JPH11204627A - ウェーハの包装方法 - Google Patents
ウェーハの包装方法Info
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- JPH11204627A JPH11204627A JP10244906A JP24490698A JPH11204627A JP H11204627 A JPH11204627 A JP H11204627A JP 10244906 A JP10244906 A JP 10244906A JP 24490698 A JP24490698 A JP 24490698A JP H11204627 A JPH11204627 A JP H11204627A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハまたは半導体装置が形成されたウェ
ーハを高い貯蔵安定性で適切に保管できるウェーハの包
装方法を提供する。 【解決手段】 ウェーハ表面の硫酸化物の濃度を３×１
０12atoms/cm2未満にした後、ウェーハを包装バッグに
投入し、包装バッグの内部は窒素洗浄および真空減圧を
せずに包装バッグに密封して包装するので、ウェーハま
たは半導体装置が形成されたウェーハを高い貯蔵安定性
で適切に保管でき、ウェーハの包装を容易に行うことが
でき、かつ包装にともなう貯蔵安定性を増大させること
ができる。
ーハを高い貯蔵安定性で適切に保管できるウェーハの包
装方法を提供する。 【解決手段】 ウェーハ表面の硫酸化物の濃度を３×１
０12atoms/cm2未満にした後、ウェーハを包装バッグに
投入し、包装バッグの内部は窒素洗浄および真空減圧を
せずに包装バッグに密封して包装するので、ウェーハま
たは半導体装置が形成されたウェーハを高い貯蔵安定性
で適切に保管でき、ウェーハの包装を容易に行うことが
でき、かつ包装にともなう貯蔵安定性を増大させること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウェーハの包装方法
に関し、特にウェーハを外部環境から清潔な状態を保つ
ように保管するウェーハ包装方法に関する。
に関し、特にウェーハを外部環境から清潔な状態を保つ
ように保管するウェーハ包装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造に用いられるウェーハ
は主にシリコン単結晶から作られ、精密な半導体装置の
製造、および半導体装置の収率を増大するために、汚染
のない清潔なウェーハの取扱が求められる。外部環境か
らの汚染を防止するためには、適切な包装が必要であ
る。また、半導体装置が形成されたウェーハは勿論、加
工中のウェーハもやはり必要に応じて所定の期間適切に
保管する必要があり、この時も長期間の放置によるウェ
ーハの汚染を防止するための適切な包装が求められるこ
とは当然である。
は主にシリコン単結晶から作られ、精密な半導体装置の
製造、および半導体装置の収率を増大するために、汚染
のない清潔なウェーハの取扱が求められる。外部環境か
らの汚染を防止するためには、適切な包装が必要であ
る。また、半導体装置が形成されたウェーハは勿論、加
工中のウェーハもやはり必要に応じて所定の期間適切に
保管する必要があり、この時も長期間の放置によるウェ
ーハの汚染を防止するための適切な包装が求められるこ
とは当然である。
【０００３】ウェーハを包装する包装方法として、ポリ
エチレン層、接着剤層およびアルミニウム膜コーティン
グポリエチレン層を積層した構造の包装バッグが使用さ
れている。ウェーハまたは半導体装置が形成されたウェ
ーハが入っている包装バッグ内に大気中のパーチクルが
流入するのを防止するために、窒素ガスで洗浄した後、
密封して包装する方法（以下、窒素フラッシング包装と
いう）や、真空を４、５秒以上適用して減圧した後、密
封して包装する方法（以下、真空減圧包装という）、ま
たはポリエチレン層、接着剤層およびアルミニウム膜コ
ーティングポリエチレン層が積層される構造に加え、ポ
リエチレン層とアルミニウム膜コーティングポリエチレ
ン層がさらに重畳して形成した強化包装バッグ内にウェ
ーハを投入し、真空を約３秒間適用して減圧した後、包
装する方法（以下、強化包装バッグ包装という）などが
あり、これらを利用してウェーハまたは半導体装置が形
成したウェーハを包装していた。
エチレン層、接着剤層およびアルミニウム膜コーティン
グポリエチレン層を積層した構造の包装バッグが使用さ
れている。ウェーハまたは半導体装置が形成されたウェ
ーハが入っている包装バッグ内に大気中のパーチクルが
流入するのを防止するために、窒素ガスで洗浄した後、
密封して包装する方法（以下、窒素フラッシング包装と
いう）や、真空を４、５秒以上適用して減圧した後、密
封して包装する方法（以下、真空減圧包装という）、ま
たはポリエチレン層、接着剤層およびアルミニウム膜コ
ーティングポリエチレン層が積層される構造に加え、ポ
リエチレン層とアルミニウム膜コーティングポリエチレ
ン層がさらに重畳して形成した強化包装バッグ内にウェ
ーハを投入し、真空を約３秒間適用して減圧した後、包
装する方法（以下、強化包装バッグ包装という）などが
あり、これらを利用してウェーハまたは半導体装置が形
成したウェーハを包装していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の窒素フラッシング包装、真空減圧包装などの
方法は、全てウェーハが包装される包装バッグ内のパー
チクル等の残存を防止するために考案されたことであ
り、このような従来の方法で包装されたウェーハはパー
チクルの汚染がむしろ増加し、貯蔵安定性が悪化する傾
向があることを発見し、これを解決するために具体的な
汚染原因を分析した。
うな従来の窒素フラッシング包装、真空減圧包装などの
方法は、全てウェーハが包装される包装バッグ内のパー
チクル等の残存を防止するために考案されたことであ
り、このような従来の方法で包装されたウェーハはパー
チクルの汚染がむしろ増加し、貯蔵安定性が悪化する傾
向があることを発見し、これを解決するために具体的な
汚染原因を分析した。
【０００５】まず、ウェーハの表面に吸着される場合、
ウェーハの表面がくもったように汚染されるヘーズ現象
の原因となる硫酸化物による汚染を考察すると、ウェー
ハの大気中への露出時間（１時間〜３日）とウェーハの
表面を汚染する硫酸化物との関係を測定した結果、図１
に示すように、露出時間が延びることにより硫酸化物の
汚染が１時間で２．３×１０12atoms/cm2、１日で３．
３×１０12atoms/cm2、３日で４．５〜６．０×１０12a
toms /cm2に増加することがわかった。したがって包装
前のウェーハを大気中へ露出させる時間がウェーハの汚
染を左右する重要な因子の一つであることがわかる。硫
酸化物の汚染度の測定は日本国所在のＲＩＫＡＫＵ社の
ＴＲＸＲＦ（TotalReflective x-Ray Fluorescence spe
ctroscopy）を使用した。
ウェーハの表面がくもったように汚染されるヘーズ現象
の原因となる硫酸化物による汚染を考察すると、ウェー
ハの大気中への露出時間（１時間〜３日）とウェーハの
表面を汚染する硫酸化物との関係を測定した結果、図１
に示すように、露出時間が延びることにより硫酸化物の
汚染が１時間で２．３×１０12atoms/cm2、１日で３．
３×１０12atoms/cm2、３日で４．５〜６．０×１０12a
toms /cm2に増加することがわかった。したがって包装
前のウェーハを大気中へ露出させる時間がウェーハの汚
染を左右する重要な因子の一つであることがわかる。硫
酸化物の汚染度の測定は日本国所在のＲＩＫＡＫＵ社の
ＴＲＸＲＦ（TotalReflective x-Ray Fluorescence spe
ctroscopy）を使用した。
【０００６】また、硫酸化物を含む大気中に露出された
ウェーハを従来の方法によって包装し、貯蔵時間２３日
および貯蔵時間４５日における包装方法の違いによるウ
ェーハの硫酸化物の汚染度を観察した結果を図２〜図７
に示した。
ウェーハを従来の方法によって包装し、貯蔵時間２３日
および貯蔵時間４５日における包装方法の違いによるウ
ェーハの硫酸化物の汚染度を観察した結果を図２〜図７
に示した。
【０００７】図２〜図４は、窒素フラッシング包装（図
２）、真空減圧包装（図３）および強化包装バッグ包装
（図４）を行った後、２３日貯蔵後でのウェーハの露出
時間に対するウェーハの硫酸化物による汚染度を示して
いる。図５〜図７は、窒素フラッシング包装（図５）、
真空減圧包装（図６）および強化包装バッグ包装（図
７）を行った後、４５日貯蔵後でのウェーハの露出時間
に対するウェーハの硫酸化物による汚染度を示してい
る。
２）、真空減圧包装（図３）および強化包装バッグ包装
（図４）を行った後、２３日貯蔵後でのウェーハの露出
時間に対するウェーハの硫酸化物による汚染度を示して
いる。図５〜図７は、窒素フラッシング包装（図５）、
真空減圧包装（図６）および強化包装バッグ包装（図
７）を行った後、４５日貯蔵後でのウェーハの露出時間
に対するウェーハの硫酸化物による汚染度を示してい
る。
【０００８】これらの図に示すように、図７に示す結果
を除いて、図１での結果と大きな違いはなかった。これ
は、ウェーハの表面が硫酸化物で汚染されると、包装方
法や貯蔵期間によって初期硫酸化物の汚染度を減少させ
たり増加させる因子がなく、初期状態の硫酸化物の汚染
がへーズの核形成ソースとしてのみ作用するが、初期硫
酸化物の汚染度が高く、貯蔵期間が長くなると核形成が
加速することを意味している。ただし、図７に示すよう
に、３日露出後強化包装バッグ包装後、４５日貯蔵後の
分析結果による汚染度が例外的に少なく現れているが、
これは実験上の誤差と考えられる。
を除いて、図１での結果と大きな違いはなかった。これ
は、ウェーハの表面が硫酸化物で汚染されると、包装方
法や貯蔵期間によって初期硫酸化物の汚染度を減少させ
たり増加させる因子がなく、初期状態の硫酸化物の汚染
がへーズの核形成ソースとしてのみ作用するが、初期硫
酸化物の汚染度が高く、貯蔵期間が長くなると核形成が
加速することを意味している。ただし、図７に示すよう
に、３日露出後強化包装バッグ包装後、４５日貯蔵後の
分析結果による汚染度が例外的に少なく現れているが、
これは実験上の誤差と考えられる。
【０００９】また、パーチクルの汚染度をウェーハの露
出時間に対するパーチクルの粒径別個数の増減を測定し
た結果を図８〜図１３にそれぞれ示す。ここで、粒径を
示すＤ−１は０．１２〜０．１６μｍ、Ｄ−２は０．１
６〜０．２０μｍ、そしてＤ−３は０．２０〜０．３０
μｍの平均粒径範囲をそれぞれ示している。これらのパ
ーチクルの測定は、アメリカ合衆国所在のＫＬＡ＆ＴＥ
ＮＣＯＲ社のサーフスキャン−６２００使用した。
出時間に対するパーチクルの粒径別個数の増減を測定し
た結果を図８〜図１３にそれぞれ示す。ここで、粒径を
示すＤ−１は０．１２〜０．１６μｍ、Ｄ−２は０．１
６〜０．２０μｍ、そしてＤ−３は０．２０〜０．３０
μｍの平均粒径範囲をそれぞれ示している。これらのパ
ーチクルの測定は、アメリカ合衆国所在のＫＬＡ＆ＴＥ
ＮＣＯＲ社のサーフスキャン−６２００使用した。
【００１０】図８〜図１０は、窒素フラッシング包装
（図８）、真空減圧包装（図９）および強化包装バッグ
包装（図１０）を行った後、２３日貯蔵後でのウェーハ
の露出時間に対するウェーハのパーチクル汚染度を示し
ている。図１１〜図１３は、窒素フラッシング包装（図
１１）、真空減圧包装（図１２）および強化包装バッグ
包装（図１３）を行った後、４５日貯蔵後でのウェーハ
の露出時間に対するウェーハのパーチクル汚染度を示し
ている。
（図８）、真空減圧包装（図９）および強化包装バッグ
包装（図１０）を行った後、２３日貯蔵後でのウェーハ
の露出時間に対するウェーハのパーチクル汚染度を示し
ている。図１１〜図１３は、窒素フラッシング包装（図
１１）、真空減圧包装（図１２）および強化包装バッグ
包装（図１３）を行った後、４５日貯蔵後でのウェーハ
の露出時間に対するウェーハのパーチクル汚染度を示し
ている。
【００１１】これら図面に示された結果を分析すると、
図８および図１１に示された真空減圧包装の場合におい
て２３日貯蔵後の結果は、３日が経過したウェーハにお
いて急激なパーチクル増加が現れた。また、４５日貯蔵
後の結果においては、１日放置したウェーハにおいて急
激なパーチクル増加が現れ、前述した通り、へーズ発生
メカニズムにより硫酸化物の汚染度と貯蔵期間との間に
依存性がある。したがって、ウェーハの大気中に１日放
置する場合、ウェーハを安定に保管するには硫酸化物の
汚染を３×１０12atoms/cm2未満の水準に管理されるべ
きであることを意味している。
図８および図１１に示された真空減圧包装の場合におい
て２３日貯蔵後の結果は、３日が経過したウェーハにお
いて急激なパーチクル増加が現れた。また、４５日貯蔵
後の結果においては、１日放置したウェーハにおいて急
激なパーチクル増加が現れ、前述した通り、へーズ発生
メカニズムにより硫酸化物の汚染度と貯蔵期間との間に
依存性がある。したがって、ウェーハの大気中に１日放
置する場合、ウェーハを安定に保管するには硫酸化物の
汚染を３×１０12atoms/cm2未満の水準に管理されるべ
きであることを意味している。
【００１２】また図９および図１２に示された窒素フラ
ッシング包装の場合、明確な傾向がなく、窒素フラッシ
ング時のパーチクル汚染度、および硫酸化物の汚染度の
依存性が複合化され、パーチクル汚染の増減に対し不規
則な結果を表して貯蔵安定性の予測を困難にする問題点
があることを確認することができた。これは、窒素フラ
ッシング包装が不安定で、適用が不可能であることを意
味すると言える。
ッシング包装の場合、明確な傾向がなく、窒素フラッシ
ング時のパーチクル汚染度、および硫酸化物の汚染度の
依存性が複合化され、パーチクル汚染の増減に対し不規
則な結果を表して貯蔵安定性の予測を困難にする問題点
があることを確認することができた。これは、窒素フラ
ッシング包装が不安定で、適用が不可能であることを意
味すると言える。
【００１３】さらに、図１０および図１２に示された強
化包装バッグ包装の場合、ウェーハの露出時間が３日以
上になる場合、パーチクル汚染が大きく増加することを
確認することができ、典型的に硫酸化物の汚染度の依存
性を見せている。ただし真空適用時間が真空減圧包装に
比べて少なく適用されるので、真空減圧包装に比べ汚染
度の傾向性が一致するパーチクルの増加は少ない。
化包装バッグ包装の場合、ウェーハの露出時間が３日以
上になる場合、パーチクル汚染が大きく増加することを
確認することができ、典型的に硫酸化物の汚染度の依存
性を見せている。ただし真空適用時間が真空減圧包装に
比べて少なく適用されるので、真空減圧包装に比べ汚染
度の傾向性が一致するパーチクルの増加は少ない。
【００１４】このような貯蔵安定性の悪化は窒素フラッ
シングと真空減圧とに区分してみると、次のような問題
点に起因すると考えられる。まず、窒素フラッシングの
場合、フラッシングのための窒素供給ラインに設けられ
るフラッシングを行うための窒素に供給前から含まれる
パーチクルのような異物を濾過する濾過手段によって、
窒素のフラッシングの間に濾過手段に累積したパーチク
ルが予測不可能な程度に不規則に放出されるため、ウェ
ーハが投入された包装バッグ内に過多なパーチクルが流
入する。また、このような累積パーチクルが、ウェーハ
が包装される包装バッグ内に流入されることを防止する
ためにはフラッシングを行うための窒素供給ラインの頻
繁な掃除作業や、フィルター取替作業が必須に要求され
ることを意味し、これは結果的にウェーハの保管に多く
の努力と費用が必要となる原因になる。
シングと真空減圧とに区分してみると、次のような問題
点に起因すると考えられる。まず、窒素フラッシングの
場合、フラッシングのための窒素供給ラインに設けられ
るフラッシングを行うための窒素に供給前から含まれる
パーチクルのような異物を濾過する濾過手段によって、
窒素のフラッシングの間に濾過手段に累積したパーチク
ルが予測不可能な程度に不規則に放出されるため、ウェ
ーハが投入された包装バッグ内に過多なパーチクルが流
入する。また、このような累積パーチクルが、ウェーハ
が包装される包装バッグ内に流入されることを防止する
ためにはフラッシングを行うための窒素供給ラインの頻
繁な掃除作業や、フィルター取替作業が必須に要求され
ることを意味し、これは結果的にウェーハの保管に多く
の努力と費用が必要となる原因になる。
【００１５】次に、真空減圧する場合、真空減圧の間に
包装バッグ内の大気が外部に引き出されながら急速に膨
脹するので、相当な温度低下が起き、ウェーハ表面の温
度低下により大気中の硫酸化物がウェーハ表面に凝結、
付着することを促進し、硫酸化物の汚染によってパーチ
クルの汚染を促進させる原因として作用していると考え
られる。
包装バッグ内の大気が外部に引き出されながら急速に膨
脹するので、相当な温度低下が起き、ウェーハ表面の温
度低下により大気中の硫酸化物がウェーハ表面に凝結、
付着することを促進し、硫酸化物の汚染によってパーチ
クルの汚染を促進させる原因として作用していると考え
られる。
【００１６】したがって、本発明の目的は、ウェーハま
たは半導体装置が形成されたウェーハを高い貯蔵安定性
で適切に保管できるウェーハの包装方法を提供すること
である。本発明の別の目的は、ウェーハの包装が容易で
あり、包装にともなう貯蔵安定性の高いウェーハの包装
方法を提供することにある。
たは半導体装置が形成されたウェーハを高い貯蔵安定性
で適切に保管できるウェーハの包装方法を提供すること
である。本発明の別の目的は、ウェーハの包装が容易で
あり、包装にともなう貯蔵安定性の高いウェーハの包装
方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
のウェーハの包装方法によると、ウェーハ表面に硫酸化
物の濃度が３×１０12atoms/cm2未満になるようにウェ
ーハを包装バッグに投入する。したがって、初期の汚染
度を低下させることにより、長期間の貯蔵を行った後で
もウェーハ表面の汚染を防止でき、ウェーハまたは半導
体装置が形成されたウェーハを高い貯蔵安定性で適切に
保管することができる。
のウェーハの包装方法によると、ウェーハ表面に硫酸化
物の濃度が３×１０12atoms/cm2未満になるようにウェ
ーハを包装バッグに投入する。したがって、初期の汚染
度を低下させることにより、長期間の貯蔵を行った後で
もウェーハ表面の汚染を防止でき、ウェーハまたは半導
体装置が形成されたウェーハを高い貯蔵安定性で適切に
保管することができる。
【００１８】本発明の請求項２に記載のウェーハの包装
方法によると、包装バッグに密封する前に包装バッグの
内部を窒素で洗浄しないので、洗浄するための窒素に含
まれる硫酸化物やパーチクルなどの不純物によるウェー
ハの汚染を防止することができ、包装作業を簡略化する
ことができる。
方法によると、包装バッグに密封する前に包装バッグの
内部を窒素で洗浄しないので、洗浄するための窒素に含
まれる硫酸化物やパーチクルなどの不純物によるウェー
ハの汚染を防止することができ、包装作業を簡略化する
ことができる。
【００１９】本発明の請求項３に記載のウェーハの包装
方法によると、包装バッグに密封する前に包装バッグの
内部を真空減圧しないので、真空減圧によって生じる包
装バッグ内部の温度低下により、ウェーハの表面に硫酸
化物が凝縮することを防止することができ、包装作業を
簡略化することができる。
方法によると、包装バッグに密封する前に包装バッグの
内部を真空減圧しないので、真空減圧によって生じる包
装バッグ内部の温度低下により、ウェーハの表面に硫酸
化物が凝縮することを防止することができ、包装作業を
簡略化することができる。
【００２０】本発明の請求項４および５に記載のウェー
ハの包装方法によると、包装は洗浄度クラス１０の水準
に清浄化された清浄室内で行われるので、硫酸化物やパ
ーチクルなどの不純物によりウェーハの表面の汚染を防
止することができる。
ハの包装方法によると、包装は洗浄度クラス１０の水準
に清浄化された清浄室内で行われるので、硫酸化物やパ
ーチクルなどの不純物によりウェーハの表面の汚染を防
止することができる。
【００２１】本発明の請求項６および７に記載のウェー
ハの包装方法によると、包装バッグは多層構造であるの
で、包装バッグに包装した後、包装バッグの外部から不
純物が進入するのを防止することができ、ウェーハまた
は半導体装置が形成されたウェーハを高い貯蔵安定性で
適切に保管することができる。
ハの包装方法によると、包装バッグは多層構造であるの
で、包装バッグに包装した後、包装バッグの外部から不
純物が進入するのを防止することができ、ウェーハまた
は半導体装置が形成されたウェーハを高い貯蔵安定性で
適切に保管することができる。
【００２２】本発明の請求項８に記載のウェーハの包装
方法によると、ウェーハ表面の硫酸化物の濃度を３×１
０12atoms/cm2未満にした後、ウェーハを包装バッグに
投入し、包装バッグの内部は窒素洗浄および真空減圧を
せずに包装バッグに密封して包装するので、ウェーハま
たは半導体装置が形成されたウェーハを高い貯蔵安定性
で適切に保管でき、ウェーハの包装を容易に行うことが
でき、かつ包装にともなう貯蔵安定性を増大させること
ができる。
方法によると、ウェーハ表面の硫酸化物の濃度を３×１
０12atoms/cm2未満にした後、ウェーハを包装バッグに
投入し、包装バッグの内部は窒素洗浄および真空減圧を
せずに包装バッグに密封して包装するので、ウェーハま
たは半導体装置が形成されたウェーハを高い貯蔵安定性
で適切に保管でき、ウェーハの包装を容易に行うことが
でき、かつ包装にともなう貯蔵安定性を増大させること
ができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき本発
明の具体的な実施例を詳細に説明する。ウェーハの包装
方法は、ウェーハ表面の硫酸化物の濃度が３×１０12at
oms/cm 2未満になるようにウェーハを包装バッグに投入
し、密封して包装する。本発明においては、ウェーハが
大気中に露出することにより、大気中に存在する硫酸化
物によって汚染される場合、通常へーズ現象と呼ばれる
硫酸化物の汚染およびそれにともなうパーチクル汚染度
の増加を予防し、ウェーハの長期的な保管安定性を増大
させるウェーハの包装を管理するために、ウェーハの表
面での硫酸化物の汚染を調節することによりウェーハの
包装後の貯蔵安定性を増大させることができる。
明の具体的な実施例を詳細に説明する。ウェーハの包装
方法は、ウェーハ表面の硫酸化物の濃度が３×１０12at
oms/cm 2未満になるようにウェーハを包装バッグに投入
し、密封して包装する。本発明においては、ウェーハが
大気中に露出することにより、大気中に存在する硫酸化
物によって汚染される場合、通常へーズ現象と呼ばれる
硫酸化物の汚染およびそれにともなうパーチクル汚染度
の増加を予防し、ウェーハの長期的な保管安定性を増大
させるウェーハの包装を管理するために、ウェーハの表
面での硫酸化物の汚染を調節することによりウェーハの
包装後の貯蔵安定性を増大させることができる。
【００２４】特に、本発明においては、包装バッグの密
封前に包装バッグの内部を窒素フラッシングせず、同時
に包装バッグの内部を真空減圧しない。これは、特に窒
素フラッシングの場合、フラッシングのための窒素供給
ラインに設けられ、フラッシングを行う窒素が供給され
る前に窒素中に含まれるパーチクルのような異物を濾過
するための濾過手段が存在することにより、窒素フラッ
シング中に、濾過手段に累積されたパーチクルが予測不
可能な程度に不規則に放出され、それによってウェーハ
が投入された包装バッグ内に過多なパーチクルが流入す
るという問題点を予防するためである。また真空減圧に
よって、真空減圧の間に包装バッグ内の大気が急速に膨
脹するために起こる温度低下により、大気中の硫酸化物
がウェーハ表面に凝結、付着することが促進され、この
硫酸化物の汚染によってパーチクル汚染を促進させる原
因として作用する問題点が予防できる。したがって、ウ
ェーハの包装後、長期保管安定性を増大させることがで
きる。
封前に包装バッグの内部を窒素フラッシングせず、同時
に包装バッグの内部を真空減圧しない。これは、特に窒
素フラッシングの場合、フラッシングのための窒素供給
ラインに設けられ、フラッシングを行う窒素が供給され
る前に窒素中に含まれるパーチクルのような異物を濾過
するための濾過手段が存在することにより、窒素フラッ
シング中に、濾過手段に累積されたパーチクルが予測不
可能な程度に不規則に放出され、それによってウェーハ
が投入された包装バッグ内に過多なパーチクルが流入す
るという問題点を予防するためである。また真空減圧に
よって、真空減圧の間に包装バッグ内の大気が急速に膨
脹するために起こる温度低下により、大気中の硫酸化物
がウェーハ表面に凝結、付着することが促進され、この
硫酸化物の汚染によってパーチクル汚染を促進させる原
因として作用する問題点が予防できる。したがって、ウ
ェーハの包装後、長期保管安定性を増大させることがで
きる。
【００２５】さらに、安定性を増加させるためにウェー
ハの包装バッグへの包装を清浄度クラス１０の水準に清
浄化された清浄室内で、特に望ましくは大気中の硫酸化
物を減少させた、清浄度クラス１０の水準に清浄化され
た清浄室内で行うことが必要である。ここで、清浄度ク
ラス１０とは、単位容積当たりの空気中にパーチクルの
ような異物が１０個未満しか存在しないことを意味して
いる。
ハの包装バッグへの包装を清浄度クラス１０の水準に清
浄化された清浄室内で、特に望ましくは大気中の硫酸化
物を減少させた、清浄度クラス１０の水準に清浄化され
た清浄室内で行うことが必要である。ここで、清浄度ク
ラス１０とは、単位容積当たりの空気中にパーチクルの
ような異物が１０個未満しか存在しないことを意味して
いる。
【００２６】包装バッグは、ポリエチレン層、接着剤層
およびアルミニウム膜コーティングポリエチレン層を積
層した構造の包装バッグ、特に望ましくはポリエチレン
層、接着剤層、アルミニウム膜コーティングポリエチレ
ン層、ポリエチレン層およびアルミニウム膜コーティン
グポリエチレン層が積層されなされた強化包装バッグを
利用することができる。このような包装バッグまたは強
化包装バッグは、当該技術分野において通常の知識を有
する者にとってこれを商用的に仕入れて使用できる程に
公知である。
およびアルミニウム膜コーティングポリエチレン層を積
層した構造の包装バッグ、特に望ましくはポリエチレン
層、接着剤層、アルミニウム膜コーティングポリエチレ
ン層、ポリエチレン層およびアルミニウム膜コーティン
グポリエチレン層が積層されなされた強化包装バッグを
利用することができる。このような包装バッグまたは強
化包装バッグは、当該技術分野において通常の知識を有
する者にとってこれを商用的に仕入れて使用できる程に
公知である。
【００２７】特に、本発明によるウェーハの包装方法
は、ウェーハ表面に硫酸化物の濃度が３×１０12atoms/
cm2未満しか存在しないようにし、ウェーハを包装バッ
グに投入した後、包装バッグの内部を窒素フラッシング
せず、また真空減圧しないまま包装バッグを密封して包
装することより構成されることを特徴とする。
は、ウェーハ表面に硫酸化物の濃度が３×１０12atoms/
cm2未満しか存在しないようにし、ウェーハを包装バッ
グに投入した後、包装バッグの内部を窒素フラッシング
せず、また真空減圧しないまま包装バッグを密封して包
装することより構成されることを特徴とする。
【００２８】次に、本発明の望ましい実施例および比較
例を記述する。 （比較例１）対照群として清浄度クラス１０の清浄室内
でウェーハを１時間、１日、３日および５日間露出させ
た後、ウェーハ表面を汚染した硫酸化物の汚染度を測定
し、露出時間に対する硫酸化物による汚染度を図１４に
示した。
例を記述する。 （比較例１）対照群として清浄度クラス１０の清浄室内
でウェーハを１時間、１日、３日および５日間露出させ
た後、ウェーハ表面を汚染した硫酸化物の汚染度を測定
し、露出時間に対する硫酸化物による汚染度を図１４に
示した。
【００２９】（実施例１）比較例１と同じ清浄度クラス
１０の清浄室内でウェーハを１時間、１日、３日および
５日間露出させた後、ポリエチレン層、接着剤層および
アルミニウムコーティングポリエチレン層が積層した構
造の包装バッグ内にウェーハを投入し、窒素フラッシン
グと真空減圧を適用せずに、包装バッグを密封してウェ
ーハを包装した後、包装後２３日および４５日が経過し
た後に、これらを取り出して各ウェーハ表面でのパーチ
クル汚染度を測定し、露出時間に対するパーチクル増減
個数を図１５および図１６に示した。図１５は包装後２
３日経過したものであり、図１６は包装後４５日が経過
したものを示している。
１０の清浄室内でウェーハを１時間、１日、３日および
５日間露出させた後、ポリエチレン層、接着剤層および
アルミニウムコーティングポリエチレン層が積層した構
造の包装バッグ内にウェーハを投入し、窒素フラッシン
グと真空減圧を適用せずに、包装バッグを密封してウェ
ーハを包装した後、包装後２３日および４５日が経過し
た後に、これらを取り出して各ウェーハ表面でのパーチ
クル汚染度を測定し、露出時間に対するパーチクル増減
個数を図１５および図１６に示した。図１５は包装後２
３日経過したものであり、図１６は包装後４５日が経過
したものを示している。
【００３０】（実施例２）真空減圧を３秒未満適用し、
ポリエチレン層、接着剤層、アルミニウム膜コーティン
グポリエチレン層、ポリエチレン層およびアルミニウム
膜コーティングポリエチレン層が積層されなされた強化
包装バッグに包装することを除き、実施例１と同じ方法
により各ウェーハ表面でのパーチクル汚染度を測定し、
露出時間に対するパーチクル増減個数を図１７および図
１８に示した。図１７は包装後２３日経過したものであ
り、図１８は包装後４５日が経過したものを示してい
る。
ポリエチレン層、接着剤層、アルミニウム膜コーティン
グポリエチレン層、ポリエチレン層およびアルミニウム
膜コーティングポリエチレン層が積層されなされた強化
包装バッグに包装することを除き、実施例１と同じ方法
により各ウェーハ表面でのパーチクル汚染度を測定し、
露出時間に対するパーチクル増減個数を図１７および図
１８に示した。図１７は包装後２３日経過したものであ
り、図１８は包装後４５日が経過したものを示してい
る。
【００３１】（比較例２）真空減圧を４、５秒以上適用
することを除き、実施例１と同じ方法で各ウェーハ表面
でのパーチクル汚染度を測定し、露出時間に対するパー
チクル増減個数を図１９および図２０に示した。図１９
は包装後２３日経過したものであり、図２０は包装後４
５日が経過したものを示している。
することを除き、実施例１と同じ方法で各ウェーハ表面
でのパーチクル汚染度を測定し、露出時間に対するパー
チクル増減個数を図１９および図２０に示した。図１９
は包装後２３日経過したものであり、図２０は包装後４
５日が経過したものを示している。
【００３２】比較例１の結果、露出時間別にウェーハの
硫酸化物の汚染度は大きく増加せず、３日または５日露
出後にも露出時間にともなう変化が大きく増加しない。
これは大気の清浄度にともなう硫酸化物の汚染度がウェ
ーハの包装による保管安全性に大きな影響をおよぼすこ
とを示している。
硫酸化物の汚染度は大きく増加せず、３日または５日露
出後にも露出時間にともなう変化が大きく増加しない。
これは大気の清浄度にともなう硫酸化物の汚染度がウェ
ーハの包装による保管安全性に大きな影響をおよぼすこ
とを示している。
【００３３】また、実施例１は、図１５および図１６に
示すように、露出時間によってパーチクル汚染個数は大
きく変化せず、低い水準で維持されていることが確認で
き、本発明によるウェーハの包装方法がウェーハの保管
安定性に大きく有利なことを確かめられた。実施例２に
おいても、図１７および図１８に示すように、真空を少
なく適用し、包装バッグを強化包装バッグで包装するこ
とによって、ウェーハの保管安全性を大きく向上させる
ことができることを確認することができた。
示すように、露出時間によってパーチクル汚染個数は大
きく変化せず、低い水準で維持されていることが確認で
き、本発明によるウェーハの包装方法がウェーハの保管
安定性に大きく有利なことを確かめられた。実施例２に
おいても、図１７および図１８に示すように、真空を少
なく適用し、包装バッグを強化包装バッグで包装するこ
とによって、ウェーハの保管安全性を大きく向上させる
ことができることを確認することができた。
【００３４】これは比較例２において、図１９および図
２０に示すように、露出時間５日におけるウェーハでパ
ーチクルの汚染度が大きく増加することから、本発明に
よる包装方法がウェーハの保管に非常に有利なことがわ
かる。
２０に示すように、露出時間５日におけるウェーハでパ
ーチクルの汚染度が大きく増加することから、本発明に
よる包装方法がウェーハの保管に非常に有利なことがわ
かる。
【００３５】特に、ウェーハ露出時間に対する平均粒径
０．１２〜０．１６μmのパーチクルの汚染分布を包装
方法によって区分して測定し、その結果をパーチクル個
数で表した結果を包装後２３日目における結果を図２
１、包装後４５日目における結果を図２２に示した。図
２１および図２２に示された結果を考察すると、４５日
以上の長期間ウェーハを保管しようとする場合、優先的
にウェーハの硫酸化物の汚染を３×１０12atoms/cm2未
満の水準に管理する必要があり、これは清浄度クラス１
０の清浄室内で包装する必要があることを示しており、
特に本発明のように窒素フラッシングや真空減圧を併用
せずに包装することが有利であることを確認することが
できた。
０．１２〜０．１６μmのパーチクルの汚染分布を包装
方法によって区分して測定し、その結果をパーチクル個
数で表した結果を包装後２３日目における結果を図２
１、包装後４５日目における結果を図２２に示した。図
２１および図２２に示された結果を考察すると、４５日
以上の長期間ウェーハを保管しようとする場合、優先的
にウェーハの硫酸化物の汚染を３×１０12atoms/cm2未
満の水準に管理する必要があり、これは清浄度クラス１
０の清浄室内で包装する必要があることを示しており、
特に本発明のように窒素フラッシングや真空減圧を併用
せずに包装することが有利であることを確認することが
できた。
【００３６】
【発明の効果】したがって、本発明によれば、ウェーハ
の包装が簡単であり、包装にともなう貯蔵安定性が高い
新たなウェーハの包装方法を提供することができる。以
上で本発明は記載された具体例に対してだけ詳細に説明
されたが、本発明の技術思想の範囲内で多様な変形およ
び修正が可能なのは当業者にとって明白なことであり、
このような変形および修正が特許請求の範囲に属するこ
とは当然である。
の包装が簡単であり、包装にともなう貯蔵安定性が高い
新たなウェーハの包装方法を提供することができる。以
上で本発明は記載された具体例に対してだけ詳細に説明
されたが、本発明の技術思想の範囲内で多様な変形およ
び修正が可能なのは当業者にとって明白なことであり、
このような変形および修正が特許請求の範囲に属するこ
とは当然である。
【図１】ウェーハの露出時間に対するウェーハ表面の硫
酸化物による汚染度を示すグラフである。
酸化物による汚染度を示すグラフである。
【図２】ウェーハの露出時間に対し、窒素フラッシング
包装後２３日貯蔵した後におけるウェーハ表面の硫酸化
物による汚染度を示すグラフである。
包装後２３日貯蔵した後におけるウェーハ表面の硫酸化
物による汚染度を示すグラフである。
【図３】ウェーハの露出時間に対し、真空減圧包装後２
３日貯蔵した後におけるウェーハ表面の硫酸化物による
汚染度を示すグラフである。
３日貯蔵した後におけるウェーハ表面の硫酸化物による
汚染度を示すグラフである。
【図４】ウェーハの露出時間に対し、強化包装バッグ包
装後２３日貯蔵した後におけるウェーハ表面の硫酸化物
による汚染度を示すグラフである。
装後２３日貯蔵した後におけるウェーハ表面の硫酸化物
による汚染度を示すグラフである。
【図５】ウェーハの露出時間に対し、窒素フラッシング
包装後４５日貯蔵した後におけるウェーハ表面の硫酸化
物におよる汚染度を示すグラフである。
包装後４５日貯蔵した後におけるウェーハ表面の硫酸化
物におよる汚染度を示すグラフである。
【図６】ウェーハの露出時間に対し、真空減圧包装後４
５日貯蔵した後におけるウェーハ表面の硫酸化物による
汚染度を示すグラフである。
５日貯蔵した後におけるウェーハ表面の硫酸化物による
汚染度を示すグラフである。
【図７】ウェーハの露出時間に対し、強化包装バッグ包
装後４５日貯蔵した後におけるウェーハ表面の硫酸化物
による汚染度を示すグラフである。
装後４５日貯蔵した後におけるウェーハ表面の硫酸化物
による汚染度を示すグラフである。
【図８】ウェーハの露出時間に対し、窒素フラッシング
包装後２３日貯蔵した後におけるウェーハ表面のパーチ
クルによる汚染度をパーチクルの増減個数で示すグラフ
である。
包装後２３日貯蔵した後におけるウェーハ表面のパーチ
クルによる汚染度をパーチクルの増減個数で示すグラフ
である。
【図９】ウェーハの露出時間に対し、真空減圧包装後２
３日貯蔵した後におけるウェーハ表面のパーチクルによ
る汚染度をパーチクルの増減個数で示すグラフである。
３日貯蔵した後におけるウェーハ表面のパーチクルによ
る汚染度をパーチクルの増減個数で示すグラフである。
【図１０】ウェーハの露出時間に対し、強化包装バッグ
包装後２３日貯蔵した後におけるウェーハ表面のパーチ
クルによる汚染度をパーチクルの増減個数で示すグラフ
である。
包装後２３日貯蔵した後におけるウェーハ表面のパーチ
クルによる汚染度をパーチクルの増減個数で示すグラフ
である。
【図１１】ウェーハの露出時間に対し、窒素フラッシン
グ包装後４５日貯蔵した後におけるウェーハ表面のパー
チクルによる汚染度をパーチクルの増減個数で示すグラ
フである。
グ包装後４５日貯蔵した後におけるウェーハ表面のパー
チクルによる汚染度をパーチクルの増減個数で示すグラ
フである。
【図１２】ウェーハの露出時間に対し、真空減圧包装後
４５日貯蔵した後におけるウェーハ表面のパーチクルに
よる汚染度をパーチクルの増減個数で示すグラフであ
る。
４５日貯蔵した後におけるウェーハ表面のパーチクルに
よる汚染度をパーチクルの増減個数で示すグラフであ
る。
【図１３】ウェーハの露出時間に対し、強化包装バッグ
包装後４５日貯蔵した後におけるウェーハ表面のパーチ
クルによる汚染度をパーチクルの増減個数で示すグラフ
である。
包装後４５日貯蔵した後におけるウェーハ表面のパーチ
クルによる汚染度をパーチクルの増減個数で示すグラフ
である。
【図１４】比較例１においてウェーハの露出時間に対
し、ウェーハ表面の硫酸化物による汚染度を示すグラフ
である。
し、ウェーハ表面の硫酸化物による汚染度を示すグラフ
である。
【図１５】ウェーハの露出時間に対し、本発明の実施例
１によるウェーハの包装方法を用いて包装後２３日貯蔵
した後におけるウェーハ表面のパーチクルによる汚染度
をパーチクル増減個数で示すグラフである。
１によるウェーハの包装方法を用いて包装後２３日貯蔵
した後におけるウェーハ表面のパーチクルによる汚染度
をパーチクル増減個数で示すグラフである。
【図１６】ウェーハの露出時間に対し、本発明の実施例
１によるウェーハの包装方法を用いて包装後４５日貯蔵
した後におけるウェーハ表面のパーチクルによる汚染度
をパーチクル増減個数で示すグラフである。
１によるウェーハの包装方法を用いて包装後４５日貯蔵
した後におけるウェーハ表面のパーチクルによる汚染度
をパーチクル増減個数で示すグラフである。
【図１７】ウェーハの露出時間に対し、本発明の実施例
２によるウェーハの包装方法を用いて包装後２３日貯蔵
した後におけるウェーハ表面のパーチクルによる汚染度
をパーチクル増減個数で示すグラフである。
２によるウェーハの包装方法を用いて包装後２３日貯蔵
した後におけるウェーハ表面のパーチクルによる汚染度
をパーチクル増減個数で示すグラフである。
【図１８】ウェーハの露出時間に対し、本発明の実施例
２によるウェーハの包装方法を用いて包装後４５日貯蔵
した後におけるウェーハ表面のパーチクルによる汚染度
をパーチクル増減個数で示すグラフである。
２によるウェーハの包装方法を用いて包装後４５日貯蔵
した後におけるウェーハ表面のパーチクルによる汚染度
をパーチクル増減個数で示すグラフである。
【図１９】ウェーハの露出時間に対し、比較例２による
包装後２３５日貯蔵した後におけるウェーハ表面のパー
チクルによる汚染度をパーチクル増減個数で示すグラフ
である。
包装後２３５日貯蔵した後におけるウェーハ表面のパー
チクルによる汚染度をパーチクル増減個数で示すグラフ
である。
【図２０】ウェーハの露出時間に対し、比較例２による
包装後４５日貯蔵した後におけるウェーハ表面のパーチ
クルによる汚染度をパーチクル増減個数で示すグラフで
ある。
包装後４５日貯蔵した後におけるウェーハ表面のパーチ
クルによる汚染度をパーチクル増減個数で示すグラフで
ある。
【図２１】ウェーハの露出時間に対し、包装後２３日経
過した後において平均粒径０．１２〜０．１６μｍのパ
ーチクルによる汚染分布の包装方法による違いを示すグ
ラフである。
過した後において平均粒径０．１２〜０．１６μｍのパ
ーチクルによる汚染分布の包装方法による違いを示すグ
ラフである。
【図２２】ウェーハの露出時間に対し、包装後４５日経
過した後において平均粒径０．１２〜０．１６μｍのパ
ーチクルによる汚染分布の包装方法による違いを示すグ
ラフである。
過した後において平均粒径０．１２〜０．１６μｍのパ
ーチクルによる汚染分布の包装方法による違いを示すグ
ラフである。
Claims (8)
- 【請求項１】 ウェーハを包装バッグに密封して包装す
るウェーハの包装方法であって、 前記ウェーハ表面の硫酸化物の濃度が、３×１０12atom
s/cm2未満であることを特徴とするウェーハの包装方
法。 - 【請求項２】 前記ウェーハを前記包装バッグに密封す
る前に包装バッグの内部を窒素で洗浄しないことを特徴
とする請求項１に記載のウェーハの包装方法。 - 【請求項３】 前記ウェーハを前記包装バッグに密封す
る前に包装バッグの内部を真空減圧しないことを特徴と
する請求項１に記載のウェーハの包装方法。 - 【請求項４】 前記ウェーハの前記包装バッグ内への包
装は、清浄度クラス１０の水準に清浄化された清浄室内
で行われることを特徴とする請求項１に記載のウェーハ
の包装方法。 - 【請求項５】 前記ウェーハの前記包装バッグ内への包
装は、大気中の硫酸化物を減少した、清浄度クラス１０
の水準に清浄化された清浄室内で行われることを特徴と
する請求項４に記載のウェーハの包装方法。 - 【請求項６】 前記包装バッグは、ポリエチレン層と、
接着剤層と、アルミニウム膜コーティングポリエチレン
層とを積層した構造であることを特徴とする請求項１に
記載のウェーハの包装方法。 - 【請求項７】 前記包装バッグは、ポリエチレン層と、
接着剤層と、アルミニウム膜コーティングポリエチレン
層と、ポリエチレン層と、アルミニウム膜コーティング
ポリエチレン層とを積層した構造であることを特徴とす
る請求項１に記載のウェーハの包装方法。 - 【請求項８】 ウェーハ表面の硫酸化物の濃度を３×１
０12atoms/cm2未満にし、前記ウェーハを包装バッグに
投入し、前記包装バッグの内部は窒素洗浄および真空減
圧をせずに前記包装バッグに密封して包装することを特
徴とするウェーハの包装方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970076788A KR100295429B1 (ko) | 1997-12-29 | 1997-12-29 | 웨이퍼의포장방법 |
| KR1997P76788 | 1997-12-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204627A true JPH11204627A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=19529338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10244906A Pending JPH11204627A (ja) | 1997-12-29 | 1998-08-31 | ウェーハの包装方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6170235B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11204627A (ja) |
| KR (1) | KR100295429B1 (ja) |
| TW (1) | TW398058B (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4431239B2 (ja) * | 1999-06-24 | 2010-03-10 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | ウエハ表面汚染状態の測定供用具及び測定方法 |
| US6693020B2 (en) | 2001-03-12 | 2004-02-17 | Motorola, Inc. | Method of preparing copper metallization die for wirebonding |
| KR101235265B1 (ko) * | 2010-12-15 | 2013-02-20 | 서강대학교산학협력단 | 신규한 슈도알테로모나스 속 미생물 및 그가 분비하는 아가레이즈 |
Family Cites Families (4)
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