JP2004153191A - Manufacturing method and system for semiconductor - Google Patents

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JP2004153191A
JP2004153191A JP2002319249A JP2002319249A JP2004153191A JP 2004153191 A JP2004153191 A JP 2004153191A JP 2002319249 A JP2002319249 A JP 2002319249A JP 2002319249 A JP2002319249 A JP 2002319249A JP 2004153191 A JP2004153191 A JP 2004153191A
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Japan
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exposure
exposure apparatus
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dimension
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Hisashi Mizumoto
久志 水本
Yasuhiro Yoshitake
康裕 吉武
Shunichi Matsumoto
俊一 松本
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Renesas Technology Corp
Original Assignee
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method and system for semiconductors whereby the improvement of its apparatus operating efficiency and the contraction of its product TAT are made possible in its exposure process. <P>SOLUTION: From the past positional alignment and dimensional inspection data of respective exposure apparatuses, the exposure apparatuses satisfying the positional aligning and dimensional specification values are selected, and the exposure process is undertaken in one of the selected exposure apparatuses which has a low quality performance and is unused. Thereby, the apparatus operating efficiency of the manufacturing method and system for semiconductors can be improved. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスの製造方法に係り、特に、複数の露光装置を用いて半導体デバイスの製造を行う製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造は、半導体ウエハ（以下、ウエハと省略）上に導電膜または絶縁膜を成膜し、この上に感光剤であるレジストを塗布、レチクル上の回路パターンをレジストに露光、現像した後、膜をエッチングすることによってウエハ上に回路パターンを生成する。半導体デバイスは複数層の回路パターンにより構成され、ある層の回路パタ−ンは、それより下層の回路パターンに位置合わせ（アライメント）して露光を行う重ね合わせ露光が行われる。この時、下層と露光層で異なる露光装置を用いると投影レンズの歪みが装置間で異なる機差が存在するため、アライメントマーク位置での位置合わせを行っても回路パターン部で合わせずれが生じる。このため、半導体デバイスの最初の工程で用いたものと同一の露光装置を以降の工程にも続けて使用する、いわゆる号機限定の運用が行われている。
【０００３】
しかし、この場合、露光装置運用効率が低下し、生産コスト増加の要因となってしまう。よって、複数の露光装置を活用するための方策がいくつか開示されている。例えば、特許文献１記載のように、２装間のレンズ歪みを倍率で補正する方法がある。また、露光装置Ａで着工したウエハに対して露光装置Ｂで着工可能かを２装間のレンズ歪みの差から判定する方法が特許文献２に開示されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平９−９２６０９号公報
【特許文献２】
特開２０００−１１４１３２号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記方法を実行することで複数の露光装置を工程間で利用できることから、稼働していない、即ち、空いている露光装置において露光する事ができ、露光装置運用効率が向上するが、その露光装置の運用方法によっては露光装置運用効率が低下する場合がある。
【０００６】
それは、空いている露光装置が複数あり、その中から合わせ・寸法精度の高い露光装置を優先的に着工する露光装置に選択する運用した場合、例えば、図７に複数の露光装置が工程間で利用できる環境での、露光装置の稼働状況と、合わせ・寸法精度を表す品質能力、稼働状況・品質能力から着工する露光装置を選択する判定結果を示す。これより、空いている露光装置＃０１／＃０５／＃０６から、合わせ・寸法精度である品質能力の高い露光装置＃０５が選択されていることがわかる。しかし、品種・工程において求める品質能力に関係なく品質能力の高い露光装置＃０５を選択していることに問題がある。
【０００７】
露光する品種・工程において余り合わせ・寸法精度を求めない場合にも、この選択方式では品質能力の高い露光装置を選択し、厳しい合わせ・寸法精度を求める品種・工程を露光する場合、着工が可能な露光装置が稼働中である確率が高い。これにより、品質能力の高い露光装置の稼働率は向上するが、品質能力の低い露光装置の稼働率は低下するため、露光装置稼働率に偏りができてくる。これにより、露光装置運用効率が低下する恐れがある。
【０００８】
本発明の目的は、複数の露光装置を工程間で利用するときの露光する品種・工程において、求める合わせ・寸法精度と稼働状況により、着工する露光装置を選択することにより、生産効率の向上を図ることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本題において開示される発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、以下のとおりである。
【００１０】
即ち、複数の露光装置を用いる半導体製造方法において、
製造する半導体デバイスの品種・工程における合わせ・寸法規格値を記憶するステップと、
製造した半導体デバイスの合わせ・寸法検査データを取得し記憶するステップと、
当該品種・工程における過去の合わせ・寸法検査データを各露光装置別に読み込み、その読み込んだ露光装置別の合わせ・寸法検査データより、各露光装置においての当該品種・工程の合わせ・寸法のばらつきを算出するステップと、
当該品種・工程における合わせ・寸法規格値を読み込み、その読み込んだ合わせ・寸法規格値と、上記算出した各露光装置における合わせ・寸法のばらつきとを比較し、合わせ・寸法規格値を満足する露光装置を選択するステップと、
その選択された露光装置を合わせ・寸法のばらつきの低い順に並び替え、順位付けするステップと、
その順位付けした露光装置で、上位に格付けされている露光装置を、露光する露光装置として指定するステップと
を備えることを特徴とする。
【００１１】
これにより、これから露光する半導体デバイスの品種・工程においての合わせ・寸法規格値を満足する露光装置の中から、合わせ・寸法精度の低い露光装置を選択することにより、露光装置稼働率の偏りを減らし、各露光装置における露光装置稼働率の均一化が図れることにより、生産効率を向上させることができる。
【００１２】
また、上記を発展させた半導体製造方法として、
各露光装置における稼働状況を取得し記憶するステップと、
合わせ・寸法のばらつきの低い順に順位付けした露光装置における稼働状況を読み込むステップと、
順位付けした露光装置で、上位に格付けされている合わせ・寸法のばらつきの低い露光装置順に、読み込んだ露光装置における稼働状況より空いている露光装置を判断し、空いている露光装置が見つかれば、露光する露光装置として指定するステップと
を備えることを特徴とする半導体製造方法。
【００１３】
これにより、各露光装置における稼働状態より、着工する露光装置を選択することにより、更に各露光装置における露光装置稼働率の均一化が図れることで、生産効率を向上させることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係わる一実施形態について、図を参照して説明する。
【００１５】
図１は、本発明の実施形態に係わる半導体製造システムの構成を示す。本実施形態に係わる半導体製造システムは、ホストコンピュータ１と複数ある露光装置２ａ／２ｂ／２ｃ／２ｄ、合わせ検査装置３、寸法検査装置４、制御手段５である品質能力算出手段５１、露光装置候補選択手段５２、着工装置選択手段５３、また、合わせ・寸法規格記憶手段６１、合わせ・寸法検査データ記憶手段６２、露光装置候補記憶手段６３、稼働状況記憶手段６４からなっており、それらがネットワークを介して接続され、データのやり取りができるようになっている。また、各記憶手段にはデータベース６５が接続され、記憶ができるようになっている。
【００１６】
露光装置は、ウエハを露光するための装置であり、ウエハを露光後、合わせ検査装置３・寸法検査装置４において合わせ・寸法の検査を行う。その合わせ検査装置３・寸法検査装置４において検査した検査データを合わせ・寸法検査データ記憶手段６２にホストコンピュータ１を介して記憶する。製造する半導体デバイスにおける品種・工程の合わせ、寸法規格値を合わせ・寸法規格記憶手段６１に記憶し、複数ある露光装置における稼働状況を稼働状況記憶手段６４に記憶する。各露光装置において合わせ・寸法検査データが合わせ・寸法規格値を満足するか判定するための品質能力を品質能力算出手段５１で算出し、その算出した品質能力と合わせ・寸法規格記憶手段６１で記憶した合わせ、寸法規格値とを比較し、規格値を満足する品質能力を持つ露光装置を露光装置候補選択手段５２で選抜する。選抜した規格値を満足する露光装置を露光装置候補記憶手段６３に記憶し、選抜・記憶した露光装置の中から、ばらつき・稼働状況より着工装置選択手段５３で着工する露光装置を選択する。
【００１７】
以下、図１に示す半導体製造システムの処理動作について、図２のフローチャートを用いて説明する。
【００１８】
ステップ１００で、露光するウエハにおける品種・工程名を取得し、ステップ２００で、合わせ・寸法規格記憶手段６１に記憶してある、露光するウエハにおける品種・工程の合わせ・寸法規格値を読み込み、その読み込んだ合わせ・寸法規格値を格納する。また、ステップ３００で合わせ・寸法検査データ記憶手段６２より、露光するウエハにおける品種・工程における過去の合わせ・寸法検査データを読み込み、読み込んだ合わせ・寸法検査データを各露光装置別に格納する。
【００１９】
ステップ２００、ステップ３００で読み込んだ露光する品種・工程における合わせ・寸法規格値と過去の合わせ・寸法検査データの例を図３・図４・図５、および、図６に示す。図３・図４・図５・および、図６は露光する品種・工程における合わせ規格値と露光装置＃０１／＃０２／＃０３／＃０４の過去の合わせ検査データを示している。横軸はウエハを示し、縦軸は合わせ検査データを示している。また、ＵＬは合わせ規格値の上限を示し、ＬＬは合わせ規格値の下限を示している。Ｌは合わせ規格値の上限と下限の範囲を示している。
【００２０】
露光装置別に格納した合わせ・寸法検査データより、ステップ４１０で、合わせ・寸法検査データが合わせ・寸法規格値を満足するか判定するための、品質に関する能力を表す指数Ｃｐｋを算出する。Ｃｐｋは（式１）により求められる。
【００２１】
【数１】

Figure 2004153191
【００２２】
（式１）のＬは合わせ・寸法規格値の上限と下限の範囲、Ｘは合わせ・寸法検査データの平均値を示し、σは合わせ・寸法検査データのばらつき（標準偏差）を示している。このＣｐｋ算出結果より、ステップ４１１で合わせ・寸法検査データが合わせ・寸法規格値を満足するか判定する。Ｃｐｋが１以上であれば合わせ・寸法検査データが合わせ・寸法規格値を満足している。次に、ステップ４１２で、合わせ・寸法検査データのばらつきを判定するために、品質に関する能力を表す指数Ｃｐを算出する。Ｃｐは（式２）により求められる。
【００２３】
【数２】
Figure 2004153191
【００２４】
（式２）のＵＬは合わせ・寸法規格値の上限、ＬＬは合わせ・寸法規格値の下限を示し、Ｌは合わせ・寸法規格値の上限と下限の範囲、σは合わせ・寸法検査データのばらつき（標準偏差）を示している。このＣｐ算出結果より、ステップ４１３で合わせ・寸法検査データのばらつきを判定する。Ｃｐが１以上であればばらつきが合わせ・寸法規格値を満足している。そのＣｐｋ／Ｃｐを判定し、合わせ・寸法規格値を満足する露光装置を、ステップ４１４で着工する露光装置候補として格納する。Ｃｐｋ／Ｃｐにおける算出／判定を、各露光装置において実行する。
【００２５】
露光装置＃０１／＃０２／＃０３／＃０４におけるＣｐｋ／Ｃｐの算出結果を図８に示す。この結果より、Ｃｐｋ／Ｃｐが共に１以上である露光装置＃０１／＃０２／＃０４において露光装置候補として格納する。
【００２６】
ステップ５００で、ステップ４１４で格納した露光装置候補が１つ以上あるか判定し、なければ露光する品種／工程における最適な着工装置がないことを端末に表示する。露光装置候補が１つ以上ある場合、ステップ６００でＣｐの低い順、即ち、合わせ・寸法規格値を満足する露光装置の中でばらつきの大きい順に並び替える。並び替えた順にステップ７１０で露光装置の稼働状況を読み込み、ステップ７１１で稼働状況を判定する。稼働中でなければ、その露光装置を着工露光装置として指示する内容を端末に表示する。稼働中であれば次にＣｐの低い露光装置の稼働状況を読み込み判定を繰り返す。
【００２７】
図９に露光装置候補として格納した露光装置＃０１／＃０２／＃０４をＣｐの低い順に並び替え、各露光装置の稼働状況を示す。この図より、まずＣｐの低い露光装置＃０１が稼働中であるため、次にＣｐの低く稼働中でない、露光装置＃０４を着工露光装置とすることがわかる。
【００２８】
以上述べたように、本発明では、合わせ・寸法検査データを用いて合わせ・寸法規格値を満足し、且つ、ばらつきと露光装置の稼働状況より着工する露光装置を判断することにより生産効率の向上を図ることができる。
【００２９】
【発明の効果】
本発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００３０】
合わせ・寸法規格値を満足する露光装置の中で、品質能力の悪い露光装置を選択することで、厳しい合わせ・寸法規格値を必要とする品種・工程を露光するとき品質能力の良い露光装置が空いている確率が高くなる。これより、装置稼働率が均等されることで生産効率の向上が図れる。
【００３１】
稼働状況より着工する露光装置を選択することで、装置稼働率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例である構成を説明する図。
【図２】本発明の実施例であるフローを説明する図。
【図３】露光装置＃０１の合わせ検査データを示す特性図。
【図４】露光装置＃０２の合わせ検査データを示す特性図。
【図５】露光装置＃０３の合わせ検査データを示す特性図。
【図６】露光装置＃０４の合わせ検査データを示す特性図。
【図７】各露光装置の品質能力・稼働状況を示す図。
【図８】各露光装置の品質能力を示す図。
【図９】各露光装置の品質能力の低い順に並び替え稼働状況を示す図。
【符号の説明】
１…ホストコンピュータ、２ａ／２ｂ／２ｃ／２ｄ…露光装置、３…合わせ検査装置、４…寸法検査装置、５…制御手段、５１…品質能力算出手段、５２…露光装置候補選択手段、５３…着工装置選択手段、６１…合わせ・寸法規格記憶手段、６２…合わせ・寸法検査データ記憶手段、６３…露光装置候補記憶手段、６４…稼働状況記憶手段。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor device using a plurality of exposure apparatuses.
[0002]
[Prior art]
In the manufacture of semiconductor devices, a conductive film or an insulating film is formed on a semiconductor wafer (hereinafter abbreviated as “wafer”), a resist as a photosensitive agent is applied thereon, and a circuit pattern on a reticle is exposed and developed on the resist. Thereafter, a circuit pattern is generated on the wafer by etching the film. A semiconductor device is composed of a plurality of circuit patterns, and a circuit pattern of a certain layer is subjected to overlay exposure in which exposure is performed by aligning with a circuit pattern of a lower layer. At this time, if different exposure apparatuses are used for the lower layer and the exposure layer, the distortion of the projection lens may be different between the apparatuses. Therefore, even if the alignment is performed at the alignment mark position, a misalignment occurs in the circuit pattern portion. For this reason, a so-called limited operation is performed in which the same exposure apparatus as that used in the first step of the semiconductor device is continuously used in the subsequent steps.
[0003]
However, in this case, the operation efficiency of the exposure apparatus is reduced, which causes an increase in production cost. Therefore, several measures for utilizing a plurality of exposure apparatuses have been disclosed. For example, as described in Patent Document 1, there is a method of correcting lens distortion between two devices by magnification. Patent Document 2 discloses a method of determining whether a wafer started by the exposure apparatus A can be started by the exposure apparatus B based on a difference in lens distortion between the two apparatuses.
[0004]
[Patent Document 1]
JP-A-9-92609 [Patent Document 2]
JP 2000-114132 A
[Problems to be solved by the invention]
By performing the above method, a plurality of exposure apparatuses can be used between processes, so that exposure can be performed in a non-operating, that is, empty, exposure apparatus, and the exposure apparatus operation efficiency is improved. Depending on the operation method, the operation efficiency of the exposure apparatus may be reduced.
[0006]
This is because, when there are a plurality of vacant exposure apparatuses, and an exposure apparatus having high alignment and dimensional accuracy is selected as an exposure apparatus to be started preferentially from among the plurality of exposure apparatuses, for example, in FIG. The operating condition of the exposure apparatus in a usable environment, the quality capability indicating the alignment and dimensional accuracy, and the determination result for selecting the exposure apparatus to be started based on the operating condition and the quality capability are shown. From this, it can be seen that the exposure apparatus # 05 having a high quality capability having alignment and dimensional accuracy is selected from the empty exposure apparatuses # 01 / # 05 / # 06. However, there is a problem in that the exposure apparatus # 05 having a high quality capability is selected regardless of the quality capability required in the product type / process.
[0007]
Even if you do not require extra alignment and dimensional accuracy in the type and process to be exposed, this selection method allows you to select an exposure apparatus with high quality capability and start exposing the type and process that require strict alignment and dimensional accuracy. There is a high probability that a simple exposure apparatus is in operation. As a result, the operation rate of an exposure apparatus having a high quality capability is improved, but the operation rate of an exposure apparatus having a low quality capability is reduced, so that the exposure apparatus operation rate is biased. Thereby, there is a possibility that the operation efficiency of the exposure apparatus is reduced.
[0008]
An object of the present invention is to improve production efficiency by selecting an exposure apparatus to be started according to a required alignment / dimensional accuracy and an operation state in a type / process to be exposed when a plurality of exposure apparatuses are used between steps, thereby improving the production efficiency. It is to plan.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The outline of a representative invention among the inventions disclosed in the present subject matter is as follows.
[0010]
That is, in a semiconductor manufacturing method using a plurality of exposure apparatuses,
Storing alignment and dimensional specification values in the type and process of the semiconductor device to be manufactured;
Acquiring and storing alignment / dimension inspection data of the manufactured semiconductor device;
Read the past alignment / dimension inspection data for each type / process for each exposure device, and calculate the alignment / dimension variation of the type / process for each exposure device from the read alignment / dimension inspection data for each exposure device. Steps to
Read the alignment / dimension specification values for the product type / process, compare the read alignment / dimension specification values with the calculated alignment / dimension variations in each exposure apparatus, and determine the exposure / exposure device that satisfies the alignment / dimension specification values. Selecting
Rearranging the selected exposure apparatus in ascending order of dimension variation and ordering;
A step of designating, as the exposure apparatus to be exposed, an exposure apparatus ranked high in the ranked exposure apparatuses.
[0011]
As a result, by selecting an exposure device with low alignment and dimensional accuracy from among the exposure devices that meet the alignment and dimensional standard values in the type and process of the semiconductor device to be exposed, the bias in the exposure device operation rate is reduced. The production efficiency can be improved by making the operation rate of the exposure apparatus uniform in each exposure apparatus.
[0012]
Further, as a semiconductor manufacturing method developed from the above,
Acquiring and storing the operation status of each exposure apparatus;
Reading the operation status of the exposure apparatus ranked in ascending order of the alignment / dimension variation;
In the ranked exposure devices, in the order of the exposure device with the lowest alignment and dimension variation that is ranked higher, determine the empty exposure device from the operating status of the read exposure device, and if an empty exposure device is found, A step of designating an exposure apparatus for exposure.
[0013]
Accordingly, by selecting an exposure apparatus to be started based on the operation state of each exposure apparatus, the operation efficiency of the exposure apparatus in each exposure apparatus can be further uniformed, so that production efficiency can be improved.
[0014]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment according to the present invention will be described with reference to the drawings.
[0015]
FIG. 1 shows a configuration of a semiconductor manufacturing system according to an embodiment of the present invention. The semiconductor manufacturing system according to the present embodiment includes a host computer 1 and a plurality of exposure apparatuses 2a / 2b / 2c / 2d, an alignment inspection apparatus 3, a dimension inspection apparatus 4, a quality capability calculation unit 51 as a control unit 5, an exposure apparatus candidate. A selection unit 52, a start-up device selection unit 53, an alignment / dimension standard storage unit 61, an alignment / dimension inspection data storage unit 62, an exposure device candidate storage unit 63, and an operation status storage unit 64. It is connected via a PC and can exchange data. In addition, a database 65 is connected to each storage means so that the data can be stored.
[0016]
The exposure apparatus is an apparatus for exposing a wafer. After the exposure of the wafer, the alignment and dimension inspection apparatuses 3 and 4 inspect the alignment and dimensions. The inspection data inspected by the alignment inspection apparatus 3 and the dimension inspection apparatus 4 are stored in the alignment and dimension inspection data storage means 62 via the host computer 1. The matching of the type and process of the semiconductor device to be manufactured and the dimensional specification value are stored in the matching and dimensional specification storage means 61, and the operation status of the plurality of exposure apparatuses is stored in the operation status storage means 64. The quality capability for determining whether the alignment / dimension inspection data satisfies the alignment / dimension specification value in each exposure apparatus is calculated by the quality capability calculating means 51 and stored in the alignment / dimension standard storage means 61 together with the calculated quality ability. Then, the exposure apparatus is selected by the exposure apparatus candidate selection unit 52 by comparing the dimensional specification value with the dimensional specification value, and exposing the exposure apparatus having a quality capability satisfying the specification value. The exposure apparatus that satisfies the selected standard value is stored in the exposure apparatus candidate storage unit 63, and the exposure apparatus to be started by the start apparatus selection unit 53 is selected from the selected and stored exposure apparatuses based on the variation and the operating status.
[0017]
Hereinafter, the processing operation of the semiconductor manufacturing system shown in FIG. 1 will be described with reference to the flowchart of FIG.
[0018]
In step 100, the type / process name of the wafer to be exposed is obtained, and in step 200, the type / process standard value of the type / process of the wafer to be exposed stored in the alignment / dimension standard storage means 61 is read. Store the read alignment and dimension specification values. Further, in step 300, the past alignment / dimension inspection data in the type / process of the wafer to be exposed is read from the alignment / dimension inspection data storage means 62, and the read alignment / dimension inspection data is stored for each exposure apparatus.
[0019]
FIGS. 3, 4, 5, and 6 show examples of alignment / dimension specification values and past alignment / dimension inspection data in the type / process of exposure read in step 200 and step 300. FIG. FIGS. 3, 4, 5, and 6 show alignment specification values in the types and processes to be exposed and past alignment inspection data of the exposure apparatuses # 01 / # 02 / # 03 / # 04. The horizontal axis indicates the wafer, and the vertical axis indicates the alignment inspection data. UL indicates the upper limit of the matching standard value, and LL indicates the lower limit of the matching standard value. L indicates a range between the upper limit and the lower limit of the alignment specification value.
[0020]
From the alignment / dimension inspection data stored for each exposure apparatus, in step 410, an index Cpk representing a quality-related capability for calculating whether the alignment / dimension inspection data satisfies the alignment / dimension standard value is calculated. Cpk is obtained by (Equation 1).
[0021]
(Equation 1)
Figure 2004153191
[0022]
L in (Equation 1) indicates the range of the upper and lower limits of the alignment / dimension specification value, X indicates the average value of the alignment / dimension inspection data, and σ indicates the variation (standard deviation) of the alignment / dimension inspection data. Based on the Cpk calculation result, it is determined in step 411 whether the alignment / dimension inspection data satisfies the alignment / dimension specification value. If Cpk is 1 or more, the alignment / dimension inspection data satisfies the alignment / dimension standard value. Next, in step 412, an index Cp representing a capability relating to quality is calculated in order to determine a variation in alignment / dimension inspection data. Cp is obtained by (Equation 2).
[0023]
(Equation 2)
Figure 2004153191
[0024]
In Equation (2), UL indicates the upper limit of the alignment / dimension specification value, LL indicates the lower limit of the alignment / dimension specification value, L indicates the range of the upper / lower limit of the alignment / dimension value, and σ indicates the variation of the alignment / dimension inspection data. (Standard deviation). Based on the Cp calculation result, in step 413, the variation of the alignment / dimension inspection data is determined. If Cp is 1 or more, the variation satisfies the matching / dimension specification value. The Cpk / Cp is determined, and an exposure apparatus that satisfies the alignment / dimension specification values is stored as an exposure apparatus candidate to be started in step 414. The calculation / determination in Cpk / Cp is executed in each exposure apparatus.
[0025]
FIG. 8 shows calculation results of Cpk / Cp in the exposure apparatuses # 01 / # 02 / # 03 / # 04. Based on this result, exposure apparatuses # 01 / # 02 / # 04 having Cpk / Cp of 1 or more are stored as exposure apparatus candidates.
[0026]
In step 500, it is determined whether there is one or more exposure apparatus candidates stored in step 414, and if not, a message is displayed on the terminal indicating that there is no optimum start apparatus for the type / process to be exposed. If there is one or more exposure apparatus candidates, the order is sorted in a step 600 in ascending order of Cp, that is, in descending order of variation among exposure apparatuses satisfying the alignment / dimension specification values. In step 710, the operation status of the exposure apparatus is read in the rearranged order, and in step 711, the operation status is determined. If the exposure apparatus is not in operation, the terminal displays the content of instructing the exposure apparatus as a start exposure apparatus. If the apparatus is in operation, the operation state of the exposure apparatus having the next lower Cp is read and the determination is repeated.
[0027]
FIG. 9 shows the operation status of each exposure apparatus, rearranging the exposure apparatuses # 01 / # 02 / # 04 stored as exposure apparatus candidates in ascending order of Cp. From this figure, it can be seen that, first, the exposure apparatus # 01 having a low Cp is in operation, and then the exposure apparatus # 04, which is not in operation and having a low Cp, is set as the start exposure apparatus.
[0028]
As described above, in the present invention, the alignment / dimension inspection data is used to satisfy the alignment / dimension standard value, and the production efficiency is improved by judging the exposure apparatus to be started based on the variation and the operation state of the exposure apparatus. Can be achieved.
[0029]
【The invention's effect】
The effects obtained by typical ones of the present invention will be briefly described as follows.
[0030]
By selecting an exposure device with poor quality capability among exposure devices that meet the alignment / dimension specification values, an exposure device with high quality capability can be obtained when exposing products / processes that require strict alignment / dimension specifications. The probability of vacancy increases. Thus, the production efficiency can be improved by equalizing the operation rates of the apparatuses.
[0031]
By selecting the exposure apparatus to be started according to the operation status, the operation rate of the apparatus can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a flow according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a characteristic diagram showing alignment inspection data of an exposure apparatus # 01.
FIG. 4 is a characteristic diagram showing alignment inspection data of an exposure apparatus # 02.
FIG. 5 is a characteristic diagram showing alignment inspection data of exposure apparatus # 03.
FIG. 6 is a characteristic diagram showing alignment inspection data of the exposure apparatus # 04.
FIG. 7 is a diagram showing the quality capability and operation status of each exposure apparatus.
FIG. 8 is a diagram showing the quality capability of each exposure apparatus.
FIG. 9 is a diagram illustrating an operation state in which the exposure apparatuses are sorted in ascending order of quality capability.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Host computer, 2a / 2b / 2c / 2d ... Exposure apparatus, 3 ... Alignment inspection apparatus, 4 ... Dimension inspection apparatus, 5 ... Control means, 51 ... Quality capability calculation means, 52 ... Exposure apparatus candidate selection means, 53 ... Starting device selecting means, 61: alignment / dimension standard storage means, 62: alignment / dimension inspection data storage means, 63: exposure apparatus candidate storage means, 64: operating status storage means.

Claims (6)

複数の露光装置を用いる半導体製造方法において、
製造する半導体デバイスの品種・工程における製造規格値を記憶するステップと、
製造した半導体デバイスの検査データを取得し記憶するステップと、
当該品種・工程における過去の検査データを各露光装置別に読み込み、その読み込んだ露光装置別の検査データより、各露光装置においての当該品種・工程のばらつきを算出するステップと、
当該品種・工程における製造規格値を読み込み、その読み込んだ製造規格値と、上記算出した各露光装置におけるばらつきとを比較し、製造規格値を満足する露光装置を選択するステップと、
その選択された露光装置をばらつきの低い順に並び替え、順位付けするステップと、
その順位付けした露光装置で、上位に格付けされている露光装置を、露光する露光装置として指定するステップと
を備えることを特徴とする半導体製造方法。In a semiconductor manufacturing method using a plurality of exposure apparatuses,
Storing a manufacturing specification value in a kind and a process of a semiconductor device to be manufactured;
Acquiring and storing inspection data of the manufactured semiconductor device;
Reading the past inspection data of each type / process for each exposure apparatus, and calculating the variation of the type / process for each exposure apparatus from the read inspection data for each exposure apparatus;
Reading the manufacturing standard value in the product type / process, comparing the read manufacturing standard value with the calculated variation in each exposure apparatus, and selecting an exposure apparatus satisfying the manufacturing standard value;
Rearranging the selected exposure apparatus in ascending order of variation and ranking the steps;
A step of designating, as the exposure apparatus to be exposed, an exposure apparatus ranked high in the ranked exposure apparatuses. 複数の露光装置を用いる半導体製造方法において、
製造する半導体デバイスの品種・工程における合わせ・寸法規格値を記憶するステップと、
製造した半導体デバイスの合わせ・寸法検査データを取得し記憶するステップと、
当該品種・工程における過去の合わせ・寸法検査データを各露光装置別に読み込み、その読み込んだ露光装置別の合わせ・寸法検査データより、各露光装置においての当該品種・工程の合わせ・寸法のばらつきを算出するステップと、
当該品種・工程における合わせ・寸法規格値を読み込み、その読み込んだ合わせ・寸法規格値と、上記算出した各露光装置における合わせ・寸法のばらつきとを比較し、合わせ・寸法規格値を満足する露光装置を選択するステップと、
その選択された露光装置を合わせ・寸法のばらつきの低い順に並び替え、順位付けするステップと、
その順位付けした露光装置で、上位に格付けされている露光装置を、露光する露光装置として指定するステップと
を備えることを特徴とする半導体製造方法。In a semiconductor manufacturing method using a plurality of exposure apparatuses,
Storing alignment and dimensional specification values in the type and process of the semiconductor device to be manufactured;
Acquiring and storing alignment / dimension inspection data of the manufactured semiconductor device;
Reads the past alignment / dimension inspection data for each product / process for each exposure device, and calculates the alignment / dimension variation of the product / process for each exposure device from the read alignment / dimension inspection data for each exposure device. Steps to
Read the alignment / dimension specification values for the product type / process, compare the read alignment / dimension specification values with the calculated alignment / dimension variations in each exposure apparatus, and determine the exposure / exposure device that satisfies the alignment / dimension specification values. Selecting
Rearranging the selected exposure apparatus in ascending order of dimension variation and ordering;
A step of designating, as the exposure apparatus to be exposed, an exposure apparatus ranked high in the ranked exposure apparatuses. 請求項２の半導体製造方法において、
各露光装置における稼働状況を取得し記憶するステップと、
合わせ・寸法のばらつきの低い順に順位付けした露光装置における稼働状況を読み込むステップと、
順位付けした露光装置で、上位に格付けされている合わせ・寸法のばらつきの低い露光装置順に、読み込んだ露光装置における稼働状況より空いている露光装置を判断し、空いている露光装置が見つかれば、露光する露光装置として指定するステップと
を備えることを特徴とする半導体製造方法。The semiconductor manufacturing method according to claim 2,
Acquiring and storing the operation status of each exposure apparatus;
Reading the operation status of the exposure apparatus ranked in ascending order of the alignment / dimension variation;
In the ranked exposure devices, in the order of the exposure device with the lowest alignment and dimension variation that is ranked higher, determine the empty exposure device from the operating status of the read exposure device, and if an empty exposure device is found, A step of designating an exposure apparatus for exposure. 複数の露光装置を用いる半導体製造システムにおいて、
製造する半導体デバイスの品種・工程における製造規格値を記憶する手段と、
製造した半導体デバイスの検査データを取得し記憶する手段と、
当該品種・工程における過去の検査データを各露光装置別に読み込み、その読み込んだ露光装置別の検査データより、各露光装置においての当該品種・工程のばらつきを算出する手段と、
当該品種・工程における製造規格値を読み込み、その読み込んだ製造規格値と、上記算出した各露光装置におけるばらつきとを比較し、製造規格値を満足する露光装置を選択する手段と、
その選択された露光装置をばらつきの低い順に並び替え、順位付けする手段と、
その順位付けした露光装置で、上位に格付けされている露光装置を、露光する露光装置として指定する手段と
を備えることを特徴とする半導体製造システム。In a semiconductor manufacturing system using a plurality of exposure apparatuses,
Means for storing a manufacturing standard value in a kind and a process of a semiconductor device to be manufactured;
Means for acquiring and storing inspection data of the manufactured semiconductor device;
Means for reading the past inspection data of the type / process for each exposure apparatus, and calculating the variation of the type / process for each exposure apparatus from the read inspection data for each exposure apparatus;
Means for reading a manufacturing standard value in the product type / process, comparing the read manufacturing standard value with the calculated variation in each exposure apparatus, and selecting an exposure apparatus satisfying the manufacturing standard value;
Means for rearranging and selecting the selected exposure apparatus in ascending order of variation,
Means for designating, as the exposure apparatus to be exposed, an exposure apparatus ranked higher in the ranked exposure apparatuses. 複数の露光装置を用いる半導体製造システムにおいて、
製造する半導体デバイスの品種・工程における合わせ・寸法規格値を記憶する手段と、
製造した半導体デバイスの合わせ・寸法検査データを取得し記憶する手段と、当該品種・工程における過去の合わせ・寸法検査データを各露光装置別に読み込み、その読み込んだ露光装置別の合わせ・寸法検査データより、各露光装置においての当該品種・工程の合わせ・寸法のばらつきを算出する手段と、
当該品種・工程における合わせ・寸法規格値を読み込み、その読み込んだ合わせ・寸法規格値と、上記算出した各露光装置における合わせ・寸法のばらつきとを比較し、合わせ・寸法規格値を満足する露光装置を選択する手段と、
その選択された露光装置を合わせ・寸法のばらつきの低い順に並び替え、順位付けする手段と、
その順位付けした露光装置で、上位に格付けされている露光装置を、露光する露光装置として指定する手段と
を備えることを特徴とする半導体製造システム。In a semiconductor manufacturing system using a plurality of exposure apparatuses,
Means for storing alignment and dimensional specification values in the type and process of the semiconductor device to be manufactured;
A means for acquiring and storing alignment / dimension inspection data of manufactured semiconductor devices, and reading past alignment / dimension inspection data for each type / process for each exposure apparatus, and reading the alignment / dimension inspection data for each exposure apparatus. Means for calculating the variation of the alignment and dimensions of the type / process in each exposure apparatus;
Read the alignment / dimension specification values for the product type / process, compare the read alignment / dimension specification values with the calculated alignment / dimension variations in each exposure apparatus, and determine the exposure / exposure device that satisfies the alignment / dimension specification values. Means for selecting
Means for sorting and aligning the selected exposure apparatus in ascending order of dimension variation,
Means for designating, as the exposure apparatus to be exposed, an exposure apparatus ranked higher in the ranked exposure apparatuses. 請求項５の半導体製造システムにおいて、
各露光装置における稼働状況を取得し記憶する手段と、
合わせ・寸法のばらつきの低い順に順位付けした露光装置における稼働状況を読み込む手段と、
順位付けした露光装置で、上位に格付けされている合わせ・寸法のばらつきの低い露光装置順に、読み込んだ露光装置における稼働状況より空いている露光装置を判断し、空いている露光装置が見つかれば、露光する露光装置として指定する手段と
を備えることを特徴とする半導体製造システム。The semiconductor manufacturing system according to claim 5,
Means for acquiring and storing the operation status of each exposure apparatus,
Means for reading the operation status of the exposure apparatus which is ranked in ascending order of the alignment / dimension variation,
In the ranked exposure devices, in the order of the exposure device with the lowest alignment and dimension variation that is ranked higher, determine the empty exposure device from the operating status of the read exposure device, and if an empty exposure device is found, Means for designating an exposure apparatus for exposure.
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