JPH09102444A - Substrate treatment device - Google Patents

Substrate treatment device

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JPH09102444A
JPH09102444A JP7260369A JP26036995A JPH09102444A JP H09102444 A JPH09102444 A JP H09102444A JP 7260369 A JP7260369 A JP 7260369A JP 26036995 A JP26036995 A JP 26036995A JP H09102444 A JPH09102444 A JP H09102444A
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JP
Japan
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substrate
static electricity
processing
rotary
particles
Prior art date
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Pending
Application number
JP7260369A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akihiko Morita
彰彦 森田
Masami Otani
正美 大谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP7260369A priority Critical patent/JPH09102444A/en
Publication of JPH09102444A publication Critical patent/JPH09102444A/en
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Elimination Of Static Electricity (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treatment device which can prevent particle from adhering to a substrate owing to static electricity and remove particle adhering to a substrate owing to static electricity. SOLUTION: In a substrate treatment device which performs treatments such as cleaning treatment, application treatment and development treatment for a substrate 100, an ionizer 60 which generates ion is arranged in an upper part of a substrate carrying-in/out device 50 which becomes a substrate standby part, a substrate carrier device 40 or a treatment part such as a rotary cleaning part 10, a rotary application part 20 and a rotary development part 30 for neutralizing static electricity electrically.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に所定の処理
を行う基板処理装置に関する。
The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、半導
体ウエハ等の基板に処理液の塗布処理、現像処理、成膜
処理等の一連の処理が行われる。このような一連の処理
の過程において、処理前または処理済の基板は基板カセ
ットに一時的に収納される。また、一連の処理の過程
で、超純水およびブラシを用いた洗浄処理が行われ、基
板の表面が清浄に保たれる。
2. Description of the Related Art In manufacturing a semiconductor device, a substrate such as a semiconductor wafer is subjected to a series of processes such as a coating process of a processing liquid, a developing process and a film forming process. In the course of such a series of processing, the substrate before or after the processing is temporarily stored in the substrate cassette. In addition, in the course of a series of treatments, a cleaning treatment using ultrapure water and a brush is performed to keep the substrate surface clean.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板を
一時的に収納する基板カセットが導電性材料で形成され
ていない場合には、基板カセットに静電気が発生し、そ
の静電気が周囲の塵、埃等のパーティクル(微粒子)を
引き寄せることがある。その結果、基板を洗浄処理によ
り清浄な状態にしても、基板を基板カセットに収納した
段階で基板にパーティクルが再付着することになる。
However, when the substrate cassette for temporarily storing the substrate is not formed of a conductive material, static electricity is generated in the substrate cassette, and the static electricity causes dust, dust and the like in the surroundings. The particles (fine particles) of may be attracted. As a result, even if the substrate is cleaned by the cleaning process, particles are reattached to the substrate when the substrate is stored in the substrate cassette.

【0004】また、基板の表面に酸化膜、窒化膜等の膜
が形成された後、その基板を基板カセットに収納した場
合には、基板カセットに発生した静電気の影響で基板の
膜表面自体が帯電することがあり、洗浄処理中や、さら
には基板の回転だけでも基板の膜表面自体が帯電するこ
とがある。それにより、基板の膜表面にパーティクルが
再付着することになる。
Further, when a film such as an oxide film or a nitride film is formed on the surface of the substrate and then the substrate is stored in a substrate cassette, the film surface itself of the substrate is affected by the static electricity generated in the substrate cassette. The film surface itself may be charged, and the film surface itself of the substrate may be charged during the cleaning process or even just by rotating the substrate. This causes the particles to reattach to the film surface of the substrate.

【0005】本発明の目的は、静電気による基板へのパ
ーティクルの付着を防止することができ、かつ静電気に
より基板に付着したパーティクルを除去することができ
る基板処理装置を提供することである。
An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing particles from adhering to a substrate due to static electricity and removing particles adhering to the substrate due to static electricity.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段および発明の効果】第1の
発明に係る基板処理装置は、処理前または処理後の基板
を待機させる基板待機部の上部に、基板待機部にイオン
を供給するイオン供給手段を配設したものである。
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention In the substrate processing apparatus according to the first invention, ions for supplying ions to the substrate standby unit are provided above the substrate standby unit for waiting the substrate before or after the processing. A supply means is provided.

【0007】第2の発明に係る基板処理装置は、基板を
搬送する基板搬送部の上部に、前記基板搬送部にイオン
を供給するイオン供給手段を配設したものである。第3
の発明に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を行う
基板処理部の上部に、基板処理部にイオンを供給するイ
オン供給手段を配設したものである。
In the substrate processing apparatus according to the second aspect of the present invention, an ion supply means for supplying ions to the substrate transfer section is arranged above the substrate transfer section for transferring the substrate. Third
In the substrate processing apparatus according to the invention described above, an ion supply unit that supplies ions to the substrate processing unit is arranged above the substrate processing unit that performs a predetermined process on the substrate.

【0008】第4の発明に係る基板処理装置は、第3の
発明に係る基板処理装置の構成において、基板処理部
が、基板を回転させて基板に所定の処理を行う回転式基
板処理部からなるものである。
In the substrate processing apparatus according to the fourth aspect of the present invention, in the configuration of the substrate processing apparatus according to the third aspect of the present invention, the substrate processing section rotates the substrate to perform a predetermined processing on the substrate. It will be.

【0009】第1〜第4の発明に係る基板処理装置にお
いては、基板待機部、基板搬送部または基板処理部に発
生した静電気が、イオン供給手段により供給されるイオ
ンにより中和されて除去される。それにより、静電気に
よりパーティクルが引き寄せられて基板に付着すること
が防止される。また、静電気の影響により基板自体が帯
電して基板にパーティクルが付着することが防止され
る。さらに、静電気の影響より基板に付着したパーティ
クルが除去される。
In the substrate processing apparatus according to the first to fourth aspects of the present invention, static electricity generated in the substrate standby portion, the substrate transfer portion or the substrate processing portion is neutralized and removed by the ions supplied by the ion supply means. It This prevents particles from being attracted by the static electricity and adhering to the substrate. Further, it is possible to prevent particles from adhering to the substrate due to the influence of static electricity on the substrate itself. Further, particles adhering to the substrate are removed due to the influence of static electricity.

【0010】また、特定のパーティクルが強い極性を有
する場合に、イオン供給手段により供給されるイオンに
より基板待機部、基板搬送部または基板処理部、あるい
は基板をパーティクルと逆の極性に帯電させることがで
きる。それにより、特定のパーティクルが基板に付着す
ることを防止することができるとともに、基板に付着し
た特定のパーティクルを除去することができる。
Further, when the specific particles have a strong polarity, the ions supplied by the ion supplying means can charge the substrate standby portion, the substrate transfer portion or the substrate processing portion, or the substrate to a polarity opposite to that of the particles. it can. As a result, it is possible to prevent the specific particles from adhering to the substrate, and it is possible to remove the specific particles attached to the substrate.

【0011】特に、第1の発明に係る基板処理装置にお
いては、イオン供給手段が基板待機部の上部に設けられ
ているので、待機中の基板にパーティクルが付着するこ
とが防止されるとともに、基板に付着したパーティクル
が基板の待機中に除去される。
Particularly, in the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, since the ion supplying means is provided above the substrate standby portion, particles are prevented from adhering to the substrate in standby and the substrate The particles attached to the substrate are removed while the substrate is on standby.

【0012】また、第2の発明に係る基板処理装置にお
いては、イオン供給手段が基板搬送部の上部に設けられ
ているので、基板の搬送の際に基板にパーティクルが付
着することが防止されるとともに、基板に付着したパー
ティクルが基板の搬送時に除去される。
Further, in the substrate processing apparatus according to the second aspect of the present invention, since the ion supply means is provided above the substrate transfer section, it is possible to prevent particles from adhering to the substrate during transfer of the substrate. At the same time, particles attached to the substrate are removed when the substrate is transported.

【0013】さらに、第3の発明に係る基板処理装置に
おいては、イオン供給手段が基板処理部の上部に設けら
れているので、基板の処理の際に基板にパーティクルが
付着することが防止されるとともに、基板に付着したパ
ーティクルが基板の処理時に除去される。
Further, in the substrate processing apparatus according to the third aspect of the present invention, since the ion supplying means is provided above the substrate processing section, it is possible to prevent particles from adhering to the substrate during processing of the substrate. At the same time, particles attached to the substrate are removed during the processing of the substrate.

【0014】特に、第4の発明に係る基板処理装置にお
いては、イオン供給手段が回転式基板処理部の上部に設
けられているので、回転する基板が空気を切ることによ
り静電気が発生して基板にパーティクルが付着すること
が防止されるとともに、基板に付着したパーティクルが
基板の回転処理時に除去される。
Particularly, in the substrate processing apparatus according to the fourth aspect of the present invention, since the ion supply means is provided above the rotary substrate processing section, static electricity is generated when the rotating substrate cuts off air, and the substrate is thus processed. The particles are prevented from adhering to the substrate, and the particles adhering to the substrate are removed during the rotation processing of the substrate.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施例における
基板処理装置の概略斜視図である。図1の基板処理装置
は、基板100に洗浄処理、塗布処理、現像処理、密着
強化処理、加熱処理、冷却処理等の一連の処理を行うた
めの装置であり、正面側に第1の基板処理領域100を
有し、後方側に第2の基板処理領域200を有し、第1
の基板処理領域100と第2の基板処理領域200との
間に搬送領域300を有する。
1 is a schematic perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus of FIG. 1 is an apparatus for performing a series of processing such as cleaning processing, coating processing, development processing, adhesion strengthening processing, heating processing, cooling processing on the substrate 100, and the first substrate processing is performed on the front side. An area 100, a second substrate processing area 200 on the rear side, and a first
The transfer area 300 is provided between the substrate processing area 100 and the second substrate processing area 200.

【0016】第1の基板処理領域100には、基板の洗
浄処理を行う回転式洗浄部(スピンスクラバー)10、
処理液の塗布処理を行う回転式塗布部(スピンコータ)
20および現像処理を行う回転式現像部(スピンデベロ
ッパー)30が配列されている。また、第2の基板処理
領域200には、密着強化処理を行う密着強化部AH、
加熱処理を行う基板加熱部(ホットプレート)HPおよ
び冷却処理を行う基板冷却部(クーリングプレート)C
Pが配置されている。搬送領域300には、基板搬送装
置40が移動自在に設けられている。
In the first substrate processing area 100, a rotary cleaning unit (spin scrubber) 10 for cleaning the substrate,
Rotating coating unit (spin coater) for coating the processing liquid
20 and a rotary developing unit (spin developer) 30 that performs development processing are arranged. Further, in the second substrate processing area 200, the adhesion strengthening part AH for performing the adhesion strengthening process,
A substrate heating unit (hot plate) HP that performs heat treatment and a substrate cooling unit (cooling plate) C that performs cooling treatment
P is arranged. A substrate transfer device 40 is movably provided in the transfer area 300.

【0017】さらに、この基板処理装置の側部側には、
基板100を収納するとともに基板100の搬入および
搬出を行う基板搬入搬出装置(インデクサ)50が配置
されている。基板搬入搬出装置50は、基板100を収
納する複数の基板カセット51および基板100の搬入
および搬出を行う移載ロボット54を備える。移載ロボ
ット54は、基板カセット51から基板100を取り出
して基板搬送装置40に送り出し、逆に一連の処理が施
された基板100を基板搬送装置40から受け取って基
板カセット51に戻す。
Further, on the side of this substrate processing apparatus,
A substrate loading / unloading device (indexer) 50 that stores the substrate 100 and that loads and unloads the substrate 100 is arranged. The substrate loading / unloading device 50 includes a plurality of substrate cassettes 51 for housing the substrates 100 and a transfer robot 54 for loading / unloading the substrates 100. The transfer robot 54 takes out the substrate 100 from the substrate cassette 51 and sends it to the substrate transfer device 40, and conversely receives the substrate 100 that has been subjected to a series of processing from the substrate transfer device 40 and returns it to the substrate cassette 51.

【0018】また、基板搬入搬出装置50の上部に、正
または負のイオンを発生するイオナイザ60が支持部材
61,62により配設されている。本実施例では、基板
搬入搬出装置50が、処理前または処理後の基板100
を待機させる基板待機部に相当する。また、基板搬送装
置40が基板搬送部に相当し、回転式洗浄部10、回転
式塗布部20および回転式現像部30が基板処理部に相
当する。さらに、イオナイザ60がイオン供給手段に相
当する。
Further, an ionizer 60 for generating positive or negative ions is provided above the substrate loading / unloading device 50 by supporting members 61 and 62. In this embodiment, the substrate loading / unloading device 50 uses the substrate 100 before or after processing.
Corresponds to a board waiting unit for waiting. The substrate transfer device 40 corresponds to the substrate transfer unit, and the rotary cleaning unit 10, the rotary coating unit 20, and the rotary developing unit 30 correspond to the substrate processing unit. Further, the ionizer 60 corresponds to the ion supply means.

【0019】図2は図1の基板処理装置の概略平面図で
ある。なお、図2には、イオナイザ60は図示していな
い。また、図2は基板搬入搬出装置50に基板カセット
51が載置されていない状態を示す。
FIG. 2 is a schematic plan view of the substrate processing apparatus of FIG. The ionizer 60 is not shown in FIG. 2 shows a state in which the substrate cassette 51 is not placed on the substrate loading / unloading device 50.

【0020】図2に示すように、回転式洗浄部10は回
転基板保持装置11およびブラシ12を有する。この回
転式洗浄部10は、回転基板保持装置11により基板を
高速回転させ、回転する基板表面に超純水を噴射しつつ
ブラシ12で基板表面を洗浄する。この回転式洗浄部1
0においては、基板、超純水およびブラシ12が絶縁体
であるため、静電気が発生しやすい。これにより、0.
1μm以下のパーティクルが洗浄された基板に再付着す
る。
As shown in FIG. 2, the rotary cleaning section 10 has a rotary substrate holding device 11 and a brush 12. The rotary cleaning unit 10 rotates a substrate at a high speed by a rotating substrate holding device 11 and cleans the substrate surface with a brush 12 while spraying ultrapure water onto the rotating substrate surface. This rotary cleaning unit 1
At 0, since the substrate, the ultrapure water and the brush 12 are insulators, static electricity is easily generated. As a result, 0.
Particles of 1 μm or less are reattached to the cleaned substrate.

【0021】また、回転式塗布部20は、回転基板保持
装置21および処理液ノズルアーム22を有する。この
回転式塗布部20は、回転基板保持装置21により基板
を所定の回転数で回転させ、回転する基板表面に処理液
ノズルアーム22によりレジスト等の処理液を滴下して
基板表面に塗り広げる。さらに、回転式現像部30は、
回転基板保持装置31および現像液ノズルアーム32を
有する。この回転式現像部30は、回転基板保持装置3
1により基板を回転させ、回転する基板表面に現像液を
現像液ノズルアーム32により供給する。これらの回転
式塗布部20および回転式現像部30においては、高速
で回転する基板が空気を切ることにより静電気が発生し
やすい。これにより、処理された基板にパーティクルが
付着する。
The rotary coating section 20 has a rotary substrate holding device 21 and a processing liquid nozzle arm 22. The rotary coating unit 20 rotates the substrate at a predetermined number of rotations by a rotating substrate holding device 21, drops a processing liquid such as a resist on the surface of the rotating substrate by a processing liquid nozzle arm 22 and spreads it on the surface of the substrate. Furthermore, the rotary developing unit 30
It has a rotating substrate holder 31 and a developer nozzle arm 32. The rotary developing unit 30 includes a rotary substrate holding device 3
The substrate is rotated by 1, and the developing solution nozzle arm 32 supplies the developing solution to the surface of the rotating substrate. In these rotary coating section 20 and rotary developing section 30, static electricity is easily generated when the substrate rotating at high speed cuts off air. As a result, particles adhere to the processed substrate.

【0022】基板搬送装置40は、基板を支持するアー
ム41およびアーム41を移動させる移動体42を有す
る。アーム41は、アーム駆動機構(図示せず)により
第1の基板処理領域100および第2の基板処理領域2
00の側に進退移動可能となっており、各処理部に未処
理の基板を渡すとともに、各処理部内で処理済みの基板
を受け取る。
The substrate transfer device 40 has an arm 41 for supporting the substrate and a moving body 42 for moving the arm 41. The arm 41 includes a first substrate processing area 100 and a second substrate processing area 2 by an arm driving mechanism (not shown).
It is possible to move back and forth to the side of 00, to pass an unprocessed substrate to each processing unit, and to receive a processed substrate in each processing unit.

【0023】基板搬入搬出装置50は、複数のカセット
ステージ52を有し、各カセットステージ52上に図1
に示した基板カセット51が載置される。各カセットス
テージ52の周囲には、基板カセット51の有無を検出
するカセット検出アーム53が取り付けられている。
The substrate loading / unloading device 50 has a plurality of cassette stages 52, and each of the cassette stages 52 has a structure shown in FIG.
The substrate cassette 51 shown in FIG. A cassette detection arm 53 that detects the presence or absence of the substrate cassette 51 is attached around each cassette stage 52.

【0024】図3は基板搬入搬出装置50の1つのカセ
ットステージに載置された基板カセット51を示す平面
図である。図3に示すように、基板カセット51は、絶
縁材料により形成されるガイド部材55に保持されてい
る。
FIG. 3 is a plan view showing the substrate cassette 51 placed on one cassette stage of the substrate loading / unloading device 50. As shown in FIG. 3, the substrate cassette 51 is held by a guide member 55 made of an insulating material.

【0025】この基板搬入搬出装置50において、カセ
ットステージ52(図2)の表面はアルマイト処理され
ているため絶縁体となる。その上、ガイド部材55が絶
縁材料で形成されているため、基板カセット51が電気
的にフローティング(浮遊)状態となる。したがって、
基板カセット51に静電気が発生しやすい。この場合、
ガイド部材55等に接地機能を付与することにより静電
気を除去することも可能であるが、接地部分を除く他の
部分では静電気が十分に除去されず、全体として静電気
の除去効果は小さい。
In the substrate loading / unloading device 50, the surface of the cassette stage 52 (FIG. 2) is an insulator because it is anodized. Moreover, since the guide member 55 is made of an insulating material, the substrate cassette 51 is in an electrically floating state. Therefore,
Static electricity is easily generated in the substrate cassette 51. in this case,
It is possible to remove the static electricity by providing the guide member 55 and the like with a grounding function, but the static electricity is not sufficiently removed in other portions except the grounded portion, and the effect of removing the static electricity is small as a whole.

【0026】本実施例では、イオナイザ60により発生
されたイオンが、基板搬入搬出装置50に供給される。
特に、基板処理装置がダウンフロー方式のクリーンルー
ム内に配置されている場合には、イオナイザ60から発
生されたイオンが上方から下方へ向かう気流により基板
搬入搬出装置50に効率的に供給される。
In this embodiment, the ions generated by the ionizer 60 are supplied to the substrate loading / unloading device 50.
In particular, when the substrate processing apparatus is arranged in a down-flow type clean room, the ions generated from the ionizer 60 are efficiently supplied to the substrate loading / unloading apparatus 50 by the air flow from the upper side to the lower side.

【0027】それにより、基板カセット51全体の静電
気がイオンにより電気的に中和されて除去される。ま
た、基板カセット51内の基板100に形成された膜表
面が帯電した場合でも、イオナイザ60から供給される
イオンにより膜表面の静電気が電気的に中和される。そ
の結果、静電気により基板100の表面にパーティクル
が付着することが防止されるとともに、回転式洗浄部1
0、回転式塗布部20、回転式現像部30および基板搬
送装置40において基板100に付着したパーティクル
が除去される。
As a result, the static electricity of the entire substrate cassette 51 is electrically neutralized by the ions and removed. Even when the film surface formed on the substrate 100 in the substrate cassette 51 is charged, the static electricity on the film surface is electrically neutralized by the ions supplied from the ionizer 60. As a result, particles are prevented from adhering to the surface of the substrate 100 due to static electricity, and the rotary cleaning unit 1
Particles attached to the substrate 100 are removed at 0, the rotary coating unit 20, the rotary developing unit 30, and the substrate transfer device 40.

【0028】なお、特定のパーティクルが強い極性を有
する場合には、イオナイザ60により一時的に基板カセ
ット51の全体をそのパーティクルが反発する極性に帯
電させることもできる。それにより、特定のパーティク
ルが基板100に付着することを防止することができ、
かつ基板100に付着した特定のパーティクルを除去す
ることができる。同様にして、基板100の表面に形成
された膜に極性を付与することにより、膜表面に特定の
パーティクルが付着することを防止することができ、か
つ膜表面に付着した特定のパーティクルを除去すること
ができる。
When a specific particle has a strong polarity, the ionizer 60 can temporarily charge the entire substrate cassette 51 to the polarity that the particle repels. Thereby, it is possible to prevent specific particles from adhering to the substrate 100,
Moreover, the specific particles attached to the substrate 100 can be removed. Similarly, by imparting polarity to the film formed on the surface of the substrate 100, it is possible to prevent specific particles from adhering to the film surface, and remove specific particles adhering to the film surface. be able to.

【0029】上記実施例では、イオナイザ60を基板搬
入搬出装置50の上部に設けているが、イオナイザ60
を基板搬送装置40の上部に配置してもよい。この場合
には、基板100の搬送時に発生する静電気が電気的に
中和され、静電気による基板100へのパーティクルの
付着が防止されるとともに、基板100に付着したパー
ティクルが除去される。
In the above embodiment, the ionizer 60 is provided above the substrate loading / unloading device 50.
May be disposed above the substrate transfer device 40. In this case, static electricity generated when the substrate 100 is transported is electrically neutralized, particles are prevented from adhering to the substrate 100 due to static electricity, and particles adhering to the substrate 100 are removed.

【0030】また、回転式洗浄部10の上部にイオナイ
ザ60を設けてもよい。それにより、基板100の洗浄
時に発生する静電気が電気的に中和され、静電気による
基板100へのパーティクルの再付着が防止されるとと
もに、基板100に付着したパーティクルが完全に除去
される。その結果、基板100の表面を清浄にすること
ができる。
Further, an ionizer 60 may be provided above the rotary cleaning section 10. This electrically neutralizes static electricity generated during cleaning of the substrate 100, prevents redeposition of particles on the substrate 100 due to static electricity, and completely removes particles attached to the substrate 100. As a result, the surface of the substrate 100 can be cleaned.

【0031】さらに、回転式塗布部20または回転式現
像部30の上部にイオナイザ60を設けてもよい。それ
により、基板100の高速回転により発生する静電気が
電気的に中和され、静電気による基板100へのパーテ
ィクルの付着が防止されるとともに、基板100に付着
したパーティクルが除去される。
Further, an ionizer 60 may be provided above the rotary coating section 20 or rotary developing section 30. This electrically neutralizes static electricity generated by the high-speed rotation of the substrate 100, prevents particles from adhering to the substrate 100 due to static electricity, and removes particles adhering to the substrate 100.

【0032】なお、イオナイザ60を回転式エッジ露光
装置等の他の処理部の上部に設けてもよい。
The ionizer 60 may be provided above the other processing units such as the rotary edge exposure device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例における基板処理装置の概略
斜視図である。
FIG. 1 is a schematic perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の基板処理装置の概略平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view of the substrate processing apparatus of FIG.

【図3】図1の基板処理装置における基板搬入搬出装置
の1つのカセットステージに載置される基板カセットを
示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing a substrate cassette mounted on one cassette stage of the substrate loading / unloading device in the substrate processing apparatus of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 回転式洗浄部 20 回転式塗布部 30 回転式現像部 40 基板搬送装置 50 基板搬入搬出装置 51 基板カセット 54 移載ロボット 60 イオナイザ 10 rotary cleaning unit 20 rotary coating unit 30 rotary developing unit 40 substrate transfer device 50 substrate loading / unloading device 51 substrate cassette 54 transfer robot 60 ionizer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05F 3/04 H01L 21/30 503G ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Office reference number FI technical display location H05F 3/04 H01L 21/30 503G

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 処理前または処理後の基板を待機させる
基板待機部の上部に、前記基板待機部にイオンを供給す
るイオン供給手段を配設したことを特徴とする基板処理
装置。
1. A substrate processing apparatus, comprising: an ion supply unit for supplying ions to the substrate standby unit, which is disposed above a substrate standby unit for waiting a substrate before or after processing.
【請求項2】 基板を搬送する基板搬送部の上部に、前
記基板搬送部にイオンを供給するイオン供給手段を配設
したことを特徴とする基板処理装置。
2. A substrate processing apparatus, characterized in that an ion supply means for supplying ions to said substrate transfer section is arranged above a substrate transfer section for transferring a substrate.
【請求項3】 基板に所定の処理を行う基板処理部の上
部に、前記基板処理部にイオンを供給するイオン供給手
段を配設したことを特徴とする基板処理装置。
3. A substrate processing apparatus, characterized in that an ion supply means for supplying ions to said substrate processing section is arranged above a substrate processing section for performing a predetermined processing on a substrate.
【請求項4】 前記基板処理部は、基板を回転させて前
記基板に所定の処理を行う回転式基板処理部からなるこ
とを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the substrate processing unit includes a rotary substrate processing unit that rotates the substrate to perform a predetermined process on the substrate.
JP7260369A 1995-10-06 1995-10-06 Substrate treatment device Pending JPH09102444A (en)

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