KR100379648B1 - 레지스트처리방법및레지스트처리장치 - Google Patents

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Abstract

현상액을 저류한 용기(1) 내에 가압가스를 도입하고, 가압가스에 의해 용기(1)로부터 공급라인(5a,5b)을 경유하여 노즐(12)로 처리액을 압송하며, 노즐(12)로부터 기판(W) 상으로 현상액을 공급하는 레지스트 처리방법에 있어서, (a) 기액분리막(64a) 및 진공배기라인(51)을 구비한 탈기기구(10a,10b)를 상기 공급라인(5a,5b)에 설치하는 공정과, (b) 용기 내에 가압가스를 도입하고, 가압가스에 의해 용기로부터 공급라인을 경유하여 상기 기액분리막의 한쪽으로 처리액을 유통시키는 공정과, (c) 상기 진공배기라인(51)을 통하여 기액분리막의 다른쪽 분위기를 배기하여 기액분리막의 다른쪽 압력을 처리액의 포화증기압 이하의 압력으로 하며, 처리액 중에 존재하는 기체성분을 기액분리막의 한쪽에서 다른쪽으로 이동시켜, 이것에 의해 기판공급 전의 처리액으로부터 기체성분을 제거하는 탈기공정과, (d) 상기 탈기기구로부터 노즐까지 사이의 공급라인(5a,5b)에 존재하는 처리액을 배출하고, 상기 탈기공정 (c)에서 탈기처리된 처리액을 탈기기구로부터 노즐까지 사이의 공급라인(5a,5b)으로 도입하는 처리액 치환공정과, (e) 탈기처리된 처리액을 노즐(12)로부터 기판으로 향하여 토출 공급하는 공정과, (f) 노즐(12)과 기판(W)을 상대적으로 회전시켜, 노즐과 기판 사이에 탈기처리된 처리액의 액막을 형성하는 공정을 구비한다.

Description

레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치
본 발명은 반도체 웨이퍼나 LCD기판과 같은 기판에 레지스트를 도포하고, 도포 레지스트를 현상처리하는 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스나 액정표시장치의 포토리소그라피 프로세스에 있어서는, 반도체 웨이퍼나 LCD(Liquid Crystal Display) 용 기판에 레지스트를 도포하여, 이 도포 레지스트를 노광(露光) 처리하고, 또한 현상액으로 현상처리하여, 기판상에 소망의 회로패턴을 형성한다. 현상처리에서는 현상액을 수용한 탱크 내에 캐리어 가스(가압 N2가스)를 도입하고, 그 가스압력에 의해 현상액을 탱크로부터 공급라인을 경유하여 노즐로 송출하여, 노즐로부터 기판으로 현상액을 토출 공급한다.
이와 같은 현상처리에 있어서는, 현상 얼룩(현상처리의 불균일)을 방지하기 위하여, 기판의 전체면에 걸쳐 현상액을 단시간 내에 공급할 필요가 있다. 그런데 현상액을 탱크로 부터 노즐로 향하여 신속하게 공급하기 위하여,캐리어 가스의 압력을 최대로 하면 다량의 캐리어 가스가 현상액 속으로 녹아 들어간다든지, 노즐로부터 토출되는 현상액이 주위의 대기를 끌고 들어간다든지 하여, 기판상의 현상액 속에 기포가 생기기 쉬워진다. 기포는 기판의 표면에 부착하여, 현상액이 도포 레지스트에 접촉하는 것을 방해하므로, 레지스트가 현상되지 않는 결함이 생기는 원인으로 된다. 이 때문에 탈기장치를 이용하여 기판으로 공급되어야 할 현상액으로부터 기체성분을 분리 제거하고 있다.
그러나, 종래의 현상액의 탈기방법에서는, 기체성분에 수반하여 현상액 속의 유효 액체성분을 무시할 수 없는 양 만큼 소실되어 버려, 현상액의 농도가 변화하기 때문에 처리에 불균일이 발생한다. 또한 종래의 현상액의 탈기 처리장치에서는, 액체성분(현상액 중의 유효성분)이 탈기기구의 진공 배기라인으로 혼입(混入)하면, 탈기기구의 배기능력이 떨어지고, 탈기효율이 저하한다. 또한 진공 배기라인이 액체성분으로 오염된다.
본 발명의 목적은, 현상액과 같은 처리액으로부터 기체성분을 충분히 제거할 수 있는 동시에, 처리액의 농도변화가 생기지 않는 레지스트 처리방법을 제공하는 데 있다. 또한 탈기기구의 진공 배기라인으로 혼입된 액체성분을 진공 배기라인으로부터 효율좋게 제거할 수 있는 레지스트 처리장치를 제공하는 데 있다.
제 1 도는 본 발명의 실시형태에 관한 레지스트 처리장치의 개요을 나타낸 블럭도,
제 2 도는 레지스트 처리장치의 처리액 탈기장치를 나타낸 블록도,
제 3 도는 탈기기구의 개요를 나타낸 투시 단면도,
제 4 도는 탈기작용을 설명하기 위한 탈기기구 내의 기액분리 엘레멘트를 모 식적으로 나타낸 확대도,
제 5 도는 노즐의 일예를 나타낸 단면도,
제 6 도는 Ⅵ-Ⅵ선에 따라 절단한 노즐을 나타낸 직교 단면도,
제 7 도는 노즐 및 웨이퍼의 개요를 사시도,
제 8 도는 반도체 웨이퍼의 현상처리방법을 나타낸 플로우 챠트,
제 9 도는 현상액의 탈기처리방법을 나타낸 플로우 챠트,
제 10 도는 현상액의 탈기처리시간과 결함수와의 상관을 나타낸 특성선도,
제 11 도는 탈기장치 내의 감압도와 결함수와의 상관을 나타낸 특성선도,
제 12 도는 현상액의 용해 질소농도와 결함수와의 상관을 나타낸 특성선도,
제 13 도는 현상액의 용해 질소농도와 질소가스압력과의 상관(이론치와 실측치)을 나타낸 특성선도,
제 14 도는 다른 실시형태의 처리액 탈기장치를 나타낸 블럭도,
제 15 도는 다른 실시형태의 노즐의 개요를 나타낸 사시도,
제 16 도는 다른 실시형태의 노즐의 개요을 나타낸 사시도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 메인탱크 2 : 현상액
3 : 가스봄베 4,5 : 라인
6 : 중간탱크 7a,7b : 플로메타
8a,8b : 필터 9a,9b : 워터쟈켓
10a,10b : 현상액 탈기장치 12 : 노즐
13 : 현상처리부 14 : 스핀척
15 : 모터 16 : 컵
21 : 트랩탱크 22 : 이젝터
23a,23b : 센서 26 : 레귤레이터
25,27 : 솔레노이드 밸브 28 : 게이지
29 : 버큠스위치 33 : 현상액 수용실
34 : 덮개부재 37 : 현상액 공급관
40 : 제어기 41 : 표시부
42 : 경보장치 51,52,53,54 : 진공배기라인
59 : 에어펌프 61 : 밀폐용기(탈기챔버)
62 : 도입구 63 : 송출구
64 : 기액분리 엘레멘트
본 발명에 관한 레지스트 처리방법은, 처리액을 저류한 용기 내에 가압가스를 도입하고, 가압가스에 의해 용기로부터 공급라인을 경유하여 노즐로 처리액을 압송하며, 노즐로부터 기판상으로 처리액을 공급하는 레지스트 처리방법에 있어서, (a) 기액분리막 및 진공배기라인을 구비한 탈기기구를 상기 공급라인에 설치하는 공정과, (b) 용기 내에 가압가스를 도입하고, 가압가스에 의해 용기로부터 공급라인을 경유하여 상기 기액분리막의 한쪽으로 처리액을 유통시키는 공정과, (c) 상기진공배기라인을 통하여 기액분리막의 다른쪽 분위기를 배기하여 기액분리막의 다른쪽 압력을 처리액의 포화증기압 이하의 압력으로 하며, 처리액 중에 존재하는 기체성분을 기액분리막의 한쪽에서 다른쪽으로 이동시켜, 이것에 의해 기판공급 전의 처리액으로부터 기체성분을 제거하는 탈기공정과, (d) 상기 탈기기구로부터 노즐까지 사이의 공급라인에 존재하는 처리액을 배출하고, 상기 탈기공정 (c)에서 탈기처리된 처리액을 상기 탈기기구로부터 노즐까지 사이의 공급라인으로 도입하는 처리액 치환공정과, (e) 탈기처리된 처리액을 노즐로부터 기판으로 향하여 토출 공급하는 공정과, (f) 노즐과 기판을 상대적으로 회전시켜, 노즐과 기판 사이에 탈기처리된 처리액의 액막을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 관한 레지스트 처리방법은, 처리액을 저류한 용기 내에 가압가스를 도입하고, 가압가스에 의해 용기로부터 공급라인을 경유하여 노즐로 처리액을 압송하며, 노즐로부터 기판 상으로 처리액을 공급하는 레지스트 처리 방법에 있어서, (A) 기액분리막 및 진공 배기라인을 구비한 탈기기구를 상기 공급라인에 설치하는 공정과, (B) 용기 내에 가압가스를 도입하고, 가압가스에 의해 용기로부터 공급라인을 경유하여 상기 기액분리막의 한쪽으로 처리액을 유통시키는 공정과, (C) 상기 진공 배기라인을 통하여 기액분리막의 다른쪽 분위기를 배기하여 기액분리막의 다른쪽 압력을 처리액의 포화증기압 이하의 압력으로 하고, 처리액 중에 녹아 존재하는 기체성분을 기액분리막의 한쪽에서 다른쪽으로 이동시켜, 이것에 의해 기판 공급전의 처리액으로부터 기체성분을 제거하는 탈기공정과, (D) 상기 탈기기구로부터 노즐까지 사이의 공급라인에 존재하는 처리액을 배출하고, 상기 탈기공정(C)에서 탈기 처리된 처리액을 상기 탈기기구로부터 노즐까지 사이의 공급라인으로 도입하는 처리액 치환공정과, (E) 기판을 스핀 회전시키는 공정과, (F) 탈기 처리된 처리액을 노즐로부터 기판으로 향하여 토출 공급하여, 노즐과 기판 사이에 탈기 처리된 처리액의 액막을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명자들은, 현상결함의 요인에 대하여 예의 연구한 결과, 탈기처리 분위기의 진공도가 현상 결함의 발생 수에 커다란 영향을 미친다는 사실을 알았다. 더욱 예의 연구를 진행한 결과, 현상결함의 발생수가 감소하도록 하는 탈기 압력조건을 발견해 내기에 이르렀다.
본 발명의 방법에서는, 현상액을 탈기기구 내에 체류시키지 않고 유통시킴으로써, 현상액 중의 기체성분이 제거된다. 한편 탈기 처리시간이 상당히 길어지면, 기체성분 뿐만 아니라 유효한 액체성분도 소실되어 버려, 현상액의 농도가 변화한다. 그 결과 제 10 도에 나타낸 바와 같이 탈기 처리시간이 길어짐에 따라 현상결함이 생기게 된다. 예를 들어 수분의 증발이 생겨 현상액의 농도가 높아지면, 회로패턴의 배선 선폭이 좁아지게 되므로, 이것이 결함으로 된다. 이 때문에 현상액의 탈기 처리시간은 24시간 보다 짧게 하는 것이 바람직하다. 그러나 탈기 처리가 불충분하게 될 염려가 있으므로, 현상액의 탈기 처리시간은 10시간 보다 길게 할 필요가 있다.
예를 들어, 전형적인 현상액을 탈기처리하는 경우는, 기액분리막의 다른쪽 압력(탈기챔버의 내압)을 25∼410Torr(-350mmHg∼-735mmHg)의 범위로 하는 것이 바람직하며, 또한 110∼260Torr(-500mmHg∼-650mmHg)의 범위로 하는 것이 보다 바람직하다. 대표적인 현상액으로서는 2.38±0.01％ 테트라 메틸 암모늄 하이드로옥시드(이하, TMAH라 함) 용액 등을 예시할 수 있다.
제 11 도에 나타낸 바와 같이, 탈기챔버의 내압(기액분리막의 다른쪽 압력)이 410Torr(-350mmHg) 보다 높은 경우는 현상결함이 생긴다. 한편 탈기챔버의 내압을 410Torr 보다 낮게 하면 현상결함이 생기지 않게 된다. 그러나 탈기챔버의 내압을 25Torr(-735mmHg)를 초과하여 지나치도록 낮게 하면, 현상액 중의 기체성분 뿐만 아니라 액체성분도 기액분리막을 투과하게 되어, 현상액의 농도가 변화한다. 이 때문에 탈기챔버의 내압의 설정 상한치를 25Torr로 한다. 또한 각종 알칼리성분을 확실하게 제거하기 위하여 탈기챔버의 내압을 110∼260Torr(-500mmHg∼-650mmHg)의 범위로 하는 것이 보다 바람직하다.
그리고, 「처리액 중의 기체성분」으로는, 처리액 중에 녹아 존재한 기체와, 처리액이 기포로서 끌고 들어간 기체의 양쪽을 포함한다는 의미이다.
제 12 도에 나타낸 바와 같이, 현상액 중의 용존 질소농도가 25ppm을 상회하면, 현상결함이 빈발하게 된다. 제 13 도에서와 같이 실측치를 나타낸 특성선 Q는 이론치를 나타낸 특성선 P에 근사하고, 캐리어가스 압력(atm)과 현상액 중의 용존 질소농도(ppm)와는 정비례하는 관계에 있다.
또한, 캐리어가스(압송가스)의 압력은 0.5∼3kg/cm2의 범위인 것이 바람직하고, 또 0.5∼1.5kg/cm2의 범위인 것이 보다 바람직하다. 캐리어가스 압력이 3kg/cm2을 상회하면 현상액에 대한 가스의 용해량이 지나치게 커지게 되며, 또한 현상액공급라인에 부착된 부속기구가 고장나기가 쉬워지기 때문이다. 그리고 캐리어가스 압력을 1.5kg/cm2보다 작게 하면 용존 질소농도가 25ppm을 밑돌게 되기 때문이다. 한편 캐리어가스 압력이 0.5kg/cm2을 밑돌면 처리에 필요한 양의 현상액을 충분하게 공급할 수 없게 된다. 여기에서 처리에 필요한 양으로는, 예를 들어 제 5 도 및 제 6 도에 나타낸 방식의 노즐에서는 직경이 8인치인 웨이퍼용의 경우에 약 1.6 리터/분이다. 직경이 8인치인 웨이퍼 1매당 소비되는 현상액의 양은 40∼60cc정도이다.
본 발명에 관한 레지스트 처리장치는, 기판을 재치하는 재치대와, 이 재치대 상의 기판으로 향하여 처리액을 토출 공급하는 노즐과, 현상액을 저류하는 용기와, 이 용기 내로 가압가스를 도입하고, 가압가스에 의해 용기로부터 노즐로 향하여 처리액을 압송하는 압송수단과, 용기에서 노즐까지의 사이에 설치되어, 상기 압송수단에 의해 용기로부터 송출된 처리액을 노즐까지 도입하는 처리액 공급라인과, 이 처리액 공급라인에 설치되어, 처리액에서 기체성분을 분리 제거하는 탈기기구를 구비하며, 상기 탈기기구는 기밀한 챔버와, 이 챔버 내에 설치되고 그 한쪽이 상기 처리액 공급라인으로 연이어 통하며 그 한쪽으로 처리액이 유통되는 기액분리막과, 이 기액분리막의 다른쪽으로 연이어 통하는 진공배기라인과, 이 진공배기라인을 통하여 상기 기액분리막의 다른쪽을 배기하는 배기수단과, 상기 진공배기라인에 설치되어 기액분리막을 투과하여 진공 배기라인으로 누설하는 기체성분을 포착하는 트랩탱크를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 트랩탱크는 포착한 액체의 액 수위를 검출하는 액면검지센서와, 탱크내압을 검출하는 압력검지센서와, 포착한 액체를 외부로 배출하는 드레인라인을 구비하는 것이 바람직하다. 또한 탈기챔버의 내압을 검출하기 위한 압력검지센서와, 배기수단을 제어하는 제어기를 가지는 것이 바람직하다. 이 제어기는 2개의 압력센서로부터 얻어지는 검출정보와 액면검지센서로부터 얻어지는 검출정보에 의거하여 배기수단을 제어한다. 이것에 의해 탈기챔버의 내압이 처리액의 포화증기압 이하로 조정되어, 액체성분이 지나치게 수반되는 일 없이 처리액 중의 기체성분이 분리 제거된다.
또한, 제어기는 검출정보를 표시하는 표시부와, 검출정보 내에서 설정값을 제외한 이상값이 존재할 때에 경보를 발하는 경보부를 구비하는 것이 바람직하다. 작업자는 경보를 듣고 표시부를 보는 것에 의해 처리액의 농도변화가 발생하였다는 것을 검지하여, 이것에 대처할 수 있다. 이것에 의해 실질적으로 현상액의 농도변화가 발생하지 않으며, 각 기판 마다의 처리에 불균일이 생기는 일 없이 처리가 안정하게 된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 각종 바람직한 실시형태에 대하여 설명한다.
먼저, 본 발명의 제 1 실시형태에 대하여 제 1 도∼제 9 도를 참조하여 설명한다.
메인탱크(1)에는 현상액(2)이 저류되어 있다. 이 메인탱크(1)에는 질소가스를 저장한 가스봄베(3)가 라인(4)을 개재하여 접속되어 있다. 라인(4)에는 압력제어밸브(3a)가 설치되어 있다. 메인탱크(1) 내의 현상액(2) 중에는 라인(5)의 한끝단부가 침적되어 있다. 또한 메인탱크(1)의 크기는 내경이 20∼25cm이고, 높이가 50∼60cm정도이다.
라인(5)의 도중에는 중간탱크(6)가 설치되어 있다. 중간탱크(6)의 외측에는 예를 들어 정전용량센서로 이루어지는 리미트센서(6a) 및 엔프티센서(6b)가 각각 설치되어 있다. 각 센서(6a,6b)는 제어기(40)의 입력측에 접속되어 있다. 각 센서(6a,6b)로부터 검출신호가 제어기(40)에 입력되면, 제어기(40)는 그 검출정보에 의거하여 중간탱크(6) 내의 현상액(2)의 액 수위가 적정한 위치에 있도록 압력제어밸브(3a)의 동작을 제어한다.
캐리어가스(가압 질소가스)를 라인(4)을 통하여 가스봄베(3)로부터 메인탱크(1)로 공급하면, 현상액(2)은 라인(5,5a,5b)을 통하여 노즐(12)로 압송된다. 여기에서 캐리어가스의 압력은 0.5∼3kg/cm2의 범위로 하는 것이 바람직하다.
중간탱크(6)의 하류측 라인(5)은 2개의 라인(5a,5b)으로 분기되어 있다. 이들 분기라인(5a,5b)은 노즐(12)에서 합류하고 있다. 제 1 분기라인(5a)에는 상류측으로부터 차례로 플로메타(7a), 필터(8a), 워터쟈켓(9a), 현상액 탈기장치(10a), 에어 오퍼레이션 밸브(11a)가 설치되어 있다. 제 2 분기라인(5b)에는 상류측으로부터 차례로 플로메타(7b), 필터(8b), 워터쟈켓(9b), 현상액 탈기장치(10b), 에어 오퍼레이션 밸브(11b)가 설치되어 있다.
필터(8a,8b)는 될 수 있으면 각 라인(5a,5b)의 상류측에 설치하는 것이 바람직하다. 필터(8a,8b)가 노즐(12)에 가까운 장소에 있으면 맥동(脈動)이 생겨노즐(12)에서 현상액의 액흘림이 발생하기 때문이다. 또한 워터쟈켓(9a,9b)의 위치와 현상액 탈기장치(10a,10b)의 위치는 역으로 되어 있어도 좋다. 현상액 탈기장치(10a,10b)는 제어기(40)에 접속되어 있다. 이 제어기(40)는 현상액 중의 기체성분을 충분히 제거함과 동시에, 현상액(2)의 농도가 크게 변화하지 않도록 현상액 탈기장치(10a,10b)의 동작을 제어하도록 되어 있다.
현상처리부(13)는 스핀척(14)과, 모터(15)와, 컵(16)을 구비하고 있다. 스핀척(14)은 모터(15)에 의해 가변 회전되고, 웨이퍼(W)를 흡착 유지하기 위한 진공흡착기구(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 컵(16)은 스핀척(14)을 에워 싸도록 설치되어, 사용이 끝난 현상액 등의 폐액을 배출시키기 위한 드레인통로(13a)를 구비하고 있다.
현상액(2)은 각 분기라인(5a,5b)을 통해 흐를 때에 플로메타(7a,7b)에 의해 유량이 제어되고, 또 필터(8a,8b)에 의해 불순물이나 이물질이 제거된다. 또한 워터쟈켓(9a,9b)에는 온도가 조절된 물이 순환 공급되고, 이것에 의해 분기라인(5a,5b)을 통해 흐르는 현상액(2)의 온도가 각각 제어되도록 되어 있다. 온도 제어후에 현상액(2)은 더욱 현상액 탈기장치(탈기기구)(10a,10b)에서 탈기 처리되도록 되어 있다. 이 탈기조건은 예를 들면 25∼410Torr(-350mmHg∼-735mmHg) 범위의 압력으로 한다. 그리고 바람직하게는 110∼260Torr(-500mmHg∼-650mmHg) 범위의 압력으로 한다. 이와 같이 하여 탈기처리된 현상액(2)은 노즐(12)을 통하여 척(14) 상의 웨이퍼(W)로 공급되어, 결함이 생기지 않고 도포 레지스트가 균일하게 현상된다.
다음에, 제 2 도∼제 4 도를 참조하면서 현상액 탈기장치(10a,10b)에 설치된 진공계 회로(감압회로)에 대하여 설명한다. 그리고 제 1 현상액 탈기장치(10a)와 제 2 현상액 탈기장치(10b)는 실질적으로 동일한 것이므로, 여기에서는 제 1 현상액 탈기장치(10a)에 대해서만 설명하고, 제 2 현상액 탈기장치(10b)의 설명은 생략한다.
제 2 도에 나타낸 바와 같이, 현상액 탈기장치(10a,10b)의 진공배기라인(51,52,53,54)은 트랩탱크(21) 및 이젝터(22)를 구비하고 있다. 트랩탱크(21)는 라인(51)을 통하여 현상액 탈기장치(10a,10b)의 밀페용기(61)로 연이어 통해 있다. 이 트랩랭크(21)는 탈기 처리시에 라인(51)을 통하여 현상액 탈기장치(10a)로부터 누설되고 있는 현상액(2)을 포착하기 위한 용기이다. 트랩탱크(21)의 바닥부에는 드레인라인(57)이 설치되어 있다.
또한, 트랩탱크(21)는 탱크(21) 내에 포착된 액의 액면(液面)을 검지하기 위한 액면검지센서(23a)와, 탱크(21)의 내압을 검출하기 위한 압력센서(23b)를 구비하고 있다. 이들 센서(23a,23b)는 제어기(40)의 입력측에 각각 접속되어 있다.
트랩탱크(21)는 이젝터(22)에 라인(52)을 개재하여 연이어 통하고 있다. 이 라인(52)에는 트랩탱크(21) 측에서 차례로 스톱밸브(24) 및 솔레노이드밸브(25)가 설치되어 있다. 이젝터(22)는 트랩탱크(21)의 회로에서 완전히 독립한 별도 계통의 라인(54)을 구비하고 있다. 이 별개의 라인(54)은 에어펌프(59)에 연이어 통하고 있다. 별개 라인(54)에는 공급에어의 유속을 조절하기 위한 레귤레이터(26) 및 솔레노이드밸브(27)가 설치되어 있다. 이 별개의 라인(54)에 펌프(59)로부터 에어를유통시키면, 그 유통에어의 흐름에 의해 밀폐용기(61) 및 트랩탱크(21)의 내부가 각각 감압상태로 되도록 되어 있다.
또한, 레귤레이터(26) 및 솔레노이드 밸브(27)와의 사이에는 게이지(28)가 부착되어 있다. 이 게이지(28)는 제어기(40)의 입력측에 접속되어 있다.
제 3 도에 나타낸 바와 같이, 현상액 탈기장치(10a)는 밀폐용기(탈기챔버)(61)와, 도입구(62)와, 송출구(63)와, 기액분리 엘레멘트(64)를 구비하고 있다. 이와 같은 현상액 탈기장치(10a,10b)는 미국 특허출원번호 08/579,845에 개시된 장치와 실질적으로 마찬가지이다. 탈기챔버(61)의 상부에는 진공배기라인(51)이 연이어 통하여, 챔버(61) 내부가 배기되도록 되어 있다. 도입구(62) 및 송출구(63)는 현상액 공급라인[5a,(5b)]에 각각 연이어 통하고 있다.
각 현상액 탈기장치(10a,10b)의 챔버(61)에는 버큠스위치(29)가 각각 부착되어 있다. 각 버큠스위치(29)에는 게이지(29a)가 각각 부착되어 있다. 각 게이지(29a)는 제어기(40)의 입력측에 각각 접속되어 있다.
제어기(40)의 출력측은 표시부(41) 및 경보장치(42)에 각각 접속되어 있다. 각 센서(6a,6b,23a,23b,28,29a)로부터 얻어지는 검출정보가 이상치를 나타내었을 때, 제어기(40)는 표시부(41)에 이상상태를 표시하고, 경보장치(42)에 경보를 발함과 동시에, 레귤레이터(26) 및 솔레노이드 밸브(25,27)의 동작을 각각 제어하도록 되어 있다.
기액분리 엘레멘트(64)는 도입구(62)와 송출구(63)와의 사이에 설치되고, 라인[5a(5b)]을 통하여 도입구(62)로부터 기액분리 엘레멘트(64) 내로 현상액(2)이도입되도록 되어 있다. 현상액(2)은 기액분리 엘레멘트(64) 내를 통해 흐른 후에, 송출구(63)로부터 라인[5a(5b)]을 통하여 노즐(12)로 공급되도록 되어 있다.
이와 같은 기액분리 엘레멘트(64)는 다공막, 비다공막, 복합막 중에서 어느 하나로 만들어진 복수의 가는 관의 다발로써 이루어진 것이다. 「다공막」으로는 폴리테트라 플루오르에틸렌(PTFE)이나 폴리올레핀계 수지로 이루어진 다공질의 박막을 이용한다.「비다공막」으로는 테트라 플루오르에틸렌· 헥사 플루오르프로필렌 공중합체(FEP), 테트라 플루오르에틸렌· 퍼 플루오르 알킬비닐에테르 공중합체(PFA), PTFE 등의 구멍을 가지지 않는 비다공질의 박막을 이용한다.「복합막」은 다공막에 비다공막을 조합하여 복합화 한 막이다.
제 4 도에 나타낸 바와 같이, 기액분리 엘레멘트의 막(64a)은 현상액(2) 중의 기체성분(2a) 만을 투과시키는 기능을 가지고 있다. 막(64a)을 투과할 수 있는 기체성분(2a)은 질소가스분자, 산소가스분자, 수소가스분자, 이산화탄소 가스분자, 아르곤가스분자 등이다.
다음에, 제 5 도 및 제 6 도를 참조하면서 노즐(12)에 대하여 설명한다.
노즐(12)은 측벽(31) 및 바닥벽(32)에 의해 규정되는 현상액 수용실(33)을 가지고 있다. 수용실(33)의 상부 개구는 덮개부재(34)에 의해 밀폐되어 있고, 덮개부재(34)와 측벽(31)과의 사이는 패킹(35)으로 시일되어 있다. 덮개부재(34)에는 2개소에 현상액 공급관(37)이 설치되어 있으며, 라인(5a) 및 (5b)를 통하여 이송되어 온 현상액(2)이 2개의 공급관(37)을 통하여 현상액 수용실(33)로 공급되어 그 속에 수용된다. 바닥벽(32)에는 그 길이방향을 따라 복수의 액 토출구멍(38)이 형성되어 있으며, 이 액 토출구멍(38)으로부터 현상액(2)이 웨이퍼(W) 상으로 공급된다. 그리고 이 노즐(12)의 수평방향의 길이는 웨이퍼(W)의 직경과 거의 일치하고 있다.
다음에, 제 8 도를 참조하면서 웨이퍼(W)를 현상처리하는 경우에 대하여 설명한다.
실제로, 이 노즐(12)로부터 현상액(2)을 웨이퍼(W)로 공급할 때에는, 우선 압송가스인 N2가스를 라인(4)을 통하여 탱크(1)로 도입하고, 탱크(1) 내에 수용된 현상액(2)을 공급라인으로 유통시킨다. 또한 이 때 에어 오퍼레이션 밸브(11a,11b)가 닫혀진다.
이어서, 현상액 탈기장치(10a,10b)에 현상액(2)을 유통시켜, 110∼260 Torr(-500mmHg∼-650mmHg) 범위의 압력으로 약 240초간 현상액(2)을 탈기처리한다.(공정 S1) 이 탈기처리공정 S1의 상세한 설명은 제 9 도에 나타낸 플로우 챠트를 이용하여 후술한다.
웨이퍼(W)에 레지스트 도포장치(도시하지 않음) 내에서 레지스트를 도포하고, 이 도포 레지스트를 노광장치(도시하지 않음) 내에서 노광처리한다. 이 웨이퍼(W)를 현상유니트 내로 반입하여, 스핀척(14) 상에 재치한다(공정 S2).
다음에, 에어 오퍼레이션 밸브(11a,11b)를 열어, 현상액 탈기장치(10a,10b)와 노즐(12) 사이의 라인(5a,5b)에 존재하는 현상액을 모두 배출시키고, 이들의 공급라인(5a,5b)으로 현상액 탈기장치(10a,10b)로부터 탈기처리가 완료된 현상액을 공급한다. 이것에 의해 노즐(12)에서 웨이퍼(W)로 토출되어야 할 현상액을 탈기처리가 완료된 현상액으로 치환한다(공정 S3). 예를 들어 현상액 탈기장치(10a,10b)와 에어 오퍼레이션 밸브(11a,11b) 사이의 라인(5a,5b)에 1cc, 에어 오퍼레인션 밸브(11a,11b) 내에 1cc, 에어 오퍼레이션 밸브(11a,11b)와 노즐(12) 사이의 라인(5a,5b)에 18cc 및 노즐(12) 내에 80cc가 존재하는 경우는, 그 합계량 100cc[2개의 라인(5a,5b)의 합계]를 더미 디스펜스하여, 이것과 탈기처리된 현상액을 라인(5a,5b) 및 노즐(12)로 공급한다. 그 후 에어 오퍼레이션 밸브(11a,11b)가 닫혀진다.
이어서, 제 7 도에 나타낸 바와 같이, 노즐(12)을 웨이퍼(W)의 중앙 위쪽에 위치시키고, 제 6 도에 나타낸 위치관계로 되도록, 웨이퍼(W)에 대하여 노즐(12)을 상대적으로 상하 작동시킨다. 다음에 에어 오퍼레이션 밸브(11a,11b)를 열어서 노즐(12)의 액 토출구멍(38)으로부터 웨이퍼(W)의 중앙으로 탈기처리된 현상액을 토출시킨다. 이것에 의해 웨이퍼(W)의 표면과 노즐(12)과의 사이에 탈기처리된 현상액의 액막이 형성된 상태로 된다. 또 현상액의 토출량은 탈기처리된 현상액의 양보다도 적게 설정하는 것이 바람직하다. 또한 반대로 탈기처리하는 현상액의 양은 1회의 토출량(웨이퍼 1매당의 토출량) 보다 많게 설정하는 것이 바람직하다.
그리고, 이 상태에서 모터(15)에 의해 웨이퍼(W)를 반회전시킨다(공정 S4). 이것에 의해 현상액이 웨이퍼(W)의 회전으로 밀려 넓혀짐으로써, 웨이퍼(W)의 표면상에 탈기처리된 현상액의 액막이 형성되고, 웨이퍼(W) 상에 미리 형성된 레지스트 막 상에 균일하게 탈기처리된 현상액이 미치게 된다. 그 후 에어 오퍼레이션 밸브(11a,11b)가 닫혀진다. 이것에 의해 탈기처리된 현상액이 도포 레지스트와 충분하게 접촉하여, 도포 레지스트는 현상된다(공정 S5). 이러한 현상공정 S5에서는 현상액의 농도가 크게 변화하지 않도록 탈기조건을 선택하고 있으므로, 현상액의 농도가 실질적으로 변화하지 않고, 현상결함이 생기지 않는다.
그리고, 현상공정 S5에서는 공급라인(5,5a,5b)의 크리닝을 위하여, 처리개시 전과 소정시간(30분간) 마다 더미 디스펜스를 행하는 것이 바람직하다. 더미 디스펜스의 양은 크리닝효과를 고려하면 적어도 1회의 토출량 이상, 100∼200 cc로 하는 것이 바람직하다. 예를 들어 상기의 예에 의하면 더미 디스펜스의 양은 적어도 통상의 토출량(50cc)과 탈기처리하는 양(100cc)의 합계량(150cc)으로 설정한다.
현상 완료 후에, 웨이퍼(W)를 고속회전시키면서 순수한 물을 뿌려 웨이퍼(W)를 린스한다(공정 S6). 린스 완료 후에 웨이퍼(W)를 현상유니트에서 반출한다(공정 S7).
다음에, 제 9 도를 참조하면서 현상액(2)의 탈기처리 조작에 대하여 설명한다.
(1) 통상의 상태에서, 제어기(40)는 솔레노이드밸브(25)를 열어 둔다. 이 상태에서 제어기(40)는 솔레노이드밸브(27)를 열어, 에어를 라인(54)으로 공급하고, 이젝터(22)를 구동시킨다. 이것에 의해 탈기챔버(61) 내의 감압조작이 개시된다(공정 S11). 이젝터(22)의 구동에 의해 라인(51,52,53)을 통하여 탈기챔버(61) 내부가 배기되어, 그 내압이 저하한다. 탈기챔버(61)의 내압 및 트랩탱크(21)의 내압을 각각 검출한다(공정 S12). 제어기(40)는 각 센서(23b,28,29a)로부터 압력검출정보를 받게 되면 이들에 의거하여 오퍼레이션 밸브(11a,11b), 솔레노이드밸브(25,27), 레귤레이터(26), 버큠스위치(29)를 각각 제어하여, 탈기챔버(61) 및 트랩탱크(21)의 내압을 110∼260Torr의 범위로 콘트롤한다. 이 감압조작은 버큠스위치(29)의 내압게이지(29a)의 표시가 상한치인 마이너스 650mmHg(110Torr)에 도달할 때까지 이어진다(공정 S13).
(2) 압력게이지(29a)의 표시가 상한치에 도달하면, 제어기(40)는 솔레노이드 밸브(27)를 닫고, 이젝터(22)로의 에어공급을 정지한다. 이것에 의해 탈기챔버(61) 내의 감압조작은 정지한다(공정 S14).
(3) 현상액의 탈기가 챔버(61) 내에서 진행됨에 따라서, 버큠스위치(29)의 게이지(29a)의 표시값이 서서히 상승한다. 탈기챔버(61)의 내압 및 트랩탱크(21)의 내압을 각각 검출한다(공정 S15). 감압정지는 버큠스위치(29)의 압력게이지(29a)의 표시가 하한치인 마이너스 500mmHg(260Torr)에 도달할 때까지 계속된다(공정 S16).
압력게이지(29a)의 표시가 하한치에 도달하였을 때, 제어기(40)는 솔레노이드 밸브(27)를 열고, 다시 이젝터(22)를 구동시켜, 버큠스위치(29)의 게이지(29a)가 상한치인 마이너스 650mmHg(110Torr)에 도달할 때까지 계속된다(공정 S11).
(4) 그 후는 상기 (2) 및 (3)의 조작을 되풀이 한다.
이와 같이 현상액의 탈기처리를 반복하면, 약간 양의 액체성분이 기액분리 엘레멘트의 막(64a)을 투과하여, 진공배기라인(51)으로 누설된다. 그리나 누설된 액체성분은 트랩탱크(21)에 의해 포착되므로, 이에 따라 하류측의 라인(52,53,54)은 누설 액체성분에 의해 오염되지 않는다. 트랩탱크(21) 내에는 누설 액체성분이 축적되어, 그 수위가 서서히 상승한다. 제어기(40)는 액면검지센서(23)를 이용하여트랩탱크(21) 내의 수위를 감시하고 있다. 트랩탱크(21) 내의 수위가 설정레벨에 도달하였을 때에 제어기(40)는 솔레노이드 밸브(25)를 막고, 라인(51)∼(53)을 통하여 챔버(61) 내의 배기를 정지한다. 이어서 제어기(40)는 밸브(57a)를 열어 트랩탱크(21) 내의 액체를 드레인라인(57)을 통하여 배출하고, 또 각 솔레노이드 밸브(25,27)를 열어 이젝터(22)를 구동시킨다. 이것에 의해 현상액의 탈기처리가 재개된다.
상기의 진공배기라인(51)은 트랩탱크(21)의 드레인라인(57)에 연이어 통하고, 드레인라인(57)을 통하여 누설 액체성분을 트랩탱크(21)로부터 배출시킬 수 있도록 하고 있다. 이 때문에 현상액의 유효성분인 THEM(테트라메틸 암모늄 하이드로 옥이드)이 진공배기라인(51)으로 누설되었더라도, 진공배기수단(22,26,27,28,59)에 그 영향이 미치지 않으며, 배기능력의 저하는 생기지 않는다.
다음에, 제 14 도를 참조하면서 다른 실시형태의 탈기장치에 대하여 설명한다. 그리고 이 실시형태가 상기 실시형태와 같은 부분에 대한 설명은 생략한다.
이 탈기장치에서는 하류측의 진공배기라인(53)을 진공펌프(30)의 흡인측에 직접 연이어 통하도록 하고 있다. 이러한 탈기장치에 있어서는 진공배기라인(51)∼(53)을 통하여 탈기챔버(61) 내부를 진공펌프(30)에 의해 직접 배기하므로, 배기능력이 높아진다. 또한 트랩탱크(21)를 설치하고 있으므로, 진공펌프(30)가 누설 액체성분을 흡입하여, 배기능력이 저하시키는 일은 없다.
이 탈기기구를 이용하여 현상액을 탈기처리하는 경우에는 하기의 조작을 행한다.
(1) 통상의 상태에서, 제어기(40)는 솔레노이드 밸브(25)를 열어 둔다. 이 상태에서 제어기(40)는 진공펌프(30)를 구동시킨다. 이것에 의해 탈기챔버(61) 내의 감압조작이 개시된다(공정 S11). 진공펌프(30)의 구동에 의해 라인(51,52,53)을 통하여 탈기챔버(61) 내부가 배기되어, 그 내압이 저하한다. 탈기챔버(61)의 내압 및 트랩탱크(21)의 내압을 각각 검출한다(공정 S12). 제어기(40)는 각 센서(23b,28,29a)로부터 압력검출정보를 받으면 이들에 의거하여 오퍼레이션 밸브(11a,11b), 솔레노이드 밸브(25), 버큠스위치(29)를 각각 제어하여, 탈기챔버(61) 및 트랩탱크(21)의 내압을 25∼410Torr의 범위로 콘트롤한다. 이 감압조작은 버큠스위치(29)의 압력게이지(29a)의 표시가 상한치인 마이너스 735mmHg(25Torr)에 도달할 때까지 계속된다(공정 S13).
(2) 압력게이지(29a)의 표시가 상한치에 도달하면, 제어기(40)는 진공펌프(30)의 구동을 정지시킨다. 이것에 의해 탈기챔버(61) 내의 감압조작은 정지한다(공정 S14).
(3) 현상액의 탈기가 챔버(61) 내에서 진행됨에 따라서, 버큠스위치(29)의 게이지(29a)의 표시값이 서서히 상승한다. 탈기챔버(61)의 내압 및 트랩탱크(21)의 내압을 각각 검출한다(공정 S15). 감압정지는 버큠스위치(29)의 내압게이지(29a)의 표시가 하한치인 마이너스 350mmHg(410Torr)에 도달할 때까지 계속된다(공정 S16).
압력게이지(29a)의 표시가 하한치에 도달하였을 때에, 제어기(40)는 다시 진공펌프(30)를 구동시키고, 버큠스위치(29)의 게이지(29a)가 상한치인 마이너스 735mmHg(25Torr)에 도달할 때까지 계속된다(공정 S11).
(4) 그 후는 상기 (2) 및 (3)의 조작을 되풀이 한다.
이 실시형태의 탈기기구는, 고진공을 실현할 수 있으므로, 효율좋게 탈기처리를 행할 수 있으며, 현상액에 포함된 기체성분을 충분히 제거할 수 있다.
실제로, 본 실시형태의 방법으로 탈기한 현상액과 종래의 방법으로 탈기한 현상액을 각각 이용하여, 직경이 8인치인 웨이퍼(W)에 도포한 고해상도 레지스트를 현상하여 양자를 비교하였다. 양자의 현상결함을 조사한 결과, 전자는 후자에 비하여 7할 이상의 개선을 보이고 있다.
또한, 현상액 토출용 노즐은 제 15 도에 나타낸 바와 같은 스트륨 타입의 노즐(81)을 사용하여도 좋으며, 제 16 도에서와 같이 노즐본체에 복수의 노즐(83)을 부착한 멀티 타입의 노즐(82)을 사용하여도 좋다. 이들 노즐(81,82)은 모두 웨이퍼(W)를 회전시키면서 노즐(81,82)을 한쪽에서 다른쪽으로 스캔 이동시킨다.
실제로, 스트륨 타입의 노즐(81)이나 멀티 타입의 노즐(82)을 사용하여 현상액(2)을 웨이퍼(W)로 공급할 때에는, N2가스를 라인(4)을 통하여 탱크(1) 내로 도입하고, 현상액(2)을 탱크(1)로부터 공급라인(5)으로 송출하여, 각 에어 오퍼레이밸브(11a,11b)를 닫는다.
이어서, 현상액 탈기장치(10a,10b)에 있어서, 현상액의 포화증기압 이하의 압력, 예를 들면 25∼410Torr(-350mmHg∼-735mmHg)의 압력으로 240초간 현상액(2)을 탈기처리한다.
그리고, 공급라인(5a,5b)에 존재하는 현상액을 배출시키고, 이것 대신에 탈기처리된 현상액을 공급한다, 이 현상액의 치환은 에어 오퍼레이션 밸브(11a,11b)를 열고, 현상액 탈기장치(10a,10b)와 노즐(81,82) 사이의 공급라인(5a,5b)에 존재하는 현상액의 전체 양을 더미 디스펜스하는 것에 의해 행한다. 그 후에 에어 오퍼레이션 밸브(11a,11b)를 닫는다.
다음에, 노즐(81,82)을 웨이퍼(W)에서 벗어난 곳에 위치시킨다. 그리고 에어 오퍼레이션 밸브(11a,11b)를 열어서 노즐(81,82)의 액 토출구멍으로부터 웨이퍼(W)의 중앙으로 현상액을 토출시킨다. 현상액을 토출시킨 상태에서 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 노즐(81,82)을 웨이퍼(W)에 대하여 상대적으로 왕복 이동시킨다. 또한 현상액의 토출량은 탈기처리된 현상액의 양보다 적게 설정하는 것이 바람직하다. 또 반대로 탈기처리하는 현상액의 양은 1회의 토출량 보다 많게 설정하는 것이 바람직하다.
그 후에, 에어 오퍼레이션 밸브(11a,11b)를 닫는다. 이와 같이 하여 탈기처리된 현상액에 의해 도포 레지스트는 현상된다.
또한, 상기 실시예에서는 반도체 웨이퍼를 처리하는 경우에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 이것에만 한정되지 않고 LCD기판에도 적용할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 레지스트 처리방법은, 기판의 표면상으로 처리액을 공급하는 레지스트 처리방법으로서, 처리액의 포화압력 이하의 탈기압력으로 처리액을 적어도 15초간 탈기처리하기 때문에, 처리액에 포함되는 기체성분을 충분히 제거하여 결함이 없는 처리를 행할 수 있다.

Claims (18)

  1. 현상액을 저류한 용기 내에 가압가스를 도입하고, 가압가스에 의해 용기로부터 공급라인을 경유하여 노즐로 현상액을 압송하며, 노즐로부터 기판상으로 현상액을 공급하는 레지스트 처리방법에 있어서,
    (a) 기액분리막 및 진공배기라인을 구비한 탈기기구를 상기 공급라인에 설치하는 공정과,
    (b) 용기 내에 가압가스를 도입하고, 가압가스에 의해 용기로부터 공급라인을 경유하여 상기 기액분리막의 한쪽으로 현상액을 유통시키는 공정과,
    (c) 상기 진공배기라인을 통하여 기액분리막의 다른쪽 분위기의 배기를 개시하고, 기액분리막의 다른쪽 압력을 검출하여, 이 검출압력이 설정 진공도의 상한치에 도달한 곳에서 기액분리막의 다른쪽 분위기의 배기를 정지하며, 다시 기액분리막의 다른쪽 압력을 검출하여, 이 검출압력이 설정 진공도의 하한치에 도달한 곳에서 기액분리막의 다른쪽 분위기의 배기를 재차 개시하는 것에 의해 상기 기액분리막의 다른쪽 압력을 현상액의 포화증기압 이하의 압력으로 하며, 현상액 중에 녹아 존재하는 기체성분을 기액분리막의 한쪽에서 다른쪽으로 이동시켜, 이것에 의해 기판공급 전의 현상액으로부터 기체성분을 제거하는 탈기공정과,
    (d) 상기 탈기기구로부터 노즐까지 사이의 공급라인에 존재하는 현상액을 배출하고, 상기 탈기공정 (c)에서 탈기처리된 현상액을 상기 탈기기구로부터 노즐까지 사이의 공급라인으로 도입하는 현상액 치환공정과,
    (e) 탈기처리된 현상액을 노즐로부터 기판으로 향하여 토출 공급하는 공정과,
    (f) 노즐과 기판을 상대적으로 회전시켜, 노즐과 기판 사이에 탈기처리된 현상액의 액막을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 레지스트 처리방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 설정 진공도의 상한치를 25Torr로 하고, 설정 진공도의 하한치를 410Torr로 하는 레지스트 처리방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 설정 진공도의 상한치를 110Torr로 하고, 설정 진공도의 하한치를 260Torr로 하는 레지스트 처리방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 압송공정에서는, 가압가스의 압력을 0.5~3kg/cm2의 범위로 하는 레지스트 처리방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 현상액 토출공정에서는, 노즐로부터 토출하는 현상액의 양을, 탈기기구로서 탈기처리된 현상액의 양보다 적게 하는 레지스트 처리방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 현상액토출공정에서는, 탈기기구로서 탈기처리하는현상액의 양을, 1매의 기판을 처리하는 데 필요한 양보다 많게 하는 레지스트 처리방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 가압가스는 질소가스이며, 상기 탈기공정에서는 현상액 중의 용존 질소량을 25ppm이하로 하는 레지스트 처리방법.
  8. 처리액을 수용하는 처리액 수용부재와, 처리액을 피처리체상에 공급하는 노즐과, 상기 처리액 수용부재와 상기 노즐과의 사이의 처리액 공급경로에 설치되며 처리액에 탈기처리를 실행하는 탈기수단과, 상기 탈기수단을 감압하기 위하여 상기 탈기수단에 연이어 통하는 감압라인을 가지는 감압수단과, 상기 감압라인에 설치되며 상기 탈기수단보다도 하류측에서 또한 상기 감압수단보다도 상류측에 배치되며 상기 처리액공급경로의 처리액을 탈기처리하는 때에 상기 처리액 공급경로로부터 상기 감압라인 쪽으로 누설하는 처리액을 포착하는 트랩탱크를 구비하는 레지스트처리장치를 사용하는 레지스트처리방법으로서,
    상기 탈기수단을 감압하고, 이 감압 시에 누설하는 처리액을 상기 트랩탱크로써 포착하고 처리액 중에 용존하는 기체를 처리액으로부터 제거하는 탈기공정과,
    상기 탈기처리 후, 소정의 처리액을 피처리기판에 공급하기 전에, 상기 탈기처리공정에서 탈기처리된 처리액을 상기 복수의 배관으로부터 소정의 양만을 상기 처리액공급경로에 공급하고, 상기 처리액공급경로 내에 존재하는 처리액을 상기 노즐로부터 토출시키는 것에 의해 상기 처리액공급경로 내를 탈기처리된 처리액으로치환하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 레지스트 처리 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 노즐로부터 피처리기판에 상기 탈기처리를 실행한 처리액을 토출할 때에, 상기 소정의 양보다 적은 공급량으로 상기 노즐로부터 피처리기판에 처리액을 공급하는 것을 특징으로 하는 레지스트처리방법.
  10. 제 8 항에 있어서, 피처리기판에 처리액을 공급하지 않을 때에, 상기 소정의 양과 공급량을 합한 양을 상기 노즐로부터 토출하는 것을 특징으로 하는 레지스트 처리방법.
  11. 현상액을 저류한 용기 내에 가압가스를 도입하고, 가압가스에 의해 용기로부터 공급라인을 경유하여 노즐로 현상액을 압송하며, 노즐로부터 기판상으로 현상액을 공급하는 레지스트 처리방법에 있어서,
    상기 노즐에 현상액을 공급하는 복수의 현상액공급경로와,
    이들 복수의 현상액공급경로의 각각에 연이어 통하는 밀폐용기를 가지며, 현상액 중에 용존하는 기체성분을 제거하는 복수의 탈기장치와,
    이들 탈기장치의 밀폐용기를 각각 감압하기 위하여, 밀폐용기에 각각 연이어 통하는 복수의 진공배기라인을 가지는 감압수단과,
    이 감압수단과 상기 탈기장치의 사이에 설치되며, 현상액을 탈기할 때에 상기 현상액공급경로로부터 상기 진공배기라인쪽으로 누설하는 액성분을 포착하는 트랩탱크와,
    상기 감압수단에 의해 진공배기된 상기 밀폐용기의 내압을 검출하는 버큠스위치와,
    상기 트랩탱크의 내압을 검출하는 압력센서와,
    상기 버큠스위치로부터의 검출압력과 상기 트랩탱크로부터의 검출압력에 기초하여 상기 밀폐용기의 내압을 현상액의 포화증기압 이하이고, 25 ~ 410Torr의 범위에 들어가도록 상기 감압수단의 동작을 제어하는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 레지스트 처리장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 감압수단은, 상기 진공배기라인과는 별도의 라인에 유체를 유통시키고, 그 별도의 라인의 흐름을 이용하여 상기 진공배기라인을 감압시키는 이젝터와, 이 이젝터에 통하여 흐르는 유체의 압력을 검출하는 게이지를 더욱 구비하며,
    상기 제어수단은, 상기 버큠스위치로부터의 검출압력 및 상기 트랩탱크로부터의 검출압력 외에, 상기 게이지로부터의 검출압력도 합쳐서, 이들 3개의 검출압력정보에 기초하여 상기 밀폐용기의 내압이 소정의 범위에 들어가도록 상기 감압수단의 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는 레지스트 처리방법.
  13. 피처리체에 레지스트처리를 실행하는 장치로서,
    처리액을 수용하는 처리액 수용부재와,
    처리액을 피처리체상에 공급하는 노즐과,
    상기 처리액 수용부재와 상기 노즐과의 사이의 처리액 공급경로에 설치되며 처리액에 탈기처리를 실행하는 탈기수단과,
    상기 탈기수단을 감압하기 위하여 상기 탈기수단에 연이어 통하는 감압라인을 가지는 감압수단과,
    상기 감압라인에 설치되며, 상기 탈기수단보다도 하류측에서 또한 상기 감압수단보다도 상류측에 배치되며, 상기 처리액공급경로의 처리액을 탈기처리하는 때에, 상기 처리액 공급경로로부터 상기 감압라인쪽으로 누설하는 처리액을 포착하는 트랩탱크를 구비하는 것을 특징으로 하는 레지스트처리장치.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 감압수단은, 상기 감압라인과는 다른 별도의 라인에 유체를 통하여 흐르게 하며, 이 별도의 라이의 흐름을 이용하여 상기 감압라인을 감압시키는 이젝터인 것을 특징으로 하는 레지스트처리장치.
  15. 제 13 항에 있어서, 상기 감압수단은, 흡인측이 상기 감압라인에 연이어 통하는 진공펌프인 것을 특징으로 하는 레지스트처리장치.
  16. 레지스트막이 형성된 피처리기판에 대하여 소정의 처리액을 노즐로부터 공급하여 처리하는 레지스트처리장치에 있어서,
    상기 노즐에 상기 소정의 처리액을 공급하는 복수의 처리액공급경로와, 이복수의 처리액공급경로에 각각 설치되며 상기 소정의 처리액중에 용존하는 기체를 탈기하는 탈기수단을 가지며,
    상기 탈기수장을 감압하기 위하여 상기 탈기수단에 연이어 통하는 감압라인을 가지는 감압수단과,
    상기 탈기수단과 상기 감압수단과의 사이에 설치되며, 처리액에 탈기처리를 실행할 때에, 상기 처리액공급경로로부터 상기 감압라인쪽으로 누설한 처리액을 포착하는 트랩탱크를 구비하는 것을 특징으로 하는 레지스트처리장치.
  17. 제 13 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 트랩탱크는, 탈기처리를 실행할 때에 포착한 처리액의 액면을 검지하는 센서를 구비하며, 이 센서에 의해 검지된 액면이 소정의 액 위치에 도달한 때에 상기 감압수단을 정지시키는 것을 특징으로 하는 레지스트처리장치.
  18. 제 13 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 탈기수단에 접속되고, 처리액중에 용존한 기체성분을 처리액으로부터 제거하며, 또한 처리액의 농도가 변화하지 않는 조건으로 상기 탈기수단을 제어하는 제어수단과,
    상기 탈기수단에 설치되며, 상기 탈기수단의 감압의 상한치 및 하한치를 검출하는 버큠스위치를 더욱 구비하며,
    상기 제어수단은 상기 버큠스위치가 상기 탈기수단의 감압의 상한치 및 하한치를 검출한 때에, 상기 감압수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 레지스트처리장치.
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