KR19980047802A - 리드 프레임 및 그를 이용한 트랜지스터 패키지 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 리드 프레임 및 그를 이용한 트랜지스터 패키지에 관한 것으로, 트랜지스터용 리드 프레임의 다이 패드는 제어용 소자가 전도성 접착제에 의해 부착되는 절연성 패드와, 그 절연성 패드에 대하여 이격되어 있으며, 트랜지스터 소자가 전도성 접착제에 의해 부착되는 전도성 패드로 이루어져 있으며, 상기 전도성 패드의 일측과 일체로 연장 형성되어 있으나 절연성 패드에 대하여 이격된 히트 싱크를 갖기 때문에, 종래의 절연성 접착제 사용에 따른 문제점이 극복되는 동시에 접착제 경화 공정이 필요없기 때문에 비용이 절감되는 장점이 있다.
그리고, 접착제의 도포 공정이 한 종류의 접착제의 도포 공정에 의해 제어용 소자 및 트랜지스터 소자의 부착 공정이 이루어지기 때문에 공정이 간단해 진다.
그리고, 성형 공정에서 분리된 다이 패드 사이 및 히트 싱크와 절연성 패드 사이에 액상의 봉지 수지가 충진되기 때문에 트랜지스터 패키지의 접합력이 강화되어 내부 신뢰성이 향상되는 장점이 있다.
또한, 리드 프레임이 일체로 형성되기 때문에 제작이 용이하며 취급이 용이한 장점이 있다.

Description

리드 프레임 및 그를 이용한 트랜지스터 패키지
본 발명은 리드 프레임 및 그를 이용한 트랜지스터 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 제어용 소자와 트랜지스터 소자가 부착되는 다이 패드 부분이 분리된 리드 프레임 및 그를 이용한 트랜지스터 패키지에 관한 것이다.
현재 대부분의 SMPS(Switching Mode Power Supply)는 스위칭 소자인 트랜지스터 소자와 제어용 소자를 별도로 채용하여 제작됨에 따라 트랜지스터 소자와 제어용 소자를 전기적으로 연결하기 위하여 제어용 소자 주변에 다수의 부품을 필요로 하게된다.
따라서, 부품수가 많아져서 생산성이 저하되고 시스템 보드가 커져 원가 상승의 요인이 되고 있다.
따라서, 트랜지스터 소자와 제어용 소자를 하나의 패키지로 제작하는 것이 요구되고 있다.
이를 구현하는 방법으로는 두가지가 있는데, 그중 하나는 웨이퍼 제조 단계에서 트랜지스터 소자와 제어용 소자를 하나의 제품으로 제작하는 스마트 파워 아이씨(Smart Power IC)이며, 다른 하나는 웨이퍼 제조 공정에서 각기 제작된 트랜지스터 소자와 제어용 소자를 하나의 패키지에 실장하는 스마트 파워 트랜지스터 패키지(Smart Power Transistor Package, 이하 트랜지스터 패키지라 한다)이다.
상기 두 가지의 소자가 패키지화된 후의 특성을 살펴보면, 스마트 파워 아이씨와 트랜지스터 패키지는 패키지의 내부 구조는 다르지만 동일한 특성을 갖는 제품이 된다.
트랜지스터 패키지에 있어서는, 서로 다른 2개의 소자를 하나의 패키지에 탑재하는데 있어서 주된 문제점은 트랜지스터 소자와 제어용 소자의 내압이 상이하다는데 있다.
즉, 제어용 소자를 트랜지스터 소자와 함께 패키징함으로써, 기존의 제어용 소자의 동작 온도보다 휠씬 높은 온도에서 동작을 시켜야함으로 고온 동작 특성을 확보해야 하며, 제어용 소자는 제어용 소자와 리드 프레임 사이의 절연 내압―1000V의 구형파 혹은 640V 125℃의 고온―을 전기적으로 차단하여야 한다.
따라서, 입력 전압에 대하여 제어용 소자가 전기적으로 절연되어야 하며, 일반적으로 트랜지스터 소자는 열 및 전기 전도도가 중요하므로, 트랜지스터 소자는 솔더와 같은 전도성 접착제에 의해 리드 프레임의 다이 패드에 부착되고, 제어용 소자는 절연성 접착제에 의해 리드 프레임의 다이 패드에 부착된다.
도 1은 종래 기술의 실시예에 따른 트랜지스터용 리드 프레임을 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 2-2선 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 종래 기술에 따른 트랜지스터용 리드 프레임(10)은 상부면에 트랜지스터 소자와 제어용 소자가 함께 부착되는 다이 패드(12)와, 그 다이 패드(12)와 일체형으로 형성되어 있으며, 체결용 관통 구멍(19)이 형성된 히트 싱크(Heat Sink, 18)를 갖는다.
그리고, 히트 싱크(18)의 양측은 복수개의 타이 바(13)에 의해 이웃하는 히트 싱크와 서로 연결되어 지지된다.
그리고, 다이 패드(12)에 대하여 이격된 복수개의 리드부(14, 16)가 소정의 간격을 두고 형성되어 있다.
여기서, 트랜지스터 소자 하부면의 드레인(Drain) 부분과 전기적으로 연결되는 리드(14)는 다이 패드(12)의 상부면(11)에 접합되어 있으며, 다른 리드(16)는 다이 패드(12)에 대하여 이격되어 배치된 구조를 갖는다.
즉, 다이 패드(12) 및 히트 싱크(18) 부분과 리드부(14, 16)가 분리 제작된다.
그리고, 다이 패드(12) 및 전기적 연결 부분을 보호하기 위해 봉지하는 성형 공정에서 액상의 봉지 수지가 흘러 넘치는 것을 방지하며 동시에 리드부(14, 16)를 지지하는 댐바(15)가 리드부(14, 16)를 수직으로 가로지르는 방향으로 연결·형성된 구조를 갖는다.
통상적으로 트랜지스터용 리드 프레임의 다이 패드(12) 및 히트 싱크(18)의 두께(t1)가 리드부(14, 16)의 두께(t2)보다 2∼3배 정도 두껍게 형성된다.
여기서, 다이 패드(12) 부분이 리드부(14, 16)에 비해 두께가 두꺼운 이유는, 트랜지스터 소자의 구동에 따라 발생되는 열을 효과적으로 방출시키기 위해서이다.
본 실시예에서는 다이 패드(12) 및 히트 싱크(18)의 두께(t1)가 1.5mm이고, 리드(14, 16)의 두께(t2)가 0.6mm 이다.
그리고, 리드 프레임(10)의 재질은 경제성, 전기 전도성 및 열 전도성이 우수한 구리(Cu)계 합금이 주로 채택되고 있다.
물론, 철(Fe)계 합금을 이용한 리드 프레임(10)을 제작하여도 무방하다.
그리고, 리드 프레임은 스탬핑(Stamping) 방법 또는 에칭(Etching) 방법으로 제작된다.
도 3은 도 1의 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지를 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3의 4-4선 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지(100)는 다이 패드(12)의 상부면에 각기 소정의 간격을 두고 이격되어 제어용 소자(30) 및 트랜지스터 소자(20)의 각 하부면이 각각 부착되어 있다.
그리고, 제어용 소자(30)와 트랜지스터 소자(20)는 본딩 와이어(70)에 의해 전기적으로 연결되며, 각 소자들(20, 30)과 각기 대응된 리드(16)의 일단도 각기 본딩 와이어(70)에 의해 전기적으로 연결되어 있다.
그리고, 패키지(100)는 제어용 소자(30) 및 트랜지스터 소자(20)를 포함하는 전기적 연결 부분이 에폭시(Epoxy) 계열의 봉지 수지에 의해 내재·봉지되어 패키지 몸체(40)가 형성된다.
다이 패드(12)의 하부면, 리드부(14, 16)의 일측이 패키지 몸체(40)에 대하여 외부에 노출된 구조를 갖는다.
물론, 다이 패드(12)와 일체로 형성된 히트 싱크(18) 또한 패키지 몸체(40)에 대하여 외부에 돌출되어 있다.
여기서, 트랜지스터 소자(20)의 하부면은 솔더 접착제와 같은 전도성 접착제(50)에 의해 다이 패드(12)에 부착되며, 제어용 소자(30)의 하부면은 에폭시 계열의 절연성 접착제(60)에 의해 트랜지스터 소자(20)가 부착된 위치에 대하여 이격된 다이 패드(12)의 상부면에 부착되어 있다.
트랜지스터 소자(20)와 제어용 소자(30)를 부착시키는 접착제(50, 60)의 재질이 다른 이유에 대하여 좀더 상세히 설명하면, 트랜지스터 소자(20)의 하부면은 통상적으로 드래인이며, 상부면에 전극 패드로 형성된 것이 게이트(Gate)와 소스(Source)이다.
그리고, 트랜지스터 소자(20)의 드래인을 다이 패드(12)와 연결된 리드(14)와 전기적으로 연결시키기 위하여 전도성 접착제(50)를 사용하여 다이 패드(12)에 부착시키게 된다.
따라서, 다이 패드(12)와 연결된 리드(14)는 별도로 본딩 와이어(70)와 같은 전기적 연결 수단이 필요하지 않다.
그리고, 제어용 소자(30)는 드래인에 흐르는 수백 볼트의 전기를 전기적으로 차단해야 하므로 절연 접착제(60)를 사용하여 다이 패드(12)에 부착시키게 된다.
이와 같은 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지는 제어용 소자와 트랜지스터 소자를 하나의 다이 패드에 함께 부착시키기 위해서 절연 접착제 및 전도성 접착제를 각기 도포해야하는 불편이 있다.
그리고, 절연 접착제로서 에폭시 계열의 접착제를 사용할 경우에는 절연 접착제를 경화시키기 위한 경화 공정을 거치게 된다.
통상적인 에폭시 계열의 접착제는 솔벤트(Solvent) 성분이 함유되어 있어 경화 공정에서 완전히 가스 방출이 되지 않아 절연 접착제 층에 보이드(Void)가 잔존하는 문제점이 발생될 수 있다.
그리고, 패키지 몸체에 대하여 다이 패드의 하부면이 노출되어 있으며, 패키지 몸체에 대하여 히트 싱크가 외부로 돌출된 구조를 갖고 있어 열방출 특성은 우수하나, 에폭시 계열의 봉지 수지와 다이 패드와의 접착 계면이 적기 때문에 계면 사이의 접합력이 떨어지는 문제점을 안고 있다.
그리고, 다이 패드 및 히트 싱크를 포함하는 부분과 리드부가 분리되어 제작된 상태에서 기계적인 접합 방법에 의해 연결되기 때문에 제작이 용이하지 않는 문제점을 안고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 제어용 소자의 부착을 위한 절연 접착제의 사용에 따른 문제점을 극복할 수 있는 제어용 소자가 부착되는 다이 패드 부분이 트랜지스터 소자가 부착되는 다이 패드 부분에 대하여 분리된 리드 프레임 및 그를 이용한 트랜지스터 패키지를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 봉지 수지와 다이 패드 사이의 접합력을 증가시키기 위하여 트랜지스터 소자와 제어용 소자가 부착되는 다이 패드가 각기 분리된 리드 프레임 및 그를 이용한 트랜지스터 패키지를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 리드 프레임의 취급이 용이하고, 제작이 용이한 일체형으로 형성된 리드 프레임 및 그를 이용한 트랜지스터 패키지를 제공하는데 있다.
도 1은 종래 기술의 실시예에 따른 트랜지스터용 리드 프레임을 나타내는 평면도.
도 2는 도 1의 2-2선 단면도.
도 3은 도 1의 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지를 나타내는 평면도.
도 4는 도 3의 4-4선 단면도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 다이 패드가 분리된 트랜지스터용 리드 프레임을 나타내는 평면도.
도 6은 도 5의 6-6선 단면도.
도 7은 도 5의 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지를 나타내는 평면도.
도 8은 도 7의 8-8선 단면도.
도 9는 도 7의 9-9선 단면도.
※ 도면의 주요 부분에 대한 설명 ※
10, 110 : 트랜지스터용 리드 프레임 12, 112a,112b : 다이 패드
13, 113a, 113b : 타이 바 14, 16, 114, 116 : 리드
15, 115 : 댐바 18, 118 : 히트 싱크
19, 119 : 체결 구멍 20, 120 : 트랜지스터 소자
30, 130 : 제어용 소자 40, 140 : 패키지 몸체
50, 150, 155 : 전도성 접착제 60 : 절연성 접착제
70, 170 : 본딩 와이어
100, 200 : 파워 트랜지스터 패키지
상기 목적을 달성하기 위하여, 트랜지스터 소자가 부착되는 전도성 패드 및 상기 전도성 패드에 대하여 이격되어 있으며, 제어용 소자가 부착되는 절연성 패드를 포함하는 다이 패드와; 상기 다이 패드의 일측에 대하여 이격되어 있으며, 상기 전도성 패드와 일체로 형성된 하나의 리드를 포함하는 리드부; 및 상기 절연성 패드를 지지하며, 그 절연성 패드의 일측과 일체로 연결·형성된 타이 바;를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 패키지용 리드 프레임을 제공한다.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여, 전도성 패드 및 그 전도성 패드에 대하여 이격된 절연성 패드를 갖는 다이 패드와; 하부면이 상기 전도성 패드의 상부면에 부착된 트랜지스터 소자와; 하부면이 상기 절연성 패드의 상부면에 부착된 제어용 소자와; 상기 다이 패드에 대하여 이격되어 있으며, 상기 전도성 패드와 일체로 형성된 하나의 리드를 포함하는 리드부와; 상기 제어용 소자와 트랜지스터 소자를 전기적으로 연결하며, 상기 제어용 소자 및 트랜지스터 소자에 각기 대응된 리드의 일단을 전기적으로 연결하는 수단; 및 상기 트랜지스터 소자, 제어용 소자, 리드부 및 전기적으로 연결하는 수단이 내재·봉지된 패키지 몸체;를 포함하고, 상기 리드부의 각 다른 일단이 상기 패키지 몸체에 대하여 돌출된 것을 특징으로 하는 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지를 제공한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 다이 패드가 분리된 트랜지스터용 리드 프레임을 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 5의 6-6선 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 트랜지스터용 리드 프레임(110)은 제어용 소자 및 트랜지스터 소자가 부착되는 다이 패드의 부분이 각기 분리된 구조를 갖는다.
분리된 다이 패드(112a, 112b)에 있어서, 트랜지스터 소자가 부착되는 다이 패드 부분은 전기적 전도성을 갖기 때문에 전도성 패드(112a)라 하였고, 제어용 소자가 부착되는 다이 패드 부분은 전기적으로 절연되어 있기 때문에 절연성 패드(112b)라 하였다.
즉, 다이 패드(112a, 112b)는 트랜지스터 소자의 하부면이 부착되는 전도성 패드(112a)와, 그 전도성 패드(112b)에 대하여 이격되어 있으며, 제어용 소자의 하부면이 부착되는 절연성 패드(112b)로 이루어진다.
그리고, 전도성 패드(112a)와 절연성 패드(112b)의 마주보는 면의 반대면에 절연성 패드(112b)를 지지하는 타이 바(113b)가 일체로 형성되어 이웃하는 절연성 패드에 연결되어 있다.
다이 패드(112a, 112b)의 일측에 대하여 이격된 복수개의 리드부(114, 116)가 소정의 간격을 두고 형성되어 있다.
여기서, 리드부(114, 116) 중에서 트랜지스터 소자의 드레인 부분과 전기적으로 연결되는 리드(14)는 전도성 패드(112a)와 일체형으로 형성되어 있다.
그리고, 전도성 패드(112a)의 다른 일측과 연결되어 일체로 연장·형성된 히트 싱크(118)는 중심 부분에 체결용 관통 구멍(119)이 형성되어 있다.
여기서, 히트 싱크(118)는 절연성 패드(112b)에 대하여 이격되어 제조된다.
그리고, 히트 싱크(118)의 양측은 복수개의 타이 바(113b)에 의해 이웃하는 히트 싱크에 연결되어 지지된다.
그리고, 다이 패드(112a, 112b) 및 전기적 연결 부분을 보호하기 위한 성형 공정에서 액상의 봉지 수지가 흘러 넘치는 것을 방지하며 동시에 리드부(114, 116)를 지지하기 위한 댐바(115)가 리드부(114, 116)를 수직으로 가로지르는 방향으로 연결·형성된 구조를 갖는다.
도 6의 단면도에서 처럼, 본 발명에서는 리드 프레임의 전도성 패드(112a), 히트 싱크(118)의 두께(t3)가 전도성 패드와 연결된 리드(114)의 두께(t4)와 동일하게 제조된다.
즉, 리드 프레임(110)의 전체가 동일한 두께로 일체로 형성되어 있다.
리드 프레임(110)이 동일한 두께 및 일체로 제작하는 이유는, 리드 프레임(110)의 제작하는 단계에서, 다이 패드(112a, 112b) 및 히트 싱크(118) 부분과 리드부(114, 116)를 분리하여 제작하는 것보다는 제작이 용이하고, 일체로 형성되기 때문에 취급이 용이한 이점이 있기 때문이다.
그리고, 리드부(114, 116)에 대하여 다이 패드(112a, 112b) 및 히트 싱크(118)가 하향 단차지게 형성된 구조를 갖는다.
두께는 0.9mm∼1.0mm 정도이다.
그리고, 리드 프레임(110)의 재질은 경제성, 전기 전도성 및 열 전도성이 우수한 구리계 합금이 주로 채택되고 있다.
그리고, 리드 프레임(110)은 스탬핑 방법 또는 에칭 방법으로 제작된다.
도 7은 도 5의 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지를 나타내는 평면도이다.
도 8은 도 7의 8-8선 단면도이다.
도 9는 도 7의 9-9선 단면도이다.
도 7 내지 도 9를 참조하면, 도 5에 도시된 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지(200)는 트랜지스터 소자(120)의 하부면이 전도성 패드(112a)의 상부면에 부착되어 있으며, 상기 전도성 패드(112a)에 대하여 소정의 간격을 두고 이격되어 있는 절연성 패드(112b)의 상부면에 제어용 소자(130)의 하부면이 부착된 구조를 갖는다.
여기서, 전도성 패드(112a)와 절연성 패드(112b)는 이격되어 전기적으로 절연되어 있기 때문에 제어용 소자(130)를 절연성 패드(112b)에 부착시키기 위하여 접착제로 솔더 접착제와 같은 전도성 접착제(155)가 사용된다.
물론, 에폭시 계열의 절연성 접착제를 사용하여 제어용 소자(130)를 절연성 패드(112b)에 부착시켜도 무방하지만, 전술되었던 것 처럼 에폭시 계열의 절연성 접착제를 사용에 따른 문제점이 발생되기 때문에, 별도의 경화 공정을 생략할 수 있는 전도성 접착제(155)를 사용하는 것이 바람직하다.
그리고, 전도성 패드(112a)와 트랜지스터 소자(120)의 접착 수단으로 솔더 접착제와 같은 전도성 접착제(150)가 사용된다.
제어용 소자(130)와 트랜지스터 소자(120)는 본딩 와이어(170)에 의해 전기적으로 연결되며, 각 소자들(120, 130)과 각기 대응된 리드(116)의 일단도 각기 본딩 와이어(170)에 의해 전기적으로 연결된다.
그리고, 종래의 다이 패드에 연결된 리드(114)가 본 발명의 실시예에서는 트랜지스터 소자(120)의 하부면이 부착되는 전도성 패드(112a)와 일체로 형성되어 있으며, 별도의 본딩 와이어(170)에 의하지 않고, 전기적 전도성을 갖는 솔더 접착제(150)에 의해 전기적 연결된다.
여기서, 패키지(200)는 제어용 소자(130), 트랜지스터 소자(120), 리드부(114, 116) 및 본딩 와이어(170)를 포함하는 전기적 연결 부분과 절연성 패드를 지지하는 타이 바(113b)의 일측이 에폭시 계열의 봉지 수지에 의해 내재·봉지되어 패키지 몸체(140)가 형성된다.
그리고, 패키지 몸체(140)에 대하여, 전도성 패드(112a) 및 절연성 패드(112b)의 하부면과 리드부(114, 116)의 일측이 패키지 몸체(140)에 대하여 외부에 노출된 구조를 갖는다.
물론, 전도성 패드(112a)와 일체로 형성된 히트 싱크(118) 또한 하부면이 외부에 돌출되어 있다.
그리고, 성형 공정에서 분리된 전도성 패드(112a)와 절연성 패드(112b)의 사이(117a) 및 히트 싱크(118)와 절연성 패드(112b)의 사이(117b)로 액상의 봉지 수지가 충진되기 때문에, 봉지 수지와 다이 패드(112a, 112b) 및 히트 싱크(118)와의 접합력이 증가되어 PCT(Pressure Cooker Test), TC(Thermal Cycle)와 같은 신뢰성 항목을 만족 시킬 수 있다.
따라서, 본 발명의 의한 구조를 따르면, 제어용 소자가 전도성 접착제에 의해 절연성 패드에 부착되기 때문에 종래의 절연성 접착제 사용에 따른 문제점이 극복되는 동시에 접착제 경화 공정이 필요없기 때문에 비용이 절감되는 있는 이점(利點)이 있다.
그리고, 접착제의 도포 공정이 한 종류의 접착제의 도포 공정에 의해 소자들의 접착이 이루어지기 때문에 공정이 간단해 진다.
그리고, 분리된 다이 패드 사이 및 히트 싱크와 절연성 패드 사이에 액상의 봉지 수지가 충진되기 때문에 트랜지스터 패키지의 신뢰성이 향상되는 이점이 있다.
또한, 리드 프레임이 일체로 형성되기 때문에 제작이 용이하고, 취급이 용이한 이점이 있다.

Claims (14)

  1. 트랜지스터 소자가 부착되는 전도성 패드 및 상기 전도성 패드에 대하여 이격되어 있으며, 제어용 소자가 부착되는 절연성 패드를 포함하는 다이 패드와;
    상기 다이 패드의 일측에 대하여 이격되어 있으며, 상기 전도성 패드와 일체로 형성된 하나의 리드를 포함하는 리드부; 및
    상기 절연성 패드를 지지하며, 그 절연성 패드의 일측과 일체로 연결·형성된 타이 바;를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 패키지용 리드 프레임.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 전도성 패드의 다른 일측과 일체로 형성되어 있으며, 중심 부분에 체결용 관통 구멍이 형성된 히트 싱크를 더 구비하는 트랜지스터 패키지용 리드 프레임.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 히트 싱크는 상기 절연성 패드의 다른 일측에 대하여 이격된 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 트랜지스터 패키지용 리드 프레임.
  4. 제 1항 내지 제 3항의 어느 한 항에 있어서, 상기 타이 바가 상기 전도성 패드와 절연성 패드의 마주보는 면의 반대면에 연결·형성되어 있는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 패키지용 리드 프레임.
  5. 전도성 패드 및 그 전도성 패드에 대하여 이격된 절연성 패드를 갖는 다이 패드와;
    하부면이 상기 전도성 패드의 상부면에 부착된 트랜지스터 소자와;
    하부면이 상기 절연성 패드의 상부면에 부착된 제어용 소자와;
    상기 다이 패드에 대하여 이격되어 있으며, 상기 전도성 패드와 일체로 형성된 하나의 리드를 포함하는 리드부와;
    상기 제어용 소자와 트랜지스터 소자를 전기적으로 연결하며, 상기 제어용 소자 및 트랜지스터 소자에 각기 대응된 리드의 일단을 전기적으로 연결하는 수단; 및
    상기 트랜지스터 소자, 제어용 소자, 리드부 및 전기적으로 연결하는 수단이 내재·봉지된 패키지 몸체;를 포함하고,
    상기 리드부의 각 다른 일단이 상기 패키지 몸체에 대하여 돌출된 것을 특징으로 하는 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 전도성 패드의 상부면에 솔더 재질의 전도성 접착제에 의해 상기 트랜지스터 소자의 하부면이 부착되는 것을 특징으로 하는 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 절연성 패드의 상부면에 솔더 재질의 전도성 접착제에 의해 상기 제어용 소자의 하부면이 부착되는 것을 특징으로 하는 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지.
  8. 제 5항에 있어서, 상기 패키지 몸체의 재질이 에폭시 계열의 봉지 수지인 것을 특징으로 하는 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 봉지 수지가 상기 전도성 패드와 절연성 패드의 사이에 충진되는 것을 특징으로 하는 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지.
  10. 제 5항에 있어서, 상기 다이 패드의 하부면이 패키지 몸체에 대하여 외부로 노출된 것을 특징으로 하는 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지.
  11. 제 5항에 있어서, 상기 전도성 패드의 다른 일측과 연결되어 연장 형성되어 있으며, 그 연장된 부분에 체결용 관통 구멍이 형성된 히트 싱크를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 절연성 패드는 상기 히트 싱크에 대하여 이격된 것을 특징으로 하는 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 패키지 몸체의 재질이 에폭시 계열의 봉지 수지인 것을 특징으로 하는 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 봉지 수지가 상기 절연성 패드와 히트 싱크 사이에 충진되는 것을 특징으로 하는 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지.
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