JP2015109360A - Substrate holding mechanism and peeling system - Google Patents

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岩下 泰治
Taiji Iwashita
泰治 岩下
修 平河
Osamu Hirakawa
修 平河
隼斗 田之上
Hayato Tanoue
隼斗 田之上
康孝 相馬
Yasutaka Soma
康孝 相馬
田村 武
Takeshi Tamura
武 田村
亮 福冨
Akira Fukutomi
亮 福冨
正隆 松永
Masataka Matsunaga
正隆 松永
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate holding mechanism which is capable of suctioning and holding even a thin processed substrate having a large diameter so as to maintain the flatness and avoid damage of a protrusion at the electronic circuit side.SOLUTION: A substrate holding mechanism 241 performs peeling to an overlapped substrate T joined by an adhesive G to divide the overlapped substrate T into a processed substrate W and a support substrate S and holds the cleaned processed substrate W. The substrate holding mechanism 241 is formed by a porous chuck including a porous body 252 made of rubber. A coating agent 254, which prevents the processed substrate W from sticking to a suction surface 253, is applied to the suction surface 253 of the porous body 252 which suctions the processed substrate W.

Description

本発明は、接着剤で接合された重合基板を被処理基板と支持基板に剥離し、さらに洗浄した後の基板保持機構、及び、当該基板保持機構を備えた剥離システムに関する。   The present invention relates to a substrate holding mechanism after a superposed substrate bonded with an adhesive is peeled off from a substrate to be processed and a support substrate, and further cleaned, and a peeling system including the substrate holding mechanism.

近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ(以下、「ウェハ」とする)の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理したりすると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、ウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。   In recent years, for example, in semiconductor device manufacturing processes, semiconductor wafers (hereinafter referred to as “wafers”) have become larger in diameter. Further, in a specific process such as mounting, it is required to make the wafer thinner. For example, if a thin wafer with a large diameter is transported or polished as it is, the wafer may be warped or cracked. For this reason, in order to reinforce the wafer, for example, the wafer is attached to a wafer or a glass substrate which is a support substrate. Then, after a predetermined process such as a wafer polishing process is performed in a state where the wafer and the support substrate are bonded in this way, the wafer and the support substrate are peeled off.

かかるウェハと支持基板の剥離は、例えば特許文献1に開示されている剥離システムによって行われる。この剥離システムは、ウェハ、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、剥離処理ステーションに対して、ウェハ、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、剥離処理ステーションと搬入出ステーションとの間で、ウェハ、支持基板又は重合基板を搬送する搬送ステーションと、剥離処理ステーションと後処理ステーションとの間でウェハを搬送するインターフェイスステーションを有している。各ステーションで所定の処理が行われたウェハは、ステーション間を受け渡され、搬送される。   The wafer and the support substrate are peeled off by, for example, a peeling system disclosed in Patent Document 1. The peeling system includes a peeling processing station that performs predetermined processing on the wafer, the support substrate, and the superposed substrate, a carry-in / out station that carries the wafer, the support substrate, or the superposed substrate to and from the peeling processing station, and a peeling processing station. A transfer station for transferring a wafer, a supporting substrate or a superposed substrate to the carry-in / out station, and an interface station for transferring the wafer between the peeling processing station and the post-processing station are provided. Wafers that have undergone predetermined processing at each station are transferred between the stations and transported.

このような剥離システムにおいて、支持基板が剥離され、洗浄された後のウェハは、炭化ケイ素等の多孔質体を備えたポーラスチャックに吸着された状態で、保持および搬送される。   In such a peeling system, the wafer after the support substrate is peeled off and cleaned is held and transported in a state of being adsorbed by a porous chuck having a porous body such as silicon carbide.

特開2012−146756JP2012-146756

しかしながら、ウェハの電子回路側の表面には、バンプやボール等の突起物が形成されており、特許文献1に記載されているような炭化ケイ素等の硬質の多孔質体でウェハの電子回路側の面を吸着すると、これらの突起物が破損することがあり、ウェハの品質に問題が生じていた。一方、支持基板を剥離され、接着剤が除かれたウェハは極めて薄く、ウェハの平面度を保って保持し搬送することが必要である。   However, protrusions such as bumps and balls are formed on the surface of the wafer on the electronic circuit side, and a hard porous body such as silicon carbide as described in Patent Document 1 is used on the electronic circuit side of the wafer. When the surface is adsorbed, these protrusions may be damaged, causing a problem in wafer quality. On the other hand, the wafer from which the support substrate is peeled off and the adhesive is removed is extremely thin, and it is necessary to hold and transport the wafer while maintaining the flatness of the wafer.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、大口径で薄い被処理基板であっても、平面度を保持し、且つ電子回路側の突起物を破損せずに吸着保持することを目的とする。   The present invention has been made in view of such a point, and even with a large substrate and a thin substrate to be processed, the flatness is maintained, and the projection on the electronic circuit side is held without being damaged. Objective.

上記問題を解決するため、本発明は、接着剤で接合された重合基板を被処理基板と支持基板に剥離し、さらに洗浄した後の被処理基板を保持する基板保持機構であって、ゴム製の多孔質体を備えたポーラスチャックからなり、前記多孔質体の前記被処理基板への吸着面に、前記被処理基板の貼り付きを防止するコーティング剤が塗布されていることを特徴としている。   In order to solve the above problems, the present invention provides a substrate holding mechanism for holding a substrate to be processed after peeling the polymerized substrate bonded with an adhesive to the substrate to be processed and a support substrate, and cleaning the substrate. The porous chuck is provided with a porous chuck, and a coating agent for preventing the substrate to be processed is applied to the adsorption surface of the porous body to the substrate to be processed.

本発明の基板保持機構によれば、弾性を有するゴム製の多孔質体で被処理基板を吸着するため、電子回路側の表面に形成されたバンプやボール等の突起物をつぶすことがない。しかも、大口径で薄い被処理基板全体を、多孔質体に沿って平面を保った状態で保持することができる。   According to the substrate holding mechanism of the present invention, the substrate to be processed is adsorbed by a rubber porous body having elasticity, so that protrusions such as bumps and balls formed on the surface on the electronic circuit side are not crushed. In addition, the entire substrate to be processed having a large diameter and being thin can be held in a state where the plane is maintained along the porous body.

前記コーティング剤はフッ素系樹脂でもよい。また、前記多孔質体の硬度は、ゴム硬度10°〜80°でもよい。   The coating agent may be a fluororesin. Further, the hardness of the porous body may be a rubber hardness of 10 ° to 80 °.

別な観点による本発明は、前記基板保持機構を備えた剥離システムであって、被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送ステーションと、前記剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションへ被処理基板を受け渡す受け渡しステージと、前記剥離処理ステーションと前記受け渡しステージとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションを有し、前記基板保持機構が、前記受け渡しステージに設けられていることを特徴としている。   According to another aspect of the present invention, there is provided a peeling system including the substrate holding mechanism, a peeling processing station that performs predetermined processing on a substrate to be processed, a support substrate, and a superposed substrate, and the peeling processing station. A loading / unloading station for loading / unloading a processing substrate, a supporting substrate or a polymerized substrate; a transporting station for transporting a substrate to be processed, a supporting substrate or a polymerized substrate between the stripping processing station and the loading / unloading station; and the stripping process. A transfer stage for transferring a target substrate to a post-processing station that performs predetermined post-processing on the target substrate peeled off at the station, and an interface station for transferring the target substrate between the peeling processing station and the transfer stage And the substrate holding mechanism is provided on the transfer stage. It is set to.

本発明によれば、大口径で薄い被処理基板を、平面度を保持し、且つ電子回路側の突起物を破損せずに吸着保持することができる。   According to the present invention, a thin substrate to be processed having a large diameter can be held by suction while maintaining flatness and without damaging the protrusion on the electronic circuit side.

本実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of the peeling system concerning this Embodiment. 被処理ウェハと支持ウェハの側面図である。It is a side view of a to-be-processed wafer and a support wafer. 剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a peeling apparatus. 第1の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a 1st washing | cleaning apparatus. 第1の洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of a 1st washing | cleaning apparatus. 第2の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a 2nd washing | cleaning apparatus. 剥離処理ステーションの搬送機構の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of the conveyance mechanism of a peeling process station. 本発明の実施の形態にかかる基板保持機構と被処理ウェハの側面図である。It is a side view of a substrate holding mechanism and a processed wafer concerning an embodiment of the invention. 剥離処理の主な工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the main processes of peeling processing. 第1の保持部と第2の保持部で重合ウェハを保持した様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the superposition | polymerization wafer was hold | maintained with the 1st holding | maintenance part and the 2nd holding | maintenance part. 第2の保持部を鉛直方向及び水平方向に移動させる様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a 2nd holding | maintenance part is moved to a perpendicular direction and a horizontal direction. 被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the to-be-processed wafer and the support wafer were peeled. 第1の保持部からベルヌーイチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a to-be-processed wafer is delivered from a 1st holding | maintenance part to Bernoulli chuck. ベルヌーイチャックからポーラスチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a to-be-processed wafer is delivered from a Bernoulli chuck to a porous chuck | zipper.

以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる剥離システム1の構成の概略を示す平面図である。   Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a plan view showing an outline of a configuration of a peeling system 1 according to the present embodiment.

剥離システム1では、図2に示すように被処理基板としての被処理ウェハWと支持基板としての支持ウェハSとが接着剤Gで接合された重合基板としての重合ウェハTを、被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離する。以下、被処理ウェハWにおいて、接着剤Gを介して支持ウェハSと接合される面を「接合面W」といい、当該接合面Wと反対側の面を「非接合面W」という。同様に、支持ウェハSにおいて、接着剤Gを介して被処理ウェハWと接合される面を「接合面S」といい、「非接合面S」という。なお、被処理ウェハWは、製品となるウェハであって、例えば接合面Wに複数の電子回路が形成されている。また被処理ウェハWは、例えば非接合面Wが研磨処理され、薄型化(例えば厚みが50μm)されている。支持ウェハSは、被処理ウェハWの径と同じ径を有し、当該被処理ウェハWを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。 In the peeling system 1, as shown in FIG. 2, a superposed wafer T as a superposed substrate in which a target wafer W as a target substrate and a support wafer S as a support substrate are bonded with an adhesive G is used as a target wafer W. And the support wafer S is peeled off. Hereinafter, in the processing target wafer W, a surface bonded to the support wafer S via the adhesive G is referred to as “bonding surface W J ”, and a surface opposite to the bonding surface W J is referred to as “non-bonding surface W N ”. That's it. Similarly, the surface of the support wafer S that is bonded to the processing target wafer W via the adhesive G is referred to as “bonded surface S J ” and is referred to as “non-bonded surface S N ”. Note that wafer W is a wafer as a product, a plurality of electronic circuits are formed, for example, joint surface W J. The wafer W is, for example, non-bonding surface W N is polished, thin (e.g., thickness of 50 [mu] m) it is. The support wafer S is a wafer having the same diameter as the wafer W to be processed and supporting the wafer W to be processed. In this embodiment, the case where a wafer is used as the support substrate will be described, but another substrate such as a glass substrate may be used.

剥離システム1は、図1に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハW、複数の支持ウェハS、複数の重合ウェハTをそれぞれ収容可能なカセットC、C、Cが搬入出される搬入出ステーション2と、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた剥離処理ステーション3と、剥離処理ステーション3に隣接する後処理ステーション4との間で被処理ウェハWの受け渡しを行うインターフェイスステーション5と、後処理ステーション4に受け渡す前の被処理ウェハWを検査する検査装置6と、を一体に接続した構成を有している。 As shown in FIG. 1, the peeling system 1 includes cassettes C W , C S , and C T that can accommodate, for example, a plurality of wafers W to be processed, a plurality of support wafers S, and a plurality of superposed wafers T, respectively. A loading / unloading station 2 for loading / unloading, a peeling processing station 3 including various processing apparatuses for performing predetermined processing on the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T, and a post-processing adjacent to the peeling processing station 3 The interface station 5 that delivers the wafer W to be processed with the station 4 and the inspection apparatus 6 that inspects the wafer W before being delivered to the post-processing station 4 are integrally connected. Yes.

搬入出ステーション2と剥離処理ステーション3は、X方向(図1中の上下方向)に並べて配置されている。これら搬入出ステーション2と剥離処理ステーション3との間には、搬送ステーション7が設けられている。インターフェイスステーション5は、剥離処理ステーション3のY方向負方向側(図1中の左方向側)に配置されている。また、検査装置6は、インターフェイスステーション5のX方向正方向側(図1中の上方向側)に配置されており、インターフェイスステーション5を挟んで検査装置6の反対側、即ちインターフェイスステーション5のX方向負方向側には、検査後の被処理ウェハWを洗浄する検査後洗浄装置8が配置されている。   The carry-in / out station 2 and the peeling processing station 3 are arranged side by side in the X direction (vertical direction in FIG. 1). A transfer station 7 is provided between the carry-in / out station 2 and the peeling processing station 3. The interface station 5 is disposed on the Y direction negative direction side (left direction side in FIG. 1) of the peeling processing station 3. Further, the inspection device 6 is arranged on the positive side in the X direction of the interface station 5 (upward side in FIG. 1), and the opposite side of the inspection device 6 across the interface station 5, that is, the X of the interface station 5. A post-inspection cleaning apparatus 8 for cleaning the processing target wafer W after the inspection is arranged on the negative direction side.

搬入出ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。カセット載置台10には、複数、例えば3つのカセット載置板11が設けられている。カセット載置板11は、Y方向(図1中の左右方向)に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板11には、剥離システム1の外部に対してカセットC、C、Cを搬入出する際に、カセットC、C、Cを載置することができる。このように搬入出ステーション2は、複数の被処理ウェハW、複数の支持ウェハS、複数の重合ウェハTを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板11の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、搬入出ステーション2に搬入された複数の重合ウェハTには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハWを含む重合ウェハTと欠陥のある被処理ウェハWを含む重合ウェハTとに判別されている。 The loading / unloading station 2 is provided with a cassette mounting table 10. A plurality of, for example, three cassette mounting plates 11 are provided on the cassette mounting table 10. The cassette mounting plates 11 are arranged in a line in the Y direction (left and right direction in FIG. 1). These cassette mounting plates 11, cassettes C W to the outside of the peeling system 1, C S, when loading and unloading the C T, a cassette C W, C S, can be placed on C T . Thus, the carry-in / out station 2 is configured to be capable of holding a plurality of wafers W to be processed, a plurality of support wafers S, and a plurality of superposed wafers T. The number of cassette mounting plates 11 is not limited to the present embodiment, and can be arbitrarily determined. Further, the plurality of superposed wafers T carried into the carry-in / out station 2 are inspected in advance, and the superposed wafer T including the normal target wafer W and the superposed wafer T including the defective target wafer W; Has been determined.

搬送ステーション7の内部に形成されたウェハ搬送領域9には、搬送機構20が配置されている。搬送機構20は、例えば鉛直方向、水平方向(Y方向、X方向)及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。搬送機構20は、ウェハ搬送領域9内を移動し、搬入出ステーション2と剥離処理ステーション3との間で被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを搬送できる。搬送ステーション7の内部、即ちウェハ搬送領域9には、ダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。そして、ウェハ搬送領域9の内部の雰囲気は、排気口(図示せず)から排気される。   A transfer mechanism 20 is arranged in the wafer transfer area 9 formed inside the transfer station 7. The transport mechanism 20 includes a transport arm that can move around, for example, the vertical direction, the horizontal direction (Y direction, X direction), and the vertical axis. The transfer mechanism 20 moves in the wafer transfer area 9 and can transfer the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T between the carry-in / out station 2 and the peeling process station 3. Inside the transfer station 7, that is, in the wafer transfer region 9, an air flow directed downward in the vertical direction is generated. The atmosphere inside the wafer transfer region 9 is exhausted from an exhaust port (not shown).

剥離処理ステーション3は、重合ウェハTを被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離する剥離装置30を有している。剥離装置30のY方向負方向側(図1中の左方向側)には、剥離された被処理ウェハWを洗浄する第1の洗浄装置31が配置されている。剥離装置30と第1の洗浄装置31との間には、搬送装置32が設けられている。また、剥離装置30のY方向正方向側(図1中の右方向側)には、剥離された支持ウェハSを洗浄する第2の洗浄装置33が配置されている。このように剥離処理ステーション3には、第1の洗浄装置31、搬送装置32、剥離装置30、第2の洗浄装置33が、インターフェイスステーション5側からこの順で並べて配置されている。   The peeling processing station 3 includes a peeling device 30 that peels the superposed wafer T into the processing target wafer W and the supporting wafer S. A first cleaning device 31 that cleans the wafer to be processed W that has been peeled off is disposed on the negative side in the Y direction of the peeling device 30 (left side in FIG. 1). A transport device 32 is provided between the peeling device 30 and the first cleaning device 31. Further, a second cleaning device 33 for cleaning the peeled support wafer S is arranged on the positive side in the Y direction of the peeling device 30 (right side in FIG. 1). Thus, in the peeling processing station 3, the first cleaning device 31, the transport device 32, the peeling device 30, and the second cleaning device 33 are arranged in this order from the interface station 5 side.

検査装置6では、剥離装置30により剥離された被処理ウェハW上の接着剤Gの残渣の有無が検査される。また、検査後洗浄装置8では、検査装置6で接着剤Gの残渣が確認された被処理ウェハWの洗浄が行われる。この検査後洗浄装置8は、被処理ウェハWの接合面Wを洗浄する接合面洗浄部8a、被処理ウェハWの非接合面Wを洗浄する非接合面洗浄部8b、被処理ウェハWを上下反転させる反転部8cを有している。 In the inspection device 6, the presence or absence of the residue of the adhesive G on the processing target wafer W peeled by the peeling device 30 is inspected. Further, in the post-inspection cleaning apparatus 8, the wafer W to be processed in which the residue of the adhesive G is confirmed by the inspection apparatus 6 is cleaned. After the testing and cleaning device 8, the bonding surface cleaning unit 8a for cleaning the joint surface W J of wafer W, the non-bonding surface cleaning unit 8b for cleaning the non-bonding surface W N of the wafer W, the wafer W Has a reversing portion 8c for vertically reversing.

インターフェイスステーション5には、Y方向に延伸する搬送路40上を移動自在な他の搬送機構としての搬送機構41が設けられている。搬送機構41は、鉛直方向及び鉛直軸周り(θ方向)にも移動自在であり、剥離処理ステーション3、後処理ステーション4、検査装置6及び検査後洗浄装置8との間で被処理ウェハWを搬送できる。インターフェイスステーション5の内部には、ダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。そして、インターフェイスステーション5の内部の雰囲気は、排気口(図示せず)から排気される。   The interface station 5 is provided with a transport mechanism 41 as another transport mechanism that is movable on the transport path 40 extending in the Y direction. The transfer mechanism 41 is also movable in the vertical direction and around the vertical axis (θ direction), and moves the wafer W to be processed between the separation processing station 3, the post-processing station 4, the inspection apparatus 6, and the post-inspection cleaning apparatus 8. Can be transported. Inside the interface station 5, an air flow directed downward in the vertical direction is generated. The atmosphere inside the interface station 5 is exhausted from an exhaust port (not shown).

インターフェイスステーション5と後処理ステーション4との間には、被処理ウェハWを後処理ステーション4へ受け渡すための受け渡しステージ42が設けられている。なお、後処理ステーション4では、剥離処理ステーション3で剥離された被処理ウェハWに所定の後処理を行う。所定の後処理として、例えば被処理ウェハWをマウントする処理や、被処理ウェハW上の電子回路の電気的特性の検査を行う処理、被処理ウェハWをチップ毎にダイシングする処理などが行われる。また、後処理ステーション4の内部にも、ダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。そして、後処理ステーション4の内部の雰囲気は、排気口(図示せず)から排気される。   Between the interface station 5 and the post-processing station 4, a transfer stage 42 for transferring the wafer W to be processed to the post-processing station 4 is provided. In the post-processing station 4, predetermined post-processing is performed on the processing target wafer W peeled off at the peeling processing station 3. As predetermined post-processing, for example, processing for mounting the processing target wafer W, processing for inspecting electrical characteristics of electronic circuits on the processing target wafer W, processing for dicing the processing target wafer W for each chip, and the like are performed. . Further, an air flow directed downward in the vertical direction called a downflow is also generated inside the post-processing station 4. The atmosphere inside the post-processing station 4 is exhausted from an exhaust port (not shown).

次に、上述した剥離装置30の構成について説明する。剥離装置30は、図3に示すように、その内部に複数の機器を収容する筐体100を有している。筐体100の側面には、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの搬入出口(図示せず)が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ(図示せず)が設けられている。なお、本実施の形態における筐体100は、例えばステンレススチールの薄板等で構成されたものであり、その内部を密閉するものではないが、筐体100の構造は本実施の形態に限定されるものではなく、例えば内部を密閉可能な気密容器であってもよい。   Next, the structure of the peeling apparatus 30 mentioned above is demonstrated. As shown in FIG. 3, the peeling apparatus 30 has a housing 100 that houses a plurality of devices therein. A loading / unloading port (not shown) for the processing target wafer W, the support wafer S, and the overlapped wafer T is formed on the side surface of the housing 100, and an opening / closing shutter (not shown) is provided at the loading / unloading port. Note that the casing 100 in the present embodiment is made of, for example, a stainless steel thin plate and does not seal the inside thereof, but the structure of the casing 100 is limited to the present embodiment. For example, an airtight container capable of sealing the inside may be used.

筐体100の底面には、当該筐体100の内部の雰囲気を排気する排気口101が形成されている。排気口101には、例えば真空ポンプなどの排気装置102に連通する排気管103が接続されている。そして、排気口101から筐体100内部の雰囲気を排気することにより、筐体100内部にダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。   An exhaust port 101 that exhausts the atmosphere inside the housing 100 is formed on the bottom surface of the housing 100. An exhaust pipe 103 communicating with an exhaust device 102 such as a vacuum pump is connected to the exhaust port 101. Then, by exhausting the atmosphere inside the housing 100 from the exhaust port 101, an air flow directed downward in the vertical direction called downflow is generated inside the housing 100.

筐体100の内部には、被処理ウェハWを下面で吸着保持する第1の保持部110と、支持ウェハSを上面で載置して保持する第2の保持部111とが設けられている。第1の保持部110は、第2の保持部111の上方に設けられ、第2の保持部111と対向するように配置されている。すなわち、筐体100の内部では、被処理ウェハWを上側に配置し、且つ支持ウェハSを下側に配置した状態で、重合ウェハTに剥離処理が行われる。   Inside the housing 100, a first holding unit 110 that holds the wafer W to be processed by suction on the lower surface and a second holding unit 111 that places and holds the support wafer S on the upper surface are provided. . The first holding unit 110 is provided above the second holding unit 111 and is disposed so as to face the second holding unit 111. That is, in the housing 100, the superposed wafer T is subjected to the peeling process with the processing target wafer W disposed on the upper side and the supporting wafer S disposed on the lower side.

第1の保持部110には、例えばポーラスチャックが用いられている。第1の保持部110は、平板状の本体部120を有している。本体部120の下面側には、多孔質体121が設けられている。多孔質体121は、例えば被処理ウェハWとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハWの非接合面Wと当接している。なお、多孔質体121としては例えば炭化ケイ素が用いられる。 For example, a porous chuck is used for the first holding unit 110. The first holding part 110 has a plate-like main body part 120. A porous body 121 is provided on the lower surface side of the main body 120. The porous body 121 has, for example, substantially the same diameter as the wafer to be processed W, and is in contact with the non-joint surface W N of the wafer to be processed W. For example, silicon carbide is used as the porous body 121.

また、本体部120の内部であって多孔質体121の上方には吸引空間122が形成されている。吸引空間122は、例えば多孔質体121を覆うように形成されている。吸引空間122には、吸引管123が接続されている。吸引管123は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置(図示せず)に接続されている。そして、吸引管123から吸引空間122と多孔質体121を介して被処理ウェハの非接合面Wが吸引され、当該被処理ウェハWが第1の保持部110に吸着保持される。 A suction space 122 is formed inside the main body 120 and above the porous body 121. The suction space 122 is formed so as to cover the porous body 121, for example. A suction tube 123 is connected to the suction space 122. The suction pipe 123 is connected to a negative pressure generator (not shown) such as a vacuum pump. Then, the non-joint surface W N of the processing target wafer is sucked from the suction pipe 123 through the suction space 122 and the porous body 121, and the processing target wafer W is sucked and held by the first holding unit 110.

また、本体部120の内部であって吸引空間122の上方には、被処理ウェハWを加熱する加熱機構124が設けられている。加熱機構124には、例えばヒータが用いられる。   A heating mechanism 124 that heats the wafer W to be processed is provided inside the main body 120 and above the suction space 122. For the heating mechanism 124, for example, a heater is used.

第1の保持部110の上面には、当該第1の保持部110を支持する支持板130が設けられている。支持板130は、筐体100の天井面に支持されている。なお、本実施の形態の支持板130を省略し、第1の保持部110は筐体100の天井面に当接して支持されてもよい。   A support plate 130 that supports the first holding unit 110 is provided on the upper surface of the first holding unit 110. The support plate 130 is supported on the ceiling surface of the housing 100. Note that the support plate 130 of the present embodiment may be omitted, and the first holding unit 110 may be supported in contact with the ceiling surface of the housing 100.

第2の保持部111の内部には、支持ウェハSを吸着保持するための吸引管140が設けられている。吸引管140は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置(図示せず)に接続されている。   A suction tube 140 for sucking and holding the support wafer S is provided inside the second holding unit 111. The suction tube 140 is connected to a negative pressure generator (not shown) such as a vacuum pump.

また、第2の保持部111の内部には、支持ウェハSを加熱する加熱機構141が設けられている。加熱機構141には、例えばヒータが用いられる。   A heating mechanism 141 for heating the support wafer S is provided inside the second holding unit 111. For the heating mechanism 141, for example, a heater is used.

第2の保持部111の下方には、第2の保持部111及び支持ウェハSを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構150が設けられている。移動機構150は、第2の保持部111を鉛直方向に移動させる鉛直移動部151と、第2の保持部111を水平方向に移動させる水平移動部152とを有している。   Below the second holding unit 111, a moving mechanism 150 that moves the second holding unit 111 and the supporting wafer S in the vertical direction and the horizontal direction is provided. The moving mechanism 150 includes a vertical moving unit 151 that moves the second holding unit 111 in the vertical direction and a horizontal moving unit 152 that moves the second holding unit 111 in the horizontal direction.

鉛直移動部151は、第2の保持部111の下面を支持する支持板160と、支持板160を昇降させる駆動部161と、支持板160を支持する支持部材162とを有している。駆動部161は、例えばボールネジ(図示せず)と当該ボールネジを回動させるモータ(図示せず)とを有している。また、支持部材162は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板160と後述する支持体171との間に例えば3箇所に設けられている。   The vertical moving unit 151 includes a support plate 160 that supports the lower surface of the second holding unit 111, a drive unit 161 that moves the support plate 160 up and down, and a support member 162 that supports the support plate 160. The drive unit 161 includes, for example, a ball screw (not shown) and a motor (not shown) that rotates the ball screw. The support member 162 is configured to be extendable in the vertical direction, and is provided at, for example, three locations between the support plate 160 and a support body 171 described later.

水平移動部152は、X方向(図3中の左右方向)に沿って延伸するレール170と、レール170に取り付けられる支持体171と、支持体171をレール170に沿って移動させる駆動部172とを有している。駆動部172は、例えばボールネジ(図示せず)と当該ボールネジを回動させるモータ(図示せず)とを有している。   The horizontal moving unit 152 includes a rail 170 extending along the X direction (left and right direction in FIG. 3), a support 171 attached to the rail 170, and a drive unit 172 that moves the support 171 along the rail 170. have. The drive unit 172 includes, for example, a ball screw (not shown) and a motor (not shown) that rotates the ball screw.

なお、第2の保持部111の下方には、重合ウェハT又は支持ウェハSを下方から支持し昇降させるための昇降ピン(図示せず)が設けられている。昇降ピンは第2の保持部111に形成された貫通孔(図示せず)を挿通し、第2の保持部111の上面から突出可能になっている。   In addition, below the 2nd holding | maintenance part 111, the raising / lowering pin (not shown) for supporting and raising / lowering the superposition | polymerization wafer T or the support wafer S from the downward direction is provided. The elevating pin is inserted through a through hole (not shown) formed in the second holding part 111 and can protrude from the upper surface of the second holding part 111.

次に、上述した第1の洗浄装置31の構成について説明する。第1の洗浄装置31は、図4に示すように筐体180を有している。筐体180の側面には、被処理ウェハWの搬入出口(図示せず)が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ(図示せず)が設けられている。   Next, the configuration of the first cleaning device 31 described above will be described. The first cleaning device 31 has a housing 180 as shown in FIG. A loading / unloading port (not shown) for the wafer W to be processed is formed on the side surface of the housing 180, and an opening / closing shutter (not shown) is provided at the loading / unloading port.

筐体180内の中央部には、被処理ウェハWを保持して回転させるポーラスチャック190が設けられている。ポーラスチャック190は、平板状の本体部191と、本体部191の上面側に設けられた多孔質体192とを有している。多孔質体192は、例えば被処理ウェハWとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハWの非接合面Wと当接している。なお、多孔質体192としては例えば炭化ケイ素が用いられる。多孔質体192には吸引管(図示せず)が接続され、当該吸引管から多孔質体192を介して被処理ウェハWの非接合面Wを吸引することにより、当該被処理ウェハWをポーラスチャック190上に吸着保持できる。 A porous chuck 190 that holds and rotates the wafer W to be processed is provided at the center of the housing 180. The porous chuck 190 has a flat plate-shaped main body 191 and a porous body 192 provided on the upper surface side of the main body 191. The porous body 192 has, for example, substantially the same diameter as the wafer W to be processed, and is in contact with the non-joint surface W N of the wafer W to be processed. For example, silicon carbide is used as the porous body 192. A suction tube (not shown) is connected to the porous body 192, and the non-bonded surface W N of the wafer to be processed W is sucked from the suction tube through the porous body 192, thereby It can be sucked and held on the porous chuck 190.

ポーラスチャック190の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部193が設けられている。ポーラスチャック190は、チャック駆動部193により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部193には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、ポーラスチャック190は昇降自在になっている。   Below the porous chuck 190, for example, a chuck driving unit 193 provided with a motor or the like is provided. The porous chuck 190 can be rotated at a predetermined speed by the chuck driving unit 193. Further, the chuck driving unit 193 is provided with an elevating drive source such as a cylinder, for example, and the porous chuck 190 is movable up and down.

ポーラスチャック190の周囲には、被処理ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ194が設けられている。カップ194の下面には、回収した液体を排出する排出管195と、カップ194内の雰囲気を真空引きして排気する排気管196が接続されている。なお、洗浄装置31の筐体180の内部には、ダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。そして、排気管196は、筐体180の内部の雰囲気も排気する。   Around the porous chuck 190, there is provided a cup 194 that receives and collects the liquid scattered or dropped from the wafer W to be processed. Connected to the lower surface of the cup 194 are a discharge pipe 195 for discharging the collected liquid and an exhaust pipe 196 for evacuating and exhausting the atmosphere in the cup 194. In addition, in the housing 180 of the cleaning device 31, an air flow that is referred to as a downflow and is directed downward is generated. The exhaust pipe 196 also exhausts the atmosphere inside the housing 180.

図5に示すように、カップ194のX方向負方向(図5中の下方向)側には、Y方向(図5中の左右方向)に沿って延伸するレール200が形成されている。レール200は、例えばカップ194のY方向負方向(図5中の左方向)側の外方からY方向正方向(図5中の右方向)側の外方まで形成されている。レール200には、アーム201が取り付けられている。   As shown in FIG. 5, a rail 200 extending along the Y direction (left and right direction in FIG. 5) is formed on the side of the cup 194 in the negative X direction (downward direction in FIG. 5). The rail 200 is formed, for example, from the outside of the cup 194 on the Y direction negative direction (left direction in FIG. 5) side to the outside of the Y direction positive direction (right direction in FIG. 5) side. An arm 201 is attached to the rail 200.

アーム201には、図4及び図5に示すように被処理ウェハWに洗浄液、例えば有機溶剤を供給する洗浄液ノズル203が支持されている。アーム201は、図5に示すノズル駆動部204により、レール200上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル203は、カップ194のY方向正方向側の外方に設置された待機部205からカップ194内の被処理ウェハWの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハW上を被処理ウェハWの径方向に移動できる。また、アーム201は、ノズル駆動部204によって昇降自在であり、洗浄液ノズル203の高さを調節できる。   As shown in FIGS. 4 and 5, the arm 201 supports a cleaning liquid nozzle 203 that supplies a cleaning liquid, for example, an organic solvent, to the wafer W to be processed. The arm 201 is movable on the rail 200 by a nozzle driving unit 204 shown in FIG. As a result, the cleaning liquid nozzle 203 can move from the standby unit 205 installed on the outer side of the cup 194 on the positive side in the Y direction to above the center of the wafer W to be processed in the cup 194, and further on the wafer W to be processed. Can be moved in the radial direction of the wafer W to be processed. The arm 201 can be moved up and down by a nozzle driving unit 204 and the height of the cleaning liquid nozzle 203 can be adjusted.

洗浄液ノズル203には、例えば2流体ノズルが用いられる。洗浄液ノズル203には、図4に示すように当該洗浄液ノズル203に洗浄液を供給する供給管210が接続されている。供給管210は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源211に連通している。供給管210には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群212が設けられている。また、洗浄液ノズル203には、当該洗浄液ノズル203に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する供給管213が接続されている。供給管213は、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源214に連通している。供給管213には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群215が設けられている。そして、洗浄液と不活性ガスは洗浄液ノズル203内で混合され、当該洗浄液ノズル203から被処理ウェハWに供給される。なお、以下においては、洗浄液と不活性ガスを混合したものを単に「洗浄液」という場合がある。   For example, a two-fluid nozzle is used as the cleaning liquid nozzle 203. As shown in FIG. 4, a supply pipe 210 that supplies the cleaning liquid to the cleaning liquid nozzle 203 is connected to the cleaning liquid nozzle 203. The supply pipe 210 communicates with a cleaning liquid supply source 211 that stores the cleaning liquid therein. The supply pipe 210 is provided with a supply device group 212 including a valve for controlling the flow of the cleaning liquid, a flow rate adjusting unit, and the like. A supply pipe 213 for supplying an inert gas, for example, nitrogen gas, to the cleaning liquid nozzle 203 is connected to the cleaning liquid nozzle 203. The supply pipe 213 communicates with a gas supply source 214 that stores an inert gas therein. The supply pipe 213 is provided with a supply device group 215 including a valve for controlling the flow of the inert gas, a flow rate adjusting unit, and the like. The cleaning liquid and the inert gas are mixed in the cleaning liquid nozzle 203 and supplied from the cleaning liquid nozzle 203 to the wafer W to be processed. In the following, a mixture of a cleaning liquid and an inert gas may be simply referred to as “cleaning liquid”.

なお、ポーラスチャック190の下方には、被処理ウェハWを下方から支持し昇降させるための昇降ピン(図示せず)が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはポーラスチャック190に形成された貫通孔(図示せず)を挿通し、ポーラスチャック190の上面から突出可能になっている。そして、ポーラスチャック190を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、ポーラスチャック190との間で被処理ウェハWの受け渡しが行われる。なお、上述した検査後洗浄装置8の接合面洗浄部8aと非接合面洗浄部8bの構成は、内部にダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させていることを含めて、この第1の洗浄装置31と同様であるので、接合面洗浄部8aと非接合面洗浄部8bについては説明を省略する。   In addition, below the porous chuck 190, lifting pins (not shown) for supporting and lifting the wafer to be processed W from below may be provided. In such a case, the elevating pins can pass through a through hole (not shown) formed in the porous chuck 190 and protrude from the upper surface of the porous chuck 190. Then, instead of raising and lowering the porous chuck 190, the raising and lowering pins are raised and lowered, and the wafer W to be processed is transferred to and from the porous chuck 190. The configuration of the bonded surface cleaning unit 8a and the non-bonded surface cleaning unit 8b of the post-inspection cleaning apparatus 8 described above includes the fact that a downwardly flowing air flow called a downflow is generated inside. Since it is the same as that of the first cleaning apparatus 31, the description of the bonding surface cleaning unit 8a and the non-bonding surface cleaning unit 8b is omitted.

また、第2の洗浄装置33の構成は、上述した第1の洗浄装置31の構成とほぼ同様である。第2の洗浄装置33には、図6に示すように第1の洗浄装置31のポーラスチャック190に代えて、スピンチャック220が設けられる。スピンチャック220は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば支持ウェハSを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、支持ウェハSをスピンチャック220上に吸着保持できる。第2の洗浄装置33のその他の構成は、内部にダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させていることを含めて、上述した第1の洗浄装置31の構成と同様であるので説明を省略する。   The configuration of the second cleaning device 33 is substantially the same as the configuration of the first cleaning device 31 described above. As shown in FIG. 6, the second cleaning device 33 is provided with a spin chuck 220 instead of the porous chuck 190 of the first cleaning device 31. The spin chuck 220 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking, for example, the support wafer S is provided on the upper surface. The support wafer S can be sucked and held on the spin chuck 220 by suction from the suction port. Since the other structure of the 2nd washing | cleaning apparatus 33 is the same as that of the structure of the 1st washing | cleaning apparatus 31 mentioned above including the generation | occurrence | production of the air flow which goes to the vertically downward direction called a downflow inside, it demonstrates. Is omitted.

なお、第2の洗浄装置33において、スピンチャック220の下方には、被処理ウェハWの裏面、すなわち非接合面Wに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル(図示せず)が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、被処理ウェハWの非接合面Wと被処理ウェハWの外周部が洗浄される。 In the second cleaning device 33, below the spin chuck 220, it has a back rinse nozzle for injecting a cleaning liquid toward a back surface of the processing the wafer W, i.e. the non-bonding surface W N (not shown) is provided May be. The non-bonded surface W N of the wafer to be processed W and the outer peripheral portion of the wafer to be processed W are cleaned by the cleaning liquid sprayed from the back rinse nozzle.

次に、上述した搬送装置32の構成について説明する。搬送装置32は、図1に示されるように、第1の洗浄装置31、第2の洗浄装置33及びウェハ搬送領域9に囲まれた領域である、ウェハ搬送領域230に設けられた搬送機構231を有している。搬送機構231は、図7に示すように被処理ウェハWを保持するベルヌーイチャック232を有している。ベルヌーイチャック232は、空気を噴出することにより被処理ウェハWを浮遊させ、非接触の状態で被処理ウェハWを吸引懸垂し保持することができる。ベルヌーイチャック232は、支持アーム233に支持されている。支持アーム233は、第1の駆動部234に支持されている。この第1の駆動部234により、支持アーム233は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第1の駆動部234の下方には、第2の駆動部235が設けられている。この第2の駆動部235により、第1の駆動部234は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。なお、搬送装置32の内部、即ちウェハ搬送領域230には、ダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。そして、ウェハ搬送領域230の内部の雰囲気は、排気口(図示せず)から排気される。   Next, the configuration of the above-described transport device 32 will be described. As shown in FIG. 1, the transfer device 32 includes a transfer mechanism 231 provided in a wafer transfer region 230, which is a region surrounded by the first cleaning device 31, the second cleaning device 33, and the wafer transfer region 9. have. The transport mechanism 231 has a Bernoulli chuck 232 that holds the processing target wafer W as shown in FIG. The Bernoulli chuck 232 can float the wafer W to be processed by ejecting air, and can hold the wafer W to be sucked and held in a non-contact state. Bernoulli chuck 232 is supported by support arm 233. The support arm 233 is supported by the first drive unit 234. By the first drive unit 234, the support arm 233 can rotate around the horizontal axis and can be expanded and contracted in the horizontal direction. A second driving unit 235 is provided below the first driving unit 234. By this second drive unit 235, the first drive unit 234 can rotate about the vertical axis and can be moved up and down in the vertical direction. Note that an air flow in the vertically downward direction called a downflow is generated inside the transfer device 32, that is, in the wafer transfer region 230. The atmosphere inside the wafer transfer region 230 is exhausted from an exhaust port (not shown).

なお、搬送機構41は、上述した搬送装置32の搬送機構231と同様の構成を有しているので説明を省略する。但し、搬送機構41の第2の駆動部235は、図1に示した搬送路40に取り付けられ、搬送機構41は搬送路40上を移動可能になっている。   Note that the transport mechanism 41 has the same configuration as the transport mechanism 231 of the transport device 32 described above, and a description thereof will be omitted. However, the second drive unit 235 of the transport mechanism 41 is attached to the transport path 40 illustrated in FIG. 1, and the transport mechanism 41 is movable on the transport path 40.

次に、上述した受け渡しステージ42の構成について説明する。受け渡しステージ42は、被処理ウェハWを保持する基板保持機構241を有している。基板保持機構241は、図8に示すように、被処理ウェハWを吸着保持するポーラスチャックであり、本体部251と、図8においては本体部251の上面側に設けられた多孔質体252を有している。多孔質体252は、例えば被処理ウェハWとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハWの接合面Wと当接する。多孔質体252はゴム製であり、ゴム硬度10°〜80°のものが使用可能である。ゴム硬度が高過ぎると、被処理ウェハWの電子回路側の突起物がつぶれやすくなり、ゴム製の効果が低減する。一方、ゴム硬度が低すぎると、多孔質体252に成形するための孔開け加工が困難である。多孔質体252はゴム硬度30°〜40°であることがさらに好ましく、汎用ゴムであるエチレン−プロピレン−ジエンゴム(EPDM:ゴム硬度30°)が好適である。また、ゴム製の多孔質体252に被処理ウェハWが貼り付くのを防ぐため、多孔質体252の吸着面253には、貼り付き防止のためのコーティング剤254が塗布される。コーティング剤254は、コーティング後加熱処理する際の加熱温度が、ゴム製の多孔質体252に影響しないものとし、例えばフッ素樹脂が好適である。 Next, the configuration of the delivery stage 42 described above will be described. The delivery stage 42 has a substrate holding mechanism 241 that holds the wafer W to be processed. As shown in FIG. 8, the substrate holding mechanism 241 is a porous chuck that holds the processing target wafer W by suction. The substrate holding mechanism 241 includes a main body 251 and a porous body 252 provided on the upper surface side of the main body 251 in FIG. Have. The porous body 252, for example, has substantially the same diameter as the treatment the wafer W, contacts the bonding surface W J of the treated wafer W. The porous body 252 is made of rubber, and one having a rubber hardness of 10 ° to 80 ° can be used. If the rubber hardness is too high, the protrusions on the electronic circuit side of the wafer W to be processed are liable to be crushed, and the rubber effect is reduced. On the other hand, if the rubber hardness is too low, it is difficult to make a hole for forming the porous body 252. The porous body 252 preferably has a rubber hardness of 30 ° to 40 °, and is preferably a general-purpose rubber, ethylene-propylene-diene rubber (EPDM: rubber hardness 30 °). Further, in order to prevent the processing target wafer W from sticking to the rubber porous body 252, a coating agent 254 for preventing sticking is applied to the adsorption surface 253 of the porous body 252. As the coating agent 254, the heating temperature at the time of heat treatment after coating does not affect the rubber porous body 252, and for example, a fluororesin is suitable.

また、基板保持機構241の本体部251の内部には吸引空間255が形成され、吸引空間255には、吸引管256が接続されている。吸引管256は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置(図示せず)に接続され、吸引管256から吸引空間255と多孔質体252を介して被処理ウェハWの接合面Wが吸引され、当該被処理ウェハWが基板保持機構241に吸着保持される。 A suction space 255 is formed inside the main body 251 of the substrate holding mechanism 241, and a suction pipe 256 is connected to the suction space 255. Suction pipe 256 is connected to, for example, the negative pressure generating device, such as a vacuum pump (not shown), bonding surface W J of wafer W is sucked from the suction pipe 256 through the suction space 255 and the porous body 252 The wafer to be processed W is sucked and held by the substrate holding mechanism 241.

以上の剥離システム1には、図1に示すように制御部300が設けられている。制御部300は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、剥離システム1における被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム1における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御部300にインストールされたものであってもよい。   The peeling system 1 is provided with a controller 300 as shown in FIG. The control unit 300 is a computer, for example, and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program for controlling processing of the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T in the peeling system 1. The program storage unit also stores a program for controlling the operation of drive systems such as the above-described various processing apparatuses and transport apparatuses to realize a peeling process described later in the peeling system 1. The program is recorded on a computer-readable storage medium H such as a computer-readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical desk (MO), or a memory card. May have been installed in the control unit 300 from the storage medium H.

次に、以上のように構成された剥離システム1を用いて行われる被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理方法について説明する。図9は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。   Next, the peeling process method of the to-be-processed wafer W and the support wafer S performed using the peeling system 1 comprised as mentioned above is demonstrated. FIG. 9 is a flowchart showing an example of main steps of the peeling process.

先ず、複数枚の重合ウェハTを収容したカセットC、空のカセットC、及び空のカセットCが、搬入出ステーション2の所定のカセット載置板11に載置される。搬送機構20によりカセットC内の重合ウェハTが取り出され、剥離処理ステーション3の剥離装置30に搬送される。このとき、重合ウェハTは、被処理ウェハWを上側に配置し、且つ支持ウェハSを下側に配置した状態で搬送される。 First, a cassette C T accommodating a plurality of bonded wafer T, an empty cassette C W, and an empty cassette C S is placed on the predetermined cassette mounting plate 11 of the carry-out station 2. The superposed wafer T in the cassette CT is taken out by the transport mechanism 20 and transported to the peeling device 30 of the peeling processing station 3. At this time, the superposed wafer T is transported in a state where the processing target wafer W is disposed on the upper side and the support wafer S is disposed on the lower side.

剥離装置30に搬入された重合ウェハTは、第2の保持部111に吸着保持される。その後、移動機構150により第2の保持部111を上昇させて、図10に示すように第1の保持部110と第2の保持部111で重合ウェハTを挟み込んで保持する。このとき、第1の保持部110に被処理ウェハWの非接合面Wが吸着保持され、第2の保持部111に支持ウェハSの非接合面Sが吸着保持される。 The overlapped wafer T carried into the peeling apparatus 30 is sucked and held by the second holding unit 111. Thereafter, the second holding unit 111 is raised by the moving mechanism 150, and the overlapped wafer T is sandwiched and held between the first holding unit 110 and the second holding unit 111 as shown in FIG. At this time, the non-bonding surface W N of the wafer W is held by suction on the first holding portion 110, the non-bonding surface S N of the support wafer S is held by suction to the second holding portion 111.

その後、加熱機構124、141によって重合ウェハTが所定の温度、例えば200℃に加熱される。そうすると、重合ウェハT中の接着剤Gが軟化する。   Thereafter, the superposed wafer T is heated to a predetermined temperature, for example, 200 ° C. by the heating mechanisms 124 and 141. As a result, the adhesive G in the superposed wafer T is softened.

続いて、加熱機構124、141によって重合ウェハTを加熱して接着剤Gの軟化状態を維持しながら、図11に示すように移動機構150によって第2の保持部111と支持ウェハSを鉛直方向及び水平方向、すなわち斜め下方に移動させる。そして、図12に示すように第1の保持部110に保持された被処理ウェハWと、第2の保持部111に保持された支持ウェハSとが剥離される(図9の工程A1)。   Subsequently, while the superposed wafer T is heated by the heating mechanisms 124 and 141 and the softened state of the adhesive G is maintained, the second holding unit 111 and the support wafer S are vertically moved by the moving mechanism 150 as shown in FIG. And move horizontally, that is, diagonally downward. Then, as shown in FIG. 12, the wafer W to be processed held by the first holding unit 110 and the support wafer S held by the second holding unit 111 are separated (step A1 in FIG. 9).

このとき、第2の保持部111は、鉛直方向に例えば100μm移動し、且つ水平方向に例えば300mm移動する。なお、この第2の保持部111の鉛直方向の移動距離と水平方向の移動距離の比率は、被処理ウェハW上の電子回路(バンプ)の高さに基づいて設定される。   At this time, the second holding unit 111 moves, for example, 100 μm in the vertical direction, and moves, for example, 300 mm in the horizontal direction. The ratio of the vertical movement distance and the horizontal movement distance of the second holding unit 111 is set based on the height of the electronic circuit (bump) on the wafer W to be processed.

その後、剥離装置30で剥離された被処理ウェハWは、搬送機構231によって第1の洗浄装置31に搬送される。ここで、搬送機構231による被処理ウェハWの搬送方法について説明する。   Thereafter, the wafer W to be processed peeled off by the peeling device 30 is transferred to the first cleaning device 31 by the transfer mechanism 231. Here, a method for transporting the wafer W to be processed by the transport mechanism 231 will be described.

図13に示すように支持アーム233を伸長させて、ベルヌーイチャック232を第1の保持部110に保持された被処理ウェハWの下方に配置する。その後、ベルヌーイチャック232を上昇させ、第1の保持部110における吸引管123からの被処理ウェハWの吸引を停止する。そして、第1の保持部110からベルヌーイチャック232に被処理ウェハWが受け渡される。このとき、被処理ウェハWの接合面Wがベルヌーイチャック232に保持されるが、ベルヌーイチャック232は非接触の状態で被処理ウェハWが保持されるため、被処理ウェハWの接合面W上の電子回路が損傷を被ることはない。 As shown in FIG. 13, the support arm 233 is extended, and the Bernoulli chuck 232 is disposed below the processing target wafer W held by the first holding unit 110. Thereafter, the Bernoulli chuck 232 is raised, and the suction of the wafer W to be processed from the suction tube 123 in the first holding unit 110 is stopped. Then, the processing target wafer W is delivered from the first holding unit 110 to the Bernoulli chuck 232. At this time, the bonding surface W J of wafer W is held by the Bernoulli chuck 232, since the Bernoulli chuck 232 of the wafer W is held in a non-contact state, the bonding surface W J of wafer W The upper electronic circuit is not damaged.

次に図14に示すように、支持アーム233を回動させてベルヌーイチャック232を第1の洗浄装置31のポーラスチャック190の上方に移動させると共に、ベルヌーイチャック232を反転させて被処理ウェハWを下方に向ける。このとき、ポーラスチャック190をカップ194よりも上方まで上昇させて待機させておく。その後、ベルヌーイチャック232からポーラスチャック190に被処理ウェハWが受け渡され吸着保持される。   Next, as shown in FIG. 14, the support arm 233 is rotated to move the Bernoulli chuck 232 above the porous chuck 190 of the first cleaning device 31, and the Bernoulli chuck 232 is inverted to move the wafer W to be processed. Turn downward. At this time, the porous chuck 190 is raised above the cup 194 and kept waiting. Thereafter, the wafer W to be processed is transferred from the Bernoulli chuck 232 to the porous chuck 190 and held by suction.

このようにポーラスチャック190に被処理ウェハWが吸着保持されると、ポーラスチャック190を所定の位置まで下降させる。続いて、アーム201によって待機部205の洗浄液ノズル203を被処理ウェハWの中心部の上方まで移動させる。その後、ポーラスチャック190によって被処理ウェハWを回転させながら、洗浄液ノズル203から被処理ウェハWの接合面Wに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により被処理ウェハWの接合面Wの全面に拡散されて、当該被処理ウェハWの接合面Wが洗浄される(図9の工程A2)。 When the wafer to be processed W is sucked and held on the porous chuck 190 in this way, the porous chuck 190 is lowered to a predetermined position. Subsequently, the arm 201 moves the cleaning liquid nozzle 203 of the standby unit 205 to above the center of the wafer W to be processed. Thereafter, while rotating the wafer W by the porous chuck 190, and supplies the cleaning liquid from the cleaning liquid nozzle 203 to the bonding surface W J of wafer W. Supplied cleaning liquid is diffused over the entire surface of the bonding surface W J of wafer W by the centrifugal force, the bonding surface W J of the wafer W is cleaned (step A2 in FIG. 9).

ここで、上述したように搬入出ステーション2に搬入された複数の重合ウェハTには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハWを含む重合ウェハTと欠陥のある正常な被処理ウェハWを含む重合ウェハTとに判別されている。   Here, as described above, the plurality of superposed wafers T carried into the carry-in / out station 2 are inspected in advance, and the superposed wafer T including the normal target wafer W and the defective normal target wafer to be processed are detected. It is distinguished from the superposed wafer T containing W.

正常な重合ウェハTから剥離された正常な被処理ウェハWは、工程A2で接合面Wが洗浄された後、搬送機構41によって検査装置6に搬送される。この搬送機構41による被処理ウェハWの搬送は、上述した搬送機構231による被処理ウェハWの搬送とほぼ同様であるので説明を省略する。なお、搬送機構41では、上述した搬送機構231のようなベルヌーイチャック232ではなく、受け渡しステージ42と同様に、前述の本実施の形態にかかるゴム製の多孔質体252を備えた基板保持機構241を用いて被処理ウェハWを保持してもよい。 Normal wafer W which has been peeled from the normal bonded wafer T, after bonding surface W J is washed in step A2, is conveyed to the inspection device 6 by the transport mechanism 41. Since the transfer of the wafer W to be processed by the transfer mechanism 41 is substantially the same as the transfer of the wafer W to be processed by the transfer mechanism 231 described above, description thereof is omitted. In the transport mechanism 41, not the Bernoulli chuck 232 as in the transport mechanism 231 described above, but the substrate holding mechanism 241 provided with the rubber porous body 252 according to the above-described embodiment, similarly to the transfer stage 42. You may hold | maintain the to-be-processed wafer W using.

検査装置6においては、被処理ウェハWの接合面Wにおける接着剤Gの残渣の有無が検査される(図9の工程A3)。検査装置6において接着剤Gの残渣が確認された場合、被処理ウェハWは搬送機構41により検査後洗浄装置8の接合面洗浄部8aに搬送され、接合面洗浄部8aで接合面Wが洗浄される(図9の工程A4)。接合面Wが洗浄されると、被処理ウェハWは搬送機構41によって反転部8cに搬送され、反転部8cにおいて上下方向に反転される。なお、接着剤Gの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハWは接合面洗浄部8aに搬送されることなく反転部8cにて反転される(図9の工程A5)。なお、検査装置6、検査後洗浄装置8においても、受け渡しステージ42と同様に、前述の本実施の形態にかかるゴム製の多孔質体252を備えた基板保持機構241を用いて被処理ウェハWを保持することができる。 In testing device 6, the presence or absence of adhesive residue G at the joint surface W J of wafer W is inspected (Step A3 in FIG. 9). If residues of the adhesive G is confirmed in the test device 6, the treated wafer W is transferred on the bonding surface cleaning portion 8a of the inspection after cleaning device 8 by the transfer mechanism 41, bonding surface W J at the joint surface cleaning unit 8a is Washing is performed (step A4 in FIG. 9). When bonding surface W J is cleaned wafer W is transported to the inverting unit 8c by the transport mechanism 41 is reversed in the vertical direction in reversing unit 8c. In addition, when the residue of the adhesive agent G is not confirmed, the to-be-processed wafer W is reversed by the inversion part 8c, without being conveyed to the joining surface washing | cleaning part 8a (process A5 of FIG. 9). Note that in the inspection apparatus 6 and the post-inspection cleaning apparatus 8 as well as the delivery stage 42, the wafer W to be processed using the substrate holding mechanism 241 including the rubber porous body 252 according to the present embodiment described above. Can be held.

その後、反転された被処理ウェハWは、搬送機構41により再び検査装置6に搬送され、非接合面Wの検査が行われる(図9の工程A6)。そして、非接合面Wにおいて接着剤Gの残渣が確認された場合、被処理ウェハWは搬送機構41によって非接合面洗浄部8bに搬送され、非接合面Wの洗浄が行われる(図9の工程A7)。次いで、洗浄された被処理ウェハWは、搬送機構41によって受け渡しステージ42に搬送される。なお、検査装置6で接着剤Gの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハWは非接合面洗浄部8bに搬送されることなく、そのまま受け渡しステージ42に搬送される。 Then, wafer W being inverted is conveyed to the inspection device 6 again by the transfer mechanism 41, the inspection of the non-bonding surface W N is performed (step A6 in FIG. 9). When the residue of the adhesive G is confirmed in the non-bonding surface W N, wafer W is transferred to the non-bonding surface cleaning unit 8b by the transport mechanism 41, washing of the non-bonding surface W N is performed (FIG. 9 step A7). Next, the cleaned wafer W to be processed is transferred to the delivery stage 42 by the transfer mechanism 41. If no residue of the adhesive G is confirmed by the inspection apparatus 6, the wafer W to be processed is transferred to the delivery stage 42 as it is without being transferred to the non-bonding surface cleaning unit 8b.

受け渡しステージ42では、搬送機構41に保持された被処理ウェハWが、基板保持機構241の吸着面253の上方に配置され、被処理ウェハWを下方に向けて、搬送機構41における被処理ウェハWの吸引が停止される。これにより、搬送機構41から基板保持機構241へ被処理ウェハWが受け渡される。このとき、被処理ウェハWの接合面Wが基板保持機構241に吸着されるが、被処理ウェハWへの吸着面253がゴム製であるため、接合面W上の電子回路が損傷を被ることはない。 In the delivery stage 42, the wafer W to be processed held by the transfer mechanism 41 is disposed above the suction surface 253 of the substrate holding mechanism 241, and the wafer W to be processed in the transfer mechanism 41 is directed downward. The suction is stopped. As a result, the wafer W to be processed is transferred from the transfer mechanism 41 to the substrate holding mechanism 241. At this time, the bonding surface W J of wafer W is attracted to the substrate holding mechanism 241, since the suction surface 253 of the wafer W is made of rubber, electronic circuitry on bonding surface W J is damaged I do not suffer.

その後、後処理ステーション4において被処理ウェハWに所定の後処理が行われる(図9の工程A8)。こうして、被処理ウェハWが製品化される。なお、後処理ステーション4においても、本実施の形態にかかる、ゴム製の多孔質体252を備えた基板保持機構241を用いて被処理ウェハWを保持することができる。   Thereafter, predetermined post-processing is performed on the wafer W to be processed in the post-processing station 4 (step A8 in FIG. 9). Thus, the processing target wafer W is commercialized. Note that the post-processing station 4 can also hold the wafer W to be processed using the substrate holding mechanism 241 including the rubber porous body 252 according to the present embodiment.

一方、欠陥のある重合ウェハTから剥離された欠陥のある被処理ウェハWは、工程A2で接合面Wが洗浄された後、搬送機構20によって搬入出ステーション2に搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハWは、搬入出ステーション2から外部に搬出され回収される(図9の工程A9)。 On the other hand, wafer W with a peel defects from bonded wafer T including a defect, after bonding surface W J is washed in step A2, is conveyed to the station 2 loading and unloading by the transport mechanism 20. Thereafter, the defective wafer W to be processed is unloaded from the loading / unloading station 2 and collected (step A9 in FIG. 9).

被処理ウェハWに上述した工程A1〜A9が行われている間、剥離装置30で剥離された支持ウェハSは、搬送機構20によって第2の洗浄装置33に搬送される。そして、第2の洗浄装置33において、支持ウェハSの接合面Sが洗浄される(図9の工程A10)。なお、第2の洗浄装置33における支持ウェハSの洗浄は、上述した第1の洗浄装置31における被処理ウェハWの洗浄と同様であるので説明を省略する。 While the above-described steps A <b> 1 to A <b> 9 are performed on the wafer W to be processed, the support wafer S peeled by the peeling device 30 is transferred to the second cleaning device 33 by the transfer mechanism 20. Then, in the second cleaning device 33, bonding surface S J of the support wafer S is cleaned (step A10 in FIG. 9). Note that the cleaning of the support wafer S in the second cleaning device 33 is the same as the cleaning of the wafer W to be processed in the first cleaning device 31 described above, and thus the description thereof is omitted.

その後、接合面Sが洗浄された支持ウェハSは、搬送機構20によって搬入出ステーション2に搬送される。その後、支持ウェハSは、搬入出ステーション2から外部に搬出され回収される(図9の工程A11)。こうして、一連の被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理が終了する。 Thereafter, the support wafer S which joint surface S J is cleaned is conveyed to station 2 loading and unloading by the transport mechanism 20. Thereafter, the support wafer S is unloaded from the loading / unloading station 2 and collected (step A11 in FIG. 9). In this way, a series of separation processing of the processing target wafer W and the supporting wafer S is completed.

以上の実施の形態によれば、第1の洗浄装置31で洗浄後の被処理ウェハWの接合面Wすなわち電子回路が形成された面は、図8に示すように、ゴム製の多孔質体252を有する基板保持機構241で吸着されるので、被処理ウェハWのバンプB等の突起物が損傷することがなく、且つ、大口径で薄い被処理ウェハWの平面度を保った状態で保持、搬送することができる。しかも、被処理ウェハWを基板保持機構241から剥がす際に、吸引を停止すれば、コーティング剤254の効果により、被処理ウェハWが貼り付くことなく容易に吸着面253から剥がれるので、無理な剥離による被処理ウェハWの破損を防ぐことができる。 According to the above embodiment, the surface bonding surface W J That electronic circuit is formed of wafer W after the cleaning by the first cleaning device 31, as shown in FIG. 8, a rubber porous Since it is attracted by the substrate holding mechanism 241 having the body 252, the projections such as the bumps B of the wafer to be processed W are not damaged, and the flatness of the thin wafer to be processed W having a large diameter is maintained. It can be held and transported. Moreover, if the suction is stopped when the wafer W to be processed is peeled off from the substrate holding mechanism 241, the wafer W to be processed is easily peeled off from the suction surface 253 by the effect of the coating agent 254. It is possible to prevent damage to the processing target wafer W.

なお、以上説明した剥離システムは実施形態の一例であり、本発明が適用されるシステムはこれに限らない。本実施の形態にかかる基板保持機構241は、例えば接着剤が概ね取り除かれた後の被処理ウェハW等、大口径で薄い被処理ウェハに各種処理を行う工程において、被処理ウェハWの保持に用いることができる。   In addition, the peeling system demonstrated above is an example of embodiment, The system to which this invention is applied is not restricted to this. The substrate holding mechanism 241 according to the present embodiment holds the wafer W to be processed in a process of performing various processes on the wafer to be processed having a large diameter, such as the wafer W to be processed after the adhesive is almost removed. Can be used.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。   The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood. The present invention is not limited to this example and can take various forms. The present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.

1 剥離システム
2 搬入出ステーション
3 剥離処理ステーション
4 後処理ステーション
5 インターフェイスステーション
6 検査装置
7 搬送ステーション
8 検査後洗浄装置
9 ウェハ搬送領域
20 搬送機構
241 基板保持機構
252 多孔質体
253 吸着面
254 コーティング剤
300 制御部
G 接着剤
S 支持ウェハ
T 重合ウェハ
W 被処理ウェハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Peeling system 2 Carry-in / out station 3 Peeling processing station 4 Post-processing station 5 Interface station 6 Inspection apparatus 7 Transfer station 8 Post-inspection cleaning apparatus 9 Wafer transfer area 20 Transfer mechanism 241 Substrate holding mechanism 252 Porous body 253 Adsorption surface 254 Coating agent 300 Control part G Adhesive S Support wafer T Superposition wafer W Processed wafer

Claims (4)

接着剤で接合された重合基板を被処理基板と支持基板に剥離し、さらに洗浄した後の被処理基板を保持する基板保持機構であって、
ゴム製の多孔質体を備えたポーラスチャックからなり、前記多孔質体の前記被処理基板への吸着面に、前記被処理基板の貼り付きを防止するコーティング剤が塗布されていることを特徴とする、基板保持機構。
A substrate holding mechanism for holding the substrate to be processed after peeling the polymerization substrate bonded with the adhesive to the substrate to be processed and the support substrate, and further cleaning,
A porous chuck comprising a rubber porous body, wherein a coating agent for preventing the substrate to be treated is applied to the adsorption surface of the porous body to the substrate to be treated. A substrate holding mechanism.
前記コーティング剤はフッ素系樹脂であることを特徴とする、請求項1に記載の基板保持機構。 The substrate holding mechanism according to claim 1, wherein the coating agent is a fluororesin. 前記多孔質体の硬度は、ゴム硬度10°〜80°であることを特徴とする、請求項1または2に記載の基板保持機構。 The substrate holding mechanism according to claim 1, wherein the porous body has a rubber hardness of 10 ° to 80 °. 請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板保持機構を備えた剥離システムであって、
被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、
前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送ステーションと、
前記剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションへ被処理基板を受け渡す受け渡しステージと、
前記剥離処理ステーションと前記受け渡しステージとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションを有し、
前記基板保持機構が、前記受け渡しステージに設けられていることを特徴とする、剥離システム。
A peeling system comprising the substrate holding mechanism according to any one of claims 1 to 3,
A peeling processing station for performing predetermined processing on a substrate to be processed, a support substrate, and a superposed substrate;
A loading / unloading station for loading / unloading a substrate to be processed, a support substrate or a superposed substrate with respect to the peeling processing station,
A transfer station for transferring a substrate to be processed, a support substrate or a superposed substrate between the peeling treatment station and the carry-in / out station,
A delivery stage that delivers the substrate to be processed to a post-processing station that performs a predetermined post-processing on the substrate to be processed peeled off at the peeling processing station;
An interface station for transferring a substrate to be processed between the peeling processing station and the delivery stage;
The peeling system, wherein the substrate holding mechanism is provided in the delivery stage.
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