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Description
本発明は、ウェーハを個々のチップに分割する分割装置に関する。 The present invention relates to a splitting device for splitting a wafer into individual chips.
半導体ウェーハ等の被加工物を分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する場合には、例えば、ウェーハに透過性を有するレーザビームをウェーハ内部に照射して改質層を形成し、その後、該改質層に外力を加えることでウェーハをチップに分割している。 When dividing a workpiece such as a semiconductor wafer into individual chips along a dividing line, for example, a laser beam having transparency to the wafer is irradiated to the inside of the wafer to form a modified layer, and then, The wafer is divided into chips by applying an external force to the modified layer.
例えば、改質層を形成したウェーハをウェーハよりも大径のテープに貼着し、さらに、テープの粘着面の外周部を円形の開口を備えるリングフレームに貼着し、ウェーハをテープを介してリングフレームに支持された状態とする。その後、テープを拡張することでテープに貼着されたウェーハの改質層に外力(テープの拡張力)を加え、改質層を起点としてウェーハをチップに分割している。 For example, a wafer having a modified layer is attached to a tape having a diameter larger than that of the wafer, the outer circumference of the adhesive surface of the tape is attached to a ring frame having a circular opening, and the wafer is attached through the tape. It is assumed that it is supported by the ring frame. After that, by expanding the tape, an external force (expansion force of the tape) is applied to the modified layer of the wafer attached to the tape, and the wafer is divided into chips with the modified layer as a starting point.
ウェーハをテープの拡張によってチップに分割した後、チップ間の間隔を維持させるために、テープに掛けられているテンションを解除してテープのウェーハ外周とリングフレーム内周との間のリング状の領域を山なりに弛ませて隆起させ、回転するヒータ等で該領域に熱を加えて該領域を熱収縮させている。そして、隣接する各チップの間隔をテープ拡張後の等間隔の大きさで維持できる。 After the wafer is divided into chips by expanding the tape, the tension applied to the tape is released to maintain the gap between the chips, thereby forming a ring-shaped area between the outer circumference of the wafer and the inner circumference of the ring frame. is loosened and protruded, and heat is applied to the region by a rotating heater or the like to thermally shrink the region. Also, the intervals between adjacent chips can be maintained at equal intervals after tape expansion.
しかし、リング状の領域のテープを弛ませた隆起部分が倒れてしまうことがあり、この場合ヒータからの熱が該弛ませた部分に伝わらないことがある。その対策として、突き上げピンでテープの該領域を下方から押して隆起させて、ヒータからの熱を伝わりやすくする技術がある(例えば、特許文献1参照)。 However, the raised portion where the tape in the ring-shaped area is loosened may collapse, and in this case, the heat from the heater may not be transferred to the loosened portion. As a countermeasure, there is a technique in which the area of the tape is pushed from below by a push-up pin to raise the area so that the heat from the heater can be easily conducted (see, for example, Patent Document 1).
しかし、上記特許文献1に記載されているように、ピンでテープの弛ませた部分を隆起させた状態で熱収縮を行っていくと、熱収縮したテープの該領域はピンの先端形状にならって隆起した形状に形作られてしまい、テープの弛ませた部分が不均一に熱収縮されることで熱収縮後のテープ上において各チップ間隔が均等にならないという問題が生じ得る。 However, as described in the above Patent Document 1, when heat shrinking is performed in a state in which the slackened portion of the tape is raised with a pin, the region of the heat-shrunk tape follows the shape of the tip of the pin. Since the slack portion of the tape is non-uniformly heat-shrunk, there may be a problem that the intervals between the chips are not uniform on the tape after heat-shrinking.
よって、テープを拡張させ、分割起点を起点にウェーハを分割する分割装置においては、テープを熱収縮させたときにチップ間隔を均等に保つという課題がある。 Therefore, in a splitting device that expands the tape and splits the wafer starting from the splitting starting point, there is a problem of keeping the chip intervals even when the tape is thermally shrunk.
上記課題を解決するための本発明は、リングフレームの開口部を塞いで貼着した熱収縮性のテープを介して分割起点が形成され該開口部に位置付けられたウェーハを支持したワークセットの該テープを拡張させ、該分割起点を起点に該ウェーハを分割する分割装置であって、該ワークセットの該テープを吸引保持する吸引面を有するテーブルと、該テーブルの外側で該ワークセットの該リングフレームを保持するリングフレーム保持部と、該吸引面に対して直交するZ軸方向に該テーブルと該リングフレーム保持部とを相対的に接近又は離間させる昇降手段と、該テープの該ウェーハ外周と該リングフレーム内周との間のリング状の領域を加熱して収縮させるヒータと、該ヒータを該吸引面の中心を軸に周回させる周回手段と、該テープの該リング状の領域を押して隆起させて該ヒータに該テープを近づけるピンと、該ピンを該Z軸方向に昇降させるピン昇降手段と、該ピン昇降手段を制御する制御手段とを備え、該テープは、帯状の該テープが引き出され該ウェーハと該リングフレームとに貼着されてから円形に切断されていて、引き出される方向と同方向である延在方向よりも、該延在方向に直交する幅方向において、弛むことで隆起した際に該吸引面の中心側に向かって倒れやすい性質を備え、該ピンは、該吸引面の中心を通り帯状の該テープが引き出される方向に延在する中心線を基準に対称的に、かつ、該吸引面の中心を通り該中心線に直交する線から該吸引面の中心を基準に該中心線に向かうほど互いの間隔を広げて複数配設され、該制御手段は、該ピン昇降手段を制御し、該テープの該リング状の領域の弛むことで隆起し倒れやすい部分を選択的に該ピンによって隆起させ倒れないようにしつつ、該周回手段により周回する該ヒータが、該ピンの真上に位置して該テープを熱収縮させるときに、該ヒータの直下の該ピンを下降させ該テープから離間させる分割装置である。 The present invention for solving the above-mentioned problems is a work set in which a split starting point is formed via a heat-shrinkable tape adhered to close the opening of a ring frame, and a wafer positioned at the opening is supported. A splitting device for expanding a tape and splitting the wafer starting from the splitting starting point, comprising : a table having a suction surface for suctioning and holding the tape of the work set; and the ring of the work set outside the table a ring frame holding part for holding a frame; an elevating means for relatively approaching or separating the table and the ring frame holding part in the Z-axis direction perpendicular to the suction surface; A heater for heating and shrinking a ring-shaped region between the inner periphery of the ring frame, a winding means for rotating the heater around the center of the suction surface, and a protrusion by pushing the ring-shaped region of the tape. a pin for moving the tape closer to the heater; pin elevating means for elevating the pin in the Z-axis direction; and control means for controlling the pin elevating means. It is attached to the wafer and the ring frame and then cut into a circular shape. The pin is symmetrical with respect to a center line that passes through the center of the suction surface and extends in the direction in which the belt-shaped tape is pulled out, and , a plurality of the pin lifting means are arranged with increasing intervals from a line passing through the center of the attracting surface and perpendicular to the center line toward the center line with respect to the center of the attracting surface; is controlled so that the portion of the ring-shaped region of the tape that is likely to rise and fall due to slackness is selectively raised by the pin to prevent it from falling, and the heater that is rotated by the winding means moves the pin toward the true position of the pin. When the tape is thermally shrunk by being positioned above, the splitting device lowers the pin just below the heater to separate it from the tape .
本発明に係る分割装置は、ワークセットのテープを吸引保持する吸引面を有するテーブルと、テーブルの外側でワークセットのリングフレームを保持するリングフレーム保持部と、吸引面に対して直交するZ軸方向にテーブルとリングフレーム保持部とを相対的に接近又は離間させる昇降手段と、テープのウェーハ外周とリングフレーム内周との間のリング状の領域を加熱して収縮させるヒータと、ヒータを吸引面の中心を軸に周回させる周回手段と、テープのリング状の領域を押して隆起させてヒータにテープを近づけるピンと、ピンをZ軸方向に昇降させるピン昇降手段と、ピン昇降手段を制御する制御手段とを備え、テープは、帯状のテープが引き出されウェーハとリングフレームとに貼着されてから円形に切断されていて、引き出される方向と同方向である延在方向よりも、延在方向に直交する幅方向において、弛むことで隆起した際に吸引面の中心側に向かって倒れやすい性質を備え、ピンは、吸引面の中心を通り帯状のテープが引き出される方向に延在する中心線を基準に対称的に、かつ、吸引面の中心を通り中心線に直交する線から吸引面の中心を基準に中心線に向かうほど互いの間隔を広げて複数配設され、制御手段は、ピン昇降手段を制御し、テープのリング状の領域の弛むことで隆起し倒れやすい部分を選択的にピンによって隆起させ倒れないようにしつつ、周回手段により周回するヒータが、ピンの真上に位置してテープを熱収縮させるときに、ヒータの直下のピンを下降させテープから離間させる。そのため、テープを熱収縮させている時に、ピンによってテープのリング状の領域は倒れないように隆起されていることからヒータからの熱が伝わりやすくなっており、かつ、ピンの真上にヒータが位置する際には、ピンがテープから離されることで熱収縮によりピンの形がテープに転写してしまうことが防がれる。その結果、テープのリング状の領域を均一に熱収縮させることができ、チップ同士の間隔がテープ上で均等な間隔に保たれた状態を維持することができる。特に、テープが帯状のテープから引き出されて使用され、また、引き出される方向と同方向である延在方向よりも、延在方向に直交する幅方向において、弛むことで隆起した際に吸引面の中心側に向かって倒れやすい性質を備えていることに対応して、ピンは、吸引面の中心を通り帯状のテープが引き出される方向に延在する中心線を基準に対称的に、かつ、吸引面の中心を通り中心線に直交する線から吸引面の中心を基準に中心線に向かうほど互いの間隔を広げて複数配設されていることで、吸引面の中心側に向かって倒れにくい弛むことで隆起した部分はピンで隆起させる動作をさせなくても済み、また、吸引面の中心側に向かって倒れやすい弛むことで隆起した部分をピンの真上にヒータが位置する直前まで選択的に倒れないようにピンで隆起させることが可能となる。なお、上記のような性質を備える帯状のテープを使用することの意義は、分割装置に搬送されてくるワークセットは、帯状のテープが引き出されてウェーハとリングフレームとに貼着されてから円形に切断されているため、ワークセット製造のスループットが一枚一枚予め円形となっているテープをウェーハとリングフレームとに貼着している場合に比べて向上しており、これに連動して、分割装置によるワークセットのウェーハの分割によるチップの製造のスループットも向上する。 A dividing device according to the present invention comprises a table having a suction surface for suctioning and holding a tape of a work set, a ring frame holder for holding a ring frame of the work set outside the table, and a Z-axis perpendicular to the suction surface. Elevating means for relatively moving the table and the ring frame holder toward or away from each other in a direction, a heater for heating and shrinking the ring-shaped region between the outer periphery of the wafer and the inner periphery of the ring frame of the tape, and suction for the heater. Circulation means for circling the center of the surface as an axis, pins for pushing the ring-shaped area of the tape to raise it so that the tape approaches the heater, pin elevating means for elevating the pins in the Z-axis direction, and control for controlling the pin elevating means The tape is cut into a circular shape after the belt-shaped tape is pulled out and adhered to the wafer and the ring frame, and is cut in the extending direction rather than the extending direction which is the same direction as the pulled out direction. In the width direction perpendicular to the pin, it has the property that it tends to fall toward the center of the suction surface when it swells due to loosening . A plurality of control means are arranged symmetrically with respect to the reference and are spaced apart from each other from a line passing through the center of the attraction surface and perpendicular to the center line toward the center line with respect to the center of the attraction surface. By controlling the means, the portion of the ring-shaped area of the tape that is likely to rise and fall due to slackness is selectively raised by the pin to prevent it from falling, while the heater that is circulated by the circulating means is positioned directly above the pin. When the tape is thermally shrunk , the pin just below the heater is lowered and separated from the tape. Therefore, when the tape is thermally shrunk, the ring-shaped area of the tape is raised by the pins so that it does not fall down, so that the heat from the heater is easily transmitted, and the heater is located directly above the pins. When positioned, the pins are separated from the tape to prevent heat shrinkage from transferring the shape of the pins to the tape. As a result, the ring-shaped region of the tape can be uniformly heat-shrunk, and the gaps between the chips can be maintained at uniform intervals on the tape. In particular, when the tape is pulled out from a belt-shaped tape and used, and the width direction perpendicular to the extending direction is the same as the direction in which the tape is pulled out, the suction surface is raised due to loosening. In response to the fact that the pins tend to fall toward the center, the pins are arranged symmetrically with respect to the center line that passes through the center of the suction surface and extends in the direction in which the belt-shaped tape is pulled out. From the line that passes through the center of the surface and is perpendicular to the center line, the center of the suction surface is used as a reference, and the distance between each other is widened as it moves toward the center line, so that it is difficult to fall down toward the center of the suction surface. By doing so, it is not necessary to raise the raised portion with a pin, and the raised portion that tends to fall toward the center of the suction surface can be selectively loosened until just before the heater is positioned right above the pin. It is possible to raise it with a pin so that it does not fall over. The significance of using a strip-shaped tape having the above properties is that the workpiece conveyed to the dividing device is formed into a circular shape after the strip-shaped tape is pulled out and adhered to the wafer and the ring frame. Since the tape is cut to a uniform thickness, the throughput of work set manufacturing is improved compared to the case where each tape is pre-shaped in a circle and is attached to the wafer and the ring frame. Also, the throughput of chip manufacturing is improved by dividing the wafers of the work set by the dividing device.
図1に示すウェーハWは、例えば、母材がシリコンからなる円形状の半導体ウェーハであり、ウェーハWの表面Waには複数の分割予定ラインがそれぞれ直交するように設定されている。そして、分割予定ラインによって区画された複数の格子状の領域には、図示しないデバイスがそれぞれ形成されている。
ウェーハWは、ウェーハWに対して透過性を有する波長のレーザビームが分割予定ラインに沿って照射されて、ウェーハW内部の所定深さの位置に分割起点M(改質層M)が分割予定ラインに沿って連続的に形成されている。
なお、分割起点M(改質層M)は、レーザビームの照射によりウェーハWの内部が改質されて周囲よりも強度が低下した領域である。分割起点Mからは、ウェーハWの表面Wa又は裏面Wbにそれぞれクラックが伸長していてもよい。また、本実施形態においては、ウェーハWの分割起点Mとして改質層を例示するが、分割起点Mは、ウェーハWの強度を分割予定ラインに沿って低下させて分割時の起点になればよく、例えば、レーザー加工溝、切削溝、又はスクライブライン等でもよい。
ウェーハWはシリコンウェーハに限定されるものではない。
The wafer W shown in FIG. 1 is, for example, a circular semiconductor wafer whose base material is made of silicon. A device (not shown) is formed in each of the plurality of lattice-shaped regions partitioned by the planned division lines.
The wafer W is irradiated with a laser beam having a wavelength that is transmissive to the wafer W along the dividing line, and the division starting point M (modified layer M) is scheduled to be divided at a predetermined depth position inside the wafer W. It is formed continuously along the line.
Note that the division starting point M (modified layer M) is a region where the inside of the wafer W is modified by the laser beam irradiation and the strength is lower than that of the surroundings. From the division starting point M, cracks may extend to the front surface Wa or the rear surface Wb of the wafer W, respectively. In the present embodiment, the modified layer is exemplified as the starting point M for splitting the wafer W, but the starting point M for splitting may be the starting point for splitting by reducing the strength of the wafer W along the planned splitting line. , for example, a laser-processed groove, a cut groove, a scribe line, or the like.
Wafer W is not limited to a silicon wafer.
ウェーハWは、ウェーハWよりも大径のテープTが裏面Wbに貼着され、テープTの粘着面の外周部が円形の開口部を備えるリングフレームFに貼着されることで、表面Waが上方に露出した状態でテープTを介してリングフレームFに支持された状態、即ち、ワークセットWSとなる。なお、ワークセットWSはウェーハWの裏面Wbが上方に露出した状態となっていてもよい。テープTは、機械的外力に対し適度な伸縮性及び加熱収縮性を備える樹脂から構成されており、テープTのウェーハW外周とリングフレームF内周との間のリング状の領域Tdは上方に露出している。リングフレームFの開口部の中心とウェーハWの中心とは略合致している。 A tape T having a diameter larger than that of the wafer W is attached to the back surface Wb of the wafer W, and the outer peripheral portion of the adhesive surface of the tape T is attached to a ring frame F having a circular opening, so that the front surface Wa is The work set WS is exposed upward and supported by the ring frame F via the tape T. FIG. The work set WS may be in a state in which the back surface Wb of the wafer W is exposed upward. The tape T is made of a resin having appropriate stretchability and heat shrinkability against mechanical external force. Exposed. The center of the opening of the ring frame F and the center of the wafer W are substantially aligned.
図1に示す分割装置1は、ワークセットWSのテープTを吸引保持する吸引面300aを有するテーブル30を中央に備えている。外形が円形状のテーブル30は、その下方に配設された複数の支持柱32によって支持されており、ポーラス部材等からなりワークセットWSのテープTを吸着する吸着部300と、吸着部300を支持する枠体301とを備える。テーブル30の直径は、ウェーハWの直径よりも大きく、かつ、後述する載置テーブル40の円形開口400よりも小さくなっている。そして、吸着部300の露出面である吸引面300aは、水平面となっている。
The dividing device 1 shown in FIG. 1 has a central table 30 having a
図2に示すように、枠体301の底部中央には、吸引孔が厚み方向に貫通形成されており、該吸引孔には、真空発生装置からなる吸引源39に連通する吸引路301aが接続されている。吸引路301a上には、吸引路301aを吸引源39に連通する状態と大気に開放された状態とに切り換え可能なソレノイドバルブ39aが配設されている。
As shown in FIG. 2, a suction hole is formed through the center of the bottom of the
枠体301の上面の外周エッジには、全周に渡って複数のコロ301bが取り付けられている。コロ301bは、テープTを拡張する際にテープTの下面に転接することで、テープTと枠体301の上面の外周エッジとの間に生じる摩擦抵抗を軽減させ、拡張力をテープTに均等に作用させる役割を果たす。
A plurality of
図1、2に示すように、テーブル30の周囲には、テーブル30の外側でワークセットWSのリングフレームFを保持するリングフレーム保持部4が配設されている。
リングフレーム保持部4は、載置テーブル40の水平な保持面40a上にリングフレームFが載置されると、カバープレート41で上方からリングフレームFを保持面40aとの間に挟み込むようにしてテーブル30の外側において保持面40aでリングフレームFを保持できる。
As shown in FIGS. 1 and 2, a
When the ring frame F is mounted on the
載置テーブル40は、例えば、平面視矩形状の外形を備え、その中央にテーブル30よりも大径の円形開口400が形成されている。この円形開口400の中心とテーブル30の中心とは略合致している。
The mounting table 40 has, for example, a rectangular outer shape in plan view, and a
載置テーブル40の四隅は、テーブル30の吸引面300aに対して直交するZ軸方向に載置テーブル40を昇降させる4つの昇降手段43によってそれぞれ支持されている。
4つの昇降手段43は、モータの回転をボールねじによりZ軸方向における直線運動に変換し、ボールねじによって載置テーブル40を昇降させる電動シリンダである。なお、昇降手段43は、シリンダ内への空気の供給と排出とによりZ軸方向にピストンを上下動させて載置テーブル40を昇降させるエアシリンダ等であってもよい。
Four corners of the mounting table 40 are respectively supported by four elevating
The four elevating
カバープレート41は、中央にテーブル30よりも大径の円形開口410を有する矩形板状に形成されている。リングフレームFが載置された載置テーブル40上にカバープレート41が載置されると、カバープレート41と載置テーブル40とによってリングフレームFが保持されると共に、カバープレート41の円形開口410からウェーハWと、テープTのリング状の領域Tdとが上方に露出される。なお、カバープレート41は、載置テーブル40に載置された状態で、例えば、不図示のクランプ部によって載置テーブル40に固定される。
The
図1に示すように、カバープレート41の上方には、テープTのリング状の領域Tdを加熱して収縮させるヒータ50と、ヒータ50をテーブル30の吸引面300aの中心を軸に周回させる周回手段51とが配設されている。
周回手段51は、例えば、Z軸方向の軸心周りに回転可能な回転軸510と、回転軸510に連結され回転軸510を回転駆動するモータ511と、回転軸510の下端にその中心が接続された長板状のヒータ支持部512とを備えている。回転軸510の軸芯線上には、テーブル30の吸引面300aの回転中心が位置している。
As shown in FIG. 1, above the
The circulating means 51 includes, for example, a
ヒータ50は、例えば、遠赤外線ヒータであり、ヒータ支持部512の長手方向の両端に、周方向に180度空けて2つ配設されている。なお、ヒータ50の配設個数は2つに限定されるものではなく、例えば、ヒータ支持部512を十字形状として4つのヒータ50を配設するものとしてもよいし、ヒータ50は遠赤外線ヒータに限定されるものではない。カバープレート41と載置テーブル40とによってリングフレームFが保持された状態になると、各ヒータ50はテープTのリング状の領域Tdの上方にそれぞれ位置付けられる。ヒータ50は、例えば、金属材料に吸収され難い3μm~25μmにピーク波形の遠赤外線を下方に位置するテープTのリング状の領域Tdにスポット照射することで、装置各部の加熱を抑えてテープTの照射箇所のみを適切に加熱することが可能である。
The
分割装置1は、テープTのリング状の領域Tdを押して隆起させてヒータ50にテープTを近づけるピン46と、ピン46をZ軸方向に昇降させるピン昇降手段47と、ピン昇降手段47を制御する制御手段9とを備えている。
The dividing device 1 controls the
図1に拡大して示すピン昇降手段47は、例えば、電動シリンダであり、載置テーブル40の内周面40c(図2参照)に固定されている。ピン昇降手段47は、例えば、外装筒470を備えており、ピン46は、外装筒470の上端側に図示しないベアリング等を介して挿通されている。Z軸方向に延在しテープTのリング状の領域Tdに下方から対向するピン46は、例えば、その先端460がテープTに傷等を付けない様に球面状に面取りされており、その下端側には、ピン昇降手段47のボールネジ471が螺合するネジシャフト461が形成されている。
1 is, for example, an electric cylinder, which is fixed to the inner
ピン昇降手段47は、ボールネジ471に連結されたモータ472がボールネジ471を回転駆動することで、ボールネジ471の回転運動をピン46のZ軸方向における直線運動に変換させて、ピン46を昇降させる。
本実施形態においては、例えば、ピン46及びピン昇降手段47は、テーブル30の外周側に6つ、即ち、テーブル30と同じ中心で周方向に60度ずつ等間隔を空けて配置されているが、ピン46及びピン昇降手段47の配設個数はこれに限定されるものではない。
A
In this embodiment, for example, six
CPU及びメモリ等の記憶素子で構成される制御手段9は、各配線によって、周回手段51のモータ511、各昇降手段43、各ピン昇降手段47のモータ472等に電気的に接続されており、制御手段9の制御の下で、周回手段51によるヒータ50の周回動作や、昇降手段43による載置テーブル40の昇降動作、及びピン昇降手段47によるピン46の昇降動作等が制御される。
The control means 9 composed of a memory element such as a CPU and a memory is electrically connected to the
周回手段51のモータ511は、例えばサーボモータであり、モータ511の回転数を検出する図示しないロータリエンコーダが接続されている。そして、このロータリエンコーダは、サーボアンプとしても作用する制御手段9からモータ511に対して動作信号が供給された後、エンコーダ信号(モータ511の回転数)を制御手段9に対して出力する。制御手段9は、ロータリエンコーダから制御手段9に対して出力されるエンコーダ信号によって、周回手段51による各ヒータ50の周回速度をフィードバック制御し、かつ、周回する各ヒータ50の位置を逐次認識できる。
The
ピン昇降手段47のモータ472は、例えばサーボモータであり、モータ472の回転数を検出する図示しないロータリエンコーダが接続されている。そして、このロータリエンコーダは、制御手段9からモータ472に対して動作信号が供給された後、エンコーダ信号(モータ472の回転数)を制御手段9に対して出力する。制御手段9は、該エンコーダ信号によって、ピン昇降手段47によるピン46の昇降量(テープTの突き上げ量)をフィードバック制御することができる。
The
制御手段9によるヒータ50の周回速度制御及びヒータ50の位置認識並びにピン昇降手段47の動作制御は、サーボモータを用いた例に限定されない。例えば、ピン昇降手段47のモータ472は、パルスモータ(ステッピングモータ)であり、制御手段9は、図示しないパルス発振器からモータ472に送出されるパルス信号数で、ピン昇降手段47によるピン46の昇降量(テープTの突き上げ量)を制御することができる。
The rotation speed control of the
以下に、上述した分割装置1を用いてワークセットWSのテープTを拡張させ、分割起点Mを起点にウェーハWを分割する場合の分割装置1の動作について説明する。 The operation of the dividing device 1 when the tape T of the work set WS is expanded by using the dividing device 1 described above and the wafer W is divided with the division starting point M as the starting point will be described below.
まず、図2に示すように、ワークセットWSのウェーハWがテーブル30の吸引面300a上にテープTを下側に向けて載置され、ウェーハWの中心と吸引面300aの中心とが略合致した状態になる。そして、ソレノイドバルブ39aが開かれた状態で吸引源39が作動することで、吸引源39により生み出される吸引力が吸引面300aに伝達され、テーブル30が吸引面300a上でウェーハWをテープTを介して吸引保持する。
First, as shown in FIG. 2, the wafer W of the work set WS is placed on the
同時に、載置テーブル40の保持面40aにワークセットWSのリングフレームFが載置される。次いで、カバープレート41で上方からリングフレームFを保持面40aとの間に挟み込むようにして、テーブル30の外側において保持面40aでリングフレームFを保持した後、図示しないクランプ部によりカバープレート41が載置テーブル40に固定される。この状態においては、載置テーブル40の保持面40aとテーブル30の吸引面300aとは略同一の高さ位置ある。
At the same time, the ring frame F of the work set WS is placed on the holding
次いで、図3に示すように、ソレノイドバルブ39aが閉じられてテープTの拡張を阻害しないように吸引面300aへの吸引力の伝達が止められた状態で、昇降手段43がリングフレームFを保持した状態の載置テーブル40を所定の高さ位置まで下降させることで、載置テーブル40の保持面40aがテーブル30の吸引面300aより下方の高さ位置に相対的に位置付けられ、カバープレート41の円形開口410からテーブル30が上方に突出される。そして、リングフレーム保持部4に対してテーブル30が相対的に突き上げられることでテープTが径方向に拡張されて、拡張力がテープTを介してウェーハWに対して付与され、分割予定ラインに沿って形成された分割起点Mを起点にウェーハWが個々のチップに分割される。テープTは、隣り合うチップが完全に離間するまで引き伸ばされ、複数のチップ間に所定の間隔が形成される。
なお、例えば、ウェーハWが、分割装置1に搬入される前に既に分割起点Mを起点にチップに分割されているものである場合には、分割装置1においてテープTの拡張によって複数のチップ間に所定の間隔が形成される。
Next, as shown in FIG. 3, the lifting means 43 holds the ring frame F while the
For example, if the wafer W has already been divided into chips starting from the division starting point M before it is carried into the dividing device 1, the tape T is expanded in the dividing device 1 to divide the chips between the plurality of chips. A predetermined interval is formed in the .
その後、図4に示すように、再び、ソレノイドバルブ39aが開かれ吸引面300aへ吸引力が伝達されることで、テープTのリング状の領域Tdより内側の領域(ウェーハWに対応する領域)が吸引面300aで吸引保持されて、後述するテープTの拡張の解除による弛みがリング状の領域Tdより内側の領域で生じないように(拡張後のチップ間隔を維持するように)セットされる。
Thereafter, as shown in FIG. 4, the
図5に示すように、昇降手段43がリングフレーム保持部4を上昇させてテープTの拡張が解除されると、テープTが緩められてテープTの吸引面300aで吸引されていないリング状の領域Tdが余剰分として山なりに弛み、円環状の隆起部Tfが形成される。
この隆起部Tfを含むテープTのリング状の領域Tdが複数のヒータ50によって熱収縮される。この場合、ヒータ50は、遠赤外線の照射範囲が広くなり過ぎるとウェーハWにダメージを与えてしまうため、テープTの隆起部Tfに遠赤外線をスポット照射して局所的に加熱することが望ましい。
As shown in FIG. 5, when the elevating means 43 lifts the ring
A ring-shaped region Td of the tape T including the raised portion Tf is thermally shrunk by a plurality of
そして、隆起部Tfが熱収縮中に倒れてしまうことでヒータ50からの熱が伝わりにくくなってしまうことを防ぐために、図6に示すように、各ピン46によってテープTのリング状の領域Tdの隆起部Tfを押し上げることで、隆起部Tfを遠赤外線の照射位置に合わせるようにし、かつ、ヒータ50に近づける。即ち、制御手段9がピン昇降手段47のモータ472に送出する動作信号を制御することで、モータ472を所定の回転数分だけ正回転させて、ピン昇降手段47によって上昇するピン46がリング状の領域Tdの隆起部Tfを押して隆起させてヒータ50に隆起部Tfを近づけた後、所定の高さ位置で停止させる。
In order to prevent the heat from the
例えば、周回手段51が制御手段9の制御の下で所定角度だけヒータ50を周回させて、6つのピン46のいずれか2つの上方に2つのヒータ50をそれぞれ位置付ける。このヒータ50が位置付けられた位置が、熱収縮開始位置(原点位置)となる。
その後、制御手段9から周回手段51のモータ511に所定量の動作信号が供給され、モータ511が+Z方向から見て反時計回り方向に回転軸510を所定の回転速度で回転させ、これに伴って、ヒータ支持部512も反時計回り方向に回転する。そして、ヒータ50が回転軸510を軸に反時計回り方向に所定の回転速度で隆起部Tf上を周回する。
For example, the revolving
After that, a predetermined amount of operation signal is supplied from the control means 9 to the
図7に示すように、周回する2つのヒータ50(片方のみ図示)からテープTの隆起部Tfに向けて遠赤外線が精度よくスポット照射される。よって、テープTのリング状の領域Tdの隆起部Tfとその付近だけが加熱されて、ウェーハWにダメージを与えることなく、隆起部Tfとその付近だけが効率的に加熱収縮されていく。そして、加熱収縮された隆起部Tfはフラットな状態に戻る。 As shown in FIG. 7, two heaters 50 (only one of them is shown) circulate and irradiate a spot of far-infrared rays toward the raised portion Tf of the tape T with high accuracy. Therefore, only the raised portion Tf of the ring-shaped region Td of the tape T and its vicinity are heated, and only the raised portion Tf and its vicinity are efficiently thermally shrunk without damaging the wafer W. Then, the heat-shrunk raised portion Tf returns to a flat state.
制御手段9は、周回手段51による各ヒータ50の周回速度を制御し、かつ、ヒータ50の周回軌道上における位置を逐次把握しているため、各ヒータ50が原点位置から回転軸510を中心として60度反時計回り方向に移動し、図7に示す状態から図8、9に示すようにピン46の真上に位置する状態になった際に、制御手段9による制御の下で、ピン昇降手段47のモータ472に対して、モータ472を逆回転させピン46を僅かに-Z方向に降下させる所定量の動作信号が供給される。その結果、テープTの隆起部Tfからピン46が僅かに離されつつ又は離れた状態で、ピン46の真上をヒータ50が隆起部Tfを加熱収縮しつつ通過していく。そして、図10に示すようにピン46の形がテープTに転写してしまうことなく、他の既に加熱収縮された隆起部Tfと均等に隆起部Tfが加熱収縮されてフラットな状態に戻る。
Since the control means 9 controls the circulating speed of each
なお、制御手段9からモータ472を逆回転させる動作信号が送出され、該動作信号をモータ472が受け取って動作するまでの間のタイムラグを考慮して、制御手段9による上記ピン昇降手段47を介したピン46の下降動作制御は、ヒータ50が原点位置から回転軸510を中心として60度反時計回り方向に移動する少し前の時点(例えば、ヒータ50が59度移動した時点)から開始されてもよい。
In consideration of the time lag between when an operation signal for rotating the
さらに、2つのヒータ50が、原点位置から回転軸510を中心として120度及び180度反時計回り方向に移動してそれぞれピン46の真上に位置する状態になった際に、制御手段9による同様のピン昇降手段47の制御が行われることで、テープTの隆起部Tfが全周に亘って加熱収縮されて、図11に示すように、テープTのリング状の領域Td全周がフラットな状態になる。
Furthermore, when the two
その後、ソレノイドバルブ39aが閉じられて吸引面300aへの吸引力の伝達が止められても、テープTのリング状の領域Tdの隆起部Tfのみが熱収縮されており、該リング状の領域Tdより内側のチップが貼着されている領域に熱収縮は無いため、個々のチップの間隔はウェーハWが分割された時点の均等な間隔で保たれている。
その後、カバープレート41が載置テーブル40上から取り外されて、ワークセットWSが分割装置1から搬出可能な状態になる。
After that, even if the
After that, the
本発明に係る分割装置1は、ワークセットWSのテープTを吸引保持する吸引面300aを有するテーブル30と、テーブル30の外側でワークセットWSのリングフレームFを保持するリングフレーム保持部4と、吸引面300aに対して直交するZ軸方向にテーブル30とリングフレーム保持部4とを相対的に接近又は離間させる昇降手段43と、テープTのウェーハW外周とリングフレームF内周との間のリング状の領域Tdを加熱して収縮させるヒータ50と、ヒータ50を吸引面300aの中心を軸に周回させる周回手段51と、テープTのリング状の領域Tdを押して隆起させてヒータ50にテープTを近づけるピン46と、ピン46をZ軸方向に昇降させるピン昇降手段47と、ピン昇降手段47を制御する制御手段9とを備え、ピン46は、吸引面300aの中心を中心として周方向に所定の角度を空けて複数配設されている、即ち、本実施形態においては、テーブル30の吸引面300aの中心を中心として周方向に等角度(例えば、60度)を空けて複数(例えば、6つ)配設されており、制御手段9は、周回手段51により周回するヒータ50が、ピン46の真上に位置してテープTを熱収縮させるときに、テープTからピン46を僅かに離すようにピン昇降手段47を制御する。そのため、テープTを熱収縮させている時に、ピン46によってテープTのリング状の領域Tdの隆起部Tfが倒れないように隆起されていることからヒータ50からの熱が伝わりやすくなっており、かつ、ピン46の真上にヒータ50が位置する際にはピン46をテープTから僅かに離すことで熱収縮によりピン46の形がテープTに転写してしまうことが防がれる。その結果、テープTのリング状の領域Tdを均一に熱収縮させフラットな状態にすることができ、チップ同士の間隔がテープT上で所定の均等な間隔に保たれた状態を維持することができる。
The dividing device 1 according to the present invention includes a table 30 having a
なお、本発明に係る分割装置1は本実施形態に限定されず、また、添付図面に図示されている分割装置1の各構成等についても、これに限定されず、本発明の効果を発揮できる範囲内で適宜変更可能である。
例えば、リングフレーム保持部4はリングフレームFを保持可能であればよく、カバープレート41の代わりに、エアーアクチュエータ等で駆動するクランプ部を載置テーブル40の四方に設けて、リングフレームFの四方を保持する構成にしてもよい。
Note that the dividing device 1 according to the present invention is not limited to the present embodiment, nor is the configuration of the dividing device 1 illustrated in the accompanying drawings limited to this, and the effects of the present invention can be exhibited. It can be changed as appropriate within the range.
For example, the ring
例えば、本実施形態においては、2つのヒータ50をテープTのリング状の領域Tdでそれぞれ凡そ180度回転させることで、テープTの隆起部Tfを全周に亘って加熱収縮してリング状の領域Td全周をフラットな状態にしているが、テープTの熱収縮率等によって、2つのヒータ50をテープTのリング状の領域Tdで360度又は540度(180度の整数倍)回転させて、テープTの隆起部Tfを全周に亘って加熱収縮してリング状の領域Td全周をフラットな状態にしてもよい。この場合には、テープTの隆起部Tfを下方から隆起させる各ピン46の真上を2回、3回とヒータ50が通過し、隆起部TfがテープTの熱収縮率に応じて段階的に熱収縮されていく。
For example, in the present embodiment, the two
そのため、テープTの熱収縮率に応じて、制御手段9によるピン昇降手段47の制御の下で、ヒータ50がピン46の真上に位置する際のピン46の下降量をヒータ50が通過する回ごとに変える、即ち、ピン昇降手段47によりピン46をステップ送りするものとしてもよい。ピン46をステップ送りする場合のピン46の下降量は、テープTの熱収縮率によって決定され、熱収縮率が大きい場合には、ピン46の下降量も大きくなる。例えば、各ピン46の上方を1回目にヒータ50が通過する際のテープTの熱収縮率が大きい場合には、ピン46は大きく下降し、各ピン46の上方を2回目にヒータ50が通過する際のテープTの熱収縮率が小さくなっている場合には、それに比例してピン46の下降量も1回目の下降量よりも小さくなる。
Therefore, according to the thermal contraction rate of the tape T, the
上記実施形態においては、ピン46がテーブル30の吸引面300aの中心を中心として周方向に60度ずつ等間隔空けて6つ配設されているが、例えば、図12に示すように、ピン46は、テーブル30の吸引面300aの中心線b1-b2を基準として対称に複数配設されていてもよい。
In the above-described embodiment, six
ウェーハWは、ウェーハWよりも大径のテープTが裏面Wbに貼着され、テープTの粘着面の外周部が円形の開口部を備えるリングフレームFに貼着されることで、ワークセットWSとなる。このワークセットWSの形成は、テープ貼着装置等で行われる。テープ貼着装置では、例えば、ロール状に巻かれたテープロールから、帯状のテープTを所定長さだけ回転ローラ等によって引き出し、ウェーハWとリングフレームFとに帯状のテープTを貼着し、その後、帯状のテープTをリングフレームFに沿ってカッター等で円形に切断している。そして、帯状のテープTは、その延在方向(引き出される方向)と延在方向に直交する幅方向とで機械的外力に対する伸縮性、加熱収縮性、及び拡張後における形状維持性(弛むことで隆起した際の倒れやすさ)等が異なる場合がある。 A tape T having a diameter larger than that of the wafer W is attached to the back surface Wb of the wafer W, and the outer peripheral portion of the adhesive surface of the tape T is attached to a ring frame F having a circular opening. becomes. The work set WS is formed by a tape sticking device or the like. In the tape sticking device, for example, a belt-shaped tape T is pulled out from a tape roll wound in a roll shape by a rotating roller or the like by a predetermined length, and the belt-shaped tape T is stuck to the wafer W and the ring frame F, After that, the belt-shaped tape T is cut into a circular shape along the ring frame F with a cutter or the like. The strip-shaped tape T has stretchability against mechanical external force, heat shrinkability, and shape retention after expansion (by loosening) in the extending direction (pulling out direction) and the width direction perpendicular to the extending direction. easiness to fall down when raised), etc. may differ.
図12に示すように、ウェーハWの外周縁には、結晶方位等を示すマークであるノッチNが、ウェーハWの中心に向けて径方向内側に窪んだ状態で形成されている。テープ貼着装置において、例えば、ノッチNの示す向きとテープTの延在方向とが同方向となった状態でワークセットWSが形成されることで、図1に示す分割装置1にワークセットWSが搬送された際に、ワークセットWSの円形のテープTの延在方向が判断可能となっている。なお、ウェーハWやテープTの固体識別情報を示す図示しないマーク(例えば、バーコード)が、リングフレームFに形成されていることで、円形のテープTの延在方向が判断可能となっていてもよい。 As shown in FIG. 12, a notch N, which is a mark indicating the crystal orientation and the like, is formed in the outer peripheral edge of the wafer W so as to be depressed radially inward toward the center of the wafer W. As shown in FIG. In the tape applying device, for example, by forming the work set WS in a state in which the direction indicated by the notch N and the extending direction of the tape T are the same, the work set WS is formed in the dividing device 1 shown in FIG. is conveyed, the extending direction of the circular tape T of the work set WS can be determined. A mark (for example, a bar code), not shown, indicating individual identification information of the wafer W and the tape T is formed on the ring frame F, so that the extending direction of the circular tape T can be determined. good too.
図12においては、図1に示すテーブル30が吸引面300a上でウェーハWをテープTを介して吸引保持しており、カバープレート41で上方からリングフレームFを保持面40aとの間に挟み込むようにして、テーブル30の外側において保持面40aでリングフレームFが保持されている。そして、ノッチNを用いた円形のテープTの延在方向の把握により、円形のテープTは、Y軸方向がテープTの延在方向となるように、かつ、X軸方向がテープTの幅方向となるようにして保持テーブル30上で吸引保持されている。ピン46は、このテープTの延在方向を考慮して、例えば、テーブル30の吸引面300aのY軸に平行な中心線b1-b2を基準として対称に5個ずつ、計10個配設されている。各ピン46は図1に示すピン昇降手段47によって昇降可能に支持されている。
In FIG. 12, the table 30 shown in FIG. 1 sucks and holds the wafer W on the
ピン46は、例えば、X軸に平行な中心線a1-a2上に中心線b1-b2を基準として対称に1つずつ配設され、さらに、テーブル30の吸引面300aの中心を中心として中心線a1-a2から周方向に10度空けて中心線b1-b2を基準として対称に2つずつ配設され、さらに、周方向に15度空けて中心線b1-b2を基準として対称に2つずつ配設されている。なお、ピン46の配設個数及び周方向における離間角度は本実施形態に示す例に限定されるものではなく、テープTの延在方向と幅方向とから判断されるリング状の領域Tdで弛み隆起し形成された隆起部Tfの倒れやすさ等を考慮して、実験的、経験的、又は理論的に選択される。
For example, the
先に説明したのと同様に、分割装置1において、分割予定ラインに沿って形成された分割起点M(図1参照)を起点にウェーハWが個々のチップに分割され、テープTが緩められてテープTの吸引面300aで吸引されていないリング状の領域Tdが余剰分として山なりに弛み、図13に示す円環状の隆起部Tfが形成される。図13はテープTの図12に示す中心線a1-a2断面を示している。図12に示すテープTの幅方向(X軸方向)では、テープTの延在方向(Y軸方向)よりもリング状の領域Tdに形成された隆起部Tfが、図13に示すように中心側に倒れやすい。したがって、図14に示すように、各ピン46がピン昇降手段47によって上昇し、各ピン46がリング状の領域Tdの倒れてしまった隆起部Tfを隆起させてヒータ50に近づけた後、所定の高さ位置で停止する。図12に示すように、各ピン46の周方向における離間角度が中心線b1-b2に近づく方向に10度、15度と大きくなる理由は、リング状の領域Tdにおいて、より中心線b1-b2に近い側の隆起部Tfは、中心線a1-a2により近い側の隆起部Tfよりも倒れにくいため、各ピン46間の距離が広がっても隆起部Tfが倒れないように隆起させ続けることができるためである。
In the same manner as described above, in the dividing device 1, the wafer W is divided into individual chips starting from the dividing starting point M (see FIG. 1) formed along the planned dividing line, and the tape T is loosened. The ring-shaped region Td, which is not sucked by the
図15はテープTの図12に示す中心線b1-b2断面を示している。図15に示すテープTの延在方向(Y軸方向)では、テープTの幅方向(X軸方向)よりもリング状の領域Tdに形成された隆起部Tfがテーブル30の吸引面300aの中心側に倒れにくい。そのため、ピン46で隆起部Tfを下方から隆起させずとも、隆起部Tfは倒れずに隆起した状態を保つ。
このように、ピン46が、テーブル30の吸引面300aの中心線b1-b2を基準として対称に複数配設されることで、テープTを熱収縮させるときに、テープTのリング状の領域Tdの倒れやすい隆起部Tfを選択的にピン46によって隆起させ倒れないようにすることができる。
FIG. 15 shows a cross section of the tape T along the center line b1-b2 shown in FIG. In the extending direction (Y-axis direction ) of the tape T shown in FIG. It is hard to fall to the center side. Therefore, even if the protuberance Tf is not protruded from below by the
In this manner, a plurality of
例えば、周回手段51が制御手段9の制御の下で所定角度だけヒータ50を周回させて、図12に示す中心線a1-a2上の2つのピン46の上方に2つのヒータ50をそれぞれ原点位置に位置付ける。その後、制御手段9から周回手段51のモータ511に所定量の動作信号が供給され、図14に示すように、ヒータ支持部512が反時計回り方向に回転する。そして、ヒータ50が回転軸510を軸に反時計回り方向に所定の回転速度で隆起部Tf上を周回する。
周回する2つのヒータ50からテープTの隆起部Tfに向けて遠赤外線が照射され、加熱により収縮した隆起部Tfはフラットな状態に戻る。
For example, the circulating
Far-infrared rays are emitted from the two circulating
制御手段9は、周回手段51による各ヒータ50の周回速度を制御し、かつ、ヒータ50の周回軌道上における位置を逐次把握しているため、各ヒータ50が原点位置から回転軸510を中心として10度反時計回り方向に移動し、ヒータ50がピン46の真上に位置する状態になった際に、制御手段9による制御の下で、ピン昇降手段47がピン46を僅かに下降させる。そのため、テープTの隆起部Tfからピン46が僅かに離されつつ又は離れた状態で、ピン46の真上をヒータ50が隆起部Tfを加熱収縮しつつ通過していく。そして、ピン46の形がテープTに転写してしまうことなく、隆起部Tfが加熱収縮されてフラットな状態に戻る。
2つのヒータ50が、さらに15度反時計回り方向に移動してそれぞれピン46の真上に位置する状態になった際に、制御手段9による同様のピン昇降手段47の制御が行われることで、テープTの隆起部Tfが同様に加熱収縮される。図15に示すピン46で押されずに単独で隆起している隆起部Tfは、そのままの状態で2つのヒータ50によって加熱収縮される。このような、制御手段9によるピン昇降手段47の制御の下で、ピン46の形がテープTに転写してしまうことなく、テープTのリング状の領域Td全周を熱収縮によりフラットな状態にすることができる。
Since the control means 9 controls the circulating speed of each
When the two
1:分割装置
30:テーブル 300:吸着部 300a:吸引面 301:枠体 301a:吸引路
301b:コロ
32:支持柱 39:吸引源
4:リングフレーム保持部 40:載置テーブル 40a:保持面 400:円形開口
41:カバープレート 410:円形開口 43:昇降手段
46:ピン 47:ピン昇降手段 471:ボールネジ 472:モータ
50:ヒータ 51:周回手段 510:回転軸 511:モータ
9:制御手段
W:ウェーハ M:分割起点 T:テープ Td:リング状の領域 Tf:隆起部 F:リングフレーム WS:ワークセット
1: Divider
30: Table 300:
301b: Roller
32: Support column 39: Suction source
4: Ring frame holder 40: Placement table 40a: Holding surface 400: Circular opening 41: Cover plate 410: Circular opening 43: Lifting means 46: Pin 47: Pin lifting means 471: Ball screw 472: Motor 50: Heater 51: Revolving means 510: Rotating shaft 511: Motor 9: Control means
W: Wafer M: Starting point of division T: Tape Td: Ring-shaped area Tf: Raised portion F: Ring frame WS: Work set
Claims (1)
該ワークセットの該テープを吸引保持する吸引面を有するテーブルと、該テーブルの外側で該ワークセットの該リングフレームを保持するリングフレーム保持部と、該吸引面に対して直交するZ軸方向に該テーブルと該リングフレーム保持部とを相対的に接近又は離間させる昇降手段と、該テープの該ウェーハ外周と該リングフレーム内周との間のリング状の領域を加熱して収縮させるヒータと、該ヒータを該吸引面の中心を軸に周回させる周回手段と、該テープの該リング状の領域を押して隆起させて該ヒータに該テープを近づけるピンと、該ピンを該Z軸方向に昇降させるピン昇降手段と、該ピン昇降手段を制御する制御手段とを備え、
該テープは、帯状の該テープが引き出され該ウェーハと該リングフレームとに貼着されてから円形に切断されていて、引き出される方向と同方向である延在方向よりも、該延在方向に直交する幅方向において、弛むことで隆起した際に該吸引面の中心側に向かって倒れやすい性質を備え、
該ピンは、該吸引面の中心を通り帯状の該テープが引き出される方向に延在する中心線を基準に対称的に、かつ、該吸引面の中心を通り該中心線に直交する線から該吸引面の中心を基準に該中心線に向かうほど互いの間隔を広げて複数配設され、
該制御手段は、該ピン昇降手段を制御し、該テープの該リング状の領域の弛むことで隆起し倒れやすい部分を選択的に該ピンによって隆起させ倒れないようにしつつ、該周回手段により周回する該ヒータが、該ピンの真上に位置して該テープを熱収縮させるときに、該ヒータの直下の該ピンを下降させ該テープから離間させる分割装置。 A division starting point is formed through a heat-shrinkable tape stuck to close the opening of the ring frame, and the tape of the work set supporting the wafer positioned at the opening is expanded, and the division starting point is used as a starting point. A dividing device for dividing the wafer,
A table having a suction surface for sucking and holding the tape of the work set, a ring frame holder for holding the ring frame of the work set outside the table, and a Z-axis direction orthogonal to the suction surface. Elevating means for relatively approaching or separating the table and the ring frame holder, a heater for heating and contracting a ring-shaped region between the outer circumference of the wafer and the inner circumference of the ring frame of the tape; A revolving means for revolving the heater around the center of the suction surface, a pin for pushing the ring-shaped region of the tape to raise it to bring the tape closer to the heater, and a pin for moving the pin up and down in the Z-axis direction. An elevating means and a control means for controlling the pin elevating means,
The tape is cut into a circular shape after the belt-shaped tape is pulled out and adhered to the wafer and the ring frame. In the width direction perpendicular to each other, it has a property that it tends to fall toward the center of the suction surface when it is raised due to loosening,
The pins are arranged symmetrically with respect to a center line passing through the center of the suction surface and extending in the direction in which the belt-shaped tape is pulled out, and from a line passing through the center of the suction surface and perpendicular to the center line. With the center of the suction surface as a reference, a plurality of the suction surfaces are arranged with increasing intervals toward the center line ,
The control means controls the pin elevating means, selectively raises a portion of the ring-shaped area of the tape that is likely to rise and fall due to slackness by the pins so as not to fall down, and rotates the tape by the revolving means. a splitting device for lowering the pin directly below the heater to separate it from the tape when the heater is located directly above the pin to thermally shrink the tape.
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