KR102471795B1 - 열경화성 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

(과제) 우수한 레이저 마크 시인성 및 얼라인먼트 마크 인식성을 갖는 열경화성 접착 시트, 및 이것을 사용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
(해결 수단) 열경화성 바인더와, 평균 일차 입자경이 1㎚ 이상 1000㎚ 이하인 광투과성 필러와, 착색제를 함유하고, 광투과성 필러의 함유량이, 열경화성 바인더 80질량부에 대하여 30질량부 이상 100질량부 이하이고, 착색제의 함유량이, 열경화성 바인더 80질량부에 대하여 0.5질량부 이상 3.0질량부 이하인 열경화성 접착 시트를, 다이싱하기 전에 반도체 웨이퍼의 연마면에 첩합하고, 경화시킨다. 이것에 의해, 레이저 마킹된 인자가 명료해져 우수한 레이저 마크 시인성을 얻을 수 있고, 또한, 적외선을 이용한 정확한 얼라인먼트를 실시할 수 있다.

Description

열경화성 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법{HEAT-CURING ADHESIVE SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 다이싱 공정시의 크랙을 방지하기 위해서 반도체 웨이퍼를 보강하는 열경화성 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 칩 제조 공정에 있어서, 다이싱 (개별화) 공정은 반도체 웨이퍼에 대하여 막대한 스트레스를 부여한다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼에 마이크로 크랙이 발생하여, 불량률이 높아지는 경우가 있다.
이러한 문제를 미연에 방지할 목적으로, 다이싱 공정의 직전 (백 그라인드 후) 에 반도체 웨이퍼를 보강하는 열경화성 접착 시트를 첩합(貼合)하는 것이 제안되어 있다 (예를 들어 특허문헌 1 참조).
또한, 반도체 칩의 품질상의 트레이서빌리티를 확보하기 위해서, 로트 넘버 등의 정보를 열경화성 접착 시트에 레이저 마킹하는 것이 요망되고 있다. 또한 정확한 얼라인먼트를 실시하기 위해서, 열경화성 접착 시트를 첩합한 반도체 웨이퍼의 이면의 얼라인먼트 마크를 판독하는 것이 요망되고 있다.
그러나, 레이저 마크의 인식성을 향상시키기 위해서 열경화성 접착 시트에 착색제를 첨가한 경우, 광투과성이 저하되어, 얼라인먼트 마크의 인식이 곤란해지는 경우가 있었다.
일본 공개특허공보 2002-280329호
본 발명은 이러한 종래의 실정을 감안하여 제안된 것으로, 우수한 레이저 마크 시인성 및 얼라인먼트 마크 인식성을 갖는 열경화성 접착 시트, 및 이것을 사용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
상기한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은, 반도체 웨이퍼를 다이싱할 때에, 그 반도체 웨이퍼의 연마면에 첩합되는 열경화성 접착 시트로서, 열경화성 바인더와, 평균 일차 입자경이 1㎚ 이상 1000㎚ 이하인 광투과성 필러와, 착색제를 함유하고, 상기 광투과성 필러의 함유량이, 상기 열경화성 바인더 80질량부에 대하여 30질량부 이상 100질량부 이하이고, 상기 착색제의 함유량이, 상기 열경화성 바인더 80질량부에 대하여 0.5질량부 이상 3.0질량부 이하인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 반도체 웨이퍼를 연마하는 그라인드 공정과, 상기 반도체 웨이퍼의 연마면에 열경화성 접착 시트를 첩부(貼付)하는 열경화성 접착 시트 첩부 공정과, 상기 열경화성 시트를 경화시키는 경화 공정과, 상기 반도체 웨이퍼의 열경화성 접착 시트면에 다이싱 테이프를 첩부하는 다이싱 테이프 첩부 공정과, 상기 다이싱 테이프가 첩부된 웨이퍼를 다이싱 처리하여, 개편(箇片)의 반도체 칩을 얻는 다이싱 처리 공정을 갖고, 상기 열경화성 접착 시트가, 열경화성 바인더와, 평균 일차 입자경이 1㎚ 이상 1000㎚ 이하인 광투과성 필러와, 착색제를 함유하고, 상기 광투과성 필러의 함유량이, 상기 열경화성 바인더 80질량부에 대하여 30질량부 이상 100질량부 이하이고, 상기 착색제의 함유량이, 상기 열경화성 바인더 80질량부에 대하여 0.5질량부 이상 3.0질량부 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 관한 열경화성 접착 시트는 광투과성 필러 및 착색제를 소정량 첨가하고 있기 때문에, 우수한 레이저 마크 시인성 및 얼라인먼트 마크 인식성을 얻을 수 있다. 이 때문에, 본 발명에 관한 열경화성 접착 시트를 사용함으로써, 고품질의 반도체 장치를 얻을 수 있다.
[도 1] 도 1 은, 열경화성 접착 시트의 개략을 나타내는 단면도이다.
[도 2] 도 2 는, BG 테이프 첩부 공정의 개략을 나타내는 단면도이다.
[도 3] 도 3 은, 그라인드 공정의 개략을 나타내는 단면도이다.
[도 4] 도 4 는, 열경화성 접착 시트 첩부 공정의 개략을 나타내는 단면도이다.
[도 5] 도 5 는, BG 테이프 박리 공정의 개략을 나타내는 단면도이다.
[도 6] 도 6 은, 경화 공정의 개략을 나타내는 단면도이다.
[도 7] 도 7 은, DC 테이프 첩부 공정의 개략을 나타내는 단면도이다.
[도 8] 도 8 은, 다이싱 처리 공정의 개략을 나타내는 단면도이다.
[도 9] 도 9 는, 익스팬딩 공정의 개략을 나타내는 단면도이다.
[도 10] 도 10 은, 픽업 공정의 개략을 나타내는 단면도이다.
[도 11] 도 11 은, 실장 공정의 개략을 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 관해서 하기 순서로 상세히 설명한다.
1. 열경화성 접착 시트
2. 반도체 장치의 제조 방법
3. 실시예
<1. 열경화성 접착 시트>
본 실시형태에 관한 열경화성 접착 시트는, 반도체 웨이퍼를 다이싱할 때에, 반도체 웨이퍼의 연마면에 첩합되는 열경화성 접착층을 갖고, 다이싱 공정시에 웨이퍼를 보강하여 크랙을 방지하는 보강 시트이다.
도 1 은, 열경화성 접착 시트의 개략을 나타내는 단면도이다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트는, 기재 필름층 (11) 과, 열경화성 접착층 (12) 이 적층되어 있다.
기재 필름층 (11) 으로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르 등의 플라스틱 필름이나, 종이, 천, 부직포 등으로 이루어지는 다공질 기재를 사용할 수 있다.
열경화성 접착층 (12) 은, 열경화성 바인더와, 평균 일차 입자경이 1㎚ 이상 1000㎚ 이하인 광투과성 필러와, 착색제를 함유하고, 광투과성 필러의 함유량이 열경화성 바인더 80질량부에 대하여 30질량부 이상 100질량부 이하이고, 착색제의 함유량이 상기 열경화성 바인더 80질량부에 대하여 0.5질량부 이상 3.0질량부 이하이다. 이것에 의해, 레이저광에 의해 깎여진 부분에 광투과성 필러가 노출되어 반사광이 확산되고, 또한, 착색제에 의해서 레이저 마킹 부분과 다른 부분에 콘트라스트차가 얻어지기 때문에 인자(印字)가 명료해져, 우수한 레이저 마크 시인성을 얻을 수 있다. 또한, 평균 일차 입자경이 1㎚ 이상 1000㎚ 이하인 광투과성 필러에 의해, 적외선을 이용한 정확한 얼라인먼트를 실시할 수 있다.
열경화성 바인더로는, 폴리머와, (메트)아크릴레이트와, 반응 개시제를 함유하는 (메트)아크릴계의 열경화성 바인더, 또는, 폴리머와, 에폭시 화합물과, 에폭시 경화제를 함유하는 에폭시계의 열경화성 바인더를 사용할 수 있다. 그 중에서도 백 그라인드 후의 반도체 웨이퍼의 휨량을 저감시키는 관점에서, 반응 속도가 큰 (메트)아크릴계의 열경화성 바인더를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서 (메트)아크릴레이트란, 아크릴산에스테르 (아크릴레이트) 와 메타크릴산에스테르 (메타크릴레이트) 를 포함하는 의미이다.
(메트)아크릴계의 열경화성 바인더는, 엘라스토머를 함유하는 폴리머와, 다관능 (메트)아크릴레이트를 전체 (메트)아크릴레이트 중 95wt％ 를 초과하여 함유하는 (메트)아크릴레이트와, 1분간 반감기 온도가 130℃ 이하인 유기 과산화물을 함유하는 것이 바람직하다.
폴리머는 엘라스토머를 함유하고, 보다 바람직하게는 페녹시 수지 및 엘라스토머를 함유한다. 이것에 의해, 경화 후의 열경화성 접착 시트에 적절한 가요성을 부여하는 것이 가능해진다.
엘라스토머로는, 예를 들어, 아크릴계 엘라스토머, 부타디엔계 엘라스토머, 에틸렌계 엘라스토머, 프로필렌계 엘라스토머, 스티렌계 엘라스토머 등을 들 수 있고, 이들의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 투명성이 우수한 아크릴계 엘라스토머를 사용하는 것이 바람직하다. 시장에서 입수 가능한 아크릴계 엘라스토머의 구체예로는, 나가세 켐텍스(주)의 상품명 「SG-80H」등을 들 수 있다.
페녹시 수지로는, 예를 들어, 플루오렌형 페녹시 수지, 비스페놀형 페녹시 수지, 노볼락형 페녹시 수지, 나프탈렌형 페녹시 수지, 비페닐형 페녹시 수지 등을 들 수 있고, 이들의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 높은 내열성을 나타내는 플루오렌형 페녹시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 시장에서 입수 가능한 플루오렌형 페녹시 수지의 구체예로는, 신닛테츠 스미킨 화학(주)의 상품명 「FX293」 등을 들 수 있다.
또한, 폴리머의 중량 평균 분자량(Mw)은, 5000 이상 150000 이하인 것이 바람직하고, 10000 이상 80000 이하인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량(Mw)은 지나치게 작으면 시트 특성이 저하되는 경향이 있고, 지나치게 많으면 다른 성분과의 상용성이 나빠지는 경향이 있다.
또한, 폴리머의 함유량은, (메트)아크릴레이트 50질량부에 대하여 5질량부 이상 100질량부 이하인 것이 바람직하고, 10질량부 이상 40질량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 폴리머의 함유량은 지나치게 적거나 지나치게 많아도, 시트 특성이 저하되는 경향이 있다.
(메트)아크릴레이트는, 다관능 (메트)아크릴레이트를 전체 (메트)아크릴레이트 중 95wt％ 를 초과하여 함유하여, 다관능 (메트)아크릴레이트를 주성분으로 하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 열경화성 접착 시트의 경화에 의한 수축이 커져, 웨이퍼의 휨을 저감시키는 것이 가능해진다.
다관능 (메트)아크릴레이트 이외의 단관능 (메트)아크릴레이트로는, 예를 들어, 폴리알킬렌글리콜에스테르 단량체, 직쇄 또는 분기쇄 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 폴리알킬렌글리콜에스테르 단량체의 구체예로는, 예를 들어, 히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리부틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 이들의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다.
다관능 (메트)아크릴레이트에 속하는 2관능 (메트)아크릴레이트로는, 예를 들어, 트리시클로데칸디메탄올디(메트)아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디(메트)아크릴레이트, 비스페놀 AEO 변성 디(메트)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메트)아크릴레이트, 1,10-데칸디올디(메트)아크릴레이트, 2-히드록시-3-아크릴로일옥시프로필(메트)아크릴레이트, 프로폭시화비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜(200)디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜(400)디(메트)아크릴레이트, 시클로헥산디메탄올디(메트)아크릴레이트, 알콕시화헥산디올디(메트)아크릴레이트, 알콕시화시클로헥산디메탄올디(메트)아크릴레이트, 에톡시화(4)비스페놀A디(메트)아크릴레이트, 에톡시화(10)비스페놀A디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜(600)디(메트)아크릴레이트, 알콕시화네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 디옥산글리콜디(메트)아크릴레이트, 이소시아누르산 EO 변성 디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 이들의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 반응성, 가교성 등의 점에서, 트리시클로데칸디메탄올디(메트)아크릴레이트를 바람직하게 사용할 수 있다. 시장에서 입수 가능한 2관능 (메트)아크릴레이트의 구체예로는, 신나카무라 화학 공업(주)의 상품명 「DCP」 (트리시클로데칸디메탄올디메타크릴레이트, (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수)=166), 「A-DCP」 (트리시클로데칸디메탄올디아크릴레이트, (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수)=152) 등을 들 수 있다.
다관능 (메트)아크릴레이트에 속하는 3관능 이상의 (메트)아크릴레이트로는, 이소시아누르산 EO 변성 트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, EO 변성 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, ε-카프로락톤 변성 트리스-(-2-아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, ε-카프로락톤 변성 트리스(아크릴옥시에틸)(메트)아크릴레이트, 에톡시화(20)트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 프로폭시화(3)트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 프로폭시화(6)트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 에톡시화(9)트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 프로폭시화(3)글리세릴트리(메트)아크릴레이트, 에톡시화(4)펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, EO 변성 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 3관능∼9관능을 갖는 우레탄 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 이들의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 반응성, 가교성 등의 점에서 이소시아누르산 EO 변성 트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트를 바람직하게 사용할 수 있다. 시장에서 입수 가능한 3관능 이상의 (메트)아크릴레이트의 구체예로는, 토아 합성(주)의 상품명 「M-315」 (이소시아누르산에틸렌옥사이드 변성 디아크릴레이트와 이소시아누르산에틸렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트의 혼합물 (이소시아누르산에틸렌옥사이드 변성 디아크릴레이트의 함유율이 3％∼13％), (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수)=약 100), 신나카무라 화학 공업(주)의 상품명 「A-DPH」 (디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수)=96), 닛폰 합성화학(주)의 상품명 「UV-1700B (분자량/관능수)=222」 등을 들 수 있다.
다관능 (메트)아크릴레이트에 대해서는, 형식적으로 2관능 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖더라도 관능수에 대하여 분자량이 현저히 큰 화합물은, 상기의 단관능 아크릴레이트와 성질이 비슷한 경향이 있다. 이 때문에, 다관능 (메트)아크릴레이트는 분자량을 관능수로 나눈 「(메트)아크릴 당량 (g/eq)」, 또는 관능수를 분자량으로 나눈 「단위 분자량당 관능수」를 고려하여 선택하는 것이 바람직하다. (메트)아크릴 당량 (g/eq) 을 고려하여 선택하는 경우, (메트)아크릴 당량 (g/eq) 에 전체 (메트)아크릴레이트 중의 함유율을 곱한 값의 총합인, (메트)아크릴 당량의 가성(加成) 평균치를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 단위 분자량당 관능수를 고려하여 선택하는 경우, 단위 분자량당 관능수에 전체 (메트)아크릴레이트 중의 함유율을 곱한 값의 총합인, 평균 가교 밀도를 사용하는 것이 바람직하다.
(메트)아크릴레이트의 (메트)아크릴 당량의 가성 평균치는, 80g/eq 이상 230g/eq 이하인 것이 바람직하고, 100g/eq 이상 200g/eq 이하인 것이 보다 바람직하다. (메트)아크릴 당량의 가성 평균치가 작을수록 수축률이 커지고, (메트)아크릴 당량의 가성 평균치가 클수록 수축률이 작아진다. 이 때문에, (메트)아크릴 당량의 가성 평균치가 지나치게 작으면 반도체 웨이퍼와의 밀착성 등의 특성이 열화되는 경향이 있고, 지나치게 크면 반도체 웨이퍼의 휘어짐을 캔슬시키는 것이 곤란해진다.
(메트)아크릴레이트의 평균 가교 밀도는, 2.0E-03 이상 5.0E-02 이하인 것이 바람직하고, 5.0E-03 이상 1.0E-02 이하인 것이 보다 바람직하다. 평균 가교 밀도가 작을수록 수축률이 작아지고, 평균 가교 밀도가 클수록 수축률이 커진다. 이 때문에, 평균 가교 밀도가 지나치게 작으면 반도체 웨이퍼의 휘어짐을 캔슬시키는 것이 곤란해지고, 지나치게 크면 반도체 웨이퍼와의 밀착성 등의 특성이 열화되는 경향이 있다.
또한, (메트)아크릴레이트의 함유량은, 폴리머 25질량부에 대하여 10질량부 이상 100질량부 이하인 것이 바람직하고, 20질량부 이상 70질량부 이하인 것이 보다 바람직하다. (메트)아크릴레이트의 함유량은 지나치게 적으면, 반도체 웨이퍼의 휘어짐을 캔슬시키는 것이 곤란해지고, 지나치게 많으면 시트 특성이 저하되는 경향이 있다.
유기 과산화물은, 1분간 반감기 온도가 130℃ 이하인 것이 바람직하고, 80℃ 이상 120℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 1분간 반감기 온도는 지나치게 크면 큰 반응 속도를 얻기가 곤란해지고, 지나치게 작으면 상온 보관성이 저하되는 경향이 있다.
이러한 유기 과산화물로는, 예를 들어, 디라우로일퍼옥사이드 (1분간 반감기 온도 : 116.4℃), 디벤조일퍼옥사이드 (1분간 반감기 온도 : 130.0℃), 디(4-메틸벤조일)퍼옥사이드 (1분간 반감기 온도 : 128.2℃), 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트 (1분간 반감기 온도 : 124.3℃), 디(3,5,5-트리메틸헥사노일)퍼옥사이드 (1분간 반감기 온도 : 112.6℃), t-부틸퍼옥시피발레이트 (1분간 반감기 온도 : 110.3℃), t-헥실퍼옥시피발레이트 (1분간 반감기 온도 : 109.1℃), t-부틸퍼옥시네오헵타노에이트 (1분간 반감기 온도 : 104.6℃), t-부틸퍼옥시네오데카노에이트 (1분간 반감기 온도 : 103.5℃), t-헥실퍼옥시네오데카노에이트 (1분간 반감기 온도 : 100.9℃), 디(2-에틸헥실)퍼옥시디카보네이트 (1분간 반감기 온도 : 90.6℃),디(4-t-부틸시클로헥실)퍼옥시디카보네이트 (1분간 반감기 온도 : 92.1℃), 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시네오데카노에이트 (1분간 반감기 온도 : 92.1℃), 디이소부티릴퍼옥사이드 (1분간 반감기 온도 : 85.1℃), 디-sec-부틸퍼옥시디카보네이트 (1분간 반감기 온도 : 85.1℃), 디-n-프로필퍼옥시디카보네이트 (1분간 반감기 온도 : 85.1℃), 쿠밀퍼옥시네오데카노에이트 (1분간 반감기 온도 : 85.1℃) 등을 들 수 있고, 이들의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다. 이들 중에서도 반응성, 가교성 등의 점에서, 디라우로일퍼옥사이드, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트를 바람직하게 사용할 수 있다. 시장에서 입수 가능한 디라우로일퍼옥사이드의 구체예로는, 니치유(주)의 상품명 「퍼로일 L」등을 들 수 있고, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트의 구체예로는, 니치유(주)의 상품명 「퍼옥타 O」 등을 들 수 있다.
또한, 유기 과산화물의 함유량은, (메트)아크릴레이트 50질량부에 대하여 0.1질량부 이상 20질량부 이하인 것이 바람직하고, 1질량부 이상 10질량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 유기 과산화물의 함유량은 지나치게 적으면 반응성이 저하하여, 지나치게 많으면 제품 라이프가 저하되는 경향이 있다.
광투과성 필러는, 평균 일차 입자경이 1㎚ 이상 1000㎚ 이하이고, 그 함유량은, 열경화성 바인더 80질량부에 대하여 30질량부 이상 100질량부 이하이다. 광투과성 필러의 평균 일차 입자경이 1㎚ 미만인 것은 고가로 입수가 곤란하고, 평균 일차 입자경이 1000㎚ 를 초과하면 IR 투과성이 저하되어 얼라인먼트 마크 인식성이 저하된다. 또한, 광투과성 필러의 함유량이 지나치게 적으면, 레이저 마크 시인성의 향상의 효과가 얻어지지 않고, 광투과성 필러의 함유량이 지나치게 많으면 얼라인먼트 마크 인식성이 저하되며, 또한, 열경화성 접착 시트의 밀착 신뢰성이 저하된다. 또, 「일차 입자」란, 단독으로 존재할 수 있는 최소 입자를 나타내고, 「평균 일차 입자경」이란, 주사형 전자 현미경으로 관찰되는 일차 입자의 장경의 평균치를 의미한다.
광투과성 필러는, 무기 또는 유기 어느 것이나 사용할 수 있으며, 얼라인먼트에서 사용되는 적외선에 투과성을 갖는 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 적외선에 투과성을 갖는 재료로는, 예를 들어, 실리카, 실리콘, 게르마늄, 석영, 사파이어 등을 들 수 있고, 이들의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 레이저 마크 시인성의 관점에서 실리카를 사용하는 것이 바람직하다.
착색제는, 레이저 마킹 부분과 다른 부분에 콘트라스트차를 발생시켜, 레이저 마크 시인성을 향상시킨다. 이러한 착색제로는, 예를 들어, 카본 블랙, 티탄 블랙, 산화티탄, 산화철 등을 들 수 있고, 이들의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 콘트라스트차의 향상의 관점에서 카본 블랙을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 다른 첨가물로서 실란 커플링제를 첨가하는 것이 바람직하다. 실란 커플링제로는, (메트)아크릴계, 에폭시계, 아미노계, 메르캅토계, 술파이드계, 우레이드계 등을 사용할 수 있지만, (메트)아크릴계의 열경화성 바인더를 사용하는 경우, (메트)아크릴계 실란 커플링제가 바람직하게 사용되고, 에폭시계의 열경화성 바인더를 사용하는 경우, 에폭시계 실란 커플링제가 바람직하게 사용된다. 이것에 의해, 유기 재료와 무기 재료의 계면에 있어서의 밀착 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 열경화성 접착 시트의 파장 1000㎚ 에 있어서의 투과율은, 30％ 이상인 것이 바람직하다. 이 적외선 투과율이 지나치게 낮으면, 적외선을 이용한 얼라인먼트를 실시하는 것이 곤란해진다.
본 실시형태에 관한 열경화성 접착 시트는, 전술한 바와 같이 광투과성 필러 및 착색제를 소정량 첨가하고 있기 때문에, 우수한 레이저 마크 시인성 및 얼라인먼트 마크 인식성을 얻을 수 있다. 또한, 다관능 (메트)아크릴레이트를 함유하는 (메트)아크릴계의 열경화성 바인더를 사용함으로써, 반도체 웨이퍼의 휨량을 저감시킬 수 있기 때문에, 고품질 반도체 장치의 생산성을 향상시킬 수 있다.
<2. 반도체 장치의 제조 방법>
다음으로, 전술한 열경화성 접착 시트를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 반도체 웨이퍼를 연마하는 그라인드 공정과, 반도체 웨이퍼의 연마면에 열경화성 접착 시트를 첩부하는 열경화성 접착 시트 첩부 공정과, 열경화성 시트를 경화시키는 경화 공정과, 반도체 웨이퍼의 열경화성 접착 시트면에 다이싱 테이프를 첩부하는 다이싱 테이프 첩부 공정과, 다이싱 테이프가 첩부된 웨이퍼를 다이싱 처리하여, 개편의 반도체 칩을 얻는 다이싱 처리 공정을 갖는다. 또한, 여기서 사용하는 열경화성 접착 시트는, 열경화성 바인더와, 평균 일차 입자경이 1㎚ 이상 1000㎚ 이하인 광투과성 필러와, 착색제를 함유하고, 광투과성 필러의 함유량이 열경화성 바인더 80질량부에 대하여 30질량부 이상 100질량부 이하이고, 착색제의 함유량이 열경화성 바인더 80질량부에 대하여 0.5질량부 이상 3.0질량부 이하이다. 이것에 의해, 우수한 레이저 마크 시인성 및 얼라인먼트 마크 인식성을 얻을 수 있기 때문에, 정확한 트레이서빌리티 및 얼라인먼트가 가능해져, 고품질 반도체 장치의 생산성을 향상시킬 수 있다.
이하, 구체적인 반도체 장치의 제조 방법에 대해서 설명한다. 구체예로서 나타내는 반도체 장치의 제조 방법은, 보호 테이프를 첩부하는 보호 테이프 첩부 공정 (A) 과, 그라인드 공정 (B) 과, 열경화성 수지 시트 첩부 공정 (C) 과, 보호 테이프 박리 공정 (D) 과, 경화 공정 (E) 과, 점착 테이프 첩부 공정 (F) 과, 다이싱 처리 공정 (G) 과, 익스팬딩 공정 (H) 과, 픽업 공정 (I) 과, 실장 공정 (J) 을 갖는다. 또, 보호 테이프 박리 공정 (D) 은, 열경화성 수지 시트 첩부 공정 (C) 전에 실시해도 된다.
[(A) 보호 테이프 첩부 공정]
도 2 는, 보호 테이프 첩부 공정의 개략을 나타내는 단면도이다. 보호 테이프 첩부 공정에서는, 돌기 전극 (22) 이 형성된 웨이퍼 (21) 면에 보호 테이프 (30) 를 첩부한다. 보호 테이프 (30) 를 첩부하는 첩부 온도는, 보이드의 감소, 웨이퍼 밀착성의 향상 및 웨이퍼 연삭 후의 휨 방지의 관점에서, 25℃ 이상 100℃ 이하, 바람직하게는 40℃ 이상 80℃ 이하이다.
웨이퍼 (21) 는, 실리콘 등의 반도체 표면에 형성된 집적 회로와, 범프로 불리는 접속용의 돌기 전극 (22) 을 갖는다. 웨이퍼 (21) 의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 200㎛ 이상 1000㎛ 이하이다.
돌기 전극 (22) 으로는 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어, 땜납에 의한 저융점 범프 또는 고융점 범프, 주석 범프, 은-주석 범프, 은-주석-구리 범프, 금 범프, 구리 범프 등을 들 수 있다. 또한, 돌기 전극 (22) 의 높이는 특별히 제한되지는 않지만, 바람직하게는 10㎛ 이상 200㎛ 이하이다.
보호 테이프 (30) 는, 백 그라인드 테이프 (Back Grind Tape) 라고 불리는 것으로, 다음 그라인드 처리 공정 (B) 에 있어서, 흠집, 균열, 오염 등에서 웨이퍼를 보호하는 것이다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 보호 테이프 (30) 는, 열가소성 수지층 (31) 과 기재 필름층 (32) 이 적층되고, 돌기 전극 (22) 의 형성면과 열가소성 수지층 (31) 이 접하는 상태로 첩합되고, 돌기 전극 (22) 은 열가소성 수지층 (31) 에 매립된다.
열가소성 수지층 (31) 으로는, 에틸렌아세트산비닐 공중합체 (EVA : Ethylene Vinyl Acetate), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리아미드, 폴리아세탈, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 불소 수지, 폴리페닐렌술파이드, 폴리스티렌, ABS 수지, 아크릴계 수지, 폴리카보네이트, 폴리우레탄, 폴리염화비닐, 폴리페닐렌옥사이드 등을 들 수 있고, 이들은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
또한, 열가소성 수지층 (31) 의 60℃ 에서의 저장 전단 탄성률은 1.0E＋07㎩ 이하인 것이 바람직하다. 열가소성 수지층 (31) 의 60℃ 에서의 저장 전단 탄성률을 1.0E＋07㎩ 이하로 함으로써, 열가소성 수지층 (31) 의 범프의 매립성을 향상시킬 수 있다.
기재 필름층 (32) 으로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르 등의 플라스틱 필름이나, 종이, 천, 부직포 등으로 이루어지는 다공질 기재를 사용할 수 있다.
또, 보호 테이프 (30) 는 전술한 구성에 한정되지 않고, 각 층의 표면이나 인접하는 층간에 다른 층을 형성해도 된다.
[(B) 그라인드 공정]
도 3 은, 그라인드 공정의 개략을 나타내는 단면도이다. 그라인드 공정에서는, 보호 테이프 (30) 첩부면의 반대면을 그라인드 처리한다. 보호 테이프 (30) 를 첩부한 웨이퍼 (21) 의 반대면을 연삭 장치에 고정하여 연마한다. 이 그라인드 공정에 있어서, 연마에 의해 웨이퍼 (21) 의 두께는 200㎛ 이하, 나아가서는 50㎛ 이하이다. 웨이퍼 (21) 의 두께를 작게 하면 할수록, 웨이퍼 (21) 의 휨량이 커진다. 또, 웨이퍼 (21) 의 휨량은, 평면 스테이지 (X, Y축) 에 웨이퍼 (21) 를 두었을 때의 휘어짐 (Z축)의 최대치이다.
[(C) 열경화성 접착 시트 첩부 공정]
도 4 는, 열경화성 접착 시트 첩부 공정의 개략을 나타내는 단면도이다. 열경화성 접착 시트 첩부 공정에서는, 웨이퍼 (21) 의 그라인드 처리면에 열경화성 접착 시트의 열경화성 접착층 (12) 을 첩부한다.
[(D) 보호 테이프 박리 공정]
도 5은, 보호 테이프 박리 공정의 개략을 나타내는 단면도이다. 보호 테이프 박리 공정에서는, 보호 테이프 (30) 를 박리한다.
[(E) 경화 공정]
도 6 은, 경화 공정의 개략을 나타내는 단면도이다. 경화 공정에서는, 열경화성 접착층 (12) 을 경화시킨다. 경화 방법 및 경화 조건으로는, 열경화형의 접착제를 경화시키는 공지된 방법을 사용할 수 있다. 경화 공정에서는, 예를 들어, 80∼180℃ 의 온도, 0.1∼5h 의 시간으로 큐어함으로써, 열경화성 접착층 (12) 을 경화시키는 것이 가능하다. 이것에 의해, 열경화성 접착층 (12) 이 크게 수축되어, 웨이퍼 (21) 의 휘어짐과 반대 방향의 응력이 발생하기 때문에, 웨이퍼 (21) 를 평탄한 상태로 유지시키는 것이 가능해진다.
또한, 경화 공정 후에 열경화성 접착층 (12) 에 로트 넘버 등의 정보를 레이저 마킹할 수 있다. 특히, 전술한 바와 같이 반도체 웨이퍼의 휨량을 저감시킴으로써 레이저광의 초점이 정확하게 정해져, 높은 정밀도로 인자할 수 있다.
[(F) 점착 테이프 첩부 공정]
도 7 은, 점착 테이프 첩부 공정의 개략을 나타내는 단면도이다. 점착 테이프 첩부 공정에서는, 그라인드 처리면에 점착 테이프 (40) 를 첩부한다. 점착 테이프 (40) 는 다이싱 테이프 (Dicing Tape) 라고 불리는 것으로, 다이싱 공정 (G) 에 있어서 웨이퍼 (21) 를 보호, 고정시키고, 픽업 공정 (I) 까지 유지하기 위한 테이프이다.
점착 테이프 (40) 로는 특별히 한정되지 않고, 공지된 것을 사용할 수 있다. 일반적으로 점착 테이프 (40) 는, 점착제층과, 기재 필름층을 갖는다. 점착제층으로는, 예를 들어, 폴리에틸렌계, 아크릴계, 고무계, 우레탄계 등의 점착제를 들 수 있다. 또한, 기재 필름층으로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르 등의 플라스틱 필름이나, 종이, 천, 부직포 등으로 이루어지는 다공질 기재를 사용할 수 있다. 또한, 점착 테이프의 첩부 장치 및 조건으로는 특별히 한정되지 않고, 공지된 장치 및 조건이 사용된다.
[(G) 다이싱 처리 공정]
도 8 은, 다이싱 처리 공정의 개략을 나타내는 단면도이다. 다이싱 처리 공정에서는, 점착 테이프 (40) 가 첩부된 웨이퍼 (21) 를 다이싱 처리하여, 개편의 반도체 칩을 얻는다. 다이싱 방법으로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 다이싱 소로 웨이퍼 (21) 를 절삭하여 잘라내는 등의 공지된 방법을 사용할 수 있다.
[(H) 익스팬딩 공정]
도 9 는, 익스팬딩 공정의 개략을 나타내는 단면도이다. 익스팬딩 공정에서는, 예를 들어 분할된 복수 개의 반도체 칩이 첩착되어 있는 점착 테이프 (40) 를 방사 방향으로 신장시켜, 개개의 반도체 칩의 간격을 넓힌다.
[(I) 픽업 공정]
도 10 은, 픽업 공정의 개략을 나타내는 단면도이다. 픽업 공정에서는, 점착 테이프 (40) 상에 첩착 고정된 반도체 칩을, 점착 테이프 (40) 의 하면으로부터 밀어 올려 박리시키고, 이 박리된 반도체 칩을 콜릿에 의해 흡착한다. 픽업된 반도체 칩은 칩 트레이에 수납되거나, 또는 플립 칩 본더의 칩 탑재 노즐로 반송된다.
[(J) 실장 공정]
도 11 은, 실장 공정의 개략을 나타내는 단면도이다. 실장 공정에서는, 예를 들어 반도체 칩과 회로 기판을 NCF (Non Conductive Film) 등의 회로 접속 재료를 사용하여 접속시킨다. 회로 기판으로는 특별히 한정되지 않지만, 폴리이미드 기판, 유리 에폭시 기판 등의 플라스틱 기판, 세라믹 기판 등을 사용할 수 있다. 또한, 접속 방법으로는 가열 본더, 리플로우로(爐) 등을 사용하는 공지된 방법을 사용할 수 있다.
본 실시형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 전술한 열경화성 접착 시트를 사용함으로써 우수한 레이저 마크 시인성 및 얼라인먼트 마크 인식성을 얻을 수 있기 때문에, 정확한 트레이서빌리티 및 얼라인먼트가 가능해져, 고품질 반도체 장치의 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 열경화성 접착 시트를 반도체 웨이퍼의 연마면에 첩합하고 경화시켜 반도체 웨이퍼의 휨량을 저감시키기 때문에, 용이하게 다이싱을 실시할 수 있어, 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 실장에 의해 얻어지는 반도체 장치는, 반도체 칩이 연마면에 열경화성 접착층을 갖고, 돌기 전극 형성면에 접착제층을 갖기 때문에, 우수한 신뢰성을 얻을 수 있다.
실시예
<3. 실시예>
이하, 본 발명의 실시예에 대해서 설명한다.
<3. 1 제 1 실시예>
제 1 실시예에서는, 열경화성 접착 시트를 제작하여, 레이저 마크 시인성 및 얼라인먼트 마크 인식성에 대해서 평가하였다.
[열경화성 접착 시트의 제작]
하기 성분을 배합하여, 수지 조성물을 조제하였다. 이것을, 박리 처리된 PET (Polyethylene terephthalate) 에 바 코터를 사용하여 도포하고, 80℃ 의 오븐에서 3분간 건조시켜, 두께 20㎛ 의 열경화성 접착 시트를 제작하였다 (커버 박리 PET (25㎛)/열경화성 접착 시트 (20㎛)/베이스 박리 PET (50㎛)).
FX293 : 플루오렌형 페녹시 수지 (신닛테츠 스미킨 화학(주) 제)
SG-80H : 아크릴계 엘라스토머 (나가세 켐텍스(주) 제)
4-HBA : 4-히드록시부틸아크릴레이트 (신나카무라 화학 공업(주), (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수)=144)
CEL-2021P : 지환식 에폭시 수지 ((주)다이셀)
퍼로일 L : 디라우로일퍼옥사이드 (니치유(주) 제, 1분간 반감기 온도 : 116.4℃)
TD-2131 : 페놀 노볼락 (DIC ㈜)
U-CAT5002 : DBU 계 테트라페닐보레이트염 (산 아프로(주))
실리카 (일차 입경 : 1㎚, 50㎚, 100㎚, 1000㎚, 1100㎚)
#20 : 카본 블랙
KBM-5103 : 아크릴계 실란 커플링제 (신에츠 실리콘(주))
KBM-403 : 에폭시계 실란 커플링제 (신에츠 실리콘(주))
[열경화성 접착 시트의 레이저 마크 시인성의 평가]
130℃, 1h 의 조건으로 큐어한 두께 20㎛ 의 열경화성 접착 시트에 대해서, 레이저 마킹 장치를 사용하여 번호를 인자하였다. 육안에 의해 번호의 인식을 할수 있고, 콘트라스트가 양호했던 것을 「◎」, 번호를 인식할 수 있었던 것을 「○」, 번호를 인식할 수 없었던 것을 「×」로 평가하였다.
[열경화성 접착 시트의 얼라인먼트 마크 인식성의 평가]
130℃, 1h 의 조건으로 큐어한 두께 20㎛ 의 열경화성 접착 시트에 대해서, 적외선 (파장 : 1㎛) 의 투과율을 측정하였다. IR 투과율이 50％ 이상인 것을 「◎」, IR 투과율이 30％ 이상 50％ 미만인 것을 「○」, IR 투과율이 30％ 미만인 것을 「×」로 평가하였다.
[실시예 1]
플루오렌형 페녹시 수지 (FX293) 를 5질량부, 아크릴계 엘라스토머 (SG-80H) 를 20질량부, 단관능 아크릴레이트 (4-HBA) 를 50질량부, 및 유기 과산화물 (퍼로일 L) 을 5질량부의 열경화성 바인더를 조제하였다. 이 열경화성 바인더 80질량부에 대하여, 실리카 (일차 입경 : 100㎚) 를 50질량부, 카본 블랙을 0.5질량부, 아크릴계 실란 커플링제 (KBM-5103) 를 2질량부 배합하여, 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 1 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트의 파장 1000㎚ 에 있어서의 투과율은 50％ 였다. 또한, 레이저 마크 시인성의 평가는 ○ 이고, 얼라인먼트 마크 인식성의 평가는 ◎ 였다.
[실시예 2]
플루오렌형 페녹시 수지 (FX293) 를 5질량부, 아크릴계 엘라스토머 (SG-80H) 를 20질량부, 지환식 에폭시 수지 (CEL-2021P) 를 50질량부, 및 경화제로서 페놀 노볼락 (TD-2131) 을 5질량부의 열경화성 바인더를 조제하였다. 이 열경화성 바인더 80질량부에 대하여, 경화 보조제로서 DBU 계 테트라페닐보레이트염 (U-CAT 5002) 을 5질량부, 실리카 (일차 입경 : 100㎚) 를 50질량부, 카본 블랙을 0.5질량부, 에폭시계 실란 커플링제 (KBM-403) 를 2질량부 배합하여, 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 1 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트의 파장 1000㎚ 에 있어서의 투과율은 50％ 였다. 또한, 레이저 마크 시인성의 평가는 ○ 이고, 얼라인먼트 마크 인식성의 평가는 ◎ 였다.
[실시예 3]
실시예 1 과 동일한 열경화성 바인더 80질량부에 대하여, 실리카 (일차 입경 : 1㎚) 를 50질량부, 카본 블랙을 0.5질량부, 아크릴계 실란 커플링제 (KBM-5103) 를 2질량부 배합하여, 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 1 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트의 파장 1000㎚ 에 있어서의 투과율은 60％ 였다. 또한, 레이저 마크 시인성의 평가는 ○ 이고, 얼라인먼트 마크 인식성의 평가는 ◎ 였다.
[실시예 4]
실시예 1 과 동일한 열경화성 바인더 80질량부에 대하여, 실리카 (일차 입경 : 1000㎚) 를 50질량부, 카본 블랙을 0.5질량부, 아크릴계 실란 커플링제 (KBM-5103) 를 2질량부 배합하여, 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 1 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트의 파장 1000㎚ 에 있어서의 투과율은 30％ 였다. 또한, 레이저 마크 시인성의 평가는 ○ 이고, 얼라인먼트 마크 인식성의 평가는 ○ 였다.
[실시예 5]
실시예 1 과 동일한 열경화성 바인더 80질량부에 대하여, 실리카 (일차 입경 : 50㎚) 를 50질량부, 카본 블랙을 0.5질량부, 아크릴계 실란 커플링제 (KBM-5103) 를 2질량부 배합하여, 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 1 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트의 파장 1000㎚ 에 있어서의 투과율은 60％ 였다. 또한, 레이저 마크 시인성의 평가는 ○ 이고, 얼라인먼트 마크 인식성의 평가는 ◎ 였다.
[실시예 6]
실시예 1 과 동일한 열경화성 바인더 80질량부에 대하여, 실리카 (일차 입경 : 50㎚) 을 100질량부, 카본 블랙을 0.5질량부, 아크릴계 실란 커플링제 (KBM-5103) 를 2질량부 배합하여, 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 1 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트의 파장 1000㎚ 에 있어서의 투과율은 50％ 였다. 또한, 레이저 마크 시인성의 평가는 ○ 이고, 얼라인먼트 마크 인식성의 평가는 ◎ 였다.
[실시예 7]
실시예 1 과 동일한 열경화성 바인더 80질량부에 대하여, 실리카 (일차 입경 : 50㎚) 를 30질량부, 카본 블랙을 0.5질량부, 아크릴계 실란 커플링제 (KBM-5103) 를 2질량부 배합하여, 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 1 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트의 파장 1000㎚ 에 있어서의 투과율은 70％ 였다. 또한, 레이저 마크 시인성의 평가는 ○ 이고, 얼라인먼트 마크 인식성의 평가는 ◎ 였다.
[실시예 8]
실시예 1 과 동일한 열경화성 바인더 80질량부에 대하여, 실리카 (일차 입경 : 50㎚) 를 50질량부, 카본 블랙을 3.0질량부, 아크릴계 실란 커플링제 (KBM-5103) 를 2질량부 배합하여, 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 1 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트의 파장 1000㎚ 에 있어서의 투과율은 30％ 였다. 또한, 레이저 마크 시인성의 평가는 ◎ 이고, 얼라인먼트 마크 인식성의 평가는 ○ 였다.
[실시예 9]
실시예 1 과 동일한 열경화성 바인더 80질량부에 대하여, 실리카 (일차 입경 : 50㎚) 를 50질량부, 카본 블랙을 1.5질량부, 아크릴계 실란 커플링제 (KBM-5103) 를 2질량부 배합하여, 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 1 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트의 파장 1000㎚ 에 있어서의 투과율은 40％ 였다. 또한, 레이저 마크 시인성의 평가는 ◎ 이고, 얼라인먼트 마크 인식성의 평가는 ○ 였다.
[비교예 1]
실시예 1 과 동일한 열경화성 바인더 80질량부에 대하여, 실리카 (일차 입경 : 1100㎚) 을 50질량부, 카본 블랙을 1.5질량부, 아크릴계 실란 커플링제 (KBM-5103) 를 2질량부 배합하여, 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 2 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트의 파장 1000㎚ 에 있어서의 투과율은 20％ 였다. 또한, 레이저 마크 시인성의 평가는 ○ 이고, 얼라인먼트 마크 인식성의 평가는 × 였다.
[비교예 2]
실시예 2 와 동일한 열경화성 바인더 80질량부에 대하여, 경화 보조제로서 DBU 계 테트라페닐보레이트염 (U-CAT 5002) 을 5질량부, 실리카 (일차 입경 : 1100㎚) 을 50질량부, 카본 블랙을 1.5질량부, 에폭시계 실란 커플링제 (KBM-403) 를 2질량부 배합하여, 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 2 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트의 파장 1000㎚ 에 있어서의 투과율은 20％ 였다. 또한, 레이저 마크 시인성의 평가는 ○ 이고, 얼라인먼트 마크 인식성의 평가는 × 였다.
[비교예 3]
실시예 1 과 동일한 열경화성 바인더 80질량부에 대하여, 실리카 (일차 입경 : 50㎚) 을 120질량부, 카본 블랙을 1.5질량부, 아크릴계 실란 커플링제 (KBM-5103) 를 2질량부 배합하여, 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 2 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트의 파장 1000㎚ 에 있어서의 투과율은 20％ 였다. 또한, 레이저 마크 시인성의 평가는 ○ 이고, 얼라인먼트 마크 인식성의 평가는 × 였다.
[비교예 4]
실시예 1 과 동일한 열경화성 바인더 80질량부에 대하여, 실리카 (일차 입경 : 50㎚) 을 20질량부, 카본 블랙을 1.5질량부, 아크릴계 실란 커플링제 (KBM-5103) 를 2질량부 배합하여, 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 2 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트의 파장 1000㎚ 에 있어서의 투과율은 80％ 였다. 또한, 레이저 마크 시인성의 평가는 × 이고, 얼라인먼트 마크 인식성의 평가는 ◎ 였다.
[비교예 5]
실시예 1 과 동일한 열경화성 바인더 80질량부에 대하여, 실리카 (일차 입경 : 50㎚) 을 50질량부, 카본 블랙을 4.0질량부, 아크릴계 실란 커플링제 (KBM-5103) 를 2질량부 배합하여, 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 2 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트의 파장 1000㎚ 에 있어서의 투과율은 10％ 였다. 또한, 레이저 마크 시인성의 평가는 ◎ 이고, 얼라인먼트 마크 인식성의 평가는 × 였다.
[비교예 6]
실시예 1 과 동일한 열경화성 바인더 80질량부에 대하여, 실리카 (일차 입경 : 50㎚) 을 50질량부, 카본 블랙을 0.3질량부, 아크릴계 실란 커플링제 (KBM-5103) 를 2질량부 배합하여, 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 2 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트의 파장 1000㎚ 에 있어서의 투과율은 70％ 였다. 또한, 레이저 마크 시인성의 평가는 × 이고, 얼라인먼트 마크 인식성의 평가는 ◎ 였다.
Figure 112016041276742-pat00001
Figure 112016041276742-pat00002
비교예 1, 2 와 같이 평균 일차 입경이 1100㎚ 인 실리카를 사용한 경우, 적외선의 투과율이 저하되어, 얼라인먼트 마크 인식성이 악화되었다. 또한, 비교예 3 과 같이 열경화성 바인더 80질량부에 대하여 실리카를 120질량부 배합한 경우, 투과율이 저하되어, 얼라인먼트 마크 인식성이 악화되었다. 또한, 비교예 4 와 같이 열경화성 바인더 80질량부에 대하여 실리카를 20질량부 배합한 경우, 레이저 마크 시인성이 악화되었다. 또한, 비교예 5 와 같이 열경화성 바인더 80질량부에 대하여 카본 블랙을 4.0질량부 배합한 경우, 투과율이 저하되어, 얼라인먼트 마크 인식성이 악화되었다. 또한, 비교예 6 과 같이 열경화성 바인더 80질량부에 대하여 카본 블랙을 0.3질량부 배합한 경우, 레이저 마크 시인성이 악화되었다.
한편, 실시예 1∼9 와 같이 평균 일차 입자경이 1㎚ 이상 1000㎚ 이하인 광투과성 필러를 열경화성 바인더 80질량부에 대하여 30질량부 이상 100질량부 이하 배합하고, 착색제를 열경화성 바인더 80질량부에 대하여 0.5질량부 이상 3.0질량부 이하 배합함으로써, 우수한 레이저 마크 시인성 및 얼라인먼트 마크 인식성이 얻어졌다.
<3.2 제 2 실시예>
제 2 실시예에서는, 열경화성 접착 시트를 제작하여, 이것을 휨이 발생한 패턴이 형성된 웨이퍼에 첩합하고, 적층체의 경화 후의 휨량에 대해서 평가하였다. 또한, 열경화성 접착 시트의 경화 속도, 밀착 신뢰성, 얼라인먼트 마크 시인성, 및 다이싱 테이프의 첩부성에 대해서 평가하였다.
[열경화성 접착 시트의 제작]
하기 성분을 배합하여, 수지 조성물을 조제하였다. 이것을, 박리 처리된 PET (Polyethylene terephthalate) 에 바 코터를 사용하여 도포하고, 80℃ 의 오븐에서 3분간 건조시켜, 두께 20㎛ 의 열경화성 접착 시트를 제작하였다 (커버 박리 PET (25㎛)/열경화성 접착 시트 (20㎛)/베이스 박리 PET (50㎛)).
FX293 : 플루오렌형 페녹시 수지 (신닛테츠 스미킨 화학(주) 제)
YP-50 : 비스페놀 A 형 페녹시 수지 (신닛테츠 스미킨 화학(주) 제)
SG-80H : 아크릴계 엘라스토머 (나가세 켐텍스(주) 제)
RKB-5515 B : 부타디엔계 엘라스토머 (레지나스 화성(주) 제)
DCP : 트리시클로데칸디메탄올디메타크릴레이트 (신나카무라 화학 공업(주), (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수)=166)
A-DCP : 트리시클로데칸디메탄올디아크릴레이트 (신나카무라 화학 공업(주), (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수)=152)
M-315 : 이소시아누르산에틸렌옥사이드 변성 디아크릴레이트와 이소시아누르산에틸렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트의 혼합물 (이소시아누르산에틸렌옥사이드 변성 디아크릴레이트의 함유율이 3％∼13％) (토아 합성(주) 제, (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수)=144)
A-DPH : 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 (신나카무라 화학 공업(주), (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수)=96)
UV-1700B : 우레탄아크릴레이트 (닛폰 합성 화학(주), (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수)=222)
4-HBA : 4-히드록시부틸아크릴레이트 (신나카무라 화학 공업(주), (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수)=144)
CEL-2021P : 지환식 에폭시 수지 ((주)다이셀)
JER1031S : 특수 다관능 에폭시 수지 (미쓰비시 화학(주))
퍼로일 L : 디라우로일퍼옥사이드 (니치유(주) 제, 1분간 반감기 온도 : 116.4℃)
퍼옥타 O : 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트 (니치유(주) 제, 1분간 반감기 온도 : 116.4℃)
퍼헥사 V : n-부틸-4,4-비스(t-부틸퍼옥시)발레레이트 (니치유(주) 제, 1분간 반감기 온도 : 116.4℃)
TD-2131 : 페놀 노볼락 (DIC(주))
U-CAT5002 : DBU 계 테트라페닐보레이트염 (산 아프로(주))
에어로질 R202 : 실리카 (닛폰 에어로질(주))
#20 : 카본 블랙
KBM-5103 : 아크릴계 실란 커플링제 (신에츠 실리콘(주))
KBM-403 : 에폭시계 실란 커플링제 (신에츠 실리콘(주))
[적층체의 제작]
두께 20㎛ 의 열경화성 접착 시트를 패턴이 형성된 웨이퍼 상에 프레스기로 첩합하고, 130℃, 1h 의 조건으로 큐어하여 적층체를 얻었다.
패턴이 형성된 웨이퍼는, 두께 200㎛ 의 8 인치 것을 사용하였다. 또한, 패턴이 형성된 웨이퍼의 평균 휨량 (샘플수 : 10) 은 4㎜ 였다. 또, 패턴이 형성된 웨이퍼의 휨량은, 평면 스테이지 (X, Y축) 에 패턴이 형성된 웨이퍼를 두었을 때의 휘어짐 (Z축) 의 최대치로 하였다.
[적층체의 휨량의 평가]
패턴이 형성된 웨이퍼의 휨량의 측정과 동일하게, 적층체의 휨량은, 평면 스테이지 (X, Y축) 에 적층체를 두었을 때의 휘어짐 (Z축) 의 최대치로 하였다. 적층체의 휨량이 1.0㎜ 미만인 것을 「◎」, 적층체의 휨량이 1.0㎜ 이상 1.5㎜ 미만인 것을 「○」, 적층체의 휨량이 1.5㎜ 이상 2.5㎜ 미만인 것을 「△」, 적층체의 휨량이 2.5㎜ 이상인 것을 「×」로 평가하였다.
[열경화성 접착 시트의 경화 속도의 평가]
푸리에 변환 적외 분광 광도계 (FT/IR-4100, 닛폰 분광사 제) 를 사용하여, 130℃, 1h 의 조건으로 큐어한 두께 20㎛ 의 열경화성 접착 시트의 샘플을 투과법으로 측정하였다. 경화되지 않은 열경화성 접착 시트의 아크릴 모노머 (불포화기) 의 측정 강도와 완전 경화 후의 열경화성 접착 시트의 아크릴 모노머 (불포화기) 의 측정 강도의 비로부터, 열경화성 접착 시트의 샘플의 반응률을 산출하였다. 열경화성 접착 시트의 반응률이 80％ 이상인 것을 「◎」, 열경화성 접착 시트의 반응률이 50％ 이상 80％ 미만인 것을 「○」, 열경화성 접착 시트의 반응률이 50％ 미만인 것을 「×」로 평가하였다.
[열경화성 접착 시트의 밀착 신뢰성의 평가]
130℃, 1h 의 조건으로 큐어한 두께 20㎛ 의 열경화성 접착 시트의 초기 접착 강도와, 온도 85℃, 습도 85％, 1000h 의 신뢰성 시험 후의 열경화성 접착 시트의 접착 강도를 측정하였다. 접착 강도는, JIS K 6854 에 준거해서 박리 속도 50㎜/min 으로 90 도 박리 시험을 실시하여, 박리시키는 데 소요된 힘을 박리 강도로서 측정하였다. 신뢰성 시험 후의 접착 강도가 초기 접착 강도의 90％ 이상인 것을 「◎」, 신뢰성 시험 후의 접착 강도가 초기의 접착 강도의 80％ 이상 90％ 미만인 것을 「○」, 신뢰성 시험 후의 접착 강도가 초기 접착 강도의 80％ 미만인 것을 「×」로 평가하였다.
[열경화성 접착 시트의 얼라인먼트 마크 인식성의 평가]
130℃, 1h 의 조건으로 큐어한 두께 20㎛ 의 열경화성 접착 시트에 대해서, 적외선 (파장 : 1㎛) 의 투과율을 측정하였다. IR 투과율이 50％ 이상인 것을 「◎」, IR 투과율이 30％ 이상 50％ 미만인 것을 「○」, IR 투과율이 30％ 미만인 것을 「×」로 평가하였다.
[다이싱 테이프의 첩부성의 평가]
130℃, 1h 의 조건으로 큐어하여 얻어진 적층체의 열경화성 접착층측에 다이싱 테이프를 라미네이트하였다. 다이싱 테이프를 육안으로 보아, 기포를 확인할 수 없는 경우를 「○」로 평가하고, 기포가 확인된 경우를 「×」로 평가하였다.
[실시예 10]
플루오렌형 페녹시 수지 (FX293) 를 5질량부, 아크릴계 엘라스토머 (SG-80H) 를 20질량부, 3관능 아크릴레이트 (M-315) 를 50질량부, 유기 과산화물 (퍼로일 L) 을 5질량부, 실리카 (에어로질 R202) 를 100질량부, 카본 블랙을 1질량부, 아크릴계 실란 커플링제 (KBM-5103) 를 2질량부 배합하고, (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수) 의 가성 평균치가 144, 평균 가교 밀도가 7.1E-03 인 수지 조성물을 조제하여, 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 3 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트를 패턴이 형성된 웨이퍼에 첩합하고, 경화시킨 적층체의 휨량의 평가는 ◎ 였다. 또한, 열경화성 접착 시트의 경화 속도의 평가는 ◎, 밀착 신뢰성의 평가는 ◎, 얼라인먼트 마크 시인성의 평가는 ◎, 다이싱 테이프의 첩부성의 평가는 ○ 였다.
[실시예 11]
3관능 아크릴레이트 (M-315) 대신에, 2관능 아크릴레이트 (A-DCP) 를 50질량부 배합하고, (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수) 의 가성 평균치가 152, 평균 가교 밀도가 6.6E-03 인 수지 조성물을 조제한 것 이외에는, 실시예 10 과 동일하게 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 3 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트를 패턴이 형성된 웨이퍼에 첩합하고, 경화시킨 적층체의 휨량의 평가는 ◎ 였다. 또한, 열경화성 접착 시트의 경화 속도의 평가는 ◎, 밀착 신뢰성의 평가는 ◎, 얼라인먼트 마크 시인성의 평가는 ◎ 였다.
[실시예 12]
3관능 아크릴레이트 (M-315) 대신에, 2관능 메타크릴레이트 (DCP) 를 50질량부 배합하고, (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수) 의 가성 평균치가 166, 평균 가교 밀도가 6.0E-03 인 수지 조성물을 조제한 것 이외에는, 실시예 10 과 동일하게 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 3 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트를 패턴이 형성된 웨이퍼에 첩합하고, 경화시킨 적층체의 휨량의 평가는 ◎ 였다. 또한, 열경화성 접착 시트의 경화 속도의 평가는 ◎, 밀착 신뢰성의 평가는 ◎, 얼라인먼트 마크 시인성의 평가는 ◎ 였다.
[실시예 13]
3관능 아크릴레이트 (M-315) 대신에, 다관능 메타크릴레이트 (A-DPH) 를 50질량부 배합하고, (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수) 의 가성 평균치가 96, 평균 가교 밀도가 1.0E-02 인 수지 조성물을 조제한 것 이외에는, 실시예 10 과 동일하게 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 3 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트를 패턴이 형성된 웨이퍼에 첩합하고, 경화시킨 적층체의 휨량의 평가는 ◎ 였다. 또한, 열경화성 접착 시트의 경화 속도의 평가는 ◎, 밀착 신뢰성의 평가는 ○, 얼라인먼트 마크 시인성의 평가는 ◎ 였다.
[실시예 14]
3관능 아크릴레이트 (M-315) 대신에, 다관능 우레탄아크릴레이트 (UV-1700B) 를 50질량부 배합하고, (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수) 의 가성 평균치가 222, 평균 가교 밀도가 4.5E-03 인 수지 조성물을 조제한 것 이외에는, 실시예 10 과 동일하게 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 3 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트를 패턴이 형성된 웨이퍼에 첩합하고, 경화시킨 적층체의 휨량의 평가는 ◎ 였다. 또한, 열경화성 접착 시트의 경화 속도의 평가는 ◎, 밀착 신뢰성의 평가는 ○, 얼라인먼트 마크 시인성의 평가는 ◎ 였다.
[실시예 15]
3관능 아크릴레이트 (M-315) 대신에, 다관능 메타크릴레이트 (A-DPH) 를 20질량부, 및 단관능 아크릴레이트 (4-HBA) 를 30질량부 배합하고, (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수) 의 가성 평균치가 125, 평균 가교 밀도가 8.3E-03 인 수지 조성물을 조제한 것 이외에는, 실시예 10 과 동일하게 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 3 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트를 패턴이 형성된 웨이퍼에 첩합하고, 경화시킨 적층체의 휨량의 평가는 ○ 였다. 또한, 열경화성 접착 시트의 경화 속도의 평가는 ◎, 밀착 신뢰성의 평가는 ○, 얼라인먼트 마크 시인성의 평가는 ◎ 였다.
[실시예 16]
3관능 아크릴레이트 (M-315) 대신에, 다관능 메타크릴레이트 (A-DPH) 를 70질량부 배합하고, (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수) 의 가성 평균치가 96, 평균 가교 밀도가 1.0E-02 인 수지 조성물을 조제한 것 이외에는, 실시예 10 과 동일하게 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 3 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트를 패턴이 형성된 웨이퍼에 첩합하고, 경화시킨 적층체의 휨량의 평가는 ◎ 였다. 또한, 열경화성 접착 시트의 경화 속도의 평가는 ○, 밀착 신뢰성의 평가는 ○, 얼라인먼트 마크 시인성의 평가는 ◎ 였다.
[실시예 17]
3관능 아크릴레이트 (M-315) 를 30질량부, 2관능 메타크릴레이트 (DCP) 를 18질량부, 단관능 아크릴레이트 (4-HBA) 를 2질량부 배합하고, (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수) 의 가성 평균치가 125, 평균 가교 밀도가 6.7E-03 인 수지 조성물을 조제한 것 이외에는, 실시예 10 과 동일하게 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 3 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트를 패턴이 형성된 웨이퍼에 첩합하고, 경화시킨 적층체의 휨량의 평가는 ◎ 였다. 또한, 열경화성 접착 시트의 경화 속도의 평가는 ◎, 밀착 신뢰성의 평가는 ◎, 얼라인먼트 마크 시인성의 평가는 ◎ 였다.
[실시예 18]
플루오렌형 페녹시 수지 (FX293) 를 3질량부, 비스페놀 A 형 페녹시 수지 (YP-50) 를 2질량부 배합하고, (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수)의 가성 평균치가 144, 평균 가교 밀도가 7.1E-03 인 수지 조성물을 조제한 것 이외에는, 실시예 10 과 동일하게 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 3 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트를 패턴이 형성된 웨이퍼에 첩합하고, 경화시킨 적층체의 휨량의 평가는 ○ 였다. 또한, 열경화성 접착 시트의 경화 속도의 평가는 ◎, 밀착 신뢰성의 평가는 ○, 얼라인먼트 마크 시인성의 평가는 ◎ 였다.
[실시예 19]
플루오렌형 페녹시 수지 (FX293) 를 배합하지 않고, 아크릴계 엘라스토머 (SG-80H) 를 25질량부 배합하고, (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수) 의 가성 평균치가 144, 평균 가교 밀도가 7.1E-03 인 수지 조성물을 조제한 것 이외에는, 실시예 10 과 동일하게 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 3 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트를 패턴이 형성된 웨이퍼에 첩합하고, 경화시킨 적층체의 휨량의 평가는 ○ 였다. 또한, 열경화성 접착 시트의 경화 속도의 평가는 ◎, 밀착 신뢰성의 평가는 ◎, 얼라인먼트 마크 시인성의 평가는 ◎ 였다.
[실시예 20]
아크릴계 엘라스토머 (SG-80H) 를 15질량부, 부타디엔계 엘라스토머 (RKB-5515 B) 를 5질량부 배합하고, (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수) 의 가성 평균치가 144, 평균 가교 밀도가 7.1E-03 인 수지 조성물을 조제한 것 이외에는, 실시예 10 과 동일하게 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 3 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트를 패턴이 형성된 웨이퍼에 첩합하고, 경화시킨 적층체의 휨량의 평가는 ◎ 였다. 또한, 열경화성 접착 시트의 경화 속도의 평가는 ◎, 밀착 신뢰성의 평가는 ○, 얼라인먼트 마크 시인성의 평가는 ○ 였다.
[비교예 7]
아크릴계 엘라스토머 (SG-80H) 대신에, 부타디엔계 엘라스토머 (RKB-5515B) 를 20질량부 배합하고, (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수) 의 가성 평균치가 144, 평균 가교 밀도가 7.1E-03 인 수지 조성물을 조제한 것 이외에는, 실시예 10 과 동일하게 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 3 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트를 패턴이 형성된 웨이퍼에 첩합하고, 경화시킨 적층체의 휨량의 평가는 ○ 였다. 또한, 열경화성 접착 시트의 경화 속도의 평가는 ◎, 밀착 신뢰성의 평가는 ○, 얼라인먼트 마크 시인성의 평가는 × 였다.
[실시예 21]
퍼로일 L 대신에 퍼옥타 O 를 5질량부 배합하고, (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수) 의 가성 평균치가 144, 평균 가교 밀도가 7.1E-03 인 수지 조성물을 조제한 것 이외에는, 실시예 10 과 동일하게 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 4 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트를 패턴이 형성된 웨이퍼에 첩합하고, 경화시킨 적층체의 휨량의 평가는 ◎ 였다. 또한, 열경화성 접착 시트의 경화 속도의 평가는 ◎, 밀착 신뢰성의 평가는 ◎, 얼라인먼트 마크 시인성의 평가는 ◎ 였다.
[실시예 22]
퍼로일 L 을 4질량부, 퍼헥사 V 를 1질량부 배합하고, (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수) 의 가성 평균치가 144, 평균 가교 밀도가 7.1E-03 인 수지 조성물을 조제한 것 이외에는, 실시예 10 과 동일하게 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 4 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트를 패턴이 형성된 웨이퍼에 첩합하고, 경화시킨 적층체의 휨량의 평가는 ◎ 였다. 또한, 열경화성 접착 시트의 경화 속도의 평가는 △, 밀착 신뢰성의 평가는 ◎, 얼라인먼트 마크 시인성의 평가는 ◎ 였다.
[실시예 23]
3관능 아크릴레이트 (M-315), 퍼로일 L 및 아크릴계 실란 커플링제 (KBM-5103) 대신에, 지환식 에폭시 수지 (CEL-2021P) 를 50질량부, 페놀 노볼락 (TD-2131) 을 5질량부, DBU 계 테트라페닐보레이트염 (U-CAT5002) 을 5질량부, 에폭시계 실란 커플링제 (KBM-403) 를 2질량부 배합하여, 수지 조성물을 조제한 것 이외에는, 실시예 10 과 동일하게 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 4 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트를 패턴이 형성된 웨이퍼에 첩합하고, 경화시킨 적층체의 휨량의 평가는 △ 였다. 또한, 열경화성 접착 시트의 경화 속도의 평가는 ×, 밀착 신뢰성의 평가는 ◎, 얼라인먼트 마크 시인성의 평가는 ○ 였다.
[실시예 24]
3관능 아크릴레이트 (M-315), 퍼로일 L 및 아크릴계 실란 커플링제 (KBM-5103) 대신에, 특수 다관능 에폭시 수지 (JER1031S) 를 50질량부, 페놀 노볼락 (TD-2131) 을 5질량부, DBU 계 테트라페닐보레이트염 (U-CAT5002) 을 5질량부, 에폭시계 실란 커플링제 (KBM-403) 를 2질량부 배합하고, 수지 조성물을 조제한 것 이외에는, 실시예 10 과 동일하게 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 4 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트를 패턴이 형성된 웨이퍼에 첩합하고, 경화시킨 적층체의 휨량의 평가는 △ 였다. 또한, 열경화성 접착 시트의 경화 속도의 평가는 ×, 밀착 신뢰성의 평가는 ◎, 얼라인먼트 마크 시인성의 평가는 ○, 다이싱 테이프의 첩부성의 평가는 × 였다.
[실시예 25]
3관능 아크릴레이트 (M-315) 대신에, 단관능 아크릴레이트 (4-HBA) 를 50질량부 배합하고, (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수) 의 가성 평균치가 144, 평균 가교 밀도가 6.9E-03 인 수지 조성물을 조제한 것 이외에는, 실시예 10 과 동일하게 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 4 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트를 패턴이 형성된 웨이퍼에 첩합하고, 경화시킨 적층체의 휨량의 평가는 × 였다. 또한, 열경화성 접착 시트의 경화 속도의 평가는 ◎, 밀착 신뢰성의 평가는 ○, 얼라인먼트 마크 시인성의 평가는 ◎, 다이싱 테이프의 첩부성의 평가는 × 였다.
[실시예 26]
3관능 아크릴레이트 (M-315) 를 47.5질량부, 단관능 아크릴레이트 (4-HBA) 를 2.5질량부 배합하고, (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수) 의 가성 평균치가 102, 평균 가교 밀도가 7.1E-03 인 수지 조성물을 조제한 것 이외에는, 실시예 10 과 동일하게 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 4 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트를 패턴이 형성된 웨이퍼에 첩합하고, 경화시킨 적층체의 휨량의 평가는 △ 였다. 또한, 열경화성 접착 시트의 경화 속도의 평가는 ◎, 밀착 신뢰성의 평가는 ◎, 얼라인먼트 마크 시인성의 평가는 ◎ 였다.
[실시예 27]
퍼로일 L 대신에, 퍼헥사 V 를 5질량부 배합하고, (메트)아크릴 당량 (분자량/관능기수) 의 가성 평균치가 144, 평균 가교 밀도가 7.1E-03 인 수지 조성물을 조제한 것 이외에는, 실시예 10 과 동일하게 열경화성 접착 시트를 제작하였다.
표 4 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 접착 시트를 패턴이 형성된 웨이퍼에 첩합하고, 경화시킨 적층체의 휨량의 평가는 △ 였다. 또한, 열경화성 접착 시트의 경화 속도의 평가는 ×, 밀착 신뢰성의 평가는 ◎, 얼라인먼트 마크 시인성의 평가는 ◎ 였다.
Figure 112016041276742-pat00003
Figure 112016041276742-pat00004
실시예 10∼27 과 같이, 평균 일차 입자경이 14㎚ 인 실리카 필러를 100질량부 배합하고, 카본 블랙을 1질량부 배합함으로써, 우수한 얼라인먼트 마크 시인성이 얻어졌다.
또한, 실시예 10∼22 와 같이, 엘라스토머를 함유하는 폴리머와, 다관능 (메트)아크릴레이트를 전체 (메트)아크릴레이트 중 95wt％ 를 초과하여 함유하는 (메트)아크릴레이트와, 1분간 반감기 온도가 130℃ 이하인 유기 과산화물을 배합한 경우, 높은 경화 속도가 얻어지고, 웨이퍼의 휘어짐과 반대 방향의 응력이 커져, 웨이퍼의 휨량을 크게 저감시킬 수 있었다.
또한, 다관능 (메트)아크릴레이트 이외의 성분이 동일한 실시예 10∼실시예 14 를 대비하면 알 수 있듯이, (메트)아크릴 당량의 가성 평균치가 100∼200g/eq 의 범위인 것에 의해, 휨량, 경화 속도, 밀착성 및 얼라인먼트 마크 시인성의 평가 모두가 양호해졌다.
또한, 성분이 동일하고, 다관능 (메트)아크릴레이트의 배합량이 다른 실시예 13, 실시예 15, 및 실시예 16 을 대비하면 알 수 있듯이, 다관능 (메트)아크릴레이트의 배합량이 30질량부 이상인 것에 의해, 적층체의 휨량의 평가가 양호해졌다.
11 : 기재 필름층, 12 : 열경화성 접착층, 21 : 웨이퍼, 22 : 돌기 전극, 30 : 보호 테이프, 31 : 열가소성 수지층, 32 : 기재 필름층

Claims (8)

  1. 반도체 웨이퍼를 다이싱할 때에, 그 반도체 웨이퍼의 연마면에 첩합되는 열경화성 접착 시트로서, 열경화성 바인더와, 평균 일차 입자경이 1㎚ 이상 1000㎚ 이하인 광투과성 필러와, 착색제를 함유하고,
    상기 광투과성 필러의 함유량이, 상기 열경화성 바인더 80질량부에 대하여 30질량부 이상 100질량부 이하이고,
    상기 착색제의 함유량이, 상기 열경화성 바인더 80질량부에 대하여 0.5질량부 이상 3.0질량부 이하이고,
    상기 열경화성 바인더가, 엘라스토머를 함유하는 폴리머와, 다관능 (메트)아크릴레이트를 전체 (메트)아크릴레이트 중 95wt% 를 초과하여 함유하는 (메트)아크릴레이트와, 유기 과산화물을 함유하는 열경화성 접착 시트.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 광투과성 필러가 실리카이고, 상기 착색제가 카본 블랙인 열경화성 접착 시트.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 유기 과산화물의 1분간 반감기 온도가 130℃ 이하인 열경화성 접착 시트.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 (메트)아크릴레이트의 (메트)아크릴 당량의 가성 평균치가 80g/eq 이상 200g/eq 이하인 열경화성 접착 시트.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 (메트)아크릴레이트의 함유량이, 상기 폴리머 25질량부에 대하여 20질량부 이상 70질량부 이하인 열경화성 접착 시트.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 폴리머가, 플루오렌형 페녹시 수지와 아크릴계 엘라스토머를 함유하는 열경화성 접착 시트.
  7. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기 과산화물이 디라우로일퍼옥사이드를 함유하는 열경화성 접착 시트.
  8. 반도체 웨이퍼를 연마하는 그라인드 공정과,
    상기 반도체 웨이퍼의 연마면에 열경화성 접착 시트를 첩부하는 열경화성 접착 시트 첩부 공정과,
    상기 열경화성 시트를 경화시키는 경화 공정과,
    상기 반도체 웨이퍼의 열경화성 접착 시트면에 다이싱 테이프를 첩부하는 다이싱 테이프 첩부 공정과,
    상기 다이싱 테이프가 첩부된 웨이퍼를 다이싱 처리하여, 개편의 반도체 칩을 얻는 다이싱 처리 공정을 갖고,
    상기 열경화성 접착 시트가, 열경화성 바인더와, 평균 일차 입자경이 1㎚ 이상 1000㎚ 이하인 광투과성 필러와, 착색제를 함유하고, 상기 광투과성 필러의 함유량이, 상기 열경화성 바인더 80질량부에 대하여 30질량부 이상 100질량부 이하이고, 상기 착색제의 함유량이, 상기 열경화성 바인더 80질량부에 대하여 0.5질량부 이상 3.0질량부 이하이고,
    상기 열경화성 바인더가, 엘라스토머를 함유하는 폴리머와, 다관능 (메트)아크릴레이트를 전체 (메트)아크릴레이트 중 95wt% 를 초과하여 함유하는 (메트)아크릴레이트와, 유기 과산화물을 함유하는 반도체 장치의 제조 방법.
KR1020160052604A 2015-05-27 2016-04-29 열경화성 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법 KR102471795B1 (ko)

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY192914A (en) * 2017-02-09 2022-09-15 Lintec Corp Curable resin film and sheet for forming a first protective film
JP6940217B2 (ja) * 2017-05-18 2021-09-22 株式会社ディスコ ウェハ処理に使用する為の保護シーティング、ウェハ、ウェハ及び保護シーティングの組合せの取扱いシステム
JP7042437B2 (ja) * 2017-09-07 2022-03-28 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップの製造方法
JP7157301B2 (ja) * 2017-11-06 2022-10-20 株式会社東京精密 ウェーハの加工方法
JP2020084061A (ja) * 2018-11-27 2020-06-04 大阪瓦斯株式会社 ゴム組成物およびその製造方法
JP7344779B2 (ja) * 2019-12-03 2023-09-14 日東電工株式会社 半導体背面密着フィルム
JP7462441B2 (ja) 2020-03-13 2024-04-05 株式会社ディスコ 保護部材の設置方法、被加工物の加工方法、保護部材の製造方法及び被加工物の保護部材
CN114350294B (zh) * 2021-04-09 2023-08-22 杭州安誉科技有限公司 一种线路板用导电胶膜的制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002280329A (ja) 2001-03-21 2002-09-27 Lintec Corp チップ用保護膜形成用シートおよび半導体チップの製造方法
JP2014135468A (ja) * 2012-12-10 2014-07-24 Nitto Denko Corp ダイシングテープ一体型接着シート、及び、ダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法
JP5615471B1 (ja) * 2013-03-22 2014-10-29 リンテック株式会社 保護膜形成用フィルムおよび保護膜形成用複合シート

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3825478A (en) * 1972-10-30 1974-07-23 Oxy Metal Finishing Corp Electrolyte and method for electrodepositing microporous chromium-nickel composite coatings
JP2695880B2 (ja) * 1988-12-07 1998-01-14 株式会社日立製作所 含弗素フエノキシ樹脂，及び組成物及び用途
JP5456440B2 (ja) * 2009-01-30 2014-03-26 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルム
KR101924049B1 (ko) * 2011-11-02 2018-12-03 헨켈 아이피 앤드 홀딩 게엠베하 전자 부품용 접착제
JP6504750B2 (ja) * 2014-05-07 2019-04-24 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002280329A (ja) 2001-03-21 2002-09-27 Lintec Corp チップ用保護膜形成用シートおよび半導体チップの製造方法
JP2014135468A (ja) * 2012-12-10 2014-07-24 Nitto Denko Corp ダイシングテープ一体型接着シート、及び、ダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法
JP5615471B1 (ja) * 2013-03-22 2014-10-29 リンテック株式会社 保護膜形成用フィルムおよび保護膜形成用複合シート

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