JP2023018840A - 静電チャック、基板固定装置及び静電チャックの製造方法 - Google Patents

静電チャック、基板固定装置及び静電チャックの製造方法 Download PDF

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Kentaro Kobayashi
瑞貴 渡邊
Mizuki Watanabe
晃平 山口
Kohei Yamaguchi
淳夫 佐藤
Atsuo Sato
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Abstract

【課題】異常放電の発生を抑制できる静電チャックを提供する。【解決手段】静電チャック３０は、吸着対象物が載置される載置面４０Ａと、載置面４０Ａと反対側に設けられた反対面４０Ｂとを有する絶縁基板４０と、反対面４０Ｂから載置面４０Ａまでを貫通するガス孔５０とを有する。ガス孔５０は、反対面４０Ｂから載置面４０Ａに向かって延びる孔部５１と、載置面４０Ａから反対面４０Ｂに向かって延びる孔部５２と、孔部５１と孔部５２との間に設けられ、孔部５１と孔部５２とを連通する孔部５３とを有する。孔部５１は、平面視において、孔部５２と重ならないように設けられている。【選択図】図１

Description

本発明は、静電チャック、基板固定装置及び静電チャックの製造方法に関するものである。
従来、ＩＣやＬＳＩ等の半導体装置を製造する際に使用される成膜装置（例えば、ＣＶＤ装置やＰＶＤ装置）やプラズマエッチング装置は、基板（例えば、シリコンウェハ）を真空の処理室内に精度良く保持するためのステージを有している。このようなステージとしては、例えば、ベースプレートに搭載された静電チャックによりウェハを吸着保持する基板固定装置が提案されている。
基板固定装置は、例えば、金属製のベースプレート（基台）と、ベースプレート上に接着された静電チャックと、静電チャックに内蔵された静電電極とを有している。また、基板固定装置は、ウェハを冷却するためのガス供給部を有している。ガス供給部は、ベースプレートに設けられたガス流路と、静電チャックに設けられたガス孔とを介して、静電チャックの表面にガスを供給する（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１３－２３２６４０号公報
ところで、従来の基板固定装置では、静電チャックの上にウェハを載置した状態で、金属製のベースプレートに高周波の電力を供給してウェハの表面上にプラズマを発生させた場合に、ガス供給部内で異常放電が生じる場合がある。
本発明の一観点によれば、吸着対象物が載置される載置面と、前記載置面と反対側に設けられた反対面とを有する絶縁基板と、前記反対面から前記載置面までを貫通するガス孔と、を有し、前記ガス孔は、前記反対面から前記載置面に向かって延びる第１孔部と、前記載置面から前記反対面に向かって延びる第２孔部と、前記第１孔部と前記第２孔部との間に設けられ、前記第１孔部と前記第２孔部とを連通する第３孔部とを有し、前記第１孔部は、平面視において、前記第２孔部と重ならないように設けられている。
本発明の一観点によれば、異常放電の発生を抑制できるという効果を奏する。
（ａ）は、第１実施形態の基板固定装置を示す概略断面図、（ｂ）は、図１（ａ）に示した基板固定装置の一部を拡大した拡大断面図（図２における１ｂ－１ｂ線断面図）である。 第１実施形態の基板固定装置の一部を示す概略平面図である。 （ａ），（ｂ）は、第１実施形態の静電チャックの製造方法を示す概略断面図である。 （ａ），（ｂ）は、第１実施形態の静電チャックの製造方法を示す概略断面図である。 （ａ），（ｂ）は、第１実施形態の静電チャックの製造方法を示す概略断面図である。 （ａ），（ｂ）は、第１実施形態の静電チャックの製造方法を示す概略断面図である。 （ａ），（ｂ）は、第２実施形態の静電チャックの製造方法を示す概略断面図である。 （ａ），（ｂ）は、第２実施形態の静電チャックの製造方法を示す概略断面図である。 （ａ），（ｂ）は、第２実施形態の静電チャックの製造方法を示す概略断面図である。 （ａ），（ｂ）は、第３実施形態の静電チャックの製造方法を示す概略断面図である。 （ａ），（ｂ）は、第３実施形態の静電チャックの製造方法を示す概略断面図である。 （ａ），（ｂ）は、第３実施形態の静電チャックの製造方法を示す概略断面図である。 変更例の基板固定装置を示す概略断面図である。 比較例の基板固定装置を示す概略断面図である。
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、便宜上、特徴を分かりやすくするために特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率については各図面で異なる場合がある。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。なお、本明細書において、「平面視」とは、対象物を図１等の鉛直方向（図中上下方向）から見ることを言い、「平面形状」とは、対象物を図１等の鉛直方向から見た形状のことを言う。本明細書における「上下方向」及び「左右方向」は、各図面において各部材を示す符号が正しく読める向きを正位置とした場合の方向である。
（第１実施形態）
以下、図１～図６に従って第１実施形態を説明する。
（基板固定装置１０の構成）
図１（ａ）に示すように、基板固定装置１０は、ベースプレート２０と、ベースプレート２０の上に配置された静電チャック３０とを有している。静電チャック３０は、例えば、シリコーン樹脂などの接着剤によりベースプレート２０の上面に接合されている。なお、ベースプレート２０に対して静電チャック３０をネジにより固定してもよい。静電チャック３０の上面には、図示しない吸着対象物が載置される。吸着対象物は、例えば、半導体ウェハ等の基板である。基板固定装置１０は、静電チャック３０の上に載置された吸着対象物を吸着保持する。
（ベースプレート２０の構成）
ベースプレート２０の形状及び大きさは、任意の形状及び任意の大きさにすることができる。ベースプレート２０は、例えば、静電チャック３０上に載置される吸着対象物の形状に合わせて円板状に形成されている。ベースプレート２０の直径は、例えば、１５０ｍｍ～５００ｍｍ程度とすることができる。ベースプレート２０の厚さは、例えば、１０ｍｍ～５０ｍｍ程度とすることができる。ここで、本明細書において、「円板状」とは、平面形状が円形状で所定の厚さを有するものを指す。なお、「円板状」においては、直径に対する厚さの大小は問わない。また、部分的に凹部や凸部が形成されているものも「円板状」に含まれるものとする。
ベースプレート２０の材料としては、例えば、アルミニウムや超硬合金等の金属材料や、その金属材料とセラミックス材との複合材料等を用いることができる。本実施形態では、入手のし易さ、加工のし易さ、熱伝導性が良好であることなどの点から、アルミニウム又はアルミニウム合金を使用し、その表面にアルマイト処理（絶縁層形成）を施したものを使用している。
（ガス流路２１の構成）
ベースプレート２０は、ベースプレート２０を厚さ方向（図中上下方向）に貫通するガス流路２１を有している。ガス流路２１には、例えば、静電チャック３０の上に載置される吸着対象物を冷却するためのガスが供給される。冷却用のガスとしては、不活性ガスを用いることができる。不活性ガスとしては、例えば、ヘリウム（Ｈｅ）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスなどを用いることができる。ガス流路２１は、ベースプレート２０のうち静電チャック３０と接続される上面から、その上面とは反対側の下面までを貫通するように形成されている。
ガス流路２１は、ベースプレート２０の下面に形成されたガス流路部２２と、ベースプレート２０の上面に形成された複数のガス流路部２３と、ガス流路部２２とガス流路部２３とを連通するガス流路部２４とを有している。
ガス流路部２２は、ベースプレート２０の下方に開放するように形成されている。ガス流路部２２は、例えば、ベースプレート２０の下面から上面に向かってベースプレート２０の厚さ方向に沿って延びるように形成されている。ガス流路部２２の下端部は、図示しないガス供給源から不活性ガスが導入されるガス流路２１の導入口（流入口）である。
各ガス流路部２３は、ベースプレート２０の上方に開放するように形成されている。各ガス流路部２３は、例えば、ベースプレート２０の上面から下面に向かってベースプレート２０の厚さ方向に沿って延びるように形成されている。各ガス流路部２３の上端部は、ガス流路２１に導入された不活性ガスを排出するガス流路２１の排出口（流出口）である。複数のガス流路部２３は、ベースプレート２０の厚さ方向と断面視で直交する平面方向において、互いに離れて設けられている。複数のガス流路部２３は、例えば、平面視において、ベースプレート２０の上面に点在している。ガス流路部２３の個数は、必要に応じて適宜決定することができる。例えば、ガス流路部２３の個数は、数１０個～数１００個程度とすることができる。
ガス流路部２４は、例えば、ガス流路部２２と、複数のガス流路部２３とを連通するように形成されている。ガス流路部２４は、例えば、１つのガス流路部２２を、複数のガス流路部２３に分岐するように形成されている。ガス流路部２４は、例えば、ガス流路部２２の上端部から平面方向に延びる流路部２４Ａと、流路部２４Ａの端部からベースプレート２０の厚さ方向に延びる流路部２４Ｂと、流路部２４Ｂの上端部から平面方向に延びる流路部２４Ｃとを有している。本実施形態の流路部２４Ｃは、流路部２４Ｂの上端部から図中左方向に延びるとともに、流路部２４Ｂの上端部から図中右方向に延びている。流路部２４Ｃは、例えば、平面視において、環状に形成されている。流路部２４Ｃは、複数のガス流路部２３の下端部に連通している。
（静電チャック３０の構成）
静電チャック３０は、絶縁基板４０と、絶縁基板４０に内蔵された静電電極７０とを有している。
（絶縁基板４０の構成）
絶縁基板４０の形状及び大きさは、任意の形状及び任意の大きさにすることができる。絶縁基板４０は、例えば、静電チャック３０の上に載置される吸着対象物の形状に合わせて円板状に形成されている。絶縁基板４０の平面形状は、例えば、ベースプレート２０の平面形状と同じ形状及び同じ大きさに形成されている。絶縁基板４０の直径は、例えば、１５０ｍｍ～５００ｍｍ程度とすることができる。絶縁基板４０の厚さは、例えば、１ｍｍ～５ｍｍ程度とすることができる。なお、絶縁基板４０の平面形状の大きさは、ベースプレート２０の平面形状の大きさよりも小さくてもよい。
絶縁基板４０の材料としては、絶縁性を有する材料を用いることができる。例えば、絶縁基板４０の材料としては、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化珪素等のセラミックスや、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの有機材料を用いることができる。本実施形態では、入手のし易さ、加工のし易さ、プラズマ等に対する耐性が比較的高いなどの点から、絶縁基板４０の材料として、酸化アルミニウムや窒化アルミニウム等のセラミックスを採用している。すなわち、本実施形態の絶縁基板４０は、セラミックスからなるセラミックス基板である。
絶縁基板４０は、例えば、複数層（ここでは、３層）の絶縁層４１，４２，４３が積層された構造を有している。各絶縁層４１，４２，４３は、例えば、酸化アルミニウムと有機材料との混合物からなるグリーンシートを焼結して形成される焼結体である。各図面では、絶縁層４１と絶縁層４２との間の界面、及び絶縁層４２と絶縁層４３との間の界面を実線で示している。これらの界面は、複数のグリーンシートを積層することによって形成されるものであり、積層状態によって位置が異なる場合、断面において界面が直線にならない場合、あるいは界面が明確ではない場合がある。
絶縁基板４０は、吸着対象物が載置される載置面４０Ａと、載置面４０Ａと反対側に設けられる反対面４０Ｂとを有している。載置面４０Ａは、例えば、絶縁層４３の上面に設けられている。載置面４０Ａには、複数のエンボス４４が形成されている。複数のエンボス４４は、例えば、絶縁基板４０の平面方向に沿って並んで設けられている。複数のエンボス４４は、例えば、絶縁層４３の上面からベースプレート２０に向かって凹む凹部４５を複数設けることにより形成されている。各凹部４５は、絶縁層４３の上面から絶縁層４３の厚さ方向の途中まで延びるように形成されている。反対面４０Ｂは、例えば、絶縁層４１の下面に設けられている。反対面４０Ｂは、例えば、ベースプレート２０の上面に接合されている。
（ガス孔５０の構成）
絶縁基板４０は、絶縁基板４０の反対面４０Ｂから載置面４０Ａまでを貫通するガス孔５０を有している。絶縁基板４０は、複数のガス孔５０を有している。複数のガス孔５０は、複数のガス流路部２３にそれぞれ対応して設けられている。複数のガス孔５０は、複数のガス流路部２３とそれぞれ連通するように形成されている。各ガス孔５０には、例えば、載置面４０Ａに載置される吸着対象物を冷却するための不活性ガスが導入される。各ガス孔５０には、例えば、各ガス流路部２３から不活性ガスが導入される。
各ガス孔５０は、反対面４０Ｂから載置面４０Ａに向かって延びる孔部５１と、載置面４０Ａから反対面４０Ｂに向かって延びる孔部５２と、孔部５１と孔部５２との間に設けられ、孔部５１と孔部５２とを連通する孔部５３とを有している。
（孔部５１の構成）
孔部５１は、絶縁基板４０の下方に開放するように形成されている。孔部５１は、ガス流路２１、具体的にはガス流路部２３に連通している。孔部５１は、例えば、絶縁基板４０の反対面４０Ｂから絶縁基板４０の厚さ方向（図中上下方向）に沿って延びるように形成されている。孔部５１は、絶縁基板４０の厚さ方向に沿って直線状に延びるように形成されている。孔部５１は、例えば、絶縁層４１を厚さ方向に貫通するように形成されている。孔部５１の上端部は、孔部５３に連通している。孔部５１の形状及び大きさは、任意の形状及び任意の大きさにすることができる。
図２に示すように、本実施形態の孔部５１の平面形状は、円形状に形成されている。孔部５１の平面形状は、孔部５３の平面形状よりも小さく形成されている。すなわち、孔部５１は、孔部５３よりも細い細孔である。孔部５１は、例えば、その全体が平面視において孔部５３と重なっている。
（孔部５２の構成）
図１（ｂ）に示すように、孔部５２は、絶縁基板４０の上方に開放するように形成されている。孔部５２は、例えば、絶縁基板４０の載置面４０Ａから絶縁基板４０の厚さ方向に沿って延びるように形成されている。孔部５２は、絶縁基板４０の厚さ方向に沿って直線状に延びるように形成されている。孔部５２は、例えば、絶縁層４３を厚さ方向に貫通するように形成されている。孔部５２の下端部は、孔部５３に連通している。孔部５２の上端部は、不活性ガスをガス孔５０の外部に排出するガス孔５０の排出口である。孔部５１の形状及び大きさは、任意の形状及び任意の大きさにすることができる。
図２に示すように、本実施形態の孔部５２の平面形状は、円形状に形成されている。孔部５２の平面形状は、孔部５３の平面形状よりも小さく形成されている。すなわち、孔部５２は、孔部５３よりも細い細孔である。孔部５２の開口幅（開口径）は、孔部５１の開口幅と等しくてもよいし、孔部５１の開口幅と異なっていてもよい。孔部５２は、例えば、その全体が平面視において孔部５３と重なっている。
（孔部５３の構成）
図１（ｂ）に示すように、孔部５３は、絶縁基板４０の厚さ方向において、孔部５１と孔部５２との間に設けられている。孔部５３は、絶縁基板４０の平面方向に延びるように形成されている。孔部５３は、例えば、絶縁層４２に設けられている。孔部５３は、例えば、絶縁層４２を厚さ方向に貫通するように設けられている。孔部５３の下端部の一部が孔部５１に連通している。孔部５３の上端部の一部が孔部５２に連通している。孔部５３の形状及び大きさは、任意の形状及び任意の大きさにすることができる。
図２に示すように、本実施形態の孔部５３の平面形状は、円形状に形成されている。孔部５３の平面形状は、孔部５１，５２の平面形状よりも大きく形成されている。孔部５３の平面形状は、例えば、孔部５１，５２の各々の平面形状よりも２倍以上大きく形成されている。
（孔部５１，５２，５３の位置関係）
図１（ｂ）及び図２に示すように、孔部５１と孔部５２とは、平面視において互いに重ならないように設けられている。孔部５１は、孔部５１の全体が平面視において孔部５２と重ならないように設けられている。平面視において、孔部５１の全体が孔部５３に重なっており、孔部５２の全体が孔部５３に重なっている。孔部５１は、例えば、平面視において、孔部５３の内周面の近傍に設けられている。孔部５１は、例えば、平面視において、孔部５１の内周面の一部が孔部５３の内周面の一部と重なるように設けられている。孔部５２は、例えば、孔部５３の内周面の近傍に設けられている。孔部５２は、例えば、平面視において、孔部５２の内周面の一部が孔部５３の内周面の一部と重なるように設けられている。孔部５１と孔部５２とは、例えば、それら孔部５１，５２の全体が孔部５３と平面視で重なる範囲内において、互いに最も離れた位置に設けられている。ここで、孔部５３の内周面は、第１部分５３Ａと、第１部分５３Ａと孔部５３の中心軸Ａ１に対して点対称に配置された第２部分５３Ｂとを有している。中心軸Ａ１は、孔部５３の平面中心を通り、絶縁基板４０の厚さ方向に沿って延びている。本実施形態では、孔部５１の内周面の一部が第１部分５３Ａと平面視において重なっており、孔部５２の内周面の一部が第２部分５３Ｂと平面視において重なっている。このため、孔部５１，５２において互いに最も離れた内周面同士の距離は、平面方向において、第１部分５３Ａと第２部分５３Ｂとの間の距離、つまり孔部５３の直径と等しくなる。
図１（ｂ）に示すように、平面視において孔部５１，５３の内周面同士が重なった部分では、孔部５１の内周面と孔部５３の内周面（つまり、第１部分５３Ａ）とが絶縁基板４０の厚さ方向に連続して延びるように形成されている。また、平面視において孔部５２，５３の内周面同士が重なった部分では、孔部５２の内周面と孔部５３の内周面（つまり、第２部分５３Ｂ）とが絶縁基板４０の厚さ方向に連続して延びるように形成されている。
ガス孔５０は、断面視において、クランク形状に形成されている。ガス孔５０の断面形状は、２つの屈曲部分を有するクランク形状を有している。すなわち、ガス孔５０の断面形状は、反対面４０Ｂから上方に延びる孔部５１と、孔部５１の上端部から平面方向に延びる孔部５３と、孔部５３と平面視でずれた位置において孔部５３から上方に延びる孔部５２とによって構成されるクランク形状を有している。ガス孔５０では、ガス流路２１を通じて不活性ガスが孔部５１に導入され、その不活性ガスが孔部５１を通じて孔部５３に流入される。また、ガス孔５０では、孔部５３に流入された不活性ガスが孔部５３内において平面方向に移動された後に孔部５２に流入され、その不活性ガスが孔部５２を通じてガス孔５０から排出される。孔部５２から排出された不活性ガスは、例えば、載置面４０Ａに載置される吸着対象物の下面と載置面４０Ａとの間に充填されることにより、吸着対象物を冷却することができる。
（多孔質体６０の構成）
ガス孔５０の内部には、通気性を有する多孔質体６０が設けられている。多孔質体６０は、例えば、ガス孔５０のうち孔部５３の内部に設けられている。多孔質体６０は、多孔質体６０の内部に気孔を有している。気孔は、多孔質体６０の下側（孔部５１側）から多孔質体６０の上側（孔部５２側）に向けてガスが通過できるように孔部５１，５２と連通している。多孔質体６０は、例えば、アルミナビーズ等のセラミックビーズを孔部５３の内部に多数設けることにより形成されている。多孔質体６０としては、例えば、グラスファイバーや耐熱性樹脂スポンジなどを用いることもできる。多孔質体６０は、例えば、孔部５１，５２には設けられていない。
（静電電極７０の構成）
図１（ａ）に示すように、静電電極７０は、絶縁基板４０の内部に設けられている。静電電極７０は、例えば、膜状に形成された導電体層である。静電電極７０は、例えば、絶縁基板４０の内部において、載置面４０Ａの近傍に位置する部分に設けられている。静電電極７０は、例えば、絶縁層４２の上面に形成されている。静電電極７０は、例えば、絶縁層４２と絶縁層４３とにより挟まれるように設けられている。静電電極７０は、例えば、図示しない吸着用電源と電気的に接続される。静電電極７０は、吸着用電源から印加される電圧により生じる静電力によって、載置面４０Ａに吸着対象物を固定する。静電電極７０の材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）を用いることができる。なお、図１（ａ）では、１つの静電電極７０として示しているが、実際には同一平面上に配置された複数の電極を含む。
（作用）
次に、基板固定装置１０の作用について説明する。
基板固定装置１０は、例えば、図示しないチャンバ内に配置された状態で、静電チャック３０の載置面４０Ａに吸着対象物が載置される。そして、チャンバ内に原料ガスを導入するとともに、ベースプレート２０に高周波の電圧を印加することにより、プラズマを発生させて吸着対象物（例えば、ウェハ）に対する処理を実施する。このとき、ガス流路２１及びガス孔５０からなるガス供給部には、ガス供給源（図示略）からＨｅガス等の不活性ガスが導入される。不活性ガスは、ガス流路２１、ガス孔５０の孔部５１、孔部５３内の多孔質体６０及び孔部５２を順に通って、載置面４０Ａに載置された吸着対象物の下面に供給される。このようにプラズマを発生させている場合に、吸着対象物と金属製のベースプレート２０との間で異常放電が発生する場合がある。異常放電の経路としては、図１（ｂ）に示すように、ガス孔５０における不活性ガスの排出口、つまり孔部５２の上端部からガス孔５０の内部を通ってベースプレート２０に至る経路Ｒ１が挙げられる。経路Ｒ１は、例えば、孔部５２の上端部からガス孔５０の内部を通ってベースプレート２０の上面に至る最短経路である。
ここで、図１４に示す比較例のように、ガス孔５０Ｃの排出口５０Ｄからベースプレート２０の上面まで絶縁基板４０Ｃ（静電チャック３０Ｃ）の厚さ方向に沿って一直線に延びる経路Ｒ２がガス孔５０Ｃに存在する場合には、経路Ｒ２の長さが絶縁基板４０Ｃの厚さと一致する。すなわち、異常放電の経路Ｒ２の長さが絶縁基板４０Ｃの厚さ方向の寸法と一致する。
これに対し、図１（ｂ）に示すように、本実施形態の静電チャック３０では、絶縁基板４０の反対面４０Ｂに形成される孔部５１と、載置面４０Ａに形成される孔部５２とを、平面視において互いに重ならないように設けるようにした。この構成によれば、ガス孔５０の排出口である孔部５２の上端部と、ベースプレート２０の上面側に開口する孔部５１の下端部とを平面方向にずらすことができる。このため、異常放電の経路Ｒ１の長さを、孔部５１，５２の平面方向におけるずれ量の分だけ絶縁基板４０の厚さよりも長くできる。詳述すると、本実施形態の静電チャック３０における経路Ｒ１は、孔部５２の上端部から絶縁層４３の厚さ方向に沿って孔部５２の下端部まで延びる。経路Ｒ１は、例えば、孔部５３の内部において、孔部５２の下端部から孔部５１の上端部まで延びる。このとき、孔部５１と孔部５２とが平面視で互いにずれて設けられているため、孔部５２の下端部から孔部５１の上端部に至る最短経路が絶縁層４２の厚さ方向と交差する斜め方向に延びる。このため、孔部５３における経路Ｒ１の長さが絶縁層４２の厚さよりも長くなる。そして、経路Ｒ１は、孔部５１の上端部から絶縁層４１の厚さ方向に沿ってベースプレート２０の上面まで延びる。このように、経路Ｒ１の長さは、絶縁層４１～４３（絶縁基板４０）の厚さよりも長くなり、比較例の経路Ｒ２（図１４参照）よりも長くなる。これにより、ガス孔５０の内部に滞留するプラズマと不活性ガスとが衝突する確率を比較例に比べて下げることができる。この結果、異常放電の発生を好適に抑制でき、異常放電に起因する絶縁破壊等の発生を好適に抑制できる。
（基板固定装置１０の製造方法）
次に、基板固定装置１０の製造方法について説明する。ここでは、静電チャック３０の製造方法について詳述する。
まず、図３（ａ）に示す工程では、セラミックス材料と有機材料とからなるグリーンシート８１，８２，８３を準備する。各グリーンシート８１，８２，８３は、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ）をバインダ、溶剤等と混合したシート状のものである。各グリーンシート８１，８２，８３の平面形状の大きさは、図１（ａ）に示した絶縁基板４０の平面形状の大きさに対応する。
グリーンシート８３は、後述する工程において焼成されることにより、図１（ａ）に示した絶縁層４３となるものである。グリーンシート８３には、グリーンシート８３を厚さ方向に貫通する貫通孔８３Ｘが設けられている。貫通孔８３Ｘは、図１（ａ）に示した孔部５２に対応する位置に設けられている。貫通孔８３Ｘの平面形状の大きさは、図１（ａ）に示した孔部５２の平面形状の大きさよりも小さく形成されている。グリーンシート８２は、後述する工程において焼成されることにより、図１（ａ）に示した絶縁層４２となるものである。グリーンシート８２には、グリーンシート８２を厚さ方向に貫通する貫通孔８２Ｘが設けられている。貫通孔８２Ｘは、図１（ａ）に示した孔部５３に対応する位置に設けられている。貫通孔８２Ｘの平面形状の大きさは、図１（ａ）に示した孔部５３の平面形状の大きさに応じて設定されている。グリーンシート８１は、後述する工程において焼成されることにより、図１（ａ）に示した絶縁層４１となるものである。グリーンシート８１には、貫通孔が形成されていない。なお、貫通孔８２Ｘ，８３Ｘは、例えば、レーザ加工法や機械加工法によって形成される。
次に、図３（ｂ）に示す工程では、各グリーンシート８１，８２，８３を加熱しながら加圧することにより、各グリーンシート８１，８２，８３を厚さ方向に圧縮する。本工程により、各グリーンシート８１，８２，８３の厚さ方向の寸法が本工程前に比べて小さくなる。このように各グリーンシート８１，８２，８３を厚さ方向に圧縮することにより、後述する工程において各グリーンシート８１，８２，８３を焼成する際における各グリーンシート８１，８２，８３の収縮量を安定して制御できるようになる。
続いて、図４（ａ）に示す工程では、グリーンシート８２の上面に、例えば印刷法（スクリーン印刷）により、導電ペーストを用いて導電体パターン７１を形成する。この導電体パターン７１は、後述する工程において焼成されることにより、図１（ａ）に示した静電電極７０となるものである。なお、導電ペーストとしては、モリブデン等の金属粒子あるいは導電性セラミック粒子と、バインダと、溶剤とを含むものを用いることができる。なお、導電体パターン７１は、グリーンシート８３の下面に形成されてもよい。
また、図４（ａ）に示す工程では、導電体パターン７１が形成された面を上にした状態でグリーンシート８２を、グリーンシート８１の上に配置する。そして、グリーンシート８１，８２を積層する。グリーンシート８１，８２は、例えば、加熱しながら加圧することにより、互いに接着される。本工程により、グリーンシート８２の貫通孔８２Ｘの下方側の開口がグリーンシート８１により塞がれる。
次に、図４（ｂ）に示す工程では、図１（ａ）に示した多孔質体６０の前駆体となるペースト材６１を、スキージ等を用いて貫通孔８２Ｘに充填する。このとき、貫通孔８２Ｘの一方（ここでは、下方側）の開口がグリーンシート８１により塞がれているため、貫通孔８２Ｘ内にペースト材６１を容易に充填することができる。ペースト材６１は、例えば、図１（ａ）に示した多孔質体６０を構成するアルミナビーズ等のセラミックビーズを含むものである。ペースト材６１としては、例えば、アルミナビーズと、バインダと、溶剤とを含むものを用いることができる。
続いて、図５（ａ）に示す工程では、グリーンシート８２を上側に配置した状態のグリーンシート８１，８２の上に、グリーンシート８３を配置する。このとき、貫通孔８３Ｘが平面視において貫通孔８２Ｘと重なるように、グリーンシート８１，８２，８３が位置合わせされる。そして、グリーンシート８１，８２，８３を積層して構造体８０を形成する。グリーンシート８１，８２，８３は、例えば、加熱しながら加圧することにより、互いに接着される。本工程により、グリーンシート８２とグリーンシート８３との間に導電体パターン７１が内蔵されるとともに、貫通孔８３Ｘが貫通孔８２Ｘと連通される。
次いで、図５（ｂ）に示す工程では、図５（ａ）に示した構造体８０を焼成する。これにより、グリーンシート８１，８２，８３がそれぞれ焼結されて絶縁層４１，４２，４３が形成され、それら絶縁層４１，４２，４３が積層されたセラミックス基板８０Ａが形成される。焼成する際の温度は、例えば、１５００℃～１６００℃である。本工程の焼成により、図５（ａ）に示したペースト材６１の溶媒等の有機成分が揮発されるとともに、ペースト材６１のアルミナビーズが焼結される。これにより、貫通孔８２Ｘの内部に多数のアルミナビーズが設けられ、貫通孔８２Ｘの内部に多孔質体６０が形成される。このとき、絶縁層４３に貫通孔８３Ｘが形成されているため、ペースト材６１の有機成分が揮発することにより発生するガスを、貫通孔８３Ｘを通じてセラミックス基板８０Ａの外部に好適に排出することができる。これにより、上述したガスに起因して、絶縁層４１，４３が外側に膨らむように変形することを好適に抑制できる。なお、セラミックス基板８０Ａは、図５（ａ）に示した導電体パターン７１が焼結されて得られた静電電極７０を内蔵する。このようなセラミックス基板８０Ａに対して各種の加工が施される。
次に、図６（ａ）に示す工程では、絶縁層４１を厚さ方向に貫通して貫通孔８２Ｘに連通する貫通孔８１Ｘを形成するとともに、絶縁層４３を厚さ方向に貫通して貫通孔８２Ｘに連通する貫通孔８３Ｙを形成する。ここで、貫通孔８１Ｘは孔部５１に対応し、貫通孔８２Ｘは孔部５３に対応し、貫通孔８３Ｙは孔部５２に対応する。これにより、貫通孔８１Ｘ，８２Ｘ，８３Ｙを有するガス孔５０がセラミックス基板８０Ａに形成される。貫通孔８３Ｙは、例えば、図５（ｂ）に示した貫通孔８３Ｘの開口幅を大きくするように形成される。貫通孔８１Ｘは、貫通孔８３Ｙと平面視で重ならないように形成される。貫通孔８１Ｘ，８３Ｙは、例えば、レーザ加工法や機械加工法によって形成される。
続いて、図６（ｂ）に示す工程では、セラミックス基板８０Ａの上下両面が研磨される。これにより、セラミックス基板８０Ａの上面が載置面４０Ａに形成される。次いで、載置面４０Ａに多数の凹部４５を形成し、載置面４０Ａにエンボス４４を形成する。これにより、図１（ａ）に示した絶縁基板４０が得られる。なお、凹部４５は、例えば、レーザ加工法や機械加工法によって形成される。
以上の製造工程により、静電チャック３０を製造することができる。
本実施形態において、絶縁層４１は第１絶縁層の一例、絶縁層４２は第２絶縁層の一例、絶縁層４３は第３絶縁層の一例、孔部５１は第１孔部の一例、孔部５２は第２孔部の一例、孔部５３は第３孔部の一例である。また、グリーンシート８１は第１グリーンシートの一例、グリーンシート８２は第２グリーンシートの一例、グリーンシート８３は第３グリーンシートの一例である。また、貫通孔８２Ｘは第１貫通孔の一例、貫通孔８１Ｘは第２貫通孔の一例、貫通孔８３Ｙは第３貫通孔の一例、貫通孔８３Ｘは第４貫通孔の一例である。
（効果）
次に、本実施形態の効果を説明する。
（１）絶縁基板４０の反対面４０Ｂから載置面４０Ａに向かって延びる孔部５１と、載置面４０Ａから反対面４０Ｂに向かって延びる孔部５２とを、平面視において互いに重ならないように設けるようにした。この構成によれば、ガス孔５０の排出口である孔部５２の上端部と、ベースプレート２０の上面側に開口する孔部５１の下端部とを平面方向にずらすことができる。このため、異常放電の経路Ｒ１の長さを、孔部５１，５２の平面方向におけるずれ量の分だけ絶縁基板４０の厚さよりも長くできる。これにより、ガス孔５０の内部に滞留するプラズマと不活性ガスとが衝突する確率を下げることができる。この結果、異常放電の発生を好適に抑制でき、異常放電に起因した絶縁破壊等の発生を好適に抑制できる。
（２）孔部５３の平面形状を、孔部５１及び孔部５２の平面形状よりも大きく形成した。この構成によれば、孔部５３に平面視で重なった状態において、孔部５１と孔部５２との平面方向におけるずれ量を容易に大きくできる。これにより、異常放電の経路Ｒ１の長さを容易に長くできる。
（３）孔部５１を、孔部５１の全体が孔部５３と重なるように、且つ孔部５１の内周面の一部が孔部５３の内周面の第１部分５３Ａと平面視で重なるように設けた。また、孔部５２を、孔部５２の全体が孔部５３と重なるように、且つ孔部５２の内周面の一部が孔部５３の内周面の第２部分５３Ｂと平面視で重なるように設けた。この構成によれば、孔部５１と孔部５２とを、それら孔部５１，５２の全体が孔部５３と平面視で重なる範囲内において、互いに最も離れた位置に設けることができる。これにより、平面方向における孔部５１と孔部５２とのずれ量をより大きくできるため、異常放電の経路Ｒ１の長さをより長くできる。したがって、異常放電の発生をより好適に抑制できる。
（４）孔部５３の内部に多孔質体６０を設けた。これにより、ガス孔５０、特に孔部５３の内部におけるプラズマの滞留を抑制できる。この結果、ガス孔５０の内部に滞留するプラズマと不活性ガスとが衝突する確率を下げることができるため、異常放電の発生を抑制できる。
（第２実施形態）
以下、図７～図９に従って第２実施形態について説明する。この実施形態では、静電チャック３０の製造方法が第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。先の図１～図６に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
まず、図７（ａ）に示す工程では、貫通孔８１Ｘを有するグリーンシート８１と、貫通孔８２Ｘを有するグリーンシート８２と、貫通孔８３Ｙを有するグリーンシート８３とを準備する。ここで、貫通孔８１Ｘは、図１（ａ）に示した孔部５１に対応する位置に設けられている。貫通孔８１Ｘの平面形状の大きさは、図１（ａ）に示した孔部５１の平面形状の大きさに応じて設定されている。貫通孔８３Ｙは、図１（ａ）に示した孔部５２に対応する位置に設けられている。貫通孔８３Ｙの平面形状の大きさは、図１（ａ）に示した孔部５２の平面形状の大きさに応じて設定されている。貫通孔８１Ｘと貫通孔８３Ｙとは、平面視において、互いに重ならない位置に形成される。
次に、図７（ｂ）に示す工程では、各グリーンシート８１，８２，８３を加熱しながら加圧することにより、各グリーンシート８１，８２，８３を厚さ方向に圧縮する。
続いて、図８（ａ）に示す工程では、グリーンシート８２の上面に、例えばスクリーン印刷により、導電体パターン７１を形成する。なお、導電体パターン７１は、グリーンシート８３の下面に形成されてもよい。
また、図８（ａ）に示す工程では、導電体パターン７１が形成された面を上にした状態でグリーンシート８２を、グリーンシート８１の上に配置する。このとき、貫通孔８１Ｘが平面視において貫通孔８２Ｘと重なるように、グリーンシート８１，８２が位置合わせされる。そして、グリーンシート８１，８２を積層する。
次に、図８（ｂ）に示す工程では、貫通孔８２Ｘにペースト材６１を充填する。
続いて、図９（ａ）に示す工程では、グリーンシート８２を上側に配置した状態のグリーンシート８１，８２の上に、グリーンシート８３を配置する。このとき、貫通孔８３Ｙが平面視において貫通孔８２Ｘと重なるように、且つ貫通孔８３Ｙが平面視において貫通孔８１Ｘと重ならないように、グリーンシート８１，８２，８３が位置合わせされる。そして、グリーンシート８１，８２，８３を積層して構造体８０を形成する。
次いで、図９（ｂ）に示す工程では、図９（ａ）に示した構造体８０を焼成する。これにより、グリーンシート８１，８２，８３がそれぞれ焼結されて絶縁層４１，４２，４３が形成され、それら絶縁層４１，４２，４３が積層されたセラミックス基板８０Ａが形成される。本工程の焼成により、図９（ａ）に示したペースト材６１の溶媒等の有機成分が揮発されるとともに、ペースト材６１のアルミナビーズが焼結される。これにより、貫通孔８２Ｘの内部に多数のアルミナビーズからなる多孔質体６０が形成される。このとき、絶縁層４１，４３に貫通孔８１Ｘ，８３Ｙが形成されているため、ペースト材６１の有機成分が揮発することにより発生するガスを、貫通孔８１Ｘ，８３Ｙを通じてセラミックス基板８０Ａの外部に好適に排出することができる。これにより、上述したガスに起因して、絶縁層４１，４３が外側に膨らむように変形することを好適に抑制できる。本工程により、貫通孔８１Ｘ，８２Ｘ，８３Ｙを有するガス孔５０がセラミックス基板８０Ａに形成される。このとき、貫通孔８１Ｘは孔部５１に対応し、貫通孔８２Ｘは孔部５３に対応し、貫通孔８３Ｙは孔部５２に対応する。
その後、セラミックス基板８０Ａの上下両面が研磨される。これにより、セラミックス基板８０Ａの上面が載置面４０Ａに形成される。次いで、載置面４０Ａに多数の凹部４５を形成し、載置面４０Ａにエンボス４４を形成する。これにより、絶縁基板４０及び静電チャック３０を製造することができる。
以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）～（４）の効果と同様の効果を奏することができる。
（第３実施形態）
以下、図１０～図１２に従って第３実施形態について説明する。この実施形態では、静電チャック３０の製造方法が第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。先の図１～図９に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
まず、図１０（ａ）に示す工程では、グリーンシート８１と、貫通孔８２Ｘを有するグリーンシート８２と、グリーンシート８３とを準備する。ここで、グリーンシート８１，８３には、貫通孔が形成されていない。
次に、図１０（ｂ）に示す工程では、各グリーンシート８１，８２，８３を加熱しながら加圧することにより、各グリーンシート８１，８２，８３を厚さ方向に圧縮する。
続いて、図１１（ａ）に示す工程では、グリーンシート８２の上面に、例えばスクリーン印刷により、導電体パターン７１を形成する。なお、導電体パターン７１は、グリーンシート８３の下面に形成されてもよい。
次いで、導電体パターン７１が形成された面を上にした状態でグリーンシート８２を、グリーンシート８１の上に積層する。
次に、貫通孔８２Ｘにペースト材６１を充填する。このとき、貫通孔８２Ｘの一方（ここでは、下方側）の開口がグリーンシート８１により塞がれているため、貫通孔８２Ｘ内にペースト材６１を容易に充填することができる。
続いて、図１１（ｂ）に示す工程では、グリーンシート８２を上側に配置した状態のグリーンシート８１，８２の上に、グリーンシート８３を配置する。そして、グリーンシート８１，８２，８３を積層して構造体８０を形成する。
次いで、図１２（ａ）に示す工程では、図１１（ｂ）に示した構造体８０を焼成する。これにより、グリーンシート８１，８２，８３がそれぞれ焼結されて絶縁層４１，４２，４３が形成され、それら絶縁層４１，４２，４３が積層されたセラミックス基板８０Ａが形成される。本工程の焼成により、貫通孔８２Ｘの内部には、図１１（ｂ）に示したペースト材６１から多孔質体６０が形成される。
次に、図１２（ｂ）に示す工程では、絶縁層４１を厚さ方向に貫通して貫通孔８２Ｘに連通する貫通孔８１Ｘを形成するとともに、絶縁層４３を厚さ方向に貫通して貫通孔８２Ｘに連通する貫通孔８３Ｙを形成する。ここで、貫通孔８１Ｘは孔部５１に対応し、貫通孔８２Ｘは孔部５３に対応し、貫通孔８３Ｙは孔部５２に対応する。これにより、貫通孔８１Ｘ，８２Ｘ，８３Ｙを有するガス孔５０がセラミックス基板８０Ａに形成される。
その後、セラミックス基板８０Ａの上下両面が研磨される。これにより、セラミックス基板８０Ａの上面が載置面４０Ａに形成される。次いで、載置面４０Ａに多数の凹部４５を形成し、載置面４０Ａにエンボス４４を形成する。これにより、絶縁基板４０及び静電チャック３０を製造することができる。
以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）～（４）の効果と同様の効果を奏することができる。
（他の実施形態）
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記各実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
・上記各実施形態では、孔部５１を、孔部５１の内周面の一部が平面視において孔部５３の内周面の第１部分５３Ａと重なるように設けるようにしたが、孔部５１の形成位置は特に限定されない。
例えば図１３に示すように、孔部５１を、平面視において、孔部５３と重なる位置であって、孔部５３の内周面から離れた位置に設けるようにしてもよい。
・上記各実施形態では、孔部５２を、孔部５２の内周面の一部が平面視において孔部５３の内周面の第２部分５３Ｂと重なるように設けるようにしたが、孔部５２の形成位置は特に限定されない。
例えば図１３に示すように、孔部５２を、平面視において、孔部５３と重なる位置であって、孔部５３の内周面から離れた位置に設けるようにしてもよい。
・上記各実施形態では、孔部５１の全体が平面視で孔部５３と重なるようにしたが、これに限定されない。例えば、孔部５１の一部のみが平面視で孔部５３と重なるようにしてもよい。すなわち、孔部５１と孔部５３とを、平面視において、互いに部分的に重なるように設けるようにしてもよい。
・上記各実施形態では、孔部５２の全体が平面視で孔部５３と重なるようにしたが、これに限定されない。例えば、孔部５２の一部のみが平面視で孔部５３と重なるようにしてもよい。すなわち、孔部５２と孔部５３とを、平面視において、互いに部分的に重なるように設けるようにしてもよい。
・上記各実施形態において、絶縁層４１と絶縁層４２とを接着層により互いに接合するようにしてもよい。また、絶縁層４２と絶縁層４３とを接着層により互いに接合するようにしてもよい。
・上記各実施形態の絶縁基板４０は、３層の絶縁層４１，４２，４３が積層された構造を有しているが、これに限定されない。例えば、絶縁基板４０を、４層以上の絶縁層が積層された構造を有するようにしてもよい。例えば、絶縁基板４０を４層の絶縁層が積層された構造に具体化し、孔部５３を２層の絶縁層を厚さ方向に貫通するように形成してもよい。
・上記各実施形態のガス孔５０を、断面視において、１つのクランク形状を有する構造に形成したが、ガス孔５０の形状は特に限定されない。例えば、ガス孔５０を、断面視において、２つ以上のクランク形状が連続する構造に形成してもよい。
・上記各実施形態の静電チャック３０の構造は特に限定されない。例えば、絶縁基板４０の内部に、基板固定装置１０の外部から電圧を印加することで発熱し、絶縁基板４０の載置面４０Ａが所定の温度となるように加熱する発熱体（ヒータ）を設けるようにしてもよい。
・上記各実施形態のベースプレート２０の構造は特に限定されない。例えば、ガス流路２１の形状は特に限定されない。また、ベースプレート２０の内部にヒータを設けるようにしてもよい。
・上記各実施形態の載置面４０Ａにおけるエンボス４４を省略してもよい。
・上記各実施形態における基板固定装置１０は、半導体製造装置、例えばドライエッチング装置に適用される。ドライエッチング装置としては、例えば、平行平板型の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）装置を挙げることができる。また、基板固定装置１０は、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置やスパッタ装置などの半導体製造装置にも適用できる。
１０ 基板固定装置
２０ ベースプレート
２１ ガス流路
３０ 静電チャック
４０ 絶縁基板
４０Ａ 載置面
４０Ｂ 反対面
４１ 絶縁層（第１絶縁層）
４２ 絶縁層（第２絶縁層）
４３ 絶縁層（第３絶縁層）
５０ ガス孔
５１ 孔部（第１孔部）
５２ 孔部（第２孔部）
５３ 孔部（第３孔部）
５３Ａ 第１部分
５３Ｂ 第２部分
６０ 多孔質体
６１ ペースト材
７０ 静電電極
８１ グリーンシート（第１グリーンシート）
８１Ｘ 貫通孔（第２貫通孔）
８２ グリーンシート（第２グリーンシート）
８２Ｘ 貫通孔（第１貫通孔）
８３ グリーンシート（第３グリーンシート）
８３Ｘ 貫通孔（第４貫通孔）
８３Ｙ 貫通孔（第３貫通孔）
Ａ１ 中心軸
Ｒ１ 経路

Claims (10)

  1. 吸着対象物が載置される載置面と、前記載置面と反対側に設けられた反対面とを有する絶縁基板と、
    前記反対面から前記載置面までを貫通するガス孔と、を有し、
    前記ガス孔は、前記反対面から前記載置面に向かって延びる第１孔部と、前記載置面から前記反対面に向かって延びる第２孔部と、前記第１孔部と前記第２孔部との間に設けられ、前記第１孔部と前記第２孔部とを連通する第３孔部とを有し、
    前記第１孔部は、平面視において、前記第２孔部と重ならないように設けられている静電チャック。
  2. 前記第３孔部は、前記第１孔部及び前記第２孔部よりも平面形状が大きく形成されている請求項１に記載の静電チャック。
  3. 前記第１孔部は、平面視において、前記第１孔部の全体が前記第３孔部と重なるように設けられており、
    前記第２孔部は、平面視において、前記第２孔部の全体が前記第３孔部と重なるように設けられている請求項２に記載の静電チャック。
  4. 前記第３孔部の内周面は、第１部分と、前記第１部分と前記第３孔部の中心軸に対して点対称に配置された第２部分とを有し、
    前記第１孔部は、平面視において、前記第１孔部の内周面の一部が前記第１部分と重なるように設けられており、
    前記第２孔部は、平面視において、前記第２孔部の内周面の一部が前記第２部分と重なるように設けられている請求項３に記載の静電チャック。
  5. 前記第３孔部の内部に設けられた多孔質体を更に有する請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の静電チャック。
  6. 前記絶縁基板は、前記反対面を有する第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に積層された第２絶縁層と、前記載置面を有し、前記第２絶縁層上に積層された第３絶縁層とを有し、
    前記第１孔部は、前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通しており、
    前記第２孔部は、前記第３絶縁層を厚さ方向に貫通しており、
    前記第３孔部は、前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通している請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の静電チャック。
  7. 請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の静電チャックと、
    前記静電チャックの前記反対面に接合されたベースプレートと、を有する基板固定装置。
  8. 第１グリーンシートと、第１貫通孔を有する第２グリーンシートと、第３グリーンシートとを準備する工程と、
    前記第１グリーンシート上に前記第２グリーンシートを積層する工程と、
    前記第１貫通孔の内部に、セラミックビーズと溶媒とを含むペースト材を充填する工程と、
    前記第２グリーンシート上に前記第３グリーンシートを積層する工程と、
    互いに積層された前記第１グリーンシートと前記第２グリーンシートと前記第３グリーンシートとを焼成する工程と、
    前記第１グリーンシートを厚さ方向に貫通する第２貫通孔を形成する工程と、
    前記第３グリーンシートを厚さ方向に貫通する第３貫通孔を形成する工程と、を有し、
    前記焼成する工程では、前記溶媒を揮発させるとともに前記セラミックビーズを焼結させることにより、前記第１貫通孔内に多孔質体が形成され、
    前記第１貫通孔は、前記第２貫通孔と前記第３貫通孔とを連通するように形成され、
    前記第２貫通孔と前記第３貫通孔とは、平面視において互いに重ならないように形成される静電チャックの製造方法。
  9. 前記第２グリーンシート上に前記第３グリーンシートを積層する工程の前に、前記第３グリーンシートを厚さ方向に貫通する第４貫通孔を形成する工程を有し、
    前記焼成する工程の後に、前記第２貫通孔を形成する工程と前記第３貫通孔を形成する工程とを実施し、
    前記第３貫通孔を形成する工程では、前記第４貫通孔の開口幅を大きくするように前記第３貫通孔が形成される請求項８に記載の静電チャックの製造方法。
  10. 前記第１グリーンシート上に前記第２グリーンシートを積層する工程の前に、前記第２貫通孔を形成する工程を実施し、
    前記第２グリーンシート上に前記第３グリーンシートを積層する工程の前に、前記第３貫通孔を形成する工程を実施する請求項８に記載の静電チャックの製造方法。
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