WO2024038866A1

WO2024038866A1 - 化合物、組成物、表面処理剤、コーティング液、物品、及び物品の製造方法

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Publication number: WO2024038866A1
Application number: PCT/JP2023/029572
Authority: WO
Inventors: 汐織落合; 英一郎安樂; 貴史川上; 一麦國府田; 啓吾松浦
Original assignee: Ａｇｃ株式会社
Priority date: 2022-08-18
Filing date: 2023-08-16
Publication date: 2024-02-22

Abstract

耐摩擦性や指紋汚れ除去性を維持しながら、滑落が抑制できる表面層を形成可能な化合物、組成物、表面処理剤、コーティング液、当該化合物等から形成された表面層を備え、耐摩擦性、指紋汚れ除去性及び滑落抑制効果に優れた物品、及び当該物品の製造方法を提供すること。　下記式（１）で表される化合物である。［Ｒ^ｆ１－（ＯＲ^ｆ２）_ｙ１－Ｒ^１－］_ａ１Ｒ^ｆ３ _ａ２Ｃ［－Ｒ^２－（ＯＲ^ｆ４）_ｙ２－Ｒ^３－Ｌ^１（－Ｒ^４－Ｔ^１）_ｘ１］_ａ３　・・・式（１）　ただし、式中の各符号は明細書に記載のとおりである。

Description

化合物、組成物、表面処理剤、コーティング液、物品、及び物品の製造方法

　本発明は、化合物、組成物、表面処理剤、コーティング液、物品、及び物品の製造方法に関する。

　フッ素原子を有する含フッ素エーテル化合物は、低屈折率、低誘電率、撥水・撥油性、耐熱性、耐薬品性、化学的安定性、透明性等の諸特性に優れており、電気・電子材料、半導体材料、光学材料、表面処理剤等の多種多様な分野に利用されている。

　ペルフルオロポリエーテル鎖と加水分解性シリル基とを有する含フッ素エーテル化合物は、高い潤滑性、撥水撥油性等を示す表面層を基材の表面に形成できるため、表面処理剤に好適に用いられる。含フッ素エーテル化合物を含む表面処理剤は、表面層が指で繰り返し摩擦されても撥水撥油性が低下しにくい性能（耐摩擦性）及び拭き取りによって表面層に付着した指紋を容易に除去できる性能（指紋汚れ除去性）が長期間維持されることが求められる用途、例えば、タッチパネルの指で触れる面を構成する部材、メガネレンズ、ウェアラブル端末のディスプレイの表面処理剤として用いられる。

　例えば特許文献１では、撥水性、撥油性等を付与し、耐久性のある表面処理層を形成するための表面処理剤として特定の含フッ素シラン化合物を含むものが提案されている。

国際公開第２０１９／１５１４４５号

　近年、スマートフォン、タブレット端末等の携帯デバイスは、ガラスコーティングされた筐体が用いられることがあり、上記表面処理剤は筐体側に用いられることがある。現行の表面処理剤により形成された表面層は滑りやすい場合があり、携帯デバイスを操作する際や、机上に置いている際に滑落する恐れがあった。

　本発明は、耐摩擦性や指紋汚れ除去性を維持しながら、滑落が抑制できる表面層を形成可能な化合物、組成物、表面処理剤、コーティング液、当該化合物等から形成された表面層を備え、耐摩擦性、指紋汚れ除去性及び滑落抑制効果に優れた物品、及び当該物品の製造方法の提供を目的とする。

　本発明は、下記［１］～［１０］の構成を有する含フッ素エーテル化合物、組成物、表面処理剤、コーティング液、物品、及び物品の製造方法を提供する。

［１］　下記式（１）で表される化合物。
［Ｒ^ｆ１－（ＯＲ^ｆ２）_ｙ１－Ｒ^１－］_ａ１Ｒ^ｆ３ _ａ２Ｃ［－Ｒ^２－（ＯＲ^ｆ４）_ｙ２－Ｒ^３－Ｌ^１（－Ｒ^４－Ｔ^１）_ｘ１］_ａ３　・・・式（１）
　ただし、
　Ｒ^ｆ１は、置換基を有してもよい炭素数１～２０のフルオロアルキル基であり、
　Ｒ^ｆ２は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、
　Ｒ^１は、単結合又は２価の基であり、
　Ｒ^ｆ３は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基、エーテル性酸素原子を有する炭素数１～６のアルキル基、フッ素原子、炭素数１～６のフルオロアルキル基、又はエーテル性酸素原子を有する炭素数１～６のフルオロアルキル基、であり、
　Ｒ^２は、単結合又は２価の基であり、
　Ｒ^ｆ４は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、
　Ｒ^３は、単結合、炭素数１～２０のフルオロアルキレン基、アルキレン基、又は炭素－炭素原子間にエーテル性酸素原子を含むアルキレン基であり、
　Ｌ^１は、単結合又は、１＋ｘ１価の基であり、
　Ｒ^４は、アルキレン基、又はエーテル性酸素原子を有するアルキレン基であり、
　Ｔ^１は、反応性基であり、
　ｘ１は、１以上の整数であり、
　ｙ１は、１以上の整数であり、
　ｙ２は、１以上の整数であり、
　ａ１は、２又は３であり、
　ａ２は、０又は１であり、
　ａ３は、１又は２であり、
　ａ１＋ａ２＋ａ３は４であり、
　Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^ｆ１、Ｒ^ｆ２、Ｒ^ｆ４、Ｌ^１、Ｔ^１、ｘ１、ｙ１、又はｙ２が複数ある場合、当該複数あるＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^ｆ１、Ｒ^ｆ２、Ｒ^ｆ４、Ｌ^１、Ｔ^１、ｘ１、ｙ１、又はｙ２は、各々同一であっても異なっていてもよい。
［２］　前記反応性基が、－Ａｒ、－ＳＲ^１０、－ＮＯＲ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－Ｎ（Ｒ^１０）_２、－Ｎ^＋（Ｒ^１０）_３Ｘ^３、－Ｃ≡Ｎ、－Ｃ（＝ＮＲ^１０）－Ｒ^１０、－Ｎ^＋≡Ｎ、－Ｎ＝ＮＲ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ^２、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ^４、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－ＳＯ_２Ｒ^１０、－ＳＯ_３Ｈ、－ＳＯ_３Ｘ^２、－Ｏ－Ｐ（＝Ｏ）（－ＯＲ^１０）_２、－Ｏ－Ｐ（＝Ｏ）（－ＯＲ^１０）（－ＯＸ^２）、－Ｎ＝Ｃ＝Ｏ、－ＳｉＲ^ａ１ _ｚ１Ｒ^ａ１１ _３－ｚ１、－Ｃ（Ｒ^１０）＝Ｃ（Ｒ^１０）_２、－Ｃ≡Ｃ（Ｒ^１０）、－Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ^１０）_２、－Ｎ（Ｒ^１０）Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－Ｓｉ（Ｒ^１０）_２－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ^１０）_３、－ＮＨ－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＲ^１０、－Ｉ、

　のいずれかである、上記［１］の化合物。
　但し、
　Ｒ^１０は、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基又はフルオロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基であり、
　Ａｒは、置換基を有していてもよいアリール基であり、
　Ｘ^２は、アルカリ金属イオン又はアンモニウムイオンであり、
　Ｘ^３は、ハロゲン化物イオンであり、
　Ｘ^４は、ハロゲン原子であり、
　Ｒ^ａ１は、加水分解性基、加水分解性基を有する基又は水酸基であり、
　Ｒ^ａ１１は、炭化水素基であり、
　ｚ１は、１～３の整数であり、
　Ｒ^１０、Ｒ^ａ１又はＲ^ａ１１が複数ある場合、当該複数あるＲ^１０、Ｒ^ａ１又はＲ^ａ１１は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
［３］　前記反応性基が、下記式（２）で表される基である、上記［１］又は［２］の化合物。
　－ＳｉＲ^ａ１ _ｚ１Ｒ^ａ１１ _３－ｚ１　　・・・式（２）
　ただし、
　Ｒ^ａ１は、加水分解性基、加水分解性基を有する基又は水酸基であり、
　Ｒ^ａ１１は、炭化水素基であり、
　ｚ１は、１～３の整数であり、
　Ｒ^ａ１、Ｒ^ａ１１、及びｚ１が複数ある場合、当該複数あるＲ^ａ１、Ｒ^ａ１１、及びｚ１は各々同一であっても異なっていてもよい。
［４］　［Ｒ^ｆ１－（ＯＲ^ｆ２）_ｙ１－Ｒ^１－］の分子量が１００～１０，０００である、上記［１］～［３］のいずれかに記載の化合物。
［５］　上記［１］～［４］のいずれかの化合物と、他の含フッ素エーテル化合物とを含有する組成物。
［６］　上記［１］～［４］のいずれかの化合物、又は上記［５］の組成物を含む、表面処理剤。
［７］　上記［１］～［４］のいずれかの化合物、又は上記［５］の組成物と、液状媒体とを含む、コーティング液。
［８］　上記［１］～［４］のいずれかの化合物、又は上記［５］の組成物から形成された表面層を基材の表面に有する、物品。
［９］　上記［６］の表面処理剤を用いて、ドライコーティング法により表面層を形成する、物品の製造方法。
［１０］　上記［７］のコーティング液を用いて、ウェットコーティング法により表面層を形成する、物品の製造方法。

　本発明により、耐摩擦性や指紋汚れ除去性を維持しながら、滑落が抑制できる表面層を形成可能な化合物、組成物、表面処理剤、コーティング液、当該化合物等から形成された表面層を備え、耐摩擦性、指紋汚れ除去性及び滑落抑制効果に優れた物品、及び当該物品の製造方法を提供できる。

本発明の物品の一例を示す模式断面図である。

　本明細書において、式（１）で表される化合物を、化合物１と記すことがある。他の式で表される化合物等もこれらに準ずる。
　（フルオロ）アルキル基とは、アルキル基とフルオロアルキル基とを合わせた総称である。（フルオロ）アルキレン基等もこれに準ずる。
　フルオロアルキル基とは、ペルフルオロアルキル基とパーシャルフルオロアルキル基とを合わせた総称である。ペルフルオロアルキル基とは、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換された基を意味する。またパーシャルフルオロアルキル基とは、水素原子の１個以上がフッ素原子で置換され、かつ、水素原子を１個以上有するアルキル基である。すなわちフルオロアルキル基は１個以上のフッ素原子を有するアルキル基である。
　「反応性シリル基」とは、加水分解性シリル基及びシラノール基（Ｓｉ－ＯＨ）の総称であり、「加水分解性シリル基」とは、加水分解反応してシラノール基を形成し得る基を意味する。
　「有機基」とは、置換基を有していてもよく、炭素鎖中にヘテロ原子又は他の結合を有してもよい炭化水素基を意味する。
　「炭化水素基」とは、炭素原子と水素原子からなる基であり、脂肪族炭化水素基（直鎖アルキレン基、分岐を有するアルキレン基、シクロアルキレン基等）、芳香族炭化水素基（フェニレン基等）及びこれらの組み合わせからなる基である。
　「表面層」とは、基材の表面に形成される層を意味する。
　フルオロポリエーテル鎖の「分子量」は、^１Ｈ－ＮＭＲ及び^１９Ｆ－ＮＭＲによって、末端基を基準にしてオキシフルオロアルキレン単位の数（平均値）を求めて算出される数平均分子量である。
　数値範囲を示す「～」は、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。

［化合物］
　本発明の含フッ素エーテル化合物は、下記式（１）で表されることを特徴とする。
［Ｒ^ｆ１－（ＯＲ^ｆ２）_ｙ１－Ｒ^１－］_ａ１Ｒ^ｆ３ _ａ２Ｃ［－Ｒ^２－（ＯＲ^ｆ４）_ｙ２－Ｒ^３－Ｌ^１（－Ｒ^４－Ｔ^１）_ｘ１］_ａ３　・・・式（１）
　ただし、
　Ｒ^ｆ１は、置換基を有してもよい炭素数１～２０のフルオロアルキル基であり、
　Ｒ^ｆ２は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、
　Ｒ^１は、単結合又は２価の基であり、
　Ｒ^ｆ３は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基、エーテル性酸素原子を有する炭素数１～６のアルキル基、フッ素原子、炭素数１～６のフルオロアルキル基、又はエーテル性酸素原子を有する炭素数１～６のフルオロアルキル基であり、
　Ｒ^２は、単結合又は２価の基であり、
　Ｒ^ｆ４は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、
　Ｒ^３は、単結合、炭素数１～２０のフルオロアルキレン基、アルキレン基、又は炭素－炭素原子間にエーテル性酸素原子を含むアルキレン基であり、
　Ｌ^１は、単結合又は、１＋ｘ１価の基であり、
　Ｒ^４は、単結合、アルキレン基、又はエーテル性酸素原子を有するアルキレン基であり、
　Ｔ^１は、反応性基であり、
　ｘ１は、１以上の整数であり、
　ｙ１は、１以上の整数であり、
　ｙ２は、１以上の整数であり、
　ａ１は、２又は３であり、
　ａ２は、０又は１であり、
　ａ３は、１又は２であり、
　ａ１＋ａ２＋ａ３は４であり、
　Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^ｆ１、Ｒ^ｆ２、Ｒ^ｆ４、Ｌ^１、Ｔ^１、ｘ１、ｙ１、又はｙ２が複数ある場合、当該複数あるＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^ｆ１、Ｒ^ｆ２、Ｒ^ｆ４、Ｌ^１、Ｔ^１、ｘ１、ｙ１、又はｙ２は、各々同一であっても異なっていてもよい。

　化合物１は、概略すると「フルオロポリエーテル鎖－連結基－反応性基」の構造を有する。本化合物はフルオロポリエーテル鎖を有するため、本化合物を用いて得られる表面層は、撥水撥油性、指紋汚れ除去性に優れる。
　化合物１は、基材と強固に化学結合する反応性基を有する。そのため、得られる表面層は耐摩擦性等の耐久性に優れる。

　具体的には、化合物１中における［Ｒ^ｆ１－（ＯＲ^ｆ２）_ｙ１－Ｒ^１－］_ａ１Ｒ^ｆ３ _ａ２Ｃ［－Ｒ^２－（ＯＲ^ｆ４）_ｙ２］がフルオロポリエーテル鎖に該当し、－Ｒ^３－Ｌ^１（－Ｒ^４－）_ｘ１が連結基に該当し、Ｔ^１が反応性基に該当する。

　化合物１は、フルオロポリエーテル鎖中に分岐点を有しており、当該分岐点から複数のフルオロポリエーテル鎖が伸びる構造を有する。
　即ち、化合物１におけるフルオロポリエーテル鎖［Ｒ^ｆ１－（ＯＲ^ｆ２）_ｙ１－Ｒ^１－］_ａ１Ｒ^ｆ３ _ａ２Ｃ［－Ｒ^２－（ＯＲ^ｆ４）_ｙ２］は、炭素原子において分岐している。そして、化合物１におけるフルオロポリエーテル鎖は、分岐点となる炭素原子から、複数本のフルオロポリエーテル鎖、即ち、［Ｒ^ｆ１－（ＯＲ^ｆ２）_ｙ１－Ｒ^１－］及び［－Ｒ^２－（ＯＲ^ｆ４）_ｙ２］が伸びる構造を有する。
　このような分岐構造によって、化合物１中のフルオロポリエーテル鎖は運動性が低下する。その結果として、化合物１を含む表面層は、動摩擦係数が向上する。その結果、当該表面層を備える携帯デバイス等の物品は滑落がよく制止される（以下、滑落防止性ともいう）。

　更に、前述したように、化合物１のフルオロポリエーテル鎖が有する分岐点は、炭素原子である。このような構造によると、当該分岐点が窒素等のヘテロ原子である場合と比較して、フルオロポリエーテル鎖の極性が低下する。その結果として、化合物１を含む表面層は、撥水性が向上する。

　Ｒ^ｆ１は、置換基を有してもよい炭素数１～２０のフルオロアルキル基である。Ｒ^ｆ１におけるフルオロアルキル基は、直鎖であってもよく、分岐を有していてもよく、また環状であってもよい。Ｒ^ｆ１が直鎖又は分岐のフルオロアルキル基である場合、合成の容易性等の観点から、Ｒ^ｆ１の炭素数は１～６が好ましく、１～３がより好ましい。

　直鎖又は分岐を有するフルオロアルキル基であるＲ^ｆ１の具体例としては、ＣＦ_３－、ＣＨＦ_２－、ＣＦ_３ＣＦ_２－、ＣＦ_３ＣＨＦ－、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２－、ＣＦ_３ＣＨＦＣＦ_２－、ＣＦ_３ＣＨＦＣＨＦ－、ＣＦ_３ＣＦ（ＣＦ_３）－、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、ＣＦ_３ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、ＣＦ_３ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２－、ＣＦ_３Ｃ（ＣＦ_３）_２ＣＦ_２－、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－等が挙げられる。撥水撥油性、指紋汚れ除去性の点から、フルオロアルキル基はペルフルオロアルキル基であることが好ましい。

　環状のフルオロアルキル基としては、フルオロシクロブチル基、フルオロシクロペンチル基、フルオロシクロヘキシル基、フルオロノルボルニル基、フルオロビシクロ［２，２，２］オクチル基、アダマンチル基等が挙げられる。また、環状のフルオロアルキル基は、フルオロアルキレン基が結合した「環状フルオロアルキル基－直鎖フルオロアルキレン基－」の構造を有する基であってもよい。
　また、Ｒ^ｆ１が有していてもよい置換基としては、撥水撥油性、指紋汚れ除去性の点から、ヘテロ原子を有してもよいフルオロアリール基や、不飽和脂肪環等が挙げられる。

　Ｒ^ｆ１が上記環状のフルオロアルキル基又はフルオロアリール基を有する場合（以下、環構造を有するフルオロアルキル基ということがある）、合成容易性の観点から、Ｒ^ｆ１は、下記式（Ｒ^ｆ１－１）で表されることが好ましい。
　Ｑ－Ｒ^ｆ１１－＊　・・・式（Ｒ^ｆ１－１）
　ただし、Ｑは、環構造を有する基であり、Ｒ^ｆ１１は、単結合又は炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、＊は、（ＯＲ^ｆ２）_ｙ１の末端の酸素原子と結合する結合手である。なお、Ｒ^ｆ１１が単結合の場合は、Ｑの環構造を構成する原子が（ＯＲ^ｆ２）_ｙ１の末端の酸素原子と結合する。

　Ｒ^ｆ１１におけるフルオロアルキレン基は、直鎖であってもよく、分岐を有していてもよい。Ｒ^ｆ１１が直鎖又は分岐のフルオロアルキレン基である場合、合成の容易性等の観点から、Ｒ^ｆ１１の炭素数は１～６が好ましく、１～３がより好ましい。Ｒ^ｆ１におけるフルオロアルキル基の具体例としては、－ＣＦ_２－、－ＣＨＦ－、－ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨＦ－、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨＦＣＨＦ－、－ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）－、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）－ＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｃ（ＣＦ_３）_２－ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－等が挙げられる。Ｒ^ｆ１１は単結合であってもよいが、耐摩耗性及び撥水撥油性の点から、Ｒ^ｆ１１はフルオロアルキレン基が好ましく、ペルフルオロアルキレン基がより好ましい。また合成容易性の点からは、Ｒ^ｆ１１は直鎖フルオロアルキレン基が好ましい。

　Ｑが有する環構造は、単環構造、縮合環構造のいずれであってもよく、ヘテロ原子を有していてもよく、環構造内に架橋構造を有していてもよい。ヘテロ原子としては、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｓｉ等が挙げられる。Ｒ^ｆ１が有する環構造は、当該環構造の安定性の観点から、３～１１員環であることが好ましく、４～８員環であることがより好ましく、５～８員環であることが更に好ましい。

　上記単環構造としては、例えば、ベンゼン、フラン、チオフェン、ピロール、ピラン、ピリジン、ピラゾール、オキサゾール、イミダゾール、チアゾール等の芳香族環由来の構造；シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロペンテン、シクロヘキサン、シクロヘキセン等の二重結合を有していてもよい脂肪族環由来の構造；オキセタン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル由来の構造；ピロリジン、ピロリドン、ピペリジン等の環状アミン由来の構造等が挙げられる。
　上記縮合環構造としては、ナフタレン、アントラセン、ベンゾフラン、チオナフテン、カルバゾール、ベンゾ－ピロン、キノリン、アクリジン、フタラジン、キノキサリン等の多環芳香族環由来の構造；デカヒドロナフタレン等の縮合脂肪族環由来の構造；テトラリン等の芳香族環と脂肪族環との縮合環等が挙げられる。
　また、環構造内に架橋構造を有する構造としては、ノルボルナン、ビシクロ［２，２，２］オクタン、アダマンタン等が挙げられる。なお、これらの環構造は少なくとも一つの水素原子がフッ素置換されたものである。

　Ｒ^ｆ１が環構造を有するフルオロアルキル基である場合、Ｒ^ｆ１の具体例としては、例えば以下の構造が挙げられる。
　ただし、Ｒ^Ｎは、水素原子、又は１価の炭化水素基である。また、ｎは各々独立に０～６の整数である。

　Ｒ^ｆ２は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、Ｒ^ｆ２が複数ある場合、複数あるＲ^ｆ２は互いに同一であっても異なっていてもよい。（ＯＲ^ｆ２）_ｙ１は、フルオロポリエーテル鎖であり、ｙ１は１以上の整数である。

　（ＯＲ^ｆ２）_ｙ１におけるフルオロポリエーテル鎖は、下記式（Ｇ１）で表される構造を有することが好ましい。
　－［（ＯＧ^ｆ１）_ｍ１（ＯＧ^ｆ２）_ｍ２（ＯＧ^ｆ３）_ｍ３（ＯＧ^ｆ４）_ｍ４（ＯＧ^ｆ５）_ｍ５（ＯＧ^ｆ６）_ｍ６］－　・・・式（Ｇ１）
　ただし、
　Ｇ^ｆ１は、炭素数１のフルオロアルキレン基であり、
　Ｇ^ｆ２は、炭素数２のフルオロアルキレン基であり、
　Ｇ^ｆ３は、炭素数３のフルオロアルキレン基であり、
　Ｇ^ｆ４は、炭素数４のフルオロアルキレン基であり、
　Ｇ^ｆ５は、炭素数５のフルオロアルキレン基であり、
　Ｇ^ｆ６は、炭素数６のフルオロアルキレン基であり、
　ｍ１、ｍ２、ｍ３、ｍ４、ｍ５、ｍ６は、それぞれ独立に０又は１以上の整数を表し、
　ｍ１＋ｍ２＋ｍ３＋ｍ４＋ｍ５＋ｍ６（式（１）におけるｙ１）は１～２００の整数である。
　なお、式（Ｇ１）における（ＯＧ^ｆ１）～（ＯＧ^ｆ６）の結合順序は任意である。式（Ｇ１）のｍ１～ｍ６は、それぞれ、（ＯＧ^ｆ１）～（ＯＧ^ｆ６）の個数を表すものであり、配置を表すものではない。例えば、（ＯＧ^ｆ５）_ｍ５は、（ＯＧ^ｆ５）の数がｍ５個であることを表し、（ＯＧ^ｆ５）_ｍ５のブロック配置構造を表すものではない。同様に、（ＯＧ^ｆ１）～（ＯＧ^ｆ６）の記載順は、それぞれの単位の結合順序を表すものではない。
　また上記炭素数３～６のフルオロアルキレン基は、直鎖フルオロアルキレン基であってもよく、分岐、又は環構造を有するフルオロアルキレン基であってもよい。

　Ｇ^ｆ１の具体例としては、－ＣＦ_２－、－ＣＨＦ－が挙げられる。
　Ｇ^ｆ２の具体例としては、－ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨＦ－、－ＣＨ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨＦ－等が挙げられる。
　Ｇ^ｆ３の具体例としては、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨＦＣＨＦ－、－ＣＨＦＣＨ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＨＦ－、－ＣＨ_２ＣＨＦＣＨＦ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨＦ－、－ＣＦ（ＣＦ_３）－ＣＦ_２－、－ＣＦ（ＣＨＦ_２）－ＣＦ_２－、－ＣＦ（ＣＨ_２Ｆ）－ＣＦ_２－、－ＣＦ（ＣＨ_３）－ＣＦ_２－、－ＣＦ（ＣＦ_３）－ＣＨＦ－、－ＣＦ（ＣＨＦ_２）－ＣＨＦ－、－ＣＦ（ＣＨ_２Ｆ）－ＣＨＦ－、－ＣＦ（ＣＨ_３）－ＣＨＦ－、－ＣＦ（ＣＦ_３）－ＣＨ_２－、－ＣＦ（ＣＨＦ_２）－ＣＨ_２－、－ＣＦ（ＣＨ_２Ｆ）－ＣＨ_２－、－ＣＦ（ＣＨ_３）－ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＦ_３）－ＣＦ_２－、－ＣＨ（ＣＨＦ_２）－ＣＦ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_２Ｆ）－ＣＦ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_３）－ＣＦ_２－、－ＣＨ（ＣＦ_３）－ＣＨＦ－、－ＣＨ（ＣＨＦ_２）－ＣＨＦ－、－ＣＨ（ＣＨ_２Ｆ）－ＣＨＦ－、－ＣＨ（ＣＨ_３）－ＣＨＦ－、－ＣＨ（ＣＦ_３）－ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨＦ_２）－ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_２Ｆ）－ＣＨ_２－等が挙げられる。
　Ｇ^ｆ４の具体例としては、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨＦＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨＦＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨＦＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨＦ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨＦ－、－ｃｙｃｌｏＣ_４Ｆ_６－等が挙げられる。
　Ｇ^ｆ５の具体例としては、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２－、－ｃｙｃｌｏＣ_５Ｆ_８－等が挙げられる。
　Ｇ^ｆ６の具体例としては、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨＦＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨＦＣＨＦＣＨＦＣＨＦＣＨＦ－、－ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２－、－ｃｙｃｌｏＣ_６Ｆ_１０－等が挙げられる。
　ここで、－ｃｙｃｌｏＣ_４Ｆ_６－は、ペルフルオロシクロブタンジイル基を意味し、その具体例としては、ペルフルオロシクロブタン－１，２－ジイル基が挙げられる。－ｃｙｃｌｏＣ_５Ｆ_８－は、ペルフルオロシクロペンタンジイル基を意味し、その具体例としては、ペルフルオロシクロペンタン－１，３－ジイル基が挙げられる。－ｃｙｃｌｏＣ_６Ｆ_１０－は、ペルフルオロシクロヘキサンジイル基を意味し、その具体例としては、ペルフルオロシクロヘキサン－１，４－ジイル基が挙げられる。

　（ＯＲ^ｆ２）_ｙ１は、撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性により優れる点から、中でも、下記式（Ｇ２）～下記式（Ｇ４）で表される構造を有することが好ましい。
　　（ＯＧ^ｆ１）_ｍ１－（ＯＧ^ｆ２）_ｍ２　・・・式（Ｇ２）
　　（ＯＧ^ｆ２）_ｍ２－（ＯＧ^ｆ４）_ｍ４　・・・式（Ｇ３）
　　（ＯＧ^ｆ３）_ｍ３　・・・式（Ｇ４）
　ただし、式（Ｇ２）～式（Ｇ４）の各符号は、前記式（Ｇ１）と同様である。

　式（Ｇ２）及び式（Ｇ３）において、（ＯＧ^ｆ１）と（ＯＧ^ｆ２）、（ＯＧ^ｆ２）と（ＯＧ^ｆ４）の結合順序は各々任意である。例えば（ＯＧ^ｆ１）と（ＯＧ^ｆ２）が交互に配置されてもよく、（ＯＧ^ｆ１）と（ＯＧ^ｆ２）が各々ブロックに配置されてもよく、またランダムであってもよい。式（Ｇ３）においても同様である。
　式（Ｇ２）において、ｍ１は１～５０が好ましく、１～３０がより好ましい。またｍ２は１～５０が好ましく、１～３０がより好ましい。
　式（Ｇ３）において、ｍ２は１～５０が好ましく、１～３０がより好ましい。またｍ４は１～５０が好ましく、１～３０がより好ましい。
　式（Ｇ４）において、ｍ３は１～５０が好ましく、１～３０がより好ましい。

　Ｒ^１は、単結合又は２価の基である。
　Ｒ^１が単結合である場合、化合物１は、（ＯＲ^ｆ２）_ｙ１の末端に位置するＲ^ｆ２が、分岐点となる炭素原子Ｃと、直接結合する構造を有する。
　Ｒ^１が２価の基である場合、Ｒ^１としては、例えば、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^Ｎ－、－ＮＲ^ＮＣ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－より選択される結合Ｂ^１、又は、Ｒ^ｆ２側末端、分岐点側末端、もしくは炭素－炭素原子間に、前記結合Ｂ^１を有していてもよい（フルオロ）アルキレン基等が挙げられる。当該（フルオロ）アルキレン基は、直鎖であってもよく、分岐を有してもよいが、耐摩耗性の点から直鎖であることが好ましい。また、合成の容易性等の観点から、当該（フルオロ）アルキレン基の炭素数は１～６が好ましく、１～３がより好ましい。
　ただし、Ｒ^Ｎは、水素原子、又は１価の炭化水素基であり、Ｒ^１がフルオロアルキレン基である場合、結合Ｂ^２は、－Ｏ－以外の基である。
　Ｒ^１は、合成容易性の観点から、単結合又は炭素数１～６の（フルオロ）アルキレン基であることが好ましく、単結合であることが特に好ましい。

　式（１）における基［Ｒ^ｆ１－（ＯＲ^ｆ２）_ｙ１－Ｒ^１－］の１つあたりの（部分）分子量は、指紋汚れ除去性の点から、１００～１０，０００が好ましく、１５０～８，０００がより好ましく、２００～５，０００が更に好ましい。

　Ｒ^ｆ３は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基、エーテル性酸素原子を有する炭素数１～６のアルキル基、フッ素原子、炭素数１～６のフルオロアルキル基、又はエーテル性酸素原子を有する炭素数１～６のフルオロアルキル基である。
　Ｒ^ｆ３がアルキル基、又はフルオロアルキル基である場合、Ｒ^ｆ３は、分岐構造を有してもよいし、直鎖であってもよい。Ｒ^ｆ３がフルオロアルキル基である場合、合成容易性の観点から、Ｒ^ｆ３は、ペルフルオロアルキル基であることが好ましく、また、炭素数が１～３であることが好ましい。

　Ｒ^２は、単結合又は２価の基である。
　Ｒ^２が単結合である場合、（ＯＲ^ｆ４）_ｙ２の末端に位置する酸素原子が、分岐点となる炭素原子と直接結合する。
　Ｒ^２が２価の基である場合、Ｒ^２としては、例えば、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^Ｎ－、－ＮＲ^ＮＣ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－より選択される結合Ｂ^２、又は、酸素原子側末端、分岐点側末端、もしくは炭素－炭素原子間に前記結合Ｂ^２を有していてもよい、（フルオロ）アルキレン基等が挙げられる。当該（フルオロ）アルキレン基は、直鎖であってもよく、分岐を有してもよいが、耐摩耗性の点から直鎖であることが好ましい。また、合成の容易性等の観点から、当該（フルオロ）アルキレン基の炭素数は１～６が好ましく、１～３がより好ましい。
　ただし、Ｒ^Ｎは、水素原子、又は１価の炭化水素基であり、Ｒ^２がフルオロアルキレン基である場合、結合Ｂ^２は、－Ｏ－以外の基である。
　Ｒ^２は、合成容易性の観点から、単結合又は炭素数１～６の（フルオロ）アルキレン基であることが好ましく、単結合であることが特に好ましい。

　Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^ｆ３は、分岐点となる炭素原子に結合する。式（１）中のａ１は２又は３であり、ａ２は０又は１であり、ａ３は１又は２であり、ａ１＋ａ２＋ａ３は４である。即ち、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^ｆ３、及び分岐点となる炭素原子からなる分岐構造は、下記式（Ｃ－１）～式（Ｃ－３）で表すことができる。

・・・式（Ｃ－１）

・・・式（Ｃ－２）

・・・式（Ｃ－３）

　ただし、下記式（Ｃ－１）～式（Ｃ－３）において、Ｒ^１、又はＲ^２が複数存在する場合、複数あるＲ^１、又はＲ^２は、各々同一であっても異なっていてもよい。
　また、＊は、Ｒ^ｆ１－（ＯＲ^ｆ２）_ｙ１－と結合する結合手であり、＊＊は、－（ＯＲ^ｆ４）_ｙ２－Ｒ^３－Ｌ^１（－Ｒ^４－Ｔ^１）_ｘ１と結合する結合手である。

　前記式（Ｃ－１）～式（Ｃ－３）で表されるように、分岐点となる炭素原子からは、３本、又は４本のフルオロポリエーテル鎖が伸びる。これらのフルオロエーテル鎖、特に＊と結合する２つ以上のフルオロポリエーテル鎖は、相互作用を及ぼし合い、双方の運動性は低下する。その結果として、化合物１を含む表面層は、動摩擦係数が向上する。

　撥水撥油性及び指紋除去性に優れる点から、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^ｆ３、及び分岐点となる炭素原子からなる分岐構造は、前記式（Ｃ－１）で表されることが特に好ましい。前記式（Ｃ－１で表される分岐構造の具体的な例としては、例えば、以下の構造が挙げられる。

　Ｒ^ｆ４は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、Ｒ^ｆ４が複数ある場合、複数あるＲ^ｆ４は互いに同一であっても異なっていてもよい。（ＯＲ^ｆ４）_ｙ２は、フルオロポリエーテル鎖であり、ｙ２は１以上の整数である。

　（ＯＲ^ｆ４）_ｙ２の好ましい態様は、（ＯＲ^ｆ２）_ｙ１の好ましい態様と同様である。即ち、（ＯＲ^ｆ４）_ｙ２におけるフルオロポリエーテル鎖は、前記式（Ｇ１）で表される構造を有することが好ましく、撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性により優れる点から、前記式（Ｇ２）～前記式（Ｇ４）で表される構造を有することが更に好ましい。

　化合物１において分岐のフルオロポリエーテル鎖を表す基［Ｒ^ｆ１－（ＯＲ^ｆ２）_ｙ１－Ｒ^１－］_ａ１Ｒ^ｆ３ _ａ２Ｃ［－Ｒ^２－（ＯＲ^ｆ４）_ｙ２－］_ａ３は水素原子を有していてもよい。一方、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性により優れる点からは、分岐のフルオロポリエーテル鎖中のフッ素原子の割合は６０％以上が好ましく、８０％以上がより好ましく、実質的に１００％、すなわちペルフルオロポリエーテル鎖であることが更に好ましい。フッ素原子が６０％以上であれば、フルオロポリエーテル鎖のフッ素量が増大して、滑り性や指紋除去性がより向上する。なおここでのフッ素原子の割合は、以下の数式（Ｉ）により計算される値である。
　数式（Ｉ）：フッ素原子の割合の割合（％）＝（フッ素原子の数）／｛（フッ素原子の数）＋（水素原子の数）｝×１００

　Ｒ^３は、単結合、炭素数１～２０のフルオロアルキレン基、アルキレン基、又は炭素－炭素原子間にエーテル性酸素原子を含むアルキレン基である。Ｒ^３が単結合である場合、化合物１は、（ＯＲ^ｆ４）_ｙ２の末端に位置するＲ^ｆ４が、Ｌ^１と直接結合する構造を有する。
　Ｒ^３がアルキレン基である場合、当該アルキレン基は、直鎖であってもよく、分岐を有してもよく、環構造を有してもよく、炭素－炭素原子間にエーテル性酸素原子を有してもよい。Ｒ^３は、耐摩耗性の点から直鎖アルキレン基が好ましい。また、合成容易性等の観点から、アルキレン基の炭素数は１～６が好ましく、１～３がより好ましい。
　Ｒ^３がフルオロアルキレン基である場合、Ｒ^３は、（ＯＲ^ｆ４）_ｙ２の末端の酸素原子と結合することが好ましい。Ｒ^３がフルオロアルキレン基である場合、当該アルキレン基は、直鎖であってもよく、分岐を有してもよく、環構造を有してもよい。

　Ｌ^１は、単結合又は、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉを有していてもよく、分岐点を有していてもよい１＋ｘ１価の基であって、Ｒ^３及びＲ^４に結合する原子は、各々独立に、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ原子、もしくは、水酸基又は分岐点を構成する炭素原子である。
　Ｌ^１が単結合の場合、式（１）のＲ^３とＲ^４は直接結合する。また、Ｌ^１が単結合であり、なおかつＲ^３が単結合である場合、本化合物は、（ＯＲ^ｆ４）_ｙ２とＲ^４が直接結合する構造を有する。

　Ｌ^１が３価以上の基の場合、Ｌ^１はＣ、Ｎ、Ｓｉ、環構造及び（１＋ｘ１）価のオルガノポリシロキサン残基からなる群から選ばれる少なくとも１種の分岐点（以下、「分岐点Ｐ^１」と記す。）を有する。

　Ｎが分岐点Ｐ^１となる場合、分岐点Ｐ^１は、例えば＊－Ｎ（－＊＊）_２で表される。ただし、＊はＲ^３側の結合手であり、＊＊はＲ^４側の結合手である。
　Ｃが分岐点Ｐ^１となる場合、分岐点Ｐ^１は、例えば＊－Ｃ（－＊＊）_３又は＊－ＣＲ^２９（－＊＊）_２で表される。ただし、＊はＲ^３側の結合手であり、＊＊はＲ^４側の結合手であり、Ｒ^２９は１価の基であり、水素原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基等が挙げられる。
　Ｓｉが分岐点Ｐ^１となる場合、分岐点Ｐ^１は、例えば＊－Ｓｉ（－＊＊）_３又は＊－ＳｉＲ^２９（－＊＊）_２で表される。ただし、＊はＲ^３側の結合手であり、＊＊はＲ^４側の結合手であり、Ｒ^２９は１価の基であり、水素原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基等が挙げられる。

　分岐点Ｐ^１を構成する環構造としては、本化合物を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性、耐光性及び耐薬品性が更に優れる点から、３～８員環の脂肪族環、３～８員環の芳香族環、３～８員環のヘテロ環、及びこれらの環のうちの２つ以上からなる縮合環からなる群から選ばれる１種から一部水素原子を除いた残基が好ましく、下式に挙げられる環構造が特に好ましい。環構造は、ハロゲン原子、アルキル基（炭素－炭素原子間にエーテル性酸素原子を含んでいてもよい。）、シクロアルキル基、アルケニル基、アリル基、アルコキシ基、オキソ基（＝Ｏ）等の置換基を有してもよい。

　分岐点Ｐ^１を構成するオルガノポリシロキサン残基としては、例えば、下記の基が挙げられる。ただし、下式におけるＲ^２５は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はフェニル基である。Ｒ^２５のアルキル基及びアルコキシ基の炭素数は、１～１０が好ましく、１がより好ましい。

　２価以上のＬ^１は、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^２６）－、－Ｎ（Ｒ^２６）Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｏ－、－Ｎ（Ｒ^２６）－、－Ｓ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＨＣ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）ＮＨ－、－ＮＨＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^２６）－、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^２６）－、－Ｎ（Ｒ^２６）ＳＯ_２－、－Ｓｉ（Ｒ^２６）_２－、－ＯＳｉ（Ｒ^２６）_２－、－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－Ｐｈ－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－及び２価のオルガノポリシロキサン残基からなる群から選ばれる少なくとも１種の結合（以下、「結合Ｂ^４」と記す。）を有していてもよい。
　ただし、Ｒ^２６は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基又はフェニル基であり、Ｐｈは、フェニレン基である。Ｒ^２６のアルキル基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が更に好ましい。

　２価のオルガノポリシロキサン残基としては、例えば、下式の基が挙げられる。ただし、下式におけるＲ^２７は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はフェニル基である。Ｒ^２７のアルキル基及びアルコキシ基の炭素数は、１～１０が好ましく、１がより好ましい。

　結合Ｂ^４としては、本化合物を製造しやすい点から、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^２６－、－Ｎ（Ｒ^２６）Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）－、及び－ＮＲ^２６－からなる群から選ばれる少なくとも１種の結合が好ましく、表面層の耐光性及び耐薬品性が更に優れる点から、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^２６－、－Ｎ（Ｒ^２６）Ｃ（Ｏ）－又はＣ（Ｏ）－がより好ましい。

　３価以上のＬ^１は、Ｒ^３及びＲ^４に結合する原子が、各々独立に、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ原子、分岐点を構成する炭素原子、又はオキソ基（＝Ｏ）を有する炭素原子である。すなわち、Ｒ^３及びＲ^４に隣接する原子が各々結合Ｂ^４又は分岐点Ｐ^１の構成元素である。３価以上のＬ^１の具体例としては、１個以上の分岐点Ｐ^１（例えば｛＊－Ｐ^１（－＊＊）_ｘ１｝）、１個以上の分岐点Ｐ^１と１個以上の結合Ｂ^４との組み合わせ（例えば、｛＊－Ｂ^４－Ｒ^２８－Ｐ^１（－＊＊）_ｘ１｝、｛＊－Ｂ^４－Ｒ^２８－Ｐ^１（－Ｒ^２８－Ｂ^４－＊＊）_ｘ１｝）等が挙げられる。ただし、Ｒ^２８は単結合又は２価の有機基であり、＊はＲ^３側の結合手であり、＊＊はＲ^４側の結合手である。

　また、２価のＬ^１としては、Ｒ^３及びＲ^４に結合する原子が、各々独立に、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ原子又はオキソ基（＝Ｏ）を有する炭素原子である。すなわち、Ｒ^３及びＲ^４に隣接する原子が各々結合Ｂ^４の構成元素である。２価以上のＬ^１の具体例としては、単結合、１個以上の結合Ｂ^４（例えば、＊－Ｂ^４－＊＊、＊－Ｂ^４－Ｒ^２８－Ｂ^４－＊＊）等が挙げられる。ただし、Ｒ^２８は単結合又は２価の有機基であり、＊はＲ^３側の結合手であり、＊＊はＲ^４側の結合手である。

　上記Ｒ^２８における２価の有機基としては、例えば、２価の脂肪族炭化水素基（アルキレン基、シクロアルキレン基等）、２価の芳香族炭化水素基（フェニレン基等）が挙げられ、炭素数２以上の炭化水素基の炭素－炭素原子間に結合Ｂ^４を有していてもよい。２価の有機基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～６がより好ましく、１～４が更に好ましい。

　前記Ｌ^１としては、本化合物を製造しやすい点から、下式（Ｅ１）～（Ｅ７）のいずれかで表される基が好ましい。

・・・式（Ｅ１）
　－Ｅ^１－Ｃ（Ｒ^Ｅ２）_３－ｅ３（－Ｅ^２２－）_ｅ３　・・・式（Ｅ２）
　－Ｅ^２－Ｎ（－Ｅ^２３－）_２　・・・式（Ｅ３）
　－Ｅ^３－Ｚ^１（－Ｅ^２４－）_ｅ４　・・・式（Ｅ４）
　－Ｅ^２－Ｓｉ（Ｒ^Ｅ３）_３－ｅ３（－Ｅ^２５－）_ｅ３　・・・式（Ｅ５）
　－Ｅ^１－Ｅ^２６－　・・・式（Ｅ６）
　－Ｅ^１－ＣＨ（－Ｅ^２２－）－Ｓｉ（Ｒ^Ｅ３）_３－ｅ５（－Ｅ^２５－）_ｅ５　・・・式（Ｅ７）
　ただし、式（Ｅ１）～式（Ｅ７）においては、Ｅ^１、Ｅ^２又はＥ^３側が式（１）のＲ^３と接続し、Ｅ^２２、Ｅ^２３、Ｅ^２４、Ｅ^２５又はＥ^２６側がＲ^４に接続する。
　ここで、Ｅ^１は、単結合、－Ｂ^５－、－Ｂ^６－Ｒ^４０－、又はＢ^６－Ｒ^４０－Ｂ^５－であって、Ｒ^４０はアルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^Ｅ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^Ｅ６－又はＯ－を有する基であり、Ｂ^５は、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^Ｅ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^Ｅ６－又はＯ－であり、Ｂ^６は－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^Ｅ６－、－Ｃ（Ｏ）－、又はＮＲ^Ｅ６－であり、
　Ｅ^２は、単結合又はＢ^６－Ｒ^４０－であり、
　Ｅ^３は、Ｅ^３が結合するＺ^１における原子が炭素原子の場合、Ｅ^１であり、Ｅ^３が結合するＺ^１における原子が窒素原子の場合、Ｅ^２であり、
　Ｅ^１１は、単結合、－Ｏ－、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^Ｅ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^Ｅ６－又はＯ－を有する基であり、
　Ｅ^２２は、単結合、－Ｂ^５－、－Ｒ^４０－Ｂ^６－又はＢ^５－Ｒ^４０－Ｂ^６－であり、Ｅ^２２を２以上有する場合、２以上のＥ^２２は同一であっても異なっていてもよく、
　Ｅ^２３は、単結合又はＲ^４０－Ｂ^６－であり、２個のＥ^２３は同一であっても異なっていてもよく、
　Ｅ^２４は、Ｅ^２４が結合するＺ^１における原子が炭素原子の場合、Ｅ^２２であり、Ｅ^２４が結合するＺ^１における原子が窒素原子の場合、Ｅ^２３であり、Ｅ^２４を２以上有する場合、２以上のＥ^２４は同一であっても異なっていてもよく、
　Ｅ^２５は、単結合、又はＲ^４０－Ｂ^６－であり、Ｅ^２５を２以上有する場合、２以上のＥ^２５は同一であっても異なっていてもよく、
　Ｅ^２６は、単結合又はＲ^４０－Ｂ^６－であり、
　Ｚ^１は、Ｅ^３が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有しかつＥ^２４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有する（ｅ４＋１）価の環構造を有する基であり、
　Ｒ^Ｅ１は、水素原子又はアルキル基であり、Ｒ^Ｅ１を２以上有する場合、２以上のＲ^Ｅ１は同一であっても異なっていてもよく、
　Ｒ^Ｅ２は、水素原子、水酸基、アルキル基又はアシルオキシ基であり、
　Ｒ^Ｅ３は、アルキル基であり、
　Ｒ^Ｅ６は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基又はフェニル基であり、
　　ｅ１は０～３の整数であり、ｅ２は０～３の整数であって、ｅ１＋ｅ２は１～６の整数であり、
　　ｅ３は、１～３の整数であり、
　　ｅ４は、１以上の整数であり、
　　ｅ５は、１～３の整数である。
　なお、ｅ１＋ｅ２＝ｘ１、ｅ３＝ｘ１、ｅ４＝ｘ１、ｅ５＋１＝ｘ１である。

　Ｒ^４０のアルキレン基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性、耐光性及び耐薬品性が更に優れる点から、１～１０が好ましく、１～６がより好ましく、１～４が更に好ましい。ただし、炭素－炭素原子間に特定の結合を有する場合のアルキレン基の炭素数の下限値は２である。

　Ｚ^１における環構造としては、上述した環構造が挙げられ、好ましい形態も同様である。なお、Ｚ^１における環構造にはＥ^２４が直接結合するため、環構造に例えばアルキレン基が連結して、そのアルキレン基にＥ^２４が連結することはない。

　Ｒ^Ｅ１、Ｒ^Ｅ２又はＲ^Ｅ３のアルキル基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が更に好ましい。
　Ｒ^Ｅ２のアシルオキシ基のアルキル基部分の炭素数は、化合物１を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が更に好ましい。
　ｇ４は、本化合物を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性が更に優れる点から、２～６が好ましく、２～４がより好ましく、２又は３が更に好ましい。

　前記Ｌ^１の他の形態としては、下式（Ｅ１１）～（Ｅ１７）のいずれかで表される基が挙げられる。

・・・式（Ｅ１１）
　－Ｅ^１－Ｃ（Ｒ^Ｅ２）_３－ｅ３（－Ｅ^２２－Ｅ^Ｇ）_ｅ３　式（Ｅ１２）
　－Ｅ^２－Ｎ（－Ｅ^２３－Ｅ^Ｇ）_２　式（Ｅ１３）
　－Ｅ^３－Ｚ^１（－Ｅ^２４－Ｅ^Ｇ）_ｅ４　式（Ｅ１４）
　－Ｅ^２－Ｓｉ（Ｒ^Ｅ３）_３－ｅ３（－Ｅ^２５－Ｅ^Ｇ）_ｅ３　式（Ｅ１５）
　－Ｅ^１－Ｅ^２６－Ｅ^Ｇ　式（Ｅ１６）
　－Ｅ^１－ＣＨ（－Ｅ^２２－）－Ｓｉ（Ｒ^Ｅ３）_３－ｅ５（－Ｅ^２５－Ｅ^Ｇ）_ｅ５　式（Ｅ１７）

　ただし、式（Ｅ１１）～式（Ｅ１７）においては、Ｅ^１、Ｅ^２又はＥ^３側が式（１）のＲ^３と接続し、Ｅ^２２、Ｅ^２３、Ｅ^２４、Ｅ^２５又はＥ^２６側がＲ^４に接続する。Ｅ^Ｇは、下記式（Ｅ^Ｇ）であり、Ｌ^１が有する２以上のＥ^Ｇは同一であっても異なっていてもよい。Ｇ以外の符号は、式（Ｅ１）～式（Ｅ７）における符号と同じである。
　－Ｓｉ（Ｒ^２３）_３－ｋ（－Ｅ^３－）_ｋ　式（Ｅ^Ｇ）
　ただし、式（Ｅ^Ｇ）において、Ｓｉ側がＥ^２２、Ｅ^２３、Ｅ^２４、Ｅ^２５又はＥ^２６に接続し、Ｅ^３側がＲ^４に接続する。Ｒ^２３は、アルキル基である。Ｅ^３は、単結合、又はＲ^４５－Ｂ^６－であって、Ｒ^４５は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^４６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^４６－又はＯ－を有する基、又は（ＯＳｉ（Ｒ^２４）_２）_ｐ－Ｏ－であり、２以上のＥ^３は同一であっても異なっていてもよい。ｋは、２又は３である。Ｒ^４６は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基又はフェニル基である。Ｒ^２４は、アルキル基、フェニル基又はアルコキシ基であり、２個のＲ^２４は同一であっても異なっていてもよい。ｐは、０～５の整数であり、ｐが２以上の場合、２以上の（ＯＳｉ（Ｒ^２４）_２）は同一であっても異なっていてもよい。

　Ｅ^３のアルキレン基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性、耐光性及び耐薬品性が更に優れる点から、１～１０が好ましく、１～６がより好ましく、１～４が更に好ましい。ただし、炭素－炭素原子間に特定の結合を有する場合のアルキレン基の炭素数の下限値は２である。
　Ｒ^２３のアルキル基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が更に好ましい。
　Ｒ^２４のアルキル基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が更に好ましい。
　Ｒ^２４のアルコキシ基の炭素数は、本化合物の保存安定性に優れる点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が更に好ましい。
　ｐは、０又は１が好ましい。

　Ｒ^４は、アルキレン基、又はエーテル性酸素原子を有するアルキレン基である。Ｒ^４がエーテル性酸素原子を有するアルキレン基である場合、Ｌ^１に結合する原子がエーテル性酸素原子でもよく、炭素－炭素原子間にエーテル性酸素原子を有してもよい。Ｒ^４が複数ある場合、複数あるＲ^４は互いに同一であっても異なっていてもよい。当該Ｒ^４としては、下式（Ｒ^４－１）で表わす基であることが好ましい。
　＊－（Ｏ）_ａ６－（Ｒ^４１Ｏ）_ａ７－Ｒ^４２－＊＊　・・・（Ｒ^４－１）
　ただし、
　Ｒ^４１は、炭素数１～１２のアルキレン基であり、複数あるＲ^４１は互いに同一であっても異なっていてもよく、
　Ｒ^４２は、炭素数１～３０のアルキレン基であり、
　ａ６は０又は１であり、
　ａ７は０以上の整数であり、
　＊はＬ^１に結合する結合手であり、
　＊＊はＴ^１に結合する結合手である。

　ａ６が０の場合は結合手＊を有する原子が炭素原子となり、ａ６が１の場合は結合手＊を有する原子が酸素原子となる。本化合物においてａ６は０又は１のいずれでもよく、合成等の点から適宜選択すればよい。
　ａ７はＲ^４１Ｏの繰り返し数であり、表面層としての耐久性等の点から、０～６が好ましく、０～３がより好ましく、０～１が更に好ましい。
　Ｒ^４１のアルキレン基は炭素数１～１２の直鎖又は分岐を有するアルキレン基であればよく、炭素数１～６のアルキレン基が好ましく、炭素数１～３のアルキレン基がより好ましい。又当該アルキレン基は直鎖アルキレン基が好ましい。
　Ｒ^４２のアルキレン基は、炭素数１～３０の直鎖又は分岐を有するアルキレン基であればよく、炭素数１～２０のアルキレン基が好ましく、炭素数２～２０のアルキレン基がより好ましい。Ｒ^４２のアルキレン基の炭素数は１～１２であってもよく、１～１０であってもよく、２～６であってもよく２～３であってもよい。また、当該アルキレン基は直鎖アルキレン基が好ましい。

　Ｌ^１が、単結合である場合、－Ｒ^３－Ｌ^１（－Ｒ^４－Ｔ^１）_ｘ１は、下記式（ＲＬ－１）で表すことができる。
　＊－Ｒ^４３－（ＯＲ^４４）_ｙ３－Ｔ^１　・・・式（ＲＬ－１）
　ただし、
　Ｒ^４３は、単結合もしくは炭素数１～３０のアルキレン基であり、
　Ｒ^４４は、炭素数１～１２のアルキレン基であり、Ｒ^４４が複数ある場合、複数あるＲ^４４は、互いに同一であっても異なっていてもよく、
　ｙ３は、０以上の整数であり、
　＊は、（ＯＲ^ｆ４）_ｙ３の末端のＲ^ｆ４と結合する結合手である。
　なお、Ｒ^４３が単結合である場合、化合物１は、（ＯＲ^４４）_ｙ３の末端のＯが、（ＯＲ^ｆ４）_ｙ３の末端のＲ^ｆ４に直接結合する構造を有する。
　また、ｙ３が０である場合、化合物１は、Ｒ^４３がＴ^１に直接結合する構造を有する。
　Ｒ^４３は、単結合又は炭素数１～３０のアルキレン基であり、単結合又は炭素数１～１２のアルキレン基が好ましく、単結合又は炭素数１～６のアルキレン基がより好ましい。
　Ｒ^４４は、炭素数１～１２のアルキレン基であり、１～６のアルキレン基が好ましい。
　Ｒ^４３及びＲ^４４におけるアルキレン基は、直鎖又は分岐状のアルキレン基が好ましく、直鎖アルキレン基がより好ましい。

　Ｔ^１は反応性基であり、Ｔ^１が有する反応性に起因して、本化合物は種々の機能を発現する。当該機能としては、例えば、基材表面との密着性を向上する機能、本化合物に光硬化性や熱硬化性を付与する機能、本化合物に酸性アルカリ性等を付与する機能、本化合物の特定の溶媒に対する溶解性を調整する機能、更に、他の化合物を合成する際の前駆体しての機能等が挙げられる。

　前記反応性基の具体的な例としては、例えば、－Ａｒ、－ＳＲ^１０、－ＮＯＲ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－Ｎ（Ｒ^１０）_２、－Ｎ^＋（Ｒ^１０）_３Ｘ^３、－Ｃ≡Ｎ、－Ｃ（＝ＮＲ^１０）－Ｒ^１０、－Ｎ^＋≡Ｎ、－Ｎ＝ＮＲ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ^２、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ^４、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－ＳＯ_２Ｒ^１０、－ＳＯ_３Ｈ、－ＳＯ_３Ｘ^２、－Ｏ－Ｐ（＝Ｏ）（－ＯＲ^１０）_２、－Ｏ－Ｐ（＝Ｏ）（－ＯＲ^１０）（－ＯＸ^２）、－Ｎ＝Ｃ＝Ｏ、－ＳｉＲ^ａ１ _ｚ１Ｒ^ａ１１ _３－ｚ１、－Ｃ（Ｒ^１０）＝Ｃ（Ｒ^１０）_２、－Ｃ≡Ｃ（Ｒ^１０）、－Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ^１０）_２、－Ｎ（Ｒ^１０）Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－Ｓｉ（Ｒ^１０）_２－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ^１０）_３、－ＮＨ－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＲ^１０、－Ｉ、

等の基が挙げられる。

　Ｒ^１０におけるフルオロアルキル基は、炭素数１～６が好ましい。当該フルオロアルキル基は他の置換基を有していてもよい。Ｔ^１としてフルオロアルキル基を有する本化合物は、フッ素含有割合の高い化合物となり、低屈折率、低誘電率、撥水・撥油性、耐熱性、耐薬品性、化学的安定性、透明性等の諸特性に優れている。フルオロアルキル基が有していてもよい置換基としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子、炭素数１～６のアルキル基、及び、反応性基Ｔ^１として例示されているものと同様のものが挙げられる。
　Ａｒ及びＲ^１０におけるアリール基は、フェニル基、ナフチル基等が挙げられ、更に置換基を有していてもよい。アリール基が有していてもよい置換基としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子、炭素数１～６のアルキル基、及び、反応性基Ｔ^１として例示されているものと同様のものが挙げられる。
　Ｒ^１０におけるアルキル基は、炭素数１～６が好ましい。当該アルキル基は他の置換基を有していてもよい。アルキル基が有していてもよい置換基としては、塩素原子等のハロゲン原子、炭素数１～６のアルキル基、及び、反応性基Ｔ^１として例示されているものと同様のものが挙げられる。

　Ｔ^１としてヒドロキシ基、Ｎ－ヒドロキシ基、アルデヒド基、ケトン基、アミノ基、４級アンモニウム基、ニトリル基、イミノ基、ジアゾ基、カルボキシ基、カルボン酸塩、酸無水物基、スルホ基、スルホン酸塩、リン酸基、リン酸塩を有する本化合物は、当該反応性基Ｔ^１により、酸性、アルカリ性、親水性等の各種特性が付与されており、例えば、特定の溶媒に対する溶解性が向上したり、特定の基材に対する密着性が向上する等の機能を付与する。４級アンモニウム塩の対イオンとしては、ハロゲン化物イオン等が挙げられる。カルボン酸塩、スルホン酸塩、リン酸塩の対イオンとしては、アルカリ金属イオン、アンモニウムイオン等が挙げられる。
　炭素－炭素二重結合を有する基としては、ビニル基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、オレフィン等が挙げられる。炭素－炭素二重結合を有する本化合物は、光開始剤等と組み合わせることにより、光硬化性組成物を調製でき、当該組成物により得られる硬化塗膜は、撥水撥油性とハードコート性とを兼ね備える。
　また、イソシアネート基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、メルカプト基を有する本化合物は、エポキシ硬化剤と組み合わせることにより熱硬化性又は光硬化性組成物を調製でき、当該組成物により得られる硬化塗膜は、撥水撥油性とハードコート性とを兼ね備える。
　Ｔ^１におけるアミド結合、エステル結合、エーテル結合、チオエーテル結合、シロキサン結合、ウレア結合は、Ｔ^１に含まれる、アルキル基、フルオロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基等を連結する結合である。これらの結合を介して更に他の機能性付与基を有していてもよい。

　本化合物の反応性基Ｔ^１としては、合成や化学的安定性、基材との密着性等の点から、ヒドロキシル基、アミノ基、又は炭素－炭素二重結合を有する基が好ましい。また、炭素－炭素二重結合を有する基の中でも、アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、アリル基、又はオレフィンが好ましい。

　また、本化合物を耐摩擦性等の耐久性に優れた表面層を形成するための表面処理剤として用いる場合、Ｔ^１は反応性シリル基を有する基であることが好ましい。反応性シリル基を有する基としては、下記式（２）で表される基が好ましい。
　－ＳｉＲ^ａ１ _ｚ１Ｒ^ａ１１ _３－ｚ１　　・・・式（２）
　ただし、
　Ｒ^ａ１は、加水分解性基、加水分解性基を有する基又は水酸基であり、
　Ｒ^ａ１１は、炭化水素基であり、
　ｚ１は、１～３の整数であり、
　Ｒ^ａ１、Ｒ^ａ１１、及びｚ１が複数ある場合、当該複数あるＲ^ａ１、Ｒ^ａ１１、及びｚ１は各々同一であっても異なっていてもよい。

　Ｒ^ａ１が水酸基の場合、Ｓｉ原子と共にシラノール（Ｓｉ－ＯＨ）基を構成する。また、加水分解性基は加水分解反応によって水酸基となる基である。シラノール基は、更に分子間で反応してＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成する。また、シラノール基は、基材の表面の水酸基（基材－ＯＨ）と脱水縮合反応して、化学結合（基材－Ｏ－Ｓｉ）を形成する。本化合物はＴ^１を１以上有することにより、表面層形成後の耐摩耗性に優れる。

　Ｒ^ａ１の加水分解性基としては、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イソシアナート基（－ＮＣＯ）等が挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましい。アシル基としては、炭素数１～６のアシル基が好ましい。アシルオキシ基としては、炭素数１～６のアシルオキシ基が好ましい。

　Ｒ^ａ１の加水分解性基を有する基としては、例えば、上記で例示される加水分解性基を有する基であればよい。加水分解性基を有する基は、－Ｏ－Ｌ^Ａ－Ｌ^Ｂが好ましい。Ｌ^Ａはエーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基であり、Ｌ^Ｂは加水分解性基である。
　アルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましい。
　Ｌ^Ａで表される上記アルキレン基は、炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子を有していてもよい。上記エーテル性酸素原子の数は、１又は２以上であってもよい。Ｌ^Ａがエーテル性酸素原子を有するアルキレン基である場合、－Ｏ－Ｌ^Ａ－Ｌ^Ｂ中の－Ｏ－側に結合する原子は、エーテル性酸素原子を有するアルキレン基を構成する炭素原子であることが好ましい。
　Ｌ^Ｂで表される加水分解性基は、Ｒ^ａ１で表される加水分解性基と同義であり、好適態様も同じである。

　Ｒ^ａ１は、本化合物の製造のしやすさの点から、中でも、炭素数１～４のアルコキシ基又はハロゲン原子が好ましい。Ｒ^ａ１におけるアルコキシ基は、本化合物の保存安定性に優れ、反応時のアウトガスが抑制される点から、中でも、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましく、長期の保存安定性の点からはエトキシ基が特に好ましく、加水分解反応委時間を短時間にする点からはメトキシ基が特に好ましい。又はハロゲン原子としては、中でも塩素原子が好ましい。

　Ｒ^ａ１１の非加水分解性基としては、水素原子又は１価の炭化水素基である。炭化水素基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリル基等が挙げられ、製造の容易性等の点から、アルキル基が好ましい。また、製造の容易性等の点から、炭化水素基の炭素数は、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が更に好ましい。

　１つのＴ^１内における、Ｒ^ａ１の数ｚ１は、１～３であればよく、基材との密着性の点からは、２又は３が好ましく、３がより好ましい。
　Ｔ^１の具体例としては、－Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、－ＳｉＣＨ_３（ＯＣＨ_３）_２、－Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３、－ＳｉＣｌ_３、－Ｓｉ（ＯＣＯＣＨ_３）_３、－Ｓｉ（ＮＣＯ）_３等が挙げられる。製造における取扱いやすさの点から、－Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３が特に好ましい。

　化合物１の１分子中のＴ^１の数ｘ１は、１～２０であればよく、合成の容易性や、化合物１の取り扱いの容易性等の点から、ｘ１は１～１２が好ましく、１～６がより好ましい。
　化合物１の１分子中に２個以上のＴ^１がある場合、当該Ｔ^１は、互いに同一の構造であってもよく、異なる構造であってもよい。

　Ｔ^１が反応性シリル基を有さない場合の具体例としては、以下の構造が挙げられる。ただし、式中のＲ^ａは、置換基を有していてもよいアルキル基、フルオロアルキル基、又はアリール基を示し、Ｒ^ｂは置換基を有していてもよいフルオロアルキル基、又はアリール基を示し、＊は結合手を示す。

　また、Ｌ^１（－Ｒ^４－Ｔ^１）_ｘ１の具体例としては、例えば下記の基が挙げられる。なお、＊は結合手を示す。

　上記（ＣＨ_２）_αにおけるαはメチレン基の数を表す整数であり、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０が更に好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば、２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０であってもよい。同一化合物中に含まれる複数のαは同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。例えば、同一化合物中に含まれる複数のαが全て２、３、８、９、１１である。

　化合物１の具体例としては、例えば下記が挙げられる。なお、下記式中のｎは各々独立に１～２００の整数を表す。

（化合物１の製造方法）
　化合物１の製造方法は特に限定されるものではないが、収率の観点から、例えば、下記に示す方法によって製造されてもよい。

　化合物１は、例えば、下記式（６）で表される化合物の末端のエステル結合を種々の反応性基を有する基に変換することによって製造されてもよい。つまり、化合物１は、化合物６が有する基－Ｏ（ＣＯ）－Ｒ^ｆ１０を変換することによって、合成されてもよい。
［Ｒ^ｆ１－（ＯＲ^ｆ２）_ｙ１－Ｒ^１－］_ａ１Ｒ^ｆ３ _ａ２Ｃ［－Ｒ^２－（ＯＲ^ｆ４）_ｙ２－Ｏ（ＣＯ）－Ｒ^ｆ１０］_ａ３　・・・（６）
　ただし、
　Ｒ^ｆ１０は、エーテル性酸素原子を有していてもよい、炭素数１～１０のフルオロアルキレン基であり、
　その他の符号は、上述の記載と同様である。
　前記式（６）におけるＲ^ｆ１０としては、例えば、－ＣＦ（ＣＦ３）－Ｏ－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３等が挙げられる。

　例えば、反応性シリル基を有する化合物１を合成する場合、国際公開第２０１８／０４３１６６号等に記載の方法を用いて、化合物６が有する－Ｏ（ＣＯ）－Ｒ^ｆ１０を、反応性シリル基を有する基に変換することができる。

　また、化合物６に対してＲ^６－ＯＨを作用させると、化合物６が有する－Ｏ（ＣＯ）－Ｒ^ｆ１０を－ＣＯＯＲ^６に変換できる。
　ただし、Ｒ^６は、炭素数１～３のアルキル基である。

　また、前述した方法によって、化合物６が有する－Ｏ（ＣＯ）－Ｒ^ｆ１０を－ＣＯＯＲ^６に変換し、更に、水素化ホウ素ナトリウム等の適切な還元剤で還元すると、化合物６が有する－Ｏ（ＣＯ）－Ｒ^ｆ１０を水酸基に変換できる。

　また、前述した方法によって、化合物６が有する－Ｏ（ＣＯ）－Ｒ^ｆ１０を水酸基に変換し、炭酸カリウム等の適切な塩基の存在下で、下記式（１００）で表される化合物を作用させ、必要に応じてフッ素化することで、フルオロポリエーテル鎖－（ＯＲ^ｆ４）_ｙ２－の重合数を増加させることができる。
　ＣＦ２＝ＣＦ－Ｏ－Ｒ^ｆ４２－ＯＨ　・・・式（１００）
　ただし、Ｒ^ｆ４２は、炭素数１～６のアルキレン基、又はフルオロアルキレン基である。

　化合物６は、例えば、下記式（６１）で表される化合物に対してフッ素ガスを作用させ、水素原子をフッ素原子に置換することによって合成できる。
［Ｒ^ｆ１６－（ＯＲ^ｆ２６）_ｙ１６－Ｏ－ＣＨ_２－］_２ＣＨ－（ＯＲ^ｆ４６）_ｙ２６－Ｏ（ＣＯ）－Ｒ^ｆ１０　・・・（６１）
　ただし、
　Ｒ^ｆ１６は、炭素数１～２０のアルキレン基又はフルオロアルキル基であり、
　Ｒ^ｆ２６は、炭素数１～６のアルキレン基又はフルオロアルキレン基であり、
　Ｒ^ｆ４６は、炭素数１～６のアルキレン基又はフルオロアルキレン基であり、
　ｙ１６は、１以上の整数であり、
　ｙ２６は、１以上の整数であり、
　Ｒ^ｆ１６、Ｒ^ｆ２６、Ｒ^ｆ４６、又はｙ１６が複数ある場合、当該複数あるＲ^ｆ１６、Ｒ^ｆ２６、Ｒ^ｆ４６、又はｙ１６は、各々同一であっても異なっていてもよい。

　化合物６１は、例えば、下記式（６２）で表される化合物に対して、下記式（１０１）で表される化合物を作用させることによって合成できる。
［Ｒ^ｆ１６－（ＯＲ^ｆ２６）_ｙ１６－Ｏ－ＣＨ_２－］_２ＣＨ－（ＯＲ^ｆ４６）_ｙ２６－ＯＨ　・・・式（６２）
　Ｒ^ｆ１０－（ＣＯ）－Ｘ^５　・・・式（１０１）
　ただし、Ｘ^５は、ハロゲン原子である。

　化合物６２は、例えば、下記式（６３）で表される化合物に対して、下記式（１０２）で表される化合物を作用させ、脱保護することによって合成できる。
［Ｒ^ｆ１６－（ＯＲ^ｆ２６）_ｙ１６－Ｏ－ＣＨ_２－］_２ＣＨＯＨ　・・・式（６３）
ＣＦ２＝ＣＦ－（ＯＲ^ｆ４１）_ｙ２３－Ｏ－ＰＧ^１　・・・式（１０２）
　ただし、
　Ｒ^ｆ４１は、炭素数１～６のアルキレン基又はフルオロアルキレン基であり、Ｒ^ｆ４１が複数ある場合、当該複数あるＲ^ｆ４１は、各々同一であっても異なっていてもよく、　ＰＧ^１は、保護基であり、
　ｙ２３は、１以上の整数である。
　なお、ＰＧ^１は、水酸基を保護する保護基であれば、どのような保護基であってもよく、具体例としては、２－テトラヒドロピラニル基や、ベンジル基等が挙げられる。

　化合物６３は、例えば、下記式（６４）で表される化合物に対して、下記式（１０２）で表される化合物を作用させることによって合成できる。
Ｒ^ｆ１６－（ＯＲ^ｆ２６）_ｙ２１－ＯＨ　・・・式（６４）

・・・式（１０２）
　ただし、Ｘ^６は、ハロゲン原子である。

　また、化合物６は、例えば、下記式（７１）で表される化合物に対してフッ素ガスを作用させ、水素原子をフッ素原子に置換することによっても合成できる。
［Ｒ^ｆ１７－（ＯＲ^ｆ２７）_ｙ１７－Ｏ－Ｒ^１７－］_ａ１ＣＲ^ｆ３７ _ａ２［－Ｒ^２７－（ＯＲ^ｆ４７）_ｙ２７－Ｏ（ＣＯ）－Ｒ^ｆ１０］_ａ３　・・・（７１）
　ただし、
　Ｒ^ｆ１７は、炭素数４～２０のアルキレン基又はフルオロアルキル基であり、
　Ｒ^ｆ２７は、炭素数１～６のアルキレン基又はフルオロアルキレン基であり、
　Ｒ^ｆ３７は、炭素数１～６のアルキル基、又はエーテル性酸素原子を有する炭素数１～６のアルキル基であり、
　Ｒ^ｆ４７は、炭素数１～６のアルキレン基又はフルオロアルキレン基であり、
　Ｒ^１７は、炭素数１～６のアルキレン基であり、
　Ｒ^２７は、炭素数１～６のアルキレン基であり、
　ｙ１７は、１以上の整数であり、
　ｙ２７は、１以上の整数であり、
　Ｒ^ｆ１０、Ｒ^ｆ１７、Ｒ^ｆ２７、Ｒ^ｆ４７、Ｒ^１７、Ｒ^２７、ｙ１７、又はｙ２７が複数ある場合、当該複数あるＲ^ｆ１０、Ｒ^ｆ１７、Ｒ^ｆ２７、Ｒ^ｆ４７、Ｒ^１７、Ｒ^２７、ｙ１７、又はｙ２７は、各々同一であっても異なっていてもよい。

　化合物７１は、例えば、下記式（７２）で表される化合物に対して、前記化合物１０１を作用させることによって合成できる。
［Ｒ^ｆ１７－（ＯＲ^ｆ２７）_ｙ１７－Ｏ－Ｒ^１７－］_ａ１ＣＲ^ｆ３７ _ａ２［－Ｒ^２７－（ＯＲ^ｆ４７）_ｙ２７－ＯＨ］_ａ３　・・・式（７２）

　化合物７２は、例えば、下記式（７３）で表される化合物を、例えば、パラジウム－活性炭素等の適切な触媒の存在下で水素化し、脱保護することによって合成できる。
［Ｒ^ｆ１８－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ_２－（ＯＲ^ｆ２７）_ｙ１７－Ｏ－Ｒ^１７－］_ａ１ＣＲ^ｆ３７ _ａ２［－Ｒ^２７－（ＯＲ^ｆ４７）_ｙ２７－Ｏ－ＰＧ^２］_ａ３　・・・式（７３）
　ただし、
　Ｒ^ｆ１８は、水素原子、炭素数１～１７のアルキレン基、又はフルオロアルキル基であり、
　ＰＧ^２は、保護基であり、
　Ｒ^ｆ１８、又はＰＧ^２が複数ある場合、当該複数あるＲ^ｆ１８、又はＰＧ^２は、各々同一であっても異なっていてもよい。
　なお、ＰＧ^２は、例えば、２－テトラヒドロピラニル基や、ベンジル基等の、水酸基を保護する保護基であるが、合成容易性の観点から、例えば、ベンジル基等の還元条件で脱保護される保護基であることが好ましい。

　化合物７３は、例えば、下記式（７４）で表される化合物に対して、下記式（１０３）で表される化合物を作用させることによって合成できる。
［Ｈ－（ＯＲ^ｆ２７）_ｙ１７－Ｏ－Ｒ^１７－］_ａ１ＣＲ^ｆ３７ _ａ２［－Ｒ^２７－（ＯＲ^ｆ４７）_ｙ２７－Ｏ－ＰＧ^２］_ａ３　・・・式（７４）
Ｒ^ｆ１８－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ_２－Ｘ^７　・・・式（１０３）
　ただし、Ｘ^７は、ハロゲン原子である。

　化合物７４は、例えば、下記式（７５）で表される化合物に対して、化合物１００を作用させることによって合成できる。
［ＨＯ－Ｒ^１７－］_ａ１ＣＲ^ｆ３７ _ａ２［－Ｒ^２７－（ＯＲ^ｆ４７）_ｙ２７－Ｏ－ＰＧ^２］_ａ３　・・・式（７５）

　化合物７５は、例えば、下記式（７６）で表される化合物に対して、下記式（１０４）で表される化合物を作用させることによって合成できる。
Ｘ^８－Ｒ^ｆ４３－（ＯＲ^ｆ４７）_ｙ２２－Ｏ－ＰＧ^２　・・・式（７６）
［ＨＯ－Ｒ^１７－］_ａ１ＣＲ^ｆ３７ _ａ２［－Ｒ^２７－ＯＨ］_ａ３　・・・式（１０４）
　ただし、
　Ｘ^８は、ハロゲン原子であり、
　Ｒ^ｆ４３は、炭素数１～６のアルキレン基、又はフルオロアルキル基であり、
　ｙ２２は、０以上の整数である。

［組成物］
　本発明の組成物（以下、「本組成物」とも記す。）は、本化合物である含フッ素エーテル化合物の１種以上と、本化合物以外の他の含フッ素エーテル化合物とを含む。なお、本組成物は、後述する液状媒体を含まない。

　他の含フッ素エーテル化合物としては、不可避的に含まれる化合物、用途等に応じて組み合わせて用いる化合物の両方が挙げられる。

　本化合物と組み合わせて用いる化合物としては、公知の含フッ素エーテル化合物、含フッ素オイルが挙げられる。

　含フッ素オイルとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、エチレン－クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）が挙げられる。

　また、公知の含フッ素エーテル化合物としては、例えば、表面処理剤として市販されている含フッ素エーテル化合物が挙げられる。本組成物が公知の含フッ素エーテル化合物を含む場合、本化合物の特性を補う等の新たな作用効果が発揮される場合がある。
　公知の含フッ素エーテル化合物としては、例えば、下記の文献に記載のものが挙げられる。
　日本特開平１１－０２９５８５号公報に記載のペルフルオロポリエーテル変性アミノシラン、
　日本特許第２８７４７１５号公報に記載のケイ素含有有機含フッ素ポリマー、
　日本特開２０００－１４４０９７号公報に記載の有機ケイ素化合物、
　日本特開２０００－３２７７７２号公報に記載のペルフルオロポリエーテル変性アミノシラン、
　日本特表２００２－５０６８８７号公報に記載のフッ素化シロキサン、
　日本特表２００８－５３４６９６号公報に記載の有機シリコーン化合物、
　日本特許第４１３８９３６号公報に記載のフッ素化変性水素含有重合体、
　米国特許出願公開第２０１０／０１２９６７２号明細書、国際公開第２０１４／１２６０６４号、日本特開２０１４－０７０１６３号公報に記載の化合物、
　国際公開第２０１１／０６００４７号、国際公開第２０１１／０５９４３０号に記載のオルガノシリコン化合物、
　国際公開第２０１２／０６４６４９号に記載の含フッ素オルガノシラン化合物、
　日本特開２０１２－７２２７２号公報に記載のフルオロオキシアルキレン基含有ポリマー、
　国際公開第２０１３／０４２７３２号、国際公開第２０１３／１２１９８４号、国際公開第２０１３／１２１９８５号、国際公開第２０１３／１２１９８６号、国際公開第２０１４／１６３００４号、日本特開２０１４－０８０４７３号公報、国際公開第２０１５／０８７９０２号、国際公開第２０１７／０３８８３０号、国際公開第２０１７／０３８８３２号、国際公開第２０１７／１８７７７５号に記載の含フッ素エーテル化合物、
　日本特開２０１４－２１８６３９号公報、国際公開第２０１７／０２２４３７号、国際公開第２０１８／０７９７４３号、国際公開第２０１８／１４３４３３号に記載のペルフルオロ（ポリ）エーテル含有シラン化合物、
　日本特開２０１５－１９９９０６号公報、日本特開２０１６－２０４６５６号公報、日本特開２０１６－２１０８５４号公報、日本特開２０１６－２２２８５９号公報に記載のフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シラン
　国際公開第２０１８／２１６６３０号、国際公開第２０１９／０３９２２６号、国際公開第２０１９／０３９３４１号、国際公開第２０１９／０３９１８６号、国際公開第２０１９／０４４４７９号、日本特開２０１９－４４１５８号公報、国際公開第２０１９／１６３２８２号に記載の含フッ素エーテル化合物。
　また、含フッ素エーテル化合物の市販品としては、信越化学工業社製のＫＹ－１００シリーズ（ＫＹ－１７８、ＫＹ－１８５、ＫＹ－１９５等）、ＡＧＣ社製のＳＵＲＥＣＯ（登録商標）　２１０１Ｓ等のＳＵＲＥＣＯ　ＡＦシリーズ、ダイキン工業社製のオプツール（登録商標）ＤＳＸ、オプツール（登録商標）ＡＥＳ、オプツール（登録商標）ＵＦ５０３、オプツール（登録商標）ＵＤ５０９、オプツール（登録商標）ＵＤ１２０等が挙げられる。

　本組成物において、本化合物に公知の含フッ素エーテル化合物を組み合わせる場合、含有比率は用途等に応じて、適宜調整すればよい。本組成物中の本化合物の含有割合は、中でも、１０～９０質量％が好ましく、２０～８０質量％がより好ましく、２５～７５質量％が更に好ましい。上記範囲とすることで、本化合物の特性を十分に発揮するとともに、組み合わせて用いる含フッ素エーテル化合物の特性も十分に得られる。

　不可避的に含まれる化合物としては、本化合物の製造工程で副生する含フッ素エーテル化合物（以下、「副生含フッ素エーテル化合物」とも記す。）が挙げられる。
　副生含フッ素エーテル化合物としては、例えば、未反応の含フッ素エーテル化合物、本化合物の製造におけるヒドロシリル化の際にアリル基の一部がインナーオレフィンに異性化した含フッ素エーテル化合物が挙げられる。

　本組成物が副生含フッ素エーテル化合物を含む場合、当該副生含フッ素エーテル化合物は精製により除去することも可能であるが、本化合物の特性を十分に発揮できる範囲で、本組成物中に含有していてもよい。これにより、副生含フッ素エーテル化合物の精製工程を簡略化することができる。
　公知の含フッ素エーテル化合物を組み合わせない場合、
　本組成物中の本化合物の含有量は、本組成物のうち、６０質量％以上１００質量％未満が好ましく、７０質量％以上１００質量％未満がより好ましく、８０質量％以上１００質量％未満が特に好ましい。
　副生含フッ素エーテル化合物の含有量は、本組成物のうち、０質量％超４０質量％以下が好ましく、０質量％超３０質量％以下がより好ましく、０質量％超２０質量％以下が特に好ましい。
　本化合物の含有量及び副生含フッ素エーテル化合物の含有量が前記範囲内であれば、表面層の初期の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、耐光性及び耐薬品性が更に優れる。

　また、不可避的に含まれる化合物として、加水分解性シリル基の加水分解と縮合反応を促進する酸触媒や塩基性触媒等の添加剤が挙げられる。酸触媒としては、例えば、塩酸、硝酸、酢酸、硫酸、燐酸、スルホン酸、メタンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸が挙げられる。塩基性触媒としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニアが挙げられる。
　これらの含有量は、本組成物のうち、０～９．９９９質量％が好ましく、０～０．９９質量％が特に好ましい。

［表面処理剤］
　本化合物を含む表面処理剤（以下、本表面処理剤ともいう。）は、表面層が指で繰り返し摩擦されても撥水撥油性が低下しにくい性能（耐摩擦性）及び拭き取りによって表面層に付着した指紋を容易に除去できる性能（指紋汚れ除去性）が長期間維持されることが求められる用途、例えば、タッチパネルの指で触れる面を構成する部材、メガネレンズ、ウェアラブル端末のディスプレイの表面処理剤として好適に用いられる。また本化合物により得られる表面層は滑落防止性に優れているため、電子機器等の筐体側の表面処理剤としても好適に用いることができる。

［コーティング液］
　本発明のコーティング液（以下、本コーティング液ともいう。）は、本化合物と液状媒体とを含む。本コーティング液は、液状であればよく、溶液であってもよく、分散液であってもよい。
　本コーティング液は、本含フッ素エーテル化合物を含んでいればよく、本含フッ素エーテル化合物の製造工程で生成した副生物等の不純物を含んでもよい。
　本含フッ素エーテル化合物の濃度は、本コーティング液中、０．００１～４０質量％が好ましく、０．０１～２０質量％が好ましく、０．１～１０質量％がより好ましい。

　液状媒体としては、有機溶媒が好ましい。有機溶媒は、含フッ素系有機溶媒であってもよく、非フッ素系有機溶媒であってもよく、両溶媒を含んでもよい。
　含フッ素系有機溶媒としては、フッ素化アルカン、フッ素化芳香族化合物、フルオロアルキルエーテル、フッ素化アルキルアミン、フルオロアルコール等が挙げられる。
　フッ素化アルカンとしては、炭素数４～８の化合物が好ましい。市販品としては、例えばＣ_６Ｆ_１３Ｈ（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ－２０００）、Ｃ_６Ｆ_１３Ｃ_２Ｈ_５（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ－６０００）、Ｃ_２Ｆ_５ＣＨＦＣＨＦＣＦ_３（ケマーズ社製、バートレル（登録商標）ＸＦ）等が挙げられる。
　フッ素化芳香族化合物としては、例えばヘキサフルオロベンゼン、トリフルオロメチルベンゼン、ペルフルオロトルエン、ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン等が挙げられる。
　フルオロアルキルエーテルとしては、炭素数４～１２の化合物が好ましい。市販品としては、例えばＣＦ_３ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２Ｈ（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＥ－３０００）、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７１００）、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７２００）、Ｃ_２Ｆ_５ＣＦ（ＯＣＨ_３）Ｃ_３Ｆ_７（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７３００）等が挙げられる。
　フッ素化アルキルアミンとしては、例えばペルフルオロトリプロピルアミン、ペルフルオロトリブチルアミン等が挙げられる。
　フルオロアルコールとしては、例えば２，２，３，３－テトラフルオロプロパノール、２，２，２－トリフルオロエタノール、ヘキサフルオロイソプロパノール等が挙げられる。
　非フッ素系有機溶媒としては、水素原子及び炭素原子のみからなる化合物と、水素原子、炭素原子及び酸素原子のみからなる化合物が好ましく、炭化水素系有機溶媒、アルコール系有機溶媒、ケトン系有機溶媒、エーテル系有機溶媒、エステル系有機溶媒が挙げられる。
　本コーティング液は、液状媒体を７５～９９．９９９質量％含むことが好ましく、８５～９９．９９質量％含むことが好ましく、９０～９９．９質量％含むことが特に好ましい。

　本コーティング液は、本化合物と液状媒体の他に、本発明の効果を損なわない範囲で、それら以外の他の成分を含んでいてもよい。
　他の成分としては、例えば、加水分解性シリル基の加水分解と縮合反応を促進する酸触媒や塩基性触媒等の公知の添加剤が挙げられる。
　本コーティング液における、他の成分の含有量は、１０質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましい。

　本コーティング液の本化合物と他の成分の合計の濃度（以下、固形分濃度ともいう。）は、０．００１～４０質量％が好ましく、０．０１～２０質量％がより好ましく、０．０１～１０質量％が更に好ましく、０．０１～１質量％が特に好ましい。コーティング液の固形分濃度は、加熱前のコーティング液の質量と、１２０℃の対流式乾燥機にて４時間加熱した後の質量とから算出する値である。

［物品］
　図１は本発明の物品の一例を示す模式断面図である。本発明の第１の物品は、基材１２と、下地層１４と、表面層２２とをこの順で有する物品２０であって、下地層１４がケイ素を含む酸化物を含有し、表面層２２が、前記本組成物の縮合体を含有する。

　上記第１の物品における基材１２の材質及び形状は、本物品２０の用途等に応じて適宜選択すればよい。基材１２の材質としては、ガラス、樹脂、サファイア、金属、セラミック、石、これらの複合材料が挙げられる。ガラスは化学強化されていてもよい。特に、撥水撥油性が求められる基材１２として、タッチパネル用基材、ディスプレイ用基材、電子機器の筐体を構成する基材等が挙げられる。タッチパネル用基材、ディスプレイ用基材は、透光性を有する。「透光性を有する」とは、ＪＩＳ　Ｒ３１０６：１９９８（ＩＳＯ　９０５０：１９９０）に準じた垂直入射型可視光透過率が２５％以上であることを意味する。タッチパネル用基材の材料としては、ガラス又は透明樹脂が好ましい。

　基材１２は、下地層１４が設けられる面に、コロナ放電処理、プラズマ処理、プラズマグラフト重合処理等の表面処理を施したものであってもよい。表面処理を施した表面は、基材１２と下地層１４の接着性が更に優れ、その結果、表面層２２の耐摩耗性が更に向上する。表面処理としては、表面層２２の耐摩耗性が更に優れる点から、コロナ放電処理又はプラズマ処理が好ましい。

　下地層１４は少なくともケイ素を含む酸化物を含有する層であり、更に他の元素を有していてもよい。下地層１４が酸化ケイ素を含有することで、前記本組成物のＴ^１が脱水縮合し、下地層１４との間でＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合が形成され摩耗耐久性に優れた表面層２２が形成される。

　下地層１４中の酸化ケイ素の含有量は、６５質量％以上であればよく、８０質量％以上が好ましく、８５質量％以上がより好ましく、９０質量％以上が更に好ましい。酸化ケイ素の含有量が前記範囲の下限値以上であれば、下地層１４においてＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合が充分に形成され、下地層１４の機械特性が充分に確保される。酸化ケイ素の含有量は、他の元素の合計の含有量（酸化物の場合は酸化物換算した量）の合計を下地層１４の質量から除いた残部である。

　表面層２２の耐久性の点から、下地層１４中の酸化物は、更に、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、白金族元素、ホウ素、アルミニウム、リン、チタン、ジルコニウム、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、及びタングステンより選択される１種以上の元素を含有することが好ましい。これらの元素を含有することで、下地層１４と前記本組成物との結合が強くなり耐摩耗性が向上する。

　下地層１４が、鉄、ニッケル及びクロムより選択される１種以上を含む場合、これらの合計の含有量は、酸化ケイ素に対する割合で１０～１，１００質量ｐｐｍが好ましく、５０～１，１００質量ｐｐｍがより好ましく、５０～５００質量ｐｐｍが更に好ましく、５０～２５０質量ｐｐｍが特に好ましい。
　下地層１４が、アルミニウム及びジルコニウムより選択される１種以上を含む場合、これらの合計の含有量は、１０～２，５００質量ｐｐｍが好ましく、１５～２，０００質量ｐｐｍがより好ましく、２０～１，０００質量ｐｐｍが更に好ましい。
　下地層１４が、アルカリ金属元素を含む場合、これらの合計の含有量は、０．０５～１５質量％が好ましく、０．１～１３質量％がより好ましく、１．０～１０質量％が更に好ましい。なお、アルカリ金属元素としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム及びセシウムが挙げられる。
　下地層１４が、白金族元素を含む場合、これらの合計の含有量は、０．０２～８００質量ｐｐｍが好ましく、０．０４～６００質量ｐｐｍがより好ましく、０．７～２００質量ｐｐｍが更に好ましい。なお白金族元素としては、白金、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムが挙げられる。
　下地層１４が、ホウ素及びリンより選択される１種以上を含む場合、これらの合計の含有量は、表面層２２の耐摩耗性の点から、ケイ素のモル濃度に対する、ホウ素及びリンの合計のモル濃度の比として０．００３～９が好ましく、０．００３～２が好ましく、０．００３～０．５が更に好ましい。
　下地層１４が、アルカリ土類金属元素を含む場合、これらの合計の含有量は、表面層２２の耐摩耗性の点から、ケイ素のモル濃度に対する、アルカリ土類金属元素の合計のモル濃度の比として０．００５～５が好ましく、０．００５～２が好ましく、０．００７～２が更に好ましい。なお、アルカリ土類金属元素としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム及びセシウムが挙げられる。

　本組成物の接着性を向上し、物品２０の撥水撥油性及び耐摩耗性の向上の点から、下地層１４は、アルカリ金属原子を含む酸化ケイ素層であることが好ましい。中でも当該酸化ケイ素層において、表面層２２と接する面からの深さが０．１～０．３ｎｍの領域におけるアルカリ金属原子の濃度の平均値が、２．０×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上であることが好ましい。一方、酸化ケイ素層の機械特性を充分に確保する点から、前記アルカリ金属原子の濃度の平均値は、４．０×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であることが好ましい。

　下地層１４の厚さは、１～２００ｎｍが好ましく、２～２０ｎｍが特に好ましい。下地層１４の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、下地層１４による接着性の向上効果が充分に得られやすい。下地層１４の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、下地層１４自体の耐摩耗性が高くなる。下地層１４の厚さを測定する方法としては、電子顕微鏡（ＳＥＭ、ＴＥＭ等）による下地層１４の断面観察による方法や、光干渉膜厚計、分光エリプソメータ、段差計等を用いる方法が挙げられる。

　下地層１４の形成方法は、例えば、基材１２の表面に、所望の下地層１４の組成を有する蒸着材料を蒸着する方法等が挙げられる。
　蒸着法は一例として、真空蒸着法が挙げられる。真空蒸着法は、蒸着材料を真空槽内で蒸発させ、基材１２の表面に付着させる方法である。
　蒸着時の温度（例えば、真空蒸着装置を用いる際には、蒸着材料を設置するボートの温度）は、１００～３，０００℃が好ましく、５００～３，０００℃が特に好ましい。
　蒸着時の圧力（例えば、真空蒸着装置を用いる際には、蒸着材料を設置する槽内の絶対圧）は、１Ｐａ以下が好ましく、０．１Ｐａ以下が特に好ましい。
　蒸着材料を用いて下地層１４を形成する場合、１つの蒸着材料を用いてもよいし、異なる元素を含む２つ以上の蒸着材料を用いてもよい。
　蒸着材料の蒸発方法としては、高融点金属製の抵抗加熱用ボート上で蒸着材料を溶融し、蒸発させる抵抗加熱法、電子ビームを蒸着材料に照射し、蒸着材料を直接加熱して表面を溶融し、蒸発させる電子銃法等が挙げられる。蒸着材料の蒸発方法としては、局所的に加熱できるため高融点物質も蒸発できる点、電子ビームが当たっていないところは低温であるため容器との反応や不純物の混入のおそれがない点から、電子銃法が好ましい。電子銃法に用いる蒸着材料としては、気流が生じても飛散しにくい点から、溶融粒状体又は焼結体が好ましい。

　下地層１４上の表面層２２は、本組成物に含まれる化合物の縮合体を含有する。本化合物の縮合体は、本組成物に含まれる化合物中の加水分解性シリル基が加水分解反応することによってシラノール基（Ｓｉ－ＯＨ）が形成され、シラノール基が分子間で縮合反応してＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合が形成されたもの、及び、本化合物中のシラノール基が下地層１４の表面のシラノール基又はＳｉ－ＯＭ基（ただし、Ｍはアルカリ金属元素である。）と縮合反応してＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合が形成されたものを含む。また、表面層２２は本組成物に含まれる化合物以外の含フッ素エーテル化合物の縮合体を含んでいてもよい。すなわち、表面層２２は、反応性シリル基を有する含フッ素エーテル化合物を、含フッ素エーテル化合物の反応性シリル基の一部又は全部が縮合反応した状態で含む。

　表面層２２の厚さは、１～１００ｎｍが好ましく、１～５０ｎｍが特に好ましい。表面層２２の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、表面層２２による効果が充分に得られる。表面層２２の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、利用効率が高い。
　表面層２２の厚さは、薄膜解析用Ｘ線回折計で得られた厚さである。表面層２２の厚さは、薄膜解析用Ｘ線回折計を用いて、Ｘ線反射率法によって反射Ｘ線の干渉パターンを得て、干渉パターンの振動周期から算出できる。

　本発明の第２の物品は、下地層付き基材１０と、表面層２２とをこの順で有する物品２０であって、下地層付き基材１０がケイ素を含む酸化物を含有し、表面層２２が、前記本組成物の縮合体を含有する。

　第２の物品は、下地層付き基材１０が前記第１の物品における下地層１４の組成を有するため、下地層付き基材１０に直接表面層２２を形成しても表面層２２の摩耗耐久性に優れている。
　第２の物品における下地層付き基材１０の材質は、下地層１４の組成を有するものであればよく、例えば、ガラス基材等であってもよい。下地層付き基材１０の材質の詳細は、基材１２及び下地層１４の材質と同様であるため、ここでの説明は省略する。また、表面層２２の構成も前記第１の物品と同様であるため、ここでの説明は省略する。

［物品の製造方法］
　本発明にかかる物品の製造方法は、前記含フッ素エーテル化合物、前記表面処理剤、又は前記コーティング液を用いて、ドライコーティング法又はウェットコーティング法により、表面層を形成する方法である。

　本含フッ素エーテル化合物及び本表面処理剤は、ドライコーティング法にそのまま用いることができる。また、本組成物及び本表面処理剤は、ドライコーティング法によって密着性に優れた表面層を形成するのに好適である。ドライコーティング法としては、真空蒸着、ＣＶＤ、スパッタリング等の手法が挙げられる。本組成物の分解を抑える点、及び装置の簡便さの点から、真空蒸着法が好適に利用できる。
　真空蒸着には、鉄や鋼等の金属材料からなる金属多孔体に本組成物を担持させたペレット状物質を使用してもよい。本組成物を担持させたペレット状物質は、金属多孔体に本組成物の溶液を含浸し、乾燥して液状媒体を除去することにより製造できる。本組成物の溶液としては、本コーティング液を用いることができる。

　本コーティング液は、ウェットコーティング法に好適に用いることができる。ウェットコーティング法としては、スピンコート法、ワイプコート法、スプレーコート法、スキージーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法、フローコート法、ロールコート法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット法、グラビアコート法等が挙げられる。

　表面層の耐摩擦性を向上させるために、必要に応じて、本組成物と基材との反応を促進するための操作を行ってもよい。該操作としては、加熱、加湿、光照射等が挙げられる。例えば、水分を有する大気中で表面層が形成された基材を加熱して、加水分解性基の加水分解反応、基材の表面の水酸基等とシラノール基との反応、シラノール基の縮合反応によるシロキサン結合の生成、等の反応を促進できる。
　表面処理後、表面層中の化合物であって他の化合物や基材と化学結合していない化合物は、必要に応じて除去してもよい。具体的な方法としては、例えば、表面層に溶媒をかけ流す方法、溶媒をしみ込ませた布でふき取る方法等が挙げられる。

　以下に実施例を用いて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。以下において「％」は特に断りのない限り「質量％」である。なお、例１～９が実施例であり、例１０が比較例である。

［例１］
（合成例１－１）
　１００ｍＬのナスフラスコに、テトラフルオロ－２－［ヘキサフルオロ－２－（ヘプタフルオロプロポキシ）プロポキシ］プロパン－１－オールの１５ｇ、水酸化ナトリウムの１．４ｇ、エピクロロヒドリンの３．１ｇを入れ、６０℃で攪拌した。ＡＥ－３０００の５０ｍＬと２Ｎの塩酸水溶液の５０ｍＬを加えて分液し、下相を取り、溶媒を除去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィで精製し、化合物１－１の１１ｇを得た。

・・・式（１－１）

　化合物１－１のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：４．１（４Ｈ）、４．０（１Ｈ）、３．６（４Ｈ）、２．２（１Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－８０（８Ｆ）、－８２（１２Ｆ）、－８３（６Ｆ）、－１３０（４Ｆ）、－１３４（２Ｆ）、－１４５（２Ｆ）
　なお、ＴＭＳはテトラメチルシランである。

（合成例１－２）
　２００ｍＬのナスフラスコに、化合物１－１の１１ｇ、２－ヘキサフルオロ－４－トリフルオロビニルオキシブトキシテトラヒドロピランの４．２ｇ、水酸化カリウム水溶液の１．６ｇを入れ、９０℃で攪拌した。ＡＥ－３０００の５０ｍＬと２Ｎの塩酸水溶液の５０ｍＬを加えて分液し、下相を取り、溶媒を除去して、化合物１－２の１２ｇを得た。

・・・式（１－２）

　化合物１－２のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：６．０～５．９（１Ｈ）、４．８（１Ｈ）、４．６（１Ｈ）、４．１～３．６（１２Ｈ）、１．８～１．２（６Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－８０（８Ｆ）、－８２（１２Ｆ）、－８３（６Ｆ）、－８６～－８８（４Ｆ）、－１２０（２Ｆ）、－１２８（２Ｆ）、－１３０（４Ｆ）、－１３４（２Ｆ）、－１４４（１Ｆ）、－１４５（２Ｆ）

（合成例１－３）
　２００ｍＬのナスフラスコに、化合物１－２の１１ｇ、メタノールの２２ｇ、ｐ－トルエンスルホン酸１水和物の１．９ｇを入れ、５０℃で攪拌した。ＡＥ－３０００の１００ｍＬで抽出し、溶媒を除去して、化合物１－３の１１ｇを得た。

・・・式（１－３）

　化合物１－３のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：６．０～５．９（１Ｈ）、４．６（１Ｈ）、４．０（６Ｈ）、３．７（４Ｈ）、２．０（１Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－８０（８Ｆ）、－８２（１２Ｆ）、－８３（６Ｆ）、－８６～－８８（４Ｆ）、－１２３（２Ｆ）、－１２８（２Ｆ）、－１３０（４Ｆ）、－１３４（２Ｆ）、－１４４（１Ｆ）、－１４５（２Ｆ）

（合成例１－４）
　１００ｍＬのナスフラスコに、化合物１－３の１０ｇ、ＡＣ－２０００の１０ｇ、フッ化ナトリウムの１．７ｇを入れ、攪拌しながらペルフルオロ（２－メチル－３－オキサヘキサノイル）フルオリドの５．２ｇを入れ、攪拌した。反応粗液を濾過して、溶媒を除去し、化合物１－４の９．５ｇを得た。

・・・式（１－４）

　化合物１－４のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：６．０～５．９（１Ｈ）、４．８（２Ｈ）、４．６（１Ｈ）、４．０（６Ｈ）、３．７（４Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－８０（９Ｆ）、－８２（１８Ｆ）、－８３（６Ｆ）、－８６～－８８（５Ｆ）、－１２０（２Ｆ）、－１２８（２Ｆ）、－１３０（６Ｆ）、－１３２（１Ｆ）、－１３４（２Ｆ）、－１４４（１Ｆ）、－１４５（２Ｆ）

（合成例１－５）
　５００ｍＬの金属製反応器に、ＣＦＥ－４１９の２５０ｇを入れ、窒素ガスをバブリングした後、窒素ガスで希釈されたフッ素ガスをバブリングした。フッ素ガスのバブリングを続けながら、化合物１－４の９．３ｇをＣＦＥ－４１９で希釈した溶液の４７ｇを加えた。０．１％のベンゼンを含むＣＦＥ－４１９溶液を加えた。窒素ガスで希釈されたフッ素ガスをバブリングした後、窒素ガスをバブリングした。反応粗液から溶媒を除去し、化合物１－５の１０ｇを得た。
　なお、ＣＦＥ－４１９は溶媒ＣＣｌＦ_２ＣＣｌＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＣｌＦ_２である。

・・・式（１－５）

　化合物１－５のＮＭＲスペクトル；
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－８０～－８４（４７Ｆ）、－８３（９Ｆ）、－８６（２Ｆ）、－８７（２Ｆ）、－１２６（４Ｆ）、－１３０（６Ｆ）、－１４５（５Ｆ）

（合成例１－６）
　３００ｍＬのナスフラスコに、化合物１－５の１０ｇ、フッ化ナトリウムの０．７３ｇ、メタノールの３．８ｇを入れ、攪拌した。反応粗液を濾過して、溶媒を除去し、化合物１－６の８．８ｇを得た。

・・・式（１－６）

　化合物１－６のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：４．１（３Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－７９～－８０（１４Ｆ）、－８１～－８２（１６Ｆ）、－８３（６Ｆ）、－８５（２Ｆ）、－８８（２Ｆ）、－１２０（２Ｆ）、－１２７（４Ｆ）、－１４５（５Ｆ）

（合成例１－７）
　２００ｍＬのナスフラスコに、化合物１－６の３．０ｇ、２，２－ジ－２－アリル－４－ペンテン－１－アミンの０．６６ｇ、ＡＣ－６０００の３．０ｇを入れ、６０℃で攪拌した。反応粗液をカラムクロマトグラフィにて精製し、化合物１－７の１．１ｇ得た。

・・・式（１－７）

　化合物１－７のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：６．６（１Ｈ）、６．０（３Ｈ）、５．１（６Ｈ）、３．３（２Ｈ）、２．１（６Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－７９～－８０（１４Ｆ）、－８１～－８２（１６Ｆ）、－８４（６Ｆ）、－８５（２Ｆ）、－８８（２Ｆ）、－１２０（２Ｆ）、－１２７（４Ｆ）、－１４５（５Ｆ）

（合成例１－８）
　５０ｍＬのナスフラスコに、化合物１－７の１．０ｇ、トリメトキシシランの０．２８ｇ、アニリンの０．００１６ｇ、ＡＣ－６０００の０．９９ｇ、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体の０．０１４ｇを入れ、６０℃で攪拌した。溶媒を除去し、化合物Ｉの１．２ｇを得た。

・・・式（Ｉ）

　化合物ＩのＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：３．６（２７Ｈ）、３．４（２Ｈ）、１．３（１２Ｈ）、０．９（６Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－７９～－８０（１４Ｆ）、－８１～－８２（１６Ｆ）、－８４（６Ｆ）、－８５（２Ｆ）、－８８（２Ｆ）、－１２０（２Ｆ）、－１２７（４Ｆ）、－１４５（５Ｆ）

［例２］
（合成例２－１）
　２００ｍＬのナスフラスコに、化合物１－６の５．６ｇ、水素化ホウ素ナトリウムの０．７０ｇ、ＡＣ－２０００の１１ｇ、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）の５．６ｇを入れた。攪拌しながらメタノールの０．２５ｇを加え攪拌した。攪拌しながら２Ｎの塩酸水溶液の２０ｍＬを加えた後に分液し、下相を取って、溶媒を除去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィで精製し、化合物２－１の５．１ｇを得た。

・・・式（２－１）

　化合物２－１のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：４．１（２Ｈ）、２．０（１Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－７９～－８０（１４Ｆ）、－８１～－８２（１６Ｆ）、－８３（６Ｆ）、－８５（２Ｆ）、－８８（２Ｆ）、－１２２（２Ｆ）、－１２７（４Ｆ）、－１４５（５Ｆ）

（合成例２－２）
　２００ｍＬのナスフラスコに、化合物２－１の５．０ｇ、炭酸カリウムの０．５４ｇを入れ、１２０℃で攪拌しながら、２，２，３，３，４，４－ヘキサフルオロ－４－［（トリフルオロビニル）オキシ］ブタン－１－オールの６．６ｇを滴下しながら加え、１２０℃で攪拌した。ＡＣ－２０００及び２Ｎの塩酸水溶液をそれぞれ５０ｇ加えて分液し、下相を取って、溶媒を除去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィで精製し、化合物２－２の９．３ｇを得た。

・・・式（２－２）

　化合物２－２のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：６．０（７Ｈ）、４．６～４．４（１４Ｈ）、４．２（２Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－７９～－８０（１４Ｆ）、－８１～－８２（２０Ｆ）、－８５～－８７（１８Ｆ）、－８８（２Ｆ）、－９０～－９２（１４Ｆ）、－１２２（１６Ｆ）、－１２７（１６Ｆ）、－１３１（４Ｆ）、－１４５（１２Ｆ）
　ｎの平均値：７

（合成例２－３）
　１００ｍＬのナスフラスコに、化合物２－２の９．１ｇ、ＡＣ－２０００の１０ｇ、フッ化ナトリウムの１．７ｇを入れ、攪拌しながらペルフルオロ（２－メチル－３－オキサヘキサノイル）フルオリドの２．０ｇを加え攪拌した。反応粗液を濾過して、溶媒を除去し、化合物２－３の９．５ｇを得た。

・・・式（２－３）

　化合物２－３のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：６．０～５．９（７Ｈ）、４．８（２Ｈ）、４．８（１４Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－７９～－８０（１５Ｆ）、－８１～－８２（２３Ｆ）、－８５～－８７（１９Ｆ）、－８８（２Ｆ）、－９０～－９２（１４Ｆ）、－１２２（１６Ｆ）、－１２７（１６Ｆ）、－１３１（６Ｆ）、－１４５（１３Ｆ）
　ｎの平均値：７

（合成例２－４）
　５００ｍＬの金属製反応器に、ＣＦＥ－４１９の２５０ｇを入れ、窒素ガスをバブリングした後、窒素ガスで希釈されたフッ素ガスをバブリングした。フッ素ガスのバブリングを続けながら、化合物２－３の９．３ｇをＣＦＥ－４１９で希釈した溶液の６２ｇを加えた。０．１％のベンゼンを含むＣＦＥ－４１９溶液を加えた。窒素ガスで希釈されたフッ素ガスをバブリングした後、窒素ガスをバブリングした。反応粗液から溶媒を除去し、化合物２－４の１０ｇを得た。

・・・式（２－４）

　化合物２－４のＮＭＲスペクトル；
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－８０～－８５（７１Ｆ）、－８６（３Ｆ）、－９０（３０Ｆ）、－１２７（３０Ｆ）、－１３１（６Ｆ）、－１４５（６Ｆ）
　ｎの平均値：７

（合成例２－５）
　３００ｍＬのナスフラスコに、化合物２－４の１０ｇ、フッ化ナトリウムの０．５４ｇ、ＡＣ－２０００の２１ｇ、メタノールの０．８１ｇを入れ攪拌した。反応粗液を濾過して、溶媒を除去し、化合物２－５の９．５ｇを得た。

・・・式（２－５）

　化合物２－５のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：４．１（３Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－７９～－８０（１４Ｆ）、－８１～－８３（２０Ｆ）、－８４（３０Ｆ）、－８５（２Ｆ）、－９０（３０Ｆ）、－１２０（２Ｆ）、－１２７（３０Ｆ）、－１３１（４Ｆ）、－１４５（５Ｆ）
　ｎの平均値：７

（合成例２－６）
　２００ｍＬのナスフラスコに、化合物２－５の９．３ｇ、２，２－ジ－２－アリル－４－ペンテン－１－アミンの０．８２ｇ、ＡＣ－６０００の９．３ｇを入れ、６０℃で攪拌した。反応粗液をカラムクロマトグラフィで精製し、化合物２－６の１．５ｇを得た。

・・・式（２－６）

　化合物２－６のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：６．６（１Ｈ）、６．０（３Ｈ）５．１（６Ｈ）、３．３（２Ｈ）、２．１（６Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－７９～－８０（１４Ｆ）、－８１～－８３（２０Ｆ）、－８４（３０Ｆ）、－８５（２Ｆ）、－９０（３０Ｆ）、－１２２（２Ｆ）、－１２７（３０Ｆ）、－１３１（４Ｆ）、－１４５（５Ｆ）
　ｎの平均値：７

（合成例２－７）
　５０ｍＬのナスフラスコに、化合物２－６の１．４ｇ、トリメトキシシランの０．１７ｇ、アニリンの０．００１６ｇ、ＡＣ－６０００の０．９９ｇ、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体の０．０１４ｇを入れ、６０℃で攪拌した。反応粗液から溶媒を除去し、化合物ＩＩの１．２ｇを得た。

・・・式（ＩＩ）

　化合物ＩＩのＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：３．６（２７Ｈ）、３．４（２Ｈ）、１．３（１２Ｈ）、０．９（６Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－７９～－８０（１４Ｆ）、－８１～－８３（２０Ｆ）、－８４（３０Ｆ）、－８５（２Ｆ）、－９０（３０Ｆ）、－１２２（２Ｆ）、－１２７（３０Ｆ）、－１３１（４Ｆ）、－１４５（５Ｆ）
　ｎの平均値：７

［例３］
（合成例３－１）
　１，０００ｍＬの三ツ口フラスコに、トリメチロールプロパンの９１ｇ、Ｎ，Ｎージメチルホルムアミドの５００ｍＬ、炭酸カリウムの１０４ｇ、ベンジル－４－ブロモブチルエーテルの３４ｇを入れ、８０℃で攪拌した。２Ｎの塩酸水溶液の１，０００ｍＬを加えて、酢酸エチルで抽出し、溶媒を除去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィにて精製し、化合物３－１の７．８ｇ得た。

・・・式（３－１）

　化合物３－１のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：７．４（５Ｈ）、４．５（２Ｈ）、３．６（４Ｈ）、３．５（４Ｈ）、１．７（４Ｈ）、１．４（２Ｈ）、０．８（３Ｈ）

（合成例３－２）
　５００ｍＬのナスフラスコに、化合物３－１の７．０ｇ、炭酸カリウムの７．２ｇを入れて１２０℃で攪拌し、２，２，３，３，４，４－ヘキサフルオロ－４－［（トリフルオロビニル）オキシ］ブタン－１－オールの６７ｇを加えて、１２０℃で攪拌を続けた。ＡＣ－２０００の１００ｇ、２Ｎの塩酸水溶液の１００ｇを加えて分液し、下相を取り、溶媒を除去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィにて精製し、化合物３－２の３０ｇを得た。

・・・式（３－２）

　化合物３－２のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：７．４（５Ｈ）、６．０（９Ｈ）、４．５（２Ｈ）、４．４（１４Ｈ）、４．０（４Ｈ）、３．９（４Ｈ）、３．５（４Ｈ）、３．３（２Ｈ）、１．７（４Ｈ）、１．４（２Ｈ）、０．８（３Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－８４～－８８（１８Ｆ）、－９２（１８Ｆ）、－１２１（１４Ｆ）、－１２３（４Ｆ）、－１２８（１８Ｆ）、－１４５（９Ｆ）
　ｎ１＋ｎ２の平均値：９

（合成例３－３）
　５００ｍＬのナスフラスコに、化合物（３－２）の３０ｇ、４８％水酸化カリウム水溶液の１１ｇ、アリルブロミドの１０ｇ、１，３－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンの１００ｇを入れ、８０℃で攪拌した。２Ｎの塩酸水溶液の１００ｇを加えて分液し、下相を取り、溶媒を除去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィにて精製し、化合物３－３の２２ｇを得た。

・・・式（３－３）

　化合物３－３のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：７．４（５Ｈ）、６．０（１１Ｈ）、５．３（４Ｈ）、４．５（２Ｈ）、４．４（１８Ｈ）、４．１（４Ｈ）、３．９（８Ｈ）、３．５（４Ｈ）、３．３（２Ｈ）、１．７（４Ｈ）、１．４（２Ｈ）、０．８（３Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－８４～－８８（１８Ｆ）、－９２（１８Ｆ）、－１２１（１８Ｆ）、－１２８（１８Ｆ）、－１４５（９Ｆ）
　ｎ１＋ｎ２の平均値：９

（合成例３－４）
　３００ｍＬのナスフラスコに、化合物３－３の５．１ｇ、１０％パラジウム－活性炭素の０．２０ｇ、メタノールの１４ｇを入れ、水素で満たした風船を取り付けて密閉し、攪拌した。セライトにて濾過して、溶媒を除去し、化合物３－４の４．８ｇを得た。

・・・式（３－４）

　化合物３－４のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：６．０（９Ｈ）、４．４（１８Ｈ）、３．９（８Ｈ）、３．６（２Ｈ）、３．５（４Ｈ）、３．４（２Ｈ）、３．３（２Ｈ）、１．７（１２Ｈ）、１．４（２Ｈ）、０．８（９Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－８４～－８８（１８Ｆ）、－９２（１８Ｆ）、－１２１（１８Ｆ）、－１２８（１８Ｆ）、－１４５（９Ｆ）
　ｎ１＋ｎ２の平均値：９

（合成例３－５）
　２００ｍＬのナスフラスコに、化合物３－４の４．７ｇ、フッ化ナトリウムの１．１ｇ、ＡＣ－２０００の６．３ｇを入れて攪拌し、ペルフルオロ（２－メチル－３－オキサヘキサノイル）フルオリドの２．９ｇを加えて攪拌を続けた。反応粗液を濾過し、溶媒を除去して、化合物３－５の５．０ｇを得た。

・・・式（３－５）

　化合物３－５のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：６．０（９Ｈ）、４．４（１８Ｈ）、３．９（８Ｈ）、３．６（２Ｈ）、３．５（４Ｈ）、３．４（２Ｈ）、３．３（２Ｈ）、１．７（１２Ｈ）、１．４（２Ｈ）、０．８（９Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－８０（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８３（３Ｆ）、－８４～－８８（１９Ｆ）、－９２（１８Ｆ）、－１２１（１８Ｆ）、－１２８（１８Ｆ）、－１３０（２Ｆ）、－１３２（１Ｆ）、－１４５（９Ｆ）
　ｎ１＋ｎ２の平均値：９

（合成例３－６）
　５００ｍＬの金属製反応器に、ＣＦＥ－４１９の２５０ｇを入れ、窒素ガスをバブリングした後、窒素ガスで希釈されたフッ素ガスをバブリングした。フッ素ガスのバブリングを続けながら、化合物３－５の５．０ｇをＣＦＥ－４１９の９５ｇで希釈した溶液を加えた。０．１％のベンゼンを含むＣＦＥ－４１９溶液を加えた。窒素ガスで希釈されたフッ素ガスをバブリングした後、窒素ガスをバブリングした。反応粗液から溶媒を除去し、化合物３－６の７．１ｇを得た。

・・・式（３－６）

　化合物３－６のＮＭＲスペクトル；
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８０（１Ｆ）、－８１（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８３（９Ｆ）、－８４（４２Ｆ）、－８６（４Ｆ）、－９０（４４Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１２１（２Ｆ）、－１２７（４４Ｆ）、－１３０（２Ｆ）、－１３２（１Ｆ）
　ｎ１＋ｎ２の平均値：９

（合成例３－７）
　１００ｍＬのナスフラスコに、化合物３－６の７．１ｇ、メタノールの１０ｇを入れ、攪拌した。溶媒を除去し、化合物３－７の６．３ｇを得た。

・・・式（３－７）

　化合物３－７のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：４．２（３Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８３（６Ｆ）、－８４（４２Ｆ）、－８６（４Ｆ）、－９０（４０Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１２１（２Ｆ）、－１２７（４２Ｆ）
　ｎ１＋ｎ２の平均値：９

（合成例３－８）
　５０ｍＬのナスフラスコに、化合物３－７の５．０ｇ、２，２－ジ－２－アリル－４－ペンテン－１－アミンの０．６５ｇ、ＡＣ－６０００の４．５ｇを入れ、４０℃で攪拌した。反応粗液をカラムクロマトグラフィにて精製し、化合物３－８の３．４ｇを得た。

・・・式（３－８）

　化合物３－８のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：６．１（３Ｈ）、５．２（６Ｈ）、３．４（２Ｈ）、２．１（６Ｈ）。
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８３（６Ｆ）、－８４（４２Ｆ）、－８６（４Ｆ）、－９０（４０Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１２１（２Ｆ）、－１２７（４２Ｆ）
　ｎ１＋ｎ２の平均値：９

（合成例３－９）
　５０ｍＬのナスフラスコに、化合物３－８の１．０ｇ、トリメトキシシランの０．１０ｇ、アニリンの０．００１０ｇ、ＡＣ－６０００の１．０ｇ、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体の０．００３３ｇを入れ、４０℃で攪拌した。溶媒を除去し、化合物３－９の１．１ｇを得た。

・・・式（ＩＩＩ）

　化合物ＩＩＩのＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：３．６（２７Ｈ）、３．４（２Ｈ）、１．３（１２Ｈ）、０．９（６Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８３（６Ｆ）、－８４（４２Ｆ）、－８６（４Ｆ）、－９０（４０Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１２１（２Ｆ）、－１２７（４２Ｆ）
　ｎ１＋ｎ２の平均値：９

［例４］
（合成例４－１）
　２００ｍＬのナスフラスコに、ペルフルオロアダマンタン－１－カルボニルフルオリドの７．９５ｇ、アセトンの３５ｇ、フッ化ナトリウムの１．１ｇを入れ、攪拌しながら純水の０．３５ｍＬを加え、１２時間攪拌した。反応粗液を濾過して、溶媒を除去し、化合物４－１の６．６ｇを得た。

・・・式（４－１）

　化合物４－１のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：４．９（１Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－１０９（６Ｆ）、－１２０～－１２２（６Ｆ）、－２２０（３Ｆ）

（合成例４－２）
　３００ｍＬのナスフラスコに、化合物４－１の６．５３ｇ、ジメチルスルホキシドの５０ｍＬ、水酸化カルシウム水溶液の３３ｍＬを入れ、攪拌しながらホルムアルデヒド水溶液の６０ｍＬを加え、７０℃で１８時間攪拌した。ＡＣ－２０００の５０ｍＬ、水の５０ｍＬを加えて分液して、下相を取り、溶媒を除去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィで精製し、化合物４－２の６．４ｇを得た。

・・・式（４－２）

　化合物４－２のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：４．６（２Ｈ）、２．０（１Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－１１３（６Ｆ）、－１２１（６Ｆ）、－２１９（３Ｆ）

（合成例４－３）
　２００ｍＬのナスフラスコに、化合物４－２の６．４ｇ、２－ヘキサフルオロ－４－トリフルオロビニルオキシブトキシテトラヒドロピランの１３ｇ、水酸化カリウム水溶液の５．０ｇを入れ、９０℃で攪拌した。ＡＥ－３０００の１００ｍＬと２Ｎの塩酸水溶液の１００ｍＬを加えて分液し、下相を取り、溶媒を除去して、化合物４－３の２０ｇを得た。

・・・式（４－３）

　化合物４－３のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：６．２～６．０（１Ｈ）、４．８（１Ｈ）、４．４（２Ｈ）、４．２（１Ｈ）４．０～３．７（２Ｈ）、３．６（１Ｈ）、１．８～１．５（６Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－８５～－８８（２Ｆ）、－１０３（１Ｆ）、－１１０（７Ｆ）、－１２０（８Ｆ）、－１２８（２Ｆ）、－１４０（１Ｆ）、－２２０（３Ｆ）。

（合成例４－４）
　３００ｍＬのナスフラスコに、化合物４－３の１２ｇ、メタノールの２２ｇ、ｐ－トルエンスルホン酸１水和物の１．９ｇを入れ、５０℃で攪拌した。ＡＥ－３０００の１００ｍＬで抽出し、溶媒を除去して、化合物４－４の１１ｇを得た。

・・・式（４－４）

　化合物４－４のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：６．２～６．０（１Ｈ）、４．６（２Ｈ）、４．０（２Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－８５～－８８（２Ｆ）、－１０３（１Ｆ）、－１１０（７Ｆ）、－１２０（６Ｆ）、－１２３（２Ｆ）、－１２８（２Ｆ）、－１４０（１Ｆ）、－２２０（３Ｆ）

（合成例４－５）
　２００ｍＬのナスフラスコに、化合物４－４の１０ｇ、エピクロロヒドリンの０．６ｇ、水酸化ナトリウムの０．４ｇを入れ、６０℃で攪拌した。ＡＥ－３０００の５０ｍＬと２Ｎの塩酸水溶液の５０ｍＬを加えて分液し、下相を取り、溶媒を除去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィで精製し、化合物４－５の６．９ｇを得た。

・・・式（４－５）

　化合物４－５のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：６．２～６．０（２Ｈ）、４．６（４Ｈ）、４．２～４．０（５Ｈ）、３．８（４Ｈ）、２．３（１Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－８５～－８８（４Ｆ）、－１０３（２Ｆ）、－１１０（１４Ｆ）、－１２０（１６Ｆ）、－１２８（４Ｆ）、－１４０（２Ｆ）、－２２０（６Ｆ）

（合成例４－６）
　２００ｍＬのナスフラスコに、化合物４－５の６．０ｇ、炭酸カリウムの４．０ｇを入れ、１２０℃で攪拌しながら、２，２，３，３，４，４－ヘキサフルオロ－４－［（トリフルオロビニル）オキシ］ブタン－１－オールの９．０ｇを滴下しながら加え、１２０℃で攪拌した。ＡＣ－２０００及び２Ｎの塩酸水溶液をそれぞれ５０ｇ加えて分液し、下相を取って、溶媒を除去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィで精製し、化合物４－６の１１ｇを得た。

・・・式（４－６）

　化合物４－６のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：６．３～５．９（１０Ｈ）、４．８（１Ｈ）、４．６～４．４（１８Ｈ）、４．２～４．０（６Ｈ）、３．８（４Ｈ）、２．１（１Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－８５～－８８（２０Ｆ）、－９２（１６Ｆ）、－１０３（２Ｆ）、－１１０（１４Ｆ）、－１２０（３０Ｆ）、－１２４（２Ｆ）、－１２８（２０Ｆ）、－１４０（２Ｆ）、－１４５（８Ｆ）、－２２０（６Ｆ）
　ｎの平均値：７

（合成例４－７）
　１００ｍＬのナスフラスコに化合物４－６の１０ｇ、ＡＣ－２０００の１０ｇ、フッ化ナトリウムの１．７ｇを入れ、攪拌しながらペルフルオロ（２－メチル－３－オキサヘキサノイル）フルオリドの２．０ｇを加え攪拌した。反応粗液を濾過して、溶媒を除去し、化合物４－７の１０ｇを得た。

・・・式（４－７）

　化合物４－７のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：６．３～５．９（１０Ｈ）、５．０～４．８（３Ｈ）、４．６～４．４（１８Ｈ）、４．２～４．０（６Ｈ）、３．８（４Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－８０（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８３（３Ｆ）、－８５～－８８（２０Ｆ）、－９２（１６Ｆ）、－１０３（２Ｆ）、－１１０（１４Ｆ）、－１２０（３２Ｆ）、－１２８（２０Ｆ）、－１３０（２Ｆ）、－１３２（１Ｆ）、－１４０（２Ｆ）、－１４５（８Ｆ）、－２２０（６Ｆ）
　ｎの平均値：７

（合成例４－８）
　５００ｍＬの金属製反応器に、ＣＦＥ－４１９の２５０ｇを入れ、窒素ガスをバブリングした後、窒素ガスで希釈されたフッ素ガスをバブリングした。フッ素ガスのバブリングを続けながら、化合物４－７の９．０ｇをＣＦＥ－４１９で希釈した溶液の９０ｇを加えた。０．１％のベンゼンを含むＣＦＥ－４１９溶液を加えた。窒素ガスで希釈されたフッ素ガスをバブリングした後、窒素ガスをバブリングした。反応粗液から溶媒を除去し、化合物４－８の９．８ｇを得た。

・・・式（４－８）

　化合物４－８のＮＭＲスペクトル；
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－８０（１Ｆ）、－８３（１０Ｆ）、－８４（４Ｆ）、－８５～－８８（４６Ｆ）、－９０～－９２（３８Ｆ）、－１０８（１２Ｆ）、－１２１～－１２２（１４Ｆ）、－１２７（４０Ｆ）、－１３０（２Ｆ）、－１３２（１Ｆ）、－１４５（１Ｆ）、－２２０（６Ｆ）
　ｎの平均値：７

（合成例４－９）
　３００ｍＬのナスフラスコに化合物４－８の９．５ｇ、フッ化ナトリウムの０．５０ｇ、ＡＣ－２０００の２０ｇ、メタノールの０．６０ｇを入れ攪拌した。反応粗液を濾過して、溶媒を除去し、化合物４－９の９．０ｇを得た。

・・・式（４－９）

　化合物４－９のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：４．２（３Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－６４（２Ｆ）、－６５（４Ｆ）、－７８（３Ｆ）、－８３（６Ｆ）、－８４（４２Ｆ）、－８６（４Ｆ）、－９０（４０Ｆ）、－１０９（２Ｆ）、－１２１（２Ｆ）、－１２７（４２Ｆ）
　ｎの平均値：７

（合成例４－１０）
　２００ｍＬのナスフラスコに、化合物４－９の９．０ｇ、２，２－ジ－２－アリル－４－ペンテン－１－アミンの０．２３ｇ、ＡＣ－６０００の１８ｇを入れ、６０℃で攪拌した。反応粗液をカラムクロマトグラフィで精製し、化合物４－１０の１．８ｇを得た。

・・・式（４－１０）

　化合物４－１０のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：６．６（１Ｈ）、６．０（３Ｈ）、５．１（６Ｈ）、３．３（２Ｈ）、２．１（６Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－８４（４Ｆ）、－８５～－８８（４６Ｆ）、－９０～－９２（３８Ｆ）、－１０８（１２Ｆ）、－１２１～－１２２（１４Ｆ）、－１２７（３８Ｆ）、－１４５（１Ｆ）、－２２０（６Ｆ）
　ｎの平均値：７

（合成例４－１１）
　５０ｍＬのナスフラスコに化合物４－１０の１．３ｇ、トリメトキシシランの０．１２ｇ、アニリンの０．００１５ｇ、ＡＣ－６０００の１．０ｇ、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体の０．０１４ｇを入れ、６０℃で攪拌した。反応粗液から溶媒を除去し、化合物ＩＶの１．２ｇを得た。

・・・式（ＩＶ）

　化合物ＩＶのＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：３．６（２７Ｈ）、３．４（２Ｈ）、１．３（１２Ｈ）、０．９（６Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－８４（４Ｆ）、－８５～－８８（４６Ｆ）、－９０～－９２（３８Ｆ）、－１０８（１２Ｆ）、－１２１～－１２２（１４Ｆ）、－１２７（３８Ｆ）、－１４５（１Ｆ）、－２２０（６Ｆ）
　ｎの平均値：７

［例５］
（合成例５－１）
　攪拌子を備えた２００ｍＬのナスフラスコに、化合物２－５の５．０ｇ、２－（ウンデカ－１０－エン－１－イル）トリデカ－１２－エン－１－アミンの０．７０ｇ、ＡＣ－６０００の５．０ｇを加え、６０℃で６時間攪拌した。反応租液をカラムクロマトグラフィにて精製し、化合物５－１の１．５ｇを得た。

・・・式（５－１）

　化合物５－１のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：６．６（１Ｈ）、６．０（２Ｈ）５．１（４Ｈ）、３．３（２Ｈ）、２．１（４Ｈ）、１．５～１．１（３３Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－７９～－８０（１４Ｆ）、－８１～－８３（２０Ｆ）、－８４（３０Ｆ）、－８５（２Ｆ）、－９０（３０Ｆ）、－１２２（２Ｆ）、－１２７（３０Ｆ）、－１３１（４Ｆ）、－１４５（５Ｆ）
　ｎの平均値：７

（合成例５－２）
　攪拌子を備えた５０ｍＬのナスフラスコに、化合物５－１の１．３ｇ、トリメトキシシランの０．１１ｇ、アニリンの０．０００２９ｇ、ＡＣ－６０００の１．０ｇ、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体の０．０００１２ｇを加え、６０℃で攪拌した。その後、０ｈＰａ、６０℃で減圧留去し、化合物Ｖの１．３ｇを得た。

・・・式（Ｖ）

　化合物ＶのＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：６．６（１Ｈ）、３．６（１８Ｈ）、３．３（２Ｈ）、１．５～１．１（４１Ｈ）、０．９（４Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－７９～－８０（１４Ｆ）、－８１～－８３（２０Ｆ）、－８４（３０Ｆ）、－８５（２Ｆ）、－９０（３０Ｆ）、－１２２（２Ｆ）、－１２７（３０Ｆ）、－１３１（４Ｆ）、－１４５（５Ｆ）
　ｎの平均値：７

［例６］
（合成例６－１）
　攪拌子を備えた２００ｍＬのナスフラスコに、ＴＨＦの５．０ｇ、ＡＥ－３０００の１０ｇを入れ、０．７ｍｏｌ／Ｌのアリルマグネシウムブロミドの４．５ｍＬを滴下した。更に化合物２－５の５．３ｇを滴下し、５５℃で６時間撹拌した。２５℃まで冷却し、１．０ｍｏｌ／Ｌの２Ｎの塩酸水溶液の１０ｍＬを入れて反応を停止させた。得られた下相をカラムクロマトグラフィにて精製し、化合物６－１の３．８ｇを得た。

・・・式（６－１）

　化合物（６－１）のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　δ（ｐｐｍ）：６．０（２Ｈ）、５．２（４Ｈ）、２．６～２．４（４Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－７９～－８０（１４Ｆ）、－８１～－８３（２０Ｆ）、－８４（３０Ｆ）、－８５（２Ｆ）、－９０（３０Ｆ）、－１１６（２Ｆ）、－１２２（２Ｆ）、－１２７（２８Ｆ）、－１３１（４Ｆ）、－１４５（５Ｆ）
　ｎの平均値：７

（合成例６－２）
　攪拌子を備えた５０ｍＬのナスフラスコに、化合物６－１の１．１ｇ、トリメトキシシランの０．１０ｇ、アニリンの０．０００２７ｇ、ＡＣ－６０００の１．０ｇ、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体の０．０００１１ｇを加え、６０℃で３時間攪拌した。その後、反応粗液から溶媒を除去し、化合物ＶＩの１．１ｇを得た。

・・・式（ＶＩ）

　化合物ＶＩのＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：３．６（１８Ｈ）、３．３（２Ｈ）、１．４～１．２（８Ｈ）、０．８～０．６（４Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－７９～－８０（１４Ｆ）、－８１～－８３（２０Ｆ）、－８４（３０Ｆ）、－８５（２Ｆ）、－９０（３０Ｆ）、－１１６（２Ｆ）、－１２２（２Ｆ）、－１２７（２８Ｆ）、－１３１（４Ｆ）、－１４５（５Ｆ）
　ｎの平均値：７

［例７］
（合成例７－１）
　攪拌子を備えた２００ｍＬのナスフラスコに、化合物６－１の２．５ｇ、臭化アリルの０．５１ｇ、テトラブチルアンモニウムヨージドの０．０１０ｇ、水酸化カリウムの０．２６ｇを加え、８０℃で８時間撹拌した。２５℃まで冷却し、ＡＥ－３０００の１０ｇを加え、水洗した。粗生成物をカラムクロマトグラフィで精製し、化合物７－１の１．９ｇを得た。

・・・式（７－１）

　化合物（７－１）のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：５．９（３Ｈ）、５．３～５．０（６Ｈ）、４．１（２Ｈ）、２．７～２．６（４Ｈ）。
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－７９～－８０（１４Ｆ）、－８１～－８３（２０Ｆ）、－８４（３０Ｆ）、－８５（２Ｆ）、－９０（３０Ｆ）、－１１１（２Ｆ）、－１２３（２Ｆ）、－１２７（２８Ｆ）、－１３１（４Ｆ）、－１４５（５Ｆ）
　ｎの平均値：７

（合成例７－２）
　攪拌子を備えた５０ｍＬのナスフラスコに、化合物７－１の１．２ｇ、トリメトキシシランの０．１７ｇ、アニリンの０．０００２８ｇ、ＡＣ－６０００の１．２ｇ、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体の０．０００１２ｇを加え、６０℃で３時間攪拌した。反応終了後、反応粗液から溶媒を除去し、化合物ＶＩＩの１．２ｇを得た。

・・・式（ＶＩＩ）

　化合物ＶＩＩのＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：３．６（２７Ｈ）、２．０～１，９（４Ｈ）、１．８～１．６（６Ｈ）、０．８～０．６（６Ｈ）
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　σ（ｐｐｍ）：－８３（２Ｆ）、－８５（２６Ｆ）、－９０（２８Ｆ）、－１０８（６Ｆ）、－１１６（２Ｆ）、－１２２（８Ｆ）、－１２７（２４Ｆ）、－２２０（３Ｆ）
　ｎの平均値：７

［例８］
（合成例８－１）
　攪拌子を備えた３００ｍＬのナスフラスコに、ピリチオンナトリウムの１．１ｇ、１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（ＳＲソルベント）の２５ｍＬを入れ、氷冷下で撹拌した。次いで、化合物２－４の８．０ｇを入れ、氷冷のまま１時間撹拌した。次いで、ヨウ素の２．３ｇ、２，２－アゾビス（２－メチルブチロニトリル）の０．３６ｇを加え、遮光していたアルミホイルを取り除き、８５℃で一晩（２４時間）撹拌を続けた。温度を２５℃に戻し、メタノールの５ｍＬを加えて撹拌した後、ＡＣ－６０００を加え、下相を回収して溶媒を留去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィで精製し、化合物８－１の６．２ｇを得た。

・・・式（８－１）

　化合物８－１のＮＭＲスペクトル；
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－５８（２Ｆ）、－７９～－８０（１４Ｆ）、－８１～－８３（２０Ｆ）、－８４（３０Ｆ）、－８５（２Ｆ）、－９０（３０Ｆ）、－１１６（２Ｆ）、－１２７（２８Ｆ）、－１３１（４Ｆ）、－１４５（５Ｆ）
　ｎの平均値：７

（合成例８－２）
　攪拌子を備えた２００ｍＬのナスフラスコに、化合物８－１の６．０ｇ、ＳＲソルベントの１５ｇを加えた。２５℃で撹拌しながら、アリルトリブチルスズの２．９ｇ、アゾビスイソブチロニトリルの０．０２９ｇを加え、９０℃で１７時間撹拌した。粗液を２５℃に冷却し、水で洗浄した後、ヘキサンで再沈殿した。得られた固体をＡＣ－２０００に溶解し、硫酸マグネシウムで脱水した後、固体を濾過で取り除いた。粗生成物をカラムクロマトグラフィで精製し、化合物８－２の５．０ｇを得た。

・・・式（８－２）

　化合物８－２のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：６．０（１Ｈ）、５．５（２Ｈ）、３．０（２Ｈ）。
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－７９～－８０（１４Ｆ）、－８１～－８３（２０Ｆ）、－８４（３０Ｆ）、－８５（２Ｆ）、－９０（３０Ｆ）、－１１４（２Ｆ）、－１２７（３０Ｆ）、－１３１（４Ｆ）、－１４５（５Ｆ）
　ｎの平均値：７

（合成例８－３）
　攪拌子を備えた１００ｍＬのナスフラスコに、化合物８－２の４．８ｇ、トリクロロシランの０．１９ｇ、ＳＲソルベントの５．０ｇ、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体の０．０００４９ｇ加え、４０℃で３時間攪拌した。反応終了後、反応粗液から溶媒を除去し、化合物８－３の４．８ｇを得た。

・・・式（８－３）

　化合物８－３のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：１．６～１．５（４Ｈ）、１．３（２Ｈ）。
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　δ（ｐｐｍ）：－７９～－８０（１４Ｆ）、－８１～－８３（２０Ｆ）、－８４（３０Ｆ）、－８５（２Ｆ）、－９０（３０Ｆ）、－１１４（２Ｆ）、－１２７（３０Ｆ）、－１３１（４Ｆ）、－１４５（５Ｆ）
　ｎの平均値：７

（合成例８－４）
　５００ｍＬのナスフラスコに、化合物８－３の４．５ｇ、ＴＨＦの１０ｇを加え、０℃に冷却した。攪拌しながら０．７ｍｏｌ／Ｌアリルマグネシウムブロミドの６．５ｍＬを滴下し、３時間撹拌した。ナスフラスコ内の混合物を２５℃に戻し、更に８時間撹拌した後、１．０ｍｏｌ／Ｌの２Ｎの塩酸水溶液の１０ｍＬを加えて反応を停止させた。ＡＣ－６０００の２０ｍＬを加えて、下相を抽出した。粗生成物をカラムクロマトグラフィで精製し、化合物８－４の４．０ｇを得た。

・・・式（８－４）

　化合物８－４のＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：６．０（３Ｈ）、５．１（６Ｈ）、２．４～２．２（２Ｈ）、２．０（２Ｈ）、１．８（６Ｈ）、０．９（２Ｈ）。
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　－７９～－８０（１４Ｆ）、－８１～－８３（２０Ｆ）、－８４（３０Ｆ）、－８５（２Ｆ）、－９０（３０Ｆ）、－１１４（２Ｆ）、－１２７（３０Ｆ）、－１３１（４Ｆ）、－１４５（５Ｆ）
　ｎの平均値：７

（合成例８－５）
　攪拌子を備えた５０ｍＬのナスフラスコに、化合物８－４の１．２ｇ、トリメトキシシランの０．１８ｇ、アニリンの０．０００３０ｇ、ＡＣ－６０００の１．０ｇ、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体の０．０００１３ｇを加え、６０℃で攪拌した。反応終了後、０ｈＰａ、６０℃で減圧留去し、化合物ＶＩＩＩの１．２ｇを得た。

・・・式（ＶＩＩＩ）

　化合物ＶＩＩＩのＮＭＲスペクトル；
　^１Ｈ－ＮＭＲ（４００．１３ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＴＭＳ）　σ（ｐｐｍ）：３．６（２７Ｈ）、２．４～２．２（２Ｈ）、２．０（２Ｈ）、１．５（６Ｈ）、０．９～０．８（８Ｈ）、０．７（６Ｈ）。
　^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６．４６ＭＨｚ、Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ、ＣＦＣｌ_３）　－７９～－８０（１４Ｆ）、－８１～－８３（２０Ｆ）、－８４（３０Ｆ）、－８５（２Ｆ）、－９０（３０Ｆ）、－１１４（２Ｆ）、－１２７（３０Ｆ）、－１３１（４Ｆ）、－１４５（５Ｆ）
　ｎの平均値：７

［例９］
　化合物（ＩＩＩ）とＫＹ－１８５（信越化学工業社製の含フッ素エーテル化合物）とを、化合物（ＩＩＩ）：ＫＹ－１８５＝７０：３０（質量比）で混合し、組成物を調製した。

［例１０］
　国際公開第２０１９／１５１４４５号の実施例に記載の合成方法に従い、化合物Ｘを得た。

・・・式（Ｘ）
　化合物Ｘ中の「２２」は平均値である。

［物品の製造及び評価］
　上記各例にて得られた化合物及び組成物を用いて基材を表面処理し物品を得た。表面処理方法として、各例について下記のドライコーティング法及びウェットコーティング法をそれぞれ用いた。基材としては化学強化ガラスを用いた。得られた物品について、下記の方法で評価した。結果を表に示す。

［ドライコーティング法］
　ドライコーティングは、真空蒸着装置（ＵＬＶＡＣ社製、ＶＴＲ３５０Ｍ）を用いて行った（真空蒸着法）。各化合物又は組成物の０．５ｇを真空蒸着装置内のモリブデン製ボートに充填し、真空蒸着装置内を１×１０^－３Ｐａ以下に排気した。化合物又は組成物を配置したボートを昇温速度１０℃／分以下の速度で加熱し、水晶発振式膜厚計による蒸着速度が１ｎｍ／秒を超えた時点でシャッターを開けて基材の表面への製膜を開始させた。
　膜厚が約５０ｎｍとなった時点でシャッターを閉じて基材の表面への製膜を終了させた。化合物又は組成物が堆積された基材を、２００℃で３０分間加熱処理し、Ｃ_６Ｆ_１３Ｈ（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ－２０００）にて洗浄して、基材の表面に表面層を有する物品を得た。

［ウェットコーティング法］
　各化合物又は組成物と、媒体としてのＣ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７２００）とを混合して、固形分濃度０．０５％のコーティング液を調製した。コーティング液に基材をディッピングし、３０分間静置後、基材を引き上げた（ディップコート法）。
　塗膜を２００℃で３０分間乾燥させ、ＡＣ－２０００にて洗浄して、基材の表面に表面層を有する物品を得た。

（評価方法）
　＜接触角の測定方法＞
　表面層の表面に置いた約２μＬの蒸留水又はｎ－ヘキサデカン（ｎ－ＨＤ）の接触角を、接触角測定装置（協和界面科学社製、ＤＭ－５００）を用いて測定した。表面層の表面における異なる５箇所で測定し、その平均値を算出した。接触角の算出には２θ法を用いた。

　＜初期接触角＞
　表面層について、初期水接触角及び初期ｎ－ヘキサデカン接触角を前記測定方法で測定した。評価基準は下記のとおりである。
　初期水接触角：
　Ａ（優）　：１１０度以上。
　Ｂ（良）　：１０５度以上１１０度未満。
　Ｃ（可）　：１００度以上１０５度未満。
　Ｄ（不可）：１００度未満。
　初期ｎ－ヘキサデカン接触角：
　Ａ（優）　：６６度以上。
　Ｂ（良）　：６５度以上６６度未満。
　Ｃ（可）　：６３度以上６５度未満。
　Ｄ（不可）：６３度未満。

　＜耐摩擦性＞
　表面層について、フェルト摩耗試験機を用い、フェルト（寸法：１０ｍｍ×１０ｍｍ×５０ｍｍ）を荷重９．８Ｎ、速度８０ｒｐｍで往復させた。往復１，０００回ごとに、表面層の水の接触角を測定した。摩耗後の水の接触角の低下が小さいほど摩耗による性能の低下が小さく、耐摩擦性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
　水接触角１００度維持回数
　Ａ（良）　：５，０００回以上
　Ｂ（可）　：３，０００回以上５，０００回未満
　Ｃ（不可）：３，０００回未満

　＜耐滑り性＞
　人口皮膚（出光テクノファイン社製、ＰＢＺ１３００１）に対する表面層の動摩擦係数を、荷重変動型摩耗試験システム（新東科学社製、ＨＨＳ２０００）を用い、接触面積：３ｃｍ×３ｃｍ、荷重０．９８Ｎの条件で測定した。動摩擦係数が大きいほど耐滑り性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
　Ａ（良）　：動摩擦係数が０．６以上。
　Ｂ（可）　：動摩擦係数が０．５以上０．６未満。
　Ｃ（不可）：動摩擦係数が０．５未満。

　＜指紋汚れ除去性＞
　人口指紋液（オレイン酸とスクアレンとからなる液）を、シリコンゴム栓の平坦面に付着させた後、余分な油分を不織布（旭化成社製、ベンコット（登録商標）Ｍ－３）にて拭き取って、指紋のスタンえを準備した。指紋スタンプを表面層状上に乗せ、荷重９．８Ｎにて１０秒間押し付けた。指紋が付着した箇所のヘーズをヘーズメータにて測定し、初期値とした。指紋が付着した箇所について、ティッシュペーパーを取り付けた往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、荷重４．９Ｎにて拭き取った。拭き取り一往復ごとにヘーズの値を測定し、ヘーズが初期値から１０％以下になる拭き取り回数を測定した。拭き取り回数が少ないほど指紋汚れを容易に除去でき、指紋汚れ除去性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
　Ａ（優）　：拭き取り回数が３回以下。
　Ｂ（良）　：拭き取り回数が４～５回。
　Ｃ（可）　：拭き取り回数が６～８回。
　Ｄ（不可）：拭き取り回数が９回以上。

　表１に示される通り、本化合物又は組成物を用いて形成された表面層は、耐摩擦性を維持しつつ、耐滑り性に優れていることが明らかとなった。

　本化合物を含む表面層を備えた物品は、一例として、下記の製品の部品の一部として使用される光学物品、タッチパネル、反射防止フィルム、反射防止ガラス、ＳｉＯ_２処理ガラス、強化ガラス、サファイアガラス、石英基板、金型金属等として有用である。
　製品：カーナビゲーション、携帯電話、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ポータブルオーディオプレーヤー、カーオーディオ、ゲーム機器、眼鏡レンズ、カメラレンズ、レンズフィルター、サングラス、医療用器機（胃カメラ等）、複写機、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイ、タッチパネルディスプレイ、保護フィルム、反射防止フィルム、反射防止ガラス、ナノインプリントのテンプレート、金型等。

　この出願は、２０２２年８月１８日に出願された日本出願特願２０２２－１３０６４５を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

　１０：下地層付き基材、　　　１２：基材、　　　１４：下地層、
　２０：物品、　　　２２：表面層

Claims

　下記式（１）で表される化合物。
［Ｒ^ｆ１－（ＯＲ^ｆ２）_ｙ１－Ｒ^１－］_ａ１Ｒ^ｆ３ _ａ２Ｃ［－Ｒ^２－（ＯＲ^ｆ４）_ｙ２－Ｒ^３－Ｌ^１（－Ｒ^４－Ｔ^１）_ｘ１］_ａ３　・・・（１）
　ただし、
　Ｒ^ｆ１は、置換基を有してもよい炭素数１～２０のフルオロアルキル基であり、
　Ｒ^ｆ２は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、
　Ｒ^１は、単結合又は２価の基であり、
　Ｒ^ｆ３は、フッ素原子、炭素数１～６のフルオロアルキル基、又はエーテル性酸素原子を有する炭素数１～６のフルオロアルキル基であり、
　Ｒ^２は、単結合又は２価の基であり、
　Ｒ^ｆ４は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、
　Ｒ^３は、単結合、炭素数１～２０のフルオロアルキレン基、アルキレン基、又は炭素－炭素原子間にエーテル性酸素原子を含むアルキレン基であり、
　Ｌ^１は、単結合又は、１＋ｘ１価の基であり、
　Ｒ^４は、アルキレン基、又はエーテル性酸素原子を有するアルキレン基であり、
　Ｔ^１は、反応性基であり、
　ｘ１は、１以上の整数であり、
　ｙ１は、１以上の整数であり、
　ｙ２は、１以上の整数であり、
　ａ１は、２又は３であり、
　ａ２は、０又は１であり、
　ａ３は、１又は２であり、
　ａ１＋ａ２＋ａ３は４であり、
　Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^ｆ１、Ｒ^ｆ２、Ｒ^ｆ４、Ｌ^１、Ｔ^１、ｘ１、ｙ１、又はｙ２が複数ある場合、当該複数あるＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^ｆ１、Ｒ^ｆ２、Ｒ^ｆ４、Ｌ^１、Ｔ^１、ｘ１、ｙ１、又はｙ２は、各々同一であっても異なっていてもよい。
　前記反応性基が、－Ａｒ、－ＳＲ^１０、－ＮＯＲ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－Ｎ（Ｒ^１０）_２、－Ｎ^＋（Ｒ^１０）_３Ｘ^３、－Ｃ≡Ｎ、－Ｃ（＝ＮＲ^１０）－Ｒ^１０、－Ｎ^＋≡Ｎ、－Ｎ＝ＮＲ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ^２、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ^４、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－ＳＯ_２Ｒ^１０、－ＳＯ_３Ｈ、－ＳＯ_３Ｘ^２、－Ｏ－Ｐ（＝Ｏ）（－ＯＲ^１０）_２、－Ｏ－Ｐ（＝Ｏ）（－ＯＲ^１０）（－ＯＸ^２）、－Ｎ＝Ｃ＝Ｏ、－ＳｉＲ^ａ１ _ｚ１Ｒ^ａ１１ _３－ｚ１、－Ｃ（Ｒ^１０）＝Ｃ（Ｒ^１０）_２、－Ｃ≡Ｃ（Ｒ^１０）、－Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ^１０）_２、－Ｎ（Ｒ^１０）Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－Ｓｉ（Ｒ^１０）_２－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ^１０）_３、－ＮＨ－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１０、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＲ^１０、－Ｉ、

　のいずれかである、請求項１に記載の化合物。
　但し、
　Ｒ^１０は、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基又はフルオロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基であり、
　Ａｒは、置換基を有していてもよいアリール基であり、
　Ｘ^２は、アルカリ金属イオン又はアンモニウムイオンであり、
　Ｘ^３は、ハロゲン化物イオンであり、
　Ｘ^４は、ハロゲン原子であり、
　Ｒ^ａ１は、加水分解性基、加水分解性基を有する基又は水酸基であり、
　Ｒ^ａ１１は、炭化水素基であり、
　ｚ１は、１～３の整数であり、
　Ｒ^１０、Ｒ^ａ１又はＲ^ａ１１が複数ある場合、当該複数あるＲ^１０、Ｒ^ａ１又はＲ^ａ１１は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
　前記反応性基が、下記式（２）で表される基である、請求項２に記載の化合物。
　ＳｉＲ^ａ１ _ｚ１Ｒ^ａ１１ _３－ｚ１　　・・・（２）
　ただし、
　Ｒ^ａ１は、加水分解性基、加水分解性基を有する基又は水酸基であり、
　Ｒ^ａ１１は、炭化水素基であり、
　ｚ１は、１～３の整数であり、
　Ｒ^ａ１、Ｒ^ａ１１、及びｚ１が複数ある場合、当該複数あるＲ^ａ１、Ｒ^ａ１１、及びｚ１は各々同一であっても異なっていてもよい。
　［Ｒ^ｆ１－（ＯＲ^ｆ２）_ｙ１－Ｒ^１－］の分子量が１００～１０，０００である、
　請求項１又は２に記載の化合物。
　請求項１に記載の化合物と、他の含フッ素エーテル化合物とを含有する組成物。
　請求項１に記載の化合物、又は請求項５に記載の組成物を含む、表面処理剤。
　請求項１に記載の化合物、又は請求項５に記載の組成物と、液状媒体とを含む、コーティング液。
　請求項１に記載の化合物、又は請求項５に記載の組成物から形成された表面層を基材の表面に有する、物品。
　請求項６に記載の表面処理剤を用いて、ドライコーティング法により表面層を形成する、物品の製造方法。
　請求項７に記載のコーティング液を用いて、ウェットコーティング法により表面層を形成する、物品の製造方法。