KR102540626B1 - Container, processing apparatus, particle removing method, and method of manufacturing article - Google Patents
Container, processing apparatus, particle removing method, and method of manufacturing article Download PDFInfo
- Publication number
- KR102540626B1 KR102540626B1 KR1020190154163A KR20190154163A KR102540626B1 KR 102540626 B1 KR102540626 B1 KR 102540626B1 KR 1020190154163 A KR1020190154163 A KR 1020190154163A KR 20190154163 A KR20190154163 A KR 20190154163A KR 102540626 B1 KR102540626 B1 KR 102540626B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- plate
- unit
- substrate
- contact
- container
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67396—Closed carriers characterised by the presence of antistatic elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
Abstract
본 발명은 기판을 처리하기 위한 처리 장치 내의 파티클을 제거하기 위해 사용되는 플레이트를 수용하는 용기를 제공하며, 상기 용기는 보관된 플레이트를 대전시키도록 구성되는 대전 유닛을 포함하고, 대전 유닛은 플레이트에 접촉하도록 구성되는 접촉자를 포함하며, 접촉자를 통해서 플레이트에 전하를 공급한 후에 접촉자를 플레이트로부터 분리함으로써 플레이트를 대전시키도록 구성된다.The present invention provides a container for accommodating a plate used to remove particles in a processing apparatus for processing a substrate, the container including a charging unit configured to charge stored plates, the charging unit to the plate. It includes a contactor configured to make contact, and is configured to charge the plate by separating the contactor from the plate after supplying charge to the plate through the contactor.
Description
본 발명은, 파티클 제거 처리에 사용되는 플레이트를 수용하는 용기, 처리 장치, 파티클 제거 방법 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a container for accommodating a plate used in a particle removal treatment, a treatment device, a particle removal method, and a method of manufacturing an article.
반도체 디바이스 등을 제조하기 위해서 기판을 처리하는 기판 처리 장치에서는, 장치 내에 존재하는 파티클이 기판 등에 부착되면, 기판을 정확하게 처리하는 것이 곤란해질 수 있다. 기판 처리 장치의 예는 기판 상에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치이다. 특히, 임프린트 장치는 몰드와 기판 상의 임프린트재를 서로 직접 접촉시킨다. 따라서, 몰드와 기판 사이에 파티클이 존재하는 경우, 기판 상에 형성되는 패턴이 불량해질 수 있고 몰드의 수명이 짧아질 수 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서, 기판 처리 장치는 장치 내의 파티클을 제거하는 처리를 행할 수 있다.In a substrate processing apparatus that processes substrates for manufacturing semiconductor devices and the like, if particles present in the apparatus adhere to the substrate or the like, it may be difficult to accurately process the substrate. An example of a substrate processing apparatus is a lithography apparatus that forms a pattern on a substrate. In particular, the imprint apparatus brings the mold and the imprint material on the substrate into direct contact with each other. Therefore, when particles are present between the mold and the substrate, a pattern formed on the substrate may deteriorate and the life of the mold may be shortened. In order to solve this problem, the substrate processing apparatus may perform a process of removing particles in the apparatus.
일본 특허 공개 제2000-260671호는, 절연막으로 덮인 분진 흡착 웨이퍼를 코로나 방전 방식에 의해 대전시키고 대전된 웨이퍼를 장치 내에 반송함으로써, 장치 내에 부유하는 분진을 제거하는 기술을 제안하고 있다. 또한, 일본 특허 공개 제2015-126092호는, 절연 재료로 구성된 클리닝용 웨이퍼를 코로나 방전 방식에 의해 대전시키고, 대전된 웨이퍼를 장치 내에 반송함으로써, 장치 내의 파티클을 흡착해서 포집하는 기술을 제안하고 있다.Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-260671 proposes a technique of removing dust floating in an apparatus by charging a dust adsorbing wafer covered with an insulating film by a corona discharge method and conveying the charged wafer into the apparatus. Further, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-126092 proposes a technique of adsorbing and collecting particles in the device by charging a cleaning wafer made of an insulating material by a corona discharge method and transporting the charged wafer into the device. .
일본 특허 공개 제2000-260671호 및 일본 특허 공개 제2015-126092호 각각에서는, 코로나 방전 방식을 사용해서 웨이퍼를 대전시키는 방법이 사용되고 있다. 이 방법에서는, 일반적으로, 전극 바늘에 몇 kV의 고전압을 인가해서 전극 바늘의 주위에 전계를 발생시키고, 이 전극 바늘로부터 지속적으로 일어나는 코로나 방전 현상을 이용함으로써, 대상물(웨이퍼)에 정 또는 부의 전하를 부여할 수 있다. 그러나, 코로나 방전 방식에서는 오존이 발생하기 때문에, 오존의 산화력이 기판 등을 산화시키거나, 장치 내의 부품을 열화시키거나 할 수 있다. 방전에 의해 전극 바늘 자신이 산화/열화되어서 분진이 발생하기도 한다.In each of Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-260671 and Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-126092, a method of charging a wafer using a corona discharge method is used. In this method, generally, a high voltage of several kV is applied to the electrode needle to generate an electric field around the electrode needle, and a corona discharge phenomenon continuously occurring from the electrode needle is used to charge the object (wafer) with positive or negative charge. can be granted. However, since ozone is generated in the corona discharge method, the oxidizing power of ozone may oxidize the substrate or the like or deteriorate parts within the device. Electrode needles themselves are oxidized/degraded by discharge, and dust may be generated.
본 발명은, 예를 들어 파티클 제거 처리를 효과적으로 행하는데 유리한 기술을 제공한다.The present invention provides a technique advantageous for effectively performing, for example, a particle removal process.
본 발명의 일 양태에 따르면, 기판을 처리하는 처리 장치 내의 파티클을 제거하기 위해 사용되는 플레이트를 수용하는 용기로서, 보관된 상기 플레이트를 대전시키도록 구성되는 대전 유닛을 포함하고, 상기 대전 유닛은, 상기 플레이트에 접촉하도록 구성되는 접촉자를 포함하고, 상기 접촉자를 통해서 상기 플레이트에 전하를 공급한 후에 상기 접촉자를 상기 플레이트로부터 분리시킴으로써 상기 플레이트를 대전시키도록 구성되는, 용기가 제공된다.According to one aspect of the present invention, a container for accommodating a plate used to remove particles in a processing apparatus for processing a substrate, comprising a charging unit configured to charge the stored plate, the charging unit comprising: A container is provided comprising a contact configured to contact the plate and configured to charge the plate by disengaging the contact from the plate after supplying charge to the plate through the contact.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시형태에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.Additional features of the present invention will become apparent from the following description of exemplary embodiments with reference to the accompanying drawings.
도 1은 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 2는 플레이트(P)의 구성예를 도시하는 도면이다.
도 3은 플레이트(P)를 수용하는 용기의 구성을 도시하는 도면이다.
도 4는 접촉자의 구성예를 도시하는 도면이다.
도 5는 접촉자의 다른 구성예를 도시하는 도면이다.
도 6은 대전된 플레이트(P)를 도시하는 도면이다.
도 7은 클리닝 처리를 도시하는 흐름도이다.
도 8은 검출 유닛을 포함하는 대전 유닛의 구성을 도시하는 도면이다.
도 9는 플레이트(P')의 구성예를 도시하는 도면이다.
도 10은 플레이트(P')를 수용하는 용기의 구성을 도시하는 도면이다.
도 11은 대전된 플레이트(P')를 도시하는 도면이다.
도 12는 제4 실시형태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 13a 및 도 13b는 장치 내에서 플레이트를 대전시킨 상태를 각각 도시하는 개략도이다.
도 14a 내지 도 14f는 물품의 제조 방법을 도시하는 도면이다.1 is a schematic diagram showing the configuration of an imprint apparatus according to a first embodiment.
2 is a diagram showing a configuration example of the plate P. As shown in FIG.
3 is a diagram showing the configuration of a container for accommodating the plate P. As shown in FIG.
4 is a diagram showing a configuration example of a contactor.
5 is a diagram showing another configuration example of the contactor.
6 is a diagram showing a charged plate P.
7 is a flowchart showing cleaning processing.
8 is a diagram showing the configuration of a charging unit including a detection unit.
Fig. 9 is a diagram showing a configuration example of the plate P'.
Fig. 10 is a diagram showing the configuration of a container for accommodating the plate P'.
Fig. 11 is a diagram showing a charged plate P'.
12 is a schematic diagram showing the configuration of an imprint apparatus according to a fourth embodiment.
13A and 13B are schematic diagrams each showing a state in which a plate is charged in the device.
14A to 14F are diagrams illustrating a method of manufacturing an article.
본 발명의 예시적인 실시형태를 첨부 도면을 참고하여 이하에서 설명한다. 동일한 참조 번호는 도면 전체를 통해 동일한 부재를 나타내며, 그에 대한 반복적인 설명은 주어지지 않는다는 것에 유의한다.Exemplary embodiments of the present invention are described below with reference to the accompanying drawings. It is noted that like reference numerals denote like elements throughout the drawings, and repeated descriptions thereof are not given.
본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 적용된다. 기판 처리 장치의 예는 감광 매체를 기판 상에 도포하는 도포 장치, 및 잠상 패턴이 형성된 기판을 현상하는 현상 장치이다. 기판 처리 장치의 다른 예는, 기판 상에 막을 형성하는 퇴적 장치, 평면 형상을 갖는 몰드를 사용해서 기판 상의 조성물을 평탄화하는 평탄화 장치, 및 기판 상에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치이다. 리소그래피 장치의 예는, 몰드를 사용해서 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치, 기판을 노광해서 마스크의 패턴을 기판에 전사하는 노광 장치, 및 하전 입자선을 사용해서 기판 상에 패턴을 형성하는 묘화 장치이다. 이하의 실시형태 각각에서는, 기판 처리 장치로서 임프린트 장치를 예시한다.The present invention is applied to a substrate processing apparatus that processes a substrate. Examples of the substrate processing apparatus are an application apparatus that applies a photosensitive medium onto a substrate, and a developing apparatus that develops a substrate on which a latent image pattern is formed. Other examples of the substrate processing apparatus are a deposition apparatus for forming a film on a substrate, a flattening apparatus for flattening a composition on a substrate using a mold having a planar shape, and a lithography apparatus for forming a pattern on the substrate. Examples of the lithography apparatus include an imprint apparatus that forms a pattern of an imprint material on a substrate using a mold, an exposure apparatus that transfers a pattern of a mask to the substrate by exposing the substrate, and forming a pattern on the substrate using charged particle beams. It is a drawing device that In each of the following embodiments, an imprint device is exemplified as a substrate processing device.
<제1 실시형태><First Embodiment>
본 발명의 제1 실시형태에 대해서 설명한다. 일반적으로, 임프린트 장치는, 기판 상에 공급된 임프린트재와 몰드를 서로 접촉시키고, 임프린트재에 경화용의 에너지를 부여함으로써, 몰드의 요철 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성하는 장치이다. 본 실시형태에 따른 임프린트 장치는, 반도체 디바이스 등의 제조에 사용되며, 요철 패턴을 갖는 몰드(원판)를 사용하여, 기판의 샷 영역 위에 공급된 임프린트재에 당해 패턴을 전사하는 임프린트 처리를 행한다. 예를 들어, 임프린트 장치는, 패턴을 갖는 몰드를 기판 상의 임프린트재에 접촉시킨 상태에서 당해 임프린트재를 경화시킨다. 임프린트 장치는, 몰드와 기판 사이의 간격을 넓혀서, 경화된 임프린트재로부터 몰드를 분리(이형)시킴으로써, 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성할 수 있다.The first embodiment of the present invention will be described. In general, an imprint device is a device that forms a pattern of a cured product onto which a concave-convex pattern of the mold is transferred by bringing an imprint material supplied onto a substrate and a mold into contact with each other and applying curing energy to the imprint material. The imprint apparatus according to the present embodiment is used for manufacturing semiconductor devices and the like, and performs an imprint process in which the pattern is transferred to an imprint material supplied on a shot region of a substrate using a mold (original plate) having a concavo-convex pattern. For example, the imprint apparatus cures the imprint material in a state where a mold having a pattern is brought into contact with the imprint material on the substrate. The imprint apparatus can form a pattern of the imprint material on the substrate by widening the gap between the mold and the substrate and separating (releasing) the mold from the cured imprint material.
임프린트재로서는, 경화용의 에너지에 의해 경화되는 경화성 조성물(이하에서 미경화 상태의 수지라고도 칭함)이 사용된다. 경화용의 에너지로서는, 전자기파, 열 등이 사용된다. 전자기파는, 예를 들어 그 파장이 10 nm(포함) 내지 1 mm(포함)의 범위로부터 선택되는 적외선, 가시광선, 또는 UV 선 등의 광이다.As the imprint material, a curable composition that is cured by energy for curing (hereinafter also referred to as an uncured resin) is used. As energy for hardening, electromagnetic waves, heat, and the like are used. Electromagnetic waves are, for example, light such as infrared rays, visible rays, or UV rays whose wavelengths are selected from the range of 10 nm (inclusive) to 1 mm (inclusive).
경화성 조성물은 광 조사 또는 가열에 의해 경화되는 조성물이다. 광에 의해 경화되는 광경화성 조성물은, 적어도 중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하며, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 함유해도 된다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면활성제, 산화방지제, 폴리머 성분 등을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 재료이다.A curable composition is a composition that is cured by light irradiation or heating. A photocurable composition cured by light contains at least a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, and may contain a non-polymerizable compound or solvent as needed. The non-polymerizable compound is at least one material selected from the group containing a sensitizer, a hydrogen donor, an internal addition type release agent, a surfactant, an antioxidant, and a polymer component.
임프린트재는 스핀 코터 또는 슬릿 코터에 의해 기판 상에 막 형상으로 도포된다. 대안적으로, 임프린트재는 액체 분사 헤드를 사용하여 액적 형상 또는 복수의 액적이 연결되어서 형성되는 섬 또는 막 형상으로 기판 상에 도포되어도 된다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는 예를 들어 1 mPa·s 내지 100 mPa·s이다.The imprint material is applied in the form of a film on a substrate by a spin coater or a slit coater. Alternatively, the imprint material may be applied on the substrate in the shape of a droplet or in the shape of an island or film formed by connecting a plurality of droplets using a liquid ejection head. The viscosity of the imprint material (viscosity at 25°C) is, for example, 1 mPa·s to 100 mPa·s.
기판으로서는, 유리, 세라믹, 금속, 반도체, 수지 등이 사용된다. 필요에 따라, 기판의 표면에 기판과 상이한 재료로 이루어지는 부재가 형성되어 있어도 된다. 더 구체적으로는, 기판은 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 실리카 유리 등이다. 또한, 임프린트재의 도포 전에, 필요에 따라, 임프린트재와 기판 사이의 부착성을 향상시키기 위한 부착층을 제공해도 된다.As the substrate, glass, ceramics, metals, semiconductors, resins and the like are used. If necessary, a member made of a material different from that of the substrate may be formed on the surface of the substrate. More specifically, the substrate is a silicon wafer, compound semiconductor wafer, silica glass or the like. Also, before application of the imprint material, if necessary, an adhesive layer for improving adhesion between the imprint material and the substrate may be provided.
몰드는, 예를 들어 직사각형 주연부 형상을 갖고, 일반적으로 석영 등의 광(예를 들어, UV 선)을 투과시킬 수 있는 재료로 제조된다. 몰드의 기판 측의 면(패턴면)에는, 디바이스 패턴(회로 패턴)으로서 기판 상의 임프린트재에 전사되어야 할 3차원 요철 패턴이 형성된다.The mold has, for example, a rectangular periphery shape, and is generally made of a material capable of transmitting light (eg, UV rays), such as quartz. On the surface of the mold on the substrate side (pattern surface), a three-dimensional concavo-convex pattern to be transferred to an imprint material on the substrate is formed as a device pattern (circuit pattern).
[임프린트 장치의 구성][Configuration of imprint device]
도 1은 본 실시형태에 다른 임프린트 장치(100)의 구성을 도시하는 개략도이다. 본 실시형태에서, 임프린트 장치(100)는, 광(UV 선)의 조사에 의해 임프린트재를 경화시키는 광경화법을 채용한다. 그러나, 상기 방법은 이것으로 한정되는 것이 아니라, 임프린트 장치(100)는 예를 들어 열에 의해 임프린트재를 경화시키는 열경화법을 채용할 수 있다. 도면 전체에 걸쳐, 몰드(M)에 대한 광(UV 선)의 조사 축과 평행한 방향을 XYZ 좌표계에서의 Z축 방향으로 설정하고, Z축에 수직인 평면 내에서 서로 직교하는 2개의 방향을 X축 방향 및 Y축 방향으로 설정한다는 것에 유의한다.1 is a schematic diagram showing the configuration of an
임프린트 장치(100)는, 예를 들어 임프린트 처리를 행하는 처리 유닛(10), 기판(W)의 전처리를 행하는 전처리 유닛(20), 몰드(M)(원판)를 일시적으로 보관하는 보관 유닛(30), 및 제어 유닛(40)을 포함한다. 제어 유닛(40)은, 예를 들어 CPU 및 메모리를 포함하는 컴퓨터에 의해 구성되어, 임프린트 장치(100)의 각 유닛을 통괄적으로 제어한다(임프린트 처리를 제어한다). 본 실시형태에서는, 기판(W)의 전처리는, 예를 들어 기판(W)을 회전 구동하면서 기판(W)의 주연부 및 노치(또는 오리엔테이션 플랫(orientation flat))를 검지하여, 기판(W)의 대략적 정렬을 행하는 사전정렬 처리를 포함한다.The
먼저, 처리 유닛(10)의 구성에 대해서 설명한다. 처리 유닛(10)은, 예를 들어 경화 유닛(11), 기판(W)을 보유지지하면서 이동할 수 있는 기판 스테이지(12), 몰드(M)를 보유지지하는 임프린트 헤드(13), 반송 유닛(14), 및 중화 유닛(15)을 포함할 수 있다.First, the configuration of the
경화 유닛(11)은, 몰드(M)와 기판 상의 임프린트재가 접촉하고 있는 상태에서, 몰드(M)를 통해서 임프린트재에 광(UV 선)을 조사함으로써 임프린트재를 경화시킨다. 경화 유닛(11)은, 예를 들어 광원과 광학계를 포함하고, 광학계는 광원으로부터의 광을 임프린트 처리에 적절한 광 상태(강도 분포, 조명 영역 등)로 조정하기 위한 복수의 광학 소자(렌즈, 미러, 차광판 등)로 이루어진다. 본 실시형태는 광경화법을 채용하기 때문에, 경화 유닛(11)에 광원이 제공된다. 그러나, 열경화법을 채용하는 경우에는, 경화 유닛(11)에 열원이 제공될 수 있다.The curing
기판 스테이지(12)는, 예를 들어 기판 척(12a)과 기판 구동 유닛(12b)을 포함하고, 기판(W)을 보유지지하면서 이동가능하도록 구성된다. 기판 척(12a)은, 예를 들어 진공 흡착력, 정전 흡착력 등에 의해 기판(W)을 끌어 당겨서 보유지지한다. 기판 구동 유닛(12b)은, 리니어 모터 또는 에어 실린더 등의 액추에이터를 포함하고, 임프린트 처리 시에 기판(W)의 위치를 조정함으로써 몰드(M)와 기판(W)의 상대 위치를 제어하기 위해서 기판(W)을 X축 방향 및 Y축 방향으로 구동한다. 기판 구동 유닛(12b)은, 기판(W)을 정밀하게 위치결정하기 위해서, 조동 구동계 및 미동 구동계 등 복수의 구동계로 구성되어도 된다. 기판 구동 유닛(12b)은, X축 방향 및 Y축 방향뿐만 아니라, Z축 방향 및 θ 방향(Z축 둘레의 회전 방향)의 기판(W)의 위치를 조정하는 기능 및 기판(W)의 기울기를 조정하는 틸트 기능을 갖도록 구성되어도 된다.The
임프린트 헤드(13)(몰드 보유지지 유닛)는 예를 들어 몰드 척(13a) 및 몰드 구동 유닛(13b)을 포함할 수 있다. 몰드 척(13a)은, 예를 들어 진공 흡착력, 정전기의 힘 등에 의해 몰드(M)를 끌어 당겨서 보유지지한다. 몰드 구동 유닛(13b)은, 리니어 모터 또는 에어 실린더 등의 액추에이터를 포함하고, 기판 상의 임프린트재에의 몰드(M)의 가압(압형) 및 경화된 임프린트재로부터의 몰드(M)의 분리(이형)를 선택적으로 행하도록, 몰드(M)를 Z축 방향으로 구동한다. 몰드 구동 유닛(13b)은, 몰드(M)를 정밀하게 위치결정하기 위해서, 조동 구동계 및 미동 구동계 등의 복수의 구동계로 구성되어도 된다. 몰드 구동 유닛(13b)은, Z축 방향뿐만 아니라, X축 방향, Y축 방향, 및 θ 방향으로도 몰드(M)의 위치를 조정하는 기능 및 몰드(M)의 기울기를 조정하는 틸트 기능을 갖도록 구성되어도 된다.The imprint head 13 (mold holding unit) may include, for example, a
본 실시형태에서는, 기판 상의 임프린트재에 대한 몰드(M)의 압형 및 이형은, 몰드 구동 유닛(13b)이 몰드(M)를 Z축 방향으로 구동할 때 행해지지만, 기판 구동 유닛(12b)이 기판(W)을 Z축 방향으로 구동할 때 행해져도 된다. 대안적으로, 몰드 구동 유닛(13b) 및 기판 구동 유닛(12b)이 서로 협동해서 몰드(M)와 기판(W)을 Z축 방향으로 상대적으로 구동할 때 몰드(M)의 압형 및 이형이 행해져도 된다.In this embodiment, pressing and releasing of the mold M to the imprint material on the substrate is performed when the
반송 유닛(14)은, 기판(W)을 반송하는 기판 반송 유닛(14a)과 몰드(M)를 반송하는 몰드 반송 유닛(14b)(원판 반송 유닛)을 포함할 수 있다. 기판 반송 유닛(14a)은, 예를 들어 기판(W)을 보유지지하는 핸드와 해당 핸드를 구동하는 아암으로 구성된 반송 로봇을 갖고, 전처리 유닛(20)에 의해 사전정렬 처리가 행해진 기판(W)을 기판 스테이지(12)에 반송한다. 기판 반송 유닛(14a)에 의해 기판 스테이지(12)에 반송된 기판(W)은 기판 척(12a)에 의해 보유지지된다. 몰드 반송 유닛(14b)은, 예를 들어 몰드(M)를 보유지지하는 핸드와 해당 핸드를 구동하는 아암으로 구성된 반송 로봇을 포함하고, 보관 유닛(30)에 일시적으로 보관된 몰드(M)를 임프린트 헤드(13)에 반송한다. 몰드 반송 유닛(14b)에 의해 임프린트 헤드(13)에 반송된 몰드(M)는 몰드 척(13a)에 의해 보유지지된다.The conveying
중화 유닛(15)은, 처리 유닛(10) 내에 이온을 방출하는 이오나이저를 포함하고, 몰드(M) 및 기판(W)을 전기적으로 중화한다. 몰드(M) 및 기판(W)은, 반송 중에 각종 부품에 대하여 접촉하며 그것으로부터 분리시킴으로써 대전되고, 기판 상의 경화된 임프린트재로부터 몰드(M)를 분리함으로써 대전된다. 그러므로, 처리 유닛(10)에 중화 유닛(15)을 제공하여, 처리 유닛(10) 내에 이온을 방출함으로써, 몰드(M) 및 기판(W)이 필요 이상으로 대전되는 것을 방지하고 있다.The
도 4에는 도시되지 않았지만, 처리 유닛(10)에는, 정렬 계측 유닛(정렬 스코프), 액체 공급 유닛, 및 기체 공급 유닛이 제공되어도 된다. 정렬 검출 유닛은, 몰드(M)에 제공된 정렬 마크와 기판(W)에 제공된 마크를 검출하고, X축 방향 및 Y축 방향에서의 몰드(M)와 기판(W)의 상대 위치를 계측한다. 액체 공급 유닛은 기판 상에 액상 임프린트재를 공급한다. 액체 공급 유닛은, 미리설정된 공급량 정보에 기초하여 임프린트재를 공급하며, 공급량 정보는 예를 들어 기판 상에 형성해야 할 임프린트재의 패턴의 두께(잔류층 두께) 및 밀도에 따라 설정될 수 있다. 또한, 기체 공급 유닛은, 몰드(M) 및 기판(W)의 주변 부분에 침입하는 파티클을 저감시키도록 기체를 공급하는 기능을 갖는다.Although not shown in FIG. 4 , the
이어서, 전처리 유닛(20)의 구성에 대해서 설명한다. 전처리 유닛(20)은, 사전정렬 유닛(21), 기판 반송 유닛(22), 및 중화 유닛(23)을 포함할 수 있다. 사전정렬 유닛(21)은, 예를 들어 기판(W)을 보유지지 및 회전 구동하는 보유지지 유닛(21a), 및 기판(W)의 주연부 및 노치(또는 오리엔테이션 플랫)를 검지하는 검지 유닛(21b)을 포함하며, 사전정렬 처리를 행한다. 기판 반송 유닛(22)은, 예를 들어 기판(W)을 보유지지하는 핸드와 핸드를 구동하는 아암으로 구성된 반송 로봇을 포함하며, 기판 용기(51)에 수용된 기판(W)을 사전정렬 유닛(21)(보유지지 유닛(21a))에 반송한다. 기판 용기(51)는, 예를 들어 기판(W)을 국소-환경 방식(mini-environment method)에 의해 수용하는 FOUP(Front Opening Unified Pod)이며, 전처리 유닛(20)에 제공된 설치 유닛(24)에 설치된다. 설치 유닛(24)은, 예를 들어 EFEM(Equipment Front End Module)의 로드 포트(load port)일 수 있다. 본 실시형태에 따른 설치 유닛(24)은, 기판 용기(51)가 배치될 수 있는 배치대로서 구성되어 있지만, 이에 한정되지 않고, 예를 들어 기판 용기(51)를 부착할 수 있는 부착 기구로서 구성되어도 된다. 중화 유닛(23)은, 전처리 유닛(20) 내에 이온을 방출하는 이오나이저를 포함하고, 전처리 유닛(20) 내에서 기판(W)을 전기적으로 중화한다. 예를 들어, 중화 유닛(23)은, 기판 반송 유닛(22)에 의한 반송 중의 기판(W)을 전기적으로 중화하도록 배치될 수 있다.Next, the configuration of the
이어서, 보관 유닛(30)의 구성에 대해서 설명한다. 보관 유닛(30)은 스토커(stocker)(31), 몰드 반송 유닛(32)(원판 반송 유닛), 및 중화 유닛(33)을 포함할 수 있다. 스토커(31)는, 몰드(M)가 일시적으로 보관(배치 또는 보유지지)되는 선반이며, 본 실시형태에서는 복수의 몰드(M)(도 4에서는 3개의 몰드(M))를 보관할 수 있도록 구성된다. 몰드 반송 유닛(32)은, 예를 들어 몰드(M)를 보유지지하는 핸드와 핸드를 구동하는 아암으로 구성된 반송 로봇을 포함하고, 몰드 용기(52)에 보관된 몰드(M)를 스토커(31)에 반송한다. 몰드 용기(52)는, 예를 들어 몰드(M)를 국소-환경 방식으로 수용하는 SMIF(Standard Mechanical Interface) 포드이며, 보관 유닛(30)에 제공된 설치 유닛(34)에 설치된다. 설치 유닛(34)은, 예를 들어 EFEM(Equipment Front End Module)의 로드 포트일 수 있다. 본 실시형태에 따른 설치 유닛(34)은, 몰드 용기(52)가 적재되는 적재대로서 구성되어 있지만, 이것으로 한정되지 않고, 예를 들어 몰드 용기(52)를 부착할 수 있는 부착 기구로서 구성되어도 된다. 중화 유닛(33)은, 보관 유닛(30) 내에 이온을 방출하는 이오나이저를 포함하고, 보관 유닛(30) 내의 몰드(M)를 전기적으로 중화한다. 예를 들어, 중화 유닛(33)은 몰드 반송 유닛(32)에 의한 반송 중의 몰드(M)를 전기적으로 중화하도록 배치될 수 있다.Next, the configuration of the
[클리닝용 플레이트의 대전][Electrification of the cleaning plate]
임프린트 장치(100)에서는, 장치 내에 존재하는 파티클이 몰드(M), 기판(W) 등에 부착되면, 임프린트 처리를 정확하게 행하는 것이 곤란해질 수 있다. 예를 들어, 임프린트 장치(100)는, 몰드(M)와 기판 상의 임프린트재를 서로 직접 접촉시키기 때문에, 몰드(M)와 기판(W) 사이에 파티클이 존재하고 있으면, 기판 상에 형성되는 패턴이 불량해지고, 몰드(M)의 수명이 짧아질 수 있다. 이 문제를 해결하기 위해서, 임프린트 장치(100)는 장치 내의 파티클을 제거하는 처리(즉, 클리닝 처리)를 행한다.In the
클리닝 처리에서는, 전용 플레이트(P)(메인터넌스 웨이퍼)를 대전시킨 상태에서 장치 내에 반송함으로써 정전기의 힘에 의해 장치 내의 파티클을 플레이트(P)에 흡착시켜, 장치 내의 파티클을 저감(제거)할 수 있다. 플레이트(P)는, 임프린트 처리가 행해지는 기판(W)의 외형과 동일한 외형을 갖고 있는 것이 바람직하고, 대전 유닛(62)(후술함)에 의해 대전된다. 플레이트(P)는, 전기 도전성 부재만으로 구성되어도 되지만, 장치 내의 파티클을 정전기의 힘에 의해 흡착한 상태를 유지(보유지지)할 수 있도록, 전기 도전성 부재의 적어도 일부가 절연 부재로 덮이는 구성을 가져도 된다. 본 실시형태에서는, 플레이트(P)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 전기 도전성 부재(CM), 및 전기 도전성 부재(CM)의 일부가 노출되도록 해당 전기 도전성 부재(CM)를 덮는 절연 부재(IM)를 포함할 수 있다. 플레이트(P)의 전기 도전성 부재(CM)로서는, 예를 들어 실리콘 기판(베어 실리콘(bare silicon)), 금속판, 표면에 전기 도전성 막이 형성되어 있는 유리판 및 수지판 등이 적용될 수 있다. 금속판은, 분진 발생을 저감하도록 표면 연마가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 플레이트(P)의 절연 부재(IM)로서는, 예를 들어 아크릴계 수지, 폴리이미드 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리아미드 수지 등이 적용될 수 있다.In the cleaning process, by conveying the dedicated plate P (maintenance wafer) into the device in a charged state, particles in the device are adsorbed to the plate P by the force of static electricity, and particles in the device can be reduced (removed). . The plate P preferably has the same outer shape as that of the substrate W on which the imprint process is performed, and is charged by the charging unit 62 (to be described later). The plate P may be composed of only an electrically conductive member, but at least a portion of the electrically conductive member is covered with an insulating member so that particles in the device can be maintained (retained) in a state in which particles are adsorbed by the force of static electricity. may have In this embodiment, as shown in FIG. 2 , the plate P includes an electrically conductive member CM and an insulating member covering the electrically conductive member CM so that a part of the electrically conductive member CM is exposed ( IM) may be included. As the electrically conductive member CM of the plate P, for example, a silicon substrate (bare silicon), a metal plate, a glass plate and a resin plate having an electrically conductive film formed thereon can be applied. It is preferable that the surface polishing of the metal plate is performed so that generation of dust may be reduced. As the insulating member IM of the plate P, for example, an acrylic resin, a polyimide resin, a polyolefin resin, a polyamide resin, or the like can be applied.
도 2에 도시하는 플레이트(P)의 구성예에서는, 기판 척(12a)에 의해 보유지지되는 표면(하면)에만 절연 부재(IM)가 제공되어 있지만, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 대전 유닛(62)(후술함)의 접촉자(63)가 접촉하는 부분에서 전기 도전성 부재(CM)가 노출되도록 절연 부재(IM)가 제공되어도 된다. 즉, 대전 유닛(62)의 접촉자(63)가 접촉하는 부분에서 전기 도전성 부재(CM)의 노출 부분이 형성되어 있으면, 플레이트(P)의 상면에도 절연 부재(IM)가 제공되어도 된다.In the configuration example of the plate P shown in FIG. 2, the insulating member IM is provided only on the surface (lower surface) held by the
이어서, 클리닝 처리용의 플레이트(P)를 대전시키는 방법에 대해서 설명한다. 본 실시형태에서는, 대전 유닛(62)은 플레이트(P)를 수용하는 용기(60)에 제공되고, 용기(60)는, 예를 들어 기판 용기(51)와 마찬가지인 FOUP로 구성될 수 있다. 플레이트(P)의 용기(60)를 FOUP로 구성하면, 도 1에 도시한 바와 같이, 기판 용기(51) 대신 전처리 유닛(20)의 설치 유닛(24)(EFEM의 로드 포트)에 용기(60)를 설치할 수 있다. 클리닝 처리를 행한 후의 플레이트(P)를 용기(60)에 수용한 상태에서, 용기(60)를 임프린트 장치(100)로부터 반출해서 외부의 파티클 검사 장치로 보내고, 플레이트(P)의 표면에 부착된 파티클의 성분 분석 등의 검사를 행할 수 있다.Next, a method of charging the plate P for cleaning treatment will be described. In this embodiment, the charging
도 3은, 플레이트(P)를 수용하는 용기(60)의 구성을 도시하는 도면이다. 용기(60)는, 플레이트(P)를 지지하는 지지 유닛(61)(슬롯 유닛), 및 지지 유닛(61)에 의해 지지된 플레이트(P)를 용기 내에서 대전시키는 대전 유닛(62)을 포함한다. 도 3에 도시하는 예에서는, 구성을 이해하기 쉽게 하기 위해서, 대전 유닛(62)이 확대되어 있다. 플레이트(P)가 자동적으로 대전되는 경우에는, 대전 유닛(62)을 제어하는 제어 유닛을 용기(60)에 제공해도 된다. 용기(60)가 설치 유닛(24)에 설치되었을 때에, 임프린트 장치(100)의 제어 유닛(40)과 대전 유닛(62)이 통신가능하게 접속되어도 되며, 제어 유닛(40)이 대전 유닛(62)을 제어해도 된다.FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the
지지 유닛(61)은, 예를 들어 복수의 플레이트(P)를 수용할 수 있도록 선반 형상으로 형성되며, 플레이트(P)의 주연부에 접촉해서 당해 플레이트(P)를 지지하도록 구성된다. 지지 유닛(61)은, 대전된 플레이트(P)로부터 전하가 방출되는 것을 방지하도록, 플레이트(P)의 절연 부재(IM)에 접촉하도록 구성되어도 되며, 절연 재료로 형성되어도 된다.The
대전 유닛(62)은, 플레이트(P)의 전기 도전성 부재(CM)의 노출 부분에 접촉하는 접촉자(63)(접촉식 프로브), 접촉자(63)를 통해서 플레이트(P)에 전압을 인가하는 전원 유닛(64), 및 플레이트(P)를 대전시키는 극성을 전환하는 전환 유닛(65)을 포함한다. 접촉자(63)는, 도 4에 도시한 바와 같이, 플레이트(P)의 전기 도전성 부재(CM)의 노출 부분에 접촉하는 플런저(63a), 및 스프링 등에 의해 플런저(63a)를 탄성 지지하는 배럴(barrel)(63b)을 포함할 수 있다. 이 구성에서는, 구동 기구(도시되지 않음)에 의해 수동 또는 자동으로 배럴(63b)을 수직으로 구동시키는 경우, 미리결정된 압력으로 접촉자(63)(플런저(63a))를 플레이트(P)에 접촉시킬 수 있다. 플런저(63a)는, 도전성을 확보하면서 분진 발생을 최대한 저감하기 위해서, 예를 들어 구형 원위 단부를 가지며, 바람직하게는 마모가 적고 산화하기 어려운 금속 재료로 구성된다.The charging
접촉자(63)의 구성은 플런저(63a) 및 배럴(63b)을 포함하는 구성에 한정되지 않고, 접촉자(63)는 다른 구성을 가져도 된다. 도 5는, 접촉자(63)의 변형예를 도시하는 도면이며, 접촉자(63)를 상방으로부터 본 도면이다. 도 5에 도시하는 예에서는, 플레이트(P)의 에지에 접촉하는 단자(63c), 및 플레이트(P)에의 단자(63c)의 접촉 압력을 제어하기 위한 판 스프링(63d)에 의해 회전형 접촉자(63)를 구성하고 있다. 플레이트(P)의 에지에 접촉하도록 접촉자(63)를 구성함으로써, 용기(60)(예를 들어, 지지 유닛(61))의 설계 자유도를 향상시킬 수 있다.The configuration of the
전원 유닛(64)은, 플레이트(P)를 대전시키는 극성을 변경하도록 구성되며, 예를 들어 복수 종류의 전원을 포함할 수 있다. 더 구체적으로는, 전원 유닛(64)은, 부극이 접지되고 정극이 전환 유닛(65)을 통해서 접촉자(63)(플런저(63a))에 접속될 수 있는 전원(64a), 및 정극이 접지되고 부극이 전환 유닛(65)을 통해서 접촉자(63)(플런저(63a))에 접속될 수 있는 전원(64b)을 포함할 수 있다. 또한, 전환 유닛(65)은, 플레이트(P)를 제1 극성 또는 제2 극성으로 선택적으로 대전시키기 위해서, 접촉자(63)에 전기적으로 접속되는 전원을 전환하는 스위치로서 구성될 수 있다. 제1 극성 및 제2 극성은 서로 반대의 극성을 갖고, 한쪽이 정극일 수 있으며, 다른 쪽이 부극일 수 있다. 예를 들어, 전환 유닛(65)은, 플레이트(P)를 정극으로 대전시킬 경우에는 전원(64a)을 접촉자(63)에 접속시키고, 전환 유닛(65)은 플레이트(P)를 부극으로 대전시킬 경우에는 전원(64b)을 접촉자(63)에 접속시킨다. 전환 유닛(65)은, 접촉자(63)에의 전압의 인가의 ON/OFF를 전환하는 스위치로서의 기능도 가질 수 있다는 것에 유의한다.The
이렇게 구성된 대전 유닛(62)은, 미리결정된 압력으로 접촉자(63)를 플레이트(P)의 전기 도전성 부재(CM)의 노출 부분에 가압하고, 이 상태에서 전원 유닛(64)(64a 또는 64b)에 의해 접촉자(63)를 통해서 플레이트(P)에 전압을 인가함으로써, 플레이트(P)에 전하를 공급한다. 미리결정된 시간이 경과하고 미리결정된 양의 전하가 플레이트(P)에 축적되면, 접촉자(63)와 전원 유닛(64)을 서로 접속한 상태에서 접촉자(63)를 플레이트(P)로부터 분리시킨다. 이에 의해, 도 6에 도시하는 바와 같이, 플레이트(P)를 대전시키고, 플레이트(P)가 대전된 상태를 유지(보유지지)할 수 있다. 본 실시형태에 따르면, 플레이트(P)의 전기 도전성 부재(CM)에 의해 전하 분포를 균일하게 할 수 있고, 플레이트(P)의 표면 전위를 용이하게 제어할 수 있으며, 재현성을 확보할 수 있다.The charging
또한, 본 실시형태에 따른 대전 유닛(62)은, 플레이트(P)에 접촉자(63)를 접촉시켜서 플레이트(P)를 대전시키기 때문에, 코로나 방전 방식을 사용해서 플레이트를 대전시킬 경우에 발생하는 이하의 문제가 발생하기 어렵다. 예를 들어, 코로나 방전 방식은, 전극 바늘에 몇 kV의 고전압을 인가해서 전극 바늘의 주위에 전계를 발생시킨다. 그러나, 오존이 발생하기 때문에, 오존의 산화력이 플레이트 등을 산화시키며, 장치 내의 부품을 열화시킨다. 방전에 의해 전극 바늘 자신이 산화/열화되어서 분진을 발생시킬 수 있다. 분위기 중의 가스 성분이 파티클화되고, 전극 선단에 축적된 큰 파티클이 비산될 수 있다. 또한, 플레이트의 절연 재료에 따라서는, 코로나 방전에 의해 절연막에 구멍이 생길 수 있으며, 플레이트의 절연막에서의 전하 분포가 불균일해질 수 있다. 특히, 전극 선단 부근에 스태틱 마크(static mark)라 불리는 방전 자국이 발생하기 쉽고, 표면 전위를 균일하게 제어하는 것이 어려울 수 있다.In addition, since the charging
[클리닝 처리][Cleaning process]
이어서, 임프린트 장치 내의 클리닝 처리(파티클 제거 처리)에 대해서 설명한다. 도 7은 클리닝 처리를 도시하는 흐름도이다. 도 7에 나타내는 흐름도의 단계에서는, 제1 극성으로 대전시킨 제1 플레이트와 제2 극성으로 대전시킨 제2 플레이트를 사용해서 클리닝 처리를 행하는 예를 나타내고 있다. 제1 극성 및 제2 극성은 서로 반대이며, 한쪽이 정극이고 다른 쪽이 부극이다.Next, the cleaning process (particle removal process) in the imprint apparatus will be described. 7 is a flowchart showing cleaning processing. In the step of the flowchart shown in Fig. 7, an example of performing the cleaning treatment using the first plate charged with the first polarity and the second plate charged with the second polarity is shown. The first polarity and the second polarity are opposite to each other, and one is a positive electrode and the other is a negative electrode.
단계 S11에서는, 클리닝용 플레이트(P)로서의 제1 플레이트 및 제2 플레이트를 수용하는 용기(60)를 전처리 유닛(20)의 설치 유닛(24)에 설치한다. 용기(60)는 임프린트 장치(100)의 외부에 제공된 반송 시스템에 설치될 수 있다. 이때, 제어 유닛(40)은, 용기(60)가 설치 유닛(24)에 설치되었는지의 여부(즉, 클리닝 처리용의 플레이트(P)(제1 플레이트 및 제2 플레이트)가 준비되었는지 여부)를 판정한다. 단계 S12에서는, 중화 유닛(15 및 23)(기판 중화 유닛)을 정지한다. 중화 유닛(15 및 23)을 정지하는 이유는, 대전된 플레이트(P)를 임프린트 장치 내에 반송한 경우에 중화 유닛(15 및 23)으로부터 이온이 방출되면, 플레이트(P)의 대전량이 저감되기 때문이다.In step S11, the
단계 S13에서는, 용기(60)의 대전 유닛(62)에 의해 제1 플레이트를 제1 극성으로 대전시킨다. 제1 플레이트는 수동으로 또는 자동으로 대전될 수 있다. 제1 플레이트가 자동으로 대전되는 경우, 용기(60)에 제공된 제어 유닛 또는 임프린트 장치(100)의 제어 유닛(40)이 대전 유닛(62)을 제어한다. 대전 유닛(62)은, 상술한 바와 같이, 접촉자(63)를 제1 플레이트에 접촉시킨 상태에서 접촉자(63)에 전압을 인가하고, 미리결정된 시간이 경과한 후, 접촉자(63)에 전압을 인가하고 있는 상태에서 접촉자(63)를 제1 플레이트로부터 분리시킴으로써, 제1 플레이트를 대전시킬 수 있다.In step S13, the first plate is charged to the first polarity by the charging
단계 S14에서는, 반송 유닛은 용기(60)에 수용된 제1 플레이트를 반송한다. 제1 플레이트의 반송은, 기판 반송 유닛(22)에 의해 용기(60)로부터 사전정렬 유닛(21)에 제1 플레이트를 반송한 후, 기판 반송 유닛(14a)에 의해 사전정렬 유닛(21)으로부터 기판 스테이지(12)에 제1 플레이트를 반송함으로써 실현될 수 있다. 단계 S15에서는, 제1 플레이트를 보유지지한 기판 스테이지(12)를 구동한다. 기판 스테이지(12)는, 임프린트 처리 시에 기판 스테이지(12)를 구동하는 방식과 동일한 방식으로 구동될 수 있다. 즉, 액체 공급 유닛에 의한 임프린트재의 공급 및 몰드(M)의 압형/이형 동작을 모의하는 더미 임프린트 처리가 행해진다. 이에 의해, 기판 스테이지(12)의 주위에 부유하는 파티클 및 기판 스테이지(12) 및 그 주연부 부재에 부착된 파티클을 제1 플레이트가 흡착하게 할 수 있다. 단계 S16에서는, 기판 스테이지(12)에 의해 보유지지된 제1 플레이트를 기판 반송 유닛(14a 및 22)에 의해 회수하고 용기(60)에 반송한다.In step S14, the conveying unit conveys the first plate accommodated in the
단계 S17에서는, 용기(60)의 대전 유닛(62)이 제2 플레이트를 제2 극성으로 대전시킨다. 제2 플레이트는 제1 플레이트의 대전과 마찬가지로 수동 또는 자동으로 대전될 수 있다. 그러나, 전환 유닛(65)은 전원 유닛(64) 중 사용되는 전원을 전환한다(변경한다). 단계 S18에서는, 용기(60)에 수용된 제2 플레이트를 기판 반송 유닛(14a 및 22)이 기판 스테이지(12)에 반송한다. 단계 S19에서는, 제2 플레이트를 보유지지하는 기판 스테이지(12)를 구동한다. 단계 S18 및 S19는 단계 S14 및 S15와 마찬가지로 행해질 수 있다. 단계 S20에서는, 기판 스테이지(12)에 의해 보유지지된 제2 플레이트를 기판 반송 유닛(14a 및 22)에 의해 회수해서 용기(60)에 반송한다. 단계 S21에서는, 중화 유닛(15, 23)을 동작시킨다.In step S17, the charging
상술한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 임프린트 장치 내에서, 서로에 대하여 반대의 극성으로 대전된 제1 플레이트 및 제2 플레이트를 반송 유닛이 반송한다. 이에 의해, 각각의 극성으로 대전된 파티클을 제1 플레이트 및 제2 플레이트가 흡착하게 하여, 임프린트 장치 내의 파티클을 효과적으로 제거할 수 있다.As described above, in the present embodiment, the conveying unit conveys the first plate and the second plate charged with opposite polarities to each other within the imprint apparatus. As a result, the first plate and the second plate adsorb particles charged with respective polarities, so that the particles in the imprint device can be effectively removed.
<제2 실시형태><Second Embodiment>
본 발명의 제2 실시형태에 대해서 설명한다. 제1 실시형태에서 설명한 바와 같이, 용기(60)의 대전 유닛(62)은, 접촉자(63)를 플레이트(P)에 접촉시킨 상태에서 접촉자(63)에 전압을 인가함으로써 플레이트(P)를 대전시킨다. 이때, 접촉자(63)와 플레이트(P) 사이의 접촉 상태가 양호하지 않으면, 접촉 부분이 저항으로서 작용하여, 플레이트(P)에의 전하의 공급을 저해한다. 이를 해결하기 위해서, 본 실시형태에 따른 대전 유닛(62)은, 접촉자(63)와 플레이트(P) 사이의 접촉 상태(즉, 접촉자(63)와 플레이트(P) 사이의 도전 상태)를 검출하는 검출 유닛(66)을 포함한다.A second embodiment of the present invention will be described. As described in the first embodiment, the charging
도 8은, 검출 유닛(66)을 포함하는 대전 유닛(62)의 구성을 도시하는 도면이다. 검출 유닛(66)은, 예를 들어 플레이트(P)의 전기 도전성 부재(CM)의 노출 부분에 접촉하는 제2 접촉자(66a), 및 플레이트(P)의 전기 도전성 부재(CM)를 통해서 접촉자(63)와 제2 접촉자(66a) 사이에 흐르는 전류를 검지하는 전류계(66b)를 포함할 수 있다. 검출 유닛(66)이 접촉자(63)와 플레이트(P) 사이의 접촉 상태를 검출하는 경우, 접촉자(63)와 제2 접촉자(66a)를 플레이트(P)의 전기 도전성 부재(CM)에 접촉시킨 상태에서, 접촉자(63)에 전압을 인가한다. 이때의 전압은, 플레이트(P)를 대전시킬 때의 전압보다 작은 값으로 설정되는 것이 바람직하다. 접촉자(63)와 플레이트(P) 사이의 접촉 상태가 양호할 경우(즉, 도전이 얻어지는 경우)에는, 전류계(66b)가 반응하여 원하는 전류값을 검지한다. 한편, 접촉자(63)와 플레이트(P) 사이의 접촉 상태가 불량한 경우(즉, 도전이 얻어지지 않는 경우)에는, 전류계(66b)는 원하는 전류값을 검지하지 않거나 반응하지 않는다. 전류계(66b)에 의해 검지된 전류값을 모니터하는 것에 의해, 접촉자(63)와 플레이트(P) 사이의 접촉 상태를 검출(확인)할 수 있다.FIG. 8 is a diagram showing the configuration of the charging
검출 유닛(66)의 검출 결과에 기초하여, 접촉자(63)와 플레이트(P) 사이의 접촉 상태가 양호하다고 판단한 경우에는, 제2 접촉자(66a)는 플레이트(P)로부터 분리되고, 접촉자(63)만을 플레이트(P)에 접촉시킨 상태에서 접촉자(63)에 전압을 인가하여, 플레이트(P)를 대전시킨다. 한편, 접촉자(63)와 플레이트(P) 사이의 접촉 상태가 불량하다고 판단한 경우에는, 접촉자(63) 및 플레이트(P)를 클리닝하고, 접촉자(63)의 접촉 위치를 변경하여, 검출 유닛(66)에 의해 접촉 상태를 다시 검출한다. 검출 유닛(66)을 제공함으로써, 접촉자(63)와 플레이트(P) 사이의 접촉이 불량한 상태에서 플레이트(P)를 대전시키는 것을 회피하고, 플레이트(P)의 대전을 더 효율적으로 행할 수 있다.Based on the detection result of the
<제3 실시형태><Third Embodiment>
본 발명의 제3 실시형태에 대해서 설명한다. 상기 실시형태는, 클리닝 처리용의 플레이트(P)를, 기판(W)을 반송하는 기판 반송 유닛(14a 및 22)에 의해 기판(W) 대신 임프린트 장치 내에서 반송하는 예에 대해서 설명했다. 본 실시형태는, 클리닝 처리용의 플레이트(P')를, 몰드(M)(원판)를 반송하는 몰드 반송 유닛(14b, 32)에 의해 몰드(M) 대신 임프린트 장치 내에서 반송하는 예에 대해서 설명한다.A third embodiment of the present invention will be described. In the above embodiment, the example in which the plate P for the cleaning process is transported within the imprint apparatus instead of the substrate W by the
본 실시형태에 따른 임프린트 장치는 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)의 구성과 동일한 구성을 갖는다. 도 1에 도시된 바와 같이, 클리닝 처리용의 플레이트(P')를 수용하는 용기(70)가, 몰드 용기(52) 대신, 보관 유닛(30)의 설치 유닛(34)에 설치된다. 보관 유닛(30)의 설치 유닛(34)은, 상술한 바와 같이 EFEM의 로드 포트이며, 몰드 용기(52)를 배치하는 배치대 또는 몰드 용기를 부착할 수 있는 부착 기구로서 구성될 수 있다.The imprint apparatus according to the present embodiment has the same configuration as that of the
용기(70)에 수용되는 플레이트(P')는, 임프린트 처리에서 사용되는 몰드(M)의 형상과 동일한 외형을 갖는 것이 바람직하며, 후술하는 바와 같이 용기(70)에 제공된 대전 유닛(72)에 의해 대전된다. 플레이트(P')는, 전기 도전성 부재만으로 구성되어도 되지만, 장치 내의 파티클을 정전기의 힘에 의해 흡착한 상태를 유지(보유지지)하도록, 전기 도전성 부재의 적어도 일부가 절연 부재로 덮이는 구성을 가져도 된다. 본 실시형태에서는, 플레이트(P')는, 도 9에 도시하는 바와 같이, 전기 도전성 부재(CM)와, 전기 도전성 부재(CM)의 일부가 노출되도록 전기 도전성 부재(CM)를 덮는 절연 부재(IM)를 포함할 수 있다. 도 9에 나타내는 플레이트(P')의 구성예에서는, 몰드 척(13a)에 의해 보유지지되는 표면(상면)에만 절연 부재(IM)가 제공되어 있지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 대전 유닛(72)(후술함)의 접촉자(73)가 접촉하는 부분에서 전기 도전성 부재(CM)가 노출되도록 절연 부재(IM)가 제공되어도 된다. 본 실시형태에서 사용되는 플레이트(P')의 전기 도전성 부재로서, 제1 실시형태에서 설명된 플레이트(P)와 마찬가지로, 예를 들어 실리콘 기판, 금속판, 유리 기판, 수지판 등이 적용될 수 있다. 절연 부재로서, 아크릴계 수지, 폴리이미드 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리아미드 수지 등이 적용될 수 있다.The plate P' accommodated in the
도 10은 플레이트(P')를 수용하는 용기(70)의 구성을 도시하는 도면이다. 용기(70)는, 예를 들어 몰드 용기(52)와 마찬가지인 SMIF로 구성되고, 플레이트(P')를 지지하는 지지 유닛(71)과, 지지 유닛(71)에 의해 지지된 플레이트(P')를 대전시키는 대전 유닛(72)을 포함할 수 있다. 도 10에 도시하는 예에서는, 구성을 이해하기 쉽게 하기 위해서, 대전 유닛(72)이 확대되어 있다. 본 실시형태에 따른 용기(70)에는, 제2 실시형태에서 설명한 검출 유닛(66)이 제공되어도 된다. 플레이트(P')가 자동으로 대전되는 경우에는, 대전 유닛(72)을 제어하는 제어 유닛이 용기(70)에 제공되어도 된다. 용기(70)가 설치 유닛(34)에 설치되는 경우에는, 임프린트 장치(100)의 제어 유닛(40)과 대전 유닛(72)이 통신가능하게 접속될 수 있고, 제어 유닛(40)이 대전 유닛(72)을 제어할 수 있다.Fig. 10 is a diagram showing the configuration of the
지지 유닛(71)은, 예를 들어 플레이트(P')의 하면(본 실시형태에서는 전기 도전성 부재)에 접촉하는 복수의 지지 핀(71a)을 포함할 수 있다. 복수의 지지 핀(71a)은, 대전된 플레이트(P)로부터 전하가 방출되는 것을 방지하도록 절연 재료로 구성되는 것이 바람직하다. 또한, 대전 유닛(72)은, 제1 실시형태에서 설명한 대전 유닛(62)과 동일한 방식으로 구성될 수 있다. 더 구체적으로는, 대전 유닛(72)은, 플레이트(P')의 전기 도전성 부재(CM)의 노출부에 접촉하는 접촉자(73)(접촉식 프로브), 접촉자(73)를 통해서 플레이트(P')에 전압을 인가하는 전원 유닛(74), 및 플레이트(P')를 대전시키는 극성을 전환하는 전환 유닛(75)을 포함할 수 있다. 접촉자(73)는, 플런저와 배럴을 포함하는 구성, 또는 단자와 판 스프링을 포함하는 회전 방식 구성을 가질 수 있다. 전원 유닛(74)은, 플레이트(P')를 대전시키는 극성을 변경할 수 있도록 복수 종류의 전원(74a 및 74b)을 포함할 수 있다. 전환 유닛(75)은, 플레이트(P')를 제1 극성 또는 제2 극성으로 선택적으로 대전시키기 위해서, 접촉자(73)에 전기적으로 접속되는 전원을 전환하는 스위치로서 구성될 수 있다.The support unit 71 may include, for example, a plurality of support pins 71a that contact the lower surface of the plate P' (an electrically conductive member in this embodiment). The plurality of support pins 71a are preferably made of an insulating material to prevent electric charges from being discharged from the charged plate P. Also, the charging
상기 구성의 대전 유닛(72)은, 미리결정된 압력에서 접촉자(73)를 플레이트(P)의 전기 도전성 부재(CM)의 노출 부분에 가압하고, 이 상태에서 전원 유닛(74)에 의해 접촉자(73)를 통해서 플레이트(P')에 전압을 인가하여, 플레이트(P')에 전하를 공급한다. 그리고, 미리결정된 시간이 경과하고 미리결정된 양의 전하가 플레이트(P')에 축적되면, 접촉자(73)와 전원 유닛(74)이 서로 접속된 상태에서 접촉자(73)가 플레이트(P')로부터 분리된다. 도 11에 도시된 바와 같이, 이에 의해 플레이트(P')를 대전시키고, 플레이트(P')가 대전된 상태를 유지(보유지지)할 수 있다.The charging
본 실시형태에 따른 클리닝 처리에서는, 도 7의 흐름도에 나타내는 기판 반송 유닛(14a 및 22)에 의한 플레이트(P)의 반송과 마찬가지로, 용기(70) 내에서 대전 유닛(72)에 의해 대전된 플레이트(P')를 몰드 반송 유닛(14b, 32)이 임프린트 장치 내에 반송한다. 즉, 본 실시형태에 따른 클리닝 처리에서는, 도 7에 나타내는 흐름도의 "기판 반송 유닛(14a 및 22)에 의한 기판 스테이지(12)로의 플레이트(P)의 반송"으로서, "몰드 반송 유닛(14b 및 32)이 임프린트 헤드(13)에 플레이트(P')를 반송한다".In the cleaning process according to the present embodiment, similar to the transfer of the plate P by the
더 구체적으로는, 중화 유닛(15 및 33)(원판 중화 유닛)을 정지한 상태에서, 대전 유닛(72)에 의해 제1 극성으로 대전된 플레이트(P')를 몰드 반송 유닛(14b, 32)이 임프린트 헤드(13)에 반송한다. 즉, 몰드 반송 유닛(32)이 플레이트(P')를 용기(70)로부터 보관 유닛(30)의 스토커(31)에 반송하고, 몰드 반송 유닛(14b)이 플레이트(P')를 스토커(31)로부터 임프린트 헤드(13)에 반송한다. 그리고, 액체 공급 유닛에 의한 임프린트재의 공급 및 몰드(M)의 압형/이형 동작을 모의하는 더미 임프린트 처리를 행한 후, 임프린트 헤드(13)에 의해 보유지지된 플레이트(P')를 몰드 반송 유닛(14b, 32)에 의해 회수해서 용기(70)에 반송한다. 마찬가지로, 중화 유닛(15 및 33)(원판 중화 유닛)을 정지시킨 상태에서, 대전 유닛(72)에 의해 제2 극성으로 대전된 플레이트(P')를 몰드 반송 유닛(14b 및 32)이 임프린트 헤드(13)에 반송한다. 더미 임프린트 처리를 행한 후, 임프린트 헤드(13)에 의해 보유지지된 플레이트(P')는 몰드 반송 유닛(14b, 32)에 의해 회수되어 용기(70)에 반송된다.More specifically, in a state where the
이에 의해, 임프린트 헤드(13)의 주위에 부유하는 파티클, 및 임프린트 헤드(13) 및 그 주연부 부재에 부착된 파티클을 저감할 수 있다. 몰드 반송 유닛(14b 및 32)이 대전된 플레이트(P')를 반송하는 본 실시형태의 클리닝 처리는, 기판 반송 유닛(14a 및 22)이 대전된 플레이트(P)를 반송하는 제1 실시형태의 클리닝 처리와 병행해서 행해져도 된다.This makes it possible to reduce particles floating around the
<제4 실시형태><Fourth Embodiment>
본 발명의 제4 실시형태에 대해서 설명한다. 제1 내지 제3 실시형태 각각은, 플레이트(P 또는 P')를 수용하는 용기(60 또는 70)에 대전 유닛(62 또는 72)이 제공된 구성을 설명하였다. 그러나, 본 실시형태는 임프린트 장치(100)에 대전 유닛이 제공된 구성을 설명한다.A fourth embodiment of the present invention will be described. In each of the first to third embodiments, a configuration in which a
도 12는, 본 실시형태에 따른 임프린트 장치(200)의 구성을 도시하는 개략도이다. 본 실시형태에 따른 임프린트 장치(200)는, 전처리 유닛(20)의 사전정렬 유닛(21)(보유지지 유닛(21a))에 배치된 플레이트(P)를 대전시키는 대전 유닛(25), 및 보관 유닛(30)의 스토커(31)에 배치된 플레이트(P')를 대전시키는 대전 유닛(35)을 포함할 수 있다. 임프린트 장치의 나머지 구성요소는 상기 실시형태 각각에서 설명된 구성과 동일하며, 그에 대한 설명을 생략한다.12 is a schematic diagram showing the configuration of the
본 실시형태에 따른 클리닝 처리에서는, 중화 유닛(15 및 23)(기판 중화 유닛)을 정지시킨 상태에서, 기판 반송 유닛(22)이 플레이트(P)를 용기(60)로부터 전처리 유닛(20)의 사전정렬 유닛(21)(보유지지 유닛(21a))에 반송한다. 도 13a에 도시하는 바와 같이, 대전 유닛(25)은 플레이트(P)를 대전시킨다. 대전 유닛(25)은, 제1 실시형태에서 설명된 용기(60)의 대전 유닛(62)과 동일한 구성을 가지며, 제2 실시형태에서 설명된 검출 유닛(66)이 제공되어 있어도 된다. 기판 반송 유닛(14a)이 대전된 플레이트(P)를 사전정렬 유닛(21)으로부터 기판 스테이지(12)에 반송하고, 더미 임프린트 처리를 행한 후, 기판 반송 유닛(14a 및 22)은 플레이트(P)를 기판 스테이지(12)로부터 용기(60)에 반송한다. 이러한 클리닝 처리는 제1 극성 및 제2 극성 각각으로 대전시킨 플레이트(P)를 사용하여 행해도 된다.In the cleaning process according to the present embodiment, in a state where the
마찬가지로, 중화 유닛(15) 및 중화 유닛(33)(원판 중화 유닛)을 정지시킨 상태에서, 몰드 반송 유닛(32)은 플레이트(P')를 용기(70)로부터 보관 유닛(30)의 스토커(31)에 반송한다. 그리고, 도 13b에 도시하는 바와 같이, 대전 유닛(35)은 플레이트(P')를 대전시킨다. 대전 유닛(35)은, 제3 실시형태에서 설명한 용기(70)의 대전 유닛(72)의 구성과 동일한 구성을 가지며, 제2 실시형태에서 설명한 검출 유닛(66)이 제공되어도 된다. 그리고, 대전된 플레이트(P')를 몰드 반송 유닛(14b)에 의해 임프린트 헤드(13)에 반송하고, 더미 임프린트 처리를 행한 후, 몰드 반송 유닛(14b, 32)에 의해 플레이트(P')를 임프린트 헤드(13)로부터 용기(70)에 반송한다. 이러한 클리닝 처리는, 제1 극성 및 제2 극성 각각으로 대전시킨 플레이트(P')를 사용하여 행해도 되고, 기판 반송 유닛(14a 및 22)이 대전된 플레이트(P)를 반송하는 클리닝 처리와 병행해서 행해도 된다.Similarly, in a state where the
상술한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 플레이트를 대전시키는 대전 유닛(25 및 35)이 임프린트 장치 내에 제공된다. 이에 의해, 플레이트를 수용하는 용기(60 및 70)에 대전 유닛을 제공하지 않아도, 플레이트를 임프린트 장치 내에서 대전시킬 수 있다. 그러므로, 본 실시형태는 클리닝 처리의 자동화에 유리하며, 임프린트 장치 내의 파티클을 효과적으로 제거할 수 있다.As described above, in this embodiment, the charging
<물품 제조 방법의 실시형태><Embodiments of Method for Manufacturing Articles>
본 발명의 실시형태에 따른 물품 제조 방법은, 예를 들어 반도체 디바이스 등의 마이크로디바이스나 미세구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하기에 적합하다. 본 실시형태에 따른 물품 제조 방법은, 상술한 실시형태 각각에서 설명된 방법을 사용해서 기판 처리 장치(임프린트 장치) 내의 파티클을 제거하는 처리를 행하는 단계와, 당해 제거 처리가 행해진 기판 처리 장치를 사용해서 기판을 처리하는 단계를 포함한다. 기판 처리 장치로서 임프린트 장치가 적용되는 경우, 기판을 처리하는 단계는, 기판에 공급(도포)된 임프린트재에 상기 임프린트 장치를 사용해서 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 단계에서 패턴이 형성된 기판을 가공하는 단계를 포함한다. 이 제조 방법은, 다른 주지의 단계(산화, 퇴적, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 더 포함한다. 본 실시형태에 따른 물품 제조 방법은, 종래의 방법에 비하여, 물품의 성능, 품질, 생산성, 및 생산 비용 중 적어도 하나에서 유리하다.The method for manufacturing an article according to an embodiment of the present invention is suitable for manufacturing an article such as a microdevice such as a semiconductor device or an element having a microstructure, for example. An article manufacturing method according to this embodiment includes the steps of performing a process of removing particles in a substrate processing apparatus (imprint apparatus) using the method described in each of the above-described embodiments, and using the substrate processing apparatus in which the removal process has been performed. and processing the substrate. When an imprint device is applied as a substrate processing device, the step of processing the substrate includes forming a pattern on the imprint material supplied (applied) to the substrate using the imprint device, and processing the substrate on which the pattern is formed in the step. It includes steps to This manufacturing method further includes other known steps (oxidation, deposition, vapor deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, etc.). Compared to conventional methods, the method for manufacturing an article according to the present embodiment is advantageous in at least one of performance, quality, productivity, and production cost of the article.
임프린트 장치를 사용하여 형성한 경화물의 패턴은 각종 물품의 적어도 일부에 영구적으로 사용되거나 또는 각종 물품을 제조할 때 일시적으로 사용된다. 물품은 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 몰드 등이다. 전기 회로 소자의 예는 DRAM, SRAM, 플래시 메모리, 및 MRAM 등의 휘발성 및 비휘발성 반도체 메모리와, LSI, CCD, 이미지 센서, 및 FPGA 등의 반도체 소자이다. 몰드의 예는 임프린트용 몰드이다.The pattern of the cured product formed using the imprint device is permanently used for at least a part of various articles or temporarily used when manufacturing various articles. Articles are electrical circuit elements, optical elements, MEMS, recording elements, sensors, molds, and the like. Examples of electric circuit elements are volatile and non-volatile semiconductor memories such as DRAM, SRAM, flash memory, and MRAM, and semiconductor elements such as LSI, CCD, image sensor, and FPGA. An example of the mold is a mold for imprinting.
경화물의 패턴은 상술한 물품의 적어도 일부의 구성 부재로서 직접 사용되거나 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판 처리 단계에서 에칭 또는 이온 주입이 행해진 후에, 레지스트 마스크는 제거된다.The pattern of the cured product is directly used as a constituent member of at least a part of the above-mentioned article or temporarily used as a resist mask. After etching or ion implantation is performed in the substrate processing step, the resist mask is removed.
이어서 물품 제조 방법의 상세를 설명한다. 도 14a에 도시된 바와 같이, 표면에 절연체 등의 처리 대상 재료(2z)가 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1z)을 준비한다. 이어서, 잉크젯법 등에 의해 처리 대상 재료(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 도포한다. 여기서는 임프린트재(3z)가 복수의 액적으로서 기판 상에 도포된 상태를 나타낸다.Next, the details of the article manufacturing method are explained. As shown in Fig. 14A, a
도 14b에 도시된 바와 같이, 요철 패턴을 갖는 임프린트용 몰드(4z)의 측면을 기판 상의 임프린트재(3z)에 지향시켜 대면하게 한다. 도 14c에 도시된 바와 같이, 임프린트재(3z)가 도포된 기판(1z)을 몰드(4z)에 접촉시키고, 압력을 가한다. 몰드(4z)와 처리 대상 재료(2z) 사이의 간극을 임프린트재(3z)로 충전한다. 이 상태에서, 임프린트재(3z)에 몰드(4z)를 통해 경화용 에너지를 조사하면, 임프린트재(3z)가 경화된다.As shown in Fig. 14B, the side surface of the
도 14d에 도시된 바와 같이, 임프린트재(3z)가 경화된 후에, 몰드(4z)는 기판(1z)으로부터 분리된다. 그후, 임프린트재(3z)의 경화물의 패턴이 기판(1z) 상에 형성된다. 경화물의 패턴에서, 몰드의 오목부는 경화물의 볼록부에 대응하며, 몰드의 볼록부는 경화물의 오목부에 대응한다. 즉, 몰드(4z)의 요철 패턴이 임프린트재(3z)에 전사된다.As shown in Fig. 14D, after the
도 14e에 도시된 바와 같이, 경화물의 패턴을 내에칭 마스크로서 사용하여 에칭을 행하면, 경화물이 존재하지 않거나 얇게 존재하는 처리 대상 재료(2z)의 표면의 일부가 홈(5z)으로부터 제거된다. 도 14f에 도시된 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거하면, 처리 대상 재료(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기서, 경화물의 패턴을 제거한다. 그러나, 경화물의 패턴을 처리하거나 제거하는 대신에, 이것을 예를 들어 반도체 소자에 포함되는 층간 절연막, 즉 물품의 구성 부재로서 사용할 수 있다.As shown in Fig. 14E, when etching is performed using the pattern of the cured product as an etch-resistance mask, a part of the surface of the material to be treated 2z in which the cured product is absent or thin is removed from the
<다른 실시형태><Other Embodiments>
본 발명의 실시형태(들)는, 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체(보다 완전하게는 '비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체'라 칭할수도 있음)에 기록된 컴퓨터 실행가능 명령어(예를 들어, 하나 이상의 프로그램)를 판독 및 실행하고 그리고/또는 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하는 하나 이상의 회로(예를 들어, 주문형 집적 회로(ASIC))를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해, 그리고 예를 들어 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체로부터 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행함으로써 그리고/또는 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 하나 이상의 회로를 제어함으로써 상기 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 실행되는 방법에 의해 실현될 수도 있다. 컴퓨터는 하나 이상의 프로세서(예를 들어, 중앙 처리 유닛(CPU), 마이크로 처리 유닛(MPU))를 포함할 수 있고 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행하기 위한 별도의 컴퓨터 또는 별도의 프로세서의 네트워크를 포함할 수 있다. 컴퓨터 실행가능 명령어는 예를 들어 네트워크 또는 저장 매체로부터 컴퓨터에 제공될 수 있다. 저장 매체는, 예를 들어 하드 디스크, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 리드 온리 메모리(ROM), 분산형 컴퓨팅 시스템의 스토리지, 광디스크(예를 들어, 콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD) 또는 블루레이 디스크(BD)TM), 플래시 메모리 디바이스, 메모리 카드 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다.Embodiment(s) of the present invention may include a computer recorded in a storage medium (which may be more fully referred to as a 'non-transitory computer-readable storage medium') to execute one or more functions of the above-described embodiment(s). one or more circuits (eg, application specific integrated circuits (ASICs)) that read and execute executable instructions (eg, one or more programs) and/or execute one or more functions of the foregoing embodiment(s); by a computer of a system or device comprising, and for example, by reading and executing computer-executable instructions from a storage medium to execute one or more of the functions of the foregoing embodiment(s) and/or the foregoing embodiment(s) ) may be realized by a method executed by a computer of the system or device by controlling one or more circuits to execute one or more functions. A computer may include one or more processors (e.g., a central processing unit (CPU), a micro processing unit (MPU)) and may include a network of separate computers or separate processors for reading and executing computer-executable instructions. can do. Computer executable instructions may be provided to a computer, for example from a network or storage medium. The storage medium may be, for example, a hard disk, random access memory (RAM), read only memory (ROM), storage of distributed computing systems, optical disks (eg, compact disks (CDs), digital versatile disks (DVDs) or It may include one or more of a Blu-ray Disc (BD) TM ), a flash memory device, a memory card, and the like.
(기타의 실시예)(Other examples)
본 발명은, 상기의 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실현가능하다.In the present invention, a program for realizing one or more functions of the above embodiments is supplied to a system or device via a network or a storage medium, and one or more processors in the computer of the system or device read and execute the program. processing is also feasible.
또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실행가능하다.Also, it can be implemented by a circuit (eg ASIC) that realizes one or more functions.
본 발명을 예시적인 실시형태를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.Although the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it should be understood that the present invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. The scope of the following claims is to be accorded the broadest interpretation so as to encompass all such modifications and equivalent structures and functions.
Claims (29)
상기 용기에 보관된 상기 플레이트를 대전시키도록 구성된 대전 유닛을 포함하고,
상기 대전 유닛은, 상기 플레이트에 접촉하도록 구성되는 접촉자를 포함하고, 상기 접촉자를 통해 상기 플레이트에 전하를 공급한 후에 상기 접촉자를 상기 플레이트로부터 분리함으로써 상기 플레이트를 대전시키도록 구성되고,
상기 용기는 FOUP 또는 SMIF 포드에 의해 형성된, 용기.A container for accommodating a plate used to remove particles in a processing device that processes a substrate,
A charging unit configured to charge the plate stored in the container;
the charging unit includes a contact configured to contact the plate and is configured to charge the plate by supplying electric charge to the plate through the contact and then separating the contact from the plate;
wherein the vessel is formed by a FOUP or SMIF pod.
상기 플레이트는, 전기 도전성 부재, 및 상기 전기 도전성 부재의 일부가 노출되도록 상기 전기 도전성 부재를 덮도록 구성되는 절연 부재를 포함하며,
상기 접촉자는, 상기 플레이트의 상기 전기 도전성 부재의 노출 부분에 접촉하도록 구성되는 용기.According to claim 1,
the plate includes an electrically conductive member and an insulating member configured to cover the electrically conductive member such that a portion of the electrically conductive member is exposed;
wherein the contactor is configured to contact an exposed portion of the electrically conductive member of the plate.
전압이 인가되도록 구성되는 접촉자를 포함하고,
상기 접촉자는, 상기 전압이 인가된 상태에서 상기 플레이트에 접촉함으로써, 상기 플레이트를 대전시키도록 구성되고,
상기 용기는 FOUP 또는 SMIF 포드에 의해 형성된, 용기.A container for accommodating a plate used to remove particles in a processing device that processes a substrate,
a contactor configured to be energized;
The contactor is configured to charge the plate by contacting the plate in a state in which the voltage is applied,
wherein the vessel is formed by a FOUP or SMIF pod.
상기 대전 유닛은, 상기 플레이트가 상기 지지 부재에 의해 지지되는 상태에서 상기 플레이트를 대전시키도록 구성된, 용기.2. The method of claim 1, further comprising a support member configured to support the plate such that the support member and the plate are electrically insulated from each other;
wherein the charging unit is configured to charge the plate in a state where the plate is supported by the support member.
상기 전원은, 제1 극성을 갖는 전하를 공급하도록 구성된 제1 전원 및 상기 제1 극성과는 다른 제2 극성을 갖는 전하를 공급하도록 구성된 제2 전원을 포함하고,
상기 스위치는, 상기 제1 전원 또는 상기 제2 전원에 선택적으로 연결됨으로써 상기 플레이트가 대전되는 극성을 변경하도록 구성된, 용기.12. The method of claim 11, further comprising a switch connecting the contactor to the power source,
The power source includes a first power source configured to supply charge having a first polarity and a second power source configured to supply charge having a second polarity different from the first polarity;
wherein the switch is configured to change the polarity with which the plate is charged by being selectively connected to the first power source or the second power source.
상기 용기에 보관된 상기 플레이트를 대전시키도록 구성된 대전 유닛을 포함하고,
상기 대전 유닛은, 상기 플레이트에 접촉하도록 구성되는 접촉자를 포함하고, 상기 접촉자를 통해 상기 플레이트에 전하를 공급한 후에 상기 접촉자를 상기 플레이트로부터 분리함으로써 상기 플레이트를 대전시키도록 구성되고,
상기 대전 유닛은 상기 접촉자와 상기 플레이트 간의 접촉 상태를 검출하도록 구성된 검출 유닛을 포함하는, 용기.A container for accommodating a plate used to remove particles in a processing device that processes a substrate,
A charging unit configured to charge the plate stored in the container;
the charging unit includes a contact configured to contact the plate and is configured to charge the plate by supplying electric charge to the plate through the contact and then separating the contact from the plate;
wherein the charging unit includes a detection unit configured to detect a contact state between the contactor and the plate.
제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따른 용기가 설치되는 설치 유닛; 및
상기 설치 유닛 상에 설치된 상기 용기에서 대전된 플레이트를 반송하도록 구성되는 반송 유닛을 포함하는 처리 장치.A processing device for processing a substrate,
An installation unit in which the container according to any one of claims 1 to 16 is installed; and
and a conveying unit configured to convey the plate charged in the container installed on the installation unit.
상기 기판을 처리하도록 구성된 처리 유닛;
상기 기판에 대하여 사전정렬 처리를 수행하도록 구성된 사전정렬 유닛;
상기 기판을 상기 사전정렬 유닛으로부터 상기 처리 유닛으로 반송하도록 구성된 반송 유닛; 및
상기 기판 대신 상기 사전정렬 유닛에 배치된 플레이트를 대전시키도록 구성된 대전 유닛을 포함하고,
상기 플레이트는 상기 처리 유닛에 있는 파티클들을 제거하기 위한 제거 처리에서 사용되고,
상기 대전 유닛은, 상기 플레이트에 접촉하도록 구성되는 접촉자를 포함하고, 상기 접촉자를 통해 상기 플레이트에 전하를 공급한 후에 상기 접촉자를 상기 플레이트로부터 분리함으로써 상기 플레이트를 대전시키도록 구성되고,
상기 제거 처리에서, 상기 반송 유닛은 상기 기판 대신 상기 대전 유닛에 의해 대전된 상기 플레이트를 반송하도록 구성된, 처리 장치.A processing device for processing a substrate,
a processing unit configured to process the substrate;
a prealignment unit configured to perform a prealignment process on the substrate;
a transfer unit configured to transfer the substrate from the prealignment unit to the processing unit; and
a charging unit configured to charge a plate disposed on the pre-alignment unit instead of the substrate;
the plate is used in a removal treatment to remove particles in the treatment unit;
the charging unit includes a contact configured to contact the plate and is configured to charge the plate by supplying electric charge to the plate through the contact and then separating the contact from the plate;
and in the removal process, the conveying unit is configured to convey the plate charged by the charging unit instead of the substrate.
상기 제거 처리에서, 상기 대전 유닛은 상기 기판 대신 상기 보유지지 유닛에 의해 보유지지된 상기 플레이트를 대전시키도록 구성된, 처리 장치.20. The method of claim 19, wherein the prealignment unit includes a holding unit configured to hold and rotationally drive the substrate to perform a prealignment process,
and in the removal process, the charging unit is configured to charge the plate held by the holding unit instead of the substrate.
상기 처리 장치에 있는 파티클들을 제거하는 데 사용될 플레이트를 대전시키도록 구성된 대전 유닛;
상기 처리 장치에서 상기 대전 유닛에 의해 대전된 상기 플레이트를 반송하도록 구성된 반송 유닛; 및
상기 기판의 처리에 사용될 원판을 보관하도록 구성된 보관 유닛을 포함하고,
상기 대전 유닛은, 상기 플레이트와 접촉하도록 구성된 접촉자를 포함하고, 상기 접촉자를 통해 상기 플레이트에 전하를 공급한 후에 상기 접촉자를 상기 플레이트로부터 분리함으로써 상기 플레이트를 대전시키도록 구성되고,
상기 파티클을 제거하는 처리에서, 상기 대전 유닛은 상기 원판 대신 상기 보관 유닛에 배치된 상기 플레이트를 대전시키도록 구성된, 처리 장치.A processing device for processing a substrate,
a charging unit configured to charge a plate to be used to remove particles in the treatment device;
a conveying unit configured to convey the plate charged by the charging unit in the processing apparatus; and
A storage unit configured to store a disc to be used for processing the substrate;
the charging unit includes a contact configured to contact the plate and is configured to charge the plate by supplying an electric charge to the plate through the contact and then separating the contact from the plate;
and in the process of removing the particles, the charging unit is configured to charge the plate disposed in the storage unit instead of the original plate.
상기 기판 중화 유닛은 상기 반송 유닛에 의한 상기 플레이트의 반송 중에 정지되도록 구성된, 처리 장치.20. The method of claim 19, further comprising a substrate neutralization unit configured to electrically neutralize the substrate during conveyance by the conveyance unit,
wherein the substrate neutralizing unit is configured to be stopped during transport of the plate by the transport unit.
상기 반송 유닛은, 파티클을 제거하는 처리에서, 상기 원판 대신 상기 대전 유닛에 의해 대전된 상기 플레이트를 반송하도록 구성된, 처리 장치.22. The method of claim 21, wherein the conveying unit is configured to convey the original plate,
wherein the conveying unit is configured to convey the plate charged by the charging unit instead of the original plate in a process of removing particles.
상기 원판 중화 유닛은 상기 반송 유닛에 의한 상기 플레이트의 반송 중에 정지되도록 구성되는 처리 장치.24. The method of claim 23, further comprising a disc neutralizing unit configured to electrically neutralize the disc during conveyance by the conveying unit,
wherein the disc neutralizing unit is configured to be stopped during conveyance of the plate by the conveying unit.
제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 용기의 플레이트를 대전시키는 단계; 및
대전된 상기 플레이트를 상기 용기로부터 상기 처리 장치 내로 반송하는 단계를 포함하는, 파티클 제거 방법.A particle removal method for removing particles in a processing device that processes a substrate,
charging the plate of the container according to any one of claims 1 to 17; and
and conveying the charged plate from the container into the processing device.
제26항에 따른 파티클 제거 방법에 의해 처리 장치 내의 파티클을 제거하는 단계; 및
상기 파티클의 제거가 행해진 상기 처리 장치를 사용하여 기판을 처리하는 단계를 포함하며,
처리된 상기 기판으로부터 상기 물품을 제조하는, 물품 제조 방법.A method of manufacturing an article,
removing particles in the processing device by the particle removal method according to claim 26; and
processing the substrate using the processing device from which the particle removal was performed;
A method of manufacturing an article, wherein the article is manufactured from the treated substrate.
플레이트를 대전시키는 단계; 및
대전된 상기 플레이트를 상기 처리 장치 내에서 반송하는 단계를 포함하는, 파티클 제거 방법.A particle removal method for removing particles in the processing device according to any one of claims 19 to 25,
charging the plate; and
And conveying the charged plate within the processing apparatus.
제28항에 따른 파티클 제거 방법에 의해 처리 장치 내의 파티클을 제거하는 단계; 및
파티클 제거가 수행된 상기 처리 장치를 사용하여 기판을 처리하는 단계를 포함하고,
상기 물품은 처리된 상기 기판으로부터 제조되는, 물품 제조 방법.As a method of manufacturing an article,
removing particles in the processing device by the particle removal method according to claim 28; and
processing a substrate using the processing device in which particle removal has been performed;
wherein the article is fabricated from the treated substrate.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2018-226725 | 2018-12-03 | ||
JP2018226725A JP7261000B2 (en) | 2018-12-03 | 2018-12-03 | CONTAINER, PROCESSING APPARATUS, CONTENT REMOVAL METHOD, AND PRODUCT MANUFACTURING METHOD |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200067092A KR20200067092A (en) | 2020-06-11 |
KR102540626B1 true KR102540626B1 (en) | 2023-06-08 |
Family
ID=70850334
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190154163A KR102540626B1 (en) | 2018-12-03 | 2019-11-27 | Container, processing apparatus, particle removing method, and method of manufacturing article |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11798818B2 (en) |
JP (1) | JP7261000B2 (en) |
KR (1) | KR102540626B1 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11256181B2 (en) * | 2019-07-31 | 2022-02-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for removing particles in semiconductor manufacturing |
US11929273B2 (en) * | 2019-08-30 | 2024-03-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Semiconductor fabrication system and method |
JP2023034120A (en) * | 2021-08-30 | 2023-03-13 | キヤノン株式会社 | Molding apparatus, molding method and article manufacturing method |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6252066A (en) * | 1985-08-08 | 1987-03-06 | 溝口 恭子 | Vessel and bag in which negative pressure is utilized |
JPH03127831A (en) * | 1989-10-13 | 1991-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Cleaning method of semiconductor substrate processing equipment |
DE4208756A1 (en) * | 1992-03-19 | 1993-09-23 | Basf Ag | DIAMINO ALCANES, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND FUELS AND LUBRICANTS CONTAINING THE DIAMINO ALKANS |
JPH06252066A (en) * | 1993-02-23 | 1994-09-09 | Toshiba Corp | Semiconductor manufacturing apparatus and manufacture of semiconductor device |
US5410122A (en) * | 1993-03-15 | 1995-04-25 | Applied Materials, Inc. | Use of electrostatic forces to reduce particle contamination in semiconductor plasma processing chambers |
US5584938A (en) * | 1993-12-10 | 1996-12-17 | Texas Instruments Incorporated | Electrostatic particle removal and characterization |
US5858108A (en) * | 1996-07-15 | 1999-01-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Removal of particulate contamination in loadlocks |
US6024393A (en) * | 1996-11-04 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Robot blade for handling of semiconductor substrate |
JP3062113B2 (en) * | 1997-04-16 | 2000-07-10 | 九州日本電気株式会社 | Prevention mechanism of dust adhesion by electrification of wafer storage box |
EP0883162A3 (en) * | 1997-06-05 | 2001-04-18 | Sizary Limited | Semiconductor wafer cleaning apparatus |
JP2000260671A (en) | 1999-03-12 | 2000-09-22 | Toshiba Corp | Dust adsorbing wafer and method of cleaning inside of semiconductor device |
US7047984B2 (en) * | 2000-06-27 | 2006-05-23 | Brooks Automation, Inc. | Device and method for cleaning articles used in the production of semiconductor components |
DE60134179D1 (en) * | 2000-07-10 | 2008-07-03 | Entegris Inc | SMIF CONTAINERS WITH ELECTROSTATIC CHARGES OF LEADING SUPPORT STRUCTURE FOR RETICIAL WASTE |
US6526997B1 (en) * | 2000-08-18 | 2003-03-04 | Francois J. Henley | Dry cleaning method for the manufacture of integrated circuits |
CN1996552B (en) * | 2001-08-31 | 2012-09-05 | 克罗辛自动化公司 | Wafer engine |
JP2004055748A (en) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Sharp Corp | Particle-removing device |
JP4754196B2 (en) * | 2003-08-25 | 2011-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | Member cleaning method and substrate processing apparatus in decompression processing chamber |
US20070246957A1 (en) * | 2006-04-25 | 2007-10-25 | Yi-Cheng Liu | Loading device of loading a substrate capable of eliminating electrostatic charges |
US7989022B2 (en) * | 2007-07-20 | 2011-08-02 | Micron Technology, Inc. | Methods of processing substrates, electrostatic carriers for retaining substrates for processing, and assemblies comprising electrostatic carriers having substrates electrostatically bonded thereto |
JP4959457B2 (en) * | 2007-07-26 | 2012-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate transport module and substrate processing system |
JP5398595B2 (en) * | 2010-03-04 | 2014-01-29 | 東京エレクトロン株式会社 | Board storage device |
JP2015126092A (en) | 2013-12-26 | 2015-07-06 | 大日本印刷株式会社 | Cleaning substrate and method for cleaning substrate processing device |
US10515834B2 (en) * | 2015-10-12 | 2019-12-24 | Lam Research Corporation | Multi-station tool with wafer transfer microclimate systems |
US10931143B2 (en) * | 2016-08-10 | 2021-02-23 | Globalfoundries U.S. Inc. | Rechargeable wafer carrier systems |
US10177019B2 (en) * | 2016-09-26 | 2019-01-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Vacuum-assisted vessel environmental contaminant purging |
-
2018
- 2018-12-03 JP JP2018226725A patent/JP7261000B2/en active Active
-
2019
- 2019-11-26 US US16/695,266 patent/US11798818B2/en active Active
- 2019-11-27 KR KR1020190154163A patent/KR102540626B1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020092123A (en) | 2020-06-11 |
US20200176275A1 (en) | 2020-06-04 |
US11798818B2 (en) | 2023-10-24 |
JP7261000B2 (en) | 2023-04-19 |
KR20200067092A (en) | 2020-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102540626B1 (en) | Container, processing apparatus, particle removing method, and method of manufacturing article | |
TWI649183B (en) | Imprinting device, imprinting method, and method of manufacturing the article | |
KR102032017B1 (en) | Lithography apparatus, lithography method, program, lithography system, and article manufacturing method | |
JP2015149390A (en) | Imprint device, die, and method of manufacturing article | |
KR20180118684A (en) | Imprint apparatus, imprint method and article manufacturing method | |
US10777443B2 (en) | Imprint apparatus, imprinting method, and method for manufacturing article | |
US10569450B2 (en) | Imprint apparatus, mold, imprint method, and method of manufacturing article | |
KR20180056372A (en) | Imprint apparatus and article manufacturing method | |
JP6603678B2 (en) | Imprint apparatus, operation method thereof, and article manufacturing method | |
KR102179737B1 (en) | Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method | |
TWI680050B (en) | Imprint device, operation method thereof, and article manufacturing method | |
JP2019041005A (en) | Lithographic apparatus and method of manufacturing article | |
JP2020013890A (en) | Imprint device, control method thereof, and article manufacturing method | |
US20230347391A1 (en) | Foreign particle removing method, formation method, article manufacturing method, foreign particle removing apparatus, system, and template | |
JP6884048B2 (en) | Imprint equipment and article manufacturing method | |
US20230347390A1 (en) | Foreign particle removing method, formation method, article manufacturing method, foreign particle removing apparatus, and system | |
JP2019067916A (en) | Lithography apparatus and method of manufacturing article | |
JP6732475B2 (en) | Imprint apparatus, article manufacturing method, holding apparatus, and exposure apparatus | |
US20220364972A1 (en) | Evaluation method, substrate processing apparatus, manufacturing method of substrate processing apparatus and article manufacturing method | |
JP2019036620A (en) | Imprint device and article manufacturing method | |
US20230063974A1 (en) | Molding apparatus, molding method, and method for manufacturing a product | |
JP2021002626A (en) | Imprint device and manufacturing method for article | |
KR20210139178A (en) | Imprint apparatus and method of manufacturing article | |
KR20180124732A (en) | Imprint method, imprint apparatus, imprint system, and method of manufacturing article |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |