KR102513746B1 - 석영 도가니의 투과율 측정 방법 및 장치 - Google Patents
석영 도가니의 투과율 측정 방법 및 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102513746B1 KR102513746B1 KR1020227032761A KR20227032761A KR102513746B1 KR 102513746 B1 KR102513746 B1 KR 102513746B1 KR 1020227032761 A KR1020227032761 A KR 1020227032761A KR 20227032761 A KR20227032761 A KR 20227032761A KR 102513746 B1 KR102513746 B1 KR 102513746B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- quartz crucible
- transmittance
- light
- crucible
- light source
- Prior art date
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 236
- 239000010453 quartz Substances 0.000 title claims abstract description 226
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 title claims abstract description 187
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 87
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 28
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 12
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 21
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 102220053182 rs371140684 Human genes 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B35/002—Crucibles or containers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N21/49—Scattering, i.e. diffuse reflection within a body or fluid
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/59—Transmissivity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N2021/4704—Angular selective
- G01N2021/4707—Forward scatter; Low angle scatter
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(해결 수단) 석영 도가니의 한쪽의 벽면(1Wa)측에 배치한 광원(5)으로부터 석영 도가니의 소정의 측정점을 향하여 평행광을 조사하고, 석영 도가니의 다른 한쪽의 벽면(1Wb)측으로서 다른 한쪽의 벽면(1Wb) 상의 평행광의 출사점(P)을 중심으로 하는 동심원(C0) 상의 복수의 위치에 검출기(6)를 배치하여 석영 도가니의 투과광의 수광 레벨을 복수의 위치에서 측정하고, 복수의 위치에서 측정한 투과광의 복수의 수광 레벨에 기초하여 소정의 측정점에 있어서의 석영 도가니의 투과율을 구한다.
Description
도 2는, 본 발명에 의한 석영 도가니의 투과율 측정 방법의 원리를 설명하기 위한 개략도이다.
도 3(a) 및 (b)는, 본 발명에 의한 석영 도가니의 투과율 측정 방법의 원리를 설명하기 위한 도면으로서, 특히 (a)는 석영 도가니를 투과한 레이저 광의 촬영 화상이고, (b)는 투과광의 강도의 공간 분포를 나타내는 개략도이다.
도 4는, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 의한 석영 도가니의 투과율 측정 장치의 구성을 나타내는 개략 측면 단면도이다.
도 5는, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 의한 석영 도가니의 투과율 측정 장치의 구성을 나타내는 개략 평면도이다.
도 6은, 도가니 벽면을 따른 레이저 장치 및 카메라의 승강 동작을 설명하기 위한 개략 측면 단면도이다.
도 7은, 도가니 벽면을 따른 레이저 장치 및 카메라의 승강 동작을 설명하기 위한 개략 측면 단면도이다.
도 8은, 도가니 벽면을 따른 레이저 장치 및 카메라의 승강 동작을 설명하기 위한 개략 측면 단면도이다.
도 9는, 카메라의 선회 동작 및 석영 도가니의 회전 동작을 설명하기 위한 개략 평면도이다.
도 10은, 본 실시 형태에 의한 투과율 측정 장치를 이용한 석영 도가니의 투과율 측정 방법의 일 예를 설명하기 위한 플로우 차트이다.
도 11은, 본 실시 형태에 의한 투과율 측정 장치를 이용한 석영 도가니의 투과율 측정 방법의 일 예를 설명하기 위한 플로우 차트이다.
도 12는, 본 발명의 다른 바람직한 실시 형태에 의한 석영 도가니의 투과율 측정 장치의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 13(a)∼(c)는, 투광 장치(20)의 실시 형태를 나타내는 개략도이다.
도 14(a) 및 (b)는, 석영 도가니의 투과광의 휘도 프로파일을 나타내는 그래프로서, 특히 (a)는 불투명층이 얇은 경우, (b)는 불투명층이 두꺼운 경우를 각각 나타내고 있다.
도 15는, 종래의 투과율 측정 방법을 설명하기 위한 개략도이다.
1W : 석영 도가니의 벽체
1Wa : 석영 도가니의 한쪽의 벽면
1Wb : 석영 도가니의 다른 한쪽의 벽면
1a : 석영 도가니의 측벽부
1b : 석영 도가니의 저부
1c : 석영 도가니의 코너부
1i : 석영 도가니의 내면
1o : 석영 도가니의 외면
2 : 투명층(무기포층)
3 : 불투명층(기포층)
5 : 광원
6 : 검출기
10 : 투과율 측정 장치
11 : 지지 장치
12 : 지지대
13 : 지주
14 : 회전 롤러
15 : 상부 프레임
16 : 대들보부
20 : 투광 장치
21 : 레이저 장치
21a : 레이저 광원(레이저 발진기)
21b : 빔 익스팬더
21c : 라인 제너레이터
22 : 가이드 레일
30 : 수광 장치
31, 31a∼31e : 카메라
32 : 카메라 승강 기구
33 : 카메라 회동 기구
34 : 카메라 선회 기구
35 : 가이드 레일
40 : 투과율 연산부
60 : 도가니편(석영 유리편)
61 : 적외 램프
62 : 검출기(파워미터)
C0 : 동심원
Claims (16)
- 석영 도가니의 한쪽의 벽면측에 배치한 광원으로부터 상기 석영 도가니의 소정의 측정점을 향하여 평행광을 조사하고,
상기 석영 도가니의 다른 한쪽의 벽면측으로서 상기 다른 한쪽의 벽면 상의 상기 평행광의 출사점을 중심으로 하는 동심원 상의 복수의 위치에 검출기를 배치하여 상기 석영 도가니의 투과광의 수광 레벨을 상기 복수의 위치에서 측정하고,
상기 복수의 위치에서 측정한 상기 투과광의 복수의 수광 레벨에 기초하여 상기 소정의 측정점에 있어서의 상기 석영 도가니의 투과율을 구하며,
상기 복수의 위치에 미리 배치한 복수의 검출기를 이용하여 상기 석영 도가니의 투과율을 구하는 것을 특징으로 하는 석영 도가니의 투과율 측정 방법. - 제1항에 있어서,
상기 석영 도가니의 외측에 상기 광원을 배치하고,
상기 석영 도가니의 내측에 상기 검출기를 배치하고,
상기 광원으로부터 상기 석영 도가니에 조사한 평행광을 상기 검출기로 수광함으로써, 상기 석영 도가니의 투과율을 비(非)파괴로 측정하는, 투과율 측정 방법. - 제1항에 있어서,
상기 광원 및 상기 검출기의 위치를 상기 석영 도가니의 상기 벽면을 따라 높이 방향으로 이동시킴으로써, 상기 석영 도가니의 높이 방향의 위치가 상이한 복수의 측정점에 있어서 상기 투과율을 측정하는, 투과율 측정 방법. - 제1항에 있어서,
상기 광원 및 상기 검출기와 상기 석영 도가니의 상대적인 위치를 상기 석영 도가니의 벽면을 따라 둘레 방향으로 이동시킴으로써, 상기 석영 도가니의 둘레 방향의 위치가 상이한 복수의 측정점에 있어서 상기 투과율을 측정하는, 투과율 측정 방법. - 제1항에 있어서,
상기 평행광은, 레이저 광원으로부터 출력된 레이저 빔의 빔 지름을 확대한 것인, 석영 도가니의 투과율 측정 방법. - 제5항에 있어서,
상기 확대된 레이저 빔의 빔 지름이 5㎜ 이상 50㎜ 이하인, 석영 도가니의 투과율 측정 방법. - 제1항에 있어서,
상기 평행광은, 레이저 광원으로부터 출력된 레이저 빔을 레이저 라인광으로 변환한 것인, 석영 도가니의 투과율 측정 방법. - 제7항에 있어서,
상기 레이저 라인광의 스팟 길이가 10㎜ 이상 200㎜ 이하인, 석영 도가니의 투과율 측정 방법. - 석영 도가니의 한쪽의 벽면측에 배치되고, 상기 석영 도가니의 소정의 측정점을 향하여 평행광을 조사하는 광원과,
상기 석영 도가니의 다른 한쪽의 벽면측에 배치되고, 상기 석영 도가니의 투과광을 수광하는 복수의 검출기와,
상기 검출기에 의해 측정된 상기 투과광의 수광 레벨에 기초하여 상기 석영 도가니의 투과율을 산출하는 투과율 연산부를 구비하고,
상기 복수의 검출기는, 상기 다른 한쪽의 벽면 상의 상기 평행광의 출사점을 중심으로 하는 동심원 상의 복수의 위치에 각각 배치되어 상기 석영 도가니의 투과광의 수광 레벨을 측정하고,
상기 투과율 연산부는, 상기 복수의 위치에서 측정한 상기 투과광의 복수의 수광 레벨에 기초하여 상기 소정의 측정점에 있어서의 상기 석영 도가니의 투과율을 구하는 것을 특징으로 하는 석영 도가니의 투과율 측정 장치. - 제9항에 있어서,
상기 광원은 상기 석영 도가니의 외측에 배치되어 있고,
상기 검출기는 상기 석영 도가니의 내측에 배치되어 있고,
상기 광원으로부터 상기 석영 도가니에 조사한 평행광을 상기 검출기로 수광함으로써, 상기 석영 도가니의 투과율을 비파괴로 측정하는, 투과율 측정 장치. - 제9항에 있어서,
상기 광원의 위치를 상기 석영 도가니의 상기 한쪽의 벽면을 따라 높이 방향으로 이동시키는 투광 위치 변경 수단과,
상기 검출기의 위치를 상기 석영 도가니의 상기 다른 한쪽의 벽면을 따라 높이 방향으로 이동시키는 수광 위치 변경 수단을 추가로 구비하는, 투과율 측정 장치. - 제9항에 있어서,
상기 석영 도가니를 회전시키는 도가니 회전 기구를 추가로 구비하는, 투과율 측정 장치. - 제9항에 있어서,
상기 광원은, 레이저 빔을 출력하는 레이저 광원과,
상기 레이저 광원으로부터 출력된 상기 레이저 빔의 빔 지름을 확대하는 빔 익스팬더를 포함하는, 투과율 측정 장치. - 제13항에 있어서,
상기 확대된 레이저 빔의 빔 지름이 5㎜ 이상 50㎜ 이하인, 투과율 측정 장치. - 제9항에 있어서,
상기 광원은, 레이저 빔을 출력하는 레이저 광원과,
상기 레이저 광원으로부터 출력된 상기 레이저 빔을 레이저 라인광으로 변환하는 라인 제너레이터를 포함하는, 투과율 측정 장치. - 제15항에 있어서,
상기 레이저 라인광의 스팟 길이가 10㎜ 이상 200㎜ 이하인, 투과율 측정 장치.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2018-095299 | 2018-05-17 | ||
JP2018095299 | 2018-05-17 | ||
KR1020207032698A KR102468217B1 (ko) | 2018-05-17 | 2019-05-15 | 석영 도가니의 투과율 측정 방법 및 장치 |
PCT/JP2019/019357 WO2019221191A1 (ja) | 2018-05-17 | 2019-05-15 | 石英ルツボの透過率測定方法及び装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020207032698A Division KR102468217B1 (ko) | 2018-05-17 | 2019-05-15 | 석영 도가니의 투과율 측정 방법 및 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220132064A KR20220132064A (ko) | 2022-09-29 |
KR102513746B1 true KR102513746B1 (ko) | 2023-03-24 |
Family
ID=68539691
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020207032698A KR102468217B1 (ko) | 2018-05-17 | 2019-05-15 | 석영 도가니의 투과율 측정 방법 및 장치 |
KR1020227032761A KR102513746B1 (ko) | 2018-05-17 | 2019-05-15 | 석영 도가니의 투과율 측정 방법 및 장치 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020207032698A KR102468217B1 (ko) | 2018-05-17 | 2019-05-15 | 석영 도가니의 투과율 측정 방법 및 장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11703452B2 (ko) |
JP (1) | JP7196913B2 (ko) |
KR (2) | KR102468217B1 (ko) |
CN (1) | CN112243493B (ko) |
TW (1) | TWI736890B (ko) |
WO (1) | WO2019221191A1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102735790B1 (ko) * | 2024-04-25 | 2024-11-29 | 영진주식회사 | 탱크 수위 계측 및 조절 시스템과 그 방법 |
KR102772659B1 (ko) * | 2024-04-25 | 2025-02-26 | 영진주식회사 | 탱크 수위 계측 장치 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210100010A (ko) * | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
CN113176223A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-07-27 | 中山大学新华学院 | 一种红外分光光度检测仪 |
CN114202533B (zh) * | 2021-12-14 | 2024-12-27 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 检测单晶炉同轴度的方法、装置、设备及计算机存储介质 |
CN114295074B (zh) * | 2022-01-12 | 2023-06-27 | 重庆医科大学 | 一种测量单泡声致发光中气泡形状的方法及装置 |
CN115078543B (zh) * | 2022-07-19 | 2022-11-04 | 江苏圣锦硅业新材料有限公司 | 一种石英坩埚表面在线检测装置 |
CN116518894B (zh) * | 2023-07-05 | 2023-09-12 | 西安地山视聚科技有限公司 | 一种双层复合石英坩埚透明层厚度检测方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000146533A (ja) * | 1998-11-12 | 2000-05-26 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 透光体の厚み測定装置及び測定方法 |
WO2013094318A1 (ja) | 2011-12-22 | 2013-06-27 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | シリカガラスルツボの評価方法、シリコン単結晶の製造方法 |
WO2017158656A1 (ja) | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボ、シリカガラスルツボの製造方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0825833B2 (ja) * | 1990-04-27 | 1996-03-13 | 東芝セラミックス株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
JP2936392B2 (ja) | 1995-12-12 | 1999-08-23 | 三菱マテリアルクォーツ株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ |
JPH09210848A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Kao Corp | 透過散乱能測定方法及び装置 |
JP3942252B2 (ja) * | 1997-12-19 | 2007-07-11 | Juki株式会社 | 3次元測定装置 |
JP2000065644A (ja) * | 1998-08-25 | 2000-03-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 輻射透過率測定方法とその測定装置およびこれを用いて測定される石英ガラスルツボ |
KR100596048B1 (ko) * | 2002-07-08 | 2006-07-03 | 삼성코닝정밀유리 주식회사 | 유리기판의 에지 검사시스템 |
US7010863B1 (en) * | 2004-01-26 | 2006-03-14 | Owens-Brockway Glass Container Inc. | Optical inspection apparatus and method for inspecting container lean |
US20100089308A1 (en) | 2008-10-15 | 2010-04-15 | Japan Super Quartz Corporation | Silica glass crucible and method for pulling single-crystal silicon |
JP2009085795A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Nichias Corp | 高温における電磁波の反射率または透過率測定方法 |
JP5223478B2 (ja) * | 2008-06-11 | 2013-06-26 | 株式会社島津製作所 | 散乱特性評価装置 |
JP5069663B2 (ja) * | 2008-10-31 | 2012-11-07 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 多層構造を有する石英ガラスルツボ |
JP4987029B2 (ja) * | 2009-04-02 | 2012-07-25 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ |
JP2011033449A (ja) | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Sumco Corp | ウェーハの欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
KR20120077330A (ko) * | 2010-12-30 | 2012-07-10 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 패턴드 유리기판 투과율 측정장치 |
JPWO2014041736A1 (ja) | 2012-09-13 | 2016-08-12 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 窒化物半導体構造物 |
KR101856091B1 (ko) * | 2013-12-28 | 2018-05-09 | 가부시키가이샤 섬코 | 석영 유리 도가니 및 그의 왜곡 측정 장치 |
CN106868583B (zh) * | 2015-12-10 | 2019-06-14 | 有研半导体材料有限公司 | 一种石英坩埚 |
WO2017158655A1 (ja) | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社Sumco | ルツボ測定装置、ルツボ測定方法、ルツボの製造方法 |
JP6935790B2 (ja) | 2018-10-15 | 2021-09-15 | 株式会社Sumco | 石英るつぼ内周面の評価方法及び石英るつぼ内周面の評価装置 |
-
2019
- 2019-05-15 US US17/055,314 patent/US11703452B2/en active Active
- 2019-05-15 JP JP2020519897A patent/JP7196913B2/ja active Active
- 2019-05-15 WO PCT/JP2019/019357 patent/WO2019221191A1/ja active Application Filing
- 2019-05-15 CN CN201980033232.8A patent/CN112243493B/zh active Active
- 2019-05-15 KR KR1020207032698A patent/KR102468217B1/ko active IP Right Grant
- 2019-05-15 KR KR1020227032761A patent/KR102513746B1/ko active IP Right Grant
- 2019-05-17 TW TW108117069A patent/TWI736890B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000146533A (ja) * | 1998-11-12 | 2000-05-26 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 透光体の厚み測定装置及び測定方法 |
WO2013094318A1 (ja) | 2011-12-22 | 2013-06-27 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | シリカガラスルツボの評価方法、シリコン単結晶の製造方法 |
WO2017158656A1 (ja) | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボ、シリカガラスルツボの製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102735790B1 (ko) * | 2024-04-25 | 2024-11-29 | 영진주식회사 | 탱크 수위 계측 및 조절 시스템과 그 방법 |
KR102772659B1 (ko) * | 2024-04-25 | 2025-02-26 | 영진주식회사 | 탱크 수위 계측 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202004165A (zh) | 2020-01-16 |
KR20220132064A (ko) | 2022-09-29 |
JPWO2019221191A1 (ja) | 2021-05-20 |
US11703452B2 (en) | 2023-07-18 |
TWI736890B (zh) | 2021-08-21 |
JP7196913B2 (ja) | 2022-12-27 |
KR102468217B1 (ko) | 2022-11-16 |
US20210181106A1 (en) | 2021-06-17 |
CN112243493A (zh) | 2021-01-19 |
CN112243493B (zh) | 2024-08-27 |
KR20200142063A (ko) | 2020-12-21 |
WO2019221191A1 (ja) | 2019-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102513746B1 (ko) | 석영 도가니의 투과율 측정 방법 및 장치 | |
KR101438311B1 (ko) | 열처리 장치 | |
CN103936265B (zh) | 用于确定材料板形状的方法和用于确定玻璃物品形状的方法 | |
KR100720660B1 (ko) | 멜트 레벨 검출 장치 및 검출 방법 | |
US20100028567A1 (en) | Glass sheet defect detection device, glass sheet manufacturing method, glass sheet, glass sheet quality judging device, and glass sheet inspection method | |
CN104181131B (zh) | 红外调制光致发光二维成像光路自动定位校准装置 | |
JP5444053B2 (ja) | 多結晶シリコン薄膜検査方法及びその装置 | |
JP5868396B2 (ja) | ウェハ検査ツールにおける深uvレーザの寿命の延長 | |
KR20140122943A (ko) | 결정화 시료 검사 장치 | |
CN109075092B (zh) | 检测设备和检测方法 | |
CN204228607U (zh) | 一种红外调制光致发光二维成像光路自动定位校准装置 | |
KR102767077B1 (ko) | 석영 유리 도가니 | |
JP2003050180A (ja) | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 | |
KR101881752B1 (ko) | 라인빔을 사용하는 결함검출모듈 및 상기 결함검출모듈 어레이를 이용한 결함검출장치 | |
KR20240115731A (ko) | 석영 유리 도가니 | |
JP2005129679A (ja) | 光学的測定方法およびその装置およびそれを用いた結晶膜付き液晶基板の製造方法。 | |
ES2201925B1 (es) | Un sistema automatizado y un procedimiento para el estudio de superficies con propiedades dependientes de la irradiacion fotonica. | |
JP2012160590A (ja) | 有機el表示装置用シリコン膜検査方法及び有機el表示装置用シリコン膜検査装置 | |
KR20150043021A (ko) | 윈도우 기판의 절단면 검사 장치 | |
CN112179917A (zh) | 氟化物晶体内部缺陷和残余应力的检测装置及其检测方法 | |
KR20050002471A (ko) | 반도체 소자의 검사방법 | |
JPH0640079B2 (ja) | 熱定数測定装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
PA0104 | Divisional application for international application |
Comment text: Divisional Application for International Patent Patent event code: PA01041R01D Patent event date: 20220921 Application number text: 1020207032698 Filing date: 20201112 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20221014 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20230313 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20230321 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20230322 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration |