KR102480425B1 - 방사선 검출기, 및 방사선 검출기의 제조 방법 - Google Patents

방사선 검출기, 및 방사선 검출기의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

방사선 검출기는 전하 수집 전극을 가지는 기판과, 기판에 대해서 일방 측에 배치되어, 페로브스카이트 구조체 입자 및 바인더 수지를 포함하는 방사선 흡수층과, 방사선 흡수층에 대해서 일방 측에 배치되어, 전하 수집 전극과의 사이에 전위차가 발생하도록 바이어스 전압이 인가되는 전압 인가 전극을 구비한다.

Description

방사선 검출기, 및 방사선 검출기의 제조 방법
본 개시는 방사선 검출기, 및 방사선 검출기의 제조 방법에 관한 것이다.
방사선 검출기의 방사선 흡수층에 적용 가능한 재료로서, 페로브스카이트(perovskite) 재료가 시사되어 있다. 페로브스카이트 재료는, CsI, a-Se, CdTe 등에 비해 염가인 것으로부터, 대면적의 방사선 검출기가 필요로 되는 분야(예를 들면, 의료 분야, 비파괴 검사 분야 등)에 있어서 우위성을 가질 것으로 예상된다. 비특허문헌 1에는, 페로브스카이트 재료의 스프레이 코트(spray coat)에 의해서 형성된 방사선 흡수층을 구비하는 직접 변환형의 방사선 검출기가 기재되어 있다.
「Detection of X-ray photons by solution-processed lead halide perovskites」, NATURE PHOTONICS, 영국, Nature publishing Group, May 25, 2015, Vol.9, p.444-449
상술한 바와 같은 방사선 흡수층의 두께는, 방사선의 흡수 효율을 향상시키는 관점에서, 예를 들면 100㎛ 이상인 것이 바람직하다. 그러나, 페로브스카이트 재료의 스프레이 코트에서는, 한 공정으로 수십㎚ 정도밖에 제막(製膜)할 수 없다. 따라서, 비특허문헌 1 기재의 방사선 검출기는, 양산성이라고 하는 관점에서, 현실적이지 않다.
그래서, 본 개시는 양산성이 뛰어난 방사선 검출기, 및 방사선 검출기의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시의 일 형태에 따른 방사선 검출기는, 전하 수집 전극을 가지는 기판과, 기판에 대해서 일방 측에 배치되어, 페로브스카이트 구조체 입자 및 바인더 수지를 포함하는 방사선 흡수층과, 방사선 흡수층에 대해서 일방 측에 배치되어, 전하 수집 전극과의 사이에 전위차가 발생하도록 바이어스 전압이 인가되는 전압 인가 전극을 구비한다.
이 방사선 검출기에서는, 방사선 흡수층이 페로브스카이트 구조체 입자 및 바인더 수지를 포함하기 때문에, 예를 들면 PIB(Particle in Binder) 법에 따라 방사선 흡수층을 용이하게 두껍게 할 수 있다. 따라서, 이 방사선 검출기는 양산성이 뛰어나다.
본 개시의 일 형태에 따른 방사선 검출기에서는, 방사선 흡수층은 상기 페로브스카이트 구조체 입자 이외의 무기 반도체 입자를 더 포함해도 된다. 이것에 의해, 방사선의 흡수에 의해서 방사선 흡수층에 있어서 발생한 전하(전자 및 정공)의 이동도를 증대시킬 수 있어, 충분한 감도 및 응답 특성을 얻는 것이 가능하게 된다.
본 개시의 일 형태에 따른 방사선 검출기에서는, 페로브스카이트 구조체 입자의 평균 입경은, 무기 반도체 입자의 평균 입경보다도 커도 된다. 이것에 의해, 방사선의 흡수 효율 및 감도를 향상시킬 수 있다.
본 개시의 일 형태에 따른 방사선 검출기는, 기판과 방사선 흡수층의 사이에 배치된 반도체 전하 수집층을 더 구비해도 된다. 이것에 의해, 방사선의 흡수에 의해서 방사선 흡수층에 있어서 발생한 전하(전자 또는 정공)를 원활하게 전하 수집 전극으로 이동시킬 수 있다.
본 개시의 일 형태에 따른 방사선 검출기에서는, 무기 반도체 입자의 도전형과 반도체 전하 수집층의 도전형은, 같아도 된다. 이것에 의해, 방사선의 흡수에 의해서 방사선 흡수층에 있어서 발생한 전하(전자 또는 정공)를 보다 원활하게 전하 수집 전극으로 이동시킬 수 있다.
본 개시의 일 형태에 따른 방사선 검출기는, 방사선 흡수층과 전압 인가 전극의 사이에 배치된 정공수송층을 더 구비해도 된다. 이것에 의해, 전하 수집 전극에 대해서 음(-)의 전위차가 발생하도록 전압 인가 전극에 바이어스 전압이 인가되었을 경우에, 방사선의 흡수에 의해서 방사선 흡수층에 있어서 발생한 정공을 원활하게 전압 인가 전극으로 이동시킬 수 있다.
본 개시의 일 형태에 따른 방사선 검출기의 제조 방법은, 페로브스카이트 구조체 입자, 바인더 수지 및 유기 용매를 포함하는 도포액을 조제하는 제1 공정과, 제1 공정 후에, 도포액을 이용한 스크린 인쇄에 의해서, 전하 수집 전극을 가지는 기판에 대해서 일방 측에, 페로브스카이트 구조체 입자 및 바인더 수지를 포함하는 방사선 흡수층을 형성하는 제2 공정과, 제2 공정 후에, 방사선 흡수층에 대해서 일방 측에, 전하 수집 전극과의 사이에 전위차가 발생하도록 바이어스 전압이 인가되는 전압 인가 전극을 형성하는 제3 공정을 포함한다.
이 방사선 검출기의 제조 방법에서는, 방사선 흡수층의 형성에 스크린 인쇄를 이용하고 있기 때문에, 방사선 흡수층을 용이하게 두껍게 할 수 있다. 따라서, 이 방사선 검출기의 제조 방법은, 방사선 검출기의 양산성이 뛰어나다.
본 개시의 일 형태에 따른 방사선 검출기의 제조 방법은, 제1 공정 전에, 페로브스카이트 구조체 결정 블록을 분쇄하여 페로브스카이트 구조체 입자를 얻는 공정을 더 포함해도 된다. 이것에 의해, 랜덤한 상태로 입경이 작게 된 페로브스카이트 구조체 입자가 얻어지기 때문에, 방사선 흡수층에 있어서의 페로브스카이트 구조체 입자의 충전율을 올리고, 방사선의 흡수 효율 및 감도가 뛰어난 방사선 흡수층을 얻을 수 있다.
본 개시에 의하면, 양산성이 뛰어난 방사선 검출기, 및 방사선 검출기의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 개시의 제1 실시 형태에 따른 방사선 검출기의 부분 단면도이다.
도 2는 도 1의 방사선 검출기의 구성도이다.
도 3은 본 개시의 제2 실시 형태에 따른 방사선 검출기의 부분 단면도이다.
도 4는 본 개시의 제3 실시 형태에 따른 방사선 검출기의 부분 단면도이다.
이하, 본 개시의 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일 또는 상당 부분에는 동일 부호를 부여하고, 중복되는 설명을 생략한다.
[제1 실시 형태]
도 1에 도시되는 바와 같이, 방사선 검출기(1A)는 패널(기판)(10)과, 치밀(緻密)층(반도체 전하 수집층)(2)과, 다공질층(반도체 전하 수집층)(3)과, 방사선 흡수층(4)과, 정공수송층(5)과, 전압 인가 전극(6)을 구비하고 있다. 방사선 검출기(1A)에서는, 패널(10)의 일방 측의 표면에, 치밀층(2), 다공질층(3), 방사선 흡수층(4), 정공수송층(5) 및 전압 인가 전극(6)이 이 순서대로 적층되어 있다. 방사선 검출기(1A)는, 예를 들면 X선 투과 화상을 형성하기 위해서, 방사선으로서 X선을 검출하는 고체 촬상 장치이다.
패널(10)은 유리 등의 절연 재료로 이루어지는 지지 기판(11)과, 복수의 화소(P)가 마련된 기능층(12)을 가지고 있다. 각 화소(P)는, 전하 수집 전극(13)과, 캐패시터(14)와, 박막 트랜지스터(15)를 포함하고 있다. 캐패시터(14)의 한쪽의 전극은, 전하 수집 전극(13)과 전기적으로 접속되어 있다. 캐패시터(14)의 다른 쪽의 전극은, 접지되어 있다. 박막 트랜지스터(15)의 한쪽의 전류 단자는, 캐패시터(14)의 한쪽의 전극과 전하 수집 전극(13)을 전기적으로 접속하는 배선과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터(15)의 다른 쪽의 전류 단자는, 판독용 배선(R)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터(15)의 제어 단자는, 행 선택용 배선(Q)과 전기적으로 접속되어 있다.
박막 트랜지스터(15)는 전계 효과 트랜지스터(FET) 또는 바이폴러 트랜지스터에 의해서 구성되어 있다. 박막 트랜지스터(15)가 FET에 의해서 구성되어 있는 경우에는, 제어 단자는 게이트에 상당하고, 전류 단자는 소스 또는 드레인에 상당한다. 박막 트랜지스터(15)가 바이폴러 트랜지스터인 경우에는, 제어 단자는 베이스에 상당하고, 전류 단자는 컬렉터 또는 이미터에 상당한다.
도 2에 도시되는 바와 같이, 패널(10)에 있어서, 복수의 화소(P)는, 매트릭스 모양으로 배치되어 있다. 화소(Pm , n)는 제m 행 제n 열에 위치하는 화소를 의미한다. m은 1이상 M(2이상의 정수) 이하의 정수이며, n은 1이상 N(2이상의 정수) 이하의 정수이다. 제m 행에 배치된 N개의 화소(Pm , n)의 각각이 포함하는 박막 트랜지스터(15)의 제어 단자는, 제m 행에 배치된 1개의 행 선택용 배선(Qm)과 전기적으로 접속되어 있다. 제n 열에 배치된 M개의 화소(Pm , n)의 각각이 포함하는 박막 트랜지스터(15)의 다른 쪽의 전류 단자는, 제n 열에 배치된 1개의 판독용 배선(Rn)과 전기적으로 접속되어 있다.
도 1에 도시되는 바와 같이, 방사선 흡수층(4)은, X선의 입사 방향으로부터 보았을 경우에 패널(10)의 모든 화소(P)를 덮도록, 패널(10)에 대해서 일방 측에 배치되어 있다. 방사선 흡수층(4)은 페로브스카이트 구조체 입자(4p) 및 바인더 수지(4r)를 포함하고 있다. 페로브스카이트 구조체 입자(4p)는, 예를 들면, CH3NH3PbClxBryI(3-x-y)(0<x+y<3), CH3NH3PbClxI(3-x)(0<x<3), CH3NH3PbCl3, CH3NH3PbBr3, CH3NH3PbI3 등의 할로겐화 메틸 암모늄납으로 이루어진다. 바인더 수지(4r)는, 예를 들면, 아크릴계 유기 수지, 폴리이미드, 폴리비닐 알코올, 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리우레탄계 유기 수지 등이다. 방사선 흡수층(4)에서는, 입사한 X선이 흡수되면, 그 흡수량에 따라 전하(전자 및 정공)가 발생한다.
방사선 흡수층(4)의 두께는, 1㎛~2㎜인 것이 바람직하다. 다만, X선의 흡수 효율을 향상시키는 관점에서는, 방사선 흡수층(4)의 두께는, 100㎛ 이상인 것이 바람직하다. 한편, X선의 흡수에 의해서 발생한 전하의 소멸(즉, 전자와 정공의 재결합에 의한 소멸)을 억제하여 전하의 수집 효율을 향상시키는 관점에서는, 방사선 흡수층(4)의 두께는, 1㎜ 이하인 것이 바람직하다. 페로브스카이트 구조체 입자(4p)의 밀도 CA에 대한 방사선 흡수층(4)의 막밀도 CB의 비 CB/CA는, 0.1~1인 것이 바람직하고, X선의 흡수에 의해서 발생한 전하의 이동도 및 X선의 흡수 효율을 향상시키는 관점에서는, 0.5 이상인 것이 보다 바람직하다. CA, CB는, 온도 25℃, 기압 1atm의 조건하에서 측정되는 밀도 또는 막밀도를 의미한다.
치밀층(2)은, X선의 입사 방향으로부터 보았을 경우에 패널(10)의 모든 화소(P)를 덮도록, 패널(10)과 방사선 흡수층(4)의 사이에 배치되어 있다. 치밀층(2)은 n형의 반도체 재료로 이루어진다. n형의 반도체 재료로서는, n형의 금속 산화물 반도체(예를 들면, 산화 티탄(TiO2), 산화 주석(SnO2), 산화 아연(ZnO), 산화철(Fe2O3), 산화 텅스텐(WO3), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 스트론튬(SrO), 산화 인듐(In2O3), 산화 세륨(CeO2), 산화 이트륨(Y2O3), 산화 란탄(La2O3), 산화 바나듐(V2O5), 산화 니오브(Nb2O3), 산화 탄탈(Ta2O5), 산화 니켈(NiO) 등의 금속 산화물)가 적합하다. 치밀층(2)은, X선의 흡수에 의해서 방사선 흡수층(4)에 있어서 발생한 전하 중, 정공의 주입을 저지하면서, 전자를 수취하여 전하 수집 전극(13) 측에 수집시킨다. 치밀층(2)의 두께는, 예를 들면, 1㎚~1㎛이다.
다공질층(3)은, X선의 입사 방향으로부터 보았을 경우에 패널(10)의 모든 화소(P)를 덮도록, 치밀층(2)과 방사선 흡수층(4)의 사이에 배치되어 있다. 다공질층(3)은 n형의 반도체 재료로 이루어진다. n형의 반도체 재료로서는, n형의 금속 산화물 반도체(예를 들면, 산화 티탄(TiO2), 산화 주석(SnO2), 산화 아연(ZnO), 산화철(Fe2O3), 산화 텅스텐(WO3), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 스트론튬(SrO), 산화 인듐(In2O3), 산화 세륨(CeO2), 산화 이트륨(Y2O3), 산화 란탄(La2O3), 산화 바나듐(V2O5), 산화 니오브(Nb2O3), 산화 탄탈(Ta2O5), 산화 니켈(NiO) 등의 금속 산화물)가 적합하다. 다공질층(3)은, X선의 흡수에 의해서 방사선 흡수층(4)에 있어서 발생한 전하 중, 정공의 주입을 저지하면서, 전자를 수취하여 전하 수집 전극(13) 측에 수집시킨다. 또한, 다공질층(3)은 다공질층(3)에 접촉하는 방사선 흡수층(4)의 표면적을 증대시켜, 방사선 흡수층(4)에 있어서의 X선의 흡수 효율을 향상시킨다. 다공질층(3)의 두께는, 예를 들면, 0.1㎚~10㎛이다.
전압 인가 전극(6)은, X선의 입사 방향으로부터 보았을 경우에 패널(10)의 모든 화소(P)를 덮도록, 방사선 흡수층(4)에 대해서 일방 측에 배치되어 있다. 전압 인가 전극(6)은, 알루미늄, 금, 은, 백금, 티탄 등의 금속, 주석 첨가 산화 인듐(ITO), 불소 첨가 산화 주석(FTO), 산화 주석(SnO2), 인듐 아연 산화물(IZO), 산화 아연(ZnO) 등의 도전성 금속 산화물, 도전성 고분자 등을 포함하는 유기계의 도전재료로 이루어진다. 전압 인가 전극(6)에는, 바이어스 전압 공급 전원(21)에 의해서, 각 화소(P)의 전하 수집 전극(13)과의 사이에 음의 전위차가 발생하도록 바이어스 전압이 인가된다.
정공수송층(5)은, X선의 입사 방향으로부터 보았을 경우에 패널(10)의 모든 화소(P)를 덮도록, 방사선 흡수층(4)과 전압 인가 전극(6)의 사이에 배치되어 있다. 정공수송층(5)은 p형의 반도체 재료로 이루어진다. p형의 반도체 재료로서는, 예를 들면, 요오드화 동(CuI), 티오시안산 구리(CuSCN), 산화 몰리브덴(MoO3), 산화 니켈(NiO) 등이 적합하다. 이것들은, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 이용해도 된다. 정공수송층(5)은, X선의 흡수에 의해서 방사선 흡수층(4)에 있어서 발생한 전하 중, 전자의 주입을 저지하면서, 정공을 수취하여 전압 인가 전극(6) 측에 수송한다. 정공수송층(5)의 두께는, 예를 들면, 10㎚~10㎛이다.
이상과 같이 구성된 방사선 검출기(1A)는, 다음과 같이 사용된다. 도 2에 도시되는 바와 같이, 방사선 검출기(1A)의 전압 인가 전극(6)이 바이어스 전압 공급 전원(21)과 전기적으로 접속된다. 또한, 방사선 검출기(1A)의 행 선택용 배선(Qm)이 게이트 드라이버(22)와 전기적으로 접속되고, 방사선 검출기(1A)의 판독용 배선(Rn)이 전하-전압 변환기 그룹(23)을 통해서 멀티플렉서(24)와 전기적으로 접속된다. 또한, 멀티플렉서(24)가 화상 처리부(25)와 전기적으로 접속되고, 화상 처리부(25)가 화상 표시부(26)와 전기적으로 접속된다. 또한, 게이트 드라이버(22), 전하-전압 변환기 그룹(23) 및 멀티플렉서(24) 등은, 방사선 검출기(1A)의 구성으로서, 패널(10)에 형성되는 경우도 있다.
이 상태에서, 도 1에 도시되는 바와 같이, 촬상 대상에 조사된 X선이 방사선 흡수층(4)에 입사하여, 당해 X선이 방사선 흡수층(4)에서 흡수되면, 방사선 흡수층(4)에서는, X선의 흡수량에 따라 전하(전자 및 정공)가 발생한다. 이때, 바이어스 전압 공급 전원(21)에 의해서, 각 화소(P)의 전하 수집 전극(13)과의 사이에 음의 전위차가 발생하도록 전압 인가 전극(6)에 바이어스 전압이 인가되어 있다. 그 때문에, X선의 흡수에 의해서 방사선 흡수층(4)에 있어서 발생한 전하 중, 전자는, 바이어스 전압의 작용에 따라서, 다공질층(3) 및 치밀층(2)을 통해서 각 화소(P)의 전하 수집 전극(13)에 수집되어, 각 화소(P)의 캐패시터(14)에 축적된다. 그 한편으로, X선의 흡수에 의해서 방사선 흡수층(4)에 있어서 발생한 전하 중, 정공은 정공수송층(5)을 통해서 전압 인가 전극(6)으로 수송된다.
그리고, 도 1 및 도 2에 도시되는 바와 같이, 게이트 드라이버(22)로부터, 제m 행의 행 선택용 배선(Qm)을 통해서 제어 신호가 송신되어, 제m 행의 각 화소(Pm , n)의 박막 트랜지스터(15)가 ON으로 된다. 게이트 드라이버(22)는, 이 제어 신호의 송신을 모든 행 선택용 배선(Qm)에 대해 순서대로 실시한다. 이것에 의해, 제m 행의 각 화소(Pm , n)의 캐패시터(14)에 축적된 전하가, 대응하는 각 판독용 배선(Rn)을 통해서 전하-전압 변환기 그룹(23)에 입력되고, 그 전하량에 따른 전압 신호가 멀티플렉서(24)에 입력된다. 멀티플렉서(24)는 각 화소(Pm , n)의 캐패시터(14)에 축적된 전하량에 따른 전압 신호를 화상 처리부(25)에 순서대로 출력한다. 화상 처리부(25)는 멀티플렉서(24)로부터 입력된 전압 신호에 기초하여 촬상 대상의 X선 투과 화상을 형성하고, 당해 X선 투과 화상을 화상 표시부(26)에 표시시킨다.
이상 설명한 바와 같이, 방사선 검출기(1A)에서는, 방사선 흡수층(4)이 페로브스카이트 구조체 입자(4p) 및 바인더 수지(4r)를 포함하기 때문에, 예를 들면 스크린 인쇄 등의 PIB법에 따라 방사선 흡수층(4)을 용이하게 두껍게 할 수 있다. 예를 들면, 스크린 인쇄 쪽이 스프레이 코트보다도 단시간에 소정의 두께의 방사선 흡수층(4)을 형성할 수 있다. 따라서, 방사선 검출기(1A)는 양산성이 뛰어나다.
또한, 방사선 검출기(1A)에서는, 방사선 흡수층(4)이 페로브스카이트 구조체 입자(4p) 및 바인더 수지(4r)를 포함하기 때문에, 바인더 수지(4r)가 절연물로서 기능하여, 암전류를 감소시킬 수 있다.
또한, 방사선 검출기(1A)에서는, 패널(10)과 방사선 흡수층(4)의 사이에, n형의 반도체 재료로 이루어지는 치밀층(2) 및 다공질층(3)이 배치되어 있다. 이것에 의해, 전하 수집 전극(13)에 대해서 음의 전위차가 발생하도록 전압 인가 전극(6)에 바이어스 전압이 인가된 상태에 있어서, X선의 흡수에 의해서 방사선 흡수층(4)에 있어서 발생한 전자를 원활하게 전하 수집 전극(13)으로 이동시킬 수 있다.
또한, 방사선 검출기(1A)는, 방사선 흡수층(4)과 전압 인가 전극(6)의 사이에, p형의 반도체 재료로 이루어지는 정공수송층(5)이 배치되어 있다. 이것에 의해, 전하 수집 전극(13)에 대해서 음의 전위차가 발생하도록 전압 인가 전극(6)에 바이어스 전압이 인가된 상태에 있어서, X선의 흡수에 의해서 방사선 흡수층(4)에 있어서 발생한 정공을 원활하게 전압 인가 전극(6)으로 이동시킬 수 있다.
다음으로, 방사선 검출기(1A)의 제조 방법에 대해 설명한다. 우선, ALD(원자층 퇴적법), SPD(스프레이 열분해법) 등에 의해서, 패널(10) 상에 치밀층(2)을 형성한다. 이어서, 금속 산화물 반도체의 나노 입자 혹은 마이크로 입자, 또는 그 전구체를 용매에 분산시켜 조정하여, 점성의 콜로이드 또는 페이스트를 작성한다. 작성한 콜로이드 또는 페이스트를 치밀층(2) 상에 도포하고, 그 도포층을 가열, 소성함으로써, 치밀층(2) 상에 다공질층(3)을 형성한다.
이어서, CH3NH2I 및 PbX2를 유기 용매 중에서 몰비 1:1로 혼합하여, 페로브스카이트 구조체 입자(4p)가 되는 할로겐화 메틸 암모늄납(여기에서는, CH3NH3PbX3(X는 I, Br 또는 Cl를 나타낸다. 이하, 동일하다.))을 작성한다. 유기 용매는 CH3NH2I와 PbX2 및 할로겐화 메틸 암모늄납을 용해시킬 수 있는 것이면 되고, 1종류의 용매로 이루어지는 것이어도 되며, 혹은, 혼합된 2종류 이상의 용매로 이루어지는 것이어도 된다. 유기 용매로서는, γ-부티로락톤, N-메틸-2-피롤리돈, N, N-디메틸 포름아미드 등을 들 수 있다.
용액 중에 있어서 PbX2가 완전하게 반응하면, 바인더 수지(4r)를 첨가하여 완전하게 용해시킴으로써, 페로브스카이트 구조체 입자(4p), 바인더 수지(4r) 및 유기 용매를 포함하는 도포액을 조제한다(제1 공정). 바인더 수지(4r)는 상술한 유기 용매에 가용(可溶)한 재료이면 되고, 1종류의 수지로 이루어지는 것이어도 되며, 혹은, 혼합된 2종류 이상의 수지로 이루어지는 것이어도 된다. 바인더 수지(4r)로서는, 아크릴계 유기 수지, 폴리이미드, 폴리비닐 알코올, 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리우레탄계 유기 수지 등을 들 수 있다. 바인더 수지(4r)의 첨가량은, 얻고 싶은 방사선 흡수층(4)의 두께에 따라, 용액 전량을 기준으로 하여, 예를 들면 5~90wt%의 범위에서 적절히 조정할 수 있다. 다만, 바인더 수지(4r)의 첨가량이 많게 되면 전하의 수집 효율이 저하되는 것으로부터, 바인더 수지(4r)의 첨가량은, 50wt% 이하인 것이 바람직하다. 그 한편으로, 바인더 수지(4r)의 첨가량이 적게 되면 혼합 용액의 점도가 낮아져 소정의 형상을 작성하는 것이 곤란하게 되는 것으로부터, 바인더 수지(4r)의 첨가량은, 10wt% 이상인 것이 바람직하다.
이어서, 페로브스카이트 구조체 입자(4p), 바인더 수지(4r) 및 유기 용매를 포함하는 도포액을 이용한 스크린 인쇄에 의해서, 다공질층(3) 상에 방사선 흡수층(4)을 형성한다(즉, 패널(10)에 대해서 일방 측에 방사선 흡수층(4)을 형성한다)(제2 공정). 보다 구체적으로는, 스크린 인쇄에 의해서 다공질층(3) 상에 도포액을 도포함으로써 다공질층(3) 상에 도포층을 형성하고, 도포층을 건조시켜 유기 용매를 휘발(揮發)시킴으로써 도포층으로부터 유기 용매를 제거하여, 다공질층(3) 상에 형성된 방사선 흡수층(4)을 얻는다.
도포층의 형성에는, 스프레이 코트, 스크린 인쇄, 스핀 코트(spin coat) 등, 진공 환경하에서의 실시가 필요로 되지 않는 도포법을 이용하는 것이 가능하지만, 100㎛ 이상의 두께의 페이스트층을 단시간에 형성할 수 있는 것으로부터, 스크린 인쇄가 특히 적합하다. 도포층의 건조는, 상온~150℃ 정도의 환경하에서 실시되는 것이 바람직하다. 다만, 유기 용매의 비점(沸點) 이상의 온도의 환경하에서 도포층의 건조가 실시되면 방사선 흡수층(4) 중에 기포가 잔존할 우려가 있기 때문에, 유기 용매의 비점 미만의 온도의 환경하에서 도포층의 건조가 실시되는 것이 특히 바람직하다. 또한, 할로겐화 메틸 암모늄납의 밀도에 대한 방사선 흡수층(4)의 막밀도의 비를 향상시키기 위해서, 건조 후의 도포층에 대해서 핫 프레스(hot press)를 실시하는 것도 효과적이다.
방사선 흡수층(4) 상에 정공수송층(5)을 형성한다. 정공수송층(5)은, 방사선 흡수층(4)과 마찬가지로, 스프레이 코트, 스크린 인쇄, 스핀 코트 등을 이용하여 형성할 수 있다. 혹은, 정공수송층(5)은 증착법, 스퍼터링법 등을 이용하여 형성할 수 있다.
정공수송층(5) 상에 전압 인가 전극(6)을 형성한다. 즉, 방사선 흡수층(4)에 대해서 일방 측에, 전하 수집 전극(13)과의 사이에 전위차가 발생하도록 바이어스 전압이 인가되는 전압 인가 전극(6)을 형성한다(제3 공정). 전압 인가 전극(6)은 스프레이 코트, 스크린 인쇄, 스핀 코트 등을 이용하여 형성할 수 있다. 혹은, 전압 인가 전극(6)은 증착법, 스퍼터링법 등을 이용하여 형성할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 방사선 검출기(1A)의 제조 방법에서는, 방사선 흡수층(4)의 형성에 스크린 인쇄를 이용하고 있기 때문에, 방사선 흡수층(4)을 용이하게 두껍게 할 수 있다. 따라서, 방사선 검출기(1A)의 제조 방법은, 방사선 검출기(1A)의 양산성이 뛰어나다.
[제2 실시 형태]
도 3에 도시되는 바와 같이, 방사선 검출기(1B)는, 방사선 흡수층(4)의 구성에 있어서, 상술한 방사선 검출기(1A)와 차이가 있다. 방사선 검출기(1B)에서는, 방사선 흡수층(4)은, 페로브스카이트 구조체 입자(4p) 및 바인더 수지(4r)에 더하여, 페로브스카이트 구조체 입자(4p) 이외의 무기 반도체 입자(4s)를 더 포함하고 있다. 무기 반도체 입자(4s)는 n형의 반도체 재료로 이루어진다. 즉, 무기 반도체 입자(4s)의 도전형은, 치밀층(2) 및 다공질층(3)의 도전형과 같다. n형의 반도체 재료로서는, 티탄, 규소, 아연, 니오브, 주석, 알루미늄 등의 산화물, 그것들의 황화물, 그것들의 할로겐화물 등이 적합하다. 무기 반도체 입자(4s)는 X선의 흡수에 의해서 방사선 흡수층(4)에 있어서 발생한 전하의 이동도를 증대시킨다.
또한, 페로브스카이트 구조체 입자(4p)를 포함하는 방사선 흡수층(4)에서는, 전자 쪽이 정공보다도 이동도가 크기 때문에, 무기 반도체 입자(4s)의 재료로서는, n형의 반도체 재료를 선택하는 것이 바람직하다. TiO2, SiO2, GeO2 등으로 이루어지는 무기 반도체 입자(4s)는, 전자의 이동도를 증대시키는 관점에서, 특히 바람직하다. 무기 반도체 입자(4s)는 페로브스카이트 재료의 결정 성장의 핵으로서도 기능한다.
방사선 검출기(1B)의 제조 방법은, PbX2가 완전하게 반응한 용액에 바인더 수지(4r) 및 무기 반도체 입자(4s)를 첨가하여 완전하게 용해시킴으로써, 페로브스카이트 구조체 입자(4p), 무기 반도체 입자(4s), 바인더 수지(4r) 및 유기 용매를 포함하는 도포액을 조제하는 점을 제외하고, 상술한 방사선 검출기(1A)의 제조 방법과 마찬가지이다.
방사선 흡수층(4)에서는, 페로브스카이트 구조체 입자(4p)의 평균 입경은, 무기 반도체 입자(4s)의 평균 입경보다도 크다. 무기 반도체 입자(4s)의 평균 입경은, 1㎚~200㎛인 것이 바람직하다. 다만, 무기 반도체 입자(4s)의 평균 입경이 10㎚ 이하가 되면, 무기 반도체 입자(4s)의 응집이 발생하여 방사선 흡수층(4)에 있어서의 무기 반도체 입자(4s)의 분산성이 나빠질 우려가 있기 때문에, 무기 반도체 입자(4s)의 평균 입경은, 50㎚ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 서로 이웃하는 전하 수집 전극(13) 사이에서의 크로스 토크(cross talk)의 발생을 억제하는 관점에서, 무기 반도체 입자(4s)의 평균 입경은, 패널(10)의 화소 피치(서로 이웃하는 전하 수집 전극(13)의 중심간 거리)의 50% 이하인 것이 바람직하다. 원하는 평균 입경을 가지는 무기 반도체 입자(4s)를 얻기 위해서는, 볼 밀(ball mill) 또는 유발(乳鉢)로 분쇄하는 방법, 체질하는 방법 등을 적절히 이용할 수 있다. 또한, 평균 입경이란, 일차 입자의 입경을 의미하고, 본 실시 형태에서는, 일본 시마즈 제작소제의 레이저 회절 입자 지름 분포 측정 장치 SALD-2300으로 측정했을 경우의 입경이다. 이 때, 평균 입경은 체적 기준 입도 분포 평균에 의해 정의되는 입경을 의미한다.
무기 반도체 입자(4s)의 혼합량은, 페로브스카이트 구조체 입자(4p)의 혼합량에 대해서, 70wt% 이하인 것이 바람직하다. 무기 반도체 입자(4s)의 혼합량이 많게 되면, 방사선 흡수층(4)의 저항값이 저하되어 암전류가 증가하거나, 방사선 흡수층(4)의 막밀도가 저하되어 X선의 흡수 효율이 저하되거나 할 우려가 있기 때문에, 무기 반도체 입자(4s)의 혼합량은, 페로브스카이트 구조체 입자(4p)의 혼합량에 대해서, 30wt% 이하인 것이 보다 바람직하다. 그 한편으로, 무기 반도체 입자(4s)의 혼합량이 적게 되면, 방사선 흡수층(4)에서의 전하의 수송재로서의 효과가 저하될 우려가 있기 때문에, 무기 반도체 입자(4s)의 혼합량은, 페로브스카이트 구조체 입자(4p)의 혼합량에 대해서, 10wt% 이상인 것이 보다 바람직하다.
페로브스카이트 구조체 입자(4p)의 밀도 CA에 대한 방사선 흡수층(4)의 막밀도 CB의 비 CB/CA는, 0.2~0.98인 것이 바람직하고, X선의 흡수에 의해서 발생한 전하의 이동도 및 X선의 흡수 효율을 향상시키는 관점에서는, 0.5 이상인 것이 보다 바람직하다. 다만, 무기 반도체 입자(4s)의 혼합량이 적어지면, 방사선 흡수층(4)에서의 전하의 수송재로서의 효과가 저하될 우려가 있기 때문에, 비 CB/CA는, 0.95 이하인 것이 보다 바람직하다.
이상 설명한 방사선 검출기(1B)에 의하면, 상술한 방사선 검출기(1A)와 마찬가지의 작용 효과가 달성된다.
또한, 방사선 검출기(1B)에서는, 방사선 흡수층(4)이 페로브스카이트 구조체 입자(4p) 및 바인더 수지(4r)에 더하여 무기 반도체 입자(4s)를 더 포함하고 있다. 이것에 의해, X선의 흡수에 의해서 발생한 전하(전자 및 정공)의 이동도를 증대시킬 수 있어, 충분한 감도 및 응답 특성을 얻는 것이 가능하게 된다.
X선의 흡수 효율을 향상시키기 위해서는 방사선 흡수층(4)을 두껍게 할 필요가 있지만, 전하 수집 전극(13)까지의 거리가 크게 되어 전하의 수집 효율이 저하될 우려가 있다. 방사선 흡수층(4)이 무기 반도체 입자(4s)를 포함하는 것은, 이와 같은 과제를 해결하는데 있어서 특히 중요하다.
또한, 방사선 검출기(1B)에서는, 페로브스카이트 구조체 입자(4p)의 평균 입경이 무기 반도체 입자(4s)의 평균 입경보다도 크다. 이것에 의해, X선의 흡수 효율 및 감도를 향상시킬 수 있다.
또한, 방사선 검출기(1B)에서는, 무기 반도체 입자(4s)의 도전형과 치밀층(2) 및 다공질층(3)의 도전형이 같은 n형이다. 이것에 의해, X선의 흡수에 의해서 방사선 흡수층(4)에 있어서 발생한 전자를 보다 원활하게 전하 수집 전극(13)으로 이동시킬 수 있다.
[제3 실시 형태]
도 4에 도시되는 바와 같이, 방사선 검출기(1C)는, 방사선 흡수층(4)의 구성에 있어서, 상술한 방사선 검출기(1A)와 차이가 있다. 방사선 검출기(1C)에서는, 방사선 흡수층(4)은, 페로브스카이트 구조체 입자(4p) 및 바인더 수지(4r)에 더하여 무기 반도체 입자(4s)를 더 포함하고 있다. 무기 반도체 입자(4s)는 n형의 반도체 재료로 이루어진다. 즉, 무기 반도체 입자(4s)의 도전형은, 치밀층(2) 및 다공질층(3)의 도전형과 같다. n형의 반도체 재료로서는, 티탄, 규소, 아연, 니오브, 주석, 알루미늄 등의 산화물, 그것들의 황화물, 그것들의 할로겐화물 등이 적합하다. 무기 반도체 입자(4s)는 X선의 흡수에 의해서 방사선 흡수층(4)에 있어서 발생한 전하의 이동도를 증대시킨다.
또한, 페로브스카이트 구조체 입자(4p)를 포함하는 방사선 흡수층(4)에서는, 전자 쪽이 정공보다도 이동도가 크기 때문에, 무기 반도체 입자(4s)의 재료로서는, n형의 반도체 재료를 선택하는 것이 바람직하다. TiO2, SiO2, GeO2 등으로 이루어지는 무기 반도체 입자(4s)는, 전자의 이동도를 증대시키는 관점에서, 특히 바람직하다. 무기 반도체 입자(4s)는 페로브스카이트 재료의 결정 성장의 핵으로서도 기능한다.
방사선 검출기(1C)의 제조 방법은, 바인더 수지(4r)를 용해시킨 용액에 페로브스카이트 구조체 입자(4p) 및 무기 반도체 입자(4s)를 첨가하여 완전하게 용해시킴으로써, 페로브스카이트 구조체 입자(4p), 무기 반도체 입자(4s), 바인더 수지(4r) 및 유기 용매를 포함하는 도포액을 조정하는 점을 제외하고, 상술한 방사선 검출기(1A)의 제조 방법과 마찬가지이다.
즉, CH3NH2I 및 PbX2를 유기 용매 중에서 몰비 1:1로 혼합하여, 페로브스카이트 구조체 입자(4p)가 되는 할로겐화 메틸 암모늄납(여기에서는, CH3NH3PbX3)을 작성한다. 용액 중에 있어서 PbX2가 완전하게 반응하면, 당해 용액을 증류하여, 할로겐화 메틸 암모늄납으로 이루어지는 페로브스카이트 구조체 결정 블록을 얻는다. 그리고, 페로브스카이트 구조체 결정 블록을 분쇄하여 페로브스카이트 구조체 입자(4p)를 얻는다.
이어서, 바인더 수지(4r)와 유기 용매를 혼합하여, 유기 용매에 바인더 수지(4r)를 완전하게 용해시킨다. 유기 용매는 바인더 수지(4r)를 용해시킬 수 있는 것이면 되고, 1종류의 용매로 이루어지는 것이어도 되며, 혹은, 혼합된 2종류 이상의 용매로 이루어지는 것이어도 된다. 바인더 수지(4r)로서는, 아크릴계 유기 수지, 폴리이미드, 폴리비닐 알코올, 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리우레탄계 유기 수지 등을 들 수 있다. 또한, 유기 용매로서는, 방향족류, 케톤류, 알코올류, 글리콜류, 글리콜에테르류, 에테르류 등을 들 수 있다.
이어서, 바인더 수지(4r)를 용해시킨 용액에 페로브스카이트 구조체 입자(4p) 및 무기 반도체 입자(4s)를 첨가하여 완전하게 용해시킴으로써, 페로브스카이트 구조체 입자(4p), 무기 반도체 입자(4s), 바인더 수지(4r) 및 유기 용매를 포함하는 도포액을 조정한다.
방사선 흡수층(4)에서는, 페로브스카이트 구조체 입자(4p)의 평균 입경은, 무기 반도체 입자(4s)의 평균 입경보다도 크다. 무기 반도체 입자(4s)의 평균 입경은, 1㎚~200㎛인 것이 바람직하다. 다만, 무기 반도체 입자(4s)의 평균 입경이 10㎚ 이하가 되면, 무기 반도체 입자(4s)의 응집이 발생하여 방사선 흡수층(4)에 있어서의 무기 반도체 입자(4s)의 분산성이 나빠질 우려가 있기 때문에, 무기 반도체 입자(4s)의 평균 입경은, 50㎚ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 서로 이웃하는 전하 수집 전극(13) 사이에서의 크로스 토크의 발생을 억제하는 관점에서, 무기 반도체 입자(4s)의 평균 입경은, 패널(10)의 화소 피치(서로 이웃하는 전하 수집 전극(13)의 중심간 거리)의 50% 이하인 것이 바람직하다. 원하는 평균 입경을 가지는 무기 반도체 입자(4s)를 얻기 위해서는, 볼 밀 또는 유발로 분쇄하는 방법, 체질하는 방법 등을 적절히 이용할 수 있다.
또한, 무기 반도체 입자(4s)의 평균 입경이 페로브스카이트 구조체 입자(4p)의 평균 입경보다도 크면, 혼합시의 부피 밀도를 저하시켜, 건조 후의 막밀도의 저하의 원인이 된다. 무기 반도체 입자(4s)가 페로브스카이트 구조체 입자(4p) 사이의 틈새를 메워 부피 밀도의 향상에 기여하기 위해서는, 무기 반도체 입자(4s)의 평균 입경이 페로브스카이트 구조체 입자(4p)의 평균 입경보다도 작을 필요가 있다. 무기 반도체 입자(4s)의 평균 입경은, 페로브스카이트 구조체 입자(4p)의 평균 입경에 대해서 1/50~1/2인 것이 바람직하다.
무기 반도체 입자(4s)의 혼합량은, 페로브스카이트 구조체 입자(4p)의 혼합량에 대해서, 70wt% 이하인 것이 바람직하다. 무기 반도체 입자(4s)의 혼합량이 많게 되면, 방사선 흡수층(4)의 저항값이 저하되어 암전류가 증가하거나, 방사선 흡수층(4)의 막밀도가 저하되어 X선의 흡수 효율이 저하되거나 할 우려가 있기 때문에, 무기 반도체 입자(4s)의 혼합량은, 페로브스카이트 구조체 입자(4p)의 혼합량에 대해서, 30wt% 이하인 것이 보다 바람직하다. 그 한편으로, 무기 반도체 입자(4s)의 혼합량이 적게 되면, 방사선 흡수층(4)에서의 전하의 수송재로서의 효과가 저하될 우려가 있기 때문에, 무기 반도체 입자(4s)의 혼합량은, 페로브스카이트 구조체 입자(4p)의 혼합량에 대해서, 10wt% 이상인 것이 보다 바람직하다.
페로브스카이트 구조체 입자(4p)의 밀도 CA에 대한 방사선 흡수층(4)의 막밀도 CB의 비 CB/CA는, 20~98%인 것이 바람직하고, X선의 흡수에 의해서 발생한 전하의 이동도 및 X선의 흡수 효율을 향상시키는 관점에서는, 50% 이상인 것이 보다 바람직하다. 다만, 무기 반도체 입자(4s)의 혼합량이 적어지면, 방사선 흡수층(4)에서의 전하의 수송재로서의 효과가 저하될 우려가 있기 때문에, 비 CB/CA는, 95% 이하인 것이 보다 바람직하다.
이상 설명한 방사선 검출기(1C)에 의하면, 상술한 방사선 검출기(1A)와 마찬가지의 작용 효과가 달성된다.
또한, 방사선 검출기(1C)에서는, 방사선 흡수층(4)이 페로브스카이트 구조체 입자(4p) 및 바인더 수지(4r)에 더하여 무기 반도체 입자(4s)를 더 포함하고 있다. 이것에 의해, X선의 흡수에 의해서 발생한 전하(전자 및 정공)의 이동도를 증대시킬 수 있어, 충분한 감도 및 응답 특성을 얻는 것이 가능하게 된다.
X선의 흡수 효율을 향상시키기 위해서는 방사선 흡수층(4)을 두껍게 할 필요가 있지만, 전하 수집 전극(13)까지의 거리가 크게 되어 전하의 수집 효율이 저하될 우려가 있다. 방사선 흡수층(4)이 무기 반도체 입자(4s)를 포함하는 것은, 이와 같은 과제를 해결하는데 있어서 특히 중요하다.
또한, 방사선 검출기(1C)에서는, 페로브스카이트 구조체 입자(4p)의 평균 입경이 무기 반도체 입자(4s)의 평균 입경보다도 크다. 이것에 의해, X선의 흡수 효율 및 감도를 향상시킬 수 있다.
또한, 방사선 검출기(1C)에서는, 무기 반도체 입자(4s)의 도전형과 치밀층(2) 및 다공질층(3)의 도전형이 같은 n형이다. 이것에 의해, X선의 흡수에 의해서 방사선 흡수층(4)에 있어서 발생한 전자를 보다 원활하게 전하 수집 전극(13)으로 이동시킬 수 있다.
또한, 방사선 검출기(1C)의 제조 방법에서는, 페로브스카이트 구조체 결정 블록을 분쇄하여 페로브스카이트 구조체 입자(4p)를 얻는다. 이것에 의해, 랜덤한 상태로 입경이 작게 된 페로브스카이트 구조체 입자(4p)가 얻어지기 때문에, 방사선 흡수층(4)에 있어서의 페로브스카이트 구조체 입자(4p)의 충전율을 올리고, X선의 흡수 효율 및 감도가 뛰어난 방사선 흡수층(4)을 얻을 수 있다.
이상, 본 개시의 제1 실시 형태, 제2 실시 형태 및 제3 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 개시는 상술한 각 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 각 방사선 검출기(1A, 1B, 1C)는, X선 이외의 방사선을 검출하는 것도 가능하다. 또한, 각 방사선 검출기(1A, 1B, 1C)는, 치밀층(2)을 구비하고 있지 않아도 된다. 각 방사선 검출기(1A, 1B, 1C)는, 다공질층(3)을 구비하고 있지 않아도 된다. 각 방사선 검출기(1A, 1B, 1C)는, 정공수송층(5)을 구비하고 있지 않아도 된다. 각 방사선 검출기(1A, 1B, 1C)에 있어서, 다공질층(3)은 AL2O3 등의 절연 재료로 이루어져 있어도 된다.
또한, 전압 인가 전극(6)에는, 전하 수집 전극(13)과의 사이에 양의 전위차가 발생하도록 바이어스 전압이 인가되어도 된다. 그 경우, 방사선 검출기(1A)에서는, 치밀층(2) 및 다공질층(3)이 p형의 반도체 재료(예를 들면, 산화 구리(Cu2O, CuO), 산화 니켈(NiO), 산화 코발트(CoO, Co3O4) 등)로 이루어지는 것이 바람직하다. 각 방사선 검출기(1B, 1C)에서는, 치밀층(2), 다공질층(3), 및 방사선 흡수층(4) 중의 무기 반도체 입자(4s)가 p형의 반도체 재료(예를 들면, 산화 구리(Cu2O, CuO), 산화 니켈(NiO), 산화 코발트(CoO, Co3O4) 등)로 이루어지는 것이 바람직하다. 각 방사선 검출기(1A, 1B, 1C)에 있어서, 전하 수집 전극(13)은 X선의 흡수에 의해서 방사선 흡수층(4)에 있어서 발생한 정공을 수집한다.
1A, 1B, 1C…방사선 검출기, 2…치밀층(반도체 전하 수집층), 3…다공질층(반도체 전하 수집층), 4…방사선 흡수층, 4p…페로브스카이트 구조체 입자, 4r…바인더 수지, 4s…무기 반도체 입자, 5…정공수송층, 6…전압 인가 전극, 10…패널(기판), 13…전하 수집 전극.

Claims (8)

  1. 전하 수집 전극을 가지는 기판과,
    상기 기판에 대해서 일방 측에 배치되어, 페로브스카이트 구조체 입자 및 바인더 수지를 포함하는 방사선 흡수층과,
    상기 방사선 흡수층에 대해서 상기 일방 측에 배치되어, 상기 전하 수집 전극과의 사이에 전위차가 발생하도록 바이어스 전압이 인가되는 전압 인가 전극을 구비하는 방사선 검출기.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 방사선 흡수층은 상기 페로브스카이트 구조체 입자 이외의 무기 반도체 입자를 더 포함하는 방사선 검출기.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 페로브스카이트 구조체 입자의 평균 입경은, 상기 무기 반도체 입자의 평균 입경보다도 큰 방사선 검출기.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 기판과 상기 방사선 흡수층의 사이에 배치된 반도체 전하 수집층을 더 구비하는 방사선 검출기.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 무기 반도체 입자의 도전형과 상기 반도체 전하 수집층의 도전형은 같은 방사선 검출기.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사선 흡수층과 상기 전압 인가 전극의 사이에 배치된 정공수송층을 더 구비하는 방사선 검출기.
  7. 페로브스카이트 구조체 입자, 바인더 수지 및 유기 용매를 포함하는 도포액을 조제하는 제1 공정과,
    상기 제1 공정 후에, 상기 도포액을 이용한 스크린 인쇄에 의해서, 전하 수집 전극을 가지는 기판에 대해서 일방 측에, 상기 페로브스카이트 구조체 입자 및 상기 바인더 수지를 포함하는 방사선 흡수층을 형성하는 제2 공정과,
    상기 제2 공정 후에, 상기 방사선 흡수층에 대해서 상기 일방 측에, 상기 전하 수집 전극과의 사이에 전위차가 발생하도록 바이어스 전압이 인가되는 전압 인가 전극을 형성하는 제3 공정을 포함하는 방사선 검출기의 제조 방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 제1 공정 전에, 페로브스카이트 구조체 결정 블록을 분쇄하여 상기 페로브스카이트 구조체 입자를 얻는 공정을 더 포함하는 방사선 검출기의 제조 방법.
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