KR19980019607A - 위상반전마스크 및 그 제조방법 - Google Patents
위상반전마스크 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR19980019607A KR19980019607A KR1019960037790A KR19960037790A KR19980019607A KR 19980019607 A KR19980019607 A KR 19980019607A KR 1019960037790 A KR1019960037790 A KR 1019960037790A KR 19960037790 A KR19960037790 A KR 19960037790A KR 19980019607 A KR19980019607 A KR 19980019607A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- phase inversion
- mask
- transparent substrate
- phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims abstract description 123
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 61
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims abstract description 27
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 235000014653 Carica parviflora Nutrition 0.000 claims 1
- 241000243321 Cnidaria Species 0.000 claims 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002508 contact lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 230000008733 trauma Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/29—Rim PSM or outrigger PSM; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
Claims (30)
- 투명기판과,상기 투명기판 상에 소정 깊이로 형성된 홈과,상기 홈 내부에 형성되어 입사되는 광을 차단하는 차광층과,상기 차광층과 소정 부분이 접촉되며 나머지 부분이 상기 투명기판과 접촉되게 형성되어 입사되는 광의 위상을 반전시키는 위상반전층을 포함하는 위상반전마스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 홈이 500 ~ 4000Å의 깊이로 형성된 위상반전마스크.
- 제 1항에 있어서,상기 차광층과 위상반전층이 한 몸체로 형성된 위상반전마스크.
- 제 3 항에 있어서,상기 차광층이 아연(Zn) 또는 다결정실리콘으로 형성된 위상반전마스크.
- 제 3 항에 있어서,상기 위상반전층이 산화아연(ZnO) 또는 산화실리콘(SiO2)으로 형성된 위상반전마스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 차광층과 위상반전층이 각각 다른 몸체로 형성된 위상반전마스크.
- 제 6 항에 있어서,상기 차광층이 Ge-Se계의 무기질 레지스트로 형성된 위상반전마스크.
- 제 6 항에 있어서,상기 위상반전층이 액상성장된 산화실리콘으로 형성된 위상반전마스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 차광층이 홈 내부에만 형성된 위상반전마스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 위상반전층이 3500 ~ 5000Å의 두께로 형성된 위상반전마스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 투명기판 상에 식각정지층이 더 형성된 위상반전마스크.
- 제 11 항에 있어서,상기 식각정지층이 투명한 도전물질인 인듐주석산화물(ITO)으로 형성된 위상반전마스크.
- 제 12 항에 있어서,상기 식각정지층을 500 ~ 4000Å의 두께로 이루어진 위상반전마스크.
- 투명기판 상의 소정 부분에 희생층을 형성하고 상기 희생층의 측면에 측벽을 형성하는 공정과,상기 희생층과 상기 측벽을 마스크로 사용하여 투명기판을 이방성식각하여 홈을 형성하는 공정과,상기 측벽을 제거하고 상기 희생층과 상기 투명기판의 노출된 부분상에 홈이 채워지도록 산화시 투명해지는 불투명한 물질을 증착하고 산화하여 위상반전층을 형성함과 동시에 홈의 내부에 차광층을 한정하는 공정과,상기 희생층을 제거하는 공정을 구비하는 위상반전마스크의 제조방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 측벽을 폴리머로 1000 ~ 4000Å의 두께로 형성하는 위상반전 마스크의 제조방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 홈을 500 ~ 4000Å의 깊이로 형성하는 위상반전마스크의 제조 방법.
- 제 14 항에 있어서,차광층을 아연 또는 다결정실리콘으로 형성하는 위상반전마스크의 제조방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 위상반전층을 형성함과 동시에 차광층을 한정하는 공정이상기 희생층과 투명기판의 노출된 부분 상에 홈이 채워지도록 아연 또는 다결정실리콘을 CVD 방법으로 증착하는 단계와,상기 희생층 및 투명기판 상의 아연 또는 다결정실리콘을 화학기계적연마 방법으로 연마하여 평탄화하는 단계와,상기 아연 또는 다결정실리콘을 상기 홈 외부의 투명기판과 접촉되도록 산화하여 위상반전층을 형성하여 상기 차광층을 홈 내부로 한정하는 단계를 구비하는 위상반전마스크의 제조방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 위상반전층을 아연 또는 다결정실리콘에 산소 이온을 주입하고 열처리하거나, 또는, 열을 가하여 산호하여 형성하는 위상반전마스크의 제조방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 위상반전층을 3500 ~ 5000Å의 두께로 형성하는 위상반전마스크의 제조방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 희생층을 형성하기 전 투명기판 상에 식각정지층을 더 형성하는 위상반전마스크의 제조방법.
- 제 21 항에 있어서,상기 식각정지층을 투명한 도전물질인 인듐주석산화물(ITO)으로 형성하는 위상반전마스크의 제조방법.
- 제 22 항에 있어서,상기 식각정지층을 CVD 방법으로 500 ~ 4000Å의 두께로 형성하는 위상반전마스크의 제조방법.
- 투명기판 상의 소정 부분에 희생층을 형성하는 공정과,상기 희생층의 측면에 측벽을 형성하고 상기 희생층과 상기 측벽을 마스크로 사용 투명기판을 이방성식각하여 홈을 형성하는 공정과,상기 측벽을 제거하고 상기 홈의 내부에 차광층을 형성하는 공정과,상기 희생층을 마스크로 사용하여 투명기판의 노출된 부분과 상기 차광층 상에 액상성장 방법에 의해 위상반전층을 형성하는 공정과,상기 희생층을 제거하는 공정을 구비하는 위상반전마스크의 제조방법.
- 제 24 항에 있어서,상기 희생층을 형성하는 공정은,투명기판 상에 레지스트층과 은을 포함하는 변질층을 순차적으로 증착하는 단계와,상기 변질층의 소정 부분을 노광하여 은을 레지스트층으로 확산시켜 내식각성을 갖는 희생층을 형성하는 단계와;상기 희생층을 제외한 잔류하는 변질층과 레지스트층을 제거하는 단계를 구비는 위상반전마스크의 제조방법.
- 제 25 항에 있어서,상기 레지스트층을 Ge-Se계를 포함하는 무기질 레지스트를 회전 도포(spin coating)하여 형성하는 위상반전마스크의 제조방법.
- 제 26 항에 있어서,상기 레지스트층을 3500 ~ 5000 Å의 두께로 형성하는 위상반전마스크의 제조방법.
- 제 25 항에 있어서,상기 변질층을 100 ~ 200Å의 두께로 형성하는 위상반전마스크의 제조방법.
- 제 24 항에 있어서,상기 차광층을 Ge-Se계를 포함하는 무기질 레지스트로 형성하는 위상반전마스크의 제조방법.
- 제 24 항에 있어서,상기 위상반전층을 산화실리콘으로 형성하는 위상반전마스크의 제조방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960037790A KR100195333B1 (ko) | 1996-09-02 | 1996-09-02 | 위상반전마스크 및 그 제조방법 |
DE19709246A DE19709246B4 (de) | 1996-09-02 | 1997-03-06 | Phasenverschiebungsmaske und Verfahren zum Herstellen derselben |
US08/861,939 US5824439A (en) | 1996-09-02 | 1997-05-22 | Phase shifiting mask and method of manufacturing the same |
JP23724997A JP2987699B2 (ja) | 1996-09-02 | 1997-09-02 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960037790A KR100195333B1 (ko) | 1996-09-02 | 1996-09-02 | 위상반전마스크 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19980019607A true KR19980019607A (ko) | 1998-06-25 |
KR100195333B1 KR100195333B1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=19472474
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960037790A Expired - Fee Related KR100195333B1 (ko) | 1996-09-02 | 1996-09-02 | 위상반전마스크 및 그 제조방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5824439A (ko) |
JP (1) | JP2987699B2 (ko) |
KR (1) | KR100195333B1 (ko) |
DE (1) | DE19709246B4 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100526527B1 (ko) * | 2002-11-29 | 2005-11-08 | 삼성전자주식회사 | 포토마스크와 그를 이용한 마스크 패턴 형성 방법 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100239707B1 (ko) * | 1996-11-27 | 2000-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 제조방법 |
JP2000206671A (ja) * | 1999-01-13 | 2000-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および半導体集積回路装置の製造方法 |
JP3768786B2 (ja) * | 2000-08-15 | 2006-04-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | ホトマスクの製造方法、ホトマスクブランクスの製造方法およびホトマスクの再生方法 |
US6524755B2 (en) | 2000-09-07 | 2003-02-25 | Gray Scale Technologies, Inc. | Phase-shift masks and methods of fabrication |
US6387787B1 (en) * | 2001-03-02 | 2002-05-14 | Motorola, Inc. | Lithographic template and method of formation and use |
KR100688562B1 (ko) * | 2005-07-25 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 림 타입 포토 마스크의 제조방법 |
JP5089362B2 (ja) * | 2007-12-13 | 2012-12-05 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクおよび露光方法 |
JP5668356B2 (ja) * | 2010-08-06 | 2015-02-12 | 大日本印刷株式会社 | 転写方法 |
CN108267927B (zh) * | 2011-12-21 | 2021-08-24 | 大日本印刷株式会社 | 大型相移掩膜 |
TWI707195B (zh) * | 2020-02-14 | 2020-10-11 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 相位轉移光罩的製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5290647A (en) * | 1989-12-01 | 1994-03-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photomask and method of manufacturing a photomask |
JPH0450943A (ja) * | 1990-06-15 | 1992-02-19 | Mitsubishi Electric Corp | マスクパターンとその製造方法 |
US5460908A (en) * | 1991-08-02 | 1995-10-24 | Micron Technology, Inc. | Phase shifting retical fabrication method |
KR930011099A (ko) * | 1991-11-15 | 1993-06-23 | 문정환 | 위상 반전 마스크 제조방법 |
US5300379A (en) * | 1992-08-21 | 1994-04-05 | Intel Corporation | Method of fabrication of inverted phase-shifted reticle |
KR0151427B1 (ko) * | 1994-03-04 | 1999-02-18 | 문정환 | 위상 반전마스크 및 그의 제조방법 |
KR0137977B1 (ko) * | 1994-10-12 | 1998-06-15 | 김주용 | 위상반전마스크 및 그 제조방법 |
US5480747A (en) * | 1994-11-21 | 1996-01-02 | Sematech, Inc. | Attenuated phase shifting mask with buried absorbers |
-
1996
- 1996-09-02 KR KR1019960037790A patent/KR100195333B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-03-06 DE DE19709246A patent/DE19709246B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-22 US US08/861,939 patent/US5824439A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-02 JP JP23724997A patent/JP2987699B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100526527B1 (ko) * | 2002-11-29 | 2005-11-08 | 삼성전자주식회사 | 포토마스크와 그를 이용한 마스크 패턴 형성 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19709246B4 (de) | 2006-07-20 |
JP2987699B2 (ja) | 1999-12-06 |
KR100195333B1 (ko) | 1999-06-15 |
DE19709246A1 (de) | 1998-03-05 |
JPH1090875A (ja) | 1998-04-10 |
US5824439A (en) | 1998-10-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5023203A (en) | Method of patterning fine line width semiconductor topology using a spacer | |
KR100195333B1 (ko) | 위상반전마스크 및 그 제조방법 | |
JPH0798493A (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
US6051369A (en) | Lithography process using one or more anti-reflective coating films and fabrication process using the lithography process | |
US5470681A (en) | Phase shift mask using liquid phase oxide deposition | |
JP3002961B2 (ja) | 位相反転マスク及びその製造方法 | |
KR100555447B1 (ko) | 하프톤 위상반전 마스크 및 그 제조방법 | |
US5609994A (en) | Method for patterning photoresist film having a stepwise thermal treatment | |
KR100189741B1 (ko) | 위상반전마스크 및 그의 제조방법 | |
JP3247485B2 (ja) | 露光用マスク及びその製造方法 | |
JP3125865B2 (ja) | 位相反転マスクの製造方法 | |
JP3625592B2 (ja) | 位相反転マスクの製造方法 | |
KR0166825B1 (ko) | 위상반전 마스크의 제조 방법 | |
JP2591469B2 (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
KR100226738B1 (ko) | 마스크의 제조 방법 | |
JPH09211837A (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
KR970005673B1 (ko) | 위상 반전 마스크의 제조방법 | |
KR940000918B1 (ko) | 위상반전 포토마스크 형성방법 | |
KR0167608B1 (ko) | 롬의 게이트 전극 제조 방법 | |
KR950010195B1 (ko) | 위상반전마스크 및 그 제조방법 | |
KR100415099B1 (ko) | 반도체 소자의 반사 방지막 형성방법_ | |
JPH0756319A (ja) | 位相シフトレチクルの製造方法 | |
KR0126650B1 (ko) | 하프톤형 위상반전 마스크의 제조 방법 | |
KR960011468B1 (ko) | 위상 반전 마스크의 제조 방법 | |
KR19980030509A (ko) | 위상반전 마스크의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19960902 |
|
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 19960902 Comment text: Request for Examination of Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 19990126 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 19990211 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 19990212 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20020116 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20030120 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20040119 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20050120 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20060118 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20061211 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20080102 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20090121 Start annual number: 11 End annual number: 11 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20100126 Start annual number: 12 End annual number: 12 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20110126 Start annual number: 13 End annual number: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120127 Year of fee payment: 14 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20120127 Start annual number: 14 End annual number: 14 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20140109 |