KR102032017B1 - Lithography apparatus, lithography method, program, lithography system, and article manufacturing method - Google Patents

Lithography apparatus, lithography method, program, lithography system, and article manufacturing method

Info

Publication number
KR102032017B1
KR102032017B1 KR1020160016917A KR20160016917A KR102032017B1 KR 102032017 B1 KR102032017 B1 KR 102032017B1 KR 1020160016917 A KR1020160016917 A KR 1020160016917A KR 20160016917 A KR20160016917 A KR 20160016917A KR 102032017 B1 KR102032017 B1 KR 102032017B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
processing unit
substrate
substrates
unit
lot
Prior art date
Application number
KR1020160016917A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20160100842A (en
Inventor
요시카즈 미야지마
히토시 나카노
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20160100842A publication Critical patent/KR20160100842A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102032017B1 publication Critical patent/KR102032017B1/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70766Reaction force control means, e.g. countermass
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7042Alignment for lithographic apparatus using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping or imprinting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment

Abstract

리소그래피 장치는, 1개의 로트에 속하는 복수의 기판에 각각 패턴형성을 행하도록 구성되는 복수의 처리 유닛, 및 복수의 기판 중 하나를 특정하는 특정 정보에 기초하여, 복수의 기판 중 하나를 처리하는 복수의 처리 유닛 중 하나의 결정을 행하고, 복수의 처리 유닛에 의해 복수의 기판에 병행하여 각각 패턴형성이 행해지도록, 로트에 대응하는 레시피 정보에 기초하여, 복수의 처리 유닛을 제어하도록 구성되는 컨트롤러를 포함한다.The lithographic apparatus is a plurality of processing units configured to pattern each of a plurality of substrates belonging to one lot, and a plurality of processing one of the plurality of substrates based on specific information specifying one of the plurality of substrates. A controller configured to control the plurality of processing units based on the recipe information corresponding to the lot so as to determine one of the processing units of the plurality and to form patterns in parallel to the plurality of substrates by the plurality of processing units. Include.

Description

리소그래피 장치, 리소그래피 방법, 프로그램, 리소그래피 시스템 및 물품 제조 방법{LITHOGRAPHY APPARATUS, LITHOGRAPHY METHOD, PROGRAM, LITHOGRAPHY SYSTEM, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}Lithographic apparatus, lithographic methods, programs, lithographic systems and article manufacturing methods {LITHOGRAPHY APPARATUS, LITHOGRAPHY METHOD, PROGRAM, LITHOGRAPHY SYSTEM, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}

본 발명은, 리소그래피 장치, 리소그래피 방법, 프로그램, 리소그래피 시스템 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a lithographic apparatus, a lithographic method, a program, a lithographic system and an article manufacturing method.

리소그래피 장치는, 반도체 디바이스, MEMS 등과 같은 물품의 제조 공정에 포함되는 리소그래피 공정에서, 피가공물(기판) 상에 (예를 들어, 가공을 위한) 패턴을 형성한다. 리소그래피 장치의 일례로서, 기판 상의 미경화 수지를 몰드를 사용하여 성형하여, 수지 패턴을 기판 상에 형성하는 임프린트 장치가 제공된다. 예를 들어, 임프린트 장치는, 기판 상의 샷 영역에 미경화 상태의 광경화성 수지를 도포하고, 그 수지를 몰드에 의해 성형한 상태에서 광을 조사하여 수지를 경화시킨 후에 몰드 분리를 행하는(이형하는) 광경화법을 채용한다. 일본 특허 공개 공보 제2011-210992호는, 생산성을 향상시키도록 구성되는 복수의 처리 유닛(리소그래피 유닛), 및 복수의 처리 유닛에 기판 또는 원판을 반송하도록 구성되는 반송 유닛을 포함하는 클러스터형 리소그래피 장치를 개시하고 있다.BACKGROUND [0002] A lithographic apparatus forms a pattern (e.g., for processing) on a workpiece (substrate) in a lithography process that is involved in the manufacture of articles such as semiconductor devices, MEMS, and the like. As an example of a lithographic apparatus, an imprint apparatus is provided in which an uncured resin on a substrate is molded using a mold to form a resin pattern on a substrate. For example, the imprint apparatus applies a photocurable resin in an uncured state to a shot region on a substrate, irradiates light in a state in which the resin is molded by a mold, and cures the resin, thereby performing mold separation (released) ) Adopt photocuring method. Japanese Patent Laid-Open No. 2011-210992 discloses a cluster type lithographic apparatus including a plurality of processing units (lithography units) configured to improve productivity, and a conveying unit configured to convey a substrate or an original plate to the plurality of processing units. It is starting.

여기서, 일본 특허 공개 공보 제2011-210992호에 개시되어 있는 리소그래피 장치 내의 복수의 처리 유닛은, 상이한 패턴형성(patterning) 특성을 갖거나 몇개의 그룹으로 분류된다. 한편, 1개의 로트(lot)에 속하는 복수의 기판에 이미 형성되어 있는 패턴의 특성도 그 패턴을 형성하는 장치의 특성 등의 요인에 의해 서로 상이하거나 또는 몇 개의 그룹으로 분류된다. 이로 인해, 1개의 로트에 속하는 복수의 기판을 복수의 처리 유닛 중 임의의 처리 유닛에 의해 처리하는 것은, 중첩 정밀도의 관점에서 바람직하지 않다.Here, a plurality of processing units in the lithographic apparatus disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2011-210992 have different patterning characteristics or are classified into several groups. On the other hand, the characteristics of the patterns already formed on the plurality of substrates belonging to one lot are also different from each other or classified into several groups depending on factors such as the characteristics of the apparatus forming the patterns. For this reason, it is unpreferable to process the some board | substrate which belongs to one lot by the arbitrary processing unit among the some processing unit from a superposition precision.

본 발명은 예를 들어 중첩 정밀도에 있어서 유리한 리소그래피 장치를 제공한다.The present invention provides for example lithographic apparatus which is advantageous in terms of overlapping accuracy.

본 발명은, 1개의 로트에 속하는 복수의 기판에 각각 패턴형성을 행하도록 구성되는 복수의 처리 유닛을 포함하는 리소그래피 장치를 제공하는 것에 관한 것이며, 상기 장치는, 상기 복수의 기판 중 하나를 특정하는 특정 정보에 기초하여, 상기 복수의 기판 중 하나를 처리하는 상기 복수의 처리 유닛 중 하나의 결정을 행하고, 상기 복수의 처리 유닛에 의해 상기 복수의 기판에 병행하여 각각 상기 패턴형성이 행해지도록, 상기 로트에 대응하는 레시피 정보에 기초하여, 상기 복수의 처리 유닛을 제어하도록 구성되는 컨트롤러를 포함한다.The present invention relates to providing a lithographic apparatus including a plurality of processing units configured to pattern each of a plurality of substrates belonging to one lot, wherein the apparatus specifies one of the plurality of substrates. Based on the specific information, one of the plurality of processing units for processing one of the plurality of substrates is determined, and the pattern formation is performed in parallel with the plurality of substrates by the plurality of processing units, respectively. And a controller configured to control the plurality of processing units based on recipe information corresponding to the lot.

본 발명의 추가적인 특징은 (첨부된 도면과 관련한) 이하의 예시적인 실시형태에 대한 설명으로부터 명확해질 것이다.Further features of the present invention will become apparent from the following description of exemplary embodiments (with reference to the attached drawings).

도 1은, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 리소그래피 장치의 구성을 도시하는 평면도이다.
도 2는, 1개의 임프린트 처리 유닛을 도시하는 도면이다.
도 3a는, 기판 수납 유닛을 도시하는 측면도이다.
도 3b는, 각 웨이퍼에 대한 특정 정보를 도시하는 도면이다.
도 4a는, 기판 수납 유닛으로부터 웨이퍼를 수취하기 직전의 상태를 도시하는 평면도이다.
도 4b는, 기판 수납 유닛으로부터 웨이퍼를 수취하기 직전의 상태를 도시하는 측면도이다.
도 5a는, 기판 수납 유닛으로부터 웨이퍼를 반송하기 직전의 상태를 도시하는 측면도이다.
도 5b는, 기판 수납 유닛으로부터 웨이퍼를 반출하기 직전의 상태를 도시하는 측면도이다.
도 6은, 웨이퍼를 기판 수납 유닛으로부터 순서대로 처리 유닛에 반송하는 상태를 도시하는 평면도이다.
도 7은, 웨이퍼를 순서대로 처리 유닛으로부터 회수하고 기판 수납 유닛으로 복귀시키는 상태를 도시하는 평면도이다.
도 8은, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 리소그래피 장치의 구성을 도시하는 평면도이다.
도 9는, 리소그래피 장치에 적용되는 다른 처리 유닛의 구성을 도시하는 도면이다.
1 is a plan view showing the configuration of a lithographic apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating one imprint processing unit.
3A is a side view illustrating the substrate storage unit.
3B is a diagram showing specific information about each wafer.
4A is a plan view illustrating a state immediately before receiving a wafer from a substrate storage unit.
4B is a side view showing a state immediately before receiving a wafer from the substrate storage unit.
FIG. 5: A is a side view which shows the state just before conveying a wafer from a board | substrate accommodation unit. FIG.
FIG. 5B is a side view illustrating a state immediately before carrying out a wafer from a substrate storage unit. FIG.
FIG. 6 is a plan view illustrating a state in which a wafer is transferred from the substrate storage unit to the processing unit in order.
7 is a plan view illustrating a state in which wafers are sequentially recovered from a processing unit and returned to a substrate storage unit.
8 is a plan view showing the configuration of a lithographic apparatus according to a second embodiment of the present invention.
9 is a diagram illustrating a configuration of another processing unit applied to the lithographic apparatus.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 첨부의 도면을 참조하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described with reference to attached drawing.

(제1 실시형태)(1st embodiment)

먼저, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 리소그래피 장치에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 따른 리소그래피 장치는, 전처리 장치(아래서 설명됨)로부터 공급되고 1개의 로트에 속하는 복수(예를 들어, 25장)의 기판에 대하여 패턴 형성 처리를 각각 행하는 복수의 리소그래피 처리 유닛을 포함하는, 소위 클러스터형 리소그래피 장치이다. 이하, 본 실시형태에서는, 리소그래피 처리 유닛을 임프린트 처리 유닛(임프린트 장치)으로서 사용하는 클러스터형 임프린트 장치를 예로 들어 설명한다.First, a lithographic apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described. The lithographic apparatus according to the present embodiment includes a plurality of lithographic processing units which are each supplied from a pretreatment apparatus (described below) and perform pattern formation processing on a plurality of substrates (for example, 25 sheets) belonging to one lot. It is what is called a cluster type lithographic apparatus. Hereinafter, in this embodiment, the cluster type imprint apparatus which uses a lithographic processing unit as an imprint processing unit (imprint apparatus) is demonstrated as an example.

도 1은, 본 실시형태에 따른 클러스터형 임프린트 장치(200), 및 클러스터형 임프린트 장치(200)를 포함하는 임프린트 시스템(리소그래피 시스템)(100)의 구성을 도시하는 개략 평면도이다. 임프린트 시스템(100)은, 클러스터형 임프린트 장치(200) 및 전처리 장치(300)를 포함한다. 클러스터형 임프린트 장치(200)는, 복수(본 실시형태에서는, 일례로서 6개)의 임프린트 처리 유닛(210)(210A 내지 210F), 기판 반송 유닛(220), 및 클러스터 제어 유닛(컨트롤러)(230)을 포함한다.1 is a schematic plan view showing a configuration of an imprint system (lithography system) 100 including a clustered imprint apparatus 200 and a clustered imprint apparatus 200 according to the present embodiment. The imprint system 100 includes a clustered imprint apparatus 200 and a preprocessor 300. The cluster type imprint apparatus 200 includes a plurality of imprint processing units 210 (210A to 210F), a substrate transfer unit 220, and a cluster control unit (controller) 230 (in this embodiment, six as an example). It includes.

도 2는, 임프린트 처리 유닛(이하, 간단히 "처리 유닛"이라 칭한다)(210)의 구성을 도시하는 개략도이다. 처리 유닛(210)은, 물품으로서의 반도체 디바이스 등의 제조 공정 중 리소그래피 공정을 실시하며, 피처리 기판으로서의 웨이퍼(1)(기판) 위의 미경화 수지(15)를 몰드(5)에 의해 성형하고, 웨이퍼(1) 위에 수지(15)의 패턴을 형성한다. 또한, 처리 유닛(210)은 본원에 개시된 광경화법을 채용한다. 또한, 이하에서 설명되는 도면에서는, 웨이퍼(1) 상의 수지(15)에 대하여 자외선을 조사하도록 구성되는 조명 시스템(6)의 광축에 평행하게 Z축이 제공되고, Z축에 수직한 평면 내에 서로 직교하는 X축 및 Y축이 제공된다. 처리 유닛(210)은, 조명 시스템(6), 몰드 보유지지 기구(16), 얼라인먼트 계측 시스템(11), 웨이퍼 스테이지(3), 도포 유닛(17), 및 처리 유닛 제어 유닛(18)을 포함한다.2 is a schematic diagram showing the configuration of an imprint processing unit (hereinafter, simply referred to as a "processing unit") 210. The processing unit 210 performs a lithography process in a manufacturing process such as a semiconductor device as an article, and molds the uncured resin 15 on the wafer 1 (substrate) as the substrate to be processed by the mold 5. The pattern of the resin 15 is formed on the wafer 1. In addition, the processing unit 210 employs the photocuring method disclosed herein. In addition, in the drawings described below, the Z axis is provided parallel to the optical axis of the illumination system 6 configured to irradiate the ultraviolet light to the resin 15 on the wafer 1, and is mutually in a plane perpendicular to the Z axis. Orthogonal X and Y axes are provided. The processing unit 210 includes an illumination system 6, a mold holding mechanism 16, an alignment measurement system 11, a wafer stage 3, an application unit 17, and a processing unit control unit 18. do.

조명 시스템(6)은, 임프린트 처리 시에, 광원으로부터 방출되는 자외선(19)을 임프린트에 적합한 광으로 조정하고, 그 자외선(19)을 몰드(5)에 조사한다. 수은 램프 등의 램프가 광원으로서 채용될 수 있지만, 광원이 몰드(5)를 투과하고 수지(자외선 경화 수지)(15)의 경화를 가능하게 하는 파장을 갖는 광을 방출하도록 구성되는 한은, 광원은 특별히 한정되지 않는다. 또한, 본 실시형태에서는, 광경화법을 채용하는 조명 시스템(6)을 설치하지만, 예를 들어 열경화법을 채용하는 경우에는, 조명 시스템(6) 대신에 열경화성 수지를 경화시키도록 구성되는 열원 유닛을 설치한다.The illumination system 6 adjusts the ultraviolet-ray 19 emitted from a light source at the time of an imprint process to the light suitable for imprint, and irradiates the ultraviolet-ray 19 to the mold 5. Although a lamp such as a mercury lamp may be employed as the light source, as long as the light source is configured to emit light having a wavelength that penetrates the mold 5 and enables curing of the resin (ultraviolet curing resin) 15, the light source may be It is not specifically limited. In addition, in this embodiment, although the illumination system 6 which employs the photocuring method is provided, when the thermosetting method is employ | adopted, for example, the heat source unit comprised so that it may harden a thermosetting resin instead of the illumination system 6 is provided. Install.

몰드(5)는 다각형(바람직하게는, 직사각형 또는 정사각형)인 외주 형상을 갖고, 웨이퍼(1)에 대면하는 그 표면은 예를 들어 회로 패턴 등이 전사되는 요철 패턴(concavo-convex pattern)이 3차원적으로 형성된 패턴부(5a)를 포함한다. 또한, 패턴 사이즈는 제조 대상으로서의 물품에 따라 다양하지만, 미세한 물품의 경우에는 패턴 사이즈는 수십 나노미터의 패턴도 포함한다. 또한, 몰드(5)의 재료는, 자외선(19)의 침투를 가능하게 하고 바람직하게는 낮은 열팽창계수를 갖는 예를 들어 석영이다.The mold 5 has an outer circumferential shape that is polygonal (preferably rectangular or square), and the surface facing the wafer 1 has, for example, a concavo-convex pattern in which a circuit pattern or the like is transferred. It includes the pattern portion 5a formed dimensionally. The pattern size varies depending on the article to be manufactured, but in the case of fine articles, the pattern size also includes patterns of several tens of nanometers. Further, the material of the mold 5 is, for example, quartz, which enables the penetration of the ultraviolet ray 19 and preferably has a low coefficient of thermal expansion.

도시되지 않았지만, 몰드 보유지지 기구(16)는, 몰드(5)를 보유지지하도록 구성되는 몰드 척, 및 몰드 척을 보유지지하고 몰드(5)를 이동시키도록 구성되는 몰드 구동 기구를 갖는다. 몰드 척은, 몰드(5)의 자외선(19) 조사면의 외주 영역을 진공 흡착력 또는 정전기의 힘에 의해 끌어 당김으로써 몰드(5)를 보유지지할 수 있다. 또한, 몰드 척 및 몰드 구동 기구는, 조명 시스템(6)으로부터 조사된 자외선(19)이 몰드(5)를 투과하여 웨이퍼(1)를 향하도록, 중심부(내측)에 형성된 개구 영역을 갖는다. 몰드 구동 기구는, 몰드(5)와 웨이퍼(1) 상의 수지(15) 사이의 가압 또는 분리가 선택적으로 행해지도록 몰드(5)를 축 방향으로 이동시킨다. 예를 들어, 몰드 구동 기구에 채용될 수 있는 동력원으로서 선형 모터 또는 공기 실린더가 사용된다. 또한, 몰드(5)가 정밀한 위치결정을 지원하기 위해, 상기 기구는 조도 구동 시스템, 미동 구동 시스템 등과 같은 복수의 구동 시스템으로 구성될 수 있다. 또한, Z축 방향, X축 방향, Y축 방향 또는 θ(Z축 둘레의 회전) 방향의 위치 조정 기능, 몰드(5)의 기울기를 보정하기 위한 틸트 기능 등을 갖는 구성이 제공될 수 있다. 또한, 임프린트 처리 시의 가압 동작 및 분리 동작은 몰드(5)를 Z축 방향으로 이동시킴으로써 실현될 수 있지만, 웨이퍼 스테이지(3)를 Z축 방향으로 이동시키거나 그 양자 모두를 서로에 대해 상대적으로 이동시킴으로써 실현될 수도 있다.Although not shown, the mold holding mechanism 16 has a mold chuck configured to hold the mold 5 and a mold driving mechanism configured to hold the mold chuck and to move the mold 5. The mold chuck can hold the mold 5 by pulling the outer circumferential region of the ultraviolet ray 19 irradiated surface of the mold 5 by a vacuum suction force or an electrostatic force. In addition, the mold chuck and the mold drive mechanism have an opening region formed in the center part (inside) so that the ultraviolet ray 19 irradiated from the illumination system 6 passes through the mold 5 and faces the wafer 1. The mold drive mechanism moves the mold 5 in the axial direction so that pressurization or separation between the mold 5 and the resin 15 on the wafer 1 is selectively performed. For example, a linear motor or air cylinder is used as the power source that can be employed in the mold drive mechanism. Also, in order for the mold 5 to support precise positioning, the mechanism may be composed of a plurality of drive systems such as an illuminance drive system, a fine drive system, and the like. In addition, a configuration may be provided having a position adjusting function in the Z-axis direction, the X-axis direction, the Y-axis direction, or the θ (rotation around the Z-axis) direction, a tilt function for correcting the inclination of the mold 5, and the like. Further, the pressing operation and the separating operation in the imprint process can be realized by moving the mold 5 in the Z-axis direction, but moving the wafer stage 3 in the Z-axis direction or both of them relative to each other. It may be realized by moving.

얼라인먼트 계측 시스템(11)은, 몰드(5)에 미리 형성되어 있는 얼라인먼트 마크, 및 웨이퍼(1)에 미리 형성되어 있는 얼라인먼트 마크를 광학적으로 관찰하고, 그들 사이의 상대 위치 관계를 계측한다.The alignment measurement system 11 optically observes the alignment mark previously formed in the mold 5 and the alignment mark previously formed in the wafer 1, and measures the relative positional relationship therebetween.

웨이퍼(1)는, 예를 들어 단결정 실리콘 기판 또는 실리콘 온 인슐레이터(Silicon on Insulator)(SOI) 기판이다. 웨이퍼(1) 상에는 복수의 샷 영역(패턴형성 영역)이 설정되어 있고, 처리 유닛(210A 내지 210F)은 이 샷 위에 연속적으로 임프린트 처리를 실시한다.The wafer 1 is, for example, a single crystal silicon substrate or a silicon on insulator (SOI) substrate. A plurality of shot regions (pattern forming regions) are set on the wafer 1, and the processing units 210A to 210F continuously perform imprint processing on these shots.

웨이퍼 스테이지(3)는, 웨이퍼(1)를 보유지지하고, 몰드(5)에 의한 웨이퍼(1) 상의 수지(15)의 성형시에, 몰드(5)와 웨이퍼(1)(샷 영역) 사이의 위치결정을 위해 이동될 수 있다. 웨이퍼 스테이지(3)는, 웨이퍼(1)를 흡착력에 의해 보유지지하는 웨이퍼 척(2), 및 웨이퍼 척(2)을 기계적 수단에 의해 보유지지하고 정반(4) 위에서 적어도 웨이퍼(1)의 표면을 따르는 방향으로 이동가능하도록 구성되는 스테이지 구동 기구를 갖는다. 예를 들어, 스테이지 구동 기구에 채용될 수 있는 동력원으로서 리니어 모터 또는 평면 모터가 제공된다. 스테이지 구동 기구 또한 X축 및 Y축의 방향에 대하여 조동 구동 시스템, 미동 구동 시스템 등과 같은 복수의 구동 시스템에 의해 구성될 수 있다. 또한, 상기 기구는 Z축 방향의 위치를 조정하도록 구성되는 구동 시스템, 웨이퍼(1)의 θ 방향의 위치 조정 기능, 웨이퍼(1)의 기울기를 보정하기 위한 틸트 기능 등을 갖는 구성을 가질 수도 있다.The wafer stage 3 holds the wafer 1 and is formed between the mold 5 and the wafer 1 (shot region) during molding of the resin 15 on the wafer 1 by the mold 5. Can be moved for positioning. The wafer stage 3 comprises a wafer chuck 2 for holding the wafer 1 by adsorptive force, and at least a surface of the wafer 1 on the surface 4 holding the wafer chuck 2 by mechanical means. It has a stage drive mechanism configured to be movable in the direction along. For example, a linear motor or a planar motor is provided as a power source that can be employed in the stage drive mechanism. The stage drive mechanism may also be constituted by a plurality of drive systems such as a coarse drive system, a fine drive system and the like with respect to the directions of the X and Y axes. In addition, the mechanism may have a configuration having a drive system configured to adjust the position in the Z-axis direction, a position adjusting function in the θ direction of the wafer 1, a tilt function for correcting the inclination of the wafer 1, and the like. .

도포 유닛(17)은, 몰드 보유지지 기구(16)의 근방에 설치되고, 샷 상에 수지(미경화 수지)(15)를 도포한다. 도포 유닛(17)은, 토출부(7), 수지(15)를 수용하도록 구성되는 탱크(8), 탱크(8)로부터 토출부(7)에 수지를 공급하도록 구성되는 공급 배관(9), 및 토출부(7)를 이동시키도록 구성되는 이동 유닛(10)을 포함한다. 이동부(10)는, 토출부(7)를 통상의 토출 시에는 토출 위치에 위치결정하고, 토출부(7)를 유지보수(클리닝 또는 교환) 시에는 퇴피 위치(유지보수 위치)로 이동시킨다. 여기서, 수지(15)는, 자외선(19)을 수광함으로써 경화되는 성질을 갖는 자외선 경화 수지(광경화성 수지)이거나 임프린트재일 수 있으며, 디바이스 제조 공정 등의 다양한 조건에 따라 적절히 선택된다. 또한, 도포 유닛(17)으로부터 도포(토출)되는 수지(15)의 양 또한 웨이퍼(1) 상에 형성되는 수지(15)의 원하는 두께, 형성되는 패턴의 밀도 등에 의해 적절히 결정된다.The application unit 17 is provided in the vicinity of the mold holding mechanism 16 and applies the resin (uncured resin) 15 onto the shot. The coating unit 17 includes a discharge unit 7, a tank 8 configured to receive the resin 15, a supply pipe 9 configured to supply resin from the tank 8 to the discharge unit 7, And a moving unit 10 configured to move the discharge portion 7. The moving unit 10 positions the discharge unit 7 at the discharge position during normal discharge, and moves the discharge unit 7 to the retracted position (maintenance position) during maintenance (cleaning or replacement). . Here, the resin 15 may be an ultraviolet curable resin (photocurable resin) or an imprint material having a property of being cured by receiving the ultraviolet light 19, and may be appropriately selected according to various conditions such as a device manufacturing process. In addition, the amount of the resin 15 applied (discharged) from the coating unit 17 is also appropriately determined by the desired thickness of the resin 15 formed on the wafer 1, the density of the pattern to be formed, and the like.

처리 유닛 제어 유닛(18)은, 처리 유닛(210)의 구성요소의 동작, 조정 등을 제어한다. 도시되지 않았지만, 처리 유닛 제어 유닛(18)은, CPU, DSP 등과 같은 계산 유닛, 및 레시피 정보 등을 저장하도록 구성되는 메모리, 하드 디스크 등과 같은 저장 유닛을 포함한다. 여기서, 레시피 정보는, 웨이퍼(1) 또는 웨이퍼(1)의 군으로서의 로트가 처리될 때의 처리 정보를 포함한다. 예를 들어, 샷의 레이아웃, 임프린트 처리되는 샷의 순서, 각 샷에서의 처리 조건 등이 처리 정보로서 제공될 수 있다. 이 중, 예를 들어 웨이퍼(1) 상에 도포된 수지(15)에 몰드(5)를 가압하는데 걸리는 시간인 충전 시간, 또는 자외선(19)을 조사하여 수지(15)를 경화시키는데 걸리는 시간인 노광 시간이 처리 조건으로서 제공된다. 또한, 수지(15)의 종류, 각 샷 당 도포되는 도포된 수지(15)의 양인 수지 도포량 등과 같은 도포 조건이 또한 임프린트 조건으로서 제공된다. 클러스터 제어 유닛(컨트롤러)(230)은, 처리 유닛(210A 내지 210F)의 처리 유닛 제어 유닛(18)에 레시피 정보를 송신하고, 처리 유닛 제어 유닛(18)은 수신된 레시피 정보에 기초하여 기판 반송 유닛(220)에 의해 반입된 웨이퍼(1)에 대하여 임프린트 처리를 행한다.The processing unit control unit 18 controls the operation, adjustment, and the like of the components of the processing unit 210. Although not shown, the processing unit control unit 18 includes a calculation unit such as a CPU, a DSP, and the like, and a storage unit, such as a memory, a hard disk, and the like, configured to store recipe information and the like. Here, the recipe information includes processing information when the wafer 1 or a lot as a group of the wafers 1 is processed. For example, layout of shots, order of shots to be imprinted, processing conditions in each shot, and the like may be provided as processing information. Among these, for example, the filling time, which is the time taken to press the mold 5 to the resin 15 coated on the wafer 1, or the time taken to cure the resin 15 by irradiating the ultraviolet ray 19, The exposure time is provided as the processing condition. In addition, application conditions such as the type of the resin 15, the amount of resin applied which is the amount of the applied resin 15 applied per shot, and the like are also provided as imprint conditions. The cluster control unit (controller) 230 transmits recipe information to the processing unit control unit 18 of the processing units 210A to 210F, and the processing unit control unit 18 transfers the substrate based on the received recipe information. An imprint process is performed on the wafer 1 carried in by the unit 220.

도 1로 돌아와서, 반송 유닛(220)은, 전처리 장치(300)로부터 처리 유닛(210A 내지 210F)에 웨이퍼(1)를 반송(전달)한다. 반송 유닛(220)은, 예를 들어 레일 또는 주행 가이드로서의 반송로(13), 및 반송로(13) 위를 주행하도록 구성되고 웨이퍼(1)를 보유지지하는 핸드(hand)(25)를 지지하는 아암을 갖는 반송 로봇(24)을 포함한다. 아암은, 신축가능하고, 또한 Z축 방향 및 Z축 둘레(θz 방향)으로도 이동가능하다. 반송 로봇(24)은, 전처리 장치(300)에서 전처리된 1매의 웨이퍼(1)가 배치되는 기판 수납 유닛(14)으로부터 그 1매의 전처리된 웨이퍼(1)를 수취한 후, 처리를 담당하는 처리 유닛(210)까지 웨이퍼(1)를 이동시키고, 웨이퍼(1)를 처리 유닛(210) 안으로 전달한다. 또한, 설치된 핸드(25)의 수, 반송 로봇(24)의 동작 등에 대해서는 이하에서 상세하게 설명한다. 여기서, 클러스터 제어 유닛(컨트롤러)(230)(아래에서 설명함)은, 예를 들어 1개의 로트에 속하는 복수의 기판(웨이퍼)에 대한 전처리를 행하는 전처리 장치(300)로부터 반송된 복수의 기판의 순서에 기초하여, 당해 기판을 특정하는 특정 정보를 취득할 수 있다.Returning to FIG. 1, the conveying unit 220 conveys (transfers) the wafer 1 from the pretreatment apparatus 300 to the processing units 210A to 210F. The conveying unit 220 supports, for example, a conveying path 13 as a rail or a traveling guide, and a hand 25 configured to travel on the conveying path 13 and holding the wafer 1. The carrier robot 24 which has an arm to be included is included. The arm is stretchable and also movable in the Z axis direction and in the Z axis circumference (θz direction). The transfer robot 24 is in charge of processing after receiving the one pretreated wafer 1 from the substrate storage unit 14 in which the one wafer 1 pretreated by the pretreatment device 300 is disposed. The wafer 1 is moved to the processing unit 210, and the wafer 1 is transferred into the processing unit 210. In addition, the number of the installed hands 25, the operation | movement of the transfer robot 24, etc. are demonstrated in detail below. Here, the cluster control unit (controller) 230 (discussed below) is used, for example, of the plurality of substrates conveyed from the pretreatment apparatus 300 which performs preprocessing on a plurality of substrates (wafers) belonging to one lot. Based on the procedure, specific information specifying the substrate can be obtained.

클러스터 제어 유닛(230)(컨트롤러)은, 예를 들어 정보 처리 장치(컴퓨터)에 의해 구성되며, 클러스터형 임프린트 장치(200)의 구성요소의 동작을 제어한다. 그리고, 본 실시형태에 따른 처리(리소그래피 방법)는 프로그램을 사용하여 정보 처리 장치에 의해 행해질 수 있다. 또한, 클러스터 제어 유닛(컨트롤러)(230)은, 통신 회선(240)을 통해 반송 유닛(220)에 제어 신호를 송신하면서 통신 회선(도시되지 않음)을 통해 처리 유닛(210A 내지 210F) 사이에서 레시피 정보 등과 같은 다양한 정보를 송신한다.The cluster control unit 230 (controller) is configured by, for example, an information processing apparatus (computer), and controls the operation of the components of the cluster-type imprint apparatus 200. And the process (lithography method) according to the present embodiment can be performed by the information processing apparatus using a program. In addition, the cluster control unit (controller) 230 transmits a recipe between the processing units 210A to 210F via a communication line (not shown) while transmitting a control signal to the transfer unit 220 via the communication line 240. Send various information such as information.

전처리 장치(300)는, 처리 유닛(210A 내지 210F)에서 임프린트 처리를 행하기 전의 처리로서, 예를 들어 클러스터형 임프린트 장치(200)에 의해 지정된 로트의 웨이퍼(1) 상에 부착층을 스핀 도포하는 도포 장치이다. 부착층은, 수지(15)와 웨이퍼(1)의 부착성을 향상시키고 웨이퍼(1)의 표면에서의 미경화 수지(15)의 확산성을 향상시키기 위해 웨이퍼(1)의 전체면에 형성되는 층이며, 예를 들어 광반응-관련 단분자 막 또는 반응성 관능기 등을 포함하는 재료로 형성된다. 또한, 여기에서는, 일례로서 전처리 장치(300)는 도포 장치이지만, 전처리 장치(300)는, 장치가 처리 유닛(210)에서 임프린트 처리로서의 전처리를 행하는 한은, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 전처리 장치(300)는, 성막 등의 화학적 처리가 행해진 후에 웨이퍼(1)에 막을 정착시키기 위한 열처리를 행하는 장치이어도 된다. 또한, 도시되지 않았지만, 전처리 장치(300)는, 그 정면(도 1중, 클러스터형 임프린트 장치(200)의 반대측)에, 처리 유닛(210A 내지 210F)에 각각 대응하는 복수의 FOUP를 설치(수용)할 수 있다. "FOUP"은 "front opening unified pod(전방 개방 통합 포드)"의 약어이다.The pretreatment device 300 is a process before the imprint process is performed in the processing units 210A to 210F, for example, spin-coating an adhesion layer on the wafer 1 of the lot designated by the cluster-type imprint apparatus 200. It is an application device. The adhesion layer is formed on the entire surface of the wafer 1 to improve the adhesion between the resin 15 and the wafer 1 and to improve the diffusibility of the uncured resin 15 on the surface of the wafer 1. Layer, for example, formed of a material comprising a photoreaction-related monomolecular film or a reactive functional group or the like. In addition, although the pretreatment apparatus 300 is an application | coating apparatus as an example here, the pretreatment apparatus 300 is not specifically limited as long as the apparatus performs the preprocessing as an imprint process in the processing unit 210. For example, the pretreatment apparatus 300 may be an apparatus which performs heat treatment for fixing a film on the wafer 1 after chemical treatment such as film formation is performed. In addition, although not shown in figure, the preprocessing apparatus 300 installs (accommodates) the FOUP corresponding to the processing units 210A-210F in the front surface (opposite side of the cluster type imprint apparatus 200 in FIG. 1), respectively. can do. "FOUP" is an abbreviation for "front opening unified pod".

도 3a 및 도 3b는, 기판 수납 유닛(14), 그 내부에 수용되는 웨이퍼(1), 및 웨이퍼(1)에 관련된 특정 정보(1a 내지 1f)를 도시하는 도면이다. 이 중, 도 3a는, 전처리 장치(300) 부근에 배치되고 반송 유닛(220)의 반송로(13)에 연속하는 설치부(20)(도 1 참조)에 배치되는 기판 수납 유닛(14)을 도시하는 개략 측면도이다. 전처리 장치(300)에 의해 형성되는 부착층은, 도포 후에, 처리 유닛(210A 내지 210F) 안으로 수지(15)가 토출되는 시간이 규정된 시간 내에 있도록 형성되어야 한다. 그로 인해, 로트의 웨이퍼의 수에 대응하는 부착층이 형성된 웨이퍼(1)가, 설치부(20) 상의 기판 수납 유닛(14)에 수취된다. 본 실시형태에서는, 기판 수납 유닛(14)에 수납되는 복수의 웨이퍼(1)는, 복수의 그룹으로 분류되고, 클러스터 제어 유닛(컨트롤러)(230)에 의해 개별적으로 식별(특정)된다. 예를 들어, 클러스터형 임프린트 장치(200)는 6개의 처리 유닛(210A 내지 210F)을 갖기 때문에, 복수의 웨이퍼(1)(웨이퍼(1a 내지 1f))는 모든 처리 유닛에 할당되도록 6종의 그룹으로 분류될 수 있다. 구체적으로는, 클러스터 제어 유닛(컨트롤러)(230)은, 예를 들어 몰드 타입 정보, 결함 위치 정보, 수지(15)의 도포 조건을 포함하는 레시피 정보 등에 기초하여, 각각의 웨이퍼(1)가 어느 그룹에 속할지를 미리 결정한다. 여기서, 몰드 타입 정보는, 웨이퍼(1)에 이미 패턴(베이스 패턴)이 형성되어 있는 경우에는, 어느 몰드(5)(5a 내지 5f)를 사용하여 그 패턴이 형성되었는지를 나타내는 정보이다. 결함 위치 정보는, 상기와 마찬가지로 웨이퍼에 이미 패턴이 형성되어 있는 경우에는, 패턴에 결함이 발생해 있는 특정한 샷의 위치를 나타내는 정보이다. 결함 위치 정보는, 예를 들어 클러스터형 임프린트 장치(200)의 내측 및 외측에서의 이물 검사에 따라 특정 웨이퍼(1)에 이물이 존재하는 경우 등을 포함한다. 또한, 몰드 타입 정보 또는 결함 위치 정보는, 레시피 정보와 독립적인 것이 아니라, 레시피 정보에 포함되는 경우가 있을 수도 있다. 또한, 클러스터형 임프린트 장치(200)는, 분류 정보 등과 같은 상기 결정에 관한 정보를 수신하도록 구성되는 수신 유닛을 가질 수 있다. 그 경우, 클러스터 제어 유닛(컨트롤러)(230)은, 웨이퍼(1)의 특정 정보를 취득하고, 상기 결정에 관한 정보를 수신함으로써, 웨이퍼(1)에 대응하는 처리 유닛(210A 내지 210F) 모두의 처리를 행할 수 있다. 본 실시형태에서는, 취득 유닛으로서의 클러스터 제어 유닛(컨트롤러)(230)은, 전처리 장치(300) 또는 상위 제어 장치(400)로부터 통신 회선(250 또는 410)을 통해 상기 결정에 관한 정보를 취득할 수 있다. 또한, 클러스터 제어 유닛(컨트롤러)(230)은, 특정 정보(그것에 대응하는 몰드 타입 정보, 결함 위치 정보, 도포 조건 등 중 적어도 1개) 및 레시피 정보에 기초하여, 복수의 처리 유닛에서의 패턴형성을 위한 처리 조건을 결정한다.3A and 3B are diagrams showing the substrate storage unit 14, the wafer 1 accommodated therein, and specific information 1a to 1f related to the wafer 1. Among these, FIG. 3A shows the board | substrate storage unit 14 arrange | positioned in the installation part 20 (refer FIG. 1) which is arrange | positioned in the vicinity of the preprocessing apparatus 300, and is continuous to the conveyance path 13 of the conveying unit 220. As shown in FIG. It is a schematic side view which shows. The adhesion layer formed by the pretreatment apparatus 300 should be formed so that, after application, the time at which the resin 15 is discharged into the processing units 210A to 210F is within a prescribed time. Therefore, the wafer 1 in which the adhesion layer corresponding to the number of wafers of the lot was formed is received by the substrate storage unit 14 on the mounting portion 20. In the present embodiment, the plurality of wafers 1 housed in the substrate storage unit 14 are classified into a plurality of groups and individually identified (specifically) by the cluster control unit (controller) 230. For example, since the clustered imprint apparatus 200 has six processing units 210A to 210F, the plurality of wafers 1 (wafers 1a to 1f) are divided into six groups to be allocated to all processing units. Can be classified. Specifically, the cluster control unit (controller) 230 may determine which wafer 1 is based on, for example, mold type information, defect position information, recipe information including application conditions of the resin 15, and the like. Determine in advance whether to belong to a group. Here, the mold type information is information indicating which mold 5 (5a to 5f) is used to form the pattern when the pattern (base pattern) is already formed on the wafer 1. Defect position information is information which shows the position of the specific shot in which the defect generate | occur | produced in the pattern, when the pattern is already formed in the wafer similarly to the above. Defect position information includes the case where a foreign material exists in the specific wafer 1 according to the foreign material inspection in the inside and the outside of the cluster type imprint apparatus 200, etc., for example. In addition, mold type information or defect position information may be contained in recipe information instead of independent of recipe information. In addition, the cluster-type imprint apparatus 200 may have a receiving unit configured to receive information regarding the determination, such as classification information. In that case, the cluster control unit (controller) 230 acquires the specific information of the wafer 1 and receives the information relating to the determination, thereby eliminating all of the processing units 210A to 210F corresponding to the wafer 1. The process can be performed. In this embodiment, the cluster control unit (controller) 230 as an acquisition unit can acquire the information regarding the said determination from the preprocessor 300 or the host controller 400 via the communication line 250 or 410. have. In addition, the cluster control unit (controller) 230 forms the pattern in the plurality of processing units based on the specific information (at least one of the mold type information, defect position information, application conditions, etc.) corresponding to it and recipe information. Determine processing conditions for

도 3b는, 특정 정보와 그룹 사이의 대응 관계를 도시하는 개략도이다. 특정 정보(여기서는, 웨이퍼(1a 내지 1f) 모두에 대응)는, 6개의 그룹에 대응하는 처리 유닛(210A 내지 210F) 모두와 조합된다. 예를 들어, 웨이퍼(1a)인 특정 웨이퍼(1)가 제1 그룹인 처리 유닛(210A)에 의해 처리됨에 따라, 웨이퍼(1b)인 특정 웨이퍼는 제2 그룹인 처리 유닛(210B)에 의해 처리된다.3B is a schematic diagram showing a correspondence relationship between specific information and a group. The specific information (corresponding to all of the wafers 1a to 1f in this case) is combined with all of the processing units 210A to 210F corresponding to six groups. For example, as the specific wafer 1 which is the wafer 1a is processed by the processing unit 210A which is the first group, the specific wafer which is the wafer 1b is processed by the processing unit 210B which is the second group. do.

또한, 통신 회선을 통해 클러스터 제어 유닛(컨트롤러)(230) 및 전처리 장치(300) 또는 상위 제어 장치(400)에 접속되고, 전체 임프린트 시스템(100)을 통괄하도록 구성되는 통괄 제어 유닛이 제공될 수 있다. 이 경우, 클러스터 제어 유닛(컨트롤러)(230)은 통괄 제어 유닛을 통해 특정 정보를 수신할 수 있다.In addition, an integrated control unit connected to the cluster control unit (controller) 230 and the preprocessor 300 or the upper control apparatus 400 via a communication line, and configured to integrate the entire imprint system 100 may be provided. have. In this case, the cluster control unit (controller) 230 may receive specific information through the integrated control unit.

이어서, 클러스터형 임프린트 장치(200)의 동작 제어에 대해서 설명한다. 도 4a 및 도 4b는, 복수의 웨이퍼(1)가 수납되는 기판 수납 유닛(14)으로부터 반송 로봇(24)이 웨이퍼(1)을 수취하기 직전의 상태를 도시하는 개략도이다. 이 중, 도 4a는 평면도이며, 도 4b는 측면도이다. 핸드(25)는 6개의 처리 유닛(210A 내지 210F)에 처리 대상으로서의 웨이퍼(1)를 한번에 반송할 수 있어야 하기 때문에, 1개의 반송 로봇(24)에 6개의 핸드(25a 내지 25f)가 설치되어 있다. 구체적으로는, 기판 수납 유닛(14)이 도 4b에 도시된 바와 같이 Z축 방향으로 병렬로 복수의 웨이퍼(1)를 수납하는 경우, 핸드(25a 내지 25f)는 복수의 웨이퍼(1)의 수납 위치에 맞춰서 설치된다.Next, operation control of the cluster-type imprint apparatus 200 will be described. 4A and 4B are schematic diagrams showing a state immediately before the transfer robot 24 receives the wafer 1 from the substrate storage unit 14 in which the plurality of wafers 1 are stored. 4A is a top view, and FIG. 4B is a side view. Since the hands 25 must be able to transport the wafer 1 as a processing target to the six processing units 210A to 210F at once, six hands 25a to 25f are provided in one transfer robot 24. have. Specifically, when the substrate storage unit 14 houses the plurality of wafers 1 in parallel in the Z-axis direction as shown in FIG. 4B, the hands 25a to 25f store the plurality of wafers 1. It is installed according to the location.

도 5는, 복수의 웨이퍼(1)가 수납되는 기판 수납 유닛(14)으로부터 반송 로봇(24)이 웨이퍼(1)를 수취하는 상태를 도 5a 및 도 5b를 사용하여 시계열적으로 도시하는 개략 측면도이다. 먼저, 핸드(25a 내지 25f)는, 도 5a에 도시된 바와 같이, 동시에 화살표 방향으로 기판 수납 유닛(14) 안으로 진입하고, 각각 처리 유닛(210A 내지 210F)과 조합된 웨이퍼(1a 내지 1f)를 개별적으로 보유지지한다. 이어서, 핸드(25a 내지 25f)는, 도 5b에 도시된 바와 같이, 동시에 화살표 방향으로 기판 수납 유닛(14)으로부터 웨이퍼(1a 내지 1f)를 반출한다.FIG. 5 is a schematic side view illustrating the state in which the transfer robot 24 receives the wafer 1 from the substrate storage unit 14 in which the plurality of wafers 1 are stored, in time series using FIGS. 5A and 5B. to be. First, the hands 25a to 25f enter the substrate storage unit 14 at the same time in the direction of the arrow, as shown in Fig. 5A, and each of the wafers 1a to 1f combined with the processing units 210A to 210F, respectively. Held individually. Subsequently, the hands 25a to 25f carry out the wafers 1a to 1f from the substrate storage unit 14 in the arrow direction at the same time as shown in Fig. 5B.

도 6은, 기판 수납 유닛(14)으로부터 반출된 웨이퍼(1a 내지 1f)를 반송 로봇(24)이 순차적으로 처리 유닛(210A 내지 210F)에 반송하는 상태를 도시하는 개략 평면도이다. 여기서, 클러스터 제어 유닛(컨트롤러)(230)은, 화살표로 나타낸 반송 로봇(24)으로부터의 이동 경로를 통해, 웨이퍼(1a 내지 1f)를, 미리 조합되어 있는 처리 유닛(210A 내지 210F)의 모든 처리 유닛 안으로 반입시킨다. 그 후, 클러스터 제어 유닛(컨트롤러)(230)은 처리 유닛(210A 내지 210F)의 웨이퍼(1a 내지 1f)를 병행하여 처리한다.FIG. 6 is a schematic plan view showing a state in which the transfer robot 24 sequentially transfers the wafers 1a to 1f taken out from the substrate storage unit 14 to the processing units 210A to 210F. Here, the cluster control unit (controller) 230 processes all of the processing units 210A to 210F in which the wafers 1a to 1f are combined in advance through the movement path from the transfer robot 24 indicated by the arrows. Bring into the unit. Thereafter, the cluster control unit (controller) 230 processes the wafers 1a to 1f of the processing units 210A to 210F in parallel.

도 7은, 처리 유닛(210A 내지 210F)에서 임프린트 처리된 웨이퍼(1a 내지 1f)를 반송 로봇(24)이 순차적으로 회수하고 웨이퍼를 기판 수납 유닛(14)에 반송(복귀)시키는 상태를 도시하는 개략 평면도이다. 여기서, 클러스터 제어 유닛(컨트롤러)(230)은, 반송 로봇(24)을 향해 화살표로 나타내는 이동 경로를 따라 처리 유닛(210A 내지 210F)으로부터 웨이퍼(1a 내지 1f)를 반출하고, 웨이퍼를 기판 수납 유닛(14)에 반송시킨다.FIG. 7 shows a state in which the transfer robot 24 sequentially recovers the wafers 1a to 1f imprinted from the processing units 210A to 210F and transfers (returns) the wafers to the substrate storage unit 14. It is a schematic plan view. Here, the cluster control unit (controller) 230 carries out the wafers 1a to 1f from the processing units 210A to 210F along the movement path indicated by the arrows toward the transfer robot 24, and transfers the wafers to the substrate storage unit. (14).

이와 같이, 클러스터 제어 유닛(컨트롤러)(230)은, 특정 정보에 기초하여, 로트 내의 개개의 웨이퍼(1)를 처리하는데 최적인 처리 유닛을 복수의 처리 유닛(210A 내지 210F)으로부터 결정한다. 여기서, 특정 정보 및 복수의 처리 유닛(210A 내지 210F) 모두를 포함하는 그룹은 상기한 바와 같은 패턴형성의 특성을 고려하여 미리 대응 관계에 있다. 따라서, 웨이퍼(1)는, 클러스터형 임프린트 장치(200)에서, 중첩 정밀도가 가장 높아지는 조건 하에서 개별적으로 임프린트 처리된다.In this manner, the cluster control unit (controller) 230 determines, from the plurality of processing units 210A to 210F, processing units that are optimal for processing individual wafers 1 in the lot based on the specific information. Here, the group including all of the specific information and the plurality of processing units 210A to 210F has a corresponding relationship in advance in consideration of the characteristics of pattern formation as described above. Therefore, the wafer 1 is individually imprinted in the cluster type imprint apparatus 200 under the condition that the overlapping accuracy is the highest.

이상과 같이, 본 실시형태에 따르면, 중첩 정밀도에서 유리한 리소그래피 장치를 제공할 수 있다.As described above, according to the present embodiment, it is possible to provide a lithographic apparatus that is advantageous in superposition accuracy.

(제2 실시형태)(2nd embodiment)

이어서, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 리소그래피 장치에 대해서 설명한다. 제1 실시형태의 클러스터형 임프린트 장치(200)에서는, 클러스터 제어 유닛(컨트롤러)(230)은, 웨이퍼(1a 내지 1f)를 특정하기 위한 특정 정보를, 전처리 장치(300) 또는 상위 제어 장치(400)로부터 취득한다. 한편, 본 실시형태에 따른 클러스터형 임프린트 장치의 특징은, 클러스터 제어 유닛(컨트롤러)(230)이, 특정 정보를 기판 수납 유닛(14) 내에 수납되어 있는 웨이퍼(1)의 위치에 기초하여 취득한다는 점에 있다.Next, a lithographic apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described. In the cluster-type imprint apparatus 200 of the first embodiment, the cluster control unit (controller) 230 supplies the specific information for specifying the wafers 1a to 1f to the preprocessing apparatus 300 or the upper control apparatus 400. Obtained from On the other hand, a feature of the cluster-type imprint apparatus according to the present embodiment is that the cluster control unit (controller) 230 acquires specific information based on the position of the wafer 1 housed in the substrate storage unit 14. Is in.

도 8은, 본 실시형태에 따른 클러스터형 임프린트 장치와 클러스터형 임프린트 장치를 포함하는 임프린트 시스템(리소그래피 시스템)의 구성을 도시하는 개략 평면도이다. 또한, 도 1의 제1 실시형태에 따른 클러스터형 임프린트 장치(200) 및 임프린트 시스템(100)의 것과 동일 구성요소는 동일한 참조 번호로 나타낸다. 먼저, 본 실시형태에 적용되는 기판 수납 유닛(14)은, 그 내부에, 수납되어 있는 각 웨이퍼(1)의 위치를 검출하도록 구성되는 검출 유닛(28)(도 3a 및 도 3b 참조)을 갖는다. 이에 대해, 본 실시형태에 관한 클러스터형 임프린트 장치(200)는, 제1 실시형태에서의 설치부(20)가 존재하는 위치에, 검출 유닛(28)이 검출한 위치 정보를 취득하는 취득 장치(취득 수단)(27)를 갖는다. 여기서, 취득된 위치 정보는 웨이퍼(1)에 대응하는 특정 정보에 대응한다. 그리고, 클러스터 제어 유닛(컨트롤러)(230)은, 제1 실시형태와 마찬가지로, 특정 정보에 기초하여 웨이퍼(1)에 대응하는 처리 유닛(210A 내지 210F)에서 웨이퍼(1)를 처리한다. 이 실시형태에서는 제1 실시형태와 동일한 효과가 나타낸다. 또한, 클러스터 제어 유닛(컨트롤러)(230)은, 검출 유닛(28)을 통해 복수의 기판을 수취하는 기판 수납 유닛(14) 또는 로트에 속하는 복수의 기판으로부터 특정 정보를 취득할 수 있다. 이 경우, 각 기판 또는 기판 수납 유닛(14)(의 각 수납 개소)은 당해 특정 정보를 저장 또는 기록하도록 구성되는 디바이스 또는 부분을 포함할 수 있다.8 is a schematic plan view showing a configuration of an imprint system (lithography system) including a clustered imprint apparatus and a clustered imprint apparatus according to the present embodiment. In addition, the same components as those of the cluster-type imprint apparatus 200 and the imprint system 100 according to the first embodiment of FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. First, the board | substrate accommodation unit 14 applied to this embodiment has the detection unit 28 (refer FIG. 3A and FIG. 3B) comprised so that the position of each wafer 1 accommodated inside may be detected. . In contrast, the cluster-type imprint apparatus 200 according to the present embodiment is an acquisition device (acquisition) that acquires positional information detected by the detection unit 28 at a position where the installation unit 20 in the first embodiment exists. Means (27). Here, the acquired positional information corresponds to the specific information corresponding to the wafer 1. And the cluster control unit (controller) 230 processes the wafer 1 in the processing units 210A-210F corresponding to the wafer 1 based on specific information similarly to 1st Embodiment. In this embodiment, the same effects as in the first embodiment are obtained. In addition, the cluster control unit (controller) 230 can acquire specific information from the board | substrate storage unit 14 which receives a some board | substrate, or the some board | substrate which belongs to a lot via the detection unit 28. FIG. In this case, each board | substrate or board | substrate storage unit 14 (each storage location of) may contain the device or part comprised so that the said specific information may be stored or recorded.

(제3 실시형태)(Third embodiment)

이어서, 상기 실시형태와 관련하여, 본 발명의 제3 실시형태에 따른 리소그래피 장치에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 따른 리소그래피 장치의 특징은, 클러스터 제어 유닛(컨트롤러)(230)이, 복수의 처리 유닛(210A 내지 210F) 중 패턴형성에 사용되는 처리 유닛에 관한 정보를 전처리 장치(300)에 송신할 수 있다는 점에 있다. 또한, 전처리 장치(300)는 전처리 장치에 관련된 제어 유닛을 포함한다. 상기 구성에 따르면, 전처리 장치(300)는 사용되는 처리 유닛(210)에 따라서 웨이퍼(1)의 처리 타이밍 또는 순서를 변경할 수 있다. 리소그래피 장치에서는, 모든 처리 유닛(210)에서, 유지보수 작업 등 동안 패턴 형성 처리(패턴형성)를 개시할 수 없는 경우, 처리량의 감소에 따라 전처리된 웨이퍼(1)가 리소그래피 장치 내에서 장시간 동안 체류하는 경우 등도 생각된다. 특히 리소그래피 장치 내에서의 장시간 동안의 체류는 오염의 관점에서 바람직하지 않다. 여기서, 클러스터 제어 유닛(컨트롤러)(230)은, 이러한 상황이 발생하는 경우에는, 미리 전처리 장치(300)에 정보를 송신하고, 웨이퍼(1)의 처리 타이밍 또는 순서를 변경한다. 따라서, 중첩 정밀도 이외에, 생산성 또는 수율에 유리한 리소그래피 장치를 제공할 수 있다.Next, with respect to the above embodiment, a lithographic apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described. A feature of the lithographic apparatus according to the present embodiment is that the cluster control unit (controller) 230 transmits information about the processing unit used for pattern formation among the plurality of processing units 210A to 210F to the preprocessing device 300. It can be done. The pretreatment device 300 also includes a control unit associated with the pretreatment device. According to the above configuration, the pretreatment apparatus 300 may change the processing timing or order of the wafer 1 according to the processing unit 210 used. In the lithographic apparatus, in all the processing units 210, when the pattern forming process (pattern forming) cannot be started during the maintenance work or the like, the pretreated wafer 1 stays in the lithographic apparatus for a long time according to the decrease in the throughput. It may also be considered. In particular, long-term residence in the lithographic apparatus is undesirable in view of contamination. Here, when such a situation occurs, the cluster control unit (controller) 230 transmits the information to the preprocessor 300 in advance, and changes the processing timing or order of the wafer 1. Thus, in addition to the superposition accuracy, it is possible to provide a lithographic apparatus that is advantageous for productivity or yield.

또한, 상기 실시형태에서는, 전처리 장치(300) 및 처리 유닛(210A 내지 210F)이 접속되어 있는 소위 인라인 타입 구성이 제공되지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 전처리 장치(열처리 장치 등(도시하지 않음))와 처리 유닛은 서로 떨어져서 배치되고, 그 사이에서 오버헤드 호이스트 트랜스포트(overhead hoist transport)(OHT)를 사용하여 FOUP에 의해 웨이퍼(1)를 반송하는 타입에도 장치를 적용할 수 있다. 이 경우, 도 1의 참조 번호(300)는 장비 전방 단부 모듈(equipment front end module)(EFEM)이다. 그리고, 도시되지 않았지만, EFEM(300)의 정면에 처리 유닛(210A 내지 210F)에 대응하는 복수의 FOUP를 설치(수용)한다.In addition, in the said embodiment, although what is called an inline type structure with which the preprocessing apparatus 300 and the processing units 210A-210F are connected is provided, this invention is not limited to this. For example, the pretreatment device (heat treatment device or the like (not shown)) and the processing unit are disposed apart from each other, and the wafer 1 by FOUP using an overhead hoist transport (OHT) therebetween. The apparatus can also be applied to the type of conveying). In this case, reference numeral 300 of FIG. 1 is an equipment front end module (EFEM). Although not shown, a plurality of FOUPs corresponding to the processing units 210A to 210F are provided (received) in front of the EFEM 300.

또한, 각 실시형태에서는, 리소그래피 장치로서 임프린트 장치를 예시했지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 장치는 기판 상에 패턴형성을 행하기 위한 장치일 수 있으며 예를 들어 노광 장치, 묘화 장치 등으로서 구현될 수 있다. 노광 장치는, 예를 들어 (극단) 자외광을 사용하여 기판(상측 레지스트)에 (잠상) 패턴을 형성한다. 또한, 묘화 장치는, 예를 들어 하전 입자 빔(전자빔 등)을 사용하여 기판(상측 레지스트)에 (잠상) 패턴을 형성한다.In addition, in each embodiment, although the imprint apparatus was illustrated as a lithographic apparatus, this invention is not limited to this. The apparatus may be an apparatus for patterning on a substrate and may be implemented, for example, as an exposure apparatus, a writing apparatus, or the like. The exposure apparatus forms a (latent image) pattern on the substrate (upper resist) using, for example, (extreme) ultraviolet light. In addition, the drawing apparatus forms a (latent image) pattern on a board | substrate (upper resist) using a charged particle beam (electron beam etc.), for example.

도 9는, 본 실시형태에 따른 리소그래피 장치에서의 복수의 처리 유닛 중 1개의 처리 유닛의 다른 구성예를 도시하는 도면이다. 여기서, 리소그래피 장치로서, 전자빔을 사용하여 묘화를 행하도록 구성되는 복수의 처리 유닛(묘화 처리 유닛)(300)을 포함하는 클러스터형 묘화 장치를 예시한다. 또한, 전자빔은 이온 빔 등과 같은 다른 하전 입자 빔이어도 된다. 처리 유닛(300)은, 진공 챔버(301), 진공 챔버(301)에 수용된 전자 광학 시스템(302) 및 구동 장치(303), 및 기판(305)을 보유지지하도록 구성되는 스테이지(보유지지부)(306)를 포함하고, 진공 중에서 전자빔을 사용하여 기판(305)에 묘화를 행한다. 구동 장치(303)는, 전자 광학 시스템(302)에 대하여 기판(305)을 위치결정하기 위해 보유지지부(306)를 이동시키도록 구성된다.9 is a diagram illustrating another configuration example of one processing unit among the plurality of processing units in the lithographic apparatus according to the present embodiment. Here, as a lithographic apparatus, a cluster type drawing apparatus including a plurality of processing units (drawing processing units) 300 configured to draw using an electron beam is illustrated. The electron beam may also be another charged particle beam such as an ion beam or the like. The processing unit 300 includes a stage (holding portion) configured to hold a vacuum chamber 301, an electro-optical system 302 and a drive device 303, and a substrate 305 housed in the vacuum chamber 301 ( 306, and drawing the substrate 305 using an electron beam in a vacuum. The drive device 303 is configured to move the retaining portion 306 to position the substrate 305 relative to the electro-optical system 302.

본 발명의 실시형태(들)는, 상기 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 기억 매체(더 완전하게는 '비일시적 컴퓨터 판독가능 기억 매체'라 칭할수도 있음)에 기록되는 컴퓨터 실행가능 명령(예를 들어, 하나 이상의 프로그램)을 판독 및 실행하며 그리고/또는 상기 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위한 하나 이상의 회로(예를 들어, 응용 특정 집적 회로(application specific integrated circuit)(ASIC)를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해, 그리고 예를 들어 상기 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 기억 매체로부터의 컴퓨터 실행가능 명령을 판독 및 실행함으로써 그리고/또는 상기 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 하나 이상의 회로를 제어함으로써 상기 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 실행되는 방법에 의해서도 실현될 수 있다. 컴퓨터는 컴퓨터 실행가능 명령을 판독 및 실행하기 위해 하나 이상의 프로세서(예를 들어, 중앙 처리 유닛(CPU), 마이크로 처리 유닛(MPU))를 포함할 수 있고 별도의 컴퓨터 또는 별도의 프로세서의 네트워크를 포함할 수 있다. 컴퓨터 실행가능 명령은 예를 들어 네트워크 또는 기억 매체로부터 컴퓨터에 제공될 수 있다. 기억 매체는 예를 들어 하드 디스크, 랜덤 액세서 메모리(RAM), 리드 온리 메모리(ROM), 분산형 컴퓨팅 시스템의 저장장치, 광학 디스크(예를 들어, 콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD), 또는 블루레이 디스크(BD)TM), 플래시 메모리 장치, 메모리 카드 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다.Embodiment (s) of the present invention are computer-implemented recorded on a storage medium (more fully referred to as a non-transitory computer readable storage medium) to carry out one or more of the functions of the embodiment (s). One or more circuits (eg, application specific integrated circuits) for reading and executing possible instructions (eg, one or more programs) and / or for executing functions of one or more of the above embodiment (s). By a computer of a system or apparatus comprising (ASIC), and by reading and executing computer executable instructions from a storage medium, for example to carry out a function of one or more of the above embodiment (s) and / or the Executed by a computer of the system or apparatus by controlling one or more circuits to execute one or more functions of the embodiment (s) A computer may include one or more processors (eg, a central processing unit (CPU), a micro processing unit (MPU)) to read and execute computer executable instructions and may be separate. Computer-executable instructions may be provided to the computer, for example, from a network or a storage medium, which may include, for example, a hard disk, random access memory (RAM), or read. Only memory (ROM), storage in distributed computing systems, optical disks (eg, compact disks (CDs), digital versatile disks (DVDs), or Blu-ray disks (BDs) TM ), flash memory devices, memory cards And the like.

(물품 제조 방법)(Article manufacturing method)

본 발명의 실시형태에 따른 물품 제조 방법은 마이크로디바이스(예를 들어, 반도체 디바이스)와 같은 물품 또는 미세구조를 갖는 소자를 제조하는데 적합하다. 이 제조 방법은, 상기 리소그래피 장치를 사용하여 대상(예를 들어, 표면에 감광성 재료를 갖는 기판)에 패턴(예를 들어, 잠상 패턴)을 형성하는 단계, 및 패턴이 형성된 대상을 처리하는 단계(예를 들어, 현상 단계)를 포함할 수 있다. 또한, 이 제조 방법은 다른 주지의 단계(예를 들어, 산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)를 포함할 수 있다. 본 실시형태에 따른 물품 제조 방법은 물품의 성능, 품질, 생산성, 및 생산 비용 중 적어도 하나에 있어서 종래의 방법에 비해 우수하다.The article manufacturing method according to the embodiment of the present invention is suitable for manufacturing an article such as a microdevice (eg, a semiconductor device) or an element having a microstructure. This manufacturing method includes forming a pattern (e.g., a latent image pattern) on an object (e.g., a substrate having a photosensitive material on its surface) using the lithographic apparatus, and processing the object on which the pattern is formed ( For example, the development step) may be included. In addition, this manufacturing method may include other well-known steps (eg, oxidation, deposition, deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, etc.). The article manufacturing method according to the present embodiment is superior to the conventional method in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article.

본 발명을 예시적인 실시형태를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 제한되지 않는다는 것이 이해될 것이다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형 및 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.While the invention has been described with reference to exemplary embodiments, it will be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. The scope of the following claims is to be accorded the broadest interpretation so as to encompass all such modifications and equivalent structures and functions.

본 출원은 2015년 2월 16일에 출원된 일본 특허 출원 제2015-027968호, 및 2015년 12월 9일에 출원된 일본 특허 출원 제2015-239907호의 이점을 청구하며, 이들은 그 전체가 본원에 참조로 통합된다.This application claims the advantages of Japanese Patent Application No. 2015-027968, filed February 16, 2015, and Japanese Patent Application No. 2015-239907, filed December 9, 2015, which are incorporated herein in their entirety. Incorporated by reference.

Claims (19)

1개의 로트에 속하는 복수의 기판 상에 도포된 수지에 대하여 패턴형성을 수행하기 위한 리소그래피 장치로서,
상기 패턴형성을 수행하도록 구성된 제1 처리 유닛;
상기 패턴형성을 수행하도록 구성된, 상기 제1 처리 유닛과는 상이한 제2 처리 유닛;
상기 로트 내의 상기 복수의 기판의 각각을 특정하는 특정 정보에 기초하여, 상기 복수의 기판 중 제1 기판을 상기 제1 처리 유닛으로 반송하고, 상기 복수의 기판 중 상기 제1 기판과는 상이한 제2 기판을 상기 제2 처리 유닛으로 반송하도록 구성된 반송 유닛; 및
상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 병행하여 각각 처리하게끔 상기 제1 처리 유닛, 상기 제2 처리 유닛, 및 상기 반송 유닛을 제어하도록 구성된 컨트롤러를 포함하는, 리소그래피 장치.
A lithographic apparatus for performing pattern formation on resins applied on a plurality of substrates belonging to one lot,
A first processing unit configured to perform the pattern formation;
A second processing unit different from the first processing unit, configured to perform the patterning;
Based on the specific information specifying each of the plurality of substrates in the lot, a first substrate of the plurality of substrates is transferred to the first processing unit, and a second different from the first substrate of the plurality of substrates. A conveying unit configured to convey a substrate to the second processing unit; And
And a controller configured to control the first processing unit, the second processing unit, and the transfer unit to respectively process the first substrate and the second substrate in parallel.
제1항에 있어서, 상기 컨트롤러는, 상기 제1 처리 유닛과 상기 제2 처리 유닛이 분류된 복수의 그룹의 정보를 갖고, 상기 복수의 그룹 중 하나와 상기 특정 정보 간의 미리 설정된 대응관계에도 기초하여, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 병행하여 각각 처리하게끔 상기 제1 처리 유닛, 상기 제2 처리 유닛, 및 상기 반송 유닛을 제어하도록 구성된, 리소그래피 장치.The method according to claim 1, wherein the controller has a plurality of groups of information in which the first processing unit and the second processing unit are classified, and also based on a preset correspondence between one of the plurality of groups and the specific information. And control the first processing unit, the second processing unit, and the conveying unit to respectively process the first substrate and the second substrate in parallel. 제1항에 있어서, 상기 컨트롤러는, 상기 반송 유닛에 의해 상기 복수의 기판에 대하여 전처리를 수행한 전처리 장치로부터 반송되는 상기 복수의 기판 중 하나의 기판의 순서에 기초하여 상기 특정 정보를 취득하도록 구성된, 리소그래피 장치.The said controller is comprised so that the said specific information may be acquired based on the order of one board | substrate of the said some board | substrate conveyed from the preprocessing apparatus which performed the preprocessing with respect to the said some board | substrate by the said conveyance unit. , Lithographic apparatus. 제1항에 있어서, 상기 컨트롤러는, 상기 복수의 기판을 위한 포드(pod)에서의 상기 복수의 기판 중 하나의 위치에 기초하여 상기 특정 정보를 취득하도록 구성되는, 리소그래피 장치.The lithographic apparatus according to claim 1, wherein the controller is configured to acquire the specific information based on a position of one of the plurality of substrates in a pod for the plurality of substrates. 제1항에 있어서, 상기 복수의 기판의 각각 또는 상기 복수의 기판을 위한 포드로부터 상기 특정 정보를 취득하도록 구성되는 장치를 더 포함하는, 리소그래피 장치.A lithographic apparatus according to claim 1, further comprising an apparatus configured to obtain the specific information from each of the plurality of substrates or from a pod for the plurality of substrates. 제1항에 있어서, 상기 컨트롤러는, 상기 로트에 대응하는 레시피 정보에도 기초하여 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 병행하여 각각 처리하게끔 상기 제1 처리 유닛, 상기 제2 처리 유닛, 및 상기 반송 유닛을 제어하도록 구성된, 리소그래피 장치.The said 1st processing unit, the said 2nd processing unit, and the said conveyance of Claim 1 so that the said controller may process each said 1st board | substrate and the said 2nd board | substrate in parallel also based on recipe information corresponding to the said lot. A lithographic apparatus, adapted to control the unit. 제1항에 있어서, 상기 복수의 기판 중 하나의 기판을 처리하는 상기 제1 처리 유닛과 상기 제2 처리 유닛 중 하나의 결정에 관한 정보를 수신하도록 구성된 수신 장치를 더 포함하고,
상기 컨트롤러는, 수신된 상기 정보에도 기초하여 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 병행하여 각각 처리하게끔 상기 제1 처리 유닛, 상기 제2 처리 유닛, 및 상기 반송 유닛을 제어하도록 구성된, 리소그래피 장치.
The apparatus of claim 1, further comprising a receiving device configured to receive information regarding a determination of one of the first processing unit and the second processing unit that processes one of the plurality of substrates, and
And the controller is configured to control the first processing unit, the second processing unit, and the transfer unit to respectively process the first substrate and the second substrate in parallel based on the received information.
제1항에 있어서, 상기 컨트롤러는, 상기 복수의 기판에 대하여 전처리를 수행하는 전처리 장치 또는 상기 전처리 장치를 제어하는 제어 장치에 상기 제1 및 제2 처리 유닛에 관한 정보를 송신하고, 상기 특정 정보 및 송신된 상기 정보에 기초하여, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 병행하여 각각 처리하게끔 상기 제1 처리 유닛, 상기 제2 처리 유닛, 및 상기 반송 유닛을 제어하도록 구성된, 리소그래피 장치.2. The controller according to claim 1, wherein the controller transmits information about the first and second processing units to a preprocessing device that performs preprocessing on the plurality of substrates, or to a control device that controls the preprocessing device. And control the first processing unit, the second processing unit, and the conveying unit to respectively process the first substrate and the second substrate in parallel based on the transmitted information. 제8항에 있어서, 상기 컨트롤러는, 상기 제1 및 제2 처리 유닛의 각각의 상태에 기초하여 관련 정보를 송신하도록 구성된, 리소그래피 장치.The lithographic apparatus according to claim 8, wherein the controller is configured to transmit relevant information based on respective states of the first and second processing units. 제1항에 있어서, 상기 컨트롤러는, 상기 로트에 대응하는 레시피 정보 및 상기 특정 정보에 기초하여, 상기 제1 및 제2 처리 유닛의 각각에 대해 상기 패턴형성을 위한 처리 조건을 결정하도록 구성된, 리소그래피 장치.The lithography of claim 1, wherein the controller is configured to determine processing conditions for the pattern formation for each of the first and second processing units based on recipe information corresponding to the lot and the specific information. Device. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 처리 유닛의 각각은 임프린트에 의해 상기 패턴형성을 수행하도록 구성된, 리소그래피 장치.A lithographic apparatus according to claim 1, wherein each of the first and second processing units is configured to perform the patterning by imprint. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 처리 유닛의 각각은 하전 입자 빔에 의해 상기 패턴형성을 수행하도록 구성된, 리소그래피 장치.A lithographic apparatus according to claim 1, wherein each of the first and second processing units is configured to perform the patterning by a charged particle beam. 제1 처리 유닛, 상기 제1 처리 유닛과는 상이한 제2 처리 유닛, 및 반송 유닛을 사용하여, 1개의 로트에 속하는 복수의 기판 상에 도포된 수지에 대하여 패턴형성을 수행하는 리소그래피 방법으로서,
상기 로트 내의 상기 복수의 기판의 각각을 특정하는 특정 정보에 기초하여, 상기 복수의 기판 중 제1 기판을 상기 제1 처리 유닛으로 반송하고, 상기 복수의 기판 중 상기 제1 기판과는 상이한 제2 기판을 상기 제2 처리 유닛으로 반송하도록 상기 반송 유닛을 제어하는 단계, 및
상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 병행하여 각각 처리하게끔 상기 제1 처리 유닛, 상기 제2 처리 유닛, 및 상기 반송 유닛을 제어하는 단계를 포함하는, 리소그래피 방법.
A lithographic method for performing pattern formation on a resin applied onto a plurality of substrates belonging to one lot using a first processing unit, a second processing unit different from the first processing unit, and a conveying unit,
Based on the specific information specifying each of the plurality of substrates in the lot, a first substrate of the plurality of substrates is transferred to the first processing unit, and a second different from the first substrate of the plurality of substrates. Controlling the conveying unit to convey a substrate to the second processing unit, and
And controlling the first processing unit, the second processing unit, and the conveying unit to process the first substrate and the second substrate in parallel, respectively.
제1 처리 유닛, 상기 제1 처리 유닛과는 상이한 제2 처리 유닛, 및 반송 유닛을 사용하여, 1개의 로트에 속하는 복수의 기판 상에 도포된 수지에 대하여 패턴형성을 수행하는 방법을 컴퓨터가 실행하게 하는 프로그램을 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체로서, 상기 방법은,
상기 로트 내의 상기 복수의 기판의 각각을 특정하는 특정 정보에 기초하여, 상기 복수의 기판 중 제1 기판을 상기 제1 처리 유닛으로 반송하고, 상기 복수의 기판 중 상기 제1 기판과는 상이한 제2 기판을 상기 제2 처리 유닛으로 반송하도록 상기 반송 유닛을 제어하는 단계, 및
상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 병행하여 각각 처리하게끔 상기 제1 처리 유닛, 상기 제2 처리 유닛, 및 상기 반송 유닛을 제어하는 단계를 포함하는, 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체.
The computer executes a method of performing pattern formation on resins applied on a plurality of substrates belonging to one lot using a first processing unit, a second processing unit different from the first processing unit, and a conveying unit. A non-transitory computer readable storage medium for storing a program for causing a failure, the method comprising:
Based on the specific information specifying each of the plurality of substrates in the lot, a first substrate of the plurality of substrates is transferred to the first processing unit, and a second different from the first substrate of the plurality of substrates. Controlling the conveying unit to convey a substrate to the second processing unit, and
Controlling the first processing unit, the second processing unit, and the conveying unit to process the first substrate and the second substrate in parallel, respectively.
리소그래피 시스템으로서,
1개의 로트에 속하는 복수의 기판 상에 도포된 수지에 대하여 패턴형성을 수행하기 위한 리소그래피 장치, 및
미리 결정된 전처리를 수행하기 위해 상기 리소그래피 장치에 기판을 공급하도록 구성된 전처리 장치를 포함하고,
상기 리소그래피 장치는,
상기 패턴형성을 수행하도록 구성된 제1 처리 유닛;
상기 패턴형성을 수행하도록 구성된, 상기 제1 처리 유닛과는 상이한 제2 처리 유닛;
상기 로트 내의 상기 복수의 기판의 각각을 특정하는 특정 정보에 기초하여, 상기 복수의 기판 중 제1 기판을 상기 제1 처리 유닛으로 반송하고, 상기 복수의 기판 중 상기 제1 기판과는 상이한 제2 기판을 상기 제2 처리 유닛으로 반송하도록 구성된 반송 유닛; 및
상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 병행하여 각각 처리하게끔 상기 제1 처리 유닛, 상기 제2 처리 유닛, 및 상기 반송 유닛을 제어하도록 구성된 컨트롤러를 포함하는, 리소그래피 시스템.
As a lithography system,
A lithographic apparatus for performing pattern formation on resins applied on a plurality of substrates belonging to one lot, and
A pretreatment device configured to supply a substrate to the lithographic apparatus for performing a predetermined pretreatment,
The lithographic apparatus,
A first processing unit configured to perform the pattern formation;
A second processing unit different from the first processing unit, configured to perform the patterning;
Based on the specific information specifying each of the plurality of substrates in the lot, a first substrate of the plurality of substrates is transferred to the first processing unit, and a second different from the first substrate of the plurality of substrates. A conveying unit configured to convey a substrate to the second processing unit; And
And a controller configured to control the first processing unit, the second processing unit, and the transfer unit to respectively process the first substrate and the second substrate in parallel.
물품 제조 방법으로서,
1개의 로트에 속하는 복수의 기판 상에 도포된 수지에 대하여 패턴형성을 수행하기 위한 리소그래피 장치를 사용하여 기판 상에 패턴형성을 수행하는 단계,
상기 패턴형성이 수행된 기판을 처리하여 상기 물품을 제조하는 단계를 포함하고,
상기 리소그래피 장치는,
상기 패턴형성을 수행하도록 구성된 제1 처리 유닛;
상기 패턴형성을 수행하도록 구성된, 상기 제1 처리 유닛과는 상이한 제2 처리 유닛;
상기 로트 내의 상기 복수의 기판의 각각을 특정하는 특정 정보에 기초하여, 상기 복수의 기판 중 제1 기판을 상기 제1 처리 유닛으로 반송하고, 상기 복수의 기판 중 상기 제1 기판과는 상이한 제2 기판을 상기 제2 처리 유닛으로 반송하도록 구성된 반송 유닛; 및
상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 병행하여 각각 처리하게끔 상기 제1 처리 유닛, 상기 제2 처리 유닛, 및 상기 반송 유닛을 제어하도록 구성된 컨트롤러를 포함하는, 물품 제조 방법.
As an article manufacturing method,
Performing pattern formation on the substrate using a lithographic apparatus for performing pattern formation on resins applied on a plurality of substrates belonging to one lot,
Manufacturing the article by treating the substrate on which the patterning has been performed;
The lithographic apparatus,
A first processing unit configured to perform the pattern formation;
A second processing unit different from the first processing unit, configured to perform the patterning;
Based on the specific information specifying each of the plurality of substrates in the lot, a first substrate of the plurality of substrates is conveyed to the first processing unit, and a second different from the first substrate of the plurality of substrates. A conveying unit configured to convey a substrate to the second processing unit; And
And a controller configured to control the first processing unit, the second processing unit, and the conveying unit to respectively process the first substrate and the second substrate in parallel.
물품 제조 방법으로서,
리소그래피 방법을 사용하여 기판 상에 패턴형성을 수행하는 단계, 및
상기 패턴형성이 수행된 기판을 처리하여 상기 물품을 제조하는 단계를 포함하고,
상기 리소그래피 방법은, 제1 처리 유닛, 상기 제1 처리 유닛과는 상이한 제2 처리 유닛, 및 반송 유닛을 사용하여, 1개의 로트에 속하는 복수의 기판 상에 도포된 수지에 대하여 패턴형성을 수행하고,
상기 리소그래피 방법은,
상기 로트 내의 상기 복수의 기판의 각각을 특정하는 특정 정보에 기초하여, 상기 복수의 기판 중 제1 기판을 상기 제1 처리 유닛으로 반송하고, 상기 복수의 기판 중 상기 제1 기판과는 상이한 제2 기판을 상기 제2 처리 유닛으로 반송하도록 상기 반송 유닛을 제어하는 단계, 및
상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 병행하여 각각 처리하게끔 상기 제1 처리 유닛, 상기 제2 처리 유닛, 및 상기 반송 유닛을 제어하는 단계를 포함하는, 물품 제조 방법.
As an article manufacturing method,
Performing patterning on the substrate using a lithographic method, and
Manufacturing the article by treating the substrate on which the patterning has been performed;
The lithographic method uses a first processing unit, a second processing unit different from the first processing unit, and a conveying unit to perform pattern formation on resins applied on a plurality of substrates belonging to one lot and ,
The lithographic method is
Based on the specific information specifying each of the plurality of substrates in the lot, a first substrate of the plurality of substrates is transferred to the first processing unit, and a second different from the first substrate of the plurality of substrates. Controlling the conveying unit to convey a substrate to the second processing unit, and
Controlling the first processing unit, the second processing unit, and the conveying unit to process the first substrate and the second substrate in parallel, respectively.
물품 제조 방법으로서,
리소그래피 시스템을 사용하여 기판 상에 패턴형성을 수행하는 단계, 및
상기 패턴형성이 수행된 기판을 처리하여 상기 물품을 제조하는 단계를 포함하고,
상기 리소그래피 시스템은,
1개의 로트에 속하는 복수의 기판 상에 도포된 수지에 대하여 패턴형성을 수행하기 위한 리소그래피 장치, 및
미리 결정된 전처리를 수행하기 위해 상기 리소그래피 장치에 기판을 공급하도록 구성된 전처리 장치를 포함하고,
상기 리소그래피 장치는,
상기 패턴형성을 수행하도록 구성된 제1 처리 유닛;
상기 패턴형성을 수행하도록 구성된, 상기 제1 처리 유닛과는 상이한 제2 처리 유닛;
상기 로트 내의 상기 복수의 기판의 각각을 특정하는 특정 정보에 기초하여, 상기 복수의 기판 중 제1 기판을 상기 제1 처리 유닛으로 반송하고, 상기 복수의 기판 중 상기 제1 기판과는 상이한 제2 기판을 상기 제2 처리 유닛으로 반송하도록 구성된 반송 유닛; 및
상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 병행하여 각각 처리하게끔 상기 제1 처리 유닛, 상기 제2 처리 유닛, 및 상기 반송 유닛을 제어하도록 구성된 컨트롤러를 포함하는, 물품 제조 방법.
As an article manufacturing method,
Performing patterning on the substrate using a lithography system, and
Manufacturing the article by treating the substrate on which the patterning has been performed;
The lithography system,
A lithographic apparatus for performing pattern formation on resins applied on a plurality of substrates belonging to one lot, and
A pretreatment device configured to supply a substrate to the lithographic apparatus for performing a predetermined pretreatment,
The lithographic apparatus,
A first processing unit configured to perform the pattern formation;
A second processing unit different from the first processing unit, configured to perform the patterning;
Based on the specific information specifying each of the plurality of substrates in the lot, a first substrate of the plurality of substrates is transferred to the first processing unit, and a second different from the first substrate of the plurality of substrates. A conveying unit configured to convey a substrate to the second processing unit; And
And a controller configured to control the first processing unit, the second processing unit, and the conveying unit to respectively process the first substrate and the second substrate in parallel.
제1항에 있어서, 상기 컨트롤러는, 상기 복수의 기판에 대한 상기 패턴형성 전에 상기 복수의 기판에 대하여 전처리를 수행하는 전처리 장치에 상기 제1 및 제2 처리 유닛에 관한 정보를 송신하여, 상기 복수의 기판에 대하여 상기 전처리가 수행되는 타이밍 또는 순서를 변경하고, 상기 제1 및 제2 처리 유닛을 사용하여 상기 복수의 기판에 대한 상기 패턴형성을 병행하여 수행하도록 구성된, 리소그래피 장치.The plurality of substrates of claim 1, wherein the controller transmits information about the first and second processing units to a preprocessing device that performs preprocessing on the plurality of substrates before forming the pattern on the plurality of substrates. And change the timing or order in which the preprocessing is performed on the substrates of the substrate, and perform the patterning on the plurality of substrates in parallel using the first and second processing units.
KR1020160016917A 2015-02-16 2016-02-15 Lithography apparatus, lithography method, program, lithography system, and article manufacturing method KR102032017B1 (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-027968 2015-02-16
JP2015027968 2015-02-16
JPJP-P-2015-239907 2015-12-09
JP2015239907A JP6198805B2 (en) 2015-02-16 2015-12-09 Lithographic apparatus, lithography method, program, lithography system, and article manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160100842A KR20160100842A (en) 2016-08-24
KR102032017B1 true KR102032017B1 (en) 2019-10-14

Family

ID=56760554

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160016917A KR102032017B1 (en) 2015-02-16 2016-02-15 Lithography apparatus, lithography method, program, lithography system, and article manufacturing method

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6198805B2 (en)
KR (1) KR102032017B1 (en)
CN (1) CN105892231B (en)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6851751B2 (en) 2016-08-30 2021-03-31 キヤノン株式会社 Optical equipment, processing equipment, and article manufacturing methods
JP6860365B2 (en) * 2017-01-31 2021-04-14 キヤノン株式会社 Substrate processing equipment, substrate processing system, substrate processing method, article manufacturing method, and program
JP6867827B2 (en) * 2017-02-28 2021-05-12 キヤノン株式会社 Lithography equipment and article manufacturing method
JP6853704B2 (en) * 2017-03-22 2021-03-31 キヤノン株式会社 Lithography equipment and manufacturing method of goods
US11520226B2 (en) 2017-05-12 2022-12-06 Canon Kabushiki Kaisha Imprint method, imprint apparatus, imprint system, and method of manufacturing article
JP7112220B2 (en) * 2017-05-12 2022-08-03 キヤノン株式会社 Methods, apparatus, systems, and methods of manufacturing articles
KR101982418B1 (en) * 2017-12-12 2019-05-28 (주)서영 Continuous production automation flat type imprint equipment using multi cartridge system
JP7118712B2 (en) * 2018-04-13 2022-08-16 キヤノン株式会社 IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD
US11182929B2 (en) 2019-02-25 2021-11-23 Center For Deep Learning In Electronics Manufacturing, Inc. Methods and systems for compressing shape data for electronic designs
US11263496B2 (en) 2019-02-25 2022-03-01 D2S, Inc. Methods and systems to classify features in electronic designs

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010153601A (en) * 2008-12-25 2010-07-08 Canon Inc Information processing apparatus, exposure apparatus, method of manufacturing device, information processing method, and program
JP2011210992A (en) 2010-03-30 2011-10-20 Canon Inc Lithography system, method of controlling lithography system, and device manufacturing method and article manufacturing method using lithography system
JP2015023146A (en) * 2013-07-19 2015-02-02 キヤノン株式会社 Lithography apparatus, lithography method, lithography system, program, method of manufacturing article
JP2015029070A (en) * 2013-07-02 2015-02-12 キヤノン株式会社 Pattern formation method, lithography device, lithography system, and article manufacturing method

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4200550B2 (en) * 1998-07-17 2008-12-24 株式会社ニコン Exposure method and lithography system
DE60026527T2 (en) * 1999-06-23 2006-10-19 Asml Holding, N.V. ROBOT-PRE-POSITIONING IN A CHIP MANUFACTURING SYSTEM
JP2002064046A (en) * 2000-08-21 2002-02-28 Hitachi Ltd Method and system for exposure
JP2004071978A (en) * 2002-08-08 2004-03-04 Toshiba Corp Method for managing exposure device, method for managing mask, method for exposure, and method for manufacturing semiconductor device
JP2004153191A (en) * 2002-11-01 2004-05-27 Renesas Technology Corp Manufacturing method and system for semiconductor
JP2007199711A (en) * 2005-12-28 2007-08-09 Nikon Corp Exposure system and method, and device manufacturing system and method
GB0804499D0 (en) * 2008-03-11 2008-04-16 Metryx Ltd Measurement apparatus and method
JP5773761B2 (en) * 2010-12-17 2015-09-02 キヤノン株式会社 Lithographic system and article manufacturing method using the same
RU2573398C2 (en) * 2011-04-22 2016-01-20 МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В. Network architecture and protocol for cluster of patterning machines

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010153601A (en) * 2008-12-25 2010-07-08 Canon Inc Information processing apparatus, exposure apparatus, method of manufacturing device, information processing method, and program
JP2011210992A (en) 2010-03-30 2011-10-20 Canon Inc Lithography system, method of controlling lithography system, and device manufacturing method and article manufacturing method using lithography system
JP2015029070A (en) * 2013-07-02 2015-02-12 キヤノン株式会社 Pattern formation method, lithography device, lithography system, and article manufacturing method
JP2015023146A (en) * 2013-07-19 2015-02-02 キヤノン株式会社 Lithography apparatus, lithography method, lithography system, program, method of manufacturing article

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160100842A (en) 2016-08-24
CN105892231A (en) 2016-08-24
CN105892231B (en) 2019-12-10
JP2016154214A (en) 2016-08-25
JP6198805B2 (en) 2017-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102032017B1 (en) Lithography apparatus, lithography method, program, lithography system, and article manufacturing method
JP6021606B2 (en) Imprint apparatus, article manufacturing method using the same, and imprint method
JP5754965B2 (en) Imprint apparatus and article manufacturing method
US9880475B2 (en) Lithography apparatus, lithography method, lithography system, storage medium, and article manufacturing method
US10372033B2 (en) Imprint apparatus, and method of manufacturing article
US10018910B2 (en) Imprint apparatus, alignment method, and method of manufacturing article
US20140353865A1 (en) Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article
KR102025975B1 (en) Imprint apparatus and method of manufacturing article
WO2016051690A1 (en) Pattern forming method and method of manufacturing article
KR102059758B1 (en) Imprint apparatus and article manufacturing method
US20170242346A1 (en) Lithography apparatus, and method of manufacturing article
JP2015023149A (en) Imprint device, imprint method, program, imprint system, and method of manufacturing article using them
JP6336275B2 (en) Imprint apparatus and article manufacturing method
US10043697B2 (en) Substrate processing apparatus and article manufacturing method
US9927725B2 (en) Lithography apparatus, lithography method, program, lithography system, and article manufacturing method
US10185226B2 (en) Stage apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article
JP2015023151A (en) Imprint device, imprint method, program, imprint system, and method of manufacturing article using them
KR102296682B1 (en) Lithography apparatus, and method of manufacturing article
KR20230106507A (en) Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant