KR19990056777A - 웨이퍼의 포장방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000012856 packing Methods 0.000 title description 10
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 120
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical compound S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- TXKMVPPZCYKFAC-UHFFFAOYSA-N disulfur monoxide Inorganic materials O=S=S TXKMVPPZCYKFAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 65
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims description 25
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 24
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 24
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 24
- 229910052815 sulfur oxide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims description 9
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 8
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 claims description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 4
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 23
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 137
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 64
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 60
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 11
- 238000009461 vacuum packaging Methods 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000004846 x-ray emission Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67353—Closed carriers specially adapted for a single substrate
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67386—Closed carriers characterised by the construction of the closed carrier
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Packages (AREA)
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Abstract
본 발명은 웨이퍼를 외부환경으로부터 청결한 상태를 유지하도록 보관할 수 있도록 하는 웨이퍼 포장방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 웨이퍼의 포장방법은, 웨이퍼 표면에 황산화물의 농도가 3 * 1012atoms/cm2미만으로 존재하도록 하여 웨이퍼를 포장백에 투입하고, 밀봉하여 포장하는 것으로 구성됨을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 웨이퍼의 포장이 간단하며, 포장에 따른 저장안정성이 높은 새로운 웨이퍼의 포장방법을 제공하는 효과가 있다.
Description
본 발명은 웨이퍼의 포장방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼를 외부환경으로부터 청결한 상태를 유지하도록 보관할 수 있도록 하는 웨이퍼 포장방법에 관한 것이다.
반도체장치의 제조에 사용되는 웨이퍼는 주로 실리콘 단결정으로부터 만들어지며, 정밀한 반도체장치의 제조 및 반도체장치의 수율의 증대를 위하여는 오염이 없는 청결한 웨이퍼의 취급이 요구되며, 그에 따라 외부환경으로부터의 오염을 방지하기 위하여 적절한 포장이 필요하다. 또한, 반도체장치가 형성된 웨이퍼는 물론 가공 중의 웨이퍼 역시 필요에 따라 소정의 기간 동안 적절히 보관되어야 할 필요가 있으며, 이때에도 역시 장기간 방치에 따른 웨이퍼의 오염방지를 위한 적절한 포장이 요구됨은 당연하다 할 것이다.
웨이퍼를 포장하는 포장방법은 폴리에틸렌층, 접착제층 및 알루미늄막코팅폴리에틸렌층이 적층된 구조로 이루어진 포장백이 사용되어 왔으며, 웨이퍼 또는 반도체장치가 형성된 웨이퍼가 들어있는 포장백내로 대기 중의 파티클이 유입되는 것을 방지하기 위하여 질소가스로 플러싱(flushing)한 후 밀봉하여 포장하는 방법(이하 '질소플러싱포장'이라 한다), 진공을 4.5초 이상 적용시켜 감압한 후, 밀봉하여 포장하는 방법(이하 '진공감압포장'이라 한다) 또는 폴리에틸렌층, 접착제층 및 알루미늄막코팅폴리에틸렌층이 적층된 구조에 더해 폴리에틸렌층과 알루미늄막코팅폴리에틸렌층이 더 중첩되어 이루어진 강화포장백내에 웨이퍼를 투입하고, 진공을 약 3초간 적용시켜 감압한 후 포장하는 방법(이하 '강화포장백포장'이라 한다)을 통하여 웨이퍼 또는 반도체장치가 형성된 웨이퍼를 포장하였었다.
그러나, 이러한 종래의 방법들 중, 질소플러싱포장 또는 진공감압포장의 방법은 모두 웨이퍼가 포장되는 포장백내의 파티클들의 잔존을 방지하기 위하여 고안된 것이기는 하나, 이러한 종래의 방법으로 포장된 웨이퍼들에의 파티클들의 오염이 오히려 증가하고, 저장안정성이 악화되는 경향이 있음을 발견하고, 이를 해결하기 위하여 구체적인 오염원인을 분석하였다.
우선, 웨이퍼의 표면에 흡착되는 경우, 웨이퍼의 표면을 오염시키는 헤이즈(haze) 현상의 원인이 되는 것으로 알려진 황산화물(SOx)의 오염도를 살펴보면, 웨이퍼의 노출시간(1시간 내지 3일)에 대한 웨이퍼 표면에 오염된 황산화물을 측정한 결과, 도 1에 나타난 바와 같이, 노출시간이 증가함에 따라 황산화물의 오염이 1시간에서 2.3 * 1012atoms/cm2, 1일에서 3.3 * 1012atoms/cm2, 3일에서 4.5 내지 6.0 * 1012atoms/cm2,으로 증가하는 것으로 나타났으며, 따라서 포장전의 웨이퍼의 대기 중에의 노출시간이 웨이퍼의 오염을 좌우하는 중요한 인자의 하나로 고려될 수 있음을 확인할 수 있었다. 상기 및 이하의 설명에서 황산화물의 오염도의 측정은 일본국 소재 리카쿠(Rikaku)사의 티알엑스알에프(TRXRF ; Total reflective X-ray fluorescence spectroscopy)를 사용하였다.
또한, 황산화물을 포함하는 대기 중에 노출된 웨이퍼를 종래의 방법에 따라 포장하고, 일정시간 저장하고 난 후, 저장시간 23일 및 저장시간 45일에서의 포장방법에 따른 웨이퍼의 황산화물 오염도를 살펴본 결과를 도 2 내지 도 7에 나타내었다.
도 2 내지 도 4에는 웨이퍼의 노출시간에 대한 웨이퍼의 황산화물 오염도를 질소플러싱포장(도 2), 진공감압포장(도 3) 및 강화포장백포장(도 4) 후 23일에서의 결과를, 도 5 내지 도 7에는 웨이퍼의 노출시간에 대한 웨이퍼의 황산화물 오염도를 질소플러싱포장(도 5), 진공감압포장(도 6) 및 강화포장백포장(도 7) 후 45일에서의 결과를 각각 나타내었다.
이들 도면들에 나타난 결과를 분석하여 보면, 도 7의 결과를 제외하고는, 역시 도 1에서의 결과와 큰 차이가 없었다. 이는 일단 웨이퍼의 표면에 황산화물이 오염되면 포장방법이나 저장기간에 따라 초기 황산화물 오염도를 감소시키거나 증가시키는 인자가 없으며, 초기상태의 황산화물 오염도가 헤이즈의 뉴클레이션 소스(nucleation source)로만 작용하며, 초기 황산화물 오염도가 높고, 저장기간이 길어지면 뉴클레이션을 더욱 가속시키게 됨을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 다만, 도 7의 경우에서와 같이, 3일 노출 후 강화포장백포장 후, 45일 저장 후의 분석결과가 오염도가 이례적으로 적게 나타나고 있으나, 이는 실험상의 오차로 여겨진다.
또한, 파티클의 오염도를 웨이퍼의 노출시간에 대한 입경별(D-1 내지 D-3) 파티클의 개수의 증감을 측정한 결과들을 도 8 내지 도 13에 각각 나타내었다. 여기에서 입경을 표시하는 D-1은 0.12 내지 0.16μm, D-2는 0.16 내지 0.20μm, 그리고 D-3는 0.20 내지 0.30μm의 평균입경범위를 각각 나타낸다. 상기 및 이하에서의 파티클의 측정은 미합중국 소재 클라 앤드 텐코(KLA & TENCOR)사의 서프스캔-6200(surfscan-6200)을 사용하였다.
도 8 내지 도 10에는 웨이퍼의 노출시간에 대한 웨이퍼의 파티클오염도를 질소플러싱포장(도 8), 진공감압포장(도 9) 및 강화포장백포장(도 10) 후 23일에서의 오염도의 결과를, 도 11 내지 도 13에는 웨이퍼의 노출시간에 대한 웨이퍼의 파티클 오염도를 질소플러싱포장(도 11), 진공감압포장(도 12) 및 강화포장백포장(도 13) 후 45일에서의 오염도의 결과를 각각 나타내었다.
이들 도면들에 나타난 결과를 분석하여 보면, 도 8 및 도 11에 나타난 진공감압포장의 경우에서 23일 저장후의 결과에서는 3일 방치한 웨이퍼에서 급격한 파티클 증가가 나타났으며, 또한 45일 저장후의 결과에서는 1일 방치한 웨이퍼에서부터 급격한 파티클 증가가 나타나고 있어, 앞서 설명한 바와 같이 헤이즈 발생 메카니즘에 의해 황산화물 오염도와 저장기간 간에 의존성이 있음을 보여주고 있는 것으로 고려된다. 이는, 반대로, 웨이퍼의 대기 중에서의 1일 방치의 경우, 웨이퍼를 안정적으로 보관하기 위하여는 황산화물의 오염을 3 * 1012atoms/cm2의 수준 미만으로 관리되어야 함을 의미한다고 할 수 있다.
또한 도 9 및 도 12에 나타난 질소플러싱포장의 경우에서는 뚜렷한 경향없이 질소플러싱시의 파티클 오염도 및 황산화물 오염도 의존성이 복합되어 파티클오염 증감에 대하여 불규칙한 결과를 나타내어 저장안정성의 예측을 곤란하게 하는 문제점이 있음을 확인할 수 있었다. 이는 곧 질소플러싱포장이 불안정하고, 적용이 불가함을 의미한다고 할 수 있다.
더욱이, 도 10 및 도 12에 나타난 강화포장백포장의 경우에서도 웨이퍼의 노출시간이 3일 이상되는 경우에는 파티클오염이 크게 증가함을 확인할 수 있었으며, 전형적으로 황산화물 오염도 의존성을 보이고 있으며, 단지 진공적용시간이 진공감압포장에 비하여 덜 적용되기 때문에 진공감압포장에 비하여 오염도의 경향성은 일치하는 파티클의 증가는 적게 나타나는 것으로 여겨진다.
이러한 저장안정성의 악화는 질소플러싱의 경우와 진공감압의 경우로 구분하여 볼 때 다음과 같은 문제점에 기인하는 것으로 고려될 수 있다.
우선, 질소플러싱의 경우에서는 플러싱을 위한 질소공급라인에 설치되어 플러싱을 위한 질소의 공급전에 질소 중에 포함되어 있던 파티클과 같은 이물질을 여과해내기 위한 여과수단의 존재로 인하여 질소의 플러싱 동안 상기 여과수단에 누적된 파티클들이 예측불가능한 정도로 불규칙하게 방출되고, 그에 의하여 오히려 웨이퍼가 투입된 포장백내에 과다한 파티클들이 유입되는 문제점이 속출하였었다. 또한, 이러한 누적 파티클들이 웨이퍼가 포장되는 포장백내로 유입되는 것을 방지하기 위하여는 플러싱을 위한 질소공급라인의 빈번한 청소작업이나 필터교환작업이 전제되어야 하며, 이는 결과적으로 웨이퍼의 보관에 많은 노력과 비용이 소요되는 원인으로 작용하게 된다.
다음으로, 진공감압하는 경우에서는 진공감압 동안에 포장백내의 대기가 외부로 인출되면서 급속히 팽창되기 때문에 상당한 온도저하가 일어나게 되며, 이러한 웨이퍼 표면의 온도저하가 대기 중의 황산화물이 웨이퍼 표면에 응결, 부착되는 것을 촉진하여 오히려 이러한 황산화물의 오염으로 인하여 파티클 오염을 촉진시키는 원인으로 작용하는 것으로 여겨진다.
따라서, 본 발명자들은 웨이퍼 또는 반도체장치가 형성된 웨이퍼를 높은 저장안정성으로 적절히 보관할 수 있는 웨이퍼의 포장방법을 개발하게 되었다.
본 발명의 목적은, 웨이퍼의 포장이 간단하며, 포장에 따른 저장안정성이 높은 새로운 웨이퍼의 포장방법을 제공하는 데 있다.
도 1은 웨이퍼의 노출시간(1시간 내지 3일)에 대한 웨이퍼 표면에 오염된 황산화물을 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 2는 웨이퍼의 노출시간에 대한 웨이퍼의 황산화물 오염도를 질소플러싱포장 후 23일에서의 결과를 나타낸 그래프이다.
도 3은 웨이퍼의 노출시간에 대한 웨이퍼의 황산화물 오염도를 진공감압포장 후 23일에서의 결과를 나타낸 그래프이다.
도 4는 웨이퍼의 노출시간에 대한 웨이퍼의 황산화물 오염도를 강화포장백포장 후 23일에서의 결과를 나타낸 그래프이다.
도 5는 웨이퍼의 노출시간에 대한 웨이퍼의 황산화물 오염도를 질소플러싱포장 후 45일에서의 결과를 나타낸 그래프이다.
도 6은 웨이퍼의 노출시간에 대한 웨이퍼의 황산화물 오염도를 진공감압포장 후 45일에서의 결과를 나타낸 그래프이다.
도 7은 웨이퍼의 노출시간에 대한 웨이퍼의 황산화물 오염도를 강화포장백포장 후 45일에서의 결과를 나타낸 그래프이다.
도 8은 웨이퍼의 노출시간에 대한 웨이퍼의 파티클오염도를 질소플러싱포장 후 23일에서의 결과를 나타낸 그래프이다.
도 9는 웨이퍼의 노출시간에 대한 웨이퍼의 파티클오염도를 진공감압포장 후 23일에서의 결과를 나타낸 그래프이다.
도 10은 웨이퍼의 노출시간에 대한 웨이퍼의 파티클오염도를 강화포장백포장 후 23일에서의 결과를 나타낸 그래프이다.
도 11은 웨이퍼의 노출시간에 대한 웨이퍼의 파티클오염도를 질소플러싱포장 후 45일에서의 결과를 나타낸 그래프이다.
도 12는 웨이퍼의 노출시간에 대한 웨이퍼의 파티클오염도를 진공감압포장 후 45일에서의 결과를 나타낸 그래프이다.
도 13은 웨이퍼의 노출시간에 대한 웨이퍼의 파티클오염도를 강화포장백포장 후 45일에서의 결과를 나타낸 그래프이다.
도 14는 웨이퍼의 노출시간(1시간 내지 5일)에 대한 웨이퍼 표면에 오염된 황산화물을 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 15는 도 14의 웨이퍼 노출시간을 대조군으로 하여 본 발명에 따라 웨이퍼를 포장한 후 23일에서의 파티클오염도를 웨이퍼 노출시간에 대한 파티클증감개수로 나타낸 그래프이다.
도 16은 도 14의 웨이퍼 노출시간을 대조군으로 하여 본 발명에 따라 웨이퍼를 포장한 후 45일에서의 파티클오염도를 웨이퍼 노출시간에 대한 파티클증감개수로 나타낸 그래프이다.
도 17은 도 14의 웨이퍼 노출시간을 대조군으로 하여 본 발명에 따라 강화포장백포장으로 포장한 후 23일에서의 파티클오염도를 웨이퍼 노출시간에 대한 파티클증감개수로 나타낸 그래프이다.
도 18은 도 14의 웨이퍼 노출시간을 대조군으로 하여 본 발명에 따라 강화포장백포장으로 포장한 후 45일에서의 파티클오염도를 웨이퍼 노출시간에 대한 파티클증감개수로 나타낸 그래프이다.
도 19는 도 14의 웨이퍼 노출시간을 대조군으로 하여 종래의 방법에 따라 진공감압포장 후 23일에서의 파티클오염도를 웨이퍼 노출시간에 대한 파티클증감개수로 나타낸 그래프이다.
도 20은 도 14의 웨이퍼 노출시간을 대조군으로 하여 종래의 방법에 따라 진공감압포장 후 45일에서의 파티클오염도를 웨이퍼 노출시간에 대한 파티클증감개수로 나타낸 그래프이다.
도 21은 웨이퍼 노출시간에 대한 평균입경 0.12 내지 0.16μm의 파티클의 오염분포를 포장방법에 따라 포장하고 23일 후에서의 파티클오염도를 웨이퍼 노출시간에 대한 파티클개수로 나타낸 그래프이다.
도 22는 웨이퍼 노출시간에 대한 평균입경 0.12 내지 0.16μm의 파티클의 오염분포를 포장방법에 따라 포장하고 45일 후에서의 파티클오염도를 웨이퍼 노출시간에 대한 파티클개수로 나타낸 그래프이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼의 포장방법은, 웨이퍼 표면에 황산화물의 농도가 3 * 1012atoms/cm2미만으로 존재하도록 하여 웨이퍼를 포장백에 투입하고, 질소플러싱 및 진공감압을 수행하지 않은 상태에서 밀봉하여 포장하는 것으로 구성된다.
특히, 본 발명에 따른 웨이퍼의 포장방법은, 웨이퍼 표면에 황산화물의 농도가 3 * 1012atoms/cm2미만으로 존재하도록 하여 웨이퍼를 포장백에 투입한 후, 포장백 내부를 질소플러싱하지 않고, 또한 진공감압하지 않은 채 포장백을 밀봉하여 포장하는 것으로 구성된다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 웨이퍼의 포장방법은, 웨이퍼 표면에 황산화물의 농도가 3 * 1012atoms/cm2미만으로 존재하도록 하여 웨이퍼를 포장백에 투입하고, 밀봉하여 포장하는 것으로 구성됨을 특징으로 한다.
본 발명에서는 웨이퍼가 대기 중에 노출됨에 따라 대기 중에 존재하는 황산화물에 오염되는 경우, 통상 헤이즈 현상이라 불리우는 황산화물의 오염 및 그에 따른 파티클 오염도의 증가를 예방하고, 웨이퍼의 장기적인 보관안정성을 증대시키기 위한 웨이퍼의 포장관리를 위하여 웨이퍼의 표면에서의 황산화물의 오염을 조절하는 것으로 웨이퍼의 포장 후의 저장안정성을 증대시킬 수 있다.
특히, 본 발명에서는 상기 포장백의 밀봉전에 포장백 내부를 질소플러싱하지 않으며, 동시에 포장백 내부를 진공감압하지 않는 것을 특징으로 한다. 이는 특히 질소플러싱의 경우에서, 플러싱을 위한 질소공급라인에 설치되어 플러싱을 위한 질소의 공급전에 질소 중에 포함되어 있던 파티클과 같은 이물질을 여과해내기 위한 여과수단의 존재로 인하여 질소의 플러싱 동안 상기 여과수단에 누적된 파티클들이 예측불가능한 정도로 불규칙하게 방출되고, 그에 의하여 오히려 웨이퍼가 투입된 포장백내에 과다한 파티클들이 유입되는 문제점을 예방할 수 있으며, 또한 진공감압에 따라, 진공감압 동안에 포장백내의 대기가 외부로 인출되면서 급속히 팽창되기 때문에 상당한 온도저하가 일어나게 되며, 이러한 웨이퍼 표면의 온도저하가 대기 중의 황산화물이 웨이퍼 표면에 응결, 부착되는 것을 촉진하여 오히려 이러한 황산화물의 오염으로 인하여 파티클 오염을 촉진시키는 원인으로 작용하는 문제점을 예방할 수 있도록 하여, 웨이퍼의 포장 후, 장기보관안정성을 증대시킬 수 있도록 한 점에 특징이 있다고 할 수 있다.
이를 위하여는 웨이퍼의 포장백내의 포장이 청정도 클래스 10의 수준으로 청정화된 청정실내에서, 특히 바람직하게는 대기 중의 황산화물을 감소시킨, 청정도 클래스 10의 수준으로 청정화된 청정실내에서 수행될 필요가 있다. 여기에서 청정도 클래스라 함은 단위용적 당의 공기 중에 파티클과 같은 이물질이 10개 미만으로 존재하는 것을 의미하는 것이다.
상기 포장백은 폴리에틸렌층, 접착제층 및 알루미늄막코팅폴리에틸렌층이 적층된 구조로 이루어진 포장백이, 특히 바람직하게는, 폴리에틸렌층, 접착제층, 알루미늄막코팅폴리에틸렌층, 폴리에틸렌층 및 알루미늄막코팅폴리에틸렌층이 적층되어 이루어진 강화포장백이 사용될 수 있으며, 이러한 포장백 또는 강화포장백은 당해 기술분야에서 통상의 지식을 갖는 자에게는 이를 상용적으로 구입하여 사용할 수 있을 정도로 공지된 것이라 할 수 있다.
특히, 본 발명에 따른 웨이퍼의 포장방법은 웨이퍼 표면에 황산화물의 농도가 3 * 1012atoms/cm2미만으로 존재하도록 하여 웨이퍼를 포장백에 투입한 후, 포장백 내부를 질소플러싱하지 않고, 또한 진공감압하지 않은 채 포장백을 밀봉하여 포장하는 것으로 구성됨을 특징으로 한다.
이하에서 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예들이 기술되어질 것이다.
이하의 실시예들은 본 발명을 예증하기 위한 것으로서 본 발명의 범위를 국한시키는 것으로 이해되어져서는 안될 것이다.
비교예 1
대조군으로서 청정도 클래스 10의 청정실내에서 웨이퍼를 1시간, 1일, 3일 및 5일간 노출시킨 후, 웨이퍼 표면에 오염된 황산화물의 오염도를 측정하여 노출시간에 대한 황산화물오염도의 항목으로 도 14에 나타내었다.
실시예 1
상기 비교예 1과 동일한 청정도 클래스 10의 청정실내에서 웨이퍼를 1시간, 1일, 3일 및 5일간 노출시킨 후, 폴리에틸렌층, 접착제층 및 알루미늄막코팅폴리에틸렌층이 적층된 구조로 이루어진 포장백내에 웨이퍼를 투입하고, 질소플러싱과 진공감압을 적용시키지 않은 채, 상기 포장백을 밀봉하여 웨이퍼를 포장한 후, 포장 후 23일 및 45일이 경과한 다음에 이들을 꺼내어 각 웨이퍼 표면에서의 파티클 오염도를 측정하고, 노출시간에 대한 파티클증감개수의 항목으로 도 15(23일) 및 도 16(45일)에 나타내었다.
실시예 2
진공감압을 3초미만으로 적용하여 폴리에틸렌층, 접착제층, 알루미늄막코팅폴리에틸렌층, 폴리에틸렌층 및 알루미늄막코팅폴리에틸렌층이 적층되어 이루어진 강화포장백에 포장하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 하여 각 웨이퍼 표면에서의 파티클 오염도를 측정하고, 노출시간에 대한 파티클증감개수의 항목으로 도 17(23일) 및 도 18(45일)에 나타내었다.
비교예 2
진공감압을 4.5초 이상 적용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 하여 각 웨이퍼 표면에서의 파티클 오염도를 측정하고, 노출시간에 대한 파티클증감개수의 항목으로 도 19(23일) 및 도 20(45일)에 나타내었다.
상기 비교예 1의 실험결과, 노출시간별로 웨이퍼의 황산화물오염도는 크게 증가되지 않았으며, 3일 또는 5일 노출 후에도 노출시간에 따른 경시변화 등이 크게 증가하지 않은 것으로 나타났으며, 이는 대기의 청정도에 따른 황산화물의 오염도가 웨이퍼의 포장에 의한 보관안정성에 큰 영향을 미칠 수 있음을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1에서는, 도 15 및 도 16에 나타난 바와 같이, 노출시간에 따라 파티클오염개수가 크게 변하지 않고, 낮은 수준으로 유지됨을 확인할 수 있어 본 발명에 따른 웨이퍼의 포장방법이 웨이퍼의 보관안정성에 크게 유리함을 확인할 수 있었다.
실시예 2에서도, 도 17 및 도 18에 나타난 바와 같이, 진공을 적게 적용시키고, 포장백을 강화포장백으로 포장함으로써 역시 웨이퍼의 보관안정성을 크게 향상시킬 수 있음을 확인할 수 있었다.
이는 비교예 2에서, 도 19 및 도 20에 나타난 바와 같이, 노출시간 5일에서의 웨이퍼에서 파티클 오염도가 크게 증가하는 것을 보여주고 있음에 비추어 볼 때, 본 발명에 따른 포장방법이 웨이퍼의 보관에 매우 유리함을 알 수 있다.
특히, 웨이퍼 노출시간에 대한 평균입경 0.12 내지 0.16μm의 파티클의 오염분포를 포장방법에 따라 구분하여 측정하고 그 결과를 파티클개수로 나타낸 결과를 도 21(포장 후 23일차) 및 도 22(포장 후 45일차)에 표시하였다. 이들 도 21 및 도 22에 나타난 결과를 고찰하여 볼 때, 45일 이상 웨이퍼를 장기보관하고자 할 경우, 우선적으로 웨이퍼의 황산화물 오염을 적어도 3 * 1012atoms/cm2의 수준 미만으로 관리할 필요가 있으며, 이는 적어도 청정도 클래스 10의 청정실내에서 포장이 이루어져야 함을 확인할 수 있으며, 특히 본 발명에 따라 질소플러싱이나 진공감압을 병용하지 않은 채 포장하는 것이 유리함을 확인할 수 있었다.
따라서, 본 발명에 의하면 웨이퍼의 포장이 간단하며, 포장에 따른 저장안정성이 높은 새로운 웨이퍼의 포장방법을 제공하는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
Claims (8)
- 웨이퍼 표면에 황산화물의 농도가 3 * 1012atoms/cm2미만으로 존재하도록 하여 웨이퍼를 포장백에 투입하고, 밀봉하여 포장하는 것으로 구성됨을 특징으로 하는 웨이퍼의 포장방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 포장백의 밀봉전에 포장백 내부를 질소플러싱하지 않음을 특징으로 하는 상기 웨이퍼의 포장방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 포장백의 밀봉전에 포장백 내부를 진공감압하지 않음을 특징으로 하는 상기 웨이퍼의 포장방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 웨이퍼의 포장백내의 포장이 청정도 클래스 10의 수준으로 청정화된 청정실내에서 수행됨을 특징으로 하는 상기 웨이퍼의 포장방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 웨이퍼의 포장백내의 포장이 대기 중의 황산화물을 감소시킨, 청정도 클래스 10의 수준으로 청정화된 청정실내에서 수행됨을 특징으로 하는 상기 웨이퍼의 포장방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 포장백이 폴리에틸렌층, 접착제층 및 알루미늄막코팅폴리에틸렌층이 적층된 구조로 이루어진 포장백임을 특징으로 하는 상기 웨이퍼의 포장방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 포장백이 폴리에틸렌층, 접착제층, 알루미늄막코팅폴리에틸렌층, 폴리에틸렌층 및 알루미늄막코팅폴리에틸렌층이 적층되어 이루어진 강화포장백임을 특징으로 하는 상기 웨이퍼의 포장방법.
- 웨이퍼 표면에 황산화물의 농도가 3 * 1012atoms/cm2미만으로 존재하도록 하여 웨이퍼를 포장백에 투입한 후, 포장백 내부를 질소플러싱하지 않고, 또한 진공감압하지 않은 채 포장백을 밀봉하여 포장하는 것으로 구성됨을 특징으로 하는 웨이퍼의 포장방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970076788A KR100295429B1 (ko) | 1997-12-29 | 1997-12-29 | 웨이퍼의포장방법 |
| JP10244906A JPH11204627A (ja) | 1997-12-29 | 1998-08-31 | ウェーハの包装方法 |
| TW087114779A TW398058B (en) | 1997-12-29 | 1998-09-05 | Wafer packaging method |
| US09/206,234 US6170235B1 (en) | 1997-12-29 | 1998-12-07 | Wafer packaging method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970076788A KR100295429B1 (ko) | 1997-12-29 | 1997-12-29 | 웨이퍼의포장방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990056777A true KR19990056777A (ko) | 1999-07-15 |
| KR100295429B1 KR100295429B1 (ko) | 2001-10-24 |
Family
ID=19529338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970076788A KR100295429B1 (ko) | 1997-12-29 | 1997-12-29 | 웨이퍼의포장방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6170235B1 (ko) |
| JP (1) | JPH11204627A (ko) |
| KR (1) | KR100295429B1 (ko) |
| TW (1) | TW398058B (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101235265B1 (ko) * | 2010-12-15 | 2013-02-20 | 서강대학교산학협력단 | 신규한 슈도알테로모나스 속 미생물 및 그가 분비하는 아가레이즈 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4431239B2 (ja) * | 1999-06-24 | 2010-03-10 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | ウエハ表面汚染状態の測定供用具及び測定方法 |
| US6693020B2 (en) | 2001-03-12 | 2004-02-17 | Motorola, Inc. | Method of preparing copper metallization die for wirebonding |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5098245A (en) * | 1989-02-24 | 1992-03-24 | U.S. Philips Corporation | High speed wafer handler |
| JPH081923B2 (ja) * | 1991-06-24 | 1996-01-10 | ティーディーケイ株式会社 | クリーン搬送方法及び装置 |
| US5398481A (en) * | 1992-05-19 | 1995-03-21 | Ebara Corporation | Vacuum processing system |
| US5644855A (en) * | 1995-04-06 | 1997-07-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cryogenically purged mini environment |
-
1997
- 1997-12-29 KR KR1019970076788A patent/KR100295429B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-08-31 JP JP10244906A patent/JPH11204627A/ja active Pending
- 1998-09-05 TW TW087114779A patent/TW398058B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-12-07 US US09/206,234 patent/US6170235B1/en not_active Expired - Lifetime
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| KR101235265B1 (ko) * | 2010-12-15 | 2013-02-20 | 서강대학교산학협력단 | 신규한 슈도알테로모나스 속 미생물 및 그가 분비하는 아가레이즈 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW398058B (en) | 2000-07-11 |
| KR100295429B1 (ko) | 2001-10-24 |
| JPH11204627A (ja) | 1999-07-30 |
| US6170235B1 (en) | 2001-01-09 |
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| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment | ||
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