JP5717803B2 - Peeling system, peeling method, program, and computer storage medium - Google Patents

Peeling system, peeling method, program, and computer storage medium Download PDF

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本発明は、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離システム、当該剥離システムを用いた剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。   The present invention relates to a peeling system for peeling a superposed substrate from a substrate to be processed and a support substrate, a peeling method using the peeling system, a program, and a computer storage medium.

近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ(以下、「ウェハ」とする)の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理したりすると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、ウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。   In recent years, for example, in semiconductor device manufacturing processes, semiconductor wafers (hereinafter referred to as “wafers”) have become larger in diameter. Further, in a specific process such as mounting, it is required to make the wafer thinner. For example, if a thin wafer with a large diameter is transported or polished as it is, the wafer may be warped or cracked. For this reason, in order to reinforce the wafer, for example, the wafer is attached to a wafer or a glass substrate which is a support substrate. Then, after a predetermined process such as a wafer polishing process is performed in a state where the wafer and the support substrate are bonded in this way, the wafer and the support substrate are peeled off.

かかるウェハと支持基板の剥離は、例えば剥離装置を用いて行われる。剥離装置は、例えばウェハを保持する第1ホルダーと、支持基板を保持する第2ホルダーと、ウェハと支持基板との間に液体を噴射するノズルとを有している。そして、この剥離装置では、ノズルから接合されたウェハと支持基板との間に、当該ウェハと支持基板との間の接合強度より大きい噴射圧、好ましくは接合強度より2倍以上大きい噴射圧で液体を噴射することにより、ウェハと支持基板の剥離が行われている(特許文献1)。   The wafer and the support substrate are peeled off using, for example, a peeling device. The peeling apparatus includes, for example, a first holder that holds a wafer, a second holder that holds a support substrate, and a nozzle that ejects liquid between the wafer and the support substrate. In this peeling apparatus, the liquid is applied between the wafer bonded from the nozzle and the support substrate with an injection pressure larger than the bonding strength between the wafer and the support substrate, preferably at least twice as large as the bonding strength. The wafer and the support substrate are peeled off by spraying (Patent Document 1).

特開平9−167724号公報JP-A-9-167724

しかしながら、剥離装置においては、剥離処理に伴い発生した汚れが剥離装置内に付着し、当該剥離装置からパーティクルが発生してしまう。   However, in the peeling device, dirt generated with the peeling process adheres to the peeling device, and particles are generated from the peeling device.

そして、剥離装置から発生したパーティクルが剥離装置の外部に拡散すると、パーティクルの発生減が広がってしまう。こうなると、例えば処理前のウェハがこのパーティクルに汚染され、ウェハ処理の際に欠陥を生じてしまう。   When particles generated from the peeling device are diffused to the outside of the peeling device, the reduction in the generation of particles spreads. In this case, for example, the wafer before processing is contaminated with the particles, and a defect occurs during the wafer processing.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、剥離装置により被処理基板と支持基板の剥離処理を行う際に発生するパーティクルが、当該剥離装置の外部に拡散することを抑制することを目的とする。   The present invention has been made in view of such points, and it is possible to suppress diffusion of particles generated when performing a separation process of a substrate to be processed and a support substrate by a separation apparatus to the outside of the separation apparatus. Objective.

前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、被処理基板を保持するベルヌーイチャックを備え、前記剥離装置から被処理基板を搬出する搬送装置と、前記剥離装置と前記搬送装置とを備えた剥離処理ステーションと、前記剥離システムの外部との間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送ステーションと、を有し、前記搬送装置内の圧力は、前記剥離装置内の圧力に対して陽圧であり、前記搬送ステーション内の圧力は、前記剥離装置内の圧力に対して陽圧であることを特徴としている。
In order to achieve the above object, the present invention provides a peeling system for peeling a polymerized substrate in which a substrate to be processed and a support substrate are bonded with an adhesive to the substrate to be processed and the support substrate. And a peeling device that peels off the supporting substrate, a Bernoulli chuck that holds the substrate to be processed, a transfer device that carries out the substrate to be processed from the peeling device, and a peeling processing station that includes the peeling device and the transfer device. The substrate to be processed, the supporting substrate or the substrate to be processed between the outside of the peeling system and the loading / unloading station for loading / unloading the substrate to be processed, the supporting substrate or the polymerization substrate. A transfer station for transferring a superposed substrate, and the pressure in the transfer device is positive with respect to the pressure in the peeling device, and the pressure in the transfer station is Is characterized in that a positive pressure relative to the pressure in the peeling device.

本発明の剥離システムによれば、搬送装置内の圧力が剥離装置内の圧力に対して陽圧となっているので、搬送装置から剥離装置に向かう気流が生じる。即ち、剥離装置から外部に雰囲気が流出することがない。したがって、剥離装置から外部にパーティクルが流出することがない。これにより、被処理基板と支持基板の剥離処理を行う際に発生するパーティクルが、剥離装置の外部に拡散することを抑制することができる。   According to the peeling system of the present invention, since the pressure in the transport device is positive with respect to the pressure in the peel device, an air flow from the transport device toward the peeling device is generated. That is, the atmosphere does not flow out from the peeling device. Therefore, particles do not flow out from the peeling device. Thereby, it can suppress that the particle which generate | occur | produces when performing the peeling process of a to-be-processed substrate and a support substrate spread | diffuses outside the peeling apparatus.

前記搬送ステーションは、前記剥離処理ステーションと、当該剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションとの間で、被処理基板をさらに搬送し、前記搬送ステーション内の圧力は、前記後処理ステーション内の圧力に対して陽圧であってもよい。   The transfer station further transfers the substrate to be processed between the peeling processing station and a post-processing station that performs predetermined post-processing on the substrate to be processed peeled off at the peeling processing station. The pressure may be positive with respect to the pressure in the aftertreatment station.

別な観点による本発明は、剥離システムを用いて、剥離システムを用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、前記剥離システムは、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、被処理基板を保持するベルヌーイチャックを備え、前記剥離装置から被処理基板を搬出する搬送装置と、前記剥離装置と前記搬送装置とを備えた剥離処理ステーションと、前記剥離システムの外部との間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送ステーションと、を有し、前記剥離方法は、前記剥離装置において、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離工程を有し、前記搬送装置内の圧力は、前記剥離装置内の圧力に対して陽圧であり、前記搬送ステーション内の圧力は、前記剥離装置内の圧力に対して陽圧であることを特徴としている。 Another aspect of the present invention is a peeling method that uses a peeling system to peel a polymerized substrate in which the substrate to be processed and the support substrate are bonded with an adhesive using the peeling system to the substrate to be processed and the support substrate. The peeling system includes a peeling device that peels the superposed substrate into a substrate to be processed and a support substrate, a Bernoulli chuck that holds the substrate to be processed, a transport device that carries the substrate out of the peeling device, and the peeling An exfoliation processing station provided with an apparatus and the transfer device, a carry-in / out station for carrying in / out a substrate to be processed, a support substrate or a superposed substrate between the outside of the exfoliation system , the exfoliation treatment station, and the carry-in / out A transfer station for transferring a substrate to be processed, a support substrate, or a superposed substrate to and from the station. A separation step of separating the substrate to be processed and the support substrate, wherein the pressure in the transfer device is positive with respect to the pressure in the release device, and the pressure in the transfer station is in the release device It is characterized by positive pressure with respect to pressure.

前記搬送ステーションは、前記剥離処理ステーションと、当該剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションとの間で、被処理基板をさらに搬送し、前記剥離工程後、前記後処理ステーションにおいて被処理基板に後処理を行う後処理工程を有し、前記搬送ステーション内の圧力は、前記後処理ステーション内の圧力に対して陽圧であってもよい。   The transfer station further transfers the substrate to be processed between the peeling processing station and a post-processing station that performs predetermined post-processing on the substrate to be processed peeled off at the peeling processing station, and after the peeling step, The post-processing station may include a post-processing step of performing post-processing on the substrate to be processed, and the pressure in the transfer station may be positive with respect to the pressure in the post-processing station.

また別な観点による本発明によれば、前記剥離方法を剥離システムによって実行させるために、当該剥離システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided a program that operates on a computer of a control unit that controls the peeling system in order to cause the peeling system to execute the peeling method.

さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。   According to another aspect of the present invention, a readable computer storage medium storing the program is provided.

本発明によれば、剥離装置により被処理基板と支持基板の剥離処理を行う際に発生するパーティクルが、当該剥離装置の外部に拡散することを抑制することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it can suppress that the particle | grains generate | occur | produced when performing the peeling process of a to-be-processed substrate and a support substrate with a peeling apparatus diffuses outside the said peeling apparatus.

本実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of the peeling system concerning this Embodiment. 被処理ウェハと支持ウェハの側面図である。It is a side view of a to-be-processed wafer and a support wafer. 剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a peeling apparatus. 第1の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a 1st washing | cleaning apparatus. 第1の洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of a 1st washing | cleaning apparatus. 第2の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a 2nd washing | cleaning apparatus. 第2の搬送装置の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of a 2nd conveying apparatus. 剥離システム内に生じる気流の説明図である。It is explanatory drawing of the airflow which arises in a peeling system. 剥離処理の主な工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the main processes of peeling processing. 第1の保持部と第2の保持部で重合ウェハを保持した様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the superposition | polymerization wafer was hold | maintained with the 1st holding | maintenance part and the 2nd holding | maintenance part. 第2の保持部を鉛直方向及び水平方向に移動させる様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a 2nd holding | maintenance part is moved to a perpendicular direction and a horizontal direction. 被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the to-be-processed wafer and the support wafer were peeled. 第1の保持部からベルヌーイチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a to-be-processed wafer is delivered from a 1st holding | maintenance part to Bernoulli chuck. ベルヌーイチャックからポーラスチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a to-be-processed wafer is delivered from a Bernoulli chuck to a porous chuck | zipper. 他の実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of the peeling system concerning other embodiment.

以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる剥離システム1の構成の概略を示す平面図である。   Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a plan view showing an outline of a configuration of a peeling system 1 according to the present embodiment.

剥離システム1では、図2に示すように被処理基板としての被処理ウェハWと支持基板としての支持ウェハSとが接着剤Gで接合された重合基板としての重合ウェハTを、被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離する。以下、被処理ウェハWにおいて、接着剤Gを介して支持ウェハSと接合される面を「接合面W」といい、当該接合面Wと反対側の面を「非接合面W」という。同様に、支持ウェハSにおいて、接着剤Gを介して被処理ウェハWと接合される面を「接合面S」といい、「非接合面S」という。なお、被処理ウェハWは、製品となるウェハであって、例えば接合面Wに複数の電子回路が形成されている。また被処理ウェハWは、例えば非接合面Wが研磨処理され、薄型化(例えば厚みが50μm)されている。支持ウェハSは、被処理ウェハWの径と同じ径を有し、当該被処理ウェハWを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。 In the peeling system 1, as shown in FIG. 2, a superposed wafer T as a superposed substrate in which a target wafer W as a target substrate and a support wafer S as a support substrate are bonded with an adhesive G is used as a target wafer W. And the support wafer S is peeled off. Hereinafter, in the processing target wafer W, a surface bonded to the support wafer S via the adhesive G is referred to as “bonding surface W J ”, and a surface opposite to the bonding surface W J is referred to as “non-bonding surface W N ”. That's it. Similarly, the surface of the support wafer S that is bonded to the processing target wafer W via the adhesive G is referred to as “bonded surface S J ” and is referred to as “non-bonded surface S N ”. Note that wafer W is a wafer as a product, a plurality of electronic circuits are formed, for example, joint surface W J. The wafer W is, for example, non-bonding surface W N is polished, thin (e.g., thickness of 50 [mu] m) it is. The support wafer S is a wafer having the same diameter as the wafer W to be processed and supporting the wafer W to be processed. In this embodiment, the case where a wafer is used as the support substrate will be described, but another substrate such as a glass substrate may be used.

剥離システム1は、図1に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハW、複数の支持ウェハS、複数の重合ウェハTをそれぞれ収容可能なカセットC、C、Cが搬入出される搬入出ステーション2と、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた剥離処理ステーション3と、剥離処理ステーション3に隣接する後処理ステーション4との間で被処理ウェハWの受け渡しを行うインターフェイスステーション5と、後処理ステーション4に受け渡す前の被処理ウェハWを検査する検査装置6と、を一体に接続した構成を有している。 As shown in FIG. 1, the peeling system 1 includes cassettes C W , C S , and C T that can accommodate, for example, a plurality of wafers W to be processed, a plurality of support wafers S, and a plurality of superposed wafers T, respectively. A loading / unloading station 2 for loading / unloading, a peeling processing station 3 including various processing apparatuses for performing predetermined processing on the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T, and a post-processing adjacent to the peeling processing station 3 The interface station 5 that delivers the wafer W to be processed with the station 4 and the inspection apparatus 6 that inspects the wafer W before being delivered to the post-processing station 4 are integrally connected. Yes.

搬入出ステーション2と剥離処理ステーション3は、X方向(図1中の上下方向)に並べて配置されている。これら搬入出ステーション2と剥離処理ステーション3との間には、搬送ステーション7が設けられている。インターフェイスステーション5は、剥離処理ステーション3のY方向負方向側(図1中の左方向側)に配置されている。また、検査装置6は、インターフェイスステーション5のX方向正方向側(図1中の上方向側)に配置されており、インターフェイスステーション5を挟んで検査装置6の反対側、即ちインターフェイスステーション5のX方向負方向側には、検査後の被処理ウェハWを洗浄する検査後洗浄装置8が配置されている。   The carry-in / out station 2 and the peeling processing station 3 are arranged side by side in the X direction (vertical direction in FIG. 1). A transfer station 7 is provided between the carry-in / out station 2 and the peeling processing station 3. The interface station 5 is disposed on the Y direction negative direction side (left direction side in FIG. 1) of the peeling processing station 3. Further, the inspection device 6 is arranged on the positive side in the X direction of the interface station 5 (upward side in FIG. 1), and the opposite side of the inspection device 6 across the interface station 5, that is, the X of the interface station 5. A post-inspection cleaning apparatus 8 for cleaning the processing target wafer W after the inspection is arranged on the negative direction side.

搬入出ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。カセット載置台10には、複数、例えば3つのカセット載置板11が設けられている。カセット載置板11は、Y方向(図1中の左右方向)に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板11には、剥離システム1の外部に対してカセットC、C、Cを搬入出する際に、カセットC、C、Cを載置することができる。このように搬入出ステーション2は、複数の被処理ウェハW、複数の支持ウェハS、複数の重合ウェハTを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板11の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、搬入出ステーション2に搬入された複数の重合ウェハTには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハWを含む重合ウェハTと欠陥のある被処理ウェハWを含む重合ウェハTとに判別されている。 The loading / unloading station 2 is provided with a cassette mounting table 10. A plurality of, for example, three cassette mounting plates 11 are provided on the cassette mounting table 10. The cassette mounting plates 11 are arranged in a line in the Y direction (left and right direction in FIG. 1). These cassette mounting plates 11, cassettes C W to the outside of the peeling system 1, C S, when loading and unloading the C T, a cassette C W, C S, can be placed on C T . Thus, the carry-in / out station 2 is configured to be capable of holding a plurality of wafers W to be processed, a plurality of support wafers S, and a plurality of superposed wafers T. The number of cassette mounting plates 11 is not limited to the present embodiment, and can be arbitrarily determined. Further, the plurality of superposed wafers T carried into the carry-in / out station 2 are inspected in advance, and the superposed wafer T including the normal target wafer W and the superposed wafer T including the defective target wafer W; Has been determined.

搬送ステーション7の内部に形成されたウェハ搬送領域9には、搬送機構20が配置されている。搬送機構20は、例えば鉛直方向、水平方向(Y方向、X方向)及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。搬送機構20は、ウェハ搬送領域9内を移動し、搬入出ステーション2と剥離処理ステーション3との間で被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを搬送できる。搬送ステーション7の内部、即ちウェハ搬送領域9には、ダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。そして、ウェハ搬送領域9の内部の雰囲気は、排気口(図示せず)から排気される。   A transfer mechanism 20 is arranged in the wafer transfer area 9 formed inside the transfer station 7. The transport mechanism 20 includes a transport arm that can move around, for example, the vertical direction, the horizontal direction (Y direction, X direction), and the vertical axis. The transfer mechanism 20 moves in the wafer transfer area 9 and can transfer the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T between the carry-in / out station 2 and the peeling process station 3. Inside the transfer station 7, that is, in the wafer transfer region 9, an air flow directed downward in the vertical direction is generated. The atmosphere inside the wafer transfer region 9 is exhausted from an exhaust port (not shown).

剥離処理ステーション3は、重合ウェハTを被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離する剥離装置30を有している。剥離装置30のY方向負方向側(図1中の左方向側)には、剥離された被処理ウェハWを洗浄する第1の洗浄装置31が配置されている。剥離装置30と第1の洗浄装置31との間には、搬送装置32が設けられている。また、剥離装置30のY方向正方向側(図1中の右方向側)には、剥離された支持ウェハSを洗浄する第2の洗浄装置33が配置されている。このように剥離処理ステーション3には、第1の洗浄装置31、搬送装置32、剥離装置30、第2の洗浄装置33が、インターフェイスステーション5側からこの順で並べて配置されている。   The peeling processing station 3 includes a peeling device 30 that peels the superposed wafer T into the processing target wafer W and the supporting wafer S. A first cleaning device 31 that cleans the wafer to be processed W that has been peeled off is disposed on the negative side in the Y direction of the peeling device 30 (left side in FIG. 1). A transport device 32 is provided between the peeling device 30 and the first cleaning device 31. Further, a second cleaning device 33 for cleaning the peeled support wafer S is arranged on the positive side in the Y direction of the peeling device 30 (right side in FIG. 1). Thus, in the peeling processing station 3, the first cleaning device 31, the transport device 32, the peeling device 30, and the second cleaning device 33 are arranged in this order from the interface station 5 side.

検査装置6では、剥離装置30により剥離された被処理ウェハW上の接着剤Gの残渣の有無が検査される。また、検査後洗浄装置8では、検査装置6で接着剤Gの残渣が確認された被処理ウェハWの洗浄が行われる。この検査後洗浄装置8は、被処理ウェハWの接合面Wを洗浄する接合面洗浄部8a、被処理ウェハWの非接合面Wを洗浄する非接合面洗浄部8b、被処理ウェハWを上下反転させる反転部8cを有している。 In the inspection device 6, the presence or absence of the residue of the adhesive G on the processing target wafer W peeled by the peeling device 30 is inspected. Further, in the post-inspection cleaning apparatus 8, the wafer W to be processed in which the residue of the adhesive G is confirmed by the inspection apparatus 6 is cleaned. After the testing and cleaning device 8, the bonding surface cleaning unit 8a for cleaning the joint surface W J of wafer W, the non-bonding surface cleaning unit 8b for cleaning the non-bonding surface W N of the wafer W, the wafer W Has a reversing portion 8c for vertically reversing.

インターフェイスステーション5には、Y方向に延伸する搬送路40上を移動自在な他の搬送機構としての搬送機構41が設けられている。搬送機構41は、鉛直方向及び鉛直軸周り(θ方向)にも移動自在であり、剥離処理ステーション3、後処理ステーション4、検査装置6及び検査後洗浄装置8との間で被処理ウェハWを搬送できる。インターフェイスステーション5の内部には、ダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。そして、インターフェイスステーション5の内部の雰囲気は、排気口(図示せず)から排気される。   The interface station 5 is provided with a transport mechanism 41 as another transport mechanism that is movable on the transport path 40 extending in the Y direction. The transfer mechanism 41 is also movable in the vertical direction and around the vertical axis (θ direction), and moves the wafer W to be processed between the separation processing station 3, the post-processing station 4, the inspection apparatus 6, and the post-inspection cleaning apparatus 8. Can be transported. Inside the interface station 5, an air flow directed downward in the vertical direction is generated. The atmosphere inside the interface station 5 is exhausted from an exhaust port (not shown).

なお、後処理ステーション4では、剥離処理ステーション3で剥離された被処理ウェハWに所定の後処理を行う。所定の後処理として、例えば被処理ウェハWをマウントする処理や、被処理ウェハW上の電子回路の電気的特性の検査を行う処理、被処理ウェハWをチップ毎にダイシングする処理などが行われる。また、後処理ステーション4の内部にも、ダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。そして、後処理ステーション4の内部の雰囲気は、排気口(図示せず)から排気される。   In the post-processing station 4, predetermined post-processing is performed on the processing target wafer W peeled off at the peeling processing station 3. As predetermined post-processing, for example, processing for mounting the processing target wafer W, processing for inspecting electrical characteristics of electronic circuits on the processing target wafer W, processing for dicing the processing target wafer W for each chip, and the like are performed. . Further, an air flow directed downward in the vertical direction called a downflow is also generated inside the post-processing station 4. The atmosphere inside the post-processing station 4 is exhausted from an exhaust port (not shown).

次に、上述した剥離装置30の構成について説明する。剥離装置30は、図3に示すように、その内部に複数の機器を収容する筐体100を有している。筐体100の側面には、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの搬入出口(図示せず)が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ(図示せず)が設けられている。なお、本実施の形態における筐体100は、例えばステンレススチールの薄板等で構成されたものであり、その内部を密閉するものではないが、筐体100の構造は本実施の形態に限定されるものではなく、例えば内部を密閉可能な気密容器であってもよい。   Next, the structure of the peeling apparatus 30 mentioned above is demonstrated. As shown in FIG. 3, the peeling apparatus 30 has a housing 100 that houses a plurality of devices therein. A loading / unloading port (not shown) for the processing target wafer W, the support wafer S, and the overlapped wafer T is formed on the side surface of the housing 100, and an opening / closing shutter (not shown) is provided at the loading / unloading port. Note that the casing 100 in the present embodiment is made of, for example, a stainless steel thin plate and does not seal the inside thereof, but the structure of the casing 100 is limited to the present embodiment. For example, an airtight container capable of sealing the inside may be used.

筐体100の底面には、当該筐体100の内部の雰囲気を排気する排気口101が形成されている。排気口101には、例えば真空ポンプなどの排気装置102に連通する排気管103が接続されている。そして、排気口101から筐体100内部の雰囲気を排気することにより、筐体100内部にダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。   An exhaust port 101 that exhausts the atmosphere inside the housing 100 is formed on the bottom surface of the housing 100. An exhaust pipe 103 communicating with an exhaust device 102 such as a vacuum pump is connected to the exhaust port 101. Then, by exhausting the atmosphere inside the housing 100 from the exhaust port 101, an air flow directed downward in the vertical direction called downflow is generated inside the housing 100.

筐体100の内部には、被処理ウェハWを下面で吸着保持する第1の保持部110と、支持ウェハSを上面で載置して保持する第2の保持部111とが設けられている。第1の保持部110は、第2の保持部111の上方に設けられ、第2の保持部111と対向するように配置されている。すなわち、筐体100の内部では、被処理ウェハWを上側に配置し、且つ支持ウェハSを下側に配置した状態で、重合ウェハTに剥離処理が行われる。   Inside the housing 100, a first holding unit 110 that holds the wafer W to be processed by suction on the lower surface and a second holding unit 111 that places and holds the support wafer S on the upper surface are provided. . The first holding unit 110 is provided above the second holding unit 111 and is disposed so as to face the second holding unit 111. That is, in the housing 100, the superposed wafer T is subjected to the peeling process with the processing target wafer W disposed on the upper side and the supporting wafer S disposed on the lower side.

第1の保持部110には、例えばポーラスチャックが用いられている。第1の保持部110は、平板状の本体部120を有している。本体部120の下面側には、多孔質体121が設けられている。多孔質体121は、例えば被処理ウェハWとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハWの非接合面Wと当接している。なお、多孔質体121としては例えば炭化ケイ素が用いられる。 For example, a porous chuck is used for the first holding unit 110. The first holding part 110 has a plate-like main body part 120. A porous body 121 is provided on the lower surface side of the main body 120. The porous body 121 has, for example, substantially the same diameter as the wafer to be processed W, and is in contact with the non-joint surface W N of the wafer to be processed W. For example, silicon carbide is used as the porous body 121.

また、本体部120の内部であって多孔質体121の上方には吸引空間122が形成されている。吸引空間122は、例えば多孔質体121を覆うように形成されている。吸引空間122には、吸引管123が接続されている。吸引管123は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置(図示せず)に接続されている。そして、吸引管123から吸引空間122と多孔質体121を介して被処理ウェハの非接合面Wが吸引され、当該被処理ウェハWが第1の保持部110に吸着保持される。 A suction space 122 is formed inside the main body 120 and above the porous body 121. The suction space 122 is formed so as to cover the porous body 121, for example. A suction tube 123 is connected to the suction space 122. The suction pipe 123 is connected to a negative pressure generator (not shown) such as a vacuum pump. Then, the non-joint surface W N of the processing target wafer is sucked from the suction pipe 123 through the suction space 122 and the porous body 121, and the processing target wafer W is sucked and held by the first holding unit 110.

また、本体部120の内部であって吸引空間122の上方には、被処理ウェハWを加熱する加熱機構124が設けられている。加熱機構124には、例えばヒータが用いられる。   A heating mechanism 124 that heats the wafer W to be processed is provided inside the main body 120 and above the suction space 122. For the heating mechanism 124, for example, a heater is used.

第1の保持部110の上面には、当該第1の保持部110を支持する支持板130が設けられている。支持板130は、筐体100の天井面に支持されている。なお、本実施の形態の支持板130を省略し、第1の保持部110は筐体100の天井面に当接して支持されてもよい。   A support plate 130 that supports the first holding unit 110 is provided on the upper surface of the first holding unit 110. The support plate 130 is supported on the ceiling surface of the housing 100. Note that the support plate 130 of the present embodiment may be omitted, and the first holding unit 110 may be supported in contact with the ceiling surface of the housing 100.

第2の保持部111の内部には、支持ウェハSを吸着保持するための吸引管140が設けられている。吸引管140は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置(図示せず)に接続されている。   A suction tube 140 for sucking and holding the support wafer S is provided inside the second holding unit 111. The suction tube 140 is connected to a negative pressure generator (not shown) such as a vacuum pump.

また、第2の保持部111の内部には、支持ウェハSを加熱する加熱機構141が設けられている。加熱機構141には、例えばヒータが用いられる。   A heating mechanism 141 for heating the support wafer S is provided inside the second holding unit 111. For the heating mechanism 141, for example, a heater is used.

第2の保持部111の下方には、第2の保持部111及び支持ウェハSを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構150が設けられている。移動機構150は、第2の保持部111を鉛直方向に移動させる鉛直移動部151と、第2の保持部111を水平方向に移動させる水平移動部152とを有している。   Below the second holding unit 111, a moving mechanism 150 that moves the second holding unit 111 and the supporting wafer S in the vertical direction and the horizontal direction is provided. The moving mechanism 150 includes a vertical moving unit 151 that moves the second holding unit 111 in the vertical direction and a horizontal moving unit 152 that moves the second holding unit 111 in the horizontal direction.

鉛直移動部151は、第2の保持部111の下面を支持する支持板160と、支持板160を昇降させる駆動部161と、支持板160を支持する支持部材162とを有している。駆動部161は、例えばボールネジ(図示せず)と当該ボールネジを回動させるモータ(図示せず)とを有している。また、支持部材162は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板160と後述する支持体171との間に例えば3箇所に設けられている。   The vertical moving unit 151 includes a support plate 160 that supports the lower surface of the second holding unit 111, a drive unit 161 that moves the support plate 160 up and down, and a support member 162 that supports the support plate 160. The drive unit 161 includes, for example, a ball screw (not shown) and a motor (not shown) that rotates the ball screw. The support member 162 is configured to be extendable in the vertical direction, and is provided at, for example, three locations between the support plate 160 and a support body 171 described later.

水平移動部152は、X方向(図3中の左右方向)に沿って延伸するレール170と、レール170に取り付けられる支持体171と、支持体171をレール170に沿って移動させる駆動部172とを有している。駆動部172は、例えばボールネジ(図示せず)と当該ボールネジを回動させるモータ(図示せず)とを有している。   The horizontal moving unit 152 includes a rail 170 extending along the X direction (left and right direction in FIG. 3), a support 171 attached to the rail 170, and a drive unit 172 that moves the support 171 along the rail 170. have. The drive unit 172 includes, for example, a ball screw (not shown) and a motor (not shown) that rotates the ball screw.

なお、第2の保持部111の下方には、重合ウェハT又は支持ウェハSを下方から支持し昇降させるための昇降ピン(図示せず)が設けられている。昇降ピンは第2の保持部111に形成された貫通孔(図示せず)を挿通し、第2の保持部111の上面から突出可能になっている。   In addition, below the 2nd holding | maintenance part 111, the raising / lowering pin (not shown) for supporting and raising / lowering the superposition | polymerization wafer T or the support wafer S from the downward direction is provided. The elevating pin is inserted through a through hole (not shown) formed in the second holding part 111 and can protrude from the upper surface of the second holding part 111.

次に、上述した第1の洗浄装置31の構成について説明する。第1の洗浄装置31は、図4に示すように筐体180を有している。筐体180の側面には、被処理ウェハWの搬入出口(図示せず)が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ(図示せず)が設けられている。   Next, the configuration of the first cleaning device 31 described above will be described. The first cleaning device 31 has a housing 180 as shown in FIG. A loading / unloading port (not shown) for the wafer W to be processed is formed on the side surface of the housing 180, and an opening / closing shutter (not shown) is provided at the loading / unloading port.

筐体180内の中央部には、被処理ウェハWを保持して回転させるポーラスチャック190が設けられている。ポーラスチャック190は、平板状の本体部191と、本体部191の上面側に設けられた多孔質体192とを有している。多孔質体192は、例えば被処理ウェハWとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハWの非接合面Wと当接している。なお、多孔質体192としては例えば炭化ケイ素が用いられる。多孔質体192には吸引管(図示せず)が接続され、当該吸引管から多孔質体192を介して被処理ウェハWの非接合面Wを吸引することにより、当該被処理ウェハWをポーラスチャック190上に吸着保持できる。 A porous chuck 190 that holds and rotates the wafer W to be processed is provided at the center of the housing 180. The porous chuck 190 has a flat plate-shaped main body 191 and a porous body 192 provided on the upper surface side of the main body 191. The porous body 192 has, for example, substantially the same diameter as the wafer W to be processed, and is in contact with the non-joint surface W N of the wafer W to be processed. For example, silicon carbide is used as the porous body 192. A suction tube (not shown) is connected to the porous body 192, and the non-bonded surface W N of the wafer to be processed W is sucked from the suction tube through the porous body 192, thereby It can be sucked and held on the porous chuck 190.

ポーラスチャック190の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部193が設けられている。ポーラスチャック190は、チャック駆動部193により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部193には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、ポーラスチャック190は昇降自在になっている。   Below the porous chuck 190, for example, a chuck driving unit 193 provided with a motor or the like is provided. The porous chuck 190 can be rotated at a predetermined speed by the chuck driving unit 193. Further, the chuck driving unit 193 is provided with an elevating drive source such as a cylinder, for example, and the porous chuck 190 is movable up and down.

ポーラスチャック190の周囲には、被処理ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ194が設けられている。カップ194の下面には、回収した液体を排出する排出管195と、カップ194内の雰囲気を真空引きして排気する排気管196が接続されている。なお、洗浄装置31の筐体180の内部には、ダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。そして、排気管196は、筐体180の内部の雰囲気も排気する。   Around the porous chuck 190, there is provided a cup 194 that receives and collects the liquid scattered or dropped from the wafer W to be processed. Connected to the lower surface of the cup 194 are a discharge pipe 195 for discharging the collected liquid and an exhaust pipe 196 for evacuating and exhausting the atmosphere in the cup 194. In addition, in the housing 180 of the cleaning device 31, an air flow that is referred to as a downflow and is directed downward is generated. The exhaust pipe 196 also exhausts the atmosphere inside the housing 180.

図5に示すようにカップ194のX方向負方向(図5中の下方向)側には、Y方向(図5中の左右方向)に沿って延伸するレール200が形成されている。レール200は、例えばカップ194のY方向負方向(図5中の左方向)側の外方からY方向正方向(図5中の右方向)側の外方まで形成されている。レール200には、アーム201が取り付けられている。   As shown in FIG. 5, a rail 200 extending along the Y direction (left and right direction in FIG. 5) is formed on the negative side of the cup 194 in the X direction (downward direction in FIG. 5). The rail 200 is formed, for example, from the outside of the cup 194 on the Y direction negative direction (left direction in FIG. 5) side to the outside of the Y direction positive direction (right direction in FIG. 5) side. An arm 201 is attached to the rail 200.

アーム201には、図4及び図5に示すように被処理ウェハWに洗浄液、例えば有機溶剤を供給する洗浄液ノズル203が支持されている。アーム201は、図5に示すノズル駆動部204により、レール200上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル203は、カップ194のY方向正方向側の外方に設置された待機部205からカップ194内の被処理ウェハWの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハW上を被処理ウェハWの径方向に移動できる。また、アーム201は、ノズル駆動部204によって昇降自在であり、洗浄液ノズル203の高さを調節できる。   As shown in FIGS. 4 and 5, the arm 201 supports a cleaning liquid nozzle 203 that supplies a cleaning liquid, for example, an organic solvent, to the wafer W to be processed. The arm 201 is movable on the rail 200 by a nozzle driving unit 204 shown in FIG. As a result, the cleaning liquid nozzle 203 can move from the standby unit 205 installed on the outer side of the cup 194 on the positive side in the Y direction to above the center of the wafer W to be processed in the cup 194, and further on the wafer W to be processed. Can be moved in the radial direction of the wafer W to be processed. The arm 201 can be moved up and down by a nozzle driving unit 204 and the height of the cleaning liquid nozzle 203 can be adjusted.

洗浄液ノズル203には、例えば2流体ノズルが用いられる。洗浄液ノズル203には、図4に示すように当該洗浄液ノズル203に洗浄液を供給する供給管210が接続されている。供給管210は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源211に連通している。供給管210には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群212が設けられている。また、洗浄液ノズル203には、当該洗浄液ノズル203に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する供給管213が接続されている。供給管213は、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源214に連通している。供給管213には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群215が設けられている。そして、洗浄液と不活性ガスは洗浄液ノズル203内で混合され、当該洗浄液ノズル203から被処理ウェハWに供給される。なお、以下においては、洗浄液と不活性ガスを混合したものを単に「洗浄液」という場合がある。   For example, a two-fluid nozzle is used as the cleaning liquid nozzle 203. As shown in FIG. 4, a supply pipe 210 that supplies the cleaning liquid to the cleaning liquid nozzle 203 is connected to the cleaning liquid nozzle 203. The supply pipe 210 communicates with a cleaning liquid supply source 211 that stores the cleaning liquid therein. The supply pipe 210 is provided with a supply device group 212 including a valve for controlling the flow of the cleaning liquid, a flow rate adjusting unit, and the like. A supply pipe 213 for supplying an inert gas, for example, nitrogen gas, to the cleaning liquid nozzle 203 is connected to the cleaning liquid nozzle 203. The supply pipe 213 communicates with a gas supply source 214 that stores an inert gas therein. The supply pipe 213 is provided with a supply device group 215 including a valve for controlling the flow of the inert gas, a flow rate adjusting unit, and the like. The cleaning liquid and the inert gas are mixed in the cleaning liquid nozzle 203 and supplied from the cleaning liquid nozzle 203 to the wafer W to be processed. In the following, a mixture of a cleaning liquid and an inert gas may be simply referred to as “cleaning liquid”.

なお、ポーラスチャック190の下方には、被処理ウェハWを下方から支持し昇降させるための昇降ピン(図示せず)が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはポーラスチャック190に形成された貫通孔(図示せず)を挿通し、ポーラスチャック190の上面から突出可能になっている。そして、ポーラスチャック190を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、ポーラスチャック190との間で被処理ウェハWの受け渡しが行われる。なお、上述した検査後洗浄装置8の接合面洗浄部8aと非接合面洗浄部8bの構成は、内部にダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させていることを含めて、この第1の洗浄装置31と同様であるので、接合面洗浄部8aと非接合面洗浄部8bについては説明を省略する。   In addition, below the porous chuck 190, lifting pins (not shown) for supporting and lifting the wafer to be processed W from below may be provided. In such a case, the elevating pins can pass through a through hole (not shown) formed in the porous chuck 190 and protrude from the upper surface of the porous chuck 190. Then, instead of raising and lowering the porous chuck 190, the raising and lowering pins are raised and lowered, and the wafer W to be processed is transferred to and from the porous chuck 190. The configuration of the bonded surface cleaning unit 8a and the non-bonded surface cleaning unit 8b of the post-inspection cleaning apparatus 8 described above includes the fact that a downwardly flowing air flow called a downflow is generated inside. Since it is the same as that of the first cleaning apparatus 31, the description of the bonding surface cleaning unit 8a and the non-bonding surface cleaning unit 8b is omitted.

また、第2の洗浄装置33の構成は、上述した第1の洗浄装置31の構成とほぼ同様である。第2の洗浄装置33には、図6に示すように第1の洗浄装置31のポーラスチャック190に代えて、スピンチャック220が設けられる。スピンチャック220は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば支持ウェハSを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、支持ウェハSをスピンチャック220上に吸着保持できる。第2の洗浄装置33のその他の構成は、内部にダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させていることを含めて、上述した第1の洗浄装置31の構成と同様であるので説明を省略する。   The configuration of the second cleaning device 33 is substantially the same as the configuration of the first cleaning device 31 described above. As shown in FIG. 6, the second cleaning device 33 is provided with a spin chuck 220 instead of the porous chuck 190 of the first cleaning device 31. The spin chuck 220 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking, for example, the support wafer S is provided on the upper surface. The support wafer S can be sucked and held on the spin chuck 220 by suction from the suction port. Since the other structure of the 2nd washing | cleaning apparatus 33 is the same as that of the structure of the 1st washing | cleaning apparatus 31 mentioned above including the generation | occurrence | production of the air flow which goes to the vertically downward direction called a downflow inside, it demonstrates. Is omitted.

なお、第2の洗浄装置33において、スピンチャック220の下方には、被処理ウェハWの裏面、すなわち非接合面Wに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル(図示せず)が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、被処理ウェハWの非接合面Wと被処理ウェハWの外周部が洗浄される。 In the second cleaning device 33, below the spin chuck 220, it has a back rinse nozzle for injecting a cleaning liquid toward a back surface of the processing the wafer W, i.e. the non-bonding surface W N (not shown) is provided May be. The non-bonded surface W N of the wafer to be processed W and the outer peripheral portion of the wafer to be processed W are cleaned by the cleaning liquid sprayed from the back rinse nozzle.

次に、上述した搬送装置32の構成について説明する。搬送装置32は、図1に示されるように、第1の洗浄装置31、第2の洗浄装置33及びウェハ搬送領域9に囲まれた領域である、ウェハ搬送領域230に設けられた搬送機構231を有している。搬送機構231は、図7に示すように被処理ウェハWを保持するベルヌーイチャック232を有している。ベルヌーイチャック232は、空気を噴出することにより被処理ウェハWを浮遊させ、非接触の状態で被処理ウェハWを吸引懸垂し保持することができる。ベルヌーイチャック232は、支持アーム233に支持されている。支持アーム233は、第1の駆動部234に支持されている。この第1の駆動部234により、支持アーム233は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第1の駆動部234の下方には、第2の駆動部235が設けられている。この第2の駆動部235により、第1の駆動部234は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。なお、搬送装置32の内部、即ちウェハ搬送領域230には、ダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。そして、ウェハ搬送領域230の内部の雰囲気は、排気口(図示せず)から排気される。   Next, the configuration of the above-described transport device 32 will be described. As shown in FIG. 1, the transfer device 32 includes a transfer mechanism 231 provided in a wafer transfer region 230, which is a region surrounded by the first cleaning device 31, the second cleaning device 33, and the wafer transfer region 9. have. The transport mechanism 231 has a Bernoulli chuck 232 that holds the processing target wafer W as shown in FIG. The Bernoulli chuck 232 can float the wafer W to be processed by ejecting air, and can hold the wafer W to be sucked and held in a non-contact state. Bernoulli chuck 232 is supported by support arm 233. The support arm 233 is supported by the first drive unit 234. By the first drive unit 234, the support arm 233 can rotate around the horizontal axis and can be expanded and contracted in the horizontal direction. A second driving unit 235 is provided below the first driving unit 234. By this second drive unit 235, the first drive unit 234 can rotate about the vertical axis and can be moved up and down in the vertical direction. Note that an air flow in the vertically downward direction called a downflow is generated inside the transfer device 32, that is, in the wafer transfer region 230. The atmosphere inside the wafer transfer region 230 is exhausted from an exhaust port (not shown).

なお、搬送機構41は、上述した搬送装置32の搬送機構231と同様の構成を有しているので説明を省略する。但し、搬送機構41の第2の駆動部235は、図1に示した搬送路40に取り付けられ、搬送機構41は搬送路40上を移動可能になっている。   Note that the transport mechanism 41 has the same configuration as the transport mechanism 231 of the transport device 32 described above, and a description thereof will be omitted. However, the second drive unit 235 of the transport mechanism 41 is attached to the transport path 40 illustrated in FIG. 1, and the transport mechanism 41 is movable on the transport path 40.

以上の剥離システム1には、図1に示すように制御部300が設けられている。制御部300は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、剥離システム1における被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム1における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御部300にインストールされたものであってもよい。   The peeling system 1 is provided with a controller 300 as shown in FIG. The control unit 300 is a computer, for example, and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program for controlling processing of the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T in the peeling system 1. The program storage unit also stores a program for controlling the operation of drive systems such as the above-described various processing apparatuses and transport apparatuses to realize a peeling process described later in the peeling system 1. The program is recorded on a computer-readable storage medium H such as a computer-readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical desk (MO), or a memory card. May have been installed in the control unit 300 from the storage medium H.

次に、以上のように構成された剥離システム1において重合ウェハTの剥離処理を行う際、当該剥離システム1内に生じる気流について図8に基づいて説明する。なお、図8中の矢印は気流の向きを示している。   Next, when the peeling process of the superposed wafer T is performed in the peeling system 1 configured as described above, an air flow generated in the peeling system 1 will be described with reference to FIG. In addition, the arrow in FIG. 8 has shown the direction of the airflow.

剥離システム1では、後処理ステーション4、インターフェイスステーション5及び剥離処理ステーション3のうち、後処理ステーション内の圧力が最も高圧になり、剥離処理ステーション3内の圧力が、最も低圧になる。したがって、後処理ステーション4内の圧力はインターフェイスステーション5内の圧力に対して陽圧となるため、後処理ステーション4からインターフェイスステーション5に向かう気流が生じる。また、インターフェイスステーション5内の圧力は剥離処理ステーション3内の圧力に対して陽圧となるため、インターフェイスステーション5からは、剥離処理ステーション3に向かう気流が生じる。   In the peeling system 1, the pressure in the post-processing station among the post-processing station 4, the interface station 5, and the peeling processing station 3 is the highest, and the pressure in the peeling processing station 3 is the lowest. Accordingly, since the pressure in the post-processing station 4 is positive with respect to the pressure in the interface station 5, an air flow from the post-processing station 4 toward the interface station 5 is generated. Further, since the pressure in the interface station 5 is positive with respect to the pressure in the peeling processing station 3, an air flow toward the peeling processing station 3 is generated from the interface station 5.

また、インターフェイスステーション5内の圧力は、検査装置6内の圧力に対して陰圧であり、検査後洗浄装置8の接合面洗浄部8a非接合面洗浄部8b及び反転部8cに対して陽圧となっている。これにより、検査装置6からインターフェイスステーション5の向かう気流と、インターフェイスステーション5から検査後洗浄装置8の接合面洗浄部8a非接合面洗浄部8b及び反転部8cにそれぞれ向かう気流が生じる。   Further, the pressure in the interface station 5 is negative with respect to the pressure in the inspection device 6 and is positive with respect to the bonded surface cleaning unit 8a and the non-bonded surface cleaning unit 8b and the reversing unit 8c of the post-inspection cleaning device 8. It has become. As a result, an air flow directed from the inspection device 6 toward the interface station 5 and an air flow directed from the interface station 5 toward the bonded surface cleaning unit 8a and the non-bonded surface cleaning unit 8b and the reversing unit 8c of the post-inspection cleaning device 8 are generated.

また、搬送ステーション7内の圧力は、剥離処理ステーション3の剥離装置30内の圧力、第1の洗浄装置31内の圧力及び第2の洗浄装置33内の圧力に対して陽圧となっている。これにより、搬送ステーション7から剥離装置30、第1の洗浄装置31及び第2の洗浄装置33にそれぞれ向かう気流が生じる。   The pressure in the transfer station 7 is positive with respect to the pressure in the peeling device 30 of the peeling processing station 3, the pressure in the first cleaning device 31, and the pressure in the second cleaning device 33. . Thereby, the airflow which goes to the peeling apparatus 30, the 1st washing | cleaning apparatus 31, and the 2nd washing | cleaning apparatus 33 from the conveyance station 7 arises, respectively.

また、搬送装置32内の圧力は、剥離装置30内の圧力及び第2の洗浄装置内の圧力に対して陽圧となっている。これにより、搬送装置32から剥離装置30及び第2の洗浄装置33にそれぞれ向かう気流が生じる。   Further, the pressure in the transport device 32 is positive with respect to the pressure in the peeling device 30 and the pressure in the second cleaning device. Thereby, the airflow which goes to the peeling apparatus 30 and the 2nd washing | cleaning apparatus 33 from the conveying apparatus 32 arises, respectively.

次に、以上のように構成された剥離システム1を用いて行われる被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理方法について説明する。図9は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。   Next, the peeling process method of the to-be-processed wafer W and the support wafer S performed using the peeling system 1 comprised as mentioned above is demonstrated. FIG. 9 is a flowchart showing an example of main steps of the peeling process.

先ず、複数枚の重合ウェハTを収容したカセットC、空のカセットC、及び空のカセットCが、搬入出ステーション2の所定のカセット載置板11に載置される。搬送機構20によりカセットC内の重合ウェハTが取り出され、剥離処理ステーション3の剥離装置30に搬送される。このとき、重合ウェハTは、被処理ウェハWを上側に配置し、且つ支持ウェハSを下側に配置した状態で搬送される。 First, a cassette C T accommodating a plurality of bonded wafer T, an empty cassette C W, and an empty cassette C S is placed on the predetermined cassette mounting plate 11 of the carry-out station 2. The superposed wafer T in the cassette CT is taken out by the transport mechanism 20 and transported to the peeling device 30 of the peeling processing station 3. At this time, the superposed wafer T is transported in a state where the processing target wafer W is disposed on the upper side and the support wafer S is disposed on the lower side.

剥離装置30に搬入された重合ウェハTは、第2の保持部111に吸着保持される。その後、移動機構150により第2の保持部111を上昇させて、図10に示すように第1の保持部110と第2の保持部111で重合ウェハTを挟み込んで保持する。このとき、第1の保持部110に被処理ウェハWの非接合面Wが吸着保持され、第2の保持部111に支持ウェハSの非接合面Sが吸着保持される。 The overlapped wafer T carried into the peeling apparatus 30 is sucked and held by the second holding unit 111. Thereafter, the second holding unit 111 is raised by the moving mechanism 150, and the overlapped wafer T is sandwiched and held between the first holding unit 110 and the second holding unit 111 as shown in FIG. At this time, the non-bonding surface W N of the wafer W is held by suction on the first holding portion 110, the non-bonding surface S N of the support wafer S is held by suction to the second holding portion 111.

その後、加熱機構124、141によって重合ウェハTが所定の温度、例えば200℃に加熱される。そうすると、重合ウェハT中の接着剤Gが軟化する。   Thereafter, the superposed wafer T is heated to a predetermined temperature, for example, 200 ° C. by the heating mechanisms 124 and 141. As a result, the adhesive G in the superposed wafer T is softened.

続いて、加熱機構124、141によって重合ウェハTを加熱して接着剤Gの軟化状態を維持しながら、図11に示すように移動機構150によって第2の保持部111と支持ウェハSを鉛直方向及び水平方向、すなわち斜め下方に移動させる。そして、図12に示すように第1の保持部110に保持された被処理ウェハWと、第2の保持部111に保持された支持ウェハSとが剥離される(図9の工程A1)。   Subsequently, while the superposed wafer T is heated by the heating mechanisms 124 and 141 and the softened state of the adhesive G is maintained, the second holding unit 111 and the support wafer S are vertically moved by the moving mechanism 150 as shown in FIG. And move horizontally, that is, diagonally downward. Then, as shown in FIG. 12, the wafer W to be processed held by the first holding unit 110 and the support wafer S held by the second holding unit 111 are separated (step A1 in FIG. 9).

このとき、第2の保持部111は、鉛直方向に100μm移動し、且つ水平方向に300mm移動する。ここで、本実施の形態では、重合ウェハT中の接着剤Gの厚みは例えば30μm〜40μmであって、被処理ウェハWの接合面Wに形成された電子回路(バンプ)の高さは例えば20μmである。したがって、被処理ウェハW上の電子回路と支持ウェハSとの間の距離が微小となる。そこで、例えば第2の保持部111を水平方向にのみ移動させた場合、電子回路と支持ウェハSが接触し、電子回路が損傷を被るおそれがある。この点、本実施の形態のように第2の保持部111を水平方向に移動させると共に鉛直方向にも移動させることによって、電子回路と支持ウェハSとの接触を回避し、電子回路の損傷を抑制することができる。なお、この第2の保持部111の鉛直方向の移動距離と水平方向の移動距離の比率は、被処理ウェハW上の電子回路(バンプ)の高さに基づいて設定される。 At this time, the second holding unit 111 moves 100 μm in the vertical direction and moves 300 mm in the horizontal direction. In the present embodiment, the thickness of the adhesive G in bonded wafer T is a 30μm~40μm example, the height of the electronic circuit formed on the bonding surface W J of the processing target wafer W (bump) is For example, 20 μm. Therefore, the distance between the electronic circuit on the processing target wafer W and the support wafer S is very small. Therefore, for example, when the second holding unit 111 is moved only in the horizontal direction, the electronic circuit and the support wafer S may come into contact with each other, and the electronic circuit may be damaged. In this respect, by moving the second holding unit 111 in the horizontal direction and also in the vertical direction as in the present embodiment, the contact between the electronic circuit and the support wafer S is avoided, and the electronic circuit is damaged. Can be suppressed. The ratio of the vertical movement distance and the horizontal movement distance of the second holding unit 111 is set based on the height of the electronic circuit (bump) on the wafer W to be processed.

その後、剥離装置30で剥離された被処理ウェハWは、搬送機構231によって第1の洗浄装置31に搬送される。ここで、搬送機構231による被処理ウェハWの搬送方法について説明する。   Thereafter, the wafer W to be processed peeled off by the peeling device 30 is transferred to the first cleaning device 31 by the transfer mechanism 231. Here, a method for transporting the wafer W to be processed by the transport mechanism 231 will be described.

図13に示すように支持アーム233を伸長させて、ベルヌーイチャック232を第1の保持部110に保持された被処理ウェハWの下方に配置する。その後、ベルヌーイチャック232を上昇させ、第1の保持部110における吸引管123からの被処理ウェハWの吸引を停止する。そして、第1の保持部110からベルヌーイチャック232に被処理ウェハWが受け渡される。このとき、被処理ウェハWの接合面Wがベルヌーイチャック232に保持されるが、ベルヌーイチャック232は非接触の状態で被処理ウェハWが保持されるため、被処理ウェハWの接合面W上の電子回路が損傷を被ることはない。 As shown in FIG. 13, the support arm 233 is extended, and the Bernoulli chuck 232 is disposed below the processing target wafer W held by the first holding unit 110. Thereafter, the Bernoulli chuck 232 is raised, and the suction of the wafer W to be processed from the suction tube 123 in the first holding unit 110 is stopped. Then, the processing target wafer W is delivered from the first holding unit 110 to the Bernoulli chuck 232. At this time, the bonding surface W J of wafer W is held by the Bernoulli chuck 232, since the Bernoulli chuck 232 of the wafer W is held in a non-contact state, the bonding surface W J of wafer W The upper electronic circuit is not damaged.

次に図14に示すように、支持アーム233を回動させてベルヌーイチャック232を第1の洗浄装置31のポーラスチャック190の上方に移動させると共に、ベルヌーイチャック232を反転させて被処理ウェハWを下方に向ける。このとき、ポーラスチャック190をカップ194よりも上方まで上昇させて待機させておく。その後、ベルヌーイチャック232からポーラスチャック190に被処理ウェハWが受け渡され吸着保持される。   Next, as shown in FIG. 14, the support arm 233 is rotated to move the Bernoulli chuck 232 above the porous chuck 190 of the first cleaning device 31, and the Bernoulli chuck 232 is inverted to move the wafer W to be processed. Turn downward. At this time, the porous chuck 190 is raised above the cup 194 and kept waiting. Thereafter, the wafer W to be processed is transferred from the Bernoulli chuck 232 to the porous chuck 190 and held by suction.

このようにポーラスチャック190に被処理ウェハWが吸着保持されると、ポーラスチャック190を所定の位置まで下降させる。続いて、アーム201によって待機部205の洗浄液ノズル203を被処理ウェハWの中心部の上方まで移動させる。その後、ポーラスチャック190によって被処理ウェハWを回転させながら、洗浄液ノズル203から被処理ウェハWの接合面Wに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により被処理ウェハWの接合面Wの全面に拡散されて、当該被処理ウェハWの接合面Wが洗浄される(図9の工程A2)。 When the wafer to be processed W is sucked and held on the porous chuck 190 in this way, the porous chuck 190 is lowered to a predetermined position. Subsequently, the arm 201 moves the cleaning liquid nozzle 203 of the standby unit 205 to above the center of the wafer W to be processed. Thereafter, while rotating the wafer W by the porous chuck 190, and supplies the cleaning liquid from the cleaning liquid nozzle 203 to the bonding surface W J of wafer W. Supplied cleaning liquid is diffused over the entire surface of the bonding surface W J of wafer W by the centrifugal force, the bonding surface W J of the wafer W is cleaned (step A2 in FIG. 9).

ここで、上述したように搬入出ステーション2に搬入された複数の重合ウェハTには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハWを含む重合ウェハTと欠陥のある正常な被処理ウェハWを含む重合ウェハTとに判別されている。   Here, as described above, the plurality of superposed wafers T carried into the carry-in / out station 2 are inspected in advance, and the superposed wafer T including the normal target wafer W and the defective normal target wafer to be processed are detected. It is distinguished from the superposed wafer T containing W.

正常な重合ウェハTから剥離された正常な被処理ウェハWは、工程A2で接合面Wが洗浄された後、搬送機構41によって検査装置6に搬送される。なお、この搬送機構41による被処理ウェハWの搬送は、上述した搬送機構231による被処理ウェハWの搬送とほぼ同様であるので説明を省略する。 Normal wafer W which has been peeled from the normal bonded wafer T, after bonding surface W J is washed in step A2, is conveyed to the inspection device 6 by the transport mechanism 41. Since the transfer of the wafer W to be processed by the transfer mechanism 41 is substantially the same as the transfer of the wafer W to be processed by the transfer mechanism 231 described above, the description thereof is omitted.

検査装置6においては、被処理ウェハWの接合面Wにおける接着剤Gの残渣の有無が検査される(図9の工程A3)。検査装置6において接着剤Gの残渣が確認された場合、被処理ウェハWは搬送機構41により検査後洗浄装置8の接合面洗浄部8aに搬送され、接合面洗浄部8aで接合面Wが洗浄される(図9の工程A4)。接合面Wが洗浄されると、被処理ウェハWは搬送機構41によって反転部8cに搬送され、反転部8cにおいて上下方向に反転される。なお、接着剤Gの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハWは接合面洗浄部8aに搬送されることなく反転部8cにて反転される(図9の工程A5)。 In testing device 6, the presence or absence of adhesive residue G at the joint surface W J of wafer W is inspected (Step A3 in FIG. 9). If residues of the adhesive G is confirmed in the test device 6, the treated wafer W is transferred on the bonding surface cleaning portion 8a of the inspection after cleaning device 8 by the transfer mechanism 41, bonding surface W J at the joint surface cleaning unit 8a is Washing is performed (step A4 in FIG. 9). When bonding surface W J is cleaned wafer W is transported to the inverting unit 8c by the transport mechanism 41 is reversed in the vertical direction in reversing unit 8c. In addition, when the residue of the adhesive agent G is not confirmed, the to-be-processed wafer W is reversed by the inversion part 8c, without being conveyed to the joining surface washing | cleaning part 8a (process A5 of FIG. 9).

その後、反転された被処理ウェハWは、搬送機構41により再び検査装置6に搬送され、非接合面Wの検査が行われる(図9の工程A6)。そして、非接合面Wにおいて接着剤Gの残渣が確認された場合、被処理ウェハWは搬送機構41によって非接合面洗浄部8bに搬送され、非接合面Wの洗浄が行われる(図9の工程A7)。次いで、洗浄された被処理ウェハWは、搬送機構41によって後処理ステーション4に搬送される。なお、検査装置6で接着剤Gの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハWは非接合面洗浄部8bに搬送されることなくそのまま後処理ステーション4に搬送される。 Then, wafer W being inverted is conveyed to the inspection device 6 again by the transfer mechanism 41, the inspection of the non-bonding surface W N is performed (step A6 in FIG. 9). When the residue of the adhesive G is confirmed in the non-bonding surface W N, wafer W is transferred to the non-bonding surface cleaning unit 8b by the transport mechanism 41, washing of the non-bonding surface W N is performed (FIG. 9 step A7). Next, the cleaned wafer W to be processed is transferred to the post-processing station 4 by the transfer mechanism 41. If no residue of the adhesive G is confirmed by the inspection apparatus 6, the wafer W to be processed is transferred to the post-processing station 4 as it is without being transferred to the non-bonding surface cleaning unit 8b.

その後、後処理ステーション4において被処理ウェハWに所定の後処理が行われる(図9の工程A8)。こうして、被処理ウェハWが製品化される。   Thereafter, predetermined post-processing is performed on the wafer W to be processed in the post-processing station 4 (step A8 in FIG. 9). Thus, the processing target wafer W is commercialized.

一方、欠陥のある重合ウェハTから剥離された欠陥のある被処理ウェハWは、工程A2で接合面Wが洗浄された後、搬送機構20によって搬入出ステーション2に搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハWは、搬入出ステーション2から外部に搬出され回収される(図9の工程A9)。 On the other hand, wafer W with a peel defects from bonded wafer T including a defect, after bonding surface W J is washed in step A2, is conveyed to the station 2 loading and unloading by the transport mechanism 20. Thereafter, the defective wafer W to be processed is unloaded from the loading / unloading station 2 and collected (step A9 in FIG. 9).

被処理ウェハWに上述した工程A1〜A9が行われている間、剥離装置30で剥離された支持ウェハSは、搬送機構20によって第2の洗浄装置33に搬送される。そして、第2の洗浄装置33において、支持ウェハSの接合面Sが洗浄される(図9の工程A10)。なお、第2の洗浄装置33における支持ウェハSの洗浄は、上述した第1の洗浄装置31における被処理ウェハWの洗浄と同様であるので説明を省略する。 While the above-described steps A <b> 1 to A <b> 9 are performed on the wafer W to be processed, the support wafer S peeled by the peeling device 30 is transferred to the second cleaning device 33 by the transfer mechanism 20. Then, in the second cleaning device 33, bonding surface S J of the support wafer S is cleaned (step A10 in FIG. 9). Note that the cleaning of the support wafer S in the second cleaning device 33 is the same as the cleaning of the wafer W to be processed in the first cleaning device 31 described above, and thus the description thereof is omitted.

その後、接合面Sが洗浄された支持ウェハSは、搬送機構20によって搬入出ステーション2に搬送される。その後、支持ウェハSは、搬入出ステーション2から外部に搬出され回収される(図9の工程A11)。こうして、一連の被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理が終了する。 Thereafter, the support wafer S which joint surface S J is cleaned is conveyed to station 2 loading and unloading by the transport mechanism 20. Thereafter, the support wafer S is unloaded from the loading / unloading station 2 and collected (step A11 in FIG. 9). In this way, a series of separation processing of the processing target wafer W and the supporting wafer S is completed.

以上の実施の形態によれば、搬送ステーション7内の圧力が剥離装置30内の圧力に対して陽圧となっているので、搬送ステーション7から剥離装置30に向かう気流が生じる。換言すれば、剥離装置30内の雰囲気が搬送ステーション7側に流出することがない。また、搬送装置32内の圧力も剥離装置30内の圧力に対して陽圧となっているので、搬送装置32から剥離装置30に向かう気流が生じる。このため、剥離装置30内の雰囲気が搬送装置32側に流出することもない。したがって、剥離装置30から外部にパーティクルが流出することがない。これにより、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理を行う際に発生するパーティクルが、剥離装置30の外部に拡散することを抑制することができる。   According to the above embodiment, since the pressure in the transfer station 7 is positive with respect to the pressure in the peeling device 30, an air flow from the transfer station 7 toward the peeling device 30 is generated. In other words, the atmosphere in the peeling apparatus 30 does not flow out to the transfer station 7 side. In addition, since the pressure in the conveying device 32 is also positive with respect to the pressure in the peeling device 30, an air flow from the conveying device 32 toward the peeling device 30 is generated. For this reason, the atmosphere in the peeling apparatus 30 does not flow out to the conveying apparatus 32 side. Therefore, particles do not flow out from the peeling device 30 to the outside. Thereby, it can suppress that the particle | grains generate | occur | produced when performing the peeling process of the to-be-processed wafer W and the support wafer S are spread | diffused outside the peeling apparatus 30. FIG.

また、インターフェイスステーション5内の圧力は剥離処理ステーション3内の圧力に対して陽圧となっており、後処理ステーション4内の圧力に対して陰圧となっているので、後処理ステーション4から剥離処理ステーション3向かう気流が生じる。したがって、剥離処理ステーション3内にパーティクルが拡散してしまった場合においても、剥離処理ステーション3からインターフェイスステーション5及び後処理ステーション4にパーティクルが流入することを抑制することができる。これにより、後工程を行う後処理ステーション4内を清浄に保つことができ、後処理ステーション4においてパーティクルが被処理ウェハWに付着することにより歩留まりが低下することを抑制できる。   Further, the pressure in the interface station 5 is positive with respect to the pressure in the separation processing station 3 and is negative with respect to the pressure in the post-processing station 4. An air flow toward the processing station 3 is generated. Therefore, even when particles diffuse in the peeling processing station 3, it is possible to prevent the particles from flowing into the interface station 5 and the post-processing station 4 from the peeling processing station 3. Thereby, the inside of the post-processing station 4 for performing the post-process can be kept clean, and it is possible to suppress the yield from being lowered due to the particles adhering to the processing target wafer W in the post-processing station 4.

また、搬送ステーション7内の圧力が第1の洗浄装置31内の圧力及び第2の洗浄装置33の圧力に対して陽圧となっているので、搬送ステーション7から第1の洗浄装置31及び第2の洗浄装置33に向かう気流がそれぞれ生じる。したがって、各洗浄装置31、33から洗浄に伴い発生したパーティクルが搬送ステーション7に流入することを抑制できる。これにより、搬送中に重合ウェハT、被処理ウェハW、支持ウェハSにパーティクルが付着するのを抑制することができる。   In addition, since the pressure in the transfer station 7 is positive with respect to the pressure in the first cleaning device 31 and the pressure in the second cleaning device 33, the first cleaning device 31 and the first cleaning device 31 are transferred from the transfer station 7. Each air flow toward the second cleaning device 33 is generated. Therefore, it is possible to suppress the particles generated by the cleaning from the cleaning devices 31 and 33 from flowing into the transfer station 7. Thereby, it can suppress that a particle adheres to the superposition | polymerization wafer T, the to-be-processed wafer W, and the support wafer S during conveyance.

また、検査装置6内の圧力はインターフェイスステーション5内の圧力に対して陽圧となっているので、検査装置6からインターフェイスステーション5に向かう気流が生じる。したがって、インターフェイスステーション5にパーティクルが拡散してしまった場合においても、検査装置6にパーティクルが流入することを抑制できる。これにより、検査装置6内を清浄に保つことができるので、例えば正常な被処理ウェハWが検査装置6内でパーティクルに汚染されることがない。   Further, since the pressure in the inspection device 6 is positive with respect to the pressure in the interface station 5, an air flow from the inspection device 6 toward the interface station 5 is generated. Therefore, even when particles are diffused in the interface station 5, it is possible to suppress the particles from flowing into the inspection device 6. Thereby, since the inside of the inspection apparatus 6 can be kept clean, for example, a normal wafer W to be processed is not contaminated by particles in the inspection apparatus 6.

また、インターフェイスステーション5内の圧力が検査後洗浄装置8内の圧力に対して陽圧となっているので、インターフェイスステーション5から検査後洗浄装置8に向かう気流が生じる。したがって、インターフェイスステーション5での被処理ウェハWの搬送中に、被処理ウェハWにパーティクルが付着するのを抑制することができる。   Further, since the pressure in the interface station 5 is positive with respect to the pressure in the post-inspection cleaning device 8, an air flow from the interface station 5 toward the post-inspection cleaning device 8 is generated. Therefore, it is possible to prevent particles from adhering to the processing target wafer W during the transfer of the processing target wafer W at the interface station 5.

さらに、第1の洗浄装置31、第2の洗浄装置33、剥離装置30及び検査後洗浄装置8内の雰囲気は外部に排気されるので、剥離システム1内の雰囲気はすべて外部に排気されるようになっている。したがって、剥離システム1内の雰囲気中にパーティクルが存在するのを抑制することができる。   Further, since the atmosphere in the first cleaning device 31, the second cleaning device 33, the peeling device 30, and the post-inspection cleaning device 8 is exhausted to the outside, all the atmosphere in the peeling system 1 is exhausted to the outside. It has become. Therefore, the presence of particles in the atmosphere in the peeling system 1 can be suppressed.

また、以上の実施の形態によれば、剥離装置30において重合ウェハTを被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離した後、第1の洗浄装置31において、剥離された被処理ウェハWを洗浄すると共に、第2の洗浄装置33において、剥離された支持ウェハSを洗浄することができる。このように本実施の形態によれば、一の剥離システム1内で、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離から被処理ウェハWの洗浄と支持ウェハSの洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第1の洗浄装置31と第2の洗浄装置33において、被処理ウェハWの洗浄と支持ウェハSの洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置30において被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離する間に、第1の洗浄装置31と第2の洗浄装置33において別の被処理ウェハWと支持ウェハSを処理することもできる。したがって、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離を効率よく行うことができ、剥離処理のスループットを向上させることができる。   Moreover, according to the above embodiment, after peeling the superposed wafer T into the wafer to be processed W and the support wafer S in the peeling device 30, the peeled wafer W to be processed is cleaned in the first cleaning device 31. At the same time, the peeled support wafer S can be cleaned in the second cleaning device 33. As described above, according to the present embodiment, a series of stripping processes from the stripping of the processing target wafer W and the supporting wafer S to the cleaning of the processing target wafer W and the cleaning of the supporting wafer S can be efficiently performed in one stripping system 1. Can be done well. Further, in the first cleaning device 31 and the second cleaning device 33, the cleaning of the processing target wafer W and the cleaning of the support wafer S can be performed in parallel. Furthermore, while the wafer to be processed W and the support wafer S are peeled by the peeling apparatus 30, the other wafer to be processed W and the support wafer S can be processed by the first cleaning device 31 and the second cleaning device 33. . Therefore, the wafer W to be processed and the support wafer S can be efficiently peeled, and the throughput of the peeling process can be improved.

また、剥離処理ステーション3で剥離された被処理ウェハWが正常な被処理ウェハWである場合、後処理ステーション4において当該被処理ウェハWに所定の後処理が行われ、製品化される。一方、剥離処理ステーション3で剥離された被処理ウェハWが欠陥のある被処理ウェハWである場合、当該被処理ウェハWは搬入出ステーション2から回収される。このように正常な被処理ウェハWのみが製品化されるので、製品の歩留まりを向上させることができる。また、欠陥のある被処理ウェハWを回収し、欠陥の程度によってはこの被処理ウェハWを再利用することもでき、資源を有効活用できると共に製造コストを低廉化することもできる。   Further, when the wafer W to be processed peeled off at the peeling processing station 3 is a normal wafer W to be processed, predetermined post-processing is performed on the wafer W to be processed in the post-processing station 4 to produce a product. On the other hand, when the wafer W to be processed peeled off at the peeling processing station 3 is a wafer to be processed W having a defect, the wafer W to be processed is recovered from the loading / unloading station 2. Since only normal wafers W to be processed are commercialized in this way, the product yield can be improved. Further, the wafer to be processed W having a defect can be collected, and the wafer to be processed W can be reused depending on the degree of the defect, so that resources can be effectively utilized and the manufacturing cost can be reduced.

また、このように一連のプロセスにおいて、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離から被処理ウェハWの後処理まで行うことができるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。   Further, in this series of processes, the process from the separation of the wafer to be processed W and the support wafer S to the post-processing of the wafer to be processed W can be performed, so that the throughput of the wafer processing can be further improved.

また、剥離装置30で剥離された支持ウェハSは、洗浄後、搬入出ステーション2から回収されるので、当該支持ウェハSを再利用することができる。したがって、資源を有効活用できると共に製造コストを低廉化することもできる。   Moreover, since the support wafer S peeled by the peeling apparatus 30 is recovered from the carry-in / out station 2 after cleaning, the support wafer S can be reused. Therefore, resources can be used effectively and manufacturing costs can be reduced.

また、剥離装置30では、重合ウェハTを加熱しながら、移動機構150によって第2の保持部111と支持ウェハSを鉛直方向及び水平方向に移動させて、被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離している。このように鉛直方向及び水平方向の両方向に第2の保持部111を移動させることによって、被処理ウェハW上の電子回路と支持ウェハSとの間の距離が微小な場合でも、電子回路と支持ウェハSとの接触を回避することができる。したがって、電子回路の損傷を抑制し、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理を適切に行うことができる。   Further, in the peeling apparatus 30, while the superposed wafer T is heated, the second holding unit 111 and the supporting wafer S are moved in the vertical direction and the horizontal direction by the moving mechanism 150 to peel the processing target wafer W and the supporting wafer S. doing. By moving the second holding unit 111 in both the vertical direction and the horizontal direction in this way, the electronic circuit and the support are supported even when the distance between the electronic circuit on the processing target wafer W and the support wafer S is very small. Contact with the wafer S can be avoided. Therefore, damage to the electronic circuit can be suppressed, and the separation process between the processing target wafer W and the supporting wafer S can be performed appropriately.

また、搬送機構231と搬送機構41は被処理ウェハWを保持するベルヌーイチャック232を有しているので、被処理ウェハWが薄型化していても当該被処理ウェハWを適切に保持することができる。さらに、搬送機構231においては、被処理ウェハWの接合面Wがベルヌーイチャック232に保持されるが、ベルヌーイチャック232は非接触の状態で被処理ウェハWが保持されるため、被処理ウェハWの接合面W上の電子回路が損傷を被ることはない。 Further, since the transfer mechanism 231 and the transfer mechanism 41 have the Bernoulli chuck 232 that holds the wafer to be processed W, the wafer to be processed W can be appropriately held even if the wafer to be processed W is thin. . Further, in the conveyance mechanism 231, since the bonding surface W J of the processing target wafer W is retained on the Bernoulli chuck 232, Bernoulli chuck 232 of the wafer W is held in a non-contact state, wafer W electronic circuitry on bonding surface W J of will not suffer damage.

また、第1の洗浄装置31は被処理ウェハWを保持するポーラスチャック190を有しているので、被処理ウェハWが薄型化していても当該被処理ウェハを適切に保持することができる。   In addition, since the first cleaning apparatus 31 includes the porous chuck 190 that holds the wafer W to be processed, the wafer to be processed can be appropriately held even if the wafer W to be processed is thinned.

以上の実施の形態では、検査装置6において被処理ウェハWを検査することができるので、検査結果に基づいて剥離システム1における処理条件を補正することができる。したがって、被処理ウェハWと支持ウェハSをさらに適切に剥離することができる。   In the above embodiment, since the processing target wafer W can be inspected by the inspection apparatus 6, the processing conditions in the peeling system 1 can be corrected based on the inspection result. Therefore, the processing target wafer W and the support wafer S can be more appropriately separated.

以上の実施の形態では、剥離装置30において第2の保持部111を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、第1の保持部110を鉛直方向及び水平方向に移動させてもよい。あるいは、第1の保持部110と第2の保持部111の両方を鉛直方向及び水平方向に移動させてもよい。   In the above embodiment, the second holding unit 111 is moved in the vertical direction and the horizontal direction in the peeling device 30, but the first holding unit 110 may be moved in the vertical direction and the horizontal direction. Alternatively, both the first holding unit 110 and the second holding unit 111 may be moved in the vertical direction and the horizontal direction.

以上の剥離装置30において第2の保持部111を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、第2の保持部111を水平方向のみに移動させ、当該第2の保持部111の移動速度を変化させてもよい。具体的には、第2の保持部111を移動させ始める際の移動速度を低速にし、その後徐々に移動速度を加速してもよい。すなわち、第2の保持部111を移動させ始める際には、被処理ウェハWと支持ウェハSとの接着面積が大きく、被処理ウェハW上の電子回路が接着剤Gの影響を受け易いため、第2の保持部111の移動速度を低速にする。その後、被処理ウェハWと支持ウェハSとの接着面積が小さくなるにつれ、被処理ウェハW上の電子回路が接着剤Gの影響を受け難くなるため、第2の保持部111の移動速度を徐々に加速する。かかる場合でも、電子回路と支持ウェハSとの接触を回避し、電子回路の損傷を抑制することができる。   In the peeling apparatus 30 described above, the second holding unit 111 is moved in the vertical direction and the horizontal direction. However, the second holding unit 111 is moved only in the horizontal direction, and the moving speed of the second holding unit 111 is increased. It may be changed. Specifically, the moving speed at the start of moving the second holding unit 111 may be reduced, and then the moving speed may be gradually accelerated. That is, when the second holding unit 111 starts to move, the bonding area between the processing target wafer W and the support wafer S is large, and the electronic circuit on the processing target wafer W is easily affected by the adhesive G. The moving speed of the second holding unit 111 is reduced. Thereafter, as the bonding area between the wafer to be processed W and the support wafer S becomes smaller, the electronic circuit on the wafer to be processed W becomes less susceptible to the adhesive G, so that the moving speed of the second holding unit 111 is gradually increased. Accelerate to. Even in such a case, contact between the electronic circuit and the support wafer S can be avoided, and damage to the electronic circuit can be suppressed.

また、以上の実施の形態では、剥離装置30において第2の保持部111を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、例えば被処理ウェハW上の電子回路と支持ウェハSとの間の距離が十分大きい場合には、第2の保持部111を水平方向にのみ移動させてもよい。かかる場合、電子回路と支持ウェハSとの接触を回避できると共に、第2の保持部111の移動の制御が容易になる。さらに、第2の保持部111を鉛直方向にのみ移動させて被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離させてもよく、第2の保持部111の外周部端部を鉛直方向にのみ移動させて被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離させてもよい。   In the above embodiment, the second holding unit 111 is moved in the vertical direction and the horizontal direction in the peeling apparatus 30. For example, the distance between the electronic circuit on the processing target wafer W and the support wafer S is used. If is sufficiently large, the second holding part 111 may be moved only in the horizontal direction. In such a case, contact between the electronic circuit and the support wafer S can be avoided, and the movement of the second holding unit 111 can be easily controlled. Further, the second wafer 111 may be moved only in the vertical direction to peel the wafer W to be processed and the support wafer S, and the outer peripheral edge of the second holder 111 is moved only in the vertical direction. The to-be-processed wafer W and the support wafer S may be peeled off.

なお、以上の実施の形態では、被処理ウェハWを上側に配置し、且つ支持ウェハSを下側に配置した状態で、これら被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離していたが、被処理ウェハWと支持ウェハSの上下配置を反対にしてもよい。   In the above embodiment, the wafer to be processed W and the support wafer S are separated in a state where the wafer to be processed W is arranged on the upper side and the support wafer S is arranged on the lower side. The vertical arrangement of the wafer W and the support wafer S may be reversed.

以上の実施の形態の搬送機構231において、ベルヌーイチャック232の表面には、洗浄液を供給するための複数の供給口(図示せず)が形成されていてもよい。かかる場合、ベルヌーイチャック232から第1の洗浄装置31のポーラスチャック190に被処理ウェハWを受け渡す際、ベルヌーイチャック232から被処理ウェハWの接合面Wに洗浄液を供給して当該接合面Wを洗浄すると共に、ベルヌーイチャック232自体も洗浄することができる。そうすると、その後の第1の洗浄装置31における被処理ウェハWの洗浄時間を短縮することができ、剥離処理のスループットをさらに向上させることができる。しかも、ベルヌーイチャック232も洗浄できるので、次の被処理ウェハWを適切に搬送することができる。 In the transport mechanism 231 of the above embodiment, a plurality of supply ports (not shown) for supplying the cleaning liquid may be formed on the surface of the Bernoulli chuck 232. In such a case, when passing wafer W to porous chuck 190 of the first cleaning device 31 from the Bernoulli chuck 232, the bonding surface W by supplying a cleaning liquid to the bonding surface W J of wafer W from the Bernoulli chuck 232 In addition to cleaning J , the Bernoulli chuck 232 itself can also be cleaned. If it does so, the cleaning time of the to-be-processed wafer W in the 1st cleaning apparatus 31 after that can be shortened, and the throughput of peeling processing can further be improved. In addition, since the Bernoulli chuck 232 can also be cleaned, the next wafer to be processed W can be appropriately transferred.

以上の実施の形態では、搬送機構41はベルヌーイチャック232を有していたが、このベルヌーイチャック232に代えて、ポーラスチャック(図示せず)を有していてもよい。かかる場合でも、ポーラスチャックによって薄型化した被処理ウェハWを適切に吸着保持することができる。   In the above embodiment, the transport mechanism 41 has the Bernoulli chuck 232, but instead of the Bernoulli chuck 232, it may have a porous chuck (not shown). Even in such a case, the wafer W to be processed thinned by the porous chuck can be appropriately sucked and held.

以上の実施の形態では、第1の洗浄装置31と第2の洗浄装置33の洗浄液ノズル203には2流体ノズルが用いられていたが、洗浄液ノズル203の形態は本実施の形態に限定されず種々のノズルを用いることができる。例えば洗浄液ノズル203として、洗浄液を供給するノズルと不活性ガスを供給するノズルとを一体化したノズル体や、スプレーノズル、ジェットノズル、メガソニックノズルなどを用いてもよい。また、洗浄処理のスループットを向上させるため、例えば80℃に加熱された洗浄液を供給してもよい。   In the above embodiment, the two-fluid nozzle is used as the cleaning liquid nozzle 203 of the first cleaning device 31 and the second cleaning device 33. However, the configuration of the cleaning liquid nozzle 203 is not limited to this embodiment. Various nozzles can be used. For example, as the cleaning liquid nozzle 203, a nozzle body in which a nozzle for supplying a cleaning liquid and a nozzle for supplying an inert gas are integrated, a spray nozzle, a jet nozzle, a megasonic nozzle, or the like may be used. In order to improve the throughput of the cleaning process, for example, a cleaning liquid heated to 80 ° C. may be supplied.

また、第1の洗浄装置31と第2の洗浄装置33において、洗浄液ノズル203に加えて、IPA(イソプロピルアルコール)を供給するノズルを設けてもよい。かかる場合、洗浄液ノズル203からの洗浄液によって被処理ウェハW又は支持ウェハSを洗浄した後、被処理ウェハW又は支持ウェハS上の洗浄液をIPAに置換する。そうすると、被処理ウェハW又は支持ウェハSの接合面W、Sがより確実に洗浄される。 Further, in the first cleaning device 31 and the second cleaning device 33, in addition to the cleaning liquid nozzle 203, a nozzle for supplying IPA (isopropyl alcohol) may be provided. In this case, after cleaning the processing target wafer W or the support wafer S with the cleaning liquid from the cleaning liquid nozzle 203, the cleaning liquid on the processing target wafer W or the support wafer S is replaced with IPA. Then, the bonding surfaces W J and S J of the processing target wafer W or the support wafer S are more reliably cleaned.

以上の実施の形態の剥離システム1において、剥離装置30で加熱された被処理ウェハWを所定の温度に冷却する温度調節装置(図示せず)が設けられていてもよい。かかる場合、被処理ウェハWの温度が適切な温度に調節されるので、後続の処理をより円滑に行うことができる。   In the peeling system 1 of the above embodiment, a temperature adjusting device (not shown) for cooling the processing target wafer W heated by the peeling device 30 to a predetermined temperature may be provided. In such a case, the temperature of the wafer W to be processed is adjusted to an appropriate temperature, so that subsequent processing can be performed more smoothly.

また、以上の実施の形態では、後処理ステーション4において被処理ウェハWに後処理を行い製品化する場合について説明したが、本発明は、例えば3次元集積技術で用いられる被処理ウェハを支持ウェハから剥離する場合にも適用することができる。なお、3次元集積技術とは、近年の半導体デバイスの高集積化の要求に応えた技術であって、高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置する代わりに、当該複数の半導体デバイスを3次元に積層する技術である。この3次元集積技術においても、積層される被処理ウェハの薄型化が求められており、当該被処理ウェハを支持ウェハに接合して所定の処理が行われる。   In the above-described embodiment, the case where the post-processing station 4 performs post-processing on the wafer to be processed W to produce a product has been described. It can also be applied to the case where it is peeled off. The three-dimensional integration technology is a technology that meets the recent demand for higher integration of semiconductor devices. Instead of arranging a plurality of highly integrated semiconductor devices in a horizontal plane, This is a technique of three-dimensional lamination. Also in this three-dimensional integration technique, it is required to reduce the thickness of wafers to be processed, and the wafers to be processed are bonded to a support wafer to perform a predetermined process.

なお、以上の実施の形態では、研磨処理により薄型化した被処理ウェハWに剥離処理を行った場合について説明したが、本発明は研磨処理により被処理ウェハWが薄型化される前の重合ウェハTを剥離する場合にも適用することができる。被処理ウェハWが薄型化される前の段階での重合ウェハTの剥離処理は、例えば薄型化される前の段階で当該重合ウェハTの検査を行い、検査により異常が検出された場合などに行われる。かかる場合は、例えば図15に示すように、搬入出ステーション2、剥離処理ステーション3、搬送ステーション7及び後処理ステーション310を有する剥離システム320により行われる。なお、剥離システム320においては、薄型化される前の被処理ウェハWが扱われるため、図15に示す第2の洗浄装置33は、第1の洗浄装置31であってもよい。   In the above embodiment, the case where the peeling process is performed on the wafer W to be processed thinned by the polishing process has been described. However, the present invention is a superposition wafer before the wafer W to be processed is thinned by the polishing process. It can also be applied to the case where T is peeled off. For example, when the overlapped wafer T is peeled off before the wafer W to be processed is thinned, the overlapped wafer T is inspected at the stage before being thinned, and an abnormality is detected by the inspection. Done. In such a case, for example, as shown in FIG. 15, a peeling system 320 having a carry-in / out station 2, a peeling processing station 3, a transfer station 7 and a post-processing station 310 is used. Note that, in the peeling system 320, the wafer to be processed W before being thinned is handled, so the second cleaning device 33 shown in FIG. 15 may be the first cleaning device 31.

後処理ステーション310は、剥離された研磨処理前の被処理ウェハW、即ち検査により異常が検出された被処理ウェハWを処理するものであり、搬送ステーション7に隣接して設けられている。後処理ステーション310の内部には、ダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。また、後処理ステーション4の内部の雰囲気は、排気口(図示せず)から排気される。   The post-processing station 310 processes the wafer W to be processed before the polishing process that has been peeled off, that is, the wafer W to be processed in which an abnormality has been detected by inspection, and is provided adjacent to the transfer station 7. Inside the post-processing station 310, an air flow that is referred to as a downward flow is generated. Further, the atmosphere inside the post-processing station 4 is exhausted from an exhaust port (not shown).

そして、剥離システム320では、後処理ステーション310内の圧力が搬送ステーション7内の圧力に対して陰圧となるように圧力が設定されている。このため、搬送ステーション7から後処理ステーション310に向かう気流が生じる。なお、搬送ステーション7内の圧力と剥離処理ステーション3内の圧力との関係は上述の剥離システム1と同様であるので、説明は省略する。   In the peeling system 320, the pressure is set so that the pressure in the post-processing station 310 is negative with respect to the pressure in the transfer station 7. For this reason, an air flow from the transfer station 7 toward the post-processing station 310 is generated. In addition, since the relationship between the pressure in the transfer station 7 and the pressure in the peeling processing station 3 is the same as that of the above-mentioned peeling system 1, description is abbreviate | omitted.

そして、剥離装置30で剥離された被処理ウェハWは、搬送ステーション7の搬送機構により後処理ステーション310に搬送され、後処理ステーションで所定の処理が行われる。   Then, the wafer W to be processed peeled off by the peeling device 30 is transferred to the post-processing station 310 by the transfer mechanism of the transfer station 7, and predetermined processing is performed in the post-processing station.

以上の実施の形態によれば、剥離装置30から搬送ステーション7側にパーティクルが流出することがない。これにより、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理を行う際に発生するパーティクルが、剥離装置30の外部に拡散することを抑制することがでる。また、搬送ステーション7から剥離処理ステーション3及び後処理ステーション310に向かう気流がそれぞれ形成されるので、搬送中に重合ウェハT、被処理ウェハW、支持ウェハSにパーティクルが付着するのを抑制することができる。   According to the above embodiment, particles do not flow out from the peeling device 30 to the transfer station 7 side. Thereby, it can suppress that the particle | grains generate | occur | produced when performing the peeling process of the to-be-processed wafer W and the support wafer S are spread | diffused outside the peeling apparatus 30. FIG. Further, since airflows directed from the transfer station 7 to the separation processing station 3 and the post-processing station 310 are respectively formed, it is possible to suppress adhesion of particles to the superposed wafer T, the wafer W to be processed, and the support wafer S during the transfer. Can do.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood.
The present invention is not limited to this example and can take various forms. The present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.

1 剥離システム
2 搬入出ステーション
3 剥離処理ステーション
4 後処理ステーション
5 インターフェイスステーション
6 検査装置
7 搬送ステーション
8 検査後洗浄装置
9 ウェハ搬送領域
20 搬送機構
30 剥離装置
31 第1の洗浄装置
32 搬送装置
33 第2の洗浄装置
41 搬送機構
100 筐体
110 第1の保持部
111 第2の保持部
124 加熱機構
141 加熱機構
150 移動機構
151 鉛直移動部
152 水平移動部
190 ポーラスチャック
230 搬送領域
231 搬送機構
232 ベルヌーイチャック
300 制御部
310 後処理ステーション
320 剥離システム
G 接着剤
S 支持ウェハ
T 重合ウェハ
W 被処理ウェハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 peeling system 2 carrying in / out station 3 peeling processing station 4 post-processing station 5 interface station 6 inspection apparatus 7 conveyance station 8 post-inspection cleaning apparatus 9 wafer conveyance area | region 20 conveyance mechanism 30 peeling apparatus 31 1st cleaning apparatus 32 conveyance apparatus 33 1st 2 cleaning device 41 transport mechanism 100 housing 110 first holding unit 111 second holding unit 124 heating mechanism 141 heating mechanism 150 moving mechanism 151 vertical moving unit 152 horizontal moving unit 190 porous chuck 230 transport region 231 transport mechanism 232 Bernoulli Chuck 300 Control unit 310 Post-processing station 320 Peeling system G Adhesive S Support wafer T Overlapped wafer W Processed wafer

Claims (6)

被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、
重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、
被処理基板を保持するベルヌーイチャックを備え、前記剥離装置から被処理基板を搬出する搬送装置と、
前記剥離装置と前記搬送装置とを備えた剥離処理ステーションと、
前記剥離システムの外部との間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送ステーションと、を有し、
前記搬送装置内の圧力は、前記剥離装置内の圧力に対して陽圧であり、
前記搬送ステーション内の圧力は、前記剥離装置内の圧力に対して陽圧であることを特徴とする、剥離システム。
A peeling system for peeling a polymerized substrate in which a substrate to be processed and a support substrate are bonded with an adhesive, to the substrate to be processed and the support substrate,
A peeling device for peeling the superposed substrate from the substrate to be processed and the support substrate;
A Bernoulli chuck for holding a substrate to be processed, a transfer device for carrying out the substrate to be processed from the peeling device;
A peeling treatment station comprising the peeling device and the transfer device;
A loading / unloading station for loading / unloading a substrate to be processed, a support substrate or a superposed substrate with the outside of the peeling system ;
A transfer station for transferring a substrate to be processed, a support substrate, or a superposed substrate between the peeling treatment station and the carry-in / out station;
The pressure in the transfer device is a positive pressure with respect to the pressure in the peeling device,
The peeling system according to claim 1, wherein the pressure in the transfer station is positive with respect to the pressure in the peeling device.
前記搬送ステーションは、前記剥離処理ステーションと、当該剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションとの間で、被処理基板をさらに搬送し、
前記搬送ステーション内の圧力は、前記後処理ステーション内の圧力に対して陽圧であることを特徴とする、請求項1に記載の剥離システム。
The transfer station further transfers the substrate to be processed between the peeling processing station and a post-processing station that performs predetermined post-processing on the substrate to be processed peeled off at the peeling processing station,
The peeling system according to claim 1, wherein the pressure in the transfer station is positive with respect to the pressure in the post-processing station.
剥離システムを用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、
前記剥離システムは、
重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、
被処理基板を保持するベルヌーイチャックを備え、前記剥離装置から被処理基板を搬出する搬送装置と、
前記剥離装置と前記搬送装置とを備えた剥離処理ステーションと、
前記剥離システムの外部との間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送ステーションと、を有し、
前記剥離方法は、
前記剥離装置において、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離工程を有し、
前記搬送装置内の圧力は、前記剥離装置内の圧力に対して陽圧であり、
前記搬送ステーション内の圧力は、前記剥離装置内の圧力に対して陽圧であることを特徴とする、剥離方法。
Using a peeling system, a peeling method for peeling a polymerization substrate in which a substrate to be processed and a support substrate are bonded with an adhesive, to the substrate to be processed and the support substrate,
The peeling system includes
A peeling device for peeling the superposed substrate from the substrate to be processed and the support substrate;
A Bernoulli chuck for holding a substrate to be processed, a transfer device for carrying out the substrate to be processed from the peeling device;
A peeling treatment station comprising the peeling device and the transfer device;
A loading / unloading station for loading / unloading a substrate to be processed, a support substrate or a superposed substrate with the outside of the peeling system ;
A transfer station for transferring a substrate to be processed, a support substrate, or a superposed substrate between the peeling treatment station and the carry-in / out station;
The peeling method includes:
In the peeling apparatus, the method includes a peeling step of peeling the polymerization substrate from the substrate to be processed and the support substrate,
The pressure in the transfer device is a positive pressure with respect to the pressure in the peeling device,
The peeling method according to claim 1, wherein the pressure in the transfer station is a positive pressure with respect to the pressure in the peeling device.
前記搬送ステーションは、前記剥離処理ステーションと、当該剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションとの間で、被処理基板をさらに搬送し、
前記剥離工程後、前記後処理ステーションにおいて被処理基板に後処理を行う後処理工程を有し、
前記搬送ステーション内の圧力は、前記後処理ステーション内の圧力に対して陽圧であることを特徴とする、請求項3に記載の剥離方法。
The transfer station further transfers the substrate to be processed between the peeling processing station and a post-processing station that performs predetermined post-processing on the substrate to be processed peeled off at the peeling processing station,
After the peeling step, it has a post-processing step of performing post-processing on the substrate to be processed in the post-processing station,
The peeling method according to claim 3, wherein the pressure in the transfer station is positive with respect to the pressure in the post-processing station.
請求項3又は4に記載の剥離方法を剥離システムによって実行させるために、当該剥離システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。 A program that operates on a computer of a control unit that controls the peeling system in order to cause the peeling system to execute the peeling method according to claim 3 or 4. 請求項5に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
A readable computer storage medium storing the program according to claim 5.
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