KR102249339B1 - Apparatus for maintaining spaces between chips and method for maintaining spaces between chips - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 37
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000007665 sagging Methods 0.000 abstract description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
- H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
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Abstract
본 발명은 확장된 익스팬드 시트의 늘어짐을 적확(的確)하게 또한 단시간에 제거하는 것을 목적으로 한다.
칩 간격 유지 장치는, 환형 프레임(F)에 익스팬드 시트(S)를 개재하여 지지된 피가공물(W)의 복수의 칩(C)의 간격을 확장한 상태로 유지하는 장치로서, 피가공물을 흡인 유지하는 테이블(11)과, 테이블 주위에서 환형 프레임을 유지하는 프레임 유지 수단(12)과, 유지 테이블과 프레임 유지 수단을 연직 방향으로 상대적으로 이동시켜 익스팬드 시트를 확장하여 피가공물의 복수의 칩 사이에 간격을 형성하는 확장 수단(37)과, 익스팬드 시트의 확장을 해제함으로써 피가공물 주위에 발생하는 융기부(R)에 열을 조사하는 가열 수단(41)과, 익스팬드 시트 상의 가열 수단에 의한 열의 조사 위치를 하방으로부터 압박하는 압박 수단(23)을 구비하는 구성으로 하였다. It is an object of the present invention to remove sagging of an expanded expand sheet accurately and in a short time.
The chip gap maintaining device is a device that maintains an extended spacing between a plurality of chips C of a work W supported by an expandable sheet S on an annular frame F, The table 11 for holding suction, the frame holding means 12 for holding the annular frame around the table, and the holding table and the frame holding means are relatively moved in the vertical direction to expand the expand sheet to increase a plurality of workpieces. Expansion means (37) for forming a gap between the chips, heating means (41) for irradiating heat to the ridges (R) generated around the workpiece by releasing the expansion of the expanded sheet, and heating on the expand sheet It was set as the structure provided with the pressing means 23 for pressing the heat irradiation position by the means from below.
Description
본 발명은 익스팬드 시트를 개재하여 환형 프레임에 지지된 피가공물의 분할 후의 개개의 칩을, 칩 간격을 확장한 상태로 유지하는 칩 간격 유지 장치 및 칩 간격 유지 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a chip spacing apparatus and a chip spacing method for maintaining individual chips after division of a workpiece supported on an annular frame via an expand sheet in an extended state of the chip spacing.
종래, 익스팬드 시트에 접착된 피가공물에 분할 예정 라인을 따라 개질층, 레이저 가공홈, 절삭홈 등의 분할 기점을 형성한 후에, 피가공물을 개개의 칩으로 분할하는 방법이 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 특허문헌 1에 기재된 분할 방법에서는, 환형 프레임에 붙여진 익스팬드 시트가 확장됨으로써, 분할 예정 라인을 따라 형성된 분할 기점에 외력이 가해지고, 이 강도가 저하된 분할 기점을 따라 피가공물이 개개의 칩으로 분할된다. 그러나, 익스팬드 시트의 확장이 해제되면, 익스팬드 시트에 큰 늘어짐이 발생해서 인접하는 칩끼리가 접촉하여 결손이나 파손이 발생할 가능성이 있다. Conventionally, a method of dividing the workpiece into individual chips is known after forming a dividing starting point such as a modified layer, a laser processing groove, and a cutting groove along a line to be divided on a workpiece attached to an expand sheet (e.g., See Patent Document 1). In the dividing method described in
이 때문에, 칩 사이의 간격을 유지(고정)한 상태에서, 익스팬드 시트의 늘어짐이 큰 피가공물 주위에 열 등의 외적 자극을 부여하여, 익스팬드 시트의 늘어짐을 수축시키는 방법도 제안되어 있다. 이 방법에서는, 익스팬드 시트의 재질이나 두께에 따라서는 외적 자극에 의한 늘어짐의 수축이 불충분, 혹은, 늘어짐이 수축하지 않는 것이 염려된다. 그래서, 익스팬드 시트의 늘어짐을 파지(把持)하여 열압착함으로써 익스팬드 시트에 팽팽함을 만드는 방법이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 2 참조). 이 특허문헌 2에 기재된 방법에서는, 피가공물 주위에 생긴 익스팬드 시트의 늘어짐을 상방으로 융기시키고, 이 융기부를 전체 둘레에 걸쳐 파지하면서 열압착하여 익스팬드 시트의 늘어짐을 제거하고 있다.For this reason, a method has also been proposed in which an external stimulus such as heat is applied around a workpiece having a large sag of the expand sheet while maintaining (fixed) the gap between the chips, thereby shrinking the sagging of the expand sheet. In this method, depending on the material and thickness of the expand sheet, there is a concern that the contraction of sagging due to external stimulation is insufficient, or that the sagging does not contract. Therefore, a method of making the expand sheet taut by gripping the sagging of the expand sheet and thermocompression bonding has been proposed (see, for example, Patent Document 2). In the method described in this patent document 2, the sagging of the expanded sheet generated around the work piece is raised upward, and the sagging of the expanded sheet is removed by thermocompression bonding while grasping the ridge over the entire circumference.
그런데, 환형 프레임에의 익스팬드 시트의 접착시에는, 익스팬드 시트의 일방향으로 텐션이 가해지고 있기 때문에, 텐션이 가해진 일방향과 이에 직교하는 타방향에서 텐션에 치우침이 발생하고 있다. 이 때문에, 특허문헌 2에 기재된 방법에서는, 익스팬드 시트에 내재하는 텐션의 영향을 받아, 피가공물 주위에는 직경 방향에서 상이한 거리에 융기부가 발생한다. 이 때문에, 피가공물 주위가 융기부에 의해 상면에서 보아 타원 형상으로 둘러싸여, 융기부를 전체 둘레에 걸쳐 열압착하여 익스팬드 시트의 늘어짐을 제거하는 것이 어렵다고 하는 문제가 있다.However, when the expand sheet is adhered to the annular frame, since tension is applied in one direction of the expand sheet, bias occurs in the tension in one direction to which the tension is applied and the other direction orthogonal thereto. For this reason, in the method described in Patent Literature 2, under the influence of the tension inherent in the expand sheet, ridges are generated around the workpiece at different distances in the radial direction. For this reason, there is a problem that it is difficult to remove sagging of the expand sheet by enclosing the object to be processed in an elliptical shape as viewed from the upper surface by the raised portions, and by thermocompressing the raised portions over the entire periphery.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 익스팬드 시트의 확장으로 발생하는 늘어짐을 적확(的確)하게 또한 단시간에 제거할 수 있는 칩 간격 유지 장치 및 칩 간격 유지 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to provide a chip spacing device and a chip spacing method capable of accurately removing sagging caused by expansion of an expand sheet in a short time.
본 발명의 칩 간격 유지 장치는, 익스팬드 시트에 접착되어 환형 프레임에 장착된 피가공물을 구성하는 복수의 칩의 간격을 확장한 상태로 유지하는 칩 간격 유지 장치로서, 피가공물을 지지하는 지지면을 가지며, 익스팬드 시트를 개재하여 피가공물을 흡인 유지 가능하게 지지하는 테이블과, 이 테이블 주위에서 환형 프레임을 유지하는 유지면을 가진 프레임 유지 수단과, 상기 익스팬드 시트를 확장함으로써 복수의 상기 칩 사이에 간격을 형성하는 확장 수단과, 이 확장 수단에 의해 상기 익스팬드 시트가 확장되어 상기 칩 사이에 간격이 형성된 복수의 상기 칩을 상기 익스팬드 시트를 개재하여 상기 테이블로 흡인 유지하고, 상기 확장 수단에 의한 확장을 해제함으로써 피가공물의 외주와 상기 환형 프레임의 내주 사이에서 상기 익스팬드 시트의 잉여분이 융기한 융기부에, 상방측으로부터 열을 조사(照射)하여 상기 융기부를 수축시키는 가열 수단과, 상기 가열 수단의 열조사구에 대향해 있는 상기 익스팬드 시트 바로 아래에 배치되어 상기 익스팬드 시트가 사이에 개재되도록 하고 또한 상기 익스팬드 시트의 하방으로부터 상기 가열 수단의 상기 열조사구의 방향으로 상기 익스팬드 시트를 압박하여 상기 융기부를 상기 가열 수단의 상기 열조사구 근방으로 이동시키는 압박 수단을 구비한다.The chip spacing device of the present invention is a chip spacing device that maintains an extended spacing of a plurality of chips that constitute a work piece that is adhered to an expand sheet and mounted on an annular frame, and is a support surface that supports the work piece. And a frame holding unit having a table that supports suction and holding a work piece through an expand sheet, a holding surface for holding an annular frame around the table, and a plurality of the chips by expanding the expand sheet. An expansion means for forming a gap therebetween; and a plurality of the chips formed with gaps between the chips by the expansion sheet being expanded by the expansion means are suctioned and held by the table through the expand sheet, and the expansion sheet A heating means for contracting the ridge by irradiating heat from an upper side to the ridge where the excess of the expand sheet bulges between the outer circumference of the workpiece and the inner circumference of the annular frame by releasing the expansion by means; The expansion sheet is disposed immediately below the expand sheet facing the heat irradiation port of the heating means so that the expand sheet is interposed therebetween, and the expansion sheet is disposed from below the expand sheet in the direction of the heat irradiation port of the heating means. And pressing means for pressing the pand sheet and moving the raised portion to the vicinity of the heat irradiation port of the heating means.
이 구성에 의하면, 피가공물이 테이블에 유지되고, 환형 프레임이 프레임 유지 수단에 유지되어 있으며, 익스팬드 시트가 확장됨으로써 칩 사이에 간격이 형성된다. 그리고, 테이블의 흡인에 의해 피가공물의 칩 사이에 간격이 유지된 상태에서 익스팬드 시트의 확장이 해제됨으로써, 피가공물의 외주와 환형 프레임의 내주 사이에 익스팬드 시트의 늘어짐에 의한 잉여분이 융기하여 융기부가 형성된다. 이때, 익스팬드 시트에 내재하는 텐션의 치우침에 의해, 피가공물 주위에 발생하는 융기부가 열조사구의 바로 아래로부터 벗어나도, 압박 수단에 의해 익스팬드 시트가 압박되어 융기부가 열조사구 바로 아래로 이동된다. 열조사구 근방으로 융기부가 이동되기 때문에, 열조사구로부터 융기부에 열이 조사되어 융기부를 효율적으로 열수축시킬 수 있다. According to this configuration, the workpiece is held on the table, the annular frame is held by the frame holding means, and the expanded sheet is expanded to form a gap between the chips. In addition, the expansion of the expand sheet is released while the gap between the chips of the work is maintained by the suction of the table, so that the excess due to the sagging of the expand sheet rises between the outer circumference of the work and the inner circumference of the annular frame. A ridge is formed. At this time, even if the bulge generated around the work piece deviates from just below the heat irradiation hole due to the bias of the tension inherent in the expand sheet, the expand sheet is pressed by the pressing means and the ridge moves directly under the heat irradiation hole. . Since the ridge is moved in the vicinity of the heat irradiation port, heat is irradiated to the ridge from the heat irradiation port, so that the ridge can be efficiently thermally contracted.
또한 본 발명의 칩 간격 유지 방법은, 상기에 기재된 칩 간격 유지 장치를 사용하여, 익스팬드 시트에 접착되어 환형 프레임에 장착된 피가공물을 구성하는 복수의 칩의 간격을 확장한 상태를 유지하는 칩 간격 유지 방법으로서, 상기 테이블 상에 상기 익스팬드 시트를 개재하여 피가공물을 배치하고, 상기 환형 프레임을 상기 프레임 유지 수단으로 유지하는 유지 단계와, 이 유지 단계를 실시한 후, 상기 테이블과 상기 프레임 유지 수단을 연직 방향으로 소정 거리만큼 상대적으로 이동시켜 상기 프레임 유지 수단에 대해 상기 테이블을 상승시켜 상기 익스팬드 시트를 늘임으로써, 상기 복수의 칩 사이에 간격을 형성하는 칩 간격 확장 단계와, 이 칩 간격 확장 단계를 실시한 후, 상기 테이블로 상기 익스팬드 시트를 개재하여 피가공물을 흡인 유지함으로써 인접하는 상기 칩 사이의 간격을 유지하는 흡인 유지 단계와, 이 흡인 유지 단계를 개시한 후, 상기 테이블과 상기 프레임 유지 수단을 연직 방향으로 상대적으로 이동시켜 상기 프레임 유지 수단에 대한 상기 테이블의 상승을 해제하여, 상기 익스팬드 시트가 확장되어 형성된 상기 익스팬드 시트의 잉여 부위가 피가공물의 외주측에서 상기 익스팬드 시트 표면측으로 솟아오른 융기부를 형성하는 융기부 형성 단계와, 이 융기부 형성 단계를 실시한 후에, 상기 압박 수단에 의해 익스팬드 시트를 압박하여 상기 융기부를 상기 가열 수단의 상기 열조사구 바로 아래로 이동시키고, 상기 가열 수단에 의해 상기 융기부를 가열 수축시키는 가열 수축 단계로 구성된다.In addition, the chip spacing method of the present invention uses the chip spacing device described above to maintain a state in which the spacing of a plurality of chips constituting a work piece attached to an expand sheet and mounted on an annular frame is extended. A method of maintaining a gap, comprising: a holding step of arranging a work piece on the table through the expand sheet and holding the annular frame by the frame holding means; after performing this holding step, holding the table and the frame A chip spacing expansion step of forming a spacing between the plurality of chips by moving the means relatively by a predetermined distance in the vertical direction to elevate the table with respect to the frame holding means to increase the expand sheet, and the chip spacing After performing the expansion step, a suction holding step of maintaining a gap between adjacent chips by suctioning and holding a workpiece through the expand sheet to the table, and after starting the suction holding step, the table and the By relatively moving the frame holding means in the vertical direction to release the elevation of the table with respect to the frame holding means, the excess portion of the expand sheet formed by expanding the expand sheet is expanded from the outer circumference side of the workpiece. After performing the raised portion forming step of forming a raised portion rising toward the sheet surface side, and after performing the raised portion forming step, the expanded sheet is pressed by the pressing means to move the raised portion directly under the heat irradiation port of the heating means. And a heating contraction step of heating and contracting the raised portion by the heating means.
또한 상기 칩 간격 유지 방법에 있어서, 교차하는 복수의 분할 예정 라인이 설정된 피가공물에 상기 분할 예정 라인을 따라 분할 기점이 형성되어 있고, 상기 칩 간격 확장 단계에 있어서, 피가공물이 복수의 칩으로 분할되며, 칩 사이에 간격이 형성된다. In addition, in the chip spacing maintenance method, a division starting point is formed along the division scheduled line in a workpiece in which a plurality of division scheduled lines intersecting is set, and in the chip spacing expansion step, the workpiece is divided into a plurality of chips. And a gap is formed between the chips.
본 발명에 의하면, 익스팬드 시트의 확장 상태를 해제한 후에 발생하는 융기부를, 열조사구 바로 아래로 이동시킴으로써, 익스팬드 시트의 확장으로 발생하는 늘어짐을 적확하게 또한 단시간에 제거할 수 있다. Advantageous Effects of Invention According to the present invention, by moving the protruding portion generated after releasing the expanded state of the expand sheet, just below the heat irradiation port, sagging caused by the expansion of the expand sheet can be accurately and in a short time.
도 1은 본 실시형태에 따른 칩 간격 유지 장치의 사시도이다.
도 2는 본 실시형태에 따른 테이블의 상면 모식도 및 단면 모식도이다.
도 3은 본 실시형태에 따른 압박 수단의 동작의 설명도이다.
도 4는 본 실시형태에 따른 유지 단계의 일례를 도시한 도면이다.
도 5는 본 실시형태에 따른 칩 간격 확장 단계의 일례를 도시한 도면이다.
도 6은 본 실시형태에 따른 흡인 유지 단계의 일례를 도시한 도면이다.
도 7은 본 실시형태에 따른 융기부 형성 단계의 일례를 도시한 도면이다.
도 8은 본 실시형태에 따른 가열 수축 단계의 일례를 도시한 도면이다. 1 is a perspective view of a chip spacing device according to the present embodiment.
2 is a schematic top view and a schematic cross-sectional view of the table according to the present embodiment.
3 is an explanatory diagram of the operation of the pressing means according to the present embodiment.
4 is a diagram showing an example of a holding step according to the present embodiment.
5 is a diagram showing an example of the step of extending the chip spacing according to the present embodiment.
6 is a diagram showing an example of a suction holding step according to the present embodiment.
7 is a diagram showing an example of a step of forming a raised portion according to the present embodiment.
8 is a diagram showing an example of a heat shrinking step according to the present embodiment.
이하, 본 실시형태에 따른 칩 간격 유지 장치에 대해 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 칩 간격 유지 장치의 사시도이다. 도 2는 본 실시형태에 따른 테이블의 상면 모식도 및 단면 모식도이다. 한편, 도 2a는 테이블의 상면 모식도, 도 2b는 도 2a의 A-A선을 따르는 단면 모식도, 도 2c는 도 2a의 B-B선을 따르는 단면 모식도를 각각 도시하고 있다. 또한, 본 실시형태에 따른 칩 간격 유지 장치는, 도 1에 도시한 구성에 한정되지 않고, 적절히 변경 가능하다.Hereinafter, a chip spacing device according to the present embodiment will be described. 1 is a perspective view of a chip spacing device according to the present embodiment. 2 is a schematic top view and a schematic cross-sectional view of the table according to the present embodiment. Meanwhile, FIG. 2A is a schematic top view of the table, FIG. 2B is a schematic cross-sectional view taken along line A-A of FIG. 2A, and FIG. 2C is a schematic cross-sectional view taken along line B-B of FIG. 2A. In addition, the chip spacing device according to the present embodiment is not limited to the configuration shown in Fig. 1 and can be appropriately changed.
도 1에 도시한 바와 같이, 칩 간격 유지 장치(1)는, 환형 프레임(F)에 익스팬드 시트(S)를 개재하여 지지된 원판형의 피가공물(W)을, 익스팬드 시트(S)의 시트 확장에 의해 개개의 칩을 분할하도록 구성되어 있다. 또한, 칩 간격 유지 장치(1)는, 칩 간격을 유지한 상태에서 익스팬드 시트(S)의 확장을 해제하여, 시트 확장의 해제 후에 발생하는 늘어짐을 가열 수축[히트 슈링크(heat shrink)]에 의해 제거하도록 구성되어 있다. 이와 같이, 익스팬드 시트(S)가 늘여져서 크게 늘어진 개소만을 열수축시켜, 피가공물(W)의 분할 후의 칩 간격을 유지한 상태로 고정하고 있다.As shown in Fig. 1, the
피가공물(W)의 표면(51)에는 격자형의 분할 예정 라인(52)이 형성되어 있고, 분할 예정 라인(52)에 의해 구획된 각 영역에 각종 디바이스(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 피가공물(W)의 외측 가장자리에는 결정 방위를 나타내는 노치(53)가 형성되어 있다. 한편, 피가공물(W)은, 실리콘, 갈륨비소 등의 반도체 기판에 IC, LSI 등의 디바이스가 형성된 반도체 웨이퍼여도 좋고, 세라믹, 유리, 사파이어계의 무기 재료 기판에 LED 등의 광디바이스가 형성된 광디바이스 웨이퍼여도 좋다. 피가공물(W)은, 익스팬드 시트(S)를 개재하여 환형 프레임(F)에 지지된 상태로 칩 간격 유지 장치(1)에 반입된다. On the
또한, 피가공물(W)의 내부에는, 분할 예정 라인(52)을 따라 분할 기점이 되는 개질층(54)(도 4 참조)이 형성되어 있다. 한편, 개질층(54)은, 레이저의 조사에 의해 피가공물(W)의 내부의 밀도, 굴절률, 기계적 강도나 그 외의 물리적 특성이 주위와 상이한 상태가 되어, 주위보다 강도가 저하되는 영역을 말한다. 개질층(54)은, 예컨대, 용융 처리 영역, 크랙 영역, 절연 파괴 영역, 굴절률 변화 영역이며, 이들이 혼재된 영역이어도 좋다. 또한, 이하의 설명에서는, 분할 기점으로서 개질층(54)을 예시하지만, 분할 기점은, 피가공물(W)의 강도를 저하시켜 분할시의 기점이 되면 되고, 예컨대, 레이저 가공홈, 절삭홈, 스크라이브 라인이어도 좋다.In addition, a modified layer 54 (see Fig. 4) serving as a starting point for division is formed along the
칩 간격 유지 장치(1)는, 중앙에 피가공물(W)을 흡인 유지 가능한 테이블(11)이 배치되고, 테이블(11) 주위에는 환형 프레임(F)을 유지하는 프레임 유지 수단(12)이 배치된다. 테이블(11)은 복수의 지주부(29)에 의해 지지되어 있고, 테이블(11)의 상면에는 다공성 세라믹스재에 의해 피가공물(W)을 지지하는 지지면(21)이 형성되어 있다. 지지면(21)은, 테이블(11) 내의 유로를 통해 흡인원(13)(도 4 참조)에 접속되어 있고, 지지면(21) 상에 발생하는 부압에 의해 피가공물(W)이 흡인 유지된다. 또한, 지지면(21)으로부터 흡인원(13)으로 이어지는 유로에는 개폐 밸브(14)(도 4 참조)가 설치되어 있고, 개폐 밸브(14)에 의해 지지면(21)의 흡인 유지와 흡인 해제가 전환되고 있다.In the
도 2a에 도시한 바와 같이, 테이블(11)의 외주 에지에는, 전체 둘레에 걸쳐 복수의 롤러(22)와 복수의 압박 수단(23)이 설치되어 있다. 이 경우, 둘레 방향으로 2개 연속으로 배치된 롤러(22) 옆에 압박 수단(23)이 하나 배치되고, 테이블(11)의 외주 에지에 복수의 롤러(22)와 복수의 압박 수단(23)이 균일하게 설치되어 있다. 도 2b에 도시한 바와 같이, 복수의 롤러(22)는, 테이블(11)의 외주 에지에 형성된 단차부(24)에 배치되어 있으며, 피가공물(W)(도 1 참조)이 지지면(21)에 지지됨으로써 익스팬드 시트(S)(도 1 참조)의 하측에 굴림 접촉된다. 복수의 롤러(22)가 익스팬드 시트(S)에 굴림 접촉됨으로써, 익스팬드 시트(S)의 확장시에 테이블(11)의 외주 에지에서 발생하는 마찰이 억제되고 있다.As shown in Fig. 2A, a plurality of
도 2c에 도시한 바와 같이, 복수의 압박 수단(23)은, 테이블(11)의 지지면(21)으로부터 출몰 가능한 가동 핀이며, 테이블(11)의 외주 에지에 형성된 단차부(24)에 배치되어 있다. 또한, 압박 수단(23)이 배치된 단차부(24)에는, 압박 수단(23)의 핀끝 주위를 둘러싸도록 커버(25)가 설치되어 있다. 압박 수단(23)이 설치된 개소에서는, 이 커버(25)에 의해 익스팬드 시트(S)의 확장시에 테이블(11)의 외주 에지에서 발생하는 마찰이 억제되고 있다. 또한, 테이블(11)의 하면에는 압박 수단(23)을 구동하는 실린더(26)가 설치되어 있다. 한편, 압박 수단(23)의 동작에 대해서는 후술한다. As shown in Fig. 2C, the plurality of pressing means 23 are movable pins that can protrude from the
도 1로 되돌아가서, 프레임 유지 수단(12)은, 배치 테이블(31)의 유지면(32) 상에 환형 프레임(F)이 배치되고, 커버 플레이트(33)에 의해 상방으로부터 끼워 넣도록 하여, 테이블(11) 주위에서 배치 테이블(31)의 유지면(32)으로 환형 프레임(F)을 유지하고 있다. 배치 테이블(31)은 상면에서 보아 사각 형상이며, 중앙에 테이블(11)보다 대직경의 원형 개구(34)가 형성되어 있다. 배치 테이블(31)의 네 모퉁이는, 배치 테이블(31)을 승강시키는 4개의 승강 실린더(37)의 실린더 로드(38)에 의해 하측으로부터 지지되어 있다. 4개의 승강 실린더(37)는, 전동 실린더 등으로 구성되며, 프레임 유지 수단(12)을 승강시켜 익스팬드 시트(S)를 확장시키는 확장 수단으로서 기능한다. Returning to FIG. 1, the frame holding means 12 arranges the annular frame F on the holding
커버 플레이트(33)는, 중앙에 테이블(11)보다 대직경의 원형 개구(35)를 갖는 직사각형 판 형상으로 형성되어 있다. 배치 테이블(31) 상에 커버 플레이트(33)가 배치되면, 커버 플레이트(33)와 배치 테이블(31)에 의해 환형 프레임(F)이 유지되고, 커버 플레이트(33)의 원형 개구(35)로부터 피가공물(W)과 익스팬드 시트(S)의 일부가 상방으로 노출된다. 한편, 커버 플레이트(33)는, 배치 테이블(31)에 배치된 상태로, 예컨대, 도시하지 않은 클램프부에 의해 배치 테이블(31)에 고정된다.The
커버 플레이트(33)의 상방에는, 복수의 가열 수단(41)을 구비한 원판형의 승강 플레이트(42)가 설치되어 있다. 승강 플레이트(42)는, 도시하지 않은 모터 등에 의해 회전되는 회전축(43)의 하단에 고정되어 있고, 도시하지 않은 승강 기구에 의해 연직 방향으로 이동된다. 복수의 가열 수단(41)은 원적외선 히터이며, 환형 프레임(F)과 피가공물(W) 사이의 환형의 영역에 위치되어 있다. 가열 수단(41)은, 예컨대, 금속 재료에 흡수되기 어려운 3 ㎛∼25 ㎛에 피크 파형의 원적외선을 스폿 조사함으로써, 장치 각부의 가열을 억제하여 익스팬드 시트(S)의 조사 개소만을 적절히 가열하는 것이 가능하게 되어 있다.Above the
이러한 칩 간격 유지 장치(1)에서는, 승강 실린더(37)가 구동되어 프레임 유지 수단(12)이 환형 프레임(F)을 유지한 상태로 하강됨으로써, 커버 플레이트(33) 및 배치 테이블(31)의 원형 개구(34, 35)로부터 테이블(11)이 돌출된다. 프레임 유지 수단(12)에 대해 테이블(11)이 상대적으로 상승됨으로써, 익스팬드 시트(S)가 직경 방향으로 확장되어 피가공물(W)이 개개의 칩으로 분할된다. 또한, 프레임 유지 수단(12)이 상승되어 익스팬드 시트(S)의 확장이 해제되면, 익스팬드 시트(S)가 느슨해져서 피가공물(W) 주위에 늘어짐이 발생하여, 익스팬드 시트(S)의 잉여분이 융기한다. In such a chip
이 익스팬드 시트(S)의 융기한 융기부(R)(도 3b 참조)가 복수의 가열 수단(41)에 의해 열수축된다. 이 경우, 가열 수단(41)은, 원적외선의 조사 범위가 지나치게 넓어지면 피가공물(W)에 손상을 주기 때문에, 익스팬드 시트(S)의 융기부(R)에 원적외선을 스폿 조사하여 국소적으로 가열하는 것이 바람직하다. 그러나, 환형 프레임(F)에 접착된 익스팬드 시트(S)에 소정 방향으로 텐션이 내재되어 있으면, 이 텐션의 치우침의 영향을 받아, 가열 수단(41)에 의한 원적외선의 조사 위치로부터 벗어난 위치에 융기부(R)가 발생해 버린다.The raised protrusions R (refer to FIG. 3B) of this expand sheet S are thermally contracted by a plurality of heating means 41. In this case, the heating means 41 damages the workpiece W when the irradiation range of the far-infrared rays is excessively wide, so that the protrusion R of the expand sheet S is spot-irradiated with a far-infrared ray to locally It is desirable to heat. However, if tension is embedded in a predetermined direction in the expand sheet S adhered to the annular frame F, the tension is affected by the bias, and the heating means 41 moves away from the irradiation position of the far-infrared rays. The protrusion R is generated.
그래서, 본 실시형태에 따른 칩 간격 유지 장치(1)에서는, 피가공물(W) 주위에 발생하는 융기부(R)가 원적외선의 조사 위치로부터 벗어나는 경우에, 상기한 압박 수단(23)에 의해 익스팬드 시트(S)를 밀어 올림으로써 융기부(R)를 원적외선의 조사 위치에 맞추도록 하고 있다. 그리고, 가열 수단(41)으로부터 융기부(R)에 원적외선이 스폿 조사됨으로써, 융기부(R)가 효율적으로 열수축된다.Therefore, in the
이하, 도 3을 참조하여, 테이블 및 압박 수단에 대해 설명한다. 도 3은 본 실시형태에 따른 압박 수단의 동작의 설명도이다. 한편, 도 3a는 피가공물의 상면 모식도, 도 3b는 도 3a의 C-C선을 따르는 단면 모식도, 도 3c는 도 3a의 D-D선을 따르는 단면 모식도를 각각 도시하고 있다.Hereinafter, the table and the pressing means will be described with reference to FIG. 3. 3 is an explanatory diagram of the operation of the pressing means according to the present embodiment. Meanwhile, FIG. 3A is a schematic top view of the workpiece, FIG. 3B is a schematic cross-sectional view taken along line C-C of FIG. 3A, and FIG. 3C is a schematic cross-sectional view taken along line D-D of FIG. 3A.
도 3a에 도시한 바와 같이, 피가공물(W)의 분할 후에 익스팬드 시트(S)의 확장이 해제되면, 피가공물(W)의 외주와 환형 프레임(F)의 내주 사이에 익스팬드 시트(S)의 잉여분이 융기하여 융기부(R)가 발생한다. 상기한 바와 같이, 익스팬드 시트(S)에는 소정 방향으로 텐션이 내재되어 있기 때문에, 피가공물(W)의 외주와 환형 프레임(F)의 내주 사이에 있어서의 융기부(R)의 발생 위치가 둘레 방향에서 상이하다. 구체적으로는, 위치(P1)에서는 피가공물(W)의 외주와 환형 프레임(F)의 내주와의 대략 중간 위치에 융기부(R)가 발생하고, 위치(P2)에서는 피가공물(W)의 외주 부근에 융기부(R)가 발생하고 있다.As shown in Fig. 3A, when the expansion of the expand sheet S is released after the work W is divided, the expand sheet S is placed between the outer circumference of the work W and the inner circumference of the annular frame F. The surplus of) rises, resulting in a ridge (R). As described above, since tension is embedded in the expanded sheet S in a predetermined direction, the location of the raised portion R between the outer periphery of the workpiece W and the inner periphery of the annular frame F is It is different in the circumferential direction. Specifically, in the position P1, the protrusion R is generated at a position approximately midway between the outer periphery of the workpiece W and the inner periphery of the annular frame F, and at the position P2, the The ridge R is generated near the outer periphery.
또한, 가열 수단(41)(도 3b 참조)에 의한 원적외선의 조사 위치는, 이점 쇄선(L)으로 나타내는 바와 같이 피가공물(W)의 외주와 환형 프레임(F)의 내주와의 대략 중간 위치에 맞취져 있다. 위치(P1)에서는 원적외선의 조사 위치에 익스팬드 시트(S)의 융기부(R)가 일치하고 있고, 위치(P2)에서는 원적외선의 조사 위치로부터 익스팬드 시트(S)의 융기부(R)가 벗어나 있다. 또한, 익스팬드 시트(S)의 뒤쪽에는, 원적외선의 조사 위치를 따라 복수의 압박 수단(23)이 등간격으로 배치되어 있다. 즉, 익스팬드 시트(S)를 사이에 두고 복수의 가열 수단(41)(도 3b 참조)의 열조사구(45) 바로 아래에 복수의 압박 수단(23)이 위치하게 된다.In addition, the irradiation position of the far-infrared rays by the heating means 41 (refer to FIG. 3B) is at a position approximately midway between the outer circumference of the workpiece W and the inner circumference of the annular frame F, as indicated by the two-dot chain line L. It is matched. At the position (P1), the protrusion (R) of the expand sheet (S) coincides with the irradiation position of the far-infrared rays, and at the position (P2), the protrusion (R) of the expand sheet (S) is from the irradiation position of the far-infrared rays. It's off. Further, on the rear side of the expand sheet S, a plurality of pressing means 23 are arranged at equal intervals along the irradiation position of the far-infrared rays. That is, the plurality of pressing means 23 are positioned directly under the
그리고, 복수의 압박 수단(23)이 테이블(11)의 지지면(21)으로부터 돌출됨으로써, 상면에서 보아 타원형의 융기부(R)가 파선으로 나타내는 원적외선의 조사 위치로 이동된다. 구체적으로는, 도 3b에 나타낸 위치(P1)에서는, 피가공물(W)의 외주와 환형 프레임(F)의 내주와의 대략 중간 위치에 익스팬드 시트(S)의 융기부(R)가 발생하고 있어, 압박 수단(23)이 구동되지 않아도 원적외선의 조사 위치에 융기부(R)가 위치되어 있다. 한편, 도 3c에 나타낸 위치(P2)에서는, 피가공물(W)의 외주 부근에 익스팬드 시트(S)의 융기부(R)가 발생하고 있어, 압박 수단(23)에 의해 익스팬드 시트(S)가 밀어 올려짐으로써 원적외선의 조사 위치로 융기부(R)가 이동된다.Then, when the plurality of pressing means 23 protrude from the
이와 같이, 압박 수단(23)에 의해 익스팬드 시트(S)의 하방으로부터 가열 수단(41)의 열조사구(45)의 방향으로 익스팬드 시트(S)가 압박되어, 익스팬드 시트(S)의 융기부(R)가 열조사구(45) 근방으로 이동된다. 그리고, 가열 수단(41)의 열조사구(45)로부터 익스팬드 시트(S)의 융기부(R)를 향해 원적외선이 정밀도 좋게 스폿 조사된다. 따라서, 융기부(R) 부근만이 가열되어, 피가공물(W)에 손상을 주지 않고, 융기부(R)만이 효율적으로 가열 수축된다.In this way, the expand sheet S is pressed by the pressing means 23 from the bottom of the expand sheet S in the direction of the
도 4 내지 도 7을 참조하여, 칩 간격 유지 장치에 의한 칩 간격 유지 방법에 대해 설명한다. 도 4는 본 실시형태에 따른 유지 단계의 일례를 도시한 도면이다. 도 5는 본 실시형태에 따른 칩 간격 확장 단계의 일례를 도시한 도면이다. 도 6은 본 실시형태에 따른 흡인 유지 단계의 일례를 도시한 도면이다. 도 7은 본 실시형태에 따른 융기부 형성 단계의 일례를 도시한 도면이다. 도 8은 본 실시형태에 따른 가열 수축 단계의 일례를 도시한 도면이다. 한편, 피가공물에는 전단의 단계에서 분할 기점이 형성되어 있는 것으로 하여 설명한다.A method of maintaining a chip gap by a chip gap maintaining device will be described with reference to FIGS. 4 to 7. 4 is a diagram showing an example of a holding step according to the present embodiment. 5 is a diagram showing an example of the step of extending the chip spacing according to the present embodiment. 6 is a diagram showing an example of a suction holding step according to the present embodiment. 7 is a diagram showing an example of a step of forming a raised portion according to the present embodiment. 8 is a diagram showing an example of a heat shrinking step according to the present embodiment. On the other hand, it is assumed that a division starting point is formed in the work piece in the step of the front end.
도 4에 도시한 바와 같이, 먼저 유지 단계가 실시된다. 유지 단계에서는, 테이블(11) 상에 익스팬드 시트(S)를 개재하여 피가공물(W)이 배치되고, 피가공물(W) 주위의 환형 프레임(F)이 프레임 유지 수단(12)에 의해 유지된다. 이때, 테이블(11)은 피가공물(W)보다 대직경으로 형성되어 있으며, 피가공물(W)과 환형 프레임(F) 사이의 익스팬드 시트(S)의 하방에 테이블(11)의 압박 수단(23)이 배치되어 있다. 또한, 개폐 밸브(14)가 폐쇄되어 있어, 흡인원(13)으로부터의 지지면(21)에의 흡인력이 차단되어 있다. 또한, 피가공물(W)의 내부에는, 분할 예정 라인(52)(도 1 참조)을 따라 분할 기점으로서의 개질층(54)이 형성되어 있다.As shown in Fig. 4, first, a maintenance step is performed. In the holding step, the workpiece (W) is disposed on the table 11 via the expand sheet (S), and the annular frame (F) around the workpiece (W) is held by the frame holding means (12). do. At this time, the table 11 is formed with a larger diameter than the workpiece W, and the pressing means of the table 11 under the expand sheet S between the workpiece W and the annular frame F ( 23) is placed. Further, the on-off
도 5에 도시한 바와 같이, 유지 단계 후에는 칩 간격 확장 단계가 실시된다. 칩 간격 확장 단계에서는, 프레임 유지 수단(12)이 초기 위치로부터 연직 방향으로 소정 거리만큼 하강함으로써, 테이블(11)이 프레임 유지 수단(12)에 대해 상대적으로 상승된다. 이 결과, 피가공물(W)이 접착된 익스팬드 시트(S)가 방사 방향으로 확장되고, 익스팬드 시트(S)를 통해 피가공물(W)의 개질층(54)(도 2 참조)에 외력이 부여된다. 피가공물(W)은, 강도가 저하된 개질층(54)을 분할 기점으로 하여 개개의 칩(C)으로 분할된다. 익스팬드 시트(S)는, 인접하는 칩(C)이 완전히 이격될 때까지 늘여져, 복수의 칩(C) 사이에 간격이 형성된다. As shown in Fig. 5, after the maintenance step, a chip spacing extension step is performed. In the step of extending the chip spacing, the frame holding means 12 is lowered by a predetermined distance in the vertical direction from the initial position, so that the table 11 is raised relative to the frame holding means 12. As a result, the expanded sheet S to which the work W is adhered is expanded in the radial direction, and an external force is applied to the modified layer 54 (see Fig. 2) of the work W through the expand sheet S. Is given. The workpiece W is divided into individual chips C using the modified
이때, 테이블(11)의 외주 에지에서 복수의 롤러(22)(도 2 참조)에 익스팬드 시트(S)가 굴림 접촉하고 있기 때문에, 익스팬드 시트(S)의 확장시의 마찰 등이 억제되고 있다. 한편, 칩 간격 확장 단계는, 테이블(11)에 대해 프레임 유지 수단(12)이 하강함으로써 익스팬드 시트(S)가 확장되었으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 테이블(11)과 프레임 유지 수단(12)이 연직 방향으로 소정 거리만큼 상대적으로 이동됨으로써 익스팬드 시트(S)가 확장되면 된다. 예컨대, 테이블(11)이 프레임 유지 수단(12)에 대해 상승하여 익스팬드 시트(S)를 확장해도 좋고, 테이블(11)이 상승하고 프레임 유지 수단(12)이 하강하여 익스팬드 시트(S)를 확장해도 좋다.At this time, since the expand sheet S is in rolling contact with the plurality of rollers 22 (see Fig. 2) at the outer circumferential edge of the table 11, friction during expansion of the expand sheet S is suppressed. have. On the other hand, in the step of extending the chip spacing, the expand sheet S is extended by the frame holding means 12 lowering from the table 11, but the structure is not limited thereto. When the table 11 and the frame holding means 12 are relatively moved by a predetermined distance in the vertical direction, the expand sheet S may be expanded. For example, the table 11 may rise with respect to the frame holding means 12 to expand the expand seat S, or the table 11 rises and the frame holding means 12 descends to the expand seat S. You can also expand
도 6에 도시한 바와 같이, 칩 간격 확장 단계 후에는 흡인 유지 단계가 실시된다. 흡인 유지 단계에서는, 개폐 밸브(14)가 개방되어 흡인원(13)과 지지면(21)이 연통(連通)되고, 테이블(11)의 지지면(21)에 흡인력이 발생한다. 이때, 익스팬드 시트(S)가 늘여져 있기 때문에, 테이블(11)에 의해 익스팬드 시트(S)를 개재하여 피가공물(W)이 흡인 유지됨으로써 인접하는 칩(C) 사이의 간격이 유지된다. 이와 같이, 칩 간격의 확장시에는, 익스팬드 시트(S)의 확장을 저해하지 않도록 익스팬드 시트(S)가 테이블(11)에 의해 흡인 유지되지 않고, 칩 간격의 확장 후에 칩 간격을 유지하도록 익스팬드 시트(S)가 테이블(11)에 의해 흡인 유지된다.As shown in Fig. 6, the suction holding step is performed after the chip spacing expansion step. In the suction holding step, the opening/closing
도 7에 도시한 바와 같이, 흡인 유지 단계 후에는 융기부 형성 단계가 실시된다. 융기부 형성 단계에서는, 프레임 유지 수단(12)이 하강 위치로부터 상승되어, 프레임 유지 수단(12)에 대한 테이블(11)의 상승이 해제된다. 테이블(11)의 상승의 해제에 의해, 익스팬드 시트(S)가 확장되어 형성된 잉여 부위가 솟아올라 피가공물(W)의 외주측에 융기부(R)가 형성된다. 이때, 테이블(11) 상에서 익스팬드 시트(S)가 흡인 유지되어 있기 때문에, 피가공물(W) 주위의 익스팬드 시트(S)가 느슨해져도 테이블(11) 상의 익스팬드 시트(S)에 늘어짐이 발생하는 일이 없다. As shown in Fig. 7, after the suction holding step, a step of forming a raised portion is performed. In the step of forming the raised portion, the frame holding means 12 is raised from the lowered position, so that the raising of the table 11 relative to the frame holding means 12 is released. When the table 11 is lifted off, the expanded sheet S expands and the formed excess portion rises to form a raised portion R on the outer circumferential side of the workpiece W. At this time, since the expand sheet S is suction-held on the table 11, even if the expand sheet S around the workpiece W becomes loose, sagging on the expand sheet S on the table 11 is prevented. Nothing happens.
도 8에 도시한 바와 같이, 융기부 형성 단계 후에는 가열 수축 단계가 실시된다. 도 8a에 도시한 바와 같이, 가열 수축 단계에서는, 압박 수단(23)에 의해 익스팬드 시트(S)가 하측으로부터 압박되어, 익스팬드 시트(S)의 융기부(R)가 가열 수단(41)의 열조사구(45) 바로 아래로 이동된다. 예컨대, 피가공물(W)의 외주 부근에 발생한 융기부(R)는, 압박 수단(23)에 의해 가열 수단(41)의 열조사구(45) 바로 아래에 새로운 융기부(R)가 만들어짐으로써 이동된다. 다음으로, 도 8b에 도시한 바와 같이, 가열 수단(41)의 열조사구(45)로부터의 원적외선의 스폿 조사에 의해 익스팬드 시트(S)의 융기부(R)가 가열 수축(히트 슈링크)된다. 그리고, 복수의 가열 수단(41)이 연직축 주위로 회전되어, 익스팬드 시트(S)의 융기부(R)가 전체 둘레에 걸쳐 가열 수축된다.As shown in Fig. 8, the heating and shrinking step is performed after the step of forming the ridge. As shown in Fig. 8A, in the heating and contracting step, the expand sheet S is pressed from the lower side by the pressing means 23, and the raised portion R of the expand sheet S is heated by the heating means 41 It is moved directly below the heat irradiation port (45). For example, the raised portion R generated in the vicinity of the outer periphery of the workpiece W is formed by the pressing means 23 to create a new raised portion R immediately under the
이와 같이, 익스팬드 시트(S)에 내재하는 텐션의 치우침에 의해 피가공물(W) 주위에 발생하는 융기부(R)가 가열 수단(41)의 조사 위치로부터 벗어나도, 압박 수단(23)에 의해 익스팬드 시트(S)가 가열 수단(41)의 조사 위치로 이동된다. 이에 의해, 가열 수단(41)에 의한 스폿 조사에 의해 익스팬드 시트(S)의 융기부(R)가 효과적으로 열수축된다. 가열 수축 단계에서는, 피가공물(W) 주위의 익스팬드 시트(S)의 융기부(R)만이 열수축되기 때문에, 테이블(11)의 흡인 유지가 해제되어도 인접하는 칩(C)의 간격이 유지된 상태로 고정된다.In this way, even if the protrusion R generated around the workpiece W is deviated from the irradiation position of the heating means 41 due to the bias of the tension inherent in the expand sheet S, the pressing means 23 As a result, the expand sheet S is moved to the irradiation position of the heating means 41. Thereby, by spot irradiation by the heating means 41, the protruding part R of the expand sheet S is heat-constricted effectively. In the heating and shrinking step, since only the protruding portion R of the expanded sheet S around the workpiece W is thermally contracted, the gap between the adjacent chips C is maintained even when the suction maintenance of the table 11 is released. It is fixed in the state.
이상과 같이, 본 실시형태에 따른 칩 간격 유지 장치(1)는, 피가공물(W)이 테이블(11)에 유지되고, 환형 프레임(F)이 프레임 유지 수단(12)에 유지되어 있으며, 익스팬드 시트(S)가 확장됨으로써 칩 사이에 간격이 형성된다. 그리고, 테이블(11)의 흡인에 의해 피가공물(W)의 칩(C) 사이에 간격이 유지된 상태에서 익스팬드 시트(S)의 확장이 해제됨으로써, 피가공물(W)의 외주와 환형 프레임(F)의 내주 사이에 익스팬드 시트(S)의 늘어짐에 의한 잉여분이 융기하여 융기부(R)가 형성된다. 이때, 익스팬드 시트(S)에 내재하는 텐션의 치우침에 의해, 피가공물(W) 주위에 발생하는 융기부(R)가 열조사구(45) 바로 아래로부터 벗어나도, 압박 수단(23)에 의해 익스팬드 시트(S)가 압박되어 융기부(R)가 열조사구(45) 바로 아래로 이동된다. 열조사구(45) 근방으로 융기부(R)가 이동되기 때문에, 열조사구(45)로부터 융기부(R)에 원적외선이 조사되어 융기부(R)를 효율적으로 열수축시킬 수 있다.As described above, in the
한편, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 여러 가지로 변경하여 실시하는 것이 가능하다. 상기 실시형태에 있어서, 첨부 도면에 도시되어 있는 크기나 형상 등에 대해서는, 이것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 발휘하는 범위 내에서 적절히 변경하는 것이 가능하다. 그 외, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절히 변경하여 실시하는 것이 가능하다. On the other hand, the present invention is not limited to the above embodiment, and can be implemented with various modifications. In the above embodiment, the size, shape, and the like shown in the accompanying drawings are not limited thereto, and can be appropriately changed within the range in which the effects of the present invention are exhibited. In addition, it is possible to implement it with appropriate changes as long as it does not deviate from the scope of the object of the present invention.
예컨대, 본 실시형태에 따른 칩 간격 확장 단계에서는, 익스팬드 시트(S)의 확장에 의해 피가공물(W)이 복수의 칩(C)으로 분할되고, 복수의 칩(C) 사이에 간격이 형성되는 구성으로 하였으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 예컨대, 피가공물(W)이 이미 분할되어 있는 경우에는, 칩 간격 확장 단계에서는, 익스팬드 시트(S)의 확장에 의해 복수의 칩(C) 사이에 간격이 형성되면 된다.For example, in the step of extending the chip spacing according to the present embodiment, the workpiece W is divided into a plurality of chips C by the expansion of the expand sheet S, and a gap is formed between the plurality of chips C. Although the configuration was configured, it is not limited to this configuration. For example, when the workpiece W is already divided, in the chip spacing expansion step, a gap may be formed between the plurality of chips C by the expansion of the expand sheet S.
또한, 본 실시형태에서는, 가열 수단(41)은, 익스팬드 시트(S)의 융기부(R)에 원적외선을 스폿 조사함으로써 열수축시키는 구성으로 하였으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 가열 수단(41)은, 융기부(R)를 열수축시키는 것이 가능하면, 어떻게 구성되어도 좋다.Further, in the present embodiment, the heating means 41 has a configuration in which the protrusion R of the expand sheet S is subjected to a spot irradiation of far-infrared rays to heat shrink, but is not limited to this configuration. The heating means 41 may be configured in any way as long as it is possible to heat-shrink the raised portion R.
또한, 본 실시형태에서는, 프레임 유지 수단(12)이 배치 테이블(31)과 커버 플레이트(33)에 의해 환형 프레임(F)을 끼워 넣는 구성으로 하였으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 프레임 유지 수단(12)은 환형 프레임(F)을 유지 가능하면 되고, 예컨대, 프레임 유지 수단(12)은, 에어 액추에이터 등으로 구동하는 클램프부를 배치 테이블(31)의 사방에 설치하여, 환형 프레임(F)의 사방을 유지하는 구성으로 해도 좋다.Further, in the present embodiment, the frame holding means 12 has a configuration in which the annular frame F is fitted by the arrangement table 31 and the
또한, 본 실시형태에서는, 압박 수단(23)을 복수의 가동 핀으로 구성하였으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 압박 수단(23)은, 익스팬드 시트(S)의 융기부(R)를 압박하여, 가열 수단(41)의 열조사구(45) 근방으로 이동시키는 구성이면, 어떻게 구성되어도 좋다. 예컨대, 압박 수단(23)은, 테이블(11)의 지지면(21)으로부터 통 형상의 둘레벽을 돌출시켜, 익스팬드 시트(S)의 융기부(R)를 전체 둘레에 걸쳐 압박하도록 구성되어도 좋다.In addition, in this embodiment, although the pressing means 23 is comprised by a plurality of movable pins, it is not limited to this configuration. The pressing means 23 may be configured in any way as long as it is configured to press the raised portion R of the expand sheet S and move it to the vicinity of the
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 익스팬드 시트의 확장으로 발생하는 늘어짐을 적확하게 또한 단시간에 제거할 수 있다고 하는 효과를 가지며, 특히 작은 칩, 대구경의 피가공물의 복수의 칩 간격을 확장한 상태로 유지하는 칩 간격 유지 방법에 유용하다.As described above, the present invention has the effect of being able to accurately and in a short time remove the sagging caused by the expansion of the expand sheet, and in particular, in a state in which the spacing of a plurality of chips of a workpiece having a small chip or a large diameter is expanded. It is useful for maintaining chip spacing.
1: 칩 간격 유지 장치 11: 테이블
12: 프레임 유지 수단 21: 지지면
23: 압박 수단 32: 유지면
37: 승강 실린더(확장 수단) 41: 가열 수단
45: 열조사구 52: 분할 예정 라인
54: 개질층(분할 기점) C: 칩
F: 환형 프레임 R: 융기부
S: 익스팬드 시트 W: 피가공물1: chip spacing device 11: table
12: frame holding means 21: support surface
23: pressing means 32: holding surface
37: lifting cylinder (expansion means) 41: heating means
45: heat irradiation port 52: line to be divided
54: modified layer (divided starting point) C: chip
F: annular frame R: ridge
S: Expanded sheet W: Workpiece
Claims (3)
피가공물을 지지하는 지지면을 가지며, 익스팬드 시트를 개재하여 피가공물을 흡인 유지 가능하게 지지하는 테이블과,
상기 테이블 주위에서 환형 프레임을 유지하는 유지면을 가진 프레임 유지 수단과,
상기 익스팬드 시트를 확장함으로써 복수의 상기 칩 사이에 간격을 형성하는 확장 수단과,
상기 확장 수단에 의해 상기 익스팬드 시트가 확장되어 상기 칩 사이에 간격이 형성된 복수의 상기 칩을 상기 익스팬드 시트를 개재하여 상기 테이블로 흡인 유지하고, 상기 확장 수단에 의한 확장을 해제함으로써 피가공물의 외주와 상기 환형 프레임의 내주 사이에서 상기 익스팬드 시트의 잉여분이 융기한 융기부에, 상방측으로부터 열을 조사(照射)하여 상기 융기부를 수축시키는 가열 수단과,
상기 가열 수단의 열조사구에 대향해 있는 상기 익스팬드 시트 바로 아래에 배치되어 상기 익스팬드 시트가 사이에 개재되도록 하고, 또한 상기 익스팬드 시트의 하방으로부터 상기 가열 수단의 상기 열조사구의 방향으로 상기 융기부가 형성된 익스팬드 시트를 압박하여 상기 융기부의 위치를 상기 가열 수단의 상기 열조사구 근방으로 이동시키는 것에 의해 상기 융기부가 상기 가열 수단에 의해 가열되도록 하는 압박 수단을 구비하고,
상기 압박 수단은 상기 테이블의 외주 에지에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 칩 간격 유지 장치. A chip spacing device that maintains an extended spacing of a plurality of chips that constitute a work piece adhered to an expand sheet and mounted on an annular frame,
A table that has a support surface for supporting the workpiece, and supports the workpiece to be sucked and held through an expand sheet,
Frame holding means having a holding surface for holding the annular frame around the table,
Expansion means for forming a gap between the plurality of chips by expanding the expand sheet,
The expandable sheet is extended by the expansion means to suction and hold a plurality of chips having a gap between the chips to the table through the expandable sheet, and release the expansion by the expansion means to A heating means for contracting the raised portion by irradiating heat from an upper side to a raised portion in which the excess of the expand sheet raised between the outer periphery and the inner periphery of the annular frame;
Arranged directly under the expand sheet facing the heat irradiation port of the heating means so that the expand sheet is interposed therebetween, and the bulge in the direction of the heat irradiation port of the heating means from below the expand sheet A pressing means for pressing the additionally formed expand sheet to move the position of the raised portion to the vicinity of the heat irradiation port of the heating means, thereby causing the raised portion to be heated by the heating means,
The pressing means is disposed on an outer circumferential edge of the table.
상기 테이블 상에 상기 익스팬드 시트를 개재하여 피가공물을 배치하고, 상기 환형 프레임을 상기 프레임 유지 수단으로 유지하는 유지 단계와,
상기 유지 단계를 실시한 후, 상기 테이블과 상기 프레임 유지 수단을 연직 방향으로 미리 정해진 거리만큼 상대적으로 이동시켜 상기 프레임 유지 수단에 대해 상기 테이블을 상승시켜 상기 익스팬드 시트를 늘임으로써, 상기 복수의 칩 사이에 간격을 형성하는 칩 간격 확장 단계와,
상기 칩 간격 확장 단계를 실시한 후, 상기 테이블로 상기 익스팬드 시트를 개재하여 피가공물을 흡인 유지함으로써 인접하는 상기 칩 사이의 간격을 유지하는 흡인 유지 단계와,
상기 흡인 유지 단계를 개시한 후, 상기 테이블과 상기 프레임 유지 수단을 연직 방향으로 상대적으로 이동시켜 상기 프레임 유지 수단에 대한 상기 테이블의 상승을 해제하여, 상기 익스팬드 시트가 확장되어 형성된 상기 익스팬드 시트의 잉여 부위가 피가공물의 외주측에서 상기 익스팬드 시트 표면측으로 솟아오른 융기부를 형성하는 융기부 형성 단계와,
상기 융기부 형성 단계를 실시한 후에, 상기 압박 수단에 의해 상기 융기부가 형성된 익스팬드 시트를 압박하여 상기 융기부의 위치를 상기 가열 수단의 상기 열조사구 바로 아래로 이동시키고, 상기 가열 수단에 의해 상기 융기부를 가열 수축시키는 가열 수축 단계
를 포함하는 칩 간격 유지 방법.A chip spacing method for maintaining a state in which the spacing of a plurality of chips constituting a work piece adhered to an expand sheet and mounted on an annular frame is maintained in an extended state using the chip spacing device according to claim 1,
A holding step of arranging an object to be processed on the table via the expand sheet and holding the annular frame by the frame holding means;
After the holding step is performed, the table and the frame holding means are relatively moved by a predetermined distance in the vertical direction, and the table is raised with respect to the frame holding means to increase the expand sheet between the plurality of chips. The step of extending the chip spacing to form a gap in the,
After performing the step of extending the chip spacing, a suction holding step of maintaining a gap between adjacent chips by suctioning and maintaining a workpiece through the expand sheet to the table; and
After starting the suction holding step, the table and the frame holding means are relatively moved in a vertical direction to release the elevation of the table with respect to the frame holding means, and the expand sheet is formed by expanding the expand sheet. A step of forming a ridge in which the excess portion of the object forms a ridge that rises from the outer circumferential side of the workpiece to the surface of the expanded sheet,
After performing the step of forming the raised portion, the expansion sheet having the raised portion is pressed by the pressing means to move the position of the raised portion directly below the heat irradiation port of the heating means, and the raised portion by the heating means Heat shrinking step of heat shrinking
Chip spacing method comprising a.
상기 칩 간격 확장 단계에 있어서, 피가공물이 복수의 칩으로 분할되며, 칩 사이에 간격이 형성되는 칩 간격 유지 방법.The method according to claim 2, wherein a division starting point is formed along the division scheduled line in a workpiece in which a plurality of division scheduled lines intersecting is set,
In the step of extending the chip spacing, the workpiece is divided into a plurality of chips, and a gap is maintained between the chips.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014096486A JP6266429B2 (en) | 2014-05-08 | 2014-05-08 | Chip interval maintaining device and chip interval maintaining method |
JPJP-P-2014-096486 | 2014-05-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150128579A KR20150128579A (en) | 2015-11-18 |
KR102249339B1 true KR102249339B1 (en) | 2021-05-06 |
Family
ID=54577644
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020150063009A KR102249339B1 (en) | 2014-05-08 | 2015-05-06 | Apparatus for maintaining spaces between chips and method for maintaining spaces between chips |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6266429B2 (en) |
KR (1) | KR102249339B1 (en) |
CN (1) | CN105097479A (en) |
TW (1) | TWI653674B (en) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6741529B2 (en) * | 2016-09-09 | 2020-08-19 | 株式会社ディスコ | Tip spacing maintenance method |
JP6820099B2 (en) * | 2017-05-10 | 2021-01-27 | リンテック株式会社 | Separation device and separation method |
JP6934327B2 (en) * | 2017-06-07 | 2021-09-15 | 株式会社ディスコ | Wafer division method and division device |
JP6847529B2 (en) * | 2017-06-15 | 2021-03-24 | 株式会社ディスコ | Cutting method of work piece |
JP7109916B2 (en) * | 2017-12-27 | 2022-08-01 | 株式会社ディスコ | splitter |
JP7112205B2 (en) * | 2018-02-13 | 2022-08-03 | 株式会社ディスコ | splitter |
JP7321883B2 (en) * | 2019-10-18 | 2023-08-07 | 株式会社ディスコ | How to extend the sheet |
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JP2012186447A (en) | 2011-02-16 | 2012-09-27 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Workpiece dividing device and workpiece dividing method |
JP5791866B2 (en) | 2009-03-06 | 2015-10-07 | 株式会社ディスコ | Work dividing device |
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EP1575081A1 (en) * | 2002-10-28 | 2005-09-14 | Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. | Expansion method and device |
JP4238669B2 (en) * | 2003-08-07 | 2009-03-18 | 株式会社東京精密 | Expanding method and expanding apparatus |
JP4288392B2 (en) * | 2003-09-29 | 2009-07-01 | 株式会社東京精密 | Expanding method |
JP4247670B2 (en) * | 2003-07-22 | 2009-04-02 | 株式会社東京精密 | Expanding method and expanding apparatus |
JP4851795B2 (en) | 2006-01-13 | 2012-01-11 | 株式会社ディスコ | Wafer divider |
JP5988599B2 (en) * | 2012-02-09 | 2016-09-07 | 株式会社ディスコ | Workpiece division method |
JP5985245B2 (en) * | 2012-05-15 | 2016-09-06 | 株式会社ディスコ | Tip spacing maintenance device |
-
2014
- 2014-05-08 JP JP2014096486A patent/JP6266429B2/en active Active
-
2015
- 2015-04-08 TW TW104111288A patent/TWI653674B/en active
- 2015-05-06 KR KR1020150063009A patent/KR102249339B1/en active IP Right Grant
- 2015-05-07 CN CN201510229164.6A patent/CN105097479A/en active Pending
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JP2010263164A (en) | 2009-05-11 | 2010-11-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method of expanding adhesive tape |
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JP2012186447A (en) | 2011-02-16 | 2012-09-27 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Workpiece dividing device and workpiece dividing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI653674B (en) | 2019-03-11 |
CN105097479A (en) | 2015-11-25 |
KR20150128579A (en) | 2015-11-18 |
JP6266429B2 (en) | 2018-01-24 |
JP2015216151A (en) | 2015-12-03 |
TW201543559A (en) | 2015-11-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |