KR100222300B1 - 리드 프레임 및 그를 이용한 트랜지스터 패키지 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 리드 프레임 및 그를 이용한 트랜지스터 패키지에 관한 것으로, 트랜지스터용 리드 프레임의 다이 패드는 제어용 소자가 전도성 접착제에 의해 부착되는 제1 다이 패드와, 그 제1 다이 패드에 대하여 이격되어 있으며, 트랜지스터 소자가 전도성 접착제에 의해 부착되는 제2 다이 패드로 이루어져 있으며, 상기 제1 다이 패드의 일측과 연결되어 연장 형성되어 있으나 제2 다이 패드에 대하여 이격된 히트 싱크를 갖기 때문에, 종래의 절연성 접착제 사용에 따른 문제점이 극복되는 동시에 접착제 경화 공정이 필요없기 때문에 비용이 절감되는 장점이 있다.
그리고, 접착제의 도포 공정이 한 종류의 접착제의 도포 공정에 의해 제어용 소자 및 트랜지스터 소자의 부착공정이 이루어지기 때문에 공정이 간단해 진다.
그리고, 성형 공정에서 분리된 다이 패드 사이 및 히트 싱크와 제2 다이 패드 사이에 액상의 봉지 수지가 충진되기 때문에 트랜지스터 패키지의 접합력이 강화되어 내부 신뢰성이 향상되는 장점이 있다.
또한, 리드 프레임이 일체로 형성되기 때문에 제작이 용이하며 취급이 용이한 이점이 있다.

Description

리드 프레임 및 그를 이용한 트랜지스터 패키지
본 발명은 리드 프레임 및 그를 이용한 트랜지스터 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 제어용 소자와 트랜지스터 소자가 부착되는 다이 패드 부분이 분리된 리드 프레임 및 그를 이용한 트랜지스터 패키지에 관한 것이다.
현재 대부분의 SMPS(Switching Mode Power Supply)는 스위칭 소자인 트랜지스터 소자와 제어용 소자를 별도로 채용하여 제작됨에 따라 트랜지스터 소자와 제어용 소자를 전기적으로 연결하기 위하여 제어용 소자 주변에 다수의 부품을 필요로 하게 된다. 즉, 부품수가 많아져서 생산성이 저하되고 시스템 보드가 커져 원가 상승의 요인이 되고 있다.
따라서, 트랜지스터 소자와 제어용 소자를 하나의 패키지로 제작하는 것이 요구되고 있다. 이를 구현하는 방법으로는 두 가지가 있는데, 그 중 하나는 웨이퍼 제조 단계에서 트랜지스터 소자와 제어용 소자를 하나의 제품으로 제작하는 스마트 파워 아이씨(Smart Power IC)이며, 다른 하나는 웨이퍼 제조 공정에서 각기 제작된 트랜지스터 소자와 제어용 소자를 하나의 패키지에 실장하는 스마트 파워 트랜지스터 패키지(Smart Power Transistor Package, 이하 "트랜지스터 패키지"라 한다)이다.
상기 두 가지의 소자가 패키지화된 후의 특성을 살펴보면, 스마트 파워 아이씨와 트랜지스터 패키지는 패키지의 내부 구조는 다르지만 동일한 특성을 갖는 제품이 된다. 트랜지스터 패키지에 있어서는, 서로 다른 2개의 소자를 하나의 패키지에 탑재하는데 있어서 주된 문제점은 트랜지스터 소자와 제어용 소자의 내압이 상이하다는데 있다. 즉, 제어용 소자를 트랜지스터 소자와 함께 패키징함으로써, 기존의 제어용 소자의 동작 온도보다 높은 온도에서 동작을 시켜야함으로 고온 동작 특성을 확보해야 하며, 제어용 소자는 제어용 소자와 리드 프레임 사이의 절연 내압-1000V의 구형파 혹은 640V 125의 고온-을 전기적으로 차단하여야 한다.
따라서, 입력 전압에 대하여 제어용 소자가 전기적으로 절연되어야 하며, 일반적으로 트랜지스터 소자는 열 및 전기 전도도가 중요하므로, 트랜지스터 소자는 솔더와 같은 전도성 접착제에 의해 리드 프레임의 다이 패드에 부착되고, 제어용 소자는 절연성 접착제에 의해 리드 프레임의 다이 패드에 부착된다.
제1도는 종래 기술의 실시예에 따른 트랜지스터용 리드 프레임을 나타내는 평면도이다. 제2도는 제1도의 2-2선 단면도이다.
제1도 및 제2도를 참조하면, 종래 기술에 따른 트랜지스터용 리드 프레임(10)은 상부면에 트랜지스터 소자와 제어용 소자가 함께 부착되는 다이 패드(12)와, 그 다이 패드(12)와 일체형으로 형성되어 있으며, 체결용 관통 구멍(19)이 형성된 히트 싱크(Heat Sink, 18)를 갖는다. 히트 싱크(18)의 양측은 복수개의 타이 바(13)에 의해 이웃하는 히트 싱크와 서로 연결되어 지지된다. 다이 패드(12)에 대하여 이격된 복수개의 리드부(14, 16)가 소정의 간격을 두고 형성되어 있다.
여기서, 트랜지스터 소자 하부면의 드레인(Drain) 부분과 전기적으로 연결되는 리드(14)는 다이 패드(12)의 상부면(11)에 접합되어 있으며, 다른 리드(16)는 다이 패드(12)에 대하여 이격되어 배치된 구조를 갖는다. 즉, 다이 패드(12) 및 히트 싱크(18) 부분과 리드부(14, 16)가 분리 제작된다.
다이 패드(12) 및 전기적 연결 부분을 보호하기 위해 봉지하는 성형 공정에서 액상의 봉지 수지가 흘러 넘치는 것을 방지하며 동시에 리드부(14, 16)를 지지하는 댐바(15)가 리드부(14, 16)를 수직으로 가로지르는 방향으로 연결형성된 구조를 갖는다. 통상적으로 트랜지스터용 리드 프레임이 다이 패드(12) 및 히트 싱크(18)의 두께(t1)가 리드부(14, 16)의 두께(t2)보다 23배 정도 두껍게 형성된다.
여기서, 다이 패드(12) 부분이 리드부(14, 16)에 비해 두께가 두꺼운 이유는, 트랜지스터 소자의 구동에 따라 발생되는 열을 효과적으로 방출시키기 위해서이다.
본 실시예에서는 다이 패드(12) 및 히트 싱크(18)의 두께(t1)가 1.5이고, 리드부(14, 16)의 두께(t2)가 0.6이다.
리드 프레임(10)의 재질은 경제성, 전기 전도성 및 열 전도성이 우수한 구리(Cu)계 합금이 주로 채택되고 있다. 물론, 철(Fe)계 합금을 이용한 리드 프레임(10)을 제작하여도 무방하다. 리드 프레임은 스탬핑(Stamping) 방법 또는 에칭(Etching) 방법으로 제작된다.
제3도는 제1도의 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지를 나타내는 평면도이다. 제4도는 제3도의 4-4선 단면도이다.
제3도 및 제4도를 참조하면, 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지(100)는 다이 패드(12)의 상부면에 각기 소정의 간격을 두고 이격되어 제어용 소자(30)와 트랜지스터 소자(20)의 각 하부면이 각각 부착되어 있다. 제어용 소자(30)와 트랜지스터 소자(20)는 본딩 와이어(70)에 의해 전기적으로 연결되며, 각 소자들(20, 30)과 각기 대응된 리드(16)의 일단도 각기 본딩 와이어(70)에 의해 전기적으로 연결되어 있다.
패키지(100)는 제어용 소자(30) 및 트랜지스터 소자(20)를 포함하는 전기적 연결 부분이 에폭시(Epoxy) 계열의 봉지 수지에 의해 내재봉지되어 패키지 몸체(40)가 형성된다.
다이 패드(12)의 하부면, 리드부(14, 16)의 일측이 패키지 몸체(40)에 대하여 외부에 노출된 구조를 갖는다. 물론, 다이 패드(12)와 일체로 형성된 히트 싱크(18) 또한 패키지 몸체(40)에 대하여 외부에 돌출되어 있다.
여기서, 트랜지스터 소자(20)의 하부면은 솔더 접착제와 같은 전도성 접착제(50)에 의해 다이 패드(12)에 부착되며, 제어용 소자(30)의 하부면은 에폭시 계열의 절연성 접착제(60)에 의해 트랜지스터 소자(20)가 부착된 위치에 대하여 이격된 다이 패드(12)의 상부면에 부착되어 있다.
트랜지스터 소자(20)와 제어용 소자(30)를 부착시키는 접착제(50, 60)의 재질이 다른 이유에 대하여 좀더 상세히 설명하면, 트랜지스터 소자(20)의 하부면은 통상적으로 드레인이며, 상부면에 전극 패드로 형성된 것이 게이트(Gate)와 소스(Source)이다. 트랜지스터 소자(20)의 드레인을 다이 패드(12)와 연결된 리드(14)와 전기적으로 연결시키기 위하여 전도성 접착제(50)를 사용하여 다이 패드(12)에 부착시키게 된다. 따라서, 다이 패드(12)와 연결된 리드(14)는 별도로 본딩 와이어(70)와 같은 전기적 연결 수단이 필요하지 않다. 제어용 소자(30)는 드레인에 흐르는 수백 볼트의 전기를 전기적으로 차단해야 하므로 절연성 접착제(60)를 사용하여 다이 패드(12)에 부착시키게 된다.
이와 같은 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지는 제어용 소자와 트랜지스터 소자를 하나의 다이 패드에 함께 부착시키기 위해서 절연 접착제 및 전도성 접착제를 각기 도포해야 하는 불편이 있다. 그리고, 절연 접착제로서 에폭시 계열의 접착제를 사용할 경우에는 절연 접착제를 경화시키기 위한 경화 공정을 거치게 된다.
통상적인 에폭시 계열의 접착제는 솔벤트(Solvent) 성분이 함유되어 있어 경화 공정에서 완전히 가스 방출이 되지 않아 절연 접착제 층에 보이드(Void)가 잔존하는 문제점이 발생될 수 있다.
패키지 몸체에 대하여 다이 패드의 하부면이 노출되어 있으며, 패키지 몸체에 대하여 히트 싱크가 외부로 돌출된 구조를 갖고 있어 열방출 특성은 우수하나, 에폭시 계열의 봉지 수지와 다이 패드와의 접착 계면이 적기 때문에 계면 사이의 접합력이 떨어지는 문제점이 안고 있다.
그리고, 다이 패드 및 히트 싱크를 포함하는 부분과 리드부가 분리되어 제작된 상태에서 기계적인 접합 방법에 의해 연결되기 때문에 제작이 용이하지 않는 문제점을 안고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 제어용 소자의 부착을 위한 절연 접착제의 사용에 따른 문제점을 극복할 수 있는 제어용 소자가 부착되는 다이 패드 부분이 트랜지스터 소자가 부착되는 다이 패드 부분에 대하여 분리된 리드 프레임 및 그를 이용한 트랜지스터 패키지를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 봉지 수지와 다이 패드 사이의 접합력을 증가시키기 위하여 트랜지스터 소자와 제어용 소자가 부착되는 다이 패드가 각기 분리된 리드 프레임 및 그를 이용한 트랜지스터 패키지를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 리드 프레임의 취급이 용이하고, 제작이 용이한 일체형으로 형성된 리드 프레임 및 그를 이용한 트랜지스터 패키지를 제공하는데 있다.
제1도는 종래 기술의 실시예에 따른 트랜지스터용 리드 프레임을 나타내는 평면도.
제2도는 제1도의 2-2선 단면도.
제3도는 제1도의 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지를 나타내는 평면도.
제4도는 제3도의 4-4선 단면도.
제5도는 본 발명의 실시예에 따른 다이 패드가 분리된 트랜지스터용 리드 프레임을 나타내는 평면도.
제6도는 제5도의 6-6선 단면도.
제7도는 제5도의 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지를 나타내는 평면도.
제8도는 제7도의 8-8선 단면도.
제9도는 제7도의 9-9선 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10, 110 : 트랜지스터용 리드 프레임 12, 112a, 112b : 다이 패드
13, 113a, 113b : 타이 바 14, 16, 114, 116 : 리드
15, 115 : 댐바 18, 118 : 히트 싱크
19, 119 : 체결 구멍 20, 120 : 트랜지스터 소자
30, 130 : 제어용 소자 40, 140 : 패키지 몸체
50, 150, 155 : 전도성 접착제 60 : 절연성 접착제
70, 170 : 본딩 와이어 100, 200 : 파워 트랜지스터 패키지
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 소정의 간격을 두고 배열되어 있으며, 트랜지스터 소자와 제어용 소자가 각기 부착될 수 있도록 분리된 다이 패드로서, 상기 트랜지스터 소자가 부착될 제1 다이 패드와, 상기 제1 다이 패드에 대하여 소정의 간격으로 이격되어 있으며 상기 제어용 소자가 부착되는 제2 다이 패드를 갖는 복수개의 다이 패드와; 각각의 상기 다이 패드의 일측에 대하여 이격되어 있으며, 상기 제1 다이 패드의 일측과 연결된 하나의 리드를 포함하는 복수개의 리드부와; 각각의 상기 다이 패드의 상기 제1 다이 패드의 일측에 반대되는 타측과 연결되어 연장 형성되어 있으며, 그 연장된 부분에 체결용 관통 구멍이 형성된 히트 싱크; 및 이웃하는 상기 히트 싱크들을 각기 연결하여 지지하고, 특정의 다이 패드의 제2 다이 패드와, 그에 이웃하는 다이 패드의 제1 다이 패드를 연결하여 상기 제2 다이 패드를 지지하는 타이 바;를 포함하며, 상기 제2 다이 패드는 상기 리드부와 제1 다이 패드에 대하여 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 패키지용 리드 프레임을 제공한다.
본 발명은 또한 전술된 바와 같은 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지를 제공한다. 즉, 본 발명은 트랜지스터 소자와; 제어용 소자; 상기 트랜지스터 소자와 제어용 소자가 각기 부착될 수 있도록 분리된 다이 패드로서, 상기 트랜지스터 소자가 전도성 접착제에 의해 부착되는 제1 다이 패드와, 상기 제1 다이 패드에 대하여 소정의 간격으로 이격되어 있으며 상기 제어용 소자가 전도성 접착제에 의해 부착되는 제2 다이 패드를 갖는 다이 패드와; 상기 다이 패드의 일측에 대하여 이격되어 있으며, 상기 제1 다이 패드의 일측과 연결된 하나의 리드를 포함하는 리드부와; 상기 제1 다이 패드의 일측에 반대되는 타측과 연결되어 연장 형성되어 있으며, 그 연장된 부분에 체결용 관통 구멍이 형성된 히트 싱크와; 상기 제어용 소자와 트랜지스터 소자를 전기적으로 연결하며, 상기 제어용 소자 및 트랜지스터 소자에 각기 대응된 리드의 일단을 전기적으로 연결하는 수단; 및 상기 히트 싱크의 체결용 관통 구멍에서 이격된 상기 제1 다이 패드와 연결된 상기 히트 싱크 부분과, 상기 제1 다이 패드를 포함한 트랜지스터 소자, 상기 제2 다이 패드를 포함한 제어용 소자, 리드부 및 전기적으로 연결하는 수단이 내재봉지된 패키지 몸체;를 포함하고, 상기 리드부의 각 다른 일단이 상기 패키지 몸체에 대하여 돌출되어 있고, 상기 제2 다이 패드는 상기 리드부와 제1 다이 패드에 대하여 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 패키지를 제공한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
제5도는 본 발명의 실시예에 따른 다이 패드가 분리된 트랜지스터용 리드 프레임을 나타내는 평면도이다. 제6도는 제5도의 6-6선 단면도이다.
제5도 및 제6도를 참조하면, 본 발명에 따른 트랜지스터용 리드 프레임(110)은 제어용 소자 및 트랜지스터 소자가 부착되는 다이 패드(112a, 112b)의 부분이 각기 분리된 구조를 갖는다.
분리된 다이 패드(112a, 112b)에 있어서, 트랜지스터 소자가 부착되는 다이 패드 부분은 전기적 전도성을 갖기 때문에 제1 다이 패드(112a)라 하였고, 제어용 소자가 부착되는 다이 패드 부분은 전기적으로 격리되어 있기 때문에 제2 다이 패드(112b)라 하였다. 즉, 다이 패드(112a, 112b)는 트랜지스터 소자의 하부면이 부착되는 제1 다이 패드(112a)와, 그 제1 다이 패드(112b)에 대하여 이격되어 있으며, 제어용 소자의 하부면이 부착되는 제2 다이 패드(112b)로 이루어진다.
특정의 다이 패드의 제1 다이 패드(112a)와 제2 다이 패드(112b)의 마주보는 면의 반대면에 제2 다이 패드(112b)를 지지하는 타이 바(113b)가 일체로 형성되어 이웃하는 다이 패드의 제1 다이 패드에 연결되어 있다. 본 발명의 실시예서는 하나의 타이 바(113b)에 의해 제2 다이 패드(112b)가 이웃하는 제1 다이 패드에 연결되어 있다.
다이 패드(112a, 112b)의 일측에 대하여 이격된 복수개의 리드부(114, 116) 중에서 트랜지스터 소자의 드레인 부분과 전기적으로 연결되는 리드(14)는 제1 다이 패드(112a)와 일체형으로 형성되어 있다. 제2 다이 패드(112b)는 리드부(114, 116)에 대하여 소정의 간격으로 이격되어 있다.
제1 다이 패드(112a)의 다른 일측과 연결되어 일체로 연장형성된 히트 싱크(118)는 중심 부분에 체결용 관통 구멍(119)이 형성되어 있다. 여기서, 히트 싱크(118)가 연결되어 있다.
다이 패드(112a, 112b) 및 전기적 연결 부분을 보호하기 위한 성형 공정에서 액상의 봉지 수지가 흘러 넘치는 것을 방지하며 동시에 리드부(114, 116)를 지지하기 위한 댐바(115)가 리드부(114, 116)를 수직으로 가로지르는 방향으로 연결형성된 구조를 갖는다.
제6도에 도시된 바와 같이, 본 발명에서는 리드 프레임의 제1 다이 패드(112a), 히트 싱크(118)의 두께(t3)가 제1 다이 패드(112a)와 연결된 리드(114)의 두께(t4)와 동일하게 제조된다. 즉, 리드 프레임(110)의 전체가 동일한 두께로 일체로 형성되어 있다.
리드 프레임(110)이 동일한 두께 및 일체로 제작하는 이유는, 리드 프레임(110)의 제작하는 단계에서, 다이 패드(112a, 112b) 및 히트 싱크(118) 부분과 리드부(114, 116)를 분리하여 제작하는 것보다는 제작이 용이하고, 일체로 형성되기 때문에 취급이 용이한 이점이 있기 때문이다.
리드부(114, 116)에 대하여 다이 패드(112a, 112b) 및 히트 싱크(118)가 하향 단차지게 형성된 구조를 갖는다. 두께는 0.9 1.0정도이다.
리드 프레임(110)의 재질은 경제성, 전기 전도성 및 열 전도성이 우수한 구리계 합금이 주로 채택되고 있다. 리드 프레임(110)은 스탬핑 방법 또는 에칭 방법으로 제작된다.
제7도는 제5도의 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지를 나타내는 평면도이다. 제8도는 제7도의 8-8선 단면도이다.
제7도 내지 제9도를 참조하면, 제5도에 도시된 리드 프레임을 이용한 트랜지스터 패키지(200)는 트랜지스터 소자(120)의 하부면이 제1 다이 패드(112a)의 상부면에 부착되어 있으며, 상기 제1 다이 패드(112a)의 상부면에 부착되어 있으며, 상기 제1 다이 패드(112a)에 대하여 소정의 간격을 두고 이격되어 있는 제2 다이 패드(112b)의 상부면에 제어용 소자(130)의 하부면이 부착된 구조를 갖는다. 여기서, 제1 다이 패드(112a)와 제2 다이 패드(112b)는 이격되어 전기적으로 결연되어 있기 때문에 제어용 소자(130)를 제2 다이 패드(112b)에 부착시키기 위하여 접착제로 솔더 접착제와 같은 전도성 접착제(155)가 사용된다. 물론, 에폭시 계열의 절연성 접착제를 사용하여 제어용 소자(130)를 제2 다이 패드(112b)에 부착시켜도 무방하지만, 전술된 바와 같이 에폭시계열의 절연성 접착제를 사용에 따른 문제점이 발생되게 때문에, 별도의 경화 공정을 생략할 수 있는 전도성 접착제(155)를 사용하는 것이 바람직하다.
제1 다이 패드(112a)와 트랜지스터 소자(120)의 접착 수단으로 솔더 접착제와 같은 전도성 접착제(150)가 사용된다.
제어용 소자(130)와 트랜지스터 소자(120)는 본딩 와이어(170)에 의해 전기적으로 연결되며, 각 소자들(120, 130)과 각기 대응된 리드(117)의 일단도 각기 본딩 와이어(170)에 의해 전기적으로 연결된다.
종래의 다이 패드에 연결된 리드가 본 발명의 실시예에서는 트랜지스터 소자(120)의 하부면이 부착되는 제1 다이 패드(112a)와 일체로 형성되어 있으며, 별도의 본딩 와이어(170)에 의하지 않고, 전기적 전도성을 갖는 솔더 접착제(150)에 의해 전기적 연결된다.
패키지(200)는 제어용 소자(130), 트랜지스터 소자(120), 리드부(114, 116) 및 본딩 와이어(170)를 포함하는 전기적 연결 부분과 제2 다이 패드(112b)를 지지하는 타이 바(113b)의 일측이 에폭시 계열의 봉지 수지에 의해 내재봉지되어 패키지 몸체(140)가 형성된다.
패키지 몸체(140)에 대하여, 제1 다이 패드(112a) 및 제2 다이 패드(112b)의 하부면과 리드부(114, 116)의 일측이 패키지 몸체(140)에 대하여 외부에 노출된 구조를 갖는다. 물론, 제1 다이 패드(112a)와 일체로 형성된 히트 싱크(118)의 하부면 또는 외부에 돌출되어 있다.
성형 공정에서 분리된 제1 다이 패드(112a)와 제2 다이 패드(112b)의 사이(117a) 및 히트 싱크(118)와의 접합력이 증가되어 PCT(Pressure Cookeam Cyle)와 같은 신뢰성 항목을 만족시킬수 있다.
따라서, 본 발명의 의한 구조를 따르면, 제어용 소자가 전도성 접착제에 의해 제2 다이 패드에 부착되기 때문에 종래의 절연성 접착제 사용에 따른 문제점이 극복되는 동시에 접착제 경화 공정이 필요없기 때문에 비용이 절감되는 있는 이점(利點)이 있다.
접착제의 도포 공정이 한 종류의 접착제의 도포 공정에 의해 소자들의 접착이 이루어지기 때문에 공정이 간단해 진다.
분리된 다이 패드 사이 및 히트 싱크와 제2 다이 패드 사이에 액상의 봉지 수지가 충진되기 때문에 트랜지스터 패키지의 신뢰성이 향상되는 이점이 있다.
그리고, 리드 프레임이 일체로 형성되기 때문에 제작이 용이하고, 취급이 용이점 이점이 있다.

Claims (14)

  1. 소정의 간격을 두고 배열되어 있으며, 트랜지스터 소자와 제어용 소자가 각기 부착될 수 있도록 분리 된 다이 패드로서, 상기 트랜지스터 소자가 부착될 제1 다이 패드와, 상기 제1 다이 패드에 대하여 소정의 간격으로 이격되어 있으며 상기 제어용 소자가 전도성 접착제에 의해 부착되는 제2 다이 패드를 갖는 다이 패드와; 상기 다이 패드의 일측에 대하여 이격되어 있으며, 상기 제1 다이 패드의 일측과 연결된 하나의 리드를 포함하는 리드부와; 각각의 상기 다이 패드의 상기 제1 다이 패드의 일측에 반대되는 타측과 연결되어 연장 형성되어 있으며, 그 연장된 부분에 체결용 관통 구멍이 형성된 히트싱크; 및 이웃하는 상기 히트 싱크들을 각기 연결하여 지지하고, 특정의 다이 패드의 제2 다이 패드와, 그에 이웃하는 다이 패드의 제1 다이 패드를 연결하여 상기 제2 다이 패드를 지지하는 타이 바;를 포함하며, 상기 제2 다이 패드는 상기 리드부와 제1 다이 패드에 대하여 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 패키지용리드 프레임.
  2. 제1항에 있어서, 상기 히트 싱크, 다이 패드는 동일한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 패키지용 리드 프레임.
  3. 제2항에 있어서, 서로 이웃하는 상기 히트 싱크는 두 개의 타이 바로 연결되어 지지되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 패키지용 리드 프레임.
  4. 제1항 내지 제3항의 어느 한 항에 있어서, 상기 특정의 다이 패드의 제2 다이 패드는 그에 이웃하는 다이 패드의 제1 다이 패드와 한 개의 타이 바로 연결되어 지지하는 것을 목적으로 특징으로 하는 트랜지스터 패키지용 리드 프레임.
  5. 트랜지스터 소자와; 제어용 소자와; 상기 트랜지스터 소자와 제어용 소자가 각기 부착될 수 있도록 분리된 다이패드로서, 상기 트랜지스터 소자가 전도성 접착제에 의해 부착되는 제1 다이 패드와, 상기 제1 다이 패드에 의하여 소정의 간격으로 이격되어 있으며 상기 제어용 소자가 전도성 접착제에 의해 부착되는 제2 다이 패드를 갖는 다이 패드와; 상기 다이 패드측의 일측에 대하여 이격되어 있으며, 상기 제1 다이 패드의 일측과 연결된 하나의 리드를 포함하는 리드부와; 상기 제1 다이 패드의 일측에 반대되는 타측과 연결되어 연장 형성되어 있으며, 그 연장된 부분에 체결용 관통 구멍이 형성된 히트 싱크와; 상기 제어용 소자와 트랜지스터 소자를 전기적으로 연결하며, 상기 제어용 소자 및 트랜지스터 소자에 각기 대응된 리드의 일단을 전기적으로 연결하는 수단; 및 상기 히트 싱크의 체결용 관통 구멍에서 이격된 상기 제1 다이 패드와 연결된 상기 히트 싱크 부분과, 상기 제1 다이 패드를 포함한 트랜지스터 소자, 상기 제2 다이 패드를 포함한 제어용 소자, 리드부 및 전기적으로 연결하는 수단이 내재봉지된 패키지 몸체;를 포함하고, 상기 리드부의 각 다른 일단이 상기 패키지 몸체에 대하여 돌출되어 있고, 상기 제2 다이 패드는 상기 리드부와 제1 다이 패드에 대하여 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 패키지.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 다이 패드의 상부면에 솔더 재질의 전도성 접착제에 의해 상기 트랜지스터 소자의 하부면이 부착되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제2 다이 패드의 상부면에 솔더 재질의 전도성 접착제에 의해 상기 트랜지스터 소자의 하부면이 부착되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  8. 제5항에 있어서, 상기 패키지 몸체의 재질이 에폭시 계열의 봉지 수지인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 패키지.
  9. 제8항에 있어서, 상기 봉지 수지가 상기 제1 다이 패드와 제2 다이 패드의 사이에 충진되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 패키지.
  10. 제5항에 있어서, 상기 다이 패드의 하부면이 패키지 몸체에 대하여 외부로 노출된 것을 특징으로 하는 트랜지스터 패키지.
  11. 제5항에 있어서, 상기 히트 싱크, 다이 패드는 동일한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 패키지.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제2 다이 패드는 상기 히트 싱크에 대하여 이격된 것을 특징으로 하는 트랜지스터 패키지.
  13. 제12항에 있어서, 상기 패키지 몸체의 재질이 에폭시 계열의 봉지 수지인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 패키지.
  14. 제13항에 있어서, 상기 봉지 수지가 상기 제2 다이 패드와 히트 싱크 사이에 충진되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 패키지.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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