KR102426263B1 - Dividing apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 칩의 픽업성을 악화시키지 않고, 웨이퍼를 확실하게 분할하는 것을 목적으로 한다.
테이프(T)를 통해 링 프레임(F)에 지지된 웨이퍼(W)를 테이프의 확장에 의해 개질층(51)을 기점으로 웨이퍼를 분할하는 분할 장치(1)로서, 테이프를 통해 웨이퍼를 유지하는 테이블(10)과, 웨이퍼 주위의 링 프레임을 유지하는 프레임 유지 수단(20)과, 테이블과 프레임 유지 수단을 상대적으로 접근 및 이격시키는 승강 수단(26)과, 웨이퍼의 분할 후에 칩의 간격을 미리 설정한 간격이 되도록 승강 수단을 제어하는 제어 수단(40)과, 칩의 간격을 미리 설정한 간격으로 유지한 상태에서, 웨이퍼의 외주와 링 프레임의 내주 사이의 늘어진 테이프를 수축시켜 칩의 간격을 고정하는 수축 수단(30)을 구비하는 구성으로 하였다.An object of the present invention is to reliably divide a wafer without deteriorating the pick-up property of the chip.
A dividing device (1) for dividing a wafer (W) supported on a ring frame (F) via a tape (T) with a modified layer (51) as a starting point by extension of the tape, the wafer holding the wafer via the tape (T) The table 10, the frame holding means 20 for holding the ring frame around the wafer, the lifting means 26 for relatively approaching and separating the table and the frame holding means, and the space between the chips after dividing the wafer in advance Control means 40 for controlling the elevating means to reach a set interval, and while maintaining the interval between the chips at a preset interval, shrink the tape stretched between the outer periphery of the wafer and the inner periphery of the ring frame to reduce the chip spacing It was set as the structure provided with the contraction means 30 to fix.
Description
본 발명은 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하는 분할 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a dividing device for dividing a wafer into individual chips.
종래, 이러한 종류의 분할 장치로서, 링 프레임에 테이프를 통해 지지된 웨이퍼를, 테이프를 확장함으로써, 웨이퍼에 형성된 분할 기점을 따라 분할하는 것이 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1-3 참조). 이들 분할 장치에서는, 웨이퍼가 분할 테이블에 유지되고 링 프레임이 링형 테이블에 유지되며, 링 프레임에 대해 웨이퍼가 상대적으로 밀어 올려짐으로써, 테이프가 직경 방향으로 확장되어 웨이퍼가 개개의 칩으로 분할된다. 분할 후의 칩은, 다음 공정에 있어서 피커(picker) 등에 의해 테이프로부터 픽업된다.Conventionally, as this kind of dividing apparatus, dividing a wafer supported on a ring frame via a tape is known by expanding the tape along a division origin formed on the wafer (for example, refer to Patent Documents 1-3). In these dividing devices, a wafer is held on a dividing table and a ring frame is held on a ring-shaped table, and the wafer is pushed up relative to the ring frame, so that the tape is radially expanded and the wafer is divided into individual chips. The chips after division are picked up from the tape by a picker or the like in the next step.
그런데, 칩 사이즈가 작은 웨이퍼를 분할하기 위해서는 테이프를 크게 확장할 필요가 있다. 테이프가 크게 확장되면, 칩끼리의 간격이 지나치게 넓어져, 다음 공정에서 칩을 픽업할 수 없거나, 픽업 시간이 길어지거나 한다. 한편, 테이프의 확장을 억제하여 칩끼리의 간격을 작게 함으로써, 칩의 픽업성을 향상시키는 것도 고려되지만, 칩 사이즈가 작은 웨이퍼를 적절히 분할할 수 없다. 이와 같이, 테이프를 크게 확장하면 픽업에 문제점이 발생하고, 테이프의 확장을 억제하면 웨이퍼를 적절히 분할할 수 없다고 하는 문제가 있었다.However, in order to divide a wafer having a small chip size, it is necessary to greatly expand the tape. When the tape is greatly expanded, the gap between the chips becomes too wide, and the chips cannot be picked up in the next step, or the pick-up time becomes long. On the other hand, it is also considered to improve the pick-up property of a chip by suppressing the expansion of a tape and making the space|interval between chips small, but a wafer with a small chip size cannot be divided|segmented appropriately. As described above, when the tape is greatly expanded, a problem arises in pickup, and when the expansion of the tape is suppressed, there is a problem that the wafer cannot be properly divided.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 칩의 픽업성을 악화시키지 않고, 웨이퍼를 확실하게 분할할 수 있는 분할 장치를 제공하는 것을 목적의 하나로 한다.The present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to provide a dividing device capable of reliably dividing a wafer without deteriorating the pick-up property of the chip.
본 발명의 일 양태의 분할 장치는, 링 프레임의 개구를 막아 접착한 테이프에 분할 기점이 형성된 웨이퍼를 접착하여 상기 링 프레임과 상기 테이프와 웨이퍼를 일체화시킨 워크 세트의 상기 테이프를 확장시켜 상기 분할 기점을 기점으로 웨이퍼를 분할하는 분할 장치로서, 상기 링 프레임을 유지하는 프레임 유지 수단과, 상기 프레임 유지 수단이 유지한 워크 세트의 상기 테이프를 통해 웨이퍼를 유지하는 유지면을 갖는 테이블과, 상기 테이블과 상기 프레임 유지 수단을 상대적으로 상기 유지면에 대해 직교하는 방향으로 접근 및 이격시키는 승강 수단과, 상기 테이블과 상기 프레임 유지 수단을 이격하는 방향으로 이동시켜 상기 테이프를 확장하여 상기 분할 기점을 기점으로 웨이퍼를 분할시킨 후, 상기 테이블과 상기 프레임 유지 수단을 접근하는 방향으로 이동시켜 인접하는 칩을 가깝게 하여 미리 설정한 좁힌 간격을 형성하는 제어 수단과, 상기 제어 수단에 의해 상기 간격을 형성하여 확장된 상기 테이프를 상기 유지면으로 흡인 유지하여 상기 간격을 유지하고, 상기 테이블과 상기 프레임 유지 수단을 더욱 접근시키며, 웨이퍼의 외주와 링 프레임의 내주 사이의 늘어진 상기 테이프를 수축시켜, 인접하는 칩의 간격을 고정하는 수축 수단을 구비한다.A dividing device according to an aspect of the present invention extends the tape of a work set in which the ring frame and the tape and the wafer are integrated by adhering a wafer having a dividing starting point to the adhesive tape by blocking the opening of the ring frame to expand the dividing starting point A dividing device for dividing a wafer from a starting point, comprising: a table having frame holding means for holding the ring frame; Elevating means for approaching and separating the frame holding means relatively in a direction perpendicular to the holding surface, and moving the table and the frame holding means apart in a direction to expand the tape to form a wafer with the dividing starting point as a starting point after dividing the table and the frame holding means by moving the table and the frame holding means in an approaching direction, a control means for forming a preset narrow gap by bringing adjacent chips closer; The gap is maintained by suctioning and holding the tape to the holding surface, the table and the frame holding means are brought closer to each other, and the tape stretched between the outer periphery of the wafer and the inner periphery of the ring frame is contracted to reduce the gap between adjacent chips. A contraction means for fixing is provided.
이 구성에 의하면, 웨이퍼의 분할 시에는 테이블과 프레임 유지 수단이 이격함으로써, 테이프가 크게 확장되어 웨이퍼가 분할 기점을 기점으로 하여 확실하게 분할된다. 웨이퍼의 분할 후에는 테이블과 프레임 유지 수단이 접근함으로써, 테이프의 확장이 해제되어 인접하는 칩의 간격이 좁혀진다. 그리고, 인접하는 칩의 간격이 미리 설정한 간격까지 좁혀진 상태에서, 웨이퍼 주위의 테이프의 늘어짐이 제거됨으로써 칩의 간격이 고정된다. 따라서, 칩의 픽업 위치에 변동이 발생하거나, 픽업 시간이 길어지거나 하는 일이 없다. 이와 같이, 칩의 픽업성을 악화시키지 않고, 웨이퍼를 확실하게 분할할 수 있다.According to this configuration, when the wafer is divided, the table and the frame holding means are spaced apart, so that the tape is greatly expanded, so that the wafer is reliably divided with the starting point of division as a starting point. After the wafer is divided, when the table and the frame holding means approach each other, the expansion of the tape is released and the gap between adjacent chips is narrowed. Then, in a state in which the interval between adjacent chips is narrowed to a predetermined interval, the sagging of the tape around the wafer is removed, thereby fixing the interval between the chips. Therefore, the pickup position of the chip does not fluctuate or the pickup time becomes long. In this way, the wafer can be reliably divided without deteriorating the pick-up property of the chip.
본 발명에 의하면, 웨이퍼의 분할 후에 테이프의 확장이 느슨해지고, 인접하는 칩의 간격이 미리 설정한 간격으로 고정되도록 웨이퍼 주위의 테이프의 늘어짐이 제거된다. 따라서, 칩의 픽업성을 악화시키지 않고, 웨이퍼를 확실하게 분할할 수 있다.According to the present invention, the tape is loosened after division of the wafer, and the tape sagging around the wafer is eliminated so that the interval between adjacent chips is fixed at a preset interval. Therefore, it is possible to reliably divide the wafer without deteriorating the pick-up property of the chip.
도 1은 본 실시형태의 분할 장치의 사시도이다.
도 2는 비교예의 웨이퍼의 분할 동작 및 픽업 동작의 설명도이다.
도 3은 본 실시형태의 칩 간격의 조정 처리를 도시한 도면이다.
도 4는 본 실시형태의 분할 장치에 의한 분할 동작의 설명도이다.
도 5는 변형예의 칩 간격의 조정 처리를 도시한 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a perspective view of the division|segmentation apparatus of this embodiment.
2 is an explanatory diagram of a wafer division operation and a pickup operation of a comparative example.
Fig. 3 is a diagram showing an adjustment process for a chip interval according to the present embodiment.
It is explanatory drawing of the division|segmentation operation|movement by the division|segmentation apparatus of this embodiment.
Fig. 5 is a diagram showing a process for adjusting the chip spacing of the modified example.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 실시형태의 분할 장치에 대해 설명한다. 도 1은 본 실시형태의 분할 장치의 사시도이다. 도 2는 비교예의 웨이퍼의 분할 동작 및 픽업 동작의 설명도이다. 한편, 분할 장치는, 도 1에 기재된 구성에 한정되지 않고, 적절히 변경하는 것이 가능하다.Hereinafter, the division|segmentation apparatus of this embodiment is demonstrated with reference to an accompanying drawing. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a perspective view of the division|segmentation apparatus of this embodiment. 2 is an explanatory diagram of a wafer division operation and a pickup operation of a comparative example. In addition, the division|segmentation apparatus is not limited to the structure described in FIG. 1, It is possible to change suitably.
도 1에 도시된 바와 같이, 분할 장치(1)는, 링 프레임(F)에 테이프(T)를 통해 지지된 웨이퍼(W)를, 테이프(T)의 확장에 의해 개개의 칩(C)(도 3a 참조)으로 분할하도록 구성되어 있다. 또한, 분할 장치(1)는, 테이프(T)의 확장의 해제 시에 웨이퍼(W)의 외주와 링 프레임(F)의 내주 사이에 발생하는 테이프(T)의 늘어짐을 열 수축(히트 슈링크)에 의해 제거하도록 구성되어 있다. 이와 같이, 테이프(T)가 잡아 늘여져 늘어진 개소만을 열 수축시켜, 웨이퍼(W)의 분할 후의 칩(C)끼리가 접촉하여 파손되지 않도록 칩(C)의 간격이 유지되어 있다.As shown in Fig. 1, the dividing
웨이퍼(W)의 표면에는 격자형의 분할 예정 라인(L)이 형성되어 있고, 분할 예정 라인(L)에 의해 구획된 각 영역에 각종 디바이스(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 한편, 웨이퍼(W)는, 실리콘, 갈륨비소 등의 반도체 기판에 IC, LSI 등의 디바이스가 형성된 반도체 웨이퍼여도 좋고, 세라믹, 유리, 사파이어계의 무기 재료 기판에 LED 등의 광디바이스가 형성된 광디바이스 웨이퍼여도 좋다. 웨이퍼(W)는 링 프레임(F)에 붙여진 테이프(T)에 접착되어, 웨이퍼(W)와 링 프레임(F)과 테이프(T)를 일체화시킨 워크 세트(WS)가 분할 장치(1)에 반입된다.A grid-like division line L is formed on the surface of the wafer W, and various devices (not shown) are formed in each region partitioned by the division line L. On the other hand, the wafer W may be a semiconductor wafer in which a device such as IC or LSI is formed on a semiconductor substrate such as silicon or gallium arsenide, or an optical device in which an optical device such as an LED is formed on a ceramic, glass, or sapphire-based inorganic material substrate. A wafer may be sufficient. The wafer W is adhered to the tape T pasted to the ring frame F, and the work set WS in which the wafer W, the ring frame F, and the tape T are integrated is attached to the dividing
워크 세트(WS)의 링 프레임(F)은 열 수축성을 갖는 테이프(T)에 의해 개구부가 막혀 있고, 개구부의 내측의 테이프(T)에 웨이퍼(W)가 접착되어 있다. 웨이퍼(W)의 내부에는, 분할 예정 라인(L)을 따른 분할 기점으로서 개질층(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 한편, 개질층은, 레이저의 조사에 의해 웨이퍼(W)의 내부의 밀도, 굴절률, 기계적 강도나 그 외의 물리적 특성이 주위와 상이한 상태가 되어, 주위보다 강도가 저하되는 영역을 말한다. 개질층은, 예컨대, 용융 처리 영역, 크랙 영역, 절연 파괴 영역, 굴절률 변화 영역이고, 이들이 혼재된 영역이어도 좋다.In the ring frame F of the work set WS, the opening is blocked by a tape T having heat shrinkability, and the wafer W is adhered to the tape T inside the opening. A modified layer (not shown) is formed inside the wafer W as a division starting point along the division scheduled line L. On the other hand, the modified layer refers to a region in which the density, refractive index, mechanical strength, and other physical properties of the wafer W are different from those of the surrounding area by laser irradiation, and the strength is lowered than the surrounding area. The modified layer may be, for example, a melt processing region, a crack region, a dielectric breakdown region, or a refractive index change region, and a region in which these are mixed.
또한, 이하의 설명에서는, 분할 기점으로서 웨이퍼(W)의 내부에 형성된 개질층을 예시하지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 분할 기점은, 웨이퍼(W)의 분할 시의 기점이 되면 되고, 예컨대, 레이저 가공홈, 절삭홈, 스크라이브 라인으로 구성되어도 좋다. 또한, 테이프(T)는, 신축성을 가지며 열 수축성을 갖는 것이면 되고, 특별히 재질은 한정되지 않는다. 한편, 테이프 기재(基材)는, 예컨대, PO(Polyolefin), PVC(Polyvinyl Chloride)로 형성되는 것이 바람직하다.In addition, in the following description, although the modified layer formed inside the wafer W is illustrated as a division|segmentation starting point, it is not limited to this structure. The division starting point may be a starting point at the time of division of the wafer W, and may be composed of, for example, a laser processing groove, a cutting groove, and a scribe line. In addition, the tape T should just have elasticity and heat shrinkability, and a material in particular is not limited. On the other hand, the tape base material (基材), for example, is preferably formed of PO (Polyolefin), PVC (Polyvinyl Chloride).
분할 장치(1)에는, 워크 세트(WS)의 테이프(T)를 통해 웨이퍼(W)를 흡인 유지 가능한 테이블(10)이 배치되고, 테이블(10) 주위에는 워크 세트(WS)의 링 프레임(F)을 유지하는 프레임 유지 수단(20)이 배치되어 있다. 테이블(10)은, 복수의 지주부(11)에 의해 지지되어 있고, 테이블(10)의 상면에는 다공질의 다공성판(12)이 배치되어 있다. 이 다공질의 다공성판(12)에 의해 테이블(10)의 상면에 웨이퍼(W)를 흡인 유지하는 유지면(13)이 형성되어 있다. 유지면(13)에는 테이블(10) 내의 유로를 통해 흡인원(16)(도 4a 참조)에 접속되고, 유지면(13)에 발생하는 부압에 의해 웨이퍼(W)가 흡인 유지된다.In the dividing
또한, 유지면(13)으로부터 흡인원(16)으로 이어지는 유로에는 개폐 밸브(14)(도 4a 참조)가 설치되어 있고, 개폐 밸브(14)에 의해 웨이퍼(W)에 대한 유지면(13)의 흡인 유지와 흡인 해제가 전환되고 있다. 테이블(10)의 외주 에지에는, 전체 둘레에 걸쳐 복수의 롤러부(15)가 회전 가능하게 설치되어 있다. 복수의 롤러부(15)는, 유지면(13)에 웨이퍼(W)가 유지된 상태에서, 웨이퍼(W) 주위의 테이프(T)에 하측으로부터 구름 접촉되어 있다. 복수의 롤러부(15)가 테이프(T)에 구름 접촉됨으로써, 테이프(T)의 확장 시에 테이블(10)의 외주 에지에서 발생하는 테이프(T)의 마찰이 억제되고 있다.In addition, an on/off valve 14 (refer to FIG. 4A ) is provided in the flow path extending from the
프레임 유지 수단(20)은, 배치 테이블(21) 상의 링 프레임(F)을, 커버 플레이트(22)에 의해 상방으로부터 사이에 끼우도록 하여, 배치 테이블(21) 상에 링 프레임(F)을 유지하고 있다. 배치 테이블(21) 및 커버 플레이트(22)의 중앙에는, 테이블(10)보다 대직경의 원형 개구(23, 24)가 각각 형성되어 있다. 배치 테이블(21) 상에 커버 플레이트(22)가 씌워지면, 커버 플레이트(22)와 배치 테이블(21)에 의해 링 프레임(F)이 유지되고, 배치 테이블(21) 및 커버 플레이트(22)의 원형 개구(23, 24)로부터 웨이퍼(W)와 테이프(T)의 일부가 외부로 노출된다.The frame holding means 20 sandwiches the ring frame F on the placement table 21 from above with the
프레임 유지 수단(20)은, 배치 테이블(21) 상의 링 프레임(F)에 커버 플레이트(22)가 씌워진 상태에서, 예컨대, 도시하지 않은 클램프부에 의해 커버 플레이트(22)가 배치 테이블(21)에 고정된다. 프레임 유지 수단(20)은, 테이블(10)과 프레임 유지 수단(20)을, 상대적으로 유지면(13)에 대해 직교하는 방향으로 이격 및 접근시키는 승강 수단(26)에 지지되어 있다. 승강 수단(26)은, 배치 테이블(21)의 4모퉁이를 지지하는 4개의 전동 실린더로 구성되어 있다. 승강 수단(26)의 실린더 로드(27)의 돌출량이 제어됨으로써, 테이블(10) 상의 웨이퍼(W)와 프레임 유지 수단(20)과의 거리가 조절된다.In the
프레임 유지 수단(20)의 상방에는, 테이프(T)에 발생한 늘어짐을 수축시키는 수축 수단(30)이 설치되어 있다. 수축 수단(30)은 웨이퍼(W)의 중심축 상에 설치되어 있고, 웨이퍼(W)의 중심을 사이에 두고 대향하도록 선회 아암(31)의 양단에 한 쌍의 히터(32)를 배치하고 있다. 히터(32)는, 예컨대, 금속 재료에 흡수되기 어려운 3 ㎛∼25 ㎛를 피크 파형으로 하는 원적외선을 스폿 조사하도록 구성되어 있다. 이에 의해, 장치 각부의 가열을 억제하여 웨이퍼(W)의 외주와 링 프레임(F)의 내주 사이의 테이프(T)의 늘어짐이 부분적으로 가열되어 열 수축된다.Above the
또한, 수축 수단(30)의 선회 아암(31)에는, 한 쌍의 히터(32)를 상하 이동시키는 상하 동작부(33)와, 한 쌍의 히터(32)를 웨이퍼(W)의 중심축 주위로 회전시키는 회전 모터(34)가 설치되어 있다. 상하 동작부(33)는, 프레임 유지 수단(20)의 승강 동작에 맞춰, 테이프(T)에 대한 한 쌍의 히터(32)의 높이를 조정한다. 회전 모터(34)는, 웨이퍼(W) 주위의 테이프(T)의 늘어짐이 전체 둘레에 걸쳐 가열되도록 한 쌍의 히터(32)를 선회한다. 상하 동작부(33) 및 회전 모터(34)에 의해 한 쌍의 히터(32)가 테이프(T)에 대해 적절히 위치됨으로써, 웨이퍼(W) 주위의 테이프(T)가 양호하게 가열된다.In addition, in the
또한, 분할 장치(1)에는, 장치 각부를 통괄 제어하는 제어 수단(40)이 설치되어 있다. 제어 수단(40)은, 각종 처리를 실행하는 프로세서나 메모리 등에 의해 구성된다. 메모리는, 용도에 따라 ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory) 등의 하나 또는 복수의 기억 매체로 구성된다. 제어 수단(40)에 의해 테이블(10)과 프레임 유지 수단(20)이 상대 이동되어 테이프(T)의 확장 동작이 제어되고, 수축 수단(30)의 한 쌍의 히터(32)에 의해 테이프(T)의 늘어짐이 제거되어 테이프(T)의 수축 동작이 제어된다. 또한, 제어 수단(40)에 의해 후술하는 칩 간격의 조정 처리가 제어된다.Moreover, the division|
이러한 분할 장치(1)에서는, 프레임 유지 수단(20)이 링 프레임(F)을 유지한 상태에서 하강됨으로써, 커버 플레이트(22) 및 배치 테이블(21)의 원형 개구(23, 24)로부터 테이블(10)이 돌출된다. 프레임 유지 수단(20)에 대해 테이블(10)이 상대적으로 밀어 올려짐으로써, 테이프(T)가 직경 방향으로 확장되어 웨이퍼(W)가 개개의 칩(C)으로 분할된다. 또한, 프레임 유지 수단(20)이 상승되어 테이프(T)의 확장이 해제되면, 테이프(T)의 텐션이 느슨해진다. 이때, 웨이퍼(W) 주위의 테이프(T)가 늘어지지 않도록, 히터(32)에 의해 테이프(T)가 가열되어 열 수축된다.In this
그런데, 도 2에 도시된 바와 같이, 일반적인 분할 장치(61)에서는 웨이퍼(W)를 분할할 때마다 칩(C)의 간격에 변동이 발생하여, 다음 공정에 있어서 피커(65)로 칩(C)을 픽업할 때에 칩(C)의 위치를 인식하지 않으면 안 된다. 또한, 칩 사이즈가 작은 웨이퍼(W)를 분할하기 위해서는, 칩(C)끼리가 스쳐 파손되지 않도록 테이프(T)를 크게 확장할 필요가 있어, 피커(65)로 칩(C)을 픽업할 때의 이동 거리가 길어져 픽업 시간이 증대한다. 또한, 피커(65)의 이동 범위 밖에 칩(C)이 위치되면, 칩(C)을 픽업할 수 없다.However, as shown in Fig. 2, in the
그래서, 본 실시형태의 분할 장치(1)(도 1 참조)에서는, 테이프(T)를 크게 확장시켜 웨이퍼(W)를 개개의 칩(C)으로 분할한 후에, 인접하는 칩(C)의 간격이 미리 설정한 간격이 되도록 테이프(T)를 느슨하게 하고 있다. 이 경우, 테이블(10)의 상방에 설치한 외주 촬상 수단(45)에 의해 분할 후의 웨이퍼(W)의 외주를 촬상하면서, 촬상 화상의 웨이퍼(W)의 외주 위치를 소정의 외주 위치에 일치시켜 칩(C)의 간격을 조정하고 있다. 그리고, 웨이퍼(W) 주위의 테이프(T)의 늘어짐을 열 수축에 의해 제거함으로써, 인접하는 칩(C)을 픽업 동작에 적합한 간격으로 고정하도록 하고 있다.Therefore, in the division apparatus 1 (refer FIG. 1) of this embodiment, after the tape T is enlarged and the wafer W is divided into individual chips C, the space|interval of the adjacent chips C The tape T is loosened so that it may become this preset space|interval. In this case, while the outer periphery of the divided wafer W is imaged by the outer periphery imaging means 45 provided above the table 10, the position of the outer periphery of the wafer W in the captured image is matched with a predetermined outer periphery position The spacing of the chips (C) is being adjusted. And, by removing the sagging of the tape T around the wafer W by thermal shrinkage, the adjacent chips C are fixed at an interval suitable for the pickup operation.
이하, 도 3을 참조하여, 제어 수단에 의한 칩 간격의 조정 처리에 대해 설명한다. 도 3은 본 실시형태의 칩 간격의 조정 처리를 도시한 도면이다.Hereinafter, with reference to FIG. 3, the adjustment process of the chip|tip space|interval by a control means is demonstrated. Fig. 3 is a diagram showing an adjustment process for a chip interval according to the present embodiment.
도 3a에 도시된 바와 같이, 프레임 유지 수단(20)에 대해 테이블(10)이 상대적으로 밀어 올려지면, 테이프(T)가 확장되어 웨이퍼(W)가 개개의 칩(C)으로 분할된다. 분할 후의 웨이퍼(W)가 외부 직경(D1)까지 넓혀짐으로써, 인접하는 칩(C) 사이에 간격(S1)이 형성된다. 웨이퍼(W)의 분할 후에는, 프레임 유지 수단(20)이 테이블(10)에 가까워져 테이프(T)의 확장이 해제된다. 이에 의해, 테이프(T)의 탄성 회복에 의해 분할 후의 웨이퍼(W)의 외부 직경이 작아지기 시작하고, 인접하는 칩(C)이 서서히 가까워져, 인접하는 칩(C)의 간격이 좁혀진다.As shown in FIG. 3A , when the table 10 is pushed up relative to the frame holding means 20 , the tape T is expanded to divide the wafer W into individual chips C. As shown in FIG. As the wafer W after division is widened to the outer diameter D1, a gap S1 is formed between the adjacent chips C. As shown in FIG. After the division of the wafer W, the frame holding means 20 approaches the table 10 to release the expansion of the tape T. Thereby, the outer diameter of the wafer W after division|segmentation begins to become small by the elastic recovery of the tape T, the adjacent chip|tip C gradually approaches, and the space|interval of the adjacent chip|tip C narrows.
이때, 테이블(10)의 상방에는 외주 촬상 수단(45)이 설치되어 있고, 외주 촬상 수단(45)에 의해 분할 후의 웨이퍼(W)의 외주가 촬상되고 있다. 외주 촬상 수단(45)은 제어 수단(40)에 접속되어 있고, 외주 촬상 수단(45)으로부터 제어 수단(40)에 웨이퍼(W)의 외주의 촬상 화상이 입력되고 있다. 제어 수단(40)에서는, 촬상 화상에 대해 에지 검출 처리 등의 각종 화상 처리가 실시되고, 촬상 화상의 휘도차 등으로부터 웨이퍼(W)의 외주 위치가 검출된다. 상기한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 분할 시에는 테이프(T)가 확장되어 있고, 외주 촬상 수단(45)에 의해 웨이퍼(W)의 외주 위치로서 외주 위치(P1)가 검출된다.At this time, the outer periphery imaging means 45 is provided above the table 10, and the outer periphery of the wafer W after division|segmentation is imaged by the outer periphery imaging means 45. As shown in FIG. The outer peripheral imaging means 45 is connected to the control means 40 , and the captured image of the outer periphery of the wafer W is input to the control means 40 from the outer peripheral imaging means 45 . In the control means 40, various image processes, such as an edge detection process, are performed with respect to a captured image, and the outer peripheral position of the wafer W is detected from the luminance difference etc. of a captured image. As described above, when the wafer W is divided, the tape T is extended, and the outer peripheral position P1 is detected as the outer peripheral position of the wafer W by the outer peripheral imaging means 45 .
도 3b에 도시된 바와 같이, 테이블(10)에 대한 프레임 유지 수단(20)의 접근에 의해, 외주 촬상 수단(45)으로 촬상된 웨이퍼(W)의 외주가 외주 위치(P2)까지 이동하면, 테이블(10)의 유지면(13)에 테이프(T)가 흡인 유지되어 칩(C)의 간격이 유지된다. 이때, 웨이퍼(W)가 외부 직경(D2)까지 좁혀지고, 인접하는 칩(C) 사이에 미리 설정된 간격(S2)이 형성된다. 한편, 간격(S2)은, 다음 공정의 픽업 동작에 적합한 간격이다. 이와 같이, 인접하는 칩(C)의 간격에 따라 변화하는 웨이퍼(W)의 외주 위치를 외주 촬상 수단(45)으로 모니터하여, 칩(C)의 간격을 간접적으로 측정하면서 칩(C)의 간격을 조정하고 있다.As shown in FIG. 3B, when the outer periphery of the wafer W imaged by the outer peripheral imaging means 45 moves to the outer peripheral position P2 by the approach of the frame holding means 20 to the table 10, The tape T is sucked and held on the holding
한편, 도 3c에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 외주 위치(P2)는, 제어 수단(40)(도 3b 참조)에 접속된 산출 수단(46)(도 1 참조)에 의해 사전에 산출되어 있다. 보다 상세하게는, 웨이퍼(W)의 칩 사이즈에 따라 웨이퍼(W)의 분할 예정 라인의 수가 결정되고, 분할 예정 라인의 수만큼 칩(C)을 간격(S2)까지 넓혔을 때의 웨이퍼(W)의 외부 직경(D2)이 산출된다. 이 웨이퍼(W)의 외부 직경(D2)에 기초하여, 칩(C)의 간격(S2)에 대응한 웨이퍼(W)의 외주 위치(P2)가 산출된다. 한편, 산출 수단(46)은, 제어 수단(40)과 마찬가지로, 각종 처리를 실행하는 프로세서나 메모리 등에 의해 구성된다.On the other hand, as shown in FIG. 3C , the outer peripheral position P2 of the wafer W is calculated in advance by the calculation means 46 (see FIG. 1 ) connected to the control means 40 (see FIG. 3B ). has been More specifically, the number of division lines of the wafer W is determined according to the chip size of the wafer W, and the wafer W when the chip C is widened to the interval S2 by the number of division lines. ) of the outer diameter D2 is calculated. Based on the outer diameter D2 of the wafer W, the outer peripheral position P2 of the wafer W corresponding to the spacing S2 between the chips C is calculated. On the other hand, the calculation means 46, similar to the control means 40, is constituted by a processor, a memory, or the like that executes various processes.
또한, 도 3d에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 외주 위치(P2)에는, 일점 쇄선으로 나타낸 바와 같은 허용 범위(R)가 설정되어 있어도 좋다. 이 경우, 테이블(10)에 대한 프레임 유지 수단(20)의 접근에 의해, 외주 촬상 수단(45)으로 촬상된 웨이퍼(W)의 외주가 허용 범위(R) 내에 들어가면, 인접하는 칩(C)의 간격이 미리 설정된 간격(S2)에 일치되었다고 판단된다. 이와 같이 하여 칩(C)의 간격이 조정되면, 웨이퍼(W) 주위의 테이프(T)의 늘어짐이 열 수축에 의해 제거됨으로써, 칩(C)이 미리 설정한 간격(S2)을 유지한 상태로 고정된다.In addition, as shown in FIG. 3D , an allowable range R as indicated by a dashed-dotted line may be set at the outer peripheral position P2 of the wafer W. As shown in FIG. In this case, when the outer periphery of the wafer W imaged by the outer periphery imaging means 45 falls within the allowable range R due to the approach of the frame holding means 20 to the table 10, the adjacent chips C It is determined that the interval of is coincided with the preset interval S2. When the distance between the chips C is adjusted in this way, the sagging of the tape T around the wafer W is removed by thermal contraction, so that the chips C maintain the preset distance S2. is fixed
계속해서, 도 4를 참조하여, 본 실시형태의 분할 장치에 의한 분할 동작에 대해 설명한다. 도 4는 본 실시형태의 분할 장치에 의한 분할 동작의 설명도이다. 도 4a는 분할 공정의 일례, 도 4b는 칩 간격 조정 공정의 일례, 도 4c는 테이프 흡인 유지 공정의 일례, 도 4d는 테이프 수축 공정의 일례를 각각 도시하고 있다.Next, with reference to FIG. 4, the division|segmentation operation|movement by the division|segmentation apparatus of this embodiment is demonstrated. It is explanatory drawing of the division|segmentation operation|movement by the division|segmentation apparatus of this embodiment. Fig. 4A shows an example of a dividing step, Fig. 4B shows an example of a chip gap adjustment step, Fig. 4C shows an example of a tape suction holding step, and Fig. 4D shows an example of a tape shrinking step, respectively.
도 4a에 도시된 바와 같이, 먼저 분할 공정이 실시된다. 분할 공정에서는, 테이블(10) 상에 테이프(T)를 통해 웨이퍼(W)가 배치되고, 웨이퍼(W) 주위의 링 프레임(F)이 프레임 유지 수단(20)에 유지된다. 이때, 개폐 밸브(14)가 폐쇄되어 있어, 흡인원(16)으로부터의 테이블(10)에의 흡인력이 차단되어 있다. 그리고, 제어 수단(40)의 제어에 의해 프레임 유지 수단(20)이 하강되어, 테이블(10)과 프레임 유지 수단(20)이 이격된다. 이에 의해, 테이프(T)가 방사 방향으로 확장되고, 테이프(T)를 통해 강도가 저하된 개질층을 기점으로 하여 웨이퍼(W)가 개개의 칩(C)으로 분할된다.As shown in FIG. 4A , a division process is first performed. In the division process, the wafer W is placed on the table 10 via the tape T, and the ring frame F around the wafer W is held by the frame holding means 20 . At this time, the on-off
도 4b에 도시된 바와 같이, 분할 공정 후에 칩 간격 조정 공정이 실시된다. 칩 간격 조정 공정에서는, 제어 수단(40)의 제어에 의해 프레임 유지 수단(20)이 상승되어, 테이블(10)과 프레임 유지 수단(20)이 접근된다. 이에 의해, 테이프(T)의 확장이 해제되고, 테이프(T)의 탄성 회복에 의해 인접하는 칩(C)이 서서히 가까워진다. 이때, 테이블(10)의 상방에 외주 촬상 수단(45)이 위치되어 있고, 분할된 웨이퍼(W)의 외주가 외주 촬상 수단(45)에 의해 촬상되고 있다. 이 촬상 화상으로부터 웨이퍼(W)의 외주 위치가 검출되고, 산출 수단(46)(도 1 참조)에 의해 미리 산출된 웨이퍼(W)의 외주 위치와 비교된다.As shown in FIG. 4B , a chip spacing adjustment process is performed after the division process. In the chip spacing adjustment process, the frame holding means 20 is raised by the control of the control means 40 , and the table 10 and the frame holding means 20 are approached. Thereby, the expansion of the tape T is cancelled|released, and the adjacent chip|tip C approaches gradually by the elastic recovery of the tape T. At this time, the outer periphery imaging means 45 is located above the table 10 , and the outer periphery of the divided wafer W is imaged by the outer periphery imaging means 45 . The outer peripheral position of the wafer W is detected from this captured image, and compared with the outer peripheral position of the wafer W calculated in advance by the calculation means 46 (refer to FIG. 1).
촬상 화상으로부터 검출된 웨이퍼(W)의 외주 위치가, 미리 산출된 웨이퍼(W)의 외주 위치에 일치할 때까지, 제어 수단(40)에 의해 테이블(10)과 프레임 유지 수단(20)이 접근된다. 인접하는 칩(C)이 서서히 가까워지고, 칩(C)의 간격이 미리 설정한 간격으로 조정된다. 칩(C)의 간격 조정 시에는 개폐 밸브(14)가 폐쇄되어 있기 때문에, 테이블(10)에 의해 테이프(T)의 변형이 저해되는 일이 없다. 또한, 테이블(10)과 프레임 유지 수단(20)의 접근에 의해, 웨이퍼(W)의 외주와 링 프레임(F)의 내주 사이의 테이프(T)의 텐션이 느슨해져 웨이퍼(W) 주위의 테이프(T)에 늘어짐이 발생한다.The table 10 and the frame holding means 20 approach by the control means 40 until the outer peripheral position of the wafer W detected from the captured image matches the outer peripheral position of the wafer W calculated in advance. do. Adjacent chips C are gradually approached, and the spacing between the chips C is adjusted to a preset interval. Since the on-off
도 4c에 도시된 바와 같이, 칩 간격 조정 공정 후에 테이프 흡인 유지 공정이 실시된다. 테이프 흡인 유지 공정에서는, 제어 수단(40)에 의해 칩(C) 사이에 미리 설정한 간격이 형성되면, 개폐 밸브(14)가 개방되어 테이블(10)에 흡인력이 발생한다. 테이블(10)에 의해 테이프(T)를 통해 칩(C)이 흡인 유지되기 때문에, 테이프(T)가 탄성 회복에 의해 수축하지 않고 인접하는 칩(C)이 미리 설정한 간격을 두고 유지된다. 또한, 웨이퍼(W)의 상방에 수축 수단(30)이 위치되고, 회전 모터(34)에 의해 한 쌍의 히터(32)가 선회되어 테이프(T)의 늘어짐의 열 수축이 개시된다.As shown in FIG. 4C , the tape suction holding process is performed after the chip spacing adjusting process. In the tape suction holding step, when a predetermined interval is formed between the chips C by the control means 40 , the on-off
도 4d에 도시된 바와 같이, 테이프 흡인 유지 공정 후에 테이프 수축 공정이 실시된다. 테이프 수축 공정에서는, 제어 수단(40)에 의해 테이블(10)과 프레임 유지 수단(20)이 더욱 접근됨으로써, 웨이퍼(W)의 외주와 링 프레임(F)의 내주 사이의 테이프(T)의 늘어짐이 발생한다. 이때, 프레임 유지 수단(20)의 이동에 맞춰, 상하 동작부(33)에 의해 히터(32)의 높이가 조정되면서 한 쌍의 히터(32)에 의해 웨이퍼(W) 주위의 테이프(T)의 늘어짐이 열 수축된다. 웨이퍼(W) 주위의 테이프(T)만이 열 수축되기 때문에, 테이블(10)의 흡인 유지가 해제되어도 인접하는 칩(C)의 간격이 유지된 상태로 고정된다.As shown in FIG. 4D , the tape shrinking process is performed after the tape suction holding process. In the tape shrinking step, the table 10 and the frame holding means 20 are further brought closer to each other by the control means 40, so that the tape T between the outer periphery of the wafer W and the inner periphery of the ring frame F is stretched. This happens. At this time, in accordance with the movement of the frame holding means 20 , the height of the
그리고, 테이프 수축 공정 후에는 개폐 밸브(14)가 폐쇄되어, 테이블(10)에 의한 테이프(T)의 흡인이 해제되어 워크 세트(WS)의 반송을 가능하게 하고 있다. 이와 같이, 웨이퍼(W)의 분할 후에 인접하는 칩(C)의 간격이 미리 설정한 간격으로 고정되기 때문에, 칩(C)의 간격이 지나치게 넓은 일이 없고, 다음 공정의 픽업 동작 시에 피커의 이동 거리를 짧게 하여 픽업 시간을 단축할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 분할 후에 칩(C)의 변동이 발생하지 않기 때문에, 피커를 규정의 동작 프로그램에 따라 움직임으로써, 모든 칩(C)을 적절히 픽업시킬 수 있다.And the on-off
이상과 같이, 본 실시형태의 분할 장치(1)에서는, 웨이퍼(W)의 분할 시에는 테이블(10)과 프레임 유지 수단(20)이 이격함으로써, 테이프(T)가 크게 확장되어 웨이퍼(W)가 개질층을 기점으로 하여 확실하게 분할된다. 웨이퍼(W)의 분할 후에는 테이블(10)과 프레임 유지 수단(20)이 접근함으로써, 테이프(T)의 확장이 해제되어 인접하는 칩(C)의 간격이 좁혀진다. 그리고, 인접하는 칩(C)의 간격이 미리 설정한 간격까지 좁혀진 상태에서, 웨이퍼(W) 주위의 테이프(T)의 늘어짐이 제거됨으로써 칩(C)의 간격이 고정된다. 따라서, 칩(C)의 픽업 위치에 변동이 발생하거나, 픽업 시간이 길어지거나 하는 일이 없다. 이와 같이, 칩(C)의 픽업성을 악화시키지 않고, 웨이퍼(W)를 확실하게 분할할 수 있다.As described above, in the
한편, 본 실시형태에서는, 분할된 웨이퍼의 외주 위치를 촬상하고, 웨이퍼의 외주 위치를 기준으로 인접하는 칩의 간격을 조정하는 구성으로 하였으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 인접하는 칩의 간격이 미리 설정된 간격으로 조정되는 구성이면, 어떻게 칩의 간격이 조정되어도 좋다. 예컨대, 분할된 웨이퍼를 촬상하고, 촬상 화상으로부터 인접하는 칩의 간격을 측정하면서, 칩의 간격을 조정하는 구성으로 해도 좋다.In addition, in this embodiment, although it was set as the structure which imaged the outer periphery position of the divided wafer, and adjusted the space|interval of the adjacent chip|tip based on the outer periphery position of a wafer, it is not limited to this structure. As long as the interval between adjacent chips is adjusted at a preset interval, the interval between chips may be adjusted in any way. For example, it is good also as a structure which adjusts the space|interval of a chip|tip while imaging a divided wafer and measuring the space|interval of adjacent chips from a captured image.
구체적으로는, 도 5a에 도시된 바와 같이, 테이프(T)의 확장에 의해 웨이퍼(W)가 분할되면, 인접하는 칩(C) 사이에 간격(S1)이 형성된다. 웨이퍼의 분할 후에는, 테이프(T)의 확장이 해제되고, 테이프(T)의 탄성 회복에 의해 인접하는 칩(C)이 서서히 가까워진다. 이때, 테이블(10)의 상방에는 촬상 수단(48)이 설치되어 있고, 촬상 수단(48)에 의해 분할 후의 웨이퍼(W)가 촬상되고 있다. 촬상 수단(48)에는 측정 수단(49)이 접속되어 있고, 촬상 수단(48)으로부터 입력된 촬상 화상에 대해 각종 화상 처리가 실시되며, 측정 수단(49)에 의해 인접하는 칩(C)의 간격이 측정된다.Specifically, as shown in FIG. 5A , when the wafer W is divided by the expansion of the tape T, a gap S1 is formed between the adjacent chips C. As shown in FIG. After the wafer is divided, the expansion of the tape T is released, and the adjacent chips C are gradually approached by the elastic recovery of the tape T. At this time, the imaging means 48 is provided above the table 10, and the wafer W after division|segmentation is imaged by the imaging means 48. A measuring
그리고, 도 5b에 도시된 바와 같이, 테이블(10)에 대한 프레임 유지 수단(20)의 접근에 의해, 측정 수단(49)이 측정한 칩(C)의 간격이 미리 설정된 간격(S2)에 일치하면, 테이블(10)에 의해 테이프(T)가 흡인 유지되어 칩(C)의 간격이 유지된다. 이와 같이, 인접하는 칩(C)의 간격을 촬상 수단(48)으로 모니터하여, 칩(C)의 간격을 직접적으로 측정하면서 칩(C)의 간격을 조정하고 있다. 한편, 측정 수단(49)은, 제어 수단(40)과 마찬가지로, 각종 처리를 실행하는 프로세서나 메모리 등에 의해 구성된다.And, as shown in FIG. 5B, by the approach of the frame holding means 20 to the table 10, the interval of the chips C measured by the measuring means 49 coincides with the preset interval S2. On the lower surface, the tape T is suction-held by the table 10, and the space|interval of the chip|tip C is maintained. In this way, the spacing between the adjacent chips C is monitored by the imaging means 48, and the spacing of the chips C is adjusted while the spacing of the chips C is directly measured. On the other hand, the measuring means 49, similarly to the control means 40, is comprised by a processor, a memory, etc. which execute various processes.
또한, 본 실시형태에서는, 승강 수단이 테이블에 대해 프레임 유지 수단을 승강시키는 구성으로 하였으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 승강 수단은, 테이블과 프레임 유지 수단을 상대적으로 접근 및 이격시키는 구성이면 되고, 예컨대, 프레임 유지 수단에 대해 테이블을 승강시키는 구성으로 해도 좋다. 또한, 승강 수단은 전동 실린더에 한정되지 않고, 다른 액추에이터로 구성되어 있어도 좋다.In addition, in this embodiment, although it was set as the structure in which a raising/lowering means raises/lowers a frame holding means with respect to a table, it is not limited to this structure. The raising/lowering means should just be a structure which makes a table and a frame holding means relatively approach and space|separate, and it is good also as a structure which raises/lowers a table with respect to a frame holding means, for example. In addition, the lifting means is not limited to an electric cylinder, You may be comprised by other actuators.
또한, 본 실시형태에서는, 외주 촬상 수단은 웨이퍼의 외주를 촬상 가능한 구성이면 되고, 예컨대, CCD(Charged Coupled Device), CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 등의 촬상 소자가 이용되어도 좋다. 또한, 변형예의 촬상 수단은 웨이퍼를 촬상 가능한 구성이면 되고, 예컨대, CCD, CMOS 등의 촬상 소자가 이용되어도 좋다.In the present embodiment, the outer periphery imaging means may have a configuration capable of imaging the outer periphery of the wafer, and for example, an imaging device such as a CCD (Charged Coupled Device) or CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) may be used. In addition, the imaging means of a modification may just be a structure which can image a wafer, For example, imaging devices, such as a CCD and CMOS, may be used.
또한, 본 발명의 실시형태를 설명하였으나, 본 발명의 다른 실시형태로서, 상기 실시형태 및 변형예를 전체적 또는 부분적으로 조합한 것이어도 좋다.In addition, although embodiment of this invention has been described, as another embodiment of this invention, what combined the said embodiment and modified example in whole or part may be sufficient.
또한, 본 발명의 실시형태는 상기한 실시형태 및 변형예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지로 변경, 치환, 변형되어도 좋다. 나아가서는, 기술의 진보 또는 파생되는 다른 기술에 의해, 본 발명의 기술적 사상을 다른 방식으로 실현할 수 있으면, 그 방법을 이용하여 실시되어도 좋다. 따라서, 특허청구의 범위는, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에 포함될 수 있는 모든 실시형태를 커버하고 있다.In addition, embodiment of this invention is not limited to the above-mentioned embodiment and modified example, You may change, substitute, and deform variously in the range which does not deviate from the meaning of the technical idea of this invention. Furthermore, if the technical idea of the present invention can be realized in other ways due to technological advances or other derived technologies, it may be implemented using the method. Accordingly, the claims cover all embodiments that can be included within the scope of the technical idea of the present invention.
또한, 본 실시형태에서는, 본 발명을 분할 장치에 적용한 구성에 대해 설명하였으나, 테이프를 적절히 확장하는 다른 익스팬드 장치에 적용하는 것도 가능하다.In addition, in this embodiment, although the structure which applied this invention to a division|segmentation apparatus was demonstrated, it is also applicable to another expand apparatus which expands a tape suitably.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 칩의 픽업성을 악화시키지 않고, 웨이퍼를 확실하게 분할할 수 있다고 하는 효과를 가지며, 특히, 반도체 웨이퍼를 분할하는 분할 장치에 유용하다.As described above, the present invention has the effect of reliably dividing a wafer without deteriorating the pick-up property of the chip, and is particularly useful for a dividing device for dividing a semiconductor wafer.
1: 분할 장치 10: 테이블
13: 유지면 20: 프레임 유지 수단
26: 승강 수단 30: 수축 수단
40: 제어 수단 51: 개질층(분할 기점)
C: 칩 F: 링 프레임
T: 테이프 W: 웨이퍼
WS: 워크 세트1: partition device 10: table
13: holding surface 20: frame holding means
26: lifting means 30: retracting means
40: control means 51: modified layer (partition origin)
C: Chip F: Ring Frame
T: Tape W: Wafer
WS: Workset
Claims (1)
상기 링 프레임을 유지하는 프레임 유지 수단과,
상기 프레임 유지 수단이 유지한 워크 세트의 상기 테이프를 통해 웨이퍼를 유지하는 유지면을 갖는 테이블과,
상기 테이블과 상기 프레임 유지 수단을 상대적으로 상기 유지면에 대해 직교하는 방향으로 접근 및 이격시키는 승강 수단과,
상기 테이블과 상기 프레임 유지 수단을 이격하는 방향으로 이동시켜 상기 테이프를 확장하여 상기 분할 기점을 기점으로 웨이퍼를 분할시킨 후, 상기 테이블과 상기 프레임 유지 수단을 접근하는 방향으로 이동시켜 인접하는 칩을 가깝게 하여 좁힌 간격을 형성하는 제어 수단과,
상기 분할 후의 웨이퍼의 외주 또는 상기 분할 후의 웨이퍼의 상기 좁힌 간격을 촬상하는 촬상 수단과,
상기 제어 수단에 의해 형성된 상기 좁힌 간격이 미리 설정한 간격과 같아지도록, 상기 제어 수단에 의해 인접하는 칩의 간격이 가까워지는 도중에, 상기 촬상 수단에 의해 얻어진 상기 분할 후의 웨이퍼의 외주가 미리 설정한 외주 위치로 이동하였을 때, 또는 상기 촬상 수단에 의해 얻어진 상기 좁힌 간격이 미리 설정한 간격과 같아졌을 때, 확장된 상기 테이프를 상기 유지면으로 흡인 유지하여 상기 좁힌 간격을 유지하고, 상기 테이블과 상기 프레임 유지 수단을 더욱 접근시키며, 웨이퍼의 외주와 링 프레임의 내주 사이의 늘어진 상기 테이프를 수축시켜, 인접하는 칩의 간격을 고정하는 수축 수단
을 포함하는, 분할 장치.In a dividing device for dividing the wafer from the dividing starting point by expanding the tape of the work set in which the ring frame and the tape and the wafer are integrated by attaching the wafer having the dividing origin to the adhesive tape by blocking the opening of the ring frame in,
frame holding means for holding the ring frame;
a table having a holding surface for holding a wafer through said tape of a set of works held by said frame holding means;
elevating means for approaching and separating the table and the frame holding means in a direction orthogonal to the holding surface relatively;
After moving the table and the frame holding means in a direction apart to expand the tape to divide the wafer from the dividing starting point, the table and the frame holding means are moved in an approaching direction to bring adjacent chips closer together. a control means for forming a narrowed gap by
imaging means for imaging the outer periphery of the divided wafer or the narrowed interval of the divided wafer;
The outer periphery of the wafer after division obtained by the imaging means while the distance between adjacent chips is approaching by the control means is set in advance so that the narrowed gap formed by the control means is equal to the preset gap When moving to a position or when the narrowed interval obtained by the imaging means becomes equal to a preset interval, the extended tape is sucked and held by the holding surface to maintain the narrowed interval, and the table and the frame Contracting means for further bringing the holding means closer, and for shrinking the tape stretched between the outer periphery of the wafer and the inner periphery of the ring frame, thereby fixing the gap between adjacent chips.
A partitioning device comprising a.
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