KR19990007364A - 본딩장치 및 본딩방법 - Google Patents

본딩장치 및 본딩방법 Download PDF

Info

Publication number
KR19990007364A
KR19990007364A KR1019980024294A KR19980024294A KR19990007364A KR 19990007364 A KR19990007364 A KR 19990007364A KR 1019980024294 A KR1019980024294 A KR 1019980024294A KR 19980024294 A KR19980024294 A KR 19980024294A KR 19990007364 A KR19990007364 A KR 19990007364A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bonding
electronic component
substrate
electrode
tool
Prior art date
Application number
KR1019980024294A
Other languages
English (en)
Inventor
다이조 도미오카
도모히로 이구치
Original Assignee
니시무로 타이조
가부시키가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 니시무로 타이조, 가부시키가이샤 도시바 filed Critical 니시무로 타이조
Publication of KR19990007364A publication Critical patent/KR19990007364A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004—Wire welding
    • B23K20/005—Capillary welding
    • B23K20/007—Ball bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R43/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
    • H01R43/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for soldered or welded connections
    • H01R43/0207—Ultrasonic-, H.F.-, cold- or impact welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301—Bonding head
    • H01L2224/75302—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301—Bonding head
    • H01L2224/75302—Shape
    • H01L2224/75303—Shape of the pressing surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301—Bonding head
    • H01L2224/75302—Shape
    • H01L2224/75303—Shape of the pressing surface
    • H01L2224/75305—Shape of the pressing surface comprising protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75743—Suction holding means
    • H01L2224/75745—Suction holding means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201—Compression bonding
    • H01L2224/81203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201—Compression bonding
    • H01L2224/81205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01022—Titanium [Ti]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01088—Radium [Ra]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 본딩 툴로부터의 초음파의 전달효율을 높임으로써 범프 변형량을 최소한으로 억제하고, 양호한 접합을 행함으로써 충분한 접합강도를 얻을 수 있는 본딩장치를 제공하기 위한 것이다.
이를 위해 본 발명은, 전자부품(10)의 배면(11b)측에 배치되고, 그 압압면(91)에 있어서 전자부품(10)의 배면측을 압압함과 더불어 전자부품(10)에 초음파를 인가하면서 가열하는 본딩 툴(90)과, 기판(20)의 배면(21b)측을 지지하는 제2스테이지 기판지지부(52)를 갖추고 있고, 본딩 툴(90)의 압압면(91)의 외형 치수는 전자부품(10)의 외형 치수보다 크게 형성되어 있다.

Description

본딩장치 및 본딩방법
본 발명은 반도체 등의 전자부품을 초음파 및 본딩 툴(Bonding Tool)을 이용하여 기판에 실장(實裝)하는 플립 칩 본딩(Flip Chip Bonding)을 행하기 위한 본딩장치 및 본딩방법에 관한 것으로, 특히 접합강도를 늘릴 수 있는 기술에 관한 것이다.
전자부품의 전극과 기판의 전극을 범프(Bump)를 매개하여 접합하는 플립 칩 본딩은 실장면적이 작고 또한 회로의 배선길이가 짧다는 특유의 장점이 있어서 고밀도실장이나 고속디바이스의 실장에 적합하다.
플립 칩 본딩방법에 있어서는, 근래, 형성 프로세스가 비교적 용이한 금 볼 범프(金 Ball Bump)를 이용한 개발례가 증가하고 있다. 도 7은 금 볼 범프의 형성방법, 도 8은 종래의 초음파를 병용한 열압착에 의한 플립 칩 본딩방법을 나타낸 도면이다.
한편, 이들 도면중 10은 전자부품, 20은 기판을 나타내고 있다. 또한, 전자부품(10)은 직방체 형상의 부품본체(11)를 갖추고 있고, 그 한쪽 면에는 두께 0.7㎛의 알미늄막에 의해 전극(12)이 형성되어 있다. 기판(20)은 기판본체(21)를 갖추고 있고, 그 한쪽 면에는 두께 1.0㎛의 금 도금이 전해도금법에 의해 시행되어 전극(22)이 형성되어 있다.
처음에는, 도 7에 나타낸 것처럼 전극(12)상에 범프(13)를 형성한다. 즉, 방전(放電)에 의해 금 와이어(30)를 용융시켜서, 금 볼(31)을 형성한다. 그리고 이것을 캐필러리(32; Capillary)로 전자부품(10)상의 전극(12)에 가압하고, 동시에 초음파를 인가하여 접합한다. 그 후 금 와이어(30)를 뜯어내서 범프(13)를 형성한다.
범프(13)와 기판(20)의 전극(22)간의 접합에는 도전 페이스트 등의 중간재를 개재시키는 방법이나, 열압착이나 초음파병용 열압착에 의해 직접 접합하는 방법 등이 있다. 후자는 공정수가 작고, 중간재가 불필요하며, 더욱이 접합시간이 짧아지기 때문에, 실장 코스트를 저감시킬 수 있는 장점이 있다.
초음파병용 열압착에 의한 플립 칩 본딩의 예로는, 일본국 특개평 제8-330880호나 Flip-Chip Assembly Technique for SAW Device(Proc. ISHM' 96)가 있다.
도 8은 상술한 것과 같은 플립 칩 본딩을 행하기 위한 본딩장치의 일례를 나타낸 도면이다. 본딩장치(40)는 본딩 툴(41)을 갖추고 있다. 본딩 툴(41)의 선단부(42)는 평탄한 형상으로 형성되어 있고, 그 중앙에 흡착공(43)이 형성되어 있다. 흡착공(43)은 도시하지 않은 튜브를 매개하여 감압기구(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 또한, 본딩 툴(41)은 도시하지 않은 초음파 혼(超音波 Horn)에 의해 지지되는데, 이 초음파 혼을 도 8중 화살표 Z방향으로 구동시킴으로써 압착하중을 부하한다.
이와 같은 본딩장치(40)에서는 다음과 같이 하여 본딩을 행한다. 즉, 본딩 툴(41)로 전자부품(10)의 배면을 흡착하고, 그 범프(13)를 기판(20)의 전극(22)의 위에다 위치맞춤한다.
한편, 기판(20)을 200℃로 가열한다.
다음으로, 본딩 툴(41)을 도 8중 화살표 Z방향으로 구동시키고, 범프(13) 1개에 대해 100gf의 압착하중으로 가압한다.
동시에, 초음파가 본딩 툴(41)을 매개하여 전자부품(10)으로 전달되고, 더욱이 범프(13)와 전극(22)의 접합계면으로 가압된다.
한편, 초음파의 인가는 2단계로 나뉘어진다. 즉, 제1단계에서는 출력을 0.5W로 하여 800㎳간 인가한다. 이것은 범프(13)의 높이를 맞추기 위해 행하는 것으로, 범프(13)의 높이는 약 30㎛로 된다.
제2단계에서는 초음파의 출력을 2W로 하여 800㎳간 인가해서, 접합을 행한다.
도 9에 이러한 압착하중과 초음파출력의 관계가 도시되어 있다.
한편, 이 본딩장치(40)를 사용하여 접합을 행한 경우에는, 최적조건에 있어서 범프 1개당 약 40gf의 접합강도가 얻어진다.
상술한 본딩방법을 이용한 본딩장치에는 다음과 같은 문제가 있었다. 즉, 범프 수가 적은 전자부품에서는, 범프 1개당 40gf로는 충분한 접합신뢰성을 얻을 수 없다. 이 때문에, 범프 1개당 접합강도를 향상시킬 필요가 있다.
접합강도를 향상시키기 위해서는 초음파의 전달효율을 향상시키면 된다. 한편, 전달효율은 본딩 툴의 선단부(42)와 전자부품(10)의 배면의 마찰력에 의존하고, 마찰력은 접촉면적과 본딩하중에 비례한다. 즉, 접촉면적과 본딩하중의 어느 것인가를 크게 하면, 전달효율이 향상되게 된다.
그런데, 전자부품(10)의 외형 치수는 예컨대 2.1㎜ x 1.4㎜로 매우 작고, 게다가 흡착공(43)이 설치되어 있기 때문에, 접촉면적은 매우 좁다.
한편, 압착하중을 어느 정도 이상으로 크게 하면, 범프(13)가 크게 변형된다. 이 상태에서 초음파를 인가하면, 오히려 범프(13)와 전극(22)의 접합성이 저하되어, 제품의 신뢰성이 낮아진다는 문제가 있었다. 또한, 부품본체(11)의 중앙부에 힘이 집중되어 쪼개질 우려가 있었다.
한편, 도 10에 나타낸 것처럼 그 선단에 각추(角錐)형상의 凹부(47)가 형성된 본딩 툴(46)을 이용하여 전자부품(10)을 걺으로써, 초음파를 손실없이 전자부품(10)에 전달하는 것으로 전달효율을 높이는 것도 검토되고 있지만, 전자부품(10)의 엣지부(11a)에 기계적인 데미지가 생기고, 부품본체(11)에 크랙(Crack)이 생길 우려가 있었다.
한편, 초음파를 인가하는 시간을 길게 하면, 범프(13)와 전극(22)의 접합강도를 확보할 수는 있지만, 제조효율이 저하된다는 문제가 생긴다.
또한, 종래방식으로는 금 도금 두께가 얇고 접합성이 낮은 기판에 대해 양호한 접합을 얻어낼 수 없다고 하는 문제도 있었다.
본 발명은 본딩 툴로부터의 초음파의 전달효율을 높이는 것으로 범프 변형량을 최소한으로 억제하고, 양호한 접합을 행함으로써, 충분한 접합강도를 얻을 수 있는 본딩장치 및 본딩방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
도 1은 본 발명의 제1실시형태에 관한 본딩장치를 나타낸 도면이고,
도 2는 동 본딩장치의 요부를 나타낸 도면,
도 3은 동 본딩장치에 조립된 본딩 툴과 전자부품의 접촉면을 나타낸 단면도,
도 4a ~ 도 4c는 동 본딩장치에서의 압착하중과 초음파출력의 관계를 나타낸 그래프,
도 5는 접합강도의 평가방법을 나타낸 도면,
도 6은 본 발명의 제2실시형태에 관한 본딩장치를 나타낸 도면,
도 7은 범프 형성방법을 나타낸 도면,
도 8은 종래의 본딩방법을 나타낸 도면,
도 9는 종래의 본딩방법에서의 압착하중과 초음파출력의 관계를 나타낸 그래프,
도 10은 각추형상의 凹부를 갖춘 본딩 툴을 나타낸 도면이다.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
10 --- 전자부품 13 --- 범프
20 --- 기판 22 --- 전극
50, 100 --- 본딩장치 90, 101 --- 본딩 툴
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 전자부품의 범프전극과 기판의 전극을 열압착하는 본딩장치에 있어서, 압압면을 갖추고, 그 압압면을 매개하여 상기 전자부품의 상기 범프전극이 형성되어 있지 않은 배면측을 압압함과 더불어, 상기 전자부품에 초음파를 인가하는 본딩 툴과, 상기 기판을 지지하는 기판지지부를 갖추고 있고, 상기 본딩 툴의 상기 압압면의 외형 치수는 상기 전자부품의 배면측의 외형 치수보다 크게 형성되어 있다.
본 발명에 의하면, 본딩 툴의 압압면의 외형 치수를 전자부품의 배면측의 외형치수보다 크게 형성되도록 했으므로, 접촉면적을 부품면적에 따라 최대로 하여, 마찰력을 증대시킬 수 있다. 이 때문에, 압착하중을 증대시키는 일 없이 초음파의 전달효율을 높일 수 있어서 양호한 접합을 행할 수 있다.
(발명의 실시형태)
이하, 첨부된 예시도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1실시형태에 관한 본딩장치(50)를 나타낸 도면이다. 또한, 도 2는 본딩장치(50)의 요부를 나타낸 도면, 도 3은 본딩 툴과 전자부품의 접촉면의 확대도를 나타낸 도면이다. 한편, 이들 도면에 있어서, 도 8과 동일한 기능을 하는 부분에는 동일한 부호를 붙였다.
전자부품(10)으로서 예컨대 6전극의 SAW디바이스(Surface Acoustic Wave Device)에 적용한 예를 이하에서 설명한다. 전자부품(10)의 외형 사이즈는 1.7 x 1.4 x 0.4(㎜)이다. 전자부품(10)은 직방체 형상의 탄탈산 리튬(LiTaO3) 등의 부품본체(11)를 갖추고 있고, 그 한쪽 면에는 두께 0.7㎛의 알미늄막에 의해 전극(12)이 형성되어 있다. 전극(12)에는 범프(13)가 접합되어 있다. 한편, 도면중 11a는 부품본체(11)의 엣지부분, 11b는 부품본체(11)의 배면을 나타내고 있다.
기판(20)은 알루미나(Al2O3) 등의 세라믹스재제의 기판본체(21)를 갖추고 있고, 그 한쪽 면에는 두께 1.0㎛의 금 도금이 전해도금법에 의해 시행되어 전극(22)이 형성되어 있다. 한편, 도면중 21a는 기판본체(21)의 엣지부분, 21b는 기판본체(21)의 배면을 나타내고 있다.
본딩장치(50)는 기판(20)을 올려 놓는 제1스테이지(51)와 제2스테이지(52)를 갖추고 있다. 도 1중 60은 제1스테이지(51)에 놓인 기판(20)상에 전자부품(10)을 위치결정하는 마운트기구를 나타내고 있다. 또한, 도 1중 80은 제2스테이지(52)상의 기판(20)과 그 위에 위치결정된 전자부품(10)을 실장하는 본딩기구이다.
마운트기구(60)는 위치결정 로봇(61)과, 이 위치결정 로봇(61)의 선단에 설치된 마운트 툴(62)을 갖추고 있다. 한편, 마운트 툴(62)의 선단에는 흡착공(63)이 형성되어 있다.
본딩기구(80)는 후술할 초음파 혼(82)을 도 1중 화살표 Z방향을 따라 구동시키는 상하동 기구(81)와, 이 상하동 기구(81)에 의해 지지된 초음파 혼(82), 이 초음파 혼(82)에 초음파를 주는 초음파원(83; 超音波源)을 갖추고 있다.
초음파 혼(82)의 선단측에는 텅스텐 카바이드로 형성된, 관통공 등이 없이 가운데가 꽉 찬 부재(中實部材라고도 함)로 이루어진 본딩 툴(90)이 설치되어 있다.
본딩 툴(90)의 선단에 형성된 압압면(91)은 1.8 x 1.5(㎜)의 장방형으로 형성되어 있다. 또한, 압압면(91)은 도 3에 나타낸 것처럼 기구가공에 의해 면이 거칠게 되어 있는 바, 중심선 평균 표면거칠기 Ra는 20㎛이다. 한편, 전자부품(10)의 배면(11b)도 압압면(91)과 동일하게 중심선 평균 표면거칠기 Ra가 20㎛로 면이 거칠게 되어 있다.
더욱이, 상하동 기구(81)와 초음파원(83)은 후술할 제어프로그램이 미리 격납되어 있는 본딩제어부(84)에 접속되어 있다.
이와 같은 본딩장치(50)에서는 다음과 같이 하여 본딩을 행한다. 즉, 마운트 툴(62)로 전자부품(10)의 배면(11b)을 흡착하고, 그 범프(13)와 제1스테이지(51)에 놓인 기판(20)의 전극(22)에 대해 카메라를 이용하여 위치맞춤을 행한다.
다음으로, 기판(20) 및 전자부품(10)을 제2스테이지(52)로 이송한다. 제2스테이지(52)에서는 기판(20)을 200℃로 가열한다.
다음으로, 본딩 툴(90)을 도 8에 도시된 바 있는 화살표 Z방향으로 구동시켜서 범프(13)에 대해 후술할 압착하중으로 가압한다. 한편, 초음파원(83)에 의해 초음파 혼(82)을 구동시켜서, 초음파를 본딩 툴(90)에 부여한다. 초음파는 전자부품(10)을 매개하여 범프(13)와 전극(22)의 접합계면에 인가된다.
한편, 압착하중과 초음파의 인가는 전술한 본딩 제어부(84)에 의해 제어되는 바, 도 4a에 나타낸 것처럼 제어된다. 즉, 당초 압착하중 및 초음파출력이 공히 0인 상태로부터 500㎳의 사이에 각각 100gf 및 2W로 되도록 제어된다. 이로써, 범프(13)를 변형시키는 바, 압착하중의 증가에 따라 초음파출력을 증가시켜서 접합을 행한다.
한편, 도 5는 접합강도의 평가방법을 나타낸 도면이다. 즉, 기판(20)을 고정시키고, 쉐어 툴(90a; Share Tool)을 수평방향으로 동작시킴으로써, 범프(13)와 전극(22)의 접합부를 파괴하여, 그 파괴강도를 접합강도로 삼는다. 평가의 결과, 140gf/범프 로서, 충분한 강도가 얻어지고 있다는 것을 알았다.
한편, 범프(13)의 직경은 약 120㎛로서, 종래의 150㎛에 비해 대폭 작아졌다.
또한, 기판전극의 금 도금 두께가 0.4㎛로 얇아서 접합성이 낮은 경우에 있어서도, 압착범프 지름 120㎛에서 전단강도(剪斷强度) 140gf/범프 를 얻을 수 있었다.
상술한 것처럼 본 제1실시형태에 관한 본딩장치(50)에 의하면, 본딩 툴(90)의 압압면(91)을 전자부품(10)의 배면(11b)보다 크게 하고, 또한 흡착공을 설치하지 않도록 했으므로 접촉면적을 증대시킴과 더불어, 압압면(91)과 전자부품(10)의 배면(11b)을 서로 그 면을 거칠게 함으로써 상호간의 마찰력을 증대시키고, 초음파 전달효율을 향상시킬 수 있다. 이 때문에, 낮은 압착하중이더라도 효율 좋게 접합을 행할 수 있고, 범프(13)의 변형량을 최소한으로 억제할 수 있다. 즉, 범프(13)의 크랙의 발생을 방지할 수 있슴과 더불어 범프(13)의 고밀도배치가 가능하게 된다.
또한, 압착하중과 초음파출력을 점차적으로 증가시키도록 하고 있으므로, 범프(13)와 전극(22)은 그 접촉면적이 작은 시점으로부터 단계를 거쳐 접합되기 때문에, 접촉면의 전체면이 양호하게 접합된다. 또한, 단시간내의 접합이 가능하게 된다.
한편, 기판전극 표면의 금 도금에 있어서는, 전해도금법으로 1.0㎛ 실시한 기판과, 무전해도금법으로 0.4㎛ 실시한 것을 사용했다.
그리 하여, 본딩 후, 찌부러진 범프 지름의 측정 및 쉐어 테스트(Share Test)에 의한 접합강도의 평가를 행한 결과, 압착범프는 직경 120㎛, 접합강도는 140gf/범프 로 되었다.
한편, 도 4b는 압착하중 및 초음파출력을 5단계로 나누어서 증가시킨 예를 나타내고 있다. 이 경우에도 도 4a와 마찬가지로 양호한 접합을 행할 수 있다.
더욱이, 도 4c는 압착하중만 5단계로 나누어 증가시킨 예를 나타내고 있다. 이 경우에도 도 4a와 마찬가지로 양호한 접합을 행할 수 있다.
도 6은 본 발명의 제2실시형태에 관한 본딩장치(100)를 나타낸 도면이다. 한편, 이 도면에 있어서 도 1과 동일한 기능을 하는 부분에는 동일한 부호를 붙였다.
전자부품(10)으로서, 예컨대 6전극의 SAW디바이스에 적용한 예를 이하에 설명한다. 전자부품(10)의 외형 사이즈는 1.7 x 1.4 x 0.4(㎜)이다. 전자부품(10)은 직방체 형상의 탄탈산 리튬(LiTaO3)이나 니오브산 리튬(LiNbO3) 등의 부품본체(11)를 갖추고, 그 한쪽 면에는 두께 0.7㎛의 알미늄막에 의해 전극(12)이 형성되어 있다. 각 전극에는 직경 90㎛, 높이 40㎛의 금 볼 형상의 범프(13)가 형성되어 있다.
기판(20)은 알루미나(Al2O3) 등의 세라믹스재나 유리 에폭시 수지 등으로 이루어진 기판본체(21)를 갖추고 있고, 그 한쪽 면에는 두께 1.0㎛의 금 도금이 전해도금법에 의해 실시되어 전극(22)이 형성되어 있다. 한편, 기판(20)의 외형 치수는 3.0 x 3.0 x 0.5(㎜)이다.
본딩장치(100)는 본딩 툴(101)을 갖추고 있다. 본딩 툴(101)의 선단부(102)에는 각추 형상의 凹부(103)가 형성되어 있어서 기판(20)의 엣지부(21a)를 걸 수 있다. 또한, 선단부(102)의 중앙에는 흡착공(104)이 형성되어 있다. 흡착공(104)은 도시하지 않은 튜브를 매개하여 감압기구(도시하지 않았슴)에 접속되어 있다. 또한, 본딩 툴(101)에 있어서는, 도시하지 않은 구동원에 의해 이 본딩 툴(101)이 장치되어 있는 초음파 혼(82)을 매개하여, 도 6중 화살표 Z방향으로 압착하중과 더불어 초음파가 부여되고 있다.
한편, 도 6중 110은 부품지지 스테이지를 나타낸 것으로, 스테이지본체(111)와 전자부품(10)의 측면을 압압하는 플레이트(112)를 갖추고 있다.
이와 같은 본딩장치(100)에서는 다음과 같이 하여 본딩을 행한다. 즉, 본딩 툴(101)로 기판(20)의 배면(21b)을 흡인하고, 기판(20)의 전극(22)이 범프(13)상에 놓이도록 위치맞춤을 행한다.
한편, 부품지지 스테이지(110)에 있어서, 전자부품(10)을 200℃로 가열한다.
다음으로, 본딩 툴(101)을 도 6중 화살표 Z방향으로 구동시켜서, 가압을 개시한다. 그리하여 압착하중이 100gf에 도달함과 동시에 60㎑ 전후의 초음파를 출력 0.5W로 또한 100㎳간 범프(13)와 전극(22)의 접합계면에 인가한다. 그 후, 본딩 툴(101)에 의한 기판(20)의 흡착을 해제하고, 본딩 툴(101)을 상방으로 끌어 올려 본딩을 완료한다.
접합의 결과, 범프(13)의 직경은 약 120㎛, 전단강도는 140gf로 되어, 양호한 접합을 행할 수 있었다. 또한, 짧은 시간내에 양호한 접합을 행할 수 있었다. 한편, 기판(20)의 엣지부분(21a)에 있어서도 본딩에 의한 기계적인 데미지는 특히 발생하지 않았다.
상술한 것처럼, 본 제2실시형태에 관한 본딩장치(100)에 의하면, 본딩 툴로부터 접합계면으로 높은 효율의 초음파가 전달되기 때문에, 짧은 시간내에 양호한 접합을 얻을 수 있다.
한편, 본 발명은 상기 실시형태에만 한정되는 것은 아니다. 즉, 상술한 실시형태에서는 본딩 툴의 재질로서 텅스텐 카바이드를 이용하고 있지만, 티탄 카바이드나 다이아몬드, 스테인레스, 지르코니아 등의 다른 재질의 것을 이용해도 된다. 또한, 전자부품으로서 SAW디바이스로의 적용을 나타냈지만, 반도체 디바이스에도 마찬가지로 적용할 수 있다. 범프는 도금 범프라도 좋다. 그 이외에도, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서 여러 가지로 변형실시가 가능한 것은 물론이다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 범프와 전극의 접촉면적을 증대시킴과 더불어 마찰력을 증대시키고, 초음파 전달효율을 향상시킬 수 있다. 이로써, 낮은 압착하중이더라도 효율 좋게 접합을 행할 수 있고, 범프의 변형량을 최소한으로 억제할 수 있다. 또한, 범프와 전극은 그 접촉면적이 작은 시점으로부터 단계를 거쳐 접합되기 때문에, 접촉면의 전체면이 양호하게 접합된다. 또한, 짧은 시간내에서의 접합이 가능하게 된다.

Claims (16)

  1. 전자부품의 범프전극과 기판의 전극을 열압착하는 본딩장치에 있어서,
    압압면을 갖추고, 그 압압면을 매개하여 상기 전자부품의 상기 범프전극이 형성되어 있지 않은 배면측을 압압함과 더불어, 상기 전자부품에 초음파를 인가하는 본딩 툴과,
    상기 기판을 지지하는 기판지지부를 갖추고 있고,
    상기 본딩 툴의 상기 압압면의 외형 치수는 상기 전자부품의 배면측의 외형 치수보다 크게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 본딩장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 본딩 툴의 적어도 압압면은 상기 전자부품의 배면측의 재질보다도 단단하게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 본딩장치.
  3. 전자부품의 범프전극과 기판의 전극을 열압착하는 본딩장치에 있어서,
    압압면을 갖추고, 그 압압면을 매개하여 상기 전자부품의 상기 범프전극이 형성되어 있지 않은 배면측을 압압함과 더불어, 상기 전자부품에 초음파를 인가하는 본딩 툴과,
    상기 기판을 지지하는 기판지지부를 갖추고 있고,
    상기 본딩 툴의 압압면은 거칠게 되어 있는 것을 특징으로 하는 본딩장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 전자부품의 배면측은 거칠게 되어 있는 것을 특징으로 하는 본딩장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 본딩 툴의 압압면의 표면거칠기와 상기 전자부품의 배면측의 표면거칠기를 거의 동일하게 한 것을 특징으로 하는 본딩장치.
  6. 전자부품의 범프전극과 기판의 전극을 열압착하는 본딩장치에 있어서,
    상기 전자부품의 범프전극을 상기 기판의 전극상에 위치결정하는 마운트 툴과,
    압압면을 갖추고, 그 압압면을 매개하여 상기 전자부품의 상기 범프전극이 형성되어 있지 않은 배면측을 압압함과 더불어, 상기 전자부품에 초음파를 인가하는 본딩 툴,
    상기 기판을 지지하는 기판지지부를 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 본딩장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 마운트 툴에는 상기 전자부품의 배면을 부압(마이너스 압력)으로 흡착하는 흡착공이 관통하고 있슴과 더불어, 상기 본딩 툴은 중실부재로 이루어진 것을 특징으로 하는 본딩장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 본딩 툴의 상기 전자부품에 대한 압압면의 바깥지름 치수는 이 압압면이 당접하는 상기 전자부품의 배면측의 바깥지름 치수보다 큰 것을 특징으로 하는 본딩장치.
  9. 전자부품의 범프전극과 기판의 전극을 열압착하는 본딩장치에 있어서,
    압압면을 갖추고, 그 압압면을 매개하여 상기 전자부품의 상기 범프전극이 형성되어 있지 않은 배면측을 압압함과 더불어, 상기 전자부품에 초음파를 인가하는 본딩 툴과,
    상기 기판을 지지하는 기판지지부,
    상기 본딩 툴에 대해 그 압압력을 점차 또는 계단형상으로 증가시킴과 더불어, 상기 초음파의 출력을 점차 또는 계단형상으로 증가시키는 본딩제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 본딩장치.
  10. 전자부품의 범프전극과 기판의 전극을 열압착하는 본딩장치에 있어서,
    압압면을 갖추고, 그 압압면을 매개하여 상기 전자부품의 상기 범프전극이 형성되어 있지 않은 배면측을 압압함과 더불어, 상기 전자부품에 초음파를 인가하는 본딩 툴과,
    상기 기판을 지지하는 기판지지부,
    상기 본딩 툴에 대해 그 압압력을 점차 또는 계단형상으로 증가시키는 본딩제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 본딩장치.
  11. 전자부품의 범프전극과 기판의 전극을 열압착하는 본딩장치에 있어서,
    상기 기판의 상기 전극이 형성되어 있지 않은 배면측을 압압함과 더불어, 상기 기판에 초음파를 인가하는 본딩 툴과,
    상기 전자부품을 지지하는 전자부품 지지부를 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 본딩장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 본딩 툴의 선단부에는 각추형을 이루고 또한 상기 기판을 거는 凹부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 본딩장치.
  13. 전자부품의 범프전극과 기판의 전극을 열압착하는 본딩방법에 있어서,
    상기 전자부품을 흡착공을 갖춘 마운트 툴에 의해 흡착하여 상기 전자부품의 범프전극을 상기 기판의 전극상에 위치결정하는 위치결정공정과,
    흡착공을 갖추지 않은 속이 꽉 찬 본딩 툴에 의해 상기 전자부품에 초음파를 인가하면서 가압하는 접합공정을 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 본딩방법.
  14. 전자부품의 범프전극과 기판의 전극을 열압착하는 본딩방법에 있어서,
    상기 전자부품의 범프전극을 상기 기판의 전극상에 위치결정하는 위치결정공정과,
    상기 전자부품의 상기 범프전극이 형성되어 있지 않은 배면측을 압압함과 더불어, 상기 전자부품에 초음파를 인가하고, 또한 가열하는 접합공정을 갖추고,
    상기 본딩 툴에 의한 압압력을 점차 또는 계단형상으로 증가시킴과 더불어, 상기 초음파의 출력을 점차 또는 계단형상으로 증가시키는 것을 특징으로 하는 본딩방법.
  15. 전자부품의 범프전극과 기판의 전극을 열압착하는 본딩방법에 있어서,
    상기 전자부품의 범프전극을 상기 기판의 전극상에 위치결정하는 위치결정공정과,
    상기 전자부품의 상기 범프전극이 형성되어 있지 않은 배면측을 압압함과 더불어, 상기 전자부품에 초음파를 인가하고, 또한 가열하는 접합공정을 갖추고,
    상기 본딩 툴에 의한 압압력을 점차 또는 계단형상으로 증가시키는 것을 특징으로 하는 본딩방법.
  16. 전자부품의 범프전극과 기판의 전극을 접합하는 본딩방법에 있어서,
    상기 전자부품의 상기 범프가 형성되어 있지 않은 배면측을 지지하는 지지공정과,
    상기 기판의 상기 전극이 형성되어 있지 않은 배면측을 압압함과 더불어, 상기 기판에 초음파를 인가하는 접합공정을 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 본딩방법.
KR1019980024294A 1997-06-27 1998-06-26 본딩장치 및 본딩방법 KR19990007364A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17169797 1997-06-27
JP97-171697 1997-06-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19990007364A true KR19990007364A (ko) 1999-01-25

Family

ID=15928015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980024294A KR19990007364A (ko) 1997-06-27 1998-06-26 본딩장치 및 본딩방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR19990007364A (ko)
DE (1) DE19828637A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3546376B2 (ja) 2000-08-07 2004-07-28 澁谷工業株式会社 ボンディング装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE19828637A1 (de) 1999-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6565687B2 (en) Ultrasonic bonding method
US20070065985A1 (en) Bonding apparatus and method of bonding for a semiconductor chip
JP2007035918A (ja) 半導体素子の実装方法
US20090308911A1 (en) Wire bonding capillary tool having multiple outer steps
EP2167269B1 (en) Wire bonding capillary tool having multiple outer steps
US6696319B2 (en) Method of attaching semiconductor devices on a switching device and such an attached device
JPH11284028A (ja) ボンディング方法及びその装置
KR19990007364A (ko) 본딩장치 및 본딩방법
JP4057875B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH1174315A (ja) ボンディング装置及びボンディング方法
JPH1197493A (ja) ボンディング方法および装置
JPH11288975A (ja) ボンディング方法及びボンディング装置
JP4491321B2 (ja) 超音波実装方法およびこれに用いる超音波実装装置
US20030159274A1 (en) Bump forming system employing attracting and compressing device
JP2003282629A (ja) 超音波フリップチップ実装方法
JP2812304B2 (ja) フリップチップ型半導体装置のリペア方法
JP3061017B2 (ja) 集積回路装置の実装構造およびその実装方法
JP2002016168A (ja) 実装用基板およびそれを用いた半導体モジュール
JPH11163027A (ja) 二工程ワイヤ接合プロセス
JP2001291734A (ja) ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置
JPH118258A (ja) 吸着・加圧兼用チャック及び該チャックを用いた半導体装置の製造方法
JPH0341744A (ja) 超音波ワイヤボンディング法
JP2000150556A (ja) バンプ電極形成方法
JP2001057376A (ja) ボンディング装置及び基板の製造方法
JPS6178128A (ja) 半導体装置およびその製造において用いるボンデイングツ−ル

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application