JP3283190B2 - レジスト処理装置及びレジスト処理方法 - Google Patents
レジスト処理装置及びレジスト処理方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置や液晶
表示装置の製造プロセスにおいて使用されるレジスト処
理装置に関する。
表示装置の製造プロセスにおいて使用されるレジスト処
理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術およびその課題】半導体装置や液晶表示装
置の製造プロセスにおいては、被処理体である半導体ウ
エハやＬＣＤ（Liquid Crystal display）基板上に配線
パターンを形成する際にレジスト処理を施す。このレジ
スト処理は、レジスト液や現像液等の処理液を収容した
容器内にＮ2 ガス等の圧送ガスを吹き込んで、その圧送
力により処理液を供給経路に通して、ノズル等の処理液
供給手段から被処理体上に処理液を供給することにより
行う。
置の製造プロセスにおいては、被処理体である半導体ウ
エハやＬＣＤ（Liquid Crystal display）基板上に配線
パターンを形成する際にレジスト処理を施す。このレジ
スト処理は、レジスト液や現像液等の処理液を収容した
容器内にＮ2 ガス等の圧送ガスを吹き込んで、その圧送
力により処理液を供給経路に通して、ノズル等の処理液
供給手段から被処理体上に処理液を供給することにより
行う。
【０００３】レジスト処理において、処理むらを防止す
るために、被処理体全面に短時間で処理液を供給するに
は、処理液の圧送圧を上げて、処理液供給手段からの処
理液の吐出量を増加させる必要がある。このように処理
液の圧送圧を上げると、圧送ガスが処理液に溶け込んで
処理液に気泡が発生したり、処理液が気体成分を巻き込
んだりする。気泡等の気体成分を含む処理液を用いてレ
ジスト処理を行うと、気体成分に起因する処理むら等の
欠陥が発生する。
るために、被処理体全面に短時間で処理液を供給するに
は、処理液の圧送圧を上げて、処理液供給手段からの処
理液の吐出量を増加させる必要がある。このように処理
液の圧送圧を上げると、圧送ガスが処理液に溶け込んで
処理液に気泡が発生したり、処理液が気体成分を巻き込
んだりする。気泡等の気体成分を含む処理液を用いてレ
ジスト処理を行うと、気体成分に起因する処理むら等の
欠陥が発生する。
【０００４】このため、従来から上記気体成分を除去す
るために、処理液に脱気処理を施すことがなされてい
る。通常脱気処理は、減圧手段を用いて処理液から気体
成分を除去することにより行われる。
るために、処理液に脱気処理を施すことがなされてい
る。通常脱気処理は、減圧手段を用いて処理液から気体
成分を除去することにより行われる。
【０００５】脱気処理においては、処理液から気体成分
を除去する際にミスト状となった処理液自身が減圧手段
の真空排気系に混入してしまい、処理液（現像液）中に
含まれるアルカリ成分が真空排気系を介して工場側の共
用ラインに混入し、集合配管等の腐食や汚染等を引き起
こすという問題が生じる。このため、脱気処理において
真空排気系に混入する処理液を効率良く除去する必要が
ある。しかしながら、現在では、脱気処理において真空
排気系に混入する処理液を効率良く除去する方策は採ら
れていない。
を除去する際にミスト状となった処理液自身が減圧手段
の真空排気系に混入してしまい、処理液（現像液）中に
含まれるアルカリ成分が真空排気系を介して工場側の共
用ラインに混入し、集合配管等の腐食や汚染等を引き起
こすという問題が生じる。このため、脱気処理において
真空排気系に混入する処理液を効率良く除去する必要が
ある。しかしながら、現在では、脱気処理において真空
排気系に混入する処理液を効率良く除去する方策は採ら
れていない。
【０００６】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、処理液の脱気処理において真空排気系に混入した
処理液を効率良く除去して、良好に処理液の脱気処理を
行うことができるレジスト処理装置及びレジスト処理方
法を提供することを目的とする。
あり、処理液の脱気処理において真空排気系に混入した
処理液を効率良く除去して、良好に処理液の脱気処理を
行うことができるレジスト処理装置及びレジスト処理方
法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るレジスト処
理装置は、被処理体にレジスト処理を施す装置であっ
て、処理液を収容する処理液収容部材と、処理液を被処
理体上に供給するノズルと、前記処理液収容部材と前記
ノズルとの間の処理液供給経路に設けられ、処理液に脱
気処理を施す脱気手段と、前記脱気手段を減圧するため
に前記脱気手段に連通する減圧ラインをもつ減圧手段
と、前記減圧ラインに設けられ、前記脱気手段よりも下
流側で、かつ前記減圧手段よりも上流側に配置され、前
記処理液供給経路の処理液を脱気処理する際に、前記処
理液供給経路から前記減圧ラインのほうへ漏洩する処理
液を捕捉するトラップタンクと、を具備することを特徴
とする。
理装置は、被処理体にレジスト処理を施す装置であっ
て、処理液を収容する処理液収容部材と、処理液を被処
理体上に供給するノズルと、前記処理液収容部材と前記
ノズルとの間の処理液供給経路に設けられ、処理液に脱
気処理を施す脱気手段と、前記脱気手段を減圧するため
に前記脱気手段に連通する減圧ラインをもつ減圧手段
と、前記減圧ラインに設けられ、前記脱気手段よりも下
流側で、かつ前記減圧手段よりも上流側に配置され、前
記処理液供給経路の処理液を脱気処理する際に、前記処
理液供給経路から前記減圧ラインのほうへ漏洩する処理
液を捕捉するトラップタンクと、を具備することを特徴
とする。
【０００８】本発明において、減圧手段は、減圧ライン
とは異なる別ラインに流体を通流させ、その別ラインの
流れを利用して前記減圧ラインを減圧させるエジェクタ
であることが好ましい。また、減圧手段は、吸引側が前
記減圧ラインに連通する真空ポンプであることが好まし
い。
とは異なる別ラインに流体を通流させ、その別ラインの
流れを利用して前記減圧ラインを減圧させるエジェクタ
であることが好ましい。また、減圧手段は、吸引側が前
記減圧ラインに連通する真空ポンプであることが好まし
い。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して具体的に説明する。本発明のレジスト処理装
置について説明する。なお、ここでは、レジスト処理装
置が現像処理装置である場合について説明する。
を参照して具体的に説明する。本発明のレジスト処理装
置について説明する。なお、ここでは、レジスト処理装
置が現像処理装置である場合について説明する。
【００１０】図１は本発明にかかる現像処理装置の一例
を示す模式図である。図１中１は処理液収容部材である
タンクを示す。タンク１には現像液２が貯留されてお
り、タンク１には、例えば窒素ガス等の圧送ガスを貯蔵
したガスボンベ３が配管４を介して接続されている。ま
た、タンク１内の現像液２には、配管５の端部が浸漬さ
れおり、配管５の途中には、中間タンク６が設けられて
いる。そして、タンク１内の現像液２は、ガスボンベ３
内の圧送ガス、例えば窒素ガスが配管４を介してタンク
１に供給されることにより、配管５を通って現像液供給
手段であるノズル１２に向けて圧送される。ここで、現
像液２を圧送する圧送ガスの圧力は、圧送ガスの現像液
への溶解を考慮すると、０．５〜３ｋｇ／ｃｍ2 である
ことが好ましい。
を示す模式図である。図１中１は処理液収容部材である
タンクを示す。タンク１には現像液２が貯留されてお
り、タンク１には、例えば窒素ガス等の圧送ガスを貯蔵
したガスボンベ３が配管４を介して接続されている。ま
た、タンク１内の現像液２には、配管５の端部が浸漬さ
れおり、配管５の途中には、中間タンク６が設けられて
いる。そして、タンク１内の現像液２は、ガスボンベ３
内の圧送ガス、例えば窒素ガスが配管４を介してタンク
１に供給されることにより、配管５を通って現像液供給
手段であるノズル１２に向けて圧送される。ここで、現
像液２を圧送する圧送ガスの圧力は、圧送ガスの現像液
への溶解を考慮すると、０．５〜３ｋｇ／ｃｍ2 である
ことが好ましい。
【００１１】中間タンク６の下流側で配管５は配管５ａ
と配管５ｂとに分かれ、各配管には、ノズル１２に至る
までに、それぞれフローメーター７ａ，７ｂ、フィルタ
ー８ａ，８ｂ、ウォータージャケット９ａ，９ｂ、現像
液脱気装置１０ａ，１０ｂ、およびエアオペレションバ
ルブ１１ａ，１１ｂ、が順に設けられており、ノズル１
２には、これら２つの配管を介して２カ所から現像液２
が導入される。
と配管５ｂとに分かれ、各配管には、ノズル１２に至る
までに、それぞれフローメーター７ａ，７ｂ、フィルタ
ー８ａ，８ｂ、ウォータージャケット９ａ，９ｂ、現像
液脱気装置１０ａ，１０ｂ、およびエアオペレションバ
ルブ１１ａ，１１ｂ、が順に設けられており、ノズル１
２には、これら２つの配管を介して２カ所から現像液２
が導入される。
【００１２】フィルター８ａ，８ｂは、あまり後段であ
ると、すなわちノズル１２に近いと、その脈動によりノ
ズル１２において現像液の液だれが起こるので、できる
だけ前段に位置することが好ましい。また、ウォーター
ジャケット９ａ，９ｂの位置と現像液脱気装置１０ａ，
１０ｂの位置とが逆であっても良い。また、現像液脱気
装置１０ａ，１０ｂには、図示しないコントローラが接
続されており、現像液中に溶存した気体成分を充分に除
去すると共に、現像液の濃度が大きく変化しないように
脱気装置１０ａ，１０ｂの内圧の上限および下限が決め
られたある範囲内での減圧条件に制御可能になってい
る。
ると、すなわちノズル１２に近いと、その脈動によりノ
ズル１２において現像液の液だれが起こるので、できる
だけ前段に位置することが好ましい。また、ウォーター
ジャケット９ａ，９ｂの位置と現像液脱気装置１０ａ，
１０ｂの位置とが逆であっても良い。また、現像液脱気
装置１０ａ，１０ｂには、図示しないコントローラが接
続されており、現像液中に溶存した気体成分を充分に除
去すると共に、現像液の濃度が大きく変化しないように
脱気装置１０ａ，１０ｂの内圧の上限および下限が決め
られたある範囲内での減圧条件に制御可能になってい
る。
【００１３】一方、現像部１３は、基板、例えば半導体
ウエハＷを吸着保持するチャック１４と、チャック１４
を回転させるモータ１５と、チャック１４に保持された
半導体ウエハＷを囲繞するカップ１６とを備えている。
ウエハＷを吸着保持するチャック１４と、チャック１４
を回転させるモータ１５と、チャック１４に保持された
半導体ウエハＷを囲繞するカップ１６とを備えている。
【００１４】上記中間タンク６の外側には、例えば静電
容量センサからなるリミットセンサ６ａおよびエンプテ
ィセンサ６ｂが設けられており、これらからの信号が図
示しないコントローラに出力され、現像液の液面の位置
が制御される。そして、配管５ａ，５ｂを通流する現像
液２は、フローメーター７ａ，７ｂにより流量が制御さ
れ、さらにフィルター８ａ，８ｂにより不純物等が除去
される。また、ウォータージャケット９ａ，９ｂには温
度調節された水が循環され、これにより配管５ａ，５ｂ
を通流する現像液２の温度が制御される。温度制御され
た現像液２は、現像液脱気装置１０ａ，１０ｂにおい
て、現像液中の気体成分を充分に除去すると共に、処理
液の濃度が大きく変化しないような条件で脱気処理が施
される。このようにして処理された現像液２はノズル１
２に送られ、ノズル１２からチャック１４上の被処理体
である半導体ウエハＷ上に供給されて現像処理が行われ
る。
容量センサからなるリミットセンサ６ａおよびエンプテ
ィセンサ６ｂが設けられており、これらからの信号が図
示しないコントローラに出力され、現像液の液面の位置
が制御される。そして、配管５ａ，５ｂを通流する現像
液２は、フローメーター７ａ，７ｂにより流量が制御さ
れ、さらにフィルター８ａ，８ｂにより不純物等が除去
される。また、ウォータージャケット９ａ，９ｂには温
度調節された水が循環され、これにより配管５ａ，５ｂ
を通流する現像液２の温度が制御される。温度制御され
た現像液２は、現像液脱気装置１０ａ，１０ｂにおい
て、現像液中の気体成分を充分に除去すると共に、処理
液の濃度が大きく変化しないような条件で脱気処理が施
される。このようにして処理された現像液２はノズル１
２に送られ、ノズル１２からチャック１４上の被処理体
である半導体ウエハＷ上に供給されて現像処理が行われ
る。
【００１５】次に、現像液脱気装置１０ａ，１０ｂの真
空排気系（減圧ラインを含む）について説明する。この
真空排気系は、図２に示すように、脱気処理の際に処理
液供給経路５ａ，５ｂから減圧ラインのほうへ漏洩した
ミスト状の現像液を捕捉するトラップタンク２１と、減
圧手段であるエジェクタ２２とから主に構成されてい
る。現像液脱気装置１０ａ，１０ｂからエジェクタ２２
までの間に減圧ラインが設けられている。トラップタン
ク２１は、減圧ラインにおいて現像液脱気装置１０ａ，
１０ｂよりも下流側で、かつエジェクタ２２よりも上流
側に配置されている。トラップタンク２１には、捕捉さ
れて内部に溜まった現像液の液面を検知するセンサ２３
が取り付けられている。
空排気系（減圧ラインを含む）について説明する。この
真空排気系は、図２に示すように、脱気処理の際に処理
液供給経路５ａ，５ｂから減圧ラインのほうへ漏洩した
ミスト状の現像液を捕捉するトラップタンク２１と、減
圧手段であるエジェクタ２２とから主に構成されてい
る。現像液脱気装置１０ａ，１０ｂからエジェクタ２２
までの間に減圧ラインが設けられている。トラップタン
ク２１は、減圧ラインにおいて現像液脱気装置１０ａ，
１０ｂよりも下流側で、かつエジェクタ２２よりも上流
側に配置されている。トラップタンク２１には、捕捉さ
れて内部に溜まった現像液の液面を検知するセンサ２３
が取り付けられている。
【００１６】トラップタンク２１からエジェクタ２２ま
での間の減圧ラインには、トラップタンク２１側からス
トップバルブ２４、ソレノイドバルブ２５が順次設けら
れている。エジェクタ２２は、減圧ラインとは異なる別
ラインに連通するものであり、この別ラインに流体、例
えばエアを通流させ、その流れを利用して脱気装置１０
ａ，１０ｂからエジェクタ２２に至るまでの減圧ライン
を減圧するものである。その別ラインには、エアの流速
を調節するレギュレータ２６およびソレノイドバルブ２
７が設けられている。また、レギュレータ２６とソレノ
イドバルブ２７との間には、圧力検知用のゲージ２８が
取り付けられている。
での間の減圧ラインには、トラップタンク２１側からス
トップバルブ２４、ソレノイドバルブ２５が順次設けら
れている。エジェクタ２２は、減圧ラインとは異なる別
ラインに連通するものであり、この別ラインに流体、例
えばエアを通流させ、その流れを利用して脱気装置１０
ａ，１０ｂからエジェクタ２２に至るまでの減圧ライン
を減圧するものである。その別ラインには、エアの流速
を調節するレギュレータ２６およびソレノイドバルブ２
７が設けられている。また、レギュレータ２６とソレノ
イドバルブ２７との間には、圧力検知用のゲージ２８が
取り付けられている。
【００１７】また、現像液脱気装置１０ａ，１０ｂに
は、バキュームスイッチ２９が取り付けられている。こ
のバキュームスイッチ２９には圧力検知用のゲージが取
り付けられている。
は、バキュームスイッチ２９が取り付けられている。こ
のバキュームスイッチ２９には圧力検知用のゲージが取
り付けられている。
【００１８】上記構成を有する真空系において現像液の
脱気処理を行う場合、以下の操作を行う。 （１）減圧ラインのソレノイドバルブ２５は通常状態で
開いておく。この状態で別ラインのソレノイドバルブ２
７を開くと、エアの供給によりエジェクタ２２が駆動
し、減圧ラインを介して現像液脱気装置１０ａ，１０ｂ
の減圧が開始される。この減圧は、バキュームスイッチ
２９のゲージで上限（例えば−７６０ｍｍＨｇ）に至る
まで行う。 （２）現像液脱気装置１０ａ，１０ｂの減圧が上限に到
達したときに、ソレノイドバルブ２７を閉じ、別ライン
へのエアの供給を停止してエジェクタ２２の駆動を停止
させる。 （３）現像液の脱気処理が進むにつれて、バキュームス
イッチ２９のゲージの値が大気圧に近づく。このゲージ
の値が下限（例えば−１００ｍｍＨｇ）より大気圧側に
上昇したときに、別ラインのソレノイドバルブ２７を開
き、再びエジェクタ２２を駆動させてバキュームスイッ
チ２９のゲージが上限に至るまで現像液脱気装置１０
ａ，１０ｂの減圧を行う。
脱気処理を行う場合、以下の操作を行う。 （１）減圧ラインのソレノイドバルブ２５は通常状態で
開いておく。この状態で別ラインのソレノイドバルブ２
７を開くと、エアの供給によりエジェクタ２２が駆動
し、減圧ラインを介して現像液脱気装置１０ａ，１０ｂ
の減圧が開始される。この減圧は、バキュームスイッチ
２９のゲージで上限（例えば−７６０ｍｍＨｇ）に至る
まで行う。 （２）現像液脱気装置１０ａ，１０ｂの減圧が上限に到
達したときに、ソレノイドバルブ２７を閉じ、別ライン
へのエアの供給を停止してエジェクタ２２の駆動を停止
させる。 （３）現像液の脱気処理が進むにつれて、バキュームス
イッチ２９のゲージの値が大気圧に近づく。このゲージ
の値が下限（例えば−１００ｍｍＨｇ）より大気圧側に
上昇したときに、別ラインのソレノイドバルブ２７を開
き、再びエジェクタ２２を駆動させてバキュームスイッ
チ２９のゲージが上限に至るまで現像液脱気装置１０
ａ，１０ｂの減圧を行う。
【００１９】その後は、（２）および（３）の操作を繰
り返す。なお、上記操作は所定の制御手段を用いて行う
ことが好ましい。この操作において、処理液供給経路５
ａ，５ｂから減圧ライン側へ漏洩した現像液はトラップ
タンク２１に捕捉される。センサ２３がトラップタンク
２１内の液面を検知し、液面が所定の液位に達したとき
に、減圧ラインのソレノイドバルブ２５を閉じる。この
とき、別ラインのソレノイドバルブ２７を閉じることに
より、エジェクタ２２は駆動しない。このように、トラ
ップタンク２１により捕捉した漏洩現像液が所定量に達
したときには、脱気処理を停止して、捕捉した漏洩現像
液をトラップタンク２１から排出させ、減圧ラインのソ
レノイドバルブ２５を開けるとともに、別ラインのソレ
ノイドバルブ２７を開け、エジェクタ２２を再び駆動さ
せて現像液の脱気処理を再開する。
り返す。なお、上記操作は所定の制御手段を用いて行う
ことが好ましい。この操作において、処理液供給経路５
ａ，５ｂから減圧ライン側へ漏洩した現像液はトラップ
タンク２１に捕捉される。センサ２３がトラップタンク
２１内の液面を検知し、液面が所定の液位に達したとき
に、減圧ラインのソレノイドバルブ２５を閉じる。この
とき、別ラインのソレノイドバルブ２７を閉じることに
より、エジェクタ２２は駆動しない。このように、トラ
ップタンク２１により捕捉した漏洩現像液が所定量に達
したときには、脱気処理を停止して、捕捉した漏洩現像
液をトラップタンク２１から排出させ、減圧ラインのソ
レノイドバルブ２５を開けるとともに、別ラインのソレ
ノイドバルブ２７を開け、エジェクタ２２を再び駆動さ
せて現像液の脱気処理を再開する。
【００２０】このような減圧ラインは、脱気処理時に現
像液中に含まれるアルカリ成分（ＴＭＡＨ（テトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイド））等が混入して
も、エジェクタ２２側の別ラインから独立しているため
工場集合配管などを腐食させるおそれがなく、また現像
液排出系としてのトラップタンク２１に接続しているた
め、系外に影響を及ぼすことはない。
像液中に含まれるアルカリ成分（ＴＭＡＨ（テトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイド））等が混入して
も、エジェクタ２２側の別ラインから独立しているため
工場集合配管などを腐食させるおそれがなく、また現像
液排出系としてのトラップタンク２１に接続しているた
め、系外に影響を及ぼすことはない。
【００２１】別の減圧ラインを含む真空排気系として
は、図３に示すように、脱気処理の際に漏洩した現像液
を捕捉するトラップタンク２１と、減圧手段である真空
ポンプ３０とから主に構成されている。現像液脱気装置
１０ａ，１０ｂから真空ポンプ３０までの間に減圧ライ
ンが設けられている。トラップタンク２１は、減圧ライ
ンにおいて現像液脱気装置１０ａ，１０ｂよりも下流側
で、かつ真空ポンプ３０よりも上流側に配置されてい
る。トラップタンク２１には、収容した現像液を液面を
検知するセンサ２３が取り付けられている。トラップタ
ンク２１から真空ポンプ３０までの間の減圧ラインに
は、トラップタンク２１側からストップバルブ２４、ソ
レノイドバルブ２５が順次設けられている。また、現像
液脱気装置１０ａ，１０ｂには、バキュームスイッチ２
９が取り付けられている。このバキュームスイッチ２９
には、圧力検知用のゲージが取り付けられている。
は、図３に示すように、脱気処理の際に漏洩した現像液
を捕捉するトラップタンク２１と、減圧手段である真空
ポンプ３０とから主に構成されている。現像液脱気装置
１０ａ，１０ｂから真空ポンプ３０までの間に減圧ライ
ンが設けられている。トラップタンク２１は、減圧ライ
ンにおいて現像液脱気装置１０ａ，１０ｂよりも下流側
で、かつ真空ポンプ３０よりも上流側に配置されてい
る。トラップタンク２１には、収容した現像液を液面を
検知するセンサ２３が取り付けられている。トラップタ
ンク２１から真空ポンプ３０までの間の減圧ラインに
は、トラップタンク２１側からストップバルブ２４、ソ
レノイドバルブ２５が順次設けられている。また、現像
液脱気装置１０ａ，１０ｂには、バキュームスイッチ２
９が取り付けられている。このバキュームスイッチ２９
には、圧力検知用のゲージが取り付けられている。
【００２２】上記構成を有する真空系において現像液の
脱気処理を行う場合、以下の操作を行う。4 （１）減圧ラインのソレノイドバルブ２５は通常状態で
開いておく。この状態で真空ポンプ３０を用いて現像液
脱気装置１０ａ，１０ｂを減圧する。この減圧操作は、
バキュームスイッチ２９のゲージで上限（例えば−７６
０ｍｍＨｇ）に至るまで行う。 （２）現像液脱気装置１０ａ，１０ｂの減圧が上限に到
達したときに、真空ポンプ３０を停止して減圧操作を停
止させる。 （３）（２）の状態において、脱気処理が進むにつれ
て、バキュームスイッチ２９のゲージの値が大気圧に近
づく。このゲージの値が下限（例えば−１００ｍｍＨ
ｇ）より大気圧側に上昇したときに、真空ポンプ３０を
再起動させ、再びバキュームスイッチ２９のゲージで上
限（例えば−７６０ｍｍＨｇ）に至るまで現像液脱気装
置１０ａ，１０ｂの減圧を行う。
脱気処理を行う場合、以下の操作を行う。4 （１）減圧ラインのソレノイドバルブ２５は通常状態で
開いておく。この状態で真空ポンプ３０を用いて現像液
脱気装置１０ａ，１０ｂを減圧する。この減圧操作は、
バキュームスイッチ２９のゲージで上限（例えば−７６
０ｍｍＨｇ）に至るまで行う。 （２）現像液脱気装置１０ａ，１０ｂの減圧が上限に到
達したときに、真空ポンプ３０を停止して減圧操作を停
止させる。 （３）（２）の状態において、脱気処理が進むにつれ
て、バキュームスイッチ２９のゲージの値が大気圧に近
づく。このゲージの値が下限（例えば−１００ｍｍＨ
ｇ）より大気圧側に上昇したときに、真空ポンプ３０を
再起動させ、再びバキュームスイッチ２９のゲージで上
限（例えば−７６０ｍｍＨｇ）に至るまで現像液脱気装
置１０ａ，１０ｂの減圧を行う。
【００２３】その後は、（２）および（３）の操作を繰
り返す。なお、上記操作は所定の制御手段を用いて行う
ことが好ましい。この操作において、漏洩した現像液は
トラップタンク２１に収容される。センサ２３が液面を
検知し、所定の液面に達したときに、ソレノイドバルブ
２５を閉じる。このとき、真空ポンプ３０を停止する。
このように、トラップタンク２１に収容した漏洩現像液
が所定量に達したときには、脱気処理を停止して、トラ
ップタンク２１から漏洩現像液を排出させ、ソレノイド
バルブ２５を開き、真空ポンプ３０を作動させて再び脱
気処理を行う。
り返す。なお、上記操作は所定の制御手段を用いて行う
ことが好ましい。この操作において、漏洩した現像液は
トラップタンク２１に収容される。センサ２３が液面を
検知し、所定の液面に達したときに、ソレノイドバルブ
２５を閉じる。このとき、真空ポンプ３０を停止する。
このように、トラップタンク２１に収容した漏洩現像液
が所定量に達したときには、脱気処理を停止して、トラ
ップタンク２１から漏洩現像液を排出させ、ソレノイド
バルブ２５を開き、真空ポンプ３０を作動させて再び脱
気処理を行う。
【００２４】このような真空系は、高真空を実現できる
ので、効率良く脱気処理を行うことができ、現像液に含
まれる気体成分を充分に除去することができる。したが
って、欠陥のない現像処理を行うことができる。
ので、効率良く脱気処理を行うことができ、現像液に含
まれる気体成分を充分に除去することができる。したが
って、欠陥のない現像処理を行うことができる。
【００２５】次に、ノズル１２について説明する。この
ノズル１２は、図４およびそのＶ−Ｖ線に沿う断面図で
ある図５に示すように、側壁３１および底壁３２によっ
て規定される現像液収容室３３を有している。収容室３
３の上部開口は、蓋部材３４により閉塞されており、蓋
部材３４と側壁３１との間はパッキン３５でシールされ
ている。蓋部材３４には、２カ所に現像液供給管３７が
設けられており、処理液供給経路としての配管５ａおよ
び５ｂを通って送られてきた現像液２が２つの供給管３
７を介して現像液収容室３３内に供給され、その中に収
容される。底壁３２には、その長手方向に沿って複数の
液吐出孔３８が形成されており、この液吐出孔３８から
現像液２が半導体ウエハＷ上に供給される。そして、こ
のノズル１２の水平方向の長さは、半導体ウエハＷの直
径とほぼ一致している。
ノズル１２は、図４およびそのＶ−Ｖ線に沿う断面図で
ある図５に示すように、側壁３１および底壁３２によっ
て規定される現像液収容室３３を有している。収容室３
３の上部開口は、蓋部材３４により閉塞されており、蓋
部材３４と側壁３１との間はパッキン３５でシールされ
ている。蓋部材３４には、２カ所に現像液供給管３７が
設けられており、処理液供給経路としての配管５ａおよ
び５ｂを通って送られてきた現像液２が２つの供給管３
７を介して現像液収容室３３内に供給され、その中に収
容される。底壁３２には、その長手方向に沿って複数の
液吐出孔３８が形成されており、この液吐出孔３８から
現像液２が半導体ウエハＷ上に供給される。そして、こ
のノズル１２の水平方向の長さは、半導体ウエハＷの直
径とほぼ一致している。
【００２６】実際に、このノズル１２から現像液２を半
導体ウエハＷに供給する際には、まず、圧送ガスである
Ｎ2 ガスを配管４を介してタンク１に導入し、タンク１
内に収容された現像液２を供給ラインに通液する。ま
た、このとき、エアオペレションバルブ１１ａ，１１ｂ
を閉じる。
導体ウエハＷに供給する際には、まず、圧送ガスである
Ｎ2 ガスを配管４を介してタンク１に導入し、タンク１
内に収容された現像液２を供給ラインに通液する。ま
た、このとき、エアオペレションバルブ１１ａ，１１ｂ
を閉じる。
【００２７】次いで、現像液脱気装置１０ａ，１０ｂに
おいて、現像液中の気体成分を充分に除去すると共に、
現像液の濃度が大きく変化しないような条件で現像液２
に脱気処理を施す。
おいて、現像液中の気体成分を充分に除去すると共に、
現像液の濃度が大きく変化しないような条件で現像液２
に脱気処理を施す。
【００２８】次いで、現像液脱気装置１０ａ，１０ｂか
らノズル１２までの間の処理液供給経路５ａ，５ｂ，３
７に存在する現像液を捨て（ダミーディスペンス）、脱
気処理された現像液を当該処理液供給経路５ａ，５ｂ，
３７に供給することにより、脱気処理済みの現像液に置
換する。これは、エアオペレションバルブ１１ａ，１１
ｂを開いて現像液脱気装置１０ａ，１０ｂとノズル１２
との間の供給ライン中の現像液全量（脱気処理が施され
ていない現像液）を吐出することにより行う。例えば、
供給ライン中の現像液全量が、現像液脱気装置１０ａ，
１０ｂとエアオペレションバルブ１１ａ，１１ｂとの間
の配管中に１ｃｃ、エアオペレションバルブ１１ａ，１
１ｂ中に１ｃｃ、エアオペレションバルブ１１ａ，１１
ｂとノズル１２との間の配管中に１８ｃｃ、およびノズ
ル１２中に８０ｃｃの計１００ｃｃ（２ライン合計）で
ある場合には、１００ｃｃを吐出することにより脱気処
理された現像液に置換する。その後、エアオペレション
バルブ１１ａ，１１ｂを閉じる。
らノズル１２までの間の処理液供給経路５ａ，５ｂ，３
７に存在する現像液を捨て（ダミーディスペンス）、脱
気処理された現像液を当該処理液供給経路５ａ，５ｂ，
３７に供給することにより、脱気処理済みの現像液に置
換する。これは、エアオペレションバルブ１１ａ，１１
ｂを開いて現像液脱気装置１０ａ，１０ｂとノズル１２
との間の供給ライン中の現像液全量（脱気処理が施され
ていない現像液）を吐出することにより行う。例えば、
供給ライン中の現像液全量が、現像液脱気装置１０ａ，
１０ｂとエアオペレションバルブ１１ａ，１１ｂとの間
の配管中に１ｃｃ、エアオペレションバルブ１１ａ，１
１ｂ中に１ｃｃ、エアオペレションバルブ１１ａ，１１
ｂとノズル１２との間の配管中に１８ｃｃ、およびノズ
ル１２中に８０ｃｃの計１００ｃｃ（２ライン合計）で
ある場合には、１００ｃｃを吐出することにより脱気処
理された現像液に置換する。その後、エアオペレション
バルブ１１ａ，１１ｂを閉じる。
【００２９】次いで、図６に示すように、ノズル１２を
ウエハＷの中央上方に位置させ、図５に示す位置関係に
なるように、ウエハＷに対してノズル１２を相対的に上
下動させる。次いで、エアオペレションバルブ１１ａ，
１１ｂを開いてノズル１２の液吐出孔３８からウエハＷ
の中心位置上に脱気処理された現像液を０．３〜０．５
秒吐出させる。これにより、ウエハＷ表面とノズル１２
との間に脱気処理された現像液の液膜が形成された状態
となる。なお、実際の現像処理時の現像液の吐出量は、
脱気処理された現像液の量よりも少なく設定することが
好ましい。また、反対に、脱気処理する現像液の量は、
実際の現像処理時の１回の吐出量よりも多く設定するこ
とが好ましい。
ウエハＷの中央上方に位置させ、図５に示す位置関係に
なるように、ウエハＷに対してノズル１２を相対的に上
下動させる。次いで、エアオペレションバルブ１１ａ，
１１ｂを開いてノズル１２の液吐出孔３８からウエハＷ
の中心位置上に脱気処理された現像液を０．３〜０．５
秒吐出させる。これにより、ウエハＷ表面とノズル１２
との間に脱気処理された現像液の液膜が形成された状態
となる。なお、実際の現像処理時の現像液の吐出量は、
脱気処理された現像液の量よりも少なく設定することが
好ましい。また、反対に、脱気処理する現像液の量は、
実際の現像処理時の１回の吐出量よりも多く設定するこ
とが好ましい。
【００３０】次いで、この状態でモータ１５によりウエ
ハＷを例えば矢印Ａ方向に１／２回転させる。これによ
り、現像液がウエハＷの回転で押し広げられることによ
り、ウエハＷ表面上に脱気処理された現像液の液膜が形
成され、ウエハＷ上にあらかじめ形成されたレジスト膜
上に均一に脱気処理された現像液が行きわたる。その
後、エアオペレションバルブ１１ａ，１１ｂを閉じる。
これにより、脱気処理された現像液により現像処理が行
われる。
ハＷを例えば矢印Ａ方向に１／２回転させる。これによ
り、現像液がウエハＷの回転で押し広げられることによ
り、ウエハＷ表面上に脱気処理された現像液の液膜が形
成され、ウエハＷ上にあらかじめ形成されたレジスト膜
上に均一に脱気処理された現像液が行きわたる。その
後、エアオペレションバルブ１１ａ，１１ｂを閉じる。
これにより、脱気処理された現像液により現像処理が行
われる。
【００３１】現像処理においては、脱気処理により充分
に気体成分が除去された現像液を用いているので、現像
液に含まれる気体成分に起因する現像欠陥が防止され
る。また、前記脱気処理の条件は、現像液の濃度が大き
く変化しないような条件であるので、現像液の水分が蒸
発することによる現像液の濃度変化に起因する現像欠陥
も防止される。
に気体成分が除去された現像液を用いているので、現像
液に含まれる気体成分に起因する現像欠陥が防止され
る。また、前記脱気処理の条件は、現像液の濃度が大き
く変化しないような条件であるので、現像液の水分が蒸
発することによる現像液の濃度変化に起因する現像欠陥
も防止される。
【００３２】上記現像処理において、処理液供給経路の
クリーニングのために、処理ロットの最初や、所定時間
毎、例えば３０分毎にダミーディスペンスを行うことが
好ましい。ダミーディスペンスの量は、クリーニング効
果を考慮すると、少なくとも１回の吐出量以上、１００
〜２００ｃｃにすることが好ましい。例えば、上記の例
によれば、ダミーディスペンスの量は、少なくとも通常
の吐出量５０ｃｃと脱気処理する量１００ｃｃとを合計
した量にあたる１５０ｃｃに設定する。
クリーニングのために、処理ロットの最初や、所定時間
毎、例えば３０分毎にダミーディスペンスを行うことが
好ましい。ダミーディスペンスの量は、クリーニング効
果を考慮すると、少なくとも１回の吐出量以上、１００
〜２００ｃｃにすることが好ましい。例えば、上記の例
によれば、ダミーディスペンスの量は、少なくとも通常
の吐出量５０ｃｃと脱気処理する量１００ｃｃとを合計
した量にあたる１５０ｃｃに設定する。
【００３３】本発明の現像処理装置によれば、脱気処理
において真空系に現像液が混入してもプロセスに影響を
及ぼさないか、真空系に現像液が混入することを防止す
ることができる。また、この脱気装置によれば、高真空
で脱気処理を行うことができるので、効率良く現像液の
脱気処理を行うことができ、欠陥のない現像処理を行う
ことができる。
において真空系に現像液が混入してもプロセスに影響を
及ぼさないか、真空系に現像液が混入することを防止す
ることができる。また、この脱気装置によれば、高真空
で脱気処理を行うことができるので、効率良く現像液の
脱気処理を行うことができ、欠陥のない現像処理を行う
ことができる。
【００３４】また、ノズルも上記構造のものに限らず、
図７に示すようなストリームノズル４１であってもよい
し、図８に示すようにノズル本体４２に複数のノズル４
３が設けられたマルチノズルタイプであってもよい。こ
れらはいずれも被処理体としての半導体ウエハＷを回転
させつつ、ノズルを直線的に（水平方向に、図中矢印Ｂ
方向に）移動させる。
図７に示すようなストリームノズル４１であってもよい
し、図８に示すようにノズル本体４２に複数のノズル４
３が設けられたマルチノズルタイプであってもよい。こ
れらはいずれも被処理体としての半導体ウエハＷを回転
させつつ、ノズルを直線的に（水平方向に、図中矢印Ｂ
方向に）移動させる。
【００３５】実際に、ストリームノズル４１やマルチノ
ズルを用いて現像液２を半導体ウエハＷに供給する際に
は、上記の場合と同様にして、Ｎ2 ガスを配管４を介し
てタンク１に導入し、タンク１内に収容された現像液２
を供給ラインに通液し、エアオペレションバルブ１１
ａ，１１ｂを閉じる。
ズルを用いて現像液２を半導体ウエハＷに供給する際に
は、上記の場合と同様にして、Ｎ2 ガスを配管４を介し
てタンク１に導入し、タンク１内に収容された現像液２
を供給ラインに通液し、エアオペレションバルブ１１
ａ，１１ｂを閉じる。
【００３６】次いで、現像液脱気装置１０ａ，１０ｂに
おいて、現像液中の気体成分を充分に除去すると共に、
現像液の濃度が大きく変化しないような条件で現像液２
に脱気処理を施す。
おいて、現像液中の気体成分を充分に除去すると共に、
現像液の濃度が大きく変化しないような条件で現像液２
に脱気処理を施す。
【００３７】次いで、上記同様にして、現像液脱気装置
１０ａ，１０ｂからノズル１２までの間の処理液供給経
路の現像液を脱気処理された現像液に置換する。これ
は、エアオペレションバルブ１１ａ，１１ｂを開いて現
像液脱気装置１０ａ，１０ｂとノズル１２との間の処理
液供給経路中の現像液全量（脱気処理が施されていない
現像液）を吐出して捨てる（ダミーディスペンス）こと
により行う。その後、エアオペレションバルブ１１ａ，
１１ｂを閉じる。
１０ａ，１０ｂからノズル１２までの間の処理液供給経
路の現像液を脱気処理された現像液に置換する。これ
は、エアオペレションバルブ１１ａ，１１ｂを開いて現
像液脱気装置１０ａ，１０ｂとノズル１２との間の処理
液供給経路中の現像液全量（脱気処理が施されていない
現像液）を吐出して捨てる（ダミーディスペンス）こと
により行う。その後、エアオペレションバルブ１１ａ，
１１ｂを閉じる。
【００３８】次いで、図７および図８に示すように、ノ
ズルをウエハＷ外の上方に位置させる。次いで、エアオ
ペレションバルブ１１ａ，１１ｂを開いてノズル１２の
液吐出孔３８からウエハＷの中心位置上に脱気処理され
た現像液を吐出させる。ノズル１２から現像液を吐出さ
せた状態でモータ１５によりウエハＷを回転させる。ノ
ズルをウエハＷに対して相対的に往復移動させる（図中
矢印Ｂ方向、ウエハＷの外周部〜中心部〜外周部）。な
お、実際の現像処理時の現像液の吐出量は、脱気処理さ
れた現像液の量よりも少なく設定することが好ましい。
また、反対に、脱気処理する現像液の量は、実際の現像
処理時の１回の吐出量よりも多く設定することが好まし
い。
ズルをウエハＷ外の上方に位置させる。次いで、エアオ
ペレションバルブ１１ａ，１１ｂを開いてノズル１２の
液吐出孔３８からウエハＷの中心位置上に脱気処理され
た現像液を吐出させる。ノズル１２から現像液を吐出さ
せた状態でモータ１５によりウエハＷを回転させる。ノ
ズルをウエハＷに対して相対的に往復移動させる（図中
矢印Ｂ方向、ウエハＷの外周部〜中心部〜外周部）。な
お、実際の現像処理時の現像液の吐出量は、脱気処理さ
れた現像液の量よりも少なく設定することが好ましい。
また、反対に、脱気処理する現像液の量は、実際の現像
処理時の１回の吐出量よりも多く設定することが好まし
い。
【００３９】その後、エアオペレションバルブ１１ａ，
１１ｂを閉じる。これにより、脱気処理された現像液に
より現像処理が行われる。この現像処理においても、脱
気処理において真空系に現像液が混入してもプロセスに
影響を及ぼさないか、真空系に現像液が混入することを
防止することができる。また、この脱気装置によれば、
高真空で脱気処理を行うことができるので、効率良く現
像液の脱気処理を行うことができ、欠陥のない現像処理
を行うことができる。
１１ｂを閉じる。これにより、脱気処理された現像液に
より現像処理が行われる。この現像処理においても、脱
気処理において真空系に現像液が混入してもプロセスに
影響を及ぼさないか、真空系に現像液が混入することを
防止することができる。また、この脱気装置によれば、
高真空で脱気処理を行うことができるので、効率良く現
像液の脱気処理を行うことができ、欠陥のない現像処理
を行うことができる。
【００４０】上記実施形態において、気体成分とは、処
理液中に溶存する気体と、処理液が気泡として巻き込む
気体とを含む意味である。なお、上記実施形態では被処
理体として半導体ウエハを用いた例を示したが、これに
限らず、被処理体として例えばＬＣＤ基板を用いても良
い。また、上記実施形態では処理液として現像液を用い
た例を示したが、これに限らず、処理液として例えばレ
ジスト液、沸点が異なる複数の成分を含む処理液、また
は洗浄液等を用いても良い。その他、本発明の要旨を逸
脱しない範囲で種々変形することが可能である。
理液中に溶存する気体と、処理液が気泡として巻き込む
気体とを含む意味である。なお、上記実施形態では被処
理体として半導体ウエハを用いた例を示したが、これに
限らず、被処理体として例えばＬＣＤ基板を用いても良
い。また、上記実施形態では処理液として現像液を用い
た例を示したが、これに限らず、処理液として例えばレ
ジスト液、沸点が異なる複数の成分を含む処理液、また
は洗浄液等を用いても良い。その他、本発明の要旨を逸
脱しない範囲で種々変形することが可能である。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように本発明のレジスト処
理装置及びレジスト処理方法は、処理液を収容する処理
液収容部材と、処理液を被処理体上に供給するノズル
と、前記処理液収容部材と前記ノズルとの間の処理液供
給経路に設けられ、処理液に脱気処理を施す脱気手段
と、前記脱気手段を減圧するために前記脱気手段に連通
する減圧ラインをもつ減圧手段と、前記減圧ラインに設
けられ、前記脱気手段よりも下流側で、かつ前記減圧手
段よりも上流側に配置され、前記処理液供給経路の処理
液を脱気処理する際に、前記処理液供給経路から前記減
圧ラインのほうへ漏洩する処理液を捕捉するトラップタ
ンクとを具備するので、処理液の脱気処理時に減圧ライ
ンに混入した処理液をトラップタンクにより効率良く捕
捉し、減圧ラインから除去することができ、処理液の濃
度を実質的に変えることなく良好に処理液の脱気処理を
行うことができる。
理装置及びレジスト処理方法は、処理液を収容する処理
液収容部材と、処理液を被処理体上に供給するノズル
と、前記処理液収容部材と前記ノズルとの間の処理液供
給経路に設けられ、処理液に脱気処理を施す脱気手段
と、前記脱気手段を減圧するために前記脱気手段に連通
する減圧ラインをもつ減圧手段と、前記減圧ラインに設
けられ、前記脱気手段よりも下流側で、かつ前記減圧手
段よりも上流側に配置され、前記処理液供給経路の処理
液を脱気処理する際に、前記処理液供給経路から前記減
圧ラインのほうへ漏洩する処理液を捕捉するトラップタ
ンクとを具備するので、処理液の脱気処理時に減圧ライ
ンに混入した処理液をトラップタンクにより効率良く捕
捉し、減圧ラインから除去することができ、処理液の濃
度を実質的に変えることなく良好に処理液の脱気処理を
行うことができる。
【図１】本発明にかかる現像処理装置を説明するための
模式図。
模式図。
【図２】本発明にかかる現像処理装置における現像液脱
気装置の一例を説明するための模式図。
気装置の一例を説明するための模式図。
【図３】本発明にかかる現像処理装置における現像液脱
気装置の他の例を説明するための模式図。
気装置の他の例を説明するための模式図。
【図４】本発明にかかる現像処理装置におけるノズルの
構造を示す断面図。
構造を示す断面図。
【図５】図４のＶ−Ｖ線に沿う断面図。
【図６】ノズル１２の現像処理液供給動作を説明するた
めの図。
めの図。
【図７】本発明のレジスト処理装置に用いられるノズル
の他の例を示す図。
の他の例を示す図。
【図８】本発明のレジスト処理装置に用いられるノズル
の他の例を示す図。
の他の例を示す図。
１…タンク、２…現像液、３…ガスボンベ、４，５，５
ａ，５ｂ…配管、６…中間タンク、７ａ，７ｂ…フロー
メーター、８ａ，８ｂ…フィルター、９ａ，９ｂ…ウォ
ータージャケット、１０ａ，１０ｂ…現像液脱気装置、
１１ａ，１１ｂ…エアオペレションバルブ、１２，４３
…ノズル、１３…現像部、１４…チャック、１５…モー
タ、１６…カップ、２１…トラップタンク、２２…エジ
ェクタ、２３…センサ、２４…ストップバルブ、２５，
２７…ソレノイドバルブ、２６…レギュレータ、２８…
ゲージ、２９…バキュームスイッチ、３０…真空ポン
プ、３１…側壁、３２…底壁、３３…現像液収容室、３
４…蓋部材、３５…パッキン、３７…現像液供給管、３
８…液吐出孔、４１…ストリームノズル、４２…ノズル
本体。
ａ，５ｂ…配管、６…中間タンク、７ａ，７ｂ…フロー
メーター、８ａ，８ｂ…フィルター、９ａ，９ｂ…ウォ
ータージャケット、１０ａ，１０ｂ…現像液脱気装置、
１１ａ，１１ｂ…エアオペレションバルブ、１２，４３
…ノズル、１３…現像部、１４…チャック、１５…モー
タ、１６…カップ、２１…トラップタンク、２２…エジ
ェクタ、２３…センサ、２４…ストップバルブ、２５，
２７…ソレノイドバルブ、２６…レギュレータ、２８…
ゲージ、２９…バキュームスイッチ、３０…真空ポン
プ、３１…側壁、３２…底壁、３３…現像液収容室、３
４…蓋部材、３５…パッキン、３７…現像液供給管、３
８…液吐出孔、４１…ストリームノズル、４２…ノズル
本体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/30 G03F 7/38
Claims (9)
- 【請求項１】 被処理体にレジスト処理を施す装置であ
って、 処理液を収容する処理液収容部材と、 処理液を被処理体上に供給するノズルと、 前記処理液収容部材と前記ノズルとの間の処理液供給経
路に設けられ、処理液に脱気処理を施す脱気手段と、前記脱気手段を減圧するために前記脱気手段に連通する
減圧ラインをもつ減圧手段と、 前記減圧ラインに設けられ、前記脱気手段よりも下流側
で、かつ前記減圧手段よりも上流側に配置され、前記処
理液供給経路の処理液を脱気処理する際に、前記処理液
供給経路から前記減圧ラインのほうへ漏洩する処理液を
捕捉する トラップタンクと、を具備することを特徴とす
るレジスト処理装置。 - 【請求項２】 前記減圧手段は、前記減圧ラインとは異
なる別ラインに流体を通流させ、その別ラインの流れを
利用して前記減圧ラインを減圧させるエジェクタである
ことを特徴とする請求項１記載のレジスト処理装置。 - 【請求項３】 前記減圧手段は、吸引側が前記減圧ライ
ンに連通する真空ポンプであることを特徴とする請求項
１記載のレジスト処理装置。 - 【請求項４】 レジスト膜が形成された被処理基板に対
して所定の処理液をノズルから供給して処理するレジス
ト処理装置において、 前記ノズルに前記所定の処理液を供給する複数の処理液
供給経路と、この複数の処理液供給経路に夫々設けられ
前記所定の処理液中に溶存する気体を脱気する脱気手段
とを有し、 前記脱気手段を減圧するために前記脱気手段に連通する
減圧ラインをもつ減圧手段と、 前記脱気手段と前記減圧手段との間に設けられ、処理液
に脱気処理を施す際に、前記処理液供給経路から前記減
圧ラインのほうへ漏洩した処理液を捕捉するトラップタ
ンクと、 を具備することを特徴とするレジスト処理装置。 - 【請求項５】 前記トラップタンクは、脱気処理を施す
際に捕捉した処理液 の液面を検知するセンサを備え、こ
のセンサにより検知された液面が所定の液位に達したと
きに前記減圧手段を停止させることを特徴とする請求項
１乃至４のうちのいずれか１項記載のレジスト処理装
置。 - 【請求項６】 前記脱気手段に接続され、処理液中に溶
存した気体成分を処理液から除去し、かつ処理液の濃度
が変化しない条件に前記脱気手段を制御する制御手段
と、 前記脱気手段に設けられ、前記脱気手段の減圧の上限値
および下限値を検出するバキュームスイッチと、をさら
に具備し、 前記制御手段は、前記バキュームスイッチが前記脱気手
段の減圧の上限値および下限値を検出したときに、前記
減圧手段を制御することを特徴とする請求項１乃至４の
うちのいずれか１項記載のレジスト処理装置。 - 【請求項７】 処理液を収容する処理液収容部材と、処
理液を被処理体上に供給するノズルと、前記処理液収容
部材と前記ノズルとの間の処理液供給経路に設けられ、
処理液に脱気処理を施す脱気手段と、前記脱気手段を減
圧するために前記脱気手段に連通する減圧ラインをもつ
減圧手段と、前記減圧ラインに設けられ、前記脱気手段
よりも下流側で、かつ前記減圧手段よりも上流側に配置
され、前記処理液供給経路の処理液を脱気処理する際
に、前記処理液供給経路から前記減圧ラインのほうへ漏
洩する処理液を捕捉するトラップタンクとを具備するレ
ジスト処理装置を用いるレジスト処理方法であって、 前記脱気手段を減圧し、この減圧の際に漏洩する処理液
を前記トラップタンクで捕捉し、処理液中に溶存する気
体を処理液から除去する脱気工程と、 前記脱気処理後、所定の処理液を被処理基板に供給する
前に、前記脱気処理工程において脱気処理された処理液
を前記複数の配管から所定の量だけ前記処理液供給経路
に供給し、前記処理液供給経路内に存在する処理液を前
記ノズルから吐出させることにより、前記処理液供給経
路内を脱気処理された処理液に置換する工程と、 を具備することを特徴とするレジスト処理方法。 - 【請求項８】 前記ノズルから被処理基板に前記脱気処
理を施した処理液を吐出する際に、前記所定の量より少
ない供給量で前記ノズルから被処理基板に処 理液を供給
することを特徴とする請求項７記載のレジスト処理方
法。 - 【請求項９】 被処理基板に処理液を供給していない際
に、前記所定の量と供給量との合計した量を前記ノズル
から吐出することを特徴とする請求項７記載のレジスト
処理方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24349296A JP3283190B2 (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | レジスト処理装置及びレジスト処理方法 |
| TW086113146A TW535216B (en) | 1996-09-13 | 1997-09-08 | Photoresist processing method and photoresist processing system |
| US08/927,418 US5866307A (en) | 1996-09-13 | 1997-09-11 | Resist processing method and resist processing system |
| EP97115936A EP0829767B1 (en) | 1996-09-13 | 1997-09-12 | Resist processing method and resist processing system |
| DE69713232T DE69713232T2 (de) | 1996-09-13 | 1997-09-12 | Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung eines Photoresists |
| KR1019970047117A KR100379648B1 (ko) | 1996-09-13 | 1997-09-12 | 레지스트처리방법및레지스트처리장치 |
| US09/175,963 US6217657B1 (en) | 1996-09-13 | 1998-10-21 | Resist processing system having process solution deaeration mechanism |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24349296A JP3283190B2 (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | レジスト処理装置及びレジスト処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092719A JPH1092719A (ja) | 1998-04-10 |
| JP3283190B2 true JP3283190B2 (ja) | 2002-05-20 |
Family
ID=17104702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24349296A Expired - Fee Related JP3283190B2 (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | レジスト処理装置及びレジスト処理方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3283190B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6987649B2 (ja) * | 2018-01-12 | 2022-01-05 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 処理液供給装置及びその脱気方法 |
| WO2022185921A1 (ja) * | 2021-03-02 | 2022-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、記憶媒体、及び基板処理装置 |
-
1996
- 1996-09-13 JP JP24349296A patent/JP3283190B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1092719A (ja) | 1998-04-10 |
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