KR19990029878A - 열 보조 감광성 조성물 및 그의 사용 방법 - Google Patents

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미리암 디. 메코너헤이
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Abstract

본 발명은
(1) 일종 이상의 아크릴 단량체,
(2) 광개시 시스템,
(3) 열 보조 촉매 및
(4) 산성 아크릴 중합체
를 포함하는 (b) 유기 매체에 분산된 (a) 미분 전기 전도성 또는 유전 입자의 혼합물을 포함하는 감광성 후막 조성물에 관한 것이다.

Description

열 보조 감광성 조성물 및 그의 사용 방법
본 발명은 열 보조 촉매를 갖는 개선된 감광성 후막 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 그러한 조성물을 이용하는 단일 인쇄 방법에 관한 것이다.
후막 도체 조성물의 광패턴화는 오랫동안 고밀도 회로에서 발견되는 극미세선(76.2 μm(3 mil) 이하의 선/공간 피치)을 얻는데 사용되었다. 불행히도, 광패턴화법에 의해 수득가능한 선의 두께 또는 높이는 다소 낮았다. 감광법에서 사용되는 조성물에서 발견된 금속 분말은 불투명하기 때문에, 그 표면은 표면 아래의 가교를 이루기 위하여 과노출되어야 한다. 과노출은 언더커트(undercut) 및 연부 컬(curl) 현상을 유도한다. 노출시에, 패턴화된 인쇄물의 상면 폭은 밑에 있는 영역보다 더 커서 현상 중에 패턴화된 연부의 언더커트가 일어나고, 그 후에 패턴화된 인쇄물이 고온에서 소결될 때 연부 컬이 일어난다.
추가로 설명하면, 연부 컬 및 언더커트 문제는 UV광을 강하게 흡수하는 미립자상을 갖는 광패턴화된 막에서 일어나는 강한 표면 중합에 의해 야기된다. 아크릴 단량체는 중합 중에 수 % 이상(18 % 정도) 수축하기 때문에, 상면 위에서만 중합하는 막은 2가지 작용을 할 것이다. 먼저, 그것은 표면에서 단량체가 강하게 가교하도록 할 것이다. 두번째로, 중합된 층 바로 아래의 단량체는 중합된 영역의 경계로 이동하며, 그것은 그 경계에서 부분 중합된 물질과 반응한다. 따라서, 중합된 영역 바로 아래의 영역에서 단량체가 고갈되어서 중합 표면 바로 아래의 막 내의 영역이 현상 중에 더욱 신속히 세척되도록 한다. 그러나, 가교된 상면 영역 및 단량체가 고갈되지 않은 경계 아래의 막 영역은 둘 다 더욱 서서히 세척된다. 이로 인해, 중합 경계와 막의 더 깊은 비중합된 부분 사이의 지점에서 패턴화된 형태를 갖는 연부 내의 갭이 세척된다. 막 연부의 상면 및 저면 영역은 사실상 이러한 접힌 금 또는 갭에 의해 끊어지기 때문에, 소성 중에 두 영역은 별도로 소결되어 상면 영역이 위로 상향하여 당겨지게 된다. 막의 표면 영역이 가장 강력하게 중합되며 최고 농도의 단량체를 갖기 때문에 연부 컬이 상향으로 뒤집어지는 것으로 생각된다. 그 막의 상층의 유기 함량이 더 높기 때문에, 막은 더 낮은 금속 함량을 가지며, 표면 아래의 더 높은 금속 함량을 갖는 영역보다 소성 중에 더 많이 수축할 것이다. 이것은 바이메탈(bimetallic) 스트립 또는 열경화 수지에서와 유사한 상황을 나타낸다. 한 층은 다른 층보다 더 많이 수축하며, 막은 그 방향, 즉 상향으로 컬링된다.
노출된 막의 표면 부근에서의 과도한 가교가 충분히 감소될 수 있다면, 원칙적으로, 노출된 막 아래의 연성 영역은 없을 것이며, 따라서 언더커트 또는 연부 컬이 없을 것이다. 예를 들면, UV광에 더 많이 노출된 막에 비해 덜 노출된 금(gold) 막에서 연부 컬이 감소되는 것이 입증되었다. 덜 노출될 때의 문제점은 미세한 형태가 상실되는 것이며, 따라서 노출이 감소될 때 분해능 및 연부 명확도 모두에 문제가 생긴다. 본 발명은 이러한 문제점의 해결책을 제공한다.
그러므로, 본 발명의 목적은 소성 후에 수득가능한 미세선 높이를 12 미크론 이상으로 증가시키는 동시에, 고급 패턴을 형성하는데 필요한 UV광에 대한 노출 강도를 실질적으로 감소시키면서 연부 컬을 감소 또는 제거하는 것이다. 이러한 목적은 신규한 조성물, 및 그 열 보조 촉매를 조성물에 사용함으로써 광이 인쇄된 층을 완전히 투과할 필요가 없는 방법에 의해 이루어진다.
본 발명은
(1) 일종 이상의 아크릴 단량체,
(2) 광개시 시스템,
(3) 열 보조 촉매 및
(4) 산성 아크릴 중합체
를 포함하는 (b) 유기 매체에 분산된 (a) 미분 전기 전도성 또는 유전 입자의 혼합물을 포함하는 감광성 후막 조성물에 관한 것이다.
본 발명은 또한,
a. 기재 상의 패턴화될 면이 커버되도록 제3항의 페이스트를 4 내지 20 미크론의 두께를 갖는 소결된 패턴을 형성하기에 충분한 양으로 도포하는 단계;
b. 부분적인 열 유도성 중합을 일으킴과 동시에 용매를 제거하기에 충분한 온도에서 페이스트를 건조하는 단계;
c. 잠상이 형성되도록 패턴식 건조 페이스트를 화학선에 이미지식 노출하는 단계;
d. 인쇄물의 노출된 면에서 가교를 유도하는 추가의 중합이 유도되어 노출된 면이 현상액에 불용성이 되도록 패턴화된 페이스트를 열 처리하는 단계;
e. 패턴화된 페이스트의 비노출된 면이 씻겨지도록 적당한 현상액에서 패턴화된 페이스트를 현상하는 단계;
f. 패턴화된 페이스트를 소결하는 단계
로 이루어진 일련의 단계를 포함하는, 기재 상에 미세 도체 선을 형성하는 단일 인쇄 방법에 관한 것이다.
본 발명의 방법과 관련된 신규 조성물은 연부 컬 및 언더커트를 감소 또는 제거시킨다. 본 발명의 일면은 입자 팩킹(packing)을 실질적으로 개선시키고 광 투과를 향상시키는 개선된 입도 선택에 기인한다. 최적화된 입도의 다른 잇점은 패턴화 전에 필요한 막 두께의 감소이다. 현재 산업계에서 이용되는 바람직한 입도 분포(PSD)는 평균 2 내지 3 미크론의 단일 방식이며, 단일 방식의 PSD를 갖는 보다 작은 입자는 빛을 과도하게 흡수하고 광중합은 지연된다. 막을 투과하고 막 내의 단량체의 적절한 중합을 이루기 위해서, 2 내지 3 미크론 PSD에서도 강한 노광이 필요하다. 그 결과 두께 6 미크론 이하의 미세 선에 대한 고 분해능 및 양호한 연부 명확도가 얻어진다. 이 방법에 필요한 금속 분말로부터 형성된 막의 불투명도에 의해, 8 내지 9 미크론의 소성 두께에서 크랙킹이 개시되면서 두께가 증가됨에 따라 연부 컬이 신속하게 증가된다. 5 내지 6 미크론을 초과하는 목적하는 두께를 갖는 막은, 막 전체에서 광중합에 좌우될 수 없다. 본 발명은 단일 방식의 크기 분포를 선호하지 않는다. 많은 유형의 금 또는 은 분말, 또는 다른 전도성 또는 유전성 고상물, 바람직하게는 구형 입자가 본 발명을 실시하는데 사용될 수 있다. 목적하는 입도 분포를 이루기 위해 많은 유형이 혼합될 수 있다. 원칙적으로, 설명된 방식은, 유기 레지스트의 고상 충전제가 조성물의 광중합을 방해할 정도로 빛을 흡수하기만 한다면, 임의의 고상 시스템에 이용가능하다. 바람직한 조성물은, 입도가 주의깊게 선택된, 즉 조성물에서 발견된 최대 입자의 평균 입도가 8 미크론 이하이고, 바람직한 크기는 3 미크론 이상인 분말의 삼중 방식 전기 전도성 배합물의 사용을 포함한다. 그 다음의 최대 크기는 바람직하게는 최대 크기의 ½ 내지 ⅛일 것이며, 최소 분획은 바람직하게는 두 번째 분획 크기의 ½ 내지 ⅛일 것이다. 체적 관계는 바람직하게는 각 분획물에 대해 부피 기준으로 10:3:1 내지 4:2:1의 범위(큰 것: 중간 것: 작은 것)에 가깝다. 분말 입도에 대한 다른 선택은, 큰 입자(3 내지 8 미크론 PSD) 및 작은 입자(0.4 내지 4 미크론 PSD)의 혼합물과 같은, 이중 방식의 입도 분포를 갖는 조성물일 것이다. 본 발명의 이중 방식 조성물의 바람직한 범위는 4:1 내지 1:1이고, 더욱 바람직하게는 이중 방식 혼합물의 더 작은 입자는 더 큰 입자의 부피 기준으로 약 ⅓이다. 예를 들면, 5 미크론 크기의 입자가 사용된다면, 더 작은 입자는 0.6 내지 2.5 미크론인 것이 바람직하다. 이중 방식을 이용하는 잇점은 더 높은 고상 부하량 및 더 양호한 유동학적 조절에 관해서는 삼중 방식 입도 분포의 것 만큼 크지 않지만, 이중 방식의 방법은 전체 성능 면에서 단일 방식 입도 분포의 것 보다 바람직하다. 무기 고상물로서 칭해지는 미분 전기 전도성 또는 유전성 고상물은 조성물의 50 내지 88 중량%를 구성하며, 바람직한 범위는 유전 고상물의 경우 50 내지 60 중량%, 은 입자의 경우 65 내지 78 중량% 및 금 입자의 경우 78 내지 88 중량%이다.
선 형성을 위한 만족스러운 패턴을 형성하기 위해 막 전체를 중합화할 필요는 없다. 노출된 물질의 안정한 상부층은, 표준 포토레지스트가 아래쪽의 구리 호일을 보호하여 에칭된 구리 회로를 형성하는 것과 아주 동일한 방법으로, 밑에 있는 비중합된 막을 보호한다. 또한, 계산 결과는 다중 방식 입도 분포에 의해 상당한 양의 빛이 막을 투과하게 된다는 것을 나타내었다. 이것은, 주요 분획에 대해서 더 큰 PSD 물질을 사용하고, 더 작은 입자를 이용하여 더 큰 입자 사이의 공극을 채우는 것을 기초로 한다. 더 작은 입자는 다른식으로는 점유되지 않을 더 큰 입자의 위 및 아래 공간을 점유하기 쉽고, 이 입자들은 효과적인 광 흡수에 기여하지 않는데, 그 이유는 사실상 그들이 더 큰 입자의 그림자를 점유하기 때문이다. 주어진 금속 함량에 요구되는 두께를 감소시키는 더 높은 고상 부하량이 또한 발생된다. 밑에 있는 층을 빛으로부터 그늘지게 하는 더 큰 입자의 불투명도가, 조성물 중에 열 촉매를 사용함으로써 더 강화되기 때문에, 밑에 있는 층은 빛에 노출되지 않는다. 열 촉매가 막 전체에 반응이 수행되도록 함으로써 포토레지스트는 부분적으로 가교되지만 알칼리 세척액에 여전히 가용성으로 남아있다. 막을 UV 광으로 노출시키는 과정에서, UV 에너지의 상당한 부분이 단량체 분자를 다른 단량체 분자와 반응하게 하여 이량체 또는 비교적 낮은 MW의 올리고머가 되도록 한다. 많은 잔류 UV 에너지는 이량체를 다른 분자와 반응하게 하여 삼량체 및 올리고머가 되도록 한다. 이 시점에서, 막은 탄산염 용액에 여전히 가용성이지만, 소량의 추가의 중합은 막이 상당한 정도로 가교되고 불용성이 되도록 할 것이다. 본 명세서에 기재된 방법에서는, 단량체 함유 중합체 막의 이러한 특성을 이용하여 적당한 가교를 일어나게 하여 표면층을 과도하게 중합시키고, 과도한 언더커트/연부 컬을 야기시키는 다량의 UV광을 사용하지 않고 고 분해능을 얻을 수 있다. 많은 양의 가교가 열적으로 수행되므로, 노출된 면을 불용화시키는데 비교적 소량의 UV 노출이 필요하다. 이러한 방법은 다량의 단량체가 막의 표면으로 이동하는 것을 방지함으로써 막에서 단량체가 고갈된 표면 바로 아래 면의 연부에서의 연부 변형(연부 컬) 뿐만 아니라 언더커트를 감소시킨다. 열 보조 촉매는 바람직하게는 수분 내지 30분 동안 고온에서 숙성시킴으로써 활성 단량체 부위의 반응을 70%까지 가능하게 할 만한 충분한 농도의 유리기 촉매이다. 전형적으로, 조성물의 유기 매체 부분의 0.3 내지 1.2 중량%, 바람직하게는 0.4 내지 1.0 중량%가 촉매이다. 열 보조 촉매의 예로는 바조(Vazo)(등록상표) 88 (1,1'-아조비스시클로헥산카르코니트릴), 바조(등록상표) 64 (2-메틸, 2,2'-아조아비스프로판니트릴) 및 바조(등록상표) 52 (2,4-디메틸, 2,2'-아조비스펜탄니트릴)이 있으며, 모든 제품은 이. 아이. 듀폰 드 네모아 앤드 캄파니(델라웨어주 윌밍톤 소재)로부터 구입할 수 있다.
조성물의 총 유기 부분의 10 내지 33 중량%, 바람직하게는 15 내지 30 중량%, 바람직하게는 15 내지 35 중량%는 사, 이 또는 일관능가 단량체와 배합될 수 있는, 일반적으로 삼관능가의 단량체 또는 저분자량(전형적으로 3000 A.U., 바람직하게는 1000 A.U.) 아크릴산 에스테르로 구성된다. 본 명세서에 정의된 삼관눙가는 3개의 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트기를 함유하는 에스테르이다. 예를 들면, TEOTA 1000은 단일의 순수한 조성물은 아니지만, 아크릴레이트와 트리메틸올프로판 사이에 수개의 산화 에틸렌 잔기를 갖는 트리메틸올프로판의 아크릴레이트 에스테르이다. TEOTA 1000은 산화 에틸렌, 트리메틸올프로판 및 아크릴산을 반응시킴으로써 생성되며 1000의 평균 분자량을 갖는다. 마찬가지로, TMPTA는 아크릴산 3몰로 에스테르화된 트리메틸올프로판 1분자로 구성되어 트리메틸올프로판트리아크릴레이트(산화 에틸렌이 첨가되지 않음)을 형성한다. 라우릴 알코올 및 메타크릴산의 에스테르(라우릴 메타크릴레이트)는 단량체에 첨가될 수 있다. 이러한 첨가는 가교 결합을 감소시키고 분자량을 제한하기 때문에(하나만의 관능기이므로, 가교 결합이 덜 광범위함), 막 표면에서의 유기 물질의 양을 감소시키는 것으로 예상된다.
건조된 막을 함께 지지하고 후막 페이스트에 점도를 추가하는데 사용된 중합체 성분은 메틸 메타크릴레이트 및 유리 메타크릴산의 공중합체이다. 메타크릴산과 메틸 메타크릴레이트의 바람직한 비는 5:1 내지 3:1이다. 전형적으로, 중합체의 단량체 단위의 15% 미만이 메타크릴산이면, 중합체는 탄산염 용액에서의 현상을 가능케 하기에 불충분하게 수용성일 것이다. 메타크릴산이 30%를 초과하면, 그 중합체는 지나치게 가용성이 되어 너무 쉽게 씻어내어지게 된다. 분자량(MW)에 관해서 보면, 스크린 인쇄된 광패턴화가능한 페이스트에서 저분자량은 저점도 용액을 형성하므로 유리하다. 이 조성물은 수지 및 무기 고상물 둘다의 높은 고상 부하량을 갖는 쉽게 인쇄가능한 조성물을 가능케하는 고수지 함량 및 저분자량을 필요로 한다. 저 MW 수지를 이용한 막이고 MW 중합체를 이용한 막보다 더 부서지기 쉽기 때문에, 기재 상의 테이프(tape-on-substrate; TOS) 조성물은 비.에프. 굿리치(B.F. Goodrich) XPD-1034와 같은 더 높은 MW 수지를 이용하는 경향이 있다. 이러한 물질은 낮은 고상 슬립으로부터 유연되기 때문에, 유동학적 특성에 대한 높은 고상 부하량의 효과는 적용되지 않는다. 더 높은 MW는 XPD-1234로 만들어진 막보다 덜 부서지고 굴곡을 더 쉽게 견딜 수 있는 막을 제공한다.
메틸 메타크릴레이트는 다 소성될 필요가 있는 후막 조성물에 사용되는 조성물에 바람직한데, 그 이유는 메틸 메타크릴레이트가 비교적 저온에서 깨끗하게 다 소성되기 때문이다. 특히 질소 소성에서의 차이점은 메타크릴레이트 대 아크릴레이트로 만들어진 막을 다 소성시키는 데에서 알 수 있다. 메타크릴레이트 단량체 중에는 아크릴레이트 기재 단량체 보다 더 서서히 중합하는 것도 있다. 사실상, 아크릴레이트는 더 빠른 노출 시간 때문에 이용된다.
본 발명에 사용하기에 적합한 광개시 시스템은 185 ℃에서 또는 그 미만에서 열불활성이지만 화학선에 노출될 때 유리기를 형성하는 것이다. 전형적으로, 광개시 시스템은 유기 매체의 약 3 내지 9 중량%, 바람직하게는 5 내지 7 중량%를 구성한다. 이것의 예로는 콘쥬게이트된 탄소고리식 고리 시스템내에 2개의 고리내 탄소 원자를 갖는 화합물인 치환 또는 비치환된 다핵 퀴논, 예를 들면 9,10-안트라퀴논, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논, 9,10-페난트렌퀴논, 벤즈안트라센-7,12-디온, 2,3-나프타센-5,12-디온, 2-메틸-1,4-나프토퀴논, 1,4-디메틸-안트라퀴논, 2,3-디메틸안트라퀴논, 2-페닐-안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논, 레텐퀴논, 7,8,9,10-테트라히드로나프트라센-5,12-디온, 및 1,2,3,4-테트라히드로벤즈안트라센-7,12-디온을 들 수가 있다. 일부가 85 ℃ 만큼 낮은 온도에서 열활성화될 수 있긴 하지만, 역시 유용한 다른 광개시제가 미국 특허 제2,760,863호에 개시되어 있으며, 그 예로는 비시날 케탈도닐 알코올, 예를 들면 벤조인, 피발로인, 아실로인 에테르, 예를 들면 벤조인 메틸 및 에틸 에테르; α-메틸벤조인, α-알릴벤조인 및 α-페닐벤조인을 포함한 α-탄화수소-치환된 방향족 아실로인을 들 수가 있다. 미국 특허 제2,850,445호, 2,875,047호, 3,097,096호, 3,074,974호, 3,097,097호 및 3,145,104호에 개시된 광환원성 염료 및 환원제 뿐만 아니라 미국 특허 제3,427,161호, 3,479,185호 및 3,549,367호에 기재된 로이코 염료 및 그의 혼합물을 비롯한 수소 공여체를 갖는 2,4,5-트리페닐이미다졸릴 이량체, 페나진, 옥사진, 및 퀴논류, 마이클러 케톤, 벤조페논의 염료가 개시제로서 사용될 수 있다. 광개시제 및 광억제제와 함께 유용한 것은 미국 특허 제4,162,162호에 기재된 증감제이다.
본 발명에 사용될 수 있는 유리 프릿은 무기 결정성 미립자를 소결시키는 데 도움이 되며, 세라믹 고상물의 것 보다 낮은 융해 온도를 갖는 임의의 공지된 조성물로 이루어질 수 있다. 그럼에도 불구하고, 장치의 적절한 밀폐를 위해서는, 무기 결합제의 유리 전이 온도(Tg)가 550 내지 825 ℃인 것이 바람직하며, 더욱 바람직한 온도는 575 내지 750 ℃이다. 용융이 550 ℃ 미만에서 일어나는 경우, 유기 물질은 아마 캡슐화될 것이며, 유기물이 분해할 때 유전층에 수포가 형성되기 쉬울 것이다. 한편, 구리 금속화에 적합한 소결 온도, 예를 들면 900 ℃가 이용될 때 825 ℃ 이상의 유리 전이 온도는 다공성 유전체를 형성하기 쉬울 것이다.
가장 바람직하게 사용되는 유리 프릿은 붕규산염 프릿, 예를 들면 납 붕규산염 프릿, 비스무스, 카드뮴, 바륨, 칼슘 또는 다른 알칼리 토붕규산염 프릿이다. 그러한 유리 프릿의 제조 방법은 잘 알려져 있으며, 그 제조 방법은 예를 들면 구성 성분의 산화물 형태의 유리의 구성 성분을 함께 용융시키고 그러한 용융 조성물을 물에 붓거나 또는 그렇지 않으면 신속히 냉각하여 고도로 변형된 입자를 형성하고 그후에 추가로 밀링히여 프릿을 형성하는 것으로 이루어진다. 물론, 배치 성분은 일반적인 프릿 생성 조건하에서 목적하는 산화물을 형성할 임의의 화합물일 수 있다. 예를 들면, 산화 붕소는 붕산으로부터 얻어질 것이며, 이산화 규소는 탄산 바륨 등으로부터 형성될 것이다. 유리는 바람직하게는 물과 함께 진동 밀(스웨코 코포레이션)에서 밀링되어 프릿의 입도를 감소시키고 실질적으로 균일한 크기의 프릿을 얻는다.
그후에, 프릿은 바람직하게는 세라믹 고상물과 유사한 방법으로 가공된다. 고상 조성물은 응집물이 없어야 하기 때문에 프릿을 미세한 메쉬 스크린을 통과시켜 큰 입자를 제거한다. 세라믹 고상물과 같이 무기 결합제는 10 ㎡/g 이하의 표면 대 중량비를 가져야 하며, 입자의 90 중량% 이상은 바람직하게는 1 내지 10 ㎛의 입도를 갖는다.
더 크고 더 작은 입자 모두의 동일한 중량부로 정의된, 무기 결합제의 d50은 세라믹 고상물의 것과 동일하거나 또는 더 적은 것이 바람직하다. 정해진 입도의 세라믹 고상물을 위해서, 무기 결합제 크기가 감소할 때 밀폐시키는데 필요한 무기 결합제/세라믹 고상물의 비는 감소할 것이다. 세라믹 고상물-무기 결합제 시스템이 제공된 경우에, 세라믹 고상물에 대한 무기 결합제의 비가 밀폐에 필요한 것 보다 상당히 더 높으면, 유전층은 소성시에 수포를 형성하기가 쉽다. 그 비가 아주 낮으면, 소성된 유전층은 다공성이 되어서 밀폐되지 않을 것이다.
분산제는 유기 중합체 및 단량체에 의한 무기 물질의 효율적인 습윤화에 사용될 수 있다. 분산제는 중합체 결합제가 무기 고상물을 회합하거나 또는 습윤시키도록 하는 작용을 하여 응집체 유리 시스템을 제공한다. 적합하게 사용되는 분산제는 일반적으로 문헌[Use of A-B Block Polymers as Dispersants for Non-aqueous Coating Systems by H.L. Jakubauskas, Journal of Coating Technology, Vol. 58; Number 736; Pages 71-82]에 기재된 A-B 분산제이다. 유용한 A-B 분산제는 본 명세서에 참고로 인용된 미국 특허 제3,684,771호, 3,788,996호, 4,070,388호 및 4,032,698호 및 영국 특허 제1,339,930호에 기재된다. 바람직한 부류의 A-B 분산제는 하기 화학식 1로 표시되는 미국 특허 제4,032,698호(상기 참조)에 개시되어 있다.
상기 식에서,
Q는 a. 탄소 원자수 1 내지 18의 알칸올과 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르; b. 스티렌 또는 아크릴로니트릴; c. 에스테르 잔기가 2 내지 18개의 탄소 원자를 함유하는 비닐 에스테르의 중합 또는 공중합 세그먼트이고,
X는 연쇄 이동제의 잔기이고,
Y는 이소시아네이트기의 제거 후의 디-, 트리- 또는 테트라이소시아네이트기의 잔기이고,
A는 반응 전에 본체로서 5 내지 14의 pKα값을 갖는 염기성 기의 잔기, 또는 그의 염이고,
m 및 n은 전체가 4를 넘지 않는 1, 2 또는 3이되, n이 2 또는 3일 때, A만이 정의된 바와 같을 필요가 있다.
이 부류의 특히 바람직한 것은 하기 화학식 2로 표시되는, 이후에 A-B 분산제 I로서 칭해지는 중합 물질이다.
상기 식에서, Q는 6000 내지 8000의 중량 평균 분자량을 갖는 메틸메타크릴레이트 중합 세그먼트이다. 또한, 특히 바람직한 것은 하기 화학식 3으로 표시되는 중합 물질류의 것이다.
상기 식에서, Q는 약 20 단위의 부틸 메타크릴레이트를 함유하는 알킬 메타크릴레이트 중합 세그먼트이고, n은 20이고, m은 8 내지 12이고, R은 연쇄 정지제 잔기이다. 이 분산제는 이후에 A-B 분산제 II로서 칭해진다.
용매, 단량체, 중합체, 억제제, 임의로 안정화제, 분산제, 가소제 및 미량의 다른 성분의 배합물은 유기 매체로서 불리운다. 유기 매체는 후막 조성물 약 12 내지 50 중량%를 구성한다. 유기 매체는 제일 먼저 고상물이 적당한 안정도로 분산될 수 있는 것이어야 한다. 두번째로, 유기 매체의 유동학적 특성은 분산액에 양호한 도포 특성을 제공하도록 해야 한다. 감광성 후막 조성물은 전형적으로 묽은 탄산염 수용액에 가용성인 아크릴 수지를 이용한다. 용매의 혼합물일 수 있는 유기 매체의 용매 성분은, 중합체의 완전한 용액을 얻을 수 있고 대기압에서 비교적 낮은 수준의 열을 가하여 분산액으로부터 용매가 휘발되도록 하기에 충분히 높은 휘발성을 갖는 것으로 선택된다. 또한, 용매는 열 촉매를 제외한 유기 매체 중에 함유된 다른 첨가제의 비점 및 분해 온도 아래에서 증발되어야 한다. 따라서, 100 ℃ 아래에서 쉽게 증발될 수 있는 용매가 가장 일반적으로 사용된다. 그러한 용매로는 2,2,4-트리에틸 펜탄디올-1,3-모노-이소부티레이트 및 에틸렌 글리콜 모노-n-프로필 에테르와 같은 에틸렌 글리콜 모노알킬 및 디알킬 에테르가 있다. 예를 들면, 이스트맨 케미칼스(Eastman Chemicals) 제품의 TEXANOL(등록 상표)은 광패턴화가능한 조성물에 용매로서 적합하게 사용되었다. 막 유연성에 있어서, 염화 메틸렌과 같은 용매가 그의 휘발성 때문에 바람직하다. 후막 페이스트 대신 그린 테이프의 형성시에, 마무리된 테이프의 조성은 결합제 중합체의 Tg를 낮추기 위해 더 많은 가소제가 첨가된 인쇄 및 건조된 페이스트의 조성과 유사하다. 가소제는 세라믹 기재에 대한 우수한 접합을 확실하게 하고 조성물의 비노출된 면의 현상가능성을 증가시킨다. 가소제의 선택은 물론 개질되어야 할 중합체에 의해 주로 결정된다. 각종 결합제 시스템에 사용되었던 가소제 중에는 디에틸 프탈레이트, 디부틸 프탈레이트, 부틸 벤질 프탈레이트, 디벤질 프탈레이트, 알킬 포스페이트, 폴리알킬렌 글리콜, 글리세롤, 폴리(에틸렌 옥사이드), 히드록시 에틸화된 알킬 페놀, 트리크레실 포스페이트, 트리에틸렌글리콜 디아세테이트 및 폴리에스테르 가소제가 있다. 디부틸 프탈레이트는 비교적 적은 농도로 효과적으로 사용될 수 있으므로 아크릴 중합체 시스템에 자주 사용된다.
본 발명의 감광성 조성물은 지지 막 상에 피복될 때 테이프로서 칭해진다. 이러한 테이프에서는 롤 형태로 저장될 때 감광층과 지지체의 이면 사이의 블록킹을 방지하기 위하여 제거가능한 커버 시이트에 의해 감광층을 보호할 필요가 있거나 또는 적어도 보호하는 것이 아주 요망된다. 또한, 그 층과 포토툴 사이의 블록킹을 방지하기 위하여 화상 노출 중에 제거가능한 지지 막에 의해 기재에 접합된 층을 보호할 필요가 있다.
광중합성 조성물은 약 25 내지 50 미크론(0.001 내지 0.010 인치) 이상의 건조 피복 두께에서 지지 막 상에 피복된다. 바람직하게는 고도의 치수 안정성을 갖는 적합한 박리가능한 지지체는 고중합체, 예를 들면 폴리아미드, 폴리올레핀, 폴리에스테르, 비닐 중합체 및 셀룰로오스 에스테르로 구성된 각종 막으로부터 선택될 수 있으며, 13 미크론(0.0005 인치) 내지 약 200 미크론(0.008 인치) 이상의 두께를 가질 수 있다. 박리가능한 지지체를 제거하기 전에 노출이 이루어지면, 물론 지지체는 실질적인 부분의 화학선 입사 광선을 그 위에 투과시켜야 한다. 박리가능한 지지체가 노출 전에 제거된다면, 그러한 제한은 적용되지 않는다. 특히 적합한 지지체는 약 0.001 인치(∼25 미크론)의 두께를 갖는 투명한 폴리에틸렌 테레프탈레이트 막이다.
조성물이 제거가능한 보호 커버 시트를 함유하지 않고 롤 형태로 저장된다면, 박리가능한 지지체의 이면은 바람직하게는 광중합성 층과의 블록킹을 방지하기 위하여 그위에 도포된 왁스 또는 실리콘과 같은 물질의 얇은 박리층을 갖는다. 별법으로, 피복된 광중합성 층에 대한 점착성은 피복될 지지체 표면을 화염 처리하거나 또는 방전 처리함으로써 우선적으로 증가될 수 있다.
적합한 제거가능한 보호 커버 시이트는 사용된다면 동일한 군의 상기한 고중합체 막으로부터 선택될 수 있으며 동일한 범위의 두께를 가질 수 있다. 약 25 미크론(0.001 인치) 두께의 폴리에틸렌의 커버 시트가 특히 적합하다. 상기한 지지체 및 커버 시트는 사용 전에 저장 중에 광중합성 레지스트층에 우수한 보호능을 제공한다. 유기 물질에 대한 무기 고상물의 비는 무기 고상물의 입도, 유기 성분 및 무기 고상물의 표면 전처리법에 좌우된다. 입자가 유기실란 커플링제로 처리되는 경우, 유기 물질에 대한 무기 고상물의 비는 증가될 수 있다. 소성 결함을 최소화하기 위하여 유기 물질을 저농도로 사용하는 것이 바람직하다. 유기 물질에 대한 무기 물질의 비는 가능한 한 높아야 하는 것이 특히 중요하다. 본 발명에 사용하기에 적합한 유기실란은 RSi(OR')3(여기서, R'은 메틸 또는 에틸이고, R은 알킬, 메타크릴옥시프로필, 폴리알킬렌 옥사이드 또는 막의 유기 매트릭스와 상호작용하는 다른 유기 관능기로부터 선택됨)에 해당하는 것이다.
한편, 분산액이 후막 페이스트로서 도포되어야 할 때, 통상의 후막 유기 매체는 적절한 유동학적 조절되며 낮은 휘발성 용매를 사용함으로써 이용될 수 있다.
본 발명의 조성물이 후막 조성물로서 제제화될 때, 그것은 일반적으로 스크린 인쇄에 의해 기재에 도포될 것이다. 그러므로, 그것은 쉽게 스크린을 통과할 수 있도록 적절한 점도를 가져야 한다. 유동학적 특성은 가장 중요한 것인 한편, 유기 매체는 바람직하게는 기재에 대한 고상물의 적절한 습윤성, 양호한 건조 속도, 거친 취급을 견디기에 충분한 건조 막 강도 및 양호한 소성 특성을 제공하도록 제제화된다. 소성된 조성물의 만족한 형태도 또한 중요하다.
분산액 중의 무기 고상물에 대한 유기 매체의 비는 상당히 가변적이며 분산액이 도포되는 방법 및 사용될 유기 매체의 종류에 좌우될 수 있다. 일반적으로, 양호한 피복 면적을 얻기 위하여, 분산액은 보충으로 50 내지 90 중량%의 고상물 및 50 내지 10 중량%의 유기 매체를 함유할 것이다. 그러한 분산액은 일반적으로 반유동체 굳기(consistency)를 가지며 통상적으로 페이스트로서 칭해진다.
페이스트는 삼체 롤 밀 상에서 용이하게 제조된다. 페이스트의 점도는 전형적으로 25 내지 200 라스칼-초의 범위내에 든다. 이용되는 유기 매체(매질)의 양 및 유형은 최종적으로 목적하는 제제 점도 및 인쇄 두께에 의해 주로 결정된다.
미량의 다른 성분, 예를 들면 안료, 염료, 열 중합 방지제, 유기실란 커플링제와 같은 접착 촉진제, 가소제, 폴리에틸렌 산화물과 같은 피복 보조제 등은, 광중합성 조성물이 그의 필수 특성을 유지하기만 한다면, 광중합성 조성물에 존재할 수 있다. 유기실란은 무기 입자의 중량을 기준으로 3 중량% 이하의 양으로 사용되는 것이 특히 유용할 수 있다. 처리된 입자는 유기물을 보다 적게 필요로 한다. 따라서, 피복물 중의 유기 물질의 농도는 감소될 수 있으며, 그 결과 소성 시에 더 쉽게 소성 종료된다. 유기실란은 또한 분산 특성을 개선시킬 수 있으며, 동등한 밀폐도에서 무기 결합제/세라믹 고상물의 비를 더 낮출 수 있다.
감광성 피복 조성물은 통상적으로 예를 들면, 기재에 도포되는 막 형태로 또는 실크 스크린에 의해 도포되는 페이스트 형태로, 층의 형성에 있어서 서밋(cermet) 막에 적합한 기재에 도포된다. 페이스트로서 도포될 때, 충분한 층이 형성되어 패턴화될 면이 커버되고 4 내지 20 미크론의 마무리된 소결층이 형성된다. 그 후에, 그 층은, 열 유도된 중합을 일으킴과 동시에 임의의 용매가 존재하는 경우 이를 제거시키기에 충분한 온도(전형적으로, 80 내지 120 ℃)에서 열 처리된다. 조성물이 테이프로서 도포될 때, 상기한 열 처리는 최종 용도의 필요에 따라 필요하거나 또는 필요하지 않을 수 있다. 나머지 단계는 페이스트로서 또는 테이프로서 생긴 층에 대해 동일하기 때문에, 용매가 전혀 없는 페이스트, 또는 테이프는 나머지 공정 설명에서 층으로서 함께 칭해질 것이다. 그후에, 그 층은 화학선에 이미지식 노출되어 화학선에 노출된 면 및 노출되지 않은 면이 얻어진다.
그 층은 다시 현상액에서 불용성이 되는 아주 짧은 점으로 열 경화된다. 이 공정에 의해, 열 보조 없이 필요한 양의 ⅓ 이하 정도의 비교적 소량의 화학선 노출, 예를 들면 자외선(UV) 노출 만이 층을 불용성화시키기에 충분하게 단량체를 중합하는데 필요할 것이다. 이러한 성능 향상은 노출 전 및 후에 층을 부분 열 경화시킴으로써 최대화된다. 노출 전에, 단량체는 주로 이량체 및 올리고머를 형성하는 것으로 추정된다. 단량체 보다 분자량이 더 큰 것은 표면을 향해 덜 쉽게 이동하는 것으로 추정된다. 이것은 언더커트 및 연부 컬의 원인이 되는, 단량체의 층 표면으로의 과도한 확산을 일으키지 않고 UV선을 다량 조사하도록 하는 것이다. 두번째 후 노출 경화는, 그 표면 바로 아래의 약간 노출된 면에서 불용성화되는 점에 층을 가교시킨다. 이것은 언더커트를 감소시키는 더 큰 잇점을 제공한다. 후 경화 온도(80 내지 120 ℃)는 경계 층에서 부분 중합된 물질 및 단량체의 약간의 상호 이동 및 가교를 일으켜서 층의 상부 및 하부를 함께 결합시키는 것으로 생각된다. 이것은 잔류 하도 물질을 보호하는 층의 비가용성 부분을 더 깊게 한다. 그 층의 비노출 면은 현상으로 알려진 공정에서 제거된다. 수성 현상에 있어서, 층은 방사선에 노출되지 않는 면에서 제거될 것이지만 노출된 부분은 통상적인 현상 기간 내에 0.3 내지 3.0 중량%의 탄산 나트륨을 함유하는 전체적으로 수성인 용액과 같은 액체에 의해 현상 중에 실질적으로 영향받지 않을 것이다. 일반적으로, 현상은 0.25 내지 2분 내에 일어난다. 열 경화 단계에 의해 부분 중합되긴 하지만, 완전히 노출되지 않은 영역은 충분히 비가교된 상태로 남아 세척 용매에 가용성인 채로 존재하므로 현상 중에 세척된다. 그후에, 현상된 패턴화된 층은 전형적으로 500 ℃ 이상에서 소성된다.
본 발명은 실제 실시예에 의해 좀 더 상세히 설명될 것이다. 그러나, 본 발명의 영역은 이러한 실제적인 실시예에 의해 제한되지 않는다.
실시예
하기 실시예에 사용된 무기 분말은 페이스트 제조업계의 숙련된 배합자에게 공지된 것으로 예상된다. 배합표의 성분의 정확도는 총 중량의 0.001%인 TAOBN을 제외하고는 +/- 0.1%이며, 따라서 실제적으로 존재하는 총량은 100.014%이다. 페이스트 제조업계의 숙련인에게 잘 알려진 기술을 이용하여 페이스트를 제조하였다. 당업계의 숙련인에게 잘 알려진 방법으로 스크린 인쇄를 실시하였다.
실시예 1
다음 배합은 약 9 미크론 높이로 인쇄되고 소성될 수 있는 이중 방식 금 조성물에 대한 것이다. 미소한 은 분말 첨가는 알루미늄 와이어 결합능을 위해 필요하다. 배합 성분 및 함량을 하기 표 1에 나타내었다.
배합 성분 함량(중량부)
엑타솔브(Ektasolve) DE 아세테이트 6.00%
폴리머 XPD-1234 (PMMA/MAA 공중합체) 6.06
이르가큐어(Irgacure) 0.36
퀀타큐어(Quantacure) ITX 0.30
퀀타큐어 EPD 0.30
벤조트리아졸 0.35
TAOBN 0.003
트리에틸렌옥사이드트리아크릴레이트(TEOTA-1000) 3.40
트리메틸올프로판트리아크릴레이트(TMPTA) 0.70
밀링된 CdO 분말 0.40
유리 분말, 붕규산염, 무기 결합제 1.30
은 분말, 불규칙한 6-9 μ 직경 0.70
금 분말, 3 내지 4 μ 불규칙한 회전 타원체 40.00
금 분말, 2.4 μ 구형 40.00
바조-88 유리기 공급원 0.13
22 °직각에서 장착된 1.1 와이어로 만들어진 270 메쉬 스크린으로 금 페이스트를 인쇄하였다. 초기 건조는 100 내지 110 ℃에서 15분 동안, 이어서 150 내지 450 mj/㎠에서의 노출에 의해 실시하였다. 이후에, 실시예 1에 있어서, 용매 제거 금 페이스트는 막으로서 칭해진다. 노출 후에, 110 내지 125 ℃에서 10 내지 15분 동안 두번째 열 경화가 이루어졌다. 열 경화는 막내의 추가의 가교를 초래한다. 최적 가교도는 비노출된 면이 현상액에 가용성인 채로 남아있지만, 층이 불용성이 되는 점에 가깝도록 한다. 층이 불용성이 되는 지점이 가까워질 때 막의 노출 속도는 증가하고, 언더커트 및 연부 컬 정도는 감소한다. 노출 및 후 경화된 막이 탄산염 수용액으로 분무되고, 이어서 물로 헹구어지고 고압 에어 젯으로 송풍 건조되는 컨베이어 분무 장치에서 현상을 실시하였다.
하기 표 1에, 열 보조된 전 노출 및 후 노출 모두를 사용하여 가공된 일부의 상태를 요약한 시험 결과를 나타낸다.
건조 시간 온도(℃) 노출＠15mj/㎠(초) 후경화(분) 경화 온도 공정 결과
연부 컬 연부 명확도 분해능＠ 60μ선 공간
10 100 20 10 115 1 1.5 1
10 100 27 10 115 1 3 1
10 100 35 10 115 1 3 1
10 100 20 15 115 2 2 1
10 100 27 15 115 1 2 1
10 100 35 15 115 1 2 1
10 100 20 15 120 1 1 3
10 100 27 15 120 2 2 3
10 100 35 15 120 1 3 1
10 110 20 10 120 4 1 5
10 110 27 10 115 1 1 1
10 110 35 10 115 1 2 1
10 110 20 15 115 2 1 4
10 110 27 15 115 2 1 3
10 110 35 15 115 1 2 1
10 110 20 15 120 3 1 4
10 110 27 15 120 1 3 1
10 110 35 15 120 1 2 3
표 설명:연부 명확도: 1=매우 뚜렷함, 5=많이 침식됨.연부 컬: 대략 1 내지 5(미크론 단위);분해능: 1(20 미크론 선을 분해함) 및 5(60 미크론 선을 불량하게 분해함). 분해능은 선 세척으로 인해 대부분 상실됨.
실시예 2-5
이것은 납땜가능한 Pt/Ag계이며, 실시예 2는 이중 방식 입도 분포를 가지며, 실시예 3 내지 5는 본질적으로 삼중 방식이다. 미량의 Pt를 첨가하여 땜납 침출을 방지하고 알루미늄 와이어의 접착을 돕는다. 삼중 방식 PSD는 매질 함량의 감소를 가능케 한다. 하기 표 3에 실시예 2 내지 5의 페이스트 성분 및 함량을 나타내고, 표 4에 매질 성분 및 함량을 나타낸다.
페이스트 성분 중량부
실시예 2 실시예 3 실시예 4 실시예 5
매질(하기 표 4에 기재됨) 21 20 19 21.0
이스트맨 텍사놀(Eastman Texanol) 0 1.4 3.7 3.6
산화 구리, Y-미분화 0
비스무스 루테늄산염 피로클로르 1.1 0.5 0.5 0.5
붕소화 니켈, 미분화 0.7 0.4 0.4 0.4
산화 비스무스, 미분화 1.2 1 1 1.0
산화 비스무스, 미세 미분화 1.2 1 1 1.0
유리 프릿 3.6 0 0 3.4
시클로헥산카르보니트릴, 1,1-아조비스- 0.1 0.1 0.1
산화 아연 0 0.3 0.3 0.5
Ag 분말, 5 μ 45.6 39.1 39.2 0
P3011, 3.75 미크론 0 0 0 38
은, 서브미크론 0 7 7 6.8
구형 은 분말, 1.5-2 미크론 18 19 19 18.5
Pt 분말, 나뭇가지 모양 0.7 0.5 0.5 0.5
TEOTA 1000 5.3 5 3.9 3.8
TMPTA 1.3 1 0.7 0.7
베이커 틱사트롤(Baker Thixatrol) ST 0.2 0.2 0.2 0.20
1,1- 아조비스-시클로헥산카르보니트릴 0.1 0.1 0.1 0.1
매질 성분 함량(중량부)
텍사놀 용매 52.2
폴리비닐프로판올/비닐아세테이트 에멀젼 1.65
BFG XPD-1234 38.8
이르가큐어(Irgacure) 2.75
퀀타큐어(Quantacure) ITX 2.3
퀀타큐어 EPD 2.3
페이스트 제조업계의 숙련인에게 공지된 기술을 이용하여 상기 재료를 가공하여 페이스트를 제조하였다. 매질을 다음과 같이 제조하였다. 용매 및 수지를 첨가하고 질소 블랭킷에서 30분 동안 110 ℃로 가열하여 수지의 수분을 제거하였다. 그후에, 수지/용매 용액을 70 ℃로 냉각하고, 나머지 성분을 첨가하였다.
광패턴화가능한 페이스트는 다음과 같이 제조하였다. 유기 성분을 함께 혼합하고, 그 후에 무기 성분을 계속 혼합시키며 첨가하고, 마지막에 은 분말을 첨가하였다. 성분들을 함께 철저하게 혼합한 후에, 형성된 혼합물에 의해 롤로 미분화시켜 기준에 맞는 분산액(15/8 이상의 헤그만(Hegman) 그라인드 게이지에 의해 입증됨)을 제조하였다.
325, 280, 230 또는 200 메쉬 스크린을 이용하여 페이스트를 인쇄하였다. 325 메쉬 인쇄물은 소성 후에 8-9 미크론의 두께를 가지며, 270 및 230 메쉬 인쇄물은 9-11 미크론의 소성된 막을 형성하고, 200 메쉬 인쇄물은 10-12 미크론 두께의 소성된 막을 형성하였다. 인쇄 후에 100 ℃에서 15분 동안 건조하였다. 15 mj/㎠에서 15 내지 30초 동안 노출시키고 30 mj/㎠에서 그 시간의 ½ 동안 노출시켰다. 노출 후에 120 ℃에서 15분 동안 경화시켜 열 가교시켰다. 로(furnace) 프로파일로 30분 동안(머플로의 가열된 부분에서 30분), 850 ℃의 피이크에서 10분 동안 소성시켰다.
용어 풀이:
엑타솔브(Ektasolve) DE 아세테이트: 이스트맨 케미칼스(Eastman Chemicals)가 시판하는 용매/가소제
폴리머 XPD-1234: 비.에프. 굿리치(B.F. Goodrich)가 시판하는 PMMA/MAA 공중합체
이르가큐어(Irgacure)(등록상표): 듀폰(Dupont)이 시판하는 치환된 아세토페논
퀀타큐어(Quantacure) ITX: 듀폰이 시판하는 이소프로필-이소잔톤
퀀타큐어 EPD: 듀폰이 시판하는 에틸 4-디메틸아미노벤조에이트
TAOBN: 듀폰이 시판하는 유리기 인터셉터
TEOTA-1000: 폴리에톡실화 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, Mw=1162
TMPTMA: 사르토머 코포레이션(Sartomer Co.; West Chester, PA)이 시판하는 트리메틸올 프로판 트리메타크릴레이트, Mw=338
미분화된 CdO 분말: 3 미크론 d50 입도 이하로 미분화된 산화 카드뮴
VAZO-88: 이.아이. 듀 폰 드 네모아 앤드 캄파니(E.I. du Pont de Nemours and Company)가 시판하는 1,1'-아조비스시클로헥산카르보니트릴
텍사놀(Texanol)(등록상표): 이스트맨 케미칼스가 시판하는 알코올/에테르/에스테르 용매
실시예 2, 3 및 4에 사용된 유리 프릿: Bi2O377.5 중량%, PbO 7.5 중량% 및 SiO215 중량%
서브미크론의 은: 특허 공정에 의해 침전된 1 미크론 입도의 은
틱사트롤(Thixatrol) ST: 베이커사(Baker)가 시판하는 수소화 피마자유 미세결정
본 발명의 열 보조 촉매를 갖는 개선된 감광성 후막 조성물에 의해, 소성 후에 미세선의 수득가능한 높이가 12 미크론 이상으로 증가됨과 동시에 고급 패턴을 형성하는데 필요한 UV광에 대한 노출 강도가 실질적으로 감소되면서 연부 컬이 감소 또는 제거될 수 있다.

Claims (18)

  1. (1) 일종 이상의 아크릴 단량체,
    (2) 광개시 시스템,
    (3) 열 보조 촉매 및
    (4) 산성 아크릴 중합체
    를 포함하는 (b) 유기 매체에 분산된 (a) 미분 전기 전도성 또는 유전 입자의 혼합물을 포함하는 감광성 후막 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 유기 용매를 더 포함하는 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 스크린 인쇄에 적합한 페이스트 굳기(consistency)를 갖는 조성물.
  4. 휘발에 의해 유기 용매가 제거된 제2항의 조성물의 층으로 이루어진 감광성 전도성 테이프.
  5. 제1항에 있어서, 전도성 또는 유전성 입자가 입자의 삼중 방식 배합물인 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 삼중 방식 전도성 입자의 부피비가 최대의 것에서부터 최소의 것까지 약 10:3:1 내지 4:2:1의 범위인 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 전도성 또는 유전성 입자가 입자의 이중 방식 배합물인 조성물.
  8. 제7항에 있어서, 이중 방식 전도성 또는 유전성 입자의 부피비가 큰 것에서부터 작은 것까지 약 4:1 내지 1:1의 범위인 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 전도성 입자가 금 또는 은인 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 총 조성물을 기준으로, 미분 전기 전도성 또는 유전성 입자 50 내지 88 중량% 및 유기 매체 12 내지 50 중량%로 이루어진 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 금속 산화물 또는 유리 또는 그의 혼합물로 구성된 무기 결합제를 더 포함하는 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 가소제를 더 포함하는 조성물.
  13. 제1항에 있어서, 무기 결합제를 더 포함하는 조성물.
  14. 제1항에 있어서, 분산제를 더 포함하는 조성물.
  15. 제1항에 있어서, 열 보조 촉매가 1,1-아조비스시클로헥산카르보니트릴인 조성물.
  16. a. 기재 상의 패턴화될 면이 커버되도록 제3항의 페이스트를 4 내지 20 미크론의 두께를 갖는 소결된 패턴을 형성하기에 충분한 양으로 도포하는 단계;
    b. 부분적인 열 유도성 중합을 일으킴과 동시에 용매를 제거하기에 충분한 온도에서 페이스트를 건조하는 단계;
    c. 잠상이 형성되도록 패턴식 건조 페이스트를 화학선에 이미지식 노출하는 단계;
    d. 인쇄물의 노출된 면에서 가교를 유도하는 추가의 중합이 유도되어 노출된 면이 현상액에 불용성이 되도록 패턴화된 페이스트를 열 처리하는 단계;
    e. 패턴화된 페이스트의 비노출된 면이 씻겨지도록 적당한 현상액에서 패턴화된 페이스트를 현상하는 단계;
    f. 패턴화된 페이스트를 소결하는 단계
    로 이루어진 일련의 단계를 포함하는, 기재 상에 미세 도체 선을 형성하는 단일 인쇄 방법.
  17. a. 기재 상의 패턴화될 면이 커버되도록 제4항의 테이프를 도포하는 단계;
    b. 잠상이 형성되도록 패턴식 테이프를 화학선에 이미지식 노출하는 단계;
    c. 테이프의 노출된 면에서 가교를 유도하는 추가의 중합이 유도되어 노출된 면이 현상액에 불용성이 되도록 테이프를 열 처리하는 단계;
    d. 테이프의 비노출된 면이 씻겨지도록 적당한 현상액에서 테이프를 현상하는 단계;
    e. 테이프를 소결하는 단계
    로 이루어진 일련의 단계를 포함하는, 기재 상에 미세 도체 선을 형성하는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 단계 a 후에 부분 열 유도된 중합을 일으키기에 충분한 온도에서 테이프를 열 처리하는 방법.
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