---|
| KR2019980021301U KR20000009387U (ko) | 1998-11-03 | 1998-11-03 | 반도체 제조공정중 기포 제거장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000009387U true KR20000009387U (ko) | 2000-06-05 |
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ID=69522504
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| KR2019980021301U KR20000009387U (ko) | 1998-11-03 | 1998-11-03 | 반도체 제조공정중 기포 제거장치 |
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| KR (1) | KR20000009387U (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111585739A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-25 | 北京邮电大学 | 一种相位调整方法及装置 |
-
1998
- 1998-11-03 KR KR2019980021301U patent/KR20000009387U/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN111585739A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-25 | 北京邮电大学 | 一种相位调整方法及装置 |
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