KR102511000B1 - 반도체 패키지용 클립 구조체 및 이를 포함하는 반도체 패키지 - Google Patents

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    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/071—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
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Abstract

본 발명은, 반도체 소자(120)의 상면 또는 하면의 단자부에 전도성 접착제(110a)를 개재하여 접합되는 제1 접합부(111), 제1 접합부(111)로부터 연장되어 절곡된 주연결부(112), 상면이 제1 접합부(111)의 상면보다 높게 형성된 제2 접합부(113), 주연결부(112)와 제2 접합부(113)의 일단 사이에 탄성적으로 연결되는 탄성부(114), 및 제2 접합부(113)의 타단으로부터 주연결부(112) 방향으로 절곡되어 연장되는 지지부(115)를 포함하며, 지지부(115)는 주연결부(112)의 연장면 기준으로 1° 내지 179°로 경사지도록 형성되어, 탄성구조로 이루어져 몰딩시 반도체 소자에 대한 누름 스트레스를 분산시킬 수 있는, 반도체 패키지용 클립 구조체(110)를 개시한다.

Description

반도체 패키지용 클립 구조체 및 이를 포함하는 반도체 패키지{CLIP STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE AND SEMICONDUCTOR PACKAGE INCLUDING THE SAME}
본 발명은 반도체 소자의 CTE와 유사한 소재로 형성된 고가의 수직구조의 메탈스페이서를 대체하여 가격경쟁력을 높이면서, 절곡 형성되어 탄성을 갖는 비수직구조의 클립 구조체에 의해서, 몰딩시의 누름 스트레스를 분산시키거나 흡수하여 반도체 소자를 보호하고 반도체 소자와 클립 구조체 사이 접합영역의 접착제의 크랙발생을 효과적으로 방지할 수 있는, 반도체 패키지용 클립 구조체 및 이를 포함하는 반도체 패키지에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 패키지는, 하부기판 또는 상부기판 상에 실장된 반도체칩, 반도체칩 상에 접착되는 스페이서 역할을 하는 메탈포스트인 전도체, Cu로 구성되어 외부 전기적 신호를 인가하는 리드프레임 및 봉지재로 몰딩된 패키지 하우징을 포함하여 구성되며, 반도체칩은 리드프레임 패드 상에 부착되고, 리드프레임 리드와는 Ag로 구성되는 도금층을 개재하여 신호선인 본딩 와이어에 의해 반도체칩의 패드와 전기적으로 연결된다.
예컨대, 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 종래의 반도체 패키지에서는, 하부 금속절연기판(11A) 상에 반도체칩(14)이 1차 접합부(12)를 개재하여 접합되고, 메탈스페이서인 수직구조의 육면체형 또는 원통형 전도체(17)는 2차 접합부(16)를 개재하여 반도체칩(14) 상에 접합되고 상부 금속절연기판(11B) 상에 3차 접합부(13)를 개재하여 접합되고, 하부 금속절연기판(11A)과 상부 금속절연기판(11B) 사이의 전기적 연결을 위한 수직구조의 금속 브릿지(18)가 형성된다.
하지만, 반도체칩은 기판 및 전도체와 각각 솔더를 개재하여 접합되는데, 기판(11A,11B)과 전도체(17)와 1차 접합부(12)와 2차 접합부(16) 상호간의 상이한 열팽창계수(CTE;Coefficient of Thermal Expansion)로 인해, 도 1의 (b)에 예시된 바와 같이, 1차 접합부(12) 또는 2차 접합부(16)에서 크랙(crack)이 발생하여 신뢰성 문제가 발생한다.
즉, CTE 차이로 인한 접합부의 크랙의 주요인은 반도체칩 표면에 접합된 메탈스페이서가 바로 수직으로 상부 금속절연기판에 접합되어 패키지 하우징 형성을 위한 몰딩시에 몰딩 금형이 상부 금속절연기판과 메탈스페이서를 가압하게 되어 반도체칩에 직접적인 충격을 주게 되어 제품수율이 저하된다.
한편, 반도체칩과의 CTE 차이를 최소화하기 위해 메탈스페이서 또는 메탈포스트를 대체하여 반도체칩의 CTE와 유사한 소재를 선정하여 사용하기도 하나, 기존의 메탈스페이서 또는 메탈포스트에 비해 상당한 고가여서 제품의 가격경쟁력이 저하된다.
한국 등록특허공보 제1643332호 (초음파 웰딩을 이용한 클립 본딩 반도체 패키지 및 그 제조 방법, 2016.07.21) 한국 등록특허공보 제10-0867573호 (열방출 능력이 개선된 전력용 모듈 패키지 및 그 제조 방법, 2008.11.10) 한국 공개특허공보 제2001-0111736호 (리드프레임의 배면에 직접 부착되는 절연방열판을구비하는 전력 모듈 패키지, 2001.12.20)
본 발명의 사상이 이루고자 하는 기술적 과제는, 반도체 소자의 CTE와 유사한 소재로 형성된 고가의 수직구조의 메탈스페이서를 대체하여 가격경쟁력을 높이면서, 절곡 형성되어 탄성을 갖는 비수직구조의 클립 구조체에 의해서, 몰딩시의 누름 스트레스를 분산시키거나 흡수하여 반도체 소자를 보호하고 반도체 소자와 클립 구조체 사이 접합영역의 접착제의 크랙발생을 효과적으로 방지할 수 있는, 반도체 패키지용 클립 구조체 및 이를 포함하는 반도체 패키지를 제공하는 데 있다.
전술한 목적을 달성하고자, 본 발명의 제1실시예는, 반도체 소자의 상면 또는 하면의 단자부에 전도성 접착제를 개재하여 접합되는 제1 접합부; 상기 제1 접합부로부터 연장되어 절곡된 주연결부; 상면이 상기 제1 접합부의 상면보다 높게 형성된 제2 접합부; 상기 주연결부와 상기 제2 접합부의 일단 사이에 탄성적으로 연결되는 탄성부; 및 상기 제2 접합부의 타단으로부터 상기 주연결부 방향으로 절곡되어 연장되는 지지부;를 포함하며, 상기 지지부는 상기 주연결부의 연장면 기준으로 1° 내지 179°로 경사지도록 형성되는, 반도체 패키지용 클립 구조체를 제공한다.
여기서, 상기 지지부의 종단과 상기 주연결부는 구조적으로 접촉될 수 있다.
또는, 상기 지지부의 종단과 상기 주연결부 사이는 0.1㎛ 내지 2㎜ 간격으로 이격될 수 있다.
또한, Cu 혹은 Al 단일 소재로 이루어지거나, 또는 Cu 혹은 Al 성분을 50% 이상 함유한 복합 소재로 이루어지고, 0.1㎜ 내지 2㎜의 두께로 형성될 수 있다.
또한, 상기 탄성부는 원호 형상으로 형성될 수 있다.
본 발명의 제2실시예는, 하나 이상의 제1 기판; 상기 제1 기판에 대향하여 이격 형성되는 하나 이상의 제2 기판; 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판 상에 탑재되는 하나 이상의 반도체 소자; 상기 반도체 소자의 상면 또는 하면의 단자부에 전도성 접착제를 개재하여 접합되는 제1 접합부와, 상기 제1 접합부로부터 연장되어 절곡된 주연결부와, 상면이 상기 제1 접합부의 상면보다 높게 형성된 제2 접합부와, 상기 주연결부와 상기 제2 접합부의 일단 사이에 탄성적으로 연결되는 탄성부와, 상기 제2 접합부의 타단으로부터 상기 주연결부 방향으로 절곡되어 연장되는 지지부로 이루어지고, 상기 지지부는 상기 주연결부의 연장면 기준으로 1° 내지 179°로 경사지도록 형성되는, 클립 구조체; 상기 반도체 소자를 감싸는 패키지 하우징; 및 상기 반도체 소자와의 전기적 연결을 위해 상기 패키지 하우징 외부로 노출되는 하나 이상의 터미널 단자;를 포함하며, 상기 클립 구조체의 제2 접합부는 상기 제2 기판, 상기 제1 기판, 또는 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 전도성 접착제 또는 비전도성 접착제를 개재하여 접합되는, 반도체 패키지를 제공한다.
본 발명의 제3실시예는, 하나 이상의 제1 반도체 소자가 탑재된 하나 이상의 제1 기판; 상기 제1 기판에 대향하여 이격 형성되고, 하나 이상의 제2 반도체 소자가 탑재된 하나 이상의 제2 기판; 상기 제1 반도체 소자의 상면 또는 하면의 단자부에 전도성 접착제를 개재하여 접합되는 제1 접합부와, 상기 제1 접합부로부터 연장되어 절곡된 주연결부와, 상면이 상기 제1 접합부의 상면보다 높게 형성된 제2 접합부와, 상기 주연결부와 상기 제2 접합부의 일단 사이에 탄성적으로 연결되는 탄성부와, 상기 제2 접합부의 타단으로부터 상기 주연결부 방향으로 절곡되어 연장되는 지지부로 이루어지고, 상기 지지부는 상기 주연결부의 연장면 기준으로 1° 내지 179°로 경사지도록 형성되는, 클립 구조체; 상기 제1 반도체 소자와 상기 제2 반도체 소자를 감싸는 패키지 하우징; 및 상기 제1 반도체 소자 또는 상기 제2 반도체 소자와의 전기적 연결을 위해 상기 패키지 하우징 외부로 노출되는 하나 이상의 터미널 단자;를 포함하며, 상기 클립 구조체의 제2 접합부는 상기 제2 반도체 소자의 상면 또는 하면의 단자부에 전도성 접착제를 개재하여 접합되는, 반도체 패키지를 제공한다.
본 발명의 제4실시예는, 하나 이상의 기판; 상기 기판 상에 탑재되는 하나 이상의 반도체 소자; 상기 반도체 소자의 상면 또는 하면의 단자부에 전도성 접착제를 개재하여 접합되는 제1 접합부와, 상기 제1 접합부로부터 연장되어 절곡된 주연결부와, 상면이 상기 제1 접합부의 상면보다 높게 형성된 제2 접합부와, 상기 주연결부와 상기 제2 접합부의 일단 사이에 탄성적으로 연결되는 탄성부와, 상기 제2 접합부의 타단으로부터 상기 주연결부 방향으로 절곡되어 연장되는 지지부로 이루어지고, 상기 지지부는 상기 주연결부의 연장면 기준으로 1° 내지 179°로 경사지도록 형성되는, 클립 구조체; 상기 반도체 소자를 감싸는 패키지 하우징; 및 상기 반도체 소자와의 전기적 연결을 위해 상기 패키지 하우징 외부로 노출되는 하나 이상의 터미널 단자;를 포함하며, 상기 클립 구조체의 제2 접합부의 상면 중 적어도 일부가 상기 패키지 하우징 표면으로 노출되는, 반도체 패키지를 제공한다.
여기서, 상기 클립 구조체의 지지부의 종단과 상기 주연결부는 구조적으로 접촉될 수 있다.
또한, 상기 클립 구조체의 지지부의 종단과 상기 주연결부 사이는 0.1㎛ 내지 2㎜ 간격으로 이격될 수 있다.
또한, 상기 클립 구조체는 Cu 혹은 Al 단일 소재로 이루어지거나, 또는 Cu 혹은 Al 성분을 50% 이상 함유한 복합 소재로 이루어지고, 0.1㎜ 내지 2㎜의 두께로 형성될 수 있다.
또한, 상기 탄성부는 원호 형상으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 클립 구조체의 두께는 상기 기판, 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판의 두께보다 작을 수 있다.
또한, 상기 기판, 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판은 하나 이상의 절연층을 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판, 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판은 Cu 혹은 Al 단일 소재로 이루어지거나, 또는 Cu 혹은 Al 성분을 50% 이상 함유한 복합 소재로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 패키지 하우징 표면으로부터 노출된 상기 제2 접합부의 적어도 일부는 열전달 부재를 통해 방열판과 접합될 수 있다.
또한, 상기 열전달 부재의 열전달률은 0.1w/mk 내지 15w/mk일 수 있다.
또한, 상기 열전달 부재는 전도체일 수 있다.
또한, 상기 기판, 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판의 일부는 상기 패키지 하우징 표면으로부터 노출될 수 있다.
또한, 앞서 기재된 반도체 패키지를 인버터 또는 컨버터 또는 OBC의 구동에 사용할 수 있다.
본 발명에 의하면, 반도체 소자의 CTE와 유사한 소재로 형성된 고가의 수직구조의 메탈스페이서를 대체하여 가격경쟁력을 높이면서, 절곡 형성되어 탄성을 갖는 비수직구조의 클립 구조체에 의해서, 몰딩시의 누름 스트레스를 분산시키거나 흡수하여 반도체 소자를 보호하고 반도체 소자와 클립 구조체 사이 접합영역의 접착제의 크랙발생을 효과적으로 방지할 수 있고, 기판 또는 클립 구조체의 일부를 패키지 하우징 외부로 노출시켜 방열효율을 높이도록 할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래기술에 의한 반도체 패키지를 예시한 것이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 의한 반도체 패키지용 클립 구조체의 사시도를 도시한 것이다.
도 3은 도 2의 반도체 패키지용 클립 구조체를 단면구조를 도시한 것이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 제2실시예에 의한 반도체 패키지의 단면구조를 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 제3실시예에 의한 반도체 패키지의 단면구조를 도시한 것이다.
도 7은 본 발명의 제4실시예에 의한 반도체 패키지의 단면구조를 도시한 것이다.
도 8은 도 7의 제4실시예에 의한 반도체 패키지의 방열구조를 도시한 것이다.
도 9는 도 4의 제2실시예를 구현한 반도체 패키지의 사시도를 도시한 것이다.
도 10은 도 9의 반도체 패키지의 측면구조 및 분해구조를 도시한 것이다.
도 11은 도 9의 반도체 패키지의 분해사시도를 도시한 것이다.
도 12는 도 9의 반도체 패키지가 적용된 전체 제품 디자인을 예시한 것이다.
도 13은 도 12의 분해사시도를 예시한 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 전술한 특징을 갖는 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하고자 한다.
본 발명의 제1실시예에 의한 반도체 패키지용 클립 구조체(110)는, 반도체 소자(120)의 상면 또는 하면의 단자부에 전도성 접착제(110a)를 개재하여 접합되는 제1 접합부(111), 제1 접합부(111)로부터 연장되어 절곡된 주연결부(112), 상면이 제1 접합부(111)의 상면보다 높게 형성된 제2 접합부(113), 주연결부(112)와 제2 접합부(113)의 일단 사이에 탄성적으로 연결되는 탄성부(114), 및 제2 접합부(113)의 타단으로부터 주연결부(112) 방향으로 절곡되어 연장되는 지지부(115)를 포함하며, 지지부(115)는 주연결부(112)의 연장면 기준으로 1° 내지 179°로 경사지도록 형성되어, 탄성구조로 이루어져 몰딩시 반도체 소자에 대한 누름 스트레스를 분산시키는 것을 요지로 한다.
이하, 도 2 및 도 3을 참조하여, 전술한 구조의 반도체 패키지용 클립 구조체(110)를 구체적으로 상술하면 다음과 같다.
본 실시예에 의한 클립 구조체(110)는 특정 형상으로 절곡 형성되어 탄성을 갖도록 형성되어서, 반도체 소자(120)와 전기적으로 연결되도록 접합되면서 제1 기판(130)과 제2 기판(140) 사이의 수직접합거리를 유지하는 스페이서의 역할을 수행하는데, 제1 기판(130)과 제2 기판(140)과 반도체 소자(120)의 몰딩시에 몰딩 금형(미도시)에 의한 수직방향으로의 누름 스트레스를 분산시켜서 반도체 소자(120)에 최소한의 충격이 전달되도록 하여 반도체 소자(120)의 내구성을 향상시키도록 한다.
즉, 클립 구조체(110)는 구조 및 기능 별로 구분하여 제1 접합부(111)와 주연결부(112)와 제2 접합부(113)와 탄성부(114)와 지지부(115)로 이루어질 수 있다.
구체적으로, 클립 구조체(110)는, 제1 기판(130) 또는 제2 기판(140)에 실장된 반도체 소자(120)의 상면(제1 기판(130)에 실장된 경우) 또는 하면(제 2기판에 실장된 경우)의 전기적 단자부에 전도성 접착제(110a)를 개재하여 접합되는 평판 형상의 제1 접합부(111)와, 제1 접합부(111)로부터 연장되어 누름 스트레스를 흡수하도록 굽어져 절곡된 주연결부(112)와, 상면이 제1 접합부(111)의 상면보다 높게 형성되어 제2 기판(140)에 접합되거나 패키지 하우징(150) 표면으로 노출되는 제2 접합부(113)와, 주연결부(112)와 제2 접합부(113)의 일단 사이에 누름 스트레스를 흡수하도록 탄성적으로 연결되는 탄성부(114)와, 제2 접합부(113)의 타단으로부터 주연결부(112) 방향으로 하향 절곡되어 연장되는 지지부(115)로 이루어질 수 있다.
이와 같이, 절곡된 주연결부(112)와 탄성적으로 연결되는 탄성부(114)에 의해서, 패키지 하우징(150) 형성을 위한 몰딩시 인가되는 누름 스트레스를 좌우 또는 상하 방향으로 흡수하여 분산시켜서 반도체 소자(120)에 직접적으로 영향을 주는 것을 차단하여 반도체 소자(120)의 내구성을 향상시킬 수 있다.
특히, 탄성부(114)는 주연결부(112)와 제2 접합부(113) 사이에 원호 형상으로 형성되어 수직 방향으로 누름 스트레스를 효과적으로 분산시키도록 할 수 있다.
여기서, 도 3의 (a)를 참고하면, 지지부(115)는 주연결부(112)의 연장면 기준으로 1° 내지 179°의 각도(a)로 경사지도록 형성되어 수직 방향의 누름 스트레스를 완충시켜 반도체 소자(120)로 직접적으로 전달되지 않도록 할 수 있다.
한편, 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 단면기판구조, 양면기판구조, 클립 구조체(110) 소재, 반도체 소자 또는 몰딩 소재에 따라 선택적으로, 지지부(115)의 종단과 주연결부(112)는 구조적으로 접촉되거나, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 지지부(115)의 종단과 주연결부(112) 사이는 0.1㎛ 내지 2㎜ 간격(d)으로 이격될 수 있다.
또한, 클립 구조체(110)는 전체적으로 Cu 혹은 Al 단일 소재로 이루어지거나, 또는 Cu 혹은 Al 성분을 50% 이상 함유한 복합 소재로 이루어지고, 0.1㎜ 내지 2㎜의 두께로 형성되어서, 양호한 연성(ductility) 및 전성(malleability) 특성을 가지도록 하여 누름 스트레스를 효과적으로 흡수하도록 할 수 있다.
후속하여, 앞서 언급한 클립 구조체(110)를 구비한 반도체 패키지를 기판 구조에 따라 제2실시예 내지 제4실시예로 구분하여 상술하고자 한다.
본 발명의 제2실시예에 의한 반도체 패키지는 제1 기판(130)과 제2 기판(140)과 제1 접합부(111)에 접촉하는 반도체 소자(120)로 이루어지고, 제3실시예에 의한 반도체 패키지는 제1 기판(130)과 제2 기판(140)과 제1 접합부(111) 및 제2 접합부(113)에 각각 접촉하는 반도체 소자(120)로 이루어지고, 제4실시예에 의한 반도체 패키지는 단일 기판(130)과 패키지 하우징(150) 표면으로 노출된 제2 접합부(113)와 제1 접합부(111) 또는 주연결부(112)에 접촉하는 반도체 소자(120)로 이루어진다.
이하, 도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 의한 반도체 패키지를 구체적으로 상술하면 다음과 같다.
우선, 하나 이상의 제1 기판(130)에는 하나 이상의 반도체 소자(120)가 실장되고, 제1 기판(130)은 전기적 연결이 가능하도록 특정 금속패턴이 형성된 하부기판일 수 있다.
다음, 하나 이상의 제2 기판(140)은 제1 기판(130)에 대향하여 이격 형성되고, 전기적 연결이 가능하도록 특정 금속패턴이 형성된 상부기판일 수 있다. 한편, 제2 기판(140)에는, 도 4와 같이, 반도체 소자(120)가 실장되지 않을 수 있고, 도 5와 같이, 반도체 소자(120)가 실장될 수도 있다.
여기서, 제1 기판(130) 또는 제2 기판(140)은 Al2O3(세라믹) 또는 AlN 등의 하나 이상의 절연층을 포함할 수 있다.
또는, 제1 기판(130) 또는 제2 기판(140)은 금속소재 또는 절연소재로 이루어질 수도 있다.
또는, 제1 기판(130) 또는 제2 기판(140)은 하나 이상의 금속층(131,141)과 Al2O3(세라믹) 또는 AlN 등의 하나 이상의 절연층(132,142)과, 하나 이상의 금속층(133,143)의 적층구조로 이루어질 수도 있으며, 각 금속층의 두께는 15㎛ 내지 2㎜일 수 있고, 각 금속층은 단일 금속층으로 구성되거나, 합금 금속층으로 구성되거나, 도금 형태의 금속층으로 구성될 수 있다.
다음, 반도체 소자(120)는 하나 이상으로 구성되어 제1 기판(130) 또는 제2 기판(140) 상에 탑재되되, 제1 기판(130) 상에(도 4 참조), 또는 제1 기판(130) 및 제2 기판(140) 상에(도 5 참조) 각각 일측면이 전도성 접착제(121)를 개재하여 접합된다.
한편, 반도체 소자(120)는 전력용 반도체칩인 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor), 다이오드, MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 또는 JFET(Junction Field Effect Transistor)로서, 이를 사용하여 전력을 변환하거나 제어하는 인버터(inverter) 또는 컨버터(converter) 또는 OBC(On Board Charger) 등의 장치의 구동에 사용될 수 있다.
다음, 반도체 패키지용 클립 구조체(110)는 앞서 언급한 클립 구조체(110)로서, 도 2 내지 도 5를 참조하면, 반도체 소자(120)의 상면 또는 하면의 단자부에 전도성 접착제(110a)를 개재하여 접합되는 제1 접합부(111)와, 제1 접합부(111)로부터 연장되어 절곡된 주연결부(112)와, 상면이 제1 접합부(111)의 상면보다 높게 형성된 제2 접합부(113)와, 주연결부(112)와 제2 접합부(113)의 일단 사이에 탄성적으로 연결되는 탄성부(114)와, 제2 접합부(113)의 타단으로부터 주연결부(112) 방향으로 절곡되어 연장되는 지지부(115)로 이루어지고, 지지부(115)는 주연결부(112)의 연장면 기준으로 1° 내지 179°로 경사지도록 형성되어, 누름 스트레스를 분산시키거나 흡수하여 반도체 소자(120)로 직접적으로 전달될 수 있는 충격을 완화시킬 수 있다.
여기서, 클립 구조체(110)의 제2 접합부(113)는 제2 기판(140), 제1 기판(130), 또는 제1 기판(130) 및 제2 기판(140)에 전도성 접착제(110b) 또는 비전도성 접착제(110b)를 개재하여 접합될 수 있다.
한편, 도 4에 예시된 바와 같이 클립 구조체(110)가 제1 기판(130)과 제2 기판(140) 사이에 단독으로 형성될 수 있고, 도 5에 예시된 바와 같이 클립 구조체(110)가 수직 방향으로 역전된 구조로 제1 기판(130)과 제2 기판(140) 사이에 한 쌍 이상으로 이격되어 형성될 수도 있다.
또한, 주연결부(112)는 제1 기판(130) 또는 제2 기판(140)에 별도의 접착제(110c)를 개재하여 접합될 수도 있다.
다음, 본딩와이어 또는 클립과 같은 전도성 연결부재(미도시)는 반도체 소자(120)와 패키징 하우징(150) 외부로 연장된 터미널 단자(160)와 전기적으로 연결하여, 전기적 신호를 인가하도록 할 수 있다(도 7 내지 도 8 참조).
다음, 패키지 하우징(150)은 EMC, PBT 또는 PPS 소재로 형성되어 절연시켜 내부회로, 예컨대 클립 구조체(110)와 반도체 소자(120)를 감싸서 보호하고, 터미널 단자(160)의 일부는 패키지 하우징(150) 외부로 노출되도록 형성된다.
다음, 하나 이상의 터미널 단자(160)는 반도체 소자(120)와의 전기적 연결을 위해 패키지 하우징(150) 외부로 노출되도록 연장 형성된다.
이에, 탄성구조를 갖는 클립 구조체(110)를 제1 기판(130)과 제2 기판(140) 사이에 접합시켜 스페이서 역할을 수행하면서 특정 형상으로 절곡 형성되어 누름 스트레스를 분산시키거나 흡수하여 외부 충격으로부터 반도체 소자(120)를 보호하도록 할 수 있다.
이하, 도 6을 참조하면, 본 발명의 제3실시예에 의한 반도체 패키지를 구체적으로 상술하면 다음과 같다.
우선, 하나 이상의 제1 기판(130)에는 하나 이상의 제1 반도체 소자(120A)가 탑재된다.
다음, 하나 이상의 제2 기판(140)은 제1 기판(130)에 대향하여 이격 형성되고, 하나 이상의 제2 반도체 소자(120B)가 탑재된다.
다음, 반도체 패키지용 클립 구조체(110)는 앞서 언급한 클립 구조체(110)로서, 도 2, 도 3 및 도 6을 참조하면, 제1 반도체 소자(120A)의 상면 또는 하면의 단자부에 전도성 접착제(110a)를 개재하여 접합되는 제1 접합부(111)와, 제1 접합부(111)로부터 연장되어 절곡된 주연결부(112)와, 상면이 제1 접합부(111)의 상면보다 높게 형성된 제2 접합부(113)와, 주연결부(112)와 제2 접합부(113)의 일단 사이에 탄성적으로 연결되는 탄성부(114)와, 제2 접합부(113)의 타단으로부터 주연결부(112) 방향으로 절곡되어 연장되는 지지부(115)로 이루어지고, 지지부(115)는 주연결부(112)의 연장면 기준으로 1° 내지 179°로 경사지도록 형성되어, 누름 스트레스를 분산시키거나 흡수하여 반도체 소자(120)로 직접적으로 전달될 수 있는 충격을 완화시킬 수 있다.
여기서, 클립 구조체(110)의 제2 접합부(113)는 제2 반도체 소자(120B)의 상면 또는 하면의 단자부에 전도성 접착제(110a)를 개재하여 접합된다.
다음, 본딩와이어 또는 클립과 같은 전도성 연결부재(미도시)는 제1 반도체 소자(120A) 또는 제2 반도체 소자(120B)와 패키징 하우징(150) 외부로 연장된 터미널 단자(160)와 전기적으로 연결하여, 전기적 신호를 인가하도록 할 수 있다(도 7 내지 도 8 참조).
다음, 패키지 하우징(150)은 EMC, PBT 또는 PPS 소재로 형성되어 절연시켜 내부회로, 예컨대 클립 구조체(110)와 제1 반도체 소자(120A)와 제2 반도체 소자(120B)를 감싸서 보호하고, 터미널 단자(160)의 일부는 패키지 하우징(150) 외부로 노출되도록 형성된다.
다음, 하나 이상의 터미널 단자(160)는 제1 반도체 소자(120A) 또는 제2 반도체 소자(120B)와의 전기적 연결을 위해 패키지 하우징(150) 외부로 노출되도록 연장 형성된다.
이에, 탄성구조를 갖는 클립 구조체(110)를 제1 기판(130)과 제2 기판(140) 사이에 접합시켜 스페이서 역할을 수행하면서 특정 형상으로 절곡 형성되어 누름 스트레스를 분산시키거나 흡수하여 외부 충격으로부터 제1 반도체 소자(120A)와 제2 반도체 소자(120B)를 보호하도록 할 수 있다.
이하, 도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 제4실시예에 의한 반도체 패키지를 구체적으로 상술하면 다음과 같다.
우선, 하나 이상의 기판(130)에는 하나 이상의 반도체 소자(120)가 실장되고, 기판(130)은 전기적 연결이 가능하도록 특정 금속패턴이 형성된 하부기판일 수 있다.
다음, 반도체 패키지용 클립 구조체(110)는 앞서 언급한 클립 구조체(110)로서, 도 2, 도 3, 도 7 및 도 8을 참조하면, 반도체 소자(120)의 상면 또는 하면의 단자부에 전도성 접착제(110a)를 개재하여 접합되는 제1 접합부(111)와, 제1 접합부(111)로부터 연장되어 절곡된 주연결부(112)와, 상면이 제1 접합부(111)의 상면보다 높게 형성된 제2 접합부(113)와, 주연결부(112)와 제2 접합부(113)의 일단 사이에 탄성적으로 연결되는 탄성부(114)와, 제2 접합부(113)의 타단으로부터 주연결부(112) 방향으로 절곡되어 연장되는 지지부(115)로 이루어지고, 지지부(115)는 주연결부(112)의 연장면 기준으로 1° 내지 179°로 경사지도록 형성되어, 누름 스트레스를 분산시키거나 흡수하여 반도체 소자(120)로 직접적으로 전달될 수 있는 충격을 완화시킬 수 있다.
여기서, 클립 구조체(110)의 제2 접합부(113)의 상면 중 적어도 일부가 패키지 하우징(150) 표면으로 노출되어, 반도체 소자(120)의 구동시 발생하는 발열을 클립 구조체(110)를 통해 패키지 하우징(150) 외부로 전달하여 방열하도록 할 수 있다.
또한, 도 7의 (a)와 같이, 주연결부(112)는 기판(130)에 별도의 접착제(110c)를 개재하여 접합될 수 있고, 도 7의 (b)와 같이, 주연결부(112)는 기판(130) 상의 다른 반도체 소자(120)의 상면에 형성된 접착제(110a)를 개재하여 접합될 수도 있다.
다음, 본딩와이어 또는 클립과 같은 전도성 연결부재는 반도체 소자(120)와 패키징 하우징(150) 외부로 연장된 터미널 단자(160)와 전기적으로 연결하여, 전기적 신호를 인가하도록 할 수 있다.
다음, 패키지 하우징(150)은 EMC, PBT 또는 PPS 소재로 형성되어 절연시켜 내부회로, 예컨대 클립 구조체(110)와 반도체 소자(120)를 감싸서 보호하고, 터미널 단자(160)의 일부는 패키지 하우징(150) 외부로 노출되도록 형성된다.
다음, 하나 이상의 터미널 단자(160)는 반도체 소자(120)와의 전기적 연결을 위해 패키지 하우징(150) 외부로 노출되도록 연장 형성된다.
이에, 탄성구조를 갖는 클립 구조체(110)를 특정 형상으로 절곡 형성하여 누름 스트레스를 분산시키거나 흡수하여 외부 충격으로부터 반도체 소자(120)를 보호하도록 하고, 클립 구조체(110)의 일부를 패키지 하우징(150) 표면으로 노출시켜 방열시키도록 할 수 있다.
앞서 제2실시예 내지 제4실시예의 반도체 패키지에서, 공통적으로, 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 클립 구조체(110)의 지지부(115)의 종단과 주연결부(112)는 구조적으로 접촉되거나, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 지지부(115)의 종단과 주연결부(112) 사이는 0.1㎛ 내지 2㎜ 간격(d)으로 이격될 수 있다.
또한, 클립 구조체(110)는 전체적으로 Cu 혹은 Al 단일 소재로 이루어지거나, 또는 Cu 혹은 Al 성분을 50% 이상 함유한 복합 소재로 이루어지고, 0.1㎜ 내지 2㎜의 두께로 형성되어서, 양호한 연성(ductility) 및 전성(malleability) 특성을 가지도록 하여 누름 스트레스를 효과적으로 흡수하도록 할 수 있다.
또한, 탄성부(114)는 주연결부(112)와 제2 접합부(113) 사이에 원호 형상으로 형성되어 수직 방향으로 누름 스트레스를 효과적으로 분산시키도록 할 수 있다.
또한, 클립 구조체(110)의 두께는 기판(130)(제4실시예), 제1 기판(130)(제2실시예, 제3실시예) 또는 제2 기판(140)(제2실시예, 제3실시예)의 두께보다 작을 수 있다.
또한, 기판(130), 제1 기판(130) 또는 제2 기판(140)은 Al2O3(세라믹) 또는 AlN 등의 하나 이상의 절연층을 포함할 수 있다.
또한, 기판(130), 제1 기판(130) 또는 제2 기판(140)은 Cu 혹은 Al 단일 소재로 이루어지거나, 또는 Cu 혹은 Al 성분을 50% 이상 함유한 복합 소재로 이루어질 수 있다. 예컨대, 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 기판(130)은 Cu 혹은 Al 단일 소재로 이루어지거나, 또는 Cu 혹은 Al 성분을 50% 이상 함유한 복합 소재로 이루어진 금속 기판일 수 있다.
또한, 터미널 단자(160)는 기판(130), 제1 기판(130) 또는 제2 기판(140)에 전도성 접착제를 개재하여 접합되거나, 초음파용접에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 도 8을 참조하면, 패키지 하우징(150) 표면으로부터 노출된 제2 접합부(113)의 적어도 일부는 열전달 부재(171)를 통해 방열판(172)과 접합되어서, 클립 구조체(110)로부터 열전달 부재(171)를 거처 방열판(172)으로 전달된 발열을 패키지 하우징(150) 외부로 효과적으로 방열시킬 수 있다.
여기서, 방열판(172)은 다수의 냉각핀을 구비하여 공랭식 또는 수냉식에 의해 냉각하도록 할 수 있다.
또한, 열전달 부재(171)는 열전달률은 0.1w/mk 내지 15w/mk을 갖는 전도체일 수 있다.
또한, 기판(130)(도 7, 도 8 참조), 제1 기판(130)(도 4 내지 도 6 참조) 또는 제2 기판(140)(도 4 내지 도 6 참조)의 일부는 패키지 하우징(150) 표면으로부터 노출되어서, 패키지 하우징(150)으로부터 노출된 기판을 통해 방열할 수도 있다.
한편, 앞서 기재된 반도체 패키지를 전력을 변환하거나 제어하는 인버터 또는 컨버터 또는 OBC의 구동에 사용할 수 있다.
한편, 도 9는 도 4의 제2실시예를 구현한 반도체 패키지의 사시도를 도시한 것이고, 도 10은 도 9의 반도체 패키지의 측면구조 및 분해구조를 도시한 것이고, 도 11은 도 9의 반도체 패키지의 분해사시도를 도시한 것이고, 도 12는 도 9의 반도체 패키지가 적용된 전체 제품 디자인을 예시한 것이고, 도 13은 도 12의 분해사시도를 예시한 것이다.
이를 참조하면, 각각 0.3mm 두께를 갖는 ZTA(Zirconia Toughened Alumina) 소재의 제1 기판(130)과 제2 기판(140) 사이에 0.2mm 두께를 갖는 탄성구조의 클립 구조체(110)가, 기존의 수직구조의 메탈스페이서를 대체하여, 형성되고, 제1 접합부(111)는 반도체 소자(120) 상에 Sn 솔더 소재의 전도성 접착제(110a)를 개재하여 접합되고, 주연결부(112)는 제1 기판(130)에 Sn 솔더 소재의 접착제(110c)를 개재하여 접합되고, 제2 접합부(113)는 제2 기판(140)에 SAC305(Sn 96.5%, Ag 3.0%, Cu 0.5%) 솔더 소재의 전도성 접착제(110b)를 개재하여 접합되어, 몰딩시 제1 기판(130)과 제2 기판(140) 사이의 누름 스트레스가 반도체 소자(120)로 직접적으로 전달되지 않도록 할 수 있다.
또한, 도 12 및 도 13에는 제1 기판(130) 또는 제2 기판(140)과 전기적으로 연결된 터미널리드(160)가 패턴형성된 리드프레임(180)이 예시되어 있는데, 앞서 언급한 구조의 반도체 패키지에서, 터미널 단자(160)의 일부가 연장되어 노출된 상태에서 몰딩되어 패키지 하우징(150)이 형성된다. 이후, 패키지 하우징(150) 외부의 리드프레임(180)을 커팅하여 제품화할 수 있다.
따라서, 전술한 바와 같은 반도체 패키지용 클립 구조체 및 이를 포함하는 반도체 패키지에 의해서, 반도체 소자의 CTE와 유사한 소재로 형성된 고가의 수직구조의 메탈스페이서를 대체하여 가격경쟁력을 높이면서, 절곡 형성되어 탄성을 갖는 비수직구조의 클립 구조체에 의해서, 몰딩시의 누름 스트레스를 분산시키거나 흡수하여 반도체 소자를 보호하고 반도체 소자와 클립 구조체 사이 접합영역의 접착제의 크랙발생을 효과적으로 방지할 수 있고, 기판 또는 클립 구조체의 일부를 패키지 하우징 외부로 노출시켜 방열효율을 높이도록 할 수 있다.
본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원 시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
110 : 클립 구조체 111 : 제1 접합부
112 : 주연결부 113 : 제2 접합부
114 : 탄성부 115 : 지지부
120 : 반도체 소자 120A : 제1 반도체 소자
120B : 제2 반도체 소자 121 : 전도성 접착제
130 : 기판, 제1 기판 131 : 금속층
132 : 절연층 133 : 금속층
140 : 제2 기판 141 : 금속층
142 : 절연층 143 : 금속층
150 : 패키지 하우징 160 : 터미널 단자
171 : 열전달 부재 172 : 방열판
180 : 리드프레임

Claims (26)

  1. 반도체 소자의 상면 또는 하면의 단자부에 전도성 접착제를 개재하여 접합되는 제1 접합부;
    상기 제1 접합부로부터 연장되어 절곡된 주연결부;
    상면이 상기 제1 접합부의 상면보다 높게 형성된 제2 접합부; 및
    상기 주연결부와 상기 제2 접합부의 일단 사이에 탄성적으로 연결되는 탄성부;를 포함하고,
    상기 탄성부는 원호 형상으로 형성되며,
    상기 주연결부는,
    상기 제2 접합부 방향으로 경사를 형성하는 제1 경사부와,
    상기 제1 경사부로부터 수평으로 연장되는 수평부와, 그리고
    상기 수평부로부터 상기 제1 접합부 방향으로 경사를 형성하는 제2 경사부가 포함된, 절곡부를 포함하고,
    상기 탄성부에 의해, 패키지 하우징 형성을 위한 몰딩시 상기 반도체 소자에 인가되는 누름 스트레스를 상하 방향으로 흡수 분산시키고,
    상기 절곡부에 의해, 상기 패키지 하우징 형성을 위한 몰딩시 상기 반도체 소자에 인가되는 누름 스트레스를 좌우 방향으로 흡수 분산시키는 것을 특징으로 하는,
    반도체 패키지용 클립 구조체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 접합부의 타단으로부터 상기 주연결부 방향으로 절곡되어 연장되는 지지부;를 더 포함하며,
    상기 지지부는 상기 주연결부의 연장면 기준으로 1° 내지 179°로 경사지도록 형성되는,
    반도체 패키지용 클립 구조체.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 지지부의 종단과 상기 주연결부는 구조적으로 접촉되는 것을 특징으로 하는,
    반도체 패키지용 클립 구조체.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 지지부의 종단과 상기 주연결부 사이는 0.1㎛ 내지 2㎜ 간격으로 이격되는 것을 특징으로 하는,
    반도체 패키지용 클립 구조체.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 패키지용 클립 구조체는 Cu 혹은 Al 단일 소재로 이루어지거나, 또는 Cu 혹은 Al 성분을 50% 이상 함유한 복합 소재로 이루어지고, 0.1㎜ 내지 2㎜의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는,
    반도체 패키지용 클립 구조체.
  6. 삭제
  7. 하나 이상의 제1 기판;
    상기 제1 기판에 대향하여 이격 형성되는 하나 이상의 제2 기판;
    상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판 상에 탑재되는 하나 이상의 반도체 소자;
    상기 반도체 소자의 상면 또는 하면의 단자부에 전도성 접착제를 개재하여 접합되는 제1 접합부와, 상기 제1 접합부로부터 연장되어 절곡된 주연결부와, 상면이 상기 제1 접합부의 상면보다 높게 형성된 제2 접합부와, 상기 주연결부와 상기 제2 접합부의 일단 사이에 탄성적으로 연결되는 탄성부를 포함하는, 클립 구조체;
    상기 반도체 소자를 감싸는 패키지 하우징; 및
    상기 반도체 소자와의 전기적 연결을 위해 상기 패키지 하우징 외부로 노출되는 하나 이상의 터미널 단자;를 포함하며,
    상기 클립 구조체의 상기 제2 접합부는 상기 제2 기판, 상기 제1 기판, 또는 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 전도성 접착제 또는 비전도성 접착제를 개재하여 접합되고,
    상기 탄성부는 원호 형상으로 형성되며,
    상기 주연결부는,
    상기 제2 접합부 방향으로 경사를 형성하는 제1 경사부와,
    상기 제1 경사부로부터 수평으로 연장되는 수평부와, 그리고
    상기 수평부로부터 상기 제1 접합부 방향으로 경사를 형성하는 제2 경사부가 포함된, 절곡부를 포함하고,
    상기 탄성부에 의해, 상기 패키지 하우징 형성을 위한 몰딩시 상기 반도체 소자에 인가되는 누름 스트레스를 상하 방향으로 흡수 분산시키고,
    상기 절곡부에 의해, 상기 패키지 하우징 형성을 위한 몰딩시 상기 반도체 소자에 인가되는 누름 스트레스를 좌우 방향으로 흡수 분산시키는 것을 특징으로 하는,
    반도체 패키지.
  8. 하나 이상의 제1 반도체 소자가 탑재된 하나 이상의 제1 기판;
    상기 제1 기판에 대향하여 이격 형성되고, 하나 이상의 제2 반도체 소자가 탑재된 하나 이상의 제2 기판;
    상기 제1 반도체 소자의 상면 또는 하면의 단자부에 전도성 접착제를 개재하여 접합되는 제1 접합부와, 상기 제1 접합부로부터 연장되어 절곡된 주연결부와, 상면이 상기 제1 접합부의 상면보다 높게 형성된 제2 접합부와, 상기 주연결부와 상기 제2 접합부의 일단 사이에 탄성적으로 연결되는 탄성부를 포함하는, 클립 구조체;
    상기 제1 반도체 소자와 상기 제2 반도체 소자를 감싸는 패키지 하우징; 및
    상기 제1 반도체 소자 또는 상기 제2 반도체 소자와의 전기적 연결을 위해 상기 패키지 하우징 외부로 노출되는 하나 이상의 터미널 단자;를 포함하며,
    상기 클립 구조체의 상기 제2 접합부는 상기 제2 반도체 소자의 상면 또는 하면의 단자부에 전도성 접착제를 개재하여 접합되고,
    상기 탄성부는 원호 형상으로 형성되며,
    상기 주연결부는,
    상기 제2 접합부 방향으로 경사를 형성하는 제1 경사부와,
    상기 제1 경사부로부터 수평으로 연장되는 수평부와, 그리고
    상기 수평부로부터 상기 제1 접합부 방향으로 경사를 형성하는 제2 경사부가 포함된, 절곡부를 포함하고,
    상기 탄성부에 의해, 상기 패키지 하우징 형성을 위한 몰딩시 상기 반도체 소자에 인가되는 누름 스트레스를 상하 방향으로 흡수 분산시키고,
    상기 절곡부에 의해, 상기 패키지 하우징 형성을 위한 몰딩시 상기 반도체 소자에 인가되는 누름 스트레스를 좌우 방향으로 흡수 분산시키는 것을 특징으로 하는,
    반도체 패키지.
  9. 하나 이상의 기판;
    상기 기판 상에 탑재되는 하나 이상의 반도체 소자;
    상기 반도체 소자의 상면 또는 하면의 단자부에 전도성 접착제를 개재하여 접합되는 제1 접합부와, 상기 제1 접합부로부터 연장되어 절곡된 주연결부와, 상면이 상기 제1 접합부의 상면보다 높게 형성된 제2 접합부와, 상기 주연결부와 상기 제2 접합부의 일단 사이에 탄성적으로 연결되는 탄성부를 포함하는, 클립 구조체;
    상기 반도체 소자를 감싸는 패키지 하우징; 및
    상기 반도체 소자와의 전기적 연결을 위해 상기 패키지 하우징 외부로 노출되는 하나 이상의 터미널 단자;를 포함하며,
    상기 클립 구조체의 상기 제2 접합부의 상면 중 적어도 일부가 상기 패키지 하우징 표면으로 노출되고,
    상기 탄성부는 원호 형상으로 형성되며,
    상기 주연결부는,
    상기 제2 접합부 방향으로 경사를 형성하는 제1 경사부와,
    상기 제1 경사부로부터 수평으로 연장되는 수평부와, 그리고
    상기 수평부로부터 상기 제1 접합부 방향으로 경사를 형성하는 제2 경사부가 포함된, 절곡부를 포함하고,
    상기 탄성부에 의해, 상기 패키지 하우징 형성을 위한 몰딩시 상기 반도체 소자에 인가되는 누름 스트레스를 상하 방향으로 흡수 분산시키고,
    상기 절곡부에 의해, 상기 패키지 하우징 형성을 위한 몰딩시 상기 반도체 소자에 인가되는 누름 스트레스를 좌우 방향으로 흡수 분산시키는 것을 특징으로 하는,
    반도체 패키지.
  10. 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 클립 구조체는, 상기 제2 접합부의 타단으로부터 상기 주연결부 방향으로 절곡되어 연장되는 지지부를 더 포함하며,
    상기 지지부는 상기 주연결부의 연장면 기준으로 1° 내지 179°로 경사지도록 형성되는,
    반도체 패키지.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 클립 구조체의 상기 지지부의 종단과 상기 주연결부는 구조적으로 접촉되는 것을 특징으로 하는,
    반도체 패키지.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 클립 구조체의 상기 지지부의 종단과 상기 주연결부 사이는 0.1㎛ 내지 2㎜ 간격으로 이격되는 것을 특징으로 하는,
    반도체 패키지.
  13. 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 클립 구조체는 Cu 혹은 Al 단일 소재로 이루어지거나, 또는 Cu 혹은 Al 성분을 50% 이상 함유한 복합 소재로 이루어지고, 0.1㎜ 내지 2㎜의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는,
    반도체 패키지.
  14. 삭제
  15. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 클립 구조체의 두께는 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는,
    반도체 패키지.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 클립 구조체의 두께는 상기 기판의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는,
    반도체 패키지.
  17. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판은 하나 이상의 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는,
    반도체 패키지.
  18. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판은 하나 이상의 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는,
    반도체 패키지.
  19. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판은 Cu 혹은 Al 단일 소재로 이루어지거나, 또는 Cu 혹은 Al 성분을 50% 이상 함유한 복합 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는,
    반도체 패키지.
  20. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판은 Cu 혹은 Al 단일 소재로 이루어지거나, 또는 Cu 혹은 Al 성분을 50% 이상 함유한 복합 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는,
    반도체 패키지.
  21. 제 9 항에 있어서,
    상기 패키지 하우징 표면으로부터 노출된 상기 제2 접합부의 적어도 일부는 열전달 부재를 통해 방열판과 접합되는 것을 특징으로 하는,
    반도체 패키지.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 열전달 부재의 열전달률은 0.1w/mk 내지 15w/mk인 것을 특징으로 하는,
    반도체 패키지.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 열전달 부재는 전도체인 것을 특징으로 하는,
    반도체 패키지.
  24. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판의 일부는 상기 패키지 하우징 표면으로부터 노출되는 것을 특징으로 하는,
    반도체 패키지.
  25. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판의 일부는 상기 패키지 하우징 표면으로부터 노출되는 것을 특징으로 하는,
    반도체 패키지.
  26. 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 반도체 패키지를 인버터, 컨버터, 및 OBC 중 어느 하나의 구동에 사용하는, 반도체 패키지.
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