KR19980035335A - 반도체 소자의 콘택홀 세정방법 - Google Patents
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Abstract
반도체 소자의 콘택홀 세정시, 콘택홀 하부에 접합영역의 손상을 방지하고 표면적을 증가시켜 소자의 전기적 특성을 향상시킨 반도체 소자의 콘택홀 세정방법이 개시된다.
Description
본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 세정방법에 관한 것으로, 특히 콘택홀 식각 공정시 접합영역의 손상을 방지하고, 접합영역의 표면적이 증가될 수 있는 반도체 소자의 콘택홀 세정방법에 관한 것이다.
일반적으로 불순물 접합영역이 형성되어 있는 실리콘기판상의 절연막상에 콘택홀을 형성하기 위하여 식각공정을 실시한다. 상기 식각공정으로 노출되는 상기 콘택홀 하부의 불순물 접합영역은 과도한 식각으로 손상을 가져온다. 이때 상기 콘택홀내에 금속이 증착되는 경우 상기 손상된 부분에 의해 접촉저항이 증가되고, 또한 소자의 고집적화로 더욱 전기적 특성이 저하된다.
따라서 본 발명은 접합영역이 형성되어 있는 실리콘기판에 콘택홀 형성시 발생하는 접합영역의 손상을 제거하고, 접합영역의 면적을 증가시켜 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 콘택홀 세정방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자의 콘택홀 세정방법에 있어서, 불순물 접합영역이 형성된 실리콘 기판상에 절연막을 형성하고, 상기 절연막의 일부분을 식각하여 상기 불순물 접합영역이 노출되도록 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀을 세정하면서 상기 불순물 접합영역의 표면적을 증가시키기 위하여, 제 1 및 2 세정공정을 실시하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
도 1A 내지 도 1B는 본 발명에 따른 반도체 소자의 콘택홀 세정방법을 설명하기 위한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 실리콘기판2 : 절연막
3 : 불순물 접합영역
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 1A는 내지 도 1B는 본 발명에 따른 반도체 소자의 콘택홀의 세정방법을 설명하기 위한 소자의 단면도이다.
도 1A는 실리콘기판(1)상에 형성된 절연막(2)의 일부분을 식각하여 상기 불순물 접합영역(3)이 노출되도록 콘택홀(A)을 형성한 상태를 도시한다. 상기 식각으로인해 상기 불순물 접합영역(3)의 일부(B)가 손상을 받게 된다. 콘택홀 형성 후 불산용액을 이용한 제 1 세정공정을 2 내지 5분간 실시한다.
제 1 세정공정 후 H2O : H2O2: NH4OH=4 : 1 : 3 인 혼합용액을 사용하여 제 2 세정공정을 실시한다. 제 2 세정공정에 의해 제 1 세정공정에서 남아있는 잔여 파티클(Particle)로 인하여 생기는 굴곡이 확대되어 도 1B에 도시된 바와 같이 굴곡(C)이 접합영역 상부에 형성된다. 상기 굴곡(C)으로 인하여 불순물 접합영역(3)의 표면적이 증가하여 소자의 전기적 특성이 향상된다. 상기 굴곡의 단차는 10 내지 900Å이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 콘택홀을 형성하기 위한 식각공정으로 발생되는 불순물 접합영역의 손상을 방지하면서 표면적을 증가시키기 위하여 제 1 및 2 세정공정을 실시한다. 따라서 콘택홀에 금속이 증착될 경우 접합부분의 면적증가로 전기적 특성이 향상되어 소자의 신뢰성 및 수율의 증대를 가져오는 효과가 있다.
Claims (3)
- 반도체 소자의 콘택홀 세정방법에 있어서,불순물 접합영역이 형성된 실리콘 기판상에 절연막을 형성하고, 상기 절연막의 일부분을 식각하여 상기 불순물 접합영역이 노출되도록 콘택홀을 형성하는 단계와,상기 콘택홀을 세정하면서 상기 불순물 접합영역의 표면적을 증가시키기 위하여, 제 1 및 2 세정공정을 실시하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 세정방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 세정공정은 불산용액을 사용하여 2 내지 5분간 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 세정방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 세정공정은 H2O : H2O2: NH4OH=4 : 1 : 3 인 혼합용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 세정방법.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019960053662A KR19980035335A (ko) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | 반도체 소자의 콘택홀 세정방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960053662A KR19980035335A (ko) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | 반도체 소자의 콘택홀 세정방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980035335A true KR19980035335A (ko) | 1998-08-05 |
Family
ID=66519569
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019960053662A KR19980035335A (ko) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | 반도체 소자의 콘택홀 세정방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980035335A (ko) |
-
1996
- 1996-11-13 KR KR1019960053662A patent/KR19980035335A/ko not_active Application Discontinuation
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