JP2015208736A - 拭き取り装置および積層体の作製装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の拭き取り装置について説明する。
本発明の一態様は、基板上に形成した機能素子などからなる構造物を可撓性基板上に転置する前の一工程に使用することができる。例えば、上下両基板に構造物が挟持される加工部材から一方の基板を剥離した後の残部(第1の残部またはシート状部材に相当)の洗浄工程に用いることができる。なお、基板にはガラス基板のような硬質基板を用いることが好ましいが、樹脂などの可撓性基板を用いることもできる。
この例は、拭き取り布241の所定の拭き取り面で所定範囲のシール材30aを拭き取った後、拭き取り布241を廃棄するものである。この例の場合、主として図3(B1)に示すように、拭き取り部215をシール材30aに略直交で且つ略垂直にして拭き取り部215の下端領域に位置する同じ拭き取り布241で拭き取ることになる。
この例は、図3(A1)に示すように、拭き取り布241の左側の拭き取り面(斜線領域)(同じ拭き取り面に相当)でまず所定範囲、例えば辺aおよび辺bのシール材30aを拭き取った後、拭き取り部215を右側に移動し、拭き取り布241の右側の拭き取り面(無地領域)(他の拭き取り面に相当)で残りの他の所定範囲、例えば辺cおよび辺dのシール材30aを拭き取った後、拭き取り布241を廃棄するものである。
この例は、図3(C)に示すように、拭き取り布241の拭き取り面を右前面e(前側であって且つ右側の面に相当)、左前面f(前側であって且つ左側の面に相当)、右後面g(後側であって且つ右側の面に相当)および左後面h(後側であって且つ左側の面に相当)に分け、拭き取り部215を右前側に移動して拭き取り布241の右前面eでまず所定範囲、例えば辺aのシール材30aを拭き取り、拭き取り部215を左前側に移動して拭き取り布241の左前面fで他の所定範囲、例えば辺bのシール材30aを拭き取り、拭き取り部215を右後側に移動して拭き取り布241の右後面gで他の所定範囲、例えば辺cのシール材30aを拭き取り、拭き取り部215を左後側に移動して拭き取り布241の左後面hで他の所定範囲、例えば辺dのシール材30aを拭き取った後、拭き取り布241を廃棄するものである。
図示しないが、例えば、3回拭きの場合は、上記4回拭きの例の場合の3つの拭き取り面を利用することにより可能となる。また、拭き取り布241の左右側の領域を左右の2領域より多い3領域以上にすることにより複数回拭きが可能となる。
この例は、図3(A2)に示すように、拭き取り布241を傾斜させて所定範囲を拭き取った後、拭き取り布241を廃棄するものである。具体的には、拭き取り布241の拭き取り面は、シール材30aを内方から外方に向かって跨ぐとともに、内方側(斜線領域側)が外方側(無地領域側)より先行するように傾斜する。
本実施の形態では、実施の形態1で説明した拭き取り装置を含む積層体の作製装置について説明する。なお、当該作製装置の用途は限定されないが、特に可撓性基板を有する半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、または発電装置等の製造工程に用いることが有用である。
第1の供給ユニット100は、加工部材90(図5(A−1)および図7(A−1)、(A−2)参照)を供給する。例えば、搬送手段111が加工部材90を連続して搬送することができるように、複数の加工部材90を収納することができる多段式の収納庫を備える構成とすることができる。
第1の分離ユニット300は、加工部材90の一方の表面を保持する手段と、対向する他方の表面を保持する手段を備える。それぞれの保持手段を引き離すことにより、加工部材90の一方の表面を剥離して、第1の残部90aを分離する(図4および図5(A−1)乃至図5(C)参照)。
第1の洗浄装置350は、第1の残部90aの外周部の1ないし4辺のいずれか1辺または複数辺(例えば、2乃至4辺)の残存シール材を上記実施の形態1で説明した拭き取り装置により除去する。なお、ここでの工程は本発明の一態様に相当する。詳細については実施の形態1を参照のこと。
第1の貼り合わせユニット400は、第1の接着層31を形成する手段と、第1の接着層31を用いて第1の残部90aと第1の支持体41を貼り合わせる圧着手段を備える(図4および図5(D−1)乃至図5(E−2)参照)。
支持体供給ユニット500は、第1の支持体41を供給する。例えば、ロール状で供給されるフィルムを巻き出して、所定の長さに断裁し、表面をUV等で活性化して、第1の支持体41として供給する。
第2の供給ユニット600は、積層体91を供給することができる。なお、第2の供給ユニット600は、第2の積み出しユニットを兼ねることができ、第1の供給ユニットと同様の構成を適用することができる。即ち、第2の残部91aおよび第2の接着層32で貼り合された第2の支持体42を備える積層体92(第2の積層体に相当)を積み出す(図4、図6(E−1)、(E−2)参照)。
起点形成ユニット700は、積層体91の第1の残部90aおよび第1の支持体41bの端部近傍に、剥離の起点91sを形成する(図6(A−1)および図6(A−2)参照)。例えば、第1の支持体41および第1の接着層31を切断し且つ第2の被剥離層23の一部を第2の剥離層22から剥離する切断手段を備える。
第2の分離ユニット800は、積層体91の一方の表面91bを剥離して、第2の残部91aを分離する(図6(B)参照)。そのため、積層体91の一方の表面を保持する手段と、対向する他方の表面を保持する手段を備える。二つの保持手段を引き離すことにより、積層体91の一方の表面を剥離して、第2の残部91aを分離する。
第2の貼り合わせユニット900は、第2の接着層32を形成する手段と、第2の接着層32を用いて第2の残部91aと第2の支持体42を貼り合わせる圧着手段を備える。即ち、第2の支持体42が供給され、第2の支持体42を第2の残部91aに第2の接着層32を用いて貼り合わせる(図6(D−1)乃至図6(E−2)参照)。
加工部材90が第1の供給ユニット100に搬入される。第1の供給ユニット100は加工部材90を供給し、搬送手段111は、加工部材90を搬送し、第1の分離ユニット300に供給する。
第1の分離ユニット300が、加工部材90の一方の表面90bを剥離する。具体的には、接合層30の端部近傍に形成された剥離の起点13sから、第1の基板11を第1の剥離層12と共に第1の被剥離層13から分離する(図5(C)参照)。
搬送手段111が第1の残部90aを搬送し、支持体供給ユニット500が、第1の支持体41を供給する。
搬送手段111が積層体91を搬送し、第1の積み出しユニットを兼ねる第1の供給ユニット100に積層体91を供給する。
積層体91が第2の供給ユニット600に搬入される。第2の供給ユニット600は積層体91を供給し、搬送手段112は積層体91を搬送し、起点形成ユニット700に供給する。
起点形成ユニット700が、積層体91の第1の接着層31の端部近傍にある第2の被剥離層23の一部を第2の剥離層22から剥離して、第2の剥離の起点91sを形成する。
第2の分離ユニット800が、積層体91から第2の残部91aを剥離する。具体的には、接合層30の端部近傍に形成された剥離の起点から、第2の基板21を第2の剥離層22と共に第2の被剥離層23から分離する(図6(C)参照)。
搬送手段112が第2の残部91aを搬送し、第2の被剥離層23が上面を向くように第2の残部91aを反転する。第2の洗浄装置850は、供給された第2の残部91aを水などで洗浄する。
搬送手段112が積層体92を搬送し、第2の積み出しユニットを兼ねる第2の供給ユニット600に積層体92を供給する。このステップにより、積層体92を積み出すことが可能になる。
本実施の形態では、本発明の一態様の積層体の作製装置に適用可能な加工部材の構成について、図7を参照しながら説明する。
加工部材90は、第1の基板11、第1の基板11上の第1の剥離層12、第1の剥離層12と一方の面が接する第1の被剥離層13、第1の被剥離層13の他方の面と一方の面が接する接合層30、および接合層30の他方の面が接する第2の被剥離層23、第2の被剥離層23の他方の面と一方の面が接する第2の剥離層22および第2の剥離層22上の第2の基板21を備える(図7(A−1)、(A−2)参照)。 なお、剥離の起点13sが、接合層30の端部近傍に設けられていてもよい。
第1の基板11は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。第1の基板11に用いることができる材料は、例えば、ガラス、セラミックス、金属、無機材料または樹脂等が挙げられる。
第1の剥離層12は、第1の剥離層12上に形成された第1の被剥離層13を剥離することができ、製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備えるものであれば、特に限定されない。第1の剥離層12に用いることができる材料は、例えば無機材料または有機樹脂等が挙げられる。
第1の被剥離層13は、第1の剥離層12上から剥離することができ、製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備えるものであれば、特に限定されない。
接合層30は、第1の被剥離層13と第2の被剥離層23を接合するものであれば、特に限定されない。接合層30に用いることができる材料は、例えば無機材料または有機樹脂等が挙げられる。
加工部材90が、剥離の起点13sを接合層30の端部近傍に備える構成としてもよい。剥離の起点13sは、第1の被剥離層13の一部が第1の剥離層12から剥離された構造である。
第2の基板21は、第1の基板11と同様のものを用いることができる。なお、第2の基板21を第1の基板11と同一の構成とする必要はない。
第2の剥離層22は、第1の剥離層12と同様のものを用いることができる。なお、第2の剥離層22を第1の剥離層12と同一の構成とする必要はない。
第2の被剥離層23は、第1の被剥離層13と同様の構成を用いることができる。また、第2の被剥離層23は、第1の被剥離層13と異なる構成とすることもできる。例えば、第1の被剥離層13が機能回路を備え、第2の被剥離層23が当該機能回路への不純物の拡散を防ぐ機能層を備える構成としてもよい。
12 第1の剥離層
13 第1の被剥離層
21 第2の基板
22 第2の剥離層
23 第2の被剥離層
30 接合層
30a シール材
31 第1の接着層
31a 盛り上がり部
32 第2の接着層
41,41b 第1の支持体
42 第2の支持体
90 加工部材
90a 第1の残部
91 第1の積層体
91a 第2の残部
91s,13s 起点
92 第2の積層体
100 第1の供給ユニット
111,112 搬送手段
200 拭き取り装置
210 拭き取り手段
211 リンク部
212 関節部
213 動力部
215 拭き取り部
216 本体部
216a 段部
217 開閉爪
218 折り曲げ部材
218a 中空部
220 シート状部材
230 ステージ
240 拭き取り布収納容器
241 拭き取り布
250 拭き取り布廃棄容器
260 溶剤容器
261 溶剤
270 溶剤余剰分除去容器
271 金網
280 拭き取り布取出手段
281 吸着器
290 拭き取り布取付台
291 U字状開口
300 第1の分離ユニット
300b 第1の収納部
350 第1の洗浄装置
400 第1の貼り合わせユニット
500 支持体供給ユニット
600 第2の供給ユニット
700 起点形成ユニット
800 第2の分離ユニット
800b 第2の収納部
850 第2の洗浄装置
900 第2の貼り合わせユニット
1000 積層体の作製装置
Claims (10)
- シート状部材を支持するステージと、
前記シート状部材の外周部に付着した付着物を拭き取る拭き取り手段と、
前記拭き取り手段に着脱自在に取り付けられる拭き取り布と、
前記拭き取り布に付着される溶剤と、を有し、
前記拭き取り手段は、前記拭き取り布を装着し、前記拭き取り布に前記溶剤を付着し、前記付着物を拭き取ることを特徴とする拭き取り装置。 - 請求項1において、前記拭き取り手段は、前記付着物が付着した範囲の内、所定範囲を拭き取った後、前記拭き取り布を交換することを特徴とする拭き取り装置。
- 請求項2において、前記拭き取り手段は、前記所定範囲を前記拭き取り布の同じ拭き取り面で拭き取ることを特徴とする拭き取り装置。
- 請求項2において、前記拭き取り手段は、前記所定範囲を前記拭き取り布の同じ拭き取り面で拭き取り、他の所定範囲を前記拭き取り布の異なる拭き取り面で拭き取ることを特徴とする拭き取り装置。
- 請求項4において、前記拭き取り面は、前記拭き取り布の右側の面及び左側の面であることを特徴とする拭き取り装置。
- 請求項4において、前記拭き取り面は、前記拭き取り布の前側であって且つ右側の面、前側であって且つ左側の面、後側であって且つ右側の面及び後側であって且つ左側の面であることを特徴とする拭き取り装置。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、前記拭き取り手段は、前記付着物が付着した範囲を内方から外方に向かって跨ぐとともに、内方側が外方側より先行するように傾斜することを特徴とする拭き取り装置。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、溶剤余剰分除去手段を有し、前記拭き取り手段は、前記溶剤余剰分除去手段により余分の溶剤を除去することを特徴とする拭き取り装置。
- 加工部材を供給する第1の供給ユニットと、
第1および第2の支持体を供給する支持体供給ユニットと、
前記加工部材の一方の表面を剥離して、第1の残部を分離する第1の分離ユニットと、
前記第1の残部を洗浄する第1の洗浄装置と、
前記第1の支持体を前記第1の残部に第1の接着層を用いて貼り合わせる第1の貼り合わせユニットと、
前記第1の残部、および前記第1の接着層で貼り合された前記第1の支持体を備える第1の積層体を積み出す第1の積み出しユニットと、
前記第1の積層体を供給する第2の供給ユニットと、
前記第1の残部および第1の支持体の端部近傍に、剥離の起点を形成する起点形成ユニットと、
前記第1の積層体の一方の表面を剥離して、第2の残部を分離する第2の分離ユニットと、
前記第2の支持体を前記第2の残部に第2の接着層を用いて貼り合わせる第2の貼り合わせユニットと、
前記第2の残部および前記第2の接着層で貼り合された第2の支持体を備える第2の積層体を積み出す第2の積み出しユニットと、を有し、
前記第1の洗浄装置は、
前記第1の残部であるシート状部材を支持するステージと、
前記シート状部材の外周部に付着した付着物を拭き取る拭き取り手段と、
前記拭き取り手段に着脱自在に取り付けられる拭き取り布と、
前記拭き取り布に付着される溶剤と、を有し、
前記拭き取り手段は、前記拭き取り布を装着し、前記拭き取り布に前記溶剤を付着し、前記付着物を拭き取ることを特徴とする積層体の作製装置。 - 請求項9において、前記第1の支持体および前記第2の支持体は、可撓性基板であることを特徴とする積層体の作製装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021016837A (ja) * | 2019-07-23 | 2021-02-15 | 東和化成株式会社 | 長尺状繊維清掃具及び汚染物の清掃方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6815096B2 (ja) | 2015-05-27 | 2021-01-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 剥離装置 |
CN107200301B (zh) * | 2017-05-23 | 2019-02-12 | 中国科学院微电子研究所 | 一种mems晶片的贴膜对准装置 |
JP6767951B2 (ja) * | 2017-09-06 | 2020-10-14 | 川崎重工業株式会社 | 粘性材料拭き取り装置 |
CN108425332B (zh) * | 2018-01-18 | 2018-12-14 | 浙江华港染织集团有限公司 | 一种新型特种机器人装置 |
NL2020362B1 (en) | 2018-01-31 | 2019-08-07 | Airborne Int B V | Manufacturing layered products |
NL2020363B1 (en) * | 2018-01-31 | 2019-08-07 | Airborne Int B V | An end effector, system and methods for handling stacked sheets |
CN109023890B (zh) * | 2018-09-06 | 2021-01-15 | 安徽省伊贝雅纺织有限公司 | 一种纺织品清洁装置 |
US20220302538A1 (en) * | 2020-01-03 | 2022-09-22 | Lg Energy Solution, Ltd. | Battery Module and Method of Manufacturing Battery Cell Assembly |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5828486A (ja) * | 1981-08-12 | 1983-02-19 | トヨタ自動車株式会社 | 部品表面等の払拭用ロボツトハンド |
JPH0985187A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-03-31 | Sony Corp | パネルクリーニングヘッドのスポンジ絞り装置 |
JPH11188677A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Central Glass Co Ltd | シート材のロボットハンドへの着脱方法および装置並びに該シート材による板状面の摺接方法および装置 |
JPH11320475A (ja) * | 1998-05-19 | 1999-11-24 | Daihatsu Motor Co Ltd | ロボットアーム |
JP2003142897A (ja) * | 2001-11-01 | 2003-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板用支持治具、並びに回路基板製造装置及び方法 |
JP2008270787A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-11-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3503512B2 (ja) * | 1999-02-17 | 2004-03-08 | 松下電器産業株式会社 | ガラス基板のクリーニング装置およびクリーニング方法 |
JP4027740B2 (ja) * | 2001-07-16 | 2007-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TW564471B (en) | 2001-07-16 | 2003-12-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device |
JP4414116B2 (ja) * | 2001-08-21 | 2010-02-10 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板清掃装置および基板清掃方法 |
JP4263389B2 (ja) * | 2001-09-06 | 2009-05-13 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板清掃装置及び基板清掃方法 |
WO2011078446A1 (en) * | 2009-12-23 | 2011-06-30 | Dnf Co., Ltd. | Polysilazane treating solvent and method for treating polysilazane using the same |
KR101178214B1 (ko) | 2009-12-23 | 2012-08-29 | (주)디엔에프 | 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔 처리 방법 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5828486A (ja) * | 1981-08-12 | 1983-02-19 | トヨタ自動車株式会社 | 部品表面等の払拭用ロボツトハンド |
JPH0985187A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-03-31 | Sony Corp | パネルクリーニングヘッドのスポンジ絞り装置 |
JPH11188677A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Central Glass Co Ltd | シート材のロボットハンドへの着脱方法および装置並びに該シート材による板状面の摺接方法および装置 |
JPH11320475A (ja) * | 1998-05-19 | 1999-11-24 | Daihatsu Motor Co Ltd | ロボットアーム |
JP2003142897A (ja) * | 2001-11-01 | 2003-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板用支持治具、並びに回路基板製造装置及び方法 |
JP2008270787A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-11-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021016837A (ja) * | 2019-07-23 | 2021-02-15 | 東和化成株式会社 | 長尺状繊維清掃具及び汚染物の清掃方法 |
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