JPH11502060A - 改良されたレーザー融蝕性材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は、可視光線レーザー放射によって融蝕可能なプラズマ蒸着ポリマー（ＰＤＰ）の層で集積回路（３）を被覆する方法を開示する。

Description

【発明の詳細な説明】 改良されたレーザー融蝕性材料 発明の分野 本発明は、可視光線のレーザーによって融蝕可能(ablateable)である材料、そ して更に詳しくは、集積回路の製造および注文に合わせて改変することにおける このような材料の使用法に関する。 発明の背景 集積回路は、通常、大規模生産で製造される。しかしながら、典型的には原型 とするために、特殊な集積回路の小規模生産を行うことがしばしば望まれる。本 明細書中にその開示が援用される米国特許第4,924,287号明細書は、注文に合わ せて改変可能な集積回路を記載している。このような集積回路を注文に合わせて 改変する方法は、米国特許第5,329,152号明細書で示されており、その開示もま た本明細書中に援用される。 注文に合わせて改変可能な集積回路は、典型的に、最終使用者に供給される前 に変更される所定の部分を有する。このような変更としては、特に、 （ａ）記憶場所を電気的にプログラミングすること； （ｂ）導電リンクを切断すること；および （ｃ）導電リンクを設けることが含まれる。 導線リンクを切断することによる注文に合わせての改変は、この方法が、電気 的にプログラミング可能な論理装置の場合と同様に、集積回路上に余分な回路部 品を必要としないので好ましい。更に、予め設けられたリンクは、設けられるリ ンクよりも高い電流密度を有することがありうる。 リンクを選択的に切断するには、主として二つの方法が用いられる。一つの方 法は、それぞれのリンクをレーザービームで直接的に切断することである。しか しながら、レーザーでの直接的切断は、高いレーザーエネルギー密度を必要とす ることがある。集積回路表面に対して多量のレーザーエネルギーを加えることは 、集積回路を損傷することがある。 このような回路を注文に合わせて改変する好ましい方法は、レーザー感受性の 融蝕性材料の層でそれらを被覆することおよび比較的少量のレーザー放射を用い てその材料を選択された場所で融蝕することである。このような融蝕後、融蝕性 材料を除去しないエッチング剤または他のエッチング法を用いて、例えば、塩素 プラズマエッチングによって集積回路をエッチングする。このようにして、レー ザーによって前に融蝕された部分だけがエッチングされる。リンクのエッチング は集積回路の相互連結を変更し、したがって、その機能を変更するので、注文に 合わせて改変可能な部分としては、典型的に、金属リンクが含まれる。 集積回路を放射線感受性材料の層で被覆し且つ一定のパターンの紫外線、可視 光線、Ｘ線または電子ビームに対して暴露する写真食刻法を用いることもまた知 られている。被覆材料を現像させ、そして放射線に暴露された部分を除去する。 実際には、それらの必要な特性のために、レーザー融蝕性コーティングとして 有用である材料は極めて少ない。有効なレーザー融蝕性材料は、レーザーエネル ギーの大部分を吸収することができるべきであり、そしてそれに応じて、直接的 に且つ直ちに気体に変換されるべきである。レーザー融蝕は、時々、材料を爆発 させる。爆発は材料の一部分を気体に変換するが、しかしながら、若干の材料は また、粒子として吹き飛ばされる。これらの粒子のいくつかは、もとのチップ上 に降下し且つ前に被覆されなかった部分を覆って、これらの部分の融蝕／爆発を 妨げることがある。有効なレーザー融蝕性材料は、多数の粒子を生じるべきでは ない。融蝕(ablation)という用語は、材料が直接的に気体になり、粒子を生じる ことが極めて少ないということを意味する。 得られた融蝕パターンが照射パターンにできるだけ近いということおよび少量 のエネルギーしか周囲部分および集積回路に漏出しないということもまた望まし い。さもなければ、形状寸法の定義は不十分であろうし、集積回路は損傷するこ とがある。更に、材料は、基体に充分に付着し且つ超小形電子回路において用い られるステップ形状への充分な被覆量を与えるべきである。コーティングの目的 は、被覆されていない部分をエッチングしながら被覆部分を保護することである ので、材料は、少なくとも一つのエッチング法、好ましくは、金属エッチング法 に対して耐性であることが重要である。 上述の特性を全部ではないがいくつか有する材料の一例は硫化ヒ素である。硫 化ヒ素は上述の特性の大部分を有するが、しかしながらそれは、平坦でない表面 を極めて充分に被覆することはないので、それは他の材料と同様に有用ではない 。 紫外線レーザーによって融蝕されるレーザー融蝕性材料は、当該技術分野にお いて知られている。例えば、米国特許第5,302,547号明細書は、集積回路をある 液体ポリマーで被覆し且つそのポリマーを紫外線で融蝕することを示している。 しかしながら、これらのポリマーは可視光線を透過し、しかも可視光線レーザー によって融蝕可能であるとは認められない。 可視光線によって融蝕可能であることが知られている材料は極めて少ない。レ ーザー技術は可視光線波長において一層有効で且つあまり高価でないレーザーを 与えるので、可視光線は紫外線より好ましい。 米国特許第5,329,152号明細書は、可視光線レーザー融蝕性コーティング材料 として非晶質ケイ素の使用を開示している。非晶質ケイ素は、可視光線レーザー によって融蝕されるし、しかも金属をエッチングするのに用いられる塩素プラズ マによるエッチングに対して部分的に耐性である。したがって、暴露された金属 リンクを含む集積回路は、融蝕性材料として非晶質ケイ素を用いることによって 注文に合わせて改変することができる。 非晶質ケイ素に伴う一つの課題は、爆発および粒子発生の傾向を増加させるそ の高い気化温度(２３５５℃、すなわち、その融点を１０００℃越える温度)であ る。 プラズマ蒸着ポリマー（ＰＤＰ）は、アカデミック・プレス・インコーポレー テッド（Academic Press,Inc.）、Ｈ．ヤスダ（Yasuda）による「Plasma Polyme rization」，1985年で記載されており、亀裂充填（crack-filling）、化学的不 活性および選択的透過性のような性質を有し、それらを外科的プロテーゼおよび 半透膜などの様々な用途に有用にさせる。本明細書中にそれらの開示が援用され る米国特許第5,320,875号明細書、同第5,312,529号明細書、同第5,283,119号明 細書および同第5,308,649号明細書は、ＰＤＰの製造法および使用法を開示して い る。 ＰＤＰは、典型的に、次のように製造される。 最初に、基体をプラズマチャンバー内に入れる。次に、そのチャンバーに、メ タンなどのガスを低圧で、典型的には１トールのオーダで満たす。 次に、そのチャンバー内で、典型的には、ガスをイオン化する高周波（ＲＦ） 電界を用いてプラズマを発生させる。結果として、ポリマー層は基体上に連続的 に蒸着する。 ＰＤＰは、その工程で用いられるガスの直接的なポリマーではないということ は理解されるべきである。ガスはプラズマに分解し、そしてガス前駆物質および それらの化合物はＰＤＰを生成した後、それが基体上（およびチャンバー壁上） に蒸着すると考えられる。蒸着工程は二つの工程の組合わせであり、分子が基体 に当たって且つ付着する一つと、分子は付着しないが、若干の材料が基体をエッ チング除去させることができるもう一つの工程である。基体の温度は、基体に付 着すると考えられる分子の種類および既に蒸着したＰＤＰに対してそれらを付着 させる方法を指定する。 通常、ガスは、プラズマになる分子の種類、したがって蒸着されるＰＤＰの種 類を決定する速度でチャンバーを通って流れる。プラズマのいろいろな部分から の基体の距離およびプラズマを発生させるのに用いられるＲＦ出力などの、蒸着 したＰＤＰに影響を与えることがある多数の他のパラメーターが存在する。 典型的に、用いられるガスは有機化合物である。しかしながら、蒸着工程を促 進するために、アルゴンなどの若干の不活性ガスを加えることができる。更に、 同様のポリマーが種々の出発物質から生成されうることが観察された。 発明の概要 本発明者は、可視光線などの紫外線より長い波長を有するレーザー光線によっ てレーザー融蝕性であるプラズマ蒸着ポリマー（ＰＤＰ）を蒸着する方法を発見 した。 本発明の好ましい実施態様において、ＰＤＰは、 （ａ）プラズマ真空チャンバーを準備し； （ｂ）該チャンバーの陰極上に基体（典型的には、シリコンウェファー）を置 き； （ｃ）プラズマをチャンバー内に導入し、該プラズマは高周波（ＲＦ）放射を 活性ガスに対して適用することによって生じ、用いられる出力密度は０．０８ワ ット×ｃｍ^-2〜１．５９ワット×ｃｍ^-2であり；そして （ｄ）ＰＤＰを基体上に所望の厚みまで蒸着させた時点で工程を終結させる方 式で蒸着される。 好ましくは、アルゴンなどの不活性ガスを、活性ガスに対して３：７〜７：３ の比率で、好ましくは、４：６〜６：４の比率で、最も好ましくは、１：１の比 率で加える。好ましくは、ガス混合物を陽極を介して導入し且つチャンバー内で プラズマに変える。或いは、ガスを最初にプラズマに変えた後、チャンバー内に 導入する。不活性ガスは、活性ガスをプラズマに変える前か後に加えることがで きる。 基体は、好ましくは、７０℃未満の温度で維持される。０．１〜２トール、好 ましくは、０．５〜１．５トールの圧力を維持する。本発明者は、約１トールの 圧力が最も好ましいことを発見した。好ましくは、用いられる活性ガスは有機、 好ましくは、炭化水素であり、典型的に、エチレンが用いられる。ガスは、チャ ンバー内に１ｓｃｃｍ〜５０ｓｃｃｍ、好ましくは、１０〜３５ｓｃｃｍ、そし て最も好ましくは、約２０ｓｃｃｍの流速で導入される。好ましくは、ガスのイ オン化は、ＲＦ出力密度０．１５ワット×ｃｍ^-2〜１ワット×ｃｍ^-2で達成され 、最も好ましくは、出力密度は０．２４ワット×ｃｍ^-2〜０．４８ワット×ｃｍ^-2 である。好ましくは、ＲＦ放射は１３．６ＭＨｚで続けられる。しかしながら 、４００ＭＨｚの周波数でのパルスＲＦ放射などの他のＲＦエネルギー適用法を 用いてもよい。好ましくは、陰極は直径８″である。陰極および陽極間の距離は 、１．５〜１０ｃｍ、好ましくは、３ｃｍである。 約１０分間の典型的な蒸着時間は、約１μの典型的に望ましい厚みのポリマー を生じるであろう。 これらのパラメーターは、所定の特性を有するポリマーを生じるように調整す ることができる。具体的には、比熱が低い、熱伝導率が低い、蒸発温度と融点と の差が小さい、そして吸光度が高い材料が望ましく、それらは上のパラメーター を用いて達成される。 上述の条件下で蒸着されたＰＤＰは、次の性質、 （ａ）材料は表面保護層として作用するのに充分に安定である； （ｂ）レーザー、好ましくは、可視光線レーザーによって融蝕された場合、材 料は、下にある層がレーザーエネルギーによって損傷されないように充分に、そ れに向けられた入射レーザーエネルギーを吸収する； （ｃ）レーザーエネルギーによって直接照射された部分だけが融蝕される； （ｄ）材料は融蝕性である、すなわち、それは爆発よりもむしろ気化するので 、材料が融蝕される時に基体上に生じる破壊屑は極めて少ない； （ｅ）材料は、比較的低いエネルギー水準に反応して融蝕される； （ｆ）材料は充分な充填特性を有するので、それは、均一化されていない形状 寸法に対して一様に蒸着することができる； （ｇ）材料は絶縁性である； （ｈ）材料は基体に対して充分に付着する； （ｉ）材料は少なくともいくつかの金属エッチング形態に対して耐性である； （ｊ）材料はｅ−ビームによって融蝕可能である；および （ｋ）材料は、好ましくは、下にある集積回路の構造を腐蝕しないいくつかの 手段によってエッチング可能である の内の一つまたはそれ以上を有する。 或いは、ある選択された吸光係数を有するＰＤＰは、前記プラズマを発生させ るのに用いられる出力密度を適切に選択することによって蒸着させることができ る。 したがって、本発明の好ましい実施態様により、集積回路を注文に合わせて改 変する方法であって、 集積回路を準備し； 該集積回路上にＰＤＰを蒸着させ；そして 予め選択された場所のＰＤＰを、レーザービーム、好ましくは、可視光線レー ザービームを用いて融蝕する上記方法を提供する。 好ましくは、次に、集積回路を前記融蝕場所の下に位置する場所で、好ましく は反応性イオンエッチングによってエッチングする。 本発明の好ましい実施態様により、可視光線によって融蝕可能なＰＤＰを更に 提供する。 更に、本発明の好ましい実施態様により、可視光線によって融蝕可能なＰＤＰ で被覆された集積回路を提供する。 更に、本発明の好ましい実施態様により、上記の蒸着パラメーターにしたがっ て蒸着されたＰＤＰを提供する。 図面の簡単な説明 図１は、本発明の好ましい実施態様にしたがって融蝕可能な層を成形するのに 用いられる蒸着チャンバーの略図であり； 図２Ａ〜２Ｃは、本発明の好ましい実施態様にしたがって注文に合わせて改変 された集積回路を示し；そして 図３Ａ〜３Ｄは、本発明の別の好ましい実施態様にしたがって注文に合わせて 改変された集積回路を示す。 好ましい実施態様の説明 図１は、基体上にプラズマ蒸着ポリマー（ＰＤＰ）を蒸着するのに適当なプラ ズマ真空チャンバー１、例えば、プラズマ・サーム（Plasma-Therm）７９０型真 空チャンバーを示す。 ＰＤＰで被覆される基体３は、チャンバー１中に、好ましくは陰極４上に置か れる。基体３の温度は、ヒーター／クーラー５によって制御することができ、蒸 着の際の基体を実質的に一定の温度で維持する。好ましくは、チャンバー壁を加 熱しながら、基体を２０℃で維持する。ポンプ２は、チャンバー１中のガス圧を 低下させる。好ましくは、蒸着の際のチャンバー内の圧力は約１トールであるが 、しかしながら、本発明を実施する場合、０．１〜２トールの圧力が有用である 。 ガスは、チャンバー１に対して、好ましくは、陽極６に形成された複数のノズ ル８を介して供給される。ガスは、典型的に、活性ガス、好ましくは、エチレン などの有機化合物または別の炭化水素と、アルゴンなどの不活性ガスとの混合物 である。好ましくは、活性ガスと不活性ガスとの比率は７：３〜３：７、好まし くは、約１：１の比率である。ガス混合物が供給される速度は「流速」と称され 、好ましくは、１ｓｃｃｍ〜５０ｓｃｃｍ、好ましくは２０ｓｃｃｍである。 多数の有機化合物、そして特に、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₆Ｈ₆、Ｃ₆Ｆ₆、Ｃ₂Ｈ₄、Ｃ₂Ｆ₄、 スチレン、シクロヘキサン、エチレンオキシド、アクリル酸、プロピオン酸、酢 酸ビニル、アクリル酸メチル、ヘキサメチルジシラン、テトラメチルジシロキサ ン、ヘキサメチルジシロキサン、ジビニルテトラメチルジシロキサンおよび多数 の炭化水素化合物が、ＰＤＰ蒸着においてエチレンと交換できることが知られて いるが、先の有機物質のいずれかを、必要ならば蒸着パラメーターを適切に変化 させて用いるならば、可視光線レーザーによって融蝕可能なＰＤＰを得ることが できる。 好ましくは１３．６ＭＨｚで操作されるＲＦ発生器７は、陽極６と陰極４との 間に接続される。８″の陰極直径に対して、ＲＦ発生器６の出力は、典型的に、 ２５Ｗ〜５００Ｗ、好ましくは、７５Ｗ〜１５０Ｗである。好ましくは、陽極６ およびチャンバー１（の壁）は接地されていて、そして電圧差はそれらと陰極４ との間に現れる。陽極６と陰極４との距離は、１．５〜１０ｃｍ、好ましくは、 ３ｃｍである。 或いは、活性ガスは、チャンバー内の別の区画でプラズマに変えられる。不活 性ガスは、活性ガスに対して、それがプラズマに変えられる前か後に加えること ができる。 上記のように配置されたチャンバー内において、ＰＤＰの層は基体３上に連続 的に蒸着される。好ましくは、厚み約０．６μの層が、１５分間未満で蒸着され る。 上記パラメーターの値のいくかの他の組合わせもまた蒸着されるＰＤＰを生じ うるということは理解されるべきであり、若干の場合、得られたＰＤＰは可視レ ーザー光線によって融蝕可能でありうる。 上述の配置にしたがって蒸着されるＰＤＰは、可視レーザー光線によって融蝕 可能であろうし、そして次の特性、 （ａ）低熱伝導率； （ｂ）低蒸発温度； （ｃ）中可視範囲内の少なくとも３×１０³ｃｍ^-1の吸光係数； （ｄ）金属層および絶縁層をそれぞれエッチングするのに一般的に用いられる 塩素およびフッ素プラズマ中での安定性； （ｅ）４Ｊ／ｃｍ²未満のパルスエネルギー密度での可視レーザー放射（５３ ２ｎｍまたは５２７ｎｍ）による周囲条件での融蝕性； （ｆ）酸素プラズマ中のエッチング性； （ｇ）ＰＤＰ層とほぼ同様の幅の亀裂を充填する能力； （ｈ）基体上の一様な蒸着； （ｉ）絶縁能力； （ｊ）１Ｊ×ｃｍ^-2を越えるレーザーエネルギーで多数の粒子の生成を伴わな い融蝕； （ｋ）融蝕パターンとレーザー放射パターンとの充分な適合； （ｌ）基体に対する充分な付着；および （ｍ）１年を越える貯蔵期間にわたる安定性 の内のいくつかまたは全部を有するので、そのＰＤＰは表面保護層として用いる ことができる。 本発明者は、更に、本発明の好ましい実施態様によって蒸着されたＰＤＰが、 可視光線範囲内で均等に単調に低下する吸光係数を有するということを発見した 。したがって、それは、紫外線レーザーによって容易に融蝕されうるし且つ近赤 外のレーザー光線によっても融蝕されうる。 上述の特性を有するＰＤＰの好ましい使用は、集積回路の注文に合わせて改変 する場合である。図２Ａ〜２Ｃは、本発明による集積回路の注文に合わせての改 変を示す。図２Ａは、金属層９０１を含み、それが絶縁層９０４によって第二金 属層９０２と隔離されている集積回路を示す。層９０２はまた、第二絶縁層９０ ５によって覆われていて、そしてもう一つの金属層９０３が層９０５を覆ってい る。好ましくは、集積回路の上面全体を表面保護層４３６で覆う。注文に合わせ ての改変は、好ましくは、層９０２および／または９０３中に切断金属リンクを 含むので、好ましくは、複数のアパーチャ４２２が、表面保護層４３６を介し且 つ介在する層をいずれも介して、切断される金属リンク４３８の下まで形成され る。本明細書中にそれらの開示が援用されるオーバック（Orbach）による米国特 許第4,924,287号明細書および１９９４年８月１５日出願の「注文に合わせての 改変可能な論理アレイ装置（A Customizable Logic Array Device）」と題する 米国特許出願第08/290,550号明細書は共に、注文に合わせての改変に好ましい集 積回路を記載している。 図２Ａで示される注文に合わせて改変する工程の第一段階は、集積回路を覆っ てＰＤＰの層９００を蒸着することを含む。好ましくは、その層は厚み１μであ る。ＰＤＰ層９００は周囲のチャンバーの条件で安定であるのが好ましいので、 被覆された集積回路は、好ましくは、大規模生産で製造され且つ必要とされるま で貯蔵される。 図２Ｂで示される注文に合わせて改変する工程の第二段階は、ＰＤＰ層９００ を選択された場所で融蝕することを含む。好ましくは、これらの場所はアパーチ ャ４２２の上にある。ＰＤＰ層９００を融蝕するために、好ましくは、５３２ｎ ｍのＮｄＹＡＧ周波数二重レーザーまたは５２３ｎｍのＮｄ ＹＬＦを用いる。 或いは、５１４ｎｍまたは４８８ｎｍのアルゴンレーザーを用いる。好ましくは 、パルスは約１００ナノ秒長さであり且つ約４Ｊ／ｃｍ²のエネルギー密度を有 する。融蝕は、レーザー超小形機械加工システム、好ましくは、チップ・エクス プレス（Chip Express）（イスラエル）ＬＴＤ．から入手可能なＱＳ６５０を用 いて行うことができる。 図２Ｃで示される注文に合わせて改変する工程の第三段階は、集積回路を、好 ましくは、塩素プラズマを用いてエッチングすることを含む。 好ましくは、残っているＰＤＰを酸素プラズマによって除去し、そして注文に 合わせて改変する集積回路上に表面保護層を形成する。 図３Ａ〜３Ｄは、上記工程と同様の別の好ましい注文に合わせて改変する工程 を示す。この実施態様において、集積回路は、ＰＤＰ層９００をその上に蒸着す る工程の前に、平面化層９０６、好ましくは、二酸化ケイ素または当該技術分野 で周知の他の絶縁平面化材料で最初に被覆される（図３Ａ）。 図３Ｂは、層９００が選択された場所で融蝕された後の装置を示す。 集積回路自体をエッチングする（図３Ｄ）前に、平面化層９０６を、好ましく はＣＦ₄プラズマでエッチングする追加の工程を行う（図３Ｃ）。 上述の注文に合わせて改変する工程は、ＣＭＯＳ装置、ゲートアレイ、マルチ チップパッケージおよび記憶チップを含めた大部分の種類の集積回路で行うこと ができる。 更に、本発明者は、ＰＤＰの融蝕パターンが、用いられた照射パターンと極め て似ていることを発見したので、ＰＤＰの極めて正確な超小形機械加工が可能で ある。カットの深さは０．３μまたはそれ以上の正確さで調節される。角形カッ トの角の曲率半径は、０．５３２μの波長を用いたとしても、０．２μまたはそ れ未満である。これは、融蝕工程の限界性状およびレーザー干渉性光線での影像 の性質に起因する。 本発明者は、ＰＤＰは現像し且つ洗い流す必要がないことから、それが、標準 的なフォトレジストを用いるよりも多用的であることを発見した。更に、本発明 者は、ＰＤＰの光学的性質、特に、吸光性は、イオン化ガスに対して用いられる ＲＦ出力を変更することによって調節することができ、したがって、適切な吸光 性を有するＰＤＰ層は、いずれの選択された波長でもおよびいずれの望ましい薄 膜厚みでも生じることができるということを発見した。更に、ＰＤＰのエッチン グ耐性は、標準的なフォトレジストの耐性と同様である。 本発明が、ここまでに記載されてきたことに限定されないということは、当業 者に理解されるであろう。本発明の範囲は、むしろ、次の請求の範囲によっての み制限される。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シルバースティン，マイケル・スティーブ ン アメリカ合衆国イリノイ州32984，ハイフ ァ，アルター・ストリート 17／４ (72)発明者 ゼハヴィ，シャロン アメリカ合衆国カリフォルニア州94087, サニーヴェル，テナカ・プレイス 1575, アイ−４

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． 可視光線レーザー放射によって融蝕可能なプラズマ蒸着ポリマー（ＰＤ Ｐ）層で被覆された集積回路。 ２． 前記ＰＤＰが４Ｊ／ｃｍ²より低いレーザーエネルギー密度によって融 蝕可能である請求項１に記載の集積回路。 ３． 前記ＰＤＰが、金属エッチング法の少なくとも一つまたは酸化物エッチ ング法の少なくとも一つに対して部分的に耐性である請求項２に記載の集積回路 。 ４． 前記少なくとも一つの金属エッチング法がプラズマエッチングを含む請 求項３に記載の集積回路。 ５． 装置を注文に合わせて改変する方法であって、 装置を準備し； 該装置上にＰＤＰの層を蒸着させ；そして レーザービームを用いて該装置を予め選択された場所で融蝕することを含む上 記方法。 ６． 前記レーザービームが可視光線レーザービームである請求項５に記載の 方法。 ７． 前記装置を融蝕された場所でエッチングすることを更に含む請求項６に 記載の方法。 ８． 前記装置が集積回路である請求項６に記載の方法。 ９． 前記装置が注文に合わせて改変可能なゲートアレイである請求項６に記 載の方法。 １０．ＰＤＰの蒸着が、 前記装置をプラズマチャンバー内に入れ；そして 該チャンバー内で気体プラズマを与えることを含む請求項６に記載の方法。 １１．前記気体プラズマを０．０８〜１．５９ワット×ｃｍ^-2の高周波電界で 活性化することを含む請求項１０に記載の方法。 １２．前記気体プラズマを０．２４〜０．４８ワット×ｃｍ^-2の高周波電界で 活性化することを含む請求項１０に記載の方法。 １３．チャンバー圧０．１〜２．０トールを維持することを更に含む請求項１ ０に記載の方法。 １４．前記プラズマの流速が１〜５０ｓｃｃｍである請求項１０に記載の方法 。 １５．前記流速が１５〜２５ｓｃｃｍである請求項１４に記載の方法。 １６．前記気体プラズマを、有機化合物および少なくとも３０％のアルゴンの 混合物から発生させる請求項１０に記載の方法。 １７．可視レーザー放射によって融蝕可能なプラズマ蒸着ポリマー（ＰＤＰ） 。 １８．４Ｊ／ｃｍ²より低いレーザーエネルギー密度によって融蝕可能であ る請求項１７に記載のＰＤＰ。 １９．少なくとも一つの金属エッチング法に対して部分的に耐性である請求項 １８に記載のＰＤＰ。 ２０．基体上においてある選択された吸光係数を有するプラズマ蒸着ポリマー （ＰＤＰ）を製造する方法であって、 プラズマチャンバーを準備し； 該チャンバー内に基体を準備し；そして 有機ガスを含むガスを高周波電界によって活性化して気体プラズマを生じるこ とによって該チャンバー内で気体プラズマを提供することを含み、ここにおいて 、該電界は、選択された吸光係数を有するＰＤＰを生じるように選択された出力 密度を有する上記方法。 ２１．基体上において可視光線によって融蝕可能であるプラズマ蒸着ポリマー （ＰＤＰ）を製造する方法であって、 プラズマチャンバーを準備し； 該チャンバー内に基体を準備し；そして 有機ガスを含むガスを、０．０８〜１．５９ワット×ｃｍ^-2の出力密度を有す る高周波電界によって活性化して気体プラズマを生じることによって該チャンバ ー内で気体プラズマを提供することを含む上記方法。 ２２．前記出力密度が０．１５〜１ワット×ｃｍ^-2である請求項２１に記載の 方法。 ２３．前記出力密度が０．２４〜０．４８ワット×ｃｍ^-2である請求項２１に 記載の方法。 ２４．前記有機ガスが炭化水素化合物である請求項２３に記載の方法。 ２５．前記ガスが少なくとも３０％の不活性ガスを含む請求項２３に記載の方 法。 ２６．前記有機ガスがエチレンを含む請求項２３に記載の方法。 ２７．チャンバー圧０．１〜２．０トールを維持することを更に含む請求項２ １に記載の方法。 ２８．前記プラズマの流速が１〜５０ｓｃｃｍである請求項２１に記載の方法 。 ２９．前記プラズマの流速が１５〜２０ｓｃｃｍである請求項２１に記載の方 法。 ３０．請求項２１に記載の方法によって製造されたＰＤＰ。 ３１．請求項２４に記載の方法によって製造されたＰＤＰ。 ３２．請求項２６に記載の方法によって製造されたＰＤＰ。 ３３．請求項２８に記載の方法によって製造されたＰＤＰ。