KR19990015456A - 메가소닉 장치를 갖는 웨트 스테이션 - Google Patents

Abstract

메가소닉 장치를 갖는 웨트 스테이션이 개시되어 있다. 이 장치는 웨이퍼를 세정하는 웨트 스테이션에 있어서, 상부에 비하여 하부가 좁고 상기 웨이퍼 및 세정액을 담는 내부 액조와, 내부 액조의 바닥 및 측벽 외부에 설치되어 세정액에 진동을 가하는 복수의 발진자와, 발진자의 동작을 제어하는 발진자 제어기를 구비하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 내부 액조의 외부에 설치된 복수의 발진자를 통하여 세정액에 보다 더 강한 진동을 가할 수 있으므로 세정효율을 극대화시킬 수 있다.

Description

메가소닉 장치를 갖는 웨트 스테이션

본 발명은 반도체소자를 제조하는 데 사용되는 웨트 스테이션(wet station)에 관한 것으로, 특히 메가소닉 장치(megasonic unit)가 부착된 웨트 스테이션에 관한 것이다.

반도체소자를 제조하는 데 있어서, 도전막 또는 절연막과 같은 물질막을 식각하거나 웨이퍼 표면을 세정하는 공정은 필수적으로 요구된다. 최근에, 물질막을 식각하여 패터닝하는 공정은 주로 고집적 반도체소자에 적합한 건식 식각공정이 널리 사용되고 있다. 따라서, 습식 공정은 주로 웨이퍼의 표면을 세정하는 공정에 널리 사용되고 있다. 습식 세정공정은 세정용액, 예컨대 화학용액 또는 탈이온수가 담긴 액조 내에 웨이퍼를 담구어 웨이퍼의 표면에 존재하는 오염입자 또는 화학용액을 제거하는 공정이며, 세정효과를 높이기 위하여 웨이퍼 및 세정용액에 진동을 가하는 메가소닉 장치를 더 구비한다.

도 1은 종래의 웨트 스테이션을 도시한 개략도이다.

도 1을 참조하면, 종래의 웨트 스테이션은 단면이 사각형이고 그 내부에 세정액(3)을 담는 내부 액조(1)와, 상기 내부 액조(1)로부터 오버 플로우되는 세정액(3)이 담기는 외부 액조(5)와, 상기 내부 액조(1)에 깨끗한 세정액을 공급하는 공급관(7b)과, 상기 외부액조(5)의 세정액을 배출시키는 배출관(7a)과, 상기 배출관(7a) 및 상기 공급관(7b) 사이에 직렬로 연결되어 상기 배출관(7a)으로부터 유입되는 세정액을 순환시키고 세정액에 함유된 오염입자를 걸러내는 펌프(9) 및 필터(11)와, 상기 내부 액조(1) 아래에 설치되어 상기 내부 액조(1) 내에 담긴 웨이퍼 및 세정액(3)에 진동을 줌으로써 세정효과를 증대시키는 메가소닉 발진자(13)와, 상기 메가소닉 발진자(13)와 전선(17)을 통하여 연결된 메가소닉 제어기(15)를 구비한다.

상술한 종래의 웨트 스테이션은 메가소닉 발진자가 단면이 사각형인 내부 액조의 바닥에 설치되어 내부 액조 내의 웨이퍼에 진동을 전달하는 효율을 증대시키는 데에 한계가 있다. 따라서, 고집적 반도체소자를 구현하기 위한 웨이퍼의 세정효율을 더욱 증대시킬 필요가 있다.

본 발명의 목적은 상기 필요성을 충족시키기 위하여 상부에 비하여 하부가 좁은 액조의 바닥 및 측벽의 외부에 복수의 발진자를 설치함으로써 웨이퍼의 세정효율을 극대화시킬 수 있는 웨트 스테이션을 제공하는 데 있다.

도 1은 종래의 웨트 스테이션을 도시한 개략도이다.

도 2는 본 발명의 웨트 스테이션을 도시한 개략도이다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 웨이퍼를 세정하는 웨트 스테이션에 있어서, 상부에 비하여 하부가 좁고 상기 웨이퍼 및 세정액을 담는 내부 액조와, 상기 내부 액조의 바닥 및 측벽 외부에 설치되어 상기 세정액에 진동을 가하는 복수의 발진자와, 상기 발진자의 동작을 제어하는 발진자 제어기를 구비하는 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨트 스테이션을 상세히 설명하기로 한다.

도 2는 본 발명의 웨트 스테이션을 도시한 개략도이다. 여기서, 종래의 기술에 따른 웨트 스테이션을 도시한 도 1과 동일한 부재번호로 표시한 부분은 동일 부분을 의미하므로 이들에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 웨트 스테이션은 상부가 개구되고 하부가 상부에 비하여 좁은 내부 액조(1) 내에 웨이퍼(W)를 담는 카셋트(C)가 소정의 위치에 고정되도록 카셋트 지지대(S)가 설치되어 있다. 여기서, 내부 액조(1) 내에는 상기 카셋트(C) 내에 로딩된 웨이퍼(W)들이 완전히 잠기도록 세정액(3)이 채워진다. 그리고, 상기 내부 액조(1)로부터 오버플로우(over flow)되는 세정액이 담기는 외부 액조(5)가 상기 내부 액조(1)의 상부 주변에 설치되어 있다. 또한, 상기 내부 액조(1)에 깨끗한 세정액을 공급시키기 위한 공급관(7b) 및 상기 내부 액조(1)로부터 오버플로우되어 더러워진 세정액을 배출시키기 위한 배출관(7a)이 각각 내부액조(1) 및 외부액조(5)에 설치된다. 그리고, 상기 공급관(7b) 및 상기 배출관(7a) 사이에 상기 배출관(7a)으로부터 배출되는 세정액을 순환시키는 펌프(9) 및 오염입자를 걸러주는 필터(11)가 직렬로 개재되어 있다. 또한, 상기 내부 액조(1)의 바닥 및 측벽의 외부에 복수의 발진자(13a, 13b, 13c), 예컨대 메가소닉 발진자가 설치되어 있다. 상기 복수의 발진자(13a, 13b, 13c)들은 하나의 발진자 제어기(15)와 배선(17)을 통하여 병렬로 연결되고, 상기 발진자 제어기(15)에 의해 그 동작이 제어된다. 따라서, 도 2에 도시된 바와 같이 상기 내부 액조(1a)의 바닥 및 측벽의 외부에 설치된 복수의 발진자들(13a, 13b, 13c)이 발진자 제어기(15)에 의해 작동되면, 내부 액조(1)를 채우는 세정액(3)에 진동을 가하는 효율을 종래의 기술에 비하여 한층 더 높일 수 있다.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 당업자의 수준에서 그 변형 및 개량이 가능하다.

상술한 바와 같이 본 발병에 따르면, 세정액에 진동을 가하는 효율을 높일 수 있으므로 웨이퍼에 잔존하는 오염입자를 효과적으로 제거할 수 있다. 따라서, 고집적 반도체소자를 제조하는 데 사용되는 웨이퍼의 세정효율을 극대화시킬 수 있다.

Claims (2)

1. 웨이퍼를 세정하는 웨트 스테이션에 있어서,

   상부에 비하여 하부가 좁고 상기 웨이퍼 및 세정액을 담는 내부 액조;

   상기 내부 액조의 바닥 및 측벽 외부에 설치되어 상기 세정액에 진동을 가하는 복수의 발진자; 및

   상기 발진자의 동작을 제어하는 발진자 제어기를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨트 스테이션.
2. 제1항에 있어서, 상기 발진자는 메가소닉 발진자인 것을 특징으로 하는 웨트 스테이션.