KR102390672B1 - 이면 조사형 촬상 소자, 그 제조 방법 및 촬상 장치 - Google Patents
이면 조사형 촬상 소자, 그 제조 방법 및 촬상 장치 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 복수의 화소를 이차원 형상으로 나열하여 배치한 이면 조사형 촬상 소자에 관한 것으로 촬상용 화소와, 초점 검출용 화소를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 이면 조사형 촬상 소자, 그 제조 방법 및 그 촬상 소자를 사용한 촬상 장치에 관한 것이다.
촬상 화소와 함께 초점 검출용 화소를 갖는 표면 조사형 촬상 소자가 종래 기술로서 알려져 있다(예를 들어, 일본 공개특허공보 제2000-305010호).
일본 공개특허공보 제2000-305010호에 기재되어 있는 바와 같은 종래의 표면 조사형 촬상 소자에서는 마이크로 렌즈와 수광부 사이에 광전 변환부로부터의 신호를 판독하기 위한 배선과 색필터와 차광층을 형성하지 않으면 안되므로, 마이크로 렌즈로부터 수광부까지의 거리가 길어진다(깊어진다). 이 때문에, 화소의 미세화가 진행되면 초점의 검출 정밀도가 나빠지는 문제가 있다.
또한, 일본 공개특허공보 제2000-305010호에 기재되어 있는 바와 같은 종래의 표면 조사형 촬상 소자에서는 수광부의 입사광측에 광전 변환부로부터의 신호를 판독하기 위한 배선을 형성하지 않으면 안되므로, 수광 개구는 그 배선을 피하면서 설정할 필요가 있고, 수광부에 광을 입사시키기 위한 개구가 좁아진다. 이 때문에, 통상의 촬상 화소보다도 더욱 작은 수광 개구(한쌍의 수광 개구)로 할 필요가 있는 초점 검출용 화소의 경우에는 화소의 소형화에 수반하여 초점 검출용 화소의 탑재가 곤란해지는 문제가 있다.
본 발명의 제 1 형태에 의하면 복수의 화소를 2차원 형상으로 나열하여 배치한 이면 조사형 촬상 소자는 촬상용 화소와 초점 검출용 화소를 포함한다.
본 발명의 제 2 형태에 의하면, 제 1 형태의 이면 조사형 촬상 소자에서 상기 촬상용 화소 및 상기 초점 검출용 화소는 한쪽면에 광전 변환부를 형성하고 또한 다른쪽면을 수광면으로 하는 반도체층과, 상기 광전 변환부로부터의 신호를 판독하는 배선을 갖는 배선층을 구비하고, 상기 촬상용 화소의 배선층 및 상기 초점 검출용 화소의 배선층은 각각의 반도체층의 상기 한쪽면측에 형성되고, 상기 촬상용 화소는 반도체층의 상기 다른쪽 면측에, 특정의 파장역의 광을 통과시키는 색필터를 구비하고, 상기 초점 검출용 화소는 상기 촬상용 화소의 색필터에 대응하는 층에, 상기 반도체층의 다른쪽면에 입사하는 광의 일부를 차폐하는 차광막을 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 3 형태에 의하면 제 2 형태의 이면 조사형 촬상 소자에서 상기 차광막의 두께는 상기 색필터의 두께와 다른 것이 바람직하다.
본 발명의 제 4 형태에 의하면 제 2 또는 제 3 형태의 이면 조사형 촬상 소자에서 상기 차광막의 위치는 상기 색필터의 위치와 상기 이면 조사형 촬상 소자의 두께 방향으로 어긋나 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 5 형태에 의하면 제 2 또는 제 3 형태의 이면 조사형 촬상 소자에서 상기 초점 검출용 화소는 상기 광전 변환부로부터의 신호를 판독하지 않고, 다른 화소에서의 광전 변환부로부터의 신호를 판독하는 배선을 상기 반도체층의 상기 한쪽면측에 추가로 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 6 형태에 의하면 제 2 또는 제 3 형태의 이면 조사형 촬상 소자에서 상기 배선은 상기 이면 조사형 촬상 소자의 수광면측으로부터 상기 광전 변환부의 수광 영역을 투영했을 때의 투영과 겹치는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 7 형태에 의하면 촬상 장치는 제 1~제 3 중 어느 형태의 이면 조사형 촬상 소자를 구비한다.
본 발명의 제 8 형태에 의하면 이면 조사형 촬상 소자의 제조 방법은 기판의 표면에 P형 에피택시얼층을 형성하는 P형 에피택시얼층 형성 공정과, 상기 P형 에피택시얼층의 표면에 광전 변환부를 형성하는 광전 변환부 형성 공정과, 상기 광전 변환부상에 배선층을 형성하는 배선층 형성 공정과, 상기 P형 에피택시얼층으로부터 상기 기판을 제거하는 기판 제거 공정과, 상기 P형 에피택시얼층의 상기 기판을 제거한 면상에 차광막과 색필터를 형성하는 차광막-색필터 형성 공정과, 상기 차광막상 및 상기 색필터 상에 마이크로 렌즈를 형성하는 마이크로 렌즈 형성 공정을 구비한다.
본 발명의 제 9 형태에 의하면 제 1 형태의 이면 조사형 촬상 소자에서 상기 초점 검출용 화소는 한쪽면에 광전 변환부를 형성하고 또한 다른쪽면을 수광면으로 하는 반도체층과, 상기 다른쪽면에 입사하는 광의 일부를 차폐하는 차광막과, 상기 광전 변환부로부터의 신호를 판독하는 배선을 구비하고, 상기 배선은 상기 반도체층의 상기 한쪽면측에 형성되고, 상기 차광막은 상기 반도체층의 상기 다른쪽 면측에 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 10 형태에 의하면 제 9 형태의 이면 조사형 촬상 소자에서, 상기 초점 검출용 화소는 상기 광전 변환부로부터의 신호를 판독하지 않고 다른 화소에서의 광전 변환부로부터의 신호를 판독하는 배선을 상기 반도체층의 상기 한쪽면측에 추가로 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 11 형태에 의하면 제 9 또는 제 10 형태의 이면 조사형 촬상 소자에서 상기 배선은 상기 이면 조사형 촬상 소자의 수광면측으로부터 상기 광전 변환부의 수광 영역을 투영했을 때의 투영과 겹치는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 12 형태에 의하면 제 9 또는 제 10 형태의 이면 조사형 촬상 소자에서 상기 차광막은 전압이 인가되는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 13 형태에 의하면 제 9 또는 제 10 형태의 이면 조사형 촬상 소자에서 상기 차광막은 알루미늄의 반사율보다 낮은 소정의 반사율 이하의 반사율을 갖는 금속으로 이루어진 것이 바람직하다.
본 발명의 제 14 형태에 의하면 제 9 또는 제 10 형태의 이면 조사형 촬상 소자에서, 상기 차광막은 알루미늄의 반사율보다 낮은 소정의 반사율 이하의 반사율을 갖고 광을 투과하지 않는 산화물 또는 질화물로 이루어진 것이 바람직하다.
본 발명의 제 15 형태에 의하면 제 9 또는 제 10 형태의 이면 조사형 촬상 소자에서 상기 차광막은 소정의 반사율 이하의 반사율을 갖고 광을 투과하지 않는 수지로 이루어진 것이 바람직하다.
본 발명의 제 16 형태에 의하면 제 9 또는 제 10 형태의 이면 조사형 촬상 소자에서 상기 차광막의 표면에, 알루미늄의 반사율보다 낮은 소정의 반사율 이하의 반사율을 갖는 금속의 막이 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 17 형태에 의하면 제 9 또는 제 10 형태의 이면 조사형 촬상 소자에서 상기 차광막의 표면에, 알루미늄 반사율보다 낮은 소정의 반사율 이하의 반사율을 갖고 광을 투과하지 않는 산화물 또는 질화물의 막이 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 18 형태에 의하면 제 9 또는 제 10 형태의 이면 조사형 촬상 소자에서 상기 차광막의 표면에 알루미늄의 반사율보다 낮은 소정의 반사율 이하의 반사율을 갖고 광을 투과하지 않는 수지의 막이 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 19 형태에 의하면 제 13 형태의 이면 조사형 촬상 소자에서 상기 소정의 반사율은 주석의 반사율인 것이 바람직하다.
본 발명의 제 20 형태에 의하면 제 1 형태의 이면 조사형 촬상 소자에서 상기 초점 검출용 화소는 한쪽면에 광전 변환부와 트랜지스터를 형성하고 또한 다른쪽면을 수광면으로 하는 반도체층과, 상기 다른쪽면에 입사하는 광의 일부를 차폐하는 차광막과, 상기 광전 변환부로부터의 신호를 판독하는 신호선, 상기 광전 변환부로부터의 신호를 증폭하기 위한 전력을 공급하는 전원선 및 상기 트랜지스터를 제어하는 제어선 중 적어도 하나의 배선을 구비하고, 상기 배선은 상기 반도체층의 상기 한쪽면측에 형성되고, 상기 차광막은 상기 반도체층의 상기 다른쪽 면측에 형성되고 또한, 상기 광전 변환부로부터의 신호를 판독하는 기능, 상기 광전 변환부로부터의 신호를 증폭하기 위한 전력을 공급하는 기능 및 상기 트랜지스터를 제어하는 기능 중 적어도 하나의 기능을 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 21 형태에 의하면 촬상 장치는 제 9 또는 제 20 형태에 기재된 이면 조사형 촬상 소자를 구비한다.
본 발명의 제 22 형태에 의하면 이면 조사형 촬상 소자의 제조 방법은 기판의 표면에 P형 에피택시얼층을 형성하는 P형 에피택시얼층 형성 공정과, 상기 P형 에피택시얼층의 표면에 광전 변환부를 형성하는 광전 변환부 형성 공정과, 상기 광전 변환부상에 배선층을 형성하는 배선층 형성 공정과, 상기 P형 에피택시얼층으로부터 상기 기판을 제거하는 기판 제거 공정과, 상기 P형 에피택시얼층의 상기 기판을 제거한 면 상에 차광막을 형성하는 차광막 형성 공정과, 상기 차광막상에 투명막 및 색필터를 형성하는 투명막-색필터 형성 공정과, 상기 투명막상 및 상기 색필터 상에 마이크로 렌즈를 형성하는 마이크로 렌즈 형성 공정을 구비한다.
본 발명에 의하면 촬상 소자에서 마이크로 렌즈로부터 광전 변화부까지의 거리를 짧게 할 수 있으므로 초점 검출 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 화소가 소형화되어도 초점 검출용 화소의 탑재가 가능해진다.
도 1은 제 1 실시 형태의 전자 카메라의 구성을 도시한 도면,
도 2는 제 1 실시 형태의 교환 렌즈의 예정 결상면에 설정한 촬상 화면상의 초점 검출 영역을 도시한 도면,
도 3은 제 1 실시 형태의 색필터의 베이어 배열을 도시한 도면,
도 4는 제 1 실시 형태의 촬상 소자의 상세한 구성을 도시한 도면,
도 5a, 도 5b는 제 1 실시 형태의 촬상 화소의 구조를 도시한 도면,
도 6a, 도 6b는 제 1 실시 형태의 초점 검출 화소의 구조를 도시한 도면,
도 7은 제 1 실시 형태의 눈동자 분할 방식에 의한 초점 검출 방법을 설명하기 위한 도면,
도 8은 제 1 실시 형태의 촬상 소자의 기본 화소 구성을 도시한 도면,
도 9는 제 1 실시 형태의 하나의 화소에 포함되는 배선을 설명하기 위한 도면,
도 10a, 도 10b는 제 1 실시 형태의 배선층의 배선을 도시한 도면,
도 11a 내지 도 11c는 제 1 실시 형태의 촬상 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면,
도 12a, 도 12b는 제 1 실시 형태의 촬상 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면,
도 13a, 도 13b는 제 1 실시 형태의 촬상 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면,
도 14는 제 2 실시 형태의 교환 렌즈의 예정 결상면에 설정한 촬상 화면상의 초점 검출 영역을 도시한 도면,
도 15는 제 2 실시 형태의 색필터의 베이어 배열을 도시한 도면,
도 16은 제 2 실시 형태의 촬상 소자의 상세한 구성을 도시한 도면,
도 17a, 도 17b는 제 2 실시 형태의 촬상 화소의 구조를 도시한 도면,
도 18a, 도 18b는 제 2 실시 형태의 초점 검출 화소의 구조를 도시한 도면,
도 19는 제 2 실시 형태의 눈동자 분할 방식에 의한 초점 검출 방법을 설명하기 위한 도면,
도 20은 제 2 실시 형태의 촬상 소자의 기본 화소 구성을 도시한 도면,
도 21은 제 2 실시 형태의 하나의 화소에 포함되는 배선을 설명하기 위한 도면,
도 22a, 도 22b는 제 2 실시 형태의 배선층의 배선을 도시한 도면,
도 23a 내지 도 23c는 제 2 실시 형태의 촬상 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면,
도 24a 내지 도 24c는 제 2 실시 형태의 촬상 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면, 및
도 25a, 도 25b는 제 2 실시 형태의 촬상 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 제 1 실시 형태의 교환 렌즈의 예정 결상면에 설정한 촬상 화면상의 초점 검출 영역을 도시한 도면,
도 3은 제 1 실시 형태의 색필터의 베이어 배열을 도시한 도면,
도 4는 제 1 실시 형태의 촬상 소자의 상세한 구성을 도시한 도면,
도 5a, 도 5b는 제 1 실시 형태의 촬상 화소의 구조를 도시한 도면,
도 6a, 도 6b는 제 1 실시 형태의 초점 검출 화소의 구조를 도시한 도면,
도 7은 제 1 실시 형태의 눈동자 분할 방식에 의한 초점 검출 방법을 설명하기 위한 도면,
도 8은 제 1 실시 형태의 촬상 소자의 기본 화소 구성을 도시한 도면,
도 9는 제 1 실시 형태의 하나의 화소에 포함되는 배선을 설명하기 위한 도면,
도 10a, 도 10b는 제 1 실시 형태의 배선층의 배선을 도시한 도면,
도 11a 내지 도 11c는 제 1 실시 형태의 촬상 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면,
도 12a, 도 12b는 제 1 실시 형태의 촬상 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면,
도 13a, 도 13b는 제 1 실시 형태의 촬상 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면,
도 14는 제 2 실시 형태의 교환 렌즈의 예정 결상면에 설정한 촬상 화면상의 초점 검출 영역을 도시한 도면,
도 15는 제 2 실시 형태의 색필터의 베이어 배열을 도시한 도면,
도 16은 제 2 실시 형태의 촬상 소자의 상세한 구성을 도시한 도면,
도 17a, 도 17b는 제 2 실시 형태의 촬상 화소의 구조를 도시한 도면,
도 18a, 도 18b는 제 2 실시 형태의 초점 검출 화소의 구조를 도시한 도면,
도 19는 제 2 실시 형태의 눈동자 분할 방식에 의한 초점 검출 방법을 설명하기 위한 도면,
도 20은 제 2 실시 형태의 촬상 소자의 기본 화소 구성을 도시한 도면,
도 21은 제 2 실시 형태의 하나의 화소에 포함되는 배선을 설명하기 위한 도면,
도 22a, 도 22b는 제 2 실시 형태의 배선층의 배선을 도시한 도면,
도 23a 내지 도 23c는 제 2 실시 형태의 촬상 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면,
도 24a 내지 도 24c는 제 2 실시 형태의 촬상 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면, 및
도 25a, 도 25b는 제 2 실시 형태의 촬상 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
-제 1 실시 형태-
본원 발명을 촬상 장치로서의 전자 카메라에 적용한 제 1 실시 형태를 설명한다. 도 1은 제 1 실시 형태의 전자 카메라의 구성을 도시하는 도면이다. 제 1 실시 형태의 전자 카메라(101)는 교환 렌즈(102)와 카메라 바디(103)로 구성되고, 교환 렌즈(102)는 카메라 바디(103)의 마운트부(104)에 장착된다.
교환 렌즈(102)는 렌즈(105~107), 조리개(108), 렌즈 구동 제어 장치(109) 등을 구비하고 있다. 또한, 렌즈(106)는 주밍용, 렌즈(107)는 포커싱용이다. 렌즈 구동 제어 장치(109)는 CPU와 그 주변 부품을 구비하고 포커싱용 렌즈(107) 및 조리개(108)의 구동 제어를 실시한다. 또한, 렌즈 구동 제어 장치(109)는 주밍용 렌즈(106), 포커싱용 렌즈(107) 및 조리개(108)의 위치 검출과, 카메라 바디(103)의 제어 장치 사이의 통신에 의한, 렌즈 정보의 송신 및 카메라 정보의 수신을 실시한다.
한편, 카메라 바디(103)는 촬상 소자(111), 카메라 구동 제어 장치(112), 메모리 카드(113), LCD 드라이버(114), LCD(115), 접안 렌즈(116) 등을 구비하고 있다. 촬상 소자(111)는 교환 렌즈(102)의 예정 결상면(예정 초점면)에 배치되고, 교환 렌즈(102)에 의해 결상된 피사체상을 촬상하여 화상 신호를 출력한다. 촬상 소자(111)에는 촬상용 화소(이하, 촬상 화소라고 함)가 2차원 형상으로 배치되어 있고, 그 안의 초점 검출 위치에 대응한 부분에는 촬상 화소를 대신하여 초점 검출용 화소(이하, 초점 검출 화소라고 함)열이 편입되어 있다.
카메라 구동 제어 장치(112)는 CPU와 그 주변 부품을 구비하고, 촬상 소자(111)의 구동 제어, 촬상 화상의 처리, 교환 렌즈(102)의 초점 검출 및 초점 조절, 조리개(108)의 제어, LCD(115)의 표시 제어, 렌즈 구동 제어 장치(109)와의 통신, 카메라 전체의 시퀀스 제어 등을 실시한다. 또한, 카메라 구동 제어 장치(112)는 마운트부(104)에 설치된 전기 접점(117)을 통하여 렌즈 구동 제어 장치(109)와 통신을 실시한다.
메모리 카드(113)는 촬상 화상을 기억하는 화상 스토리지이다. LCD(115)는 액정 뷰파인더(EVF: 전자 뷰파인더)의 표시기로서 사용되고, 촬영자는 접안 렌즈(116)를 통하여 LCD(115)에 표시된 촬상 화상을 시인할 수 있다.
교환 렌즈(102)를 통과하여 촬상 소자(111) 상에 결상된 피사체상은 촬상 소자(111)에 의해 광전 변환되고, 화상 출력이 카메라 구동 제어 장치(112)로 보내어진다. 카메라 구동 제어 장치(112)는 초점 검출 화소의 출력에 기초하여 초점 검출 위치에서의 디포커스량을 연산하고, 상기 디포커스량을 렌즈 구동 제어 장치(109)로 보낸다. 또한, 카메라 구동 제어 장치(112)는 촬상 화소의 출력에 기초하여 생성한 화상 신호를 LCD 드라이버(114)로 보내어 LCD(115)에 표시하고 또한 메모리 카드(113)에 기억한다.
렌즈 구동 제어 장치(109)는 주밍 렌즈(106), 포커싱 렌즈(107) 및 조리개(108)의 위치를 검출하고 검출 위치에 기초하여 렌즈 정보를 연산하거나, 또는 미리 준비된 룩업 테이블로부터 검출 위치에 맞는 렌즈 정보를 선택하여 카메라 구동 제어 장치(112)로 보낸다. 또한, 렌즈 구동 제어 장치(109)는 카메라 구동 제어 장치(112)로부터 수신한 디포커스량에 기초하여 렌즈 구동량을 연산하고 렌즈 구동량에 기초하여 포커싱용 렌즈(107)를 구동 제어한다.
촬상 소자(111)는 이면 조사형의 4TR-CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)센서이다. 4TR-CMOS센서는 광전 변환부와, 전송 게이트 트랜지스터, 소스 팔로어 트랜지스터, 행 선택 트랜지스터 및 재설정 트랜지스터의 4트랜지스터로 구성된다. 상세하게는 후술한다.
도 2는 교환 렌즈(102)의 예정 결상면에 설정한 촬상 화면(G)상의 초점 검출 영역을 나타낸다. 촬상 화면(G)상에 G1~G5의 초점 검출 영역이 설정되고, 촬상 소자(111)의 초점 검출 화소는 촬상 화면(G)상의 각 초점 검출 영역(G1~G5)의 길이 방향으로 직선 형상으로 배열된다. 즉, 촬상 소자(111) 상의 초점 검출 화소열은 촬상 화면(G)상에 결상된 피사체상내의 초점 검출 영역(G1~G5)의 상을 샘플링한다. 촬영자는 촬영 구도에 따라서 초점 검출 영역(G1~G5) 중에서 임의로 초점 검출 영역을 수동으로 선택한다.
도 3은 촬상 소자(111)에 설치하는 색필터의 배열을 도시한다. 촬상 소자(111)의 기판상에 2차원 형상으로 나열하여 배치하는 촬상 화소에는 도 3에 도시하는 베이어 배열의 색필터를 설치한다. 또한, 도 3에는 4화소분(2×2)의 촬상 화소에 대한 색필터의 배열을 나타내지만, 상기 4화소분의 색필터 배열을 갖는 촬상 화소 유닛을 촬상 소자(111)상에 2차원 형상으로 전개한다. 베이어 배열에서는 G(녹색) 필터를 갖는 2개의 화소가 대각 위치에 배치되고, B(청색) 필터와 R(적색) 필터를 갖는 한쌍의 화소가 상기 G필터 화소와 직교하는 대각 위치에 배치된다. 따라서, 베이어 배열에서는 녹색 화소의 밀도가 적색 화소와 청색 화소의 밀도보다 높아진다.
도 4는 촬상 소자(111)의 상세한 구성을 도시한 정면도이다. 또한, 도 4는 촬상 소자(111)상의 하나의 초점 검출 영역의 주위를 확대한 도면이다. 촬상 소자(111)는 촬상 화소(210)와 초점 검출용 초점 검출 화소(211)로 구성된다.
도 5a는 촬상 화소(210)의 정면도이다. 도 5b는 도 5a의 A-A 단면도이다. 촬상 화소(210)는 마이크로 렌즈(10), 마이크로 렌즈 고정층(11), 색필터(12), 평탄화층(13), 반도체층(16) 및 배선층(17)으로 구성된다. 반도체층(16)의 한쪽면에는 광전 변환부(15a)와 채널 스톱부(15b)가 형성된다.
마이크로 렌즈(10)는 촬상 화소(210)의 표면에 도달한 광을 집광하여 광전 변환부(15a)에 접촉되도록 하는 것이다. 마이크로 렌즈 고정층(11)은 마이크로 렌즈(10)를 색필터(12)에 고정하는 것이다. 색필터(12)는 특정의 파장역의 광을 통하는 수지층이다. 평탄화층(13)은 후술한 제조 공정에서 지지 기판(60)을 제거한 후(도 12a 참조), 색필터(12)를 형성하기 전에 표면을 평탄화하기 위한 층이다.
광전 변환부(15a)는 도달한 광을 광전 변환하여 신호 전하를 축적한다. 채널 스톱부(15b)는 2개의 촬상 화소(210) 사이의 경계 부분에 형성되고, 광전 변환부(15a)에서 발생한 신호 전하가 주위의 화소에 들어가는 것을 방지한다. 배선층(17)은 후술한 신호 출력선, 전원선, 재설정 제어선, 전송 게이트 제어선, 행 선택 제어선 등의 배선을 갖는다. 배선의 상세한 내용은 후술한다.
도 6a는 초점 검출 화소(211)의 정면도이다. 도 6b는 도 6a의 B-B 단면도이다. 초점 검출 화소(211)는 마이크로 렌즈(10), 마이크로 렌즈 고정층(11), 차광막(18), 평탄화층(13), 반도체층(16) 및 배선층(17)으로 구성된다. 반도체층(16)의 한쪽면에는 광전 변환부(15a)와 채널 스톱부(15b)가 형성된다. 마이크로 렌즈(10), 마이크로 렌즈 고정층(11), 평탄화층(13), 광전 변환부(15a), 채널 스톱부(15b) 및 배선층(17)은 촬상 화소(210)와 동일한 기능을 갖는 것으로 설명을 생략한다.
차광막(18)은 도 6b에 도시한 광전 변환부(15a)의 우측 반 부분 또는 좌측 반 부분에, 입사되는 광이 닿도록 개구하여 형성된다. 광전 변환부(15a)의 우측 반 부분에 광이 입사되는 초점 검출 화소(211a)와, 광전 변환부(15a)의 좌측 반 부분에 광이 입사되는 초점 검출 화소(211b)는 번갈아 배열된다. 초점 검출 화소(211a)의 출력 분포와, 초점 검출 화소(211b)의 출력 분포를 비교하여 디포커스량을 산출한다.
다음에, 도 7을 참조하여 초점 검출 방법을 설명한다. 본 발명의 실시 형태에서는 소위 눈동자 분할 방식에 의해 초점을 검출한다. 도 7은 교환 렌즈(102)의 초점이 맞지 않았을 때의 초점 검출 화소(211)의 출력 분포를 나타내는 도면이다. 곡선(21)은 초점 검출 화소(211a)의 출력 분포를 나타내는 곡선이다. 곡선(22)은 초점 검출 화소(211b)의 출력 분포를 나타내는 곡선이다. 초점 검출 화소(211a)와 초점 검출 화소(211b)는 번갈아 배열되어 있다. 곡선(21)은 곡선(22)의 우측으로 어긋나 있으므로, 초점 검출 화소(211)의 위치가 후방 핀인 것을 알 수 있다.
상기 2개의 출력 분포(21, 22)의 상 차이량에 소정의 변환 계수를 곱함으로써, 예정 결상면에 대한 현재의 결상면[예정 결상면상의 마이크로 렌즈(10)의 위치에 대응한 초점 검출 위치에서의 결상면]의 편차(디포커스량)을 산출할 수 있다. 교환 렌즈(102)가 초점이 맞추어지면 곡선(21)과 곡선(22)이 일치하게 된다.
도 8을 참조하여 촬상 소자(111)의 기본 화소 구성을 설명한다. 상술한 바와 같이 촬상 소자(111)는 이면 조사형의 4TR-CMOS센서이고, 기본 화소(300)는 광전 변환부(33)와, 전하 전압 변환부(34)와, 전송 게이트 트랜지스터(32), 소스 팔로어 트랜지스터(35), 행 선택 트랜지스터(36), 재설정 트랜지스터(31)의 4개 트랜지스터로 구성된다. 또한, 기본 화소(300)는 신호 출력선(VOUT), 전원선(Vdd), 재설정 제어선(φR), 전송 게이트 제어선((φTG) 및 행 선택 제어선(φRS)과 접속되어 있다.
재설정 트랜지스터(31)는 전하 전압 변환부(34)를 초기 전위로 재설정한다. 전송 게이트 트랜지스터(32)는 광전 변환된 신호 전하를 전하 전압 변환부(34)에 전송한다. 광전 변환부(33)는 상술한 바와 같이 도달한 광을 광전 변환하여 신호 전하를 축적한다. 전하 전압 변환부(34)는 신호 전하를 전위로 변환하는 부유 용량이고, 상기 부유 용량은 콘덴서로서 기능하는 다이오드에서 발생한다. 소스 팔로어 트랜지스터(35)는 축적 전하에 의한 전하 전압 변환부(34)의 전위 변화를 증폭한다. 행 선택 트랜지스터(36)는 신호를 전송하는 기본 화소(300)를 선택하기 위한 스위칭을 실시한다.
신호 출력선(VOUT)은 기본 화소(300)로부터 출력되는 신호를 전송하기 위한 배선이고, 행 선택 트랜지스터(36)의 드레인과 접속된다. 전원선(Vdd)은 전하 전압 변환부(34)의 전위 변화를 증폭하는 전력을 공급하는 배선이고, 재설정 트랜지스터(31)의 소스와 접속된다. 재설정 제어선(φR)은 재설정 트랜지스터(31)의 온/오프를 제어하기 위한 배선이고 재설정 트랜지스터(31)의 게이트와 접속된다. 전송 게이트 제어선(φTG)은 신호 전하의 전하 전압 변환부(34)로의 전송을 제어하기 위한 배선이고, 전송 게이트 트랜지스터(32)의 게이트와 접속된다. 행 선택 제어선(φRS)은 행 선택 트랜지스터(36)의 온/오프를 제어하기 위한 배선이고, 행 선택 트랜지스터(36)의 게이트와 접속된다.
도 9를 참조하여 하나의 화소에 포함되는 배선에 대해서 설명한다. 도 9에 도시한 바와 같이 촬상 소자(111)는 병렬 배치된 화소의 하나의 행에서 신호 출력선(VOUT), 전원선(Vdd), 재설정 제어선(φR), 전송 게이트 제어선((φTG) 및 행 선택 제어선(φRS)을 각각 2개씩 갖고, 하나의 열에서 4개의 신호 출력선(VOUT)을 갖는다. 이에 의해 복수의 기본 화소(300)의 신호를 한번에 판독할 수 있고 촬상 소자(111)의 검출 속도를 빠르게 할 수 있다. 이에 수반하여, 도 9 중에서 점선으로 나타낸 하나의 화소(51)에 포함되는 배선에는 기본 화소(300)와 접속되는 배선 이외에, 상기 기본 화소(300)와 접속되지 않고 다른 화소의 기본 화소(300)와 접속되는 배선도 포함된다. 이 때문에, 하나의 화소에 포함되는 배선의 수는 많아진다.
도 10a, 도 10b를 참조하여 촬상 소자(111)의 배선층(17)에서의 배선에 대해서 설명한다. 도 10a는 배선층(17)의 배선을 마이크로 렌즈(10)측에서 보았을 때의 평면도이다. 도 10b는 도 10a의 C-C 단면도이다. 도 10a, 도 10b에 나타낸 바와 같이, 배선층의 배선은 3층에 걸쳐 격자 형상으로 형성된다. 광전 변환부(15a)로부터 보아 제 1 층째에는 4개의 신호 출력선(VOUT)과 2개의 바이어스선(Vb)이 형성되고, 제 2 층째에는 2개의 전원선(Vdd)과 2개의 재설정 제어선(φR)이 형성된다. 제 3 층째에는 2개의 전송 게이트 제어선(φTG)과 2개의 행 선택 제어선(φRS)이 형성된다. 바이어스선(Vb)은 혼신(混信) 방지를 위해 형성된다.
도 10b에 도시한 바와 같이 배선층(17)은 광전 변환부(15a)에 대해서 광의 입사측의 반대측에 형성되므로, 광전 변환부(15a)의 위치의 제한(제약)을 받지 않고 자유롭게 배선을 형성할 수 있다. 즉, 본 실시 형태에서는 촬상 소자(111)의 수광면측으로부터 광전 변환부(15a)의 수광 영역을 투영했을 때의 투영과 겹치는 영역에도 배선을 형성할 수 있다. 한편, 촬상 소자가 표면 조사형인 경우 배선층은 광전 변환부(15a)에 대해서 광의 입사측에 형성되므로, 광전 변환부의 수광 영역과 겹치지 않도록 배선을 형성할 필요가 있다.
또한, 본 실시 형태에서는 촬상 소자(111)의 배선층(17)은 광전 변환부(15a)의 위치의 제한을 받지 않으므로, 배선의 선폭을 넓히지 않고 신호의 전송 효율을 높일 수도 있다.
다음에, 도 11a~도 13b를 참조하여 본 발명의 실시 형태에서의 촬상 소자(111)의 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 11a~도 13b는 촬상 소자(111) 중 특히 초점 검출 화소(211)의 부분을 나타낸다.
도 11a에 도시한 바와 같이 반도체 기판(60) 상에 P형 에피택시얼층(61)을 형성하고 그 P형 에피택시얼층(61)의 표면에 확산층을 형성하고, 광전 변환부(15a), 채널 스톱부(15b), 트랜지스터 등을 구성하는 다른 소자(도시하지 않음)를 형성한다. 상기 P형 에피택시얼층(61)이 반도체층(16)에 상당한다. 다음에, 도 11b에 도시한 바와 같이 CVD에 의한 실리콘 산화막의 형성 및 스패터링에 의한 Al 배선의 형성을 반복하여 P형 에피택시얼층(61) 상에 배선층(17)을 형성한다. 그리고, 도 11c에 도시한 바와 같이 배선층(17) 상에 지지 기판(62)을 부착한다.
도 12a에 도시한 바와 같이 에칭에 의해 반도체 기판(60)을 제거한다. 다음에, 도 12b에 도시한 바와 같이 반도체 기판(60)의 제거면을 평탄화하기 위해 평탄화층(13)을 형성하는 수지를 반도체 기판 제거면에 균일하게 도포한 후, 수지의 도포, 도포한 수지의 건조, 패턴 노광, 현상 처리의 공정을 반복하여 차광막(18)과 색필터(도시하지 않음)를 형성한다. 차광막(18)은 티탄 블랙이나 카본 블랙 등의 흑색의 안료를 수지에 분산시킨 것, 또는 흑색의 염료로 수지를 착색시킨 것이다. 색필터(도시하지 않음)는 각 색(예를 들어 R, G, B)에 대응한 안료를 수지에 분산시킨 것, 또는 각 색(예를 들어 R, G, B)에 대응한 염료로 수지를 착색시킨 것이다.
도 13a에 도시한 바와 같이 차광막(18) 및 색필터(도시하지 않음)상에 마이크로 렌즈 고정층(11)을 형성하는 수지를 도포한 후, 마이크로 렌즈(10)를 형성하는 수지를 도포하여 주지의 리소그래피에서 원하는 형상으로 패터닝하고, 마이크로 렌즈 기체(63)를 형성한다. 다음에, 도 13b에 도시한 바와 같이 핫플레이트 등을 사용하여 마이크로 렌즈 기체(63)를 반구 형상으로 가열 성형하여 마이크로 렌즈(10)를 형성한다. 그리고, 지지 기판(62)을 제거하여 촬상 소자(111)가 완성된다.
또한, 촬상 소자에서 마이크로 렌즈(10)와, 색필터(12)와 차광막(18)을 형성할 수 있으면, 마이크로 렌즈 고정층(11)이나 평탄화층(13)을 생략해도 좋다.
이상 설명한 실시 형태에 의하면 다음의 작용 효과가 얻어진다.
(1) 촬상 화소(210) 및 초점 검출 화소(211)는 한쪽면에 광전 변환부(15a)를 형성하고 또한 다른쪽면을 수광면으로 하는 반도체층(16)과, 광전 변환부(15a)로부터의 신호를 판독하는 배선을 갖는 배선층(17)을 구비하도록 했다. 그리고, 촬상 화소(210)의 배선층(17) 및 초점 검출 화소(211)의 배선층(17)은 각각의 반도체층(16)의 한쪽면측에 형성되고, 촬상 화소(210)는 반도체층(16)의 다른쪽 면측에, 특정의 파장역의 광을 통과시키는 색필터(12)를 구비하고, 초점 검출 화소(211)는 촬상용 화소(210)의 색필터(12)에 대응하는 층에, 반도체층(16)의 다른쪽면에 입사하는 광의 일부를 차폐하는 차광막(18)을 구비하도록 했다. 이에 의해, 마이크로 렌즈(10)와 광전 변환부(15a)의 사이에 광전 변화부로부터의 신호를 판독하기 위한 배선이 형성되지 않고, 또한 차광막(18)이 색필터(12)와 겹쳐 형성되는 일이 없으므로 마이크로 렌즈(10)로부터 광전 변환부(15a)까지의 거리를 짧게(얕게)할 수 있고 초점의 검출 정밀도를 향상시킬 수 있다.
(2) 티탄 블랙이나 카본 블랙 등의 흑색의 안료를 수지에 분산시킨 것, 또는 흑색의 염료로 수지를 착색시킨 것을 차광막(18)의 재료로서 사용했다. 이에 의해, 입사광의 차광막(18)에 의한 반사를 억제할 수 있다.
(3) 티탄 블랙이나 카본 블랙 등의 흑색의 안료를 수지에 분산시킨 것, 또는 흑색의 염료로 수지를 착색시킨 것을 차광막(18)의 재료로서 사용하고, 각 색(예를 들어 R, G, B)에 대응한 안료를 수지에 분산시킨 것, 또는 각 색(예를 들어, R, G, B)에 대응한 염료로 수지를 착색시킨 것을 색필터(12)에 재료로서 사용했다. 어느 쪽도 수지 재료이므로 색필터(12)를 형성하는 공법과 동일한 공법으로 차광막(18)을 형성할 수 있어 편리하다. 예를 들어, 수지의 도포, 도포한 수지의 건조, 패턴 노광, 현상 처리의 공정을 반복하여 색필터(12)와 동일하게 차광막(18)을 형성할 수 있다. 또한, 색필터(12)와 동일한 공법으로 차광막(18)을 제작하면 차광막(18)의 막두께의 제어가 용이하므로 입력 특성의 조정이 가능해진다. 또한, 촬상용 화소(210)의 색필터(12)에 대응하는 층에, 입사되는 광의 일부를 차폐하는 차광막(18)을 구비하는 것으로 색필터(12)를 형성하는 공정에서 차광막(18)도 형성할 수 있어 편리하다.
(4) 반도체 기판(60)의 표면에 P형 에피택시얼층(61)을 형성하고, P형 에피택시얼층(61)의 표면에 광전 변환부(15a)를 형성하고, 광전 변환부(15a) 상에 배선층(17)을 형성하고 P형 에피택시얼층(61)으로부터 반도체 기판(60)을 제거하고, P형 에피택시얼층(61)의 반도체 기판(60)을 제거한 면 상에 차광막(18)과 색필터(12)를 형성하고, 차광막(18)상 및 색필터(12) 상에 마이크로 렌즈(10)를 형성하여 촬상 소자(111)를 제조하도록 했다. 이에 의해, 차광막(18)과 색필터(12)를 하나의 공정 중에서 형성하므로 촬상 소자(111)를 효율적으로 제조할 수 있다.
(5) 초점 검출 화소(211)는 광전 변환부(15a)로부터의 신호를 판독하지 않고 다른 화소에서의 광전 변환부로부터의 신호를 판독하는 배선을 반도체층(16)의 한쪽면측에 구비하도록 했다. 이에 의해, 복수의 기본 화소(300)의 신호를 한번에 판독하도록 배선을 형성할 수 있고, 촬상 소자(111)의 검출 속도를 빠르게 할 수 있다.
(6) 배선은 촬상 소자(111)의 수광면측으로부터 광전 변환부(15a)의 수광 영역을 투영했을 때의 투영과 겹치도록 했다. 이에 의해, 배선의 층수를 별로 증가키지 않고 초점 검출 화소(211)에 많은 배선을 형성하거나, 배선의 폭을 넓게 할 수 있다. 한편, 촬상 소자가 표면 조사형인 경우, 광전 변환부의 수광 영역과 겹치지 않도록 배선을 형성할 필요가 있으므로, 많은 배선을 형성하고자 하면 배선의 층수가 많아지거나 배선의 폭을 넓힐 수 없는 경우가 있다.
이상의 실시 형태를 다음과 같이 변형할 수 있다.
(1) 차광막(18)의 두께는 색필터(12)의 두께와 다르도록 해도 좋다. 이에 의해 초점 검출 화소(211)의 초점 위치의 조정이 가능해진다.
(2) 차광막(18)의 위치는 색필터(12)의 위치와 촬상 소자(111)의 두께 방향으로 어긋나도록 해도 좋다. 이에 의해, 초점 검출 화소(211)의 초점 위치의 조정이 가능해진다.
(3) 이상의 실시 형태에서는 배선층(17)의 배선의 층수는 3층이었지만, 배선의 층수는 3층에 한정되지 않는다. 예를 들어, 배선층(17)의 배선의 층수를 10층까지 증가시켜 동시에 판독하거나 동시에 제어할 수 있는 화소의 수를 증가시키도록 해도 좋다. 표면 조사형 촬상 소자와 달리, 배선의 층수를 증가시켜도 마이크로 렌즈(10)와 광전 변환부(15a) 사이의 거리가 커지는 일은 없다. 또한, 배선층(17)의 배선의 층수를 2층까지 감소시키고 기능 제한을 실시하여 제조 비용을 낮추도록 해도 좋다.
(4) 색필터(12)의 R, G, B에 대응한 안료를 모두 수지에 분산시킨 것, 또는 각 색필터의 R, G, B에 대응한 염료를 모두 사용하여 수지를 착색한 것을 차광막(18)의 재료로서 사용하도록 해도 좋다. 또한, R의 색필터, G의 색필터 및 B의 색필터를 적층한 것을 차광막(18)으로 하도록 해도 좋다.
(5) 촬상 소자(111)는 4TR-CMOS센서였지만, 이면 조사형 촬상 소자이면 4TR-CMOS 센서에 한정되지 않는다. 예를 들어, 다른 CMOS 센서이어도 좋고 CCD(Charge Coupled Device)이어도 좋다.
(6) 상기 실시 형태에서는 차광막(18)에 차광 기능만을 갖게 하고 있지만, 상기 차광막(18)에 차광 기능뿐만 아니라 전극이나 배선의 기능을 갖게 하도록 해도 좋다. 예를 들어, 상기 차광막(18)을 흑색계의 도전성 재료로 형성함으로써 차광 기능과 도전성(전극 기능이나 배선 기능)의 양쪽을 갖게 할 수 있다. 예를 들어, 도전성 유기 재료(도전성 고분자, 도전성 폴리머)에 카본 블랙을 용해시킨 재료를 사용하여 차광막(18)을 형성함으로써 이를 실현할 수 있다. 또한, 이 경우 도 4에 도시한 바와 같이 촬상 소자 내에 부분적(독립적)으로 초점 검출 화소를 편입하기 보다도, 그 초점 검출 화소를 배치하는 1행 모두를 초점 검출 화소로서 편입하도록 구성한 편이, 차광막(18)을 사용하여 제어선을 설치하는 데에는 상황이 좋다.
이와 같이 구성함으로써 촬상 소자로서의 한층 더한 기능 향상을 도모할 수 있다. 예를 들어, 화소의 고속 판독을 가능하게 하거나 화소 독립 제어를 가능하게 할 수 있다. 차광막(18)에 갖게 하는 기능으로서는 예를 들어, 신호선(신호 출력선(VOUT)), 전원선(Vdd), 제어선[재설정 제어선(φR), 전송 게이트 제어선(φTG), 행 선택 제어선(φRS)], 바이어스선(Vb) 중 어느 기능을 차광막(18)에 갖게 하도록 해도 좋다. 이에 의해, 복수의 화소를 동시에 판독하거나 복수의 화소를 동시에 제어하기 위해 배선을 증가시킬 때, 배선층(17)의 층수의 증가를 억제할 수 있다.
또한, 전극이나 배선의 기능을 차광막(18)에 갖게 하도록 함으로써 신호선, 제어선, 전원선, 바이어스선의 분리 자유도를 높일 수 있다. 신호선, 제어선, 전원선, 바이어스선 중에서 다른 전극이나 배선으로부터 떨어져 형성한 편이 좋은 것이 있다. 그와 같은 배선의 기능을 차광막(18)에 갖게 하도록 하여 다른 배선을 배선층(17)에 형성함으로써 배선끼리 떨어뜨려 형성할 수 있다. 예를 들어 신호선이 제어선의 가까이에 형성되면 혼신이 발생하는 경우가 있다. 그래서, 신호선 및 제어선 중 한쪽의 배선의 기능을 차광막(18)에 갖게 하고, 다른쪽 배선을 배선층(17)에 형성함으로써 신호선을 제어선으로부터 떨어뜨려 형성할 수 있다.
이 경우, P형 에피택시얼층(61) 및 평탄화층(13)을 관통하는 관통 구멍을 에칭 등으로 형성하고, 상기 관통 구멍을 이용하여 P형 에피택시얼층(61)의 표면에 형성된 광전 변환부(15a)나 다른 소자와 차광막(18)을 전기적으로 접속하기 위한 배선을 형성해도 좋다.
또한, 차광막(18)뿐만 아니라 색필터(12)도 도전성 재료로 구성하면 이 층[색필터(12)와 차광막(18)을 포함하는 층]을 전면적으로 상술한 바와 같은 배선이나 전극의 기능층으로서 사용할 수 있고, 상술한 바와 같이 촬상 소자로서의 한층 더한 기능 향상을 도모할 수 있다.
상기 제 1 실시 형태와 변형예 중 하나, 또는 복수를 조합시키는 것도 가능하다. 변형예끼리 어떻게 조합시키는 것도 가능하다.
-제 2 실시 형태-
본원 발명을 촬상 장치로서의 전자 카메라에 적용한 제 2 실시 형태를 설명한다. 제 2 실시 형태의 전자 카메라의 구성은 제 1 실시 형태의 전자 카메라의 구성과 동일하므로, 제 1 실시 형태의 설명을 참조하는 것으로 하고 그 설명을 생략한다. 또한, 제 1 실시 형태의 구성 요소와 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙여 설명한다. 이하, 제 2 실시 형태의 촬상 소자를 중심으로 설명한다.
제 2 실시 형태의 촬상 소자(111)는 제 1 실시 형태와 동일하게 이면 조사형의 4TR-CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 센서이다. 4TR-CMOS 센서는 광전 변화부와, 전송 게이트 트랜지스터, 소스 팔로어 트랜지스터, 행 선택 트랜지스터 및 재설정 트랜지스터의 4개 트랜지스터로 구성된다. 상세한 내용은 후술한다.
도 14는 교환 렌즈(102)의 예정 결상면에 설정한 촬상 화면(G)상의 초점 검출 영역을 나타낸다. 도 14는 제 1 실시 형태의 도 2와 동일하다. 촬상 화면(G) 상에 G1~G5의 초점 검출 영역을 설정하고, 촬상 소자(111)의 초점 검출 화소를 촬상 화면(G)상의 각 초점 검출 영역(G1~G5)의 길이 방향으로 직선 형상으로 배열한다. 즉, 촬상 소자(111)상의 초점 검출 화소열은 촬영 화면(G)상에 결상된 피사체상 내의 초점 검출 영역(G1~G5)의 상을 샘플링한다. 촬영자는 촬영 구도에 따라서 초점 검출 영역(G1~G5) 중에서 임의의 초점 검출 영역을 수동으로 선택한다.
도 15는 촬상 소자(211)에 설치하는 색필터의 배열을 나타낸다. 도 15는 제 1 실시 형태의 도 3과 동일하다. 촬상 소자(111)의 기판상에 2차원 형상으로 나열하여 배치하는 촬상 화소에는 도 15에 도시한 베이어 배열의 색필터를 설치한다. 또한, 도 15에는 4화소분(2×2)의 촬상 화소에 대한 색필터의 배열을 나타내지만, 상기 4화소분의 색필터 배열을 갖는 촬상 화소 유닛을 촬상 소자(111) 상에 2차원 형상으로 전개한다. 베이어 배열에서는 G(녹색) 필터를 갖는 2개의 화소가 대각 위치에 배치되고, B(청색) 필터와 R(적색) 필터를 갖는 한쌍의 화소가 상기 G필터화소와 직교하는 대각 위치에 배치된다. 따라서, 베이어 배열에서는 녹색 화소의 밀도가 적색 화소와 청색 화소의 밀도보다도 높아진다.
도 16은 촬상 소자(111)의 상세한 구성을 나타내는 정면도이다. 또한, 도 16은 촬상 소자(111) 상의 하나의 초점 검출 영역의 주위를 확대한 도면이다. 촬상 소자(111)는 촬상 화소(210)와 초점 검출용 초점 검출 화소(211)로 구성된다.
도 17a는 촬상 화소(210)의 정면도이다. 도 17b는 도 17a의 A-A단면도이다. 촬상 화소(210)는 마이크로 렌즈(10), 마이크로 렌즈 고정층(11), 색필터(12), 평탄화층(13), 차광막(14A), 반도체층(16) 및 배선층(17)으로 구성된다. 반도체층(16)의 한쪽면에는 광전 변환부(15a)와 채널 스톱부(15b)가 형성된다.
마이크로 렌즈(10)는 촬상 화소(210)의 표면에 도달한 광을 집광하여 광전변환부(15a)에 닿도록 하는 것이다. 마이크로 렌즈 고정층(11)은 마이크로 렌즈(10)를 색필터(12)에 고정하는 것이다. 색필터(12)는 특정의 파장역의 광을 통과하는 수지층이고, 각 색(예를 들어 R, G, B)에 대응한 안료를 수지에 부산시킨 것, 또는 각 색(예를 들어, R, G, B)에 대응한 염료로 수지를 착색한 것이다. 평탄화층(13)은 후술한 제조 공정으로 차광막(14A)을 형성한 후(도 24b 참조), 색필터(12)를 형성하기 전에 표면을 평탄화하기 위한 층이다.
차광막(14A)은 채널 스톱(15b) 근방을 차광하기 위한 막이고, 노이즈 발생이나 혼색을 방지한다. 광전 변환부(15a)는 도달한 광을 광전 변환하고, 신호 전하를 축적한다. 채널 스톱부(15b)는 2개의 촬상 화소(210) 사이의 경계 부분에 형성되고, 광전 변환부(15a)에서 발생한 신호 전하가 주위의 화소에 들어가는 것을 방지한다. 배선층(17)은 후술하는 신호 출력선, 전원선, 재설정 제어선, 전송 게이트 제어선, 행 선택 제어선 등의 배선을 갖는다. 배선의 상세한 내용에 대해서는 후술한다.
도 18a는 초점 검출 화소(211)의 정면도이다. 도 18b는 도 18a의 B-B 단면도이다. 초점 검출 화소(211)는 마이크로 렌즈(10), 마이크로 렌즈 고정층(11), 투명막(19), 평탄화층(13), 차광막(14B), 반도체층(16) 및 배선층(17)으로 구성된다. 반도체층(16)의 한쪽면에는 광전 변환부(15a)와 채널 스톱부(15b)가 형성된다. 마이크로 렌즈(10), 마이크로 렌즈 고정층(11), 평탄화층(13), 광전 변환부(15a), 채널 스톱부(15b) 및 배선층(17)은 촬상 화소(210)와 동일한 기능을 갖는 것으로 설명을 생략한다.
차광막(14B)은 도 18b에 도시하는 광전 변환부(15a)의 우측 반 부분 또는 좌측 반 부분에 입사하는 광이 닿도록 개구하여 형성된다. 광전 변환부(15a)의 우측 반 부분에 광이 입사되는 초점 검출 화소(211a)와, 광전 변환부(15a)의 좌측 반 부분에 광이 입사되는 초점 검출 화소(211b)는 번갈아 배열된다. 초점 검출 화소(211a)의 출력 분포와, 초점 검출 화소(211b)의 출력 분포를 비교하여 디포커스량을 산출한다. 투명막(19)은 가시광역에서의 모든 파장의 광을 통과시키는 수지층이다.
다음에, 도 19를 참조하여 초점 검출 방법을 설명한다. 본 발명의 실시 형태에서는 소위 눈동자 분할 방식에 의해 초점을 검출한다. 도 19는 교환 렌즈(102)의 초점이 맞추어져 있지 않을 때의 초점 검출 화소(211)의 출력 분포를 도시하는 도면이다. 곡선(21)은 초점 검출 화소(211a)의 출력 분포를 도시하는 곡선이다. 곡선(22)은 초점 검출 화소(211b)의 출력 분포를 도시하는 곡선이다. 초점 검출 화소(211a)와 초점 검출 화소(211b)는 번갈아 배열되어 있다. 곡선(21)은 곡선(22)의 우측으로 어긋나 있으므로 초점 검출 화소(211)의 위치가 후방 핀인 것을 알 수 있다.
상기 2개의 출력 분포(21, 22)의 상 차이량에 소정의 변환 계수를 곱함으로서 예정 결상면에 대한 현재의 결상면[예정 결상면상의 마이크로 렌즈(10)의 위치에 대응한 초점 검출 위치에서의 결상면]의 편차(디포커스량)을 산출할 수 있다. 교환 렌즈(102)가 초점이 맞추어지면 곡선(21)과 곡선(22)이 일치하게 된다.
도 20을 참조하여 촬상 소자(111)의 기본 화소 구성을 설명한다. 도 20은 제 1 실시 형태의 도 8과 동일하다. 상술한 바와 같이 촬상 소자(111)는 이면 조사형의 4TR-CMOS 센서이고, 기본 화소(300)는 광전 변환부(33)와, 전하 전압 변환부(34)와, 전송 게이트 트랜지스터(32), 소스 팔로어 트랜지스터(35), 행 선택 트랜지스터(36), 재설정 트랜지스터(31)의 4개 트랜지스터로 구성된다. 또한, 기본 화소(300)는 신호 출력선(VOUT), 전원선(Vdd), 재설정 제어선(φR), 전송 게이트 제어선(φTG) 및 행 선택 제어선(φRS)과 접속되어 있다.
재설정 트랜지스터(31)는 전하 전압 변환부(34)를 초기 전위로 재설정한다. 전송 게이트 트랜지스터(32)는 광전 변환된 신호 전하를 전하 전압 변환부(34)에 전송한다. 광전 변환부(33)는 상술한 바와 같이 도달한 광을 광전 변환하고 신호 전하를 축적한다. 전하 전압 변환부(34)는 신호 전하를 전위로 변환하는 부유 용량이고, 상기 부유 용량은 콘덴서로서 기능하는 다이오드에서 발생한다. 소스 팔로어 트랜지스터(35)는 축적 전하에 의한 전하 전압 변환부(34)의 전위 변화를 증폭한다. 행 선택 트랜지스터(36)는 신호를 전송하는 기본 화소(300)를 선택하기 위한 스위칭을 실시한다.
신호 출력선(VOUT)은 기본 화소(300)로부터 출력되는 신호를 전송하기 위한 배선이고, 행 선택 트랜지스터(36)의 드레인과 접속된다. 전원선(Vdd)은 전하 전압 변환부(34)의 전위 변화를 증폭시키는 전력을 공급하는 배선이고, 재설정 트랜지스터(31)의 소스와 접속된다. 재설정 제어선(φR)은 재설정 트랜지스터(31)의 온/오프를 제어하기 위한 배선이고, 재설정 트랜지스터(31)의 게이트와 접속된다. 전송 게이트 제어선(φTG)은 신호 전하의 전하 전압 변환부(34)로의 전송을 제어하기 위한 배선이고, 전송 게이트 트랜지스터(32)의 게이트와 접속된다. 행 선택 제어선(φRS)은 행 선택 트랜지스터(36)의 온/오프를 제어하기 위한 배선이고, 행 선택 트랜지스터(36)의 게이트와 접속된다.
도 21을 참조하여 하나의 화소에 포함되는 배선에 대해서 설명한다. 도 21은 제 1 실시 형태의 도 9와 동일하다. 도 21에 도시한 바와 같이 촬상 소자(111)는 병렬 배열된 화소 중 하나의 행에서 신호 출력선(VOUT), 전원선(Vdd), 재설정 제어선(φR), 전송 게이트 제어선(φTG) 및 행 선택 제어선(φRS)을 각각 2개씩 갖고, 하나의 열에서 4개의 신호 출력선(VOUT)을 갖는다. 이에 의해, 복수의 기본 화소(300)의 신호를 한번에 판독할 수 있고, 촬상 소자(111)의 검출 속도를 빠르게 할 수 있다. 이에 따라서 도 21 중에서 점선으로 나타낸 하나의 화소(51)에 포함되는 배선에는 기본 화소(300)와 접속되는 배선 이외에, 상기 기본 화소(300)와 접속되지 않고 다른 화소의 기본 화소(300)와 접속되는 배선도 포함된다. 이 때문에 하나의 화소에 포함되는 배선의 수는 많아진다.
도 22a, 도 22b를 참조하여 촬상 소자(111)의 배선층(17)에서의 배선에 대해서 설명한다. 도 22a는 배선층(17)의 배선을 마이크로 렌즈(10)측에서 보았을 때의 평면도이다. 도 22b는 도 22a의 C-C 단면도이다. 도 22a, 도 22b에 도시한 바와 같이 배선층의 배선은 3층에 걸쳐서 격자 형상으로 형성된다. 광전 변환부(15a)로부터 보아 제 1 층째에는 4개의 신호 출력선(VOUT)과 2개의 바이어스선(Vb)이 형성되고, 제 2 층째에는 2개의 전원선(Vdd)과 2개의 재설정 제어선 (φR)이 형성된다. 제 3 층째에는 2개의 전송 게이트 제어선(φTG)과 2개의 행 선택 제어선(φRS)이 형성된다. 바이어스선(Vb)는 혼신 방지를 위해 형성된다.
도 22b에 도시한 바와 같이 배선층(17)은 광전 변환부(15a)에 대해서 광의 입사측의 반대측에 형성되므로, 광전 변화부(15a)의 위치의 제한(제약)을 받지 않고 자유롭게 배선을 형성할 수 있다. 즉, 본 실시 형태에서는 촬상 소자(111)의 수광면측으로부터 광전 변환부(15a)의 수광 영역을 투영했을 때의 투영과 겹치는 영역에도 배선을 형성할 수 있다. 한편, 촬상 소자가 표면 조사형인 경우 배선층은 광전 변환부(15a)에 대해서 광의 입사측에 형성되므로, 광전 변환부의 수광 영역과 겹치지 않도록 배선을 형성할 필요가 있다.
또한, 본 실시 형태에서는 촬상 소자(111)의 배선층(17)은 광전 변환부(15a)의 위치의 제한을 받지 않으므로 배선의 선폭을 넓히고, 신호의 전송 효율을 높일 수도 있다.
다음에, 도 23a~도 25b를 참조하여 본 발명의 실시 형태에서의 촬상 소자(111)의 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 23a~도 25b는 촬상 소자(111) 중 특히 초점 검출 화소(211)의 부분을 나타낸다.
도 23a에 도시한 바와 같이 반도체 기판(6) 상에 P형 에피택시얼층(61)을 형성하고, 그 P형 에피택시얼층(61)의 표면에 확산층을 형성하며, 광전 변환부(15a), 채널 스톱부(15b), 트랜지스터 등을 구성하는 다른 소자(도시하지 않음)를 형성한다. 상기 P형 에피택시얼층(61)은 반도체층(16)에 상당한다. 다음에, 도 23b에 도시한 바와 같이 CVD에 의한 실리콘의 산화막의 형성 및 스퍼터링에 의한 알루미늄(Al) 배선의 형성을 반복하여 P형 에피택시얼층(61)상에 배선층(17)을 형성한다. 그리고, 도 23c에 도시한 바와 같이 배선층(17) 상에 지지 기판(62)을 부착한다.
도 24a에 도시한 바와 같이 에칭에 의해 반도체 기판(60)을 제거한다. 다음에 도 24b에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(60)을 제거한 표면에 스퍼터법에 의해 알루미늄(Al)의 차광막(14B)을 형성한다. 그리고, 도 24c에 도시한 바와 같이 표면을 평탄화하기 위해 평탄화층(13)을 형성하는 수지를 차광막(14B)상에 균일하게 도포한 후 투명막(19)을 형성한다. 예를 들어, 투명막(19)은 수지의 도포, 도포한 수지의 건조, 패턴 노광, 현상 처리의 공정을 거쳐 형성된다.
도 25a에 도시한 바와 같이 투명막(19) 상에 마이크로 렌즈 고정층(11)을 형성하는 수지를 도포한 후, 마이크로 렌즈(10)를 형성하는 수지를 도포하고 주지의 리소그래피에서 원하는 형상으로 패터닝하고, 마이크로 렌즈 기체(63)를 형성한다. 다음에 도 25b에 도시한 바와 같이 핫플레이트 등을 사용하여 마이크로 렌즈 기체(63)를 반구 형상으로 가열 성형하여 마이크로 렌즈(10)를 형성한다. 그리고, 지지 기판(62)을 제거하여 촬상 소자(111)가 완성된다.
촬상 화소(210)의 부분에서는 색필터(12)는 투명막(19)에 대응하고 차광막(14A)은 차광막(14B)에 대응하여 형성된다. 색필터(12)와 투명막(19)은 동일한 공정으로 형성되고 차광막(14A)과 차광막(14B)은 동일한 공정으로 형성된다.
또한, 촬상 소자에서 마이크로 렌즈(10)와, 색필터(12)와, 투명막(19)을 형성할 수 있으면 마이크로 렌즈 고정층(11)이나 평탄화층(13)을 생략해도 좋다.
이상 설명한 제 2 실시 형태에 의하면 다음의 작용 효과가 얻어진다.
(1) 촬상 소자(111)를 이면 조사형으로 하고 이차원 형상으로 나열하여 배치된 복수의 화소에, 촬상 화소(210)와 함께 초점 검출 화소(211)가 포함되도록 했다. 이에 의해, 초점 검출 화소(211)의 차광막(14B)의 실질적인 개구 면적을 크게 취할 수 있으므로, 화소가 소형화되어도 초점 검출 화소의 탑재가 가능해진다.
또한, 배선층을 광전 변환부(15a)의 광입사측과는 반대측에 설치하도록 했으므로 배선층이 광전 변환부(15a)의 광입사측에 설치되는 표면 조사형에 비해, 마이크로 렌즈(10)로부터 광전 변환부(15a)까지의 거리를 적어도 배선층의 분량만큼 짧게 할 수 있으므로 초점의 검출 정밀도를 높일 수 있다.
(2) 초점 검출 화소(211)는 한쪽면에 광전 변환부(15a)를 형성하고 또한 다른쪽면을 수광면으로 하는 반도체층(16)과, 광전 변환부(15a)에 입사되는 광의 일부를 차폐하는 차광막(14B)과, 광전 변환부(15a)로부터의 신호를 판독하는 배선(VOUT)을 구비하고, 배선(VOUT)은 반도체층(16)의 한쪽면측에 형성되고, 차광막(14B)은 반도체층(16)의 다른쪽 면측에 형성되도록 했다. 이에 의해, 마이크로 렌즈와 광전 변환부 사이에 광전 변환부로부터의 신호를 판독하는 배선을 형성하지 않으면 안되는 표면 조사형의 촬상 소자의 경우에 비해 마이크로 렌즈(10)와 광전 변환부(15a) 사이의 거리를 짧게(얕게)할 수 있으므로 초점의 검출 정밀도를 높일 수 있다.
(3) 초점 검출 화소(211)는 광전 변환부(15a)로부터의 신호를 판독하지 않고 다른 화소에서의 광전 변환부로부터의 신호를 판독하는 배선을 반도체층(16)의 한쪽면측에 구비하도록 했다. 이에 의해, 복수의 기본 화소(300)의 신호를 한번에 판독하도록 배선을 형성할 수 있고, 촬상 소자(111)의 검출 속도를 빠르게 할 수 있다.
(4) 배선은 촬상 소자(111)의 수광면측으로부터 광전 변환부(15a)의 수광 영역을 투영했을 때의 투영과 겹치도록 했다. 이에 의해, 배선의 층수를 별로 증가시키지 않고, 초점 검출 화소(211)에 많은 배선을 형성하거나 배선의 폭을 넓게 할 수 있다. 한편, 촬상 소자가 표면 조사형인 경우, 광전 변환부의 수광 영역과 겹치지 않도록 배선을 형성할 필요가 있으므로, 많은 배선을 형성하고자 하면 배선의 층수가 많아지거나 배선의 폭을 넓힐 수 없는 경우가 있다.
(5) 차광막(14A, 14B)의 형상의 자유도가 높으므로 차광막(14A, 14B)의 형상을 검토함으로써, 촬상 화소의 화소간 분리 성능을 높이거나, 화소간에서의 크로스 토크, 광 누출에 의한 라인크롤 현상 등을 억제할 수 있다.
(6) 반도체 기판(60)의 표면에 P형 에피택시얼층(61)을 형성하고 P형 에피택시얼층(61)의 표면에 광전 변환부(15a)를 형성하고, 광전 변환부(15a) 상에 배선층(17)을 형성하고, P형 에피택시얼층(61)으로부터 반도체 기판(60)을 제거하고, P형 에피택시얼층(61)의 반도체 기판(60)을 제거한 면 상에 차광막(14A, 14B)을 형성하고, 차광막(14A, 14B) 상에 투명막(19)과 색필터(12)를 형성하고, 투명막(19)상 및 색필터(12)상에 마이크로 렌즈(10)를 형성하여 촬상 소자(111)를 제조하도록 했다. 이에 의해, 이면 조사형 촬상 소자를 효율적으로 제조할 수 있다.
이상의 제 2 실시 형태를 다음과 같이 변형할 수 있다.
(1) 전극이나 배선의 기능을 차광막(14A, 14B)에 갖도록 해도 좋다. 이에 의해, 촬상 소자로서의 기능을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 화소의 고속 판독을 가능하게 하거나 화소 독립 제어를 가능하게 할 수 있다. 차광막(14A, 14B)에 갖게 하는 기능으로서는 예를 들어 신호선[신호 출력선(VOUT)], 전원선(Vdd), 제어선[재설정 제어선(φR), 전송 게이트 제어선(φTG), 행 선택 제어선(φRS)], 바이어스선(Vb) 중 어느 기능을 차광막(14A, 14B)에 갖도록 해도 좋다. 이에 의해, 복수의 화소를 동시에 판독하거나 복수의 화소를 동시에 제어하기 위해 배선을 증가시킬 때, 배선층(17)의 층수의 증가를 억제할 수 있다.
또한, 전극이나 배선의 기능을 차광막(14A, 14B)에 갖게 하도록 함으로써 신호선, 제어선, 전원선, 바이어스선의 분리 자유도를 높일 수 있다. 신호선, 제어선, 전원선, 바이어스선 중에서 다른 전극이나 배선으로부터 분리하여 형성한 편이 좋은 것이 있다. 그와 같은 배선의 기능을 차광막(14A, 14B)에 갖게 하도록 하고, 다른 배선을 배선층(17)에 형성함으로써 배선끼리 떨어뜨려 형성할 수 있다. 예를 들어, 신호선이 제어선 가까이에 형성되면 혼신이 발생하는 경우가 있다. 그래서, 신호선 및 제어선 중 한쪽 배선의 기능을 차광막(14A, 14B)에 갖게 하고, 다른쪽 배선을 배선층(17)에 형성함으로써 신호선을 제어선으로부터 떨어뜨려 형성할 수 있다.
이 경우, P형 에피택시얼층(61)을 관통하는 관통 구멍을 에칭 등으로 형성하고, 상기 관통 구멍을 이용하여 P형 에피택시얼층(61)의 표면에 형성된 광전 변환부(15a)나 다른 소자와 차광막(14A, 14B)을 전기적으로 접속하기 위한 배선을 형성해도 좋다.
(2) 이상의 실시 형태에서는 배선층(17)의 층수는 3층이었지만, 배선의 층수는 3층에 한정되지 않는다. 예를 들어, 배선층(17)의 배선의 층수를 10층까지 증가시키고 동시에 판독하거나 동시에 제어할 수 있는 화소의 수를 증가시키도록 해도 좋다. 표면 조사형 촬상 소자와 달리, 배선의 층수를 증가시켜도 마이크로 렌즈(10)와 광전 변환부(15a) 사이의 거리가 커지는 일은 없다. 또한, 배선층(17)의 배선의 층수를 2층까지 감소시키고 기능 제한을 실시하여 제조 비용을 낮추도록 해도 좋다.
(3) 차광막(14A, 14B)을 플로팅해도 좋고 차광막(14A, 14B)에 바이어스를 걸치거나 차광막(14A, 14B)을 전원에 고정하여 차광막(14A, 14B)에 전압을 인가하도록 해도 좋다. 이에 의해, 부하 용량을 증감시키거나 혼신을 방지할 수 있다.
(4) 차광막(14A, 14B)의 재료로서 반사율이 높은 알루미늄(Al)을 사용했지만, 알루미늄(Al)의 반사율보다 낮은 소정의 반사율 이하의 금속을 사용해도 좋다. 예를 들어, 텅스텐(W), 티탄(Ti) 또는 주석(Sn)을 차광막(14A, 14B)의 재료로서 사용하도록 해도 좋다. 이에 의해, 차광막(14A, 14B)을 반사한 광이 광전 변환부(15a)에 입사하여 전자 카메라(101)가 촬영한 화상의 화질이 열화되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 텅스텐(W), 티탄(Ti) 또는 주석(Sn) 대신에 텅스텐(W)의 가시광의 반사율 이하, 티탄(Ti)의 가시광의 반사율 이하, 또는 주석(Sn)의 가시광의 반사율 이하의 반사율을 갖는 금속을 사용해도록 해도 좋다.
또한, 알루미늄(Al)의 반사율보다 낮은 소정의 반사율 이하의 광을 투과하지 않는 산화물 또는 질화물을 차광막(14A, 14B)으로서 사용하도록 해도 좋다. 예를 들어 텅스텐(W)의 가시광의 반사율 이하, 티탄(Ti)의 가시광의 반사율 이하, 또는 주석(Sn)의 가시광의 반사율 이하의 반사율을 갖고, 가시광을 투과하지 않는 산화물, 질화물을 사용하도록 해도 좋다. 산화물로서는 예를 들어 텅스텐 산화물, 티탄 산화물, 주석 산화물 등이 있다. 질화물로서는 예를 들어 텅스텐 질화물, 티탄 질화물, 주석 질화물 등이 있다. 차광막(14A, 14B)은 반도체 기판(60)을 제거한 후(도 24a 참조), CVD나 스퍼터링 등에 의해 형성된다.
(5) 차광막(14A, 14B)의 재료로서 반사율이 높은 알루미늄(Al)을 사용했지만, 알루미늄(Al)의 반사율보다 낮은 소정의 반사율 이하에서 광을 투과하지 않는 수지를 사용하도록 해도 좋다. 예를 들어, 티탄 블랙이나 카본 블랙 등의 흑색의 안료를 함유한 광 경화 수지, 또는 흑색의 염료로 착색한 광경화 수지를 차광막(14A, 14B)의 재료로서 사용하도록 해도 좋다. 이에 의해, 차광막(14A, 14B)을 반사한 광이 광전 변환부(15a)에 입사되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 티탄 블랙이나 카본 블랙 등의 흑색의 안료를 함유한 광경화 수지, 또는 흑색의 염료로 착색한 광 경화 수지 대신 텅스텐(W)의 가시광의 반사율 이하, 티탄(Ti)의 가시광의 반사율 이하, 또는 주석(Sn)의 가시광의 반사율 이하의 반사율을 갖고, 가시광을 투과하지 않는 수지를 사용하도록 해도 좋다. 차광막(14A, 14B)은 예를 들어 반도체 기판(60)을 제거한 후(도 24a 참조), 수지의 도포, 도포한 수지의 건조, 패턴 노광, 현상 처리의 공정을 거쳐 형성된다.
(6) 알루미늄(Al)의 반사율 보다 낮은 소정의 반사율 이하의 금속의 막을 차광막(14A, 14B)의 표면에 형성되도록 해도 좋다. 예를 들어, 텅스텐(W), 티탄(Ti) 또는 주석(Sn)의 막을 차광막(14A, 14B)의 표면에 형성하도록 해도 좋다. 이에 의해, 차광막(14A, 14B)을 반사시킨 광이 광전 변환부(15a)에 입사되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 텅스텐(W), 티탄(Ti) 또는 주석(Sn) 대신 텅스텐(W)의 가시광의 반사율 이하, 티탄(Ti)의 가시광의 반사율 이하, 또는 주석(Sn)의 가시광의 반사율 이하의 반사율을 갖는 금속의 막을 차광막(14A, 14B)의 표면에 형성하도록 해도 좋다.
또한, 알루미늄(Al)의 반사율보다 낮은 소정의 반사율 이하의 광을 투과하지 않는 산화물 또는 질화물의 막을 차광막(14A, 14B)의 표면에 형성하도록 해도 좋다. 예를 들어, 텅스텐(W)의 가시광의 반사율 이하, 티탄(Ti)의 가시광의 반사율 이하, 또는 주석(Sn)의 가시광의 반사율 이하의 반사율을 갖고, 가시광을 투과하지 않는 산화물 또는 질화물의 막을 차광막(14A, 14B)의 표면에 형성하도록 해도 좋다. 산화물로서는 예를 들어 텅스텐 산화물, 티탄 산화물, 주석 산화물 등이 있다. 질화물로서는 예를 들어 텅스텐 질화물, 티탄 질화물, 주석 질화물 등이 있다. 이들의 막은 차광막(14A, 14B)을 형성한 후(도 24b 참조), CVD나 스퍼터링 등에 의해 형성된다.
(7) 알루미늄(Al)의 반사율보다 낮은 소정의 반사율 이하에서 광을 투과하지 않는 수지의 막을 차광막(14A, 14B)의 표면에 형성하도록 해도 좋다. 예를 들어, 티탄 블랙이나 카본 블랙 등의 흑색의 안료를 함유한 광경화 수지, 또는 흑색의 염료로 착핵한 광경화 수지의 막을 차광막(14A, 14B)의 표면에 형성하도록 해도 좋다. 이에 의해, 차광막(14A, 14B)을 반사한 광이 광전 변환부(15a)에 입사되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 티탄 블랙이나 카본 블랙 등의 흑색의 안료를 함유한 광경화 수지, 또는 흑색의 염료로 착색한 광경화 수지 대신 텅스텐(W)의 가시광의 반사율 이하, 티탄(Ti)의 가시광의 반사율 이하, 또는 주석(Sn)의 가시광의 반사율 이하의 반사율을 갖고, 가시광을 투과하지 않는 수지막을 차광막(14A, 14B)의 표면에 형성하도록 해도 좋다. 이들의 막은 예를 들어 차광막(14A, 14B)을 형성한 후(도 24b 참조), 수지의 도포, 도포한 수지의 건조, 패턴 노광, 현상 처리의 공정을 거쳐 형성된다.
(8) 상술한 소정의 반사율 이하의 차광막(14A, 14B)의 표면에 상술한 소정의 반사율 이하의 재료의 막을 형성하도록 해도 좋다. 이에 의해 차광막(14A, 14B)을 반사한 광이 광전 변환부(15a)에 입사되는 것을 더욱 억제할 수 있다.
(9) 촬상 소자(111)는 4TR-CMOS 센서였지만, 이면 조사형의 촬상 소자이면 4TR-CMOS 센서에 한정되지 않는다. 예를 들어, 다른 CMOS 센서이어도 좋고 CCD(Charge Coupled Device)이어도 좋다.
**상기 제 2 실시 형태와 변형예 중 하나, 또는 복수를 조합시키는 것도 가능하다. 변형예끼리 어떻게 조합시키는 것도 가능하다.
또한, 상기 제 1 실시 형태의 부분에서 설명한 작용 효과는 상기 제 2 실시 형태에도 들어 맞고, 상기 제 2 실시 형태의 부분에서 설명한 작용 효과는 상기 제 1 실시 형태에도 들어 맞는다. 또한, 상기 제 1 실시 형태의 부분에서 설명한 변형예는 상기 제 2 실시 형태에서도 들어 맞는 것이 있고, 상기 제 2 실시 형태의 부분에서 설명한 변형예는 상기 제 1 실시 형태에서도 들어맞는 것도 있다.
10: 마이크로 렌즈 11: 마이크로 렌즈 고정층
12: 색필터 13: 평탄화층
16: 반도체층 17: 배선층
31: 재설정 트랜지스터 32: 전송 게이트 트랜지스터
33: 광전 변환부 34: 전하 전압 변환부
35: 소스 팔로어 트랜지스터 36: 행 선택 트랜지스터
101: 전자 카메라 102: 교환 렌즈
103: 카메라 바디 104: 마운트부
105~107: 렌즈 109: 렌즈 구동 제어 장치
111, 211: 촬상 소자 112: 카메라 구동 제어 장치
113: 메모리 카드 114: LCD 드라이버
115: LCD 116: 접안 렌즈
210: 촬상 화소 211: 초점 검출 화소
300: 기본 화소
12: 색필터 13: 평탄화층
16: 반도체층 17: 배선층
31: 재설정 트랜지스터 32: 전송 게이트 트랜지스터
33: 광전 변환부 34: 전하 전압 변환부
35: 소스 팔로어 트랜지스터 36: 행 선택 트랜지스터
101: 전자 카메라 102: 교환 렌즈
103: 카메라 바디 104: 마운트부
105~107: 렌즈 109: 렌즈 구동 제어 장치
111, 211: 촬상 소자 112: 카메라 구동 제어 장치
113: 메모리 카드 114: LCD 드라이버
115: LCD 116: 접안 렌즈
210: 촬상 화소 211: 초점 검출 화소
300: 기본 화소
Claims (15)
- 광이 입사되는 제1 마이크로 렌즈와,
광이 입사되는 제2 마이크로 렌즈와,
상기 제1 마이크로 렌즈로부터의 광이 통과하는 제1 개구부를 갖는 제1 부재와,
상기 제2 마이크로 렌즈로부터의 광이 통과하는 상기 제1 개구부보다 개구 면적이 작은 제2 개구부를 갖는 제2 부재와,
상기 제1 개구부로부터의 광을 전하로 변환하는 제1 광전 변환부와,
상기 제2 개구부로부터의 광을 전하로 변환하는 제2 광전 변환부와,
상기 제1 광전 변환부에서 변환된 전하를 전송하기 위한 제1 전송부와,
상기 제2 광전 변환부에서 변환된 전하를 전송하기 위한 제2 전송부와,
상기 제1 전송부에 접속되고, 상기 제1 전송부를 제어하기 위한 제어 신호가 출력되는 제1 전송 제어선과,
상기 제2 전송부에 접속되고, 상기 제2 전송부를 제어하기 위한 제어 신호가 출력되는 제2 전송 제어선을 구비하고,
상기 제1 광전 변환부는 상기 제1 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제1 마이크로 렌즈와 상기 제2 전송 제어선 사이에 배치되고,
상기 제2 광전 변환부는 상기 제2 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제2 마이크로 렌즈와 상기 제1 전송 제어선 사이에 배치되는, 촬상 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 전송부에 의해 상기 제1 광전 변환부로부터의 전하가 전송되는 제1 전하 전압 변환부와,
상기 제2 전송부에 의해 상기 제2 광전 변환부로부터의 전하가 전송되는 제2 전하 전압 변환부와,
상기 제1 전하 전압 변환부의 전위를 재설정하기 위한 제1 재설정부와,
상기 제2 전하 전압 변환부의 전위를 재설정하기 위한 제2 재설정부와,
상기 제1 재설정부에 접속되고, 상기 제1 재설정부를 제어하기 위한 제어 신호가 출력되는 제1 재설정 제어선과,
상기 제2 재설정부에 접속되고, 상기 제2 재설정부를 제어하기 위한 제어 신호가 출력되는 제2 재설정 제어선을 구비하고,
상기 제1 광전 변환부는 상기 제1 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제1 마이크로 렌즈와 상기 제2 재설정 제어선 사이에 배치되고,
상기 제2 광전 변환부는 상기 제2 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제2 마이크로 렌즈와 상기 제1 재설정 제어선 사이에 배치되는, 촬상 소자. - 제 2 항에 있어서,
상기 제1 전송 제어선은 상기 제1 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제1 광전 변환부와 상기 제2 재설정 제어선 사이에 배치되고,
상기 제2 전송 제어선은 상기 제2 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제2 광전 변환부와 상기 제1 재설정 제어선 사이에 배치되는, 촬상 소자. - 제 3 항에 있어서,
상기 제1 전하 전압 변환부에 접속되고, 상기 제1 전하 전압 변환부의 전위에 기초하는 제1 신호를 출력하는 제1 소스 팔로어 트랜지스터와,
상기 제2 전하 전압 변환부에 접속되고, 상기 제2 전하 전압 변환부의 전위에 기초하는 제2 신호를 출력하는 제2 소스 팔로어 트랜지스터와,
상기 제1 신호가 출력되는 제1 출력선과,
상기 제2 신호가 출력되는 제2 출력선과,
상기 제1 소스 팔로어 트랜지스터와 상기 제1 출력선을 접속하기 위한 제1 선택부와,
상기 제2 소스 팔로어 트랜지스터와 상기 제2 출력선을 접속하기 위한 제2 선택부와,
상기 제1 선택부에 접속되고, 상기 제1 선택부를 제어하기 위한 제어 신호가 출력되는 제1 선택 제어선과,
상기 제2 선택부에 접속되고, 상기 제2 선택부를 제어하기 위한 제어 신호가 출력되는 제2 선택 제어선을 구비하고,
상기 제1 광전 변환부는 상기 제1 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제1 마이크로 렌즈와 상기 제2 선택 제어선 사이에 배치되고,
상기 제2 광전 변환부는 상기 제2 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제2 마이크로 렌즈와 상기 제1 선택 제어선 사이에 배치되는, 촬상 소자. - 제 4 항에 있어서,
상기 제1 전송 제어선은 상기 제1 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제1 광전 변환부와 상기 제2 선택 제어선 사이에 배치되고,
상기 제2 전송 제어선은 상기 제2 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제2 광전 변환부와 상기 제1 선택 제어선 사이에 배치되는, 촬상 소자. - 제 5 항에 있어서,
상기 제1 출력선은 상기 제1 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제1 광전 변환부와 상기 제2 전송 제어선 사이에 배치되고,
상기 제2 출력선은 상기 제2 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제2 광전 변환부와 상기 제1 전송 제어선 사이에 배치되는, 촬상 소자. - 제 5 항에 있어서,
상기 제1 출력선은 상기 제1 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제1 광전 변환부와 상기 제2 재설정 제어선 사이에 배치되고,
상기 제2 출력선은 상기 제2 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제2 광전 변환부와 상기 제1 재설정 제어선 사이에 배치되는, 촬상 소자. - 제 5 항에 있어서,
상기 제1 출력선은 상기 제1 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제1 광전 변환부와 상기 제2 선택 제어선 사이에 배치되고,
상기 제2 출력선은 상기 제2 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제2 광전 변환부와 상기 제1 선택 제어선 사이에 배치되는, 촬상 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 전송부에 의해 상기 제1 광전 변환부로부터의 전하가 전송되는 제1 전하 전압 변환부와,
상기 제2 전송부에 의해 상기 제2 광전 변환부로부터의 전하가 전송되는 제2 전하 전압 변환부와,
상기 제1 전하 전압 변환부에 접속되고, 상기 제1 전하 전압 변환부의 전위에 기초하는 제1 신호를 출력하는 제1 소스 팔로어 트랜지스터와,
상기 제2 전하 전압 변환부에 접속되고, 상기 제2 전하 전압 변환부의 전위에 기초하는 제2 신호를 출력하는 제2 소스 팔로어 트랜지스터와,
상기 제1 신호가 출력되는 제1 출력선과,
상기 제2 신호가 출력되는 제2 출력선과,
상기 제1 소스 팔로어 트랜지스터와 상기 제1 출력선을 접속하기 위한 제1 선택부와,
상기 제2 소스 팔로어 트랜지스터와 상기 제2 출력선을 접속하기 위한 제2 선택부와,
상기 제1 선택부에 접속되고, 상기 제1 선택부를 제어하기 위한 제어 신호가 출력되는 제1 선택 제어선과,
상기 제2 선택부에 접속되고, 상기 제2 선택부를 제어하기 위한 제어 신호가 출력되는 제2 선택 제어선을 구비하고,
상기 제1 광전 변환부는 상기 제1 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제1 마이크로 렌즈와 상기 제2 선택 제어선 사이에 배치되고,
상기 제2 광전 변환부는 상기 제2 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제2 마이크로 렌즈와 상기 제1 선택 제어선 사이에 배치되는, 촬상 소자. - 제 9 항에 있어서,
상기 제1 전송 제어선은 상기 제1 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제1 광전 변환부와 상기 제2 선택 제어선 사이에 배치되고,
상기 제2 전송 제어선은 상기 제2 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제2 광전 변환부와 상기 제1 선택 제어선 사이에 배치되는, 촬상 소자. - 제 9 항에 있어서,
상기 제1 출력선은 상기 제1 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제1 광전 변환부와 상기 제2 전송 제어선 사이에 배치되고,
상기 제2 출력선은 상기 제2 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제2 광전 변환부와 상기 제1 전송 제어선 사이에 배치되는, 촬상 소자. - 제 9 항에 있어서,
상기 제1 출력선은 상기 제1 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제1 광전 변환부와 상기 제2 선택 제어선 사이에 배치되고,
상기 제2 출력선은 상기 제2 마이크로 렌즈의 광축 방향에서 상기 제2 광전 변환부와 상기 제1 선택 제어선 사이에 배치되는, 촬상 소자. - 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항의 촬상 소자와,
상기 촬상 소자로부터 출력된 제2 신호를 사용하여 렌즈의 구동을 제어하는 제어부를 구비하는, 촬상 장치. - 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항의 촬상 소자와,
상기 촬상 소자로부터 출력된 제1 신호를 사용하여 생성된 이미지를 표시부에 표시시키는 제어부를 구비하는, 촬상 장치. - 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항의 촬상 소자와,
상기 촬상 소자로부터 출력된 제1 신호를 사용하여 생성된 이미지의 데이터를 기록 매체에 기록시키는 제어부를 구비하는, 촬상 장치.
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