KR102431843B1 - 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법 - Google Patents

하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102431843B1
KR102431843B1 KR1020190160997A KR20190160997A KR102431843B1 KR 102431843 B1 KR102431843 B1 KR 102431843B1 KR 1020190160997 A KR1020190160997 A KR 1020190160997A KR 20190160997 A KR20190160997 A KR 20190160997A KR 102431843 B1 KR102431843 B1 KR 102431843B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted
formula
combination
Prior art date
Application number
KR1020190160997A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210070812A (ko
Inventor
허유미
신승욱
강선혜
김영민
박소연
윤벼리
최성호
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020190160997A priority Critical patent/KR102431843B1/ko
Publication of KR20210070812A publication Critical patent/KR20210070812A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102431843B1 publication Critical patent/KR102431843B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L65/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/01—Hydrocarbons
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/06—Ethers; Acetals; Ketals; Ortho-esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/36—Sulfur-, selenium-, or tellurium-containing compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Abstract

하기 화학식 1로 표현되는 구조 단위를 포함하는 중합체, 및 용매를 포함하는 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴형성방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure 112019126037283-pat00017

상기 화학식 1에서, A, B 및 C의 정의는 명세서에 기재한 바와 같다.

Description

하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법{HARDMASK COMPOSITION, HARDMASK LAYER AND METHOD OF FORMING PATTERNS}
하드마스크 조성물, 상기 하드마스크 조성물의 경화물을 포함하는 하드마스크 층, 그리고 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
최근 반도체 산업은 수백 나노미터 크기의 패턴에서 수 내지 수십 나노미터 크기의 패턴을 가지는 초미세 기술로 발전하고 있다. 이러한 초미세 기술을 실현하기 위해서는 효과적인 리쏘그래픽 기법이 필수적이다.
전형적인 리쏘그래픽 기법은 반도체 기판 위에 재료 층을 형성하고 그 위에 포토레지스트 층을 코팅하고 노광 및 현상을 하여 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 재료 층을 식각하는 과정을 포함한다.
근래, 형성하고자 하는 패턴의 크기가 감소함에 따라 상술한 전형적인 리쏘그래픽 기법만으로는 양호한 프로파일을 가진 미세 패턴을 형성하기 어렵다. 이에 따라 식각하고자 하는 재료층과 포토레지스트 층 사이에 일명 하드마스크 층(hardmask layer)이라고 불리는 보조층을 형성하여 미세 패턴을 형성할 수 있다.
일 구현예는 하드마스크 층에 효과적으로 적용할 수 있는 하드마스크 조성물을 제공한다.
다른 구현예는 상기 하드마스크 조성물의 경화물을 포함하는 하드마스크 층을 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 하드마스크 조성물을 사용한 패턴 형성 방법을 제공한다.
일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1로 표현되는 구조단위를 포함하는 중합체, 및 용매를 포함하는 하드마스크 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112019126037283-pat00001
상기 화학식 1에서, A는 하기 화학식 2로 표현되는 모이어티이고,
B는 치환 또는 비치환된 파이레닐기이고,
C는 수소, 중수소, 할로겐, 니트로기, 아미노기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 이들의 조합이다.
[화학식 2]
Figure 112019126037283-pat00002
상기 화학식 2에서, A1은 히드록시기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기 또는 이들의 조합이고,
A2 내지 A4는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이다.
A1은 히드록시기, 치환 또는 비치환된 메톡시기, 치환 또는 비치환된 에톡시기, 치환 또는 비치환된 프로폭시기 또는 치환 또는 비치환된 부톡시기일 수 있다.
A2 내지 A4는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기 또는 이들의 조합일 수 있다.
B는 비치환된 파이레닐기이거나, 적어도 하나 이상의 치환기로 치환된 파이레닐기이고, 상기 치환기는 각각 독립적으로 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합일 수 있다.
B는 파이레닐기 또는 1-히드록시 파이레닐기일 수 있다.
상기 하드마스크 조성물은 하기 화학식 3으로 표현되는 제1 첨가제를 더 포함할 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112019126037283-pat00003
상기 화학식 3에서,
m은 0 또는 1이고,
m=1일 때, X는 CH 또는 N이고,
m=0일 때, X는 O, S, -SO2- 또는 -(CRaRb)p-이고,
Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
p는 1 내지 5인 정수이고,
R1 내지 R15는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기 또는 이들의 조합이다.
R1 내지 R5 중 적어도 하나, R6 내지 R10 중 적어도 하나 및 R11 내지 R15 중 적어도 하나는 히드록시기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기일 수 있다.
상기 R1 내지 R5 중 적어도 하나, R6 내지 R10 중 적어도 하나 및 R11 내지 R15 중 적어도 하나는 히드록시기이고,
R1 내지 R5 중 적어도 둘, R6 내지 R10 중 적어도 둘 및 R11 내지 R15 중 적어도 둘은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기일 수 있다.
상기 하드마스크 조성물은 하기 화학식 4로 표현되는 제2 첨가제를 더 포함할 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112019126037283-pat00004
상기 화학식 4에서,
Y1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
Z는 OY2 또는 NY3Y4이고,
Y2 내지 Y4는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 카복실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 옥소알킬기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 옥소아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시카보닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아릴옥시카보닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
Y3 및 Y4는 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성한다.
다른 구현예에 따르면, 상기 하드마스크 조성물의 경화물을 포함하는 하드마스크 층을 제공한다.
또 다른 구현예에 따르면, 재료 층 위에 상술한 하드마스크 조성물을 도포하고 열처리하여 하드마스크 층을 형성하는 단계, 상기 하드마스크 층 위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 층을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계, 그리고 상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.
중합체의 용해도, 하드마스크 층의 내식각성 및 내열성을 동시에 확보할 수 있다.
이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
이하 본 명세서에서 특별한 정의가 없는 한, '치환된'이란, 화합물 중의 수소 원자가 중수소, 할로겐 원자(F, Br, Cl 또는 I), 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1 내지 C30 알킬기, C2 내지 C30 알케닐기, C2 내지 C30 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30 아릴알킬기, C1 내지 C30 알콕시기, C1 내지 C20 헤테로알킬기, C3 내지 C20 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15 사이클로알케닐기, C6 내지 C15 사이클로알키닐기, C2 내지 C30 헤테로고리기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한 상기 치환된 할로겐 원자(F, Br, Cl 또는 I), 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1 내지 C30 알킬기, C2 내지 C30 알케닐기, C2 내지 C30 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30 아릴알킬기, C1 내지 C30 알콕시기, C1 내지 C20 헤테로알킬기, C3 내지 C20 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15 사이클로알키닐기, C2 내지 C30 헤테로고리기 중 인접한 두 개의 치환기가 융합되어 고리를 형성할 수도 있다. 예를 들어, 상기 치환된 C6 내지 C30 아릴기는 인접한 또 다른 치환된 C6 내지 C30 아릴기와 융합되어 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리를 형성할 수 있다.
또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '헤테로'란, N, O, S, Se 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 1개 내지 3개 함유한 것을 의미한다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, ‘헤테로알킬기’는 에터 모이어티를 포함하는 알킬기를 포함하는 개념이며, 예를 들어, 알콕시기로 치환된 알킬기를 포함할 수 있고, 구체적으로, 메톡시메톡시기, 메톡시에톡시기, 메톡시프로폭시기, 메톡시부톡시기, 에톡시메톡시기, 에톡시에톡시기, 에톡시프로폭시기, 에톡시부톡시기, 프로폭시메톡시기, 프로폭시에톡시기, 프로폭시프로폭시기, 프로폭시부톡시기, 부톡시메톡시기, 부톡시에톡시기, 부톡시프로폭시기 또는 부톡시부톡시기를 포함할 수 있다.
본 명세서에서 “방향족 고리”는 단일 고리; 2개 이상의 방향족 고리가 축합된 축합 방향족고리; 2개 이상의 방향족 고리가 단일 결합, C1 내지 C5 알킬렌기, O 또는 C(=O)에 의해 연결된 비축합 방향족 고리 또는 이들의 조합을 포함하는 것이다.
본 명세서에서 "아릴기(aryl group)"는 탄화수소 방향족 모이어티를 하나 이상 갖는 그룹을 의미하며 넓게는 탄화수소 방향족 모이어티들이 단일 결합으로 연결된 형태 및 탄화수소 방향족 모이어티들이 직접 또는 간접적으로 융합된 비방향족 융합 고리 또한 포함한다. 아릴기는 모노사이클릭, 폴리사이클릭 또는 융합된 폴리사이클릭(즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.
본 명세서에서 "헤테로고리기(heterocyclic group)"는 헤테로아릴기를 포함하는 개념이며, 이에 추가하여 아릴기, 사이클로알킬기, 이들의 융합고리 또는 이들의 조합과 같은 고리 화합물 내에서 탄소(C) 대신에 N, O, S, P 및 Si에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개 함유하는 것을 의미한다. 상기 헤테로고리기가 융합고리인 경우, 상기 헤테로고리기 전체 또는 각각의 고리마다 헤테로 원자를 한 개 이상 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 치환 또는 비치환된 아릴기는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 이들의 조합 또는 이들의 조합이 융합된 형태일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
보다 구체적으로, 치환 또는 비치환된 헤테로고리기는, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피롤릴기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환 또는 비치환된 티아디아졸일기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기, 치환 또는 비치환된 페녹사진일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸릴기, 치환 또는 비치환된 피리도인돌일기, 치환 또는 비치환된 벤조피리도옥사진일기, 치환 또는 비치환된 벤조피리도티아진일기, 치환 또는 비치환된 9,9-디메틸9,10디히드로아크리딘일기, 이들의 조합 또는 이들의 조합이 융합된 형태일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 본 발명의 일 예에서, 헤테로고리기 또는 헤테로아릴기는 피롤기, 인돌일기 또는 카바졸릴기일 수 있다.
또한, 본 명세서에서, 중합체는 올리고머(oligomer)와 중합체(polymer)를 포함한 것을 의미한다.
이하 일 구현예에 따른 하드마스크 조성물을 설명한다.
일 구현예에 따른 하드마스크 조성물은 중합체 및 용매를 포함한다.
중합체는 방향족 고리를 포함하는 주쇄(main chain)와 상기 주쇄에 결합되어 있으며 방향족 고리를 포함하는 측쇄를 포함할 수 있다.
상기 방향족 고리를 포함하는 주쇄는 방향족 고리들이 단일 결합으로 연결된 모이어티를 포함할 수 있다. 예를 들어, 바이페닐 모이어티를 포함할 수 있고, 바람직하게는 바이페닐 모이어티의 2번 위치에 치환기를 가지는 바이페닐 모이어티를 포함할 수 있다. 바이페닐 모이어티의 2번 위치에 치환기를 도입함으로써, 중합체에 적절한 수준의 입체 장애(steric hindrance)를 유발하여 분자 사이의 뒤틀림을 적절한 수준으로 조절할 수 있다. 이에 따라, 중합체 사이의 상호작용(interaction) 및/또는 스태킹(stacking)을 줄이거나 방지하여 용매에 대한 용해도를 개선할 수 있다.
상기 주쇄에 결합되어 있으며, 방향족 고리를 포함하는 상기 측쇄는, 축합 방향족 고리를 포함할 수 있고, 예를 들어, 치환 또는 비치환된 파이렌을 포함할 수 있다.
이에 따라, 중합체가 주쇄에 2번 위치의 치환기를 가지는 바이페닐 모이어티를 포함함으로써 중합체의 용매에 대한 용해성을 높일 수 있을 뿐만 아니라, 측쇄에 고탄소 함량의 방향족 고리를 포함함으로써 단단한 막질의 중합체 층을 형성할 수 있어서 내식각성을 개선할 수 있다.
일 예로, 상기 중합체는 하기 화학식 1로 표현되는 구조단위를 포함할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112019126037283-pat00005
상기 화학식 1에서, A는 하기 화학식 2로 표현되는 모이어티이고,
B는 치환 또는 비치환된 파이레닐기이고,
C는 수소, 중수소, 할로겐, 니트로기, 아미노기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 이들의 조합이다.
[화학식 2]
Figure 112019126037283-pat00006
상기 화학식 2에서,
A1은 친수성 작용기이며, 예를 들어, 히드록시기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기 또는 이들의 조합일 수 있고,
A2 내지 A4는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이다.
중합체는 전술한 바와 같이, 주쇄에 상기 화학식 2로 표현되는 모이어티를 포함하고, 상기 화학식 2로 표현되는 모이어티의 A1 내지 A4 위치에 치환기를 도입할 수 있고, 구체적으로, A1 위치에 친수성 작용기를 도입할 수 있다. 이에 따라, 중합체의 용매에 대한 용해도가 더욱 개선되고, 중합체는 용액으로 준비되어 스핀-온 코팅과 같은 용액 공정에 의해 중합체 층으로 효과적으로 형성될 수 있다. 형성된 중합체 층은 높은 내열성 및 내식각성으로 인해 후속 고온 공정에서 열에 의한 손상을 줄이거나 방지할 수 있고, 후속 식각 공정에서 노출되는 식각 가스에 의한 손상을 줄이거나 방지할 수 있다.
일 예로, A1은 히드록시기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기일 수 있고, 예를 들어. 히드록시기, 치환 또는 비치환된 메톡시기, 치환 또는 비치환된 에톡시기, 치환 또는 비치환된 프로폭시기 또는 치환 또는 비치환된 부톡시기일 수 있다.
일 예로, A2 내지 A4는 서로 같거나 다를 수 있고, 각각 독립적으로 수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기일 수 있고, 예를 들어, 수소, 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기 또는 이들의 조합일 수 있다.
일 예로, A2 및 A4는 서로 같거나 다를 수 있으나, 바람직하게는 서로 같을 수 있다.
일 예로, A3은 A2 및 A4와 서로 같거나 다를 수 있다.
일 예로, A3은 수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기일 수 있고, 예를 들어, 수소, 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기 또는 이들의 조합일 수 있다.
일 예로, A2 및 A4는 각각 독립적으로 수소일 수 있다.
일 예로, A2 내지 A4는 모두 수소일 수 있다.
중합체는 주쇄에 전술한 화학식 2로 표현되는 모이어티(A)를 포함하고, 측쇄에 치환 또는 비치환된 파이레닐기(B)를 포함함으로써, 스핀 코팅과 같은 용액 공정에 효과적으로 적용할 수 있는 충분한 용해도와 단단한 중합체 층을 형성할 수 있는 충분한 탄소함량을 동시에 확보할 수 있다.
일 예로, B는 비치환된 파이레닐기이거나, 서로 같거나 다른 적어도 하나 이상의 치환기로 치환된 파이레닐기일 수 있고,
상기 치환기는 각각 독립적으로 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합일 수 있다. 구체적으로, 상기 치환기는 히드록시기, 치환 또는 비치환된 메톡시기, 치환 또는 비치환된 에톡시기, 치환 또는 비치환된 프로폭시기 또는 치환 또는 비치환된 부톡시기, 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
B의 정의에서, 상기 적어도 하나 이상의 치환기는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 두 개가 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
B의 정의에서, 상기 적어도 하나 이상의 치환기는 모두 파이렌 내의 고리 중 같은 고리에 치환되거나, 각각 파이렌 내의 고리 중 서로 다른 고리에 치환될 수 있다.
일 예로, B는 비치환된 파이레닐기이거나, 하나 또는 두 개의 치환기로 치환된 파이레닐기일 수 있고, 상기 두 개의 치환기는 서로 같거나 다를 수 있다.
상기 두 개의 치환기는 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
상기 두 개의 치환기는 모두 파이렌 내의 고리 중 같은 고리에 치환되거나, 각각 파이렌 내의 고리 중 서로 다른 고리에 치환될 수 있고, 구체적으로, 각각 파이렌 내의 고리 중 서로 마주보는 고리에 치환될 수 있고, 각각 파이렌 내의 고리 중 옆에 인접한 고리에 치환될 수 있다.
일 예로, B는 비치환된 파이레닐기이거나, 적어도 하나 이상의 히드록시기 및/또는 적어도 하나 이상의 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기로 치환된 파이레닐기일 수 있다.
B의 정의에서, 상기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기는 구체적으로, 치환 또는 비치환된 메톡시기, 치환 또는 비치환된 에톡시기, 치환 또는 비치환된 프로폭시기 또는 치환 또는 비치환된 부톡시기 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 예로, B는 파이레닐기 또는 1-히드록시 파이레닐기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 예로, 상기 화학식 1로 표현되는 구조단위는 상기 화학식 2로 표현되는 화합물 및 치환 또는 비치환된 파이렌카르복살데히드를 포함하는 반응 혼합물로부터 유래될 수 있다.
상기 화학식 1로 표현되는 구조단위는 상기 반응 혼합물의 축합반응에 따라 얻어질 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
일 예로, 상기 치환 또는 비치환된 파이렌카르복살데히드는 비치환된 파이렌카르복살데히드이거나, 서로 같거나 다른 적어도 하나 이상의 치환기로 치환된 파이렌카르복살데히드일 수 있고,
상기 치환기는 각각 독립적으로 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합일 수 있다. 구체적으로, 상기 치환기는 히드록시기, 치환 또는 비치환된 메톡시기, 치환 또는 비치환된 에톡시기, 치환 또는 비치환된 프로폭시기 또는 치환 또는 비치환된 부톡시기, 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
일 예로, 상기 치환 또는 비치환된 파이렌카르복살데히드에서, 상기 적어도 하나 이상의 치환기는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 두 개가 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
일 예로, 상기 치환 또는 비치환된 파이렌카르복살데히드에서, 상기 적어도 하나 이상의 치환기는 모두 파이렌 내의 고리 중 같은 고리에 치환되거나, 각각 파이렌 내의 고리 중 서로 다른 고리에 치환될 수 있고, 구체적으로, 각각 파이렌 내의 고리 중 서로 마주보는 고리에 치환될 수 있고, 각각 파이렌 내의 고리 중 옆에 인접한 고리에 치환될 수 있다.
일 예로, 상기 치환 또는 비치환된 파이렌카르복살데히드는 비치환된 파이렌 카르복살데히드, 하나의 치환기로 치환된 파이렌카르복살데히드 또는 두 개의 치환기로 치환된 파이렌카르복살데히드일 수 있다.
일 예로, 상기 치환 또는 비치환된 파이렌카르복살데히드가 두 개의 치환기로 치환된 파이렌카르복살데히드일 경우, 상기 두 개의 치환기는 서로 같거나 다를 수 있고, 상기 두 개의 치환기는 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
일 예로, 상기 치환 또는 비치환된 파이렌카르복살데히드가 두 개의 치환기로 치환된 파이렌카르복살데히드일 경우, 상기 두 개의 치환기는 모두 파이렌 내의 고리 중 같은 고리에 치환되거나, 각각 파이렌 내의 고리 중 서로 다른 고리에 치환될 수 있고, 구체적으로, 각각 파이렌 내의 고리 중 서로 마주보는 고리에 치환될 수 있고, 각각 파이렌 내의 고리 중 옆에 인접한 고리에 치환될 수 있다.
일 예로, 상기 치환 또는 비치환된 파이렌카르복살데히드는 파이렌카르복살데히드이거나, 적어도 하나 이상의 히드록시기 및/또는 적어도 하나 이상의 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기로 치환된 파이렌카르복살데히드일 수 있고,
상기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기는 구체적으로, 치환 또는 비치환된 메톡시기, 치환 또는 비치환된 에톡시기, 치환 또는 비치환된 프로폭시기 또는 치환 또는 비치환된 부톡시기, 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 예로, 상기 치환 또는 비치환된 파이렌카르복살데히드는 파이렌카르복살데히드 또는 6-히드록시-파이렌-1-카르복살데히드일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
중합체는 상기 화학식 1로 표현되는 구조단위를 1개 또는 복수 개 포함할 수 있으며, 복수 개의 상기 화학식 1로 표현되는 구조단위끼리는 서로 같거나 다를 수 있다.
중합체는 상기 화학식 1로 표현되는 구조단위를 복수의 반복단위로 포함할 수 있고, 반복단위의 개수 및 배열은 한정되지 않는다.
중합체는 전술한 구조단위 외의 1종 이상의 다른 구조단위를 더 포함할 수 있고, 그 구조단위의 개수 및 배열은 한정되지 않는다.
상기 중합체는 약 500 내지 200,000의 중량평균분자량을 가질 수 있다. 보다 구체적으로 상기 중합체는 약 1,000 내지 100,000, 약 1,200 내지 50,000 또는 약 1,500 내지 10,000의 중량평균분자량을 가질 수 있다. 상기 범위의 중량평균분자량을 가짐으로써 상기 중합체의 탄소 함량 및 용매에 대한 용해도를 조절하여 최적화할 수 있다.
한편, 상기 하드마스크 조성물에 포함되는 용매는 상기 중합체에 대한 충분한 용해성 또는 분산성을 가지는 것이면 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜 디아세테이트, 메톡시 프로판디올, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜 부틸에테르, 트리(에틸렌글리콜)모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 사이클로헥사논, 에틸락테이트, 감마-부티로락톤, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 메틸피롤리돈, 메틸피롤리디논, 아세틸아세톤 및 에틸 3-에톡시프로피오네이트에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 중합체는 상기 하드마스크 조성물의 총 함량에 대하여 예컨대 약 0.1 내지 50 중량%, 예컨대 약 0.5 내지 40 중량%, 약 1 내지 30 중량% 또는 약 3 내지 20 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위로 중합체가 포함됨으로써 하드마스크의 두께, 표면 거칠기 및 평탄화 정도를 조절할 수 있다.
일 구현예에 따른 하드마스크 조성물은 제1 첨가제를 더 포함할 수 있고, 상기 제1 첨가제는 복수 개의 방향족 고리를 포함할 수 있고, 상기 방향족 고리는 가교 형성 치환기를 포함할 수 있다. 제1 첨가제는 가교 형성 치환기를 포함하는 복수 개의 방향족 고리를 포함함으로써, 둘 이상의 전술한 중합체들을 연결할 수 있을 뿐만 아니라, 더욱 높은 내열성을 부여할 수 있다.
일 예로, 상기 제1 첨가제는 하기 화학식 3으로 표현될 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112019126037283-pat00007
상기 화학식 3에서,
m은 0 또는 1이고,
m=1일 때, X는 CH 또는 N이고,
m=0일 때, X는 O, S, -SO2- 또는 -(CRaRb)p-이고,
Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
p는 1 내지 5인 정수이고,
R1 내지 R15는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기 또는 이들의 조합이다.
일 예로, 상기 R1 내지 R5 중 적어도 하나, R6 내지 R10 중 적어도 하나 및 R11 내지 R15 중 적어도 하나는 각각 독립적으로 하기 화학식 3-A 내지 3-C 중 어느 하나로 표시되는 기일 수 있다.
[화학식 3-A]
*-(CH2)a-L-Rx
[화학식 3-B]
Figure 112019126037283-pat00008
[화학식 3-C]
*-CRuRvRw
상기 화학식 3-A 내지 3-C에서,
a 및 b는 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수이고,
c 및 d는 각각 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,
L은 산소, 황 또는 -S(O2)-이고,
Rx 및 Ry는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기 또는 이들의 조합이고,
Ru 내지 Rw는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 이들의 조합이고,
*는 연결지점이다.
일 예로, 상기 R1 내지 R5 중 적어도 하나, R6 내지 R10 중 적어도 하나 및 R11 내지 R15 중 적어도 하나는 각각 독립적으로 상기 화학식 3-A 로 표시되는 기일 수 있고, 예를 들어, 상기 화학식 3-A에서, a는 0일 수 있고, L은 산소일 수 있고, Rx는 수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기일 수 있다. 여기서, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기는 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
일 예로, 상기 R1 내지 R5 중 적어도 하나, R6 내지 R10 중 적어도 하나 및 R11 내지 R15 중 적어도 하나는 각각 독립적으로 상기 화학식 3-A 로 표시되는 기일 수 있고, 예를 들어, 상기 화학식 3-A에서, a는 0일 수 있고, L은 산소일 수 있고, Rx는 수소일 수 있다.
일 예로, 상기 R1 내지 R5 중 적어도 둘, R6 내지 R10 중 적어도 둘 및 R11 내지 R15 중 적어도 둘은 각각 독립적으로 상기 화학식 3-A 로 표시되는 기일 수 있고, 예를 들어, 상기 화학식 3-A에서, a는 0일 수 있고, L은 산소일 수 있고, Rx는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기일 수 있다. 여기서, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기는 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
일 예로, 상기 R1 내지 R5 중 적어도 하나, R6 내지 R10 중 적어도 하나 및 R11 내지 R15 중 적어도 하나는 히드록시기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기일 수 있다.
일 예로, R1 내지 R5 중 적어도 하나, R6 내지 R10 중 적어도 하나 및 R11 내지 R15 중 적어도 하나는 히드록시기일 수 있다.
일 예로, R1 내지 R5 중 적어도 둘, R6 내지 R10 중 적어도 둘 및 R11 내지 R15 중 적어도 둘은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기일 수 있다. 여기서, 상기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기는 치환 또는 비치환된 메톡시기, 치환 또는 비치환된 에톡시기, 치환 또는 비치환된 프로폭시기, 치환 또는 비치환된 부톡시기 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 R1 내지 R5 중 적어도 하나, R6 내지 R10 중 적어도 하나 및 R11 내지 R15 중 적어도 하나는 히드록시기이고,
R1 내지 R5 중 적어도 둘, R6 내지 R10 중 적어도 둘 및 R11 내지 R15 중 적어도 둘은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기일 수 있다. 여기서, 상기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기는 치환 또는 비치환된 메톡시기, 치환 또는 비치환된 에톡시기, 치환 또는 비치환된 프로폭시기, 치환 또는 비치환된 부톡시기 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 제1 첨가제는 상기 하드마스크 조성물 100 중량부에 대하여 약 0.1 내지 50 중량부, 약 0.5 내지 10 중량부 또는 약 1 내지 5 중량부로 포함될 수 있다.
일 구현예에 따른 하드마스크 조성물은 제2 첨가제를 더 포함할 수 있고, 상기 제2 첨가제는 술폰(sulfone)계 화합물일 수 있고, 예를 들어, 술포네이트 화합물, 술폰아미드 화합물 또는 이들의 조합일 수 있다. 상기 제2 첨가제는 산촉매일 수 있고, 예를 들어, 가열에 의해 활성화되어 산을 발생시킬 수 있다.
일 예로, 상기 제2 첨가제는 하기 화학식 4로 표현될 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112019126037283-pat00009
상기 화학식 4에서,
Y1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
Z는 OY2 또는 NY3Y4이고,
Y2 내지 Y4는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 카복실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 옥소알킬기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 옥소아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시카보닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아릴옥시카보닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
Y3 및 Y4는 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성한다.
일 예로, Y1은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기, 치환 또는 비치환된 펜틸기 또는 이들의 조합일 수 있다.
일 예로, Y1은 p-메틸페닐기일 수 있다.
일 예로, Y2 내지 Y4는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기, 치환 또는 비치환된 펜틸기, 치환 또는 비치환된 사이클로펜틸기, 치환 또는 비치환된 사이클로헥실기, 치환 또는 비치환된 사이클로헵틸기, 치환 또는 비치환된 옥소페닐기 또는 이들의 조합일 수 있다.
일 예로, Y2 내지 Y4 중 적어도 하나는 수소를 포함하는 기일 수 있다.
일 예로, Y1 및 Z 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 고리기를 포함하는 기일 수 있고, 예를 들어, Y1 및 Z는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 고리기를 포함하는 기일 수 있다. 여기서, 상기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 고리기는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합일 수 있다.
일 예로, Y1 및 Z 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 사이클로펜틸기 또는 치환 또는 비치환된 사이클로헥실기를 포함하는 기일 수 있다.
일 예로, 상기 제2 첨가제는 하기 그룹 1에서 선택되는 치환 또는 비치환된 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
[그룹 1]
Figure 112019126037283-pat00010
상기 그룹 1의 정의 중, '치환된'은 다른 치환기로 더 치환된 것을 의미하고, ‘비치환된’은 다른 치환기로 더 치환되지 않은 것을 의미한다.
상기 제2 첨가제는 상기 하드마스크 조성물 100 중량부에 대하여 약 0.11 내지 20 중량부, 약 0.5 내지 10 중량부 또는 약 1 내지 5 중량부로 포함될 수 있다.
상기 하드마스크 조성물은 추가적으로 계면활성제, 가소제 등의 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 계면활성제는 예컨대 플루오로알킬계 화합물, 알킬벤젠설폰산염, 알킬피리디늄염, 폴리에틸렌글리콜, 제4암모늄염 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 구현예에 따르면, 상술한 하드마스크 조성물을 사용하여 제조된 유기막을 제공한다. 상기 유기막은 상술한 하드마스크 조성물을 예컨대 기판 위에 코팅한 후 열처리 과정을 통해 경화된 형태일 수 있으며, 예컨대 하드마스크 층, 평탄화막, 희생막, 충진제 등 전자 디바이스에 사용되는 유기 박막을 포함할 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상술한 하드마스크 조성물의 경화물을 포함하는 하드마스크 층을 제공한다.
일 예로, 상기 경화물은 축합 다환방향족탄화수소를 포함한다.
예를 들어, 상기 축합 다환방향족탄화수소는 치환 또는 비치환된 나프탈렌, 치환 또는 비치환된 안트라센, 치환 또는 비치환된 페난트렌, 치환 또는 비치환된 나프타센, 치환 또는 비치환된 파이렌, 치환 또는 비치환된 벤조파이렌, 치환 또는 비치환된 크리센, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌, 치환 또는 비치환된 퍼릴렌, 치환 또는 비치환된 벤조플루오란텐, 치환 또는 비치환된 벤조퍼릴렌, 치환 또는 비치환된 코로넨, 이들의 조합 또는 이들의 조합이 융합된 형태일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
상기 경화물은 축합 다환방향족탄화수소를 포함함으로써, 식각 공정을 포함한 후속 공정에서 노출되는 식각 가스 및 고열에 견딜 수 있는 높은 내식각성 및 내열성을 나타낼 수 있다
이하 상술한 하드마스크 조성물을 사용하여 패턴을 형성하는 방법에 대하여 설명한다.
일 구현예에 따른 패턴 형성 방법은 기판 위에 재료 층을 형성하는 단계, 상기 재료 층 위에 상술한 중합체 및 용매를 포함하는 하드마스크 조성물을 적용하는 단계, 상기 하드마스크 조성물을 열처리하여 하드마스크 층을 형성하는 단계, 상기 하드마스크 층 위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 층을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계, 그리고 상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계를 포함한다.
상기 기판은 예컨대 실리콘 웨이퍼, 유리 기판 또는 고분자 기판일 수 있다.
상기 재료 층은 최종적으로 패턴하고자 하는 재료이며, 예컨대 알루미늄, 구리 등과 같은 금속층, 실리콘과 같은 반도체 층 또는 산화규소, 질화규소 등과 같은 절연층일 수 있다. 상기 재료 층은 예컨대 화학기상증착 방법으로 형성될 수 있다.
상기 하드마스크 조성물은 전술한 바와 같으며, 용액 형태로 제조되어 스핀-온　코팅 방법으로 도포될 수 있다. 이 때 상기 하드마스크 조성물의 도포 두께는 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 약 50Å 내지 200,000Å 두께로 도포될 수 있다.
상기 하드마스크 조성물을 열처리하는 단계는 예컨대 약 100 내지 700℃에서 약 10초　내지 1시간　동안 수행할 수 있다.
일 예로, 상기 하드마스크 층 위에 실리콘 함유 박막층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 실리콘 함유 박막층은 예컨대 SiCN, SiOC, SiON, SiOCN, SiC, SiO 및/또는 SiN 등의 물질로 형성할 수 있다.
일 예로, 상기 포토레지스트 층을 형성하는 단계 전에 상기 실리콘 함유 박막층 상부 또는 하드마스크 층 상부에　바닥 반사방지 층(bottom anti-reflective coating, BARC)을 더 형성할 수도 있다.
상기 포토레지스트 층을 노광하는 단계는 예컨대 ArF, KrF 또는 EUV 등을 사용하여 수행할 수 있다. 또한 노광 후 약 100 내지 700℃에서 열처리 공정을 수행할 수 있다.
상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계는 식각 가스를 사용하여 건식 식각으로 수행할 수 있으며, 식각 가스는 예컨대 CHF3, CF4, Cl2, BCl3　및 이들의 혼합 가스를 사용할 수 있다.
상기 식각된 재료 층은 복수의 패턴으로 형성될 수 있고, 상기 복수의 패턴은 금속 패턴, 반도체 패턴, 절연 패턴 등 다양할 수 있으며, 예컨대 반도체 집적 회로 디바이스 내의 다양한 패턴으로 적용될 수 있다.
이하 실시예를 통하여 상술한 구현예를 보다 상세하게 설명한다.　다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 권리범위를 제한하는 것은 아니다.
중합체의 합성
합성예 1
컨덴서를 장착한 500mL 2구 둥근 바닥 플라스크에 2-히드록시바이페닐(2-hydroxybiphenyl, 17.0g, 0.1mol), 파이렌-1-카르복살데히드(pyrene-1-carboxaldehyde, 23g, 0.1mol), 파라톨루엔술폰산(p-toluenesulfonic acid, 17.2g, 0.1mol) 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA, 32.58g)를 넣었다. 105℃에서 12시간 내지 36시간 교반하면서 중합 반응을 수행하고, 중량평균분자량이 2,000 내지 3,500일 때 반응을 완료하였다. 중합 반응 완료 후, 상온으로 서서히 냉각시키고, 반응물을 증류수 40g 및 메탄올 400g에 넣고 강하게 교반한 후 정치시켰다. 상등액을 제거하고 침전물을 PGMEA 80g에 녹인 후, 메탄올 320g을 넣고 강하게 교반한 후, 정치시켰다(1차 공정). 다시 상등액을 제거하고 침전물을 PGMEA 80g에 녹였다(2차 공정). 1회의 상기 1차 공정 이후 1회의 상기 2차 공정을 진행하는 것을 1회의 정제공정이라 하고, 상기 정제공정을 총 3회 실시하였다. 3회의 정제공정 후, 중합체를 PGMEA 80g에 녹이고, 감압 농축하여 잔류하는 메탄올 및 증류수를 제거하여, 중합체 1a를 얻었다. (Mw: 2,622)
합성예 2
컨덴서를 장착한 500mL 2구 둥근 바닥 플라스크에 2-메톡시바이페닐(2-methoxybiphenyl, 18.4g, 0.1mol), 파이렌-1-카르복살데히드(pyrene-1-carboxaldehyde, 23g, 0.1mol), 파라톨루엔술폰산(p-toluenesulfonic acid, 17.2g, 0.1mol) 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA, 32.58g)를 넣었다. 105℃에서 12시간 내지 36시간 교반하면서 중합 반응을 수행하고, 중량평균분자량이 2,000 내지 3,500일 때 반응을 완료하였다. 중합 반응 완료 후, 상온으로 서서히 냉각시키고, 반응물을 증류수 40g 및 메탄올 400g에 넣고 강하게 교반한 후 정치시켰다. 상등액을 제거하고 침전물을 PGMEA 80g에 녹인 후, 메탄올 320g을 넣고 강하게 교반한 후, 정치시켰다(1차 공정). 다시 상등액을 제거하고 침전물을 PGMEA 80g에 녹였다(2차 공정). 1회의 상기 1차 공정 이후 1회의 상기 2차 공정을 진행하는 것을 1회의 정제공정이라 하고, 상기 정제공정을 총 3회 실시하였다. 3회의 정제공정 후, 중합체를 PGMEA 80g에 녹이고, 감압 농축하여 잔류하는 메탄올 및 증류수를 제거하여, 중합체 1b를 얻었다. (Mw: 2,578)
합성예 3
컨덴서를 장착한 500mL 2구 둥근 바닥 플라스크에 2'-메틸[1,1'-바이페닐]-2-올(2'-methyl[1,1'-biphenyl]-2-ol, 18.4g, 0.1mol), 파이렌-1-카르복살데히드(pyrene-1-carboxaldehyde, 23g, 0.1mol), 파라톨루엔술폰산(p-toluenesulfonic acid, 17.2g, 0.1mol) 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA, 32.58g)를 넣었다. 105℃에서 12시간 내지 36시간 교반하면서 중합 반응을 수행하고, 중량평균분자량이 2,000 내지 3,500일 때 반응을 완료하였다. 중합 반응 완료 후, 상온으로 서서히 냉각시키고, 반응물을 증류수 40g 및 메탄올 400g에 넣고 강하게 교반한 후 정치시켰다. 상등액을 제거하고 침전물을 PGMEA 80g에 녹인 후, 메탄올 320g을 넣고 강하게 교반한 후, 정치시켰다(1차 공정). 다시 상등액을 제거하고 침전물을 PGMEA 80g에 녹였다(2차 공정). 1회의 상기 1차 공정 이후 1회의 상기 2차 공정을 진행하는 것을 1회의 정제공정이라 하고, 상기 정제공정을 총 3회 실시하였다. 3회의 정제공정 후, 중합체를 PGMEA 80g에 녹이고, 감압 농축하여 잔류하는 메탄올 및 증류수를 제거하여, 중합체 1c를 얻었다. (Mw: 2,603)
합성예 4
컨덴서를 장착한 500mL 2구 둥근 바닥 플라스크에 2-히드록시바이페닐(2-hydroxybiphenyl, 24.6g, 0.1mol), 6-히드록시-파이렌-1-카르복살데히드(6-hydroxy-pyrene-1-carboxaldehyde, 23g, 0.1mol), 파라톨루엔술폰산(p-toluenesulfonic acid, 17.2g, 0.1mol) 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA, 32.58g)를 넣었다. 105℃에서 12시간 내지 36시간 교반하면서 중합 반응을 수행하고, 중량평균분자량이 2,000 내지 3,500일 때 반응을 완료하였다. 중합 반응 완료 후, 상온으로 서서히 냉각시키고, 반응물을 증류수 40g 및 메탄올 400g에 넣고 강하게 교반한 후 정치시켰다. 상등액을 제거하고 침전물을 PGMEA 80g에 녹인 후, 메탄올 320g을 넣고 강하게 교반한 후, 정치시켰다(1차 공정). 다시 상등액을 제거하고 침전물을 PGMEA 80g에 녹였다(2차 공정). 1회의 상기 1차 공정 이후 1회의 상기 2차 공정을 진행하는 것을 1회의 정제공정이라 하고, 상기 정제공정을 총 3회 실시하였다. 3회의 정제공정 후, 중합체를 PGMEA 80g에 녹이고, 감압 농축하여 잔류하는 메탄올 및 증류수를 제거하여, 중합체 1d를 얻었다. (Mw: 2,599)
비교합성예 1
2-히드록시바이페닐(2-hydroxybiphenyl, 17.0g, 0.1mol) 대신 4-히드록시바이페닐(4-hydroxybiphenyl, 17.0g, 0.1mol)을 사용한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법으로 비교 중합체 A를 얻었다. (Mw: 2,486)
비교합성예 2
2-히드록시바이페닐(2-hydroxybiphenyl, 17.0g, 0.1mol) 대신 2,2'-다이히드록시바이페닐(2,2'-dihydroxybiphenyl, 18.6g, 0.1mol)을 사용한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법으로 비교 중합체 B를 얻었다. (Mw: 2,399)
비교합성예 3
파이렌-1-카르복살데히드(pyrene-1-carboxaldehyde, 23g, 0.1mol) 대신 나프탈렌-2-카르복살데히드(naphthalene-2-carbaldehyde, 15.6g, 0.1mol)를 사용한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법으로 비교 중합체 C를 얻었다. (Mw: 2,458)
비교합성예 4
2-히드록시바이페닐(2-hydroxybiphenyl, 17.0g, 0.1mol) 대신 파이렌 (pyrene, 20.2g, 0.1mol)을 사용하고, 파이렌-1-카르복살데히드(pyrene-1-carboxaldehyde, 23g, 0.1mol) 대신 2-하이드록시[1,1'-바이페닐]-4-카복살데히드(2-hydroxy[1,1'-biphenyl]-4-carbaldehyde, 19.8g, 0.1mol)를 사용한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법으로 비교 중합체 D를 얻었다. (Mw: 2,388)
평가 1. 용해도 평가
상기 합성예 1 내지 4 및 비교합성예 1 내지 4에서 얻어진 각각의 중합체를 각각 5.0g씩 계량하여 PGMEA 45g에 균일하게 녹여 10wt% 용액을 제조한 후, 0.1μm 테플론 필터로 여과하였다. 여과한 샘플을 질량을 알고 있는 Al dish에 소분하여 용액의 초기 질량을 측정하였다. 이어서 160℃ 오븐에서 20분간 용매를 건조시킨 후 질량을 다시 측정하였다.
건조 전후의 질량 차이로부터, 하기 계산식 1에 의해 용액의 고형분 함량을 계산하였다.
[계산식 1]
고형분 함량(%) = (160℃, 20분 건조 후 질량/용액의 초기 질량) x 100
PGMEA에서의 용해도
합성예 1 ◎
합성예 2 ◎
합성예 3 ◎
합성예 4 ◎
비교합성예 1 △
비교합성예 2 ○
비교합성예 3 △
비교합성예 4 ○
◎: 고형분 8% 이상 10 % 이하
○: 고형분 7% 이상 8% 미만
△: 고형분 1% 이상 7 % 미만
표 1을 참고하면, 합성예 1 내지 4에 따른 중합체는 비교합성예 1 내지 4에 따른 중합체와 비교하여 용해도가 향상됨을 확인할 수 있다.
하드마스크 조성물의 형성
상기 합성예 1 내지 4 및 비교합성예 1 내지 4에서 얻어진 각각의 중합체 각각 2g씩, 하기 화학식 3a로 표현되는 화합물 0.1g 및 하기 화학식 4a로 표현되는 화합물 0.025g을 PGMEA 13g에 균일하게 녹이고, 0.1μm 테플론 필터로 여과하여, 각각 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4의 하드마스크 조성물을 제조하였다.
[화학식 3a]
Figure 112019126037283-pat00011
[화학식 4a]
Figure 112019126037283-pat00012
평가 2. 내식각성 평가
상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4에 따른 하드마스크 조성물을 각각 실리콘 웨이퍼에 스핀-코팅한 후, 가열판(hot plate) 위에서 약 400℃에서 1분 내지 3분간 열처리하여 약 5,000Å 두께의 유기막을 형성하였다. 이어서 상기 유기막에 CFx 가스 및 N2/O2 가스를 사용하여 각각 100초 및 60초 동안 건식 식각한 후 유기막의 두께를 다시 측정하였다.
건식 식각 전후의 유기막의 두께 차이와 식각 시간으로부터 하기 계산식 1에 의해 식각율(bulk etch rate, BER)을 계산하였다.
[계산식 1]
식각율(Å/s)=(초기 유기막 두께 - 식각 후 유기막 두께)/식각 시간
그 결과는 표 2와 같다.
　 Bulk etch rate(Å/sec)
CFx etch rate(Å/s) N2/O2 etch rate(Å/s)
실시예 1 26.7 23.6
실시예 2 25.2 23.8
실시예 3 27.3 25.4
실시예 4 28.2 26.8
비교예 1 30.2 27.3
비교예 2 31.4 28.7
비교예 3 30.8 28.1
비교예 4 29.7 27.2
표 2를 참고하면, 실시예 1 내지 4에 따른 유기막은 비교예 1 내지 4에 따른 유기막과 비교하여 식각 가스에 대한 충분한 내식각성이 있어서 내식각성이 향상됨을 확인할 수 있다.
평가 3. 내열성 평가
상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4에 따른 각각의 하드마스크 조성물을 진공 건조하여 용제를 제거하고, 상기 진공 건조한 하드마스크 조성물의 초기질량을 측정하였다. 이어서 질소 조건 하에서진공 건조한 하드마스크 조성물의 800℃까지 승온 처리 전후의 질량 차이로부터, 하기 계산식 2에 의해 질량손실률을 측정하였다. (열무게 분석법(Thermogravimetric analysis, TGA))
[계산식 2]
질량손실률(%) = {(초기질량 - 800℃까지 승온시킨 후 질량)/초기질량} x 100
그 결과는 표 3과 같다.
내열성 평가
실시예 1 A
실시예 2 A
실시예 3 A
실시예 4 A
비교예 1 C
비교예 2 B
비교예 3 C
비교예 4 B
A: 질량손실률 10% 미만
B: 질량손실률 10% 이상 내지 15% 미만
C: 질량손실률 15% 이상 내지 25% 미만
D: 질량손실률 25% 이상
표 3을 참고하면, 실시예 1 내지 4에 따른 하드마스크 조성물이 비교예 1 내지 4에 따른 하드마스크 조성물과 비교하여, 800℃까지 승온 처리 이후 질량손실률이 낮으므로, 내열성이 향상됨을 확인할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.

Claims (11)

  1. 하기 화학식 1로 표현되는 구조단위를 포함하는 중합체,
    하기 화학식 3으로 표현되는 제1 첨가제, 및
    용매를 포함하는 하드마스크 조성물:
    [화학식 1]
    Figure 112022041400670-pat00013

    상기 화학식 1에서,
    A는 하기 화학식 2로 표현되는 모이어티이고,
    B는 치환 또는 비치환된 파이레닐기이고,
    C는 수소, 중수소, 할로겐, 니트로기, 아미노기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 이들의 조합이다:
    [화학식 2]
    Figure 112022041400670-pat00014

    상기 화학식 2에서,
    A1은 히드록시기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기이고,
    A2 내지 A4는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이다:
    [화학식 3]
    Figure 112022041400670-pat00018

    상기 화학식 3에서,
    m은 0 또는 1이고,
    m=1일 때, X는 N이고,
    m=0일 때, X는 O, S, 또는 -SO2-이고,
    R1 내지 R15는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기 또는 이들의 조합이다.
  2. 제1항에서,
    A1은 히드록시기, 치환 또는 비치환된 메톡시기, 치환 또는 비치환된 에톡시기, 치환 또는 비치환된 프로폭시기 또는 치환 또는 비치환된 부톡시기인 하드마스크 조성물.
  3. 제1항에서,
    A2 내지 A4는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기 또는 이들의 조합인 하드마스크 조성물.
  4. 제1항에서,
    B는 비치환된 파이레닐기이거나,
    적어도 하나 이상의 치환기로 치환된 파이레닐기이고,
    상기 치환기는 각각 독립적으로 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합인 하드마스크 조성물.
  5. 제1항에서,
    B는 파이레닐기 또는 1-히드록시 파이레닐기인 하드마스크 조성물.
  6. 삭제
  7. 제1항에서,
    상기 R1 내지 R5 중 적어도 하나, R6 내지 R10 중 적어도 하나 및 R11 내지 R15 중 적어도 하나는 히드록시기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기인 하드마스크 조성물.
  8. 제1항에서,
    상기 R1 내지 R5 중 적어도 하나, R6 내지 R10 중 적어도 하나 및 R11 내지 R15 중 적어도 하나는 히드록시기이고,
    R1 내지 R5 중 적어도 둘, R6 내지 R10 중 적어도 둘 및 R11 내지 R15 중 적어도 둘은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기인 하드마스크 조성물.
  9. 제1항에서,
    상기 하드마스크 조성물은 하기 화학식 4로 표현되는 제2 첨가제를 더 포함하는 하드마스크 조성물:
    [화학식 4]
    Figure 112019126037283-pat00016

    상기 화학식 4에서,
    Y1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
    Z는 OY2 또는 NY3Y4이고,
    Y2 내지 Y4는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 카복실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 옥소알킬기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 옥소아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시카보닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아릴옥시카보닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
    Y3 및 Y4는 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성한다.
  10. 제1항 내지 제5항 및 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 하드마스크 조성물의 경화물을 포함하는 하드마스크 층.
  11. 재료 층 위에 제1항 내지 제5항 및 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 하드마스크 조성물을 도포하고 열처리하여 하드마스크 층을 형성하는 단계,
    상기 하드마스크 층 위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계,
    상기 포토레지스트 층을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,
    상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계, 그리고
    상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계
    를 포함하는 패턴 형성 방법.
KR1020190160997A 2019-12-05 2019-12-05 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법 KR102431843B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190160997A KR102431843B1 (ko) 2019-12-05 2019-12-05 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190160997A KR102431843B1 (ko) 2019-12-05 2019-12-05 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210070812A KR20210070812A (ko) 2021-06-15
KR102431843B1 true KR102431843B1 (ko) 2022-08-10

Family

ID=76412063

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190160997A KR102431843B1 (ko) 2019-12-05 2019-12-05 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102431843B1 (ko)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102432622B1 (ko) * 2016-09-01 2022-08-16 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 트리아릴디아민함유 노볼락 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물
KR101910450B1 (ko) * 2017-03-21 2019-01-04 동우 화인켐 주식회사 하드마스크용 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210070812A (ko) 2021-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102407218B1 (ko) 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법
KR102455023B1 (ko) 화합물, 화합물의 합성 방법, 하드마스크 조성물 및 패턴 형성 방법
KR102260811B1 (ko) 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법
KR102431843B1 (ko) 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법
KR102303554B1 (ko) 중합체, 하드마스크 조성물 및 패턴 형성 방법
KR102393686B1 (ko) 중합체, 하드마스크 조성물 및 패턴 형성 방법
KR20230108593A (ko) 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법
KR102244470B1 (ko) 중합체, 유기막 조성물 및 패턴 형성 방법
KR102456165B1 (ko) 하드마스크 조성물 및 패턴 형성 방법
KR102456164B1 (ko) 하드마스크 조성물 및 패턴 형성 방법
KR102431841B1 (ko) 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법
KR102325837B1 (ko) 중합체, 하드마스크 조성물 및 패턴 형성 방법
KR102431842B1 (ko) 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법
KR102210198B1 (ko) 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법
KR102359989B1 (ko) 화합물, 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법
KR102335033B1 (ko) 중합체, 하드마스크 조성물 및 패턴 형성 방법
KR102562338B1 (ko) 하드마스크 조성물 및 패턴 형성 방법
KR101771543B1 (ko) 모노머, 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
KR102601230B1 (ko) 하드마스크 조성물 및 패턴 형성 방법
KR102645134B1 (ko) 중합체, 하드마스크 조성물 및 패턴 형성 방법
KR20220131066A (ko) 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법
KR20220088010A (ko) 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법
KR20220138243A (ko) 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법
KR102213667B1 (ko) 중합체, 유기막 조성물 및 패턴 형성 방법
KR20220091247A (ko) 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant