KR102531226B1

KR102531226B1 - 함불소 에테르 조성물, 코팅액 및 물품

Info

Publication number: KR102531226B1
Application number: KR1020197013797A
Authority: KR
Inventors: 겐지 이시제키
Original assignee: 에이지씨 가부시키가이샤
Priority date: 2017-02-14
Filing date: 2018-02-09
Publication date: 2023-05-10
Also published as: JP2024053111A; JPWO2018151055A1; WO2018151055A1; JP2022069480A; KR20190111893A; CN110114410A; JP7031689B2; JP6652203B2; TWI765966B; TW201835291A; JP2020063456A

Abstract

수적 활락성이 우수한 표면층을 형성할 수 있는 함불소 에테르 조성물 및 코팅액, 그리고 수적 활락성이 우수한 표면층을 갖는 물품의 제공.
함불소 에테르 화합물 (A) 와 함불소 에테르 화합물 (B) 를 포함하는 조성물로서, 상기 화합물 (A) 및 상기 화합물 (B) 는, 각각, 폴리(옥시퍼플루오로알킬렌) 사슬과, 그 일방의 말단에 결합한 퍼플루오로알킬기와, 하기 식 (I) 로 나타내는 기를 갖고, 상기 조성물 중에 포함되는 상기 화합물 (A) 와 상기 화합물 (B) 의 조합에 있어서, 상기 화합물 (A) 가 갖는 퍼플루오로알킬기의 탄소수가, 상기 화합물 (B) 가 갖는 퍼플루오로알킬기의 탄소수보다 적고, 상기 화합물 (A) 의 함유량이, 상기 화합물 (A) 와 상기 화합물 (B) 의 합계에 대해 30 ∼ 95 질량％ 인 함불소 에테르 조성물.
-SiR_nL_3-n(I)
L 은 수산기 또는 가수분해성기, R 은 수소 원자 또는 1 가의 탄화수소기, n 은 0 ∼ 2 의 정수이다.

Description

함불소 에테르 조성물, 코팅액 및 물품

본 발명은, 함불소 에테르 조성물, 코팅액 및 물품에 관한 것이다.

함불소 화합물은, 높은 윤활성, 발수발유성 등을 나타내는 점에서, 표면 처리제 등에 사용된다. 예를 들어 그 표면 처리제에 의해 기재의 표면에 표면층을 형성하면, 윤활성, 발수발유성 등이 부여되어, 기재 표면의 오염을 닦아내기 쉬워져, 오염의 제거성이 향상된다. 함불소 화합물 중에서도, 퍼플루오로알킬 사슬의 도중에 에테르 결합 (-O-) 이 존재하는 폴리(옥시퍼플루오로알킬렌) 사슬을 갖는 함불소 에테르 화합물은, 유지 등의 오염의 제거성이 우수하다.

함불소 에테르 화합물로서, 가수분해성 실릴기를 갖는 것이 제안되어 있다. 이와 같은 함불소 에테르 화합물은, 손가락으로 반복해 마찰되어도 발수발유성이 저하하기 어려운 성능 (내마찰성) 및 닦아내기에 의해 표면에 부착된 지문을 용이하게 제거할 수 있는 성능 (지문 오염 제거성) 이 장기간 유지될 것이 요구되는 용도, 예를 들어 터치 패널의, 손가락으로 접촉하는 면을 구성하는 부재의 표면 처리제에 사용된다.

함불소 에테르 화합물로는, 예를 들어 하기 함불소 에테르 화합물이 제안되어 있다.

탄소수 1 ∼ 2 의 옥시퍼플루오로알킬렌기의 적어도 1 종으로 이루어지는 기 (α) 의 1 ∼ 3 개와, 탄소수 3 ∼ 6 의 옥시퍼플루오로알킬렌기의 적어도 1 종으로 이루어지는 기 (β) 의 1 ∼ 3 개를 갖는 폴리(옥시퍼플루오로알킬렌)기를 단위로 하고, 상기 단위의 2 개 이상이 연결되어 이루어지는 폴리(옥시퍼플루오로알킬렌) 사슬을 갖고, 또한 그 폴리(옥시퍼플루오로알킬렌) 사슬의 적어도 일방의 말단에 연결기를 개재하여 가수분해성 실릴기를 갖는, 함불소 에테르 화합물 (특허문헌 1).

또, 특허문헌 1 에는, 상기 함불소 에테르 화합물을 95 질량％ 이상 포함하는 조성물이나, 상기 함불소 에테르 화합물의 2 종을 포함하는 혼합물이 개시되어 있다.

국제 공개 제2013/121984호

그러나, 본 발명자에 의하면, 특허문헌 1 에 기재된 함불소 에테르 화합물, 조성물 또는 혼합물에 의해 형성되는 표면층은, 수적 활락성이 불충분한 것을 알 수 있었다. 또한, 수적 활락성이란, 경사면에 있어서 수적이 활락하기 쉬운 (전락각이 작거나, 또는/및 활락 속도가 빠르다) 성질이다.

본 발명은, 수적 활락성이 우수한 표면층을 형성할 수 있는 함불소 에테르 조성물 및 코팅액, 그리고 수적 활락성이 우수한 표면층을 갖는 물품의 제공을 목적으로 한다.

본 발명은, 이하의 [1] ∼ [15] 의 구성을 갖는, 함불소 에테르 조성물, 코팅액 및 물품을 제공한다.

[1] 함불소 에테르 화합물 (A) 와 함불소 에테르 화합물 (B) 를 포함하는 조성물로서,

상기 함불소 에테르 화합물 (A) 및 상기 함불소 에테르 화합물 (B) 는, 각각 폴리(옥시퍼플루오로알킬렌) 사슬과, 그 일방의 말단에 결합한 퍼플루오로알킬기와, 하기 식 (I) 로 나타내는 기를 갖고,

상기 조성물 중에 포함되는 상기 함불소 에테르 화합물 (A) 와 상기 함불소 에테르 화합물 (B) 의 조합에 있어서, 함불소 에테르 화합물 (A) 가 갖는 퍼플루오로알킬기의 탄소수가, 함불소 에테르 화합물 (B) 가 갖는 퍼플루오로알킬기의 탄소수보다 적고,

상기 함불소 에테르 화합물 (A) 의 함유량이, 상기 함불소 에테르 화합물 (A) 와 상기 함불소 에테르 화합물 (B) 의 합계에 대해, 30 ∼ 95 질량％ 인 것을 특징으로 하는 함불소 에테르 조성물.

-SiR_nL_3-n···(I)

단, L 은 수산기 또는 가수분해성기이고,

R 은 수소 원자 또는 1 가의 탄화수소기이고,

n 은 0 ∼ 2 의 정수이고,

n 이 0 또는 1 일 때 (3 - n) 개의 L 은, 동일해도 되고 상이해도 되고,

n 이 2 일 때 n 개의 R 은, 동일해도 되고 상이해도 되고,

상기 함불소 에테르 화합물 (A) 및 상기 함불소 에테르 화합물 (B) 각각이 갖는 상기 식 (I) 로 나타내는 기는 동일해도 되고 상이해도 된다.

[2] 상기 함불소 에테르 화합물 (A) 가 갖는 퍼플루오로알킬기의 탄소수가 1 ∼ 19, 상기 함불소 에테르 화합물 (B) 가 갖는 퍼플루오로알킬기의 탄소수가 2 ∼ 20 인, [1] 의 함불소 에테르 조성물.

[3] 상기 함불소 에테르 화합물 (A) 가 갖는 퍼플루오로알킬기의 탄소수가 1, 상기 함불소 에테르 화합물 (B) 가 갖는 퍼플루오로알킬기의 탄소수가 2 또는 3 이거나, 상기 함불소 에테르 화합물 (A) 가 갖는 퍼플루오로알킬기의 탄소수가 2, 상기 함불소 에테르 화합물 (B) 가 갖는 퍼플루오로알킬기의 탄소수가 3 인, [1] 또는 [2] 의 함불소 에테르 조성물.

[4] 상기 함불소 에테르 화합물 (A) 및 상기 함불소 에테르 화합물 (B) 각각이 갖는 상기 식 (I) 로 나타내는 기의 수가 1 ∼ 3 개인, [1] ∼ [3] 중 어느 하나의 함불소 에테르 조성물.

[5] 상기 함불소 에테르 화합물 (A) 및 상기 함불소 에테르 화합물 (B) 각각이 갖는 폴리(옥시퍼플루오로알킬렌) 사슬의 수가 1 ∼ 3 개인, [1] ∼ [4] 중 어느 하나의 함불소 에테르 조성물.

[6] 상기 함불소 에테르 화합물 (A) 와 상기 함불소 에테르 화합물 (B) 가, 모두, 하기 식 (A/B) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물이고, 상기 조성물 중에 포함되는 상기 함불소 에테르 화합물 (A) 와 상기 함불소 에테르 화합물 (B) 의 조합에 있어서, 함불소 에테르 화합물 (A) 에 있어서의 R^f 의 탄소수가, 함불소 에테르 화합물 (B) 에 있어서의 R^f 의 탄소수보다 적은, [1] 의 함불소 에테르 조성물.

[R^f-O-Q-R^PF-]_rZ[-SiR_nL_3-n]_s···(A/B)

단, R^f 는, 퍼플루오로알킬기이고, r 이 2 이상인 경우는 r 개의 퍼플루오로알킬기는 동일한 퍼플루오로알킬기이고,

Q 는, 단결합, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 옥시플루오로알킬렌기, 또는 그 옥시플루오로알킬렌기의 2 ∼ 5 개가 결합하여 이루어지는 폴리옥시플루오로알킬렌기이고, 그 기를 구성하는 옥시플루오로알킬렌기는 모두가 동일해도 되고 상이해도 되고,

R^PF 는, 폴리(옥시퍼플루오로알킬렌) 사슬이고,

Z 는, (r ＋ s) 가의 연결기이고,

-SiR_nL_3-n은, 상기 식 (I) 로 나타내는 기이고, s 가 2 이상인 경우는 s 개의 식 (I) 로 나타내는 기는 동일한 기이고,

r 및 s 는, 각각, 1 이상의 정수이고, r ＋ s 는 8 이하이다.

[7] 상기 r 이 1 ∼ 3 인, [6] 의 함불소 에테르 조성물.

[8] 상기 s 가 1 ∼ 3 인, [6] 또는 [7] 의 함불소 에테르 조성물.

[9] 하기 식 (A1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물 (A1) 과 하기 식 (B1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물 (B1) 을 포함하고, 상기 함불소 에테르 화합물 (A1) 의 함유량이, 상기 함불소 에테르 화합물 (A1) 과 상기 함불소 에테르 화합물 (B1) 의 합계에 대해, 30 ∼ 95 질량％ 인 것을 특징으로 하는 함불소 에테르 조성물.

[R^fa-O-Q^a-R^PFa-]_r1Z^a[-SiR^a _n1L^a _3-n1]_s1···(A1)

[R^fb-O-Q^b-R^PFb-]_r2Z^b[-SiR^b _n2L^b _3-n2]_s2···(B1)

단, R^fa 및 R^fb 는, 퍼플루오로알킬기이고, R^fa 의 탄소수는, R^fb 의 탄소수보다 적고,

Q^a 및 Q^b 는, 단결합, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 옥시플루오로알킬렌기, 또는 그 옥시플루오로알킬렌기의 2 ∼ 5 개가 결합하여 이루어지는 폴리옥시플루오로알킬렌기이고, 그 기를 구성하는 옥시플루오로알킬렌기는 모두가 동일해도 되고 상이해도 되고,

R^PFa 및 R^PFb 는, 폴리(옥시퍼플루오로알킬렌) 사슬이고,

Z^a 는, (r1 ＋ s1) 가의 연결기이고,

Z^b 는, (r2 ＋ s2) 가의 연결기이고,

L^a 및 L^b 는, 수산기 또는 가수분해성기이고,

R^a 및 R^b 는 수소 원자 또는 1 가의 탄화수소기이고,

n1 및 n2 는 0 ∼ 2 의 정수이고,

n1 이 0 또는 1 일 때의 (3 - n1) 개의 L^a, n2 가 0 또는 1 일 때의 (3 - n) 개의 L^b 는 각각, 동일해도 되고 상이해도 되고,

n1 이 2 일 때 n1 개의 R^a, n2 가 2 일 때 n2 개의 R^b 는 각각, 동일해도 되고 상이해도 되고,

r1 및 r2 는 1 이상의 정수이고, r1 이 2 이상일 때 r1 개의 R^fa, Q^a 및 R^PFa 는 각각, 동일해도 되고 상이해도 되고, r2 가 2 이상일 때 r2 개의 R^fb, Q^b 및 R^PFb 는 각각, 동일해도 되고 상이해도 되고,

s1 및 s2 는, 1 이상의 정수이고, s1 이 2 이상일 때 s1 개의 [-SiR^a _n1L^a _3-n1] 은, 동일해도 되고 상이해도 되고, s2 가 2 이상일 때 s2 개의 [-SiR^b _n2L^b _3-n2] 는, 동일해도 되고 상이해도 된다.

[10] 상기 식 (A1) 중의 r1 이 2 이상일 때 r1 개의 R^fa 가 동일한, [9] 의 함불소 에테르 조성물.

[11] 상기 식 (A2) 중의 r2 가 2 이상일 때 r2 개의 R^fb 가 동일한, [9] 또는 [10] 의 함불소 에테르 조성물.

[12] 상기 식 (A1) 중의 R^fa 의 탄소수가 1 ∼ 19, 상기 식 (B1) 중의 R^fb 의 탄소수가 2 ∼ 20 인, [9] ∼ [11] 중 어느 하나의 함불소 에테르 조성물.

[13] 상기 식 (A1) 중의 R^fa 의 탄소수가 1, 상기 식 (B1) 중의 R^fb 의 탄소수가 2 또는 3 이거나, 상기 식 (A1) 중의 R^fa 의 탄소수가 2, 상기 식 (B1) 중의 R^fb 의 탄소수가 3 인, [9] ∼ [12] 중 어느 하나의 함불소 에테르 조성물.

[14] 상기 [1] ∼ [13] 중 어느 하나의 함불소 에테르 조성물과, 액상 매체를 포함하는 것을 특징으로 하는 코팅액.

[15] 상기 [1] ∼ [13] 중 어느 하나의 함불소 에테르 조성물로 형성된 표면층을 갖는 것을 특징으로 하는 물품.

본 발명의 함불소 에테르 조성물 및 코팅액에 의하면, 수적 활락성이 우수한 표면층을 형성할 수 있다.

본 발명의 물품은, 수적 활락성이 우수한 표면층을 갖는다.

본 명세서에 있어서, 식 (1) 로 나타내는 화합물을 화합물 (1) 이라고 기재하고, 식 (I) 로 나타내는 기를 기 (I) 이라고 기재한다. 다른 식으로 나타내는 화합물 또는 기도 동일하게 기재한다.

또, 옥시퍼플루오로알킬렌기의 화학식은, 그 산소 원자를 퍼플루오로알킬렌기의 우측에 기재하여 나타내는 것으로 한다.

「표면층」이란, 기재의 표면에 형성되는 층을 의미한다.

〔함불소 에테르 조성물〕

본 발명의 함불소 에테르 조성물 (이하, 「본 조성물」이라고도 기재한다.) 은, 함불소 에테르 화합물 (A) (이하, 「화합물 (A)」라고도 기재한다.) 와, 함불소 에테르 화합물 (B) (이하, 「화합물 (B)」라고도 기재한다.) 를 포함한다. 본 조성물은, 후술하는 바와 같이 액상 매체는 포함하지 않는다. 본 조성물은, 화합물 (A) 및 화합물 (B) 로 이루어지는 것이어도 되고, 후술하는 바와 같이 화합물 (A) 및 화합물 (B) 이외의 다른 함불소 에테르 화합물이나, 화합물 (A), 화합물 (B) 및 다른 함불소 에테르 화합물 이외의 불순물을 포함하고 있어도 된다.

화합물 (A) 및 화합물 (B) 는 각각, 폴리(옥시퍼플루오로알킬렌) 사슬 (이하, 「R^PF 사슬」이라고도 기재한다.) 과, 그 일방의 말단에 결합한 퍼플루오로알킬기 (이하, 「R^f 기」라고도 기재한다.) 와, 하기 식 (I) 로 나타내는 기 (이하, 「기 (I)」이라고도 기재한다.) 를 갖는다.

-SiR_nL_3-n···(I)

단, L 은 수산기 또는 가수분해성기이고,

R 은 수소 원자 또는 1 가의 탄화수소기이고,

n 은 0 ∼ 2 의 정수이고,

n 이 2 일 때 n 개의 R 은, 동일해도 되고 상이해도 된다.

화합물 (A) 가 갖는 R^f 기의 탄소수는, 화합물 (B) 가 갖는 R^f 기의 탄소수보다 적다. 요컨대 본 조성물은, R^PF 사슬과 R^f 기와 기 (I) 을 갖는 함불소 에테르 화합물로서, R^f 기의 탄소수가 상이한 2 종을 포함한다. 이로써, 표면층의 수적 활락성이 우수하다.

화합물 (A) 및 화합물 (B) 각각이 갖는 R^PF 사슬 및 기 (I) 은 각각, 동일해도 되고 상이해도 된다.

(R^f 기)

R^f 기의 탄소수는, 표면층의 윤활성 및 내마찰성이 더욱 우수한 점에서, 1 ∼ 20 이 바람직하고, 1 ∼ 10 이 보다 바람직하며, 1 ∼ 6 이 더욱 바람직하고, 1 ∼ 3 이 특히 바람직하다.

따라서, 화합물 (A) 가 갖는 R^f 기의 탄소수가 1 ∼ 19, 화합물 (B) 가 갖는 R^f 기의 탄소수가 2 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 화합물 (A) 가 갖는 R^f 기의 탄소수가 1 ∼ 9, 화합물 (B) 가 갖는 R^f 기의 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 보다 바람직하며, 화합물 (A) 가 갖는 R^f 기의 탄소수가 1 ∼ 5, 화합물 (B) 가 갖는 R^f 기의 탄소수가 2 ∼ 6 인 것이 더욱 바람직하고, 화합물 (A) 가 갖는 R^f 기의 탄소수가 1, 화합물 (B) 가 갖는 R^f 기의 탄소수가 2 또는 3 이거나, 화합물 (A) 가 갖는 R^f 기의 탄소수가 2, 화합물 (B) 가 갖는 R^f 기의 탄소수가 3 인 것이 특히 바람직하다.

R^f 기는 분기형이어도 되고 직사슬형이어도 되고, 직사슬형이 바람직하다. R^f 기로는, 예를 들어 CF₃-, CF₃CF₂-, CF₃CF₂CF₂- 등을 들 수 있고, CF₃-, CF₃CF₂- 가 특히 바람직하다.

화합물 (A) 가 갖는 R^f 기의 수는, R^PF 사슬의 수와 동일하다. 화합물 (A) 가 R^f 기를 2 개 이상 갖는 경우, 각 R^f 기는 모두가 동일한 기여도 되고 상이해도 되고, 바람직하게는 동일한 기이다.

마찬가지로, 화합물 (B) 가 갖는 R^f 기의 수는, R^PF 사슬의 수와 동일하다. 화합물 (B) 가 R^f 기를 2 개 이상 갖는 경우, 각 R^f 기는 모두가 동일한 기여도 되고 상이해도 되고, 바람직하게는 동일한 기이다.

단, 화합물 (A) 가 갖는 R^f 기 중 가장 탄소수가 많은 R^f 기의 탄소수는, 화합물 (B) 가 갖는 R^f 기 중 가장 탄소수가 적은 R^f 기의 탄소수보다 적다.

R^f 기의 조합으로는, 화합물 (A) 가 갖는 R^f 기가 CF₃-, 화합물 (B) 가 갖는 R^f 기가 CF₃CF₂- 인 조합, 화합물 (A) 가 갖는 R^f 기가 CF₃-, 화합물 (B) 가 갖는 R^f기가 CF₃CF₂CF₂- 인 조합, 화합물 (A) 가 갖는 R^f 기가 CF₃CF₂-, 화합물 (B) 가 갖는 R^f 기가 CF₃CF₂CF₂- 인 조합이 바람직하고, 화합물 (A) 가 갖는 R^f 기가 CF₃-, 화합물 (B) 가 갖는 R^f 기가 CF₃CF₂- 인 조합이 특히 바람직하다.

R^f 기는, 전형적으로는, 연결기를 개재하여 R^PF 사슬의 일방의 말단에 결합한다.

연결기로는, 기 (II) 가 바람직하다. 요컨대 화합물 (A) 및 화합물 (B) 각각의 R^PF 사슬의 일방의 말단에는, 기 (II) 를 개재하여 R^f 기가 결합하고 있는 것이 바람직하다. 단, 기 (II) 의 좌측이 R^f 기에 결합한다.

-O-Q- ···(II)

단, Q 는, 단결합, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 옥시플루오로알킬렌기, 또는 그 옥시플루오로알킬렌기의 2 ∼ 5 개 (바람직하게는 2 ∼ 4 개) 가 결합하여 이루어지는 폴리옥시플루오로알킬렌기이다. 그 기를 구성하는 옥시플루오로알킬렌기는 모두가 동일해도 되고 상이해도 된다.

Q 가 수소 원자를 갖는 옥시플루오로알킬렌기 또는 그 옥시플루오로알킬렌기의 2 ∼ 5 개가 결합하여 이루어지는 폴리옥시플루오로알킬렌기임으로써, 화합물 (A) 및 화합물 (B) 의 액상 매체에 대한 용해성이 높아진다. 그 때문에, 코팅액 중에서 화합물 (A) 및 화합물 (B) 가 응집하기 어렵고, 또 기재의 표면에 도포한 후, 건조시키는 도중에 화합물 (A) 및 화합물 (B) 가 응집하기 어렵기 때문에, 표면층의 외관이 더욱 우수하다.

Q 에 있어서의 옥시플루오로알킬렌기의 탄소수는, 2 ∼ 6 이 바람직하고, 2 ∼ 4 가 보다 바람직하며, 2 또는 3 이 특히 바람직하다.

옥시플루오로알킬렌기에 있어서의 수소 원자의 수는, 표면층의 외관이 우수한 점에서, 1 개 이상이고, 2 개 이상이 바람직하고, 3 개 이상이 특히 바람직하다. 옥시플루오로알킬렌기에 있어서의 수소 원자의 수는, 표면층의 발수발유성이 더욱 우수한 점에서, (Q 의 탄소수) × 2 개 이하가 바람직하고, (Q 의 탄소수) 개 이하가 특히 바람직하다.

옥시플루오로알킬렌기는, 분기 구조를 가지지 않는 옥시플루오로알킬렌기여도 되고, 분기 구조를 갖는 옥시플루오로알킬렌기여도 된다. 표면층의 내마모성 및 윤활성이 더욱 우수한 점에서, 분기 구조를 가지지 않는 옥시플루오로알킬렌기가 바람직하다.

옥시플루오로알킬렌기의 2 ∼ 5 개가 결합하여 이루어지는 기에 있어서, 2 ∼ 5 개의 옥시플루오로알킬렌기는 동일해도 되고 상이해도 된다.

Q 로는, 화합물 (A) 및 화합물 (B) 의 제조의 용이함의 점에서, 단결합, 또는 -CHFCF₂OCH₂CF₂O-, -CF₂CHFCF₂OCH₂CF₂O-, -CF₂CF₂CHFCF₂OCH₂CF₂O-, -CF₂CF₂OCHFCF₂OCH₂CF₂O-, -CF₂CF₂OCF₂CF₂OCHFCF₂OCH₂CF₂O-, -CF₂CH₂OCH₂CF₂O-, 및 -CF₂CF₂OCF₂CH₂OCH₂CF₂O- 로 이루어지는 군에서 선택되는 기 (단, 좌측이 O 에 결합한다.) 가 바람직하다.

(R^PF 사슬)

R^PF 사슬로는, 예를 들어 하기 식 (1) 로 나타내는 R^PF 사슬을 들 수 있다.

(R^FO)_m1···(1)

단, R^F 는 퍼플루오로알킬렌기이고,

m1 은 2 ∼ 200 의 정수이고,

(R^FO)_m1 은, 탄소수가 상이한 2 종 이상의 R^FO 로 이루어지는 것이어도 된다.

R^F 의 탄소수는, 표면층의 내마찰성 및 지문 제거성이 더욱 우수한 점에서, 1 ∼ 6 개가 바람직하고, 1 ∼ 4 개가 보다 바람직하며, 표면층의 윤활성이 더욱 우수한 점에서는, 1 ∼ 2 개가 특히 바람직하고, 표면층의 내마찰성이 더욱 우수한 점에서는, 탄소수 3 ∼ 4 개의 퍼플루오로알킬렌기가 특히 바람직하다.

R^F 는, 분기상이어도 되고 직사슬형이어도 되고, 표면층의 내마찰성 및 윤활성이 더욱 우수한 점에서, 직사슬형이 바람직하다.

m1 은, 2 ∼ 200 의 정수이고, 5 ∼ 150 의 정수가 바람직하고, 10 ∼ 80 의 정수가 특히 바람직하다. m1 이 상기 범위의 하한값 이상이면, 표면층의 발수발유성이 우수하다. m1 이 상기 범위의 상한값 이하이면, 표면층의 내마찰성이 우수하다. 즉, 화합물 (A) 및 화합물 (B) 의 수평균 분자량이 지나치게 크면, 단위 분자량당에 존재하는 기 (I) 의 수가 감소하고, 내마찰성이 저하한다.

(R^FO)_m1에 있어서, 탄소수가 상이한 2 종 이상의 R^FO 가 존재하는 경우, 각 R^FO 의 결합 순서는 한정되지 않는다. 예를 들어, 2 종의 R^FO 가 존재하는 경우, 2 종의 R^FO 가 랜덤, 교호, 블록으로 배치되어도 된다.

(R^FO)_m1로는, 표면층의 내마찰성, 지문 오염성, 윤활성이 더욱 우수한 점에서, {(CF₂O)_m11(CF₂CF₂O)_m12}, (CF₂CF₂O)_m13, (CF₂CF₂CF₂O)_m14, (CF₂CF₂O-CF₂CF₂CF₂CF₂O)_m15가 바람직하고, {(CF₂O)_m11(CF₂CF₂O)_m12}, (CF₂CF₂O-CF₂CF₂CF₂CF₂O)_m15가 보다 바람직하며, (CF₂CF₂O-CF₂CF₂CF₂CF₂O)_m15가 특히 바람직하다.

단, m11 은 1 이상의 정수이고, m12 는 1 이상의 정수이며, (m11 ＋ m12) 는 2 ∼ 200 의 정수이고, m11 개의 CF₂O 및 m12 개의 CF₂CF₂O 의 결합 순서는 한정되지 않는다. m13 및 m14 는 각각 2 ∼ 200 의 정수이고, m15 는 1 ∼ 100 의 정수이다. m15 는 2 ∼ 100 의 정수가 바람직하다.

화합물 (A), 화합물 (B) 각각이 갖는 R^PF 사슬은 1 개여도 되고 2 개 이상이어도 된다. 내마찰성의 점에서, 1 ∼ 3 개가 바람직하고, 1 ∼ 2 개가 특히 바람직하다. R^PF 사슬의 수, 나아가서는 R^f 기의 수가 1 이상임으로써, 표면층의 수적 활락성, 발수발유성, 내구성, 지문 오염 제거성, 윤활성이 우수하다. R^PF 사슬의 수가 상기 범위의 상한값 이하이면, 표면층의 외관이 우수하다.

화합물 (A), 화합물 (B) 가 R^PF 사슬을 2 개 이상 갖는 경우, 각 R^PF 사슬은 동일해도 되고 상이해도 된다.

(기 (I))

기 (I) 에 있어서, L 은, 수산기 또는 가수분해성기이다.

가수분해성기는, 가수분해 반응에 의해 수산기가 되는 기이다. 즉, L 이 가수분해성기인 경우, 기 (I) 의 Si-L 은, 가수분해 반응에 의해 실란올기 (Si-OH) 가 된다.

가수분해성기로는, 알콕시기, 할로겐 원자, 아실기, 이소시아네이트기 (-NCO) 등을 들 수 있다. 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 4 의 알콕시기가 바람직하다.

L 로는, 화합물 (A), 화합물 (B) 의 제조의 용이함의 점에서, 탄소수 1 ∼ 4 의 알콕시기 또는 할로겐 원자가 바람직하다. 할로겐 원자로는, 염소 원자가 특히 바람직하다. L 로는, 도포 시의 아웃 가스가 적고, 화합물 (A), 화합물 (B) 의 보존 안정성이 우수한 점에서, 탄소수 1 ∼ 4 의 알콕시기가 바람직하고, 화합물 (A), 화합물 (B) 의 장기의 보존 안정성이 필요한 경우에는 에톡시기가 특히 바람직하며, 도포 후의 반응 시간을 단시간으로 하는 경우에는 메톡시기가 특히 바람직하다.

R 은 수소 원자 또는 1 가의 탄화수소기이다.

1 가의 탄화수소기로는, 알킬기, 시클로알킬기 등의 포화 탄화수소기, 알릴기 등의 알케닐기 등을 들 수 있고, 포화 탄화수소기가 바람직하다.

1 가의 탄화수소기의 탄소수는, 화합물 (A), 화합물 (B) 가 제조하기 용이한 점에서, 1 ∼ 6 이 바람직하고, 1 ∼ 3 이 보다 바람직하며, 1 ∼ 2 가 특히 바람직하다.

n 은, 0 또는 1 이 바람직하고, 0 이 특히 바람직하다. 1 개의 기 (I) 에 L 이 복수 존재함으로써, 기재와의 접착성이 보다 강고하게 되어, 표면층의 내구성이 더욱 우수하다.

n 이 0 또는 1 일 때 (3 - n) 개의 L 은, 동일해도 되고 상이해도 된다. 예를 들어 일부의 L 이 가수분해성기이고, 나머지의 L 이 수산기여도 된다.

기 (I) 로는, Si(OCH₃)₃, SiCH₃(OCH₃)₂, Si(OCH₂CH₃)₃, SiCl₃, Si(OCOCH₃)₃, Si(NCO)₃ 이 바람직하다. 공업적인 제조에 있어서의 취급 용이함의 점에서, Si(OCH₃)₃ 이 특히 바람직하다.

화합물 (A), 화합물 (B) 각각이 갖는 기 (I) 은 1 개여도 되고 2 개 이상이어도 된다. 표면층의 수적 활락성이 더욱 우수한 점에서, 1 ∼ 3 개가 바람직하고, 표면층의 내마찰성이 더욱 우수한 점에서, 2 개 또는 3 개가 특히 바람직하다.

화합물 (A), 화합물 (B) 가 기 (I) 을 2 개 이상 갖는 경우, 각 기 (I) 은 모두가 동일한 기여도 되고 동일한 기가 아니어도 된다. 화합물 (A) 의 제조의 용이함의 점에서는, 모두가 동일한 기인 것이 바람직하다.

화합물 (A), 화합물 (B) 각각의 수평균 분자량 (Mn) 은, 2,000 ∼ 20,000 이 바람직하고, 2,500 ∼ 15,000 이 보다 바람직하며, 3,000 ∼ 10,000 이 특히 바람직하다. 수평균 분자량이 상기 범위 내이면, 내마찰성이 우수하다.

수평균 분자량 (Mn) 은, 후술하는 실시예에 기재된 측정 방법에 의해 측정된다.

표면층을 드라이 코팅법에 의해 형성하는 경우, 화합물 (A) 의 수평균 분자량 (Mn) 과 화합물 (B) 의 수평균 분자량 (Mn) 의 차가 적은 것이 바람직하다. 드라이 코팅법의 경우, 분자량이 작은 것일수록 먼저 증발하여 기재에 증착되는 경향이 있다. 수평균 분자량 (Mn) 의 차가 적을수록, 형성되는 표면층에 화합물 (A) 및 화합물 (B) 의 분포의 불균일이 생기기 어렵다.

화합물 (A) 의 수평균 분자량 (Mn) 과 화합물 (B) 의 수평균 분자량 (Mn) 의 차는, 2,000 이하가 바람직하고, 1,000 이하가 특히 바람직하다.

표면층을 웨트 코팅법에 의해 형성하는 경우는, 화합물 (A) 의 수평균 분자량 (Mn) 과 화합물 (B) 의 수평균 분자량 (Mn) 간에 차가 있어도, 형성되는 표면층에 화합물 (A) 및 화합물 (B) 의 분포의 불균일은 생기기 어렵기 때문에, 그들의 차는 특별히 한정되지 않는다.

드라이 코팅법, 웨트 코팅법에 대해서는 후에 상세하게 설명한다.

화합물 (A), 화합물 (B) 는 각각, R^PF 사슬, R^f 기 및 기 (I) 을 갖는 한 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 이하의 문헌에 기재된 함불소 에테르 화합물이나 시판되는 함불소 에테르 화합물 등의 공지된 함불소 에테르 화합물 중에서 적절히 선택할 수 있다.

일본 공개특허공보 2013-91047호, 일본 공개특허공보 2014-80473호, 국제 공개 제2013/042732호, 국제 공개 제2013/042733호, 국제 공개 제2013/121984호, 국제 공개 제2013/121985호, 국제 공개 제2013/121986호, 국제 공개 제2014/163004호, 국제 공개 제2014/175124호, 국제 공개 제2015/087902호, 일본 공개특허공보 2013-227279호, 일본 공개특허공보 2013-241569호, 일본 공개특허공보 2013-256643호, 일본 공개특허공보 2014-15609호, 일본 공개특허공보 2014-37548호, 일본 공개특허공보 2014-65884호, 일본 공개특허공보 2014-210258호, 일본 공개특허공보 2014-218639호, 일본 공개특허공보 2015-200884호, 일본 공개특허공보 2015-221888호, 국제 공개 제2013/146112호, 국제 공개 제2013/187432호, 국제 공개 제2014/069592호, 국제 공개 제2015/099085호, 국제 공개 제2015/166760호, 일본 공개특허공보 2013-144726호, 일본 공개특허공보 2014-77836호, 일본 공개특허공보 2013-117012호, 일본 공개특허공보 2014-214194호, 일본 공개특허공보 2014-198822호, 일본 공개특허공보 2015-129230호, 일본 공개특허공보 2015-196723호, 일본 공개특허공보 2015-13983호, 일본 공개특허공보 2015-199915호, 일본 공개특허공보 2015-199906호 등.

R^PF 사슬, R^f 기 및 기 (I) 을 갖고, R^f 기가 CF₃- 인 함불소 에테르 화합물의 예로는, 다이킨 공업사 제조의 옵툴 (등록상표) UD509, 신에츠 화학 공업사 제조의 KY-178, KY-185, KY-1900 등을 들 수 있다.

R^PF 사슬, R^f 기 및 기 (I) 을 갖고, R^f 기가 CF₃CF₂CF₂- 인 함불소 에테르 화합물의 예로서, 다이킨 공업사 제조의 옵툴 DSX, AES, 토오레·다우코닝사 제조의 DOW CORNING (등록상표) 2634 COATING, 신에츠 화학 공업사 제조의 KY-108 등을 들 수 있다.

본 조성물은, 이들 중, CF₃- 인 함불소 에테르 화합물을 화합물 (A) 로서, R^f 기가 CF₃CF₂CF₂- 인 함불소 에테르 화합물을 화합물 (B) 로서 포함하는 것이어도 된다.

본 조성물에 있어서, 화합물 (A), 화합물 (B) 는 각각, 1 종의 화합물로 이루어지는 단일 화합물이어도 되고, 2 종 이상의 화합물로 이루어지는 혼합물이어도 된다.

본 명세서에 있어서, 폴리(옥시퍼플루오로알킬렌) 사슬에 있어서의 옥시퍼플루오로알킬렌기의 반복수의 수에 분포를 갖는 이외에는 동일한 화합물군인 함불소에테르 화합물은 단일 화합물로 간주한다. 예를 들어 R^PF 사슬이 {(CF₂O)_m11(R^f2O)_m12} 인 화합물의 경우, m11 과 m12 에 분포를 갖는 것 이외에는 동일한 화합물군은, 단일 화합물인 함불소에테르 화합물로 한다.

화합물 (A) 와 화합물 (B) 로는, 모두, 하기 식 (A/B) 로 나타내는 함불소에테르 화합물이 바람직하다.

하기 식 (A/B) 에 있어서의 R^f 는, 상기 R^f 기를 나타내고, 본 조성물 중에 포함되는 화합물 (A) 와 화합물 (B) 의 조합에 있어서는, 화합물 (A) 에 있어서의 R^f 의 탄소수가, 화합물 (B) 에 있어서의 R^f 의 탄소수보다 적다. 또, R^PF 는 상기 R^PF 사슬을 나타내고, Q 및 SiR_nL_3-n은 상기의 것과 동일하다.

[R^f-O-Q-R^PF-]_rZ[-SiR_nL_3-n]_s···(A/B)

R^PF 는, 폴리(옥시퍼플루오로알킬렌) 사슬이고,

Z 는, (r ＋ s) 가의 연결기이고,

r 및 s 는, 각각, 1 이상의 정수이고, r ＋ s 는 8 이하이다.

상기 r 은, 상기 R^PF 사슬의 수, 나아가서는 R^f 기의 수를 나타내고, 1 이상의 정수이다. r 은, 상기와 같이, 내마찰성의 점에서, 1 ∼ 3 이 바람직하고, 1 ∼ 2 가 특히 바람직하다.

상기 s 는 기 (I) 의 수를 나타내고, 상기와 같이, 표면층의 수적 활락성이 더욱 우수한 점에서, 1 ∼ 3 이 바람직하고, 표면층의 내마찰성이 더욱 우수한 점에서, 2 또는 3 이 특히 바람직하다.

또, 상기 점에서, r ＋ s 는 2 ∼ 6 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 5 인 것이 특히 바람직하다.

(r ＋ s) 가의 연결기인 Z 로는, 후술하는 Z^a, Z^b 로 나타내는 연결기가 바람직하고, 예를 들어 치환 또는 무치환의 탄화수소기, 치환 또는 무치환의 탄화수소기의 탄소-탄소 원자 간 또는/및 말단에, 탄화수소기 이외의 기 또는 원자를 갖는 기, 오르가노폴리실록산기 등을 들 수 있다. 바람직한 Z 는, 후술하는 바람직한 Z^a 나 Z^b 와 동일한 연결기이다.

＜바람직한 양태＞

본 조성물의 바람직한 일 양태로서, 화합물 (A) 가 하기 식 (A1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물 (A1) (이하, 「화합물 (A1)」이라고도 기재한다.) 이고, 화합물 (B) 가 하기 식 (B1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물 (B1) (이하, 「화합물 (B1)」이라고도 기재한다.) 인 양태를 들 수 있다. 즉, 본 양태의 조성물은, 화합물 (A1) 과 화합물 (B1) 을 포함하고, 화합물 (A1) 의 함유량이, 화합물 (A1) 과 화합물 (B1) 의 합계에 대해, 30 ∼ 95 질량％ 이다.

[R^fa-O-Q^a-R^PFa-]_r1Z^a[-SiR^a _n1L^a _3-n1]_s1···(A1)

[R^fb-O-Q^b-R^PFb-]_r2Z^b[-SiR^b _n2L^b _3-n2]_s2···(B1)

단, R^fa 및 R^fb 는, R^f 기이고, R^fa 의 탄소수는, R^fb 의 탄소수보다 적고,

R^PFa 및 R^PFb 는, R^PF 사슬이고,

Z^a 는, (r1 ＋ s1) 가의 연결기이고,

Z^b 는, (r2 ＋ s2) 가의 연결기이고,

L^a 및 L^b 는, 수산기 또는 가수분해성기이고,

R^a 및 R^b 는 수소 원자 또는 1 가의 탄화수소기이고,

n1 및 n2 는 0 ∼ 2 의 정수이고,

n1 이 2 일 때 n1 개의 R^a, n2 가 2 일 때 n2 개의 R^b는 각각, 동일해도 되고 상이해도 되고,

s1 및 s2 는 1 이상의 정수이고, s1 이 2 이상일 때 s1 개의 [-SiR^a _n1L^a _3-n1] 은, 동일해도 되고 상이해도 되고, s2 가 2 이상일 때 s2 개의 [-SiR^b _n2L^b _3-n2] 는, 동일해도 되고 상이해도 된다.

R^f 기는 상기와 동일하고, 바람직한 양태도 동일하다.

r1 이 2 이상일 때 r1 개의 R^fa 는, 탄소수가 동일한 것이 바람직하고, 제조하기 용이함의 점에서, 동일한 기, 즉 탄소수가 동일 또한 화학 구조가 동일한 기인 것이 바람직하다. 탄소수가 동일 또한 화학 구조가 동일한 기란, 예를 들어 r1 이 2 인 경우에, 2 개의 R^fa 가 CF₃CF₂CF₂- 이라는 것이다 (2 개의 R^fa 의 탄소수가 동일해도 화학 구조가 상이한, CF₃CF₂CF₂-, CF₃CF(CF₃)- 의 조합은 아니다.)

r2 가 2 이상일 때 r2 개의 R^fb 는, 탄소수가 동일힌 것이 바람직하고, 제조하기 용이함의 점에서, 동일한 기, 즉 탄소수가 동일 또한 화학 구조가 동일한 기인 것이 바람직하다.

본 양태에 있어서는, 표면층의 윤활성 및 내마찰성이 더욱 우수한 점에서, R^fa 의 탄소수가 1 ∼ 19, R^fb 의 탄소수가 2 ∼ 20 인 것이 바람직하고, R^fa 의 탄소수가 1 ∼ 9, R^fb 의 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 보다 바람직하며, R^fa 의 탄소수가 1 ∼ 5, R^fb 의 탄소수가 2 ∼ 6 인 것이 더욱 바람직하고, R^fa 의 탄소수가 1, R^fb 의 탄소수가 2 또는 3 이거나, R^fa 의 탄소수가 2, R^fb 의 탄소수가 3 인 것이 특히 바람직하다.

Q^a 및 Q^b 는 상기 기 (II) 중의 Q 와 동일하고, 바람직한 양태도 동일하다.

R^PFa 및 R^PFb 의 R^PF 사슬은 상기와 동일하고, 바람직한 양태도 동일하다.

L^a 및 L^b 는 상기 기 (I) 중의 L 과 동일하고, 바람직한 양태도 동일하다.

R^a 및 R^b 는 상기 기 (I) 중의 R 과 동일하고, 바람직한 양태도 동일하다.

n1 및 n2 는 상기 기 (I) 중의 n 과 동일하고, 바람직한 양태도 동일하다.

r1 및 r2 의 바람직한 값은, 화합물 (A), 화합물 (B) 가 갖는 R^PF 사슬의 바람직한 수와 동일하다. 즉, r1 및 r2 는, 내마찰성의 점에서, 1 ∼ 3 이 바람직하고, 1 ∼ 2 가 특히 바람직하다.

s1 및 s2 의 바람직한 값은, 화합물 (A), 화합물 (B) 가 갖는 기 (I) 의 바람직한 수와 동일하다. 즉, s1 및 s2 는, 표면층의 수적 활락성이 우수한 점에서, 1 ∼ 3 이 바람직하고, 2 ∼ 3 이 특히 바람직하다.

Z^a 로는, 예를 들어 (r1 ＋ s1) 가의 치환 또는 무치환의 탄화수소기, 치환 또는 무치환의 탄화수소기의 탄소-탄소 원자 간 또는/및 말단에, 탄화수소기 이외의 기 또는 원자를 갖는 (r1 ＋ s1) 가의 기, (r1 ＋ s1) 가의 오르가노폴리실록산기 등을 들 수 있다.

Z^b 로는, 가수가 (r2 ＋ s2) 가인 것 이외에는 Z^a 와 동일한 것을 들 수 있다.

무치환의 탄화수소기로는, 예를 들어 직사슬형 또는 분기형의 포화 탄화수소기, 방향족 탄화수소 고리형기 (예를 들어 벤젠 고리, 나프탈렌 고리 등의 방향족 탄화수소 고리로부터 (a ＋ b) 개의 수소 원자를 제거한 기), 직사슬형 또는 분기형의 포화 탄화수소기와 방향족 탄화수소 고리형기의 조합으로 이루어지는 기 (예를 들어 상기 방향족 탄화수소 고리형기에 치환기로서 알킬기가 결합한 기, 상기 포화 탄화수소기의 탄소 원자 간 또는/및 말단에 페닐렌기 등의 아릴렌기를 갖는 기 등), 2 이상의 방향족 탄화수소 고리형기의 조합으로 이루어지는 기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 직사슬형 또는 분기형의 포화 탄화수소기가 바람직하다.

치환의 탄화수소기는, 탄화수소기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환된 기이다. 치환기로는, 예를 들어 수산기, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등의 할로겐 원자, 아미노기, 니트로기, 시아노기, 아미노카르보닐기 등을 들 수 있다.

탄화수소기의 탄소-탄소 원자 간 또는/및 말단에 갖는 탄화수소기 이외의 기 또는 원자로는, 예를 들어 에테르성 산소 원자 (-O-), 티오에테르성 황 원자 (-S-), 질소 원자 (-N＜), 규소 원자 (＞Si＜), 탄소 원자 (＞C＜), -N(R¹⁵)-, -C(O)N(R¹⁵)-, -OC(O)N(R¹⁵)-, -Si(R¹⁶)(R¹⁷)-, 오르가노폴리실록산기, -C(O)-, -C(O)-O-, -C(O)-S- 등을 들 수 있다. 단, R¹⁵ 는 수소 원자, 알킬기 또는 페닐기이고, R¹⁶ ∼ R¹⁷ 은 각각 독립적으로 알킬기 또는 페닐기이다.

오르가노폴리실록산기는, 직사슬형이어도 되고, 분기 사슬형이어도 되고, 고리형이어도 된다.

＜화합물 (A1) 의 바람직한 형태＞

화합물 (A1) 로는, 표면층의 내마찰성 및 지문 오염 제거성이 더욱 우수한 점에서, 이하의 화합물 (A11), 화합물 (A12) 및 화합물 (A13) 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하다.

「화합물 (A11)」

화합물 (A11) 은, 하기 식 (A11) 로 나타낸다.

R^fa-O-Q^a-R^PFa-Q^32a-[C(O)N(R^33a)]_p1-R^34a-C[-R^35a-SiR^a _n1L^a _3-n1]₃···(A11)

단, R^fa, Q^a, R^PFa, R^a, L^a 및 n1 은 각각 상기와 동의이고,

Q^32a 는, 플루오로알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 플루오로알킬렌기의 탄소-탄소 원자 간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기이고,

R^33a 는, 수소 원자 또는 알킬기이고,

p1 은, 0 또는 1 이고,

R^34a 는, 단결합, 알킬렌기, 알킬렌기의 말단 (단, C[-R^35a-SiR^a _n1L^a _3-n1]₃ 과 결합하는 측의 말단.) 에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 말단 (단, C[-R^35a-SiR^a _n1L^a _3-n1]₃ 과 결합하는 측의 말단.) 및 탄소-탄소 원자 간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기이고,

R^35a 는, 알킬렌기, 알킬렌기의 말단 (단, Si 와 결합하는 측의 말단을 제외한다.) 에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기이고,

3 개의 [-R^35a-SiR^a _n1L^a _3-n1] 은 동일해도 되고 상이해도 된다.

화합물 (A11) 은, 상기 서술한 식 (A1) 에 있어서, r1 이 1 이고, s1 이 3 이고, Z 가 -Q^32a-[C(O)N(R^33a)]_p1-R^34a-C[-R^35a-]₃인 화합물이다.

Q^32a 에 있어서, 플루오로알킬렌기로는, 퍼플루오로알킬렌기, 또는 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 플루오로알킬렌기가 바람직하다. 따라서, Q^32a 로는, 퍼플루오로알킬렌기, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 플루오로알킬렌기, 탄소수 2 이상의 퍼플루오로알킬렌기의 탄소-탄소 원자 간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 또는 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 탄소수 2 이상의 플루오로알킬렌기의 탄소-탄소 원자 간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기가 바람직하다.

p1 이 0 인 경우, Q^32a 로는, 퍼플루오로알킬렌기가 바람직하고, 퍼플루오로알킬렌기는 분기 구조를 가지지 않는 것이 바람직하다. Q^32a 가 분기 구조를 가지지 않는 퍼플루오로알킬렌기이면, 표면층의 내마찰성 및 윤활성이 더욱 우수하다.

p1 이 0 인 경우, Q^32a 는, R^PFa 가 {(CF₂O)_m11(CF₂CF₂O)_m12} 또는 (CF₂CF₂O)_m13일 때는, 전형적으로는, 탄소수 1 의 퍼플루오로알킬렌기이고, R^PFa 가(CF₂CF₂CF₂O)_m14일 때는, 전형적으로는, 탄소수 2 의 퍼플루오로알킬렌기이고, R^PFa가 (CF₂CF₂O-CF₂CF₂CF₂CF₂O)_m15일 때는, 전형적으로는, 탄소수 3 의 직사슬의 퍼플루오로알킬렌기이다.

p1 이 1 인 경우, Q^32a 로는, 하기 기를 들 수 있다.

(i) 퍼플루오로알킬렌기.

(ii) -R^FCH₂O- (단, R^F 는, 퍼플루오로알킬렌기이다.) 를 R^PFa 와 결합하는 측에 갖고, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 플루오로알킬렌기 (탄소-탄소 원자 간에 에테르성 산소 원자를 가져도 된다.) 를 C(O)N(R³³) 과 결합하는 측에 갖는 기.

(ii) 의 Q^32a 로는, 화합물 (A11) 의 제조의 용이함의 점에서, 하기 기가 바람직하다.

-R^FCH₂O-CF₂CHFOCF₂CF₂CF₂-, -R^FCH₂O-CF₂CHFCF₂OCF₂CF₂-, -R^FCH₂O-CF₂CHFCF₂OCF₂CF₂CF₂-, -R^FCH₂O-CF₂CHFOCF₂CF₂CF₂OCF₂CF₂-.

Q^32a 가 분기 구조를 가지지 않는 화합물 (A11) 에 의하면, 내구성 및 윤활성이 우수한 표면층을 형성할 수 있다.

[C(O)N(R^33a)]_p1 기에 있어서의 p1 이 0 과 1 인 경우에, 함불소 에테르 화합물의 특성은 거의 변하지 않는다. p 가 1 인 경우에는 아미드 결합을 갖지만, Q^32a 의 [C(O)N(R^33a)] 와 결합하는 측의 말단의 탄소 원자에 적어도 1 개의 불소 원자가 결합하고 있음으로써, 아미드 결합의 극성은 작아져, 표면층의 발수발유성이 저하하기 어렵다. p1 이 0 인지 1 인지는, 제조의 용이함의 점에서 선택할 수 있다.

[C(O)N(R^33a)]_p1기 중의 R^33a 로는, 화합물 (A11) 의 제조의 용이함의 점에서, 수소 원자가 바람직하다.

R^33a 가 알킬기인 경우, 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기가 바람직하다.

p1 이 0 인 경우, R^34a 로는, 화합물 (A11) 의 제조의 용이함의 점에서, 단결합, -CH₂O-, -CH₂OCH₂-, -CH₂OCH₂CH₂O- 및 -CH₂OCH₂CH₂OCH₂- 로 이루어지는 군에서 선택되는 기 (단, 좌측이 Q^32a 에 결합한다.) 가 바람직하다.

p1 이 1 인 경우, R^34a 로는, 화합물 (A11) 의 제조의 용이함의 점에서, 단결합, -CH₂- 및 -CH₂CH₂- 로 이루어지는 군에서 선택되는 기가 바람직하다.

R^35a 로는, 화합물 (A11) 의 제조의 용이함의 점에서, -CH₂CH₂-, -CH₂CH₂CH₂-, -CH₂OCH₂CH₂CH₂-, -OCH₂CH₂CH₂- 로 이루어지는 군에서 선택되는 기 (단, 우측이 Si 에 결합한다.) 가 바람직하다.

R^35a 로는, 표면층의 내광성이 우수한 점에서, 에테르성 산소 원자를 가지지 않는 것이 특히 바람직하다. 옥외 사용의 터치 패널 (자동 판매기, 안내판 등의 디지털 사이니지), 차재 터치 패널 등에 있어서는, 발수발유층에 내광성이 요구된다.

화합물 (A11) 중의 3 개의 R^35a는, 동일해도 되고 상이해도 된다.

화합물 (A11) 로는, 예를 들어 하기 식의 화합물을 들 수 있다. 그 화합물은, 공업적으로 제조하기 용이하고, 취급하기 용이하고, 표면층의 발수발유성, 내마찰성, 지문 오염 제거성, 윤활성, 외관이 더욱 우수한 점에서 바람직하다.

[화학식 1]

[화학식 2]

단, 이들 식 중의 W 는, R^fa-O-Q^a-R^PFa- 이다. W 의 바람직한 형태는, 상기 서술한 바람직한 R^fa, Q^a 및 R^PFa 를 조합한 것이 된다. Q^32a 의 바람직한 범위는 상기 서술한 바와 같다.

「화합물 (A12)」

화합물 (A12) 는, 하기 식 (A12) 로 나타낸다.

R^fa-O-Q^a-R^PFa-R^42a-R^43a-N[-R^44a-SiR^a _n1L^a _3-n1]₂···(A12)

단, R^fa, Q^a, R^PFa, R^a, L^a 및 n1 은 각각 상기와 동의이고,

R^42a 는, 퍼플루오로알킬렌기이고,

R^43a 는, 단결합, 알킬렌기, 알킬렌기의 말단 (단, N 과 결합하는 측의 말단을 제외한다.) 에 에테르성 산소 원자 혹은 -NH- 를 갖는 기, 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 간에 에테르성 산소 원자 혹은 -NH- 를 갖는 기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 말단 (단, N 과 결합하는 측의 말단을 제외한다.) 및 탄소-탄소 원자 간에 에테르성 산소 원자 혹은 -NH- 를 갖는 기이고,

R^44a 는, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 간에 에테르성 산소 원자 혹은 -NH- 를 갖는 기이고,

2 개의 [-R^44a-SiR^a _n1L^a _3-n1] 은, 동일해도 되고 상이해도 된다.

화합물 (A12) 는, 상기 서술한 식 (A1) 에 있어서, r1 이 1 이고, s1 이 2 이고, Z 가 -R^42a-R^43a-N[-R^44a-]₂ 인 화합물이다.

R^42a 는, 분기 구조를 가지지 않는 퍼플루오로알킬렌기인 것이 바람직하다. R^42a 가 분기 구조를 가지지 않는 퍼플루오로알킬렌기이면, 표면층의 내마찰성 및 윤활성이 더욱 우수하다.

R^42a 는, R^PFa 가 {(CF₂O)_m11(CF₂CF₂O)_m12} 또는 (CF₂CF₂O)_m13일 때는, 전형적으로는, 탄소수 1 의 퍼플루오로알킬렌기이고, R^PFa 가 (CF₂CF₂CF₂O)_m14일 때는, 전형적으로는, 탄소수 2 의 퍼플루오로알킬렌기이고, R^PFa 가 (CF₂CF₂O-CF₂CF₂CF₂CF₂O)_m15일 때는, 전형적으로는, 탄소수 3 의 직사슬의 퍼플루오로알킬렌기이다.

R^43a 로는, 화합물 (A12) 의 제조의 용이함의 점에서, -CH₂-, -CH₂CH₂-, -CH₂CH₂CH₂-, -CH₂OCH₂CH₂- 및 -CH₂NHCH₂CH₂- 로 이루어지는 군에서 선택되는 기 (단, 좌측이 R^42a에 결합한다.) 가 바람직하다.

R^43a 는, 극성이 높고 또한 내약품성이나 내광성이 불충분한 에스테르 결합을 가지지 않기 때문에, 표면층의 초기의 발수성, 내약품성 및 내광성이 우수하다.

R^44a 로는, 화합물 (A12) 의 제조의 용이함의 점에서, -CH₂CH₂CH₂- 또는 -CH₂CH₂OCH₂CH₂CH₂- (단, 우측이 Si 에 결합한다.) 가 바람직하다.

R^44a 는, 극성이 높고 또한 내약품성이나 내광성이 불충분한 에스테르 결합을 가지지 않기 때문에, 표면층의 초기의 발수성, 내약품성 및 내광성이 우수하다.

R^44a 로는, 표면층의 내광성이 우수한 점에서는, 에테르성 산소 원자를 가지지 않는 것이 특히 바람직하다.

화합물 (A12) 중의 2 개의 R^44a 는, 동일한 기여도 되고, 동일한 기가 아니어도 된다.

화합물 (A12) 로는, 예를 들어 하기 식의 화합물을 들 수 있다. 그 화합물은, 공업적으로 제조하기 용이하고, 취급하기 용이하고, 발수발유성, 내마찰성, 지문 오염 제거성, 윤활성, 내약품성 및 내광성이 더욱 우수한 점에서 바람직하다.

[화학식 3]

단, 이들 식 중의 W 는, R^fa-O-Q^a-R^PFa- 이다. W 의 바람직한 형태는, 상기 서술한 바람직한 R^fa, Q^a 및 R^PFa 를 조합한 것이 된다. R^42a 의 바람직한 범위는 상기 서술한 바와 같다.

「화합물 (A13)」

화합물 (A13) 은, 하기 식 (A13) 으로 나타낸다.

[R^fa-O-Q^a-R^PFa-R^51a-R^52a-O-]_e1Z^3a[-O-R^53a-SiR^a _n1L^a _3-n1]_f1···(A13)

단, R^fa, Q^a, R^PFa, R^a, L^a 및 n1 은 각각 상기와 동의이고,

R^51a 는, 직사슬형의 퍼플루오로알킬렌기이고,

R^52a 는, 알킬렌기이고,

Z^3a 는, (e1 ＋ f1) 가의 탄화수소기, 또는 탄화수소기의 탄소 원자-탄소 원자 간에 에테르성 산소 원자를 1 개 이상 갖는, 탄소수 2 이상이고 (e1 ＋ f1) 가의 기이고,

R^53a 는, 알킬렌기이고,

e1 은, 1 이상의 정수이고,

f1 은, 1 이상의 정수이고,

(e1 ＋ f1) 은 3 이상이고,

e1 이 2 이상일 때 e1 개의 R^fa 는, 모두가 동일한 기이고, e1 개의 Q^a, R^PFa, R^51a 및 R^52a 는 각각, 동일해도 되고 상이해도 되고,

f1 이 2 이상일 때 f1 개의 [-O-R⁵³-SiR_nL_3-n] 은, 동일해도 되고 상이해도 된다.

화합물 (A13) 은, 상기 서술한 식 (A1) 에 있어서, r1 이 e1 이고, s1 이 f1 이고, Z 가 [-R^51a-R^52a-O-]_e1Z^3a[-O-R^53a-]_f1 인 화합물이다.

R^51a 는, 예를 들어 R^PFa 가 {(CF₂O)_m11(CF₂CF₂O)_m12} 또는 (CF₂CF₂O)_m13일 때는, 전형적으로는, -CF₂- 이고, R^PFa 가 (CF₂CF₂CF₂O)_m14일 때는, 전형적으로는, -CF₂CF₂- 이고, R^PFa 가 (CF₂CF₂O-CF₂CF₂CF₂CF₂O)_m15일 때는, 전형적으로는, -CF₂CF₂CF₂- 이다.

R^51a 가 직사슬형인 화합물 (A13) 이면, 내마찰성 및 윤활성이 우수한 표면층을 형성할 수 있다.

R^52a 로는, 화합물 (A13) 의 제조의 용이함의 점에서, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬렌기가 바람직하고, -CH₂- 가 특히 바람직하다.

R^fa-O-Q^a-R^PFa-R^51a- 기로는, 표면층의 발수발유성, 내구성, 지문 오염 제거성, 윤활성, 또한 외관도 더욱 우수한 점 및 화합물 (A13) 의 제조의 용이함의 점에서, 기 (R^f-1), 기 (R^f-2), 또는 기 (R^f-3) 이 바람직하다.

R^f11O{(CF₂O)_m21(CF₂CF₂O)_m22}CF₂- (R^f-1)

R^f11OCHFCF₂OCH₂CF₂O{(CF₂O)_m21(CF₂CF₂O)_m22}CF₂- (R^f-2)

R^f11O(CF₂CF₂OCF₂CF₂CF₂CF₂O)_m25CF₂CF₂OCF₂CF₂CF₂- (R^f-3)

단, R^f11 은, 탄소수 1 ∼ 20 이고 직사슬형의 퍼플루오로알킬기이고 ; m21 및 m22 는, 각각 1 이상의 정수이고, m21 ＋ m22 는, 2 ∼ 200 의 정수이고, m21 개의 CF₂O 및 m22 개의 CF₂CF₂O의 결합 순서는 한정되지 않고 ; m25 는, 1 ∼ 100 의 정수이다.

Z^3a 로는, (e1 ＋ f1) 개의 수산기를 갖는 다가 알코올로부터 수산기를 제거한 잔기를 들 수 있다.

Z^3a 의 구체예로는, 예를 들어 하기 식의 기를 들 수 있다. Z^3a 로는, 수산기의 반응성이 우수한 점에서, 1 급의 수산기를 갖는 다가 알코올로부터 수산기를 제거한 잔기가 바람직하고, 원료의 입수 용이성의 점에서, 기 (Z-1), 기 (Z-2), 또는 기 (Z-3) 이 특히 바람직하다. 단, R⁴ 는, 알킬기이고, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다.

[화학식 4]

R^53a 로는, 화합물 (A13) 의 제조의 용이함의 점에서, 탄소수 3 ∼ 14 의 알킬렌기가 바람직하다. 또한, 후술하는 화합물 (A13) 의 제조에 있어서의 하이드로실릴화 시에, 알릴기 (-CH₂CH=CH₂) 의 일부 또는 전부가 이너 올레핀 (-CH=CHCH₃) 으로 이성화한 부생물이 생성되기 어려운 점에서, 탄소수 4 ∼ 10 의 알킬렌기가 특히 바람직하다.

e1 및 f1 의 바람직한 값은 각각, r1 및 r2 의 바람직한 값과 동일하다.

화합물 (A13) 으로는, 예를 들어 하기 식의 화합물 (1-1) ∼ (1-6) 을 들 수 있다. 그 화합물은, 공업적으로 제조하기 용이하고, 취급하기 용이하고, 표면층의 발수발유성, 내마찰성, 지문 오염 제거성, 윤활성, 외관이 더욱 우수한 점에서 바람직하다.

[화학식 5]

단, 이들 식 중의 W 는, R^fa-O-Q^a-R^PFa- 이다. W 의 바람직한 형태는, 상기 서술한 바람직한 R^fa, Q^a 및 R^PFa를 조합한 것이 된다. R^51a 의 바람직한 형태는 상기 서술한 바와 같다.

＜화합물 (B1) 의 바람직한 형태＞

화합물 (B1) 로는, 표면층의 내마찰성 및 지문 오염 제거성이 더욱 우수한 점에서, 이하의 화합물 (B11), 화합물 (B12) 및 화합물 (B13) 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하다.

「화합물 (B11)」

화합물 (B11) 은, 하기 식 (B11) 으로 나타낸다.

R^fb-O-Q^b-R^PFb-Q^32b-[C(O)N(R^33b)]_p2-R^34b-C[-R^35b-SiR^b _n2L^b _3-n2]₃···(B11)

단, R^fa, Q^b, R^PFb, R^b, L^b 및 n2 는 각각 상기와 동의이고,

Q^32b 는, 플루오로알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 플루오로알킬렌기의 탄소-탄소 원자 간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기이고,

R^33b 는, 수소 원자 또는 알킬기이고,

p2 는, 0 또는 1 이고,

R^34b 는, 단결합, 알킬렌기, 알킬렌기의 말단 (단, C[-R^35b-SiR^b _n2L^b _3-n2]₃ 과 결합하는 측의 말단.) 에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 말단 (단, C[-R^35b-SiR^b _n2L^b _3-n2]₃ 과 결합하는 측의 말단.) 및 탄소-탄소 원자 간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기이고,

R^35b 는, 알킬렌기, 알킬렌기의 말단 (단, Si 와 결합하는 측의 말단을 제외한다.) 에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기이고,

3 개의 [-R^35b-SiR^b _n2L^b _3-n2] 는 동일해도 되고 상이해도 된다.

화합물 (B11) 은, 상기 서술한 식 (B1) 에 있어서, r2 가 1 이고, s2 가 3 이고, Z^b 가 -Q^32b-[C(O)N(R^33b)]_p2-R^34b-C[-R^35b-]₃ 인 화합물이다.

Q^32b, R^33b, p2, R^34b, R^35b 는 각각, 상기 식 (A11) 에 있어서의 Q^32a, R^33a, p1, R^34a, R^35a와 동일하고, 바람직한 양태도 동일하다.

「화합물 (B12)」

화합물 (B12) 는, 하기 식 (B12) 로 나타낸다.

R^fb-O-Q^b-R^PFb-R^42b-R^43b-N[-R^44b-SiR_n2L_3-n2]₂···(B12)

단, R^fa, Q^b, R^PFb, R^b, L^b 및 n2 는 각각 상기와 동의이고,

R^42b 는, 퍼플루오로알킬렌기이고,

R^43b 는, 단결합, 알킬렌기, 알킬렌기의 말단 (단, N 과 결합하는 측의 말단을 제외한다.) 에 에테르성 산소 원자 혹은 -NH- 를 갖는 기, 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 간에 에테르성 산소 원자 혹은 -NH- 를 갖는 기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 말단 (단, N 과 결합하는 측의 말단을 제외한다.) 및 탄소-탄소 원자 간에 에테르성 산소 원자 혹은 -NH- 를 갖는 기이고,

R^44b 는, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 간에 에테르성 산소 원자 혹은 -NH- 를 갖는 기이고,

2 개의 [-R^44b-SiR^b _n2L^b _3-n2] 는, 동일한 기가 아니어도 된다.

화합물 (B12) 는, 상기 서술한 식 (B1) 에 있어서, r2 가 1 이고, s2 가 2 이고, Z^b 가 -R^42b-R^43b-N[-R^44b-]₂인 화합물이다.

R^42b, R^43b, R^44b 는 각각, 상기 식 (A12) 에 있어서의 R^42a, R^43a, R^44a 와 동일하고, 바람직한 양태도 동일하다.

「화합물 (B13)」

화합물 (B13) 은, 하기 식 (B13) 으로 나타낸다.

[R^fb-O-Q^b-R^PFb-R^51b-R^52b-O-]_e2Z^3b[-O-R^53b-SiR^b _n2L^b _3-n2]_f2···(B13)

단, R^fa, Q^b, R^PFb, R^b, L^b 및 n2 는 각각 상기와 동의이고,

R^51b는, 직사슬형의 퍼플루오로알킬렌기이고,

R^52b 는, 알킬렌기이고,

Z^3b 는, (e2 ＋ f2) 가의 탄화수소기, 또는 탄화수소기의 탄소 원자-탄소 원자 간에 에테르성 산소 원자를 1 개 이상 갖는, 탄소수 2 이상이고 (e2 ＋ f2) 가의 기이고,

R^53b 는, 알킬렌기이고,

e2 는, 1 이상의 정수이고,

f2 는, 1 이상의 정수이고,

(e2 ＋ f2) 는 3 이상이고,

e2 가 2 이상일 때 e2 개의 R^fb 는, 모두가 동일한 기이고, e2 개의 Q^b, R^PFb, R^51b 및 R^52b 는 각각, 동일해도 되고 상이해도 되고,

f2 가 2 이상일 때 f2 개의 [-O-R^53b-SiR^b _n2L^b _3-n2] 는, 동일해도 되고 상이해도 된다.

화합물 (B13) 은, 상기 서술한 식 (B1) 에 있어서, r2 가 e2 이고, s2 가 f2 이고, Z^b 가 [-R^51b-R^52b-O-]_e2Z^3b[-O-R^53b-]_f2인 화합물이다.

R^51b, R^52b, Z^3b, R^53b, e2, f2 는 각각, 상기 식 (A13) 에 있어서의 R^51a, R^52a, Z^3a, R^53a, e1, f1 과 동일하고, 바람직한 양태도 동일하다.

(다른 함불소 에테르 화합물)

본 조성물은, 화합물 (A) 및 화합물 (B) 이외의 다른 함불소 에테르 화합물을 추가로 포함하고 있어도 된다.

다른 함불소 에테르 화합물로는, 예를 들어 폴리(옥시퍼플루오로알킬렌) 사슬을 갖고, 기 (I) 을 가지지 않는 함불소 에테르 화합물 (이하, 화합물 (C) 라고도 기재한다.) 을 들 수 있다.

화합물 (C) 로는, 예를 들어 화합물 (C1) 을 들 수 있다.

A³¹-O-Q⁵¹-(R^F3O)_m30-[Q⁵²-O]_p3-A³² ···(C1)

단, A³¹ 및 A³² 는, 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 퍼플루오로알킬기이고 ; Q⁵¹ 은, 단결합, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 가지지 않는 플루오로알킬렌기, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 가지지 않는 플루오로알킬렌기의 말단 (단, A³¹-O 와 결합하는 측의 말단을 제외한다.) 에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 가지지 않는 탄소수 2 이상의 플루오로알킬렌기의 탄소-탄소 원자 간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 또는 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 가지지 않는 탄소수 2 이상의 플루오로알킬렌기의 말단 (단, A³¹-O 와 결합하는 측의 말단을 제외한다.) 및 탄소-탄소 원자 간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기이고 (단, 산소수는 10 이하이다.) ; Q⁵² 는, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 가지지 않는 플루오로알킬렌기, 또는 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 가지지 않는 탄소수 2 이상의 플루오로알킬렌기의 탄소-탄소 원자 간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기이고 (단, 산소수는 10 이하이다.) ; R^F3 은, 분기 구조를 가지지 않는 퍼플루오로알킬렌기이고 ; m30 은, 2 ∼ 200 의 정수이고 ; (R^F3O)_m30은, 탄소수가 상이한 2 종 이상의 R^F3O 로 이루어지는 것이어도 되고 ; p3 은, Q⁵¹ 이 단결합인 경우에는 0 이고, Q⁵¹ 이 단결합 이외인 경우에는 1 이다.

화합물 (C1) 은, 공지된 제조 방법에 의해 제조한 것을 사용해도 되고, 시판품을 사용해도 된다. 예를 들어, Q⁵¹ 이 단결합이고, p3 이 0 인 화합물 (C1) 의 시판품으로는, FOMBLIN (등록상표) M, FOMBLIN (등록상표) Y, FOMBLIN (등록상표) Z (이상, 솔베이 솔렉시스사 제조), Krytox (등록상표) (듀퐁사 제조), 뎀넘 (등록상표) (다이킨 공업사 제조) 등을 들 수 있다.

본 조성물은, 화합물 (A), 화합물 (B) 및 다른 함불소 에테르 화합물 이외의 불순물을 포함하고 있어도 된다. 화합물 (A), 화합물 (B) 및 다른 함불소 에테르 화합물 이외의 불순물로는, 화합물 (A), 화합물 (B) 및 다른 함불소 에테르 화합물의 제조상 불가피의 화합물 등을 들 수 있다.

(본 조성물의 조성)

본 조성물에 있어서, 화합물 (A) 및 화합물 (B) 중, R^f 기의 탄소수가 적은 쪽의 함유량은, 화합물 (A) 와 화합물 (B) 의 합계에 대해, 30 ∼ 95 질량％ 이고, 40 ∼ 90 질량％ 가 바람직하고, 40 ∼ 80 질량％ 가 특히 바람직하다. R^f 기의 탄소수가 적은 쪽의 함유량이 상기 범위 내이면, 표면층의 수적 활락성이 우수하다.

본 조성물에 있어서, 화합물 (A) 및 화합물 (B) 의 합계량은, 본 조성물의 총질량에 대해, 10 질량％ 이상이 바람직하고, 20 질량％ 이상이 특히 바람직하다. 상한은 특별히 한정되지 않고, 100 질량％ 여도 된다.

〔코팅액〕

본 발명의 코팅액 (이하, 본 코팅액이라고도 기재한다.) 은, 본 조성물과 액상 매체를 포함한다. 본 코팅액은, 액상이면 되고, 용액이어도 되고, 분산액이어도 된다.

본 코팅액은, 본 조성물을 포함하고 있으면 되고, 화합물 (A), 화합물 (B) 등의 제조 공정에서 생성된 부생성물 등의 불순물을 포함해도 된다.

본 조성물의 농도는, 본 코팅액 중, 0.001 ∼ 50 질량％ 가 바람직하고, 0.05 ∼ 30 이 보다 바람직하며, 0.05 ∼ 10 이 더욱 바람직하고, 0.1 ∼ 1 질량％ 가 특히 바람직하다.

액상 매체로는, 유기 용매가 바람직하다. 유기 용매는, 불소계 유기 용매여도 되고, 비불소계 유기 용매여도 되고, 양쪽 용매를 포함해도 된다.

불소계 유기 용매로는, 불소화알칸, 불소화 방향족 화합물, 플루오로알킬에테르, 불소화알킬아민, 플루오로알코올 등을 들 수 있다.

불소화알칸으로는, 탄소수 4 ∼ 8 의 화합물이 바람직하다. 시판품으로는, 예를 들어 C₆F₁₃H (아사히 유리사 제조, 아사히클린 (등록상표) AC-2000), C₆F₁₃C₂H₅(아사히 유리사 제조, 아사히클린 (등록상표) AC-6000), C₂F₅CHFCHFCF₃(케무어스사 제조, 버트렐 (등록상표) XF) 등을 들 수 있다.

불소화 방향족 화합물로는, 예를 들어 헥사플루오로벤젠, 트리플루오로메틸벤젠, 퍼플루오로톨루엔, 비스(트리플루오로메틸)벤젠 등을 들 수 있다.

플루오로알킬에테르로는, 탄소수 4 ∼ 12 의 화합물이 바람직하다. 시판품으로는, 예를 들어 CF₃CH₂OCF₂CF₂H (아사히 유리사 제조, 아사히클린 (등록상표) AE-3000), C₄F₉OCH₃ (3M 사 제조, 노벡 (등록상표) 7100), C₄F₉OC₂H₅(3M 사 제조, 노벡 (등록상표) 7200), C₂F₅CF(OCH₃)C₃F₇(3M 사 제조, 노벡 (등록상표) 7300) 등을 들 수 있다.

불소화알킬아민으로는, 예를 들어 퍼플루오로트리프로필아민, 퍼플루오로트리부틸아민 등을 들 수 있다.

플루오로알코올로는, 예를 들어 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올, 2,2,2-트리플루오로에탄올, 헥사플루오로이소프로판올 등을 들 수 있다.

비불소계 유기 용매로는, 수소 원자 및 탄소 원자만으로 이루어지는 화합물과, 수소 원자, 탄소 원자 및 산소 원자만으로 이루어지는 화합물이 바람직하고, 탄화수소계 유기 용매, 알코올계 유기 용매, 케톤계 유기 용매, 에테르계 유기 용매, 에스테르계 유기 용매를 들 수 있다.

본 코팅액은, 액상 매체를 50 ∼ 99.999 질량％ 포함하는 것이 바람직하고, 70 ∼ 99.5 질량％ 포함하는 것이 보다 바람직하며, 90 ∼ 99.5 질량％ 포함하는 것이 더욱 바람직하고, 99 ∼ 99.9 질량％ 포함하는 것이 특히 바람직하다.

본 코팅액은, 본 조성물 및 액상 매체 외에, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 기타 성분을 포함하고 있어도 된다.

기타 성분으로는, 예를 들어 가수분해성 실릴기의 가수분해와 축합 반응을 촉진하는 산 촉매나 염기성 촉매 등의 공지된 첨가제를 들 수 있다.

본 코팅액에 있어서의, 기타 성분의 함유량은, 10 질량％ 이하가 바람직하고, 1 질량％ 이하가 특히 바람직하다.

본 코팅액의 고형분 농도는, 0.001 ∼ 50 질량％ 가 바람직하고, 0.05 ∼ 30 이 보다 바람직하며, 0.05 ∼ 10 이 더욱 바람직하고, 0.01 ∼ 1 질량％ 가 특히 바람직하다.

코팅액의 고형분 농도는, 가열 전의 코팅액의 질량과, 120 ℃ 의 대류식 건조기로 4 시간 가열한 후의 질량으로부터 산출하는 값이다.

본 조성물의 농도는, 고형분 농도와, 본 조성물 및 용매 등의 주입량으로부터 산출 가능하다.

〔물품〕

본 발명의 물품은, 본 조성물로 형성된 표면층을 기재의 표면에 갖는다.

(표면층)

본 조성물에 있어서는, 화합물 (A) 및 화합물 (B) 중의 기 (I) 에 있어서의 L 이 가수분해성기인 경우에는, 기 (I) 이 가수분해 반응함으로써 실란올기 (Si-OH) 가 형성되고, 그 실란올기는 분자 간에서 반응하여 Si-O-Si 결합이 형성되거나, 또는 그 실란올기가 기재 표면의 수산기 (기재-OH) 와 탈수 축합 반응하여 화학 결합 (기재-O-Si) 이 형성된다. 따라서, 표면층은, 화합물 (A) 및 화합물 (B) 를, 화합물 (A) 및 화합물 (B) 각각의 기 (I) 의 일부 또는 전부가 가수분해 반응한 상태로 포함한다. 기 (I) 에 있어서의 L 이 수산기인 경우에는, 가수분해 반응을 거치지 않고 상기 반응이 진행된다.

표면층의 두께는, 1 ∼ 100 nm 가 바람직하고, 1 ∼ 50 nm 가 특히 바람직하다. 표면층의 두께가 상기 범위의 하한값 이상이면, 표면 처리에 의한 효과가 충분히 얻어지기 쉽다. 표면층의 두께가 상기 범위의 상한값 이하이면, 이용 효율이 높다. 표면층의 두께는, 박막 해석용 X 선 회절계 (RIGAKU 사 제조, ATX-G) 를 사용하여, X 선 반사율법에 의해 반사 X 선의 간섭 패턴을 얻고, 그 간섭 패턴의 진동 주기부터 산출할 수 있다.

(기재)

본 발명에 있어서의 기재는, 윤활성이나 발수발유성의 부여가 요구되고 있는 기재이면 특별히 한정되지 않는다. 기재의 재료로는, 금속, 수지, 유리, 사파이어, 세라믹, 돌, 이들의 복합 재료를 들 수 있다. 유리는 화학 강화되어 있어도 된다. 기재의 표면에는 SiO₂ 막 등의 하지막이 형성되어 있어도 된다.

기재로는, 터치 패널용 기재, 디스플레이용 기재, 안경 렌즈용 기재가 바람직하고, 터치 패널용 기재가 특히 바람직하다. 터치 패널용 기재는, 투광성을 갖는다. 「투광성을 갖는다」란, JIS R3106 : 1998 (ISO 9050 : 1990) 에 준한 수직 입사형 가시광 투과율이 25 ％ 이상인 것을 의미한다. 터치 패널용 기재의 재료로는, 유리 또는 투명 수지가 바람직하다.

(물품의 제조 방법)

본 발명의 물품은, 예를 들어 하기 방법으로 제조할 수 있다.

·본 조성물을 사용한 드라이 코팅법에 의해 기재의 표면을 처리하여, 본 발명의 물품을 얻는 방법.

·웨트 코팅법에 의해 본 코팅액을 기재의 표면에 도포하고, 건조시켜, 본 발명의 물품을 얻는 방법.

＜드라이 코팅법＞

본 조성물은, 드라이 코팅법에 그대로 사용할 수 있다. 본 조성물은, 드라이 코팅법에 의해 밀착성이 우수한 표면층을 형성하는 데에 바람직하다.

드라이 코팅법으로는, 진공 증착법, CVD 법, 스퍼터링법 등을 들 수 있다. 화합물 (A) 및 화합물 (B) 의 분해를 억제하는 점, 및 장치의 간편함의 점에서 진공 증착법이 특히 바람직하다. 진공 증착 시에는, 철이나 강 등의 금속 다공체에 본 조성물 또는 본 코팅액을 함침시킨 펠릿상 물질을 사용하여도 된다.

진공 증착 시의 온도는, 20 ∼ 300 ℃ 가 바람직하고, 30 ∼ 200 ℃ 가 특히 바람직하다.

진공 증착 시의 압력은, 1 × 10^-1 Pa 이하가 바람직하고, 1 × 10^-2 Pa 이하가 특히 바람직하다.

＜웨트 코팅법＞

웨트 코팅법으로는, 스핀 코트법, 와이프 코트법, 스프레이 코트법, 스퀴지 코트법, 딥 코트법, 다이 코트법, 잉크젯법, 플로우 코트법, 롤 코트법, 캐스트법, 랭뮤어·블로젯법, 그라비어 코트법 등을 들 수 있다.

＜후처리＞

표면층의 내마찰성을 향상시키기 위해서, 필요에 따라, 화합물 (A) 및 화합물 (B) 와 기재의 반응을 촉진하기 위한 조작을 실시해도 된다. 그 조작으로는, 가열, 가습, 광 조사 등을 들 수 있다.

예를 들어, 수분을 갖는 대기중에서 표면층이 형성된 기재를 가열하여, 가수분해성 실릴기의 실란올기로의 가수분해 반응, 기재의 표면의 수산기 등과 실란올기의 반응, 실란올기의 축합 반응에 의한 실록산 결합의 생성 등의 반응을 촉진할 수 있다.

표면 처리 후, 표면층 중의 화합물이고 다른 화합물이나 기재와 화학 결합하고 있지 않은 화합물은, 필요에 따라 제거해도 된다. 구체적인 방법으로는, 예를 들어 표면층에 용매를 뿌려 흘리는 방법, 용매를 스며들게 한 천으로 닦아내는 방법 등을 들 수 있다.

〔작용 효과〕

본 조성물 및 본 코팅액에 있어서는, 화합물 (A) 및 화합물 (B) 를 포함하고, 그들 중 R^f 기의 탄소수가 적은 화합물 (A) 의 함유량이, 화합물 (A) 및 화합물 (B) 의 합계에 대해 30 ∼ 95 질량％ 이기 때문에, 수적 활락성이 우수한 표면층을 형성할 수 있다.

화합물 (A) 및 화합물 (B) 는 각각, R^PF 사슬의 일방의 말단에 R^f 기가 결합하고 있음으로써, R^PF 사슬의 타방의 말단측에 기 (I) 이 존재한다. 이러한 구조를 갖는 화합물 (A) 및 화합물 (B) 에 의하면, 기재 상에 표면층을 형성했을 때에, 각 화합물의 R^f 기가 기재측과는 반대측으로 배향하기 쉽다. R^f 기가 기재측과는 반대측으로 배향함으로써, 형성되는 표면층의 표면 에너지가 낮아진다.

이것에 추가하여, 화합물 (A) 및 화합물 (B) 각각의 R^f 기의 탄소수가 상이함으로써, 표면층의 표면에 탄소수가 상이한 R^f 기가 특정 비율로 분산 배치되어 있어, 물성적 또는 물리적인 미세 요철 구조가 형성된다고 생각된다. 이로써, 표면층의 표면의 발수성이 더욱 높아져, 수적의 접촉각이나 전락각이 작아져 우수한 수적 활락성이 발휘된다고 생각된다.

〔용도〕

본 조성물, 본 코팅액 및 물품의 용도는, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 터치 패널 등의 표시 입력 장치 ; 투명한 유리제 또는 투명한 플라스틱제 (아크릴, 폴리카보네이트 등) 부재의 표면 보호 코트, 키친용 방오 코트 ; 전자 기기, 열 교환기, 전지 등의 발수 방습 코트나 방오 코트, 토일리트리용 방오 코트 ; 도통하면서 발액이 필요한 부재에의 코트 ; 열 교환기의 발수·방수·활수 코트 ; 진동 체나 실린더 내부 등의 표면 저마찰 코트 등에 사용할 수 있다. 보다 구체적인 사용예로는, 디스플레이의 전면 (前面) 보호판, 반사 방지판, 편광판, 안티글레어판, 혹은 그들의 표면에 반사 방지막 처리를 실시한 것, 휴대 전화, 휴대 정보 단말 등의 기기의 터치 패널 시트나 터치 패널 디스플레이 등 사람의 손가락 혹은 손바닥으로 화면상의 조작을 실시하는 표시 입력 장치를 갖는 각종 기기, 화장실, 목욕탕, 세면소, 키친 등 물을 사용하는 곳의 장식 건재, 배선판용 방수 코팅 열 교환기의 발수·방수 코트, 태양전지의 발수 코트, 프린트 배선판의 방수·발수 코트, 전자 기기 케이싱이나 전자 부품용의 방수·발수 코트, 송전선의 절연성 향상 코트, 각종 필터의 방수·발수 코트, 전파 흡수재나 흡음재의 방수성 코트, 목욕탕, 주방 기기, 토일리트리용 방오 코트, 열 교환기의 발수·방수·활수 코트, 진동 체나 실린더 내부 등의 표면 저마찰 코트, 기계 부품, 진공 기기 부품, 베어링 부품, 자동차 부품, 공구 등의 표면 보호 코트 등을 들 수 있다.

상기 효과를 발휘하는 점에서, 본 조성물, 본 코팅액 및 물품은, 수적 활락성이 요구되는 용도에 바람직하게 사용된다. 이러한 용도로는, 예를 들어 키친용 방오 코트 ; 열 교환기의 발수 방습 코트나 방오 코트, 토일리트리용 방오 코트 ; 도통하면서 발액이 필요한 부재에의 코트 ; 열 교환기의 발수·방수·활수 코트 등을 들 수 있다.

실시예

이하, 실시예에 의해 본 발명을 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들로 한정되지 않는다. 이하, 「％」는 특별히 기재가 없는 한 「질량％」이다.

예 1 ∼ 10 중, 예 3 ∼ 9 는 실시예이고, 예 1 ∼ 2, 10 은 비교예이다.

〔물성 및 평가〕

(수평균 분자량)

함불소 에테르 화합물의 수평균 분자량은, ¹H-NMR 및 ¹⁹F-NMR 에 의해, 말단기를 기준으로 하여 옥시퍼플루오로알킬렌기의 수 (평균값) 를 구함으로써 산출하였다. 말단기는, 예를 들어 기 (I) 또는 R^f 기이다.

(수적의 전락각)

수평으로 유지한 물품의 표면 (표면층) 에 50 μL 의 수적을 적하한 후, 물품을 서서히 기울이고, 수적이 전락하기 시작했을 때의 물품과 수평면의 각도 (전락각) 를 측정하였다.

(수적의 활락 속도)

물품의 표면과 수평면의 각도 (경사각) 를 40°로 설정하고, 물품의 표면 (표면층) 에 50 μL 의 수적을 적하하고, 수적이 50 mm 이동했을 때의 시간을 측정하였다. 이 이동 시간을 활락 속도로 한다.

〔합성예 1〕

국제 공개 제2013/121984호의 실시예 6 에 기재된 방법에 따라, 화합물 (14I-1) 을 얻었다.

CF₃-O-(CF₂CF₂O-CF₂CF₂CF₂CF₂O)_x3(CF₂CF₂O)-CF₂CF₂CF₂-C(O)OCH₃···(14I-1)

화합물 (14I-1) : 단위수 x3 의 평균값 13, 수평균 분자량 4,700.

50 mL 의 가지형 플라스크에, 화합물 (14I-1) 의 9.0 g 및 H₂N-CH₂-C(CH₂CH=CH₂)₃ 의 0.45 g 을 넣고, 12 시간 교반하였다. NMR 로부터, 화합물 (14I-1) 이 모두 화합물 (17I-1) 로 변환되어 있는 것을 확인하였다. 또, 부생물인 메탄올이 생성되어 있었다. 얻어진 용액을 CF₃CH₂OCF₂CF₂H (아사히 유리사 제조, AE-3000) 의 9.0 g 으로 희석하고, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (전개 용매 : AE-3000) 로 정제하여, 화합물 (17I-1) 의 7.6 g (수율 84 ％) 을 얻었다.

CF₃-O-(CF₂CF₂O-CF₂CF₂CF₂CF₂O)_x3(CF₂CF₂O)-CF₂CF₂CF₂-C(O)NH-CH₂-C(CH₂CH=CH₂)₃···(17I-1)

화합물 (17I-1) : 단위수 x3 의 평균값 13, 수평균 분자량 4,800.

10 mL 의 PFA 제 샘플관에, 화합물 (17I-1) 의 6.0 g, 백금/1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착물의 자일렌 용액 (백금 함유량 : 2 ％) 의 0.07 g, HSi(OCH₃)₃의 0.78 g, 디메틸술폭사이드의 0.02 g, 1,3-비스(트리플루오로메틸)벤젠 (토쿄 화성 공업사 제조) 의 0.49 g 을 넣고, 40 ℃ 에서 10 시간 교반하였다. 반응 종료 후, 용매 등을 감압 증류 제거하고, 1.0 ㎛ 구멍 직경의 멤브레인 필터로 여과하여, 화합물 (A-1) 의 6.7 g (수율 100 ％) 을 얻었다.

CF₃-O-(CF₂CF₂O-CF₂CF₂CF₂CF₂O)_x3(CF₂CF₂O)-CF₂CF₂CF₂-C(O)NH-CH₂-C[CH₂CH₂CH₂-Si(OCH₃)₃]₃···(A-1)

화합물 (A-1) 의 NMR 스펙트럼 ;

¹H-NMR (300.4 MHz, 용매 : CDCl₃, 기준 : TMS)δ(ppm) : 0.8 (6H), 1.3 ∼ 1.6 (12H), 3.4 (2H), 3.7 (27H).

¹⁹F-NMR (282.7 MHz, 용매 : CDCl₃, 기준 : CFCl₃)δ(ppm) : -55.2 (3F), -82.1 (54F), -88.1 (54F), -90.2 (2F), -119.4 (2F), -125.4 (52F), -126.2 (2F).

단위수 x3 의 평균값 : 13, 화합물 (A-1) 의 수평균 분자량 : 5,100.

〔합성예 2〕

국제 공개 제2013/121984호의 실시예 2 에 기재된 방법에 따라, 화합물 (14I-2) 를 얻었다.

CF₃CF₂-O-(CF₂CF₂O-CF₂CF₂CF₂CF₂O)_x4(CF₂CF₂O)-CF₂CF₂CF₂-C(O)OCH₃···(14I-2)

화합물 (14I-2) : 단위수 x4 의 평균값 13, 수평균 분자량 4,800.

화합물 (14I-1) 대신에, 화합물 (14I-2) 를 사용한 것 이외에는 예 1-2 와 동일하게 하여, 화합물 (17I-2) 의 8.4 g (수율 93 ％) 을 얻었다.

CF₃CF₂-O-(CF₂CF₂O-CF₂CF₂CF₂CF₂O)_x4(CF₂CF₂O)-CF₂CF₂CF₂-C(O)NH-CH₂-C(CH₂CH=CH₂)₃ ···(17I-2)

화합물 (17I-2) : 단위수 x4 의 평균값 13, 수평균 분자량 4,900.

화합물 (17I-1) 대신에, 화합물 (17I-2) 를 사용한 것 이외에는 예 1-3 과 동일하게 하여, 화합물 (B-1) 의 6.7 g (수율 100 ％) 을 얻었다.

CF₃CF₂-O-(CF₂CF₂O-CF₂CF₂CF₂CF₂O)_x4(CF₂CF₂O)-CF₂CF₂CF₂-C(O)NH-CH₂-C[CH₂CH₂CH₂-Si(OCH₃)₃]₃···(B-1)

화합물 (B-1) 의 NMR 스펙트럼 ;

¹⁹F-NMR (282.7 MHz, 용매 : CDCl₃, 기준 : CFCl₃)δ(ppm) : -84.0 (54F), -88.2 (3F), -89.2 (58F), -119.7 (2F), -126.5 (54F).

단위수 x4 의 평균값 : 13, 화합물 (B-1) 의 수평균 분자량 : 5,200.

〔예 1 ∼ 10〕

화합물 (A-1) 과 화합물 (B-1) 을 사용하고, 표 1 에 나타내는 질량비로 혼합하여 조성물을 조제해, 하기 평가에 제공하였다. 단, 예 1 에서는 화합물 (A-1) 만, 예 2 에서는 화합물 (B-1) 만을 사용하였다.

(평가)

예 1 ∼ 10 에서 얻은 각 화합물 또는 조성물을 사용하여, 기재의 표면 처리를 실시하여, 기재의 표면에 표면층을 갖는 물품을 얻었다. 표면 처리 방법으로서, 각 예에 대해 하기 드라이 코팅법 및 웨트 코팅법을 각각 이용하였다. 기재로는 화학 강화 유리 (드래곤트레일) 를 사용하였다. 얻어진 물품에 대해, 물 접촉각 및 수적의 활락 속도를 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

＜드라이 코팅법＞

드라이 코팅은, 진공 증착 장치 (ULVAC 사 제조, VTR-350M) 를 사용하여 실시하였다 (진공 증착법). 예 1 ∼ 10 에서 얻은 각 화합물 또는 조성물의 0.5 g 을 진공 증착 장치 내의 몰리브덴제 보트에 충전하고, 진공 증착 장치 내를 1 × 10^-3 Pa 이하로 배기하였다. 조성물을 배치한 보트를 승온 속도 10 ℃/분 이하의 속도로 가열하고, 수정 발진식 막두께계에 의한 증착 속도가 1 nm/초를 초과한 시점에서 셔터를 개방하여 기재의 표면에의 성막을 개시시켰다. 막두께가 약 50 nm 가 된 시점에서 셔터를 폐쇄하여 기재의 표면에의 성막을 종료시켰다. 조성물이 퇴적된 기재를, 120 ℃ 에서 30 분간 가열 처리하고, AK-225 로 세정함으로써, 기재의 표면에 표면층을 갖는 물품을 얻었다.

＜웨트 코팅법＞

예 1 ∼ 10 에서 얻은 각 화합물 또는 조성물과, 액상 매체로서의 C₄F₉OC₂H₅(3M 사 제조, 노벡 (등록상표) 7200) 를 혼합하여, 고형분 농도 0.05 ％ 의 코팅액을 조제하였다. 코팅액에 기재를 딥핑하고, 30 분간 방치 후, 기재를 인상하였다 (딥 코트법). 도막을 120 ℃ 에서 30 분간 건조시키고, AK-225 로 세정함으로써, 기재의 표면에 표면층을 갖는 물품을 얻었다.

화합물 (A-1) 과 화합물 (B-1) 을 포함하고, 화합물 (A-1) 의 함유량이, 그들의 합계에 대해 30 ∼ 95 질량％ 인 예 3 ∼ 9 의 조성물은, 화합물 (A-1), 화합물 (B-1) 을 각각 단독으로 사용한 예 1, 2 에 비해, 전락각이 낮고 활락 속도가 빨라, 표면층의 수적 활락성이 우수하였다.

화합물 (A-1) 의 함유량이, 그들의 합계에 대해 30 질량％ 미만인 예 10 에 있어서의 표면층의 수적 활락성은, 예 1 과 동등하였다.

(예 11 ∼ 20)

시판되는 CF₃O{(CF₂CF₂O)_m(CF₂O)_n}CF₂CH₂OH 로 나타내는 화합물 (m 의 평균값이 20, n 의 평균값이 21) 을 사용하고, 일본 특허 5761305호의 합성예 11 ∼ 15 에 기재된 방법에 따라, 하기 화합물 (A-2) 를 얻었다.

CF₃-O-{(CF₂CF₂O)₂₀-(CF₂O)₂₁}-CF₂CH₂OCH₂CH₂CH₂-Si[CH₂CH₂CH₂-Si(OCH₃)₃]₃···(A-2)

또, 국제 공개 제2017/038830호의 실시예 1 에 기재된 방법에 따라, 하기 화합물 (B-2) 를 얻었다.

CF₃CF₂CF₂-O-(CF₂CF₂O)₂{(CF₂O)₂₁(CF₂CF₂O)₂₀}-CF₂-CH₂OCH₂-C[CH₂OCH₂CH₂CH₂-Si(OCH₃)₃]₃···(B-2)

상기 화합물 (A-2) 와 화합물 (B-2) 를 사용하여, 예 1 ∼ 10 과 동일하게 하여, 기재에 드라이 코팅하고, 얻어진 물품에 대해 전락각 및 전락 속도를 평가하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.

화합물 (A-2) 와 화합물 (B-2) 를 포함하고, 화합물 (A-2) 의 함유량이, 그들의 합계에 대해 30 ∼ 90 질량％ 인 예 13 ∼ 19 의 조성물은, 화합물 (A-2), 화합물 (B-2) 를 각각 단독으로 사용한 예 11, 12 에 비해, 전락각이 낮고 활락 속도가 빨라, 표면층의 수적 활락성이 우수하였다.

화합물 (A-2) 의 함유량이, 그들의 합계에 대해 30 질량％ 미만인 예 20 에 있어서의 표면층의 수적 활락성은, 예 11 과 동등하였다.

본 조성물 및 본 코팅액은, 윤활성이나 발수발유성의 부여가 요구되고 있는 각종 용도에 사용할 수 있다. 예를 들어 터치 패널 등의 표시 입력 장치 ; 투명한 유리제 또는 투명한 플라스틱제 부재의 표면 보호 코트, 키친용 방오 코트 ; 전자 기기, 열 교환기, 전지 등의 발수 방습 코트나 방오 코트, 토일리트리용 방오 코트 ; 도통하면서 발액이 필요한 부재에의 코트 ; 열 교환기의 발수·방수·활수 코트 ; 진동 체나 실린더 내부 등의 표면 저마찰 코트 등에 사용할 수 있다.

또한, 2017년 02월 14일에 출원된 일본 특허 출원 2017-024879호의 명세서, 특허 청구 범위 및 요약서의 전체 내용을 여기에 인용하고, 본 발명 명세서의 개시로서 받아들이는 것이다.

Claims

함불소 에테르 화합물 (A) 와 함불소 에테르 화합물 (B) 를 포함하는 조성물로서,
상기 함불소 에테르 화합물 (A) 와 상기 함불소 에테르 화합물 (B) 가, 모두, 하기 식 (A/B) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물이고,
상기 조성물 중에 포함되는 상기 함불소 에테르 화합물 (A) 와 상기 함불소 에테르 화합물 (B) 의 조합에 있어서, 상기 함불소 에테르 화합물 (A) 에 있어서의 R^f 의 탄소수가, 상기 함불소 에테르 화합물 (B) 에 있어서의 R^f 의 탄소수보다 적고,
상기 함불소 에테르 화합물 (A) 의 함유량이, 상기 함불소 에테르 화합물 (A) 와 상기 함불소 에테르 화합물 (B) 의 합계에 대해, 30 ∼ 95 질량％ 인 것을 특징으로 하는 함불소 에테르 조성물.
[R^f-O-Q-R^PF-]_rZ[-SiR_nL_3-n]_s···(A/B)
단, R^f 는, 퍼플루오로알킬기이고, r 이 2 이상인 경우에는 r 개의 퍼플루오로알킬기는 동일한 퍼플루오로알킬기이고,
Q 는, 단결합, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 옥시플루오로알킬렌기, 또는 그 옥시플루오로알킬렌기의 2 ∼ 5 개가 결합하여 이루어지는 폴리옥시플루오로알킬렌기이고, 그 기를 구성하는 옥시플루오로알킬렌기는 모두가 동일해도 되고 상이해도 되고,
R^PF 는, 폴리(옥시퍼플루오로알킬렌) 사슬이고,
Z 는, (r ＋ s) 가의 연결기이고,
L 은 수산기 또는 가수분해성기이고,
R 은 수소 원자 또는 1 가의 탄화수소기이고,
n 은 0 ∼ 2 의 정수이고,
n 이 0 또는 1 일 때 (3 - n) 개의 L 은, 동일해도 되고 상이해도 되고,
n 이 2 일 때 n 개의 R 은, 동일해도 되고 상이해도 되고,
r 은 1 이상의 정수이고, s 는 2 또는 3 이고, r ＋ s 는 3 ∼ 8 이고,
상기 함불소 에테르 화합물 (A) 및 상기 함불소 에테르 화합물 (B) 각각이 갖는 [-SiR_nL_3-n] 은 동일해도 되고 상이해도 된다.
제 1 항에 있어서,
상기 함불소 에테르 화합물 (A) 에 있어서의 R^f의 탄소수가 1 ∼ 19, 상기 함불소 에테르 화합물 (B) 에 있어서의 R^f 의 탄소수가 2 ∼ 20 인, 함불소 에테르 조성물.
제 1 항에 있어서,
상기 함불소 에테르 화합물 (A) 에 있어서의 R^f 의 탄소수가 1, 상기 함불소 에테르 화합물 (B) 에 있어서의 R^f 의 탄소수가 2 또는 3 이거나, 상기 함불소 에테르 화합물 (A) 에 있어서의 R^f 의 탄소수가 2, 상기 함불소 에테르 화합물 (B) 에 있어서의 R^f 의 탄소수가 3 인, 함불소 에테르 조성물.
제 1 항에 있어서,
상기 r 이 1 ∼ 3 인, 함불소 에테르 조성물.
하기 식 (A1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물 (A1) 과 하기 식 (B1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물 (B1) 을 포함하고, 상기 함불소 에테르 화합물 (A1) 의 함유량이, 상기 함불소 에테르 화합물 (A1) 과 상기 함불소 에테르 화합물 (B1) 의 합계에 대해, 30 ∼ 95 질량％ 인 것을 특징으로 하는 함불소 에테르 조성물.
[R^fa-O-Q^a-R^PFa-]_r1Z^a[-SiR^a _n1L^a _3-n1]_s1···(A1)
[R^fb-O-Q^b-R^PFb-]_r2Z^b[-SiR^b _n2L^b _3-n2]_s2···(B1)
단, R^fa 및 R^fb 는, 퍼플루오로알킬기이고, R^fa 의 탄소수는, R^fb 의 탄소수보다 적고,
Q^a 및 Q^b 는, 단결합, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 옥시플루오로알킬렌기, 또는 그 옥시플루오로알킬렌기의 2 ∼ 5 개가 결합하여 이루어지는 폴리옥시플루오로알킬렌기이고, 그 기를 구성하는 옥시플루오로알킬렌기는 모두가 동일해도 되고 상이해도 되고,
R^PFa 및 R^PFb 는, 폴리(옥시퍼플루오로알킬렌) 사슬이고,
Z^a 는, (r1 ＋ s1) 가의 연결기이고,
Z^b 는, (r2 ＋ s2) 가의 연결기이고,
L^a 및 L^b 는, 수산기 또는 가수분해성기이고,
R^a 및 R^b 는 수소 원자 또는 1 가의 탄화수소기이고,
n1 및 n2 는 0 ∼ 2 의 정수이고,
n1 이 0 또는 1 일 때의 (3 - n1) 개의 L^a, n2 가 0 또는 1 일 때의 (3 - n) 개의 L^b 는 각각, 동일해도 되고 상이해도 되고,
n1 이 2 일 때 n1 개의 R^a, n2 가 2 일 때 n2 개의 R^b 는 각각, 동일해도 되고 상이해도 되고,
r1 및 r2 는 1 이상의 정수이고, r1 이 2 이상일 때 r1 개의 R^fa, Q^a 및 R^PFa 는 각각, 동일해도 되고 상이해도 되고, r2 가 2 이상일 때 r2 개의 R^fb, Q^b 및 R^PFb 는 각각, 동일해도 되고 상이해도 되고,
s1 및 s2 는, 2 또는 3 이고, s1 개의 [-SiR^a _n1L^a _3-n1] 은, 동일해도 되고 상이해도 되고, s2 개의 [-SiR^b _n2L^b _3-n2] 는, 동일해도 되고 상이해도 된다.
제 5 항에 있어서,
상기 식 (A1) 중의 r1 이 2 이상일 때 r1 개의 R^fa 가 동일한, 함불소 에테르 조성물.
제 5 항에 있어서,
상기 식 (B1) 중의 r2 가 2 이상일 때 r2 개의 R^fb 가 동일한, 함불소 에테르 조성물.
제 5 항에 있어서,
상기 식 (A1) 중의 R^fa 의 탄소수가 1 ∼ 19, 상기 식 (B1) 중의 R^fb 의 탄소수가 2 ∼ 20 인, 함불소 에테르 조성물.
제 5 항에 있어서,
상기 식 (A1) 중의 R^fa 의 탄소수가 1, 상기 식 (B1) 중의 R^fb 의 탄소수가 2 또는 3 이거나, 상기 식 (A1) 중의 R^fa 의 탄소수가 2, 상기 식 (B1) 중의 R^fb 의 탄소수가 3 인, 함불소 에테르 조성물.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 함불소 에테르 조성물과, 액상 매체를 포함하는 것을 특징으로 하는 코팅액.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 함불소 에테르 조성물로 형성된 표면층을 갖는 것을 특징으로 하는 물품.
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