KR102487799B1 - 임시 고정용 조성물 및 접합 구조체의 제조 방법 - Google Patents

임시 고정용 조성물 및 접합 구조체의 제조 방법 Download PDF

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    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29347—Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/32227—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the layer connector connecting to a bond pad of the item
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    • H01L2224/83203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
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    • H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
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    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399—Material
    • H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83417—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/83424—Aluminium [Al] as principal constituent
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    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399—Material
    • H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/83439—Silver [Ag] as principal constituent
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    • H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/83444—Gold [Au] as principal constituent
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Abstract

제1 피접합재와 제2 피접합재를 접합하는 데 앞서서 양자를 임시 고정하기 위해 사용되는 임시 고정용 조성물이다. 이 임시 고정용 조성물은, 25℃에서의 점도가 70mPaㆍs 미만이며 또한 비점이 200℃ 이하인 제1 유기 성분과, 25℃에서의 점도가 70mPaㆍs 이상이며 또한 비점이 210℃ 이상인 제2 유기 성분을 포함한다. 승온 속도 10℃/min, 질소 분위기, 시료 질량 30㎎의 조건에서 열 중량 시차 열 분석했을 때의 질량 95% 감소 온도가 300℃ 미만인 것이 적합하다.

Description

임시 고정용 조성물 및 접합 구조체의 제조 방법
본 발명은, 2개의 피접합재를 접합하는 데 앞서서 양자를 임시 고정하기 위해 사용되는 조성물에 관한 것이다. 또한 본 발명은 해당 조성물을 사용한 접합 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자와, 회로 기판이나 세라믹스 기판 등의 기판 또는 리드 프레임 등의 배선체의 접속에는, 지금까지 땜납이 사용되어 왔다. 땜납은 본래적으로 납을 포함하는 합금이며, 납이 환경 부하 물질이기 때문에, 근년의 환경 의식의 고조에 수반하여, 납을 포함하지 않는 납 프리 땜납이 여러가지 제안되어 있다.
그런데, 근년, 인버터 등 전력 변환ㆍ제어 장치로서 파워 디바이스라고 불리는 반도체 디바이스가 왕성하게 사용되어 오고 있다. 파워 디바이스는, 메모리나 마이크로프로세서와 같은 집적 회로와 달리, 고전류를 제어하기 위한 것이므로, 동작 시의 발열량이 매우 커진다. 따라서, 파워 디바이스의 실장에 사용되는 땜납에는 내열성이 요구된다. 그러나, 상술한 납 프리 땜납은, 통상의 납 함유 땜납에 비교해서 내열성이 낮다고 하는 결점을 갖는다.
그래서, 땜납을 사용하는 것 대신에, 금속 미립자를 포함하는 페이스트를 사용하고, 이를 각종의 도포 시공 수단에 의해 대상물에 도포하고, 소성하는 기술이 여러가지 제안되어 있다. 예를 들어 특허문헌 1에는, 반도체 칩과 칩 탑재부 사이에 은 입자를 포함하는 페이스트를 배치하고, 은 입자의 소결체에 의해 반도체 칩과 칩 탑재부를 접합하는 방법이 기재되어 있다. 이 방법에 있어서는, 칩 탑재부와 접촉하는 부분을 갖도록 택크성을 갖는 임시 고정제를 공급하고, 또한 반도체 칩의 이면의 일부가 임시 고정제와 접촉하도록 반도체 칩을 페이스트 상에 탑재하고 있다.
US2018/247884 A1
특허문헌 1에 기재된 기술에서는, 칩 탑재부에 배치된 임시 고정제와 은 입자를 포함하는 페이스트가 접촉하는 경우가 있다. 그 경우, 임시 고정제에 포함되는 성분의 종류에 따라서는, 은 입자를 포함하는 페이스트의 특성이 변화되어 버리는 경우가 있다. 이것은, 반도체 칩과 칩 탑재부의 접합에 문제가 생기는 하나의 요인이 된다. 따라서 본 발명의 과제는, 접합 재료의 특성에 영향을 미치는 일 없이, 해당 접합 재료에 의해 피접합재끼리를 순조롭게 접합하기 위해 사용되는 임시 고정용 조성물 및 해당 조성물을 사용한 접합 구조체의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명은 25℃에서의 점도가 70mPaㆍs 미만이며 또한 비점이 200℃ 이하인 제1 유기 성분과,
25℃에서의 점도가 70mPaㆍs 이상이며 또한 비점이 210℃ 이상인 제2 유기 성분을 포함하고,
제1 피접합재와 제2 피접합재를 접합하는 데 앞서서 양자를 임시 고정하기 위해 사용되는 임시 고정용 조성물을 제공하는 것이다.
도 1의 (a) 내지 (d)는 본 발명의 임시 고정용 조성물을 사용하여 2개의 피접합재를 접합하는 공정을 순차 도시하는 모식도이다.
본 발명은 임시 고정용 조성물에 관한 것이다. 임시 고정용 조성물은, 제1 피접합재와 제2 피접합재를 접합하는(즉 본 고정함) 데 앞서서 양자를 임시 고정하기 위해 사용되는 것이다. 임시 고정된 제1 피접합재와 제2 피접합재는, 다음 공정, 예를 들어 소결 공정에 의해 접합되어 접합 구조체가 된다.
「임시 고정」이란, 제1 피접합재와 제2 피접합재가 고정되어 있는 상태이며 또한 큰 외력이 가해졌을 때에 고정 상태가 변화하기는 하지만 작은 외력(예를 들어 제1 피접합재와 제2 피접합재의 임시 고정물을, 양쪽 피접합재의 접합면이 연직 방향을 향하도록 적재했을 때, 제1 또는 제2 피접합재의 어느 쪽인가가 자중에 의해 낙하하는 정도의 힘)에 따라서는 고정 상태에 변화가 없는 고정 양태인 것이다.
제1 피접합재 및 제2 피접합재의 종류에 특별히 제한은 없다. 일반적으로는, 제1 피접합재 및 제2 피접합재는 모두, 그것들의 접합 대상면에 금속을 포함하는 것이 바람직하다. 예를 들어 제1 피접합재 및 제2 피접합재의 적어도 한쪽으로서, 금속으로 이루어지는 면을 갖는 부재를 사용할 수 있다. 또한, 제1 피접합재 및 제2 피접합재의 적어도 한쪽으로서, 금속 미립자 및 유기 용매를 포함하는 페이스트의 건조체를 사용할 수도 있다. 구체적으로는, 제1 피접합재로서, 금속으로 이루어지는 면을 갖는 부재를 사용하고, 제2 피접합재로서, 금속 미립자 및 유기 용매를 포함하는 페이스트의 건조체를 사용할 수 있다. 또한, 페이스트의 건조체를 사용하는 경우에는, 구리 등의 금속으로 이루어지는 지지 기재에 페이스트를 도포 시공하여 건조시킴으로써 건조체로 하는 것이 바람직하다.
또한, 상술한 「금속 미립자 및 유기 용매를 포함하는 페이스트의 건조체」는, 예를 들어 다음 공정에 있어서 가열된 경우에는 해당 건조체 중에 포함되는 해당 금속 미립자끼리가 소결되므로, 해당 건조체는 소결 전구체라고 간주할 수 있다. 따라서 본 명세서에 있어서는, 이 이후, 「금속 미립자 및 유기 용매를 포함하는 페이스트의 건조체」라는 것을 「소결 전구체」라고도 말한다.
제1 피접합재가 금속으로 이루어지는 면을 갖는 부재로 이루어지고, 제2 피접합재가 소결 전구체로 이루어지는 경우, 제1 피접합재에 있어서의 금속과, 제2 피접합재에 있어서의 금속 미립자의 금속은, 동종이어도 되고, 이종이어도 된다. 여기서 말하는 「금속」이란, 다른 원소와 화합물을 형성하고 있지 않은 금속 바로 그 자체, 또는 2종류 이상의 금속의 합금의 것이다. 금속의 종류에 특별히 제한은 없지만, 본 발명의 임시 고정용 조성물이, 땜납 대체의 접합 부재와 병용되는 것인 것을 고려하면, 땜납의 융점보다도 높은 융점을 갖는 금속을 사용하는 것이 유리하다. 그와 같은 금속으로서는 예를 들어 구리, 은, 금, 알루미늄, 티타늄, 니켈 또는 그것들의 2종 이상의 조합으로 이루어지는 합금을 들 수 있다.
제1 피접합재 및 제2 피접합재 중 적어도 한쪽이, 금속으로 이루어지는 면을 갖는 부재인 경우, 해당 금속으로 이루어지는 면은 1종의 금속으로 구성되어 있어도 되고, 혹은 2종 이상의 금속으로 구성되어 있어도 된다. 2종 이상의 금속으로 구성되어 있는 경우에는, 당해 면은 합금이어도 된다. 금속으로 이루어지는 면은 일반적으로는 평면인 것이 바람직하지만, 경우에 따라서는 곡면이어도 된다.
제1 피접합재 및 제2 피접합재 중 적어도 한쪽이, 소결 전구체인 경우, 해당 소결 전구체는, 금속 미립자 및 유기 용매를 포함하는 페이스트의 도막으로부터 해당 유기 용매를 휘발시켜 제거한 건조체로 이루어진다.
페이스트에 포함되는 금속 미립자는, 1종의 금속으로 구성되어 있어도 되고, 혹은 2종 이상의 금속 합금으로 구성되어 있어도 된다. 또한, 금속 미립자는, 다른 2종 이상의 금속 미립자의 혼합물로 구성되어 있어도 된다.
금속 미립자의 체적 누적 입경 DSEM50은, 0.01㎛ 이상 30㎛ 이하인 것이 제1 피접합재와 제2 피접합재의 접합을 양호하게 유지하는 점에서 바람직하다. 마찬가지의 관점에서, 금속 미립자의 체적 누적 입경 DSEM50은 0.03㎛ 이상 20㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 0.05㎛ 이상 15㎛ 이하인 것이 한층 바람직하다.
체적 누적 입경 DSEM50은, 예를 들어 다음의 방법으로 측정된다. 마운테크사제 Mac-View를 사용하고, 금속 미립자의 SEM상을 읽어들인 후, SEM상 상의 금속 미립자를 무작위로 50개 이상 선택하고, 해당 입자의 입경(헤이우드 직경)을 측정한다. 이어서, 얻어진 헤이우드 직경으로부터, 입자가 진구라고 가정했을 때의 체적을 산출하고, 해당 체적의 누적 체적 50용량%에 있어서의 체적 누적 입경 DSEM50으로 한다.
금속 미립자의 형상에 특별히 제한은 없으며, 예를 들어 구상, 다면체상, 편평상, 부정형, 또는 그것들의 조합 등을 들 수 있다. 또한 금속 미립자는 그 입도 분포에 2개 이상의 피크를 갖고 있어도 된다.
금속 미립자는, 그 표면에 표면 처리제가 부착되어 있어도 된다. 금속 미립자의 표면에 표면 처리제를 부착시켜 둠으로써, 금속 미립자끼리의 과도한 응집을 억제할 수 있다.
표면 처리제는 특별히 한정되는 것은 아니며, 지방산, 지방족 아민, 실란 커플링제, 티타네이트계 커플링제, 알루미네이트계 커플링제 등을 사용할 수 있다. 이들을 사용함으로써, 입자의 표면과 상호 작용하고 페이스트 중에 포함되는 유기 용매와의 상용성을 향상시켜 페이스트의 유동성을 향상시키는 것이나, 입자 표면의 산화를 방지할 수 있다.
상기 페이스트 및 그 건조체인 소결 전구체에는, 페이스트나 소결 전구체의 각종 특성을 조정하기 위한 조정제를 적절히 함유시켜도 된다. 조정제로서는, 예를 들어 고체 환원제, 점도 조정제, 표면 장력 조정제를 들 수 있다.
고체 환원제로서는, 25℃에서 고체의 성질을 나타내고, 또한 환원 작용을 나타내는 것이 바람직하고, 예를 들어 비스(2-히드록시에틸)이미노트리스(히드록시메틸)메탄, 트리메틸올프로판, 리비톨, 글루코오스, 아스코르브산, 히드로퀴논 등을 들 수 있다.
점도 조정제로서는, 상기 페이스트의 점도의 고저를 조정할 수 있는 것이면 되고, 예를 들어 케톤류, 에스테르류, 알코올류, 글리콜류, 탄화수소, 폴리머 등을 들 수 있다.
표면 장력 조정제로서는, 상기 페이스트의 표면 장력을 조정할 수 있는 것이면 되고, 예를 들어 아크릴계 계면 활성제, 실리콘계 계면 활성제, 알킬폴리옥시에틸렌에테르, 지방산글리세롤에스테르 등의 폴리머나 알코올계, 탄화수소계, 에스테르계, 글리콜 등의 모노머를 들 수 있다.
상술한 소결 전구체는, 금속 미립자 및 유기 용매 그리고 필요에 따라서 조정제를 포함하는 페이스트의 도막으로부터 해당 유기 용매를 휘발시켜서 제거한 건조체로 이루어진다. 다만, 유기 용매는 그 전량이 제거될 필요는 없으며, 페이스트의 도막이 유동성을 상실하는 정도에 유기 용매가 제거되어 있으면 된다. 따라서, 소결 전구체 중에는 유기 용매가 잔존하고 있어도 된다. 소결 전구체에 포함되는 유기 용매의 비율은, 예를 들어 15질량% 이하로 할 수 있고, 특히 10질량% 이하로 할 수 있다.
상기한 유기 용매는 그 종류에 특별히 제한은 없으며, 금속 미립자를 분산시켜서 페이스트상으로 할 수 있는 것이면 된다. 유기 용매의 예로서는, 모노알코올, 다가알코올, 다가알코올알킬에테르, 다가알코올아릴에테르, 에스테르류, 질소 함유 복소환 화합물, 아미드류, 아민류, 포화탄화수소 등을 들 수 있다. 이들의 유기 용매는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
모노알코올로서는, 예를 들어 1-프로판올, 1-부탄올, 1-펜탄올, 1-헥산올, 시클로헥산올, 1-헵탄올, 1-옥탄올, 1-노난올, 1-데칸올, 글리시돌, 벤질알코올, 메틸시클로헥산올, 2-메틸1-부탄올, 3-메틸-2-부탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 2-프로판올, 2-에틸부탄올, 2-에틸헥산올, 2-옥탄올, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 2-n-부톡시에탄올, 2-페녹시에탄올, 테르피네올 등을 사용할 수 있다.
다가알코올로서는, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 헥실렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 등을 사용할 수 있다.
다가알코올알킬에테르로서는, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등을 사용할 수 있다.
다가알코올아릴에테르로서는, 에틸렌글리콜모노페닐에테르 등을 사용할 수 있다. 에스테르류로서는, 에틸셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트, γ-부티로락톤 등을 사용할 수 있다. 질소 함유 복소환 화합물로서는, N-메틸피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논 등을 사용할 수 있다. 아미드류로서는, 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드 등을 사용할 수 있다. 아민류로서는, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민 등을 사용할 수 있다. 포화탄화수소로서는, 예를 들어 헵탄, 옥탄, 노난, 데칸, 운데칸, 도데칸, 트리데칸, 테트라데칸, 펜타데칸, 헥사데칸 등을 사용할 수 있다.
본 발명에 있어서는, 제1 피접합재와, 제2 피접합재 사이에, 임시 고정용 조성물을 개재시켜서 양자를 임시 고정하고, 임시 고정된 양자를 접합함으로써, 접합 구조체가 제조된다. 임시 고정용 조성물의 성분은, 소결 전구체를 형성하기 위해 사용되는 페이스트에 포함되는 유기 용매의 종류나, 해당 페이스트에 포함되는 금속 미립자의 표면에 부착되어 있는 표면 처리제의 종류와의 관계에서 선택되는 것이 바람직하다.
임시 고정용 조성물은, 25℃에서의 점도가 70mPaㆍs 미만이며 또한 비점이 200℃ 이하인 유기 화합물(이하, 이 유기 성분을 「제1 유기 성분」이라고 함)과, 25℃에서의 점도가 70mPaㆍs 이상이며 또한 비점이 210℃ 이상인 유기 화합물(이하, 이 유기 성분을 「제2 유기 성분」이라고 함)을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 상기 임시 고정용 조성물에 포함되는 제1 유기 성분이, 25℃에서 상기 페이스트의 건조체, 즉 상기 소결 전구체의 양태를 변화시키지 않는 것인 것이 바람직하고, 모든 유기 성분이 25℃에서 상기 건조체의 양태를 변화시키지 않는 것인 것이 보다 바람직하다. 이와 같은 유기 성분이 임시 고정용 조성물 중에 포함되어 있으므로써, 제1 피접합재와 제2 피접합재 사이에 임시 고정용 조성물을 개재시켜서 양자를 임시 고정할 때, 소결 전구체가 변질되기 어려워져, 양쪽 피접합재를 확실하게 임시 고정할 수 있다.
본 발명에서 말하는 「건조체의 양태를 변화시키지 않음」이란, 건조체 상에 1μl의 유기 성분을 적하하고, 110℃ 이하의 조건으로 건조시킨 경우에 현미경에 의해 배율 140배로 관찰했을 때에 적하 전후에서 건조체에 변화가 확인되지 않는 것을 가리킨다. 「변화가 확인되지 않음」이란, 적하 전후에서 건조체로 변화가 전혀 관찰되지 않는 것 외에, 접합 후의 초음파 탐상상에 있어서도 적하의 흔적이 보여지지 않는 것도 포함한다.
또한, 임시 고정용 조성물을 구성하는 제1 유기 성분이, 상기 페이스트에 포함되는 상기 유기 용매 및/또는 상기 페이스트에 포함되는 상기 금속 미립자의 표면 처리제에 대하여 난용성의 액상 성분인 것이 바람직하다. 액상 성분이란 25℃에서 액체인 성분의 것이다. 액상 성분의 난용성 정도를 정량적으로 나타내면, 해당 액상 성분은, 상기 유기 용매 1g, 상기 조정제 1g 또는 상기 표면 처리제 1g과, 제1 유기 성분 9g을 25℃에서 혼합했을 때, 양자간에 액-액 계면이 관찰되거나, 또는 혼합액 내에 석출물이 관찰되는 것인 것이 바람직하다. 이와 같은 액상 성분이 임시 고정용 조성물 중에 포함되어 있으므로써, 임시 고정용 조성물을 개재하여 제1 피접합재와 제2 피접합재를 접촉시켜서 임시 고정한 경우에, 제1 피접합재 및/또는 제2 피접합재의 특성이, 임시 고정용 조성물에 영향받기 어려워진다. 특히 제1 피접합재 및/또는 제2 피접합재가 소결 전구체인 경우에, 해당 소결 전구체의 특성이 임시 고정용 조성물에 영향받기 어려워진다. 그 결과, 제1 피접합재와 제2 피접합재의 임시 고정을 확실하게 행하면서, 피접합재끼리를 확실하게 접합시키는 것이 가능하게 된다.
임시 고정용 조성물을 구성하는 제1 유기 성분이, 상술한 액-액 계면이 관찰되는 것이거나, 또는 석출물이 관찰되는 것인 것이 바람직하고, 모든 유기 성분이, 상술한 액-액 계면이 관찰되는 것이거나, 또는 석출물이 관찰되는 것인 것이 보다 바람직하다.
본 발명에서 말하는 「양자간에 액-액 계면이 관찰됨」이란, 상기 유기 용매 1g, 조정제 1g 또는 상기 표면 처리제 1g과, 상기 액상 성분 9g을 25℃에서 시험관에 넣고, 시험관 믹서로 10분 혼합한 후, 25℃에서 5분간 정치했을 때, 양자가 분리되어 양자의 계면이 관찰되는 것을 말한다.
또한, 본 발명에서 말하는 「혼합액 내에 석출물이 관찰됨」이란, 마찬가지로 상기 유기 용매 1g, 조정제 1g 또는 상기 표면 처리제 1g과, 상기 액상 성분 9g을 25℃에서 시험관에 넣고, 시험관 믹서로 10분 혼합한 후, 25℃에서 5분간 정치했을 때, 양자 중 한쪽의 석출물이, 다른 쪽의 액상 중에 관찰되는 것을 말한다.
임시 고정용 조성물에 포함되는 제1 유기 성분은, 제1 피접합재와 제2 피접합재를 임시 고정한 경우에, 이들의 피접합재를 변질시키기 어렵고, 또한 양쪽 피접합재가 임시 고정 상태의 사이에 용이하게 휘발할 수 있는 물질이다.
제1 유기 성분은, 25℃에서의 점도가 50mPaㆍs 이하인 것이 더욱 바람직하고, 40mPaㆍs 이하인 것이 한층 바람직하다. 또한, 제1 유기 성분은, 그 비점이 195℃ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 190℃ 이하인 것이 한층 바람직하다.
점도는, 레오미터에 의해 상정되는 점도에 의해 적용하는 센서(패럴렐 플레이트 등)를 적절히 변경하고 측정한 100/s의 값이다(이하 「점도」라고 할 때에는이 방법으로 측정된 값을 의미함).
제1 유기 성분은, 임시 고정용 조성물 중에 1질량% 이상 70질량% 이하 포함되는 것이, 제1 피접합재와 제2 피접합재의 임시 고정 상태를 확실하게 유지할 수 있는 관점 및 임시 고정 상태에 있어서 제1 피접합재 및 제2 피접합재를 변질시키기 어려운 관점에서 바람직하다. 이 관점에서, 제1 유기 성분은, 임시 고정용 조성물 중에 1질량% 이상 70질량% 이하 포함되는 것이 더욱 바람직하고, 1질량% 이상 50질량% 이하 포함되는 것이 한층 바람직하고, 1질량% 이상 30질량% 이하 포함되는 것이 한층 더 바람직하다.
제1 유기 성분으로서는, 상술한 바와 같이, 상기 소결 전구체의 양태를 변화시키지 않는 것이면 되고, 모노알코올, 다가알코올, 다가알코올알킬에테르, 다가알코올아릴에테르, 에스테르류, 질소 함유 복소환 화합물, 아미드류, 아민류, 포화 탄화수소, 테르펜알코올류, 케톤류, 카르복실산류 등, 상술한 유기 용매로서 열거한 것과 마찬가지의 것을 들 수 있다. 이들의 유기 성분은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
임시 고정용 조성물에는, 제1 유기 성분에 더하여, 제1 유기 성분과 다른 종류의 제2 유기 성분도 포함되어 있는 것이 바람직하다. 제2 유기 성분은 점착성이 높은 화합물인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 제2 유기 성분은, 제1 피접합재 및 제2 피접합재가 임시 고정되어 있는 상태에 있어서 임시 고정용 조성물로부터 제1 유기 성분이 휘발하여 제거된 후에 있어서도 제1 피접합재와 제2 피접합재 사이에 잔존하고, 점착성에 의해 양쪽 피접합재의 임시 고정 상태를 유지할 수 있는 것인 것이 바람직하다. 이 이점을 한층 현저한 것으로 하는 관점에서, 제2 유기 성분은, 25℃에서의 점도가 70mPaㆍs 이상인 것이 더욱 바람직하고, 점도는 무한대이어도 된다. 즉 제2 유기 성분은 25℃에서 고체이어도 된다. 또한, 제2 유기 성분은, 그 비점이 210℃ 이상인 것이 바람직하고, 220℃ 이상인 것이 더욱 바람직하다.
제2 유기 성분은, 제1 피접합재와 제2 피접합재를 가열에 의해 접합할 때, 열에 의해 제거 가능한 것인 것도 바람직하다. 「열에 의해 제거 가능」이란, 열에 의해 휘발하여 제거되는 경우나, 열에 의해 분해하여 제거되는 경우를 포함한다. 이 관점에서, 제2 유기 성분은 비교적 저분자량의 모노머인 것이 바람직하다. 구체적으로는 분자량이 1000 이하인 것이 바람직하고, 800 이하인 것이 더욱 바람직하고, 600 이하인 것이 한층 바람직하다.
제2 유기 성분은, 임시 고정용 조성물 중에 30질량% 이상 99질량% 이하 포함되는 것이, 제1 피접합재와 제2 피접합재의 임시 고정 상태를 확실하게 유지할 수 있는 관점에서 바람직하다. 마찬가지의 관점에서, 제2 유기 성분은, 임시 고정용 조성물 중에 50질량% 이상 99질량% 이하 포함되는 것이 보다 바람직하다.
제1 유기 성분과 제2 유기 성분의 질량 비율은 1:99 내지 70:30인 것이 바람직하고, 3:97 내지 60:40인 것이 보다 바람직하고, 5:95 내지 50:50인 것이 더욱 바람직하다.
제2 유기 성분으로서는, 제1 유기 성분으로서 열거한 것과 마찬가지의 것을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 특히 글리세린(비점 290℃, 1,2,4-부탄트리올(비점 312℃, 4-(1'-아세톡시-1'-메틸에틸)-시클로헥산올아세테이트(비점 223℃), 이소보르닐시클로헥산올(비점 313℃) 등이 바람직하게 사용된다. 또한, 25℃에서 고체의 것으로서는, 예를 들어 보르네올(비점 213℃, 2,4,6-트리이소프로필-1,3,5-트리옥산(비점 244℃), 트리메틸올프로판(비점 295℃), 미리스틸알코올(비점 260℃ 초과), 2,4-디에틸-1,5-펜탄디올(비점 264℃) 등이 바람직하게 사용된다. 이들 화합물은 1종을 단독으로 사용할 수 있고, 혹은 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
임시 고정용 조성물은, 제1 피접합재와 제2 피접합재를 소결에 의해 완전히 고정할 때까지의 동안의 임시 고정을 위해 사용되는 것인 것으로부터, 소결 후에 양쪽 피접합재간에 최대한 잔존하고 있지 않은 것이, 접합 구조체에 의도하지 않는 악영향을 미치지 않도록 하는 관점에서 바람직하다. 이 관점에서, 임시 고정용 조성물은, 질소 유통 하, 25℃로부터 승온 속도 2℃/min에서 40℃까지 승온하고 20분간 유지 후, 승온 속도 10℃/min, 질소 분위기 하(예를 들어 질소 유통 하), 시료 질량 30㎎의 조건에서 열 중량 시차 열 분석했을 때의 질량 95% 감소 온도가 300℃ 미만인 것이 바람직하고, 290℃ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 270℃ 이하인 것이 한층 바람직하다.
임시 고정용 조성물은, 상술한 제1 유기 성분 및 제2 유기 성분에 더하여 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서 다른 성분을 포함하고 있어도 된다. 임시 고정용 조성물에 있어서의 이들 다른 성분의 비율은, 그것들의 합계량이, 임시 고정용 조성물에 대하여 5질량% 이하인 것이 바람직하고, 3질량% 이하인 것이 한층 바람직하다.
임시 고정용 조성물은, 유기 고분자 화합물을 실질적으로 비함유하는 것이 바람직하다. 유기 고분자 화합물은 일반적으로 불휘발성이거나 휘발하기 어려운 물질이기 때문에, 유기 고분자 화합물이 임시 고정용 조성물 중에 포함되어 있으면, 제1 피접합재와 제2 피접합재를 소결에 의해 완전히 고정한 후에 양쪽 피접합재간에 유기 고분자 화합물 또는 그에 유래되는 화합물이 잔존할 가능성이 있다. 그와 같은 화합물은, 접합 구조체에 의도하지 않는 악영향을 미칠 우려가 있다. 이 관점에서, 임시 고정용 조성물은 유기 고분자 화합물을 비함유하는 것이 바람직하다. 마찬가지의 관점에서, 임시 고정용 조성물은 무기 화합물을 실질적으로 비함유하는 것도 바람직하다. 「유기 고분자 화합물을 실질적으로 비함유」란, 임시 고정용 조성물에 의도적으로 유기 고분자 화합물을 함유시키지 않지만, 임시 고정용 조성물에 불가피하게 유기 고분자 화합물이 혼입되는 것은 허용하는 것을 의미한다. 「무기 화합물을 실질적으로 비함유」도 마찬가지의 의미이다.
상기의 유기 고분자 화합물로서는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 및 에틸렌-α-올레핀 공중합체 등의 폴리올레핀; 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리부틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르; 폴리염화비닐 및 폴리스티렌 등의 비닐폴리머; 폴리(메트)아크릴산 및 폴리(메트)아크릴산알킬 등의 (메트)아크릴산계 폴리머; 폴리에틸렌글리콜, 테르펜 중합체, 테르펜페놀 중합체 등의 테르펜 폴리머; 폴리카르보네이트, 폴리에테르술폰 등을 들 수 있다.
이어서, 본 발명의 임시 고정용 조성물의 사용 방법에 대해서 설명한다.
도 1의 (a) 내지 (d)에는 임시 고정용 조성물을 사용하여 제1 피접합재와 제2 피접합재를 접합하는 공정이 모식적으로 도시되어 있다. 먼저 도 1의 (a)에 도시한 바와 같이, 기판(10) 상에 금속 미립자 및 유기 용매를 포함하는 페이스트를 도포하여 도막을 형성하고, 이 도막으로부터 유기 용매를 제거하여, 해당 페이스트의 건조체인 소결 전구체, 즉 제2 피접합재(11)를 형성한다. 도 1의 (a)에서는 1매의 기판(10)의 표면 상에 제2 피접합재(11)로서의 하나의 소결 전구체가 형성되어 있는 상태가 도시되어 있다. 기판(10)으로서는 예를 들어 구리, 은, 니켈, 금, 알루미늄 등의 금속, 또는 알루미나, 탄화규소, 질화규소, 질화알루미늄 등의 세라믹스를 들 수 있다. 또한 당해 금속이나 세라믹스 상에 구리, 은, 니켈, 금, 알루미늄 등의 금속 도금이나 금속 패턴이 편면 또는 양면에 형성되어 있어도 된다.
다음에 도 1의 (b)에 도시한 바와 같이, 제2 피접합재(11)의 표면에 임시 고정용 조성물(12)을 부여한다. 임시 고정용 조성물(12)의 부여는, 동 도면에 도시한 바와 같이 제2 피접합재(11)의 일부(예를 들어 소결 전구체(11)의 구석부)에만 행해도 되고, 혹은 제2 피접합재(11)의 전역에 걸쳐서 행해도 된다. 임시 고정용 조성물(12)의 부여에는, 공지된 방법, 예를 들어 디스펜스, 핀 전사, 잉크젯, 스크린 인쇄 등을 채용할 수 있다.
다음에 도 1의 (c)에 도시한 바와 같이, 제2 피접합재(11) 상에 제1 피접합재(13)를 중첩한다. 제1 피접합재(13)는 제2 피접합재(11)와의 대향면이 금속으로 구성되어 있다. 이 중첩에 의해, 양쪽 피접합재(11, 13) 사이에 임시 고정용 조성물(12)이 개재된다. 임시 고정용 조성물(12) 중에는, 바람직하게는, 제2 피접합재(11)인 소결 전구체의 양태를 변화시키는 성분은 포함되어 있지 않으므로, 제2 피접합재(11)는 그 형상이 안정적으로 유지된다. 또한, 임시 고정용 조성물(12) 중에는, 바람직하게는, 점착성이 높은 성분이 포함되어 있으므로, 양쪽 피접합재(11, 13)의 임시 고정 상태가 안정적으로 유지된다.
다음에, 임시 고정된 양쪽 피접합재(11, 13)를 가열한다. 가열에 의해 제2 피접합재(11), 즉 소결 전구체 중에 포함되는 금속 미립자가 소결되어, 양쪽 피접합재(11, 13)가 접합된다. 이 공정이 도 1의 (d)에 도시되어 있다. 가열은 통상 가열로(도시하지 않음)로 행해지기 때문에, 도 1의 (c)에 도시하는 임시 고정된 양쪽 피접합재(11, 13)는 반송 수단(도시하지 않음)에 의해, 동 도면에 도시하는 스테이지로부터 가열 스테이지로 반송된다. 양쪽 피접합재(11, 13)는 임시 고정용 조성물(12)에 의해 확실하게 임시 고정되어 있으므로, 반송 중에 양쪽 피접합재(11, 13) 사이에 위치 어긋남이 발생하는 것이 효과적으로 방지된다. 그 결과(13), 가열로에 있어서 양쪽 피접합재(11, 13)는 당초의 접합 예정 위치에서 확실하게 접합된다.
양쪽 피접합재(11, 13)를 가열하는 데 있어서, 가압 부재(14)를 사용하여 가압을 행하는 경우가 있다. 특히 제1 피접합재(13)가 반도체 파워 디바이스인 경우에는, 제1 피접합재(13)와 제2 피접합재(11)의 접합 신뢰성을 높게 할 필요가 있기 때문에, 치밀한 소결 구조를 형성하는 목적으로 가압 부재(14)를 사용하는 경우가 있다. 가압 부재(14)를 사용하면, 임시 고정된 상태의 양쪽 피접합재(11, 13) 사이에 위치 어긋남이 발생하기 쉽지만, 본 발명의 임시 고정용 조성물(12)을 사용하여 양쪽 피접합재(11, 13)를 임시 고정하면, 가압 부재(14)에 의해 양쪽 피접합재(11, 13)를 가압한 경우라도 양쪽 피접합재(11, 13) 사이에 위치 어긋남이 발생하기 어려워진다.
가열 시의 가압 부재(14)에 의한 가압은, 1㎫ 이상 40㎫ 이하인 것이, 양쪽 피접합재(11, 13)의 접합을 확실하게 행하는 점에서 바람직하다. 가열 온도는 200℃ 이상 300℃ 이하인 것이 바람직하다. 이 온도에서 가열함으로써, 제2 피접합재(11)인 소결 전구체 중의 금속 미립자를 확실하게 소결시킬 수 있고, 또한 임시 고정용 조성물(12)을 열에 의해 제거할 수 있다. 소성 분위기는, 대기 등의 산소 함유 분위기, 질소 등의 불활성 분위기 및 수소 함유 분위기의 어느 것을 사용할 수도 있다.
이상과 같이, 본 발명에 따르면, 25℃에서의 점도가 70mPaㆍs 미만이며 또한 비점이 200℃ 이하인 제1 유기 성분과, 25℃에서의 점도가 70mPaㆍs 이상이며 또한 비점이 210℃ 이상인 제2 유기 성분을 포함하는 조성물의, 제1 피접합재와 제2 피접합재를 접합하는 데 앞서서는 양자의 임시 고정을 위한 사용도 제공된다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명의 범위는, 이러한 실시예에 제한되지는 않는다. 특별히 정하지 않는 한,「%」는 「질량%」를 의미한다.
〔실시예 1〕
(1) 임시 고정용 조성물의 조제
제1 유기 성분으로서 데칸(25℃에서의 점도 0.7mPaㆍs, 비점 174℃)을 사용하였다. 제2 유기 성분으로서 2,4,6-트리이소프로필-1,3,5-트리옥산(25℃에서 고체, 비점 244℃)을 사용하였다. 양자를 혼합하여 임시 고정용 조성물을 조제하였다. 임시 고정용 조성물에 있어서의 제1 유기 성분의 농도는 70%이며, 제2 유기 성분의 농도는 30%이었다. 이 임시 고정용 조성물에는 유기 고분자 화합물 및 무기 화합물이 포함되어 있지 않았다.
<임시 고정용 조성물의 질량 감소 온도의 확인>
임시 고정용 조성물에 대해서, 질소 유통 하, 승온 속도 2℃/min으로 40℃까지 승온하고 20분간 유지 후, 승온 속도 10℃/min, 질소 유통 하, 시료 질량 30㎎의 조건에서, 브루커ㆍAXS사제의 시차열ㆍ열 중량 동시 측정 장치 TG-DTA2000SA에 의해 열 중량 시차 열 분석했을 때의 질량 95% 감소 온도는 152℃이었다.
(2) 접합용 페이스트의 조제
습식법으로 합성된 2종류의 구리 입자(구상, DSEM50=0.14㎛; 플레이크상 DSEM50=4.7㎛)와, 유기 용매로서 헥실렌글리콜 및 PEG300과, 고체 환원제 등의 그 외 조정제를 혼합하여 접합용 페이스트를 조제하였다. 고체 환원제로서는 비스(2-히드록시에틸)이미노트리스(히드록시메틸)메탄(이하 「BIS-TRIS」라고도 함)을 사용하였다.
접합용 페이스트에 있어서의 구리 입자의 비율은 74%이며, 헥실렌글리콜의 비율은 23.4%이며, PEG300의 비율은 0.74%이었다. 또한, 구리 입자에 차지하는 구상 입자의 비율은 30%이며, 플레이크상 입자의 비율은 70%이었다. 또한, 고체 환원제로서 사용된 BIS-TRIS의 비율은 1.85%이었다.
<건조체의 양태 변화 확인>
무산소 구리로 이루어지는 기판 상에 접합용 페이스트를 스크린 인쇄에 의해 도포하여, 1㎝×1㎝의 치수를 갖는 직사각형의 도막을 형성하였다. 이 도막을 110℃, 20분 건조시켜서 유기 용매를 제거함으로써, 건조체를 형성하였다. 그 후, 건조체에 실시예 1의 제1 유기 성분인 데칸을 1μl 적하하고, 그대로 현미경에 의해 배율 140배로 상태를 확인한 결과, 데칸의 적하 전후에서 건조체의 양태 변화는 보여지지 않았다.
접합용 페이스트에 포함되는 유기 용매인 PEG300 1g과, 임시 고정용 조성물에 있어서의 제1 유기 성분인 데칸 9g을 25℃에서 혼합하여 정치한 결과, 양자는 상분리하여, 양자의 액-액 계면이 관찰되었다.
접합용 페이스트에 포함되는 고체 환원제인 BIS-TRIS 1g과, 임시 고정용 조성물에 있어서의 제1 유기 성분인 데칸 9g을 25℃에서 혼합하여 정치한 결과, 양자는 상분리하여, 양자의 고-액 계면이 관찰되었다.
(3) 소결 전구체로 이루어지는 제2 피접합재의 형성
동판(20㎜×20㎜, 두께 0.5㎜)으로 이루어지는 기판 상에 접합용 페이스트를 스크린 인쇄에 의해 도포하여, 0.6㎝×0.6㎝의 치수를 갖는 직사각형의 도막을 형성하였다. 이 도막을 110℃, 20분 건조시켜서 유기 용매를 제거함으로써, 건조체인 소결 전구체로 이루어지는 제2 피접합재를 형성하였다.
(4) 제1 피접합재의 중첩
반도체 파워 디바이스의 모델 부재로서, Ag 도금한 알루미나칩을 준비했다(0.5㎝×0.5㎝, 두께 0.5㎜). 이 알루미나칩을 제1 피접합재로서 사용하였다. (3)에서 형성한 소결 전구체의 전체면에 몇방울의 임시 고정용 조성물을 적하하고, 계속해서 소결 전구체 상에 알루미나칩을 중첩하고, 0.8㎫, 2초의 하중을 가하였다.
<택크성의 평가>
알루미나칩을 중첩한 후, 상기의 동판과 알루미나칩의 접합면이 연직 방향을 향하도록 접합체를 세우고 그 후, 수평으로 되돌리는 조작을 10분 간격으로 합계 6회 실시하였다. 6회의 조작 중 어떠한 경우에서도, 알루미나칩은 동판으로부터 탈락되지 않고, 택크성은 확보되어 있었다.
〔실시예 2〕
실시예 1의 (1) 임시 고정용 조성물의 조제로 사용한 제2 유기 성분인 2,4,6-트리이소프로필-1,3,5-트리옥산을 대신하고 4-(1'-아세톡시-1'-메틸에틸)-시클로헥산올아세테이트(25℃에서 액체, 25℃에서의 점도 77mPaㆍs, 비점 223℃)를 사용하고, 제1 유기 성분인 데칸과의 질량비를 1:99로서 임시 고정용 조성물을 제작하였다. 그 이외는 실시예 1의 (4) 제1 피접합재의 중첩까지 실시예 1과 마찬가지로 하여 제작하였다.
실시예 2에서 제작한 기판에 대해서 상술한 택크성의 평가를 한 결과, 알루미나칩이 60분 후에도 탈락되지 않기 때문에, 택크성이 확보되어 있는 것을 알 수 있었다. 또한 접합 평가를 행한 결과 칩의 위치에 어긋남은 발생하지 않았다.
임시 고정용 조성물에 대해서, 실시예 1과 마찬가지의 조건에서 열 중량 시차 열 분석했을 때의 질량 95% 감소 온도는 233℃이었다.
〔비교예 1〕
실시예 1의 (1) 임시 고정용 조성물의 조제로 사용한 제2 유기 성분인 2,4,6-트리이소프로필-1,3,5-트리옥산을 사용하지 않고 임시 고정용 조성물을 제작하였다. 그 이외는 실시예 1의 (4) 제1 피접합재의 중첩까지 실시예 1과 마찬가지로 하였다. 제작한 기판에 대해서 상술한 택크성의 평가를 한 결과, 20분 후에 알루미나칩이 탈락된 것으로부터, 택크성이 확보되어 있지 않은 것을 알 수 있었다.
〔비교예 2〕
실시예 1의 (1) 임시 고정용 조성물의 조제로 사용한 제2 유기 성분인 2,4,6-트리이소프로필-1,3,5-트리옥산 대신에 캄포(25℃에서 고체, 비점 204℃)를 사용하여 임시 고정용 조성물을 제작하였다. 그 이외는 실시예 1의 (4) 제1 피접합재의 중첩까지 실시예 1과 마찬가지로 하였다. 제작한 기판에 대해서 상술한 택크성의 평가를 한 결과, 20분 후에 알루미나칩이 탈락되었기 때문에, 택크성이 확보되어 있지 않은 것을 알 수 있었다.
본 발명에 따르면, 접합 재료에 의해 피접합재끼리를 접합할 때, 해당 접합 재료의 특성을 최대한 변화시키지 않고, 피접합재끼리를 임시 고정할 수 있다.

Claims (9)

  1. 25℃에서의 점도가 70mPaㆍs 미만이며 또한 비점이 200℃ 이하인 제1 유기 성분과,
    25℃에서의 점도가 70mPaㆍs 이상이며 또한 비점이 210℃ 이상인 제2 유기 성분을 포함하고,
    제1 피접합재와 제2 피접합재를 접합하는 데 앞서서 양자를 임시 고정하기 위해 사용되는, 임시 고정용 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 유기 성분이, 25℃에서 제2 피접합재의 양태를 변화시키지 않는 것인, 임시 고정용 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    제1 피접합재 및 제2 피접합재 중 적어도 한쪽이, 금속 미립자, 유기 용매 및 조정제를 포함하는 페이스트의 건조체이며,
    상기 유기 용매 1g, 상기 금속 미립자에 부착되어 있는 표면 처리제 1g 또는 상기 조정제 1g과, 상기 임시 고정용 조성물 중의 제1 유기 성분 9g을 25℃에서 혼합했을 때, 양자간에 액-액 계면이 관찰되거나, 또는 혼합액 내에 석출물이 관찰되는, 임시 고정용 조성물.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    제1 유기 성분과 제2 유기 성분의 질량 비율이 1:99 내지 70:30인, 임시 고정용 조성물.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    승온 속도 10℃/min, 질소 분위기, 시료 질량 30㎎의 조건에서 열 중량 시차 열 분석했을 때의 질량 95% 감소 온도가 300℃ 미만인, 임시 고정용 조성물.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    유기 고분자 화합물을 실질적으로 비함유하는, 임시 고정용 조성물.
  7. 제1 피접합재와, 제2 피접합재 사이에, 임시 고정용 조성물을 개재시켜서 양자를 임시 고정하고,
    임시 고정된 양자에 대하여 소성을 행하고 양자를 접합하는 공정을 포함하는, 접합 구조체의 제조 방법이며,
    상기 임시 고정용 조성물로서, 25℃에서의 점도가 70mPaㆍs 미만이며 또한 비점이 200℃ 이하인 제1 유기 성분과,
    25℃에서의 점도가 70mPaㆍs 이상이며 또한 비점이 210℃ 이상인 제2 유기 성분을 포함하는 것을 사용하는, 접합 구조체의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 제1 피접합재 및 제2 피접합재 중 적어도 한쪽이, 금속 미립자 및 유기 용매를 포함하는 페이스트의 건조체인 소결 전구체로 이루어지는, 제조 방법.
  9. 25℃에서의 점도가 70mPaㆍs 미만이며 또한 비점이 200℃ 이하인 제1 유기 성분과,
    25℃에서의 점도가 70mPaㆍs 이상이며 또한 비점이 210℃ 이상인 제2 유기 성분을
    포함하는 조성물의 사용 방법이며,
    제1 피접합재와 제2 피접합재를 접합하는 데 앞서서 상기 조성물에 의해 양자를 임시 고정하는, 사용 방법.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000049450A (ja) 1998-05-25 2000-02-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の半田付け方法
JP2012033518A (ja) 2010-06-28 2012-02-16 Ayumi Kogyo Kk 接合構造体製造方法および加熱溶融処理方法ならびにこれらのシステム
JP2016066765A (ja) 2014-09-26 2016-04-28 日亜化学工業株式会社 素子の実装方法及び発光装置の製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19504351C2 (de) * 1995-02-10 1996-12-05 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Substratfixierung von elektronischen Bauelementen
JP2006222381A (ja) * 2005-02-14 2006-08-24 Olympus Corp 電子部品の実装方法及びその製造装置
JP4593328B2 (ja) * 2005-03-18 2010-12-08 電気化学工業株式会社 仮固定用接着剤組成物及び仮固定方法
JP4852893B2 (ja) * 2005-05-31 2012-01-11 住友ベークライト株式会社 プリアプライド用封止樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2011052051A (ja) * 2009-08-31 2011-03-17 Jsr Corp 接着剤組成物、それを用いた基材の加工または移動方法および半導体素子
JP2012126802A (ja) * 2010-12-14 2012-07-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd 仮固定剤および基材の加工方法
JP6450006B2 (ja) 2015-07-23 2019-01-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP6796937B2 (ja) * 2016-03-16 2020-12-09 日東電工株式会社 接合体の製造方法
CN110235222B (zh) * 2017-02-02 2023-07-14 株式会社力森诺科 电子部件的制造方法、临时保护用树脂组合物和临时保护用树脂膜
JP6801501B2 (ja) * 2017-02-23 2020-12-16 三菱マテリアル株式会社 絶縁回路基板の製造方法
JP6327630B1 (ja) * 2017-04-28 2018-05-23 リンテック株式会社 フィルム状焼成材料、支持シート付フィルム状焼成材料、フィルム状焼成材料の製造方法、及び支持シート付フィルム状焼成材料の製造方法
SG11202002760YA (en) * 2017-11-08 2020-05-28 Hitachi Chemical Co Ltd Method for producing joined body, and joining material
US11594513B2 (en) 2018-04-27 2023-02-28 Nitto Denko Corporation Manufacturing method for semiconductor device
JP7210842B2 (ja) * 2018-09-18 2023-01-24 株式会社レゾナック 接合体の製造方法、焼結銅ピラー形成用銅ペースト、及び接合用ピラー付部材
JPWO2021220929A1 (ko) * 2020-04-30 2021-11-04

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000049450A (ja) 1998-05-25 2000-02-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の半田付け方法
JP2012033518A (ja) 2010-06-28 2012-02-16 Ayumi Kogyo Kk 接合構造体製造方法および加熱溶融処理方法ならびにこれらのシステム
JP2016066765A (ja) 2014-09-26 2016-04-28 日亜化学工業株式会社 素子の実装方法及び発光装置の製造方法

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