JP5580805B2 - Peeling apparatus, peeling system, peeling method, program, and computer storage medium - Google Patents

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Description

本発明は、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置、当該剥離装置を備えた剥離システム、当該剥離装置を用いた剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。   The present invention relates to a peeling device that peels a superposed substrate from a substrate to be processed and a support substrate, a peeling system including the peeling device, a peeling method using the peeling device, a program, and a computer storage medium.

近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ(以下、「ウェハ」とする)の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理すると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、例えばウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。   In recent years, for example, in semiconductor device manufacturing processes, semiconductor wafers (hereinafter referred to as “wafers”) have become larger in diameter. Further, in a specific process such as mounting, it is required to make the wafer thinner. For example, if a thin wafer with a large diameter is transported or polished as it is, the wafer may be warped or cracked. For this reason, for example, in order to reinforce the wafer, the wafer is attached to, for example, a wafer that is a support substrate or a glass substrate. Then, after a predetermined process such as a wafer polishing process is performed in a state where the wafer and the support substrate are bonded in this way, the wafer and the support substrate are peeled off.

かかるウェハと支持基板の剥離は、例えば剥離装置を用いて行われる。剥離装置は、例えばウェハを保持する第1ホルダーと、支持基板を保持する第2ホルダーと、ウェハと支持基板との間に液体を噴射するノズルとを有している。そして、この剥離装置では、ノズルから接合されたウェハと支持基板との間に、当該ウェハと支持基板との間の接合強度より大きい噴射圧、好ましくは接合強度より2倍以上大きい噴射圧で液体を噴射することにより、ウェハと支持基板の剥離が行われている(特許文献1)。   The wafer and the support substrate are peeled off using, for example, a peeling device. The peeling apparatus includes, for example, a first holder that holds a wafer, a second holder that holds a support substrate, and a nozzle that ejects liquid between the wafer and the support substrate. In this peeling apparatus, the liquid is applied between the wafer bonded from the nozzle and the support substrate with an injection pressure larger than the bonding strength between the wafer and the support substrate, preferably at least twice as large as the bonding strength. The wafer and the support substrate are peeled off by spraying (Patent Document 1).

特開平9−167724号公報JP-A-9-167724

しかしながら、特許文献1に記載の剥離装置を用いた場合、大きい噴射圧で液体を噴射するので、ウェハ又は支持基板が損傷を被るおそれがあった。特に、ウェハは薄型化しているので損傷を受け易い。   However, when the peeling apparatus described in Patent Document 1 is used, since the liquid is ejected with a large ejection pressure, the wafer or the support substrate may be damaged. In particular, since the wafer is thin, it is easily damaged.

また、例えば接着剤を介してウェハと支持基板が接合されている場合、ウェハと支持基板の接合強度が大きいため、非常に大きい噴射圧の液体が必要となり、ウェハと支持基板を剥離するのに多大な時間を要する。   In addition, for example, when the wafer and the support substrate are bonded via an adhesive, the bonding strength between the wafer and the support substrate is high, so a liquid with a very large spray pressure is required, and the wafer and the support substrate are peeled off. It takes a lot of time.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行うことを目的とする。   This invention is made | formed in view of this point, and it aims at performing the peeling process of a to-be-processed substrate and a support substrate appropriately and efficiently.

前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置であって、被処理基板を常温の状態で保持する第1の保持部と、支持基板を常温の状態で保持する第2の保持部と、前記第2の保持部に保持された常温の支持基板が、その外周部の全周から中心部に向けて前記第1の保持部に保持された常温の被処理基板から連続的に剥離するように、前記第2の保持部の外周部を保持して鉛直方向に移動させる移動機構と、を有することを特徴としている。なお、常温とは、被処理基板と支持基板の剥離処理を行う処理雰囲気の温度であって、例えば23℃である。
In order to achieve the above object, the present invention provides a peeling apparatus for peeling a polymerized substrate in which a substrate to be processed and a support substrate are bonded with an adhesive to the substrate to be processed and the support substrate. A first holding unit that holds the substrate in a state; a second holding unit that holds the support substrate at a normal temperature; and a normal temperature support substrate that is held in the second holding unit from the entire periphery of the outer periphery. A moving mechanism for holding the outer peripheral portion of the second holding portion and moving it in the vertical direction so as to continuously peel from the substrate to be processed held at the first holding portion toward the central portion. It is characterized by having. Note that the normal temperature is a temperature of a processing atmosphere for performing a separation process between the substrate to be processed and the support substrate, and is 23 ° C., for example.

本発明の剥離装置によれば、第2の保持部の外周部を鉛直方向に移動させ、第2の保持部に保持された常温の支持基板を、その外周部から中心部に向けて第1の保持部に保持された常温の被処理基板から連続的に剥離することができる。このように外周部から中心部に向けて支持基板を被処理基板から連続的に剥離するので、被処理基板と支持基板を容易に剥離することができる。このため、被処理基板が損傷を受けることなく、被処理基板と支持基板を適切且つ均一に剥離することができる。さらに、従来よりも剥離処理に要する時間を短縮することもできる。したがって、本発明によれば、被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行うことができる。   According to the peeling apparatus of the present invention, the outer peripheral portion of the second holding portion is moved in the vertical direction, and the room temperature support substrate held by the second holding portion is moved from the outer peripheral portion toward the central portion. It can peel continuously from the to-be-processed substrate of the normal temperature hold | maintained at the holding | maintenance part. As described above, since the support substrate is continuously peeled from the substrate to be processed from the outer peripheral portion toward the center portion, the substrate to be processed and the support substrate can be easily peeled off. For this reason, a to-be-processed substrate and a support substrate can be peeled appropriately and uniformly, without being damaged to a to-be-processed substrate. Furthermore, the time required for the peeling treatment can be shortened as compared with the conventional case. Therefore, according to the present invention, it is possible to appropriately and efficiently perform the separation process between the substrate to be processed and the support substrate.

前記第1の保持部は前記第2の保持部の上方に配置され、前記移動機構は前記第2の保持部を鉛直下方に移動させてもよい。   The first holding unit may be disposed above the second holding unit, and the moving mechanism may move the second holding unit vertically downward.

前記剥離装置は、少なくとも前記第1の保持部又は前記第2の保持部を回転させる回転機構を有していてもよい。   The peeling apparatus may include a rotation mechanism that rotates at least the first holding unit or the second holding unit.

前記移動機構は、前記第2の保持部を保持し、且つ前記第2の保持部の外周部のみを鉛直方向に移動させる第1の移動部と、前記第1の移動部を保持し、且つ前記第1の移動部と前記第2の保持部を鉛直方向に移動させる第2の移動部と、を有していてもよい。   The moving mechanism holds the first holding unit, holds the second holding unit and moves only the outer peripheral part of the second holding unit in the vertical direction, and holds the first moving unit, and You may have the 2nd moving part which moves the 1st moving part and the 2nd holding part in the perpendicular direction.

前記第1の移動部は、前記第2の保持部の外周部を鉛直方向に移動させる複数のシリンダと、前記複数のシリンダによって前記第2の保持部の外周部が鉛直方向に移動する際、前記第2の保持部の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、当該第2の保持部の中央部を支持する支持柱と、を有していてもよい。   The first moving unit includes a plurality of cylinders that move the outer peripheral part of the second holding unit in the vertical direction, and the outer peripheral part of the second holding unit moves in the vertical direction by the plurality of cylinders. And a support column that supports the central portion of the second holding portion so that the vertical position of the central portion of the second holding portion does not change.

前記第1の移動部は、前記第2の保持部を保持し、鉛直方向に伸縮自在のベローズと、前記ベローズの内部に設けられ、前記ベローズが収縮して前記第2の保持部の外周部が鉛直方向に移動する際、前記第2の保持部の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、当該第2の保持部の中央部を支持する支持柱と、を有していてもよい。   The first moving unit holds the second holding unit, and is provided in a bellows that is extendable in the vertical direction and inside the bellows, and the bellows contracts and an outer peripheral portion of the second holding unit And a support column that supports the central portion of the second holding portion so that the vertical position of the central portion of the second holding portion does not change when moving in the vertical direction. Good.

前記剥離装置は、前記第1の保持部と前記第2の保持部に保持された重合基板の外周部の接着剤に対して、当該接着剤の溶剤を供給する溶剤供給部を有していてもよい。   The peeling apparatus includes a solvent supply unit that supplies a solvent for the adhesive to the adhesive on the outer periphery of the polymerization substrate held by the first holding unit and the second holding unit. Also good.

別な観点による本発明は、前記剥離装置を備えた剥離システムであって、前記剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第1の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第2の洗浄装置と、を備えた剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴としている。   The present invention according to another aspect is a peeling system including the peeling device, wherein the peeling device, a first cleaning device for cleaning a substrate to be processed peeled by the peeling device, and peeling by the peeling device. A second cleaning apparatus for cleaning the supported substrate, a loading / unloading station for loading / unloading a substrate to be processed, a supporting substrate or a superposed substrate with respect to the peeling processing station, and the peeling And a transfer device for transferring a substrate to be processed, a support substrate, or a superposed substrate between the processing station and the carry-in / out station.

前記剥離システムは、前記剥離処理ステーションと、当該剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションを有していてもよい。   The peeling system includes an interface station that transports a substrate to be processed between the peeling processing station and a post-processing station that performs predetermined post-processing on the substrate to be processed that has been peeled off at the peeling processing station. Also good.

また別な観点による本発明は、剥離装置を用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、前記剥離装置は、被処理基板を常温の状態で保持する第1の保持部と、支持基板を常温の状態で保持する第2の保持部と、前記第2の保持部に保持された支持基板が、その外周部の全周から中心部に向けて前記第1の保持部に保持された被処理基板から連続的に剥離するように、前記第2の保持部の外周部を鉛直方向に移動させる移動機構と、を有し、前記剥離方法は、前記第2の保持部の外周部を鉛直方向に移動させ、前記第2の保持部に保持された常温の支持基板を、その外周部の全周から中心部に向けて前記第1の保持部に保持された常温の被処理基板から連続的に剥離する第1の工程と、その後、第2の保持部全体を鉛直方向に移動させ、被処理基板と支持基板を剥離する第2の工程と、を有することを特徴としている。なお、常温とは、被処理基板と支持基板の剥離処理を行う処理雰囲気の温度であって、例えば23℃である。
Another aspect of the present invention is a peeling method for peeling a polymerized substrate in which a substrate to be processed and a support substrate are bonded with an adhesive using a peeling device to the substrate to be processed and the support substrate. The first holding unit that holds the substrate to be processed at a normal temperature, the second holding unit that holds the support substrate at a normal temperature, and the support substrate held by the second holding unit include: A moving mechanism for moving the outer peripheral portion of the second holding portion in the vertical direction so as to continuously peel from the substrate to be processed held by the first holding portion from the entire circumference of the outer peripheral portion toward the central portion. In the peeling method, the outer peripheral portion of the second holding portion is moved in the vertical direction, and the room temperature support substrate held by the second holding portion is moved from the entire circumference of the outer peripheral portion. Peel continuously from the substrate to be processed held at the first holding part toward the center part A first step, then move the entire second holding portion in the vertical direction, it is characterized by having a second step of peeling the substrate to be processed supported substrate. Note that the normal temperature is a temperature of a processing atmosphere for performing a separation process between the substrate to be processed and the support substrate, and is 23 ° C., for example.

前記第1の保持部は前記第2の保持部の上方に配置され、前記第1の工程と前記第2の工程において、前記第2の保持部を鉛直下方に移動させてもよい。   The first holding unit may be disposed above the second holding unit, and the second holding unit may be moved vertically downward in the first step and the second step.

前記剥離装置は、少なくとも前記第1の保持部又は前記第2の保持部を回転させる回転機構を有し、前記第1の工程において、少なくとも前記第1の保持部又は前記第2の保持部の回転を開始した後、前記第2の保持部の外周部を鉛直方向に移動させ、外周部から中心部に向けて支持基板を被処理基板から連続的に剥離してもよい。   The peeling apparatus includes a rotation mechanism that rotates at least the first holding unit or the second holding unit, and in the first step, at least the first holding unit or the second holding unit. After starting the rotation, the outer peripheral portion of the second holding portion may be moved in the vertical direction, and the support substrate may be continuously peeled from the substrate to be processed from the outer peripheral portion toward the central portion.

前記第1の工程において、前記第1の保持部と前記第2の保持部に保持された重合基板の外周部の接着剤に対して、当該接着剤の溶剤を供給してもよい。   In the first step, a solvent of the adhesive may be supplied to the adhesive on the outer peripheral portion of the polymerization substrate held by the first holding part and the second holding part.

また別な観点による本発明によれば、前記剥離方法を剥離装置によって実行させるために、当該剥離装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided a program that operates on a computer of a control unit that controls the peeling device in order to cause the peeling device to execute the peeling method.

さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。   According to another aspect of the present invention, a readable computer storage medium storing the program is provided.

本発明によれば、被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行うことができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the peeling process of a to-be-processed substrate and a support substrate can be performed appropriately and efficiently.

本実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of the peeling system concerning this Embodiment. 被処理ウェハと支持ウェハの側面図である。It is a side view of a to-be-processed wafer and a support wafer. 剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a peeling apparatus. 第1の鉛直移動部の平面図である。It is a top view of the 1st vertical movement part. 第1の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a 1st washing | cleaning apparatus. 第1の洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of a 1st washing | cleaning apparatus. 第2の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a 2nd washing | cleaning apparatus. 第2の搬送装置の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of a 2nd conveying apparatus. 剥離処理の主な工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the main processes of peeling processing. 第1の保持部と第2の保持部で重合ウェハを保持した様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the superposition | polymerization wafer was hold | maintained with the 1st holding | maintenance part and the 2nd holding | maintenance part. 第1の鉛直移動部によって第2の保持部外周部を鉛直下方に移動させる様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a 2nd holding | maintenance part outer peripheral part is moved vertically downward by a 1st vertical movement part. 第2の鉛直移動部によって第2の保持部を鉛直下方に移動させる様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a 2nd holding | maintenance part is moved vertically downward by a 2nd vertical movement part. 被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the to-be-processed wafer and the support wafer were peeled. 第1の保持部からベルヌーイチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a to-be-processed wafer is delivered from a 1st holding | maintenance part to Bernoulli chuck. ベルヌーイチャックからポーラスチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a to-be-processed wafer is delivered from a Bernoulli chuck to a porous chuck | zipper. 他の実施の形態にかかる剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the peeling apparatus concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる第1の鉛直移動部によって第2の保持部外周部を鉛直下方に移動させる様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the 2nd holding | maintenance part outer peripheral part is moved to the perpendicular downward direction by the 1st vertical movement part concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the peeling apparatus concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the peeling apparatus concerning other embodiment.

以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる剥離システム1の構成の概略を示す平面図である。   Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a plan view showing an outline of a configuration of a peeling system 1 according to the present embodiment.

剥離システム1では、図2に示すように被処理基板としての被処理ウェハWと支持基板としての支持ウェハSとが接着剤Gで接合された重合基板としての重合ウェハTを、被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離する。以下、被処理ウェハWにおいて、接着剤Gを介して支持ウェハSと接合される面を「接合面W」といい、当該接合面Wと反対側の面を「非接合面W」という。同様に、支持ウェハSにおいて、接着剤Gを介して被処理ウェハWと接合される面を「接合面S」といい、当該接合面Sと反対側の面を「非接合面S」という。なお、被処理ウェハWは、製品となるウェハであって、例えば接合面Wに複数の電子回路が形成されている。また被処理ウェハWは、例えば非接合面Wが研磨処理され、薄型化(例えば厚みが50μm)されている。支持ウェハSは、被処理ウェハWの径と同じ径を有し、当該被処理ウェハWを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。 In the peeling system 1, as shown in FIG. 2, a superposed wafer T as a superposed substrate in which a target wafer W as a target substrate and a support wafer S as a support substrate are bonded with an adhesive G is used as a target wafer W. And the support wafer S is peeled off. Hereinafter, in the processing target wafer W, a surface bonded to the support wafer S via the adhesive G is referred to as “bonding surface W J ”, and a surface opposite to the bonding surface W J is referred to as “non-bonding surface W N ”. That's it. Similarly, in the support wafer S, a surface bonded to the processing target wafer W via the adhesive G is referred to as “bonding surface S J ”, and a surface opposite to the bonding surface S J is referred to as “non-bonding surface S N”. " Note that wafer W is a wafer as a product, a plurality of electronic circuits are formed, for example, joint surface W J. The wafer W is, for example, non-bonding surface W N is polished, thin (e.g., thickness of 50 [mu] m) it is. The support wafer S is a wafer having the same diameter as the wafer W to be processed and supporting the wafer W to be processed. In this embodiment, the case where a wafer is used as the support substrate will be described, but another substrate such as a glass substrate may be used.

剥離システム1は、図1に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハW、複数の支持ウェハS、複数の重合ウェハTをそれぞれ収容可能なカセットC、C、Cが搬入出される搬入出ステーション2と、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた剥離処理ステーション3と、剥離処理ステーション3に隣接する後処理ステーション4との間で被処理ウェハWの受け渡しを行うインターフェイスステーション5とを一体に接続した構成を有している。 As shown in FIG. 1, the peeling system 1 includes cassettes C W , C S , and C T that can accommodate, for example, a plurality of wafers W to be processed, a plurality of support wafers S, and a plurality of superposed wafers T, respectively. A loading / unloading station 2 for loading / unloading, a peeling processing station 3 including various processing apparatuses for performing predetermined processing on the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T, and a post-processing adjacent to the peeling processing station 3 The interface station 5 that transfers the wafer W to be processed to and from the station 4 is integrally connected.

搬入出ステーション2と剥離処理ステーション3は、X方向(図1中の上下方向)に並べて配置されている。これら搬入出ステーション2と剥離処理ステーション3との間には、ウェハ搬送領域6が形成されている。また、インターフェイスステーション5は、搬入出ステーション2、剥離処理ステーション3及びウェハ搬送領域6のY方向負方向側(図1中の左方向側)に配置されている。   The carry-in / out station 2 and the peeling processing station 3 are arranged side by side in the X direction (vertical direction in FIG. 1). A wafer transfer region 6 is formed between the carry-in / out station 2 and the peeling processing station 3. Further, the interface station 5 is arranged on the Y direction negative direction side (left direction side in FIG. 1) of the carry-in / out station 2, the peeling processing station 3, and the wafer transfer region 6.

搬入出ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。カセット載置台10には、複数、例えば3つのカセット載置板11が設けられている。カセット載置板11は、Y方向(図1中の左右方向)に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板11には、剥離システム1の外部に対してカセットC、C、Cを搬入出する際に、カセットC、C、Cを載置することができる。このように搬入出ステーション2は、複数の被処理ウェハW、複数の支持ウェハS、複数の重合ウェハTを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板11の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、搬入出ステーション2に搬入された複数の重合ウェハTには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハWを含む重合ウェハTと欠陥のある被処理ウェハWを含む重合ウェハTとに判別されている。 The loading / unloading station 2 is provided with a cassette mounting table 10. A plurality of, for example, three cassette mounting plates 11 are provided on the cassette mounting table 10. The cassette mounting plates 11 are arranged in a line in the Y direction (left and right direction in FIG. 1). These cassette mounting plates 11, cassettes C W to the outside of the peeling system 1, C S, when loading and unloading the C T, a cassette C W, C S, can be placed on C T . Thus, the carry-in / out station 2 is configured to be capable of holding a plurality of wafers W to be processed, a plurality of support wafers S, and a plurality of superposed wafers T. The number of cassette mounting plates 11 is not limited to the present embodiment, and can be arbitrarily determined. Further, the plurality of superposed wafers T carried into the carry-in / out station 2 are inspected in advance, and the superposed wafer T including the normal target wafer W and the superposed wafer T including the defective target wafer W; Has been determined.

ウェハ搬送領域6には、第1の搬送装置20が配置されている。第1の搬送装置20は、例えば鉛直方向、水平方向(Y方向、X方向)及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。第1の搬送装置20は、ウェハ搬送領域6内を移動し、搬入出ステーション2と剥離処理ステーション3との間で被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを搬送できる。   A first transfer device 20 is disposed in the wafer transfer region 6. The first transfer device 20 includes a transfer arm that can move around, for example, a vertical direction, a horizontal direction (Y direction, X direction), and a vertical axis. The first transfer device 20 moves in the wafer transfer region 6 and can transfer the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T between the carry-in / out station 2 and the separation processing station 3.

剥離処理ステーション3は、重合ウェハTを被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離する剥離装置30を有している。剥離装置30のY方向負方向側(図1中の左方向側)には、剥離された被処理ウェハWを洗浄する第1の洗浄装置31が配置されている。剥離装置30と第1の洗浄装置31との間には、第2の搬送装置32が設けられている。また、剥離装置30のY方向正方向側(図1中の右方向側)には、剥離された支持ウェハSを洗浄する第2の洗浄装置33が配置されている。このように剥離処理ステーション3には、第1の洗浄装置31、第2の搬送装置32、剥離装置30、第2の洗浄装置33が、インターフェイスステーション5側からこの順で並べて配置されている。   The peeling processing station 3 includes a peeling device 30 that peels the superposed wafer T into the processing target wafer W and the supporting wafer S. A first cleaning device 31 that cleans the wafer to be processed W that has been peeled off is disposed on the negative side in the Y direction of the peeling device 30 (left side in FIG. 1). A second transfer device 32 is provided between the peeling device 30 and the first cleaning device 31. Further, a second cleaning device 33 for cleaning the peeled support wafer S is arranged on the positive side in the Y direction of the peeling device 30 (right side in FIG. 1). As described above, the first cleaning device 31, the second transport device 32, the peeling device 30, and the second cleaning device 33 are arranged in this order from the interface station 5 side in the peeling processing station 3.

インターフェイスステーション5には、X方向に延伸する搬送路40上を移動自在な第3の搬送装置41が設けられている。第3の搬送装置41は、鉛直方向及び鉛直軸周り(θ方向)にも移動自在であり、剥離処理ステーション3と後処理ステーション4との間で被処理ウェハWを搬送できる。   The interface station 5 is provided with a third transport device 41 that is movable on a transport path 40 extending in the X direction. The third transfer device 41 is also movable in the vertical direction and the vertical axis (θ direction), and can transfer the wafer W to be processed between the separation processing station 3 and the post-processing station 4.

なお、後処理ステーション4では、剥離処理ステーション3で剥離された被処理ウェハWに所定の後処理を行う。所定の後処理として、例えば被処理ウェハWをマウントする処理や、被処理ウェハW上の電子回路の電気的特性の検査を行う処理、被処理ウェハWをチップ毎にダイシングする処理などが行われる。   In the post-processing station 4, predetermined post-processing is performed on the processing target wafer W peeled off at the peeling processing station 3. As predetermined post-processing, for example, processing for mounting the processing target wafer W, processing for inspecting electrical characteristics of electronic circuits on the processing target wafer W, processing for dicing the processing target wafer W for each chip, and the like are performed. .

次に、上述した剥離装置30の構成について説明する。剥離装置30は、図3に示すように内部を密閉可能な処理容器100を有している。処理容器100の側面には、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの搬入出口(図示せず)が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ(図示せず)が設けられている。   Next, the structure of the peeling apparatus 30 mentioned above is demonstrated. As shown in FIG. 3, the peeling apparatus 30 includes a processing container 100 that can seal the inside. A loading / unloading port (not shown) for the processing target wafer W, the support wafer S, and the overlapped wafer T is formed on the side surface of the processing container 100, and an opening / closing shutter (not shown) is provided at the loading / unloading port.

処理容器100の底面には、当該処理容器100の内部の雰囲気を吸引する吸気口101が形成されている。吸気口101には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置102に連通する吸気管103が接続されている。   An intake port 101 that sucks the atmosphere inside the processing container 100 is formed on the bottom surface of the processing container 100. An intake pipe 103 communicating with a negative pressure generator 102 such as a vacuum pump is connected to the intake port 101.

処理容器100の内部には、常温、例えば23℃の被処理ウェハWを下面で吸着保持する第1の保持部110と、常温、例えば23℃の支持ウェハSを上面で載置して保持する第2の保持部111とが設けられている。第1の保持部110は、第2の保持部111の上方に設けられ、第2の保持部111と対向するように配置されている。すなわち、処理容器100の内部では、被処理ウェハWを上側に配置し、且つ支持ウェハSを下側に配置した状態で、重合ウェハTに剥離処理が行われる。   Inside the processing container 100, a first holding unit 110 that sucks and holds a wafer W to be processed at a normal temperature, for example, 23 ° C. on the lower surface, and a support wafer S at a normal temperature, for example, 23 ° C., are placed and held on the upper surface. A second holding unit 111 is provided. The first holding unit 110 is provided above the second holding unit 111 and is disposed so as to face the second holding unit 111. That is, in the inside of the processing container 100, the peeling process is performed on the superposed wafer T in a state where the processing target wafer W is arranged on the upper side and the supporting wafer S is arranged on the lower side.

第1の保持部110には、例えばポーラスチャックが用いられている。第1の保持部110は、平板状の本体部120を有している。本体部120の下面側には、多孔質体121が設けられている。多孔質体121は、例えば被処理ウェハWとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハWの非接合面Wと当接している。なお、多孔質体121としては例えば炭化ケイ素が用いられる。 For example, a porous chuck is used for the first holding unit 110. The first holding part 110 has a plate-like main body part 120. A porous body 121 is provided on the lower surface side of the main body 120. The porous body 121 has, for example, substantially the same diameter as the wafer to be processed W, and is in contact with the non-joint surface W N of the wafer to be processed W. For example, silicon carbide is used as the porous body 121.

また、本体部120の内部であって多孔質体121の上方には吸引空間122が形成されている。吸引空間122は、例えば多孔質体121を覆うように形成されている。吸引空間122には、吸引管123が接続されている。吸引管123は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置(図示せず)に接続されている。そして、吸引管123から吸引空間122と多孔質体121を介して被処理ウェハの非接合面Wが吸引され、当該被処理ウェハWが第1の保持部110に吸着保持される。 A suction space 122 is formed inside the main body 120 and above the porous body 121. The suction space 122 is formed so as to cover the porous body 121, for example. A suction tube 123 is connected to the suction space 122. The suction pipe 123 is connected to a negative pressure generator (not shown) such as a vacuum pump. Then, the non-joint surface W N of the processing target wafer is sucked from the suction pipe 123 through the suction space 122 and the porous body 121, and the processing target wafer W is sucked and held by the first holding unit 110.

第1の保持部110の上面には、当該第1の保持部110を支持する支持板130が設けられている。支持板130は、処理容器100の天井面に支持されている。なお、本実施の形態の支持板130を省略し、第1の保持部110は処理容器100の天井面に当接して支持されてもよい。   A support plate 130 that supports the first holding unit 110 is provided on the upper surface of the first holding unit 110. The support plate 130 is supported on the ceiling surface of the processing container 100. Note that the support plate 130 of the present embodiment may be omitted, and the first holding unit 110 may be supported in contact with the ceiling surface of the processing container 100.

第2の保持部111の内部には、支持ウェハSを吸着保持するための吸引管140が設けられている。吸引管140は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置(図示せず)に接続されている。なお、第2の保持部111は、弾性体である例えばアルミニウムが用いられる。   A suction tube 140 for sucking and holding the support wafer S is provided inside the second holding unit 111. The suction tube 140 is connected to a negative pressure generator (not shown) such as a vacuum pump. The second holding unit 111 is made of an elastic material such as aluminum.

第2の保持部111の下方には、第2の保持部111及び支持ウェハSを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構150が設けられている。移動機構150は、第2の保持部111を保持し、且つ第2の保持部111の外周部のみを鉛直方向に移動させる第1の移動部としての第1の鉛直移動部151と、第1の鉛直移動部151を保持し、且つ第1の鉛直移動部151と第2の保持部111を鉛直方向に移動させる第2の移動部としての第2の鉛直移動部152と、第1の鉛直移動部151、第2の鉛直移動部152及び第2の保持部111を水平方向に移動させる水平移動部153とを有している。第1の鉛直移動部151、第2の鉛直移動部152、水平移動部153は、鉛直方向に上からこの順で配置されている。   Below the second holding unit 111, a moving mechanism 150 that moves the second holding unit 111 and the supporting wafer S in the vertical direction and the horizontal direction is provided. The moving mechanism 150 includes a first vertical moving unit 151 as a first moving unit that holds the second holding unit 111 and moves only the outer peripheral portion of the second holding unit 111 in the vertical direction. A second vertical moving unit 152 as a second moving unit that holds the vertical moving unit 151 and moves the first vertical moving unit 151 and the second holding unit 111 in the vertical direction; A moving unit 151, a second vertical moving unit 152, and a horizontal moving unit 153 that moves the second holding unit 111 in the horizontal direction are provided. The first vertical movement unit 151, the second vertical movement unit 152, and the horizontal movement unit 153 are arranged in this order from the top in the vertical direction.

第1の鉛直移動部151は、第2の保持部111の外周部を円環状に鉛直方向に移動させる複数、例えば6つのシリンダ160と、第2の保持部111の中央部を支持する支持柱161と、シリンダ160と支持柱161を支持する支持板162とを有している。図4に示すように6つのシリンダ160は、支持板162と同一円周上に等間隔に配置されている。また、これらシリンダ160は、第2の保持部111の外周部に対応する位置に配置されている。支持柱161は、支持板162の中央部であって、第2の保持部111の中央部に対応する位置に配置されている。すなわち、シリンダ160によって第2の保持部111の外周部が鉛直下方に移動する際、当該第2の保持部111の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、支持柱161が配置されている。   The first vertical moving portion 151 is a support column that supports a plurality of, for example, six cylinders 160 that move the outer peripheral portion of the second holding portion 111 in an annular shape in the vertical direction and the central portion of the second holding portion 111. 161, and a support plate 162 that supports the cylinder 160 and the support column 161. As shown in FIG. 4, the six cylinders 160 are arranged at equal intervals on the same circumference as the support plate 162. The cylinders 160 are arranged at positions corresponding to the outer peripheral portion of the second holding part 111. The support column 161 is disposed at a position corresponding to the center portion of the second holding portion 111 in the center portion of the support plate 162. That is, when the outer peripheral portion of the second holding portion 111 is moved vertically downward by the cylinder 160, the support column 161 is arranged so that the vertical position of the central portion of the second holding portion 111 does not change. Yes.

第2の鉛直移動部152は、図3に示すように支持板162を昇降させる駆動部170と、支持板162を支持する支持部材171とを有している。駆動部170は、例えばボールネジ(図示せず)と当該ボールネジを回動させるモータ(図示せず)とを有している。また、支持部材171は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板162と水平移動部153との間に例えば3箇所に設けられている。   As shown in FIG. 3, the second vertical moving unit 152 includes a drive unit 170 that moves the support plate 162 up and down, and a support member 171 that supports the support plate 162. The drive unit 170 includes, for example, a ball screw (not shown) and a motor (not shown) that rotates the ball screw. Further, the support member 171 is configured to be extendable in the vertical direction, and is provided at, for example, three locations between the support plate 162 and the horizontal movement unit 153.

水平移動部153は、例えばボールネジ(図示せず)と当該ボールネジを回動させるモータ(図示せず)とを有し、第1の鉛直移動部151、第2の鉛直移動部152及び第2の保持部111を水平方向に移動させることができる。   The horizontal moving unit 153 includes, for example, a ball screw (not shown) and a motor (not shown) that rotates the ball screw, and includes a first vertical moving unit 151, a second vertical moving unit 152, and a second vertical moving unit 153. The holding part 111 can be moved in the horizontal direction.

なお、第2の保持部111の下方には、重合ウェハT又は支持ウェハSを下方から支持し昇降させるための昇降ピン(図示せず)が設けられている。昇降ピンは第2の保持部111に形成された貫通孔(図示せず)を挿通し、第2の保持部111の上面から突出可能になっている。   In addition, below the 2nd holding | maintenance part 111, the raising / lowering pin (not shown) for supporting and raising / lowering the superposition | polymerization wafer T or the support wafer S from the downward direction is provided. The elevating pin is inserted through a through hole (not shown) formed in the second holding part 111 and can protrude from the upper surface of the second holding part 111.

次に、上述した第1の洗浄装置31の構成について説明する。第1の洗浄装置31は、図5に示すように内部を密閉可能な処理容器180を有している。処理容器180の側面には、被処理ウェハWの搬入出口(図示せず)が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ(図示せず)が設けられている。   Next, the configuration of the first cleaning device 31 described above will be described. As shown in FIG. 5, the first cleaning device 31 has a processing container 180 that can be sealed inside. A loading / unloading port (not shown) for the processing target wafer W is formed on the side surface of the processing container 180, and an opening / closing shutter (not shown) is provided at the loading / unloading port.

処理容器180内の中央部には、被処理ウェハWを保持して回転させるポーラスチャック190が設けられている。ポーラスチャック190は、平板状の本体部191と、本体部191の上面側に設けられた多孔質体192とを有している。多孔質体192は、例えば被処理ウェハWとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハWの非接合面Wと当接している。なお、多孔質体192としては例えば炭化ケイ素が用いられる。多孔質体192には吸引管(図示せず)が接続され、当該吸引管から多孔質体192を介して被処理ウェハWの非接合面Wを吸引することにより、当該被処理ウェハWをポーラスチャック190上に吸着保持できる。 A porous chuck 190 that holds and rotates the wafer W to be processed is provided at the center of the processing container 180. The porous chuck 190 has a flat plate-shaped main body 191 and a porous body 192 provided on the upper surface side of the main body 191. The porous body 192 has, for example, substantially the same diameter as the wafer W to be processed, and is in contact with the non-joint surface W N of the wafer W to be processed. For example, silicon carbide is used as the porous body 192. A suction tube (not shown) is connected to the porous body 192, and the non-bonded surface W N of the wafer to be processed W is sucked from the suction tube through the porous body 192, thereby It can be sucked and held on the porous chuck 190.

ポーラスチャック190の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部193が設けられている。ポーラスチャック190は、チャック駆動部193により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部193には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、ポーラスチャック190は昇降自在になっている。   Below the porous chuck 190, for example, a chuck driving unit 193 provided with a motor or the like is provided. The porous chuck 190 can be rotated at a predetermined speed by the chuck driving unit 193. Further, the chuck driving unit 193 is provided with an elevating drive source such as a cylinder, for example, and the porous chuck 190 is movable up and down.

ポーラスチャック190の周囲には、被処理ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ194が設けられている。カップ194の下面には、回収した液体を排出する排出管195と、カップ194内の雰囲気を真空引きして排気する排気管196が接続されている。   Around the porous chuck 190, there is provided a cup 194 that receives and collects the liquid scattered or dropped from the wafer W to be processed. Connected to the lower surface of the cup 194 are a discharge pipe 195 for discharging the collected liquid and an exhaust pipe 196 for evacuating and exhausting the atmosphere in the cup 194.

図6に示すようにカップ194のX方向負方向(図6中の下方向)側には、Y方向(図6中の左右方向)に沿って延伸するレール200が形成されている。レール200は、例えばカップ194のY方向負方向(図6中の左方向)側の外方からY方向正方向(図6中の右方向)側の外方まで形成されている。レール200には、アーム201が取り付けられている。   As shown in FIG. 6, a rail 200 extending along the Y direction (left and right direction in FIG. 6) is formed on the side of the cup 194 in the negative X direction (downward direction in FIG. 6). The rail 200 is formed, for example, from the outside of the cup 194 on the Y direction negative direction (left direction in FIG. 6) side to the outside of the Y direction positive direction (right direction in FIG. 6) side. An arm 201 is attached to the rail 200.

アーム201には、図5及び図6に示すように被処理ウェハWに洗浄液、例えば接着剤Gの溶剤である有機溶剤を供給する洗浄液ノズル202が支持されている。アーム201は、図6に示すノズル駆動部203により、レール200上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル202は、カップ194のY方向正方向側の外方に設置された待機部204からカップ194内の被処理ウェハWの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハW上を被処理ウェハWの径方向に移動できる。また、アーム201は、ノズル駆動部203によって昇降自在であり、洗浄液ノズル202の高さを調節できる。   As shown in FIGS. 5 and 6, the arm 201 supports a cleaning liquid nozzle 202 that supplies a cleaning liquid, for example, an organic solvent that is a solvent for the adhesive G, to the wafer W to be processed. The arm 201 is movable on the rail 200 by a nozzle driving unit 203 shown in FIG. As a result, the cleaning liquid nozzle 202 can move from the standby unit 204 installed on the outer side of the cup 194 on the positive side in the Y direction to above the center of the wafer W to be processed in the cup 194, and further on the wafer W to be processed. Can be moved in the radial direction of the wafer W to be processed. The arm 201 can be moved up and down by a nozzle driving unit 203 and the height of the cleaning liquid nozzle 202 can be adjusted.

洗浄液ノズル202には、例えば2流体ノズルが用いられる。洗浄液ノズル202には、図5に示すように当該洗浄液ノズル202に洗浄液を供給する供給管210が接続されている。供給管210は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源211に連通している。供給管210には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群212が設けられている。また、洗浄液ノズル202には、当該洗浄液ノズル202に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する供給管213が接続されている。供給管213は、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源214に連通している。供給管213には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群215が設けられている。そして、洗浄液と不活性ガスは洗浄液ノズル202内で混合され、当該洗浄液ノズル202から被処理ウェハWに供給される。なお、以下においては、洗浄液と不活性ガスを混合したものを単に「洗浄液」という場合がある。   For example, a two-fluid nozzle is used as the cleaning liquid nozzle 202. As shown in FIG. 5, a supply pipe 210 that supplies the cleaning liquid to the cleaning liquid nozzle 202 is connected to the cleaning liquid nozzle 202. The supply pipe 210 communicates with a cleaning liquid supply source 211 that stores the cleaning liquid therein. The supply pipe 210 is provided with a supply device group 212 including a valve for controlling the flow of the cleaning liquid, a flow rate adjusting unit, and the like. The cleaning liquid nozzle 202 is connected to a supply pipe 213 that supplies an inert gas such as nitrogen gas to the cleaning liquid nozzle 202. The supply pipe 213 communicates with a gas supply source 214 that stores an inert gas therein. The supply pipe 213 is provided with a supply device group 215 including a valve for controlling the flow of the inert gas, a flow rate adjusting unit, and the like. Then, the cleaning liquid and the inert gas are mixed in the cleaning liquid nozzle 202 and supplied from the cleaning liquid nozzle 202 to the wafer W to be processed. In the following, a mixture of a cleaning liquid and an inert gas may be simply referred to as “cleaning liquid”.

なお、ポーラスチャック190の下方には、被処理ウェハWを下方から支持し昇降させるための昇降ピン(図示せず)が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはポーラスチャック190に形成された貫通孔(図示せず)を挿通し、ポーラスチャック190の上面から突出可能になっている。そして、ポーラスチャック190を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、ポーラスチャック190との間で被処理ウェハWの受け渡しが行われる。   In addition, below the porous chuck 190, lifting pins (not shown) for supporting and lifting the wafer to be processed W from below may be provided. In such a case, the elevating pins can pass through a through hole (not shown) formed in the porous chuck 190 and protrude from the upper surface of the porous chuck 190. Then, instead of raising and lowering the porous chuck 190, the raising and lowering pins are raised and lowered, and the wafer W to be processed is transferred to and from the porous chuck 190.

また、第2の洗浄装置33の構成は、上述した第1の洗浄装置31の構成とほぼ同様である。第2の洗浄装置33には、図7に示すように第1の洗浄装置31のポーラスチャック190に代えて、スピンチャック220が設けられる。スピンチャック220は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば支持ウェハSを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、支持ウェハSをスピンチャック220上に吸着保持できる。第2の洗浄装置33のその他の構成は、上述した第1の洗浄装置31の構成と同様であるので説明を省略する。   The configuration of the second cleaning device 33 is substantially the same as the configuration of the first cleaning device 31 described above. As shown in FIG. 7, the second cleaning device 33 is provided with a spin chuck 220 instead of the porous chuck 190 of the first cleaning device 31. The spin chuck 220 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking, for example, the support wafer S is provided on the upper surface. The support wafer S can be sucked and held on the spin chuck 220 by suction from the suction port. Since the other structure of the 2nd washing | cleaning apparatus 33 is the same as that of the structure of the 1st washing | cleaning apparatus 31 mentioned above, description is abbreviate | omitted.

なお、第2の洗浄装置33において、スピンチャック220の下方には、支持ウェハSの裏面、すなわち非接合面Sに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル(図示せず)が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、支持ウェハSの非接合面Sと支持ウェハSの外周部が洗浄される。 In the second cleaning device 33, a back rinse nozzle (not shown) for injecting the cleaning liquid toward the back surface of the support wafer S, that is, the non-bonding surface SN is provided below the spin chuck 220. Also good. The non-bonding surface SN of the support wafer S and the outer peripheral portion of the support wafer S are cleaned by the cleaning liquid sprayed from the back rinse nozzle.

次に、上述した第2の搬送装置32の構成について説明する。第2の搬送装置32は、図8に示すように被処理ウェハWを保持するベルヌーイチャック230を有している。ベルヌーイチャック230は、空気を噴出することにより被処理ウェハWを浮遊させ、非接触の状態で被処理ウェハWを吸引懸垂し保持することができる。ベルヌーイチャック230は、支持アーム231に支持されている。支持アーム231は、第1の駆動部232に支持されている。この第1の駆動部232により、支持アーム231は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第1の駆動部232の下方には、第2の駆動部233が設けられている。この第2の駆動部233により、第1の駆動部232は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。   Next, the configuration of the second transport device 32 described above will be described. The second transfer device 32 has a Bernoulli chuck 230 that holds the wafer W to be processed as shown in FIG. The Bernoulli chuck 230 can suspend and hold the wafer W to be processed in a non-contact state by suspending the wafer W to be processed by ejecting air. Bernoulli chuck 230 is supported by support arm 231. The support arm 231 is supported by the first drive unit 232. The first drive unit 232 allows the support arm 231 to rotate around the horizontal axis and extend and contract in the horizontal direction. A second driving unit 233 is provided below the first driving unit 232. By the second drive unit 233, the first drive unit 232 can rotate around the vertical axis and can move up and down in the vertical direction.

なお、第3の搬送装置41は、上述した第2の搬送装置32と同様の構成を有しているので説明を省略する。但し、第3の搬送装置41の第2の駆動部233は、図1に示した搬送路40に取り付けられ、第3の搬送装置41は搬送路40上を移動可能になっている。   In addition, since the 3rd conveying apparatus 41 has the structure similar to the 2nd conveying apparatus 32 mentioned above, description is abbreviate | omitted. However, the second drive unit 233 of the third transport device 41 is attached to the transport path 40 shown in FIG. 1, and the third transport device 41 is movable on the transport path 40.

以上の剥離システム1には、図1に示すように制御部300が設けられている。制御部300は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、剥離システム1における被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム1における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御部300にインストールされたものであってもよい。   The peeling system 1 is provided with a controller 300 as shown in FIG. The control unit 300 is a computer, for example, and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program for controlling processing of the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T in the peeling system 1. The program storage unit also stores a program for controlling the operation of drive systems such as the above-described various processing apparatuses and transport apparatuses to realize a peeling process described later in the peeling system 1. The program is recorded on a computer-readable storage medium H such as a computer-readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical desk (MO), or a memory card. May have been installed in the control unit 300 from the storage medium H.

次に、以上のように構成された剥離システム1を用いて行われる被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理方法について説明する。図9は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。   Next, the peeling process method of the to-be-processed wafer W and the support wafer S performed using the peeling system 1 comprised as mentioned above is demonstrated. FIG. 9 is a flowchart showing an example of main steps of the peeling process.

先ず、複数枚の常温、例えば23℃の重合ウェハTを収容したカセットC、空のカセットC、及び空のカセットCが、搬入出ステーション2の所定のカセット載置板11に載置される。第1の搬送装置20によりカセットC内の重合ウェハTが取り出され、剥離処理ステーション3の剥離装置30に搬送される。このとき、重合ウェハTは、被処理ウェハWを上側に配置し、且つ支持ウェハSを下側に配置した状態で搬送される。 First, placing a plurality of normal temperature, the cassette C T accommodating the bonded wafer T of example 23 ° C., the empty cassette C W, and an empty cassette C S is a predetermined cassette mounting plate 11 of the carry-out station 2 Is done. The superposed wafer T in the cassette CT is taken out by the first transfer device 20 and transferred to the peeling device 30 of the peeling processing station 3. At this time, the superposed wafer T is transported in a state where the processing target wafer W is disposed on the upper side and the support wafer S is disposed on the lower side.

剥離装置30に搬入された重合ウェハTは、第2の保持部111に吸着保持される。その後、図10に示すように移動機構150の第2の鉛直移動部152により第2の保持部111を上昇させて、第1の保持部110と第2の保持部111で重合ウェハTを挟み込んで保持する。このとき、第1の保持部110に被処理ウェハWの非接合面Wが吸着保持され、第2の保持部111に支持ウェハSの非接合面Sが吸着保持される。このとき、第1の保持部110に保持される被処理ウェハWの温度は常温、例えば23℃であり、第2の保持部111に保持される支持ウェハSの温度も常温、例えば23℃である。そして、以後、剥離装置30において被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離する間、被処理ウェハWと支持ウェハSの温度は、それぞれ常温に維持される。 The overlapped wafer T carried into the peeling apparatus 30 is sucked and held by the second holding unit 111. After that, as shown in FIG. 10, the second holding unit 111 is raised by the second vertical moving unit 152 of the moving mechanism 150, and the overlapped wafer T is sandwiched between the first holding unit 110 and the second holding unit 111. Hold on. At this time, the non-bonding surface W N of the wafer W is held by suction on the first holding portion 110, the non-bonding surface S N of the support wafer S is held by suction to the second holding portion 111. At this time, the temperature of the processing target wafer W held in the first holding unit 110 is normal temperature, for example, 23 ° C., and the temperature of the support wafer S held in the second holding unit 111 is also normal temperature, for example, 23 ° C. is there. Thereafter, while the wafer to be processed W and the support wafer S are peeled by the peeling apparatus 30, the temperatures of the wafer to be processed W and the support wafer S are maintained at room temperature.

その後、図11に示すように移動機構150の第1の鉛直移動部151によって第2の保持部111の外周部のみを円環状に鉛直下方に移動させる。すなわち、シリンダ160によって第2の保持部111の外周部が鉛直下方に移動する際、第2の保持部111の中央部が支持柱161に支持され、当該第2の保持部111の中央部の鉛直方向の位置が変化しない。   After that, as shown in FIG. 11, only the outer peripheral portion of the second holding unit 111 is moved vertically downward in an annular shape by the first vertical moving unit 151 of the moving mechanism 150. That is, when the outer peripheral part of the second holding part 111 moves vertically downward by the cylinder 160, the central part of the second holding part 111 is supported by the support pillar 161, and the central part of the second holding part 111 is The vertical position does not change.

かかる場合、第2の保持部111に保持された支持ウェハSが、その外周部から中心部に向けて第1の保持部110に保持された被処理ウェハWから連続的に剥離される。ここで、上述したように被処理ウェハWの接合面Wには電子回路が形成されているため、被処理ウェハWと支持ウェハSを一度に剥離しようとすると、接合面W、Sに多大な荷重がかかり、接合面W上の電子回路が損傷を被るおそれがある。この点、本実施の形態では、外周部から中心部に向けて支持ウェハSが被処理ウェハWから連続的に剥離されるので、接合面W、Sに大きな荷重がかからない。したがって、電子回路の損傷を抑制することができる。 In such a case, the support wafer S held by the second holding unit 111 is continuously peeled from the wafer W to be processed held by the first holding unit 110 from the outer periphery toward the center. Since the electronic circuit is formed on the bonding surface W J of wafer W as described above, an attempt to peel the support wafer S and wafer W at a time, joint surface W J, S J it takes a great load, the electronic circuitry on the bonding surface W J is likely to suffer damage. In this respect, in this embodiment, since the support wafer S is continuously peeled from the processing target wafer W from the outer peripheral portion toward the central portion, a large load is not applied to the bonding surfaces W J and S J. Therefore, damage to the electronic circuit can be suppressed.

その後、被処理ウェハWの中心部と支持ウェハSの中心部のみが接着した状態で、図12に示すように第2の鉛直移動部152によって第2の保持部111全体を鉛直下方に移動させる。そして、支持ウェハSの外周部が鉛直下方に撓んだ状態で、支持ウェハSが被処理ウェハWから剥離される。その後、図13に示すように第1の鉛直移動部151によって第2の保持部111と支持ウェハSの外周部が鉛直上方に移動され、当該第2の保持部111と支持ウェハSが平坦化される。こうして、第1の保持部110に保持された被処理ウェハWと、第2の保持部111に保持された支持ウェハSとが剥離される(図9の工程A1)。   Thereafter, in a state where only the center portion of the wafer W to be processed and the center portion of the support wafer S are bonded, the second holding portion 111 is moved vertically downward by the second vertical moving portion 152 as shown in FIG. . Then, the support wafer S is peeled from the wafer W to be processed in a state where the outer peripheral portion of the support wafer S is bent vertically downward. Thereafter, as shown in FIG. 13, the outer periphery of the second holding unit 111 and the support wafer S is moved vertically upward by the first vertical moving unit 151, and the second holding unit 111 and the support wafer S are flattened. Is done. In this way, the wafer W to be processed held by the first holding unit 110 and the support wafer S held by the second holding unit 111 are separated (step A1 in FIG. 9).

その後、剥離装置30で剥離された被処理ウェハWは、第2の搬送装置32によって第1の洗浄装置31に搬送される。ここで、第2の搬送装置32による被処理ウェハWの搬送方法について説明する。   Thereafter, the wafer W to be processed peeled off by the peeling device 30 is transferred to the first cleaning device 31 by the second transfer device 32. Here, a transfer method of the wafer W to be processed by the second transfer device 32 will be described.

図14に示すように支持アーム231を伸長させて、ベルヌーイチャック230を第1の保持部110に保持された被処理ウェハWの下方に配置する。その後、ベルヌーイチャック230を上昇させ、第1の保持部110における吸引管123からの被処理ウェハWの吸引を停止する。そして、第1の保持部110からベルヌーイチャック230に被処理ウェハWが受け渡される。このとき、被処理ウェハWの接合面Wがベルヌーイチャック230に保持されるが、ベルヌーイチャック230は非接触の状態で被処理ウェハWが保持されるため、被処理ウェハWの接合面W上の電子回路が損傷を被ることはない。 As shown in FIG. 14, the support arm 231 is extended, and the Bernoulli chuck 230 is disposed below the processing target wafer W held by the first holding unit 110. Thereafter, the Bernoulli chuck 230 is raised, and the suction of the wafer W to be processed from the suction tube 123 in the first holding unit 110 is stopped. Then, the processing target wafer W is delivered from the first holding unit 110 to the Bernoulli chuck 230. At this time, the bonding surface W J of wafer W is held by the Bernoulli chuck 230, since the Bernoulli chuck 230 of the wafer W is held in a non-contact state, the bonding surface W J of wafer W The upper electronic circuit is not damaged.

次に図15に示すように、支持アーム231を回動させてベルヌーイチャック230を第1の洗浄装置31のポーラスチャック190の上方に移動させると共に、ベルヌーイチャック230を反転させて被処理ウェハWを下方に向ける。このとき、ポーラスチャック190をカップ194よりも上方まで上昇させて待機させておく。その後、ベルヌーイチャック230からポーラスチャック190に被処理ウェハWが受け渡され吸着保持される。   Next, as shown in FIG. 15, the support arm 231 is rotated to move the Bernoulli chuck 230 above the porous chuck 190 of the first cleaning device 31, and the Bernoulli chuck 230 is inverted to move the wafer W to be processed. Turn downward. At this time, the porous chuck 190 is raised above the cup 194 and kept waiting. Thereafter, the wafer W to be processed is delivered from the Bernoulli chuck 230 to the porous chuck 190 and held by suction.

このようにポーラスチャック190に被処理ウェハWが吸着保持されると、ポーラスチャック190を所定の位置まで下降させる。続いて、アーム201によって待機部204の洗浄液ノズル202を被処理ウェハWの中心部の上方まで移動させる。その後、ポーラスチャック190によって被処理ウェハWを回転させながら、洗浄液ノズル202から被処理ウェハWの接合面Wに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により被処理ウェハWの接合面Wの全面に拡散されて、当該被処理ウェハWの接合面Wが洗浄される(図9の工程A2)。 When the wafer to be processed W is sucked and held on the porous chuck 190 in this way, the porous chuck 190 is lowered to a predetermined position. Subsequently, the arm 201 moves the cleaning liquid nozzle 202 of the standby unit 204 to above the center of the wafer W to be processed. Thereafter, while rotating the wafer W by the porous chuck 190, and supplies the cleaning liquid from the cleaning liquid nozzle 202 to the bonding surface W J of wafer W. Supplied cleaning liquid is diffused over the entire surface of the bonding surface W J of wafer W by the centrifugal force, the bonding surface W J of the wafer W is cleaned (step A2 in FIG. 9).

ここで、上述したように搬入出ステーション2に搬入された複数の重合ウェハTには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハWを含む重合ウェハTと欠陥のある被処理ウェハWを含む重合ウェハTとに判別されている。   Here, as described above, the plurality of superposed wafers T carried into the carry-in / out station 2 have been inspected in advance, and the superposed wafer T including the normal target wafer W and the defective target wafer W are arranged. The superposed wafer T is discriminated.

正常な重合ウェハTから剥離された正常な被処理ウェハWは、工程A2で接合面Wが洗浄された後、第3の搬送装置41によって後処理ステーション4に搬送される。なお、この第3の搬送装置41による被処理ウェハWの搬送は、上述した第2の搬送装置32による被処理ウェハWの搬送とほぼ同様であるので説明を省略する。その後、後処理ステーション4において被処理ウェハWに所定の後処理が行われる(図9の工程A3)。こうして、被処理ウェハWが製品化される。 Normal wafer W which has been peeled from the normal bonded wafer T, after bonding surface W J in step A2 is cleaned, it is conveyed by the third conveying device 41 to the post-processing station 4. Note that the transfer of the wafer W to be processed by the third transfer device 41 is substantially the same as the transfer of the wafer W to be processed by the second transfer device 32 described above, and thus the description thereof is omitted. Thereafter, predetermined post-processing is performed on the wafer W to be processed in the post-processing station 4 (step A3 in FIG. 9). Thus, the processing target wafer W is commercialized.

一方、欠陥のある重合ウェハTから剥離された欠陥のある被処理ウェハWは、工程A2で接合面Wが洗浄された後、第1の搬送装置20によって搬入出ステーション2に搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハWは、搬入出ステーション2から外部に搬出され回収される(図9の工程A4)。 On the other hand, wafer W with a peel defects from bonded wafer T including a defect, after bonding surface W J is washed in step A2, is conveyed to the station 2 loading and unloading by the first transfer device 20. Thereafter, the processing target wafer W having a defect is unloaded from the loading / unloading station 2 and collected (step A4 in FIG. 9).

被処理ウェハWに上述した工程A2〜A4が行われている間、剥離装置30で剥離された支持ウェハSは、第1の搬送装置20によって第2の洗浄装置33に搬送される。そして、第2の洗浄装置33において、支持ウェハSの接合面Sが洗浄される(図9の工程A5)。なお、第2の洗浄装置33における支持ウェハSの洗浄は、上述した第1の洗浄装置31における被処理ウェハWの洗浄と同様であるので説明を省略する。 While the above-described steps A <b> 2 to A <b> 4 are performed on the wafer W to be processed, the support wafer S peeled by the peeling device 30 is transferred to the second cleaning device 33 by the first transfer device 20. Then, in the second cleaning device 33, bonding surface S J of the support wafer S is cleaned (step A5 in FIG. 9). Note that the cleaning of the support wafer S in the second cleaning device 33 is the same as the cleaning of the wafer W to be processed in the first cleaning device 31 described above, and thus the description thereof is omitted.

その後、接合面Sが洗浄された支持ウェハSは、第1の搬送装置20によって搬入出ステーション2に搬送される。その後、支持ウェハSは、搬入出ステーション2から外部に搬出され回収される(図9の工程A6)。こうして、一連の被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理が終了する。 Thereafter, the support wafer S which joint surface S J is cleaned is conveyed to station 2 loading and unloading by the first transfer device 20. Thereafter, the support wafer S is unloaded from the loading / unloading station 2 and collected (step A6 in FIG. 9). In this way, a series of separation processing of the processing target wafer W and the supporting wafer S is completed.

以上の実施の形態の剥離装置30によれば、第2の保持部111の外周部を鉛直下方に移動させ、第2の保持部111に保持された常温の支持ウェハSを、その外周部から中心部に向けて第1の保持部110に保持された常温の被処理ウェハWから連続的に剥離することができる。このように外周部から中心部に向けて支持ウェハSを被処理ウェハWから連続的に剥離するので、被処理ウェハWと支持ウェハSを小さい荷重で容易に剥離することができる。このため、被処理ウェハW上の電子回路が損傷を受けることなく、被処理ウェハWと支持ウェハSを適切に剥離することができる。さらに、従来よりも剥離処理に要する時間を短縮することもできる。したがって、本実施の形態によれば、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理を適切且つ効率よく行うことができる。   According to the peeling apparatus 30 of the above embodiment, the outer peripheral portion of the second holding unit 111 is moved vertically downward, and the room temperature support wafer S held by the second holding unit 111 is moved from the outer peripheral portion. The wafer can be continuously peeled from the wafer W to be processed held at the first holding unit 110 toward the center. Thus, since the support wafer S is continuously peeled from the wafer W to be processed from the outer periphery toward the center, the wafer W to be processed and the support wafer S can be easily peeled with a small load. For this reason, the to-be-processed wafer W and the support wafer S can be peeled appropriately, without the electronic circuit on the to-be-processed wafer W being damaged. Furthermore, the time required for the peeling treatment can be shortened as compared with the conventional case. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to appropriately and efficiently perform the separation process between the processing target wafer W and the supporting wafer S.

また、移動機構150は第1の鉛直移動部151と第2の鉛直移動部152を有しているので、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理を段階的に行うことができる。すなわち、第1の鉛直移動部151によって外周部から中心部に向けて支持ウェハSを被処理ウェハWから連続的に剥離した後、第2の鉛直移動部152によって被処理ウェハWと支持ウェハSを完全に剥離することができる。このように段階的に剥離処理を行うことで、被処理ウェハWと支持ウェハSを均一に剥離することができる。しかも、第1の鉛直移動部151は第2の保持部111の外周部を円環状に鉛直下方に移動させるので、被処理ウェハWと支持ウェハSをより均一に剥離することができる。   In addition, since the moving mechanism 150 includes the first vertical moving unit 151 and the second vertical moving unit 152, the separation process of the processing target wafer W and the supporting wafer S can be performed in stages. That is, after the support wafer S is continuously peeled from the wafer W to be processed from the outer periphery toward the center by the first vertical movement unit 151, the wafer W and the support wafer S are processed by the second vertical movement unit 152. Can be completely peeled off. By performing the peeling process stepwise in this way, the wafer W to be processed and the support wafer S can be uniformly peeled. In addition, since the first vertical movement unit 151 moves the outer peripheral portion of the second holding unit 111 in a ring shape vertically downward, the wafer to be processed W and the support wafer S can be more evenly separated.

以上の実施の形態の剥離システム1によれば、剥離装置30において重合ウェハTを被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離した後、第1の洗浄装置31において、剥離された被処理ウェハWを洗浄すると共に、第2の洗浄装置33において、剥離された支持ウェハSを洗浄することができる。このように本実施の形態によれば、一の剥離システム1内で、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離から被処理ウェハWの洗浄と支持ウェハSの洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第1の洗浄装置31と第2の洗浄装置33において、被処理ウェハWの洗浄と支持ウェハSの洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置30において被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離する間に、第1の洗浄装置31と第2の洗浄装置33において別の被処理ウェハWと支持ウェハSを処理することもできる。したがって、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離を効率よく行うことができ、剥離処理のスループットを向上させることができる。   According to the peeling system 1 of the above embodiment, after the superposed wafer T is peeled off from the processing target wafer W and the support wafer S in the peeling device 30, the peeled processing target wafer W is peeled off in the first cleaning device 31. In addition to cleaning, the second cleaning device 33 can clean the peeled support wafer S. As described above, according to the present embodiment, a series of stripping processes from the stripping of the processing target wafer W and the supporting wafer S to the cleaning of the processing target wafer W and the cleaning of the supporting wafer S can be efficiently performed in one stripping system 1. Can be done well. Further, in the first cleaning device 31 and the second cleaning device 33, the cleaning of the processing target wafer W and the cleaning of the support wafer S can be performed in parallel. Furthermore, while the wafer to be processed W and the support wafer S are peeled by the peeling apparatus 30, the other wafer to be processed W and the support wafer S can be processed by the first cleaning device 31 and the second cleaning device 33. . Therefore, the wafer W to be processed and the support wafer S can be efficiently peeled, and the throughput of the peeling process can be improved.

また、このように一連のプロセスにおいて、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離から被処理ウェハWの後処理まで行うことができるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。   Further, in this series of processes, the process from the separation of the wafer to be processed W and the support wafer S to the post-processing of the wafer to be processed W can be performed, so that the throughput of the wafer processing can be further improved.

以上の実施の形態の剥離装置30において、第1の鉛直駆動部151は、第2の保持部111を保持し、且つ第2の保持部111の外周部のみを鉛直方向に移動させる構成であればよく、種々の構成を取り得る。例えば第1の鉛直駆動部151のシリンダ160と支持柱161に代えて、図16に示すように第1の鉛直駆動部310は、ベローズ311と支持柱312を有していてもよい。   In the peeling apparatus 30 of the above embodiment, the first vertical drive unit 151 may be configured to hold the second holding unit 111 and move only the outer peripheral portion of the second holding unit 111 in the vertical direction. What is necessary is just to take various structures. For example, instead of the cylinder 160 and the support column 161 of the first vertical drive unit 151, the first vertical drive unit 310 may have a bellows 311 and a support column 312 as shown in FIG.

ベローズ311は、鉛直方向に伸縮自在の例えばステンレス製のベローズにより構成されている。ベローズ311は、その上面において第2の保持部111を保持すると共に、その下面が支持板162に支持されている。ベローズ311には、当該ベローズの内部に流体、例えば圧縮空気を供給する流体供給管313が接続されている。流体供給管313は、流体供給源(図示せず)に接続されている。そして、ベローズ311に流体供給管313から流体を供給することで、ベローズ311が伸長するようになっている。   The bellows 311 is made of, for example, a stainless steel bellows that can expand and contract in the vertical direction. The bellows 311 holds the second holding portion 111 on its upper surface, and its lower surface is supported by the support plate 162. A fluid supply pipe 313 for supplying a fluid, for example, compressed air, is connected to the bellows 311. The fluid supply pipe 313 is connected to a fluid supply source (not shown). The bellows 311 is extended by supplying fluid from the fluid supply pipe 313 to the bellows 311.

支持柱312は、ベローズ311の内部に設けられている。また、支持柱312は、第2の保持部111の中央部を支持している。   The support column 312 is provided inside the bellows 311. The support pillar 312 supports the central portion of the second holding part 111.

なお、剥離装置30のその他の構成は、上記実施の形態の剥離装置30の構成と同様であるので説明を省略する。   In addition, since the other structure of the peeling apparatus 30 is the same as that of the structure of the peeling apparatus 30 of the said embodiment, description is abbreviate | omitted.

かかる場合、図17に示すように第1の鉛直移動部310によって第2の保持部111の外周部のみを円環状に鉛直下方が移動する。すなわち、ベローズ311によって第2の保持部111の外周部が鉛直下方に移動する際、第2の保持部111の中央部が支持柱312に支持され、当該第2の保持部111の中央部の鉛直方向の位置が変化しない。そうすると、第2の保持部111に保持された支持ウェハSが、その外周部から中心部に向けて第1の保持部110に保持された被処理ウェハWから連続的に剥離される。したがって、本実施の形態においても、被処理ウェハWと支持ウェハSを適切且つ均一に剥離することができる。   In such a case, as shown in FIG. 17, the first vertically moving unit 310 moves only the outer periphery of the second holding unit 111 in an annular shape in the vertically downward direction. That is, when the outer peripheral part of the second holding part 111 moves vertically downward by the bellows 311, the central part of the second holding part 111 is supported by the support pillar 312, and the central part of the second holding part 111 is The vertical position does not change. Then, the support wafer S held by the second holding unit 111 is continuously peeled from the processing target wafer W held by the first holding unit 110 from the outer peripheral part toward the center part. Therefore, also in the present embodiment, the processing target wafer W and the supporting wafer S can be appropriately and uniformly separated.

以上の実施の形態の剥離装置30は、図18に示すように第1の保持部110を回転させる回転機構320を有していてもよい。回転機構320は、第1の保持部110と支持板130との間に設けられている。また、回転機構320は、第1の保持部110を回転させるためのモータ(図示せず)を有している。なお、剥離装置30のその他の構成は、上記実施の形態の剥離装置30の構成と同様であるので説明を省略する。   The peeling apparatus 30 of the above embodiment may have a rotating mechanism 320 that rotates the first holding unit 110 as shown in FIG. The rotation mechanism 320 is provided between the first holding unit 110 and the support plate 130. Further, the rotation mechanism 320 has a motor (not shown) for rotating the first holding unit 110. In addition, since the other structure of the peeling apparatus 30 is the same as that of the structure of the peeling apparatus 30 of the said embodiment, description is abbreviate | omitted.

かかる場合、上述した工程A1において、重合ウェハTを第1の保持部110と第2の保持部111で保持した後、回転機構320によって第1の保持部110を回転させる。このときの第1の保持部110の回転速度は、例えば1mm/秒〜10mm/秒である。その後、第2の保持部111の外周部を鉛直下方に移動させて、外周部から中心部に向けて支持ウェハSを被処理ウェハWから連続的に剥離した後、第2の保持部111全体を鉛直下方に移動させて被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離する。なお、この被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離方法は、上記実施の形態で説明した方法と同様であるので説明を省略する。   In such a case, after the superposed wafer T is held by the first holding unit 110 and the second holding unit 111 in the above-described step A1, the first holding unit 110 is rotated by the rotation mechanism 320. The rotation speed of the first holding unit 110 at this time is, for example, 1 mm / second to 10 mm / second. Thereafter, the outer peripheral portion of the second holding unit 111 is moved vertically downward to continuously peel the support wafer S from the processing target wafer W from the outer peripheral portion toward the central portion, and then the second holding unit 111 as a whole. Is moved vertically downward to separate the wafer W to be processed and the support wafer S from each other. In addition, since the peeling method of this to-be-processed wafer W and the support wafer S is the same as the method demonstrated in the said embodiment, description is abbreviate | omitted.

本実施の形態によれば、第1の保持部110を回転させているので、接着剤Gによる被処理ウェハWと支持ウェハSとの平衡状態を崩すことができる。そうすると、その後第2の保持部111の外周部を円滑に移動させることができ、支持ウェハSの外周部を被処理ウェハWから円滑に剥離することができる。したがって、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理をより効率よく行うことができる。   According to the present embodiment, since the first holding unit 110 is rotated, the equilibrium state between the wafer W to be processed and the support wafer S by the adhesive G can be broken. If it does so, the outer peripheral part of the 2nd holding | maintenance part 111 can be moved smoothly after that, and the outer peripheral part of the support wafer S can be peeled from the to-be-processed wafer W smoothly. Therefore, the separation process between the wafer W to be processed and the support wafer S can be performed more efficiently.

なお、上記実施の形態では、回転機構320は第1の保持部110を回転させていたが、回転機構320に代えて、第2の保持部111を回転させる回転機構(図示せず)を設けてもよい。また、回転機構320と第2の保持部を回転させる回転機構を両方設けてもよい。   In the above embodiment, the rotation mechanism 320 rotates the first holding unit 110. However, instead of the rotation mechanism 320, a rotation mechanism (not shown) that rotates the second holding unit 111 is provided. May be. Moreover, you may provide both the rotation mechanism which rotates the rotation mechanism 320 and the 2nd holding | maintenance part.

以上の実施の形態の剥離装置30は、図19に示すように第1の保持部110と第2の保持部111に保持された重合ウェハTの外周部の接着剤Gに対して、当該接着剤Gの溶剤である有機溶剤を供給する溶剤供給部330を有していてもよい。溶剤供給部330は、重合ウェハTの外周部を囲うように環状に設けられている。また、溶剤供給部330には、有機溶剤を供給する供給口331が複数形成されている。なお、溶剤供給部330は、本実施の形態の形状に限定されず、有機溶剤を供給する種々の形状を取り得る。例えば溶剤供給部330には、重合ウェハTの外周部を囲うカップ状のものを用いてもよい。また、剥離装置30のその他の構成は、上記実施の形態の剥離装置30の構成と同様であるので説明を省略する。   As shown in FIG. 19, the peeling device 30 of the above embodiment is bonded to the adhesive G on the outer peripheral portion of the overlapped wafer T held by the first holding part 110 and the second holding part 111. You may have the solvent supply part 330 which supplies the organic solvent which is a solvent of the agent G. The solvent supply unit 330 is provided in an annular shape so as to surround the outer periphery of the superposed wafer T. The solvent supply unit 330 is formed with a plurality of supply ports 331 for supplying an organic solvent. In addition, the solvent supply part 330 is not limited to the shape of this Embodiment, It can take the various shape which supplies an organic solvent. For example, a cup-shaped member surrounding the outer peripheral portion of the superposed wafer T may be used for the solvent supply unit 330. Moreover, since the other structure of the peeling apparatus 30 is the same as that of the peeling apparatus 30 of the said embodiment, description is abbreviate | omitted.

かかる場合、上述した工程A1において重合ウェハTを第1の保持部110と第2の保持部111で保持した後、溶剤供給部330から重合ウェハTの外周部において露出した接着剤Gに対して有機溶剤を供給する。そうすると、この有機溶剤に重合ウェハTの外周部の接着剤Gが溶解する。このため、その後に第2の保持部111を鉛直下方に移動させる際の荷重を小さくすることができる。そして、第2の保持部111の外周部を鉛直下方に移動させて、外周部から中心部に向けて支持ウェハSを被処理ウェハWから連続的に剥離した後、第2の保持部111全体を鉛直下方に移動させて被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離する。   In such a case, after the overlapped wafer T is held by the first holding unit 110 and the second holding unit 111 in the above-described step A1, the adhesive G exposed from the solvent supply unit 330 to the outer peripheral portion of the overlapped wafer T is applied. Supply organic solvent. If it does so, the adhesive agent G of the outer peripheral part of the superposition | polymerization wafer T will melt | dissolve in this organic solvent. For this reason, the load at the time of moving the 2nd holding | maintenance part 111 below vertically can be made small after that. Then, the outer peripheral portion of the second holding unit 111 is moved vertically downward to continuously peel the support wafer S from the wafer W to be processed from the outer peripheral portion toward the central portion, and then the entire second holding unit 111. Is moved vertically downward to separate the wafer W to be processed and the support wafer S from each other.

本実施の形態によれば、工程A1において第2の保持部111を鉛直下方に移動させる際の荷重をより小さくすることができるので、被処理ウェハWと支持ウェハSをより小さい荷重で容易に剥離することができる。したがって、被処理ウェハW上の電子回路が損傷を受けることなく、被処理ウェハWと支持ウェハSを適切に剥離することができる。また、被処理ウェハWと支持ウェハSをより迅速に剥離することもできる。   According to the present embodiment, since the load when moving the second holding unit 111 vertically downward in the step A1 can be further reduced, the processing target wafer W and the support wafer S can be easily loaded with a smaller load. Can be peeled off. Therefore, the processing target wafer W and the supporting wafer S can be appropriately separated without damaging the electronic circuit on the processing target wafer W. Further, the wafer to be processed W and the support wafer S can be peeled off more quickly.

以上の実施の形態では、移動機構150の第1の鉛直移動部151は、第2の保持部111の外周部を円環状に鉛直方向に移動させていたが、第2の保持部111の外周部の一端部側を鉛直方向に移動させてもよい。そして、外周部の一端部から他端部に向けて支持ウェハSを被処理ウェハWから剥離してもよい。かかる場合でも、被処理ウェハWと支持ウェハSは連続的に剥離されるので、当該被処理ウェハWと支持ウェハSを適切且つ均一に剥離することができる。   In the above embodiment, the first vertical moving portion 151 of the moving mechanism 150 has moved the outer peripheral portion of the second holding portion 111 in an annular shape in the vertical direction, but the outer periphery of the second holding portion 111 is The one end side of the part may be moved in the vertical direction. And you may peel the support wafer S from the to-be-processed wafer W toward the other end part from the one end part of an outer peripheral part. Even in such a case, the wafer to be processed W and the support wafer S are continuously peeled off, so that the wafer to be processed W and the support wafer S can be peeled appropriately and uniformly.

なお、以上の実施の形態では、被処理ウェハWを上側に配置し、且つ支持ウェハSを下側に配置した状態で、これら被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離していたが、被処理ウェハWと支持ウェハSの上下配置を反対にしてもよい。かかる場合、移動機構150は第2の保持部111を鉛直上方に移動させてもよい。   In the above embodiment, the wafer to be processed W and the support wafer S are separated in a state where the wafer to be processed W is arranged on the upper side and the support wafer S is arranged on the lower side. The vertical arrangement of the wafer W and the support wafer S may be reversed. In such a case, the moving mechanism 150 may move the second holding unit 111 vertically upward.

以上の実施の形態の第2の搬送装置32において、ベルヌーイチャック230の表面には、洗浄液を供給するための複数の供給口(図示せず)が形成されていてもよい。かかる場合、ベルヌーイチャック230から第1の洗浄装置31のポーラスチャック190に被処理ウェハWを受け渡す際、ベルヌーイチャック230から被処理ウェハWの接合面Wに洗浄液を供給して当該接合面Wを洗浄すると共に、ベルヌーイチャック230自体も洗浄することができる。そうすると、その後の第1の洗浄装置31における被処理ウェハWの洗浄時間を短縮することができ、剥離処理のスループットをさらに向上させることができる。しかも、ベルヌーイチャック230も洗浄できるので、次の被処理ウェハWを適切に搬送することができる。 In the second transport device 32 of the above embodiment, a plurality of supply ports (not shown) for supplying the cleaning liquid may be formed on the surface of the Bernoulli chuck 230. In such a case, when passing wafer W to porous chuck 190 of the first cleaning device 31 from the Bernoulli chuck 230, the bonding surface W by supplying a cleaning liquid to the bonding surface W J of wafer W from the Bernoulli chuck 230 In addition to cleaning J , the Bernoulli chuck 230 itself can also be cleaned. If it does so, the cleaning time of the to-be-processed wafer W in the 1st cleaning apparatus 31 after that can be shortened, and the throughput of peeling processing can further be improved. Moreover, since the Bernoulli chuck 230 can also be cleaned, the next wafer to be processed W can be appropriately transferred.

以上の実施の形態では、第3の搬送装置41はベルヌーイチャック230を有していたが、このベルヌーイチャック230に代えて、ポーラスチャック(図示せず)を有していてもよい。かかる場合でも、ポーラスチャックによって薄型化した被処理ウェハWを適切に吸着保持することができる。   In the above embodiment, the third transport device 41 includes the Bernoulli chuck 230. However, instead of the Bernoulli chuck 230, the third transport device 41 may include a porous chuck (not shown). Even in such a case, the wafer W to be processed thinned by the porous chuck can be appropriately sucked and held.

以上の実施の形態では、第1の洗浄装置31と第2の洗浄装置33の洗浄液ノズル202には2流体ノズルが用いられていたが、洗浄液ノズル202の形態は本実施の形態に限定されず種々のノズルを用いることができる。例えば洗浄液ノズル202として、洗浄液を供給するノズルと不活性ガスを供給するノズルとを一体化したノズル体や、スプレーノズル、ジェットノズル、メガソニックノズルなどを用いてもよい。また、洗浄処理のスループットを向上させるため、例えば80℃に加熱された洗浄液を供給してもよい。   In the above embodiment, the two-fluid nozzle is used as the cleaning liquid nozzle 202 of the first cleaning apparatus 31 and the second cleaning apparatus 33. However, the form of the cleaning liquid nozzle 202 is not limited to this embodiment. Various nozzles can be used. For example, as the cleaning liquid nozzle 202, a nozzle body in which a nozzle for supplying a cleaning liquid and a nozzle for supplying an inert gas are integrated, a spray nozzle, a jet nozzle, a megasonic nozzle, or the like may be used. In order to improve the throughput of the cleaning process, for example, a cleaning liquid heated to 80 ° C. may be supplied.

また、第1の洗浄装置31と第2の洗浄装置33において、洗浄液ノズル202に加えて、IPA(イソプロピルアルコール)を供給するノズルを設けてもよい。かかる場合、洗浄液ノズル202からの洗浄液によって被処理ウェハW又は支持ウェハSを洗浄した後、被処理ウェハW又は支持ウェハS上の洗浄液をIPAに置換する。そうすると、被処理ウェハW又は支持ウェハSの接合面W、Sがより確実に洗浄される。 Further, in the first cleaning device 31 and the second cleaning device 33, in addition to the cleaning liquid nozzle 202, a nozzle for supplying IPA (isopropyl alcohol) may be provided. In this case, after cleaning the wafer W or the support wafer S with the cleaning liquid from the cleaning liquid nozzle 202, the cleaning liquid on the wafer W or the support wafer S is replaced with IPA. Then, the bonding surfaces W J and S J of the processing target wafer W or the support wafer S are more reliably cleaned.

以上の実施の形態の被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離方法は、例えば被処理ウェハWと支持ウェハSの外周部が接着剤Gによって強く接着して接合された重合ウェハTを、被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離する際に特に有用である。   The peeling method of the to-be-processed wafer W and the support wafer S of the above embodiment is, for example, for processing the superposed wafer T in which the outer peripheral portions of the to-be-processed wafer W and the support wafer S are strongly bonded by the adhesive G This is particularly useful when separating the wafer W and the support wafer S.

この重合ウェハTは、被処理ウェハWと支持ウェハSの外周部のみを接着して接合させたものであってもよい。この場合、例えば支持ウェハSの表面の外周部が被処理ウェハW上の接着剤Gと接着して接合されるように形成されており、支持ウェハSの表面の中心部が接着剤Gと接着されないように形成されている。或いは、重合ウェハTは、被処理ウェハWと支持ウェハSの外周部の接着力が中心部の接着力よりも大きくなるように接着して接合されたものであってもよい。この場合、例えば被処理ウェハWと支持ウェハSの外周部には接着力の強い接着剤が用いられ、中心部には接着力の弱い接着剤が用いられる。   The superposed wafer T may be one obtained by bonding and bonding only the outer peripheral portions of the processing target wafer W and the supporting wafer S. In this case, for example, the outer peripheral portion of the surface of the support wafer S is formed to be bonded and bonded to the adhesive G on the processing target wafer W, and the center portion of the surface of the support wafer S is bonded to the adhesive G. It is formed not to be. Alternatively, the overlapped wafer T may be bonded and bonded so that the adhesive force between the outer peripheral portions of the processing target wafer W and the support wafer S is larger than the adhesive force at the central portion. In this case, for example, an adhesive having a strong adhesive force is used for the outer peripheral portions of the processing target wafer W and the support wafer S, and an adhesive having a weak adhesive force is used for the central portion.

かかる場合、上述した工程A1において、第2の保持部111を鉛直下方に移動させる際の荷重をより小さくすることができる。したがって、被処理ウェハWと支持ウェハSをより小さい荷重で容易に剥離することができる。また、被処理ウェハWと支持ウェハSをより迅速に剥離することもできる。   In this case, the load when moving the second holding part 111 vertically downward in the above-described step A1 can be further reduced. Therefore, the processing target wafer W and the supporting wafer S can be easily separated with a smaller load. Further, the wafer to be processed W and the support wafer S can be peeled off more quickly.

また、以上の実施の形態では、後処理ステーション4において被処理ウェハWに後処理を行い製品化する場合について説明したが、本発明は、例えば3次元集積技術で用いられる被処理ウェハを支持ウェハから剥離する場合にも適用することができる。なお、3次元集積技術とは、近年の半導体デバイスの高集積化の要求に応えた技術であって、高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置する代わりに、当該複数の半導体デバイスを3次元に積層する技術である。この3次元集積技術においても、積層される被処理ウェハの薄型化が求められており、当該被処理ウェハを支持ウェハに接合して所定の処理が行われる。   In the above-described embodiment, the case where the post-processing station 4 performs post-processing on the wafer to be processed W to produce a product has been described. It can also be applied to the case where it is peeled off. The three-dimensional integration technology is a technology that meets the recent demand for higher integration of semiconductor devices. Instead of arranging a plurality of highly integrated semiconductor devices in a horizontal plane, This is a technique of three-dimensional lamination. Also in this three-dimensional integration technique, it is required to reduce the thickness of wafers to be processed, and the wafers to be processed are bonded to a support wafer to perform a predetermined process.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood.
The present invention is not limited to this example and can take various forms. The present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.

1 剥離システム
2 搬入出ステーション
3 剥離処理ステーション
4 後処理ステーション
5 インターフェイスステーション
6 ウェハ搬送領域
20 第1の搬送装置
30 剥離装置
31 第1の洗浄装置
32 第2の搬送装置
33 第2の洗浄装置
41 第3の搬送装置
110 第1の保持部
111 第2の保持部
150 移動機構
151 第1の鉛直移動部
152 第2の鉛直移動部
153 水平移動部
160 シリンダ
161 支持柱
162 支持板
170 駆動部
171 支持部材
300 制御部
310 第1の鉛直移動部
311 ベローズ
312 支持柱
313 流体供給管
320 回転機構
330 溶剤供給部
G 接着剤
S 支持ウェハ
T 重合ウェハ
W 被処理ウェハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Peeling system 2 Carry-in / out station 3 Peeling processing station 4 Post-processing station 5 Interface station 6 Wafer conveyance area | region 20 1st conveyance apparatus 30 Peeling apparatus 31 1st washing | cleaning apparatus 32 2nd conveyance apparatus 33 2nd washing | cleaning apparatus 41 Third transport device 110 First holding unit 111 Second holding unit 150 Moving mechanism 151 First vertical moving unit 152 Second vertical moving unit 153 Horizontal moving unit 160 Cylinder 161 Support pillar 162 Support plate 170 Drive unit 171 Support member 300 Control unit 310 First vertical movement unit 311 Bellows 312 Support column 313 Fluid supply pipe 320 Rotating mechanism 330 Solvent supply unit G Adhesive S Support wafer T Superposition wafer W Processed wafer

Claims (15)

被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置であって、
被処理基板を常温の状態で保持する第1の保持部と、
支持基板を常温の状態で保持する第2の保持部と、
前記第2の保持部に保持された常温の支持基板が、その外周部の全周から中心部に向けて前記第1の保持部に保持された常温の被処理基板から連続的に剥離するように、前記第2の保持部の外周部を保持して鉛直方向に移動させる移動機構と、を有することを特徴とする、剥離装置。
A peeling apparatus for peeling a polymerization substrate in which a substrate to be processed and a support substrate are bonded with an adhesive, to the substrate to be processed and the support substrate,
A first holding unit for holding the substrate to be processed at room temperature;
A second holding unit for holding the support substrate at room temperature;
The normal temperature supporting substrate held by the second holding part is continuously peeled from the normal temperature processing substrate held by the first holding part from the entire circumference of the outer peripheral part toward the central part. And a moving mechanism for holding the outer peripheral portion of the second holding portion and moving the second holding portion in the vertical direction.
前記第1の保持部は前記第2の保持部の上方に配置され、
前記移動機構は前記第2の保持部を鉛直下方に移動させることを特徴とする、請求項に記載の剥離装置。
The first holding part is disposed above the second holding part,
The peeling apparatus according to claim 1 , wherein the moving mechanism moves the second holding portion vertically downward.
少なくとも前記第1の保持部又は前記第2の保持部を回転させる回転機構を有することを特徴とする、請求項に記載の剥離装置。 The peeling apparatus according to claim 2 , further comprising a rotation mechanism that rotates at least the first holding unit or the second holding unit. 前記移動機構は、
前記第2の保持部を保持し、且つ前記第2の保持部の外周部のみを鉛直方向に移動させる第1の移動部と、
前記第1の移動部を保持し、且つ前記第1の移動部と前記第2の保持部を鉛直方向に移動させる第2の移動部と、を有することを特徴とする、請求項1〜のいずれかに記載の剥離装置。
The moving mechanism is
A first moving unit that holds the second holding unit and moves only an outer peripheral portion of the second holding unit in a vertical direction;
Holding the first moving unit, and characterized by having a, a second moving unit for moving the second holding portion and the first moving portion in the vertical direction, according to claim 1 to 3 The peeling apparatus in any one of.
前記第1の移動部は、
前記第2の保持部の外周部を鉛直方向に移動させる複数のシリンダと、
前記複数のシリンダによって前記第2の保持部の外周部が鉛直方向に移動する際、前記第2の保持部の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、当該第2の保持部の中央部を支持する支持柱と、を有することを特徴とする、請求項に記載の剥離装置。
The first moving unit includes:
A plurality of cylinders for moving the outer peripheral portion of the second holding portion in the vertical direction;
When the outer peripheral part of the second holding part moves in the vertical direction by the plurality of cylinders, the center of the second holding part is not changed so that the vertical position of the central part of the second holding part does not change. The peeling apparatus according to claim 4 , further comprising a support column that supports the portion.
前記第1の移動部は、
前記第2の保持部を保持し、鉛直方向に伸縮自在のベローズと、
前記ベローズの内部に設けられ、前記ベローズが収縮して前記第2の保持部の外周部が鉛直方向に移動する際、前記第2の保持部の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、当該第2の保持部の中央部を支持する支持柱と、を有することを特徴とする、請求項に記載の剥離装置。
The first moving unit includes:
A bellows that holds the second holding portion and is vertically extendable;
Provided inside the bellows, when the bellows contracts and the outer peripheral portion of the second holding portion moves in the vertical direction, the vertical position of the central portion of the second holding portion does not change. The peeling apparatus according to claim 4 , further comprising a support column that supports a central portion of the second holding portion.
前記第1の保持部と前記第2の保持部に保持された重合基板の外周部の接着剤に対して、当該接着剤の溶剤を供給する溶剤供給部を有することを特徴とする、請求項1〜のいずれかに記載の剥離装置。 A solvent supply unit that supplies a solvent of the adhesive to an adhesive on an outer peripheral portion of the polymerization substrate held by the first holding unit and the second holding unit. The peeling apparatus in any one of 1-6 . 請求項1〜のいずれかに記載の剥離装置を備えた剥離システムであって、
前記剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第1の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第2の洗浄装置と、を備えた剥離処理ステーションと、
前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴とする、剥離システム。
A peeling system comprising a peeling device according to any one of claims 1 to 7
A peeling processing station comprising: the peeling device; a first cleaning device that cleans the substrate to be processed peeled by the peeling device; and a second cleaning device that cleans the support substrate peeled by the peeling device. When,
A loading / unloading station for loading / unloading a substrate to be processed, a support substrate or a superposed substrate with respect to the peeling processing station,
A peeling system comprising: a transfer device that transfers a substrate to be processed, a support substrate, or a superposed substrate between the peeling processing station and the carry-in / out station.
前記剥離処理ステーションと、当該剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションを有することを特徴とする、請求項に記載の剥離システム。 An interface station that transports a substrate to be processed is provided between the peeling processing station and a post-processing station that performs predetermined post-processing on the substrate to be processed that has been peeled off at the peeling processing station. The peeling system according to claim 8 . 剥離装置を用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、
前記剥離装置は、
被処理基板を常温の状態で保持する第1の保持部と、
支持基板を常温の状態で保持する第2の保持部と、
前記第2の保持部に保持された支持基板が、その外周部の全周から中心部に向けて前記第1の保持部に保持された被処理基板から連続的に剥離するように、前記第2の保持部の外周部を鉛直方向に移動させる移動機構と、を有し、
前記剥離方法は、
前記第2の保持部の外周部を鉛直方向に移動させ、前記第2の保持部に保持された常温の支持基板を、その外周部の全周から中心部に向けて前記第1の保持部に保持された常温の被処理基板から連続的に剥離する第1の工程と、
その後、第2の保持部全体を鉛直方向に移動させ、被処理基板と支持基板を剥離する第2の工程と、を有することを特徴とする、剥離方法。
Using a peeling apparatus, a peeling method for peeling a polymerization substrate in which a substrate to be processed and a support substrate are bonded with an adhesive, to the substrate to be processed and the support substrate,
The peeling device is
A first holding unit for holding the substrate to be processed at room temperature;
A second holding unit for holding the support substrate at room temperature;
The support substrate held by the second holding unit is continuously peeled from the substrate to be processed held by the first holding unit from the entire circumference of the outer peripheral part toward the central part. A moving mechanism for moving the outer peripheral part of the holding part in the vertical direction,
The peeling method includes:
The first holding portion moves the outer peripheral portion of the second holding portion in the vertical direction, and moves the room temperature support substrate held by the second holding portion from the entire circumference of the outer peripheral portion toward the center portion. A first step of continuously peeling from the substrate to be processed at room temperature held in
Then, the second holding part is moved in the vertical direction to have a second step of peeling the substrate to be processed and the support substrate.
前記第1の保持部は前記第2の保持部の上方に配置され、
前記第1の工程と前記第2の工程において、前記第2の保持部を鉛直下方に移動させることを特徴とする、請求項10に記載の剥離方法。
The first holding part is disposed above the second holding part,
The peeling method according to claim 10 , wherein in the first step and the second step, the second holding portion is moved vertically downward.
前記剥離装置は、少なくとも前記第1の保持部又は前記第2の保持部を回転させる回転機構を有し、
前記第1の工程において、少なくとも前記第1の保持部又は前記第2の保持部の回転を開始した後、前記第2の保持部の外周部を鉛直方向に移動させ、外周部から中心部に向けて支持基板を被処理基板から連続的に剥離することを特徴とする、請求項11に記載の剥離方法。
The peeling apparatus has a rotation mechanism that rotates at least the first holding unit or the second holding unit,
In the first step, at least after the rotation of the first holding part or the second holding part is started, the outer peripheral part of the second holding part is moved in the vertical direction so that the outer peripheral part moves to the center part. The peeling method according to claim 11 , wherein the supporting substrate is continuously peeled from the substrate to be processed.
前記第1の工程において、前記第1の保持部と前記第2の保持部に保持された重合基板の外周部の接着剤に対して、当該接着剤の溶剤を供給することを特徴とする、請求項1012のいずれかに記載の剥離方法。 In the first step, the adhesive solvent is supplied to the adhesive on the outer periphery of the superposed substrate held by the first holding part and the second holding part, The peeling method according to any one of claims 10 to 12 . 請求項1013のいずれかに記載の剥離方法を剥離装置によって実行させるために、当該剥離装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。 A program that operates on a computer of a control unit that controls the peeling device in order to cause the peeling device to execute the peeling method according to any one of claims 10 to 13 . 請求項14に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
A readable computer storage medium storing the program according to claim 14 .
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