JP3283190B2 - レジスト処理装置及びレジスト処理方法 - Google Patents

レジスト処理装置及びレジスト処理方法

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JP3283190B2
JP3283190B2 JP24349296A JP24349296A JP3283190B2 JP 3283190 B2 JP3283190 B2 JP 3283190B2 JP 24349296 A JP24349296 A JP 24349296A JP 24349296 A JP24349296 A JP 24349296A JP 3283190 B2 JP3283190 B2 JP 3283190B2
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置や液晶
表示装置の製造プロセスにおいて使用されるレジスト処
理装置に関する。
【0002】
【従来の技術およびその課題】半導体装置や液晶表示装
置の製造プロセスにおいては、被処理体である半導体ウ
エハやLCD(Liquid Crystal display)基板上に配線
パターンを形成する際にレジスト処理を施す。このレジ
スト処理は、レジスト液や現像液等の処理液を収容した
容器内にN2 ガス等の圧送ガスを吹き込んで、その圧送
力により処理液を供給経路に通して、ノズル等の処理液
供給手段から被処理体上に処理液を供給することにより
行う。
【0003】レジスト処理において、処理むらを防止す
るために、被処理体全面に短時間で処理液を供給するに
は、処理液の圧送圧を上げて、処理液供給手段からの処
理液の吐出量を増加させる必要がある。このように処理
液の圧送圧を上げると、圧送ガスが処理液に溶け込んで
処理液に気泡が発生したり、処理液が気体成分を巻き込
んだりする。気泡等の気体成分を含む処理液を用いてレ
ジスト処理を行うと、気体成分に起因する処理むら等の
欠陥が発生する。
【0004】このため、従来から上記気体成分を除去す
るために、処理液に脱気処理を施すことがなされてい
る。通常脱気処理は、減圧手段を用いて処理液から気体
成分を除去することにより行われる。
【0005】脱気処理においては、処理液から気体成分
を除去する際にミスト状となった処理液自身が減圧手段
真空排気系に混入してしまい、処理液(現像液)中に
含まれるアルカリ成分が真空排気系を介して工場側の共
用ラインに混入し、集合配管等の腐食や汚染等を引き起
こすという問題が生じる。このため、脱気処理において
真空排気系に混入する処理液を効率良く除去する必要が
ある。しかしながら、現在では、脱気処理において真空
排気系に混入する処理液を効率良く除去する方策は採ら
れていない。
【0006】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、処理液の脱気処理において真空排気系に混入した
処理液を効率良く除去して、良好に処理液の脱気処理を
行うことができるレジスト処理装置及びレジスト処理方
を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明に係るレジスト処
理装置は、被処理体にレジスト処理を施す装置であっ
て、処理液を収容する処理液収容部材と、処理液を被処
理体上に供給するノズルと、前記処理液収容部材と前記
ノズルとの間の処理液供給経路に設けられ、処理液に脱
気処理を施す脱気手段と、前記脱気手段を減圧するため
に前記脱気手段に連通する減圧ラインをもつ減圧手段
と、前記減圧ラインに設けられ、前記脱気手段よりも下
流側で、かつ前記減圧手段よりも上流側に配置され、前
記処理液供給経路の処理液を脱気処理する際に、前記処
理液供給経路から前記減圧ラインのほうへ漏洩する処理
液を捕捉するトラップタンクと、を具備することを特徴
とする
【0008】本発明において、減圧手段は、減圧ライン
とは異なる別ラインに流体を通流させ、その別ラインの
流れを利用して前記減圧ラインを減圧させるエジェクタ
であることが好ましい。また、減圧手段は、吸引側が前
記減圧ラインに連通する真空ポンプであることが好まし
い。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して具体的に説明する。本発明のレジスト処理装
置について説明する。なお、ここでは、レジスト処理装
置が現像処理装置である場合について説明する。
【0010】図1は本発明にかかる現像処理装置の一例
を示す模式図である。図1中1は処理液収容部材である
タンクを示す。タンク1には現像液2が貯留されてお
り、タンク1には、例えば窒素ガス等の圧送ガスを貯蔵
したガスボンベ3が配管4を介して接続されている。ま
た、タンク1内の現像液2には、配管5の端部が浸漬さ
れおり、配管5の途中には、中間タンク6が設けられて
いる。そして、タンク1内の現像液2は、ガスボンベ3
内の圧送ガス、例えば窒素ガスが配管4を介してタンク
1に供給されることにより、配管5を通って現像液供給
手段であるノズル12に向けて圧送される。ここで、現
像液2を圧送する圧送ガスの圧力は、圧送ガスの現像液
への溶解を考慮すると、0.5〜3kg/cm2 である
ことが好ましい。
【0011】中間タンク6の下流側で配管5は配管5a
と配管5bとに分かれ、各配管には、ノズル12に至る
までに、それぞれフローメーター7a,7b、フィルタ
ー8a,8b、ウォータージャケット9a,9b、現像
液脱気装置10a,10b、およびエアオペレションバ
ルブ11a,11b、が順に設けられており、ノズル1
2には、これら2つの配管を介して2カ所から現像液2
が導入される。
【0012】フィルター8a,8bは、あまり後段であ
ると、すなわちノズル12に近いと、その脈動によりノ
ズル12において現像液の液だれが起こるので、できる
だけ前段に位置することが好ましい。また、ウォーター
ジャケット9a,9bの位置と現像液脱気装置10a,
10bの位置とが逆であっても良い。また、現像液脱気
装置10a,10bには、図示しないコントローラが接
続されており、現像液中に溶存した気体成分を充分に除
去すると共に、現像液の濃度が大きく変化しないよう
脱気装置10a,10bの内圧の上限および下限が決め
られたある範囲内での減圧条件に制御可能になってい
る。
【0013】一方、現像部13は、基板、例えば半導体
ウエハWを吸着保持するチャック14と、チャック14
を回転させるモータ15と、チャック14に保持された
半導体ウエハWを囲繞するカップ16とを備えている。
【0014】上記中間タンク6の外側には、例えば静電
容量センサからなるリミットセンサ6aおよびエンプテ
ィセンサ6bが設けられており、これらからの信号が図
示しないコントローラに出力され、現像液の液面の位置
が制御される。そして、配管5a,5bを通流する現像
液2は、フローメーター7a,7bにより流量が制御さ
れ、さらにフィルター8a,8bにより不純物等が除去
される。また、ウォータージャケット9a,9bには温
度調節された水が循環され、これにより配管5a,5b
を通流する現像液2の温度が制御される。温度制御され
た現像液2は、現像液脱気装置10a,10bにおい
て、現像液中の気体成分を充分に除去すると共に、処理
液の濃度が大きく変化しないような条件で脱気処理が施
される。このようにして処理された現像液2はノズル1
2に送られ、ノズル12からチャック14上の被処理体
である半導体ウエハW上に供給されて現像処理が行われ
る。
【0015】次に、現像液脱気装置10a,10bの真
排気(減圧ラインを含む)について説明する。この
真空排気系は、図2に示すように、脱気処理の際に処理
液供給経路5a,5bから減圧ラインのほうへ漏洩した
ミスト状の現像液を捕捉するトラップタンク21と、減
圧手段であるエジェクタ22とから主に構成されてい
る。現像液脱気装置10a,10bからエジェクタ22
までの間に減圧ラインが設けられている。トラップタン
ク21は、減圧ラインにおいて現像液脱気装置10a,
10bよりも下流側で、かつエジェクタ22よりも上流
側に配置されている。トラップタンク21には、捕捉さ
れて内部に溜まった現像液液面を検知するセンサ23
が取り付けられている。
【0016】トラップタンク21からエジェクタ22
の間の減圧ラインには、トラップタンク21側からス
トップバルブ24、ソレノイドバルブ25が順次設けら
れている。エジェクタ22は、減圧ラインとは異なる別
ラインに連通するものであり、この別ライン流体、例
えばエアを通流させ、その流れを利用して脱気装置10
a,10bからエジェクタ22に至るまでの減圧ライン
減圧するものである。その別ラインには、エアの流速
を調節するレギュレータ26およびソレノイドバルブ2
7が設けられている。また、レギュレータ26とソレノ
イドバルブ27との間には、圧力検知用のゲージ28が
取り付けられている。
【0017】また、現像液脱気装置10a,10bに
は、バキュームスイッチ29が取り付けられている。こ
のバキュームスイッチ29には圧力検知用のゲージが取
り付けられている。
【0018】上記構成を有する真空系において現像液の
脱気処理を行う場合、以下の操作を行う。 (1)減圧ラインのソレノイドバルブ25は通常状態で
開いておく。この状態で別ラインのソレノイドバルブ2
7を開くと、エアの供給によりエジェクタ22が駆動
し、減圧ラインを介して現像液脱気装置10a,10b
の減圧が開始される。この減圧は、バキュームスイッチ
29のゲージで上限(例えば−760mmHg)に至る
まで行う。 (2)現像液脱気装置10a,10bの減圧が上限に到
達したときに、ソレノイドバルブ27を閉じ、別ライン
へのエアの供給を停止してエジェクタ22の駆動を停止
させる。 (3)現像液の脱気処理が進むにつれて、バキュームス
イッチ29のゲージの値が大気圧に近づく。このゲージ
の値が下限(例えば−100mmHg)より大気圧側に
上昇したときに、別ラインのソレノイドバルブ27を開
き、再びエジェクタ22を駆動させてバキュームスイッ
チ29のゲージが上限に至るまで現像液脱気装置10
a,10bの減圧を行う。
【0019】その後は、(2)および(3)の操作を繰
り返す。なお、上記操作は所定の制御手段を用いて行う
ことが好ましい。この操作において、処理液供給経路5
a,5bから減圧ライン側へ漏洩した現像液はトラップ
タンク21に捕捉される。センサ23がトラップタンク
21内の液面を検知し、液面が所定の液位に達したとき
に、減圧ラインのソレノイドバルブ25を閉じる。この
とき、別ラインのソレノイドバルブ27を閉じることに
より、エジェクタ22は駆動しない。このように、トラ
ップタンク21により捕捉した漏洩現像液が所定量に達
したときには、脱気処理を停止して、捕捉した漏洩現像
液をトラップタンク21から排出させ、減圧ラインの
レノイドバルブ25を開けるとともに、別ラインのソレ
ノイドバルブ27を開け、エジェクタ22を再び駆動さ
せて現像液の脱気処理を再開する
【0020】このような減圧ラインは、脱気処理時に現
像液中に含まれるアルカリ成分(TMAH(テトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイド))等が混入して
も、エジェクタ22側の別ラインから独立しているため
工場集合配管などを腐食させるおそれがなく、また現像
液排出系としてのトラップタンク21に接続しているた
め、系外に影響を及ぼすことはない。
【0021】別の減圧ラインを含む真空排気系として
は、図3に示すように、脱気処理の際に漏洩した現像液
捕捉するトラップタンク21と、減圧手段である真空
ポンプ30とから主に構成されている。現像液脱気装置
10a,10bから真空ポンプ30までの間に減圧ライ
ンが設けられている。トラップタンク21は、減圧ライ
ンにおいて現像液脱気装置10a,10bよりも下流側
で、かつ真空ポンプ30よりも上流側に配置されてい
る。トラップタンク21には、収容した現像液を液面を
検知するセンサ23が取り付けられている。トラップタ
ンク21から真空ポンプ30までの間の減圧ライン
は、トラップタンク21側からストップバルブ24、ソ
レノイドバルブ25が順次設けられている。また、現像
液脱気装置10a,10bには、バキュームスイッチ2
9が取り付けられている。このバキュームスイッチ29
には、圧力検知用のゲージが取り付けられている。
【0022】上記構成を有する真空系において現像液の
脱気処理を行う場合、以下の操作を行う。4 (1)減圧ラインのソレノイドバルブ25は通常状態で
開いておく。この状態で真空ポンプ30を用いて現像液
脱気装置10a,10bを減圧する。この減圧操作は、
バキュームスイッチ29のゲージで上限(例えば−76
0mmHg)に至るまで行う。 (2)現像液脱気装置10a,10bの減圧が上限に到
達したときに、真空ポンプ30を停止して減圧操作を停
させる。 (3)(2)の状態において、脱気処理が進むにつれ
て、バキュームスイッチ29のゲージの値が大気圧に近
づく。このゲージの値が下限(例えば−100mmH
g)より大気圧側に上昇したときに、真空ポンプ30を
再起動させ、再びバキュームスイッチ29のゲージで上
限(例えば−760mmHg)に至るまで現像液脱気装
置10a,10bの減圧を行う。
【0023】その後は、(2)および(3)の操作を繰
り返す。なお、上記操作は所定の制御手段を用いて行う
ことが好ましい。この操作において、漏洩した現像液は
トラップタンク21に収容される。センサ23が液面を
検知し、所定の液面に達したときに、ソレノイドバルブ
25を閉じる。このとき、真空ポンプ30を停止する。
このように、トラップタンク21に収容した漏洩現像液
が所定量に達したときには、脱気処理を停止して、トラ
ップタンク21から漏洩現像液を排出させ、ソレノイド
バルブ25を開き、真空ポンプ30を作動させて再び脱
気処理を行う。
【0024】このような真空系は、高真空を実現できる
ので、効率良く脱気処理を行うことができ、現像液に含
まれる気体成分を充分に除去することができる。したが
って、欠陥のない現像処理を行うことができる。
【0025】次に、ノズル12について説明する。この
ノズル12は、図4およびそのV−V線に沿う断面図で
ある図5に示すように、側壁31および底壁32によっ
て規定される現像液収容室33を有している。収容室3
3の上部開口は、蓋部材34により閉塞されており、蓋
部材34と側壁31との間はパッキン35でシールされ
ている。蓋部材34には、2カ所に現像液供給管37が
設けられており、処理液供給経路としての配管5aおよ
び5bを通って送られてきた現像液2が2つの供給管3
7を介して現像液収容室33内に供給され、その中に収
容される。底壁32には、その長手方向に沿って複数の
液吐出孔38が形成されており、この液吐出孔38から
現像液2が半導体ウエハW上に供給される。そして、こ
のノズル12の水平方向の長さは、半導体ウエハWの直
径とほぼ一致している。
【0026】実際に、このノズル12から現像液2を半
導体ウエハWに供給する際には、まず、圧送ガスである
2 ガスを配管4を介してタンク1に導入し、タンク1
内に収容された現像液2を供給ラインに通液する。ま
た、このとき、エアオペレションバルブ11a,11b
を閉じる。
【0027】次いで、現像液脱気装置10a,10bに
おいて、現像液中の気体成分を充分に除去すると共に、
現像液の濃度が大きく変化しないような条件で現像液2
に脱気処理を施す。
【0028】次いで、現像液脱気装置10a,10b
ノズル12までの間の処理液供給経路5a,5b,3
7に存在する現像液を捨て(ダミーディスペンス)、
気処理された現像液を当該処理液供給経路5a,5b,
37に供給することにより、脱気処理済みの現像液に置
換する。これは、エアオペレションバルブ11a,11
bを開いて現像液脱気装置10a,10bとノズル12
との間の供給ライン中の現像液全量(脱気処理が施され
ていない現像液)を吐出することにより行う。例えば、
供給ライン中の現像液全量が、現像液脱気装置10a,
10bとエアオペレションバルブ11a,11bとの間
の配管中に1cc、エアオペレションバルブ11a,1
1b中に1cc、エアオペレションバルブ11a,11
bとノズル12との間の配管中に18cc、およびノズ
ル12中に80ccの計100cc(2ライン合計)で
ある場合には、100ccを吐出することにより脱気処
理された現像液に置換する。その後、エアオペレション
バルブ11a,11bを閉じる。
【0029】次いで、図6に示すように、ノズル12を
ウエハWの中央上方に位置させ、図5に示す位置関係に
なるように、ウエハWに対してノズル12を相対的に上
下動させる。次いで、エアオペレションバルブ11a,
11bを開いてノズル12の液吐出孔38からウエハW
の中心位置上に脱気処理された現像液を0.3〜0.5
秒吐出させる。これにより、ウエハW表面とノズル12
との間に脱気処理された現像液の液膜が形成された状態
となる。なお、実際の現像処理時の現像液の吐出量は、
脱気処理された現像液の量よりも少なく設定することが
好ましい。また、反対に、脱気処理する現像液の量は、
実際の現像処理時の1回の吐出量よりも多く設定するこ
とが好ましい。
【0030】次いで、この状態でモータ15によりウエ
ハWを例えば矢印A方向に1/2回転させる。これによ
り、現像液がウエハWの回転で押し広げられることによ
り、ウエハW表面上に脱気処理された現像液の液膜が形
成され、ウエハW上にあらかじめ形成されたレジスト膜
上に均一に脱気処理された現像液が行きわたる。その
後、エアオペレションバルブ11a,11bを閉じる。
これにより、脱気処理された現像液により現像処理が行
われる。
【0031】現像処理においては、脱気処理により充分
に気体成分が除去された現像液を用いているので、現像
液に含まれる気体成分に起因する現像欠陥が防止され
る。また、前記脱気処理の条件は、現像液の濃度が大き
く変化しないような条件であるので、現像液の水分が蒸
発することによる現像液の濃度変化に起因する現像欠陥
も防止される。
【0032】上記現像処理において、処理液供給経路
クリーニングのために、処理ロットの最初や、所定時間
毎、例えば30分毎にダミーディスペンスを行うことが
好ましい。ダミーディスペンスの量は、クリーニング効
果を考慮すると、少なくとも1回の吐出量以上、100
〜200ccにすることが好ましい。例えば、上記の例
によれば、ダミーディスペンスの量は、少なくとも通常
の吐出量50cc脱気処理する量100ccとを合計
した量にあたる150ccに設定する。
【0033】本発明の現像処理装置によれば、脱気処理
において真空系に現像液が混入してもプロセスに影響を
及ぼさないか、真空系に現像液が混入することを防止す
ることができる。また、この脱気装置によれば、高真空
で脱気処理を行うことができるので、効率良く現像液の
脱気処理を行うことができ、欠陥のない現像処理を行う
ことができる。
【0034】また、ノズルも上記構造のものに限らず、
図7に示すようなストリームノズル41であってもよい
し、図8に示すようにノズル本体42に複数のノズル4
3が設けられたマルチノズルタイプであってもよい。こ
れらはいずれも被処理体としての半導体ウエハWを回転
させつつ、ノズルを直線的に(水平方向に、図中矢印B
方向に)移動させる。
【0035】実際に、ストリームノズル41やマルチノ
ズルを用いて現像液2を半導体ウエハWに供給する際に
は、上記の場合と同様にして、N2 ガスを配管4を介し
てタンク1に導入し、タンク1内に収容された現像液2
を供給ラインに通液し、エアオペレションバルブ11
a,11bを閉じる。
【0036】次いで、現像液脱気装置10a,10bに
おいて、現像液中の気体成分を充分に除去すると共に、
現像液の濃度が大きく変化しないような条件で現像液2
に脱気処理を施す。
【0037】次いで、上記同様にして、現像液脱気装置
10a,10bからノズル12までの間の処理液供給経
の現像液を脱気処理された現像液に置換する。これ
は、エアオペレションバルブ11a,11bを開いて現
像液脱気装置10a,10bとノズル12との間の処理
液供給経路中の現像液全量(脱気処理が施されていない
現像液)を吐出して捨てる(ダミーディスペンス)こと
により行う。その後、エアオペレションバルブ11a,
11bを閉じる。
【0038】次いで、図7および図8に示すように、ノ
ズルをウエハW外の上方に位置させる。次いで、エアオ
ペレションバルブ11a,11bを開いてノズル12の
液吐出孔38からウエハWの中心位置上に脱気処理され
た現像液を吐出させる。ノズル12から現像液を吐出さ
せた状態でモータ15によりウエハWを回転させる。ノ
ズルをウエハWに対して相対的に往復移動させる(図中
矢印B方向、ウエハWの外周部〜中心部〜外周部)。な
お、実際の現像処理時の現像液の吐出量は、脱気処理さ
れた現像液の量よりも少なく設定することが好ましい。
また、反対に、脱気処理する現像液の量は、実際の現像
処理時の1回の吐出量よりも多く設定することが好まし
い。
【0039】その後、エアオペレションバルブ11a,
11bを閉じる。これにより、脱気処理された現像液に
より現像処理が行われる。この現像処理においても、脱
気処理において真空系に現像液が混入してもプロセスに
影響を及ぼさないか、真空系に現像液が混入することを
防止することができる。また、この脱気装置によれば、
高真空で脱気処理を行うことができるので、効率良く現
像液の脱気処理を行うことができ、欠陥のない現像処理
を行うことができる。
【0040】上記実施形態において、気体成分とは、処
理液中に溶存する気体と、処理液が気泡として巻き込む
気体とを含む意味である。なお、上記実施形態では被処
理体として半導体ウエハを用いた例を示したが、これに
限らず、被処理体として例えばLCD基板を用いても良
い。また、上記実施形態では処理液として現像液を用い
た例を示したが、これに限らず、処理液として例えばレ
ジスト液、沸点が異なる複数の成分を含む処理液、また
は洗浄液等を用いても良い。その他、本発明の要旨を逸
脱しない範囲で種々変形することが可能である。
【0041】
【発明の効果】以上説明したように本発明のレジスト処
理装置及びレジスト処理方法は、処理液を収容する処理
液収容部材と、処理液を被処理体上に供給するノズル
と、前記処理液収容部材と前記ノズルとの間の処理液供
給経路に設けられ、処理液に脱気処理を施す脱気手段
と、前記脱気手段を減圧するために前記脱気手段に連通
する減圧ラインをもつ減圧手段と、前記減圧ラインに設
けられ、前記脱気手段よりも下流側で、かつ前記減圧手
段よりも上流側に配置され、前記処理液供給経路の処理
液を脱気処理する際に、前記処理液供給経路から前記減
圧ラインのほうへ漏洩する処理液を捕捉するトラップタ
ンクとを具備するので、処理液の脱気処理時に減圧ライ
に混入した処理液をトラップタンクにより効率良く
捉し、減圧ラインから除去することができ、処理液の濃
度を実質的に変えることなく良好に処理液の脱気処理を
行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる現像処理装置を説明するための
模式図。
【図2】本発明にかかる現像処理装置における現像液脱
気装置の一例を説明するための模式図。
【図3】本発明にかかる現像処理装置における現像液脱
気装置の他の例を説明するための模式図。
【図4】本発明にかかる現像処理装置におけるノズルの
構造を示す断面図。
【図5】図4のV−V線に沿う断面図。
【図6】ノズル12の現像処理液供給動作を説明するた
めの図。
【図7】本発明のレジスト処理装置に用いられるノズル
の他の例を示す図。
【図8】本発明のレジスト処理装置に用いられるノズル
の他の例を示す図。
【符号の説明】
1…タンク、2…現像液、3…ガスボンベ、4,5,5
a,5b…配管、6…中間タンク、7a,7b…フロー
メーター、8a,8b…フィルター、9a,9b…ウォ
ータージャケット、10a,10b…現像液脱気装置、
11a,11b…エアオペレションバルブ、12,43
…ノズル、13…現像部、14…チャック、15…モー
タ、16…カップ、21…トラップタンク、22…エジ
ェクタ、23…センサ、24…ストップバルブ、25,
27…ソレノイドバルブ、26…レギュレータ、28…
ゲージ、29…バキュームスイッチ、30…真空ポン
プ、31…側壁、32…底壁、33…現像液収容室、3
4…蓋部材、35…パッキン、37…現像液供給管、3
8…液吐出孔、41…ストリームノズル、42…ノズル
本体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G03F 7/30 G03F 7/38

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理体にレジスト処理を施す装置であ
    って、 処理液を収容する処理液収容部材と、 処理液を被処理体上に供給するノズルと、 前記処理液収容部材と前記ノズルとの間の処理液供給経
    路に設けられ、処理液に脱気処理を施す脱気手段と、前記脱気手段を減圧するために前記脱気手段に連通する
    減圧ラインをもつ減圧手段と、 前記減圧ラインに設けられ、前記脱気手段よりも下流側
    で、かつ前記減圧手段よりも上流側に配置され、前記処
    理液供給経路の処理液を脱気処理する際に、前記処理液
    供給経路から前記減圧ラインのほうへ漏洩する処理液を
    捕捉する トラップタンクと、を具備することを特徴とす
    るレジスト処理装置。
  2. 【請求項2】 前記減圧手段は、前記減圧ラインとは異
    なる別ラインに流体を通流させ、その別ラインの流れを
    利用して前記減圧ラインを減圧させるエジェクタである
    ことを特徴とする請求項1記載のレジスト処理装置。
  3. 【請求項3】 前記減圧手段は、吸引側が前記減圧ライ
    ンに連通する真空ポンプであることを特徴とする請求項
    1記載のレジスト処理装置。
  4. 【請求項4】 レジスト膜が形成された被処理基板に対
    して所定の処理液をノズルから供給して処理するレジス
    ト処理装置において、 前記ノズルに前記所定の処理液を供給する複数の処理液
    供給経路と、この複数の処理液供給経路に夫々設けられ
    前記所定の処理液中に溶存する気体を脱気する脱気手段
    とを有し、 前記脱気手段を減圧するために前記脱気手段に連通する
    減圧ラインをもつ減圧手段と、 前記脱気手段と前記減圧手段との間に設けられ、処理液
    に脱気処理を施す際に、前記処理液供給経路から前記減
    圧ラインのほうへ漏洩した処理液を捕捉するトラップタ
    ンクと、 を具備することを特徴とするレジスト処理装置。
  5. 【請求項5】 前記トラップタンクは、脱気処理を施す
    際に捕捉した処理液 の液面を検知するセンサを備え、こ
    のセンサにより検知された液面が所定の液位に達したと
    きに前記減圧手段を停止させることを特徴とする請求項
    1乃至4のうちのいずれか1項記載のレジスト処理装
    置。
  6. 【請求項6】 前記脱気手段に接続され、処理液中に溶
    存した気体成分を処理液から除去し、かつ処理液の濃度
    が変化しない条件に前記脱気手段を制御する制御手段
    と、 前記脱気手段に設けられ、前記脱気手段の減圧の上限値
    および下限値を検出するバキュームスイッチと、をさら
    に具備し、 前記制御手段は、前記バキュームスイッチが前記脱気手
    段の減圧の上限値および下限値を検出したときに、前記
    減圧手段を制御することを特徴とする請求項1乃至4の
    うちのいずれか1項記載のレジスト処理装置。
  7. 【請求項7】 処理液を収容する処理液収容部材と、処
    理液を被処理体上に供給するノズルと、前記処理液収容
    部材と前記ノズルとの間の処理液供給経路に設けられ、
    処理液に脱気処理を施す脱気手段と、前記脱気手段を減
    圧するために前記脱気手段に連通する減圧ラインをもつ
    減圧手段と、前記減圧ラインに設けられ、前記脱気手段
    よりも下流側で、かつ前記減圧手段よりも上流側に配置
    され、前記処理液供給経路の処理液を脱気処理する際
    に、前記処理液供給経路から前記減圧ラインのほうへ漏
    洩する処理液を捕捉するトラップタンクとを具備するレ
    ジスト処理装置を用いるレジスト処理方法であって、 前記脱気手段を減圧し、この減圧の際に漏洩する処理液
    を前記トラップタンクで捕捉し、処理液中に溶存する気
    体を処理液から除去する脱気工程と、 前記脱気処理後、所定の処理液を被処理基板に供給する
    前に、前記脱気処理工程において脱気処理された処理液
    を前記複数の配管から所定の量だけ前記処理液供給経路
    に供給し、前記処理液供給経路内に存在する処理液を前
    記ノズルから吐出させることにより、前記処理液供給経
    路内を脱気処理された処理液に置換する工程と、 を具備することを特徴とするレジスト処理方法。
  8. 【請求項8】 前記ノズルから被処理基板に前記脱気処
    理を施した処理液を吐出する際に、前記所定の量より少
    ない供給量で前記ノズルから被処理基板に処 理液を供給
    することを特徴とする請求項7記載のレジスト処理方
    法。
  9. 【請求項9】 被処理基板に処理液を供給していない際
    に、前記所定の量と供給量との合計した量を前記ノズル
    から吐出することを特徴とする請求項7記載のレジスト
    処理方法。
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