KR19980029061A - 웨이퍼 세정방법 - Google Patents
웨이퍼 세정방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR19980029061A KR19980029061A KR1019960048300A KR19960048300A KR19980029061A KR 19980029061 A KR19980029061 A KR 19980029061A KR 1019960048300 A KR1019960048300 A KR 1019960048300A KR 19960048300 A KR19960048300 A KR 19960048300A KR 19980029061 A KR19980029061 A KR 19980029061A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- pure water
- cleaning method
- sodium
- hno
- Prior art date
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 웨이퍼 세정방법을 제공하는 것으로, 웨이퍼 상에 잔류하는 나트륨을 HNO3및 순수의 혼합용액을 이용하여 NaNO3로 남게 한다음 순수로 세정하여 나트륨을 웨이퍼로부터 완전히 제거할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 발명은 웨이퍼의 표면에 잔류하는 나트룸을 제거하기 위한 웨이퍼 세정방법에 관한 것이다.
일반적으로 나트륨(Na)은 누설 전류를 발생시키는 원인이 되는데, 종래에는 이 나트룸을 제거하기 위하여 염산(HCl)세정을 실시하면 나트룸이 염소(Cl)와 반응하여 염화 나트륨(NaCl) 형태로 남게 되고 이것을 순수(DI Water)로 세정하면 염화 나트륨이 60℃의 순수에서 용해도가 37 정도로 낮기 때문에 완저한 제거가 이루어지지 않았다.
본 발명은 웨이퍼 상에 잔류하는 나트륨을 HNO3 및 순수의 혼합용액을 이용하여 NaNO3로 남게 한 다음 순수로 세정하여 나트륨을 웨이퍼로부터 완전히 제거할 수 있는 웨이퍼 세정방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상술한 목적을 실현하기 위한 본 발명의 세정 방법은 나트륨이 잔류하는 웨이퍼를 HNO3및 순수의 혼합용액에 소정 시간 담그는 단계와, 상기 단계로부터 웨이퍼를 순수로 세정하는 단계로 이루어진다.
본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
나트륨이 잔류하는 웨이퍼를 HNO3 : 순수의 비율이 1 : 100인 혼합용액에 담근다.
혼합용액의 온도는 대략 40 내지 70℃로써 이때, 나트륨은 HNO3와 반응하여 하기 식1의 밑줄친 바와 같이 NaNO3가 된다.
식1 Na+＋ HNO3→ Na+＋ H+＋ (NO3)-→ NaNO3 ＋ H+
혼합용액으로부터 웨이퍼를 꺼내면 웨이퍼 사에 NaNO3가 잔류하게 된다.
다음으로 웨이퍼를 대략 40 내지 70℃의 순수로 세정하게 되면 웨이퍼의 표면에 잔류하는 NaNO3는 60℃의 순수에서 용해도가 124 정도로 매우 높기 때문에 완전히 제거된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 웨이퍼 상에 잔류하는 나트륨을 HNO3및 순수의 혼합용액을 이용하여 NaNO3로 남게 한 다음 순수로 세정하여 나트륨을 웨이퍼로부터 완전히 제거할 수 있는 탁월한 효과가 있다.
Claims (3)
- 웨이퍼 세정방법에 있어서, 나트륨이 잔류하는 웨이퍼를 HNO3및 순수의 혼합용액에 소정 시간 담그는 단계와, 상기 단계로부터 상기 웨이퍼를 순수로 세정하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 혼합용액은 40 내지 70℃의 온도에서 HNO3: 순수의 비율이 1 : 100인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼를 세정하기 위한 순수의 온도는 40 내지 70℃인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960048300A KR19980029061A (ko) | 1996-10-25 | 1996-10-25 | 웨이퍼 세정방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960048300A KR19980029061A (ko) | 1996-10-25 | 1996-10-25 | 웨이퍼 세정방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980029061A true KR19980029061A (ko) | 1998-07-15 |
Family
ID=66316295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960048300A KR19980029061A (ko) | 1996-10-25 | 1996-10-25 | 웨이퍼 세정방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980029061A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100445057B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2004-08-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 제조공정중 후공정에서의 웨이퍼 세정방법 |
-
1996
- 1996-10-25 KR KR1019960048300A patent/KR19980029061A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100445057B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2004-08-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 제조공정중 후공정에서의 웨이퍼 세정방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SG129274A1 (en) | Cleaaning solution and cleaning process using the solution | |
| EP1212150A4 (en) | LACTAM COMPOSITIONS FOR REMOVING ORGANIC AND PLASMA-ETCHED RESIDUES ON SEMICONDUCTORS | |
| EP1066365A4 (en) | ACID COMPOSITION CONTAINING FLUORIDE FOR THE REMOVAL OF PHOTORESINS AND ENGRAVING RESIDUES | |
| HK1041020A1 (en) | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices | |
| ATE340243T1 (de) | Zusammensetzung zur entfernung von rückständen bei der halbleiterherstellung auf basis von ethylendiamintetraessigsäure oder ihrem ammoniumsalz sowie verfahren | |
| KR920005290A (ko) | 반도체 기판을 클리닝하기 위한 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR101165752B1 (ko) | 세정 조성물 및 세정방법 | |
| KR19980029061A (ko) | 웨이퍼 세정방법 | |
| US3997361A (en) | Coin cleaner | |
| JPS54134046A (en) | Removal of scale | |
| JPS5889699A (ja) | 中性トイレツト洗浄剤組成物 | |
| JPH04101418A (ja) | Ｓｉウエーハのライフタイム向上方法 | |
| KR19980084299A (ko) | 세정 능력을 갖는 산화막 식각용액 제조방법 | |
| KR970010936A (ko) | 반도체 장치의 세정에 사용되는 세정액 및 이를 이용한 세정방법 | |
| JPS5564846A (en) | Cleaning method for ion exchange membrane | |
| KR101713598B1 (ko) | 실리콘계 스케일 제거용 세정액 조성물 | |
| GB877240A (en) | Method of pickling ferrous metal surfaces and pickling solution therefor | |
| RU1787174C (ru) | Способ очистки оборудовани | |
| JP2006339509A (ja) | 金属チタンのエッチング用組成物及びそれを用いたエッチング方法 | |
| RU2003105728A (ru) | Состав 102а для демеркуризации объектов, пораженных ртутью, и способ его применения | |
| KR950004429A (ko) | 반응율 제한을 이용한 실리콘기판 표면의 불순물 습식청정방법 | |
| RU2102530C1 (ru) | Способ очистки и ингибирования изделий из меди и медно-стальной проволоки | |
| KR970003576A (ko) | 웨이퍼 세정방법 | |
| KR920000450B1 (ko) | 귀금속류 및 보석류의 세척제 | |
| JPS5299966A (en) | Treatment for removing halogen gas |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |