KR19980032157A - 전자기장 간섭을 위한 투명한 차단 물질 - Google Patents

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수야마간지
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Abstract

본 발명은 바람직하지 않은 전자기파를 차단하기 위한 투명 물질에 관한 것으로, 특히 블랙 영역이 투명한 기질 위에 친수성 투명 수지 층중 형성된다. 따라서, 본 발명은 (a) 투명한 기질, (b) 상기 투명한 기질위에 형성된 친수성 투명 수지 층(이층은 블랙 영역을 형성하도록 거기에 미세하게 분산된 금속입자를 일정 면적에 함유하고, 다른 면적에서는 투명한 영역을 형성하도록 금속 입자를 함유하지 않는다.)으로 이루어진 바람직하지 않은 전자기파를 차단하기 위한 투명한 물질을 제공한다.

Description

전자기장 간섭을 위한 투명한 차단 물질
본 발명은 전자장치로부터 발생되는 바람직하지 않은 전자기파를 막아주는 전자기 간섭(EMI)을 위한 투명한 차단 물질에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 EMI를 위한 높은 가시성 및 높은 차단 효과를 갖는 물질에 관한 것으로, 브라운관(CRT), 액정 디스플레이(LCD), 플라스마 디스플레이 패널(PDP) 및 전장 방출 디스플레이(FED), 시험 기구, 의학 기구 및 안내 장치와 같은 전자 디스플레이의 전방 차단에 사용된다.
EMI 차단 특성 및 광 전달 특성 모두를 갖는 물질의 두타입이 있다. 하나는 유리 및 투명한 수지(아크릴 수지, 폴리카보네이트)와 같은 투명한 기질에 비전기 도금에 의해 퇴적된 금속화된 섬유표면과 그들의 적층을 갖는 금속선 망, 섬유 망상조직이다. 다른 것은 투명한 기질 위에 SnO2, ITO, 스퍼터된 금 또는 다른 전도성 산화물과 같은 투명한 전도성 코팅제를 갖는다.
상기 전자(前者)는 가시광을 투과시키기 위하여 망사 선 및 섬유의 직경 또는 피치의 선택성의 제한을 갖고, 통상적인 사용에 적은 적용성을 초래한다. 높은 콘트라스트 이미지를 인식하고, 상기 망사의 금속 표면에 광 반사를 감소시키기 위하여, 블랙 코팅이 상기 금속 표면에 추가적으로 형성된다. 후자는 양호한 차단 효과를 갖지 못하고, 통상적인 사용을 위해 적용이 곤란하다. 상기 투명한 코팅제의 전기 전도도가 높게 만들어진 경우, 코팅 표면으로부터 광반사가 증가하여 가시성이 감소한다.
따라서, EMI를 위한 상기 차단 물질이 광 투명성 및 높은 차단 효과를 모두 갖는 것이 바람직하다. 상기 요구를 만족하기 위하여, 투명한 기질 위에 금속 망을 무전해(無電解) 도금으로 퇴적시키는 것이 제안되어 왔다. 플라스틱 기질 위에 무전해 도금은 화학산업의 분야에서 잘 알려진 기술의 하나이다. 플라스틱 기질 위에 무전해 도금의 전형적인 방법의 하나가 미국 특허 제 4,670,306호(Salem에 의한)에 기재되어 있다. 상기 살렘에 의한 특허는 무전해 도금 촉매의 적당한 흡수성이 있는 상기 기질 nd에 대해 적절한 접착력을 갖기 위해 선택된 기질 물질 위에 적용하는 단계를 포함하는 무전해 금속 도금을 위한 기질의 처리 방법을 제안한다. 상기 기질은 친수성 표면을 부여하고, 엥커링 효과를 제공하기 위해 강산 욕조중에 가라 앉혀진다. 그러나, 상기 살렘 특허는 기질을 에칭하는 방법이 너무 많은 표면 거침을 유발하는 점이 있다.
강산에 의한 이러한 직접 에칭을 피하기 위하여, 다공성 코팅 방법이 Coll-Polagos에 의한 미국 특허 제 4,244,789호에 기재되어 있고, 이것은 기질이 친수성 조성으로 코팅되고, 이어서 무전해 도금을 위한 하부코팅층으로 다공성 코팅을 형성하도록 물로 처리된다. 그러나, 상기 무전해 도금은 무전해식으로 도금하게 되는 상기 기질이 반드시 투명하지 않기 때문에 투명한 기질에 좀처럼 적용되지 않는다. 이 분야의 숙련가는 항상 기질의 표면과 무전해 도금 층과의 사이에 점착성에 집중한다. 따라서, 상기 무전해 도금을 위한 기질은 투명 또는 비투명이라고 예상된다.
광 투명성 및 높은 전자기 차단 특성 모두를 갖는 물질의 제조는 본 발명자에 의해 1991년 2월 28일에 출원된 일본 공개 공보 평5(1993)-16281호에 기재되어 있다. 상기 공보의 방법은 (i)투명한 기질 위에 친수성 투명한 수지를 형성하는 단계, (ii)친수성 투명한 수지층 또는 그들의 표명내로 상기 촉매를 분산시키도록 무전해 도금을 위한 촉매 용액중 그것을 담그는 단계, (iii)무전해 도금을 유도하도록 무전해 도금 욕조중 기질을 담그므로서 친수성 투명한 수지층 위에 금속 층을 형성하고 상기 친수성 투명한 수지 층중 금속 입자를 형성하는 단계, (iv)상기 금속 층에 원하는 패턴을 갖는 내식층을 형성하는 단계, (v)에칭에 의해 비-내식 면적의 금속 층 및 금속 입자를 제거하는 단계로 이루어진다. 상기 방법이 EMI를 위한 투명한 차단 물질을 생성하기 위해 유용할지라도, 상기 방법은 높은 수율을 갖는 투명한 차단 물질을 항상 제공하지 못해 적합한 방법이 아니다. 또한, 상기 방법은 투명한 기질과 친수성 투명한 수지 층 사이에 상기 접착에 대해 어떠한 주의를 갖지 않는다. 따라서 이것은 무전해 도금의 수단으로 상기 투명한 기질 위에 상기 친수성 투명한 수지 층중 블랙 영역을 안전하게 재생하도록 하는 것이 기대된다.
본 발명은 전자기파의 차단 특성과 높은 가시성 모두를 갖는 물질의 광범위한 다양성을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 차단 물질의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 물 린스후 친수성 투명한 수지 층에 수직으로 촉매 농도 분포의 두 타입을 나타낸다.
1:기질2,3:친수성 투명 수지층
4:금속층5:내식층
본 발명은 바람직하지 않은 전자기파를 차단하기 위한 투명한 물질을 제공하고, 이것은 블랙 망 영역이 투명한 기질 위에 친수성 투명 수지 층으로 형성된다. 따라서 본 발명은
(a) 투명한 기질,
(b) 상기 투명한 기질 위에 형성된 친수성 투명 수지 층(이층은 블랙 영역을 형성하도록 거기에 미세하게 분산된 금속입자를 일정 면적에 함유하고, 다른 면적에서는 투명한 영역을 형성하도록 금속 입자를 함유하지 않는다.),
(c) 상기 친수성 투명한 수지 층(b)중 블랙 영역 위에 형성된 금속 층으로 이루어진 바람직하지 않은 전자기파를 차단하기 위한 투명한 물질을 제공한다. 상기 친수성 투명한 수지 층(b)중 형성된 블랙 영역은 무전해식으로 퇴적된 매우 미세한 금속 입자를 함유한다. 상기 미세한 금속 입자는 상기 친수성 투명한 수지 층중에 분포 또는 분산된다. 입자 크기 및 분포의 상태는 상기 블랙 영역을 형성하기 위한 중요한 인자이다.
또한, 본 발명은
(a) 투명한 기질 위에 친수성 투명 수지 층을 형성하는 단계,
(b) 상기 친수성 투명 수지 층 내로 또는 그들의 표면으로 촉매를 분산시키도록 무전해 도금을 위한 촉매 용액중 그것을 담그는 단계,
(c) 물에 의해 상기 촉매를 포함하는 상기 친수성 투명 수지 층의 표면을 린스하는 단계,
(d) 무전해 도금을 유도하기 위해 무전해 도금중 상기 기질을 담그고, 따라서 상기 친수성 투명한 수지 층 위에 금속 층을 형성하고, 상기 친수성 투명한 수지 층중 금속 입자를 형성하는 단계,
(e) 상기 금속 층 위에 원하는 패턴을 갖는 내식 층을 형성하는 단계,
(f) 에칭에 의해 비 내식 면적중 상기 금속 층 및 상기 금속 입자를 제거하는 단계로 이루어지는 바람직하지 않은 전자기파를 차단하기 위한 투명한 물질의 제조방법 제공한다. 무전해 도금의 수단으로 상기 친수성 투명 층중 상기 블랙 영역을 안정하게 형성하기 위하여, 상기 물린스를 충분하게 유도하는 것이 필요하다. 물 린스 단계 동안, 상기 친수성 투명 층의 표면에 상기 촉매 농도가 감소하고, 친수성 층내로 상기 금 속의 효과적인 퇴적을 일으키고, 상기 블랙 영역의 안정한 제조를 유도한다.
이하, 본 발명을 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명은 투명한 기질, 친수성 투명 수지 층 및 금속 망 층으로 이루어지는 바람직하지 않은 전자기 복사를 차단하기 위한 물질에 관한 것이다. 여기에 추가 기재하는 것으로, 상기 금속 층은 무전해 도금으로 형성되고, 또한 상기 친수성 투명 수지 층중 금속 입자는 무전해 도금으로 형성된다. 상기 블랙 층은 친수성 투명한 수지 층중 분산되는 미세한 금속 입자로부터 형성되고, 가시광의 매우 낮은 반사를 얻는다. 본 발명은 금속의 미세한 입자의 분산 분포로 이루어진 친수성 투명 수지 층중 블랙 영역과 친수성 투명한 수지 층중 블랙 영역의 안정한 형성의 방법에 관한 것이다.
본 발명은 디스플레이 필터로 일반적으로 사용되는 유리 또는 아크릴 수지 기질에 적절한 접착을 갖는 차단 물질을 제공한다.
본 발명의 차단 물질을 제조하기 위한 방법은 도 1a 내지 도 1e의 참조로 더욱 상세히 설명된다.
본 발명을 위해 사용되는 바람직한 투명한 기질(1)은 유리 및 아크릴 수지이다.
상기 친수성 투명 수지 층(2)은 상기 기질(1)위에 형성되고, 폴리비닐 알콜, 아크릴 수지, 셀룰로스 및 그 유사물과 같은 친수성 투명 수지로부터 형성된다. 폴리비닐 알콜의 실례는 에틸렌-비닐 알콜 코폴리머 및 비닐아세테이트-비닐 알콜 코폴리머이다. 아크릴 수지의 실례는 폴리하이드록시에틸아크릴레이트, 폴리하이드록시프로필아크릴레이트, 폴리하이드록시에틸메타크릴레이트, 폴리하이드록시프로필메타크릴레이트, 폴리아크릴아미드, 폴리메틸올아크릴아미드 및 그들의 코폴리머이다. 셀룰로스의 실례는 니트로셀룰로스, 아세틸프로필셀룰로스이다. 유리 또는 아크릴 기질에 적합한 접착을 갖는 특히 바람직한 친수성 투명 수지는 하기 화학식(1) 과 (2)로 나타나는 두 모노머로 이루어진 코폴리머이다.
[화학식1]
[화학식2]
위식에서, R1 및 R2는 각각 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 3 또는 4를 나타낸다.
상기 친수성 투명 수지 층(2)은 담그기, 롤 및 스핀 코팅과 같은 표준 방법 및 본 기술의 다른 일반적인 방법으로 상기 언급된 기질 위에 피복된다. 친수성 투명 수지 층은 친수성 수지의 수성 용액으로부터 형성된다. 상기 친수성 투명 수지를 코팅 후, 상기 피복된 기질은 건조되고, 이어서 무전해 도금을 위한 산성 수용액중 담근다.
상기 피복된 기질이 촉매의 산성 수용액중 담겨지는 경우, 상기 친수성 투명 수지 층은 촉매성 용액을 습윤 및 흡수하고, 상기 촉매는 상기 친수성 투명 층의 매질 내로 삽입된다. 도 1b에서, 촉매 용액으로 습윤된 상기 친수성 투명 층은 부호(3)로 나타냈다.
이어서 상기 습윤된 기질(1)은 상기 친수성 투명 수지 층의 표면 및 내부에 촉매의 과량을 제거하기 위해 물로 린스된다. 상기 친수성 투명 수지 층의 두께 방향의 촉매 농도의 분포는 물의 린스 후 상기 블랙 영역의 안정한 형성을 위해 매우 중요하다. 따라서, 친수성 투명 수지 층의 담금 후 물에 의한 린스는 매우 중요한 공정이다. 도 2에 물 린스 후 상기 친수성 투명 수지 층에 수직한 촉매 농도 분포의 두 타입이 나타나 있다. 도 2에서 타입 1은 친수성 투명 수지 층의 표면의 부근에 매우 높게 되는 촉매 농도의 분포의 통상의 프로파일을 나타낸다. 이 타입 1 경우에서, 무전해 도금 단계 동안 친수성 투명 수지 층의 표면에 금속 퇴적이 너무 많이 일어나고, 친수성 투명 층의 내측에는 금속 입자의 적은 형성을 초래한다. 타입 2는 친수성 투명한 수지 층의 표면의 부근에 촉매 농도는 기질의 방향에 비교적 낮게 점진적으로 감소하는 본 발명의 특별한 분포를 나타내고, 블랙 영역의 안정한 제조를 얻는다. 촉매의 타입 1분포에서 , 촉매의 큰 양이 친수성 투명 수지 층의 표면의 부근에 존재하기 때문에, 도금 욕조의 금속 이온의 환원이 신속하게 일어나고, 금속 원자는 무전해 도금을 유도하는 경우 매우 빠르게 금속 층(4)을 형성하기 위해 친수성 투명한 수지 층의 표면적 위에 퇴적된다. 친수성 투명 수지 층내로 금속 이온의 공급은 무전해 도금 동안 형성된 금속 층의 존재로 제한된다. 대조를 위하여, 타입 2 분포가 친수성 투명한 수지 층의 표면의 부근에 촉매의 작은 양을 함유하기 때문에, 상기 도금 욕조의 금속 이온은 친수성 투명 수지 층의 내부로 연속적으로 공급되고, 블랙 칼라를 나타내는 미세한 금속 입자로 환원된다.
물의 린스는 친수성 투명 수지 층의 표면의 부근에 또는 표면위에 촉매의 농도를 감소시키기에 충분하게 유도되도록 하여야 한다. 따라서, 이것은 통상 조건에서 유도되는 물 린스가 타입 2 분포를 형성하는 것이 가능하도록 만들지 않기 때문에 물 린스를 남김없이 유도하도록 요구된다. 본 발명에 따르면, 20℃에서 물흐름의 30분 담금과 같은 철저한 물 린스가 필요하다. 상기 린스는 친수성 투명 수지 층(3)의 표면 1/2, 더욱 바람직하게는 1/3에서 촉매의 농도를 감소시키도록 바람직하게 유도될 수 있다.
린스 후, 타입 2 분포를 갖는 촉매를 함유하는 친수성 투명 수지 층(3)은 조절된 온도에서 무전해 도금 욕조내로 담겨진다. 무전해식으로 도금되는 바람직한 금속은 구리, 니켈, 코발트, 금, 주석 및, 니켈-코발트, 니켈-코발트-보론, 니켈-코발트-인, 니켈-텅스텐-인, 코발트-철-인, 코발트-텅스텐-인, 코발트-니켈-망간-레늄-인과 같은 그들의 금속 합금을 포함한다.
욕조중 금속 이온은 표면 위에 금속 층(4)을 형성하고 거기에 미세한 금속 입자를 동시에 형성하도록 촉매의 기능으로 친수성 투명 수지 층위에 또는 층중 환원된다. 친수성 투명 수지 매질중 공간은 한정을 갖고 따라서 도금된 금속 입자의 입자 크기는 자연적으로 한정된다. 친수성 투명 수지 층중 블랙 칼라 형성의 목적을 위하여, 금속 입자는 1000Å이하의 직경, 바람직하게는 500Å이하의 직경을 갖는다. 마이에스(Mie's) 이론에 따르면, 미세한 입자는 가시광선을 분산하지 않지만 그것을 흡수한다. 매질중 금속 입자의 직경이 1000Å이하인 경우, 기질의 방향으로부터 친수성 투명 수지 층 내로의 입사광은 분산되지 않으며 오히려 퇴적된 금속 입자로 흡수된다. 따라서 분산된 미세한 금속 입자의 영역은 블랙 칼라를 나타낸다.
무전해 도금의 초기 기간에서, 광 전송 기질 위에 친수성 투명한 수지 층은 친수성 투명 수지 층중 분산된 미세한 금속 입자의 형성 때문에 어둡게 그것의 칼라가 점진적으로 바뀌고, 금속 층(4)이 친수성 투명 수지 층의 표면 위에 형성되는 경우 블랙으로 최종적으로 바뀐다. 상기 금속 층(4)은 바람직하지 않은 전자기파의 차단 층으로 작용하고, 친수성 투명 수지 층(3)중 미세한 금속 입자를 갖는 블랙 영역은 비반사 층으로 작용한다.
다음, 금속 층과 퇴적된 금속 입자의 바람직하지 못한 부분은 도 1e에 나타난 바와 같이 패턴을 형성하도록 제거된다. 상기 패턴의 형성은 금속 층(4)위에 패턴을 갖는 내식층(5)을 형성하고 이어서 금속 층(4)과 미세한 금속 입자의 에칭 용액으로 에칭하여 유도된다. 상기 내식 패턴은 EMI를 위한 차단 물질의 투영 및 전기 전도성을 손상하지 않도록 결정된다. 상기 내식층은 본 기술에서 공지된 프린팅 또는 포토그라피 방법을 사용하여 형성된다.
에칭 방법은 내식 층(5)으로 피복되지 않은 금속 층 및 미세한 금속 입자를 제거한다. 결과적으로, 금속 층의 블랙 영역의 동일한 패턴이 친수성 투명 수지 층중 형성된다. 금속 층과 금속 입자의 제거된 부분은 광 전사 특성을 나타낸다. 이어서, 내식 부분은 필요에 따라 적당한 방식으로 제거된다. 상기한 단계로 차단 EMI의 광 전사 물질은 원하는 전기전도성 패턴으로 인색된다.
상기 금속 층 에칭을 위한 에칭 용액은 본 기술에서 공지 되어있다. 예를 들면, 염화철이 니켈 또는 구리의 에칭제로 적합하다.
필요하다면, 비-부식 층이 금속 층 위에 형성될 수 있다. 비-부식 층이 도금 처리 또는 화학적인 처리로 형성될 수 있으나, 크롬산염 처리가 그것의 높은 내부식성 때문에 바람직하다.
대체로, 금속 층과 금속 입자의 패턴 형성은 다른 방법으로 유도될 수 있다. 하나는 친수성 층이 원하는 유도 패턴의 면적중 선택적으로 퇴적되고 이어서 무전해식으로 도금되는 것이다. 또한, 도금 촉매의 흡수 방법에서, 상기 촉매는 내식 패턴의 예비-형성 방법을 사용하여 원하는 전도성 패턴의 면적으로 친수성 투명 수지 층중 선택적으로 흡수 될 수 있다. 이들 방법은 에칭 방법이 감소될 수 있고, 친수성 투명 수지 및 촉매층이 절약될 수 있도록 효과적이다.
이하, 본 발명을 실시예로 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 실시예로 한정되지 않는다.
실시예1
투명한 폴리메틸메타크릴레이트 시트를 기질로서 사용하였다. 친수성 투명 수지 층을 담금 코팅의 수단으로 폴리하이드록시메틸메타크릴레이트의 100중량부 및 폴리하이드록시프로필메타크릴레이트의 10중량부를 함유하는 1.5% 메탄올 용액으로 형성하였다. 상기 친수성 투명 수지 층은 70℃에서 30분간 건조 후 약 0.4미크론을 가졌다. 상기 기질을 30℃에서 5분간 상품명 A-30(일본, 오사카의 오쿠노세이야쿠 가부시키가이샤)로 유용한 촉매 용액중에 담그었다. 증류수를 함유하는 수조중 20℃에서 30분간 기질을 띄우고 가라앉혀 철저한 물린스를 유도하였다. 친수성 투명한 층의 표면으로부터 과량 촉매의 연속적인 제거는 상기한 바와 같은 적합한 촉매 분포로 유도한다. 산으로 활성과 물 린스 후, 구리의 무전해 도금을 18℃에서 7분간 상품명 OPC-700(오쿠노세이야쿠 가부시키가이샤)로 유용한 도금 욕조를 사용하여 유도하였다. 친수성 투명한 수지 층위에 구리 층을 형성후, 기질은 반대쪽으로부터 검게 보였다. 추가로, 통상적인 포토리소트라피를 사용하여, 내식 코팅, 포토 마스크, 진전, 및 에칭을 통한 UV 노출, 금속 망 패턴을 형성하였다. 내식으로 피복되지 않은 블랙 영역을 산 에칭 방법으로 에칭 하였다. 차단 효과 시험 후, 블랙 부분에 의한 금속 망이 높은 차단 및 광 전사 능을 갖는 것으로 평가되었다.
실시예 2
투명한 소다유리 시트를 사용하였다. 하이드록시에틸아크릴레이트-하이드록시프로필아크릴레이트 코폴리머를 5중량% 용액을 형성하기 위하여 디아세톤 알콜 및 디메틸포름아미드의 혼합 용액 중 혼합하였고 이어서 친수성 투명 수지 층을 형성하기 위하여 투명한 소다 유리 시트위에 롤-피복하였다. 친수성 투명 수지 층은 70℃에서 1시간 동안 건조 후, 약 1.2미크론을 가졌다. 이어서 상기 기질을 30℃에서 10분간 상품명 A-30(일본, 오사카의 오쿠노세이야쿠 가부시키가이샤)로 유용한 촉매 용액중에 담그었다. 증류수를 함유하는 수조중 20℃에서 30분간 기질을 띄우고 가라앉혀 철저한 물린스를 유도하였다. 산으로 활성 및 물 린스 후, 구리의 무전해 도금을 16℃에서 9분간 상품명 OPC-700(오쿠노세이야쿠 가부시키가이샤)로 유용한 도금 욕조를 사용하여 유도하였다. 친수성 투명한 수지 층 위에 구리층을 형성한 후, 기질은 반대쪽으로부터 검게 보였다. 추가로, 통상적인 포토리소그라피를 사용하여, 내식 코팅, 포토 마스크, 진전, 및 에칭을 통한 UV 노출, 금속 망 패턴을 형성하였다. 내식으로 피복되지 않은 블랙 영역을 산 에칭 방법으로 에칭 하였다. 차단 효과 시험 후, 블랙 부분에 의한 금속 망이 높은 차단 및 광 전사 능을 갖는 것으로 평가되었다.
실시예 3
투명한 소다유리 시트를 사용하였다. 하이드록시에틸아크릴레이트-하이드록시프로필아크릴레이트 코폴리머 20중량부 및 폴리하이드록시에틸아크릴레이트의 80중량부를 6중량% 용액을 형성하기 위하여 디아세톤 알콜 및 디메틸포름아미드의 혼합 용액중 혼합하였고 이어서 친수성 투명 수지 층을 형성하기 위하여 투명한 소다 유리 시트위에 롤-피복하였다. 친수성 투명 수지 층은 70℃에서 1시간 동안 건조후, 약 1.2미크론을 가졌다. 이어서 상기 기질을 30℃에서 10분간 상품명 A-30(일본, 오사카의 오쿠노세이야쿠 가부시키가이샤)로 유용한 촉매 용액중에 담그었다. 증류수를 함유하는 수조중 20℃에서 30분간 기질을 띄우고 가라앉혀 철저한 물린스를 유도하였다. 산으로 활성 및 물린스후, 구리의 무전해 도금을 16℃에서 9분간 상품명 OPC-700(오쿠노세이야쿠 가부시키가이샤)로 유용한 도금 욕조를 사용하여 유도하였다. 친수성 투명한 수지 층위에 구리층을 형성한 후, 기질은 반대쪽으로부터 검게 보였다. 추가로, 통상적인 포토리소그라피를 사용하여, 내식 코팅, 포토 마스크, 진전, 및 에칭을 통한 UV 노출, 금속 망 패턴을 형성하였다. 내식으로 피복되지 않은 블랙 영역을 산 에칭 방법으로 에칭 하였다. 차단 효과 시험 후, 블랙 부분에 의한 금속 망이 높은 차단 및 광 전사 능을 갖는 것으로 평가되었다.
실시예 4
투명한 폴리메틸메타크릴레이트 시트를 사용하였다. 폴리하이드록시에틸메타크릴레이트 100중량부 및 폴리하이드록시부틸아크릴레이트의 20중량부를 2중량% 용액을 형성하기 위하여 메탄올중 혼합하였고, 이어서 친수성 투명 수지 층을 형성하기 위하여 시트위에 담금 피복하였다. 친수성 투명 수지 층은 70℃에서 30분간 건조후, 약 0.5미크론을 가졌다. 이어서 상기 기질을 30℃에서 10분간 상품명 A-30(일본, 오사카의 오쿠노세이야쿠 가부시키가이샤)로 유용한 촉매 용액중에 담그었다. 증류수를 함유하는 수조중 50℃에서 30분간 기질을 띄우고 가라앉혀 철저한 물린스를 유도하였다. 산으로 활성 및 물린스 후, 구리의 무전해 도금을 18℃에서 7분간 상품명 OPC-700(오쿠노세이야쿠 가부시키가이샤)로 유용한 도금 욕조를 사용하여 유도하였다. 친수성 투명한 수지 층위에 구리층을 형성한 후, 기질은 반대쪽으로부터 검게 보였다. 추가로, 통상적인 포토리소그라피를 사용하여, 내식 코팅, 포토 마스크, 진전, 및 에칭을 통한 UV 노출, 금속 망 패턴을 형성하였다. 내식으로 피복되지 않은 블랙 영역을 산 에칭 방법으로 에칭 하였다. 차단 효과 시험 후, 블랙 부분에 의한 금속 망이 높은 차단 및 광 전사 능을 갖는 것으로 평가되었다.
실시예 5
투명한 폴리메틸메타크릴레이트 수지 시트를 사용하였다. 친수성 투명 수지 층을 투명한 수지 시트위에 폴리하이드록시에틸메타크릴레이트의 1.5중량% 메탄올 용액으로 담금 코팅하여 형성하였다. 친수성 투명 수지 층은 70℃에서 30분간 건조후, 약 0.4미크론을 가졌다. 이어서 상기 기질을 30℃에서 5분간 상품명 A-30(일본, 오사카의 오쿠노세이야쿠 가부시키가이샤)로 유용한 촉매 용액중에 담그었다. 증류수를 함유하는 수조중 20℃에서 30분간 기질을 띄우고 가라앉혀 철저한 물린스를 유도하였다. 산으로 활성 및 물린스후, 구리의 무전해 도금을 18℃에서 7분간 상품명 OPC-700(오쿠노세이야쿠 가부시키가이샤)로 유용한 도금 욕조를 사용하여 유도하였다. 친수성 투명한 수지 층 위에 구리층을 형성한 후, 기질은 반대쪽으로부터 검게 보였다. 추가로, 통상적인 포토리소그라피를 사용하여, 내식 코팅, 포토 마스크, 진전, 및 에칭을 통한 UV 노출, 금속 망 패턴을 형성하였다. 내식으로 피복되지 않은 블랙 영역을 산 에칭 방법으로 에칭 하였다. 차단 효과 시험 후, 블랙 부분에 의한 금속 망이 높은 차단 및 광 전사 능을 갖는 것으로 평가되었다.
실시예 1내지 5로 얻어진 차단 물질을 디스플레이에 대한 물질의 적용 및 눈으로의 가시성 평가로 가시성의 시험을 실시하였다. 평가는 친수성 투명 수지 층중 블랙 영역의 형성으로 얻어지는 검은 배경 및 디스플레이의 명확한 이미지의 반사가 없는 것을 양호라 하였고, 반사가 있거나 디스플레이의 명확한 이미지가 아닌 것은 불량이라 하였다.
비교예1
차단 물질을 2분간 20℃에서 물중에 띄우거나 가라앉혀 물린스를 실시한 것을 제외하고는 실시예 1에 기재된 바와 같이 일반적으로 얻었다.
비교예 1의 가시성 시험의 결과는 친수성 투명 수지 층중 블랙 영역의 부적당한 형성으로 얻어진 블랙 배경의 반사와 디스플레이의 명확한 이미지의 결핍 때문에 불량이었다.
실시예 1 내지 5로 유도된 상기 기질에 상기 친수성 투명 수지층의 접착력의 평가를 위한 횡-절단 시험은 실시예 1 내지 4가 강한 접착을 의미하는 100/100을 나타내고, 참고로 예를 들면 메탄올의 1.5% 폴리하이드록시에틸메타크릴레이트 용액으로 구성된 친수성 투명 수지이었던 다른 부분을 갖는 실시예5는 약한 접착력 10/100을 나타내었다.

Claims (11)

  1. (a) 투명한 기질,
    (b) 상기 투명한 기질 위에 형성된 친수성 투명 수지 층(이층은 블랙 영역을 형성하도록 거기에 미세하게 분산된 금속입자를 일정 면적에 함유하고, 다른 면적에서는 투명한 영역을 형성하도록 금속 입자를 함유하지 않는다.),
    (c) 상기 친수성 투명한 수지 층(b)중 블랙 영역위에 형성된 금속 층으로 이루어진 바람직하지 않은 전자기파를 차단하기 위한 투명한 물질.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 투명 기질(a)은 유리 또는 아크릴 수지로부터 제조되는 바람직하지 않은 전자기파를 차단하기 위한 투명한 물질.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 친수성 투명 수지 층(b)은 하기 화학식1 과 화학식2로 나타나는 두 반복 유니트를 갖는 폴리머로부터 형성되는 바람직하지 않은 전자기파를 차단하기 위한 투명한 물질.
    [화학식 1]
    [화학식2]
    위식에서, R1 및 R2는 각각 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 3 또는 4를 나타낸다.
  4. 제 1항에 있어서, 친수성 투명 수지 층(c)중 존재하는 상기 금속 입자는 무전해 도금으로 형성되는 바람직하지 않은 전자기파를 차단하기 위한 투명한 물질.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 금속 층(c)은 무전해 도금으로 형성되는 바람직하지 않은 전자기파를 차단하기 위한 투명한 물질.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 금속 입자는 1,000Å이하의 직경을 갖는 바람직하지 않은 전자기파를 차단하기 위한 투명한 물질.
  7. (a) 투명한 기질위에 친수성 투명 수지 층을 형성하는 단계,
    (b) 상기 친수성 투명 수지 층 또는 그들의 표면 내로 촉매를 분산시키도록 무전해 도금을 위한 촉매 용액중 그것을 담그는 단계,
    (c) 물에 의해 상기 촉매를 포함하는 상기 친수성 투명 수지 층의 표면을 린스하는 단계,
    (d) 무전해 도금을 유도하기 위해 무전해 도금중 상기 기질을 담그고, 따라서 상기 친수성 투명한 수지 층 위에 금속 층을 형성하고, 상기 친수성 투명한 수지 층중 금속 입자를 형성하는 단계,
    (e) 상기 금속 층 위에 원하는 패턴을 갖는 내식 층을 형성하는 단계,
    (f) 에칭에 의해 비 내식 면적중 상기 금속 층 및 상기 금속 입자를 제거하는 단계로 이루어지는 바람직하지 못한 전자기파를 차단하기 위한 투명한 물질의 제조 방법.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 투명 기질은 유리 또는 아크릴 수지로부터 제조되는바람직하지 못한 전자기파를 차단하기 위한 투명한 물질의 제조 방법.
  9. 제 7항에 있어서, 상기 친수성 투명 수지 층(b)은 하기 화학식(1) 과 (2)로 나타나는 두 반복 유니트를 갖는 폴리머로부터 형성되는 바람직하지 않은 전자기파를 차단하기 위한 투명한 물질.
    [화학식 1]
    [화학식 2]
    위식에서, R1 및 R2는 각각 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 3 또는 4를 나타낸다.
  10. 제 7항에 있어서, 상기 금속 입자는 1,000Å이하의 직경을 갖는 바람직하지 않은 전자기파를 차단하기 위한 투명한 물질.
  11. 제 7항에 있어서, 상기 단계(c)는 친수성 투명 수지 층의 표면위에 무전해 도금을 위한 촉매의 농도의 절반이하로 충분히 유도되는 바람직하지 않은 전자기파를 차단하기 위한 투명한 물질.
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