KR102400205B1 - 닦아내기용 장치 및 적층체의 제작 장치 - Google Patents
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- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B11/00—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto
Abstract
본 발명은 부착되는 실재(30a)를 닦아냄으로써 필름 접합 시의 폐해를 없애는 것을 목적으로 한다.
시트형 부재(220)를 지지하는 스테이지(230)와, 상기 시트형 부재(220)의 외주부에 부착된 부착물(30a)을 닦아내는 닦아내기용 수단(210)과, 상기 닦아내기용 수단(210)에 착탈 자재하게 장착되는 닦아내기용 천(241)과, 상기 닦아내기용 천(241)에 부착되는 용제(261)를 갖고, 상기 닦아내기용 수단(210)은 상기 닦아내기용 천(241)을 장착하고, 상기 닦아내기용 천(241)에 상기 용제(261)를 부착하고, 상기 부착물(30a)을 닦아내는 닦아내기용 장치(200), 또는 이러한 닦아내기용 장치(200)를 갖는 적층체의 제작 장치(1000)를 특징으로 한다.
시트형 부재(220)를 지지하는 스테이지(230)와, 상기 시트형 부재(220)의 외주부에 부착된 부착물(30a)을 닦아내는 닦아내기용 수단(210)과, 상기 닦아내기용 수단(210)에 착탈 자재하게 장착되는 닦아내기용 천(241)과, 상기 닦아내기용 천(241)에 부착되는 용제(261)를 갖고, 상기 닦아내기용 수단(210)은 상기 닦아내기용 천(241)을 장착하고, 상기 닦아내기용 천(241)에 상기 용제(261)를 부착하고, 상기 부착물(30a)을 닦아내는 닦아내기용 장치(200), 또는 이러한 닦아내기용 장치(200)를 갖는 적층체의 제작 장치(1000)를 특징으로 한다.
Description
본 발명은, 예를 들어, 반도체 장치, 표시 장치, 발광 장치, 축전 장치, 발전 장치 등의 적층체를 제작하는 경우에 부착된 부착물을 닦아내는 닦아내기용 장치, 또는 적층체의 제작 장치에 관한다.
근년, 가요성을 갖는 기판(이하, 가요성 기판이라고도 표기함) 위에 반도체 소자, 표시 소자, 발광 소자 등의 기능 소자가 제공된 플렉시블 디바이스의 개발이 진행되고 있다. 플렉시블 디바이스의 대표적인 예로서는, 조명 장치, 화상 표시 장치 외에, 트랜지스터 등의 반도체 소자를 갖는 다양한 반도체 회로 등을 들 수 있다.
가요성 기판을 사용한 장치의 제작 방법으로서는, 유리 기판이나 석영 기판 등의 기판 위에 박막 트랜지스터나 유기 EL 소자 등의 기능 소자를 제작한 후, 가요성 기판에 상기 기능 소자를 전치(轉置)하는 기술이 개발되고 있다. 이 방법에서는, 기판으로부터 기능 소자를 포함하는 피(被)박리층을 박리하는 박리 공정이 필요하다.
예를 들어, 특허문헌 1에 개시(開示)되어 있는 레이저 어블레이션(laser ablation)을 사용한 박리 기술에서는, 우선 기판 위에 텅스텐을 포함하는 층과 산화 텅스텐을 포함하는 층 등으로 이루어지는 박리층을 제공하고, 박리층 위에 박막 소자로 이루어지는 피박리층을 제공하고, 피박리층을 접착층에 의하여 전사체(轉寫體)에 접착시킨다. 그리고, 레이저광의 조사에 의하여 박리층을 어블레이션시킴으로써 박리층에 박리를 발생시킨다.
가요성을 갖는 기판을 사용한 발광 장치의 제작 방법으로서는, 유리 기판이나 석영 기판 등의 기판 위에 박리층을 형성하고, 상기 박리층 위에 박막 트랜지스터 등의 반도체 소자를 제작한 후, 다른 기판(예를 들어, 가요성을 갖는 기판)으로 반도체 소자를 전치하는 기술이 개발되고 있다(특허문헌 1 참조).
그런데, 후술하는 도 5의 (A-1), (A-2) 및 도 7의 (A-1), (A-2)에 나타낸 가공 부재(90)를 제작하는 경우, 상부의 제 1 기판(11)(유리 기판 등), 그 하방의 텅스텐을 포함하는 층과 산화 텅스텐을 포함하는 층 등으로 이루어지는 제 1 박리층(12), 및 그 하방의 박막 소자로 이루어지는 제 1 피박리층(13)과, 하부의 제 2 기판(21)(유리 기판 등), 그 상방의 텅스텐을 포함하는 층과 산화 텅스텐을 포함하는 층 등으로 이루어지는 제 2 박리층(22), 및 그 상방의 박막 소자로 이루어지는 제 2 피박리층(23)을 접합층(30)을 개재(介在)하여 압착하면 접합층(30)의 실재의 일부가 흘러나와 하부의 제 2 기판(21)과 제 2 피박리층(23)의 외주부의 1변 내지 4변 중 어느 1변 또는 복수의 변에 부착되는 경우가 있다(도 5의 (A-1)에 나타낸 파선 영역의 실재(30a) 참조).
이러한 경우, 도 5의 (C)에 나타낸 바와 같이 상부의 제 1 기판(11) 등을 박리하면, 하부의 제 2 기판(21)과 제 2 피박리층(23)의 외주부의 1변 내지 4변 중 어느 1변 또는 복수의 변 위에 실재가 잔존하게 된다.
따라서, 그대로의 상태로 도 5의 (D-1)에 나타낸 바와 같이 제 2 기판(21), 제 2 박리층(22), 및 제 2 피박리층(23)(제 1 잔부(殘部) 및 시트형 부재에 상당함) 위에 제 1 접착층(31)을 형성하면, 잔존한 실재(30a)에 의하여 외주부의 1변 내지 4변 중 어느 1변 또는 복수의 변 위에 단차가 생긴다(예를 들어, 도 5의 (D-1)에 파선으로 나타낸 부풀어 오른 부분(31a) 참조).
그러면, 그 후, 도 5의 (E-1)에 나타낸 바와 같이 제 1 접착층(31) 상면에 필름상의 제 1 지지체(41)를 롤러를 사용하여 압착하는 경우에, 롤러가 단차의 영향으로 인하여 제 1 지지체(41)를 균일하게 접합할 수 없게 된다.
본 발명은, 부착된 부착물인 실재를 닦아냄으로써 제 1 지지체를 압착하는 경우의 폐해를 없애는 것을 목적으로 한다. 또한, 기판 위에 형성된 기능 소자 등의 구조물 및 가요성 기판으로 이루어지는 적층체를 단시간에 또한 적절하게 박리하고 전치할 수 있는 적층체의 제작 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 이들의 과제의 기재는, 다른 과제의 존재를 방해하는 것은 아니다.
본 발명의 일 형태는, 시트형 부재를 지지하는 스테이지와, 상기 시트형 부재의 외주부에 부착된 부착물을 닦아내는 닦아내기용 수단과, 상기 닦아내기용 수단에 착탈 자재하게 장착되는 닦아내기용 천과, 상기 닦아내기용 천에 부착되는 용제를 갖고, 상기 닦아내기용 수단은 상기 닦아내기용 천을 장착하고, 상기 닦아내기용 천에 상기 용제를 부착하고, 상기 부착물을 닦아내는 닦아내기용 장치이다.
본 발명의 다른 일 형태는, 가공 부재를 공급하는 제 1 공급 유닛과, 제 1 및 제 2 지지체를 공급하는 지지체 공급 유닛과, 상기 가공 부재의 한쪽 표면을 박리하고 제 1 잔부를 분리하는 제 1 분리 유닛과, 상기 제 1 잔부를 세정하는 제 1 세정 장치와, 상기 제 1 지지체를 상기 제 1 잔부에 제 1 접착층을 사용하여 접합하는 제 1 접합 유닛과, 상기 제 1 잔부 및 상기 제 1 접착층으로 접합된 상기 제 1 지지체를 갖는 제 1 적층체를 적출(積出)하는 제 1 적출 유닛과, 상기 제 1 적층체를 공급하는 제 2 공급 유닛과, 상기 제 1 잔부 및 제 1 지지체의 단부 근방에 박리의 기점을 형성하는 기점 형성 유닛과, 상기 제 1 적층체의 한쪽 표면을 박리하고 제 2 잔부를 분리하는 제 2 분리 유닛과, 상기 제 2 지지체를 상기 제 2 잔부에 제 2 접착층을 사용하여 접합하는 제 2 접합 유닛과, 상기 제 2 잔부 및 상기 제 2 접착층으로 접합된 제 2 지지체를 갖는 제 2 적층체를 적출하는 제 2 적출 유닛을 갖고, 상기 제 1 세정 장치는 상기 제 1 잔부인 시트형 부재를 지지하는 스테이지와, 상기 시트형 부재의 외주부에 부착된 부착물을 닦아내는 닦아내기용 수단과, 상기 닦아내기용 수단에 착탈 자재하게 장착되는 닦아내기용 천과, 상기 닦아내기용 천에 부착되는 용제를 갖고, 상기 닦아내기용 수단은 상기 닦아내기용 천을 장착하고, 상기 닦아내기용 천에 상기 용제를 부착하고, 상기 부착물을 닦아내는 적층체의 제작 장치이다.
또한, 상기 적층체는 상하면에 가요성 기판을 갖는 적층체로 할 수 있다.
본 발명의 일 형태를 사용함으로써, 기판을 박리한 시트형 부재 또는 제 1 잔부에 가요성 필름을 전치하는 경우에, 가요성 필름을 거의 균일하게 접합할 수 있고, 기능 소자의 기능의 저하를 방지할 수 있다.
또한, 닦아내기에는 용제를 사용하기 때문에, 부착물인 잔존한 실재의 제거를 용이하게 할 수 있다. 또한, 닦아내기를 수행하는 경우에는 닦아내기용 천을 교환하기 때문에, 잔존한 실재의 제거를 적절하게 수행할 수 있다. 또한, 닦아내기용 천의 복수의 면을 이용함으로써 닦아내기용 천의 교환 빈도를 적게 할 수 있고, 그 만큼 처리 탁트를 향상시킬 수 있다.
또한, 접합된 상하 기판으로부터 한쪽 기판을 분리하여 제 1 잔부를 형성하고, 상기 제 1 잔부에 제 1 가요성 기판을 접합하고, 다른 쪽 기판을 분리하여 제 2 잔부를 형성하고, 상기 제 2 잔부에 제 2 가요성 기판을 접합하는 각종 공정을 집약하는 적층체의 제작 장치에 의하여, 가요성의 적층체를 단시간에 또한 효율적으로 제작할 수 있다.
도 1은 닦아내기용 장치를 설명하는 도면.
도 2는 닦아내기용 장치의 닦아내는 절차를 설명하는 도면.
도 3은 닦아내기용 장치에서의 각종 닦아내기를 설명하는 도면.
도 4는 적층체의 제작 장치의 구성을 설명하는 도면.
도 5는 적층체의 제작 공정을 설명하는 도면.
도 6은 적층체의 제작 공정을 설명하는 도면.
도 7은 가공 부재를 설명하는 도면.
도 2는 닦아내기용 장치의 닦아내는 절차를 설명하는 도면.
도 3은 닦아내기용 장치에서의 각종 닦아내기를 설명하는 도면.
도 4는 적층체의 제작 장치의 구성을 설명하는 도면.
도 5는 적층체의 제작 공정을 설명하는 도면.
도 6은 적층체의 제작 공정을 설명하는 도면.
도 7은 가공 부재를 설명하는 도면.
실시형태에 대하여, 도면을 사용하여 자세히 설명한다. 다만, 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 취지 및 그 범위에서 벗어날 일 없이 그 형태 및 자세한 사항을 다양하게 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명은 이하에 나타내는 실시형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다. 또한, 이하에 설명하는 발명의 구성에서, 동일 부분 또는 같은 기능을 갖는 부분에는 동일한 부호를 상이한 도면 간에서 공통적으로 사용하고, 그 반복의 설명은 생략하는 경우가 있다.
(실시형태 1)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태의 닦아내기용 장치에 대하여 설명한다. 본 발명의 일 형태는, 기판 위에 형성한 기능 소자 등으로 이루어지는 구조물을 가요성 기판 위에 전치하기 전의 일 공정에 사용할 수 있다. 예를 들어, 상하 양쪽 기판에 의하여 구조물이 협지(挾持)되는 가공 부재로부터 한쪽 기판을 박리한 후의 잔부(제 1 잔부 또는 시트형 부재에 상당함)의 세정 공정에 사용할 수 있다. 또한, 기판에는 유리 기판과 같은 경질(硬質) 기판을 사용하는 것이 바람직하지만, 수지 등의 가요성 기판을 사용할 수도 있다.
도 1은, 본 발명의 일 형태인 닦아내기용 장치를 설명하는 사시도이고, 도 1의 (A)는 그 전체의 실질적인 사시도이고, 도 1의 (B1)은 선단의 닦아내기 부분의 사시도이고, 도 1의 (B2)는 닦아내기 부분이 닦아내기용 천을 착탈하는 상태를 나타낸 단면도이다. 또한, 도 2는 닦아내기 부분에 닦아내기용 천을 장착하고(도 2의 (A) 내지 (D)), 닦아내기용 천에 용제를 부착하고(도 2의 (F)), 여분의 용제를 제거하고(도 2의 (E)), 닦아내기용 천으로 실재를 닦아내고(도 2의 (G)), 닦아내기용 천을 폐기하는(도 2의(H)) 상태를 나타낸 도면이다. 또한, 도 3은, 닦아내기 부분으로 실재를 닦아내는 각종 닦아내기 형태(도 3의 (A1) 내지 (B3))와, 닦아내기용 천의 각종 닦아내기 면을 나타낸(도 3의 (C)) 도면이다.
닦아내기용 장치(200)는, 닦아내기용 수단(210), 시트형 부재(220), 스테이지(230), 닦아내기용 천(241)을 수용(收容)하는 닦아내기용 천 수납 용기(240), 닦아내기용 천(241)을 폐기하는 닦아내기용 천 폐기 용기(250), 용제(261)를 수납하는 용제 용기(260), 및 용제(261)의 잉여분을 제거하는 용제 잉여분 제거 용기(270)를 갖는다.
닦아내기용 수단(210)은, 복수의 연결부(211), 복수의 관절부(212), 모터 등으로 이루어지는 동력부(213), 및 선단의 닦아내기 부분(215)을 갖는 일종의 로봇이고, 도시되지 않은 제어 장치에 의하여 선단의 닦아내기 부분(215)을 각종 방향으로 또한 회동(回動) 자재하게 구동시킨다.
상기 선단의 닦아내기 부분(215)은, 본체부(216) 및 구부림 부재(218)를 갖는다. 본체부(216)는 닦아내기용 수단(210)의 선단에 장착되는 부분이고, 도 1의 (B2)에 나타낸 바와 같이, 그 좌우의 측면에는 상단부를 지점으로 하여 선단부를 ハ자상으로 개폐하는 개폐 집게(217)를 갖고, 닫은 상태에서 닦아내기용 천(241)을 협지하고(도 1의 (B1) 참조), 연 상태에서 닦아내기용 천을 폐기한다(도 2의 (H) 참조). 또한, 구부림 부재(218)는 2개로 접은 것이고, 플루오린계 고무나 플루오린계 수지 등, 구체적으로는 퍼플루오로엘라스토머를 사용할 수 있다.
본체부(216)의 선단에는 구부림 부재(218)가 장착된다. 그 장착은 U자상으로 구부러진 구부림 부재(218)의 좌우의 상단부를, 본체부(216)의 하방 외측 면에 형성되는 단부(段部)(216a)에 끼워 넣고, 양자의 당접부를 예를 들어, 접착재에 의하여 접합함으로써 수행된다.
그 결과, 본체부(216)의 외측 면과 구부림 부재(218)의 외측 면은 평평하게 된다. 그리고, 구부림 부재(218)는 내부에 중공부(218a)를 갖는, 단면 U자상으로 구부러진 형상을 갖고, 전체적으로 탄성을 갖고, 압력이 가해지면 변형되지만, 압력이 가해지는 것이 해제되면 원래의 상태인 도 1의 (B2)의 상태로 되돌아간다. 닦아내기용 천(241)을 협지한 상태를 도 1의 (B1)에 나타내었다.
시트형 부재(220)는 스테이지(230) 위에 전치되는 직사각형의 부재이다. 시트형 부재(220)는, 예를 들어 후술하는 도 5에 나타낸 바와 같은, 제 1 기판(11)이 박리되고, 그 외주면에 실재(30a)가 부착물로서 잔존하는 제 2 기판(21) 위에 기능 소자 등으로 이루어지는 구조물이 적층되는 제 1 잔부(90a)이고, 그 외주부의 4변 근방에 잔존하는 실재(30a)를 갖는 면을 위로 하여 스테이지(230)에 전치되고, 스테이지(230)가 갖는 진공을 이용한 흡착 수단에 의하여 그 하면이 스테이지(230) 상면에 고정된다. 또한, 시트형 부재(220)는 상기의 것이 아니더라도 실재(30a) 등의 부착물이 부착되는 것이라면 어떤 것이든 좋다.
상기 닦아내기용 천 수납 용기(240)는, 상방이 개구인 직사각형의 용기이고, 내부에 2개로 접히는 부직포 등으로 이루어지는 직사각형의 닦아내기용 천(241)을 복수 장 수납한다(도 2의 (A) 참조). 또한, 용기의 형상은 어떤 형상이어도 좋다.
상기 닦아내기용 천 폐기 용기(250)는, 상방이 개구인 직사각형의 용기이고, 사용 후의 닦아내기용 천(241)이 폐기된다(도 2의 (H) 참조). 또한, 용기의 형상은 어떤 형상이어도 좋다.
상기 용제 용기(260)는, 상방이 개구인 원 형상의 용기이고, 내부에 용제(261)를 넣는다(도 2의 (F) 참조). 또한, 용제(261)는, 예를 들어, 아세톤 등의 유기 용제이고, 실재를 녹여 제거한다. 또한, 용기의 형상은 어떤 형상이어도 좋다.
상기 용제 잉여분 제거 용기(270)는, 상방이 개구인 원 형상의 용기이고, 그 개구부에는 금망(金網)(271)이 수평으로 제공되어 있고, 상기 금망(271) 위에, 용제(261)가 부착된 닦아내기 부분(215)을 몇 번 박음으로써 여분의 용제(261)를 분리 제거하고, 제거한 용제(261)를 용제 잉여분 제거 용기(270) 내부에 저축한다(도 2의 (E) 참조). 또한, 용기의 형상은 어떤 형상이어도 좋다.
닦아내기 작업의 절차를 도 2에 의하여 설명한다. 하방에 진공을 이용한 복수의 흡착기(281)를 수하한 닦아내기용 천 꺼내기 수단(280)이 마련된다. 이 닦아내기용 천 꺼내기 수단(280)이 닦아내기용 천 수납 용기(240) 상방으로 이동하고, 흡착기(281)에 의하여 내부 최상부에 있는 닦아내기용 천(241)을 흡착하여 꺼낸다(도 2의 (A) 참조).
이어서, 닦아내기용 천 꺼내기 수단(280)이 닦아내기용 천 장착대(290) 상방으로 이동하고, 흡착기(281)의 진공을 해제하여 닦아내기용 천(241)을 닦아내기용 천 장착대(290) 상면에 떨어뜨린다. 닦아내기용 천 장착대(290) 상면에는 U자상 개구(291)가 제공되어 있고, 닦아내기용 천(241)은 U자상 개구(291)의 상부를 따라 가로놓인다(도 2의 (B) 참조).
이어서, 닦아내기 부분(215)이 닦아내기용 천 장착대(290) 상방으로 이동하고 아래로 움직이고, 닦아내기 부분(215)의 구부림 부재(218)를 닦아내기용 천(241)과 함께 U자상 개구(291) 내에 삽입한다. 그때, 개폐 집게(217)는 연 상태이다(도 2의 (C) 참조).
이어서, 닦아내기 부분(215)을 완전히 U자상 개구(291) 내에 삽입한다. 그러면, 닦아내기용 천(241)은 구부림 부재(218)를 따라 U자상이 되기 때문에, 개폐 집게((217)를 닫아 닦아내기용 천(241)의 단부를 협지하고, 그 후에 닦아내기 부분(215)을 위로 올린다(도 2의 (D) 참조).
이어서, 닦아내기 부분(215)이 용제 용기(260) 상방으로 이동하고 아래로 움직이고, 닦아내기용 천(241)에 내부의 용제(261)를 부착시킨다(도 2의 (F) 참조).
이어서, 닦아내기 부분(215)이 용제 잉여분 제거 용기(270) 상방으로 이동하고 아래로 움직이고, 용제(261)가 부착된 닦아내기용 천(241)을 금망(271)에 박아 여분의 용제(261)를 제거한다. 한 번의 닦아내기에 요하는 용제량, 한 번의 부착으로 부착되는 부착량, 및 한 번의 소정의 가압력으로 분리할 수 있는 양을 미리 산출하고, 이들의 양에 따라 닦아내기용 천(241)을 금망(271)에 박는 횟수를 산출하고, 도면 중의 화살표로 나타낸 방향으로 산출한 박는 횟수만큼 반복하여 박는다(도 2의 (E) 참조).
이어서, 닦아내기 부분(215)이 시트형 부재(220)의 실재(30a) 상방으로 이동하고 아래로 움직이고, 닦아내기용 천(241)으로, 도 3에 나타낸 각종 닦아내기 형태 중 어느 것에 의하여 닦아낸다(도 2의 (G) 참조). 또한, 닦아내기는 소정의 압력으로 가압함으로써 수행된다. 이 경우, 구부림 부재(218)는 탄성을 갖기 때문에 약간 변형되고, 실재(30a)와 접하는 닦아내기용 천(241)의 면적은 증대하기 때문에 이동이 원활해짐과 함께, 제거 효과가 향상된다.
이어서, 닦아내기 부분(215)이 닦아내기용 천 폐기 용기(250) 상방으로 이동하고, 개폐 집게(217)를 열어 사용한 닦아내기용 천(241)을 닦아내기용 천 폐기 용기(250) 내에 폐기한다(도 2의 (H) 참조).
또한, 이들 절차의 진행 중에, 다음의 공정에서의 도 2의 (A), (B)의 공정이 이미 진행되어 있기 때문에, 닦아내기 부분(215)은, 도 2의 (H)의 공정의 종료 후, 도 2의 (C)의 공정, 즉, 새로운 닦아내기용 천(241)을 협지하여 다음의 닦아내기 영역의 실재(30a)를 닦아낸다. 그 결과, 닦아내기용 천(241)의 장착 시간을 단축할 수 있다.
닦아내기 형태에 대하여 도 3에 의하여 설명한다. 도 3의 (A1) 내지 (B3)에 나타낸 실선 화살표의 밑을 앞쪽, 그 방향을 앞 방향이라고 부르고, 실선 화살표의 끝을 뒤쪽, 그 방향을 뒤 방향이라고 부르고, 실선 화살표에 실질적으로 직교하는 파선 화살표(도 3의 (A1) 참조)로 나타내는 측을 좌우 측, 그 방향을 좌우 방향이라고 부른다. 또한, 닦아내기용 천(241)은 실선 화살표로 나타내는 변 a로부터 변 b 및 변 c를 통과하여 변 d를 향하여 앞 방향으로 이동하고 실재(30a)를 닦아낸다.
또한, 닦아내기 부분(215)에 의한 닦아내기는, 닦아내기용 천(241)의 소정의 닦아내기 면으로 소정 범위의 실재(30a)를 닦아낸 후, 같은 닦아내기 면으로 다른 범위의 실재(30a)를 닦아내지는 않는다.
그 경우, 소정 범위는, 실재(30a)의 잔존량에 따라 미리 정해져 있고, 잔존량이 많은 경우에는, 예를 들어, 도 3의 (A1)에 나타낸 변 a, b, c, d 중 어느 1변이고, 잔존량이 적은 경우에는, 예를 들어, 도 3의 (A1)에 나타낸 변 a 내지 변 d의 4변, 또는 변 a, b 또는 변 c, d의 2변이다.
(1)1번 닦아내기의 예
이 예는, 닦아내기용 천(241)의 소정의 닦아내기 면으로 소정 범위의 실재(30a)를 닦아낸 후, 닦아내기용 천(241)을 폐기하는 것이다. 이 예의 경우, 주로 도 3의 (B1)에 나타낸 바와 같이, 닦아내기 부분(215)을 실재(30a)에 실질적으로 직교 또한 실질적으로 수직으로 하여, 닦아내기 부분(215)의 하단 영역에 위치하는 같은 닦아내기용 천(241)으로 닦아낸다.
따라서, 닦아내기용 천(241)의 좌우 방향의 폭은 도 3의 (C)의 것의 약 반이 되지만, 예를 들어, 닦아내기용 천(241)으로 닦아내는 범위가 변 a, b, c, d 중 어느 1변인 경우에는 4장 필요해짐과 함께, 그 만큼 교환 시간을 요한다. 또한, 이하의 모든 경우에서도 같지만 닦아내기 부분(215)은 각 변을 닦아낼 때마다 90도 회전한다.
(2)2번 닦아내기의 예
이 예는, 도 3의 (A1)에 나타낸 바와 같이, 닦아내기용 천(241)의 왼쪽의 닦아내기 면(사선 영역)(같은 닦아내기 면에 상당함)으로 우선 소정 범위, 예를 들어 변 a 및 변 b의 실재(30a)를 닦아낸 후, 닦아내기 부분(215)이 오른쪽으로 이동하고, 닦아내기용 천(241)의 오른쪽의 닦아내기 면(무지 영역)(다른 닦아내기 면에 상당함)으로 나머지 다른 소정 범위, 예를 들어 변 c 및 변 d의 실재(30a)를 닦아낸 후, 닦아내기용 천(241)을 폐기하는 것이다.
따라서, 닦아내기용 천(241)의 좌우 방향의 폭은 도 3의 (C)의 것과 같이 상기 1번 닦아내기의 경우에 비하여 약 곱절이 되지만, 교환 시간은 반이 되고 처리 탁트가 향상되어, 생산성이 향상된다. 또한, 이 예의 경우, 주로 도 3의 (B1)에 나타낸 바와 같이, 닦아내기 부분(215)을 실재(30a)에 실질적으로 직교로 또한 실질적으로 수직으로 하여, 닦아내기 부분(215)의 하단 영역에 위치하는 닦아내기용 천(241)으로 닦아낸다.
(3)4번 닦아내기의 예
이 예는, 도 3의 (C)에 나타낸 바와 같이, 닦아내기용 천(241)의 닦아내기 면을 오른쪽 앞쪽 면 e(앞쪽이며 오른쪽의 면에 상당함), 왼쪽 앞쪽 면 f(앞쪽이며 왼쪽의 면에 상당함), 오른쪽 뒤쪽 면 g(뒤쪽이며 오른쪽의 면에 상당함), 및 왼쪽 뒤쪽 면 h(뒤쪽이며 왼쪽의 면에 상당함)로 나누고, 닦아내기 부분(215)이 오른쪽 앞쪽으로 이동하여 닦아내기용 천(241)의 오른쪽 앞쪽 면 e로 우선 소정 범위, 예를 들어 변 a의 실재(30a)를 닦아내고, 닦아내기 부분(215)이 왼쪽 앞쪽으로 이동하여 닦아내기용 천(241)의 왼쪽 앞쪽 면 f로 다른 소정 범위, 예를 들어 변 b의 실재(30a)를 닦아내고, 닦아내기 부분(215)이 오른쪽 뒤쪽으로 이동하여 닦아내기용 천(241)의 오른쪽 뒤쪽 면 g로 다른 소정 범위, 예를 들어 변 c의 실재(30a)를 닦아내고, 닦아내기 부분(215)이 왼쪽 뒤쪽으로 이동하여 닦아내기용 천(241)의 왼쪽 뒤쪽 면 h로 다른 소정 범위, 예를 들어 변 d의 실재(30a)를 닦아낸 후, 닦아내기용 천(241)을 폐기하는 것이다.
따라서, 상기 2번 닦아내기의 경우에 비하여 교환 시간은 반이 되고 처리 탁트가 더 향상되어, 생산성이 더 향상된다. 또한, 이 예의 경우, 닦아내기용 천(241)의 오른쪽 앞쪽 면 e 및 왼쪽 앞쪽 면 f를 이용하는 경우에는, 도 3의 (B2)에 나타낸 바와 같이, 닦아내기 부분(215)을 앞쪽으로 경사지게 하여 사용하고, 닦아내기용 천(241)의 오른쪽 뒤쪽 면 g 및 왼쪽 뒤쪽 면 h를 이용하는 경우에는, 도 3의 (B3)에 나타낸 바와 같이, 닦아내기 부분(215)을 뒤쪽으로 경사지게 하여 사용한다. 또한, 좌우 방향으로의 이동은 상기 2번 닦아내기의 경우와 같다.
(4)복수 회 닦아내기의 예
도시되지 않았지만, 예를 들어, 3번 닦아내기는, 상기 4번 닦아내기의 예의 경우의 3개의 닦아내기 면을 이용함으로써 가능해진다. 또한, 닦아내기용 천(241)의 좌우 측의 영역을 좌우의 2영역보다 많은 3영역 이상으로 함으로써 복수 회 닦아내기가 가능해진다.
(5)비스듬하게 닦아내는 예
이 예는, 도 3의 (A2)에 나타낸 바와 같이, 닦아내기용 천(241)을 경사지게 하여 소정 범위를 닦아낸 후, 닦아내기용 천(241)을 폐기하는 것이다. 구체적으로는, 닦아내기용 천(241)의 닦아내기 면은, 실재(30a)를 내측으로부터 외측을 향하여 걸침과 함께, 내측(사선 영역 측)이 외측(무지 영역 측)보다 선행하도록 경사진다.
이와 같은 형태에 의하여 실재(30a)를 닦아내면, 닦아낸 실재(30a) 등은 외측으로 퍼내어지기 때문에, 시트형 부재(220) 내에 진입하여 기능 소자 등에 악영향을 미치는 폐해를 저감할 수 있다. 또한, 이 예는, 상기 (1) 내지 (4)의 예 중 어느 것에든 적용 가능하다.
이상과 같이 본 발명의 일 형태의 닦아내기용 장치를 사용함으로써 기능 소자 등으로 이루어지는 구조물 및 기판 위에 가요성 필름(제 1 지지체에 상당함)을 접착층을 개재하여 접합시키는 경우, 상기 가요성 필름을 더 균일하게 접합할 수 있게 된다.
또한, 본 실시형태는, 본 명세서에서 나타내는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는, 실시형태 1에서 설명한 닦아내기용 장치를 포함하는 적층체의 제작 장치에 대하여 설명한다. 또한, 상기 제작 장치의 용도는 한정되지 않지만, 특히 가요성 기판을 갖는 반도체 장치, 표시 장치, 발광 장치, 축전 장치, 또는 발전 장치 등의 제조 공정에 사용하는 것이 유용하다.
도 4는 본 발명의 일 형태의 적층체의 제작 장치(1000)의 구성과, 가공 부재 및 공정 중의 적층체가 반송되는 경로를 설명하는 모식도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 일 형태의 적층체의 제작 장치(1000)를 사용하여 적층체를 제작하는 공정을 설명하는 모식도이다. 도 5의 (A-1), 도 5의 (B-1), 도 5의 (C), 도 5의 (D-1), 도 5의 (E-1), 도 6의 (A-1), 도 6의 (B), 도 6의 (C), 도 6의 (D-1), 도 6의 (E-1)에, 가공 부재 및 적층체의 구성을 설명하는 단면도를 나타내고, 대응하는 상면도를 도 5의 (C), 도 6의 (B), 및 도 6의 (C)를 제외하고 도 5의 (A-2), 도 5의 (B-2), 도 5의 (D-2), 도 5의 (E-2), 도 6의 (A-2), 도 6의 (D-2), 도 6의 (E-2)에 나타내었다.
본 실시형태에서 설명하는 적층체의 제작 장치(1000)는, 제 1 공급 유닛(100), 제 1 분리 유닛(300), 제 1 세정 장치(350), 제 1 접합 유닛(400), 지지체 공급 유닛(500), 제 2 공급 유닛(600), 기점 형성 유닛(700), 제 2 분리 유닛(800), 및 제 2 접합 유닛(900)을 갖는다. 또한, 각 유닛의 명칭은 임의의 것이고, 명칭에 의하여 기능이 한정될 일은 없다.
이하에, 본 발명의 일 형태의 적층체의 제작 장치를 구성하는 각각의 요소에 대하여 설명한다.
≪제 1 공급 유닛≫
제 1 공급 유닛(100)은, 가공 부재(90)(도 5의 (A-1) 및 도 7의 (A-1), (A-2) 참조)를 공급한다. 예를 들어, 반송 수단(111)이 가공 부재(90)를 연속하여 반송할 수 있도록, 제 1 공급 유닛(100)은 복수의 가공 부재(90)를 수납할 수 있는 다단식의 수납고를 갖는 구성으로 할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서 설명하는 제 1 공급 유닛(100)은, 제 1 적출 유닛을 겸한다. 제 1 공급 유닛(100)은, 제 1 잔부(90a), 제 1 접착층(31), 및 제 1 접착층(31)으로 접합된 제 1 지지체(41)를 구비한 적층체(91)(제 1 적층체에 상당함)(도 5의 (E-1) 참조)를 적출한다. 예를 들어, 반송 수단(111)이 적층체(91)를 연속하여 반송할 수 있도록, 제 1 공급 유닛(100)은 복수의 적층체(91)를 수납할 수 있는 다단식의 수납고를 갖는 구성으로 할 수 있다.
≪제 1 분리 유닛≫
제 1 분리 유닛(300)은, 가공 부재(90)의 한쪽 표면을 흡착하는 수단과, 대향하는 다른 쪽 표면을 흡착하는 수단을 갖는다. 각각의 흡착 수단을 멀리함으로써, 가공 부재(90)의 한쪽 표면을 박리하여, 제 1 잔부(90a)를 분리한다(도 4 및 도 5의 (A-1) 내지 도 5의 (C) 참조).
≪제 1 세정 장치≫
제 1 세정 장치(350)는, 제 1 잔부(90a)의 외주부의 1변 내지 4변 중 어느 1변 또는 복수 변(예를 들어, 2변 내지 4변)의 잔존한 실재를 상기 실시형태 1에서 설명한 닦아내기용 장치에 의하여 제거한다. 또한, 여기서 공정이란 본 발명의 일 형태에 상당한다. 자세한 사항에 대해서는 실시형태 1을 참조하면 좋다.
≪제 1 접합 유닛≫
제 1 접합 유닛(400)은, 제 1 접착층(31)을 형성하는 수단과, 제 1 접착층(31)을 사용하여 제 1 잔부(90a)와 제 1 지지체(41)를 접합하는 압착 수단을 갖는다(도 4 및 도 5의 (D-1) 내지 도 5의 (E-2) 참조).
제 1 접착층(31)을 형성하는 수단으로서, 예를 들어, 액체상의 접착제를 도포하는 디스펜서 외에, 미리 시트형으로 성형된 접착 시트를 공급하는 장치 등을 들 수 있다.
또한, 제 1 접착층(31)은, 제 1 잔부(90a) 또는/및 제 1 지지체(41)에 형성되어도 좋다. 구체적으로는, 제 1 접착층(31)이 미리 형성된 제 1 지지체(41)를 사용하는 방법이어도 좋다. 또한, 제 1 접착층(31)의 재료가 비어져 나와 기판 및 제 1 지지체(41)의 외주면에 부착되지 않도록 적절히 제어하지만, 비어져 나온 경우에는, 예를 들어, 아세톤 등의 유기 용제나 천 등을 사용하여 닦아낼 수 있다.
제 1 잔부(90a)와 제 1 지지체를 접합하는 압착 수단으로서, 예를 들어, 압력 또는 간격이 일정하게 되도록 제어된 한 쌍의 롤러, 평판과 롤러, 또는 한 쌍의 대향하는 평판 등의 가압 수단을 들 수 있다.
≪지지체 공급 유닛≫
지지체 공급 유닛(500)은, 제 1 지지체(41)를 공급한다. 예를 들어, 롤상으로 공급되는 필름을 감아, 소정의 길이로 재단하고, 표면을 UV 등으로 활성화시켜, 제 1 지지체(41)로서 공급한다.
≪제 2 공급 유닛≫
제 2 공급 유닛(600)은, 적층체(91)를 공급할 수 있다. 또한, 제 2 공급 유닛(600)은, 제 2 적출 유닛을 겸할 수 있고, 제 1 공급 유닛과 같은 구성이 적용될 수 있다. 즉, 제 2 잔부(91a) 및 제 2 접착층(32)으로 접합된 제 2 지지체(42)를 갖는 적층체(92)(제 2 적층체에 상당함)를 적출한다(도 4, 도 6의 (E-1), (E-2) 참조).
≪기점 형성 유닛≫
기점 형성 유닛(700)은, 적층체(91)의 제 1 잔부(90a) 및 제 1 지지체(41b)의 단부 근방에 박리의 기점(91s)을 형성한다(도 6의 (A-1) 및 도 6의 (A-2) 참조). 예를 들어, 제 1 지지체(41) 및 제 1 접착층(31)을 절단하고, 또한 제 2 피박리층(23)의 일부를 제 2 박리층(22)으로부터 박리하는 절단 수단을 갖는다.
구체적으로는, 절단 수단은, 날카로운 선단을 갖는 하나 또는 복수의 칼날을 갖고, 상기 칼날은 적층체(91)에 대하여 상대적으로 이동한다.
≪제 2 분리 유닛≫
제 2 분리 유닛(800)은, 적층체(91)의 한쪽 표면(91b)을 박리하여, 제 2 잔부(91a)를 분리한다(도 6의 (B) 참조). 따라서, 적층체(91)의 한쪽 표면을 흡착하는 수단과, 대향하는 다른 쪽 표면을 흡착하는 수단을 갖는다. 2개의 흡착 수단을 멀리함으로써, 적층체(91)의 한쪽 표면을 박리하여, 제 2 잔부(91a)를 분리한다.
≪제 2 접합 유닛≫
제 2 접합 유닛(900)은, 제 2 접착층(32)을 형성하는 수단과, 제 2 접착층(32)을 사용하여 제 2 잔부(91a)와 제 2 지지체(42)를 접합하는 압착 수단을 갖는다. 즉, 제 2 지지체(42)가 공급되고, 제 2 지지체(42)를 제 2 잔부(91a)에 제 2 접착층(32)을 사용하여 접합한다(도 6의 (D-1) 내지 도 6의 (E-2) 참조).
제 2 접착층(32)을 형성하는 수단으로서, 예를 들어, 제 1 접합 유닛(400)과 같은 구성을 적용할 수 있다.
또한, 제 2 접착층(32)은, 제 2 잔부(91a) 또는/및 제 2 지지체(42)에 형성되어도 좋다. 구체적으로는, 제 2 접착층(32)이 미리 형성된 제 2 지지체(42)를 사용하는 방법이어도 좋다.
제 2 잔부(91a)와 제 2 지지체(42)를 접합하는 압착 수단으로서, 예를 들어, 제 1 접합 유닛(400)과 같은 구성을 적용할 수 있다.
상술한 바와 같이, 적층체의 제작 장치는, "가공 부재(90)를 공급하며 제 1 잔부(90a) 및 제 1 접착층(31)으로 접합한 제 1 지지체(41)를 갖는 적층체(91)를 적출함과 함께, 적출 유닛을 겸하는 제 1 공급 유닛(100)"과, "제 1 잔부(90a)를 분리하는 제 1 분리 유닛(300)"과, "잔존한 실재를 닦아내는 제 1 세정 장치(350)"와, "제 1 지지체(41)를 제 1 잔부(90a)와 접합하는 제 1 접합 유닛(400)"과, "제 1 지지체(41) 및 제 2 지지체(42)를 공급하는 지지체 공급 유닛(500)"과, "적층체(91)를 공급하며 제 2 잔부(91a), 제 2 접착층(32), 및 제 2 접착층(32)으로 접합된 제 2 지지체(42)를 갖는 적층체(92)를 적출하는 제 2 공급 유닛(600)"과, "박리의 기점을 형성하는 기점 형성 유닛(700)"과, "제 2 잔부(91a)를 분리하는 제 2 분리 유닛(800)"과, "제 2 지지체(42)를 제 2 잔부(91a)와 접합하는 제 2 접합 유닛(900)"을 포함하여 구성된다.
이들의 구성에 의하여, 가공 부재(90)의 양쪽 표면을 박리하고, 제 2 잔부(91a)를 분리하고, 그것에 제 1 지지체(41) 및 제 2 지지체(42)를 접합할 수 있다. 그 결과, 가공 부재의 잔부 및 지지체를 구비한 적층체의 제작 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서 설명하는 적층체의 제작 장치(1000)는, 제 1 수납부(300b), 제 2 수납부(800b), 제 2 세정 장치(850), 반송 수단(111), 및 반송 수단(112) 등을 갖는다.
그리고, 제 1 수납부(300b)는 가공 부재(90)로부터 박리된 한쪽 표면(90b)을 수납하고, 제 2 수납부(800b)는 적층체(91)로부터 박리된 한쪽 표면(91b)을 수납하고, 제 2 세정 장치(850)는 적층체(91)로부터 분리된 제 2 잔부(91a)를 세정하고, 반송 수단(111)은 가공 부재(90), 가공 부재(90)로부터 분리된 제 1 잔부(90a), 및 적층체(91)를 반송하고, 반송 수단(112)은 적층체(91), 적층체(91)로부터 분리된 제 2 잔부(91a), 및 적층체(92)를 반송한다. 이와 같이, 각 장치를 집약시켜, 2대의 반송 장치에 의하여 가공 부재 등의 주고받음을 수행함으로써, 제작 장치 전체를 소형화할 수 있음과 함께, 생산 시간을 단축하고, 또한 생산 비용을 저감할 수 있다.
이어서, 이하에, 적층체의 제작 장치(1000)를 사용하여, 가공 부재(90)로부터 적층체(92)를 제작하는 방법에 대하여 도 4 내지 도 6을 참조하여 설명한다.
가공 부재(90)는, 유리 등으로 이루어지는 제 1 기판(11), 제 1 기판(11) 위의 텅스텐을 포함하는 층과 산화 텅스텐을 포함하는 층 등으로 이루어지는 제 1 박리층(12), 제 1 박리층(12)과 한쪽 면이 접하는 기능 소자 등으로 이루어지는 제 1 피박리층(13), 제 1 피박리층(13)의 다른 쪽 면과 한쪽 면이 접하는 접합층(30), 및 접합층(30)의 다른 쪽 면에 한쪽의 면이 접하는 기능 소자 등으로 이루어지는 제 2 피박리층(23), 제 2 피박리층(23)의 다른 쪽 면과 한쪽 면이 접하는 텅스텐을 포함하는 층과 산화 텅스텐을 포함하는 층 등으로 이루어지는 제 2 박리층(22), 및 제 2 박리층(22) 위의 유리 등으로 이루어지는 제 2 기판(21)을 갖는다(도 5의 (A-1), (A-2) 참조).
또한, 도 5의 (A-1)의 실재(30a)는, 압착 시에 비어져 나온 접합층(30)의 일부를 나타내고, 본 발명의 일 형태는, 이와 같이 비어져 나온 실재이고 제 1 잔부(90a) 위에 잔존하는 실재(30a)를 닦아내는 것이다. 또한, 도 5의 (D-1)의 부풀어 오른 부분(31a)은, 제 1 잔부(90a) 위에 제 1 접착층(31)을 형성한 경우에, 상기 잔존한 실재(30a)에 의하여 부풀어 오르는 부풀어 오른 부분이다. 본 발명의 일 형태를 실시함으로써 이 부풀어 오른 부분(31a)을 없앨 수 있다.
본 실시형태에서는, 미리 박리의 기점(13s)이 접합층(30)의 단부 근방에 형성된 가공 부재(90)를 사용하는 경우에 대하여 설명한다(도 5의 (B-1), (B-2) 참조). 또한, 가공 부재(90)의 구성의 자세한 사항은, 실시형태 3에서 설명한다.
≪제 1 스텝≫
가공 부재(90)가 제 1 공급 유닛(100)에 반입된다. 제 1 공급 유닛(100)은 가공 부재(90)를 공급하고, 반송 수단(111)은 가공 부재(90)를 반송하고 제 1 분리 유닛(300)에 공급한다.
≪제 2 스텝≫
제 1 분리 유닛(300)이 가공 부재(90)의 한쪽 표면(90b)을 박리한다. 구체적으로는, 접합층(30) 단부 근방에 형성된 박리의 기점(13s)으로부터, 제 1 기판(11)을 제 1 박리층(12)과 함께 제 1 피박리층(13)으로부터 분리한다(도 5의 (C) 참조).
이 스텝에 의하여, 가공 부재(90)로부터 제 1 잔부(90a)를 얻는다. 구체적으로는, 제 1 잔부(90a)는 제 1 피박리층(13), 제 1 피박리층(13)과 한쪽 면이 접하는 접합층(30) 및 접합층(30)의 다른 쪽 면과 한쪽의 면이 접하는 제 2 피박리층(23), 제 2 피박리층(23)의 다른 쪽 면과 한쪽의 면이 접하는 제 2 박리층(22), 및 제 2 박리층(22) 위의 제 2 기판(21)을 갖는다.
그 후, 본 발명의 일 형태인 닦아내기용 수단에 의하여, 비어져 나온 실재이고 제 1 잔부(90a)의 외주 위에 잔존하는 실재(30a)를 제 1 세정 장치(350)로 닦아낸다. 그 결과, 도 5의 (D-1)의 부풀어 오른 부분(31a)은 없어진다.
≪제 3 스텝≫
반송 수단(111)이 제 1 잔부(90a)를 반송하고, 지지체 공급 유닛(500)이 제 1 지지체(41)를 공급한다.
그리고, 제 1 접합 유닛(400)은 공급된 제 1 잔부(90a)에 제 1 접착층(31)을 형성하고(도 5의 (D-1), (D-2) 참조), 제 1 접착층(31)을 사용하여 제 1 지지체(41)와 접합시킨다.
이 스텝에 의하여, 제 1 잔부(90a)로부터 적층체(91)를 얻는다. 구체적으로는, 적층체(91)는, 제 1 지지체(41), 제 1 접착층(31), 제 1 피박리층(13), 제 1 피박리층(13)과 한쪽 면이 접하는 접합층(30), 접합층(30)의 다른 쪽 면에 한쪽 면이 접하는 제 2 피박리층(23), 제 2 피박리층(23)의 다른 쪽 면과 한쪽 면이 접하는 제 2 박리층(22), 및 제 2 박리층(22) 위의 제 2 기판(21)을 갖는다(도 5의 (E-1), (E-2) 참조).
≪제 4 스텝≫
반송 수단(111)이 적층체(91)를 반송하고, 제 1 적출 유닛을 겸하는 제 1 공급 유닛(100)에 적층체(91)를 공급한다.
이 스텝에 의하여, 적층체(91)를 적출할 수 있게 된다. 예를 들어, 제 1 접착층(31)의 경화에 시간을 요하는 경우에는, 제 1 접착층이 경화되지 않는 상태의 적층체(91)를 적출하고, 제 1 접착층(31)을 적층체의 제작 장치(1000)의 외부에서 경화시킬 수 있다. 이로써, 장치의 점유 시간을 단축할 수 있다.
≪제 5 스텝≫
적층체(91)가 제 2 공급 유닛(600)에 반입된다. 제 2 공급 유닛(600)은 적층체(91)를 공급하고, 반송 수단(112)은 적층체(91)를 반송하여 기점 형성 유닛(700)에 공급한다.
≪제 6 스텝≫
기점 형성 유닛(700)은, 적층체(91)의 제 1 접착층(31)의 단부 근방에 있는 제 2 피박리층(23)의 일부를 제 2 박리층(22)으로부터 박리하여, 제 2 박리의 기점(91s)을 형성한다.
예를 들어, 제 1 지지체(41) 및 제 1 접착층(31)을, 제 1 지지체(41)가 제공된 측으로부터 절단하고, 또한 제 2 피박리층(23)의 일부를 제 2 박리층(22)으로부터 박리한다.
구체적으로는, 박리층(22) 위의 제 2 피박리층(23)이 제공된 영역에 있는 제 1 접착층(31) 및 제 1 지지체(41)를 날카로운 선단을 갖는 칼날 등을 사용하여 폐곡선으로 둘러싸도록 절단하고, 또한 상기 폐곡선을 따라 제 2 피박리층(23)의 일부를 제 2 박리층(22)으로부터 박리한다(도 6의 (A-1), (A-2) 참조).
이 스텝에 의하여, 오려 낸 제 1 지지체(41b) 및 제 1 접착층(31)의 단부 근방에 박리의 기점(91s)이 형성된다.
≪제 7 스텝≫
제 2 분리 유닛(800)이 적층체(91)로부터 제 2 잔부(91a)를 박리한다. 구체적으로는, 접합층(30)의 단부 근방에 형성된 박리의 기점으로부터 제 2 기판(21)을 제 2 박리층(22)과 함께 제 2 피박리층(23)으로부터 분리한다(도 6의 (C) 참조).
이 스텝에 의하여, 적층체(91)로부터 제 2 잔부(91a)를 얻는다. 구체적으로는, 제 2 잔부(91a)는 제 1 지지체(41b), 제 1 접착층(31), 제 1 피박리층(13), 제 1 피박리층(13)과 한쪽 면이 접하는 접합층(30), 및 접합층(30)의 다른 쪽 면과 한쪽 면이 접하는 제 2 피박리층(23)을 갖는다.
≪제 8 스텝≫
반송 수단(112)이 제 2 잔부(91a)를 반송하고, 제 2 피박리층(23)이 상면을 향하도록 제 2 잔부(91a)를 반전시킨다. 제 2 세정 장치(850)는, 공급된 제 2 잔부(91a)를 물 등으로 세정한다.
반송 수단(112)이 세정된 제 2 잔부(91a)를 제 2 접합 유닛(900)에 반송하고, 지지체 공급 유닛(500)이 제 2 지지체(42)를 공급한다. 또한, 제 2 잔부(91a)를 제 2 세정 장치(850)에 공급하지 않고, 제 2 접합 유닛(900)에 제 2 잔부를 직접 공급하여도 좋다.
제 2 접합 유닛(900)은 공급된 제 2 잔부(91a)에 제 2 접착층(32)을 형성하고(도 6의 (D-1), (D-2) 참조), 제 2 접착층(32)을 사용하여 제 2 지지체(42)와 접합시킨다(도 6의 (E-1), (E-2) 참조).
이 스텝에 의하여, 제 2 잔부(91a)로부터 적층체(92)를 얻는다. 구체적으로는, 적층체(92)는 제 1 피박리층(13), 제 1 피박리층(13)의 한쪽 면에 제 1 접착층(31)을 사용하여 접합되는 제 1 지지체(41b), 제 1 피박리층(13)의 다른 쪽 면과 한쪽 면이 접하는 접합층(30), 접합층(30)의 다른 쪽 면에 한쪽 면이 접하는 제 2 피박리층(23), 및 제 2 피박리층(23)의 다른 쪽 면에 제 2 접착층(32)을 사용하여 접합되는 제 2 지지체(42)를 갖는다.
≪제 9 스텝≫
반송 수단(112)이 적층체(92)를 반송하고, 제 2 적출 유닛을 겸하는 제 2 공급 유닛(600)에 적층체(92)를 공급한다. 이 스텝에 의하여, 적층체(92)를 적출할 수 있게 된다.
또한, 본 실시형태는, 본 명세서에서 나타내는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 3)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태의 적층체의 제작 장치에 적용할 수 있는 가공 부재의 구성에 대하여, 도 7을 참조하여 설명한다.
도 7은 본 발명의 일 형태의 적층체의 제작 장치를 사용하여 적층체로 할 수 있는 가공 부재의 구성을 설명하는 모식도이다. 도 7의 (A-1)은, 가공 부재(90)의 구성을 설명하는 단면도이고, 도 7의 (A-2)는 대응하는 상면도이다.
<가공 부재>
가공 부재(90)는 제 1 기판(11), 제 1 기판(11) 위의 제 1 박리층(12), 제 1 박리층(12)과 한쪽 면이 접하는 제 1 피박리층(13), 제 1 피박리층(13)의 다른 쪽 면과 한쪽 면이 접하는 접합층(30), 접합층(30)의 다른 쪽 면이 접하는 제 2 피박리층(23), 제 2 피박리층(23)의 다른 쪽 면과 한쪽 면이 접하는 제 2 박리층(22), 및 제 2 박리층(22) 위의 제 2 기판(21)을 갖는다(도 7의 (A-1), (A-2) 참조). 또한, 박리의 기점(13s)이 접합층(30)의 단부 근방에 제공되어 있어도 좋다.
≪제 1 기판≫
제 1 기판(11)은 제조 공정에 견딜 수 있을 정도의 내열성, 및 제조 장치에 적용 가능한 두께 및 크기를 갖는 것이라면 특별히 한정되지 않는다. 제 1 기판(11)에 사용할 수 있는 재료로서는, 예를 들어, 유리, 세라믹, 금속, 무기 재료, 또는 수지 등을 들 수 있다.
구체적으로는, 유리로서는 무알칼리 유리, 소다 석회 유리, 포타슘 유리, 또는 크리스털 유리 등을 들 수 있다. 금속으로서는, SUS 및 알루미늄 등을 들 수 있다.
제 1 기판(11)은 단층 구조 또는 적층 구조 등을 가져도 좋다. 예를 들어, 기재와 기재에 포함되는 불순물의 확산을 방지하는 절연층이 적층된 구조를 가져도 좋다. 구체적으로는, 유리와 유리에 포함되는 불순물의 확산을 방지하는 산화 실리콘층, 질화 실리콘층, 또는 산화 질화 실리콘층 등의 다양한 하지층이 적층된 구조를 적용할 수 있다.
≪제 1 박리층≫
제 1 박리층(12)은 제 1 박리층(12) 위에 형성된 제 1 피박리층(13)을 박리할 수 있고, 제조 공정에 견딜 수 있을 정도의 내열성을 갖는 것이라면 특별히 한정되지 않는다. 제 1 박리층(12)에 사용할 수 있는 재료로서는, 예를 들어 무기 재료 또는 유기 수지 등을 들 수 있다.
구체적으로는, 무기 재료로서는, 텅스텐, 몰리브데넘, 타이타늄, 탄탈럼, 나이오븀, 니켈, 코발트, 지르코늄, 아연, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 오스뮴, 이리듐, 실리콘으로부터 선택된 원소를 포함하는 금속, 상기 원소를 포함하는 합금, 또는 상기 원소를 포함하는 화합물 등을 들 수 있다.
구체적으로는, 유기 수지로서는, 폴리이미드, 폴리에스터, 폴리올레핀, 폴리아마이드, 폴리카보네이트, 또는 아크릴 수지 등을 들 수 있다.
제 1 박리층(12)에 사용할 수 있는 구조는, 단층 구조 또는 적층 구조 등을 가져도 좋다. 예를 들어, 텅스텐을 포함하는 층과 텅스텐의 산화물을 포함하는 층의 적층 구조를 적용할 수 있다.
또한, 텅스텐의 산화물을 포함하는 층은, 텅스텐을 포함하는 층에 다른 층을 적층하는 방법으로 형성된 층이어도 좋고, 예를 들어, 텅스텐을 포함하는 층에 산화 실리콘 또는 산화 질화 실리콘 등의 산소를 포함하는 막을 적층하고, 텅스텐의 산화물을 포함하는 층을 형성하여도 좋다.
또한, 텅스텐의 산화물을 포함하는 층은, 텅스텐을 포함하는 층의 표면을 열 산화 처리, 산소 플라스마 처리, 아산화 질소(N2O) 플라스마 처리, 오존수 등의 산화력이 강한 용액을 사용하는 처리 등에 의하여 형성된 층이어도 좋다.
≪제 1 피 박리층≫
제 1 피박리층(13)은, 제 1 박리층(12) 위로부터 박리할 수 있고, 제조 공정에 견딜 수 있을 정도의 내열성을 갖는 것이라면 특별히 한정되지 않는다.
제 1 피박리층(13)에 사용할 수 있는 재료로서는, 예를 들어, 무기 재료 또는 유기 수지 등을 들 수 있다.
제 1 피박리층(13)은, 단층 구조 또는 적층 구조 등을 가져도 좋다. 예를 들어, 제 1 박리층(12)과 중첩되는 기능층과, 제 1 박리층(12)과 기능층 사이에 상기 기능층의 특성을 손실시키는 불순물의 확산을 방지하는 절연층이 적층된 구조를 가져도 좋다. 구체적으로는, 제 1 박리층(12) 측으로부터 순차적으로 산화 질화 실리콘층, 질화 실리콘층, 및 기능층이 적층된 구성을 적용할 수 있다.
제 1 피박리층(13)에 사용할 수 있는 기능층으로서는, 예를 들어, 기능 회로, 기능 소자, 광학 소자, 또는 기능막 등, 또는 이들로부터 선택된 복수를 포함하는 층을 들 수 있다. 구체적으로는, 이미 알려져 있는 표시 장치의 화소 회로, 화소의 구동 회로, 표시 소자, 컬러 필터, 또는 방습막 등, 또는 이들로부터 선택된 복수를 포함하는 층을 들 수 있다.
≪접합층≫
접합층(30)은 제 1 피박리층(13)과 제 2 피박리층(23)을 접합시키는 것이라면 특별히 한정되지 않는다. 접합층(30)에 사용할 수 있는 재료로서는, 예를 들어, 무기 재료 또는 유기 수지 등을 들 수 있다.
구체적으로는, 융점이 400℃ 이하, 바람직하게는 300℃ 이하의 유리층 또는 접착제 등을 사용할 수 있다.
접합층(30)에 사용할 수 있는 실재로서는, 자외선 경화형 등의 광 경화형 접착제, 반응 경화형 접착제, 열 경화형 접착제, 혐기형 접착제 등을 들 수 있다.
예를 들어, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘(silicone) 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 수지, 이미드 수지, PVC(폴리바이닐클로라이드) 수지, PVB(폴리바이닐뷰티랄) 수지, EVA(에틸렌바이닐아세테이트) 수지 등을 들 수 있다.
≪박리의 기점≫
가공 부재(90)가 박리의 기점(13s)을 접합층(30)의 단부 근방에 갖는 구성으로 하여도 좋다. 박리의 기점(13s)은, 제 1 피박리층(13)의 일부가 제 1 박리층(12)으로부터 박리된 구조이다.
박리의 기점(13s)은 제 1 피박리층(13)을 날카로운 선단으로 제 1 기판(11) 측으로부터 찔러 형성될 수 있고, 레이저 등을 사용한 비접촉 방법(예를 들어, 레이저 어블레이션법)으로 제 1 피박리층(13)의 일부를 제 1 박리층(12)으로부터 박리할 수 있다.
≪제 2 기판≫
제 2 기판(21)에는 제 1 기판(11)과 같은 것을 사용할 수 있다. 또한, 제 2 기판(21)을 제 1 기판(11)과 동일한 구성으로 할 필요는 없다.
≪제 2 박리층≫
제 2 박리층(22)에는 제 1 박리층(12)과 같은 것을 사용할 수 있다. 또한, 제 2 박리층(22)을 제 1 박리층(12)과 동일한 구성으로 할 필요는 없다.
≪제 2 피박리층≫
제 2 피박리층(23)에는 제 1 피박리층(13)과 같은 구성을 사용할 수 있다. 또한, 제 2 피박리층(23)은 제 1 피박리층(13)과 상이한 구성으로 할 수도 있다. 예를 들어, 제 1 피박리층(13)이 기능 회로를 갖고, 제 2 피박리층(23)이 상기 기능 회로에 대한 불순물의 확산을 방지하는 기능층을 갖는 구성으로 하여도 좋다.
구체적으로는, 제 1 피박리층(13)이 표시 장치의 화소 회로, 화소 회로의 구동 회로, 및 화소 회로와 접속되며 제 2 피박리층(23)을 향하여 광을 발하는 발광 소자를 갖고, 제 2 피박리층(23)이 컬러 필터 및 방습막을 갖는 구성으로 하여도 좋다.
또한, 본 실시형태는, 본 명세서에서 나타내는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
11: 제 1 기판
12: 제 1 박리층
13: 제 1 피박리층
13s: 기점
21: 제 2 기판
22: 제 2 박리층
23: 제 2 피박리층
30: 접합층
30a: 실재
31: 제 1 접착층
31a: 부풀어 오른 부분
32: 제 2 접착층
41: 제 1 지지체
41b: 제 1 지지체
42: 제 2 지지체
90: 가공 부재
90a: 제 1 잔부
90b: 표면
91: 적층체
91a: 제 2 잔부
91b: 표면
91s: 기점
92: 적층체
100: 제 1 공급 유닛
111: 반송 수단
112: 반송 수단
200: 닦아내기용 장치
210: 닦아내기용 수단
211: 연결부
212: 관절부
213: 동력부
215: 닦아내기 부분
216: 본체부
216a: 단부
217: 개폐 집게
218: 구부림 부재
218a: 중공부
220: 시트형 부재
230: 스테이지
240: 닦아내기용 천 수납 용기
241: 닦아내기용 천
250: 닦아내기용 천 폐기 용기
260: 용제 용기
261: 용제
270: 용제 잉여분 제거 용기
271: 금망
280: 닦아내기용 천 꺼내기 수단
281: 흡착기
290: 닦아내기용 천 장착대
291: U자상 개구
300: 제 1 분리 유닛
300b: 제 1 수납부
350: 제 1 세정 장치
400: 제 1 접합 유닛
500: 지지체 공급 유닛
600: 제 2 공급 유닛
700: 기점 형성 유닛
800: 제 2 분리 유닛
800b: 제 2 수납부
850: 제 2 세정 장치
900: 제 2 접합 유닛
1000: 적층체의 제작 장치
12: 제 1 박리층
13: 제 1 피박리층
13s: 기점
21: 제 2 기판
22: 제 2 박리층
23: 제 2 피박리층
30: 접합층
30a: 실재
31: 제 1 접착층
31a: 부풀어 오른 부분
32: 제 2 접착층
41: 제 1 지지체
41b: 제 1 지지체
42: 제 2 지지체
90: 가공 부재
90a: 제 1 잔부
90b: 표면
91: 적층체
91a: 제 2 잔부
91b: 표면
91s: 기점
92: 적층체
100: 제 1 공급 유닛
111: 반송 수단
112: 반송 수단
200: 닦아내기용 장치
210: 닦아내기용 수단
211: 연결부
212: 관절부
213: 동력부
215: 닦아내기 부분
216: 본체부
216a: 단부
217: 개폐 집게
218: 구부림 부재
218a: 중공부
220: 시트형 부재
230: 스테이지
240: 닦아내기용 천 수납 용기
241: 닦아내기용 천
250: 닦아내기용 천 폐기 용기
260: 용제 용기
261: 용제
270: 용제 잉여분 제거 용기
271: 금망
280: 닦아내기용 천 꺼내기 수단
281: 흡착기
290: 닦아내기용 천 장착대
291: U자상 개구
300: 제 1 분리 유닛
300b: 제 1 수납부
350: 제 1 세정 장치
400: 제 1 접합 유닛
500: 지지체 공급 유닛
600: 제 2 공급 유닛
700: 기점 형성 유닛
800: 제 2 분리 유닛
800b: 제 2 수납부
850: 제 2 세정 장치
900: 제 2 접합 유닛
1000: 적층체의 제작 장치
Claims (12)
- 시트형 부재를 지지하는 스테이지와;
상기 시트형 부재의 외주부에 부착된 부착물을 닦아내는 닦아내기용 수단과;
상기 닦아내기용 수단에 착탈 자재하게 장착되는 닦아내기용 천과;
상기 닦아내기용 천에 부착되는 용제를 포함하고,
상기 닦아내기용 수단은, 상기 부착물이 부착된 범위를 내측으로부터 외측을 향하여 걸침과 함께, 내측이 외측보다 선행하도록 경사지고,
상기 닦아내기용 수단은 상기 닦아내기용 천을 장착하고, 상기 닦아내기용 천에 상기 용제를 부착하고, 상기 부착물을 닦아내는 것을 특징으로 하는, 닦아내기용 장치. - 시트형 부재를 지지하는 스테이지와;
상기 시트형 부재의 외주부에 부착된 부착물을 닦아내는 닦아내기용 수단과;
상기 닦아내기용 수단에 착탈 자재하게 장착되는 닦아내기용 천과;
상기 닦아내기용 천에 부착되는 용제를 갖고,
상기 닦아내기용 수단은, 상기 부착물이 부착된 범위를 내측으로부터 외측을 향하여 걸침과 함께, 내측이 외측보다 선행하도록 경사지고,
상기 닦아내기용 수단은 상기 닦아내기용 천을 장착하고, 상기 닦아내기용 천에 상기 용제를 부착하고, 상기 부착물을 닦아내고,
상기 닦아내기용 수단은, 상기 부착물이 부착한 범위 중 소정 범위를 닦아낸 후, 상기 닦아내기용 천을 교환하고,
닦아내기 면은 상기 닦아내기용 천의 오른쪽의 면 및 왼쪽의 면인 것을 특징으로 하는, 닦아내기용 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 닦아내기용 수단은, 상기 부착물이 부착된 범위 중 소정 범위를 닦아낸 후, 상기 닦아내기용 천을 교환하는 것을 특징으로 하는, 닦아내기용 장치. - 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
상기 닦아내기용 수단은, 상기 소정 범위를 상기 닦아내기용 천의 같은 닦아내기 면으로 닦아내는 것을 특징으로 하는, 닦아내기용 장치. - 청구항 2에 있어서,
상기 닦아내기용 수단은, 상기 소정 범위를 상기 닦아내기용 천의 같은 닦아내기 면으로 닦아내고, 다른 소정 범위를 상기 닦아내기용 천의 상이한 닦아내기 면으로 닦아내는 것을 특징으로 하는, 닦아내기용 장치. - 청구항 3에 있어서,
상기 닦아내기용 수단은, 상기 소정 범위를 상기 닦아내기용 천의 같은 닦아내기 면으로 닦아내고, 다른 소정 범위를 상기 닦아내기용 천의 상이한 닦아내기 면으로 닦아내는 것을 특징으로 하는, 닦아내기용 장치. - 청구항 5에 있어서,
상기 닦아내기 면은 상기 닦아내기용 천의 오른쪽의 면 및 왼쪽의 면인 것을 특징으로 하는, 닦아내기용 장치. - 청구항 5에 있어서,
상기 닦아내기 면은 상기 닦아내기용 천의 앞쪽이며 오른쪽의 면, 앞쪽이며 왼쪽의 면, 뒤쪽이며 오른쪽의 면, 및 뒤쪽이며 왼쪽의 면인 것을 특징으로 하는, 닦아내기용 장치. - 삭제
- 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
용제 잉여분 제거 수단을 포함하고,
상기 닦아내기용 수단은 상기 용제 잉여분 제거 수단에 의하여 여분의 용제를 제거하는 것을 특징으로 하는, 닦아내기용 장치. - 가공 부재를 공급하는 제 1 공급 유닛과;
제 1 및 제 2 지지체를 공급하는 지지체 공급 유닛과;
상기 가공 부재의 한쪽 표면을 박리하고, 제 1 잔부(殘部)를 분리하는 제 1 분리 유닛과;
상기 제 1 잔부를 세정하는 제 1 세정 장치와;
상기 제 1 지지체를 상기 제 1 잔부에 제 1 접착층을 사용하여 접합하는 제 1 접합 유닛과;
상기 제 1 잔부 및 상기 제 1 접착층으로 접합된 상기 제 1 지지체를 갖는 제 1 적층체를 적출하는 제 1 적출 유닛과;
상기 제 1 적층체를 공급하는 제 2 공급 유닛과;
상기 제 1 잔부 및 제 1 지지체의 단부 근방에 박리의 기점을 형성하는 기점 형성 유닛과;
상기 제 1 적층체의 한쪽 표면을 박리하고, 제 2 잔부를 분리하는 제 2 분리 유닛과;
상기 제 2 지지체를 상기 제 2 잔부에 제 2 접착층을 사용하여 접합하는 제 2 접합 유닛과;
상기 제 2 잔부 및 상기 제 2 접착층으로 접합된 제 2 지지체를 갖는 제 2 적층체를 적출하는 제 2 적출 유닛을 포함하고,
상기 제 1 세정 장치는,
상기 제 1 잔부인 시트형 부재를 지지하는 스테이지와;
상기 시트형 부재의 외주부에 부착된 부착물을 닦아내는 닦아내기용 수단과;
상기 닦아내기용 수단에 착탈 자재하게 장착되는 닦아내기용 천과;
상기 닦아내기용 천에 부착되는 용제를 포함하고,
상기 닦아내기용 수단은, 상기 닦아내기용 천을 장착하고, 상기 닦아내기용 천에 상기 용제를 부착하고, 상기 부착물을 닦아내는 것을 특징으로 하는, 적층체의 제작 장치. - 청구항 11에 있어서,
상기 제 1 지지체 및 상기 제 2 지지체는 가요성 기판인 것을 특징으로 하는, 적층체의 제작 장치.
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---|---|---|---|---|
JPS5828486A (ja) * | 1981-08-12 | 1983-02-19 | トヨタ自動車株式会社 | 部品表面等の払拭用ロボツトハンド |
JPH0985187A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-03-31 | Sony Corp | パネルクリーニングヘッドのスポンジ絞り装置 |
JP3454411B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2003-10-06 | セントラル硝子株式会社 | シート材のロボットハンドへの着脱方法および装置並びに該シート材による板状面の摺接方法および装置 |
JPH11320475A (ja) * | 1998-05-19 | 1999-11-24 | Daihatsu Motor Co Ltd | ロボットアーム |
JP3503512B2 (ja) * | 1999-02-17 | 2004-03-08 | 松下電器産業株式会社 | ガラス基板のクリーニング装置およびクリーニング方法 |
JP4027740B2 (ja) * | 2001-07-16 | 2007-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TW564471B (en) | 2001-07-16 | 2003-12-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device |
JP4414116B2 (ja) * | 2001-08-21 | 2010-02-10 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板清掃装置および基板清掃方法 |
JP4263389B2 (ja) * | 2001-09-06 | 2009-05-13 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板清掃装置及び基板清掃方法 |
JP3981259B2 (ja) * | 2001-11-01 | 2007-09-26 | 松下電器産業株式会社 | 基板用支持治具 |
EP1988575A3 (en) | 2007-03-26 | 2008-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011078446A1 (en) * | 2009-12-23 | 2011-06-30 | Dnf Co., Ltd. | Polysilazane treating solvent and method for treating polysilazane using the same |
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