JP2015126092A - Cleaning substrate and method for cleaning substrate processing device - Google Patents

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泰祐 阿部
Taisuke Abe
泰祐 阿部
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cleaning substrate for improving collecting performance by adsorbing foreign matter such as dust generated in a processing part of a substrate processing device, and also to provide a cleaning method capable of more surely removing the foreign matter such as dust generated in the processing part of the substrate processing device by using the cleaning substrate.SOLUTION: A cleaning substrate 10 includes the charged substrate body 14, and an adhesive layer 12 provided on the surface of the substrate body 14. The foreign matter generated in a processing part of a substrate processing device is adsorbed and collected by transporting the substrate 10 charged before being transported into the processing part of the substrate processing device.

Description

本発明は、クリーニング用基板およびこのクリーニング用基板を用いた基板処理装置のクリーニング方法に関する。   The present invention relates to a cleaning substrate and a cleaning method for a substrate processing apparatus using the cleaning substrate.

例えば、半導体デバイスの製造プロセス中のフォトリソグラフィ技術においては、ウエハ等の基板にフォトレジストを塗布してレジスト膜を形成し、その後、このレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に所望の回路パターンを形成する、一連のリソグラフィ工程が行われている。   For example, in the photolithography technology during the manufacturing process of a semiconductor device, a photoresist is applied to a substrate such as a wafer to form a resist film, and then the resist film is exposed according to a predetermined circuit pattern. A series of lithography processes are performed in which a desired circuit pattern is formed on a resist film by developing the pattern.

このような一連の処理は、一般に、搬送手段によって搬送される基板を、レジスト液を塗布して処理する塗布処理ユニット、レジスト液の塗布処理終了後の基板や露光処理後の基板を加熱処理する加熱処理ユニット、露光処理後の基板に現像液を供給して現像処理する現像処理ユニット等の処理部に搬入して適宜処理を施す塗布・現像処理システムによって行われている。   In general, such a series of processes includes a coating processing unit that applies a resist solution to a substrate transported by a transport means, and heat-treats the substrate after the resist solution coating processing and the substrate after the exposure processing. It is carried out by a coating / development processing system in which a developer is supplied to a processing unit such as a heat treatment unit or a development processing unit that performs development processing by supplying a developer to the substrate after exposure processing.

一般に、この種の塗布・現像処理システムにおいては、ウエハ等の搬送部や処理部においてウエハ等にパーティクル等の塵埃が付着するのを防止するために、搬送部や処理部の局部空間に清浄空気をダウンフローによって流す等の気流制御がなされている。   In general, in this type of coating / development processing system, in order to prevent dust such as particles from adhering to the wafer or the like in the transfer unit or processing unit of the wafer or the like, clean air in the local space of the transfer unit or processing unit. The airflow is controlled such as flowing through the downflow.

しかしながら、塵埃制御粒子の微細化によりウエハ等への静電吸着が主因となり、従来の気流制御だけでは不十分である。また、熱の均一性を要求する加熱処理部や真空処理部においては、処理部内の雰囲気を清浄空気で置換することができず、ウエハ等への塵埃の付着が生じるという問題がある。   However, due to the miniaturization of the dust control particles, electrostatic adsorption onto a wafer or the like is the main cause, and conventional airflow control alone is insufficient. In addition, in a heat processing unit or a vacuum processing unit that requires heat uniformity, there is a problem that the atmosphere in the processing unit cannot be replaced with clean air, and dust adheres to the wafer or the like.

気流制御以外の方法で処理部において塵埃の発生を抑制し、ウエハ等に付着する塵埃の量を低減する方法として、ウエハ等を処理部に搬入して処理を施す前に、塵埃を捕集可能な状態の捕集プレートを処理部内に搬入して、この処理部内に発生する塵埃を捕集プレートに付着して捕集する方法が知られている(例えば、特許文献1等参照)。   As a method of suppressing dust generation in the processing unit by methods other than airflow control and reducing the amount of dust adhering to the wafer etc., dust can be collected before the wafer etc. is carried into the processing unit and processed. There is known a method in which a collecting plate in a proper state is carried into a processing unit, and dust generated in the processing unit is attached to the collecting plate and collected (see, for example, Patent Document 1).

特開2008−277480号公報JP 2008-277480 A

特許文献1に開示されるような基板処理装置のクリーニング方法では、帯電させた捕集プレートを処理部内に搬送し、静電気による引力で塵埃を吸着するようになっている。しかしながら、捕集プレートを帯電させるだけでは、電荷の中和によって捕集プレートに吸着した塵埃が脱落してしまい基板処理装置の機体内を汚染してしまう可能性があった。また、真空中で捕集プレートを用いる場合には、真空中で捕集プレートに吸着された塵埃が、当該捕集プレートを大気中へ搬送する際の圧力変化によって吹き飛んで脱落してしまうおそれがあった。   In a cleaning method for a substrate processing apparatus as disclosed in Patent Document 1, a charged collection plate is conveyed into a processing unit, and dust is adsorbed by attractive force due to static electricity. However, simply charging the collection plate may cause dust adhering to the collection plate to fall off due to charge neutralization and contaminate the body of the substrate processing apparatus. In addition, when the collection plate is used in a vacuum, there is a risk that dust adsorbed on the collection plate in a vacuum will blow off due to a change in pressure when the collection plate is transported to the atmosphere. there were.

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、基板処理装置の処理部内で発生する埃塵等の異物を吸着することにより捕集する性能が向上したクリーニング用基板を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of the above points, and provides a cleaning substrate with improved performance of collecting foreign matters such as dust generated in a processing section of a substrate processing apparatus. For the purpose.

本発明の他の目的は、このようなクリーニング用基板を用いることにより基板処理装置の処理部内で発生する埃塵等の異物をより確実に除去することができる基板処理装置のクリーニング方法を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a cleaning method for a substrate processing apparatus capable of more reliably removing foreign matters such as dust generated in a processing section of the substrate processing apparatus by using such a cleaning substrate. There is.

本発明のクリーニング用基板は、基板処理装置のクリーニングを行うためのクリーニング用基板であって、帯電された基板本体と、前記基板本体の表面に設けられた粘着層と、を備え、基板処理装置の処理部内で発生する異物を吸着することにより捕集することを特徴とする。   The cleaning substrate of the present invention is a cleaning substrate for cleaning a substrate processing apparatus, and includes a charged substrate main body and an adhesive layer provided on the surface of the substrate main body. It collects by adsorb | sucking the foreign material which generate | occur | produces in this processing part.

このようなクリーニング用基板によれば、静電気を帯電させるだけでなく、粘着層により粘着性を持たせることにより、吸着した異物を捕集する力が増加し、このことによってクリーニング効率を向上させることができる。また、異物を捕集する力が増加することにより、真空を使用したドライエッチング装置等、圧力変化等により捕集した異物が脱落してしまう可能性のあるような基板処理装置に対しても効率的にクリーニングを行うことができるようになる。また、上述したクリーニング用基板は、静電気を利用した非接触の吸着方式であるため、このようなクリーニング用基板を搬送するだけで、普段は人の手が入らないような箇所のクリーニングも可能となり、また、そういった箇所のクリーニングを実施するために基板処理装置を停止させる必要がなくなるため稼働率を向上させることができる。   According to such a cleaning substrate, not only the static electricity is charged, but also the adhesive layer is made sticky, thereby increasing the force for collecting the adsorbed foreign matter, thereby improving the cleaning efficiency. Can do. It is also efficient for substrate processing equipment in which foreign matter collected due to pressure changes, etc. may drop due to increased force to collect foreign matter, such as dry etching equipment using vacuum. Cleaning can be performed automatically. In addition, since the above-described cleaning substrate is a non-contact adsorption method using static electricity, it is possible to clean a place where a human hand usually does not enter by simply transporting such a cleaning substrate. In addition, since it is not necessary to stop the substrate processing apparatus in order to carry out such cleaning, the operating rate can be improved.

本発明のクリーニング用基板においては、前記粘着層は粘着テープからなっていてもよい。   In the cleaning substrate of the present invention, the adhesive layer may be made of an adhesive tape.

この場合、前記粘着テープはフッ素樹脂またはポリイミド樹脂からなっていてもよい。   In this case, the adhesive tape may be made of a fluororesin or a polyimide resin.

本発明のクリーニング用基板は、基板処理装置のクリーニングを行うためのクリーニング用基板であって、その表面に凹凸が設けられた、帯電された基板本体を備え、基板処理装置の処理部内で発生する異物を吸着することにより捕集することを特徴とする。   The cleaning substrate of the present invention is a cleaning substrate for cleaning a substrate processing apparatus, and includes a charged substrate body having irregularities on the surface thereof, and is generated in a processing section of the substrate processing apparatus. It collects by adsorbing a foreign material.

このようなクリーニング用基板によれば、静電気を帯電させるだけでなく、その表面に凹凸を形成することによって表面積を増加させることにより、吸着した異物を捕集する力が増加し、このことによってクリーニング効率を向上させることができる。また、異物を捕集する力が増加することにより、真空を使用したドライエッチング装置等、圧力変化等により捕集した異物が脱落してしまう可能性のあるような基板処理装置に対しても効率的にクリーニングを行うことができるようになる。また、上述したクリーニング用基板は、静電気を利用した非接触の吸着方式であるため、このようなクリーニング用基板を搬送するだけで、普段は人の手が入らないような箇所のクリーニングも可能となり、また、そういった箇所のクリーニングを実施するために基板処理装置を停止させる必要がなくなるため稼働率を向上させることができる。   According to such a cleaning substrate, not only is static electricity charged, but also the surface area is increased by forming irregularities on the surface, thereby increasing the force to collect the adsorbed foreign matter, thereby cleaning the substrate. Efficiency can be improved. It is also efficient for substrate processing equipment in which foreign matter collected due to pressure changes, etc. may drop due to increased force to collect foreign matter, such as dry etching equipment using vacuum. Cleaning can be performed automatically. In addition, since the above-described cleaning substrate is a non-contact adsorption method using static electricity, it is possible to clean a place where a human hand usually does not enter by simply transporting such a cleaning substrate. In addition, since it is not necessary to stop the substrate processing apparatus in order to carry out such cleaning, the operating rate can be improved.

本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、基板の処理を行う処理部を備えた基板処理装置のクリーニング方法であって、基板本体と、前記基板本体の表面に設けられた粘着層とを有するクリーニング用基板を帯電させる工程と、基板の処理前に、帯電された前記クリーニング用基板を前記処理部に搬入して、この処理部内に発生する異物を前記クリーニング用基板に付着させて捕集する工程と、を備えたことを特徴とする。   A cleaning method for a substrate processing apparatus according to the present invention is a cleaning method for a substrate processing apparatus including a processing unit for processing a substrate, and includes a substrate body and a cleaning layer provided on a surface of the substrate body. A step of charging the cleaning substrate, and a step of bringing the charged cleaning substrate into the processing section and collecting and collecting foreign matter generated in the processing section before the substrate processing. And.

このような基板処理装置のクリーニング方法によれば、上記のクリーニング用基板を用いることにより基板処理装置の処理部内で発生する埃塵等の異物をより確実に除去することができる。   According to such a cleaning method for a substrate processing apparatus, foreign substances such as dust generated in the processing section of the substrate processing apparatus can be more reliably removed by using the cleaning substrate.

本発明の基板処理装置のクリーニング方法においては、基板本体と、前記基板本体の表面に設けられた粘着層とを有するクリーニング用基板を帯電させる工程は前記基板処理装置の機体内で行われてもよい。   In the cleaning method for a substrate processing apparatus of the present invention, the step of charging the cleaning substrate having the substrate main body and the adhesive layer provided on the surface of the substrate main body may be performed in the body of the substrate processing apparatus. Good.

本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、異物を捕集した前記クリーニング用基板を前記基板処理装置の機体内に設けられた洗浄ユニットに搬送し、当該洗浄ユニットにおいて前記クリーニング用基板に捕集された異物を洗浄により除去する工程を更に備えていてもよい。   In the cleaning method for a substrate processing apparatus of the present invention, the cleaning substrate in which foreign matter is collected is transported to a cleaning unit provided in the body of the substrate processing apparatus, and is collected on the cleaning substrate in the cleaning unit. There may be further provided a step of removing the extraneous matter by washing.

本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、基板の処理を行う処理部を備えた基板処理装置のクリーニング方法であって、その表面に凹凸が設けられた基板本体を有するクリーニング用基板を帯電させる工程と、基板の処理前に、帯電された前記クリーニング用基板を前記処理部に搬入して、この処理部内に発生する異物を前記クリーニング用基板に付着させて捕集する工程と、を備えたことを特徴とする。   The cleaning method for a substrate processing apparatus of the present invention is a cleaning method for a substrate processing apparatus provided with a processing section for processing a substrate, and the step of charging a cleaning substrate having a substrate body provided with irregularities on the surface thereof And before the substrate is processed, the charged cleaning substrate is carried into the processing section, and foreign matter generated in the processing section is attached to the cleaning substrate and collected. It is characterized by.

このような基板処理装置のクリーニング方法によれば、上記のクリーニング用基板を用いることにより基板処理装置の処理部内で発生する埃塵等の異物をより確実に除去することができる。   According to such a cleaning method for a substrate processing apparatus, foreign substances such as dust generated in the processing section of the substrate processing apparatus can be more reliably removed by using the cleaning substrate.

本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、異物を捕集した前記クリーニング用基板を前記基板処理装置の機体内に設けられた洗浄ユニットに搬送し、当該洗浄ユニットにおいて前記クリーニング用基板に捕集された異物を洗浄により除去する工程を更に備えていてもよい。   In the cleaning method for a substrate processing apparatus of the present invention, the cleaning substrate in which foreign matter is collected is transported to a cleaning unit provided in the body of the substrate processing apparatus, and is collected on the cleaning substrate in the cleaning unit. There may be further provided a step of removing the extraneous matter by washing.

本発明のクリーニング用基板によれば、基板処理装置の処理部内で発生する埃塵等の異物を吸着することにより捕集する性能を向上させることができる。   According to the cleaning substrate of the present invention, it is possible to improve the performance of collecting by adsorbing foreign matter such as dust generated in the processing section of the substrate processing apparatus.

また、基板処理装置のクリーニング方法によれば、このようなクリーニング用基板を用いることにより基板処理装置の処理部内で発生する埃塵等の異物をより確実に除去することができる。   In addition, according to the cleaning method of the substrate processing apparatus, foreign substances such as dust generated in the processing section of the substrate processing apparatus can be more reliably removed by using such a cleaning substrate.

本発明の実施の形態によるクリーニング用基板の上面図である。It is a top view of the substrate for cleaning by an embodiment of the invention. 図1に示すクリーニング用基板のA−A矢視による側断面図である。It is a sectional side view by the AA arrow of the substrate for cleaning shown in FIG. 図1等に示すクリーニング用基板を帯電装置により帯電させるときの状態を示す図である。It is a figure which shows the state when charging the board | substrate for cleaning shown in FIG. 1 etc. with a charging device. 本発明の実施の形態によるクリーニング用基板の他の構成の上面図である。It is a top view of other composition of a substrate for cleaning by an embodiment of the invention. 図4に示すクリーニング用基板のB−B矢視による側断面図である。It is a sectional side view by the BB arrow of the substrate for cleaning shown in FIG. 本発明の実施の形態によるクリーニング用基板によりクリーニングが行われる基板処理装置の構成を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a configuration of a substrate processing apparatus in which cleaning is performed by a cleaning substrate according to an embodiment of the present invention. 図6に示す基板処理装置の内部構成の概略を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the outline of the internal structure of the substrate processing apparatus shown in FIG.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1乃至図7は、本実施の形態に係るクリーニング用基板およびこのクリーニング用基板によりクリーニングが行われる基板処理装置を示す図である。このうち、図1は、本実施の形態によるクリーニング用基板の上面図であり、図2は、図1に示すクリーニング用基板のA−A矢視による側断面図である。また、図3は、図1等に示すクリーニング用基板を帯電装置により帯電させるときの状態を示す図である。また、図4は、本実施の形態によるクリーニング用基板の他の構成の上面図であり、図5は、図4に示すクリーニング用基板のB−B矢視による側断面図である。また、図6は、本実施の形態によるクリーニング用基板によりクリーニングが行われる基板処理装置の構成を示す斜視図であり、図7は、図6に示す基板処理装置の内部構成の概略を示す概略構成図である。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 7 are diagrams showing a cleaning substrate and a substrate processing apparatus in which cleaning is performed by the cleaning substrate according to the present embodiment. Among these, FIG. 1 is a top view of the cleaning substrate according to the present embodiment, and FIG. 2 is a side sectional view of the cleaning substrate shown in FIG. FIG. 3 is a diagram showing a state when the cleaning substrate shown in FIG. 1 and the like is charged by a charging device. 4 is a top view of another configuration of the cleaning substrate according to the present embodiment, and FIG. 5 is a side sectional view of the cleaning substrate shown in FIG. FIG. 6 is a perspective view showing a configuration of the substrate processing apparatus in which cleaning is performed by the cleaning substrate according to the present embodiment, and FIG. 7 is a schematic diagram showing an outline of the internal configuration of the substrate processing apparatus shown in FIG. It is a block diagram.

図1乃至図3に示すクリーニング用基板10は、基板処理装置のクリーニングを行うためのものであり、基板処理装置の処理部内で発生する異物を吸着することにより捕集するようになっている。このようなクリーニング用基板10は、帯電された基板本体14と、基板本体14の表面に設けられた粘着層12とを備えている。ここで、基板本体14の表面の材質は、例えばフッ素樹脂等のプラスチックや石英等の絶縁性材料によって形成されている。また、粘着層12は、基板本体14に粘着剤を塗布することにより形成されるようになっている。他の例として、粘着層12は粘着テープであってもよい。この際に、粘着テープは例えば両面テープであってもよい。また、本実施の形態によるクリーニング用基板10を真空中で用いる場合には、基板本体14に粘着剤を塗布することにより粘着層12を形成したときには粘着剤が気化してしまいアウトガスにより基板処理装置の機体内が汚染してしまうおそれがある。これに対し、粘着層12としてフッ素樹脂またはポリイミド樹脂からなる粘着テープを用いた場合には、本実施の形態によるクリーニング用基板10を真空中で用いた際にもアウトガスの発生を抑制することができる。   The cleaning substrate 10 shown in FIGS. 1 to 3 is for cleaning the substrate processing apparatus, and collects the foreign substances generated in the processing section of the substrate processing apparatus by adsorbing them. Such a cleaning substrate 10 includes a charged substrate body 14 and an adhesive layer 12 provided on the surface of the substrate body 14. Here, the material of the surface of the substrate body 14 is formed of, for example, a plastic such as a fluororesin or an insulating material such as quartz. The adhesive layer 12 is formed by applying an adhesive to the substrate body 14. As another example, the adhesive layer 12 may be an adhesive tape. At this time, the adhesive tape may be, for example, a double-sided tape. Further, when the cleaning substrate 10 according to the present embodiment is used in a vacuum, the adhesive is vaporized when the adhesive layer 12 is formed by applying the adhesive to the substrate body 14, and the substrate processing apparatus is caused by outgas. The inside of the aircraft may be contaminated. On the other hand, when an adhesive tape made of a fluororesin or a polyimide resin is used as the adhesive layer 12, generation of outgas can be suppressed even when the cleaning substrate 10 according to the present embodiment is used in a vacuum. it can.

図1に示すようなクリーニング用基板10により基板処理装置のクリーニングを行う場合には、当該クリーニング用基板10を基板処理装置の処理部内に搬送する前に、図3に示すようにコロナ放電方式等の帯電装置20によりこのクリーニング用基板10の基板本体14を帯電させる。このような帯電装置20は、基板処理装置の機体内に設けられていてもよく、あるいは基板処理装置の機体外に設けられていてもよい。このような帯電装置20により、埃塵等の異物を吸着することができるだけの静電気を基板本体14に帯電させることができる。ここで、クリーニング用基板10によりクリーニングが行われる基板処理装置が例えばプラズマを用いるドライエッチング装置である場合には、処理部内の埃塵はマイナスに帯電するため、クリーニング用基板10の基板本体14をプラスに帯電させる必要がある。   When the substrate processing apparatus is cleaned by the cleaning substrate 10 as shown in FIG. 1, before the cleaning substrate 10 is transferred into the processing section of the substrate processing apparatus, as shown in FIG. The charging device 20 charges the substrate body 14 of the cleaning substrate 10. Such a charging device 20 may be provided in the body of the substrate processing apparatus, or may be provided outside the body of the substrate processing apparatus. With such a charging device 20, the substrate body 14 can be charged with enough static electricity to attract foreign matters such as dust. Here, when the substrate processing apparatus to be cleaned by the cleaning substrate 10 is, for example, a dry etching apparatus using plasma, dust in the processing unit is negatively charged, so that the substrate body 14 of the cleaning substrate 10 is It needs to be charged positively.

なお、基板処理装置のクリーニングを行うクリーニング用基板は、図1乃至図3に開示されるものに限定されることはない。本実施の形態によるクリーニング用基板の他の構成について図4および図5を用いて説明する。   The cleaning substrate for cleaning the substrate processing apparatus is not limited to the one disclosed in FIGS. Another structure of the cleaning substrate according to this embodiment will be described with reference to FIGS.

図4よび図5に示すクリーニング用基板30は、その表面に凹凸が設けられた基板本体31を帯電させたものである。具体的には、図4および図5に示すように、基板本体31の表面にはライン状の凸部32および凹部34が交互に形成されており、これらの凸部32および凹部34により基板本体31の表面積が増加している。図4および図5に示すクリーニング用基板30では、基板本体31の表面積が増加することにより、埃塵等の異物を吸着する性能が向上している。なお、図4および図5に示すようなクリーニング用基板30により基板処理装置のクリーニングを行う場合にも、当該クリーニング用基板30を基板処理装置の処理部内に搬送する前に、図3に示す帯電装置20と同様の構成を有するコロナ放電方式等の帯電装置によりこのクリーニング用基板30の基板本体31を帯電させる。また、クリーニング用基板30の基板本体31の表面の材質は、例えばフッ素樹脂等のプラスチックや石英等の絶縁性材料によって形成されている。   The cleaning substrate 30 shown in FIGS. 4 and 5 is obtained by charging a substrate body 31 having irregularities on its surface. Specifically, as shown in FIGS. 4 and 5, line-shaped convex portions 32 and concave portions 34 are alternately formed on the surface of the substrate body 31, and the substrate main body is formed by these convex portions 32 and concave portions 34. The surface area of 31 has increased. In the cleaning substrate 30 shown in FIGS. 4 and 5, the surface area of the substrate body 31 is increased, so that the performance of adsorbing foreign matters such as dust is improved. In the case where the substrate processing apparatus is cleaned with the cleaning substrate 30 as shown in FIGS. 4 and 5, the charging substrate shown in FIG. 3 is also transferred before the cleaning substrate 30 is transferred into the processing section of the substrate processing apparatus. The substrate body 31 of the cleaning substrate 30 is charged by a charging device such as a corona discharge method having the same configuration as the device 20. Further, the material of the surface of the substrate body 31 of the cleaning substrate 30 is formed of, for example, a plastic such as a fluororesin or an insulating material such as quartz.

図1乃至図3に示すクリーニング用基板10や図4および図5に示すクリーニング用基板30によれば、静電気を帯電させるだけでなく、粘着層12により粘着性を持たせたり、表面に凹凸を形成することにより表面積を増加させたりすることによって、吸着した異物を捕集する力が増加し、このことによってクリーニング効率を向上させることができる。また、異物を捕集する力が増加することにより、真空を使用したドライエッチング装置等、圧力変化等により捕集した異物が脱落してしまう可能性のあるような基板処理装置に対しても効率的にクリーニングを行うことができるようになる。また、図1乃至図3に示すクリーニング用基板10や図4および図5に示すクリーニング用基板30は、静電気を利用した非接触の吸着方式であるため、このようなクリーニング用基板10、30を搬送するだけで、普段は人の手が入らないような箇所のクリーニングも可能となり、また、そういった箇所のクリーニングを実施するために基板処理装置を停止させる必要がなくなるため稼働率を向上させることができる。   The cleaning substrate 10 shown in FIGS. 1 to 3 and the cleaning substrate 30 shown in FIGS. 4 and 5 are not only charged with static electricity, but also are made sticky by the adhesive layer 12 or have irregularities on the surface. By increasing the surface area by forming, the force to collect the adsorbed foreign matter is increased, thereby improving the cleaning efficiency. It is also efficient for substrate processing equipment in which foreign matter collected due to pressure changes, etc. may drop due to increased force to collect foreign matter, such as dry etching equipment using vacuum. Cleaning can be performed automatically. Further, the cleaning substrate 10 shown in FIGS. 1 to 3 and the cleaning substrate 30 shown in FIGS. 4 and 5 are non-contact adsorption systems using static electricity, and therefore, such cleaning substrates 10 and 30 are used. It is possible to clean areas that would normally be inaccessible simply by transporting, and it is not necessary to stop the substrate processing equipment to perform such area cleaning, improving the operating rate. it can.

また、図1乃至図3に示すクリーニング用基板10において粘着層12として粘着テープを使用した際には、基板処理装置のクリーニングを行うことによりクリーニング用基板10に埃塵等の異物が付着した場合でも、この粘着テープを交換するだけでクリーニング用基板10を再利用することができるようになる。また、基板処理装置のクリーニングを行うことにより図4および図5に示すクリーニング用基板30に埃塵等の異物が付着した場合には、当該クリーニング用基板30の表面を洗浄することによりこのクリーニング用基板30を再利用することができるようになる。   Further, when an adhesive tape is used as the adhesive layer 12 in the cleaning substrate 10 shown in FIGS. 1 to 3, foreign substances such as dust adhere to the cleaning substrate 10 by cleaning the substrate processing apparatus. However, the cleaning substrate 10 can be reused simply by replacing the adhesive tape. Further, when foreign matter such as dust adheres to the cleaning substrate 30 shown in FIGS. 4 and 5 by cleaning the substrate processing apparatus, the cleaning substrate 30 is cleaned to clean the surface. The substrate 30 can be reused.

次に、本実施の形態によるクリーニング用基板10、30によりクリーニングが行われる基板処理装置の構成について図6および図7を用いて説明する。図6および図7に示すような基板処理装置は、互いに隣り合うよう配置された塗布・現像装置100および露光装置110を備えており、塗布・現像装置100は、被処理基板である半導体ウエハ(以下、ウエハともいう)が例えば25枚密閉収容されたキャリア121を搬入出するための搬入・搬出部であるキャリアブロック101と、ウエハに対してレジスト液の塗布処理および現像処理を行う処理ブロック102と、インターフェース部であるインターフェースブロック103とを有している。また、塗布・現像装置100には、各ブロック101、102、103間や処理ブロック102内の様々なユニットとの間でウエハの搬送を行う搬送手段としての搬送アーム104、106、108が設けられている。   Next, the configuration of the substrate processing apparatus in which cleaning is performed by the cleaning substrates 10 and 30 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. The substrate processing apparatus as shown in FIGS. 6 and 7 includes a coating / developing apparatus 100 and an exposure apparatus 110 arranged so as to be adjacent to each other, and the coating / developing apparatus 100 is a semiconductor wafer (a substrate to be processed). A carrier block 101 that is a loading / unloading unit for loading / unloading, for example, 25 carriers 121 that are hermetically contained, and a processing block 102 that performs a resist solution coating process and a developing process on the wafer. And an interface block 103 which is an interface unit. Further, the coating / developing apparatus 100 is provided with transfer arms 104, 106, and 108 as transfer means for transferring wafers between the blocks 101, 102, and 103 and with various units in the processing block 102. ing.

キャリアブロック101には、複数個(例えば、4個)のキャリア121を載置可能な載置台122と、この載置台122から見て前方の壁面に設けられた開閉部123と、開閉部123を介してキャリア121からウエハを取り出すための搬送アーム104とがそれぞれ設けられている。   The carrier block 101 includes a mounting table 122 on which a plurality of (for example, four) carriers 121 can be mounted, an opening / closing unit 123 provided on a wall surface in front of the mounting table 122, and an opening / closing unit 123. And a transfer arm 104 for taking out the wafer from the carrier 121.

キャリアブロック101の奧側には処理ブロック102が接続されている。処理ブロック102には、ウエハに対してレジスト液の塗布処理を行う塗布処理ユニットやウエハに対して現像処理を行う現像処理ユニットからなる処理ユニット130が複数設けられている。また、処理ブロック102には、ウエハが載置される棚ユニット140が複数設けられている。また、処理ブロック102には、ウエハの洗浄を行う洗浄ユニット150が設けられており、この洗浄ユニット150には、クリーニング用基板10、30を帯電するための帯電装置160が設けられている。また、処理ブロック102には、キャリアブロック101やインターフェースブロック103との間でウエハの受け渡しを行う受け渡しステージ125、126や、キャリアブロック101やインターフェースブロック103との間や処理ブロック102内の様々なユニットとの間でウエハの搬送を行う搬送アーム106がそれぞれ設けられている。   A processing block 102 is connected to the heel side of the carrier block 101. The processing block 102 is provided with a plurality of processing units 130 including a coating processing unit for applying a resist solution to the wafer and a developing processing unit for developing the wafer. The processing block 102 is provided with a plurality of shelf units 140 on which wafers are placed. The processing block 102 is provided with a cleaning unit 150 for cleaning the wafer, and the cleaning unit 150 is provided with a charging device 160 for charging the cleaning substrates 10 and 30. The processing block 102 includes transfer stages 125 and 126 for transferring wafers to and from the carrier block 101 and the interface block 103, and various units between the carrier block 101 and the interface block 103 and in the processing block 102. Are provided with transfer arms 106 for transferring the wafers between them.

インターフェースブロック103には、処理ブロック102と露光装置110との間でウエハの搬送を行う搬送アーム108が設けられている。露光装置110では、処理ブロック102に設けられた塗布処理ユニットによりレジスト液が塗布されたウエハの露光処理を行うようになっている。露光処理が行われたウエハは、処理ブロック102に設けられた現像処理ユニットにより現像処理が行われるようになっている。   The interface block 103 is provided with a transfer arm 108 for transferring a wafer between the processing block 102 and the exposure apparatus 110. In the exposure apparatus 110, a wafer coated with a resist solution is exposed by a coating unit provided in the processing block 102. The wafer subjected to the exposure process is subjected to development processing by a development processing unit provided in the processing block 102.

このような構成からなる基板処理装置のクリーニングを行う際には、当該基板処理装置により基板の処理を行う前に、図1乃至図3に示すようなクリーニング用基板10や図4および図5に示すようなクリーニング用基板30を基板処理装置の機体内に設けられた帯電装置160により帯電させ、その後、クリーニング用基板10、30を処理ユニット130内に搬送することにより処理ユニット130内の埃塵等の異物をクリーニング用基板10、30に付着させて捕集する。このことにより、処理ユニット130内の埃塵等の異物が除去される。また、埃塵等の異物を捕集したクリーニング用基板10、30は洗浄ユニット150に搬送され、この洗浄ユニット150により洗浄される。このことにより、クリーニング用基板10、30の表面に付着した埃塵等の異物が洗い流されることにより、クリーニング用基板10、30を再利用することができるようになる。   When cleaning a substrate processing apparatus having such a structure, before the substrate processing is performed by the substrate processing apparatus, the cleaning substrate 10 as shown in FIGS. 1 to 3 or FIGS. The cleaning substrate 30 as shown is charged by a charging device 160 provided in the body of the substrate processing apparatus, and then the cleaning substrates 10 and 30 are transported into the processing unit 130 to thereby remove dust in the processing unit 130. A foreign substance such as a liquid is attached to the cleaning substrates 10 and 30 and collected. Thereby, foreign matters such as dust in the processing unit 130 are removed. Further, the cleaning substrates 10 and 30 that collect foreign matters such as dust are transported to the cleaning unit 150 and cleaned by the cleaning unit 150. As a result, foreign substances such as dust adhering to the surfaces of the cleaning substrates 10 and 30 are washed away, so that the cleaning substrates 10 and 30 can be reused.

なお、本実施の形態によるクリーニング用基板やクリーニング用基板によりクリーニングが行われる基板処理装置は、上述したような態様に限定されることはなく、特許請求の範囲に記載の発明の範囲内で様々な変更を加えることができる。   Note that the cleaning substrate and the substrate processing apparatus that performs cleaning with the cleaning substrate according to the present embodiment are not limited to the above-described modes, and various types are within the scope of the invention described in the claims. Changes can be made.

例えば、クリーニング用基板は、図1乃至図5に示すような正方形形状のものに限定されることはない。クリーニング用基板として例えば円形形状のものを用いてもよい。   For example, the cleaning substrate is not limited to a square shape as shown in FIGS. For example, a circular substrate may be used as the cleaning substrate.

また、クリーニング用基板によりクリーニングが行われる基板処理装置は図6および図7に示すような構成のものに限定されることはない。クリーニング用基板によりクリーニングが行われる基板処理装置として、図6および図7に示すようなフォトリソグラフィ装置以外のものを用いてもよい。   Further, the substrate processing apparatus that performs cleaning with the cleaning substrate is not limited to the one shown in FIGS. As a substrate processing apparatus that performs cleaning with the cleaning substrate, a device other than the photolithography apparatus as shown in FIGS. 6 and 7 may be used.

10 クリーニング用基板
12 粘着層
14 基板本体
20 帯電装置
30 クリーニング用基板
31 基板本体
32 凸部
34 凹部
100 塗布・現像装置
101 キャリアブロック
102 処理ブロック
103 インターフェースブロック
104、106、108 搬送アーム
110 露光装置
121 キャリア
122 載置台
123 開閉部
125、126 受け渡しステージ
130 処理ユニット
140 棚ユニット
150 洗浄ユニット
160 帯電装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Cleaning substrate 12 Adhesive layer 14 Substrate main body 20 Charging device 30 Cleaning substrate 31 Substrate main body 32 Convex part 34 Concave part 100 Coating / developing apparatus 101 Carrier block 102 Processing block 103 Interface block 104, 106, 108 Transport arm 110 Exposure apparatus 121 Carrier 122 Mounting table 123 Opening / closing section 125, 126 Delivery stage 130 Processing unit 140 Shelf unit 150 Cleaning unit 160 Charging device

Claims (9)

基板処理装置のクリーニングを行うためのクリーニング用基板であって、
帯電された基板本体と、
前記基板本体の表面に設けられた粘着層と、
を備え、
基板処理装置の処理部内で発生する異物を吸着することにより捕集する、クリーニング用基板。
A cleaning substrate for cleaning a substrate processing apparatus,
A charged substrate body;
An adhesive layer provided on the surface of the substrate body;
With
A cleaning substrate that collects by adsorbing foreign matter generated in a processing section of a substrate processing apparatus.
前記粘着層は粘着テープからなる、請求項1記載のクリーニング用基板。   The cleaning substrate according to claim 1, wherein the adhesive layer is made of an adhesive tape. 前記粘着テープはフッ素樹脂またはポリイミド樹脂からなる、請求項2記載のクリーニング用基板。   The cleaning substrate according to claim 2, wherein the adhesive tape is made of a fluororesin or a polyimide resin. 基板処理装置のクリーニングを行うためのクリーニング用基板であって、
その表面に凹凸が設けられた、帯電された基板本体を備え、
基板処理装置の処理部内で発生する異物を吸着することにより捕集する、クリーニング用基板。
A cleaning substrate for cleaning a substrate processing apparatus,
It has a charged substrate body with irregularities on its surface,
A cleaning substrate that collects by adsorbing foreign matter generated in a processing section of a substrate processing apparatus.
基板の処理を行う処理部を備えた基板処理装置のクリーニング方法であって、
基板本体と、前記基板本体の表面に設けられた粘着層とを有するクリーニング用基板を帯電させる工程と、
基板の処理前に、帯電された前記クリーニング用基板を前記処理部に搬入して、この処理部内に発生する異物を前記クリーニング用基板に付着させて捕集する工程と、
を備えた、基板処理装置のクリーニング方法。
A cleaning method for a substrate processing apparatus including a processing unit for processing a substrate,
Charging a cleaning substrate having a substrate body and an adhesive layer provided on a surface of the substrate body;
Before the processing of the substrate, the charged cleaning substrate is carried into the processing unit, and the foreign matter generated in the processing unit is attached to the cleaning substrate and collected;
A method for cleaning a substrate processing apparatus, comprising:
基板本体と、前記基板本体の表面に設けられた粘着層とを有するクリーニング用基板を帯電させる工程は前記基板処理装置の機体内で行われる、請求項5記載の基板処理装置のクリーニング方法。   6. The method for cleaning a substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the step of charging a cleaning substrate having a substrate main body and an adhesive layer provided on the surface of the substrate main body is performed in the body of the substrate processing apparatus. 異物を捕集した前記クリーニング用基板を前記基板処理装置の機体内に設けられた洗浄ユニットに搬送し、当該洗浄ユニットにおいて前記クリーニング用基板に捕集された異物を洗浄により除去する工程を更に備えた、請求項5または6記載の基板処理装置のクリーニング方法。   A step of transporting the cleaning substrate collecting foreign matter to a cleaning unit provided in the body of the substrate processing apparatus, and further removing the foreign matter collected on the cleaning substrate by cleaning in the cleaning unit; A cleaning method for a substrate processing apparatus according to claim 5 or 6. 基板の処理を行う処理部を備えた基板処理装置のクリーニング方法であって、
その表面に凹凸が設けられた基板本体を有するクリーニング用基板を帯電させる工程と、
基板の処理前に、帯電された前記クリーニング用基板を前記処理部に搬入して、この処理部内に発生する異物を前記クリーニング用基板に付着させて捕集する工程と、
を備えた、基板処理装置のクリーニング方法。
A cleaning method for a substrate processing apparatus including a processing unit for processing a substrate,
Charging a cleaning substrate having a substrate body provided with irregularities on its surface;
Before the processing of the substrate, the charged cleaning substrate is carried into the processing unit, and the foreign matter generated in the processing unit is attached to the cleaning substrate and collected;
A method for cleaning a substrate processing apparatus, comprising:
異物を捕集した前記クリーニング用基板を前記基板処理装置の機体内に設けられた洗浄ユニットに搬送し、当該洗浄ユニットにおいて前記クリーニング用基板に捕集された異物を洗浄により除去する工程を更に備えた、請求項8記載の基板処理装置のクリーニング方法。   A step of transporting the cleaning substrate collecting foreign matter to a cleaning unit provided in the body of the substrate processing apparatus, and further removing the foreign matter collected on the cleaning substrate by cleaning in the cleaning unit; The method for cleaning a substrate processing apparatus according to claim 8.
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