KR102612296B1 - 표시패널 - Google Patents

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Abstract

표시패널에는 모서리 부분이 라운드된 사각형 모양을 갖는 표시영역이 정의된다. 상기 모서리 부분의 화소들에 전원 또는 데이터 신호를 제공하는 배선들 중 적어도 어느 하나는 제1 서브 배선 및 제2 서브 배선을 포함한다. 상기 제1 서브 배선은 일방향으로 연장되며, 상기 제2 서브 배선은 상기 일방향과 소정의 각도를 이루며 연장된다.

Description

표시패널{DISPLAY PANEL}
본 발명은 모서리 부분이 라운드 된 표시영역을 갖는 표시패널에 관한으로, 좀 더 구체적으로 상기 표시패널의 데이터 라인 및 전원 라인의 구조에 관한 것이다.
텔레비전, 휴대 전화, 태블릿 컴퓨터, 네비게이션, 게임기 등과 같은 멀티 미디어 장치에 사용되는 다양한 표시장치들이 개발되고 있으며, 최근에는 휴대성이 강조된 웨어러블 표시장치 역시 개발되고 있다.
이와 같이 최근에 개발되는 표시장치들은 기능적인 목적 또는 심미감을 향상시키기 위한 목적에 따라 모서리 부분이 라운드 된 형태를 가지는 표시영역을 포함하고 있다.
이와 같이 모서리 부분이 라운드 된 표시영역을 구현하기 위해서 표시장치 내부에 배선을 배치하다 보면 정전기 발생에 따라 화소에 데미지가 인가되는 문제점이 발생하였다.
본 제안발명은 표시장치 내부의 배선에서 발생하는 정전기가 화소 내부로 유입되는 것을 방지하여, 화소가 손상되는 것을 방지하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널은 제1 화소행, 제2 화소행, 및 제1 수직 배선을 포함할 수 있다.
상기 제1 화소행은 제1 방향으로 나열되는 복수의 제1 화소들을 포함한다.
상기 제2 화소행은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 상기 복수의 제1 화소들과 대응하는 복수의 제2 화소들 및 상기 제2 방향에서 상기 복수의 제1 화소들과 대응하지 않는 제3 화소를 포함하고, 상기 복수의 제2 화소들 및 상기 제3 화소는 상기 제1 방향으로 나열된다.
상기 제1 수직 배선은 상기 제2 방향으로 연장되고 상기 제3 화소에 연결되는 제1 서브 배선 및 제1 서브 배선의 일단에서부터 상기 제2 방향과 소정의 각도를 이루며 상기 복수의 제1 화소들과 멀어지는 방향으로 연장되는 제2 서브 배선을 포함할 수 있다.
상기 소정의 각도는 예각일 수 있다.
상기 제2 서브 배선의 일부분은 상기 제1 방향에서 상기 제1 화소행과 중첩할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 제1 서브 배선과 상기 제2 서브 배선은 같은 레이어에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 제1 서브 배선은 상기 제2 서브 배선과 다른 레이어에 배치되고, 상기 제1 서브 배선 및 상기 제2 서브 배선은 콘택홀을 통해 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 수직 배선은 외부의 구성요소가 제공하는 전원을 상기 제3 화소에 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 표시패널은 상기 제2 방향으로 연장되고 상기 제3 화소에 연결되는 제3 서브 배선 및 상기 제2 방향과 소정의 각도를 이루며 상기 복수의 제1 화소들과 멀어지는 방향으로 연장되는 제4 서브 배선을 포함하는 제2 수직 배선을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제2 수직 배선은 상기 제3 화소에 데이터 신호를 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제3 화소는 발광소자, 상기 발광소자와 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터, 및 상기 제3 서브 배선과 연결된 제2 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터는 각각 입력전극, 출력전극, 및 제어전극을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 서브 배선, 상기 제2 서브 배선, 및 상기 제3 서브 배선은 상기 입력전극 및 상기 출력전극과 같은 레이어에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제4 서브 배선은 상기 제어전극과 같은 레이어에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 표시패널은 상기 제3 화소에 연결되고 상기 제1 방향으로 연장되는 제1 수평 라인을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 수평 라인은 상기 제어전극과 같은 레이어에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 수평 라인은 상기 제2 트랜지스터의 제어전극에 스캔 신호를 전달할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 표시패널은 상기 제3 화소에 연결되고, 상기 제1 방향으로 연장되는 제2 수평 라인을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 수평 라인은 상기 제어전극과 같은 레이어에 배치되며, 상기 제3 화소에 발광제어 신호를 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널은 제1 화소들, 제2 화소들, 제1 수평 배선, 및 제1 수직 배선을 포함할 수 있다.
상기 제1 화소들은 제1 방향으로 나열되고, 각각이 입력전극, 출력전극, 및 제어전극을 포함할 수 있다.
상기 제2 화소들은 상기 제1 방향으로 나열되고, 각각이 입력전극, 출력전극, 및 제어전극을 포함할 수 있다.
상기 제1 수평 배선은 상기 복수의 제1 화소들과 연결되고, 상기 제어전극과 같은 레이어에 배치되며, 상기 제1 방향으로 연장될 수 있다.
상기 제1 수직 배선은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되고 상기 복수의 제2 화소들 중 어느 하나에 연결되는 제1 서브 배선 및 상기 제2 방향과 소정의 각도를 이루며 상기 제1 수평 배선의 일단 및 타단에서 멀어지는 방향으로 연장되는 제2 서브 배선을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 복수의 제2 화소들의 개수는 상기 복수의 제1 화소들의 개수보다 더 많을 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 표시패널 내부의 배선에서 발생하는 정전기가 화소 내부로 유입되는 것을 방지하여, 화소가 손상되지 않는 표시패널을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 사시도를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 블록도를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가회로도를 도시한 것이다.
도 4는 도 3의 화소에 인가되는 발광제어신호 및 스캔신호들을 예시적으로 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소 일부분의 단면을 도시한 것이다.
도 6은 도 2의 AA영역을 확대하여 도시한 것이다.
도 7a, 도 7b, 및 도 7c는 도 6을 구성하는 배선들을 레이어 별로 도시한 것이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도면들에 있어서, 구성요소들의 비율 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
"포함하다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)의 사시도이다.
도 1에는 표시장치(DD)가 스마트폰인 것을 예시적으로 도시하였다. 그러나, 이에 제한되지 않으며, 표시장치(DD)는 텔레비전, 모니터 등과 같은 대형 전자장치를 비롯하여, 휴대 전화, 태블릿, 자동차 네비게이션, 게임기, 스마트 와치 등과 같은 중소형 전자장치 등 일 수 있다.
표시장치(DD)에는 표시영역(DA) 및 비표시영역(NDA)이 정의될 수 있다.
이미지(IM)가 표시되는 표시영역(DA)은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 면과 평행한다. 표시영역(DA)의 법선 방향, 즉 표시장치(DD)의 두께 방향은 제3 방향축(DR3)이 지시한다. 각 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향축(DR3)에 의해 구분된다. 그러나, 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다. 이하, 제1 내지 제3 방향들은 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 각각 지시하는 방향으로 동일한 도면 부호를 참조한다.
비표시영역(NDA)는 표시영역(DA)에 인접한 영역으로, 이미지(IM)가 표시되지 않는 영역이다. 비표시영역(NDA)에 의해 표시장치(DD)의 베젤영역이 정의될 수 있다. 도 1에는 이미지(IM)의 일 예로 어플리케이션 아이콘들 및 시계 위젯을 도시하였다.
일 예로써, 표시영역(DA)의 형상은 모서리 부분(또는 꼭지점 부분)이 라운드 형상을 갖는 사각형일 수 있다. 즉, 표시영역(DA)은 모서리들 중 일부가 라운드 된 라운드 영역(RA)을 포함할 수 있다. 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)을 에워싸을 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 표시영역(DA)의 형상과 비표시영역(NDA)의 형상은 상대적으로 디자인될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 블록도이다.
표시패널(DP)은 평면상에서 표시영역(DP-DA)과 비표시영역(DP-NDA)을 포함한다. 본 실시예에서 비표시영역(DP-NDA)은 표시영역(DP-DA)의 테두리를 따라 정의될 수 있다. 표시패널(DP)의 표시영역(DP-DA) 및 비표시영역(DP-NDA)은 도 1에 도시된 표시장치(DD)의 표시영역(DD-DA) 및 비표시영역(DD-NDA)에 각각 대응될 수 있다.
표시패널(DP)은 주사 구동부(100), 데이터 구동부(200), 복수 개의 스캔 라인들(SL), 복수 개의 발광제어 라인들(ECL), 복수 개의 데이터 라인들(DL), 및 복수 개의 전원 라인들(PL), 및 복수 개의 화소들(PX, 이하 화소들)을 포함할 수 있다. 화소들(PX)은 표시영역(DP-DA)에 배치된다. 화소들(PX) 각각은 유기발광 다이오드(OLED, 도 3 참조)와 그에 연결된 화소회로(CC, 도 3 참조)를 포함한다.
주사 구동부(100)는 스캔 구동부 및 발광제어 구동부를 포함할 수 있다.
스캔 구동부는 스캔 신호들을 생성하고, 생성된 스캔 신호들을 스캔 라인들(SL)에 순차적으로 출력한다. 발광제어 구동부는 발광제어 신호들을 생성하고, 생성된 발광제어 신호들을 발광제어 라인들(ECL)에 출력한다.
본 발명의 다른 실시예에서, 주사 구동부(100) 내에서 스캔 구동부 및 발광제어 구동부가 구분되지 않고, 하나의 회로로 구성될 수 있다.
주사 구동부(100)는 화소들(PX)의 구동회로와 동일한 공정, 예컨대 LTPS(Low Temperature Polycrystaline Silicon) 공정 또는 LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide) 공정을 통해 형성된 복수 개의 박막 트랜지스터들을 포함할 수 있다.
데이터 구동부(200)는 데이터 신호들을 데이터 라인들(DL)에 출력한다. 데이터 신호들은 영상 데이터들의 계조값에 대응하는 아날로그 전압들이다.
본 발명의 일 실시예에서, 데이터 구동부(200)는 인쇄회로기판(FPCB)에 실장되고, 인쇄회로기판(FPCB)이 데이터 라인들(DL)의 일단에 배치된 패드들과 연결될 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니고, 데이터 구동부(200)는 표시패널(DP)에 직접적으로 실장될 수 있다.
스캔 라인들(SL)은 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 제1 방향(DR1)에 교차하는 제2 방향(DR2)으로 나열될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 제1 방향(DR1) 과 제2 방향(DR2)은 직교할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
발광제어 라인들(ECL)은 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 제2 방향(DR2)으로 나열될 수 있다. 즉, 발광제어 라인들(ECL) 각각은 스캔 라인들(SL) 중 대응하는 스캔 라인에 나란하게 배열될 수 있다.
데이터 라인들(DL)은 제2 방향(DR2)으로 연장되고, 제2 방향(DR2)에 교차하는 제1 방향(DR1)으로 나열된다. 데이터 라인들(DL)은 데이터 신호들을 대응하는 화소들(PX)에 제공할 수 있다.
전원 라인들(PL)은 제2 방향(DR2)으로 연장되고, 제1 방향(DR1)으로 나열된다. 전원 라인들(PL)은 제1 전원(ELVDD)을 대응하는 화소들(PX)에 제공할 수 있다.
복수 개의 화소들(PX) 각각은 스캔 라인들(SL) 중 대응하는 스캔 라인, 발광제어 라인들(ECL) 중 대응하는 발광제어 라인, 데이터 라인들(DL) 중 대응하는 데이터 라인, 및 전원 라인들(PL) 중 대응하는 전원 라인에 접속된다.
화소들(PX)은 복수의 행들로 배열될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 어느 하나의 행에 배치된 화소들(PX)의 개수는 다른 행에 배치된 화소들(PX)의 개수와 다를 수 있다. 이는 도 1 및 도 2 에 도시된 것과 같이 표시패널(DP)의 표시영역(DP-DA) 또는 표시장치(DD)의 표시영역(DA)의 모서리 부분이 라운드 된 형태를 가지기 때문일 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(PX)의 등가회로도를 도시한 것이다. 도 4는 도 3의 화소(PX)에 인가되는 발광제어신호(Ei), 스캔신호들(Si-1, Si, Si+1)을 예시적으로 도시한 것이다. 도 3에는 i번째 스캔 라인(SLi) 및 i번째 발광제어 라인(ECLi)에 연결된 화소(PX)를 예시적으로 도시하였다.
화소(PX)는 유기발광소자(OLED) 및 화소회로(CC)를 포함할 수 있다. 화소회로(CC)는 복수의 트랜지스터들(T1~T7) 및 커패시터(CP)를 포함할 수 있다. 화소회로(CC)는 데이터 신호에 대응하여 유기발광소자(OLED)에 흐르는 전류량을 제어한다.
유기발광소자(OLED)는 화소회로(CC)로부터 제공되는 전류량에 대응하여 소정의 휘도로 발광할 수 있다. 이를 위하여, 제1 전원(ELVDD)의 레벨은 제2 전원(ELVSS)의 레벨보다 높게 설정될 수 있다.
복수의 트랜지스터들(T1~T7)은 각각 입력전극(또는, 소스 전극), 출력전극(또는, 드레인 전극) 및 제어전극(또는, 게이트 전극)을 포함할 수 있다. 본 명세서 내에서 편의상 입력전극 및 출력전극 중 어느 하나는 제1 전극으로 지칭되고, 다른 하나는 제2 전극으로 지칭될 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극은 제5 트랜지스터(T5)를 경유하여 제1 전원(ELVDD)에 접속되고, 제2 전극은 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광소자(OLED)의 애노드전극에 접속된다. 제1 트랜지스터(T1)는 본 명세서 내에서 드라이빙 트랜지스터로 지칭될 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 제어전극에 인가되는 전압에 대응하여 유기발광소자(OLED)에 흐르는 전류량을 제어한다.
제2 트랜지스터(T2)는 데이터 라인(DL)과 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극 사이에 접속된다. 그리고, 제2 트랜지스터(T2)의 제어전극은 i번째 스캔 라인(SLi)에 접속된다. 제2 트랜지스터(T2)는 i번째 스캔 라인(SLi)으로 i번째 스캔 신호(Si)가 제공될 때 턴-온되어 데이터 라인(DL)과 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극을 전기적으로 접속시킨다.
제3 트랜지스터(T3)는 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 제어전극 사이에 접속된다. 제3 트랜지스터(T3)의 제어전극은 i번째 스캔 라인(SLi)에 접속된다. 제3 트랜지스터(T3)는 i번째 스캔 라인(SLi)으로 i번째 스캔 신호(Si)가 제공될 때 턴-온되어 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 제어전극을 전기적으로 접속시킨다. 따라서, 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온될 때 제1 트랜지스터(T1)는 다이오드 형태로 접속된다.
제4 트랜지스터(T4)는 노드(ND)와 초기화 전원생성부(미도시) 사이에 접속된다. 그리고, 제4 트랜지스터(T4)의 제어전극은 i-1번째 스캔라인(SLi-1)에 접속된다. 제4 트랜지스터(T4)는 i-1번째 스캔라인(SLi-1)으로 i-1번째 스캔신호(Si-1)가 제공될 때 턴-온되어 노드(ND)로 초기화전압(Vint) 을 제공한다.
제5 트랜지스터(T5)는 전원 라인(PL)과 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극 사이에 접속된다. 제5 트랜지스터(T5)의 제어전극은 i번째 발광제어 라인(ECLi)에 접속된다.
제6 트랜지스터(T6)는 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 유기발광소자(OLED)의 애노드전극 사이에 접속된다. 그리고, 제6 트랜지스터(T6)의 제어전극은 i번째 발광제어 라인(ECLi)에 접속된다.
제7 트랜지스터(T7)는 초기화 전원생성부(미도시)와 유기발광소자(OLED)의 애노드전극 사이에 접속된다. 그리고, 제7 트랜지스터(T7)의 제어전극은 i+1번째 스캔라인(SLi+1)에 접속된다. 이와 같은 제7 트랜지스터(T7)는 i+1번째 스캔라인(SLi+1)으로 i+1번째 스캔신호(Si+1)가 제공될 때 턴-온되어 초기화전압(Vint) 을 유기발광소자(OLED)의 애노드전극으로 제공한다.
제7 트랜지스터(T7)는 화소(PX)의 블랙 표현 능력을 향상시킬 수 있다. 구체적으로, 제7 트랜지스터(T7)가 턴-온되면 유기발광소자(OLED)의 기생 커패시터(미도시)가 방전된다. 그러면, 블랙휘도 구현시 제1 트랜지스터(T1)로부터의 누설전류에 의하여 유기발광소자(OLED)가 발광하지 않게되고, 이에 따라 블랙 표현 능력이 향상될 수 있다.
추가적으로, 도 2에서는 제7 트랜지스터(T7)의 제어전극이 i+1번째 스캔라인(SLi+1)에 접속되는 것으로 도시되었지만, 본 발명이 이에 한정되지는 않는다. 본 발명의 다른 실시예에서, 제7 트랜지스터(T7)의 제어전극은 i번째 스캔라인(SLi) 또는 i-1번째 스캔라인(SLi-1)에 접속될 수 있다.
도 3에서는 PMOS를 기준으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 본 발명의 다른 실시예에서 화소(PX)는 NMOS로 구성될 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에서 화소(PX)는 NMOS와 PMOS의 조합에 의해 구성될 수 있다.
커패시터(CP)는 전원 라인(PL)과 노드(ND) 사이에 배치된다. 커패시터(CP)는 데이터 신호에 대응되는 전압을 저장한다. 커패시터(CP)에 저장된 전압에 따라 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)이 턴-온 될 때 제1 트랜지스터(T1)에 흐르는 전류량이 결정될 수 있다.
본 발명에서 화소(PX)의 구조는 도 3에 도시된 구조로 한정되지 않는다. 본 발명의 다른 실시예에서 화소(PX)는 유기발광소자(OLED)를 발광시키기 위한 다양한 형태로 구현될 수 있다.
도 4를 참조하면, 발광제어신호(Ei)는 하이레벨(E-HIGH) 또는 로우레벨(E-LOW)을 가질 수 있다. 스캔 신호들(Si-1, Si, Si+1)은 각각 하이레벨(S-HIGH) 또는 로우레벨(S-LOW)을 가질 수 있다.
발광제어신호(Ei)가 하이레벨(E-HIGH)을 가질 때, 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)가 턴-오프된다. 제5 트랜지스터(T5)가 턴-오프되면 전원 라인(PL)과 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극이 전기적으로 차단된다. 제6 트랜지스터(T6)가 턴-오프되면 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 유기발광소자(OLED)의 애노드전극이 전기적으로 차단된다. 따라서, i번째 발광제어 라인(ECLi)으로 하이레벨(E-HIGH)을 가지는 발광 제어신호(Ei)가 제공되는 기간 동안 유기발광소자(OLED)는 발광하지 않는다.
이후, i-1번째 스캔라인(SLi-1)으로 제공되는 i-1번째 스캔신호(Si-1)가 로우레벨(S-LOW)을 가지면 제4 트랜지스터(T4)가 턴-온된다. 제4 트랜지스터(T4)가 턴-온되면 초기화전압(Vint)이 노드(ND)로 제공된다.
i번째 스캔라인(SLi)으로 제공되는 i번째 스캔신호(Si)가 로우레벨(S-LOW)을 가지면 제2 트랜지스터(T2) 및 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온된다.
제2 트랜지스터(T2)가 턴-온되면 데이터 신호가 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극으로 제공된다. 이 때, 노드(ND)가 초기화전압(Vint)으로 초기화되었기 때문에 제1 트랜지스터(T1)가 턴-온된다. 제1 트랜지스터(T1)가 턴-온되면 데이터신호에 대응되는 전압이 노드(ND)로 제공된다. 이때, 커패시터(CP)는 데이터신호에 대응되는 전압을 저장한다.
i+1번째 스캔라인(SLi+1)으로 제공되는 i+1번째 스캔신호(Si+1)가 로우레벨(S-LOW)을 가지면 제7 트랜지스터(T7) 가 턴-온된다.
제7 트랜지스터(T7)가 턴-온되면 초기화전압(Vint)이 유기발광소자(OLED)의 애노드전극으로 제공되어 유기발광소자(OLED)의 기생 커패시터가 방전된다.
발광제어 라인(ECLi)으로 제공되는 발광제어신호(Ei)가 로우레벨(E-LOW)를 가지면 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)가 턴-온된다. 제5 트랜지스터(T5)가 턴-온되면 제1 전원(ELVDD)이 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극에 제공된다. 제6 트랜지스터(T6)가 턴-온되면 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 유기발광소자(OLED)의 애노드전극이 전기적으로 접속된다. 그러면, 유기발광소자(OLED)는 제공받는 전류량에 대응하여 소정 휘도의 광을 생성한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(PX)의 일부분의 단면을 도시한 것이다. 도 5에서는 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)를 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 도 5에서는 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극(ED2)이 화소(PX)의 애노드전극(AE)에 직접 컨택하는 것처럼 도시되어 있으나, 이는 단면상의 형상이어서 이와 같이 도시된 것이며, 실제로는 도 3에 도시된 것처럼 제1 트랜지스터(T1)는 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 화소(PX)의 애노드전극(AE)과 연결될 수 있다. 단, 이에 제한되지 않으며, 본 발명의 다른 실시예에서 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극(ED2)은 화소(PX)의 애노드전극(AE)과 직접 컨택할 수 있다.
표시패널(DP)은 베이스 기판(BS), 버퍼층(BFL), 게이트 절연층들(GI1, GI2), 층간 절연층(ILD), 패시베이션층(VIA), 및 화소정의막(PDL)을 포함할 수 있다.
베이스 기판(BS)의 일면 상에 버퍼층(BFL)이 배치된다.
버퍼층(BFL)은 제조공정 중에 있어서 베이스 기판(BS)에 존재하는 불순물이 화소(PX)에 유입되는 것을 방지한다. 특히, 불순물이 화소(PX)를 구성하는 트랜지스터들(T1, T2)의 액티브부들(ACL)에 확산되는 것을 방지한다.
불순물은 외부에서 유입되거나, 베이스 기판(BS)이 열분해됨으로써 발생할 수 있다. 불순물은 베이스 기판(BS)으로부터 배출된 가스 또는 나트륨일 수 있다. 또한, 버퍼층(BFL)은 외부로부터 화소(PX)로 유입되는 수분을 차단한다.
버퍼층(BFL) 상에 트랜지스터들(T1, T2) 각각을 구성하는 액티브부들(ACL)이 배치된다. 액티브부들(ACL) 각각은 폴리 실리콘 또는 아몰포스 실리콘을 포함할 수 있다. 그밖에 액티브부들(ACL)은 금속 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
액티브부들(ACL)은 전자 또는 정공이 이동할 수 있는 통로역할을 하는 채널영역, 채널영역을 사이에 두고 배치된 제1 이온도핑영역 및 제2 이온도핑영역을 포함할 수 있다.
버퍼층(BFL) 상에 액티브부들(ACL)을 커버하는 제1 게이트 절연층(GI1)이 배치된다. 제1 게이트 절연층(GI1)은 유기막 및/또는 무기막을 포함한다. 제1 게이트 절연층(GI1)은 복수 개의 무기 박막들을 포함할 수 있다. 복수 개의 무기 박막들은 실리콘 나이트라이드층 및 실리콘 옥사이드층을 포함할 수 있다.
제1 게이트 절연층(GI1) 상에 트랜지스터들(T1, T2) 각각을 구성하는 제어전극들(GE1)이 배치된다. 제1 트랜지스터(T1)의 제어전극(GE1)은 커패시터(CP)를 구성하는 두 개의 전극들 중 어느 하나일 수 있다. 제1 게이트 절연층(GI1) 상에 스캔 라인들(SL, 도 2 참조) 및 발광제어 라인들(ECL, 도 2 참조) 중 적어도 일부분이 배치될 수 있다.
제1 게이트 절연층(GI1) 상에 제어전극들(GE1)을 커버하는 제2 게이트 절연층(GI2)이 배치된다. 제2 게이트 절연층(GI2)은 유기막 및/또는 무기막을 포함한다. 제2 게이트 절연층(GI2)은 복수 개의 무기 박막들을 포함할 수 있다. 복수 개의 무기 박막들은 실리콘 나이트라이드층 및 실리콘 옥사이드층을 포함할 수 있다.
제2 게이트 절연층(GI2) 상에 커패시터(CP, 도 3 참조)를 구성하는 두 개의 전극들 중 다른 하나의 전극(GE2)이 배치될 수 있다. 즉, 제1 게이트 절연층(GI1) 상에 배치된 전극(GE1)과 제2 게이트 절연층(GI2) 상에 배치된 전극(GE2)이 중첩하여 도 3에 도시된 커패시터(CP)를 형성할 수 있다. 단, 커패시터(CP)를 구성하는 전극들이 배치되는 구조가 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 게이트 절연층(GI2) 상에 전극(GE2)을 커버하는 층간 절연층(ILD)이 배치된다. 층간 절연층(ILD)은 유기막 및/또는 무기막을 포함한다. 층간 절연층(ILD)은 복수 개의 무기 박막들을 포함할 수 있다. 상기 복수 개의 무기 박막들은 실리콘 나이트라이드층 및 실리콘 옥사이드층을 포함할 수 있다.
층간 절연층(ILD) 상에 데이터 라인(DL, 도 2 참조) 및 전원라인(PL, 도 2 참조)의 적어도 일부분이 배치될 수 있다. 층간 절연층(ILD) 상에 트랜지스터들(T1, T2) 각각의 제1 전극들(ED1) 및 제2 전극들(ED2)이 배치될 수 있다.
제1 전극들(ED1) 및 제2 전극들(ED2)은 각각 게이트 절연층들(GI1, GI2) 및 층간 절연층(ILD)을 관통하는 관통홀들을 통해 대응하는 액티브부들(ACL)과 연결될 수 있다.
층간 절연층(ILD) 상에 제1 전극들(ED1) 및 제2 전극들(ED2)을 커버하는 패시베이션층(VIA)이 배치된다. 패시베이션층(VIA)은 유기막 및/또는 무기막을 포함한다. 패시베이션층(VIA)은 평탄면을 제공할 수 있다.
패시베이션층(VIA) 상에 화소정의막(PDL) 및 유기발광소자(OLED)가 배치된다. 도 5에서는 편의상 유기발광소자(OLED)의 애노드전극(AE)만을 도시하였다. 도시하지 않았으나, 유기발광소자(OLED)는 애노드전극(AE)외에 정공수송영역, 발광층, 전자수송영역, 및 캐소드를 더 포함할 수 있다.
도 6은 도 2의 AA영역을 확대하여 도시한 것이다. 도 7a, 도 7b, 및 도 7c는 도 6을 구성하는 배선들을 레이어별로 도시한 것이다.
복수의 행으로 배치된 화소들(PX) 중 어느 하나의 행에 배치된 화소들은 제1 화소행(PXR1)으로 정의되고, 다른 하나의 행에 배치된 화소들은 제2 화소행(PXR2)으로 정의될 수 있다.
제1 화소행(PXR1)은 n개의 제1 화소들(PX1)을 포함할 수 있다. 제2 화소행(PXR2)은 n보다 많은 m개의 화소들(PX2, PX3)을 포함할 수 있다.
제2 화소행(PXR2)의 화소들(PX2, PX3) 중 제2 화소들(PX2)은 제2 방향(DR2) 상에서 제1 화소들(PX1)과 중첩하는 화소들로 정의될 수 있다. 제2 화소행(PXR2)의 화소들(PX2, PX3) 중 제3 화소들(PX3)은 제2 방향(DR2) 상에서 제1 화소들(PX1)과 중첩하지 않는 화소들로 정의될 수 있다. 단, 이에 제한되지 않으며, 본 발명의 다른 실시예에서 제2 화소들(PX2)은 제2 화소행(PXR2)에 포함되는 화소들로 정의될 수 있다.
표시패널(DP)은 복수의 수평 배선들(HL1, HL2), 복수의 수직 배선들(VL1, VL2), 및 복수의 노멀 배선들(NL1, NL2)을 포함한다.
제1 수직 배선들(VL1) 중 적어도 어느 하나는 제1 서브 배선(SBL1) 및 제2 서브 배선(SBL2)를 포함할 수 있다. 제2 수직 배선들(VL2) 중 적어도 어느 하나는 제3 서브 배선(SBL3), 제4 서브 배선(SBL4), 및 제5 서브 배선(SBL5) 포함할 수 있다. 제2 서브 배선(SBL2)의 일부분 또는 제4 서브 배선(SBL4)의 일부분은 제1 방향(DR1)에서 제1 화소행(PXR1)과 중첩할 수 있다.
제2 노멀 배선들(NL2) 중 적어도 어느 하나는 제6 서브 배선(SBL6) 및 제7 서브 배선(SBL7)을 포함할 수 있다.
수평 배선들(HL1, HL2)은 각각 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있다. 수직 배선들(VL1, VL2)은 각각 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 노멀 배선들(NL1, NL2)은 각각 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다.
도 2, 도 6, 및 도 7a를 참조하면, 제1 수평 배선(HL1)은 스캔 라인(SL)의 일부분 일 수 있다. 예를들어, 제1 수평 배선(HL1)은 스캔 라인(SL) 중에서 표시영역(DP-DA)에 배치되는 배선으로 정의될 수 있다.
제2 수평 배선(HL2)은 발광제어 라인(ECL)의 일부분일 수 있다. 예를들어, 제2 수평 배선(HL2)은 발광제어 라인(ECL) 중에서 표시영역(DP-DA)에 배치되는 배선으로 정의될 수 있다.
제1 수평 배선(HL1)은 제1 콘택부(CNT1)를 포함하고, 제2 수평 배선(HL2)은 제2 콘택부(CNT2)를 포함할 수 있다.
제1 수평 배선(HL1)은 제1 콘택부(CNT1)를 통해서 다른 레이어에 배치된 제1 연결배선(미도시)과 연결될 수 있다. 제1 연결배선은 제1 수평 배선(HL1)을 주사 구동부(100)와 연결시킬 수 있다.
제2 수평 배선(HL2)은 제2 콘택부(CNT2)를 통해서 다른 레이어에 배치된 제2 연결배선(미도시)과 연결될 수 있다. 제2 연결배선은 제2 수평 배선(HL2)을 주사 구동부(100)와 연결시킬 수 있다.
도 2, 도 6, 도 7b, 및 도 7c를 참조하면, 제1 수직 배선(VL1)은 전원 라인(PL)의 일부분일 수 있다. 제2 수직 배선(VL2)은 데이터 라인(DL)의 일부분일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 제1 수직 배선들(VL1) 중 적어도 어느 하나는 제2 방향(DR2)으로 연장되다가 방향을 바꾸어 제2 방향(DR2)과 제1 각도(1)를 이루는 방향으로 연장될 수 있다. 제1 각도(1)는 제1 서브 배선(SBL1)과 제2 서브 배선(SBL2)이 이루는 각도이다. 제1 각도(1)는 예각일 수 있다.
제2 수직 배선들(VL2) 적어도 어느 하나는 제2 방향(DR2)으로 연장되다가 방향을 바꾸어 제2 방향(DR2)과 제2 각도(2)를 이루는 방향으로 연장될 수 있다. 제2 각도(2)는 제3 서브 배선(SBL3)과 제4 서브 배선(SBL4)이 이루는 각도이다.
상기 방향을 바꾸는 제1 수직 배선(VL1) 및 제2 수직 배선(VL2)은 상기 제2 화소행(PXR2)의 제3 화소(PX)에 연결될 수 있다.
이와 같이, 제2 서브 배선(SBL2)이 제1 서브 배선(SBL1)과 제1 각도(1)를 이루며 연장되고, 제4 서브 배선(SBL4)이 제3 서브 배선(SBL3)과 제2 각도(2)를 이루며 연장되므로, 제2 서브 배선(SBL2) 또는 제4 서브 배선(SBL4)은 제1 화소들(PX1)과 멀어지는 방향으로 연장될 수 있다. 즉, 제2 서브 배선(SBL2) 또는 제4 서브 배선(SBL4)은 제1 화소들(PX1)에 연결된 수평 배선들(HL1, HL2)의 양 끝단과 멀어지는 방향으로 연장될 수 있다.
이에 따라, 제1 화소들(PX1)에 연결된 수평 배선들(HL1, HL2)의 일단과 제4 서브 배선(SBL4)의 거리(D1, 이하 제1 거리)는 제3 서브 배선(SBL3)을 제2 방향(DR2)으로 연장한 가상의 연장선과의 거리(D2, 이하 제2 거리) 보다 커지게 된다. 제1 거리(D1)가 제2 거리(D2) 보다 커지게 됨에 따라, 제1 화소들(PX1)의 정전기에 의한 데미지가 줄어들게 된다.
제5 서브 배선(SBL5)은 제4 서브 배선(SBL4)에서 표시패널(DP)의 중앙 방향으로 연장될 수 있다.
제1 노멀 배선들(NL1)은 전원 라인(PL)의 일부분일 수 있다. 제2 노멀 배선들(NL2)은 데이터 라인(DL)의 일부분일 수 있다. 제6 서브 배선(SBL6)은 제2 방향(DR2)으로 연장되고, 제7 서브 배선(SBL7)은 제6 서브 배선(SBL6)에서 표시패널(DP)의 중앙 방향으로 연장될 수 있다.
도 5 및 도 7a를 참조하면, 수평 배선들(HL1, HL2)은 제어 전극들(GE1)과 같은 레이어에 배치될 수 있다. 구체적으로, 수평 배선들(HL1, HL2)은 제1 게이트 절연층(GI1) 상에 배치될 수 있다.
도 5 및 도 7b를 참조하면, 제1 서브 배선들(SBL1), 제2 서브 배선들(SBL2), 및 제3 서브 배선들(SBL3)은 제1 전극들(ED1) 및 제2 전극들(ED2)과 같은 레이어에 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 서브 배선들(SBL1), 제2 서브 배선들(SBL2), 및 제3 서브 배선들(SBL3)은 층간 절연층(ILD) 상에 배치될 수 있다.
도 5 및 도 7c를 참조하면, 제4 서브 배선들(SBL4)은 커패시터(CP)를 구성하는 전극들(GE2)과 같은 레이어에 배치될 수 있다. 구체적으로, 제4 서브 배선들(SBL4)은 제2 게이트 절연층(GI2) 상에 배치될 수 있다.
단, 이에 제한되는 것은 아니며, 제4 서브 배선들(SBL4)은 도 7a에 도시된 수평 배선들(HL1, HL2)과 같은 레이어에 배치될 수 있다.
도 7b 및 도 7c를 참조하면, 제3 서브 배선들(SBL3)은 제3 콘택부(CNT3)들을 포함하고, 제4 서브 배선들(SBL4)은 제4 콘택부(CNT4)를 포함한다. 제3 콘택부(CNT3)들은 대응하는 제4 콘택부(CNT4)과 콘택홀을 통해서 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 제1 수평 배선(HL1)과 제2 수평 배선(HL2)의 위치 또는 기능은 서로 바뀔 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 제1 수직 배선(VL1)과 제2 수직 배선(VL2)의 위치 또는 기능은 서로 바뀔 수 있다.
즉, 도 2 및 도 6을 참조하면, 복수의 데이터 라인들(DL) 중 라운드 영역(RA)에서 연장되는 적어도 어느 하나의 데이터 라인은 제1 방향(DR1)으로 나열된 복수의 데이터 라인들(DL) 중 중앙부분에 배치된 데이터 라인에서 멀어지는 방향으로 연장되는 부분을 포함한다.
또한, 복수의 전원 라인들(PL) 중 라운드 영역(RA)에서 연장되는 적어도 어느 하나의 전원 라인은 제1 방향(DR1)으로 나열된 복수의 전원 라인들(PL) 중 중앙부분에 배치된 전원 라인에서 멀어지는 방향으로 연장되는 부분을 포함한다.
실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 또한 본 발명에 개시된 실시 예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니고, 하기의 특허 청구의 범위 및 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
DD: 표시장치 DP: 표시패널
100: 주사 구동부 200: 데이터 구동부
PX: 화소 SL: 스캔 라인
ECL: 발광제어 라인 DL: 데이터 라인
PL: 전원 라인 HL1: 제1 수평 배선
HL2: 제2 수평 배선 VL1: 제1 수직 배선
VL2: 제2 수직 배선 NL1: 제1 노멀 배선
NL2: 제2 노멀 배선

Claims (20)

  1. 제1 방향으로 나열되는 복수의 제1 화소들을 포함하는 제1 화소행;
    상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 상기 복수의 제1 화소들과 대응하는 복수의 제2 화소들 및 상기 제2 방향에서 상기 복수의 제1 화소들과 대응하지 않는 제3 화소를 포함하고, 상기 복수의 제2 화소들 및 상기 제3 화소는 상기 제1 방향으로 나열되는 제2 화소행;
    상기 복수의 제1 화소들과 연결되고, 상기 제1 방향으로 연장된 수평 배선;
    상기 제2 방향으로 연장되고, 각각이 상기 복수의 제2 화소들 각각과 연결되며 상기 수평 배선과 중첩하는 복수의 노멀 배선들; 및
    상기 제2 방향으로 연장되고 상기 제3 화소에 연결되는 제1 서브 배선 및 제1 서브 배선의 일단에서부터 상기 제2 방향과 제1 각도를 이루며 상기 복수의 제1 화소들과 멀어지는 방향으로 연장되고 상기 수평 배선의 일단 및 타단에서 멀어지는 방향으로 연장되며 상기 수평 배선과 비중첩하는 제2 서브 배선을 포함하는 제1 수직 배선을 포함하는 표시패널.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 각도는 예각인 표시패널.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 서브 배선의 일부분은 상기 제1 방향에서 상기 제1 화소행과 중첩하는 표시패널.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 서브 배선과 상기 제2 서브 배선은 같은 레이어에 배치되는 표시패널.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 서브 배선은 상기 제2 서브 배선과 다른 레이어에 배치되고, 상기 제1 서브 배선 및 상기 제2 서브 배선은 콘택홀을 통해 연결되는 표시패널.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 수직 배선은 외부의 구성요소가 제공하는 전원을 상기 제3 화소에 제공하는 표시패널.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제2 방향으로 연장되고 상기 제3 화소에 연결되는 제3 서브 배선 및 상기 제2 방향과 제2 각도를 이루며 상기 복수의 제1 화소들과 멀어지는 방향으로 연장되는 제4 서브 배선을 포함하는 제2 수직 배선을 더 포함하는 표시패널.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제2 수직 배선은 상기 제3 화소에 데이터 신호를 제공하는 표시패널.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제3 화소는,
    발광소자;
    상기 발광소자와 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터; 및
    상기 제3 서브 배선과 연결된 제2 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터는 각각 입력전극, 출력전극, 및 제어전극을 포함하는 표시패널.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 서브 배선, 상기 제2 서브 배선, 및 상기 제3 서브 배선은 상기 입력전극 및 상기 출력전극과 같은 레이어에 배치되고, 상기 제4 서브 배선은 상기 제어전극과 같은 레이어에 배치되는 표시패널.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제3 화소에 연결되고 상기 제1 방향으로 연장되는 제1 수평 라인을 더 포함하고,
    상기 제1 수평 라인은 상기 제어전극과 같은 레이어에 배치되는 표시패널.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 수평 라인은 상기 제2 트랜지스터의 제어전극에 스캔 신호를 전달하는 표시패널.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제3 화소에 연결되고, 상기 제1 방향으로 연장되는 제2 수평 라인을 더 포함하고,
    상기 제2 수평 라인은 상기 제어전극과 같은 레이어에 배치되며, 상기 제3 화소에 발광제어 신호를 제공하는 표시패널.
  14. 표시영역을 포함하고, 상기 표시영역은 모서리들 중 일부분이 라운드된 형상을 가지는 라운드 영역을 포함하는 베이스 기판;
    상기 베이스 기판의 상기 표시영역 상에 배치되고, 제1 방향으로 나열된 복수의 유기발광소자들을 포함하는 제1 및 제2 행의 유기발광소자들;
    상기 복수의 유기발광소자들 중 대응하는 유기발광소자들에 스캔 신호를 제공하는 복수의 스캔 라인들;
    상기 복수의 유기발광소자들 중 대응하는 유기발광소자들에 데이터 신호를 제공하는 복수의 데이터 라인들; 및
    상기 복수의 유기발광소자들 중 대응하는 유기발광소자들에 전원을 제공하는 복수의 전원 라인들을 포함하고,
    상기 복수의 데이터 라인들 중 상기 제1 행의 유기발광소자들에 연결된 데이터 라인은 일방향으로 연장되고
    상기 제2 행의 유기발광소자들 중에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 상기 제1 행의 유기발광소자들과 대응하지 않는 유기발광소자에 연결된 상기 복수의 데이터 라인들 중 상기 라운드 영역에서 연장되는 적어도 어느 하나의 데이터 라인은 상기 복수의 데이터 라인들 중 상기 제1 행의 유기발광소자들에 연결된 데이터 라인에서 멀어지는 방향으로 연장되는 부분을 포함하고,
    상기 복수의 전원 라인들 중 상기 라운드 영역에서 연장되는 적어도 어느 하나의 전원 라인은 상기 복수의 전원 라인들 중 상기 제1 행의 유기발광소자들에 연결된 전원라인에서 멀어지는 방향으로 연장되는 부분을 포함하는 표시패널.
  15. 제1 방향으로 나열되고, 각각이 트랜지스터의 입력전극, 출력전극, 및 제어전극을 포함하는 복수의 제1 화소들;
    상기 제1 방향으로 나열되고, 각각이 트랜지스터의 입력전극, 출력전극, 및 제어전극을 포함하는 복수의 제2 화소들;
    상기 복수의 제1 화소들과 연결되고, 상기 제어전극과 같은 레이어에 배치되며, 상기 제1 방향으로 연장되는 제1 수평 배선;
    상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되고, 상기 복수의 제2 화소들 중 상기 제2 방향에서 상기 복수의 제1 화소들 각각과 대응하는 제2 화소에 연결되는 노멀 배선; 및
    상기 제2 방향으로 연장되고, 상기 복수의 제2 화소들 중 상기 제2 방향에서 상기 복수의 제1 화소들 각각과 대응하지 않는 제2 화소에 연결되는 제1 서브 배선 및 상기 제2 방향과 소정의 각도를 이루며 상기 제1 수평 배선의 일단 및 타단에서 멀어지는 방향으로 연장되는 제2 서브 배선을 포함하는 제1 수직 배선을 포함하는 표시패널.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 복수의 제2 화소들의 개수는 상기 복수의 제1 화소들의 개수보다 더 많은 표시패널.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 서브 배선 및 상기 제2 서브 배선은 같은 레이어에 배치되는 표시패널.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제1 수직 배선은 외부의 구성요소가 제공하는 전원을 상기 복수의 제2 화소들 중 상기 어느 하나에 전달하는 표시패널.
  19. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 서브 배선은 상기 제2 서브 배선과 다른 레이어에 배치되고, 상기 제1 서브 배선 및 상기 제2 서브 배선은 콘택홀을 통해 연결되는 표시패널.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 제1 수직 배선은 상기 복수의 제2 화소들 중 상기 어느 하나에 데이터 신호를 전달하는 표시패널.
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