KR102592339B1 - 다공성 필터가 구비되는 정전척의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 정전척의 제조 방법은 하부 챔버의 내측에 베이스 바디를 배치하는 단계와, 베이스 바디 상에 본딩제를 도포하는 단계와, 본딩제가 도포되는 베이스 바디 상에 흡착 플레이트를 부착시키는 단계와, 흡착 플레이트 상에 패드부를 배치하는 단계와, 상부 챔버로 패드부 및 하부 챔버를 커버하는 단계 및 상부 챔버를 통해 패드부에 압력을 가하는 단계를 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 다공성 필터가 구비되는 정전척의 제조 방법에 관한다. 보다 상세하게는, 정전척이 제조되는 과정에서 다공성 필터가 막히거나 오염되는 현상을 방지할 수 있는 정전척의 제조 방법에 관한다.
일반적으로 반도체 소자는 챔버(chamber) 내에 안치된 웨이퍼에 스퍼터링, 포토리소그라피, 에칭, 이온 주입, 화학기상증착 등 수많은 공정들을 순차적 또는 반복적으로 수행함으로써, 제조될 수 있다.
이러한 반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 박막의 특성을 균일하게 유지하기 위해서는 웨이퍼(wafer)가 챔버 내에서 긴밀하게 고정되는 것이 중요하다.
한편, 웨이퍼를 고정시키는 방식에는 기계척(mechanical chuck) 방식과 정전척(Electrostatic Chuck: ESC) 방식이 있으나, 웨이퍼와의 접촉면 전체에 고른 인력 또는 척력을 발생시켜, 웨이퍼 표면의 평탄도(flatness)를 보장하고, 웨이퍼가 접촉면에 긴밀하게 접촉하여 효과적으로 웨이퍼의 온도 조절이 가능한 정전척 방식이 널리 사용되고 있다.
본 발명은 흡착 플레이트 상에 패드부가 면접촉된 상태에서 고온, 고압이 가해지며 흡착 플레이트와 베이스 바디를 접착시키는 공정을 포함하며, 정전척 제조 과정에서 본딩제가 정전척에 구비되는 다공성 필터에 유입되며 막히거나, 오염되는 현상을 방지할 수 있는 정전척의 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 하부 챔버의 내측에 베이스 바디를 배치하는 단계; 상기 베이스 바디 상에 본딩제를 도포하는 단계; 상기 본딩제가 도포되는 상기 베이스 바디 상에 흡착 플레이트를 부착시키는 단계; 상기 흡착 플레이트 상에 패드부;를 배치하는 단계; 상부 챔버로 상기 패드부 및 상기 하부 챔버를 커버하는 단계; 및 상기 상부 챔버를 통해 상기 패드부에 압력을 가하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조 방법을 제공한다.
상술한 정전척의 제조 방법에 있어서, 상기 패드부는 실리콘 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조 방법.
상술한 정전척의 제조 방법에 있어서, 상기 패드부는, 상기 패드부와 마주보는 상기 흡착 플레이트의 일면과 면접촉될 수 있다.
상술한 정전척의 제조 방법에 있어서, 상기 패드부에 압력을 가하는 단계는, 상기 상부 챔버의 내주면과 상기 패드부로 둘러싸이며 형성되는 내부 영역에 기체가 공급되며 압력이 가해질 수 있다.
상술한 정전척의 제조 방법에 있어서, 상기 하부 챔버의 내측에서 상기 베이스 바디의 위치를 조정하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
상술한 정전척의 제조 방법에 있어서, 상기 본딩제를 경화시켜 접착층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
상술한 정전척의 제조 방법에 있어서, 상기 접착층은, 상기 베이스 바디 상에 도포되는 제1접착층; 상기 제1접착층 상에 형성되는 일 영역을 둘러싸며 미리 설정되는 두께로 형성되는 본딩월부; 및 상기 제1접착층 상에 형성되는 영역 중 상기 본딩월부의 외측에 위치하도록 도포되는 제2접착층;을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 정전척의 제조 방법은 상부 챔버와 하부 챔버 사이에 배치되는 패드부가, 베이스 바디 상에 배치되는 흡착 플레이트를 효과적으로 가압함으로써 흡착 플레이트와 베이스 바디 간 결합력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 패드부가 실리콘 재질로 형성됨으로 인하여 패드부의 일측에서 타측으로 기체가 통과하는 것을 차단하고, 패드부가 흡착 플레이트를 더욱 효과적으로 가압할 수 있도록 하는 효과가 있다.
또한, 가이드부로 인하여 하부 챔버의 내부에 배치되는 베이스 바디, 흡착 플레이트의 중심 위치가 안정적으로 유지될 수 있는 효과가 있다.
또한, 균일한 압력이 패드부를 통해 흡착 플레이트에 가해지도록 하여 흡착 플레이트와 베이스 바디 사이에 도포되는 본딩제가 베이스 바디 및 흡착 플레이트에 삽입 배치되는 다공성 필터에 유입되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척의 제조 방법을 도시하는 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척을 도시하는 단면도이다.
도 3은 도 2의 A부분을 확대한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 접착층의 형성 과정을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버부를 도시하는 정단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 패드부를 도시하는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 하부 챔버, 정전척, 가이드부를 도시하는 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 하부 챔버, 정전척, 가이드부 상에 패드부가 배치된 상태를 도시하는 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척의 제조 방법에 따라 챔버부의 내부에 압력이 가해지는 상태를 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 하부 챔버, 정전척, 가이드부 상에 보조플레이트, 패드부가 배치된 상태를 도시한 도면이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 정전척의 제조 방법에 따라 챔버부의 내부에 압력이 가해지는 상태를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척을 도시하는 단면도이다.
도 3은 도 2의 A부분을 확대한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 접착층의 형성 과정을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버부를 도시하는 정단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 패드부를 도시하는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 하부 챔버, 정전척, 가이드부를 도시하는 도면이다.
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도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척의 제조 방법에 따라 챔버부의 내부에 압력이 가해지는 상태를 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 하부 챔버, 정전척, 가이드부 상에 보조플레이트, 패드부가 배치된 상태를 도시한 도면이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 정전척의 제조 방법에 따라 챔버부의 내부에 압력이 가해지는 상태를 도시한 도면이다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 단순히 본 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되는 것으로서, 그 자체로 특별히 중요한 의미 또는 역할을 부여하는 것은 아니다. 따라서, 상기 "모듈" 및 "부"는 서로 혼용되어 사용될 수도 있다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품, 또는 이들을 조합한 것들의 존재, 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척의 제조 방법을 도시하는 순서도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척을 도시하는 단면도이다. 도 3은 도 2의 A부분을 확대한 도면이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 접착층의 형성 과정을 도시한 도면이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버부를 도시하는 정단면도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 패드부를 도시하는 평면도이다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 하부 챔버, 정전척, 가이드부를 도시하는 도면이다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 하부 챔버, 정전척, 가이드부 상에 패드부가 배치된 상태를 도시하는 도면이다. 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척의 제조 방법에 따라 챔버부의 내부에 압력이 가해지는 상태를 도시한 도면이다.
도 2, 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척(100)은 베이스 바디(110), 접착층(130), 흡착 플레이트(150)를 포함할 수 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척(100)은 베이스 바디(110), 접착층(130), 흡착 플레이트(150) 순으로 적층되는 구조를 가질 수 있다.
구체적으로 베이스 바디(110)의 상측에 흡착 플레이트(150)가 배치될 수 있고, 베이스 바디(110)와 흡착 플레이트(150) 사이에 배치되는 접착층(130)이 상하 방향(도 2 기준)으로 양측에서 베이스 바디(110)와 흡착 플레이트(150)와 각각 접착 결합될 수 있다.
도면에 도시하지는 않았지만, 베이스 바디(110)와 접착층(130) 사이, 흡착 플레이트(150)와 접착층(130) 사이에 절연층(도면 미도시)이 배치될 수 있다.
도 2을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스 바디(110)는 금속 재질로 형성되는 것으로, 흡착 플레이트(150)의 하측(도 2 기준)에 배치될 수 있다. 구체적으로 베이스 바디(110)는 알루미늄 재질로 형성될 수 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스 바디(110)는 길이 방향(도 2 기준 상하 방향)을 따라 직경이 다르게 형성될 수 있고, 미리 설정되는 높이 구간에서 베이스 바디(110)의 직경은 흡착 플레이트(150)와 동일한 직경으로 형성될 수 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스 바디(110)는 뒤에 설명할 접착층(130), 흡착 플레이트(150)가 배치되는 것으로 편평한 원판 형상으로 형성될 수 있다.
도 3을 참조하면, 베이스 바디(110)에는 베이스 바디(110)의 내부로 유입되는 헬륨(He) 가스 등 비활성 기체가 배출되어 흡착 플레이트(150) 상에 배치되는 웨이퍼(도면 미도시)에 도달할 수 있도록 경로를 제공하는 관통홀부(111)가 적어도 하나 이상 형성될 수 있다.
도 3은 도 2의 A부분을 확대한 도면으로서, 상기 관통홀부(111)는 베이스 바디(110), 흡착 플레이트(150)에 각각 형성될 수 있으며, 이러한 관통홀부(111)에는 다공성 필터(PF)가 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 다공성 필터(PF)는 베이스 바디(110), 흡착 플레이트(150)에 각각 삽입 설치되나, 이에 한정하는 것은 아니고 베이스 바디(110), 흡착 플레이트(150) 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있는 등 다양한 변형실시가 가능하다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스 바디(110)에 형성되는 관통홀부(111)를 통해 비활성 기체가 배출될 수 있다. 이러한 관통홀부(111)는 복수 개가 구비될 수 있다.
도 3을 참조하면, 본 발명에서는 관통홀부(111)를 통해 베이스 바디(110)의 내부로 비활성 기체가 유입되며, 흡착 플레이트(150)를 통해 비활성 기체를 배출할 수 있다.
선택적 실시예로서, 베이스 바디(110), 흡착 플레이트(150)에 형성되는 관통홀부(111)에 다공성 필터(PF)가 삽입 배치되지 않을 수 있고, 상기 관통홀부(111)를 통해 흡착 플레이트(150) 상에 흡착되는 웨이퍼(도면 미도시)를 들어올리거나 내릴 수 있는 리프트핀(lift pin)이 이동가능하게 삽입될 수 있다.
도면에 도시하지는 않았지만, 베이스 바디(110), 흡착 플레이트(150)에는 홀부(도면 미도시)가 형성될 수 있고, 흡착 플레이트(150)에 구비되는 흡착 전극부(151)에 전기적으로 연결되어 흡착 플레이트(150)에 전원을 인가할 수 있다.
홀부는 복수 개가 구비될 수 있고, 복수 개의 홀부에 대응되도록 흡착 전극부(151)는 복수 개가 구비되며, 외부로부터 전원을 공급받아 흡착 플레이트(150)에 전원을 인가할 수 있다.
도 3을 참조하면, 외부로부터 베이스 바디(110)로 유입되는 기체는 관통홀부(111)를 통해 베이스 바디(110)의 상측에 배치되는 흡착 플레이트(150)를 향해 유동될 수 있고, 이러한 기체는 헬륨(He) 가스 등 비활성 기체로 형성되며 반도체 제조 공정에서 흡착 플레이트(150)를 효과적으로 냉각시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 흡착 플레이트(150)로 기체를 배출시킬 수 있는 관통홀부(111)는 복수 개가 구비될 수 있다. 관통홀부(111)를 통해 기체가 흡착 플레이트(150)의 상면에 배치되는 웨이퍼(도면 미도시)에 도달할 수 있다.
이로 인하여 웨이퍼가 흡착 플레이트(150) 상에 배치되며, 스퍼터링, 포토리소그라피, 에칭, 이온 주입, 화학기상증착 등 수많은 공정들이 순차적 또는 반복적으로 수행되는 동안 헬륨 가스와 같은 비활성 기체로 웨이퍼를 냉각시킬 수 있는 효과가 있다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 관통홀부(111)는 제1방향(도 3 기준 상하 방향)을 따라 관통 형성될 수 있고, 베이스 바디(110)의 내부에 형성되는 기체 수용부(도면부호 미설정)과 연통될 수 있다.
선택적 실시예로서, 베이스 바디(110)의 외부 또는 내부에는 흡착 플레이트(150)의 상면에 배치된 웨이퍼(도면 미도시)를 냉각하기 위한 냉각 수단(도면 미도시)이 더 구비될 수 있다.
구체적으로 베이스 바디(110)의 내부에는 유입유로(도면 미도시)를 통해 외부로부터 공급되는 유체가 유동될 수 있도록 냉각유로가 형성될 수 있고, 냉각유로 내에서 열을 흡수한 유체가 외부로 배출될 수 있도록 배출유로(도면 미도시)가 형성될 수 있다.
도 2, 도 3, 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 접착층(130)은 베이스 바디(110)의 일면(도 2 기준 상면) 상에 도포되는 본딩제가 경화되어 형성될 수 있다.
접착층(130)을 형성하는 본딩제가 베이스 바디(110)의 상면(도 2 기준)에 도포되고, 다시 상측(도 2 기준)에 흡착 플레이트(150)가 배치되며, 뒤에 설명할 패드부(400)에 의해 흡착 플레이트(150)에서 베이스 바디(110) 방향으로 압력이 가해짐에 따라 접착층(130)이 베이스 바디(110)와 흡착 플레이트(150)의 위치를 고정시킬 수 있는 효과가 있다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 접착층(130)은 제1접착층(131), 본딩월부(133), 제2접착층(135)를 포함할 수 있다.
도 4의 (a) 내지 (c)를 참조하면, 다공성 필터(PF)가 삽입 배치되는 베이스 바디(110) 상에 접착층이 형성되는 과정을 도시한 도면으로서, 먼저 베이스 바디(110)의 상면(도 4의 (a) 기준)에는 제1접착층(131)이 형성될 수 있다.
제1접착층(131)은 본딩제로 형성될 수 있고, 베이스 바디(110) 상에 도포 및 경화됨에 따라 형성될 수 있다. 제1접착층(131)은 베이스 바디(110) 상의 영역 중 다공성 필터(PF)가 삽입 배치되기 위한 관통홀부(111)의 외측에 도포될 수 있다.
도면에 도시하지는 않았지만, 제1접착층(131)이 형성되기 위하여, 베이스 바디(110) 상에서 미리 설정되는 영역, 구체적으로 다공성 필터(PF)가 삽입 배치되는 관통홀부(111)의 내측으로 본딩제가 유입되지 않도록 관통홀부(111)와 중첩되거나 커버할 수 있는 제1영역을 제외한 제2영역이 개구된 스크린 마스크(screen mask)가 베이스 바디(110) 상에 배치되고, 상기 제2영역에 본딩제가 도포 및 경화됨으로써 제1접착층(131)이 형성될 수 있다.
도 4의 (b)를 참조하면, 본딩제가 베이스 바디(110) 상에서 미리 설정되는 영역에 도포 및 경화됨에 따라 형성되는 제1접착층(131) 상에 본딩월부(133)가 형성될 수 있다.
본딩월부(133)는 제1접착층(131)을 형성하는 본딩제와 동일한 물질로 형성될 수 있고, 제1접착층(131) 상에 형성되는 상기 제1영역을 둘러싸도록 도포 및 경화됨에 따라 형성될 수 있다.
본딩월부(133)는 미리 설정되는 두께(h)로 형성될 수 있고, 뒤에 설명할 제2접착층(135)과 동일한 두께로 형성될 수 있다.
이로 인하여 본딩월부(133)와 제2접착층(135)이 제1접착층(131) 상에 형성될 때 본딩월부(133)의 상면(도 4의 (c) 기준)과 제2접착층(135)의 상면(도 4의 (c) 기준)이 동일 평면 상에 배치되고, 베이스 바디(110) 및 접착층(130) 상에 배치되는 흡착 플레이트(150)가 미리 설정되는 편평도를 확보하며 배치될 수 있는 효과가 있다.
본딩월부(133)는 내경과 외경을 가지며, 길이 방향 중심축 영역이 중공으로 형성될 수 있다. 본딩월부(133)의 내경은 다공성 필터(PF)가 배치되는 관통홀부(111)의 직경 이상으로 형성될 수 있다.
본딩월부(133)가 소정 두께(h)를 가지며 베이스 바디(110)에 형성되는 관통홀부(111)의 외측에 배치됨으로 인하여, 뒤에 설명할 제2접착층(135)이 제1접착층(131) 상에 도포 시 관통홀부(111)의 내부로 제2접착층(135)을 형성하는 본딩제가 다공성 필터(PF)로 유입되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 4의 (c)를 참조하면, 제1접착층(131) 상에 본딩월부(133)가 도포 및 경화되며 소정 두께(h)를 가지도록 배치되고, 제1접착층(131) 상에서 본딩월부(133)의 외측에 형성되는 영역에 본딩제가 도포 및 경화되며 제2접착층(135)가 형성될 수 있다.
도 4의 (c) 제2접착층(135)은 본딩월부(133)의 두께와 동일한 두께(h)로 형성될 수 있다.
이로 인하여 본딩월부(133)와 제2접착층(135)이 제1접착층(131) 상에 형성될 때 본딩월부(133)의 상면(도 4의 (c) 기준)과 제2접착층(135)의 상면(도 4의 (c) 기준)이 동일 평면 상에 배치되고, 베이스 바디(110) 및 접착층(130) 상에 배치되는 흡착 플레이트(150)가 미리 설정되는 편평도를 확보하며 배치될 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 접착층(130)은 베이스 바디(110) 상에 본딩제가 도포 및 경화되어 제1접착층(131)이 형성되고, 제1접착층(131) 상에 본딩월부(133) 및 제2접착층(135)이 순차적으로 형성됨에 따라 접착층(130)이 형성되나 이에 한정하는 것은 아니고, 정전척(100)에 형성되는 접착층의 설정 두께에 따라 제1접착층(131)을 생략하고, 본딩월부(133)와 제2접착층(135)이 순차적으로 도포 및 경화됨에 따라 접착층(130)을 형성하는 등 다양한 변형 실시가 가능하다.
도 2, 도 3, 도 7 내지 도 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 흡착 플레이트(150)는 베이스 바디(110) 상에 배치되는 것으로, 구체적으로 베이스 바디(110)의 일면(도 2 기준 상면)에 도포되며 형성되는 접착층(130) 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 흡착 플레이트(150)는 외부로부터 전원을 공급받아 발생하는 정전기력에 의해 흡착 플레이트(150)의 상측에 배치되는 웨이퍼(도면 미도시)를 흡착할 수 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 흡착 플레이트(150)는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척(100)의 최상부에 배치되는 것으로, 흡착 플레이트(150)의 상면에는 웨이퍼(도면 미도시)가 안착될 수 있다.
예를 들어, 흡착 플레이트(150)는 베이스 바디(110)와 마찬가지로 원판 형태로 제작될 수 있다. 정전기력(electrostatic force)을 기초로 웨이퍼를 척킹(chucking) 또는 디척킹(dechucking) 하기 위한 흡착 전극부(151)가 흡착 플레이트(150)의 내부 또는 하면에 인쇄될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 흡착 플레이트(150)는 챔버 내 고온 환경에서 내구성이 있으며, 흡착 전극부(151)에서 생성되는 정전기가 원활하게 통과할 수 있도록 세라믹 소재가 사용될 수 있다.
예를 들어, 흡착 플레이트(150)는 Al2O3계 소재 또는 Al2O3계 소재보다 열전도성이 높은 세라믹 소재인 알루미늄 나이트라이드(Aluminum nitride, AIN) 소재 또는 탄화규소(SiC) 소재로 제작될 수 있다. 그러나, 흡착 플레이트(150)의 소재는 상술한 예에 제한되지 않는다.
선택적 실시예로서, 흡착 플레이트(150)의 비저항 값은 1013(Ω·cm) 이상일 수 있으며, 이는 쿨롱 힘(coulomb force)을 이용하기 위함이다. 이에 따라 정전척(100)은 Johnsen-Rahbeck(J-R)이 아닌 쿨롱 힘을 이용한 고저항 정전척(100)일 수 있다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 흡착 플레이트(150)에는 베이스 바디(110)에 형성되는 관통홀부(111)와 연통될 수 있도록 플레이트홀(153)이 구비될 수 있다.
흡착 플레이트(150)에 형성되는 플레이트홀(153)을 통해, 베이스 바디(110)에 형성되는 관통홀부(111), 접착층(130)을 통과하여 유입되는 헬륨 가스 등 비활성 기체가 흡착 플레이트(150) 상에 배치되는 웨이퍼(도면 미도시)에 도달할 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척(100)의 제조 방법에 관하여 설명하도록 한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척(100)의 제조 방법은 하부 챔버(210)의 내측에 베이스 바디(110)를 배치하는 단계(S10), 베이스 바디(110) 상에 본딩제를 도포하는 단계(S20), 베이스 바디(110) 상에 흡착 플레이트(150)를 부착시키는 단계(S30), 흡착 플레이트(150) 상에 패드부(400)를 배치하는 단계(S40), 상부 챔버(250)로 패드부(400) 및 하부 챔버(210)를 커버하는 단계(S50), 상부 챔버(250)를 통해 패드부(400)에 압력을 가하는 단계(S60), 하부 챔버(210)를 통해 기체를 흡입하는 단계(S70), 접착층(130)을 형성하는 단계(S80)를 포함할 수 있다.
도 1에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척(100)의 제조 방법을 통해 도 2에 도시된 정전척(100), 구체적으로 베이스 바디(110) 상에 흡착 플레이트(150)가 접착층(130)을 매개로 결합 배치되는 구조의 정전척(100)을 제조할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척(100)의 제조 방법의 각 단계에 관하여 자세히 설명하도록 한다.
도 1, 도 7을 참조하면, 하부 챔버(210)의 내측에 베이스 바디(110)를 배치하는 단계(S10)에서는 내부가 중공인 하부 챔버(210)의 내측에 베이스 바디(110)를 배치할 수 있다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버부(200)는 내부에 베이스 바디(110), 접착층(130), 흡착 플레이트(150)가 배치될 수 있는 것으로, 상부 챔버(250), 하부 챔버(210), 체결부재(270)를 포함할 수 있다.
도 5를 참조하면, 챔버부(200), 구체적으로 상부 챔버(250) 및 하부 챔버(210)는 서로 체결되어 결합된 상태로 내부가 밀폐된 상태를 유지할 수 있다. 상부 챔버(250) 및 하부 챔버(210)는 체결부재(270)에 의해 체결될 수 있다.
상부 챔버(250) 및 하부 챔버(210)는 체결부재(270)가 관통하도록 체결홀부(215, 255)가 형성될 수 있다. 도 5를 참조하면, 체결부재(270)는 상부 챔버(250) 및 하부 챔버(210)에 각각 형성되는 체결홀부(215, 255)를 통하여 체결될 수 있다.
본 발명에서는 체결부재(270)가 상부 챔버(250) 및 하부 챔버(210)에 나사 결합 방식으로 체결되나, 이에 한정하는 것은 아니고, 상부 챔버(250) 및 하부 챔버(210)가 밀착 결합될 수 있는 기술적 사상 안에서 다양한 변형 실시가 가능하다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 체결부재(270)는 복수 개가 구비될 수 있고, 상부 챔버(250) 및 하부 챔버(210)의 중심을 기준으로 둘레 방향을 따라 등각 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상부 챔버(250) 및 하부 챔버(210)에 형성되는 체결홀부(215, 255)는 복수 개의 체결부재(270)에 대응되도록 복수 개가 구비될 수 있다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 하부 챔버(210)의 내부에 베이스 바디(110), 접착층(130), 흡착 플레이트(150)가 배치될 수 있고, 구체적으로 베이스 바디(110) 접착층(130), 흡착 플레이트(150) 순으로 적층되며 배치될 수 있다.
도 1, 도 7을 참조하면, 하부 챔버(210)의 내측에 베이스 바디(110)가 배치된 후에 베이스 바디(110) 상에 본딩제를 도포(S20)할 수 있다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스 바디(110)에는 관통홀부(111)가 형성되고, 상기 본딩제는 관통홀부(111)로부터 미리 설정된 거리 이격되도록 베이스 바디(110)의 상면(도 3 기준)에 도포될 수 있다.
베이스 바디(110) 상에 도포되는 본딩제는 도포, 탈포, 경화 과정을 거쳐 접착층(130)을 형성하게 된다.
도 4를 참조하면, 베이스 바디(110) 상에 본딩제를 도포하는 단계(S20)에서는, 접착층(130), 구체적으로 제1접착층(131) 및 본딩월부(133)가 도포 및 경화될 수 있다.
도 4의 (a)를 참조하면, 베이스 바디(110)의 상면(도 4의 (a) 기준)에는 제1접착층(131)이 형성될 수 있다. 제1접착층(131)은 베이스 바디(110) 상의 영역 중 다공성 필터(PF)가 삽입 배치되기 위한 관통홀부(111)의 외측에 도포 및 경화됨에 따라 형성될 수 있다.
도 4의 (b)를 참조하면, 본딩제가 베이스 바디(110) 상에서 미리 설정되는 영역에 도포 및 경화됨에 따라 형성되는 제1접착층(131) 상에 본딩월부(133)가 형성될 수 있다.
본딩월부(133)는 제1접착층(131)을 형성하는 본딩제와 동일한 물질로 형성될 수 있고, 제1접착층(131) 상에 형성되는 상기 제1영역을 둘러싸도록 도포 및 경화됨에 따라 형성될 수 있다.
도 4의 (c)를 참조하면, 본딩월부(133)가 경화된 후에 제1접착층(131) 상에서 본딩월부(133)의 외측에 형성되는 영역에 본딩제가 도포될 수 있다. 상기 본딩제는 뒤에 설명할 접착층(130)을 형성하는 단계(S80)에서 챔버부(200)의 내부에서 경화되며 제2접착층(135)을 형성할 수 있다.
도 4의 (c) 제2접착층(135)은 본딩월부(133)의 두께와 동일한 두께(h)로 형성될 수 있다.
이로 인하여 본딩월부(133)와 제2접착층(135)이 제1접착층(131) 상에 형성될 때 본딩월부(133)의 상면(도 4의 (c) 기준)과 제2접착층(135)의 상면(도 4의 (c) 기준)이 동일 평면 상에 배치되고, 베이스 바디(110) 및 접착층(130) 상에 배치되는 흡착 플레이트(150)가 미리 설정되는 편평도를 확보하며 배치될 수 있는 효과가 있다.
도 1을 참조하면, 베이스 바디(110) 상에 본딩제를 도포한 다음 베이스 바디(110) 상에 흡착 플레이트(150)를 부착(S30)할 수 있다. 흡착 플레이트(150)는 베이스 바디(110)와 동심을 이루며 베이스 바디(110) 상, 구체적으로 베이스 바디(110)에 도포된 본딩제 상에 배치될 수 있다.
도 7을 참조하면, 흡착 플레이트(150)와 베이스 바디(110)의 중심(C)이 일치된 상태로 하부 챔버(210)의 내측에 배치될 수 있다.
도 7을 참조하면, 베이스 바디(110)와 흡착 플레이트(150) 사이에는 접착층(130)이 위치하는 것으로 도시되어 있으며, 도 7의 상태에서는 아직 경화 전 상태이므로 본딩제에 해당하나, 접착층(130)은 본딩제가 탈포, 경화된 뒤 형성되는 것이므로 설명의 편의상 도면에서 접착층(130)으로 표시를 하였다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 하부 챔버(210), 베이스 바디(110), 흡착 플레이트(150)의 중심(C)은 동일하게 배치될 수 있고, 이로 인하여 뒤에 설명할 가이드부(300)가 베이스 바디(110), 흡착 플레이트(150)의 외주부를 둘러싸며 챔버부(200), 구체적으로 하부 챔버(210)의 내측에 배치될 수 있다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척(100)의 제조 방법은 하부 챔버(210)의 내측에서 베이스 바디(110)의 위치를 조정하는 단계를 포함할 수 있다. 구체적으로 베이스 바디(110) 및 베이스 바디(110) 상에 배치되는 흡착 플레이트(150)의 위치를 조정할 수 있다.
베이스 바디(110)의 위치를 조정하는 단계에서는 베이스 바디(110)의 중심과 하부 챔버(210)의 중심의 위치를 일치시킬 수 있다. 구체적으로 베이스 바디(110)의 외측면과 하부 챔버(210)의 내측면 사이에 가이드부(300)를 배치할 수 있다.
도 7을 참조하면, 챔버부(200), 구체적으로 하부 챔버(210)의 내부에 베이스 바디(110), 접착층(130), 흡착 플레이트(150)가 배치된 상태에서 가이드부(300)가 배치될 수 있다. 가이드부(300)는 하부 챔버(210)의 내측에서 베이스 바디(110), 흡착 플레이트(150)의 위치를 가이드하는 것으로, 베이스 바디(110), 흡착 플레이트(150)의 중심(C)을 유지시켜 주며 중심(C)의 위치가 변경되는 것을 방지할 수 있다.
도 7을 참조하면, 가이드부(300)는 제1가이드본체(310), 제2가이드본체(350)를 포함할 수 있다. 제1가이드본체(310), 제2가이드본체(350)는 동일 재질로 형성될 수 있고, 형상 변형이 상대적으로 적은 금속 재질로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 제1가이드본체(310)는 중심으로부터 미리 설정되는 반경을 가지며, 베이스 바디(110)의 외측면과 하부 챔버(210)의 내측면 사이에 배치될 수 있고, 제2가이드본체(350)는 제1가이드본체(310)와 흡착 플레이트(150) 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 제1가이드본체(310), 제2가이드본체(350)는 베이스 바디(110), 흡착 플레이트(150)의 외주부를 둘러싸도록 링 형상으로 형성될 수 있다. 도 7의 (b)를 참조하면, 베이스 바디(110), 흡착 플레이트(150)가 배치되는 하부 챔버(210)의 내측에 제1가이드본체(310)가 배치될 수 있다.
제1가이드본체(310)는 베이스 바디(110) 및 흡착 플레이트(150)와 중심(C)이 동일하게 형성될 수 있고, 베이스 바디(110)의 외주면 둘레를 따라 배치될 수 있다. 제1가이드본체(310)의 내주면은 베이스 바디(110)의 외주면과 면접촉될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니고 제1가이드본체(310)의 내주면과 베이스 바디(110)의 외주면이 소정 거리 이격된 상태로 배치되는 등 다양한 변형실시가 가능하다.
도 7의 (c)를 참조하면, 베이스 바디(110), 흡착 플레이트(150)가 배치되는 하부 챔버(210)의 내측, 제1가이드본체(310)의 내측에 제2가이드본체(350)가 배치될 수 있다.
제2가이드본체(350)는 제1가이드본체(310)의 내측에 배치될 수 있고, 제1가이드본체(310)보다 높이가 상대적으로 낮게 형성될 수 있다. 제2가이드본체(350)는 베이스 바디(110) 상에 배치될 수 있고, 베이스 바디(110) 상에 배치되는 흡착 플레이트(150)의 외측에 배치될 수 있다.
제2가이드본체(350)는 베이스 바디(110) 및 흡착 플레이트(150)와 중심(C)이 동일하게 형성될 수 있고, 흡착 플레이트(150)의 외주면 둘레를 따라 배치될 수 있다. 제2가이드본체(350)의 내주면은 흡착 플레이트(150)의 외주면과 면접촉될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니고 제2가이드본체(350)의 내주면과 흡착 플레이트(150)의 외주면이 소정 거리 이격된 상태로 배치되는 등 다양한 변형 실시가 가능하다.
도 1, 도 6, 도 8을 참조하면, 베이스 바디(110), 흡착 플레이트(150)의 위치 조정 후 흡착 플레이트(150) 상에 패드부(400)를 배치(S40)할 수 있다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 패드부(400)는 실리콘 재질로 형성되는 것으로, 하부 챔버(210) 및 하부 챔버(210)의 내측에 배치되는 베이스 바디(110) 및 흡착 플레이트(150)를 커버할 수 있다.
구체적으로 패드부(400)는 흡착 플레이트(150)의 상면(도 8 기준)과 면접촉될 수 있고, 베이스 바디(110) 및 흡착 플레이트(150)의 외측에 배치되는 제1가이드본체(310), 제2가이드본체(350)와 면접촉될 수 있다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 패드부(400)는 원 형상으로 형성될 수 있고, 중심을 기준으로 둘레를 따라 복수 개의 패드홀부(401)가 형성될 수 있다. 패드홀부(401)는 적어도 2개 이상 형성될 수 있으며, 패드부(400)의 중심을 기준으로 서로 마주보는 위치에 형성될 수 있다.
도 6, 도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 패드부(400)에 형성되는 패드홀부(401)는 하부 챔버(210)에 형성되는 체결홀부(215)와 중첩될 수 있고, 패드부(400)는 하부 챔버(210) 및 상부 챔버(250)에 형성되는 체결홀부(215, 255)와 패드홀부(401)가 중첩될 수 있도록, 베이스 바디(110), 흡착 플레이트(150), 가이드부(300)의 상측에 배치될 수 있다.
도 9를 참조하면, 패드부(400)가 하부 챔버(210) 상에 배치된 후 상부 챔버(250)로 패드부(400) 및 하부 챔버(210)를 커버(S50)할 수 있다. 즉, 하부 챔버(210) 및 하부 챔버(210)를 커버하는 패드부(400) 상에 상부 챔버(250)를 위치시키고 체결부재(270)를 통해 상부 챔버(250), 패드부(400), 하부 챔버(210)를 결합시킬 수 있다.
구체적으로 상부 챔버(250)에도 체결홀부(255)가 형성되며, 상부 챔버(250) 및 하부 챔버(210)의 체결홀부(215, 255), 패드홀부(401)가 중첩되도록 상부 챔버(250), 패드부(400), 하부 챔버(210)를 배치하고, 체결부재(270)로 상기 체결홀부(215, 255), 패드홀부(401)를 관통하여 상부 챔버(250), 패드부(400), 하부 챔버(210)를 체결시킬 수 있다.
도 1, 도 9를 참조하면, 상부 챔버(250)와 하부 챔버(210), 패드부(400)가 체결된 다음에 상부 챔버(250)를 통해 패드부(400)에 압력을 가할 수 있다(S60).
도 5, 도 9를 참조하면, 상부 챔버(250)의 일측에는 공급 유로부(251)가 형성될 수 있고, 공급 유로부(251)를 통하여 외부로부터 기체를 공급받을 수 있다. 패드부(400)가 실리콘 재질로 형성됨으로 인하여 상부 챔버(250)의 하측(도 9 기준)은 패드부(400)가 커버하며, 상부 챔버(250)의 내부를 밀폐된 상태로 유지할 수 있다.
도 9를 참조하면, 공급 유로부(251)를 통해 기체가 상부 챔버(250)의 내부로 유입되고, 상기 기체가 패드부(400)를 통과하지 못함으로 인하여 상부 챔버(250)의 내부 압력은 증가하게 되고, 상기 압력으로 인하여 패드부(400)가 흡착 플레이트(150)를 베이스 바디(110) 측 방향(도 9 기준 상측에서 하측 방향)으로 가압할 수 있다.
이로 인하여 흡착 플레이트(150)가 본딩제에 압력을 가하면서 베이스 바디(110) 측으로 이동할 수 있고, 본딩제가 경화되어 접착층(130)을 형성하는 경우에 흡착 플레이트(150)와 베이스 바디(110) 간 결합력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 8, 도 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 패드부(400)가 실리콘 재질로 형성됨으로 인하여 상부 챔버(250)와 하부 챔버(210)가 체결된 상태에서 패드부(400)의 상, 하측(도 9 기준) 간의 기체의 유동을 차단할 수 있는 효과가 있다.
즉, 기체가 외부로부터 상부 챔버(250)의 내부 공간으로 계속해서 유입되고, 상기 기체가 패드부(400)를 통과하지 못함으로 인하여, 상부 챔버(250)의 내부 압력이 증가됨에 따라 흡착 플레이트(150)에서 베이스 바디(110) 방향(도 9 기준 상측에서 하측 방향)으로 압력을 계속해서 가할 수 있는 효과가 있다.
이에 더하여 패드부(400)의 상측에서 가해지는 기체의 압력으로 인하여 흡착 플레이트(150)가 베이스 바디(110) 방향으로 더욱 밀착되며, 흡착 플레이트(150)와 베이스 바디(110) 사이에 배치되는 접착층(130)의 접착력이 향상될 수 있는 효과가 있다.
도 1, 도 9를 참조하면, 상부 챔버(250)를 통해 패드부(400)에 압력을 가하면서 하부 챔버(210)를 통해 기체를 흡입(S70)할 수 있다.
도 5, 도 7, 도 8, 도 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 하부 챔버(210)에는 흡입 유로부(211)가 형성될 수 있고, 흡입 유로부(211)를 통해 하부 챔버(210)의 내부에서 외부로 기체가 흡입 배출될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 패드부(400)가 실리콘 재질로 형성됨으로 인하여 하부 챔버(210)의 상측(도 9 기준)은 패드부(400)가 커버하며, 하부 챔버(210)의 내부를 밀폐된 상태로 유지할 수 있다.
도 9를 참조하면, 흡입 유로부(211)를 통해 하부 챔버(210)와 패드부(400)에 의해 형성되는 내부 공간에서 기체가 외부로 배출되고, 상기 내부 공간에 기체의 양이 계속해서 감소됨에 따라 패드부(400)는 흡착 플레이트(150)를 가압하며, 흡착 플레이트(150)를 베이스 바디(110) 측 방향(도 9 기준 상측에서 하측 방향)으로 가압할 수 있다.
이로 인하여 흡착 플레이트(150)가 본딩제에 압력을 가하면서 베이스 바디(110) 측으로 이동할 수 있고, 본딩제가 경화되어 접착층(130)을 형성하는 경우에 흡착 플레이트(150)와 베이스 바디(110) 간 결합력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 8, 도 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 패드부(400)가 실리콘 재질로 형성됨으로 인하여 상부 챔버(250)와 하부 챔버(210)가 체결된 상태에서 패드부(400)의 상, 하측(도 9 기준) 간의 기체의 유동을 차단할 수 있는 효과가 있다.
즉, 하부 챔버(210)의 내부에서 외부로 기체가 계속하여 흡입 배출되고, 패드부(400)로 인하여 하부 챔버(210)의 내부로 기체가 유입되지 않음에 따라 패드부(400)는 흡착 플레이트(150)를 베이스 바디(110) 측으로 더욱 효과적으로 가압하는 효과가 있다.
하부 챔버(210)의 내부에 존재하는 기체의 흡입에 더하여 패드부(400)의 상측에서 가해지는 기체의 압력으로 인하여 흡착 플레이트(150)가 베이스 바디(110) 방향으로 더욱 밀착되며, 흡착 플레이트(150)와 베이스 바디(110) 사이에 배치되는 접착층(130)의 접착력이 향상될 수 있는 효과가 있다.
도 1, 도 9를 참조하면, 상부 챔버(250)에 유입되는 기체를 통해 패드부(400)에 압력을 가하고, 하부 챔버(210)의 내부에 존재하는 기체를 흡입하여 패드부(400)가 흡착 플레이트(150)를 더욱 가압하도록 하면서 흡착 플레이트(150)가 베이스 바디(110)에 더욱 밀착될 수 있도록 한다.
흡착 플레이트(150)가 베이스 바디(110)에 더욱 밀착되며 흡착 플레이트(150)와 베이스 바디(110) 사이에 도포된 본딩제는 경화되며 접착층(130)을 형성(S80)할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 접착층(130)을 형성하는 단계(S80)에서는, 본딩월부(133)를 둘러싸며, 제1접착층(133) 상에 도포되는 본딩제가 챔버부(200)의 내부에서 경화됨에 따라 최종적으로 제2접착층(135)을 형성하며, 동일한 본딩제로 형성되는 제1접착층(131), 본딩월부(133), 제2접착층(135)이 접착층(130)을 형성할 수 있다.
도면에 도시하지는 않았지만, 오븐 등에 정전척(100)을 위치시켜 고온에서 접착층(130)을 더욱 경화시킬 수 있고, 흡착 플레이트(150)와 베이스 바디(110)가 견고하게 결합된 상태의 정전척(100)을 제조할 수 있는 효과가 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 정전척의 제조 방법 및 그 효과에 관하여 설명한다. 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 하부 챔버, 정전척, 가이드부 상에 보조플레이트(500), 패드부가 배치된 상태를 도시한 도면이다. 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 정전척의 제조 방법에 따라 챔버부의 내부에 압력이 가해지는 상태를 도시한 도면이다.
도 1, 도 10, 도 11을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 정전척의 제조 방법은, 하부 챔버(210)의 내측에 베이스 바디(110)를 배치하는 단계(S10), 베이스 바디(110) 상에 본딩제를 도포하는 단계(S20), 베이스 바디(110) 상에 흡착 플레이트(150)를 부착시키는 단계(S30), 흡착 플레이트(150) 상에 패드부(400)를 배치하는 단계(S40), 상부 챔버(250)로 패드부(400) 및 하부 챔버(210)를 커버하는 단계(S50), 상부 챔버(250)를 통해 패드부(400)에 압력을 가하는 단계(S60), 하부 챔버(210)를 통해 기체를 흡입하는 단계(S70), 접착층(130)을 형성하는 단계(S80)를 포함할 수 있다.
도 10, 도 11을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 정전척의 제조 방법은 베이스 바디 상에 흡착 플레이트를 부착시키는 단계(S30)와 흡착 플레이트 상에 패드부를 배치하는 단계(S40) 사이에 보조플레이트(500)를 흡착 플레이트 상에 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다.
도 10, 도 11을 참조하면, 보조플레이트(500)는 흡착 플레이트(150) 상에 배치되는 것으로, 흡착 플레이트(150)와 동일한 재질로 형성될 수 있다.
선택적 실시예로서, 보조플레이트(500)는 Al2O3로 형성될 수 있다. 보조플레이트(500)는 흡착 플레이트(150) 상에 배치되며, 일측(도 10 기준 하측)은 흡착 플레이트(150)와 접촉이 가능하고 타측(도 10 기준 상측)은 패드부(400)와 접촉될 수 있다.
이로 인하여 챔버부(200)의 내부에서 기체(G)의 압력에 의해 패드부(400)가 흡착 플레이트(150)를 베이스 바디(110) 측으로 가압 시 보조플레이트(500)에 압력을 전달하게 되고, 전달된 압력은 보조플레이트(500)를 통해 흡착 플레이트(150)에 전달될 수 있다.
보조플레이트(500)는 미리 설정되는 두께를 가지고, 편평하게 형성될 수 있다. 보조플레이트(500)는 흡착 플레이트(150)와 중심이 일치되도록 흡착 플레이트(150) 상에 배치될 수 있다.
선택적 실시예로서, 보조플레이트(500)는 흡착 플레이트(150)와 동일한 원판 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 흡착 플레이트(150)의 상면 영역을 커버할 수 있는 기술적 사상 안에서 다각형 형상으로 형성되는 등 다양한 변형 실시가 가능하다.
선택적 실시예로서, 보조플레이트(500)는 흡착 플레이트(150)와 면적이 동일하게 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니고 흡착 플레이트(150)의 면적보다 상대적으로 크게 형성되는 등 다양한 변형 실시가 가능하다.
도 10, 도 11을 참조하면, 보조플레이트(500)의 외주면이 가이드부(300), 구체적으로 제2가이드부(350)의 내주면과 접촉가능하게 배치되고, 보조플레이트(500)의 상면과 가이드부(300)의 상면이 동일 평면 상에 형성될 수 있다.
그러나 이에 한정하는 것은 아니고, 흡착 플레이트(150)와 가이드부(300), 구체적으로 제1가이드본체(310), 제2가이드본체(350)의 상면이 동일 평면 상에 형성되고, 보조플레이트(500)가 가이드부(300) 및 흡착 플레이트(150)의 상면을 동시에 커버하며 배치되는 등 다양한 변형 실시가 가능하다.
본 발명의 실시예들에 따른 정전척(100)의 제조 방법은, 상부 챔버(250)와 하부 챔버(210) 사이에 배치되는 패드부(400)가, 베이스 바디(110) 상에 배치되는 흡착 플레이트(150)를 효과적으로 가압할 수 있다.
구체적으로 패드부(400)가 실리콘 재질로 형성됨으로 인하여 패드부(400)의 일측(도 9 기준 상측)에서 타측(도 9 기준 하측)으로 기체가 통과하는 것을 차단하고, 패드부(400)의 상측(도 9 기준)에서는 상부 챔버(250)에 형성되는 공급 유로부(251)를 통해 기체가 외부로부터 유입되며 압력을 가하고, 패드부(400)의 하측(도 9 기준)에서는 하부 챔버(210)에 형성되는 흡입 유로부(211)를 통해 기체가 외부로 배출되며 패드부(400)를 하측 방향으로 끌어당김에 따라 패드부(400)가 흡착 플레이트(150)를 더욱 가압할 수 있도록 하는 효과가 있다.
또한, 가이드부(300)로 인하여 하부 챔버(210)의 내부에 배치되는 베이스 바디(110), 흡착 플레이트(150)의 중심 위치가 안정적으로 유지될 수 있는 효과가 있다.
또한, 상부 챔버(250)를 통해 유입되는 기체가 패드부(400)의 상면(도 9 기준)을 고르게 가압하고, 하부 챔버(210)를 통해 기체가 배출됨에 따라 패드부(400)를 베이스 바디(110) 측 방향으로 당김으로써 흡착 플레이트(150)에 가해지는 가압 균일성이 향상될 수 있는 효과가 있다.
또한, 균일한 압력이 패드부(400)를 통해 흡착 플레이트(150)에 가해지도록 하여 흡착 플레이트(150)와 베이스 바디(110) 사이에 도포되는 본딩제가 베이스 바디(110) 및 흡착 플레이트(150)에 삽입 배치되는 다공성 필터(PF)에 유입되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 보조플레이트(500)가 흡착 플레이트(150) 상에 배치됨으로 인하여 정전척(100) 제조 시 정전척(100)의 표면, 즉, 흡착 플레이트(150)의 편평도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.
100: 정전척
G: 기체
PF: 다공성 필터
110: 베이스 바디
111: 관통홀부
130: 접착층
131: 제1접착층
133: 본딩월부
135: 제2접착층
150: 흡착 플레이트
151: 흡착 전극부
153: 플레이트홀
200: 챔버부
210: 하부 챔버
211: 흡입 유로부
215, 255: 체결홀부
250: 상부 챔버
251: 공급 유로부
270: 체결부재
300: 가이드부
310: 제1가이드본체
350: 제2가이드본체
400: 패드부
401: 패드홀부
500: 보조플레이트
G: 기체
PF: 다공성 필터
110: 베이스 바디
111: 관통홀부
130: 접착층
131: 제1접착층
133: 본딩월부
135: 제2접착층
150: 흡착 플레이트
151: 흡착 전극부
153: 플레이트홀
200: 챔버부
210: 하부 챔버
211: 흡입 유로부
215, 255: 체결홀부
250: 상부 챔버
251: 공급 유로부
270: 체결부재
300: 가이드부
310: 제1가이드본체
350: 제2가이드본체
400: 패드부
401: 패드홀부
500: 보조플레이트
Claims (7)
- 하부 챔버의 내측에 베이스 바디를 배치하는 단계;
상기 베이스 바디 상에 본딩제를 도포하는 단계;
상기 본딩제가 도포되는 상기 베이스 바디 상에 흡착 플레이트를 부착시키는 단계;
상기 흡착 플레이트 상에 패드부;를 배치하는 단계;
상부 챔버로 상기 패드부 및 상기 하부 챔버를 커버하는 단계; 및
상기 상부 챔버를 통해 상기 패드부에 압력을 가하는 단계;를 포함하고,
상기 하부 챔버의 내측에서 상기 베이스 바디의 위치를 조정하는 단계;를 더 포함하며,
상기 베이스 바디의 위치를 조정하는 단계에서,
링 형상으로 형성되며, 상기 베이스 바디의 외측면과 상기 하부 챔버의 내측면 사이에 위치하고, 상기 베이스 바디 및 상기 흡착 플레이트의 중심을 유지시키는 가이드부를 배치하는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 패드부는 실리콘 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 패드부는, 상기 패드부와 마주보는 상기 흡착 플레이트의 일면과 면접촉되는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 패드부에 압력을 가하는 단계는, 상기 상부 챔버의 내주면과 상기 패드부로 둘러싸이며 형성되는 내부 영역에 기체가 공급되며 압력이 가해지는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조 방법. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 본딩제를 경화시켜 접착층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조 방법. - 제6항에 있어서,
상기 접착층은,
상기 베이스 바디 상에 도포되는 제1접착층;
상기 제1접착층 상에 형성되는 일 영역을 둘러싸며 미리 설정되는 두께로 형성되는 본딩월부; 및
상기 제1접착층 상에 형성되는 영역 중 상기 본딩월부의 외측에 위치하도록 도포되는 제2접착층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조 방법.
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| KR1020220099138A KR102592339B1 (ko) | 2022-08-09 | 2022-08-09 | 다공성 필터가 구비되는 정전척의 제조 방법 |
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- 2022-08-09 KR KR1020220099138A patent/KR102592339B1/ko active IP Right Grant
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|---|---|---|---|
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