KR20160030363A - Method of coating protective film - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a method of coating a protective film. More specifically, the purpose of the present invention is to uniformly form a protective film on a surface of a wafer regardless of surface conformation of the wafer. The method of coating the protective film comprises the following processes: a resin sheet placement process for covering a whole surface of the wafer (W) with a film-type resin sheet (10); an adhesion process closely attaching, on a surface, the resin sheet covering the whole surface of the wafer in the resin sheet placement process so as to bond the resin sheet; and a hardening process for hardening the resin sheet which has gone through the adhesion process. Accordingly, formed on a surface of the wafer is the protective film which has the thickness corresponding to that of the resin sheet.

Description

보호 피막의 피복 방법{METHOD OF COATING PROTECTIVE FILM}[0001] METHOD OF COATING PROTECTIVE FILM [0002]

본 발명은 웨이퍼의 표면을 피복하는 보호 피막의 피복 방법에 관한 것으로, 특히, 범프 등의 볼록부가 표면에 형성된 웨이퍼를 피복하는 보호 피막의 피복 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for coating a protective film covering a surface of a wafer, and more particularly, to a method for coating a protective film covering a wafer on which convex portions such as bumps are formed.

분할 예정 라인을 따라 레이저 광선을 조사하여 반도체 웨이퍼나 광디바이스 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라고 적음)를 분할하는 레이저 가공 장치에 있어서는, 웨이퍼 표면에 레이저 광선을 조사하면, 조사된 영역으로부터 용융물로서 데브리스(debris)가 발생한다. 이 데브리스가 웨이퍼의 표면에 재부착되는 것을 방지하기 위해서, 웨이퍼의 표면에, 액상 수지 등의 보호 피막을 피복하는 방법이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 또한, 보호 피막의 구체적인 피복 방법으로서, 회전 테이블에 유지된 웨이퍼의 중심부에 소정량의 액상 수지를 적하하고 회전 테이블을 소정 속도로 회전시키는, 이른바 스핀 코팅이라고 하는 방법이 제안되어 있다(특허문헌 2 내지 특허문헌 4 참조). 또한, 보호 피막의 막 두께를 균일하게 하기 위해서, 스핀 코팅을 복수 회 실시하는 방법도 제안되어 있다(특허문헌 3 및 특허문헌 4 참조).In a laser processing apparatus for dividing a semiconductor wafer or an optical device wafer (hereinafter, simply referred to as a wafer) by irradiating a laser beam along a line to be divided, a laser beam is irradiated on the wafer surface, (debris) occurs. To prevent the debris from reattaching to the surface of the wafer, a method of coating a protective film such as liquid resin on the surface of the wafer has been proposed (for example, see Patent Document 1). As a specific coating method of the protective coating, there has been proposed a so-called spin coating method in which a predetermined amount of liquid resin is dropped onto the central portion of a wafer held on a rotary table and the rotary table is rotated at a predetermined speed (see Patent Document 2 (See Patent Document 4). In order to make the protective film uniform in film thickness, a method of performing spin coating a plurality of times has also been proposed (see Patent Document 3 and Patent Document 4).

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2004-188475호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-188475 [특허문헌 2] 일본 특허 공개 제2006-198450호 공보[Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-198450 [특허문헌 3] 일본 특허 공개 제2008-006379호 공보[Patent Document 3] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-006379 [특허문헌 4] 일본 특허 공개 제2014-060269호 공보[Patent Document 4] JP-A-2014-060269

그런데, 웨이퍼의 표면의 디바이스 상에 범프 등의 볼록부가 형성되어 있는 경우에는, 웨이퍼를 유지한 회전 테이블을 회전시켜, 그 원심력에 의해 액상 수지를 외주부를 향해 유동시키려고 해도, 표면의 볼록부에 방해받아 액상 수지를 웨이퍼의 표면에 균일하게 도포하는 것이 곤란하였다. 보호 피막의 막 두께가 균일하지 않은 경우, 보호 피막이 얇은 부분에서는 데브리스에 대한 보호 효과가 작아져, 보호 피막이 얇은 부분에 부착된 데브리스가 웨이퍼에 영향을 주어 버릴 우려가 있었다. 또한, 특허문헌 3 및 특허문헌 4에 나타내는 바와 같이, 스핀 코팅을 복수 회 실시하는 것도 고려되지만, 액상 수지는 수용성 수지이기 때문에, 액상 수지를 한번 건조시킨 후에 다시 액상 수지를 도포해도, 최초에 피복한 보호 피막은 용해되어 버려, 반드시 균일하게 보호 피막을 형성할 수 있다고는 할 수 없다.However, in the case where convex portions such as bumps are formed on the device on the surface of the wafer, even if it is intended to rotate the rotary table holding the wafer and to cause the liquid resin to flow toward the outer peripheral portion by the centrifugal force, It is difficult to uniformly coat the liquid resin on the surface of the wafer. If the film thickness of the protective film is not uniform, the protective effect against debris becomes small at the portion where the protective film is thin, and the debris attached to the thin protective film may affect the wafer. As described in Patent Documents 3 and 4, spin coating may be carried out a plurality of times. However, since the liquid resin is a water-soluble resin, even if the liquid resin is dried once and then the liquid resin is applied again, A protective film is dissolved and the protective film can not necessarily be uniformly formed.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 웨이퍼의 표면 형상에 관계없이 웨이퍼의 표면에 보호 피막을 균일하게 형성할 수 있는 보호 피막의 피복 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a protective film coating method capable of uniformly forming a protective film on the surface of a wafer regardless of the surface shape of the wafer.

본 발명의 보호 피막의 피복 방법은, 수지에 의해 판형의 웨이퍼의 표면에 보호 피막을 형성하는 보호 피막의 피복 방법으로서, 필름형의 수지 시트로 표면의 전면(全面)을 덮는 수지 시트 배치 공정과, 수지 시트 배치 공정에서 표면의 전면을 덮은 수지 시트를 표면에 밀착시켜 수지 시트를 접착하는 접착 공정과, 접착 공정을 거친 수지 시트를 경화시키는 경화 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. A protective film coating method of the present invention is a protective film coating method for forming a protective film on the surface of a plate-like wafer by a resin, comprising a resin sheet placing step of covering the entire surface with a film- A bonding step of bonding a resin sheet by adhering a resin sheet covering the entire surface of the surface to the surface in the resin sheet placing step, and a curing step of curing the resin sheet after the bonding step.

이 구성에 의하면, 웨이퍼의 표면에 수지 시트가 배치된 후, 수지 시트가 웨이퍼의 표면 전역에 밀착됨으로써, 웨이퍼의 표면에 수지 시트의 두께에 상응하는 보호 피막을 형성할 수 있다. 따라서, 웨이퍼의 표면 형상에 관계없이, 예컨대, 표면에 범프 등의 볼록부가 형성된 웨이퍼라도, 웨이퍼의 표면 전역에 균일한 두께의 보호 피막을 형성할 수 있다.According to this configuration, after the resin sheet is disposed on the surface of the wafer, the resin sheet is brought into close contact with the entire surface of the wafer, so that a protective film corresponding to the thickness of the resin sheet can be formed on the surface of the wafer. Therefore, regardless of the surface shape of the wafer, a protective film having a uniform thickness can be formed over the entire surface of the wafer even if the wafer has a convex portion such as a bump on the surface.

본 발명에 의하면, 보호 피막을 구성하는 수지 시트를 웨이퍼의 표면에 밀착시킴으로써, 웨이퍼의 표면 형상에 관계없이 웨이퍼의 표면에 보호 피막을 균일하게 형성할 수 있다. According to the present invention, the protective sheet can be uniformly formed on the surface of the wafer regardless of the surface shape of the wafer by bringing the resin sheet constituting the protective coating into close contact with the surface of the wafer.

도 1은 본 실시형태에 따른 보호 피막의 피복 방법이 적용되는 웨이퍼의 일례를 도시한 도면이다.
도 2는 본 실시형태에 따른 보호 피막의 피복 방법에 이용되는 수지 시트의 일례를 도시한 도면이다.
도 3은 본 실시형태에 따른 보호 피막의 피복 방법에 적용되는 보호 피막 형성 장치의 모식도이다.
도 4는 본 실시형태에 따른 수지 시트 배치 공정의 일례를 도시한 도면이다.
도 5는 본 실시형태에 따른 접착 공정의 일례를 도시한 도면이다.
도 6은 본 실시형태에 따른 경화 공정의 일례를 도시한 도면이다.
도 7은 제1 변형예에 따른 접착 공정을 도시한 도면이다.
도 8은 제2 변형예에 따른 접착 공정을 도시한 도면이다. Fig. 1 is a view showing an example of a wafer to which a protective film coating method according to the present embodiment is applied.
2 is a view showing an example of a resin sheet used in a method of coating a protective film according to the present embodiment.
3 is a schematic view of a protective film forming apparatus applied to a protective film covering method according to the present embodiment.
4 is a diagram showing an example of the resin sheet arranging step according to the present embodiment.
Fig. 5 is a view showing an example of an adhering step according to the present embodiment.
6 is a diagram showing an example of a curing process according to the present embodiment.
7 is a view showing an adhering step according to the first modification.
8 is a view showing an adhering step according to the second modification.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 보호 피막의 피복 방법이 적용되는 웨이퍼의 일례를 도시한 도면이다. 도 2는 본 실시형태에 따른 보호 피막의 피복 방법에 이용되는 수지 시트의 일례를 도시한 도면이다. 도 3은 본 실시형태에 따른 보호 피막의 피복 방법에 적용되는 보호 피막 형성 장치의 모식도이다. 본 실시형태에서는, 보호 피막 형성 장치가 레이저 가공 장치에 적용되는 예에 대해 설명한다. 한편, 본 실시형태에 따른 보호 피막 형성 장치는 이하에 나타내는 구성에 한정되지 않고 적절하게 변경이 가능하다. 보호 피막 형성 장치는, 웨이퍼의 표면에 수지 시트를 접착하여 웨이퍼의 표면에 보호 피막을 형성하는 구성이면, 어떻게 구성되어도 좋다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Fig. 1 is a view showing an example of a wafer to which a protective film coating method according to the present embodiment is applied. 2 is a view showing an example of a resin sheet used in a method of coating a protective film according to the present embodiment. 3 is a schematic view of a protective film forming apparatus applied to a protective film covering method according to the present embodiment. In this embodiment, an example in which the protective film forming apparatus is applied to the laser processing apparatus will be described. On the other hand, the protective film forming apparatus according to the present embodiment is not limited to the following constitution, and can be appropriately changed. The protective film forming apparatus may be configured in any way as long as the protective film is formed on the surface of the wafer by bonding a resin sheet to the surface of the wafer.

먼저, 본 실시형태에 적용되는 웨이퍼에 대해 설명한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)는 원형 형상을 갖고 있으며, 웨이퍼(W)의 표면은 격자형으로 배열된 분할 예정 라인(도시하지 않음)에 의해 복수의 디바이스 영역으로 구획되어 있다. 각 디바이스 영역에는, 범프 등의 반구형의 볼록부(B)가 복수 형성되어 있다. 웨이퍼(W)는 표면을 상향으로 하여, 이면측에 접착된 유지 테이프(T)를 통해 링 프레임(F)에 유지된다. 한편, 웨이퍼(W)는, 실리콘 웨이퍼, 갈륨비소 등의 반도체 웨이퍼에 한하지 않고, 패키지 기판, 유리, 사파이어계의 무기 재료 기판이어도 좋다. 또한, 웨이퍼(W)의 표면에 형성되는 볼록부(B)는 범프에 한정되지 않는다. 예컨대, 알루미나 세라믹 기판 상에 형성된 광디바이스의 표면을 실리콘 수지로 보호하고, 실리콘 수지의 표면에 복수의 볼록부(B)를 구비하는 구성으로 해도 좋다. 또한, 볼록부(B)는 반드시 형성되지 않아도 좋다.First, a wafer applied to the present embodiment will be described. As shown in Fig. 1, the wafer W has a circular shape, and the surface of the wafer W is partitioned into a plurality of device regions by a to-be-divided line (not shown) arranged in a lattice pattern. In each device region, a plurality of hemispherical convex portions B such as bumps are formed. The wafer W is held on the ring frame F through the holding tape T adhered to the back surface side with its surface facing upward. On the other hand, the wafer W is not limited to a semiconductor wafer such as a silicon wafer or gallium arsenide, and may be a package substrate, a glass, or an inorganic material substrate of sapphire. The convex portion B formed on the surface of the wafer W is not limited to bumps. For example, the surface of the optical device formed on the alumina ceramic substrate may be protected with a silicone resin, and a plurality of convex portions B may be provided on the surface of the silicone resin. The convex portion B may not necessarily be formed.

그런데, 전술한 웨이퍼(W)의 표면에 보호 피막을 형성하는 경우, 일반적으로는, 스핀 코팅이 채용된다. 스핀 코팅에서는, 액상 수지가 웨이퍼(W)의 표면 중앙에 적하되고, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지 테이블이 고속 회전된다. 이에 의해, 액상 수지에는 원심력이 발생하여, 액상 수지는 웨이퍼(W)의 중심으로부터 외주를 향해 확산된다. 이 결과, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 액상 수지가 도포된다. 그러나, 스핀 코팅에서는, 유지 테이블(2)의 고속 회전에 의해, 많은 액상 수지(보다 구체적으로는, 웨이퍼(W)의 표면 중앙에 적하된 액상 수지 중의 9할 정도)가 날아가 버리고, 날아가 버린 액상 수지는 폐기 처분되고 있었다. 이와 같이, 스핀 코팅에 의한 보호 피막의 형성에 있어서는, 액상 수지의 절약이 과제로 되어 있었다.Incidentally, when a protective film is formed on the surface of the above-described wafer W, spin coating is generally employed. In the spin coating, the liquid resin is dropped at the center of the surface of the wafer W, and the holding table holding the wafer W is rotated at a high speed. Thereby, a centrifugal force is generated in the liquid resin, and the liquid resin diffuses from the center of the wafer W toward the outer periphery. As a result, the liquid resin is applied to the entire surface of the wafer W. However, in spin coating, many liquid resins (more specifically about 90% of the liquid resin dropped on the center of the surface of the wafer W) are blown by the high-speed rotation of the holding table 2, The resin had been disposed of. As described above, in forming a protective coating by spin coating, it has been a problem to save liquid resin.

그래서, 본원 출원인은, 웨이퍼(W)의 형상에 맞춘 수지 시트(10)(도 2 참조)를 웨이퍼(W)의 표면에 접착하여 보호 피막을 구성하는 보호 수지(12)(도 2 참조)를 웨이퍼(W)의 표면에 전사하는 것에 상도하였다. 이에 의해, 수지 시트(10)[보호 수지(12)]의 두께에 상응하는 보호 피막을 형성할 수 있어, 웨이퍼(W)의 표면 형상에 관계없이 웨이퍼(W)의 표면 전역에 균일한 두께의 보호 피막을 형성할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 형상에 맞춘 수지 시트(10)를 이용함으로써, 필요 최저한의 보호 수지(12)의 양으로 보호 피막을 형성할 수 있어, 보호 수지(12)를 절약할 수 있다. 이하, 본 실시형태에 따른 보호 피막의 피복 방법에 이용되는 수지 시트에 대해 설명한다. Thus, the applicant of the present application has found that the protective resin 12 (see Fig. 2) constituting the protective coating is formed by adhering the resin sheet 10 (see Fig. 2) matching the shape of the wafer W to the surface of the wafer W And transferred onto the surface of the wafer W. [ This makes it possible to form a protective film corresponding to the thickness of the resin sheet 10 (protective resin 12), and to provide a protective film having a uniform thickness over the entire surface of the wafer W regardless of the surface shape of the wafer W A protective film can be formed. In addition, by using the resin sheet 10 conforming to the shape of the wafer W, it is possible to form the protective film with the required minimum amount of the protective resin 12, thereby saving the protective resin 12. Hereinafter, a resin sheet used in a method of coating a protective coating according to the present embodiment will be described.

도 2에 도시한 바와 같이, 수지 시트(10)는, 웨이퍼(W)와 대략 동일 직경의 원형 형상으로 형성되는 박리 시트(11)의 표면에, 젤형의 보호 수지(12)를 도포하여 구성되며, 필름형으로 형성된다. 이 수지 시트(10)는, 웨이퍼(W)의 표면에 접착(밀착)된 후 건조됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 보호 피막을 형성한다. 박리 시트(11)는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등의 합성 수지의 필름으로 구성된다. 보호 수지(12)는 폴리비닐알코올(PVA)이나 폴리에틸렌글리콜(PEG) 등의 수용성이나 열가소성을 갖는 수지가 이용된다. 한편, 젤형의 보호 수지(12)는, 웨이퍼(W)의 표면에 밀착된 후, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 웨이퍼(W)의 외측으로 흘러나오지 않을 정도의 점도를 갖고 있는 것이 바람직하다.2, the resin sheet 10 is constituted by coating a gel-like protective resin 12 on the surface of a release sheet 11 formed into a circular shape having a diameter substantially equal to that of the wafer W , And is formed in a film shape. The resin sheet 10 is adhered (adhered) to the surface of the wafer W and then dried to form a protective coating over the entire surface of the wafer W. The release sheet 11 is made of a film of synthetic resin such as polyethylene terephthalate (PET). As the protective resin 12, a water-soluble or thermoplastic resin such as polyvinyl alcohol (PVA) or polyethylene glycol (PEG) is used. It is preferable that the gel-like protective resin 12 has a viscosity such that it does not flow out from the surface of the wafer W to the outside of the wafer W after being adhered to the surface of the wafer W. [

또한, 보호 수지(12)에는, 레이저 파장의 광을 흡수하는 흡수제를 첨가하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 레이저 가공시에 웨이퍼(W)의 가공과 함께 보호 피막도 동시에 제거되기 때문에, 웨이퍼(W)의 열 분해물의 증기 등에 의해 보호 피막이 웨이퍼(W)의 표면으로부터 박리하는 것이 방지된다. 또한, 수지 시트(10)는, 전술한 구성에 한정되지 않고, 웨이퍼(W)의 표면에 접착되어 보호 피막을 형성하는 것이면, 어떻게 구성되어도 좋다. 예컨대, 열가소성의 수지 필름이나, 수용성의 수지 필름으로 보호 수지(12)를 구성해도 좋다. 이 경우, 박리 시트(11)는 반드시 설치되지 않아도 좋다.It is preferable to add an absorbent that absorbs light having a laser wavelength to the protective resin 12. [ This prevents the protective film from peeling off from the surface of the wafer W due to the vapor of the thermal decomposition of the wafer W or the like because the protective film is also removed simultaneously with the processing of the wafer W during laser machining. The resin sheet 10 is not limited to the above-described structure, and may be any structure as long as it is bonded to the surface of the wafer W to form a protective coating. For example, the protective resin 12 may be composed of a thermoplastic resin film or a water-soluble resin film. In this case, the release sheet 11 may not necessarily be provided.

다음으로, 본 실시형태에 따른 보호 피막 형성 장치에 대해 설명한다. 도 3에 도시한 바와 같이, 보호 피막 형성 장치(1)는 유지 테이블(2)의 상면에 배치되며, 복수의 클램프 수단(3)에 의해 유지되는 웨이퍼(W)의 표면에 수지 시트(10)(도 2 참조)를 접착하도록 구성된다. 유지 테이블(2)은 원반형으로 형성되어 있으며, 유지 테이블(2)의 상면에는, 웨이퍼(W)를 흡인 유지하는 유지면이 형성되어 있다. 유지면은 다공성 세라믹 등의 다공질 부재에 의해 형성되고, 유지면은 도시하지 않은 흡인원에 접속되어 있다. 유지 테이블(2) 상에 배치된 웨이퍼(W)는 유지면에 발생하는 부압에 의해 흡인 유지된다. 또한, 유지 테이블(2)의 하면 중앙에는, 전동 모터(20)의 구동축(21)의 상단부가 고정되어 있다. 이에 의해, 유지 테이블(2)은 전동 모터(20)의 회전력을 받아 회전 가능하게 구성된다. Next, a protective film forming apparatus according to the present embodiment will be described. 3, the protective film forming apparatus 1 is disposed on the upper surface of the holding table 2 and includes a resin sheet 10 on the surface of a wafer W held by a plurality of clamp means 3, (See Fig. 2). A holding surface for sucking and holding the wafer W is formed on the upper surface of the holding table 2. The holding table 2 is formed in a disc shape. The holding surface is formed by a porous member such as porous ceramics, and the holding surface is connected to a suction source (not shown). The wafer W placed on the holding table 2 is sucked and held by the negative pressure generated on the holding surface. The upper end of the drive shaft 21 of the electric motor 20 is fixed to the center of the lower surface of the holding table 2. Thereby, the holding table 2 is configured to be rotatable by receiving the rotational force of the electric motor 20.

또한, 유지 테이블(2)의 외주에는, 복수(예컨대 4개)의 클램프 수단(3)이, 유지 테이블(2)의 둘레 방향으로 등간격으로 나란히 설치되어 있다. 클램프 수단(3)은 링 프레임(F)의 상하면을 클램프하도록 구성되어 있고, 유지 테이블(2)의 외주면으로부터 돌출하는 아암(30)에 클램프 기구(31)를 부착하여 구성된다. 클램프 기구(31)는, 유지 테이블(2)의 둘레 방향(수평 방향)으로 회전축(도시하지 않음)을 갖는 원기둥형의 구동 기구(32)와, 링 프레임(F)의 하면[유지 테이프(T)]을 지지하는 고정 지지부(33)와, 링 프레임(F)의 상면을 지지하는 가동 지지부(34)에 의해 구성된다.A plurality of (for example, four) clamping means 3 are provided at equal intervals in the circumferential direction of the holding table 2 on the outer periphery of the holding table 2. The clamp means 3 is constituted to clamp the upper and lower surfaces of the ring frame F and is constituted by attaching the clamp mechanism 31 to the arm 30 projecting from the outer peripheral surface of the holding table 2. The clamping mechanism 31 includes a cylindrical drive mechanism 32 having a rotation axis (not shown) in the circumferential direction (horizontal direction) of the holding table 2 and a drive mechanism And a movable support portion 34 for supporting the upper surface of the ring frame F. The movable support portion 34 supports the upper surface of the ring frame F,

구동 기구(32)는, 예컨대, 에어 구동의 로터리 액추에이터로 구성된다. 고정 지지부(33)는 수평 방향으로 연장되는 장척체(長尺體)로 형성된다. 고정 지지부(33)는 선단 부분이 [구동 기구(32)의 외주면으로부터] 유지 테이블(2)의 직경 방향 내측으로 돌출되도록, 구동 기구(32)의 양측면에 하나씩 부착된다. 가동 지지부(34)는 측면에서 보아 L자형으로 형성되고, 일단이 구동 기구(32)의 회전축에 고정되어 있다. 가동 지지부(34)는, 구동 기구(32)의 구동에 의해, 링 프레임(F)을 협지(挾持)하는 협지 위치[고정 지지부(33)의 선단과 가동 지지부(34)의 선단이 대향하는 위치]와 고정 지지부(33)로부터 퇴피한 퇴피 위치 사이에서 개폐 가능하게 되어 있다. 이와 같이, 클램프 기구(31)는 고정 지지부(33)와 가동 지지부(34) 사이에서 링 프레임(F)[웨이퍼(W)]을 클램프하는 것이 가능하게 되어 있다.The drive mechanism 32 is constituted by, for example, an air driven rotary actuator. The fixed support portion 33 is formed as a long body extending in the horizontal direction. The fixed support portions 33 are attached to both sides of the drive mechanism 32 one by one so that the tip portions thereof project from the outer circumferential surface of the drive mechanism 32 inward in the radial direction of the holding table 2. [ One end of the movable support portion 34 is fixed to the rotation axis of the drive mechanism 32. The movable support portion 34 is supported by a drive mechanism 32 such that the distal end of the fixed support portion 33 and the distal end of the movable support portion 34 oppose each other And the retracted position retracted from the stationary support portion 33. As shown in Fig. Thus, the clamp mechanism 31 is capable of clamping the ring frame F (wafer W) between the fixed support portion 33 and the movable support portion 34. [

또한, 유지 테이블(2)의 상방에는, 웨이퍼(W)의 표면에 수지 시트(10)를 배치하는 배치 수단(4)이 설치되어 있다. 배치 수단(4)은, 수지 시트(10)의 일단을 잡아 유지하는 수지 시트 유지 수단(40)과, 수지 시트 유지 수단(40)을 수평 방향으로 이동시키는 이동 수단(41)을 포함하여 구성된다. 이동 수단(41)은, 유지 테이블(2)의 상방에서 수평 방향으로 연장되는 가이드 레일(42)과, 가이드 레일(42)을 따라 이동 가능한 이동 블록(43)을 포함하여 구성된다. 이동 블록(43)은, 도시하지 않은 구동 기구가 구동됨으로써, 가이드 레일(42)을 따라 수평 방향으로 이동된다.Arrangement means 4 for disposing the resin sheet 10 on the surface of the wafer W is provided above the holding table 2. The positioning means 4 includes a resin sheet holding means 40 for holding and holding one end of the resin sheet 10 and a moving means 41 for moving the resin sheet holding means 40 in the horizontal direction . The moving means 41 includes a guide rail 42 extending in the horizontal direction above the holding table 2 and a moving block 43 movable along the guide rail 42. The moving block 43 is moved in the horizontal direction along the guide rail 42 by driving a drive mechanism (not shown).

수지 시트 유지 수단(40)은, 이동 블록(43)으로부터 하방으로 연장되는 아암부(44)의 선단에, 수평 방향으로 연장되는 한 쌍의 유지 클로(claw)(45a, 45b)를 설치하여 구성된다. 아암(30)은 상하 방향으로 신축 가능하게 구성된다. 한 쌍의 유지 클로(45a, 45b)는 상하로 대향하도록 설치되고, 하측의 유지 클로(45a)는 아암부(44)에 고정되어 있다. 상측의 유지 클로(45b)는 상하로 이동 가능하게 구성되어 있고, 하측의 유지 클로(45a)에 대해 상측의 유지 클로(45b)를 접근시킴으로써, 수지 시트(10)의 일단을 잡아 유지하는 것이 가능해진다. 배치 수단(4)에서는, 수지 시트(10)를 유지한 상태로 수지 시트 유지 수단(40)을 수평 이동시키면서 아암부(44)를 신축시킴으로써, 수지 시트(10)를 웨이퍼(W)의 표면의 소정 위치에 배치할 수 있다. 배치 수단(4)의 동작에 대해서는 후술한다. The resin sheet holding means 40 is constituted by providing a pair of holding claws 45a and 45b extending in the horizontal direction on the tip of the arm portion 44 extending downward from the moving block 43 do. The arm 30 is configured to be stretchable in the vertical direction. The pair of retaining claws 45a and 45b are vertically opposed to each other and the lower retaining claw 45a is fixed to the arm portion 44. [ The upper holding claw 45b is vertically movable so that one end of the resin sheet 10 can be held by holding the upper holding claw 45b closer to the lower holding claw 45a It becomes. The arrangement means 4 is capable of stretching and contracting the arm portion 44 while horizontally moving the resin sheet holding means 40 while holding the resin sheet 10 so that the resin sheet 10 is pressed against the surface of the wafer W It can be disposed at a predetermined position. The operation of the placement means 4 will be described later.

또한, 상세한 것은 후술하지만, 보호 피막 형성 장치(1)는 수지 시트(10)가 배치된 후의 웨이퍼(W)를 향해 에어를 분사하는 에어 분사 노즐(5)을 갖고 있다(도 5 참조). 웨이퍼(W)[수지 시트(10)]를 향해 에어가 분사됨으로써, 수지 시트(10)의 보호 수지(12)(도 2 참조)가 웨이퍼(W)의 표면에 밀착된다. The protective film forming apparatus 1 has an air jetting nozzle 5 for jetting air toward the wafer W after the resin sheet 10 has been placed (see FIG. 5). Air is sprayed toward the wafer W (resin sheet 10), whereby the protective resin 12 (see Fig. 2) of the resin sheet 10 is brought into close contact with the surface of the wafer W.

이와 같이 구성되는 보호 피막 형성 장치(1)에서는, 유지 테이블(2)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면에, 배치 수단(4)에 의해 수지 시트(10)가 배치된다. 수지 시트(10)가 배치된 후, 수지 시트(10)를 향해 에어가 분사된다. 이에 의해, 수지 시트(10)의 보호 수지(12)가 웨이퍼(W)의 표면에 밀착하여, 수지 시트(10)가 웨이퍼(W)에 접착된다. 수지 시트(10)가 접착된 후, 박리 시트(11)를 박리함으로써, 보호 피막을 구성하는 보호 수지(12)가 웨이퍼(W)의 표면에 전사된다. 그리고, 유지 테이블(2)을 회전시킴으로써, 보호 수지가 건조되어 경화한다. 이상에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 수지 시트(10)[보호 수지(12)]의 두께에 상응하는 보호 피막을 형성할 수 있다. 이와 같이, 웨이퍼(W)의 표면에 보호 피막이 피복됨으로써, 레이저 가공에 의해 발생하는 데브리스가 웨이퍼(W)의 표면에 부착되는 것을 방지할 수 있다. In the protective film forming apparatus 1 configured as above, the resin sheet 10 is disposed on the surface of the wafer W held by the holding table 2 by the positioning means 4. [ After the resin sheet 10 is disposed, air is injected toward the resin sheet 10. [ Thereby, the protective resin 12 of the resin sheet 10 is brought into close contact with the surface of the wafer W, and the resin sheet 10 is bonded to the wafer W. The protective resin 12 constituting the protective film is transferred onto the surface of the wafer W by peeling the release sheet 11 after the resin sheet 10 is adhered. By rotating the holding table 2, the protective resin is dried and cured. Thus, a protective film corresponding to the thickness of the resin sheet 10 (protective resin 12) can be formed on the surface of the wafer W. [ As described above, the protective film is coated on the surface of the wafer W, so that the debris generated by the laser processing can be prevented from adhering to the surface of the wafer W.

다음으로, 도 4 내지 도 6을 참조하여, 본 실시형태에 따른 보호 피막의 피복 방법에 대해 설명한다. 도 4는 본 실시형태에 따른 수지 시트 배치 공정의 일례를 도시한 도면이다. 도 4에서는, 설명의 편의상, 지면(紙面) 우측을 수지 시트(웨이퍼, 유지 테이블을 포함함)의 일단측으로 하고, 지면 좌측을 수지 시트의 타단측으로 한다. 도 5는 본 실시형태에 따른 접착 공정의 일례를 도시한 도면이다. 도 6은 본 실시형태에 따른 경화 공정의 일례를 도시한 도면이다. 본 실시형태에 따른 보호 피막의 피복 방법은, 웨이퍼의 표면에 수지 시트를 배치하여 웨이퍼의 표면 전역을 덮는 수지 시트 배치 공정과, 웨이퍼의 표면에 수지 시트를 접착하는 접착 공정과, 수지 시트(보호 수지)를 경화시키는 경화 공정에 의해 구성된다. 이하, 본 실시형태에 따른 보호 피막의 피복 방법의 각 공정에 대해 설명한다. Next, with reference to Figs. 4 to 6, a method for coating a protective coating according to the present embodiment will be described. 4 is a diagram showing an example of the resin sheet arranging step according to the present embodiment. In Fig. 4, for convenience of explanation, the right side of the sheet is the one end side of the resin sheet (including the wafer and the holding table), and the left side of the sheet is the other side of the resin sheet. Fig. 5 is a view showing an example of an adhering step according to the present embodiment. 6 is a diagram showing an example of a curing process according to the present embodiment. A protective film coating method according to the present embodiment is a method of coating a protective film comprising a resin sheet placing step of placing a resin sheet on the surface of a wafer and covering the entire surface of the wafer, a bonding step of bonding the resin sheet to the surface of the wafer, Resin) is cured. Hereinafter, each step of the method for coating a protective film according to the present embodiment will be described.

도 4에 도시한 바와 같이, 먼저, 수지 시트 배치 공정이 실시된다. 웨이퍼(W)는, 볼록부(B)를 위로 향하게 하여 유지 테이프(T)를 통해 링 프레임(F)에 지지된 상태로, 유지 테이블(2)의 유지면 상에 흡인 유지되어 있다. 이때, 링 프레임(F) 및 유지 테이프(T)의 일부는 고정 지지부(33)와 가동 지지부(34) 사이에 협지되어 있다. 배치 수단(4)에서는, 수지 시트 유지 수단(40)에 의해 수지 시트(10)의 일단측이 유지된다. 또한, 수지 시트(10)의 타단측이 웨이퍼(W)[유지 테이블(2)]의 타단측에 위치하도록, 수지 시트 유지 수단(40)의 수평 방향의 위치 및 한 쌍의 유지 클로(45)의 높이 위치[아암부(44)의 길이]가 조정된다.As shown in Fig. 4, first, a resin sheet arranging step is performed. The wafer W is attracted and held on the holding surface of the holding table 2 in a state where the wafer W is supported by the ring frame F via the holding tape T with the convex portion B facing upward. At this time, a part of the ring frame F and the holding tape T are sandwiched between the fixed support portion 33 and the movable support portion 34. In the placing means 4, one end side of the resin sheet 10 is held by the resin sheet holding means 40. The position of the resin sheet holding means 40 in the horizontal direction and the position of the pair of holding claws 45 are set so that the other end side of the resin sheet 10 is positioned at the other end side of the wafer W (holding table 2) (The length of the arm portion 44) is adjusted.

배치 수단(4)은, 수지 시트(10)의 타단을 웨이퍼(W)의 타단에 접촉시킨 후, 수지 시트(10)의 일단을 유지한 상태에서 한 쌍의 유지 클로(45)의 높이 위치를 내리면서[아암부(44)를 신장시키면서), 이동 블록(43)을 가이드 레일(42)을 따라 타단측으로부터 일단측을 향해 이동시킨다. 이에 의해, 수지 시트(10)는 수지 시트(10)의 중심과 웨이퍼(W)의 중심이 위치 맞춤되어, 보호 수지(12)를 하방으로 향하게 한 상태로, 웨이퍼(W)의 표면에 배치된다. 도 4에 도시한 상태에서는, 보호 수지(12)의 표면이 볼록부(B)의 정점에 접촉하고 있어, 보호 수지(12)와 웨이퍼(W) 사이에는, 볼록부(B)의 높이분만큼 간극이 발생하고 있다. The positioning means 4 is a means for positioning the pair of holding claws 45 in a state in which one end of the resin sheet 10 is held after the other end of the resin sheet 10 is brought into contact with the other end of the wafer W The movable block 43 is moved along the guide rail 42 from the other end side toward the other end side while lowering the arm portion 44 (while stretching the arm portion 44). The resin sheet 10 is disposed on the surface of the wafer W with the center of the resin sheet 10 and the center of the wafer W being aligned with the protective resin 12 facing downward . 4, the surface of the protective resin 12 is in contact with the apex of the convex portion B, and a gap is formed between the protective resin 12 and the wafer W by the height of the convex portion B A gap is generated.

다음으로, 접착 공정이 실시된다. 먼저, 접착 공정에 필요한 구성에 대해 설명한다. 도 5에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 상방에는, 수지 시트(10)를 향해 에어를 분사하는 에어 분사 노즐(5)이 설치되어 있다. 에어 분사 노즐(5)은 에어 공급원(50)에 접속되어 있다. 에어 분사 노즐(5)은, 유지 테이블(2)의 외주측 상방에 있어서, 수직 방향으로 연장되는 수직부(5a)와, 수직부(5a)의 하단으로부터 수평 방향으로 연장되는 수평부(5b)에 의해 대략 L자형으로 형성되어 있다. 수평부(5b)의 선단은 하방을 향해 굴곡되어 있고, 굴곡된 선단 부분으로부터 수지 시트(10)를 향해 에어가 분사된다. 또한, 수직부(5a)의 상단에는, 회전 모터(51)가 설치되어 있다. 회전 모터(51)의 구동에 의해, 에어 분사 노즐(5)은 웨이퍼(W)의 상방에서 수직부(5a)를 축으로 선회된다. Next, an adhesion step is carried out. First, the configuration necessary for the bonding process will be described. As shown in Fig. 5, an air jet nozzle 5 for jetting air toward the resin sheet 10 is provided above the wafer W. As shown in Fig. The air injection nozzle 5 is connected to an air supply source 50. The air injection nozzle 5 has a vertical portion 5a extending in the vertical direction above the outer peripheral side of the holding table 2 and a horizontal portion 5b extending in the horizontal direction from the lower end of the vertical portion 5a, Like shape. The tip of the horizontal portion 5b is bent downward, and air is blown toward the resin sheet 10 from the bent tip portion. A rotary motor 51 is provided at an upper end of the vertical portion 5a. The air injection nozzle 5 is pivoted about the vertical portion 5a from above the wafer W by driving the rotary motor 51. [

접착 공정에서는, 에어 분사 노즐(5)을 선회시키면서 에어가 웨이퍼(W)의 전역에 걸쳐 분사된다. 이에 의해, 수지 시트(10)는 에어의 분사력에 의해 웨이퍼(W)를 향해 밀어붙여진다. 이 결과, 젤형의 보호 수지(12)는 볼록부(B)의 형상을 따라 약간 변형하면서 간극 없이 웨이퍼(W)의 표면에 밀착(접착)된다. 그리고, 박리 시트(11)를 박리함으로써, 보호 수지(12)가 웨이퍼(W)의 표면에 전사된다. 한편, 박리 시트(11)는 박리되지 않아도 좋다. In the adhering step, the air is injected over the whole area of the wafer W while the air injection nozzle 5 is turned. Thereby, the resin sheet 10 is pushed toward the wafer W by the jetting force of the air. As a result, the gel-like protective resin 12 is adhered (adhered) to the surface of the wafer W without a gap, while slightly deforming along the shape of the convex portion B. Then, the protective resin 12 is transferred to the surface of the wafer W by peeling off the release sheet 11. On the other hand, the peeling sheet 11 may not be peeled off.

다음으로, 경화 공정이 실시된다. 도 6에 도시한 바와 같이, 경화 공정에서는, 유지 테이블(2)이 회전됨으로써, 보호 수지(12)가 경화된다. 이에 의해, 보호 수지(12)의 두께에 상응하는 보호 피막이 웨이퍼(W)의 표면에 형성된다. 또한, 웨이퍼(W)의 상방에 설치된 팬(6)에 의해, 보호 수지(12)에 바람을 내뿜음으로써, 보호 수지(12)를 건조시켜도 좋다.Next, a curing process is performed. As shown in Fig. 6, in the curing step, the holding table 2 is rotated, whereby the protective resin 12 is cured. Thereby, a protective coating corresponding to the thickness of the protective resin 12 is formed on the surface of the wafer W. [ The protective resin 12 may be dried by blowing air to the protective resin 12 by the fan 6 provided above the wafer W. [

이상과 같이, 본 실시형태에 따른 보호 피막의 피복 방법에 의하면, 웨이퍼(W)의 표면에 수지 시트(10)가 배치된 후, 수지 시트(10)가 웨이퍼(W)의 표면 전역에 밀착됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 수지 시트(10)[보호 수지(12)]의 두께에 상응하는 보호 피막을 형성할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 표면 형상에 관계없이, 예컨대, 표면에 범프 등의 볼록부가 형성된 웨이퍼(W)라도, 웨이퍼(W)의 표면 전역에 균일한 두께의 보호 피막을 형성할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 형상에 맞춘 수지 시트(10)를 이용함으로써, 필요 최저한의 보호 수지(12)의 양으로 보호 피막을 형성할 수 있어, 보호 수지(12)를 절약할 수 있다.As described above, according to the covering method of the protective coating according to the present embodiment, after the resin sheet 10 is disposed on the surface of the wafer W, the resin sheet 10 is brought into close contact with the entire surface of the wafer W , A protective film corresponding to the thickness of the resin sheet 10 (protective resin 12) can be formed on the surface of the wafer W. Therefore, a protective film having a uniform thickness can be formed over the entire surface of the wafer W, regardless of the surface shape of the wafer W, even if the wafer W has a convex portion such as a bump on the surface thereof. In addition, by using the resin sheet 10 conforming to the shape of the wafer W, it is possible to form the protective film with the required minimum amount of the protective resin 12, and the protection resin 12 can be saved.

다음으로, 도 7을 참조하여, 제1 변형예에 따른 접착 공정에 대해 설명한다. 도 7은 제1 변형예에 따른 접착 공정을 도시한 도면이다. 제1 변형예에서는, 수지 시트(보호 수지)의 열가소성을 이용하여 웨이퍼에 밀착시키는 점에서, 본 실시형태와 상이하다. 한편, 이하의 설명에서는, 동일 명칭의 구성을 동일한 부호로 나타내고 있다.Next, with reference to Fig. 7, the bonding process according to the first modification will be described. 7 is a view showing an adhering step according to the first modification. The first modification is different from the present embodiment in that the resin is adhered to the wafer by utilizing the thermoplasticity of the resin sheet (protective resin). In the following description, the same names are denoted by the same reference numerals.

도 7에 도시한 바와 같이, 유지 테이블(2)의 상방에는, 웨이퍼(W)의 표면 전역을 덮도록 히터(7)가 설치되어 있다. 또한, 제1 변형예에 따른 수지 시트(10)는 박리 시트를 구비하지 않고 필름형의 보호 수지(12)만으로 구성된다. 제1 변형예에 따른 접착 공정에서는, 히터(7)가 발열함으로써, 수지 시트(10)[보호 수지(12)]가 가열된다. 보호 수지(12)는, 열가소성을 갖고 있기 때문에, 가열됨으로써 용융된다. 이에 의해, 보호 수지(12)는 볼록부(B)의 형상을 따라 약간 변형하면서 간극 없이 웨이퍼(W)의 표면에 밀착(접착)된다. 그리고, 본 실시형태와 마찬가지로 경화 공정이 실시됨으로써, 보호 피막이 형성된다. 이와 같이, 제1 변형예에서도, 웨이퍼(W)의 표면에 수지 시트(10)[보호 수지(12)]의 두께에 상응하는 보호 피막을 형성할 수 있다.7, a heater 7 is provided above the holding table 2 so as to cover the entire surface of the wafer W. As shown in Fig. In addition, the resin sheet 10 according to the first modified example does not have a release sheet but consists of only the protective resin 12 of film type. In the adhering step according to the first modified example, the heater 7 generates heat, whereby the resin sheet 10 (the protective resin 12) is heated. Since the protective resin 12 has thermoplasticity, it is melted by heating. As a result, the protective resin 12 is adhered (adhered) to the surface of the wafer W without a gap, while slightly deforming along the shape of the convex portion B. [ Then, a protective film is formed by performing a hardening step in the same manner as in the present embodiment. As described above, also in the first modification, a protective coating corresponding to the thickness of the resin sheet 10 (protective resin 12) can be formed on the surface of the wafer W.

또한, 이하와 같은 변형예도 가능하다. 도 8을 참조하여, 제2 변형예에 따른 접착 공정에 대해 설명한다. 도 8은 제2 변형예에 따른 접착 공정을 도시한 도면이다. 제2 변형예에서는, 수지 시트(보호 수지)의 수용성을 이용하여 웨이퍼에 밀착시키는 점에서, 본 실시형태와 상이하다.The following modifications are also possible. With reference to Fig. 8, the bonding process according to the second modification will be described. 8 is a view showing an adhering step according to the second modification. The second modified example is different from the present embodiment in that the resin sheet (protective resin) is adhered to the wafer by utilizing the water-solubility.

도 8에 도시한 바와 같이, 유지 테이블(2)의 상방에는, 웨이퍼(W)의 표면[수지 시트(10)]을 향해 물을 분사하는 물 분사 노즐(8)이 설치되어 있다. 또한, 제2 변형예에 따른 수지 시트(10)도 제1 변형예와 마찬가지로, 박리 시트를 구비하지 않고 필름형의 보호 수지(12)만으로 구성된다. 제2 변형예에 따른 접착 공정에서는, 물 분사 노즐(8)로부터 수지 시트(10)의 전역에 걸쳐 물이 분사된다. 보호 수지(12)는, 수용성 수지이기 때문에, 분사된 물을 흡수함으로써 유동성을 갖는다. 이에 의해, 보호 수지(12)는 볼록부(B)의 형상을 따라 유동하면서 간극 없이 웨이퍼(W)의 표면에 밀착(접착)된다. 그리고, 본 실시형태와 마찬가지로 경화 공정이 실시됨으로써, 보호 피막이 형성된다. 이와 같이, 제2 변형예에서도, 웨이퍼(W)의 표면에 수지 시트(10)[보호 수지(12)]의 두께에 상응하는 보호 피막을 형성할 수 있다.A water jetting nozzle 8 for jetting water toward the surface of the wafer W (the resin sheet 10) is provided above the holding table 2 as shown in Fig. Also, the resin sheet 10 according to the second modified example is not constituted of a release sheet and is composed of only the film-shaped protective resin 12, as in the first modification. In the adhering step according to the second modification, water is sprayed from the water injection nozzle 8 over the entire area of the resin sheet 10. Since the protective resin 12 is a water-soluble resin, the protective resin 12 has fluidity by absorbing the injected water. Thereby, the protective resin 12 is adhered (adhered) to the surface of the wafer W without gaps while flowing along the shape of the convex portion B. Then, a protective film is formed by performing a hardening step in the same manner as in the present embodiment. As described above, also in the second modification, a protective film corresponding to the thickness of the resin sheet 10 (protective resin 12) can be formed on the surface of the wafer W.

한편, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 여러 가지로 변경하여 실시하는 것이 가능하다. 상기 실시형태에 있어서, 첨부 도면에 도시되어 있는 크기나 형상 등에 대해서는, 이것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 발휘하는 범위 내에서 적절하게 변경하는 것이 가능하다. 그 외, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절하게 변경하여 실시하는 것이 가능하다. On the other hand, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made. In the above-described embodiment, the size, shape and the like shown in the accompanying drawings are not limited to this, and it is possible to appropriately change them within the range of exerting the effect of the present invention. In addition, as long as the scope of the object of the present invention is not deviated, it can be appropriately changed and carried out.

예컨대, 상기 실시형태에 있어서, 배치 수단(4)은, 수지 시트(10)의 일단을 잡고 수평 방향으로 슬라이드시킴으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 수지 시트(10)를 배치하는 구성으로 하였으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 배치 수단(4)은 웨이퍼(W)의 표면에 수지 시트(10)를 배치할 수 있으면 어떻게 구성되어도 좋다. 예컨대, 수지 시트(10)의 박리 시트측을 위로 향하게 한 상태에서 박리 시트를 흡착 테이블로 흡인 유지하고, 웨이퍼(W)의 상방에 흡착 테이블을 위치시킨 후, 흡착 테이블을 강하시켜 보호 수지(12)를 웨이퍼(W)의 표면에 접촉시켜도 좋다. 이 경우, 수지 시트(10)의 흡인 유지를 해제함으로써 수지 시트(10)를 웨이퍼(W)의 표면에 배치할 수 있다. For example, in the above embodiment, the arrangement means 4 has a configuration in which the resin sheet 10 is arranged on the surface of the wafer W by holding one end of the resin sheet 10 and sliding it in the horizontal direction, But is not limited to the configuration. The arrangement means 4 may be constructed as long as the resin sheet 10 can be disposed on the surface of the wafer W. [ For example, the release sheet is sucked and held on the suction table with the release sheet side of the resin sheet 10 facing upward. After positioning the suction table above the wafer W, the suction table is lowered to form the protective resin 12 ) May be brought into contact with the surface of the wafer W. In this case, the resin sheet 10 can be disposed on the surface of the wafer W by releasing the suction holding of the resin sheet 10.

또한, 상기 실시형태에서는, 수지 시트 배치 공정과 접착 공정을 따로따로 실시하는 구성으로 하였으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 예컨대, 수지 시트(10)를 롤형으로 구성하고, 이송 롤러로 수지 시트(10)를 웨이퍼(W)의 표면으로 보내며, 웨이퍼(W)의 상방에 설치되는 누름 롤러로 수지 시트(10)를 웨이퍼(W)의 표면을 향해 압박해도 좋다. 이 경우, 수지 시트 배치 공정과 접착 공정을 동시에 실시할 수 있어, 보호 피막의 피복 방법을 간략화할 수 있다. In the above embodiment, the resin sheet arranging step and the adhering step are separately performed, but the present invention is not limited to this configuration. For example, the resin sheet 10 is formed in a roll shape, and the resin sheet 10 is fed to the surface of the wafer W by a conveying roller, and the resin sheet 10 is pressed onto the wafer W by a press roller provided above the wafer W. [ Or may be pressed toward the surface of the wafer W. In this case, the resin sheet arranging step and the adhering step can be performed at the same time, and the method of covering the protective coating can be simplified.

또한, 상기한 실시형태에 있어서, 보호 피막의 피복 방법은, 보호 피막 형성 장치(1)에 의해 실시되는 구성으로 하였으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 보호 피막의 피복 방법은 작업자에 의해 실시되어도 좋다. In the above embodiment, the protective film coating method is implemented by the protective film forming apparatus 1, but the present invention is not limited to this configuration. The method of covering the protective film may be carried out by an operator.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 웨이퍼의 표면 형상에 관계없이 웨이퍼의 표면에 보호 피막을 균일하게 형성할 수 있다고 하는 효과를 가지며, 특히, 범프 등의 볼록부가 표면에 형성된 웨이퍼를 피복하는 보호 피막의 피복 방법에 유용하다.INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, the present invention has the effect of uniformly forming a protective film on the surface of a wafer irrespective of the surface shape of the wafer. Particularly, the protective film covering the wafer formed with convex portions such as bumps It is useful for coating methods.

W: 웨이퍼 10: 수지 시트W: Wafer 10: Resin sheet

Claims (1)

수지에 의해 판형의 웨이퍼의 표면에 보호 피막을 형성하는 보호 피막의 피복 방법으로서,
필름형의 수지 시트로 상기 표면의 전면(全面)을 덮는 수지 시트 배치 공정과,
상기 수지 시트 배치 공정에서 상기 표면의 전면을 덮은 상기 수지 시트를 상기 표면에 밀착시켜 상기 수지 시트를 접착하는 접착 공정과,
상기 접착 공정을 거친 상기 수지 시트를 경화시키는 경화 공정
을 포함하는 보호 피막의 피복 방법.1. A method for coating a protective film on a surface of a wafer of a plate shape by a resin,
A resin sheet arranging step of covering the entire surface of the surface with a film-shaped resin sheet;
An adhesion step of adhering the resin sheet by bringing the resin sheet covering the front surface of the surface into close contact with the surface in the resin sheet arranging step,
A curing step of curing the resin sheet after the bonding step
≪ / RTI >
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