KR19980702598A - 레이져에 의해 제거 가능한 개량 물질 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가시광선 레이져에 의해 제거될 수 있는 물질과 집적회로의 주문제작 및 제조과정에서 이러한 물질을 이용하는 방법에 관한 것으로,
가시광선 레이져 복사에 의해 제거되는 플라즈마 적층 중합체(PDP) 층으로 집적회로를 코팅하는 것을 특징으로 한다.

Description

레이져에 의해 제거 가능한 개량 물질 (AN IMPROVED LASER ABLATEABLE MATERIAL)
집적회로는 대량으로 제작되는 것이 일반적이다. 그러나 흔히 통상적인 생산용 원형을 제작하기 위하여 특정한 집적회로를 소량으로 제조하는 것이 요청된다. 본 발명에 참고되는 미국특허 4,924,287은 주문제작형 집적회로에 관해 기술하고 있다. 이러한 집적회로를 주문제작하는 방법에 관하여는 역시 본 발명에 참고되는 미국특허 5,329,152에 기술되어 있다.
주문제작 집적회로에는, 최종 사용자에게 공급되기 전의 부분적 변경을 위한 예정된 부분이 있는 것이 통상적이다. 상기 부분적 변경은 특히 다음과 같은 것을 포함한다 :
(1) 메모리 위치의 전기적 프로그래밍 ;
(2) 전도성 링크의 절단 ; 및
(3) 전도성 링크의 형성.
주문제작은 전도성 링크의 절단에 의한 것이 바람직한데, 이 방법은 전기적으로 프로그램이 가능한 논리 장치가 필요로 하는 것과는 달리, 별도의 전기회로를 필요로 하지 않기 때문이다. 또한, 미리 제조된 링크는 나중에 형성된 링크보다 더 높은 전류밀도를 갖는다.
두 가지 방법이 링크를 선택적으로 절단하는 데 주로 이용된다. 그 하나는 레이져 빔으로써 각각의 링크를 직접 절단하는 것이다. 그러나, 레이져를 이용한 직접적인 절단은 높은 레이져 에너지 밀도를 필요로 한다. 많은 양의 레이져 에너지를 집적회로 표면에 가하는 것은 집적회로에 손상을 가져올 수 있다.
이러한 집적회로를 주문제작하는 바람직한 방법으로는 레이져에 민감한 제거형 물질의 층을 집적회로에 코팅하고, 비교적 적은 양의 레이져 복사(Radiation)를 이용하여 선택된 위치의 물질을 제거하는 방법이 있다. 이러한 제거과정 후, 집적회로는 상기 제거형 물질을 부식시키지 않는 부식제 또는 기타 부식방법, 예를 들면 염소 플라즈마 에칭에 의하여 에칭된다. 따라서, 레이져에 의해 미리 제거된 부분만이 에칭된다. 주문제작형 부위는 금속 링크를 포함하는 것이 통상적이므로, 링크의 에칭은 집적회로의 내부연결을 변경시키고 이에 따라 집적회로의 작용을 변경시킨다.
또한, 사진석판을 이용하는 방법이 알려져 있는데, 이는 집적회로를 복사에 민감한 물질의 층으로 코팅하고, 일정 패턴의 자외선, 가시광선, X 레이 또는 전자빔에 노출시킨다. 코팅 물질은 현상되고 복사선에 노출된 부분이 제거된다. 그리고 나서, 집적회로는 전술한 방법으로 에칭된다.
실제로는, 코팅용 물질에 요구되는 특성이 까다로워 극히 적은 수의 물질만이 레이져 제거형 코팅에 사용될 수 있다. 효율적인 레이져 제거형 물질은 레이져 에너지를 되도록 많이 흡수하여야 하며, 이에 대응하여 직접적이고 즉각적으로 기체상태가 되어야 한다. 레이져를 이용한 제거는 때로 물질의 파열을 일으킨다. 파열은 물질의 일부를 기체로 변환시키나, 또한 물질의 일부를 입자상태로 날리게 한다. 이러한 입자의 일부는 칩위로 떨어지고 파열전의 노출된 부분을 뒤덮게 되며, 이러한 부위의 제거/파열을 상쇄시킨다. 효율적인 레이져 제거형 물질은 많은 입자를 형성시키지 않아야 한다. 제거라는 용어는 물질이 직접 기체상태로 되고, 극히 적은 수의 입자만이 형성되는 것을 의미한다.
제거에 의한 결과적인 패턴은 가능한한 복사 패턴에 근접해야 하며, 적은 양의 에너지만이 주변 부위와 집적회로로 누설되는 것이 바람직하다. 그렇지 않으면, 기하 도형적인 배열의 명료도가 떨어지고, 집적회로에 손상이 생길 수 있게 된다. 또한, 물질은 기판에 양호하게 점착되어야 하고, 미세 전자회로에 사용되는 기하도형적인 단 배열에 양호한 보호막을 제공하여야 한다. 코팅의 목적은, 코팅되지 않은 부분의 에칭시, 코팅된 부분을 보호하는 것이므로, 물질은 적어도 하나의 에칭 방법-바람직하게는 금속 에칭 방법-에 저항성을 갖는 것이 중요하다.
이제까지 설명된 성질의 일부를 지닌 물질의 일예로, 아르세닉 설파이드가 있다. 아르세닉 설파이드는 상기에서 언급된 대부분의 성질을 갖고 있으나, 평평하지 않은 표면에는 양호하게 카바되지 못하여 다른 물질만큼 유용하지는 않다.
자외선 레이져에 의해 제거되는 레이져 제거형 물질이 종래 기술에서 알려져 있다. 예를 들어, 미국특허 5,302,547호는 액체 중합체로 집적회로를 카바하고 자외선으로써 상기 중합체를 제거하는 것에 관해 기술하고 있다. 그러나, 이러한 중합체는 가시광선에 대해 투명한 성질을 지니며 가시광선 레이져에 의해 제거가능한 것으로 알려져 있지 않다.
매우 적은 수의 물질만이 가시광선에 의해 제거 가능한 것으로 알려져 있다.가시광선은 자외선에 비해 보다 선호되는데, 그 이유는 레이져 기술이 가시광선 파장에서 보다 효율적이고 저렴하게 레이져를 제공하기 때문이다.
미국특허 5,329,152호는 가시광선 레이져 제거형 코팅 물질로서 아몰퍼스 실리콘의 사용에 관해 기술하고 있다. 아몰퍼스 실리콘은 가시광선 레이져에 의해 제거되고, 금속 에칭에 사용되는 염소 플라즈마 에칭 방법에 부분적인 저항성이 있다. 따라서, 노출된 금속 링크가 구비된 집적회로는 제거형 물질로서 아몰퍼스 실리콘을 사용함으로써 주문제작될 수 있다.
아몰퍼스 실리콘이 지닌 한가지 문제점은 높은 기화온도(2355℃)에 있는데, 기화온도는 파열과 입자 형성의 경향을 증가시키는 용융온도보다 1000℃ 높다.
플라즈마 중합(Plasma Polymerization, by H. Yasuda, Academic Press, Inc. 1985)에 기술된 플라즈마 적층 중합체(Plasma deposited polymers : PDP)는 외과용 보철기구 및 반투과성 막과 같이 다양한 용도에 사용될 수 있도록 하는 틈새 충전성(Crack Filling), 화학적 불활성 및 선택적 투과성과 같은 성질을 갖는다. 본 발명에서 참고되는 미국특허 5,320,875호, 5,312,529호, 5,283,119호 및 5,308,649호는 PDP의 제조 방법과 사용 방법에 관해 기술하고 있다.
PDP는 통상적으로 다음과 같이 제조된다 :
먼저, 기판이 플라즈마 챔버내에 놓여진다. 그리고 챔버에는 메탄과 같은 기체가 낮은 압력-통상적으로 1 torr-으로 채워진다.
그리고나서 챔버내에서는 플라즈마가 만들어지는데, 이때 기체를 이온화하는 고주파 전기장이 통상적으로 이용된다. 결과적으로, 중합체 층이 연속하여 기판 위에 적층된다.
PDP는 공정에서 사용되는 기체의 직접적인 중합체는 아니다. 기체가 플라즈마 상태로 분해되고, 기체의 선구물질과 그 화합물이 기판(및 챔버의 벽면)위에 적층되는 PDP를 형성하는 것으로 믿어진다. 적층 과정은 두 개 과정의 결합으로, 하나는 분자가 기판과 충돌하고 점착하는 과정이며, 다른 하나는 분자가 점착하지 않고 오히려 기판의 물질 일부를 식각하는 과정이다. 기판의 온도에 의해, 기판에 점착하려는 분자의 유형과 이미 적층된 PDP에 분자가 부착되는 방식이 결정된다.
기체는 통상적으로 챔버를 통해, 플라즈마로 형성되는 분자의 유형과 그 결과로서 적층된 PDP의 유형을 결정하는 속도로 흐른다. 플라즈마의 서로 다른 부분으로부터 기판까지의 거리 및 플라즈마의 형성에 사용되는 RF 파워와 같은 다른 매개 변수들에 의해 PDP 적층이 영향을 받는다.
본 발명에서 사용되는 기체는 일반적으로 유기화합물이다. 그러나, 아르곤과 같은 불활성 기체가 적층 과정을 빠르게 하기 위하여 첨가될 수 있다. 또한, 상이한 출발물질로부터 유사한 중합체가 형성되는 것이 관찰된다.
본 발명은 가시광선 레이져에 의해 제거될 수 있는 물질에 관한 것으로, 보다 상세하게는 집적회로의 주문제작 및 제조과정에서 이러한 물질을 이용하는 방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라서 제거층을 생성하는데 사용되는
증기 적층 챔버를 개략적으로 도시한 구성도.
도 2A 내지 2C는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라서 주문 제작되는
집적회로를 도시한 측단면도.
도 3A 내지 3D는 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따라서 주문 제작되는
집적회로를 도시한 측단면도.
본 발명자는 플라즈마 적층 중합체(PDP)를 적층하는 방법을 발견하였는데, 상기 PDP는 가시광선과 같이 자외선보다 파장이 긴 레이져 광선에 의해 제거되는 성질을 갖는다.
본 발명의 바람직한 실시예에서 PDP는 다음의 방법으로 적층된다 :
(1) 플라즈마 진공 챔버를 제공하는 단계 ;
(2) 기판(일반적으로, 실리콘 웨이퍼)을 챔버의 음극상에 위치시키는 단계 ;
(3) 0.08 Watt*cm-2내지 1.59 Watt*cm-2의 일률 밀도로써 고주파(RF) 복사를 활성 기체에 작용시킴으로써 생성되는 플라즈마를 챔버 내부로 유도하는 단계 ; 및
(4) 원하는 두께만큼 PDP가 기판에 적층되었을 때 공정을 중단하는 단계.
바람직하게는 아르곤과 같은 불활성 기체가 활성기체에 3 : 7 내지 7 : 3 의 비율로 첨가되고, 보다 바람직하게는 4 : 6 내지 6 : 4 의 비율로, 가장 바람직하게는 1 : 1 의 비율로 첨가된다. 바람직하게는 기체 혼합물이 양극을 통해 유입되고 챔버내에서 플라즈마로 변화한다. 택일적으로, 불활성 기체는 활성 기체가 플라즈마로 변화되기 전 또는 변화된 후에 첨가될 수 있다.
기판은 70 ℃ 이하의 온도로 유지되는 것이 바람직하다. 압력은 0.1 내지 2 torr 에서 유지되고, 0.5 내지 1.5 torr 인 것이 바람직하며, 약 1 torr 의 압력이 가장 바람직하다. 사용되는 활성 기체는 유기 화합물인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄화수소 화합물 ; 일반적으로 에틸렌이 사용된다. 기체는 챔버 내부로 1 sccm 내지 50 sccm 의 속도로 유입되며, 바람직하게는 10 내지 35 sccm, 가장 바람직하게는 약 20 sccm 의 속도로 유입된다. 기체를 이온화시키기 위한 RF 일률 밀도는 0.15 Watt*cm-2내지 1 Watt*cm-2인 것이 바람직 하고, 0.24 Watt*cm-2내지 0.48 Watt*cm-2인 것이 가장 바람직하다. 또한, RF 복사는 13.6 MHz 에서 계속되는 것이 바람직하다. 그러나, 400 MHz 주파수의 펄스 RF 복사와 같은 그 밖의 RF 에너지 적용 방법이 사용될 수 있다. 음극의 직경은 8 인 것이 바람직하다. 양극과 음극간의 거리는 1.5 내지 10 cm 이며, 3 cm 인 것이 바람직하다.
대략 10 분의 통상적인 적층시간이 지나면, 일반적으로 요구되는 대략 1 μ 두께의 중합체가 생성된다.
이러한 매개변수는 원하는 특성을 지닌 중합체를 생성시키기 위하여 조절될 수 있다. 구체적으로, 낮은 비열, 낮은 열 전도성, 기화 온도와 용융 온도 사이의 적은 온도차 및 높은 광 흡수성을 갖는 물질이 바람직하며, 이러한 물질은 상기 매개변수를 활용함으로써 얻어진다.
전술한 조건하에서 적층되는 PDP는 하나 또는 그 이상의 다음과 같은 성질을 갖는다 :
(1) 피막 보호층으로 작용할 수 있을 만큼의 충분한 안정성 ;
(2) 레이져-바람직하게는 가시광선 레이져-에 의해 제거될 때, 하부층이 레이져 에너지에 의해 손상 받지 않도록 PDP를 향하여 입사되는 레이져 에너지를 충분히 흡수하는 성질 ;
(3) 레이져 에너지가 직접적으로 조사된 부분만이 제거되는 성질 ;
(4) 물질이 제거되는 성질, 즉 물질이 제거될 때 파열하기 보다는 기화하여 극히 적은 양의 파편이 기판위에 형성되는 성질 ;
(5) 비교적 낮은 수준의 에너지에 대응하여 물질이 제거되는 성질 ;
(6) 평평하지 않은 구조위에 편평하게 적층되도록 하는 양호한 충전성 ;
(7) 절연성 ;
(8) 기판에 양호하게 점착하는 성질 ;
(9) 적어도 일부의 금속 에칭 방식에 대한 저항성 ;
(10) 전자 빔(e-beam)에 의해 물질이 제거되는 성질 ; 및
(11) 물질이 소정 수단에 의해 에칭되는 것이 가능하며, 바람직하게는 집적회로의 하부 구조는 에칭되지 않는 성질.
택일적으로, 선택된 흡수 계수를 갖는 PDP는, 상기 플라즈마를 생성시키는 데 사용되는 일률 밀도를 적절히 선택함으로써 적층될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예와 관련하여, 다음의 단계로 구성되는 직접회로의 주문제작 방법이 제공된다 :
집적회로를 제공하는 단계 ;
상기 집적회로상에 PDP를 적층시키는 단계 ; 및
레이져 빔-바람직하게는 가시광선 레이져 빔-을 이용하여 미리 선택된 위치의 PDP를 제거하는 단계.
그리고 나서, 상기에서 제거된 위치의 아래쪽 위치에서 집적회로가 에칭-바람직하게는 반응성 이온 에칭-되는 것이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따라서, 가시광선에 의해 제거 가능한 PDP가 제공된다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 따라서, 가시광선에 의해 제거 가능한 PDP로 코팅된 집적회로가 제공된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따라서, 전술된 적층 매개변수에 따라 적층된 PDP가 제공된다.
도 1은 플라즈마 적층 중합체(Plasma Deposited Polymer ; PDP)를 기판에 적층시키는데 적합한 플라즈마 진공 챔버(1)-예를 들면, 플라즈마-썸(Plasma- Therm) 모델 790 진공 챔버-를 도시한 것이다.
PDP로 코팅되는 기판(3)은 챔버(1)내부에 놓이는데, 바람직하게는 음극(4)위에 위치한다. 기판이 적층과정 동안 거의 일정한 온도를 유지할 정도로 난방/냉방장치(5)에 의해 기판(3)의 온도가 조절된다. 챔버의 벽이 가열되는 것에 반하여, 기판은 20℃ 의 온도로 유지되는 것이 바람직하다. 펌프(2)는 챔버(1) 내부의 기체압력을 감소시킨다. 적층과정 동안 챔버 내부의 압력은 대략 1 torr 인 것이 바람직하나, 본 발명을 실행하는데 있어서 0.1 내지 2 torr 의 압력 또한 이용가능하다.
기체는 양극(6)에 형성된 다수 개의 노즐(8)을 통해 챔버(1)에 공급되는 것이 바람직하다. 기체는 통상적으로 활성 기체와 불활성 기체의 혼합물이며, 에틸렌 또는 그 밖의 탄화수소와 같은 유기 화합물 및 아르곤과 같은 불활성 기체의 혼합물인 것이 바람직하다. 활성 기체와 불활성 기체의 비율은 7 : 3 내지 3 : 7 인 것이 바람직하고, 약 1 : 1 인 것이 더욱 바람직하다. 유속은 기체 혼합물이 공급되는 속도를 가리키는 것으로, 1 sccm 내지 50 sccm 인 것이 바람직하고, 20 sccm 인 것이 보다 바람직하다.
많은 유기 화합물과 특히 : C2H2, C6H6, C6F6, C2H4, C2F4, 스티렌, 싸이클로 헥산, 에틸렌 옥사이드, 아크릴릭 애시드, 프로피오닉 애시드, 비닐 아세테이트, 메틸 아크릴레이트, 헥사메틸디실레인, 테트라메틸디실록산, 헥사메틸디실록산, 디비닐테트라메틸디실록산 및 많은 탄화수소 화합물이 PDP 적층시 에틸렌과 교환 가능한 것으로 알려져 있으므로, 전술한 유기 물질을 이용하고 필요한 경우 적층 매개변수를 적절히 변경한다면, 가시광선 레이져에 의해 제거 가능한 PDP를 얻을 수 있다.
13.6 MHz 에서 작동하는 것이 바람직한 RF 발생기(7)는 양극(6)과 음극(4) 사이에 연결된다. 8 직경의 음극에 대하여 RF 발생기(7)의 출력은 통상적으로 25 W 내지 500 W 이고, 바람직하게는 75 W 내지 150 W 이다. 바람직하게는, 양극(6)과 챔버(의 벽면 ; 1)는 접지되고, 이들과 음극(4)사이에서 전압차가 나타난다. 양극(6)과 음극(4) 사이의 거리는 1.5 내지 10 cm 이고, 바람직하게는 3 cm 이다.
택일적으로, 활성 기체는 챔버내에서 분리된 플라즈마 상태로 변화한다. 활성 기체가 플라즈마 상태로 변화되기 전 또는 변화된 후, 불활성 기체가 활성기체에 가해질 수 있다.
상기에서 설명된 것과 같이 구성된 챔버내에서, PDP층은 계속하여 기판(3)에 적층된다. 약 0.6 μ 두께의 층이 15분 이내에 적층되는 것이 바람직하다.
전술한 매개변수의 또 다른 조합에 의하여도 적층된 PDP가 생성될 수 있으며, 일부의 경우 결과물인 PDP는 가시광선 레이져에 의해 제거 가능할 것이다.
전술한 조합에 따라 적층되는 PDP는 가시광선 레이져에 의해 제거 가능하며,다음과 같은 성질의 일부 또는 전부를 갖는다 :
(1) 낮은 열 전도성 ;
(2) 낮은 기화 온도 ;
(3) 가시광선의 중간 범위에서 적어도 3*103cm-1의 흡수 계수 ;
(4) 금속층과 절연층을 각각 에칭하기 위해 일반적으로 사용되는 염소 및 불소 플라즈마에 대한 안정성 ;
(5) 4 J/cm2이하의 펄스 에너지 밀도와 가시광선 레이져 복사(532 nm 또는 527 nm 의 파장)의 주변 조건에서의 제거성 ;
(6) 산소 플라즈마에서의 에칭성 ;
(7) 대략 PDP층과 같은 정도의 폭에 채워질수 있는 충전성 ;
(8) 기판에 평평하게 적층하는 성질 ;
(9) 절연성 ;
(10) 1 J*cm-2이상의 레이져 에너지에서 많은 입자를 생성시키지 않고 제거되는 성질 ;
(11) 제거 패턴와 레이져 복사 패턴 사이의 양호한 일치성 ;
(12) 기판에의 양호한 점착성 ; 및
(13) PDP가 피막 보호층으로 사용될 수 있도록 저장 상태에서 1 년 이상의 기간을 넘는 안정성.
또한 본 발명의 바람직한 실시예와 관련하여, 적층된 PDP는 가시광선 영역에서 균등하고 단조롭게 감소하는 흡수 계수를 갖는다. 따라서, PDP는 자외선 레이져에 의해 쉽게 제거 가능하며, 또한 적외선 근처의 레이져 광에 의해서도 제거 가능하다.
전술한 성질을 지닌 PDP의 바람직한 용도는 집적회로를 주문제작 하는 데 있다. 도 2A 내지 2C는 본 발명과 관련된 집적회로의 주문제작 과정을 도시하고 있다. 도 2A는 절연층(904)에 의해 제2 금속층(902)로 부터 분리된 금속층(901)을 포함하는 집적회로를 도시하고 있다. 제2 금속층(902)은 또한 제2 절연층(905)으로 덮혀 있고, 제3 금속층(903)은 제2 절연층(905)을 덮는다. 집적회로의 전체 상부는 피막 보호층(436)으로 덮히는 것이 바람직하다. 주문제작은 층(902) 및/또는 층(903)내에 단락 금속 링크를 포함하는 것이 바람직하므로, 다수 개의 어퍼츄어(422)가 피막 보호층(436)을 통과하고 또한 단락 금속 링크(438) 아래쪽으로의 중간층을 통과하여 형성되는 것이 바람직하다. 본 발명에 참고되는 오르바크(Orbach)의 미국특허 4,924,287 및 1994년 8월 15일 출원되고 그 명칭이 주문제작형 로직 어레이 장치인 미국 특허출원번호 08/290,550 은 모두 주문제작에 바람직한 집적회로에 관해 기술하고 있다.
도 2A에 도시된 바와 같이, 주문제작 과정의 첫 번째 단계는 집적회로 위에 PDP층(900)을 적층시키는 것을 포함한다. 상기 층의 두께는 1 μ 인 것이 바람직하다. 상기 PDP층(900)은 주위의 실내 조건하에서 안정한 것이 바람직하므로, 코팅된 집적회로는 대량으로 제조되고 필요시까지 저장되는 것이 바람직하다.
도 2B에 도시된 바와 같이, 주문제작 과정의 두 번째 단계는 선택된 위치의 PDP층(900)을 제거하는 것이 포함된다. 바람직하게는, 이러한 위치가 어퍼츄어(422)위에 놓인다. 바람직하게는, 532 nm 의 주파수 이중 레이져 NdYAG 또는 523 nm 의 Nd YFL이 PDP층(900)을 제거하는데 사용된다. 택일적으로, 514 nm 또는 488 nm 의 아르곤 레이져가 사용된다. 바람직하게는, 펄스가 대략 100 nano seconds 의 길이와 대략 4 J/cm2의 에너지 밀도를 갖는다. 제거는 레이져 미세 기계가공시스템을 이용하여 수행될 수 있으며, 바람직하게는 이스라엘의 칩 익스프레스 리미티드(Chip Express (Israel) LTD)로부터 입수 가능한 QS650이 이용된다.
도 2C에 도시된 바와 같이, 주문제작 과정의 세 번째 단계는 집적회로를 에칭하는 것을 포함하고, 바람직하게는 염소 플라즈마를 이용하여 에칭한다.
바람직하게는, 잔류된 PDP가 산소 플라즈마에 의해 제거되고 피막 보호층이 주문제작된 집적회로 위에 형성된다.
도 3A 내지 도 3D는 전술한 과정과 유사하게 진행되는 또 다른 형태의 바람직한 주문제작 과정을 도시한 것이다. 이 실시예에서, 집적회로는 PDP층(900)의 적층단계전에 먼저 평탄화 층(906)으로 코팅 되는데, 바람직하게는 실리콘 다이옥사이드 또는 종래 기술에서 잘 알려진 그 밖의 절연성 평탄화 물질이 사용된다(도 3A 참조).
도 3B는 선택된 위치에서 층(900)이 제거된 후의 장치를 도시한 것이다.
평탄화 층(906)을 에칭하는 추가적인 단계는 CF4플라즈마를 이용하는 것이 바람직하고(도 3C 참조), 이 단계는 집적회로 자체를 에칭하기 전에 이루어진다(도 3D 참조).
전술한 주문제작 과정은 CMOS 장치, 게이트 어레이, 멀티-칩 팩키지와 메모리 칩을 포함하는 대부분의 집적회로에 대하여 수행될 수 있다.
추가적으로, PDP의 제거 패턴은 사용된 복사 패턴과 극히 유사하므로, 매우 정밀한 PDP의 미세 기계가공이 가능해진다. 절단 깊이는 0.3 μ 또는 이보다 양호한 정밀성을 갖도록 조절된다. 직사각형 절단부의 모서리에서의 곡률 반경은, 0.532 μ 의 파장이 사용되더라도, 0.2 μ 또는 이보다 작다. 이것은 제거 과정의 쓰레스홀드(Threshold) 성질과 레이져 간섭성 광의 이미징 성질에 기인한다.
PDP는 일반적인 포토-레지스트를 사용하는 것보다 융통성이 있는데, 이는 PDP가 현상되고 세척될 필요가 없기 때문이다. 뿐만 아니라, PDP의 광학적 성질-특히 흡수성질-은 기체를 이온화시키는데 사용되는 RF 파워를 변화시킴으로써 조절될 수 있고, 따라서 선택된 어떠한 레이져 파장 또는 원하는 필름 두께에 대하여 정확한 흡수가 이루어지는 PDP 층이 제조될 수 있다. 또한, PDP의 에칭 저항성은 일반적인 포토-레지스트와 비슷하다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 레이져에 의해 제거 가능한 개량 물질을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구의 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다 :

Claims (33)

  1. 가시광선 레이져 복사에 의해 제거 가능한 PDP 층으로 코팅된 것을 특징으로 하는 집적회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 PDP는 4 J/cm2보다 작은 에너지 밀도의 레이져에 의해 제거 가능한 것을 특징으로 하는 집적회로.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 PDP는 금속 에칭 방법 또는 산화물 에칭 방법에 대해 부분적인 저항성을 지닌 것을 특징으로 하는 집적회로.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 금속 에칭 방법은 플라즈마 에칭으로 구성되는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  5. 장치를 제공하는 단계 ;
    상기 장치에 PDP 층을 적층시키는 단계 ; 및
    레이져 빔을 이용하여 상기 장치에서 미리 선택된 위치를 제거하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치의 주문제작 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 레이져 빔은 가시광선 레이져 빔인 것을 특징으로 하는 장치의 주문제작 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 장치에서 제거된 위치를 에칭하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치의 주문제작 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 장치는 집적회로인 것을 특징으로 하는 장치의 주문제작 방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 장치는 주문제작형 게이트 어레이인 것을 특징으로 하는 장치의 주문제작 방법.
  10. 제 6 항에 있어서,
    PDP를 적층시키는 단계는 :
    상기 장치를 플라즈마 챔버내에 위치시키는 단계 ; 및 상기 챔버내에 기체 플라즈마를 공급하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치의 주문제작 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 기체 플라즈마는 0.08 내지 1.59 Watt*cm-2사이의 고주파 전기장으로 활성화 되는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치의 주문제작 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 기체 플라즈마는 0.24 내지 0.48 Watt*cm-2사이의 고주파 전기장으로 활성화 되는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치의 주문제작 방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    챔버의 압력이 0.1 내지 2.0 torr 로 유지되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치의 주문제작 방법.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 플라즈마의 유속은 1 내지 50 sccm 인 것을 특징으로 하는 장치의 주문제작 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 플라즈마의 유속은 15 내지 25 sccm 인 것을 특징으로 하는 장치의 주문제작 방법.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 기체 플라즈마는 유기 화합물과 적어도 30 % 이상의 아르곤의 혼합물로부터 생성되는 것을 특징으로 하는 장치의 주문제작 방법.
  17. 가시광선 레이져 복사에 의해 제거 가능한 것을 특징으로 하는 플라즈마 적층 중합체(PDP).
  18. 제 17 항에 있어서,
    4 J/cm2이하의 에너지 밀도를 갖는 레이져에 의해 제거 가능한 것을 특징으로 하는 플라즈마 적층 중합체(PDP).
  19. 제 18 항에 있어서,
    적어도 하나의 금속 에칭 방법에 대하여 부분적으로 저항성을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 적층 중합체(PDP).
  20. 플라즈마 챔버를 제공하는 단계 ;
    상기 챔버내에 기판을 제공하는 단계 ; 및
    PDP가 선택된 흡수 계수를 갖도록 선택된 일률 밀도의 고주파 전기장에 의해 기체 플라즈마를 생성하기 위하여 유기성 기체로 구성된 기체를 활성화시켜 상기 기체 플라즈마를 상기 챔버에 공급하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 적층 중합체(PDP)의 제조방법.
  21. 플라즈마 챔버를 제공하는 단계 ;
    상기 챔버내에 기판을 제공하는 단계 ; 및
    0.08 내지 1.59 Watt*cm-2사이의 일률 밀도를 갖는 고주파 전기장에 의해 기체 플라즈마를 생성하기 위하여 유기성 기체로 구성된 기체를 활성화시켜 상기 기체 플라즈마를 상기 챔버에 공급하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 적층 중합체(PDP)의 제조방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 일률 밀도는 0.15 내지 1 Watt*cm-2인 것을 특징으로 하는 플라즈마 적층 중합체(PDP)의 제조방법.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 일률 밀도는 0.24 내지 0.48 Watt*cm-2인 것을 특징으로 하는 플라즈마 적층 중합체(PDP)의 제조방법.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 유기성 기체는 탄화수소 화합물인 것을 특징으로 하는 플라즈마 적층 중합체(PDP)의 제조방법.
  25. 제 23 항에 있어서,
    상기 기체는 적어도 30% 의 불활성 기체로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 적층 중합체(PDP)의 제조방법.
  26. 제 23 항에 있어서,
    상기 유기성 기체는 에틸렌으로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 적층 중합체(PDP)의 제조방법.
  27. 제 21 항에 있어서,
    챔버의 압력이 0.1 내지 2.0 torr 에서 유지되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 적층 중합체(PDP)의 제조방법.
  28. 제 21 항에 있어서,
    상기 플라즈마는 1 내지 50 sccm 의 유속을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 적층 중합체(PDP)의 제조방법.
  29. 제 21 항에 있어서,
    상기 플라즈마는 15 내지 25 sccm 의 유속을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 적층 중합체(PDP)의 제조방법.
  30. 제 21 항의 방법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 PDP.
  31. 제 24 항의 방법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 PDP.
  32. 제 26 항의 방법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 PDP.
  33. 제 28 항의 방법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 PDP.
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